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Eletrnica de Potncia

Aula 2 Dispositivos de Potncia

Prof. Marcelo Nascimento


Dispositivos de potncia: caractersticas e
funcionamento

1. Diodos de potncia
O diodo mostrado abaixo formado pela juno dos materiais dos tipos N e P.
Desta forma, s h passagem de corrente eltrica quando for imposto um
potencial maior no lado P do que no lado N. Devido a uma barreira de potencial
formada nesta juno (V), necessria uma d.d.p. com valor acima de 0,6V
(em diodos de sinal) para que haja a conduo. Em diodos de potncia, esta
tenso necessria gira em torno de 1 a 2V.
1. Diodos de potncia

Na figura 05 vemos o aspecto fsico de um diodo de potncia


caracterizado pelo anodo rosqueado.

Figura 05 Aspecto fsico do diodo de potncia


1. Diodos de potncia

Principais valores nominais para os diodos:

O valor nominal da tenso de pico inversa (peak inverse voltage


PIV) a tenso inversa mxima que pode ser ligada nos terminais do
diodo sem ruptura.

Se for excedido a PIV nominal, o diodo comea a conduzir na direo


inversa e pode ser danificado no mesmo instante.

Os valores nominais da PIV so de dezenas a milhares de volts,


dependendo do tipo do diodo. Os valores nominais da PIV so tambm
chamados de tenso de pico reversa (PRV) ou tenso de ruptura (VBR).
1. Diodos de potncia

Corrente direta mdia mxima If(avg)Max

A corrente direta mdia mxima a corrente mxima


que um diodo pode aguentar com segurana quando
estiver diretamente polarizado.

Os diodos de potncia esto disponveis com valores


nominais que vo desde alguns poucos a centenas de
ampres.
2. Transistor bipolar de juno (TJB)

Um transistor bipolar um dispositivo de trs camadas


P e N (P-N-P ou N-P-N), cujos smbolos so mostrados
na figura 07.
2. Transistor bipolar de juno (TJB)

De modo geral, o TJB de potncia segue os mesmos


parmetros do transistor de sinal. Algumas caractersticas
so prprias devido aos nveis de correntes e tenses que o
dispositivo trabalha, por exemplo:

a) o ganho varia entre 15 e 100;


b) operao como chave, variando entre os estados de corte e
saturao;
c) tenso e corrente mximas de coletor de 700V e 800A,
respectivamente;
d) tenso de saturao de 1,1V para um transistor de silcio.
e) tenso de bloqueio reverso entre coletor e emissor em torno de 20V,
de modo que o impede de trabalhar em AC.
3. Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor
(MOSFET)

O transistor de efeito de campo de semicondutor de xido


metlico (MOSFET) de potncia um dispositivo para uso
como chave em nveis de potncia.

Os terminais principais so o dreno e a fonte, com a


corrente fluindo do dreno para a fonte e sendo
controlada pela tenso entre a porta e a fonte.
3. Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor
(MOSFET)

Abaixo mostrado o smbolo do MOSFET:


3. Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor
(MOSFET)

O MOSFET um transistor de chaveamento rpido,


caracterizado por uma alta impedncia de entrada,
apropriado para potncias baixas (at alguns quilowatts) e
para aplicaes de alta frequncia (at 100kHz).

O MOSFET infelizmente sozinho no consegue bloquear


uma tenso reversa entre dreno e fonte.
3. Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor
(MOSFET)

Isto de deve a um diodo


acoplado internamente a sua
estrutura em antiparalelo.

Este diodo chamado de


diodo de corpo e serve para
permitir um caminho de
retorno para a corrente para
a maioria das aplicaes de
chaveamento. Este diodo
visto na figura ao lado.
4. Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as


caractersticas de baixa queda de tenso de saturao do
TJB com as excelentes caractersticas de chaveamento e
simplicidade dos circuitos de controle da porta do MOSFET.

Figura 11 Smbolo do IGBT


4. Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

Os IGBTs substituem os MOSFETS em aplicaes de alta


tenso, nas quais as perdas na conduo precisam ser
mantidas em valores baixos.

Embora as velocidades de chaveamento dos IGBTs sejam


maiores (at 50 kHz) do que as dos TJBs, so menores que
as dos MOSFETs.
4. Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

Portanto, as frequncias mximas de chaveamento


possveis com IGBT ficam entre as dos TJBs e as dos
MOSFETs.

Ao contrrio do que ocorre no MOSFET, o IGBT no tem


qualquer diodo reverso interno. Assim, sua capacidade de
bloqueio para tenses inversas muito ruim. A tenso
inversa mxima que ele pode suportar de menos de 10 V.
5. Retificador controlado de silcio (SCR)

O SCR um dispositivo de trs terminais, chamados de


anodo (A), catodo (K) e gatilho (G), como mostra a figura a
seguir:
5. Retificador controlado de silcio (SCR)

Podemos considerar o SCR um diodo controlado pelo


terminal de gatilho. No SCR, apesar da tenso ser positiva,
o mesmo ainda permanece bloqueado (corrente nula).

S quando for aplicado um pulso de gatilho, que o


SCR passar a conduzir corrente, comportando-se como
um curto-circuito.
6. DIAC

DB-3

Curva Caracterstica
7. TRIAC

Para se evitar a necessidade de utilizao de dois SCRs


em antiparalelo, foi desenvolvido o TRIAC.

TRI (triodo ou dispositivo de trs terminais) e AC (corrente


alternada) formam o nome deste elemento, cuja principal
caracterstica permitir o controle de passagem de corrente
alternada.
7. TRIAC

Ascondies de disparo so
anlogas ao do SCR. Podendo ser
disparado com corrente de gatilho
positiva ou negativa.

Em conduo, apresenta-se
quase como um curto-circuito
com queda de tenso entre 1V e
2V.

Os terminais so chamados de Figura 23 Smbolo do triac


anodo 1 (A1 ou MT1), anodo 2
(A2 ou MT2) e gatilho (G)
7. TRIAC
O TRIAC pode ser disparado em qualquer polaridade de
tenso e sentido de corrente, desta forma ele opera nos
quatro quadrantes, tomando-se o terminal A1 como
referncia.

Quadrantes de polarizao do triac


7. TRIAC

Curva caracterstica do TRIAC


6. TRIAC Circuitos de aplicao - Dimmer
7. SCR em CA

( )
Tenso mdia : =

1 2
: = . +
4 4 8

: =
8. TRIAC em CA

: =0

1 2
: = +
2 2 4

: =
9. Exerccios

Considere uma carga RL= 100


Vin=127V
=30, 45, 60, 90
Determine as tenso mdia, eficaz e potncia na carga aplicando os parmetros com SCR e com TRIAC