Universidad de Santiago de Chile

Facultad de Ingeniera
Departamento de Ingeniera Elctrica

Informe N 3
Laboratorio de Electrnica

Transistores bipolares

Integrantes: Constanza Elemes

Fernanda Tapia
Introduccin
En este informe, obtendremos las curvas caractersticas de un transistor tipo NPN, visualizadas en
un osciloscopio, de dos circuitos principalmente, el de un transistor bipolar y el de un
amplificador, el cual es la piedra angular de las tecnologas digitales que se han desarrollado
hasta el presente siglo. Junto con ello ahondaremos en la aplicacin como amplificador de seales,
en el cual es empleado este dispositivo.

Objetivos
Obtener las curvas caractersticas de un transistor bipolar (BJT)

Marco terico

Transistor: es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal de salida
en respuesta a una seal de entrada.1 Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistor de
transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos de
uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras,
lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, entre otros.

Transistor de unin bipolar: (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que
permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se
debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones;
pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en

electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la
tecnologa TTL o BICMOS.

Estado de saturacin: Corresponde a la situacin en que = 0, en la LCCC (Lnea de carga de

Corriente Continua), es el punto ubicado en el extremo superior, donde no hay tensin entre
emisor colector, y la corriente Icq es la mxima.
Desarrollo Experimental

Figura 1 Primer circuito de trabajo

Saturacin y Corte

Para trabajar de forma fluida con el transistor primero se deben conocer los valores en los cuales
se produce la regin de corte y saturacin.

Corte:

Figura 2 Voltaje en el que se produce corte

= 3,6 [] 5 [ ] = 18 []

Saturacin:

Figura 3 Corriente en la que se produce

saturacin

= 3,6 [] 5 [ ] = 18 []

Calculo del parmetro en el transistor 2N1711

El parmetro revela la magnitud relativa de la corriente del colector IC con respecto a la corriente
de base IB.

Para calcular este parmetro se varia la fuente de voltaje V1

Figura 4 Punto de equilibrio entre Ic y Vce

 V1 IC
1
1,4[] 5 [ ] = 7[] 2,2[] 5 [ ] = 11 []

2
1,8[] 5 [ ] = 9 [] 1.8[] 5 [ ] = 9 []

3
2[] 5 [ ] = 10 [] 2[] 5 [ ] = 8 []

Para calcular IB se aplica la ley de ohm en la resistencia R2, en la cual anteriormente se mide con el
multitester su tensin.

VR IB
1 1,87 [] 56,7 []
2 1,54 [] 46,7 []
3 1,4 [] 42,4 []

Recta de Carga
20

18

16

14

12

10

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Luego se calcula como:

=

IC IB
1 11 [] 56,7 [] 196. ,43
2 9,5 [] 46,7 [] 192,72
3 8 [] 42,4 [] 188,68

Figura 5 Segundo circuito de trabajo

Calculo del punto de operacin

En el transistor polarizado por medio del divisor de voltaje se obtienen los siguientes parmetros
tericos:
1 2
= = 1||2 = = 9,24 []
1 + 2
2
= = = 1,59 []
1 + 2
Considerando = 192,61, promedio de lo calculado anteriormente y VBE = 0,7 [V]:

= = = 0,85 []

+


= = [4,41]

= ( + ) = 11,65 []

Los valores de los parmetros experimentales medidos con el multitester son:

= 1,536 []
= 12,26 []
= 0,88 []
= 11,38 []
= 0,656 []
= 10,54 []

= = 0,874 []


= = 0,88 []


= = 4,45 []

Los errores porcentuales se muestran en la siguiente tabla:

Parmetro Terico Experimental Error %

VBB 1,59 [V] 1,536 [V] 3,4
IC 0,85 [mA] 0,874 [mA] 2,8
IE 0,85 [mA] 0,88 [mA] 3,5
IB 4,41 [A] 4,54 [A] 2,9
VCE 11,65 [V] 11,37 [V] 2,4

Calculo de la ganancia

Para medir la ganancia se utiliza el osciloscopio conectando un canal en la entrada y el otro en la

salida del circuito, en este caso el canal 2 en la entrada y el canal 1 en la salida, como se puede
observar en la siguiente imagen la escala del canal 2 es de 5 [v/div] y la escala del canal 1 es de 0,5
[v/div], cuando ambas seales se presentan con igual amplitud y frecuencia, por lo tanto, se puede
inferir que a ganancia es de:
 5
= = = 10
0,5

Figura 6 Seal de entrada y de salida para el clculo de la ganancia

Conclusin

Las seales amplificadas, aparte de incrementar su valor de magnitud, sufren un

desfase en 180 con respecto a la seal de entrada.

Se pudo obtener las curvas caractersticas solicitadas para caso.

Como en el transistor no se acumula carga, se cumple que la corriente que sale por
el emisor es igual a la suma de las corrientes que entran por la base y el colector.

Una vez polarizado el transistor en su zona de funcionamiento se produjeron

variaciones no deseadas de las corrientes en l. Esto se debe a las variaciones en la tensin
colector-base, las cuales son consecuencia de la modulacin de la anchura de la base,
tambin conocida como Efecto Early.