Que es la barrera de potencial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je).

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin,
zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de potencial, zona de carga
espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de deplexin, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su

anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de
iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas
p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso delsilicio y 0,3 V si los cristales son
de germanio.

Polarizacin directa de la unin P - N

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial
de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el
diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a

la parte P de la unin P - N y la negativa a la N. En estas
condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres

del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la
unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a
decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la
unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia.

Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de
tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y
llega hasta la batera.
De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de
valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final.
 Polarizacin inversa de la unin P - N

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el
valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n
y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida
que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros,
al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8
electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han
formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones
libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los
tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga
elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo
potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de
saturacin.
 CORRIENTE SUPERFICIAL DE FUGAS.

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta
corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la
corriente superficial de fugas.

Conduce una pequea corriente por la superficie del diodo ya que en la superficie los tomos del
silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los 4 enlaces covalentes necesarios
para obtener estabilidad.

Esto hace que los tomos de la superficie tanto de la zona n como la p tengan huecos en su orbital
de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual
que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fuga es despreciable.

CORRIENTE DE DIFUSIN.

El efecto de difusin se produce cuando la concentracin de portadores no es uniforme a lo largo

del semiconductor, o lo que es lo mismo, existe
Un gradiente de concentracin de portadores con la distancia, producindose un
Desplazamiento de portadores que trata de establecer el equilibrio (igualar la
concentracin en la totalidad del volumen). Este desplazamiento de portadores dara
lugar a un transporte neto de carga a travs de una superficie y por tanto a una corriente
de difusin.
La corriente total en un semiconductor es el resultado de ambos efectos:
desplazamiento por campo elctrico o diferencia de potencial y difusin por gradiente
de concentracin.

En un semiconductor en circuito abierto con gradiente de concentracin, se

producir un corriente de difusin que dara lugar a iones, concentracin de carga y
consecuentemente un campo elctrico que dara lugar a una corriente de arrastre, que en
el equilibrio anulara la de difusin, dando lugar a una corriente total nula, esto es, en el
equilibrio la tendencia a la difusin se compensa con la tendencia al arrastre.
 CORRIENTE DE DESPLAZAMIENTO

Una corriente de desplazamiento es una cantidad que esta relacionada con un campo elctrico que
cambia o vara en el tiempo. Esto puede ocurrir en el vaco o en un dielctrico donde existe el
campo elctrico. No es una corriente fsica, en un sentido estricto, que ocurre cuando una carga se
encuentra en movimiento o cuando la carga se transporta de un sitio a otro. Sin embargo, tiene las
unidades de corriente elctrica y tiene asociado un campo magntico. La corriente de
desplazamiento fue postulada en 1865 por James Clerk Maxwellcuando formulaba lo que ahora se
denominan ecuaciones de Maxwell.

Est incorporada en la ley de Ampre, cuya forma original funcionaba slo en superficies que estaban
bien definidas (continuas y existentes) en trminos de corriente. Una superficie S1elegida tal que incluya
nicamente una placa de un condensador debera tener la misma corriente que la de una superficie S2
elegida tal que incluya ambas placas del condensador. Sin embargo, como la carga termina en la
primera placa, la Ley de Ampre concluye que no existe carga encerrada en S1. Para compensar esta
diferencia, Maxwell razon que esta carga se encontraba en el flujo elctrico, la carga en el campo
elctrico, y mientras que la corriente de desplazamiento no es una corriente de carga elctrica, produce
el mismo resultado que aquella generando un campo magntico.

CORRIENTE INVERSA DE SATURACIN.

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de

pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento
de 10 en la temperatura

el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se

formarn pares electrn-hueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del
orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin.