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INGENIERIA ELECTRICA
LABORATORIO DE ELECTRONICA III.
Nmero de Equipo:______
INTEGRANTES
2).___________________________________ ____________
Fecha de realizacin:___________
Calificacin:___________
JLDM 6EV2
P gin 1 de 18
CARRERA DE INGENIERIA ELECTRICA.
Prcticas de Laboratorio de Electrnica III. Prctica No. 5
OBJ ETIVOS:
d) Que el alumno realice las mediciones y ajustes correspondientes para obtener los
tiempos adecuados, para circuitos que funcionan como seal de reloj.
MATERIAL:
2 74LS157
1 74LS82
1 74LS151
1 74LS 150
16 interruptores.
16 resistores 2.2 K.
EQUIPO:
Osciloscopio.
2 Puntas Compensadas de Osciloscopio.
Fuente de voltaje (5 V DC).
Protoboard.
Pinzas de corte y de punta.
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INTRODUCCIN:
Las sumas no implican mayor problema, ya que los sistemas electrnicos operan de la
manera que un ser humano, por ejemplo para sumar los nmeros (decimales) de un solo
dgito, 7 y 3 se tendr como resultado un 0 y como acarreo un 1, para formar el resultado cuyo
valor es el 10.
Para la operacin de las restas, todos estamos acostumbrados desde los estudios a nivel
bsico de utilizar el concepto de prstamo, el cual en los sistemas electrnicos es muy difcil
llevarlo a cabo, por lo que la operacin aritmtica de la resta se implanta mediante un mtodo
algo ms complicado para el razonamiento y consiste en realizar un complemento al
sustraendo para posteriormente utilizar la operacin de la suma como estamos habitualmente
a realizarla, y de esta manera obtener el resultado de la resta (le aconsejamos leer bibliografa
apropiada Sistemas Digitales del autor TOCCI).
0 0 0 0
0 1 0 1
1 0 0 1
1 1 1 0
Donde las primeras tres operaciones producen una suma de 1 dgito, pero cuando los dos bits
de entrada son 1, la suma binaria consta de 2 bits. El bit ms significativo de este resultado se
denomina acarreo (del ingles Carry), cuando ambos sumandos contienen ms dgitos
significativos, el acarreo obtenido de la suma de 2 bits se suma al siguiente par ms alto de
bits significativos. Un circuito combinacional que realiza la suma de dos bits se
denomina semisumador, uno que realiza la suma de tres bits (dos bits significativos y un
acarreo) es un sumador completo. Estos nombres provienen del hecho de que es posible usar
dos semisumadores para implementar un sumador completo.
El Semisumador de 1 bit.
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Por la tabla de verdad descrita en la tabla anterior, se sabe que este circuito necesita de dos
entradas binarias y dos salidas binarias. Las variables de entrada designan los bits que se de
desean sumar y como salidas tenemos la suma y el acarreo. La tabla de verdad del
semisumador corresponde a 2 funciones a implementar, la salida de acarreo y la salida suma.
Un sumador completo es un circuito combinacional que forma la suma aritmtica de tres bits.
Tiene tres entradas y dos salidas. Dos de las variables de entrada, denotadas por A y B,
representan los dos bits que se sumarn. La tercera entrada C_IN representa el acarreo de la
posicin significativa inmediata inferior. Se requieren de dos salidas porque la suma aritmtica
de tres dgitos binarios puede tener valores de salida entre 0 y 3y el nmero 2 o 3 binario
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requieren de 2 dgitos. Las dos salidas se denominan Suma y Acarreo. La variable binaria
Suma da el valor del bit menos significativo de la suma. La variable binaria Acarreo da el
acarreo de la salida, Como en todos los casos que se est viendo una funcin es ms sencillo
apreciar el funcionamiento mostrando la funcin en una tabla de verdad.
0 0 0 0 0
0 0 1 0 1
0 1 0 0 1
0 1 1 1 0
1 0 0 0 1
1 0 1 1 0
1 1 0 1 0
1 1 1 1 1
De la tabla de verdad observamos que tenemos 3 entradas (A,B y C_IN) y dos salidas
(Acarreo y Suma), si utilizamos los mapas de Karnaugh para reducir ambas funciones de
salida, estas se pueden ver como sigue:
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El diagrama lgico para el sumador de 1 bit implementado, se puede realizar utilizando dos
semisumadores y una compuerta OR, esta disposicin es ms simple y aprovecha el hecho
que el primer semisumador realiza una suma sin considerar el acarreo, ahora a este resultado
solo le resta sumar el acarreo, el sumador completo queda como:
MULTIPLEXOR
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De esta tabla de verdad se puede observar que si controlamos una terminal de la compuerta
AND podemos controlar el estado de la salida.
Compuerta AND
I1 I0 Z
0 0 0
0 1
0
1 0 0
1 1 1
Z=I0S'+I1 S
Con S=0, esta expresin se convierte en:
Z = I 0 .1 +I 1 .0
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Lo cual indica que Z ser idntica a la seal de entrada I0, que puede ser un nivel lgico fijo
o bien una seal lgica que vara con el tiempo. Con S=1, la expresin se transforma en:
Z = I 0 .0 + I 1 .1
MULTIPLEXOR DE 4 ENTRADAS.
Se puede aplicar la misma idea bsica para formar el multiplexor de 4 entradas, que se
muestra en siguiente figura.
Aqu se tienen 4 entradas, que se transmiten en forma selectiva a la salida, con base en las
4 combinaciones posibles de las entradas de seleccin S1S0. Cada entrada de datos se
accede con una combinacin diferente de niveles de entrada de seleccin. I0 se captura
con S1S0 negadas las dos, de manera que I0 pase a travs de su compuerta Y hacia la
salida Z slo cuando S1=0 y S0=0. La siguiente tabla, muestra las salidas de los otros 3
cdigos de seleccin de entrada.
S1 S0 Salida
0 0 Z=I0
0 1 Z=I1
1 0 Z=I2
1 1 Z=I3
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Entrada 1 Salida 1
Entrada 2 Salida 2
Entrada 3 Salida 3
Como se ha vista hasta ahora, en los sistemas digitales, las cantidades discretas de
informacin se representan con cdigos binarios. Un cdigo binario de N bits puede
representar hasta 2N elementos distintos de informacin codificada. Un decodificador es un
circuito combinacional que convierte informacin binaria de N lneas de entrada a un
mximo de 2N lneas de salida distintas.
Algunos decodificadores se construyen con compuertas NAND. Puesto que una compuerta
NAND produce una operacin AND con la salida invertida y resulta ms econmico
generar los minitrminos del decodificador en su forma complementada. La mayora de los
decodificadores incluyen una o ms entradas habilitadoras (ENABLE) que controlan el
funcionamiento del circuito. En la siguiente figura se muestra un decodificador de 2 a 4
lneas con entradas de habilitacin, construido con compuertas NAND. El circuito opera con
salidas complementadas y una entrada de habilitacin complementada.
ENTRADAS SALIDAS
A B Enable D0 D1 D2 D3
* * 1 1 1 1 1
0 0 0 0 1 1 1
0 1 0 1 0 1 1
1 0 0 1 1 0 1
1 1 0 1 1 1 0
En esta tabla de verdad, solo una salida puede ser 0 en cualquier momento dado; todas las
dems salidas son 1. La salida cuyo valor es 0 representa el minitermino seleccionado por las
entradas A y B. El circuito queda inhabilitado cuando E = 1, independientemente de los valores
de las otras dos entradas. Cuando El circuito est inhabilitado, ninguna de las salidas es 0
y ninguno de los miniterminos est seleccionado.
La variable nica de entrada Enable tiene un camino a las cuatro salidas, pero la
informacin de entrada se dirige a solo una de las lneas de salida, especificada por la
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combinacin binaria de las dos lneas de seleccin A y B. Esto se verifica examinando la tabla
de verdad del circuito.
Por ejemplo, silas lneas de seleccin son: A = 1 y B = 0, la salida 02 tendr el mismo valor
que la entrada Enable, mientras que todas las dems salidas se mantendrn en 1.
MEMORIAS.
Las memorias son dispositivos de almacenamiento de datos binarios de largo o corto plazo .La
memoria es un componente fundamental de las computadoras digitales y est presente en
gran parte de los sistemas digitales.
Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de sus siglas en
ingls Random Access Memories. Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y
contienen un conjunto de variables de direccin que permiten seleccionar cualquier direccin
de memoria de forma directa e independiente de la posicin en la que se encuentre.
Estas memorias son voltiles, es decir, que se pierde la informacin cuando no hay energa
y se clasifican en dos categoras bsicas: la RAM esttica y la RAM dinmica, las cuales se
describen en las siguientes dos secciones.
Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone
de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET,
aunque tambin existen algunas memorias pequeas construidas con transistores bipolares.
Estructura de una celda de memoria SRAM.
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Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dinamic Random Access Memories), a
diferencia de la memoria esttica se compone de celdas de memoria construidas con
condensadores. Las celdas de memoria son de fabricacin ms sencillas en comparacin a
las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad.
Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias ROM de la sigla en ingls
Read Only Memories. Se caracterizan por ser memorias de lectura y contienen celdas de
memoria no voltiles, es decir que la informacin almacenada se conserva sin necesidad de
energa. Este tipo de memoria se emplea para almacenar informacin de forma permanente
o informacin que no cambie con mucha frecuencia.
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Se usa para almacenar informacin vital para el funcionamiento del sistema: en la gestin
del proceso de arranque, el chequeo inicial del sistema, carga del sistema operativo y
diversas rutinas de control de dispositivos de entrada/salida suelen ser las tareas
encargadas a los programas grabados en ROM. Estos programas forman la llamada BIOS
(Basic Input Output System).
El elevado coste del diseo de la mscara slo hace aconsejable el empleo de los
microcontroladores con este tipo de memoria cuando se precisan cantidades superiores a
varios miles de unidades.
Una ROM puede estar fabricada tanto en tecnologa bipolar como MOS.
Una alternativa para proyectos pequeos es el uso de una de las memorias de slo lectura
programables o PROM. Permiten que el usuario mismo pueda programar el dispositivo,
ahorrndose el alto costo de la produccin de la mscara Sus contenidos no se construyen,
como la ROM, directamente en el proceso de fabricacin, sino que se tiene la posibilidad de
que el usuario las pueda programar.
El proceso de programacin es destructivo: una vez grabada, es como si fuese una ROM
normal.
Las prestaciones de las memorias PROM son similares a las anteriores, con la nica
salvedad del proceso de programacin. La escritura de la memoria PROM tiene lugar
fundiendo los fusibles necesarios por lo que la memoria PROM solo puede ser programada
una vez.
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Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia que la informacin se puede
borrar y volver a grabar varias veces. La programacin se efecta aplicando a un pin
especial de la memoria una tensin entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms,
segn el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posicin de memoria y se pone la
informacin a las entradas de datos. Este proceso puede tardar varios minutos dependiendo
de la capacidad de memoria.
Una vez grabada una EPROM con la informacin pertinente, por medio de un dispositivo
programador de memorias, la misma es instalada en el sistema correspondiente donde
efectivamente ser utilizada como dispositivo de lectura solamente. Eventualmente, ante la
necesidad de realizar alguna modificacin en la informacin contenida o bien para ser
utilizada en otra aplicacin, la EPROM es retirada del sistema, borrada mediante la
exposicin a luz ultravioleta con una longitud de onda de 2537 Angstroms (unidad de
longitud por la cual 1 A = 10 -10 m), programada con los nuevos datos, y vuelta a instalar
para volver a comportarse como una memoria de lectura solamente. Para poder ser
expuesta a la luz UV, para su borrado, est encapsulada con una ventana transparente de
cuarzo sobre la pastilla de la EPROM.
Una EPROM no puede ser borrada parcial o selectivamente; de ah que por ms pequea
que sea la eventual modificacin a realizar en su contenido, inevitablemente se deber
borrar y reprogramar en su totalidad.
Los tiempos medios de borrado de una EPROM, por exposicin a la luz ultravioleta, oscilan
entre 10 y30 minutos.
Ventajas de la EEPROM:
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Para borra la informacin no se requiere luz ultravioleta.
Se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen problemas
para almacenar la informacin.
Encontramos este tipo de memorias en aquellas aplicaciones en las que el usuario necesita
almacenar de forma permanente algn tipo de informacin; por ejemplo en los receptores de
TV para memorizar los ajustes o los canales de recepcin.
EQUIPO A EMPLEAR.
Computadora PC
Software Circuit wizard o Proteus.
DESARROLLO:
PROCEDIMIENTO:
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MESA 1 3 5 7 9 11 13 15
Sumador de
4 5 3 6 7 4 8 9
N-Bits
MESA 2 4 6 8 10 12 14 16
Restador de
8 5 3 7 4 6 9 7
N-Bits
.
5.2Muestre la forma en que dos 74LS157 y un 74LS151 pueden disponerse para formar un
MUX 161 para las mesas pares y MUX 321 para las mesas impares sin otra lgica que se
necesite. Etiquete las entradas I0 a In para mostrar cmo corresponden al cdigo de
seleccin. Adems:
5.3Implementar el siguiente circuito multiplexor que se muestra en la siguiente figura No. 5.1:
Figura No. 5.1 Multiplexado de diferentes entradas digitales y analgicas para el control o
monitoreo de las mismas.
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5.5.6. Proceda a implementar el circuito de la figura No. 5.3, el cual nos permitir experimentar
con la SRAM. Como puede notarse, el cambio de la direccin de memoria, los datos de
entrada y las lneas de control se van a manipular por medio de interruptores, en tanto
que los datos de salida podrn visualizarse en los leds, considere la tabla 2 que
determinara lo que debe hacer cada mesa.
MESAS 1 2 3 4 5 6 7 8
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La SRAM 6116 es una memoria de 2K x 8, sin embargo en este circuito no es posible
direccionar esos 2K en su totalidad ni tampoco toda la anchura de palabra disponible,
explique a que se debe esto?
CALCULOS.
Desarrollar los clculos correspondientes para la obtencin de las diferentes frecuencias en
funcin de los dispositivos electrnicos.
SIMULACIONES.
Realizar las simulaciones de los circuitos propuestos en los puntos 5.1, 5.2, 5.3, y 5.4,
empleando el software Circuit Wizard o Proteus o Multisim o PSpice.
CONCLUSIONES Y HALLAZGOS.
Conclusiones de cada uno de los integrantes, y que nuevos hallazgos logro descubrir de
acuerdo a su experiencia con el acercamiento de esta asignatura.
BIBLIOGRAFIAS.
REFERENCIAS.
Para este punto usted debe incluir en el reporte cuando menos dos artculos, o temas de
alguna revista, libro o publicacin actual, referente al tema tratado en esta prctica.
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