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UNIVERSIDADE FEDERAL DE SERGIPE

NCLEO DE ENGENHARIA DE MATERIAIS

ESTRUTURA DOS MATERIAIS:


Direes e planos cristalogrficos

Profa: Michelle Cardinale Macedo


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Roteiro da aula

Fenmeno de Polimorfismo e alotropia dos materiais.


ndices de Miller
Direes cristalogrficas para sistemas Cbico e hexagonal
Planos cristalogrficos
Densidade linear e planar
Estruturas compactas
Anisotropia e Isotropia
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POLIMORFISMO E ALOTROPIA

Polimorfismo: Caracterstica das substncias compostas que tm


mais de um tipo de estrutura cristalina. Ex: materiais cermicos:
slica (SiO2) e Zircnia (Zr02)

Alotropia: Caracterstica de elemento puro que possui mais de uma


estrutura cristalina. Ex: Fe e Ti.

Tanto o polimorfismo como alotropia so dependente da


temperatura e da presso.

As transformaes polimrficas resultam em mudanas nas


propriedades dos materiais e formam a base dos tratamentos
trmicos de aos e de vrias outras ligas.
Variaes alotrpicas do ferro puro 4

CCC

Ferrita
CFC

Austenita

CCC

Ferrita
CARACTERISTICAS DAS FORMAS ALOTROPICAS DO FERRO
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Ferrita ou ferro (CCC)


Somente pequenas concentraes de C so solveis na estrutura
CCC, a solubilidade mxima de 0,022%;
Esse material particularmente macio e magntico.

Austenita ou ferro (CFC)

Solubilidade mxima do C na austenita 2,14%,


aproximadamente 100 vezes maior do que o valor mximo para a
ferrita com estrutura CCC.
Esse material mais duro que a ferrita e no magntico

Ferrita ou ferro (CCC)


A ferrita virtualmente a mesma que a ferrita , exceto pela
faixa de temperatura que cada uma existe.
Solubilidade mxima de C nesse material 0,09%
Esse material no de qualquer importncia tecnolgica porque
Somente estvel em temperaturas relativamente elevadas.
Variaes Polimrficas da zircnia 6

Transformao reversvel Transformao acompanhada de um


acompanhada de um aumento de volume de 2,5% durante
aumento de volume de o aquecimento.
4,5% durante o
resfriamento.
A maioria das cermicas bastante frgil e no pode resistir a mudanas de volumes
superiores a 0,1%
Formas alotrpicas de alguns metais 7
8

Exemplo 1: Acima de 882 C, o titnio tem estrutura cristalina


CCC, com a= 0,332 nm. Abaixo desta temperatura ele se
organiza numa estrutura HC, com a= 0,2978 nm e c= 0,4735
nm. Determine a variao percentual de volume quando o
titnio CCC se transforma em titnio HC. Ocorre contrao ou
expanso?
Dados: VHC= a2c cos 30.
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DIREES E PLANOS
CRISTALOGRFICOS
10

Direes e planos Cristalogrficos


Coordenadas de pontos
possvel localizar pontos na clula unitria construindo o sistema de
coordenadas. A distncia medida em termos do nmero de
parmetros de rede. As coordenadas so expressas como trs
distncias separadas por vrgulas.

. .
Z
0,0,1

1,1,1 Direo cristalogrfica- uma


linha entre dois pontos ou um
vetor.

1,0,0 . . . 0,0,0
Y
1/2,1,0

X 1,1,0
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Direes e planos Cristalogrficos

Procedimento para determinao dos ndices de Miller de uma


direo cristalogrfica:

1) Com um auxlio de um sistema de coordenadas positivamente orientadas,


determine as coordenadas de dois pontos situados nesta direo;
2) Subtraia as coordenadas do ponto final das coordenadas do ponto inicial a
fim de obter o nmero de parmetros de rede percorridos na direo de
cada eixo do sistema de coordenadas;
3) Elimine fraes por meio de diviso/multiplicao dos resultados da
subtrao para obter os menores nmeros inteiros possveis;
4) Coloque os ndices entre colchetes [ ]. Caso haja algum sinal negativo,
represente-o com uma barra sobre o nmero. Os ndices no so
representados por vrgulas.
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Exemplo 2: Determine os ndices de Miller para a direo
mostrada.

Projeo sobre o eixo x


(a/2) Projeo sobre o eixo y
(b)

x y z

projees 1a 1b 0c
2
projees em 1 1 0
termos de a,b e c 2

reduo a mnimos
1 2 0
inteiros
notao [120]
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Exemplo 3: Determine os ndices de Miller de direo A, B e C
da clula unitria abaixo.

Z
Direo A 0,0,1
[100]

Direo B 1,1,1
[111]

Direo C
[122]
c
0,0,0
Y

, 1,0

X 1,0,0
b
Exemplo 4: Quais pontos da rede se encontram na direo [110]14nas
clulas unitrias CFC e OFC ?
Z
1

CFC

..
[000]

. [110]

[110]

X
OFC
15
Z

[000]

.. Y

. [110]

X [110]
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Diversos aspectos sobre o uso dos ndices de Miller


para direes precisam ser observados:
Como as direes so vetores, determinada direo e seu negativo
no so idnticos.
Toda direo e seu mltiplo so idnticos;
Certos grupos de direes so equivalentes. Os grupos de direes
equivalentes so chamados de famlia de direes.
Z Z
Famlia de direes 110

[100] Y X [010]
X Y
Equivalncia das direes cristalogrficas
em sistemas cbicos.
CRISTAIS HEXAGONAIS 17

Foi concebida uma srie especial de ndices de Miller-Bravais para


clulas unitria hexagonais, devido a sua simetria.
O sistema de coordenadas emprega quatro eixos ou sistemas
coordenados de Miller-Bravais, em vez de trs para o sistema cbico;
Os trs eixos a1, a2 e a3 esto todos contidos dentro de um nico
plano (chamado de plano de base), e a 120 em relao um ao outro.
O eixo Z perpendicular a base.
Os ndices Bravais sero representados por quatro ndices, no
formato [uvtw]; por conveno, os trs primeiros ndices dizem
respeito a projees ao longo dos respectivos eixos a1, a2 e a3 no
plano da base.
Converso do sistema com trs ndices para o sistema 18
com quatro ndices.

feita mediante o uso das seguintes frmulas:

OBS: Os ndices marcados com linha esto


associados ao sistema com trs ndices , e os
ndices sem linha esto associados ao novo
sistema com os quatro ndices de Miller- Bravais.
n um fator que pode ser necessrio para
reduzir u, v, t e w aos menores nmeros inteiros.
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Exemplo5 : Converta a direo [010] na direo [1210]


para um sistema hexagonal .
Planos cristalogrficos 20

O procedimento para encontrar os ndices de Miller que so


utilizados como notaes abreviadas para identificar os planos
cristalogrficos:
1) Identificar os pontos nos quais os planos interceptam as
coordenadas x, y e z em termos do nmero de parmetros de
rede. Se o plano passar pela origem, a origem das coordenadas
ter de ser deslocada;
2) Quando um plano no intercepta um eixo ele considerado
como tendo uma interseo no infinito e, portanto, um ndice
igual a zero;
3) Calcular os inversos dessas interaes;
4) Eliminar as fraes, mas sem arredondar para os nmeros
inteiros mais baixos;
5) Colocar os nmeros resultantes entre parntese ( ). Expressar
os nmeros negativos com uma barra sobreposta. No utilizar
vrgula para separar os ndices;
REPRESENTAES DE UMA SRIE DE PLANOS 21

CRISTALOGRFICOS
Plano (001) com referncia origem no ponto O. Plano (110) com referncia origem no
ponto O.

Outros planos (110) equivalentes

Outros planos (001)


equivalentes. Plano (111) com referncia origem
no ponto O.

Outros planos (111) equivalentes.


Exemplo 6: Determine os ndices de Miller para os
seguintes planos
(001) (101)
(110)
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Exemplo 7:Determine os ndices de Miller para os seguintes planos
(011)
(a) (b)
(131)

(112)
(102)
(d)
(C)
(123)

(122) (111) (013)


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Aspectos importantes dos ndices de Miller para os planos

1) Os planos e seus negativos so idnticos ( o que no ocorre com as


direes. Portanto, (020)= (020).

2) Os planos e seus mltiplos no so idnticos ( o que tambm difere


do que vimos com as direes). Podemos demonstrar esse fato
definindo as densidades planares e fraes de empacotamento
planar;

3) Em cada clula unitria, as famlias de plano representam grupos


de planos equivalentes que tm ndices especficos, devido
orientao das coordenadas. Representamos esses grupos de planos
similares por meio da notao { }. De forma, as famlias de planos
{110} em sistemas cbicos so (110), (101), (011),(110), (101) e (011).

4) No caso de sistemas cbicos, uma direo com os mesmos ndices de


uma plano perpendicular a esse plano.
ARRANJOS ATMICOS
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O arranjo atmico para um plano cristalogrfico, depende da estrutura


cristalina. Os planos atmico (110) para as estruturas cristalinas CFC e
CCC, apresentam empacotamento atmico, densidade linear e planar
diferente. (110)

Clula unitria CFC, mostrando


o empacotamento atmico de
um plano 110.

(110)

Clula unitria CCC, mostrando


o empacotamento atmico de
um plano 110.
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DIREES PARA O SISTEMA CCC

No sistema CCC os tomos se


tocam ao longo da diagonal do
cubo, que corresponde a famlia
de direes <111>
Ento, a direo [111] a de
maior empacotamento atmico
para o sistema CCC
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DIREES PARA O SISTEMA CFC

No sistema CFC os tomos se


tocam ao longo da diagonal da
face, que corresponde a
famlia de direes <110>
Ento, a direo [110] a de
maior empacotamento
atmico para o sistema CFC
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Densidade Atmica Linear (DL)

Definio: Nmero de tomos por unidade de comprimento


ao longo de uma direo considerada.

DL L C

L l

Onde Lc- comprimento linear total que intercepta os crculos;


Ll- Comprimento linear dentro da clula unitria.
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Exemplo 8: Calcule a densidade linear para a direo [100] em
uma estrutura cristalina CCC e uma estrutura cristalina CFC.

DL L C

L l

a
[100]
[100]

Dados
Aresta CFC Aresta CCC
4R
a 2R 2 a
3
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Densidade Atmica Planar (DP)

Definio: Nmero de tomos por unidade de rea,


considerando que seus centros esto situados no plano em
questo.

DP A C

A P

Onde:
Ac- rea total de crculos
Ap- rea planar da clula unitria
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Exemplo 9: Calcular a densidade planar para o plano na
direo [110] em uma estrutura cristalina CFC.

Ac- rea total de crculos


Ap- rea planar da clula unitria
DP A C

A P

Dados:
Aresta da CFC rea do crculo= r2
a 2R 2
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SIGNIFICADO DAS DIREES
CRISTALOGRFICAS
O fato de saber como descrever tais direes pode ser til em
varias aplicaes:
Para a deformao plstica
A deformao plstica (permanente) dos metais ocorre pelo deslizamento dos
tomos, escorregando uns sobre os outros no cristal. Os metais se deformam mais
facilmente nas direes onde os tomos esto mais compactados.
Para as propriedades de transporte
Em certos materiais, a estrutura atmica em determinados planos causa o
transporte de eltrons e/ou acelera a conduo nestes planos, e, relativamente,
reduz a velocidade em planos distantes destes.
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Sistemas de escorregamento para metais CFC, CCC e HC

Planos de Direes de N de sistemas de


Metais
Escorregamento Escorregamento Escorregamento
Cbico de faces centradas

Cbico de corpo centrado

Hexagonal compacto
Estruturas Compactas
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As estruturas cristalinas CFC e HC tm o mesmo FEA


(0,74), isso no uma coincidncia.

A seqncia de empilhamentos de planos cristalinos na


direo da diagonal do cubo da estrutura CFC e na direo
perpendicular base da estrutura HC apresentam arranjos
atmicos de mesma natureza.

A diferena entre as duas estruturas concentra-se no


posicionamento dos tomos destes planos em relao a um
ponto de referncia.
Estruturas Compactas
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B
C

Representao de uma frao de um


plano compacto de tomos; as
posies B e C esto indicadas.

Representao para a sequncia de


empilhamento AB para planos
atmicos compactos.
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ESTRUTURA HEXAGONAL COMPACTA

Seqncia de empilhamento de planos compactos para a estrutura


hexagonal compacta.
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ESTRUTURA CBICA DE FACES CENTRADAS

(a) Seqncia de empilhamentos de planos compactos para a estrutura Cbica de


faces centradas.
Estrutura Cristalina da compactao densa de 38
nions
A medida que os planos so empilhados uns sobre os outros,
pequenos stios intersticiais so criados entre eles, onde os ctions
podem ser alojados.

Trs tomos em um plano e um nico tomo Trs ons em cada um dos planos e o
no plano adjacente. O ction ocupa a posio ction ocupa a posio intersticial
intersticial tetradrica. octadrica. Nmero de coordenao para
Nmero de coordenao para o ction 4. o ction 6.
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Exemplo10:O sulfeto de ferro (FeS) pode formar uma
estrutura cristalina que consiste em um arranjo HC de ons
S2-.

a) Qual o tipo de stio intersticial que os ons Fe2+ iro ocupar?

b) Qual frao desses stios intersticiais disponvel ser ocupada


pelos ons Fe2+?
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MATERIAIS CRISTALINOS E POLICRISTALINOS

MONOCRISTALINOS: Constitudos por um nico cristal em toda a


extenso do material, sem interrupes.

POLICRISTALINOS: Constitudo de vrios cristais ou gros, cada um


deles com diferentes orientaes espaciais.
Diagramas esquemticos dos vrios estgios na solidificao de uma
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material policristalino
(b)
(a)

Crescimento dos cristalitos; a obstruo de alguns


Pequenos ncleos de cristalizao. gros que so adjacentes uns aos outros tambm
mostrada.

(c)

Ao se completar a solidificao, ocorreu a A estrutura de gros como ela apareceria


formao de gros que possuem formatos em um microscpio. As linhas so os
irregulares. contornos de gros.
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Anisotropia: Efeito de direcionalidade das propriedades devido


variao do espao atmico ou inico em funo da direo
cristalogrfica. A magnitude e extenso dos efeitos de anisotropia em
materiais cristalinos so funo da simetria da estrutura cristalina.
Ex. mdulos de elasticidade, condutividade eltrica e ndices de refrao
diferentes nas direes [100] e [111].
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Isotropia: materiais que apresentam propriedades idnticas


independentes de direes cristalogrficas.

Amostras policristalinas com orientaes cristalogrficas aleatrias se


comportam como isotrpicas. Por que?

Quando os gros apresentam uma orientao cristalogrfica


preferencial, diz-se que o material policristalino, nesse caso, apresenta
textura.

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