ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

ANLISIS DE MODULACIN ANGULAR Y CONSTRUCC

DE UN MODULADOR FM DIDCTICO USANDO LOS
MTODOS DIRECTO E INDIRECTO

TESIS PREVIA LA OBTENCIN DEL TITULO DE

INGENIERA EN ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONE

HELEN SOFA HERRERA SAAVEDRA

QUITO-ECUADOR
NOVIEMBRE DE 1995
Certifico qu el- presente trabajo
tesis ha sidq^realizado -en: su totali
prSrta:. ,-
HELE50FiA~tBRRERA SAAVE

Dfreco de T
 p jfud cfite es poderoso para hacer todas las
cosas mucho ms abundantemente de lo fue pedimos o
entendemos, segn el poder que acta en nosotros, kl
06g de los Obelos, inmortal invisible, al nico ^
sabio ^)ios sea honor p gloria por los siglos de los
siglos, 'A^mn. ((5if 3.- 20 -J^i J.-J7)

Ms que un agradecimiento, mi vida a Ti, Seor Jess.

su-amor.
 ulero dejar constancia de mi gratitud al Ing. rujn Barriga, po
ayuda desinteresada en el desarrollo y consecucin del pres
trabajo, as como tambin a la Ing. Taa Prez por la va
direccin prestada.

Tambin deseo agradecer al frea de Diseo 6lectrnico y a toda

personas que de una u otra manera contribuyeron con mi tesis, en f
especial a Carmlta Noriega, Nelly Lema, Carlos Herrera y Santiago Vpes
 NDICE

Pa

INTRODUCCIN

CAPITULO I

1.1. Fundamento matemtico

de la Modulacin Angular .-
a. Fundamento matemtico
de la modulacin en fase
b. Fundamento matemtico
de la modulacin en frecuencia

1.2. Anlisis espectral

a. Anlisis espectral de una seal FM . .
a,1. Utilizando un tono cosinusoidal
como seal modulante
a.2. Utilizando dos tonos cosinusoidales
como seal modulante
b. Anlisis espectral de una seal PM .1

1.3. Ancho de banda de transmisin

a. Ancho de banda de transmisin
para una seal FM
b. Ancho de banda de una seal PM

1.4. Potencia de una seal

con modulacin angular .1

1.5. Transmisin de seales FM y PM a travs

de redes no lineales .

1.6. Transmisin de seales FM y PM a travs

de filtros lineales
TIPOS DE MODULACIN FM Y PM

2.1. Modulacin en banda estrecha .2

a. Modulacin FM de banda estrecha 2
b. Modulacin PM de banda estrecha 2

2.2. Modulacin en banda ancha 2

a. Modulacin FM de banda ancha 2
b. Modulacin PM de banda ancha 3

2.3. Modulacin Gaussiana de banda ancha .3

2.4. Modulacin FSK . .3

2.5 Modulacin PSK 4

CAPITULO III

TCNICAS DE MODULACIN FM Y PM

3.1. Ecuacin diferencial FM . 4

3.2. Modulacin cuasiesttica 5

3.3. Modulacin FM directa 5

a. Oscilador a cristal
modulado por un diodo varactor 5
b. Modulador FM utilizando
un lazo asegurador de fase PLL .5

3.4. Modulacin indirecta 5

a. Moduladores de corrimiento de fase 5
c. Modulador de frecuencia por comparacin 6

3.5. Mtodo de Amstrong 6

3.6. Estabilizacin de frecuencia

para moduladores FM y PM 6
a. Realimenacin FM . . . 6
b. Control automtico de frecuencia 6
CAPITULO IV

DISEO Y CONSTRUCCIN DEL MODULADOR DIDCTICO EN EL RANG

DE FM

4.1. DISEO DEL MODULADOR FM UTILIZANDO EL MTODO DIRECTO

4.1.1. ETAPA DE AUDIO: SEALES MODULANTES

a. Diseo del amplificador
de bajo ruido usando el LM381
c. Diseo del filtro de audio
d. Diseo de los osciladores internos
a400Hzy 1KHz .
e. Diseo del circuito de control
para el oscilador externo
f. Circuito de seleccin
de a seal modulante

4.1.2. ETAPA DE GENERACIN DE LA SEAL PORTADORA

a. Seal de referencia a 8.3KHz
b. Diseo de! VCO
(Oscilador Controlado por Voltaje)
c. Diseo del Detector de Fase y
del filio pasabajos del PLL
d. Diseo de los contadores prograrnables
del lazo de realimentacin .

4.1.3. ETAPA DE POTENCIA

a. Diseo del amplificador
de salida clase B . .
a.1. Diseo de la
Red Transformadora de Impedancias .
b. Diseo de la etapa No.2 clase B ;...... 1
b.1, Diseo de la
Red Transformadora de Impedancias . . . . . . . . . . 1
c. Diseo de Amplificador ciase A
c.1. Diseo de! circuito fijador
a la entrada del contador MCHC4040 . . . . . . . . .

4.2. DISEO DEL MODULADOR FM UTILIZANDO EL MTODO INDIREC

4.2.1. SEAL FM DE BANDA ESTRECHA

a. Diseo del circuito generador de la seal portadora
a 62.5 KHz y del circuito defasador en 90 . . . . . . . . . 1
b. Diseo del circuito generador de la seal
modulante procesada ,
i
 c. Diseo del modulador de amplitud
con portadora suprimida 11
d. Diseo de! circuito sumador de la seal
modulada en amplitud con la seal portadora 11

4,2.2. SEAL FM A 31.25 MHZ

a. Diseo del VCO
Oscilador Controlado por Voltaje 12
b. Diseo del Detector de Fase de! PLL . 12
c. Diseo de los divisores
del lazo de realimentacion de! PLL 12

4.2.3. SEAL FM A 93.75 MHZ

a. Diseo del amplificador de potencia
clase C a 93.75MHz . 12
a.1. Diseo de la red de acoplamiento
de salida .12
b. Diseo de la etapa de preamplificacin a 93.75 MHz . . 1 3
c. Diseo del triplicador de frecuencia
de 31.25 MHz a 93.75 MHz .13
d. Diseo de la etapa amplificadora que adapta la seal
de salida de! VCO a la entrada del triolicador 13

4.3. CONSTRUCCIN DE LOS MODULADORES DIDCTICOS

Mtodo directo 13

Mtodo indirecto 14

CAPTULO V

MANUAL DE OPERACIONES Y MANTENIMIENTO DEL EQUIPO,

PRACTICAS SUGERIDAS PARA EL LABORATORIO, CONCLUSIONES Y
RECOMENDACIONES

5.1. Manual de Operaciones y Mantenimiento del Equipo 14

5.2. Practicas sugeridas para el laboratorio . 14

5.3. Conclusiones 14

5.4. Recomendaciones 15

i
Anexo A: Hoja de datos de los principales elementos utilizadas1

Anexo B; .Circuitos impresos de las tarjetas contradas -

 INTRODUCCIN

Uno de los mtodos usados para transmitir [a informacin de una seal de

baja frecuencia es el proceso de modulacin. La modulacin altera uno o varios
parmetros de una seal de alta frecuencia conocida como portadora en funcin
de la seal que se desea transmitir conocida como modulante. Si el ngulo de
fase de la seal portadora vara linealmente con la seal modulante se habla de
la modulacin en fase (PM) y si el ngulo de fase de la sea! portadora vara
linealmente con la integral de la seal modulante, se habla de la modulacin en
frecuencia (FM), en cualquiera de los casos, lo que se tiene es una modulacin
de tipo angular.

El presente trabajo proporciona la informacin terica necesaria para

entender como se produce, que parmetros intervienen, cuales son las
caractersticas y algunas tcnicas del proceso de modulacin angular, que
permiten realizar el diseo y construccin de un modulador con portadoras cuyas
frecuencias estn en el rango de las transmisiones FM comerciales (de 88.0MHz
a 108.0MHz). Si bien la modulacin analgica en frecuencia constituye un
procedimiento ampliamente estudiado, se disea los moduladores
fundamentalmente con circuitos integrados dentro de las limitaciones del medio.

En el Capitulo I se detallan mediante e! anlisis matemtico los conceptos

fundamentales de la modulacin angular; e! desarrollo presenta un tratamiento
individual, sobre el espectro y ancho de banda de una seal modulada en
frecuencia y de una seal modulada en fase, para mostrar como estas seales
estn estrechamente relacionadas y que cualquier variacin en la fase produce
necesariamente una variacin en la frecuencia y viceversa. Adems, como la
expresin genera! de la seal con modulacin angular resulta compleja, se
desarrolla en el dominio de la frecuencia, e! anlisis del espectro y de! ancho de
banda de transmisin considerando nicamente como seal modulante uno y dos
tonos sinusoidales, sin que esto signifique que la expresin obtenida solo-se la
puede aplicar en estos casos.

Es necesario aclarar que en el desarrollo de los numerales referentes a la

transmisin de seales FM y PM a travs de redes no lineales y de filtros lineales,
se pretende dar al lector una idea general del comportamiento de una seal con
modulacin angular cuando pasa por un circuito de estas caractersticas. Como
se dijo, por la estrecha relacin de las seales PM y FM, se muestra nicamente
el comportamiento de una seal modulada en frecuencia y se ve como las
caractersticas de la seal a la entrada de estos circuitos se mantienen a la salida.

En el Capitulo II se presentan los tipos de modulacin en frecuencia y en

fase tanto analgicos como digitales. Se analiza de acuerdo al ndice de
modulacin cuando se puede hablar de una modulacin en banda estrecha o de
una modulacin en banda ancha y se muestra la similitud de la modulacin FM
en banda estrecha con la modulacin en amplitud con portadora suprimida.

La modulacin de tipo digital se presenta sin considerar un anlisis

profundo sino como un ejemplo de la aplicacin de los conceptos fundamentales
de la modulacin analgica con modulantes digitales y para visualizar la
importancia y permanencia de esta tcnica a pesar del tiempo transcurrido desde
su desarrollo.

El captulo 11 pretende dar las bases de las tcnicas de modulacin

analizadas en el Capitulo III que son las que se implementarn en la prctica de
acuerdo a los requerimientos de frecuencia y potencia.

En el Captulo III se presentan adems mtodos de estabilizacin en

frecuencia para la seal modulada como parte fundamental de cualquier circuito
y se elige el mtodo directo e indirecto para e! diseo y construccin de los
moduladores FM que aparece en el Captulo IV.

Se debe indicar que si bien en el Capitulo IV se habla de diseo del

modulador didctico FM, debido a las interferencias que ocasiona la conmutacin
de seales en la parte de alta frecuencia y por e! tamao fsico que demanda un
circuito con todas estas especificaciones, se disea y se describe la forma de
construccin de dos moduladores didcticos, FM directo y FM indirecto por
separado.

El Captulo V detalla la forma de utilizacin de los moduladores y las

precauciones que se deben seguir para no daar el equipo, as corno las
limitaciones determinadas experimentalmente sin que esto signifique que deja de
cumplir con uno de los objetivos planteados que es permitir el estudio prctico de
la modulacin analgica en frecuencia usando un modulo didctico. Adems
como parte final, se sugieren prcticas para el laboratorio que el usuario del
equipo puede realizar y cuya ejecucin esta condicionada a la disponibilidad del
equipo de medicin necesario.
CONCEPTOS FUNDAMENTALES DE LA MODULACI
EN FRECUENCIA Y EN EASE

1.1 Fundamento matemtico de la modulacin angular

1.2 Anlisis espectral

1.3 Ancho de banda de transmisin

1.4 Potencia de una seal con modulacin angular

1.5 Transmisin de seales FM y PM a travs de redes

lineales

1.6 Transmisin de seales FM y PM a travs de filt

lineales
 CAPITULO

CONCEPTOS FUNDAMENTALES DE LA MODULACIN EN

FRECUENCIA Y EN FASE

Para transferir e! contenido de informacin de seales de baja frecuencia a u

onda portadora de radio frecuencia antes de ser transmitida se utiliza el proce
de modulacin.

La modulacin permite que cualquier parmetro de una seal denomina

portadora de forma conocida, vare proporcionalmente a otra seal denomina
modulante o de informacin. El proceso exige que la frecuencia de la se
portadora sea mayor que la frecuencia de la seal modulante.

Cuando los parmetros que varan en la seal portadora son el ngulo de fase
la frecuencia, ocurre el proceso de modulacin angular y como la onda pue
representarse en forma de un fasor porque es una funcin exponencial
mensaje, se le conoce tambin como modulacin exponencia!, esto es

= A eos 6(f) = Re [A

Si en el argumento 8(t) de la funcin sinusoidal se incluye un trmino que va

proporcionalmente con la seal modulante o de informacin, el resultado es
modulacin en fase y si el argumento vara haciendo que la diferencia entre
frecuencia instantnea o)(t) de 4>(t) expresada en radianes por segundo y
frecuencia de la portadora sin modular sea proporcional a la seal modulante
resultado es la modulacin en frecuencia.

Como la modulacin exponencial no es un proceso lineal, e! espectro de la se

modulada no es una simple traslacin del espectro en banda base a una frecuen
mas alta ni e! ancho de banda de transmisin igual a dos veces el ancho de ban
de! mensaje como en e! caso de la modulacin lineal.

En este proceso, la amplitud de la portadora permanece constante y e! rendimie

se puede mejorar sin incrementar la potencia de transmisin.

1.1.- FUNDAMENTO MATEMTICO DE LA MODULACIN ANGULAR:

El proceso que adeca la seal portadora mediante la modulaci

para transmitir informacin, requiere de anlisis cuantitativos que permite
que los conceptos y resultados que se obtengan sean captad
intuitivamente y comprendidos en su totalidad.

Para iniciar el anlisis matemtico, se considera una sea! sinusoidal c

cuyo ngulo o fase no se ven afectados por ninguna seal, que toma
nombre de seal portadora de la forma:

=A eos

Si esta seal cambia su frecuencia en intervalos de tiempo definidos p

variaciones de otra seal (seal modulante f(t)), como en el caso de
Fig.No.1.1, la nueva seal se especifica como;

= A eos )c"f para O< t < T y

cf)() =A eos W c t para T < t < 2T

T 2T t

A (\ VA A A f
i ]f
ui/u y
1 T

/ U Ui

Grfico de la frecuencia Instantnea en funcin del tiempo

Fig. No.1.1

Los cambios en la frecuencia hacen que la seal no se defina como un

sinusoide en forma estricta sino que se describa como una sinusoid
generalizada de la forma:

c{)(f) = A eos [C c f + Y()]

donde [cct + y(t)] es la fase total de la portadora, y(t) es la fase increment

o desviacin de fase, que contiene la informacin de la seal modulante
coc es la frecuencia angular constante.

En el caso de que la seal sea una sinusoide ordinaria,

 (j)(f) =A eos 9 ()

donc/e 8() = co c f + Y0

y la frecuencia angular constante coc se define como:

dt

Pero si la seal es la sinusoide generalizada, la derivada con respecto

tiempo de la fase o argumento se define como la frecuencia angul
instantnea to nicamente en ese instante de tiempo:

dt s

c,(f) = 2nf.(f)

t. (i) = 03c + Y()

Ec. 1.1

Escrito en otra forma 8(t) en trminos de co es igual a:

Ec. 1.2

donde 8'on es la fase inicial constante.

Como se ve, el argumento de la seal sinusoidal se puede describir no so

en trminos del ngulo de fase sino de la frecuencia Ec.1.2.

La relacin lineal de la seal modulante f(t) con uno de estos parmetros d

lugar a la modulacin en fase (PM) o en frecuencia (FM) respectivament
donde la amplitud de la seal portadora es constante.

a. Fundamento matemtico de la modulacin en fase:

En la modulacin de fase, la variacin de fase instantnea de la se

modulada respecto a la onda sin modular es directamente proporcional a
amplitud de la seal modulante.

8(0 = tocf + A9f() + G 0 [rad]

donde Ae corresponde fsicamente a la mxima desviacin de fase q
puede tener la frecuencia portadora con respecto a su valor central, debi
a la mxima amplitud de la seal modulante y se expresa en radianes;
+ 60 es la fase en ausencia de modulacin tambin expresada en radian
La velocidad angular instantnea en este caso es:

d9 A df(t) rad,
Ac L* . Ec. 1.3
dt dt s

y la seal modulada en fase se expresa como:

Ec. 1.4

El valor no modulado de 6(t) aumenta linealmente con el tiempo y

desviacin de fase de acuerdo a f(t). Un grfico de la variacin de G(t) y
con respecto al tiempo para una seal PM se muestra en la Fig.No.1.2.

Fig,No.1.2
8(t) y u, en funcin dei tiempo para una seal PM

b. Fundamento matemtico de la modulacin en frecuencia:

En la modulacin en frecuencia, la variacin de la frecuenc

instantnea respecto de la frecuencia portadora es directamen
proporciona! a la amplitud de la seal modulante:
 (, - )c = 2 TT K f a
K f a = Af

donde Af corresponde fsicamente a la mxima desviacin de frecuencia d

una seal FM expresada en radianes sobre segundo, debida al volta
modulante pico (a), CG es la frecuencia angular en ausencia de la se
modulante, tambin expresada en radianes sobre segundo y el ngulo d
fase es;

K, f(T) dr + 9D [rad]

que da lugar a la expresin para una onda modulada en frecuencia de

forma:

= A eos [)cf + 2T7K, f(T) dT + 6o] EC. 1.5

o

En la modulacin en frecuencia el ngulo de fase de la seal portadora var

linealmente con la integral de la seal modulante. El grfico de la Fig.No.1
muestra la variacin de 8(t) y co(t) con respecto al tiempo para una se
FM.

f [t] '
A A A

FM W

Fig. No.1.3
8(t) y w, en funcin del tiempo para una seal FM
1.2.- ANLISIS ESPECTRAL:

Ei anlisis espectral permite dar una descripcin en el dominio de

frecuencia de las ondas estudiadas. Debido a lo complejo del espectro e
la modulacin angular este anlisis se lo hace considerando seale
modulantes conocidas.

a. Anlisis espectral de una seal FM:

a.1. Utilizando un tono cosenoidal como seal modulante:

Para el anlisis espectral de una seal FM se considera la se

modulante f(t) de la forma:

f(f) = a eos co m f

La integral de esta seal que se reemplaza en la Ec.1.5 esta dad

por:
/
- ff(f)df = a icos co m f dt
o
a
sen Cu m t

y si se asume 8Q = O , se tiene:

a 2rr K,
$(t)FM = A cosfcoj + 1 sen u f ]
co m

Af incluye la mxima amplitud de la senal modulante (a). La relaci

entre la desviacin mxima de la portadora y la seal de frecuenc
3mse denomina ndice de modulacin de frecuencia pf :

2nAf Af o

se define nicamente para la modulacin con un tono, entonces

=A eos [cc + P f sen Cffl] EC. 1.6

Utilizando la identidad trigonomtrica

cos(a + b) - eos a eos b - sen a sen b
para la ecuacin 1 .6, se tiene;

= A Icos w c f cos(P f sen Cmf) - sen d)c seasen cmf)

Ec.

Las funciones;

f sen (m y s e n ^ sen (m

son peridicas en cm y pueden ser expandidas mediante series

Fourier de la forma:

sen com) = 2 J n (P sen n ) ffl f

n/mpar Ec.1.9

sen Cm) = J0($f) + 2 ^n(Pr) cos n ^m^

Ec.

donde n es un valor positivo y

n
J (P,) A / e cfA Ec. 1.10
n ' 2n J-n

con A = comt

El coeficiente Jn(pf) se llama funcin de Besse! de primera clase,

orden n y argumento pf; n es un nmero entero positivo o negativo
Pf es-una variable continua de valor positivo.

La adicin de la ecuacin 1.10 a las ecuaciones 1.8 y 1.9 aumen

la dificultad en las expansiones trigonomtricas y el resulta
produce una expresin para la seal FM de la forma;

E A <AA)[cos(cuc + neo J - cos(w c - neo Jf]

n Impar

A J (P,)[COS(CO + flCD )f + COS(G -

 de las propiedades de las funciones de Bessel,

se reduce la expresin anterior a:

E
n=-
cos() Cjf

0.8
Portadora
la, frecuencia lateral

a i.Q n 12 13 u 15

Fig.No.1.4
Coeficientes de Bessel para las componentes espectrales
en la modulacin de fase y de frecuencia

La ecuacin anteriores la representacin matemtica de una ond

de amplitud constante cuya frecuencia instantnea var
sinusoidalmente.

El espectro FM consiste de un pulso que es la frecuencia portador

ms un nmero infinito de pulsos que son las bandas laterale
ubicadas simtricamente con respecto a la portadora a la
frecuencias fcnfm. La amplitud relativa de estas componentes est
dada por los coeficientes Jn((3) mostrados en la Fig.No.1.4.

La amplitud relativa de la seal portadora [A J0(Pf) eos coct] de un

seal FM vara con e! ndice de modulacin y por lo tanto depende d
la informacin del mensaje, de esta forma para ndices d
modulacin (3f igual a 2.4 o 5.5, la amplitud de la portadora se hac
cero. As como el caso de la componente portadora, ocurre tambi
para las frecuencias laterales que dependen de la seal portado
para estar presentes o ser eliminadas.

En la Fig.No.1.5 se ilustra el espectro de una onda FM, a medida qu

Af aumenta (se considera un aumento en Af cuando se produce u
aumento en la amplitud de la seal modulante), para fm constante, e
este caso (3f aumenta. Si (3f crece, el nmero de coeficientes d
Bessel aumenta lo que origina un mayor nmero de pulsos en
espectro (Fg.No.1.5(a)). Cuando la frecuencia cm=2nfm disminuy
para Af constante, J3f tambin aumenta , si (Acrece, el nmero d
coeficientes de Besse! de valor significativo y el nmero de pulsos e
el espectro tambin lo hacen (Fig.No.1.5(b)).

En cualquiera de los casos, a medida que aumenta la amplitud o

frecuencia de la seal modulante, aumenta el ancho de banda de
seal FM.

a.2. Utilizando dos tonos cosenoidales como seal modulant

Para el anlisis espectral de este tipo de modulacin, se conside

a la seal f(t) de la forma:

f() = yA 1 eos (.jf + A2 eos C2f

donde co., y co 2 no estn relacionadas armnicamente, 4>(t) FMse pued

escribir entonces como:

f /

f(t) dt = A 1 [eos C01 tdt + A2 [eos co2 t dt

0 0 O

= P1 sen C1 t + P2 sen C2 t

= A eos [)c + (Pt sen )1 t + P2 sen C02 f)]

(t)FM = A [eos 3cf eos (a1 + oc2) - sen (Oc sen (a1 + a2)
 .8=1

A-Z A-Z

,3 = 5

= 20

au AW

ib]

Variacin de la amplitud Variacin de la frecuencia

de la seal modulante de la seal modulante

Fig. No. 1.5

Espectro de una seal modulada en frecuencia

= A [eos (cf (cosa 1 cosa 2 -

- sen Cc (sena1 cosa 2 + eos a1 sen a2)]

a1 = P1 sen co^ a2 = (32 sen co2

Un anlisis similar al de la modulacin con un tono permite llegar

la expresin:

Ec.1.11

La amplitud de la portadora de acuerdo al espectro de frecuencia d

esta seal, ser A J0(pn) J0(P2) existen bandas laterales ubicadas e
fc nf, y f c mf 2 debidas a cada uno de los tonos y f c nf n m
debidas a la accin conjunta de los dos tonos, donde n y m toma
todos los valores enteros. Los trminos de la Ec.1.11 muestran qu
las bandas laterales a cada lado de la portadora no se encuentra
ubicadas en forma simtrica, ni la separacin entre ellas e
constante, debido a la combinacin de n y m que da lugar a fase
distintas.

Adems, el espectro de frecuencia resultante no es la superposici

de los espectros que la portadora tendra al ser modulad
independientemente por cada uno de los'tonos.

Ni an relacionados armnicamente los dos tonos modulantes s

tiene simtrico el espectro por lo que se requieren ambas banda
laterales para una correcta demodulacin como se aprecia en
Fig.No.1.6.

f(t) = i w eos F(t)

fif = 1000Hz
= 500HZ
o.e -
0.4 -
i
0.2 -
J. f (KHz)
-4 -3 -2

f(t) = a w eos w 2 t = & w cosw^t

*Wo \ N 2f, = 1000Hz

vy O.G -
0.4-
0,2-
I
I f(KHz)
-4 -3 -2 -1

f(t)= W eos w,t-f a.w eos 2w,t

0.8-

1
0.4-
v
.2-
f (KHz)

Fig. No. 1.6

Distribuciones simtricas y asimtricas de bandas laterales de una onda FM

En la Figura 1.4 (componentes de Bessel) tambin se puede ver qu

la amplitud de la portadora [J0((3f)] y de las bandas laterales [J-3)]

1
 varan de acuerdo al ndice de modulacin y por lo tanto dependen
de la amplitud y frecuencia de la seal modulante, aunque la
potencia total de la onda modulada permanece constante, en
contraste con la modulacin lineal.

b. Anlisis espectral de una seal PM:

Para realizar el anlisis espectral de una seal PM, se utiliza por

conveniencia un tono modulante sinusoidal que permita hacer una
comparacin de este espectro con el espectro FM, de la forma:

f(f) = a sen (mf

Reemplazando esta ecuacin en la Ec.1 .6 y asumiendo 00 = O, se tiene:

^(OpM =A cs() c f + A e a sen Cmf)

8(f) = Ae a sen com

Ec.1.12

si se reemplaza a Ae por p

se tiene: (t)PM = A cos(C c f + (3 sen Cu t)

Ec.1.12

La Ec.1.12 es idntica a la Ec.1.6, el mismo procedimiento utilizado en e

anlisis del espectro FM muestra que una seal PM tiene el mismo espectro
que una seal FM para ndices de moduiacin iguales.

A pesar de que las seales modulantes fueron una coseno y un seno, Ja

distribucin de potencia .en el espectro de una onda FM o PM es
independiente de la fase' absoluta de la forma de onda modulante. Esto
significa que seales modulantes con 90 de diferencia producen seales
FM y PM idnticas, se ve adems que el ndice de modulacin de fase Pp
no depende de la frecuencia del tono modulante como ocurre con el ndice
de modulacin de frecuencia pero si depende de su amplitud.

Para no tener ambigedades en el proceso de demodulacin, es importante

considerar el rango de variacin de la fase [6(t)]( de la seal 4>(t)PM con el
valor:

Esta restriccin es similar a la que se realiza para el ndice de modulacin

12
de una sene! AM (m<1).

Un diagrama fasorial de la seal modulada angularmente con una portado

sinusoidal conocida, permite apreciar como se combinan los trminos de
serie de Fourier para producir una seal con amplitud constante; con
portadora de amplitud [J0(Pf)] como referencia, se traza la frecuencia later
superior en fc + ^ como un fasor con amplitud [J-/P)] girando en sentid
contrario a las manecillas del reloj a una frecuencia en radianes com
mientras que la frecuencia lateral inferior en fc - fm se traza como un fas
con amplitud [- J-,((3f)] girando en ei sentido de las manecillas del reloj a un
frecuencia -co m en radianes, la suma da como resultado un fasor en el eje
Para los fasores de frecuencia latera! fc 2fm , con un procedimiento com
e! explicado dan sumados un fasor solo en el eje x, de igual forma ocur
con el resto de frecuencias laterales, donde si son de orden par son siemp
colineales con el fasor de portadora, mientras de las de orden impar s
suman en ngulos rectos a la portadora.

El fasor de la seal portadora es estacionario mientras que las componente

giran respecto de la portadora.

Fasor Portadora

Fasor 1-Banda Lateral Jr,[,8]

c

u, % 2wm
Componentes fasj Fales
de.una seal modulada en ngulo
-2wra

Fasor 2 2 8anda Lateral

Fig. No. 1.7

Diagrama fasorial de una seal con modulacin angular
1,3.- ANCHO DE BANDA DE TRANSMISIN:

a. Ancho de banda de transmisin para una seal FM:

Tericamente el ancho de banda de una seal FM es infinito, debid

a las mltiples componentes espectrales que se generan por todos lo
coeficientes de Bessel que aparecen en la expresin de la seal FM, por
tanto se requieren sistemas con anchos de banda infinitos o mensajes co
anchos de banda limitados para lograr la transmisin de una seal FM pur
sin embargo, debido al pequeo valor de los coeficientes de Bessel en la
componentes de orden superior, estas pueden ser eliminadas porque
mayor parte de la energa de la portadora modulada en frecuencia es
contenida en as componentes espectrales significativas, que determina u
ancho de banda finito para la seal FM.

Para establecer cules son las componentes que se eliminan, convien

observar la variacin de las componentes con el ndice de modulacin y
distorsin que puede ser tolerada en una aplicacin especfica porque
omitir parte del espectro, se introduce distorsin en la seal demodulada

0.4

Fig. No. 1.8

Valor de los Coeficientes de Bessel
en funcin de la relacin n/p

a.1. Si pf es grande:

En la Fig. 1.8, se ve que Jn(pf) donde n es el orden del coeficiente d

Bessei, decrece rpidamente para valores de n/pf >
especialmente para pf 1. Si Pf es grande, significativ
para n < pft (se considera como significativos, aquellos coeficiente
 cuya amplitud es por lo menos el 1% de la portadora no modulad
y las componentes significativas estn contenidas en un rango d
frecuencia BW igual a:

BW = 2 Af

a.2. Si (3f es pequeo:

Cuando pf es pequeo, los coeficientes de Bessel tambin se hace

pequeos y las componentes espectrales se vuelven despreciable
comparadas con la portadora especialmente para p f 1, puesto qu
J0(Pf) Jn,0(pf) entonces:

BW =

como mnimo valor considerando por lo menos las bandas laterale

de primer orden.

Para valores de pf intermedios, el ancho de banda, es aquel qu

contiene las componentes que tengan una amplitud relativa Jn(p
> e con 0.001 < e< 0.1.

Para todos los casos, BW es el ancho de banda mnimo necesario para

modulacin con un tono de amplitud y frecuencia especfica. El ancho d
banda de transmisin FM cuando la seal modulante tiene una frecuenc
mxima fm, est determinado por ia regla de Carson [9]:

La mayora de sistemas reales FM el ndice de modulacin p es mayor qu

2 y la regla de Carson no aprecia el valor mnimo del ancho de banda d
transmisin, una mejor aproximacin para e! diseo de equipos se hace co
BW igual a:
 b. Ancho de banda de una seal PM:

Como el anlisis espectral de la sea! PM es similar al de la se

FM, el clculo del ancho de banda para la seal PM sigue el mismo proce
que el realizado para la sea! FM. En general e! ancho de banda
transmisin PM con una seal modulante de frecuencia mxima fm es:

1.4.- POTENCIA DE UNA SEAL CON MODULACIN ANGULAR:

Cuando se trata de una seal modulada en ngulo, la amplitud permane

constante e independiente del ndice de modulacin, por lo tanto, la poten
de esta seal es constante e independiente del grado de modulacin.
De la expresin para una seal FM o PM se determina la potencia suman
las contribuciones de las diversas componentes de frecuencia, as:

p _ A 2
2 (t\
r FMIPM W

La suma de los coeficientes de Bessel es igual a 1 para cualquier valor

P f l entonces:

La potencia total de la onda FM o PM es equivalente a la potencia de

portadora sin modular A2/2. Si se elige un ndice de modulacin adecua
la seal portadora, puede hacerse tan pequea que a mayor cantidad
potencia este contenida en las componentes de banda lateral, aumentan
la eficiencia de transmisin. A medida que el ndice de modulacin
aumenta, crece el nmero de bandas laterales y J0(pf) disminuye, lo q
incrementa la eficiencia de transmisin.

1.5.- TRANSMISIN DE SEALES FM Y PM A TRAVS DE REDES N

LINEALES:

Cuando una seal FM de la forma:

f
fj)(f) = A COS[OJ c f + 2TT K f f f(T) dt]

Ec. 1.13
pasa a travs de un dispositivo no lineal, la seal resultante contiene
misma informacin de frecuencia instantnea que la sea! FM origin
porque se comporta como si se tratara de una seal sinusoidal
frecuencia nica. La salida c|>0(t) de un circuito no lineal puede ser expandi
como una serie de Fourier de un conjunto de ondas FM de la forma:

E a n cos

Ec. 1.14

donde los coeficientes son exactamente los mismos que seran obtenid
si el circuito es alimentado por; A cos coct [2]. La expansin en esta serie
Fourier muestra que una seal proporcional a la seal FM original con
misma frecuencia instantnea, puede ser obtenida filtrando l
componentes de $0(t) que estn centradas alrededor de la frecuencia coc.
el circuito no lineal hace que a., sea independiente de A y de igual forma
salida del filtro de banda estrecha que se quiera utilizar, se tiene com
resultado un efectivo limitador FM. Si un filtro de banda estrecha
empleado para extraer las componentes de <J)0(t) centradas alrededor de
frecuencia ncoc se obtiene una seal FM con una frecuencia instantn
proporcional a f(t) pero con n veces la desviacin de frecuencia y n vec
la frecuencia portadora de

Esta tcnica encuentra una amplia aplicacin mediante el uso de

multiplicador de frecuencia (cuya caracterstica de transferencia es
lineal), cuando se requiere de una gran desviacin de frecuencia y
mxima desviacin disponible, producida por un modulador FM es men
que el valor especificado. Si la multiplicacin de la frecuencia portado
anloga produce una desviacin de frecuencia no deseada, se pue
realizar el heterodinaje de la portadora a la frecuencia deseada despus
llegar a la desviacin de frecuencia requerida.

Para demostrar la validez de la Ec.1.14 se asume que cj)(t) dada por

Ec.1.13 pasa a travs de un dispositivo no lineal, dado que c|>(t) es
general una seal no peridica en el tiempo, 4>0 = F(t}>) tambin ser
peridica en el tiempo lo que hace que una simple expansin en series
Fourier de 4>0(t) no sea posible. Sin embargo se puede decir que 4>(t)
peridica con perodo T-2rr/coc en un intervalo de tiempo cp(t) igual a:

r fCr)cT
fc

y que puede expresarse como una funcin de cp de la forma:

lo que significa que (j)(t) est dada por;

Ec.1.16

por lo tanto, 4>0(t) = 4>01(q>) - F^^cp)] es una funcin peridica en cp y pued

ser expandida en series de Fourier en de la forma:

/ -J cos
n=1
Ec. 1.17

Si cp dada por la Ec.1.15, es sustituida en la Ec.1.17 se tiene la Ec.1.14

Los coeficientes an en la Ec.1.17 y 1.14 son los coeficientes de la serie d

Fourier de la salida de un dispositivo no lineal cuando la entrada es un
seal cosenoidal de frecuencia CG y amplitud A, por lo tanto, los resultado
para entradas cosenoidales en dispositivos no lineales, se pueden aplica
directamente para seales FM.

Si a la salida de un dispositivo no linea! se desea recobrar una seal FM

proporcional a una seal de entrada FM, se debe separar la component
fundamenta! FM de d>0(t) de todas las componentes FM de efe (t) de orde
superior.

,0 (w)

Desviacin: a w Desviacin : a w3 -
ndice de modulacin : J& ndice de modulacin : .3 =3.6

ndice de modulacin : .3, = 2 J5

Fig. No.1.9
Espectro de una seal con modulacin angular a travs de una red no
lineal

La Fig,1.9 ilustra el espectro de frecuencia de c)>0(t) en e cual efe (w) es

transformada de Fourier de (}>0(t). Esta figura muestra que la component

1
fundamental FM de 4>0(t) puede ser filtrada siempre que

BW , ,
! + -- < Cu
Ec. 1.18

donde BW.J es el ancho de banda total de la componente fundamental F

de c|)0(t) y BW2 es el ancho de banda total de la segunda armnica de 60(
Como co2 = 2 to-j, se puede expresar la Ec.1.18 en forma equivalente a:

BW

2Ao1 2AX

donde D es la mxima relacin de la desviacin de frecuencia con respec

a la frecuencia portadora. La Fig.1.10 muestra la curva de Dmx como u
funcin de P, mediante a cual se puede determinar si una seal FM pue
ser obtenida a la salida de un dispositivo no lineal por filtraje. Es dec
conociendo Aco/O3 c y p para una seal FM se ubica un punto en e! grfico,
este punto se localiza debajo de la curva una seal FM directamen
proporcional a una entrada FM se puede obtener a la salida de
dispositivo no lineal a travs de un filtro pasabandas.

'max
Relacin lmite para separar la componente
0.6 fundamental de la tercera armnica

0.5 -I
0.4
0.3
0.2 Relacin lmite para separar la componente
fundamental de la segunda armnica
0.1

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

Fig. No.1.10
Grfico de Dmx en funcin de p

Si las seales FM no son sinusoidales (por ejemplo seales cuadradas

triangulares), la seal resultante a la salida del dispositivo no lineal contie
la misma informacin de frecuencia instantnea que la seal FM origin
Esto sugiere que una onda FM cuadrada o una FM triangular generadas p
 dispositivos digitales, den lugar a seales sinusoidales FM por ultraje
partir de una onda FM cuadrada) o por procesos no lineales (a partir de u
- onda FM triangular).

1.6.- TRANSMISIN DE SEALES FM Y PM A TRAVS DE FILTRO

LINEALES:

Se ha visto en las secciones anteriores que la desviacin

frecuencia o el cambio de frecuencia de una seal portadora modulada
frecuencia no tiene limitacin y puede tomar valores sumamente grande
lo que no ocurre con el ndice de modulacin de una seal AM , esto ha
que cualquier filtro considerado lineal acte en forma irregular porque
seal alcanza la regin no lineal de un filtro lineal real. Para evitar que es
suceda se determinar el mximo valor de wm o a mxima frecuencia
operacin de la seal modulante hasta donde f(t) vara lentamente
comparacin con la duracin de la respuesta impulso de un filtro line
(denominada condicin cuasi-esttica) que provoca una seal FM a la sali
del filtro de la forma

$o.fm =A\ lJ(t) ]\s (cy + Aw [f (T) c/T -i-argH [jtof(t)] 1

o

Ec.1.19

donde la funcin de trasferencia de! filtro tiene el mdulo H[j)(t)] y

argumento (arg H0"w(t)]).

La validez de la Ec.1.19 requiere de un proceso matemtico que pue

hacer perder la idea general del tema; para evitar esto, se aplicar
Ec.1.19 y la expresin obtenida para determinar el mximo valor de fm [2]
una seal FM de la forma:

=A cos [ U f + f ] =4 Re

IJJ(f) = AC f f ( T ) d T

que ingresa a un filtro lineal RLC con una funcin de transferencia de

forma H(jc) = Z1n(j)) que se define como:
 _R
Cu >'0
G - Cu,

donde

G = a=
LC

Para determinar el mximo valor de la sea! modulante) con la aclaraci

hecha, se aplica la expresin
d2H[/co,(f)]
$(t) X dc2
1
2 mx H[(/J.(f)]
Ec.1.20

Para ei ejemplo propuesto se tiene:

c/co
mx

Si se supone e! peor caso cuando la seal modulante liega a la frecuenc

f m , f(t) - eos comt

i//(t) = AC eos yj (t ) = - AC Cm sen comf

lo que significa que

Ac < 1
a2 P a a ~2

asumiendo la expresin mucho menor ( ) como 1/20 y p=5 (como si

tratara de una transmisin FM comercial).

Sin embargo aunque la Ec.1.20 fue determinada considerando restriccion

en e! valor de la frecuencia de f(t) (lenta en relacin a la seal portadora)
puede ver que si 2Aco a , donde a representa el ancho de banda
filtro lineal a -3dB, f(t) puede variar rpidamente sin que se destruya
validez de la Ec.1.19.
TIPOS DE MODULACIN PM Y PM

2.1 Modulacin en banda estrecha

2.2 Modulacin en banda ancha

2.3 Modulacin Gaussiana de banda ancha

2.4 Modulacin FSK

2.5 Modulacin PSK

 CAPITULO 11

TIPOS DE MODULACIN FM Y PM

De acuerdo al valor del ndice de modulacin [3, las seales moduladas en fase
en frecuencia se definen como de banda ancha o de banda estrech
establecindose el lmite mximo para (5 entre estos dos tipos de modulacin igu
al valor de 0.6.

Aunque el anlisis matemtico para la modulacin en banda estrecha es m

sencillo que para la de banda ancha y semejante a la modulacin en amplitud co
portadora suprimida, desde el punto de vista prctico no es tan conveniente com
la modulacin en banda ancha porque la relacin seal a ruido no aumenta y e
simiiar a la de una seal AM. Por esta razn, la modulacin en banda estrecha s
utiliza como parte de otro tipo de modulacin angular hasta obtener el ndice d
modulacin y desviacin-de frecuencia mayores. Tanto la modulacin en band
ancha como la modulacin en banda estrecha constituyen la base conceptual d
diferentes tcnicas de modulacin.

Si la seal modulante en el proceso de modulacin angular se describe como un

funcin con cierta probabilidad y esta probabilidad tiene una distribucin de Gauss
la modulacin toma el nombre de modulacin gaussiana; este tipo de modulaci
permite describir en forma simple la potencia de una seal aleatoria en el domini
de la frecuencia en trminos de la funcin densidad de probabilidad px(X) (fdp) d
la seal modulante.

La modulacin angular no solo se emplea cuando la informacin que se dese

transmitir es analgica sino tambin cuando las seales son de tipo digital. En est
caso el proceso toma el nombre de modulacin digital de fase o de frecuencia, qu
requiere un desarrollo matemtico con igual complejidad que en los caso
anteriores. Este tipo de modulacin es utilizado ampliamente en la actualidad po
las ventajas que se presentan al digitalizar una seal.

2.1.- MODULACIN EN BANDA ESTRECHA:

a. Modulacin FM de banda estrecha NBFM (Narrow Ban

Frequency Modulation) :

Cuando el ndice de modulacin de una seal FM ((3), toma valore

muy pequeos, el nmero de componentes de la seal en e! espectro s
reduce considerablemente provocando un estrechamiento en el ancho d
banda, bajo esta restriccin la modulacin toma el nombre de modulaci
FM de banda estrecha. Por lo tanto, la condicin necesaria para este tipo d
seales es p 1.

2
A partir de la Ec.1.6 que describe la sea! FM con un tono cosenoidal e
calidad de modulante se desarrolla la expresin de una seal de band
estrecha considerando las restricciones expuestas en la siguiente forma:

FM = A [eos 03c eos (Pf sen Cm t )

- sen Cc t sen ($fsen ( f )]

S/ p^ 1 = eos (pf ser? 0)m t

y sen ($fsen Cm f ) ~

La ecuacin 1.6 se reduce a:

4>(f )FM = vA (eos Gc f - Pr sen 3c t sen )m )

Ec.2.1

La expresin (JK^FM tiene la forma similar a la de una seal modulada e

amplitud por una modulante f(t) = sen comt de la forma:

$AM (O = A (eos Cc t + m f (t) eos Cc t )

$AM ^ ) =A ( C O S ^c t * m Sen m t C O S Wc f )
Ec.2.2

Lo que significa que la seal que acta como modulante en la expresin FM

es la integral de la seal modulante de la expresin AM. 4>(t)FM contiene una
portadora origina! sin modular y dos bandas laterales alrededor de coc qu
determina un ancho de banda FM igual a 2fm .

Si en lugar de un tono, se utiliza como modulante una seal cualquiera f(t

y si se asume como integral de esta seal a la funcin g(t), la expresi
general de la seal FM se escribe de la siguiente forma:

f f (t) = g (t) y 2rr Af = K , tenemos:

o

(J)(f ) = A (eos co t + K g (t ))

2
 si $f 1 ** K g (f) 1

4>(f) = A (eos ) f - K g () sen w c f )

Al igual que en el caso de la modulacin con un tono, el espectro de es

seal consiste de la portadora mas dos bandas laterales, cada banda co
el espectro de la seal g(t), donde el ancho de banda es 2B Hertz, siend
B la componente de mayor frecuencia de g(t).

El efecto que ocasiona la variacin de amplitud de la seal modulante en

frecuencia instantnea de la seal NBFM (Narrow Band Frequenc
Modulation) es despreciable y la densidad espectral FM depende de
densidad espectral de la seal moduladora.

Si bien AM y FM de banda estrecha tienen espectros de frecuenc

similares, sus procedimientos de modulacin son diferentes puesto que lo
parmetros que se alteran en la modulacin no son los mismos. Es
diferencia se aprecia comparando las Ec.(2.1 y 2.2) en las que, el trmin
de las bandas laterales aparece en cuadratura para la seal NBFM y e
fase para la seal AM.

'-.. -fi/2

Portadora = 1

.& sen w m t
"\)
Resuftarite

(a) (b)

Fig. No. 2.1

Representacin fasorial de la seal (a) AM (b) NBFM

Si la Ec.2.1 se reescribe de la siguiente forma :

 = ^ (eos U c f - (3, sen u c f sen Cm

r
= A [eos tc f - -i- [eos (0)c - Cm )f - (Oc + Cm )f ] ]

= Re [A e J c (1 - e J m +
2 2

donde Re[] es la parte real de la expresin entre parntesis, e1'"0* se puede

representar como un vector unitario rotando a la velocidad CG rad/s mas los
cambios debido a los tres trminos del parntesis.

Suprimiendo la rotacin producida por tc, los trminos del parntesis se

representan como tres vectores tal como se indica en la Fig.No.2.1(b).

El vector resultante de las bandas laterales girando a una velocidad co m en

forma perpendicular ai vector fc , tiene una fase distinta ai vector que
representa la seal no modulada aunque su amplitud permanece cas
invariable. A medida que el tamao de las bandas laterales en la sea
NBFM aumenta, la desviacin de fase aumenta y la variacin en amplitud
deja de ser imperceptible, provocando que la seal NBFM pase a ser una
seal AM.

De igual forma reescribiendo la Ec.2.2 como en el proceso anterior se tiene

c()AM (f) = A (eos )c t + m f ( t ) eos Cc t )

= A ( eos )c t + [eos (Cc + )m ) + eos (COC - w m ) ] }

^ R e / l e " ( 1+ - e - e - ) ]
2 2

La representacin vectorial de los tres trminos del parntesis aparece en

la Fig.No.2,1(a), el vector resultante de las bandas laterales girando a
velocidad com es colineal con el trmino de a portadora fc variando
nicamente en amplitud.

En general una seal NBFM no presenta gran ventaja sobre la modulacin

lineal con respecto a su funcionamiento en presencia de ruido
consecuentemente, no es usado para propsitos de transmisin pero s
como paso intermedio para la generacin de seales FM de banda ancha
El diagrama de bloques de un modulador NBFM se presenta en la
Fig.No.2.2.:

26
 Fig. No. 2.2
Generacin de una seal NBFM

b. Modulacin PM de banda estrecha NBPM (Narrow Band Pha

Modulation) :

Se considera una seal modulada en fase como de banda estrech

si la desviacin de fase es mucho menor que n/2.

A partir de la ecuacin general de a seal PM desarrollada en el Captu

numeral 1.1. (a) y con la restriccin sealada, se tiene la expresin para
seal NBPM de la forma:

cj>(f )PM = A [eos u c t eos (Ae f ( t ) ) - sen coc f sen (AB f (t ))]

A 9 n/2 =- A e f ( f ) n/2

.-, Sen(Aef(f))-A9f(f) y eos (Ae f (f )) * 1

NBPM
= eos Cu f - Afi f (t) sen u t

Las semejanzas entre la seal NBPM y la seal AM son mayores pues

que ahora la ecuacin no tiene la integral def(t) como en e! caso NBFM si
la seal f(t). NBPM se considera aproximadamente como un proceso
modulacin lineal y se puede generar usando dispositivos de modulaci
lineal, como un modulador balanceado junto con un defasador de 90.
 HBPM

Fig. No. 2.3

Generacin de una seal NBPM

2.2.- MODULACIN EN BANDA ANCHA:

a. Modulacin FM de banda ancha WBFM (Wide Band Frequenc

Modulation) :

Cuando se trata de describir el espectro de una onda FM se pued

distinguir el contenido de frecuencias de la sea! modulante y
proporcionalidad entre la amplitud de la seal modulante y la frecuenc
instantnea de la seal FM; en e! anlisis de la seal NBFM, donde p1
Affm se dijo que el efecto que ocasiona la variacin de amplitud de
seal en la frecuencia instantnea f~Af f(t) es despreciable y la densida
espectral FM depende de la densidad espectral de la seal moduladora.
P deja de ser tan pequea el espectro FM empieza a depender de
variacin instantnea que tiene la frecuencia portadora con la amplitud d
f(t) y la fase de la seal ya no es predecible porque depende de la fas
relativa entre seales. El ancho de banda de la seal aumenta en funci
de Af, ahora Af es mucho mayor que fm, y la modulacin toma el nombre d
FM de banda ancha. Se puede decir, que el ancho de banda de transmisi
es mayor que ei ancho de banda del mensaje e incluso independente d
ste. La transformada de Fourier para una sea! modulante cualquiera de
de ser simple y no puede evaluarse. El ancho de banda se analiza e
idntica forma que para e! numeral 1.3 a).

Este tipo de modulacin es utilizado en sistemas comerciales porque su

propiedades son mejores con reiacin al ruido y la interferencia.

En la Fig.No.2.4 se presenta un diagrama de bloques bsico de u

generador WBFM con portadora sinusoidal a partir de un adecuado proce
de Ultraje de una seal cuadrada FM de banda ancha a la salida de un VCO
(Oscilador Controlado por Voltaje).

El circuito WBFM toma la seal del VCO y la convierte en muestra

sinusoidales por medio de un filtro pasa-bandas que tiene una resistencia
Rc que depende de la frecuencia de muestreo y capacitores que se puede
conmutar, Rc representa la resistencia equivalente del filtro durante l
conmutacin de los capacitores; la sinusoide muestreada es transformada
en una portadora sinusoidal analgica FM al pasar a travs de un filtro pasa
bajos RC variable cuya frecuencia de corte esta diseada para seguirle a la
frecuencia instantnea de las muestras sinusoidales de modo que l
modulacin en amplitud que podra presentarse en la seal WBFM a pesa
de lo expuesto en el Captulo 1 es eliminada en su totalidad, el seguimien
de la frecuencia, se lleva a cabo haciendo que la resistencia del filtro
pasabajos sea variable y dependiente de la seal modulante lo que se
consigue utilizando la resistencia drenaje fuente de un FET como l
resistencia variable, esto es posible cuando la seal modulante se suma a
voltaje de polarizacin.

Oscilador f = f c + M.f[t]
Controlado Filtro Salida
Pasabandas
por Voltaje Modulada

Seal modulante
pf i
GSO

Fig. No. 2.4

Diagrama de bloques de un modulador FM de banda ancha

La frecuencia instantnea f de la portadora FM est dada por la expresin

donde fc es la frecuencia de la portadora sin modular, Af es la mxima

desviacin de frecuencia y f(t) es la amplitud normalizada de la sea
modulante [-1<f(t) <1].

29
Si se utiliza por ejemplo el VCO LM566 [13] para el diseo del circu
WBFM, el valor del resto de elementos se determina a continuacin.

La frecuencia instantnea para e! LM566 est dada por:

v*-v. o
V+ RC
Ec.2,3

donde V* es el voltaje de alimentacin, Vc es el voltaje de control que inclu

la suma del voltaje de polarizacin V^ mas el de la seal modulante f(t);
y C son componentes externos que determinan fc y V^.

Seal de salida
Muestras Sinusoidales

Fig. No. 2.5

Configuracin del Filtro Pasabandas

El filtro pasabandas a la salida del VCO que acta como un convertidor

ondas cuadradas a senoidales mediante la conmutacin de capacitore
requiere para una operacin satisfactoria que la frecuencia del reloj
switcheo sea mucho mayor que la frecuencia de la seal portado
deseada; como la multiplicacin de frecuencia es ms compleja que
divisin, lo que se hace es generar una onda cuadrada FM a la salida
VCO M veces mas alta que la que inicialmene se tena.

El filtro pasabandas se muestra en la Fig. No.2.5, la frecuencia central

determinada por la expresin:
 f=-l
2TTRC,
c 1 Ec.2.4

donde Rc es la magnitud de la resistencia efectiva obtenida por

conmutacin de Cc a la frecuencia del VCO f = M f y est dada por:

M f; C p

Ec. 2.5

Sustituyendo la ecuacin 2.5 en la ecuacin 2.4 se tiene:

r
Mf,Cr I LJ

2TTC

Para que el filtro pasabandas opere de forma adecuada la frecuencia centr

del filtro debe ser igual a la frecuencia instantnea, esto significa que s
debe cumplir como condicin de diseo que:

CC 2TT
C, M
Ec. 2.6

La transformacin de la muestra sinusoidal FM en la seal analgica FM

deseada se lleva a cabo por medio de la variacin del voltaje gate del FE
que hace que la frecuencia de corte del filtro pasa-bajos f? siga a
frecuencia instantnea de la portadora deseada, de tal forma que:

Ec.2.7

donde n es un nmero real positivo mayor que uno y es introducido par

minimizar la inevitable modulacin en amplitud que se introduce en
portadora WBFM, debido a que el seguimiento no es ideal; de esta forma
punto de trabajo en la curva de la respuesta de frecuencia de! filtro pasa
bajos se mueve en una pendiente mas suave, como se aprecia en
Fig.No.2.6.

3
 Magnitud

Frecuencia

Fig. No. 2.6

Grfico de la caracterstica del filtro pasa-bajos

La frecuencia de corte para el filtro pasa-bajos, se define como:

2n r, C,
Ec.2.8

donde rdl es [a resistencia dinmica de! FET que se puede determin

aproximadamente como [8]:

1- f(t)
KV GSO
Ec.2.9

rdo es la resistencia drenaje-fuente con el voltaje bias de la compuerta, K e

una constante igual al recproco de el voltaje pinch del FET, K., es un
constante de proporcionalidad; VGSO es el voltaje bias compuerta fuente y f(
es la seal modulante.

Este circuito tiene como limitante el mximo valor de la frecuencia de

seal WBFM que se puede obtener porque, depende de la mxim
frecuencia de la seal FM cuadrada que genere el VCO.

b. Modulacin PM de banda ancha WBPM (Wide Band Phas

Modulation) :

La desviacin de fase relativa definida como el producto de

constante de desviacin de fase por la seal modulante, puede tomar lo

3
 valores
- A9 < e. * AQ
puesto que
f(t) <1

sin embargo, como no existe diferencia fsica entre ngulos suplementario

como por ejemplo +270 y -90, es necesario limitar A6 a un valor meno
que 180 para evitar ambigedades en el proceso de demodulacin. Es
restriccin, no permite hablar de una seal WBPM en el mismo sentido qu
una seal FM de banda ancha porque para esta seal no hay limite en
constante de desviacin Af y si se puede distinguir a fc + Af def c -Af.

An con la limitacin, sigue siendo complejo para esta seal el clculo d

ancho de banda y e! anlisis del espectro de frecuencia, que son lo
determinados en el Capitulo I.

2.3.- MODULACIN GAUSSIANA DE BANDA ANCHA:

No es posible tener una aproximacin simple de la forma de onda <J)

para una seal WBFM o para su espectro, pero mediante procedimiento
matemticos, se puede tener una idea ms clara de la densidad espectr
de potencia G(f) (siendo Ha frecuencia) de la seal WBFM en trminos d
la funcin densidad de probabilidad px(X) (fdp) de la seal modulante.

La densidad espectral de potencia es la descripcin de la potencia de un

seal aleatoria en el dominio de la frecuencia, la propiedad fundament
consiste en que si se integra G(f) sobre el espectro de frecuencias, se lleg
al valor del cuadrado de la seal modulante [13. G(f) se define para un
sinusoide con fase aleatoria variable de la forma:

G(f) =ls r p,(f-fc) + ~s r p,(f + g

Ec.2.12

donde f es la frecuencia, ST = \/2 es la potencia total de la seal y f c la

frecuencia de la sinusoide.

La funcin densidad de probabilidad, es aquella donde el rea bajo la curv

representa la probabilidad de ocurrencia en un intervalo especfico, X es
smbolo general para valores observados y x representa los valores posible
[93. La funcin densidad de probabilidad px(x) de una variable aleatoria X s
define como:

3
 M =P (X < x) = Fx (x)

donde Fx(x) es la funcin distribucin acumulada que es la suma de

probabilidades de todos los resultados por debajo de un nmero dado
cumple con la propiedad:

en tanto que para un intervalo especfico, la probabilidad se expresa com

*2

P (x1 < X x2) = f p(x) dx

Un caso especial de la ecuacin anterior, se tiene si xn = x - dx y x2 = x, q

hace que la integral se reduzca a:

p (x - dx < X < x) = p (x) dx EC 2 13

El desarrollo matemtico expuesto se hace porque cuando Affm,

desviacin instantnea de frecuencia f' - Af f(t) vara tan lentamente que
seal modulada en frecuencia q>FM(t) toma la forma de una sinusoide c
frecuencia fc + f' a intervalos de tiempo de orden 1/fm; esto significa que
puede considerar a la desviacin instantnea de frecuencia como u
variable aleatoria que tiene cierta regularidad estadstica, de esta forma
puede describir a f' a la que se llamar X por medio de una func
densidad de probabilidad.

Como la variable aleatoria f' se define como una funcin de la se

modulante f(t), se considera entonces a f(t) como una variable aleatoria a
que se llamar Z y a la que tambin se la puede describir por medio de u
funcin densidad de probabilidad.
Si la fdp de f(t) es una seal aleatoria que tiene una distribucin de Gau
la modulacin en frecuencia con esta modulante toma e! nombre
modulacin gaussiana de banda ancha.

Puesto que cada valor de Z corresponde a un valor de X, la probabilidad

encontrar a Z en un intervalo diferencial dz es igual a la probabilidad de q
X est en el intervalo correspondiente, por lo tanto usando la Ec.2.13
tiene:
Pz(Z)|dz] = px(X
Ec.2.14
los valores absolutos, aseguran que p2(Z) no sea negativa.

X = AfZ

reemplazando en la Ec.2.14 se tiene:

P (
Af z Af
Ec.2.15

la probabilidad de la desviacin instantnea de frecuencia Ec.2.15 en

expresin de la densidad espectral de potencia Ec.2.12 da lugar a G<J)F
en funcin de la fdp de la seal modulante:

donde -

P(f/) = P(f~fc)

Como f(t) es una seal aleatoria gaussiana de banda limitada en BW con

valor medio igual a cero,

/2noz

donde a2 es la desviacin estndar [1].

Entonces la densidad de potencia de frecuencia es igual a:

como se aprecia en la Fig. No.2.7 para frecuencias positivas

 *FM

'c+Gf

Fig. No. 2.7

Espectro de Potencia de FM de banda ancha
con seal moduladora gaussiana

La densidad espectral de potencia de una seal de banda ancha, permi

considerar el anlisis de a modulacin hasta aqu desarrollado, no so
como un estudio cualitativo sino obtener la relacin cuantitativa de la raz
seal a ruido del sistema utilizado, as como la ventaja de procesar un
seal para que ocupe un mayor ancho de banda por la inmunidad
exterior.

Despus de la modulacin las seales tienen un espectro dentro de cier

ancho de banda, pero en el proceso de transmisin, resultan afectadas p
ruido de banda ancha (generalmente ruido blanco), que tambin se pued
representar con un espectro de densidad de potencia Gq(f) de una se
aleatoria q(t) con ancho de banda com, donde q(t) es igual a:

H(f ) = nc (O G OS coc t + r\ (t) sen coc

nc(t) Y Hs(t) son seales de baja frecuencia de banda limitada a cm, siend
las potencias (valores cuadrticos medios) de n(t), r\(i) y ns(t) idnticas, est
es:

n 2 (0 = ni O = ni (O

y los espectros de densidad de potencia iguales a:

a (cu + 0) ) + a (co - u ) para co < co

para co > co

Cuando se realice el proceso de demodulacin, el ruido contenido fuera d

la banda de seal til com ser filtrado, pero el ruido dentro de la band

3
acompaar a la seal. Si se supone que es posible calcular la potencia
la seal a la'salida del demodulador independientemente de la potencia
ruido, esto es, asumir que el ruido es cero y que la seal f(t) es c
respectivamente se tiene;

La potencia a la entrada del demodulador P igual a A2/2 mientras

la potencia a la salida de! demodulador P0 igual a:

donde a es la constante de proporcionalidad del demodulador.

Y la potencia del ruido a la entrada de! demodulador [7] es igual

A/,. = 2 N Af

porque el ancho de banda del ruido a la entrada de! demodulador

2A). N/2 es la magnitud de la densidad espectral de potencia
ruido blanco.

Mientras que la potencia a la salida del demodulador es igual a:

2 a 2 N co^
3 A 2 TT

porque el ruido se suma a la seal portadora de amplitud A q(

De esta forma, la razn de potencia de seal a ruido a la salida

demodulador est dada por:

Po _ 3 2TTA2 A32 f ( f ) :
2 ' N

y es proporcional al cuadrado del ancho de banda de transmisin.

Si se compara ia relacin seal a ruido de una onda FM con la relac

seal a ruido de una onda AM
Po _ f(t)

fm
 considerando la condicin ms favorable para AM, cuando la modulacin
del 100% y la amplitud def(t) igual a A (la misma que la de la portadora),
tiene la siguiente expresin:

N FM _ A AOJ2 2
- - - o p FW

P '*

De la expresin anterior se deduce que el ndice de modulacin

frecuencia debe ser mayor que 0.6 para mejorar ia razn seal a ruido
FM con respecto a la de AM, (3f = 0.6 es el punto de transicin entre FM
banda angosta y FM de banda ancha, lo que significa que una seal FM
banda angosta no proporciona una mejora sobre la seal AM.

Transformar una seal para que ocupe un ancho de banda ms grande

volverla ms inmune al ruido nterferente. Sin embargo no se pue
aumentar el ancho de banda indiscriminadamente porque el ruido a
entrada tambin aumentahaciendo que la potencia del ruido de entrada s
del orden de la potencia de la portadora.

2.4.- MODULACIN FSK (Frequency-shift keying) o conmutador

corrimiento de frecuencia:

Si la informacin que se desea transmitir es de tipo digital, se pue

usar esta seal como modulante de una portadora continua de a
frecuencia; como en el caso analgico, la sea! digital puede alterar
frecuencia de la portadora, dando lugar a la modulacin digital de frecuen
FSK.

Segn el nmero de niveles de la seal digital, la frecuencia instantnea

la seal portadora toma distintos valores, uno por cada nivel, aunque debi
al incremento del ancho de banda de transmisin con el aumento d
nmero de frecuencias utilizadas, esta modulacin en la prctica utili
seales digitales binarias.

Puede ocurrir que en la transicin de un dgito a otro, la fase de la se

modulada se altere provocando una discontinuidad, que es equivalente a
conmutacin entre dos osciladores de frecuencias c1 y co2 respectivamen
de acuerdo a la seal en banda base o, que ia fase de la seal FSK no
altere, dando lugar a la modulacin digital FSK de fase continua CPFSK

La modulacin de fase continua con una onda modulante binaria,

semejante al caso de una modulacin FM con una onda cuadrada q
asume solamente los valores +1 o -1 en representacin del 0 L y del 1L.
Es mucho mas fcil obtener una sea! discontinua que una seal continu
pero el efecto que producen las discontinuidades hace que la seal en e
dominio del tiempo aparezca con transitorios incontrolados que ocasiona
distorsin en la seal demodulada y que la seal en el dominio de l
frecuencia tenga una mayor dispersin del espectro o un mayor ancho d
banda de transmisin [10].

El estudio de seales FSK se restringir al anlisis matemtico de l

modulacin FSK con continuidad de fase donde la seal digital modulant
de valor medio cero es de la forma indicada en la Fig.2.8(a), y su integral e
ijj(t) que aparece en la Fig.2.8(b).

Jrct) at

Fig. No. 2.8

(a) Seal dgita! modulante
(b) Integral de la seal digital modulante

Esta seal modulante da lugar a la seal modulada en frecuencia de l

forma:

<J)(f) = A cos[co c f + 2nAf f(T)dT + 9J

donde 2nAf f(f) + G c = ijj(f)

2nAff -7/4 < t < 7/4

2nAf ( - i) 7/4 < f < 37/4

2

3
 Ui(f)es una funcin peridica con perodo T

Expresndola en series de Fourer :

m
=2n/r

3 r/4
Fn=~
" T J
-774

-/QTT/2]
- n)n/2 (P + n)n/2

PA

De acuerdo a ia respuesta en el dominio de la frecuencia de la expres

anterior, se observa en la Fig.No.2.9 como para un ndice de modulac
igual a 5, parte de la energa se concentra alrededor de la seal portad
mientras que para un ndice de modulacin igual a 20 la portad
prcticamente ha desaparecido y la energa se concentra alrededor de
frecuencias modulantes utilizadas.

La energa espectral trata de concentrarse en el rango de frecuencia ig

a 2Af alrededor de la frecuencia portadora y tiende a seguir la distribuc
en el tiempo de la seal modulante a medida que el ndice de modulac
aumenta.

Las dos frecuencias utilizadas co1 para +1 y co2 para -1 de la seal modul
deben ser seleccionadas de tal forma que no produzcan distorsin e
proceso de demodulacin si estn muy prximas o no incrementen el an
de banda de transmisin si estn muy distantes.

La separacin entre c^ y co2 2Af T, debe ser mayor que n, donde 2A

la diferencia entre las dos frecuencias utilizadas, T la duracin del smb
y n es un nmero entero mayor que 1 [93. En otra forma:

nn
2AC = donde n = 2,4,...
T

-6-5

-S- 20

Fig. No. 2.9

Espectro de una onda con modulacin FSK

La mnima condicin (n=1) da lugar a la mayor eficiencia espectral

donde:

Ac T = o 2 AfT = -

Esto significa que la mnima separacin entre f, y f2 es igual a medio ci

de un intervalo de la seal modulante.

En forma simplificada la seal FSK binaria de fase continua se escribe

= A cos[) f AC + Y(0)l, O < < T

co

Aoo =
 donde r(0) es ia fase inicial que debe ser tal que evite discontinuidade
generalmente igual a cero.

2.5.- MODULACIN PSK (Phase-shift keying) o conmutador

desplazamiento de fase:

As como en e! sistema FSK, existe un sistema PM en el que la fase de u

portadora sinusoidal vara de acuerdo a una seal digital de dos nivele
dando lugar a la seal PSK de la forma:

Ec. 2.16

donde A8 es la desviacin de fase pico y p(t) es la funcin binaria

conmutacin con los posibles estados +1 y -1.

Desarrollando la ecuacin 2.16 se obtiene:

cos cos " sen sen

si cos AQ - m

COS ^ *m + ~m A COS

que contiene la seal portadora en el primer trmino y ia seal propiamen

modulada en el segundo trmino.

La expresin para la sea! PSK muestra que la potencia media de la se

portadora es m2A2/2, mientras que la potencia media de la componen
modulada es (1-m2)A2/2 pero, dependiendo del valor de m o lo que es
mismo del valor de la desviacin de fase pico, la seal PSK puede o
tener componente portadora; si m = O, AQ = n/2, entonces se tiene la on
PRK (Phase Reverse Keying) o conmutador inverso de fase donde
densidad espectral de potencia se centra en coc y es de igual forma que
seal modulada en doble banda lateral y portadora suprimida, el espec
tiene la forma [(sen x)/x]2 porque la seal modulante vara entre +1 y -1.

Aunque el modulador PRK es ms fcil de construir, un valor diferente

cero para la desviacin de fase pico da la posibilidad de retener u
componente de la seal portadora que se puede usar para sincronizaci
en el proceso de demoduiacin.
 tf Cw)

Fig. No. 2.10

(a) Forma de onda de una seal PRK
(b) Seal modulante de una onda PRK
(c) Espectro de frecuencias de una seal PRK
TCNICAS DE MODULACIN EM Y PM

3.1 Ecuacin diferencial FM

3.2 Modulacin Cuasi-esttica

3.3 Modulacin FM directa

3.4 Modulacin FM indirecta

3.5 Mtodo de Armstrong

3.6 Estabilizacin de frecuencia para

moduladores FM y PM
 CAPITULO

TCNICAS DE MODULACIN FM Y PM

En el presente captulo se estudian los mtodos tericos de modulacin FM y PM

que pueden ser llevados a la prctica, as como los criterios que permiten
eleccin de uno de ellos de acuerdo a una aplicacin especfica.

Entre los mtodos desarrollados, se ve como la simulacin analgica de

ecuacin diferencial FM produce una seal FM tericamente perfecta porque tant
la desviacin de frecuencia como la mxima frecuencia de la seal modulant
pueden ser tan altas como la frecuencia portadora, pero en la prctica no so
posibles de implementar por las limitaciones fsicas del circuito, mientras que co
e! mtodo cuasi-esttico tanto la desviacin de frecuencia como la frecuencia d
la seal modulante son sumamente restringidas.

El mtodo de Armstrong como una tcnica de modulacin FM indirecta, muestr

la necesidad de filtrar una seal FM distorsionada para producir una seal de salid
FM con la desviacin de frecuencia deseada, mediante multiplicaciones sucesiva

A ms de los mtodos mencionados, se presenta y se sugiere como la mejo

opcin para el diseo de moduladores FM el mtodo directo mediante el uso de u
oscilador controlado por voltaje que permite variar la frecuencia de la se
portadora hasta obtener la desviacin de frecuencia deseada en forma sencilla. E
cualquier caso, para prevenir la no linealidad en la frecuencia instantnea de
seal FM, se ve la necesidad de que la desviacin de frecuencia sea mucho meno
que la frecuencia de la seal portadora.

Al final del Captulo se muestran los circuitos, de entre los cuales se escoge uno
que se debe aadir a un modulador para garantizar estabilidad en la seal FM.

3.1.- ECUACIN DIFERENCIAL FM:

La ecuacin diferencial FM es una expresin que permite mediante el us

de un computador analgico generar una seal FM simulada. Adems, e
base a los bloques utilizados por el computador para la simulacin, s
puede construir un generador FM.

Como la solucin de la ecuacin diferencial FM es tericamente una se

FM perfecta, el rango extremo de la desviacin de frecuencia Af puede se
muy grande, esto significa que valores especficos de Af y fm podran se
generados a una frecuencia portadora relativamente baja (fc') y lueg
mezclada con la seal proveniente de un osciladora cristal cuya frecuenci
permite llegar al valor de la frecuencia portadora deseada. Si la frecuenci
del oscilador a cristal es mucho mayor que la frecuencia de la seal FM

4
generada inicialmente, la estabilidad de la seal FM resultante e
controlada por a estabilidad del oscilador a cristal.

El lmite para la mxima relacin entre la frecuencia del oscilador a cris

y fc' depende de lo complejo que puede resultar el filtro cuando esta relac
es muy grande.

E! anlisis de este punto demuestra como las seales FM ((j^t) y 4>2

escritas a continuacin o la combinacin lineal de estas, son soluciones
la ecuacin diferencial lineal homognea FM (Ec.3.1 o Ec.3.2) [2] acepta
como vlida.

Sea $.,(1:) una funcin FM lineal e independiente de la forma:

^ ( f ) =A eos f tu. (T) dT

o

^() =A eos [co c f + f 2nAff(T) dT + 8 o ]

o

y 4>2(t) una funcin FM lineal e independiente de la forma;

4> 2 () = A sen Cu. (T) dT

o
t
c)) 2 (f) = A sen [cc + f 2rrAff(T) dT + 8o

con )(t) para cualquiera de las dos seales igual a coc+2nAf f(t).

Tomando a c en la forma integro diferencial dada por la ecuaci

Cu, (O J U, CO 4W rfT + 4>(O = 0

' Ec.3.1

y en la forma diferencial por la ecuacin:

ufa
Ec.3.2

se determina que en realidad ^(t) y 4> (t) son soluciones de

ecuacin diferencial FM si cumplen con la Ec.3.1 y la Ec.3.2.
 Si 4)2(f) =sen f co.(T)dT (A )
o
t
4> 2 (f) = o),(0cos Jo),(T)rfr (B)
o
t t t
f [Cu. (t ) eos f co. (T) dr ]dt = sen feo. (T) dT

si la ecuacin anterior se multiplica por w, se tiene:

cu. (f ) 1 [ Cu. (t ) eos ). (T) c/T ]d = Cu. ( ) sen feo. (T) dr (C )

Si (^(f) = c o s TC. (T)dT (D )

o
f
1 (f) = - ( , ( ) s e n J),(T)cfr ( )
O
f

T [ ). ( f ) sen T ). (T)dT ] di = eos Tco. (T) dr

de igual forma multiplicando la ecuacin anterior por co^ se tiene:

, () f I W, () sen i" ca. (T)dT ]dt = Cu, ( f ) eos TC. (T)dT (F )

La sustitucin de A y B en F, permite demostrar que la se

modulada en frecuencia ({^(t) es una solucin de la ecuaci
diferencial planteada:
 C,()|t,(T)(j)(T)dT

mientras que la sustitucin de D y E en C verifica [o mismo para 4>

'
C0,(f) X(T
o

t
>/ (*) f w," (T) $("0 rfr + cj)(f) = o
o

Al ser ^(t) y c^(t) dos soluciones linealmente independientes,

puede establecer como solucin total la combinacin lineal de las d
soluciones anteriores:
t t
FM ( t ) = x\ eos T co.(T) dr + A2 sen co.(T)C/T

El valor de las constantes se obtiene si se consideran d

condiciones iniciales:

4>(o) =
A = A^ x 1 + Az x O

y cb(0) = O para determinar el valor de A 2:

t t
<j)(0) = - A 1 Cf ( f ) sen Tw. (T)c/T + A 2 Cu. (T) eos fr, (T)c/T
o o

(0) - >41 O. (0) x O + A2 CO. (0) = O

A2 = O

La solucin de la ecuacin diferencial FM da como resultado u

seal modulada en frecuencia de la forma:
 (j)(f ) = A COS f 03-(T)C/T

Matemticamente la solucin de la ecuacin diferencial FM puede d

valores de co positivos o negativos. Para evitar esta ambigedad, C de
ser mayor que cero, aunque esta restriccin siempre se debe cumplir porq
no existen demoduladores que puedan recuperar f(t) si no se cumple es
condicin:
0). (f ) = )c - 2TT Af f (t ) S: O
Cc ;> 2TT Af
.-. A f < f c

Esto significa que Af puede tomar valores cercanos e incluso iguales a

mientras que no existe limitacin con respecto a f m que tericamente pue
ser incluso mayor que f c .

Fg.No,3.1
Diagrama de bloques de un computador analgico
para la simulacin de la ecuacin diferencial FM

La Fig.No.3.1 muestra un diagrama de bloques de un computador analgi

que simula la ecuacin diferencial FM, el cual emplea dos integradores, d
multiplicadores y un inversor.
en este grfico, se debe cumplir que:

v.(t)
K,
o expresndolo en otra forma que

KMM K,I v.I \(t)I fK

M
M / K,; v.
\
(t)
T V /
$(t)dtT \ + (f) = O

Ec.3.3

Si se hace c(t) igual a:

donde

v (t\ v (1 + f (f
Wc

(t) se escribe como:

U,(t)=KuK,V2V +^-

y si se cumple que Cc = KMK,V2, se tiene:

esto hace que la Ec.3.1 sea igual a a Ec.3.3, que da lugar a la portado
modulada en frecuencia d la forma:

(t) = V. eos (cu f + 2n Af ff ( t ) d t )

1 c J

Debido a la limitacin fsica de los elementos en cuanto a su respuesta c

relacin a la frecuencia de trabajo y a la reaimentacin que es lenta, es
modulador se utiliza con portadoras de baja frecuencia siendo esta u
desventaja.
3.2.- MODULACIN CUASIESTAT1CA:

En la mayora de moduladores prcticos FM, la frecuencia de la se

portadora fc es usualmente mucho mayor que 20Af y an mucho mayor qu
la frecuencia de la seal modulante como por ejemplo en las transmisione
comerciales FM donde fc es 1300 veces Af, por lo tanto la ecuaci
diferencial FM puede expresarse como:

Cf()

porque el trmino

), 3 (f)

cuando Af f c y fm fc comienza a hacerse muy pequeo en comparaci

con

La reduccin en la ecuacin diferencia! FM permite implementar en form

ms simple un circuito generador FM que toma el nombre de modulador F
cuasiesttico porque la seal modulada presenta cambios en su fase
frecuencia al cabo de varios perodos de la frecuencia portadora. U
ejemplo donde la ecuacin diferencial FM es cuasiesttica es la salida d
circuito resonante LC con la capacitancia variable en funcin de la se
modulante as, para obtener la ecuacin diferencial del circuito de
Fig.No.3.2 se determina la ecuacin de'un nodo de la forma [2] ;

L + 'C(0 =

donde C(t) = Cc + Ck f(t) = Cc + AC(t), que expresada en otra forma es:

t
=O
L J
O

-o
L J C.()
o 'x y

5
porque la frecuencia instantnea co(t) es igual a:

).() =
C (t) yL(Cc+AC(f))

1
AC(Q
c

donde u c = 1/VLC c y c(t):

El circuito resonante LC, produce [a modulacin cuasiesttica si

desviacin de frecuencia cumple con la restriccin de ser menor o igual
0.006 fc, como se demuestra a continuacin.

La expresin entre parntesis de la frecuencia instantnea O(t) se pue

expandir en un binomio de Newton de la forma:

(-1/2) (-3/2) (AC(f)}2

C 2 C, 2! C

si se cumple que
3 AC(Q 2 rAC(Q.
' L J tt L .
4 C. C.

el binomio de Newton se reduce a

AC(f)
[1 -
2 C.
 AC 'Ce

k f (t) = A C : Ce : (t)

Fig.No.3.2
Circuito resonante LC

como c(t) = dG/dt, 8(t) se expresa de la forma:

di

AC
8(0 2n fc f + 2rr -=^ fc [ f ( T ) c / T
i e* j

donde

2C

Puesto que |f(t)| 1, la aproximacin en el binomio de Newton es vlid

para AC/CC < 0.013 limitando la desviacin de frecuencia a AfeO.006 fc par
ia modulacin cuasiesttica.

3.3.- MODULACIN FM DIRECTA :

En este tipo de modulacin, la frecuencia de la seal portadora es alterad

directamente por la seal modulante. En algunos casos, por ejemplo cuand
se tiene gran estabilidad de frecuencia, Af puede ser pequea y se necesit
usar multiplicadores de frecuencia, pero en otros casos cuando
desviacin de frecuencia que se logra obtener es grande, no se requiere d
multiplicadores.

5
Para generar seales FM directas, se utiliza un oscilador sintonizado don
la inductancia o capacitancia es variable y dependiente de la seal de aud
Existen algunas formas de obtener capacitancias o inductancias variabl
dependiendo del rango de frecuencias en el que se trabaje; por ejemplo
puede utilizar un diodo semiconductor inversamente polarizado cu
capacitancia varia ai cambiar la polarizacin inversa (se usa el dio
varactor) o un klystron, en el caso del diodo varactor, la desviacin
frecuencia no es pequea por lo que se lo utiliza para modulaciones co
portadoras de alta frecuencia y en el caso del klystron para trabajar en
rango de frecuencias portadoras mucho mas altas (en el orden de l
microondas) porque tiene las caractersticas de un oscilador line
controlado por voltaje sobre un intervalo de frecuencia de varios megaher
Otra forma de construir un modulador es en base a un tubo de reactanc

A continuacin, se describe diferentes tipos de moduladores FM direct

para distintos rangos de frecuencia.

a. Oscilador a cristal modulado por un diodo varactor:

Mediante esta tcnica, se obliga al oscilador a cristal a alterar

frecuencia mediante un capacitor de voltaje variable WC (Variab
Voltage Capacitor) que se coloca en paralelo con el cristal, el WC
un diodo varactor que opera con polarizacin inversa. Como
variacin de frecuencia es muy pequea porque e! cristal impide u
variacin grande, se utilizan multiplicadores de frecuencia.

La capacitancia del diodo varactor, se expresa aproximadamen

como [6]:

r
u

UD< -

donde VD es el valor del voltaje inverso que se aplica al diodo, C_1V

la capacitancia del diodo cuando vD=-1V y N es la relacin entre
variacin de voltaje con respecto a su respectiva variacin d
capacitancia en el rango de la curva capacitancia en funcin d
voltaje que se elija para el diodo varactor; por lo general, se elige
segmentos de la curva caracterstica donde la relacin es lineal.

Por ejemplo para e! diodo varactor MV2105 cuya curva caractersti

se muestra en la Fig.No.3.3, en el rango de voltaje VD entre 2V y 4
la capacitancia vara de 27pF a 12pF, N por tanto es igual a 0.13
y C.1V igua! a 30pF.

C. diodo (pF)

mn i i i I M ' Mi ' i ' ' MI i

30
20
MV2105
10

4 hti- ._.
3 "-
2
1
01 0.2 0.3 1 2 3 4 10

Voltaje Reuerso u>n (V)

Fig.No.3.3
Capacitancia del diodo varactor en funcin
del voltaje reverso

En la Fig.No.3,4.a, se muestra un osciladora cristal con un capac

de voltaje variable. C1 y C 2 se colocan para evitar una carga exces
del cristal debido a la capacidad dei diodo varactor y en general s
de un valor ms pequeo que Cwc. El diodo se polariza con
voltaje negativo VD para producir una capacitancia Cwc convenie
sin seal. Cuando la seal modulante f(t) se suma al voltaje
polarizacin, el punto de trabajo del diodo se desplaza alrededor
voltaje inverso fijo produciendo cambios pequeos de capacitan
WC-

En ausencia de seal modulante, C.,, Q y generan u

capacitancia CN que puede incrementarse en AC N.

Si C12 representa la combinacin serie C G , Q ~ Q ( el cam

fracciona! en la capacitancia dla red puede obtenerse por:

C12 ACVVC
V1/C
 /CHRF

Entrada de audio frecuencia

+ TTT^ Oscilador
a
Seal de

Polarizacin de c,c.
ll" cristal
salida FH

CHRF

Cristal

1(
=p C s C

- ,- J Ls
= ACyU(, 4- Oscilador
" CP 5

> R

II
11

c,

(b)

Fig.No.3.4
(a) Oscilador a cristal modulado en frecuencia
(b) Circuito equivalente del modulador FM
con diodo varactor

La frecuencia de resonancia dei cristal, se determina por l

inducancia l_s y la capacitancia equivalente Cx dada por Cs, Cp CN
ACN; los cambios fraccinales en la capacitancia de resonanci
pueden obtenerse como en e! caso anterior de la forma:

AC. AC, c(
(C C vvc C

como la frecuencia de resonancia est dada por la expresin

los cambios fraccinales en la frecuencia se pueden expresar e

funcin de ios cambios fraccinales de Cx para el diseo de este tip
de modulador:

5
 Cx i A
Cx /v rS r212
U uD(
AC X 2 C'x 2 (< "p c ^o
+ C ^/ ) CVV

En lugar de un oscilador a cristal, se puede utilizar un oscilador L

que proporcione una desviacin de frecuencia ms grande pero
costa de la estabilidad de frecuencia de la seal portadora, que
mejora con-el uso de un control automtico de frecuencia.

b. Modulador FM utilizando un lazo asegurador de fase PLL (Pha

Locked Loop):

El lazo asegurador de fase permite controlar la frecuencia de u

seal mediante la comparacin de una muestra de la salida desea
proveniente de un oscilador controlado por voltaje (VCO) o
submltiplo de esta con otra seal externa de referencia. La seal
referencia proviene de un oscilador a cristal que garantiza
estabilidad de la respuesta.

El PLL consta de un oscilador a cristal que genera la seal

referencia, un detector de fase, un filtro pasabajos, un VCO q
genera la seal de frecuencia deseada (seal modulada) y en
mayora de casos divisores de frecuencia en e! lazo
realimentacin.

Ei principio del PLL consiste en generar un voltaje de control DC q

se aplica al VCO y que es producto de la diferencia de fases entre
seal fija de referencia y la muestra proveniente del VCO. El volta
de control hace que la frecuencia del VCO disminuya en el caso
que la frecuencia de la muestra sea mayor que la frecuencia de
seal de referencia o que aumente en caso de que la frecuencia
la muestra sea menor que la frecuencia de la seal de referencia,
encargado de establecer la diferencia de frecuencias es el detec
de fase, que genera pulsos proporcionales a la diferencia, mientr
que el filtro pasabajos convierte estos pulsos en seales DC.

Un diagrama de bloques simplificado aparece en la Fig.No.3.5 pa

una seal de salida cuya frecuencia es n veces mayor que la se
de referencia.
 Oscilador Controlada
por Voltaje
VCO

Fig.No.3.5
Diagrama de bloques de un lazo asegurador de fase utilizado como
modulador en frecuencia

E! detector de fase generalmente trabaja para seales de frecuenc

relativamente baja por lo que si se desea la salida a alta frecuenci
(en el orden de varios MHz), es necesario incluir en e! lazo
realimentacin divisores de frecuencia. El rango de frecuencia
operacin de este modulador depende de la disponibilidad de
componentes en.especial del VCO y de los divisores de frecuenc
existen dispositivos integrados para el VCO que trabajan has
225MHz como el LM1648 al igual que los divisores alta velocidad

Si junto a la seal de control se inyecta una seal de aud

frecuencia con un nivel DC igual a cero, la seal de salida vara
frecuencia en funcin de la sea! de audio (seal modulante).

Como este mtodo trabaja con elementos discretos o integrados q

llegan a frecuencias mayores que 100MHz, se utiliza esta tcni
para mplementar el modulador FM didctico con modulacin direc
En el capitulo IV se analiza en detalle el diseo de cada etapa y
aplicacin prctica.

Es importante sealar que los divisores de frecuencia en el lazo

realimentacin convierten al PLL en un multiplicador de frecuenc
siendo esta otra aplicacin, tambin utilizada en el Captulo IV.

3.4.- MODULACIN FM INDIRECTA:

Para generar la seal FM indirecta, es necesario obtener una on

modulada en fase en la que la seal modulante sea la integral de la se
a transmitirse; la seal FM obtenida con este proceso es de banda angos
por lo que se necesita de multiplicadores de frecuencia para incrementar
ndice de modulacin al valor deseado.
 Los multiplicadores de frecuencia son dispositivos no lineales q
cambian la frecuencia de la seal de entrada en un factor da
Mediante este procedimiento todas las componentes espectrales
la seal de entrada se multiplican por si mismas y entre ell
Cualquier variacin de fase presente en la seal de excitacin
multiplica en la misma razn que la frecuencia.

Generalmente el multiplicador es un amplificador clase C, que tie

como carga un circuito sintonizado a una frecuencia de salida que
una armnica de la tensin de excitacin . Se debe controlar
ngulo de conduccin de la corriente de colector a un valor q
genere el armnico deseado.

Con este procedimiento, tanto la frecuencia portadora como el ndice

modulacin quedan multiplicados por el mismo factor no as la frecuen
modulante. Por ejemplo, si se somete una seal a un multiplicador por fac
de dos, la respuesta est dada por:

Si la entrada al multiplicador es una seal FM, la salida cumple con

numeral 1.5 y es igual a: ..

cf). ( f ) = A eos [)c + P sen Cm f ]

<J)0 (?) = a A 2 eos2 [Gc t + P sen )m f ]

= ~~ a A 2 t1 + cos (2cc t + 2 P sen ^ t

Sin embargo, la potencia de salida de cualquier armnico, decrece a med

que aumenta su orden porque el ngulo de conduccin de la corriente
colector tambin disminuye, esto precisa e! uso de amplificadores
potencia como parte del modulador. Durante el proceso, el espaciamie
entre las componentes espectrales permanece igual.

Debido a que el uso de multiplicadores puede generar una frecuen

portadora mas alta que la deseada, se debe incluir en este ca
convertidores de frecuencia que mezclan la seal de entrada con u
sinusoide fija trasladando el espectro de frecuencia a la zona deseada,
traslacin no cambia ni el ndice de modulacin ni la desviacin
frecuencia.

A continuacin se describen circuitos con modulacin FM indirecta, que

aplican dependiendo del rango de frecuencia en el que se trabaje.

a. Moduladores de corrimiento de fase:

El modulador de corrimiento de fase o de reactancia produce seal

FM indirectas mediante el uso de una conductancia variab
controlada por la seal modulante y una reactancia fija. El conjun
conductancia - reactancia varan la fase de las seales y no
frecuencia por lo que es necesario integrar en el tiempo la seal
audio antes de que ingrese al modulador.

El circuito modulador aparece en la Fig.No.3.6 donde el volta

producto de la integracin de f(t) (seal de audio), controla
conductancia mutua del FET (gf).

Fig.No.3.6
Diagrama de un modulador de corrimiento de fase

Para determinar la variacin de fase de este circuito en funcin de

conductancia se considera que en radio frecuencia las bobinas L
son circuitos abiertos, CB y f s poseen reactancia cero y la
capacitancias de! FET son despreciables, por lo tanto se tiene:

J9fR
R -
Vo COC
V,
COC
 ^ R/
R = d L R,

rd es la resistencia dinmica de drenaje del FET.

Si gfR 2 entonces:

COC

donde Q = arctan

CC

El voltaje producto de la integracin de la seal, controla el ngulo

fase y la conductancia gf. Esta relacin es lineal dentro del rango
0<6<90 D .

La mxima frecuencia a la que este circuito trabaja, depende de

caractersticas y de la respuesta de frecuencia del FET que
utilice.

b. Modulador de frecuencia por comparacin:

Este tipo de modulador proporciona una seal FM en forma indire

porque la seal de entrada de audio frecuencia es previamen
integrada, el principio del modulador consiste en realizar u
comparacin entre la seal Jf(t)=g(t) con una seal diente de sie
h(t) generada a partir de un oscilador a cristal cuya frecuencia es
doble-de la frecuencia de la seal de salida deseada. Un diagram
de bloques de este modulador se muestra en la Fig.No.3.7.

La salida del bloque comparador, proporciona pulsos con un anc

variable que depende de la diferencia g(t) - h(t), semejante a
modulador por ancho de pulso, la onda a la salida del comparad
(vct), ingresa a un circuito biestable que cambia entre +V y O ca
vez que vc(t) tiene una transicin negativa.

La seal a la salida del biestable es una onda rectangular c

frecuencia fc cuya fase vara en proporcin al valor instantneo
Jf(t), como se muestra en la Fig.No.3.8. Aqu, la mxima desviaci
de fase puede ser 180 y su iinealidad depender de la linealidad d
la forma de onda diente de sierra.

El oscilador a cristal garantiza estabilidad en la salida.

s(t)

Fig.No.3.7
Diagrama de bloques de un modulador por comparacin

La mxima frecuencia de operacin de este modulador depende d

la frecuencia de operacin a la que trabajen el generador diente d
sierra, el comparador y el circuito biestable. Este modulador e
conveniente en el rango de los pocos megahertz porque se dispon
de circuitos integrados que facilitan e! trabajo.

a_z
V

Fig.No.3.8
Forma de onda de las seales a travs
del modulador por comparacin

6
3.5,- MTODO DE ARMSTRONG:

El mtodo de Armstrong proporciona seales FM en forma indirecta y

basa en la similitud entre las expresiones de una seal AM de doble band
lateral y portadora suprimida con una seal PM cuando e! ndice d
modulacin de fase es pequeo.

La seal portadora eos coct modulada en amplitud por la seal modulan

sen Cmt se expresa de la forma

cos G c t sen Cu m

+ ' ~ sen

mientras que la seal portadora sen coct modulada en fase por la se

modulante sen comt con una desviacin de fase pequea se expresa de
forma

( c o c f + A e s e n Cm f)

~ sen Cc t + AQ cos coc t sen

= sen 3c t + [sen (coc + cm )f - sen (coc - Cffl )f ]

esto significa que si m - Ae se puede obtener la seal PM utilizando u

modulador AM de doble banda lateral con portadora suprimida (conocid
con el nombre de mezclador) ms un circuito que agregue la se
portadora corrida 90en fase.

Si lo que se desea es obtener la seal FM, la onda que acta com

modulante debe ser la integral en el tiempo de la seal de audio.
resultado en este proceso es la seal NBFM que requiere multiplicadores d
frecuencia y convertidores para ser transmitida. La simplificacin de la se
PM como se vio en Cap. II. 1.a. se consigue si el ndice de modulacin d
fase [3e es menor que 0.5.

Un ejemplo para la configuracin de un modulador de Armstrong pa

radiodifusin FM comercial se aprecia en la Fig.No.3.9, donde p = 0.2 y
frecuencia de audio es igual a IKHz, que producen una desviacin d
 frecuencia de 200 Hz. Para que Af llegue a 75 KHz se requiere un
multiplicacin de frecuencia de:

75 KHz
= 375 = Factor de multDlicacin
200 Hz

mediante el uso de uno o varios multiplicadores, dependiendo de si se usa

elementos discretos o integrados.

Si se considera una portadora inicial de 1 MHz a la salida de un oscilado

cristal, la multiplicacin de frecuencia del oscilador de 1MHz por 37
produce una frecuencia muy alta, que obliga a usar un convertidor pa
llevar a la frecuencia de salida por ejemplo a 100MHz. Para 100MHz, l
factores de multiplicacin (n1 y n 2 ) pueden ser 25 y 15 respectivament
Con n.^25 la entrada al convertidor es de 25 MHz y Af a la salida igual a
KHz, para que la frecuencia de la seal fina! sea de 100 MHz se requiere
mezclador donde el oscilador local sea igual a 18MHz.

Modulador Balanceado
con portadora suprimida
UAPS

Fig.No.3.9
Diagrama de bloques de un modulador FM utilizando el Mtodo de Armstrong

3.6.- ESTABILIZACIN DE FRECUENCIA PARA MODULADORES FM Y PM

En muchas aplicaciones la frecuencia portadora de la salida de u

generador FM requiere ser extremadamente estable. Por ejemplo la FC
(Federal Communications Commission) requiere que las estaciones F
comerciales (88 MHz a 108 MHz) mantengan una frecuencia portado
estable con una mxima variacin de alrededor de 2KHz para la frecuen
asignada a cada estacin. Esta estabilidad puede ser obtenida mediante
uso de la realimentacin FM o el control automtico de frecuencia. Es
circuitos, detectan la frecuencia de la salida del demodulador o
modulador y la comparan con la seal de audio de entrada o con una sal
de referencia que ingresa a un detector de fase para generar una seal
correccin.

La descripcin de estos dos sistemas se presenta a continuacin:

a. Reaiimentacin FM:

Cuando la seal FM se vuelve inestable, la seal a la salida

demodulador difiere de la seal modulante que se transmiti.
variacin de f(t) en e! receptor puede expresarse como la suma de
ms una seal DC (que es una seal de error producto de
inestabilidad) en instantes de tiempo. Mediante este mtodo
pretende obtener esta seal de error para compensar a la seal
original.

Un sistema de reaimentacn para estabilizacin de frecuencia

muestra en el diagrama de bloques de la Fig.No.3.10.

En este grfico, la salida del generador FM se asume de la form

f
cj)(f) = A eos [ce f + ef + yf + Ac f f (T)C/ T]

donde Ac - V^Kg , h^ es la constante del generador FM, es

frecuencia portadora deseada, y es el cambio de frecuencia deb
a - l a realimentacin y e es la diferencia de frecuencia entre
frecuencia portadora actual sin realimentacin y la frecuen
portadora deseada.

La salida del generador FM es mezclada con un oscilador controla

a cristal muy estable para extraer el trmino diferencia. Si el oscila
a cristal opera a la frecuencia coc- c^ entonces a la salida
mezclador la seal toma la forma

= C eos [((d + e +v)f +AC f f ( T ) d T ]

La salida del mezclador pasa a travs de un demodulador
frecuencia que genera la seal

<t> 2 ( f ) = Kd [e + Y ~ 5(0 + Ac f (f)]

el trmino 5c representa el error que existe para obtener

frecuencia deseada e involucra la inexactitud del demoduador y
osciladora cristal.

La salida del demodulador pasa a travs de un filtro pasa-ba

suficientemente estrecho como para no dejar pasar el trmino f(t)
4>2(t), la salida del filtro es amplificada por -A0 y aplicada a la entra
del generador FM.

v^ Generador FM w ff(t)dt]

-^ Desviacin: A W
ndice de modulacin :J5
salida FM

Ccos(wc-wd)t

w Jf(t)dtJ

Y - t/w] ( t + V - c/w-t-

Fig.No.3.10
Diagrama de bloques de un sistema de estabilizacin de frecuencia

Para producir el trmino yt en la fase de la salida del generador F

el filtro y el amplificador juntos deben tener un valor y/Kg igual a -
K d [e + y - Seo], as:
 -s + 5co
1

S\a ganancia en el lazo de realimentacin es alta ( esto es A0 de un

alto valor), y se aproxima a [-e + 5co] y la frecuencia resultante de
red se aproxima a (coc + 5c) as, la estabilidad final depen
nicamente de la estabilidad del oscilador a cristal y d
demodulador.

Control automtico de frecuencia:

El control automtico de frecuencia se realiza en base a un la

asegurador de fase. Como se explic en el numeral 3.3.b. el proce
de estabilizacin se consigue comparando una muestra de la se
de salida FM o un submltiplo de esta con una seal de referencia
frecuencia muy estable, mediante el uso de un detector de fase.
detector de fase junto con un filtro pasabajos genera un voltaje
control que ingresa al oscilador - modulador realizando la correcci
La amplitud de! voltaje DC de control depende del detector y del filt
utilizados y de los requerimientos de! oscilador. Generalmente
selecciona el voltaje DC de tal forma que el valor medio del rango
variacin produzca la seal portadora sin modular.

Como se trata de un proceso necesario que forma parte del mto

escogido para ei^drs-efreFy la implementacin del modulador F
directo, el diseo y clculo de los valores de los elementos de es
circuito aparece en detalle en el Capitulo IV.
 DISEO Y CONSTRUCCIN DEL MODULADOR
DIDCTICO EN EL RANGO DE PM

4.1 Diseo del Modulador FM utilizando el Mtodo Dire

4.2 Diseo del Modulador FM utilizando el M

Indirecto

4.3 Construccin de los moduladores didcticos

 CAPITULO IV

DISEO Y CONSTRUCCIN DEL MODULADOR DIDCTICO

EN EL RANGO DE FM

El modulador FM didctico que incluye dos mtodos de modulacin, est disena

y construido como dos bloques totalmente independientes cada uno de ios cual
utiliza una opcin de las planteadas en el Captulo III. Se selecciona la modulaci
en base a un PLL para el modulador FM directo y la tcnica de Armstrong para
modulador FM indirecto. Los moduladores incluyen circuitos de estabilizacin
frecuencia.

4.1.- MODULADOR FM UTILIZANDO EL MTODO DIRECTO

El desarrollo de ios circuitos de aplicacin del mtodo directo de modulaci

en frecuencia estudiados en el Capitulo III permiten seleccionare! diseo d
Lazo Asegurador de Fase como el modulador a implementarse en
prctica. La seleccin se realiz considerando que para el rango
operacin de la frecuencia portadora de! modulador (de 87.9MHz has
99.9MHz) se dispone de un oscilador controlado por voltaje en un dispositi
integrado, el MC1648, que trabaja a estas frecuencias y de los divisores
alta velocidad para el lazo de realimenacin.

Para obtener la seal modulada en frecuencia se utiliza como parmet

variable del VCO la capacidad. La capacidad variable est proporcionad
por un diodo varactor cuando'se le aplica una seal inversa de polarizaci
ms la seal de audio f(t) que acta como modulante. Adems el mtod
seleccionado garantiza la estabilidad de la seal modulada porque compa
una muestra de la seal de salida con una referencia muy estab
proporcionada por un oscilador a cristal. .

El diseo con este mtodo se desarrolla en base-a tres bloques definidos

la siguiente forma:

1.- ETAPA DE AUDIO: encargada de generar y controlar las seal

modulantes.

2.- ETAPA DE LA ONDA PORTADORA: encargado de generar la se

portadora estable.

3.- ETAPA DE POTENCIA: que proporciona el nivel de salida adecuad

para obtener una seal fina! de 1W para una frecuencia dentro d
rango especificado.
 Seal FM
nf = 75KHz

MTODO DIRECTO DE MODULACIN EN FRECUENCIA

Fig.No.4.1.1
Diagrama de bloques del modulador en frecuencia utilizando el mtodo directo

El diagrama de bloques de las etapas mencionadas se muestra en

Fig.No.4.1.1. -

4.1.1.- ETAPA DE AUDIO: SEALES MODULANTES.-

Se podr contar con ocho seales modulantes, seis generad

internamente que corresponden a dos ondas sinusoidales, dos triangular
y dos cuadradas de 400Hz y 1000Hz respectivamente; una se
proveniente de un generador externo y la seal de voz tomada desde
micrfono.

Se establecen restricciones en cuanto a la mxima amplitud, que ser

1Vp y una frecuencia no mayor a 15KHzen el caso del oscilador extemo.
buffer interno permite visualizar la amplitud, forma de onda y frecuencia I
cualquiera de estas seales a la vez que garantiza evitar cualquier dao
circuito por errores del usuario.

La seleccin de la seal modulante se logra a travs de interruptores q

estn disponibles para el usuario, cada uno con su respectivo indicador
 Ose. Interna Seleccin . . . . , , ....
fm = 40Q Hz ffp
=H
, Variacin de Amplitud
rp 0 - . . . , . t de la seal modulante
jir' /VA /\ f Seal Modulante

Ose. Interno
1 Seales de
fm = 1000Hz
1/L /W vV
Conlful
Externas
-ijijnj- mn-nn-ri
OUTPUT1

Ose. Externo
fmax-15 KHz
'w ..

Seal de Voz H.ed de Prenfasis Rltro

<*=JVf
-* -C"'I"j- ~ Pasa bajos

Fg.No.4.1.2
Diagrama de bloques de la etapa de audio

a, DISEO DEL AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO PARA LA SE

DE VOZ USANDO EL CIRCUITO INTEGRADO LM381

El nivel de seal proveniente de un micrfono es tan pequeo

sensible ai ruido que es necesario escoger un amplificador de alta ganan
y de bajo ruido, para amplificar la seal hasta el nivei deseado. Para dise
e! amplificador se utiliza el circuito integrado LM381 pues adems de cum
con estos requisitos posee una ganancia de 112 dB, un voltaje de sal
mximo de (Vcc - 2V)Vpp, una entrada total de ruido de 0.5pV y un gr
ancho de banda de operacin, adems el LM381 opera con una sola fuen
de polarizacin entre 9 y 40VDC.

Para el diseo del amplificador se utiliza la aplicacin desarrollada en

especificaciones del chip [14] bajo las siguientes condiciones:

a,1. Requerimientos del Amplificador:

El micrfono a ser utilizado es de marca JULiETTE, con u

impedancia de salida de 600. Se establece experimentaimente u
amplitud mxima a la salida igual a 6mV y de acuerdo al nume
4.1.1, para una sea! de salida estndar de 1Vp es necesaria u
ganancia del amplificador igual a 150.
 El amplificador debe trabajar entre los 60Hz y los 15KHz.

a.2. Circuito a ser utilizado:

MICRFONO

= l i-Fica=Joo ca audio ce tsajo

Fg.No.4.1.3
Amplificador de audio de bajo ruido

a.3. Clculo de los valores de ios elementos del amplificador:

Utilizando la figura No.3 de la hoja de aplicacin del chip [14]

determina la corriente de colector ptima para la impedancia
entrada de 600Q (impedancia de salida del micrfono) igua
170uA. Con esta corriente, mediante la siguiente ecuacin
encuentra el valor de R4 .

/ - 18 x 10

RA + R5 = 65.13 X 103

Con la expresin:

= 3 R
 _
w _ 65.13 x 10
1.333
R4 = 48.86 x 103

RK = 15KD

Para garantizar estabilidad DC, R1 toma e! valor de 1K

Ve. x 107
- 910
2 6.05 x 103 + fc x 107

- 910
2 6.05 x 103 + 1.7 10

R 3 = 6.832KQ

= 6.8KQ

para la ganancia Av - 150

A.. = = 150

R2 = 45.63D

= 47O

R2

~
2n x 60 X 47

C =
Utilizando la expresin de la ganancia de la etapa de entrada
tenemos:

(2 105) R4
+ 2 x 105
A. =
. 0.026 4. 1
1 -f .
1 -f
1
I O4 R* R~

(2 x 10 5 )47 x 1Q 3
47 x 103 + 2 x 105
0.026 1
1.7 x 10~ 4 1 , 1 1
104 103 51

- 189.12

Para garantizar un rechazo ai ruido de la fuente de 100 dB (seal

120 Hz) C4 toma el valor de;

P.S.R.
20
10
2TT f Rc

100

10 20

2n 120 x 15 x 103 x 189.12

Para la frecuencia de corte fn = 15KHz, C3 es igual a:

 - 4 x 1CT12

C, =
1 - 4 x 10'12
a n x 15 x 103 - 026 10
1.7 x 1CT4

C, = 65.37 pF

C, = 68 pF

12 U O

1 i-rj.ea.dor- de idar bsi-Jo r<-iieto

Fig.No.4.1.4
Amplificador de audio de bajo ruido a implementarse

Debido a que la densidad de potencia decrece a medida q

aumenta la frecuencia y el ruido es ms fuerte en el rango
frecuencia en el que la seal es ms dbil, las componentes de a
frecuencia de! mensaje se ven afectadas por el ruido presente en
transmisin, por lo tanto es necesario incluir para la sea! de voz
ms del amplificador de bajo ruido una red de pre-nfasis como
de la Fig.Nq.4.1.4, que refuerce las componentes de alta frecuen
de la seal mensaje para reducir el ruido en esta regin, que signif
una reduccin en el ruido de la seal FM. La constante de tiem
para la red de pre-nfasis es de 75ps segn las normas 73.317 de
FCC (Federal Communications Committee) que detallan
requerimientos de los sistemas de transmisin FM.
 La red de pre-nfasis no provoca incremento en la potencia de
seal que se transmite porque la potencia de la seal FM es igua
la potencia de la portadora sin modular.

b. DISEO DEL FILTRO DE AUDIO:

El circuito a ser implementado es un filtro pasabajos Butherworth

segundo orden (n=2) con la frecuencia de corte (f^) igual a 15KHz,
selecciona el filtro de este orden porque no se requiere una selectividad m
alta. El diseo se realiza tomando una seccin bipolar normaliza
(Fig.No.4.1.5). Los valores para esta seccin estn tabulados en las tabl
de diseo de filtros Butherworth (Kaufman M. y Sedman A. MANUAL PAR
INGENIEROS Y TCNICOS, 1982, Cap.19, tabla 19-7, pg.19-31).
seccin bipolar se adeca a la frecuencia de corte requerida haciendo:

normalizada
C =
Z x FSF

P ~ p
^ ^ normalizada

donde FSF es un factor de cambio de escala igual a 2n f coff .

Usando el amplificador operacional LF353, si Z = 33KO y FSF es igua

94247.78 entonces C7 = 454pF, Q = 227pF y R =9R ^ 0 R = 33KO
circuito a implementarse se muestra en la Fig.No.4.1.5:

Rg.No.4.1.5
Filtro de audio con fc=15KHz a implementarse
c. DISEO DE LOS OSCILADORES INTERNOS DE 400 Hz Y 1 KH
MEDIANTE EL USO DEL CIRCUITO INTEGRADO ICL3038 :

c.1. Operacin del Integrado ICL8038:

El 1CL8038 es un generador de onda de precisin que permi

obtener seales cuadradas, triangulares y sinusoidale
simultneamente desde O.OOlHz hasta SOOKHz con una distorsi
armnica menor que el 1% en el caso de seales sinusoidales y un
no lineadad menor que el 0.1% (la no linealidad es e! porcentaje d
desviacin de la pendiente de subida o de bajada con respecto a
lnea recta esperada) en el caso de ondas triangulares.

Este circuito puede operar utilizando una nica fuente (10 a 30 V)

mediante el uso de dos fuentes (5V hasta 15V). Su funcionamien
se basa en la carga y descarga de un capacitor externo por medio d
dos fuentes internas activadas por un flip-fiop que a su vez e
disparado por dos comparadores seeados a 1/3 y 2/3 de VCC.

La carga y descarga del condensador produce la onda triangular,

flip-fiop a onda cuadrada y un convertidor pasa la onda triangular
sinusoidal. La salida cuadrada del ICL8038 puede ser conectad
mediante un resistor RL a un nivel DC diferente al de la polarizaci
del integrado.

El tiempo de carga y descarga del condensador externo determina

frecuencia de la seal de salida y depende de la corrien
proporcionada por las fuentes internas, esta corriente es setead
mediante e! uso de dos resistores externos R1S y Reteniendo un cic
de trabajo del 50% si se ajustan a un mismo valor.

Si el circuito es utilizado con una sola fuente de polarizacin,

voltaje promedio de la onda triangular y sinusoidal es la mitad del d
la fuente de alimentacin, mientras que si son usadas dos fuente
las seales de salida oscilarn simtricamente alrededor de! nivel D
igual a OV.

El circuito a disearse, corresponde a la aplicacin propuesta por

fabricante [12] que aparece en la Fig.No.4.1.6.

Donde los valores de R = R15 = R1S, f y C se calculan mediante la

ecuaciones
 0.3
f =
R C

- . , - V CC(-)
R =
5 /
Ec.4.1.1

Fig.No.4.1.6
Oscilador interno a400Hzy lOOOHz

El fabricante aconseja un nivel de corriente entre 10yA y 1mA puest

que corrientes menores que 1pA contribuyen a errores significativo
a altas temperaturas y corrientes mayores a 5mA contribuyen
incrementos de error debido a! beta de los transistores y a su
voltajes de saturacin.

Tanto R15 y R16 corresponden a elementos variables que permiten u

ajuste preciso de la frecuencia debido a la tolerancia que presenta
las resistencias de valor fijo y al valor de los capacitores utilizado
que no corresponden a los calculados. Los potencimetros colocado
en los pines 1 y 12 (R^ y R^) minimizan la distorsin de la ond
sinusoidal.

c.2. Diseo del circuito oscilador:

El valor de la seal de salida del oscilador debe ser igual a 1 Vp pa

cumplir con las especificaciones iniciales de esta etapa, por lo tant
se'utiliza una fuente de 12V y se asume una corriente de 10OpA; d

7
 la Ec.No.4.1.1, se tiene:

para / = 100u,4

12
5 x 100uA

para f = 1000 Hz

Cg = - - = 12.5
24 x 103 x 1000

Como la salida sinusoidal presenta una amplitud VSEN - 0.2 V CC

onda triangular VTRI = 0.3 \c y la onda cuadrada y = }/c , pa
obtener la amplitud deseada se utiliza divisores de tensin:

VTR, - - 3 ^oc - VT*i = 3-QVPP

18
se same R17 = 15 KD = 1V = ^ 1.81/
17 + 18

R = 18.75

r
C nn
pp

se asume R2Q = 10 KO - 1 Up = 6 l/p

20 + 21

R 21 = 2 KQ.

En la prctica, se determin que la onda sinusoidal no requiere

 divisor de tensin, pero en el caso de las dems ondas el va
deseado se consigue utilizando potencimetros de 50KQ. El circu
a ser implementado se muestra en la Fig.No.4.1.7.

Debido a comportamientos similares entre los dos oscilador

(400Hz y 1000 Hz) las resistencias para el oscilador de 400Hz s
iguales a las calculadas para el oscilador de 1KHz y tambin
reemplazan por potencimetros de 50KQ, mientras que
condensador C9 para el oscilador de 400Hz debe ser igual a 33nF

Fig.No.4.1.7
Oscilador interno a 400Hzy lOOOHza mplementarse

d, DISEO DEL CIRCUITO DE CONTROL PARA EL OSCILADO

EXTERNO

d.1. Operacin del circuito:

La amplitud estndar para la seal modulante restringe el volta

mximo permitido del oscilador externo a 1V sin embargo com
precaucin ante la posibilidad del uso indebido del prototip
didctico, se disea un circuito de control que proteje al modulad
cuando la entrada del oscilador externo supera el valor de 1Vp,
lmite de error puede llegar hasta 12Vp antes que se produzca alg
dao en el circuito de control.

Un led indicador y una seal audible dan la alarma indicand

cualquier exceso a 1Vp para esta seal de entrada.
d.2. Diseo de! circuito de control:

Utilizando el circuito comparador LM319 se establece una seal d

control, de OV o 12V, cuando el voltaje de entrada proveniente d
oscilador externo sea menor a 1V o sobrepase este valo
respectivamente.

Para evitar ambigedades en este proceso la seal del oscilado

externo antes de ingresar al comparador es previamente rectificad

La seal a la salida del comparador, acta a la vez como control d

un MUX analgico 2 a 1 (CD4053) que deja pasar la seal d
oscilador externo o fija la salida a un valor fijo de OVDC. La seal
la salida del comparador tambin permite que el led de alarma s
encienda y se elimine el reset de! TIMER 555 utilizado com
generador de la seal que controla la intermitencia de la alarm
audible. El diagrama de bloques de la Fig.No.4.1.8, muestra
funcionamiento del circuito de control del oscilador externo.

Seal de intermitencia
para la alarma audible

Fig.No.4.1.8
Diagrama de bloques del circuito de control de! Oscilador Externo

El diseo del comparador con el circuito integrado LM319 sol

requiere la especificacin de la resistencia de salida R24 = 5.6 K
obtenida de los circuitos de aplicacin del chip [13], de la
resistencias del divisor de tensin R^ y F|3 que proporcionan
voltaje DC con el que se compara la'seal de entrada y la resistenci
R25 que sirve para limitar la corriente del led que para este caso s
hace igual a 10mA (Manual ECG, diodo ECG3007, lFmx = 50mA).

7
El TiMER 555 se disea como un circuito aestable que genera u
seal cuadrada de frecuencia igual a 10Hz, utilizando la aplicac
propuesta en el manual de operacin del chip [13], como se mues
en la Fig.No.4.1,9 y el valor de los elementos se calcula de
siguiente forma:

-t-S V
o

R2G RS7

i
1
ICS__
3 S

0 ? R5
S _ ._
Sen-a 1 de Contr-o 1
R
r=ana la ai ar-ma
T c
R V
U-1S55

2 s

_JiL_
~ CiS
0. i ul

Fig.No.4.1.9
Circuito aestable utilizando el LM555

para f = 10/-/Z y R 26 + 2 R27 = 10MQ

C 15 =

C,, =

Se asume = 3.9/VfQ

R 27 = 3.05MQ

f? ?7 = 3.3ATQ

El diagrama circuital total del control para el oscilador externo

muestra en la Fig.No.4.1.10.
 Fig.No.4.1.10
Circuito de control para el oscilador externo

e. CIRCUITO DE SELECCIN DE LA SEAL MODULANTE

Para elegir i seal modulante.de las ocho seales disponibles,

utiliza un MUX analgico 8 a 1 (CD4051), con tres lneas de control. Lastr
seales de control son generadas del codificador 8 a 3 (74LS148), cuy
entradas se obtienen de los interruptores.

Este proceso se realiza para evitar el ruido que produciran los interruptor
durante la conmutacin.

La seal modulante resultante tiene una amplitud pico de 1V y antes

ingresar al VCO se tiene un potencimetro disponible al usuario q
permite variar el ndice de modulacin.

El circuito a mplementarse se muestra en la Fig.No.4.1.11.

 Sena 1
Modul a
02.,O3

Fg.No.4.1.11
Circuito de seleccin de la seal modulante

4.1.2.- ETAPA DE GENERACIN DE LA PORTADORA.-

Para el diseo de esta etapa, se utiliza un oscilador controlado po

voltaje (VCO) capaz de generar la frecuencia portadora y a la vez la se
modulada como parte de un lazo asegurador de fase (PLL) que se encarg
de estabilizar la frecuencia portadora (fp). E! PLL toma a seal portadora
la salida del VCO (la cual puede estar variando en frecuencia) y la compar
mediante un proceso de realimentacin con una seal de frecuencia fija
o frecuencia de referencia) normalmente generada por un cristal, par
establecer un voltaje de compensacin proporcional a la diferencia de fas
entre estas dos seales. La diferencia obtenida (valor DC de control), s
inyecta al oscilador provocando un cambio en la frecuencia en sentid
contrario a como estaba variando, para mantener la frecuencia de la sea
portadora fija .

El diagrama de bloques simplificado del modulador diseado en base al PL

aparece en la Fig.No.4.1.12.

8
 Seal Modulante (fm)

fr=8.33KHz
FM de
Detector de .7 MHz a 99.9 MHz

Kv
r &, Kf

Diviso r Circuito
Progr ama lies Sujetador
iz*f de 88 7 a 999

Fig.No. 4.1.12
Diagrama de bloques del circuito generador de la seal modulante

El circuito a mplementarse cuenta con divisores de frecuencia programab

que permiten setear externamente (disponible ai usuario) el valor de fp
rangos discretos de 0.1 MHz desde 87.9 MHz hasta 99.9 MHz.

Para facilitar ei diseo de los divisores de frecuencia en el lazo

realimentacin del PLL, se establece el valor de la frecuencia de referen
(fr) para e! aseguramiento de fase en 8.3KHz.

La frecuencia de referencia se genera de la divisin para 60 de un crista!

frecuencia igual a 500KHz.

a. CIRCUITO GENERADOR DE LA SEAL DE REFERENCIA

8.3KHz:

Utilizando compuertas nand CMOS (CD4011) se obtiene el oscilad

a cristal de SOOKHz (circuito de aplicacin del manual CMOS DATA BO
National Semiconductor), esta seal es dividida para 60 mediante d
contadores CD4018BC que permiten programar divisiones casi simtric
para 6 y para 10. El diagrama circuital del osciladora 8.3KHz se muestra
IaFig.No.4.1.13.
 OSCIUODOR seoKHz DIVISOR >c 60

-C U 0 ,

111 1,1,1 1,
l3f1l 0 9 8 G 5 l3ia 019 SS43I2I1 0(3
R34 VDOOOCC VRCOJQPJ VRCOJQPJ
470 -iSDCiS KSS-R4 K554R-4
flftOOBB JJQQQU J JQOG.J
Yi U13 12Bi2G DX22J.33G
toWid^l-!3 ^D-J11 1234567 J.I23|.<US 617 9 lt2|3[4|S|6 7IB
?
ji
1 1 II T - - T * U ulsrj
CO-301B ]
^[^ _[__ 2.2M >R3H CD431S
-^p-Ci4 T^ C13 /S.2M 1__
j 27 f=F | 27 PF | 1^

. .. .
r
SEAL. DE REFERENCI
A e.

Fig.No.4.1.13
Circuito generador de la seal de referencia a 8.33 KHz

b. DISEO DEL VCO (OSCILADOR CONTROLADO POR VOLTAJ

PARA GENERAR LA SEAL PORTADORA UTILIZANDO
CIRCUITO INTEGRADO.MC1648:

E! MC1648 puede ser utilizado como un oscilador controlado

voltaje si entre ios pines 10 y 12 se coloca un circuito tanque paralelo L
donde C es a capacidad variable obtenida de un diodo varactor o
arreglo entre una capacidad variable y otra fija. El dispositivo incorpo
adems un control automtico de ganancia (AGC) para optimizar
respuesta de frecuencia, seear internamente el valor pico pico de
oscilacin del circuito tanque y dar forma a la seal de salida.

El VCO requiere adems dos capacitores externos C3 y C4 a la entrada

VCO (pin #10) y en el pin AGC (pin #3) respectivamente, para garantizar
niveles DC deseados en estos puntos.

En general, la seal de salida del VCO es una onda cuadrada pero pa

trabajar a frecuencias alrededor de 100MHz el fabricante recomien
colocar desde el punto AGC a el punto VCC una resistencia de mnimo 1 K
para obtener una onda sinusoidal de un valor pico pico mucho mayor q
e de la onda cuadrada obtenida normalmente [15].

Del manual de operacin del fabricante, se impiementa el circuito q

aparece en la Fig.No.4.1.14.
 K B.1 uF
C3
DI
ECGS1S

Fig.No.4.1.14
Oscilador Modulador FM

Donde el rango de oscilacin del VCO puede ser calculado mediante la

ecuaciones:

mx

min CD(min) + Cs

donde f mjn =
f (c D(mx) + cs

Cs es la capacitancia en paralelo a la entrada de! VCO y aproximadamen

igual a 6 pF y CD es la capacitancia del diodo varactor o el arreglo entre u
diodo varactor y una capacitancia fija. Un parmetro importante que se deb
determinar para el diseo del lazo asegurador de fase, es la constante d
oscilador Kv, que se define como la pendiente de la caracterstica d
transferencia del VCO, es decir la pendiente de un grfico entre
frecuencia de salida en funcin del voltaje DC aplicado al diodo varacto
Esta constante se determina experimentalmente.

Asumiendo L = 0.1 \iH

Para fmln = 87.8 MHz

'D(min) = 32.78 pF - CD(mn) = 26.78 pF

8
 para fmax = 99.9 MHz

C o (m ax) + C s - 25.38 pF - C DCmax} = 19.38 pF

El diodo a utilizarse es el ECG612 que permite un voltaje de polarizaci

reverso mximo de 30V, para una relacin de voltajes de 2V a 30V se tien
una relacin de capacitancias igual a 2.9 y a un voltaje V = 4V el varact
proporciona una capacidad de 12 pF. Se establece para f max = 99.9 MHz-u
voltaje de polarizacin igual a 4V con CVmax= 12 pF (C v es la capacidad d
diodo varactor), entonces:

= 19-38 pF
__ p JL P
Dmax Vmax.E/V SERIE ' 2

C2 = 19.38 pF - 6 pF

C2 = 13.38 pF

ln. ENSERIE ^ Dmin ^2

= 26-.7S pF - 13.38 pF

CWn/n. EN SERIE " ^ 3 - ^ P^

Cv = 26.8 pF

El diodo ECG 612 es el reemplazo de varactor MV2105, y se puede tom

como referencia ias curvas que este elemento presenta [19] y determinar a
el mnimo voltaje de polarizacin que se necesita para conseguir CVmn, e
este caso igual a 26.8 pF como se aprecia en la Fig.No.4.1.15.
 C. diado (pF)

IDO

0.1 0.2 0.3 1 2 3 4 10

Voltaje Reuerso u., (V)

Fig.No.4.1.15
Grfica de la capacidad del diodo MV2105
en funcin del voltaje reverso

De la Fig.No.4.1.15 tenemos; para CVmin= 26.8 pF, Vvaractor- 2V.

b.1. Clculo de la constante Kv (ganancia del VC [rad/seg]/V ):

Vmax - Vrnm
.

= 4 V

= 2 V

= 2TT [99.9 - 87.9] * 1Q 6 [rad/seg]

[4 - 2] [V]

- 3 7 . 6 9 * 105 [rad!seg]IV

El oscilador modulador a implementarse con e! circuito integrado MC16

aparece en la Fig.No.4.1.16.
 DJL
ECGG12

Fig.No.4.1.16
Oscilador Modulador FM a mplementarse

c. DISEO DEL DETECTOR DE FASE Y DEL FILTRO PASABAJO

MEDIANTE EL USO DEL CIRCUITO INTEGRADO MC4044 :

c.1. Detector de Fase Y Frecuencia MC4044:

R , U1 PU UF
Detector de Fase
Charge Pump
V DI PD DF

Detector de Fase U2 Amplificador

-D2 Interno

Fig.No.4.1.17
Diagrama de bloques del circuito integrado MC4044

Para realizar la deteccin de fase, se utiliza el circuito MC4044, qu

genera un voltaje de error proporcional a la diferencia de frecuenc
y/o fase de las seales de entrada. Consiste de dos detectores d
fase digitales, un charge pump y un amplificador.

Las entradas del MC4044 aceptan formas de onda TTL. Un diagram

esquemtico de este circuito integrado se muestra en
Fig.No.4.1.17.

c.1.1. Operacin del detector de fase:

El detector de fase #1 es utilizado para sistemas donde

requiere asegurar a cero la diferencia de fase o frecuencia de
seales de entrada, mientras que e! detector #2 es usado p
asegurar que las seales de entrada se mantengan en cuadratu
o tambin para indicar que el lazo principal cuando se utiliza
detector #1 no est realizando el aseguramiento.

Los detectores de fase consisten de una circuitera lgica secuen

que responde nicamente a transiciones, por tanto su operac
depende de las condiciones iniciales del sistema pero garantiza
el error en la fase no dependa de variaciones en la forma de ond
de la amplitud de a seal a asegurarse.

En el diseo a implementarse, el detector utilizado es el #1, en

cual, cuando ocurre una transicin negativa en R (entrada
referencia, pin #1) y despus de esta una transicin negativa e
(entrada variable de realimentacin, pin #3) las seales de salida
(pin #13) y D1 (pin #2) van al estado alto (1L) produciendo
aseguramiento de! lazo, este estado U1 = 1 L y V1 = 1Lpermanece
hasta cuando una nueva transicin negativa en R ocurre llevando
salidas U1 y D1 al estado 0 L y 1L respectivamente, en espera de
posible transicin negativa de V que llevar nuevamente a las sali
al estado U1 - 1 L y V1 =1L) este proceso genera una onda perid
en el termina! U1 mientras que D1 permanece en alto. Un result
similar se puede obtener si se toma ei uso de las entradas R y V
sentido contrario, pero ahora la forma de onda peridica aparece
la salida D1 mientras U1 permanece en alto. La Fig.No.4.1
muestra este proceso. Un anlisis ms completo que determina
valores que toma U1 y D1 puede obtenerse mediante el uso
tablas lgicas en diagramas de tiempo especificados en los da
tcnicos del chip [153.

En cualquier caso ei valor promedio de la forma de onda varia

resultante es proporcional a la diferencia de fase- entre las
entradas.
 R

U-t

D1

Fig.No.4.1.18
Grfico a la salida del detector de fase del MC4044

c.2. Operacin del Charge pump y del amplificador:

El charge pump es un circuito que permite realizar el aseguramien

de las seales que ingresan ai detector para diferencias de fase en
-2n y +2n, proporcionando un voltaje de salida que varia entre 1 V
y 3 VBE.
Una grfica de voltaje de salida del charge pump en funcin de
diferencia de fase de las seales de entrada (mostrado en el Ane
A), permite obtener !a constante de ia funcin de transferencia
detector (K^), segn los datos proporcionados en el manual
operacin del C.l. MC4044, el valor de esta constante
aproximadamente igual a 0.12 V/radian.

c.3 Operacin del Filtro Pasabajos del Lazo:

Las caractersticas fundamentales del lazo como son rango

captura, ancho de banda, tiempo de captura y respuesta transito
son controlados por este filtro, de ah la importancia de realizar
buen diseo.

Debido a la funcin de transferencia de! lazo, es necesario que

filtro que se disee sea de segundo orden con una respuesta
frecuencia semejante a la de una entrada paso; esto lleva a defi
conceptos como frecuencia natural del lazo (wn) y factor
amortiguamiento (Q, que aparecen en las curvas de respuesta
filtro proporcionadas por el fabricante (Fg.No.4.1.20).

El MC4044 dispone de un amplificador operacional que junto con

transistor adicional son utilizados para disear el filtro, como se ind
en la Fig.No.4.1.19, donde los elementos a ser determinados s
R1,R2,C1 y R3 mediante las siguientes ecuaciones;

2 e

bajo las siguientes restricciones determinadas por el fabricante:

(a) R2 > 50 Q
(b) R2/R1 < 10
(C) 1 KQ < R1 < 5 KQ y RL

Utilizando como ejemplo el diseo presentado en el manual para

C.L MC4044, se muestra en la Fig.No.4.1.19 el detector de fase m
el filtro que incluye una red externa adicional utilizando el transis
MPS6571.

riNPUT.~l_S

Fig.No.4.1.19
Detector de Fase y filtro pasabajos
 fout = 87.9 MHz a 99.9 MHz

fnf = 8.3 KHz

sobre pico < 20%

tiempo de aseguramiento entre canales = 10mseg

5 = 0-8

A/ = ^ = 99 ' 9 * 10
'
fref 8.3 * 103 Hz

N = 12036.145

E! valor del sobrepico y de! factor de amortiguamiento E; se esco

considerando la respuesta del filtro pasabajos a la entrada paso q
se muestra en la Fig.No.4.1.20. Es necesario tomaren cuenta que
frecuencia de referencia equivale tan solo al 0.01% de la frecuen
portadora por lo tanto, asumiendo un coeficiente d amortiguamie
igual a 0.8 se puede establecer una frecuencia normaliza
alrededor de este porcentaje wnt = 5.5 (Fig.No.4.1.20).

v 5.5
10 * 10

Q}n = 550 [radlseg]

0.1 [Virad]

= 37.69 * 10 S [rad!seg]!V

= 0.1 x 37.69 * 106

1 12036.145 * (550) 2 * 1000

= 1
 2 * 0.8
= 2.9 KQ
550 * 1 x 10

R7 = 2.7 KQ

l.G 2-O.3.0 -4.O ;S.O 6.O 7.0 8. 9.0 fO 12 13 14

b3nt

Fig.No.4.1.20
Respuesta del filtro de segundo orden a la entrada paso

d. Diseo de los divisores programables para el lazo

realimentacin:

Como se explic en e! diseo del MC4044 y dei filtro del lazo, l

contadores deben proporcionar una seal de frecuencia igual a 8.3
KHz a partir de seales de 87.9 MHz hasta 99.9 MHz.

La primera divisin toma las .seales y las divide para 12 utilizan

el contador de alta frecuencia MCHC4040. Las siguientes divisione
se realizan para nmeros enteros correspondientes a los valores
 las frecuencias seleccionadas, por ejemplo;

Si la frecuencia seleccionada es 93.4 MHz, el factor

divisin es de 934 veces, o si la frecuencia a dividirse es 8
MHz, el factor es de 898 veces.

Para conseguir esto, se utilizan 3 contadores decdi

programables (74LS197), que dividen el factor en unidades, dece
y centenas.

El circuito mplementado para este propsito se muestra en

Fig.No.4.1.21

4.1.3.- ETAPA DE POTENCIA.-

Provee de un bloque, amplificador clase A, que adapta la seal del V

(Seal sinusoidal de 1 V p sobre una carga de 800Q) a una seal compatible con
contador MCHC4040 (VILmx~ 1V \fHtnln= 2V); adems se tienen dos etapas
potencia que elevan el nivel de la seal, tanto en voltaje como en corriente p
garantizar una potencia mnima a la salida igual a 10OmW sobre una carga de 5
y en el mejor de los casos una potencia igual a 1W, como se muestra en
diagrama de bloques de la Fig.No.4.1.22.

Arn p llflcador FTen m p (If 1 cut o r Amplificador final

de potencia
clone A cie e i rz clase B & X

alldn del VGO Scrtnl de salida Flv

Fg.No.4.1.22
Diagrama de bloques de la etapa de potencia

Las condiciones que esta etapa debe tomar en cuenta son:

v o-

VDCBCLQ CBCLDD Vi 1QQRCQ

-t-OL C iu CD -*-AL C 1089 K i
O C CQ Q a C OQ UJ.6
ADUCD I S CUCC9D C B DUGD MCHC1O40
TJSJ3 4 51517 8

x\\C \\\. \\\*

Se 1 eccion d*
la f rec:urncia portador-*

Fis-No-l.1-2C
Grfico d lo di vi ore proor-omab 1 w s en 1 lazo de raal iinen-fcacion d I PLL
 Af = 12 MHz

Q = Dental = 93.9 MHz

Af 12 MHz

Q = 7.83

Donde Af representa el rango de frecuencia de seleccin y Q corresponde al fac

de calidad del circuito total.

Considerando inicialmente que el circuito puede constar de 3 etapas, mediante

expresin:

donde n corresponde al nmero de etapas del bloque de potencia, se ve que

mximo Q que puede presentar cada etapa es:

Qc/c/r = 7'83

Para implementar esta etapa, se considera inicialmente, el diseo de

amplificador clase C, con una potencia de salida igual a 1W sobre la carga de 50
los resultados experimentales muestran una operacin eficiente del amplificad
tan solo en rangos muy estrechos de frecuencia y para voltajes en la base
transistor superiores a 2V, fuera de este rango, la amplitud de la seal en la ba
del transistor se reduce de tal forma que el amplificador clase C deja de opera

Debido a los resultados anteriores, se descart el uso del amplificador clase C pa

la etapa de potencia y se opt por rnplementar un amplificador case B que
ofrece un rendimiento terico del 85% al 100% como el clase C, pero que pue
tener un rendimiento terico del 78.5% [3], pero que no presenta restricciones
cuanto a la amplitud de las seales de entrada.
a. OPERACIN DE LA SECCIN FINAL DE AMPLIFICACIN D
POTENCIA:

Fig.No.4.1.23
Amplificador clase B

Cuando se trata de disear un amplificador de potencia clase

sintonizado como en este caso, por lo general el circuito propues
es el que aparece en la Fig.No.4.1.23 [3][6],

Sin embargo, aunque e! circuito tanque en la base del amplificad

garantiza una alta impedancia de entrada a la frecuencia de sinton
es necesario usar una red de neutralizacin para evitar oscilacione
complicando an ms el diseo, en lugar de esto, se opta p
eliminar e! circuito tanque a la entrada como se muestra en
Fig.No.4.1.24.

Serval de Salida FM
de Q7 . SMHs: a 33. 3MH=
de enr"-ada

Fig.No.4.1.24
Amplificador clase B con elementos pasivos
 El valor de las resistencias R,y R 2 se obtiene considerando un voltaj
en la base de 0.5 V y asumiendo un valor de corriente de salida.

a.1. Diseo del amplificador de salida clase B:

Para realizar el diseno de este amplificador, se utiliza el transisto

2N3866 [17], bajo las siguientes condiciones iniciales:

R, = 50Q

P.,,f

; -
P

vo v
p0u, =- ~ donde Vam, = -SS.

O \J

iop = 200 [mA]

idealmente i debe ser igual a lc entonces se asume

97
 / c = 200 [mA]

/op = 200 [mA] = 6 3 > 6 6 [mA]

n rr

PDC = 100 para Vcc = 12I/

s 63.33 = 0_633

B 100

Se calcula la corriente de emisor en esta forma porque

amplificador solo deja de ser cero durante una parte del ci
(durante 180).
Como el voltaje de base tiene un valor fijo de 0.5V, una corriente
travs de la resistencia de base R2 mucho mayor que da u
impedancia de entrada aun ms baja, para evitar esto, se toma
comparable a la corriente de base, esto no altera el objetivo
divisor de tensin en la base para diseos generales.

sea Ir
R = 1.26 [mA]
2

Va 0-5 [VI
^2 =
IR 1.26 [mA]

= 390

IR = (1.26 + 0.63)[m>A] = 1.89 [mA]

 - 0.5

B (12 - 0.5)
(1.89 * 10

R. = 6.1 KO.

= 390 II 6.1K = 366.56

2.lnr = 100

z.n = 100 | 373.97 O = 78.6 O

La impedancia de entrada del transistor, se obtiene de los dat

proporcionados por e! fabricante [17].

= 93.9

asumiendo L^ = 0.2yH

(2TT /)2 * /--, 2n * (93.9 X 10 6 ) 2 * 0.2 x 10~ 6

C? = 14.36 pF

y C 2 se mplementa con un condensador variable de 3 a 40pF.

Para determinar la potencia de entrada mnima con los datos d

fabricante se tiene;
 = 10 de
2tJ3B66

G = 10 log
Pln

p = POU = 1
'" loq- 1 1 10

Pln = 100 mW

Bajo esta condicin, la mnima seal de entrada para . e

amplificadores:

Vfn = i/2 RL P.n = i 2 * 78.6 * 100 X 10

y,n, = 3.96 [U]

Este bloque, al igual que los que se disean en adelante cuenta c

un filtro en V^ (Fig.No.4.1.25) para evitar cualquier tipo
realimentacin que produzca oscilacin. Los capacitores C3 C4 y
filtran rangos de frecuencias altas (en el orden de los MHz), med
(en el orden de los KHz) y bajas (en el orden de los H
respectivamente. XCHRF est diseada para atrapar la frecuencia
resonancia del circuito, donde X es la reactancia (expresada
ohms), en este caso inductiva.

JC Xc^ a f =.93.9 MHz

= 17 ; X.^.
CHRF = 1700
'a

= 2-8
 . . . /~y
J_J_ Z.9UH _^

O
C3 -T- -J~ C4 -J- 1
_^. ^X- a * L
a.2 UJH ,/

Fig.No.4.1.25
Amplificador clase B (etapa de salida)

Para continuar con el diseo, debido a la baja impedancia de entra

de este bloque, se construye una red transformadora de impedanci
(RTI) que eleve cuatro veces el valor de la carga para que se pued
obtener valores aceptables de bobinas y capacitores.

a.1.1. Diseo de la Red Transformadora de Impedancias a

entrada del amplificador clase B #1:

Para la transformacin de impedancias se utiliza la red i de

Fig.No.4.1.26. Las reactancias capacitiva e inductiva se determin
de la siguiente forma:

X-
X X2 = Xp

R
= +

1
 X ;> A/316 * 78 = 160

se asume Xm = +280

316
(280 2 - 24648) = (280 2 -
78 \8316
Xp = 466.6 Xs = 115.2

= X , X7 = - 466.6 - 280 = -746.6

X , X6 = - 115.2 - 280 = -395.2

C7 = 2.3 pF C = 5 pF L2 = 0.47 \\H

RL.

7S

Fg. No.4.1.26
Red Transformadora de Impedancias de 78 O a 316 Q

El nivel de voltaje y potencia deseados a la entrada del bloque fina

requiere el diseo de otra etapa preamplficadora clase B.

a.2. Diseo de la etapa #2 clase B:

Utilizando el transistor 2N3866, bajo las siguientes condicione

iniciales se tiene;

10
 Pout = 100 [mW]

Vout = 4 [V]

Z = 316 [Q]

= 12.66
P Z n 316 [Q]

En este caso debido al pequeo valor de la corriente no se asume

comparable a 1B sino:

I0 = op = 12.66 [mA]

o __ 12.66 [mA] = ^ [mA]

n n

4.03 >3

oc

- -5 _ (12 - 0.5) [U]

R, = 500 [Q]

= =

- o.5) [V] no - ou
4 =

= 12 [KQ]

1
En lugar del circuito tanque en el colector dei transistor, se coloca
choque de radio frecuencia, porque la red transformadora
impedancias que se disea a la entrada de la etapa anterior ya
selectiva:

= Zout
XCHRF 316 [D] w XCHRF = 3.16 [/CU]

XCHRF = 3.16 x 103

2n * f cenra/ " 2n * 93.9 x 106

= 5.3

El diagrama circuital de la etapa preamplificadora clase B, se mues

en laFig.No.4.1.27.

Como en el diseo anterior, con los mismos datos tcnicos se tie

un Zin igual a:

Zin = 2 / n r u RB > RB = R3 i R4

RB = 500 [Q] || 12 [KO] = 480 [O]

Z /flr = 160 [Q]

Z.n = 160 [Q] || 480 [O] = 120 [Q]

Para la ganancia de potencia y la potencia de salida especificada

Vnp debe ser;

G p = 10 [dB]

= 100 [mW]

P,n = 10

1
 Vln =
= 2 * 12 * 10 X 10"3

V.lnn = 1.55

La impedancia de entrada es baja, por lo tanto se disea otra red d

acoplamiento con un factor multiplicacin igual a cuatro, similar
caso anterior. "~

CHRF
C0 es ca B.3 u
100 UF 0.1 uF 100 pF

^OUTPUT IB
. QS
4 NTE311

|_XNPUT 1"

Fg.No.4.1.27
Amplificador clase B segunda etapa

a.2.1. Diseo de la Red Transformadora de Impedancias a

entrada del amplificador clase B #2:

Para implementar este circuito se utiliza la red TT de la Fig.No.4.1.2

Las suceptancias capacitiva e inductiva expresada en mhos s
determinan de la siguiente forma:

v 2
B =
\/ G
m

1
 >
1 1
480 * 120 240

1
se asume =
140

120 480
B = (
480 140 57600 120 140 57600'

B = 2.9 * 10 Xs = 0.011

+ s, =
o
= 2.9 * 10~ 3 + 7.14 * 10~3 = 10.04 * 10"3
fia = ," B^ = 0.01 + 7.14"3 = 0.01714

C 2 = 17 pF C,. = 30.75 pF L, = 0.24 \\H

INPUT 1S~>

ra_
12E

Fig.No.4.1.28
Red Transformadora de Impedancias de 120 Q a 480 O

a.3. Diseo de Amplificador clase A:

Se necesita un voltaje mnimo de 1.6 V para cumplir con

requerimientos de entrada del bloque anterior, los resultad
experimentales obtenidos determinan a la salida del VCO 1 Vp so
RL = 800Q, por lo tanto es necesario disear una etapa adicional
amplificacin que satisfaga al bloque #2 y adems que adapte
seal de VCO a la entrada del contador MCHC4040. Para esto
utiliza un amplificador clase A emisor comn con el transistor 2N9
bajo las siguientes condiciones:

PDC2fj9lB
DC
= 70

AC2N918

Z.n = 800 [Q]

A = - - 2 W = 2

por seguridad se asume A =3

= 6.25
RL 480[Q]

se asume lc - 7 [mA]

A =
(*5 + O

600
* re -
A

r - 26 [ _ _,
" -

1
 R5 = (200 - 3.71) [Q] = 196.29 []

RR = 200 [D]

se asume V = 2.5 [V]

R - ^ = MJE. = 357_14
T /F 7 [mA]

RE = (R - R ) = (357.14 - 200) [D] = 157.14 [Q]

= 1 5 0 [Q]

l/H = 350 [Q] * 7 [m^] = 2.45 [V]

l/s = l/E + 0.6 = (2.45 + 0.6) [V]

VB = 3.05 [V]

= 0.1
PDC 70

/ se asume ln = 1

B 3.05 [K]

R7 = 3 . 3 [ACQ]

1
 1R = 1'1

Vcc ~ VB _ (12 - 3.05)

R =
/R"a 1.1 [mA]

R R = 8.2 [ACQ]

RB = 2.35 [Ki]

Z.n = (PAC + 1) (R5 + re)

Z.n = 9 * 200 [Q] = 1.8 [KQ]

, = Z/n u RB = 1'8 [KQ] II 2 ' 3 5 [KQ]

T

Z,n = 1.02 [KQ]

C 6 C^

CE = 165.78 pF C P = 180 pF

Se asume LK = 0 . 2

- 14.36 pF

C14 es un condensador variable de 3pF a 40pF.

El diagrama circuial del amplificador clase A y del fijador se muestr

en la Fig.No.4.1.29.

10
 Fig.No.4.1.29
Amplificador clase A y circuito fijador a implementarse

a.3.1. Diseno del circuito que adapta la seal sinusoidal de 1

a la salida del VCO,al contador MCHC4040:

De los datos proporcionados por el fabricante, el MCHC4040 tiene

capacidad de aceptar como seal de reloj una onda sinusoidal
lugar de una seal cuadrada pura. La restriccin, es cumplir con
mnimo voltaje de entrada para que sea reconocido como nivel a
esto es 2V y el mximo nivel de entrada para que sea reconoc
como nivel bajo esto es 1.0V [18]. La respuesta tiende a ser m
cuadrada mientras mayor es el factor de divisin.

El circuito anterior proporciona una seal pico de salida de 2

utilizando un circuito fijador, colocamos la seal 2Vp entre O y 4

T = R * C

T : tiempo de carga del condensador

T T

T : perodo de la seal a ser fijada

1
T = 100 7 = 100 * = 1000 ns
93.9 * 106

R.'"MCHC404Q = 10KQ
 - T _ 1000 [ns]
o 15
R 10 [KD]

C,, 2: 100 [pF]

El circuito total del mtodo directo de modulacin en frecuencia que incluye las tr
etapas diseadas se muestra en la Fig.No. 4.1.30.

1
4.2.- MODULADOR FM UTILIZANDO EL MTODO INDIRECTO

El mtodo indirecto de modulacin en frecuencia se realiza aplicando

principio del mtodo de Armstrong descrito en el numeral 3.4, el desarrollo pa
de una seal FM de banda estrecha obtenida de una seal modulada en amplit
con portadora suprimida (M AP.S.) que luego es multiplicada sucesivamente ha
llegar a una sea! FM de banda ancha.

Para evitar el uso de mezcladores, el diseo de este mtodo establece u

portadora sinusoidal estable de 62.5 KHz, que es procesada hasta obtener u
seal FM de banda estrecha. La seal FM de banda estrecha de 62.5KHz,
multiplicada inicialmente 500 veces utilizando un Lazo Asegurador de Fase has
llegara la frecuencia de 31.25MHz y finalmente se multiplica por tres hasta obten
la seal FM de frecuencia portadora igual a 93.75 MHz.

Implementado el circuito descrito, se observa la limitacin del detector de fa

MC4044 para enganchar la seal del lazo de realimentacin con la seal
referencia a 62.5KHz, lo que obliga a dividir las seales a la entrada del detec
por un factor de ocho hasta 7.8125KHz, manteniendo el resto del circuito segn
diseo inicial. Aunque e! proceso que genera la seal de banda estrecha pue
ser diseado incluyendo desde el inicio esta ltima divisin ahorrando un circu
integrado, no se hizo esto por el costo que implica repetir el proceso y e! tiem
adicional necesario para calibrar los filtros utilizados.

La estabilidad de! proceso se garantiza porque como portadora inicial se utiliza

oscilador a cristal y e! PLL para la multiplicacin.

Se establecen tres bloques de diseo que cumplen con las siguientes condicion
y que se muestran en la Fig.No.4.2.1:

1.- SEAL FM DE BANDA ESTRECHA:

Este bloque genera una seal FM de banda estrecha a partir de una se

modulada en amplitud con portadora suprimida con un ndice
modulacin FM sumamente pequeo..

Para cumplir con el ndice de modulacin pequeo (P - 0.2), se asume

frecuencia de la seal modulante fm= 250 Hz. De esta forma se obtiene
Af= 50 Hz.

1
2.- SEAL FM A 31.25 MHz:

Este bloque se encarga de multiplicar [a seal FM de banda estrec

(fp^7.8125KHz) hasta obtener una seal FM con = 31.25 MHz y Af =
KHz.

3.- SEAL FM A 93.75 MHz:

Este bloque se encarga de multiplicar la seal FM def p - 31.25 MHz y A

25 KHz hasta obtener una seal FM de fp= 93.75 MHz con Af=75KHz (va
de la desviacin de frecuencia normalizada).

Multiplicador x 3
fp = 93.75 MHz

SEAL FM

Fig.No.4.2.1
Diagrama de bloques del mtodo indirecto de modulacin en frecuencia
4,2.1. - SEAL FM DE BANDA ESTRECHA.-

El diagrama de bloques simplificado de a Fig.No.4.2.2, muestra lo

pasos que debe seguir la seal portadora para ser modulada en frecuenc
con banda estrecha.

Sea! FM
de banda estrecha

Fig.No.4.2.2
Seal FM de banda estrecha

a. Diseo del circuito generador de la seal portadora a 62.5 KH

y del circuito desafadoren 90:

Para generar la seal portadora sinusoidal de 62.5 KHz, se utiliza u

oscilador a cristal de SOOKHz y un contador binario (C.I.74LS93) que divid
la seal para ocho hasta obtener la frecuencia deseada (salida QB en el p
#9 del (C.I.74LS93) como se muestra en la Fig.No.4.2.3.

La salida del circuito integrado 74LS93 genera una onda cuadrada qu

ingresa a un registro de desplazamiento (C.I.74LS194) que acta como
desafador de 90 de la Fig.No.4.2.2, las dos ondas de igual frecuenci
defasadas entre si 90 se obtienen de la seal de entrada ser/al en el p

11
#2 del chip y de la salida serial desplazada en el pin #15 del chip,
74LS194 requiere de una seal de reloj de frecuencia igual al doble de
seal de entrada (125KHz) que se obtiene de la salida Q c del 74LS93. L
seales cuadradas son filtradas hasta obtener las seales de frecuen
fundamental. E grfico de! circuito que que defasa la seal portador y fi
las seales se muestra en la Fig.No.4.2.4.

l4l3(2 ais a
<, Rl -t- 1 SC > CIT J. 23
<' 470 Ui ,
A P l Q CS E3B LJ2
12AE 3 J- H C
123 4 se 7 OOQO :
S00KH3 ABCD

-1-
ifll i 23S1
'U1 " "
a.an >R2 OUTPUT 4")
M
ci -" "^
C
C2

i"

Fig.No.4,2,3
Seal portadora a 62.5 KHz

a,1. Diseo del filtro a 62.5 KHz:

Para f - 62.5 KHz ; f =

2T

asumiendo C = 0.1

L = 64.8

La bobina de 64.8 pH se reemplaza por una bobina variable de

M H a 150 MH.

Experimentalmente, se determina la amplitud de la seal a la sa

de los filtros igual a 1Vpl este valor es muy alto para ingresar
modulador AM con portadora suprimida, por lo tanto, se reduce
seal portadora a 250 mVp (valor que garantizar una adecua
supresin de portadora [13] y un bajo nivel de ruido) utilizando
potencimetro de 500 Q.
 La salida del filtro de la seal portadora que debe sumarse a la o
modulada en amplitud con portadora suprimida tambin incluye
potencimetro, que permite tener control de la amplitud de la se

Fg.No.4.2.4
Seal portadora filtrada y Seal portadora defasada y filtrada

b. Diseo del circuito generador de la seal modulante procesa

Para obtener la seal modulante de 250 Hz, se utiliza el generador de o

ICL8038, especificado en e! mtodo anterior (numeral 4,1.1(0)), con los valores
corriente y voltaje de polarizacin similares, donde:

R = R R = R , = 100 [KQ]

C, = 50

El circuito con los valores correspondientes se muestra en la Fig.No.4.2.5.

 RS
10K

RS CJL0
100K 0. iuF

Fg.No,4.2.5
Generacin de ia seal modulante a 250 Hz

El mtodo requiere que la seal que acta como modulante sea en realid
la integral de la seal a ser recuperada en un demodulador.

El diseo del circuito integrador a esta frecuencia se desarrolla

continuacin.

b.1. Diseo del circuito integrador para la seal modulan

(fm):

Para implementar el circuito inegrador a la frecuencia fm,

utiliza el amplficador operacional LF353 en base a la aplicaci
propuesta en el Manual Linear Aplications pg.20-4, como
muestra a continuacin con:

2n *
f = 250 [Hz ]

se asume C,1 = 22 [ r\F] R.. = 28.93 [KQ]

= 27 [KQ]

El diagrama circuital del integrador con los valores calculados,

1
 muestra en la Fig.No.4.2.6.

Fg.No.4.2.6
Circuito ntegrador de la seal modulante

El circuito posee compensacin para la corriente de polarizacin

amplificador, a travs de R12se suministra una corriente adicion
la entrada del amplificador para contrarrestar los efectos
corrientes de fugas de polarizacin que pueden ser integradas
valor de esta corriente se ajusta por medio de! potencimetro R13
diodo es usado como un regulador haciendo la compensac
insensible a variaciones en el voltaje de alimentacin y variacio
por la temperatura en la corriente de polarizacin .

El potencimetro R15 a la salida del ntegrador, controla la ampl

de la seal que entra como modulante del siguiente circuito.

c. Diseo del modulador de amplitud con portadora suprim

(M.A.P.S.):

Para desarrollar este circuito, se utiliza la aplicacin tpica

Modulador Balanceado LM1496 [14], con variaciones en los valores
algunos elementos como por ejemplo las resistencias R19] R20, R25l R26 n
determinan la ganancia de la seal de salida (el aumento en el valor de
resistencias significa el aumento en la amplitud de la seal de salida)
valor del potencimetro R17 que controla la adecuada supresin de la se
portadora (un aumento en el valor del potencimetro mejora la supresin
la portadora), determinadas experimentalmente.
El diagrama circuial del modulador mplementado se muestra en
Fig.No.4.2.7.

Fg.No.4.2.7
Modulador con portadora suprimida a 62.5 KHz

d. Diseo del circuito sumador de la seal modulada en amplit

con portadora suprimida con la seal portadora:

Para implementar este circuito, se utiliza e! amplificador operacio

LM359, con ganancia unitaria:

,/ AMPS ^ PORTADORA
V out

"30 R 31

D II D II O
~ K 30 II K31 II H32

^30 = ^31 ^ ^32 = 1-8 [KCl]

r\"33
(1.8 || 1.8 || 1.8 ||) [KO] = 600 []

R33 = 560 [O]

1
 La sea! que se obtiene como resultado -de esta suma ingresa a
comparador que cuadra la seal para ser compatible con la entrada TTL
luego se somete a la divisin para ocho en el C.1.74LS197 que disminu
la frecuencia de la seal a 7.8125KHz . El circuito que realiza esta operaci
se muestra en la Fig.No.4.2.8.

Fg.No.4.2.8
Sumador de la seal FM de banda estrecha

4.2.2.- SEAL FM A 31.25 MHz.-

Para obtener la seal FM a 31.25 MHz a partir de la seal FM

banda estrecha a 7.8125KHz se utiliza un PLL que hace las veces de
multiplicador de frecuencia, donde ei VCO se sintoniza a la frecuenc
deseada (31.25 MHz) y los contadores del lazo de realimentacin divid
esta seal hasta obtener la frecuencia de referencia.

Fig.No.4.2.9
Diagrama de bloques del modulador FM hasta 31.25MHz

1
El diagrama de bloques de esta etapa se muestra en la Fig.No.4.2.9.

a. Diseo del oscilador controlado por voltaje:

Como en el caso del diseo del VCO para el mtodo anterior,

utiliza el circuito propuesto por el fabricante en base al integrado MC16
y los varactores ECG612 pero con e! valor de las bobinas y
condensadores adecuados a la frecuencia de 31.25MHz.

se asume L7 = 0.8

c
^ , ,
(2TT * f) 2 * L

CTOTAL = --- = 32.42 pF

(2H * 31.25 x 10 6 ) 2 * 0.8 X 10 ,

CTOTAL C s + CD

Cx = 6 pF

Para establecer el valor de la capacidad del varactor (utilizando las curv

del voltaje reverso en funcin de capacidad), se asume el voltaje
proporcionado por el detector de fase igual a 2.5 V que permite un punto
operacin medio.

C VARACTOR = 1 7 ' 5 P a VR = 2.5 [V]

= 8.75 [pF]

CD = (32.42 - 6) [pF] = 26.42 [pF]

C7 = (26.47 - 8.75) [pF]

C7 = 1 7 . 4 2 [pF]
Mientras que los valores del circuito tanque de salida son:

se asume CK = 8 [pF]

1
(217 * /)2 * C5

1
2n * 31.25 x 10T * 8 x 10\-12

< = 3.2 [pf]

En la prctica, la seal de salida que se obtiene es una onda que tiende

ser cuadrada de amplitud igual a 5 Vpp sobre una carga de 1KQ, pero q
es reconocida por el divisor CMOS MCHC4040. La seal se fija pa
ingresar a los divisores del lazo de realimentacin.

a.1. Diseo del circuito sujetador o fijador a 31.25 Mhz:

1 1
7 = = 32 [ns]
f 31.25 x 106

T T T = 3200 [ns] ; T = R C

si R = 10 [KQ] => Cn = 320 [pF]

C, = 330 [pF]

kccsi
^KHM^
os oa

TJ =p U ^ _.

s|_ T_|( LL NT^f

Fig.No.4.2,10
Circuito Oscilador controlado por voltaje a 31.25 MHz

1
El circuito fijador junto con el VCO se muestran en la Fig.No.4.2.10.

b. Diseo de! detector de fase del PLL en base al circuito integrad

MC4044:

Como ya se ha mencionado, el detector MC4044 opera comparand

una seal de frecuencia fija con una de frecuencia variable, para esta etap
la seal de frecuencia fija corresponde a [a seal FM de banda estrech
cuya portadora se origina de un cristal, mientras que la seal de frecuenc
variable se obtiene de la divisin de la seal de salida del VCO.

b.1. Diseo de! Filtro pasabajos de! PLL:

foof = 31.25 [MHz]

fref = 62.5 [KHz]

se asume un sobrempulso < 20 %

N=^= 31-25 WW = 500

fnf 62.5 [KHz]

tiempo de aseguramiento = 1.6 [ms]

E, = 0.8

La frecuencia de referencia igual a 7.8125KHz equivale tan solo

0.0025% de la frecuencia portadora. Por lo tanto, asumiendo u
coeficiente de amortiguamiento igual a 0.8 se puede establecer pa
una frecuencia normalizada alrededor de este porcenta
Fig.No.4.1.19 el valor de wnt = 5, (para un mayor detalle del dise
refefirse al numeral 4.1.2(c.3)).

- = 5 x 103 \rzdlseg]
0.001

1
 K =

0.1 * 37.69 X 10
= 37.69 [nF]
A/ 4000 * (5 x 10T * 1000

= 39 [nF]

p - 2 * 0.8
= 8205.13 [O]
* C 5 x 103 * 39 x 10 "9

/?, = 8.2 [KQ]

E! circuito detector de fase que incluye un divisor de tensin

maneja la amplitud del voltaje de control antes del amplifica
externo al chip se muestra en la Fig.No.4.2.11.

j.ZNPUT_~ir>

Fig.No.4.2.11
Circuito detector de fase

c. Diseo de los divisores del lazo de realimentacin del PLL:

Para construir este bloque (divisor para 4000), se utiliza el conta

CMOS de alta velocidad MCHC4040, mas el circuito integrado 74LS11 q
es un arreglo de compuestas AND de tres entradas que permite resetea
 contador cuando alcanza el valor mximo de la cuenta, esto es posib
porque los circuitos TTL LS trabajan a una frecuencia tpica de 40MHz.

Aunque la divisin no es exactamente simtrica e! detector de fase traba

normalmente porque solo se activan con las transiciones negativas de
seal.

El circuito implementado aparece en la Fig.No.4.2.12.

Fg.No.4.2.12
Circuito divisor del lazo de realmentacin del PUL

4.2.3.- SENALFM A93.75MHz:

El bloque que permite obtener la seal a 93.75MHz se implemen

en base a un multiplicador por tres mediante un amplificador clase
sintonizado a 93.75 Mhz (tercera armnica) con una entrada de 31.25M
ms los amplificador necesarios para obtener una seal de 50 mW
potencia sobre una carga de 50 y los circuitos que acoplen la seal
salida del VCO a la entrada del multiplicador. El diagrama de bloques
esta etapa se muestra en la Fig.No.4.2.13.

1
 Fig. No. 4.2.13
Diagrama de bloques del modulador FM a 93.75 MHz

a. Diseo del amplificador de potencia clase C a 93.75MHz;

Fg.No.4.2.14
Amplificador de salida clase C

Para implementar el amplificador clase C, se utiliza el circuito de

Fg,No.4.2.14 con el transistor 2N3866, bajo las siguientes condiciones

Pout = 50 [mW]

f = 93.75 [MHz]

RL = 50 [Q]
 Poc = 100

P,
MC.2,V3S6fi

Gp = 10 dB

Asumiendo Vcc = 12 [V]

v = 12 [VI
L J

f -}- 1 + -^X
Pr A

Asumiendo A = 2

12 = v0 * (1 + ) + 1 => v = 7.33 [U]

/T o ?r

^o P
( _ ?L\ P out

d ' " "

= 80.4

= 6 [V]

! =2 l = /. = 26.8

1
 R =
CE..
=
12
l~

lc 26.8

3, = 447.74 [Q]

A =

r. = ' 4 [Q] = 223.87 [O]

_3
f * ac 447.74 [Q]

i '
Op c -) >
/e - - b.zl
n

a 4.99 [Q]
/E 5.21

R H = (223.87 - 5) [ Q] = 2 1 8.87 [ Q]

K P = R, = 220 [Q]

zm = (Pac + 1) (R E + re) = 9 * 225 [Q] = 2025 [Q]

1
 RB
O 2n
In -r

RD = R, = 22[KQ.]

Zin = Z,nr U RB = 2.05 [KD] II 22 [KQ] = 1 ' 85

[/CU]

G p = 10 log -HU - P,BT = 5 [mW]

/n

Para e/ circuito resonante: L = 0.1

(2TT * 93.75 x 10 6 ) 2 * 0.1 x 10" 6

C,, = 28.8 [pF]

a,1. Diseo de la red de acoplamiento de salida de 448 O A 50Q:

Este circuito se disea usando las redes de acoplamiento tabulada

en el Manual Motorola Radio Frequency. Los datos necesarios pa
el diseo son R out y Coudel amplificador, RL, la frecuencia de traba
y el factor de calidad deseado.

El tipo de red utilizada es la red B, como se muestra en la figura d

la pg.20-39 del manual mencionado y el valor de su
componentes son los siguientes:

Para Q = 10 , f = 93.75 [MHz]

R-il = RnQUl
,,t = 50 [LQlJ Yy c^
QUI = 8 [pF]
u- J

se tiene: Xr = 50 , Xr = 16.57 , X, = 64.44

U2 ^3 ^

C2 = -1 . C, = 33.95 [pF]

1
 1 C, = 102.45[pF]
2TT * 93.75 x 106 * 16.57

64.44
= 0.1
2T7 * 93.75 x 10e

C2 debe incluir el valor de la capacidad de entrada y se reempla

por un condensador variable de 3 pF a 40 pF.

C3 se reemplaza por un condensador fijo de 68 pF en paralelo con

condensador variable de 3 pF a 40 pF.

Como a red de acoplamiento es resonante a la frecuencia de traba

del amplificador, se reemplaza el circuito tanque calculado para
amplificador de potencia por un choque de radio frecuencia:

"CHRF X, 'CHRF
= 6444

6444
CHRF = 10-9
2T7 * 93.75 x 10

Un grfico del amplificador de potencia de salida y la r

transformadora de impedancias aparece en la Fig.No.4.2.15.

Fig.No.4.2.15
Amplificador ciase C y red transformadora de mpedancias

1
b. Diseo de la etapa de preamplificacin a 93.75 MHz:

Para el diseo de esta etapa, se utiliza un amplificador clase A c

el transistor 2N918, con los siguientes parmetros de operacin:

RL = Zout ; R L = 1.85 [K O]

Vop = 4 [V]

4 \V]
/ = L J = 2.2 [mA]
p 1.8 [KQ]

El mayor valor de P ac se obtiene para una corriente de colector igu

a 7 [mA], por lo tanto:

se asume c = 7 [mA] para (3ac = 8

R.eq
A =
(RE + re)

RL I 1//7 oe ) ;

se asume A = 8

re = - = ' - 225 [O] R E = 270 [Q] ;

>A 8

VE = 270 [O] * 7 [m] = 1.89 [U]

f a 26 ^ = 3_7

Para aumentar el valor de VE se puede incrementar el valor de F^ y pa

compensar el valor de la ganancia por este aumento, se coloca
condensador de emisor a tierra.

R, = 330[Q]

C7 = 750 [pF]

1
 Se asume una ganancia alta porque la seal que ingresa a e
etapa es la salida del triplicador de frecuencia y mientras la se
armnica sea de mayor orden su amplitud es mucho menor.

V = 330 [Q] * 7 [mA ] = 2.31 [V ]

Vfo = VtP + 0.6 = 2.91 [ V ] L J

^_^ = Q/|

Poc 70

R 4 = _ = 2'91 ^ = 2.9 [KD]

'4 1

R. = 2 . 7 [KQ]

= 1.1

= _cc
~ B r a
=
_ . = 826
/ 1.1 [mA]

R c = 8.2 [/en]

El circuito tanque en el colector tiene los siguientes valores:

L. = 0.2

Ca = 14.41 [pF]

($AC + 1) (R3 + re) = 9 * 333.7 [Q] = 3

= R5 \4 = (2.7 || 8.2) [KQ] = 2.03 [KQ]

Z. = (3 || 2) [KD] = 1.2 [KD]

 \ = 0.5 [U]

El amplificador clase A utilizado en esta etapa con ios valor

correspondientes se muestra en la Fig.No.4.2.16.

Fig.No.4.2.16
Preamplificador clase A

c. Diseo de! triplicador de frecuencia (de 31.25 MHz a 93.75 MH

Para disear el multiplicador por tres, se utiliza un amplificador cla

C con el circuito de salida sintonizado a la tercera armnica de
seal de entrada; esto es posible porque la corriente de salida es
formada por pulsos que contienen un alto porcentaje de armnico
Para producir la frecuencia deseada con el mejor nivel de potenc
el ancho de los pulsos de la corriente de salida, debe ser [4] :

Armnico Ancho ptimo a Potencia de Salida b Impedancia

3 da. 80-120 0.50-0.65 1.5-2.0

Ancho ptimo del pulso de corriente con respecto a

frecuencia fundamental.
Salida de potencia aproximada, asumiendo que la sali
normal de un amplificador clase C es 1.
Impedancia relativa de carga, asumiendo que en el caso d
amplificador clase C es aproximadamente 1.

1
 Los valores del tanque en el colector de este circuito son:

L* = 0-17

13 (2TT * 93.75 x 10 6 ) 2 * 0.17 X 10"e

C,, = 16.9 [pF]

C13 se reemplaza con un condensador variable de 3 a 40 pF.Pa

conseguir el ancho de pulso deseado es necesario controlar
amplitud de la seal de salida de la etapa anterior.EI valor de
elementos del circuito multiplicador se determinan a continuacin

A = L , RE + r + ' = 600[Q]

[mA
p RLL 1.2 [K O]

= 5 [mA ]

/o = 5 * 10-
n n

^.59[mA]

RE = (600 - 16.35) [Q] = 583,65[O] , RE = RK = 560 [Q]

* 1) (RE + re) =30 *QQQ[C1] = -\.8[Ktl]

1
 v=2tv]

El circuito multiplicador de frecuencia implementado se muestra

laFg.No.4.2.17.

Fig.No.4.2.17
Multiplicador de frecuencia de 31.25MHza 93.75MHz

d. Diseo de la etapa amplificadora que acopla la seal de sal

del VCO a la entrada del multiplicador por tres:

La seal de salida del VCO ingresa a un amplificador clase A

31.25MHz, que permite controlar la amplitud de la seal de sa
que va al multiplicador. Para este amplificador, se utiliza el transis
2N918 .

RL=1.3[KQ] , vop=2[V]

/ = 1 [mA ] , se asume lc = 4 [mA ]

 se asume A =2

= 900 [Q]
A 2

r = 26 , = 6.5 [Q]
/c 4 [mA]

Rs = (900 - 6.5) [Q] , RK = 9 1 0 [Q]

VE = 9 1 0 [Q] * 4 [mA] = 3.64 [U]

^ = V + - 6 = 4 - 24 [^

= o.05 [
Poc 70

9 = i -
" 4 ' 24 [^
= 4 ' 24

El circuito tanque en el colector tiene los valores:

136
 C17 se reemplaza por un condensador variable de 3 a 40 pF.

El diagrama circuital del amplificador clase C mplementado

muestra en la Fig.No.4.2.18.

R10, GIS
V.SK, luH

1 nF
QUTPUT 13
j INPUT 12 C14
2N318

R3
3.SK

Fig.No.4.2.18
Amplificador ciase A a 31.25 MHz

El diagrama circuitai tota] del mtodo indirecto de modulacin en frecuencia con

bloques sealados se muestra en la Fig.No.4.2.19.
C
4.3.- CONSTRUCCIN DE LOS MODULADORES DIDCTICOS

a. Los moduladores didcticos tanto para el mtodo directo como pa

el mtodo indirecto se construyen en dos equipos independientes
base a los diagramas circuitales especificados en los numerales
la seccin 4.1 y 4.2 y presentados en forma completa en las figur
No.4.1.30 y No.4.2.19. La tcnica empleada en la construccin
basa en circuitos impresos en lminas de cobre sobre fibra de vid
mediante fotograbado. Las copias de cada uno de los circui
impresos aparecen en e! Anexo B.

Para facilitar la implementacin y el funcionamiento del equipo,

especial de la parte de alta frecuencia, se construye para cada u
de los mtodos tres, placas de acuerdo a las etapas diseadas, a
para el mtodo directo se tiene una placa para la etapa de audio, o
para la etapa de la seal portadora y otra para la etapa de poten
De igual forma para e! mtodo indirecto, una placa para la etapa
la seal FM de banda estrecha, otra para la etapa de la seal FM
31.25MHz y otra para la seal FM a 93.75MHz. En los dos cas
entre cada una de las placas se colocan lminas metlicas q
actan como blindajes. Una fotografa de las tarjetas construid
para el modulador con el mtodo directo y para el mtodo indire
se muestran en la Fig.No.4.3.1. y Fig.No.4.3.2 respectivamente.

Fig.No.4.3.1
Tarjetas construidas para el modulador en frecuencia
utilizando el mtodo directo
 Fig.No.4.3.2
Tarjetas construidas para el modulador en frecuencia
utilizando el mtodo indirecto

El prototipo didctico para la modulacin con el mtodo direc

dispone de una fuente Switching TECTROL TC245-0795 de 41
cuyas especificaciones son las siguientes:
. Salida + 5V a 4.8 A
. Salida -5Va0.12A
.Salida +!2Val.1 A
. Salida -12Va0.34A

El prototipo didctico para la modulacin con el mtodo indirec

dispone de una fuente Switching CSA, cuyas especificaciones s
las siguientes:
. Salida+ 5V a 2.0 A
. Salida -M2V a 1.5 A
. Salida-12V a 0.3 A
e. Cada uno de los mdulos posee conectores de salida que permit
monitorear las seales procesadas, y en el caso del modulad
directo conectores de entrada por donde ingresan parte de l
seales modulantes que estn a disposicin del usuario. En form
detallada se tiene:

MTODO DIRECTO: consta de:

1. cinco puntos de salida que describen a:

PS1: Seal modulante seleccionada a 1Vp.

PS2: Seal FM dividida variable a ser asegurada.
PS3: Sea! FM de frecuencia fija que ingresa al comparad
de fase MC4044.
PS4: Seal de salida final donde se debe colocar una car
externa de 50Q o un Vatmetro mediante un conec
BNC.
PS5: Seal final de salida FM que puede ingresar
analizador de espectros.

2. Dos conectores disponibles al usuario que permiten ingres

dos tipos de seales modulantes externas:

PE1: Un conecor BNC para la seal proveniente de

oscilador sinusoidal externo con una mxima amplit
de 1Vp y una frecuencia inferior a 15KHz.
PE2: Seal de voz proveniente de un micrfono.

3. Pulsadores externos con retencin (SW1) que realizan

seleccin de la seal modulante elegida.

4. Un potencimetro externo (A) que permite variar la amplit

de la seal modulante del OV hasta 1Vp que es la mxim
amplitud disponible.

5. Un selector rotativo numrico de tres dgitos (SELECCIN

que proporciona una seal BCD de acuerdo al nmero elegi
y selecciona la frecuencia portadora que va a ser modulad

1
6. Un led y una seal audible (ALARMA): que indican cualqui
exceso a 1V para la seal externa modulante proveniente d
osciiador.

La Fig.No.4.3.3 muestra el modulador en frecuencia con el mtod

directo constuldo, con los puntos disponibles al usuario

Fig.No.4.3.3
Vista total del modulador en frecuencia
utilizando ei mtodo directo

MTODO INDIRECTO:

1. Consta de ocho puntos de salida que describen a:

PS1: GND
PS2: Seal modulante a 250Hz
PS3: Seal integral de la seal modulante
PS4: Seal modulada en amplitud con portadora suprimid
PS5: Seal modulada en frecuencia de banda estrecha q
ingresa como referencia al detector de fase.

1
 PS6: Seal portadora a 62.5KHz.
PS7: Seal portadora a 62.5KHz defasada 90.
PS8: Seal FM proveniente del lazo de realimentaci
debe ser enganchada para realizar la multiplica
PS9: Seal modulada en frecuencia a 31.25MHz.
PS10:Seal modulada en frecuencia a 93.75MHz sob
carga interna de 50Q.

La Fig.No.4.3.4 muestra el modulador en frecuencia con el m

indirecto construido, con los puntos disponibles al usuario.

Fg.No.4.3.4
Vista total del modulador en frecuencia
utilizando el mtodo indirecto

f.
Los moduladores didcticos estn montados en un gabinete met
y poseen un control de encendido del equipo, cable de alimentac
a AC (110V) y un fusible de proteccin de 1.5 A en el caso
modulador con mtodo directo y de 1 A en el caso del modulador c
mtodo indirecto.
Un diagrama esquemtico colocado sobre la tapa de cada uno de l
moduladores permite al usuario visualizar los bloques que form
parte de cada modulador, los puntos por donde se muestrea la se
monitoreada y los puntos por donde se puede ingresar la seal c
el mtodo que lo permite. Adjunto al diagrama esquemtico apare
una lista de pasos que se deben seguir para utilizar el equipo y l
precauciones en su manejo.

1
 MANUAL DE OPERACIONES Y MANTENIMIENT
DEL EQUIPO, PRACTICAS SUGERIDAS PARA E
LABORATORIO, CONCLUSIONES Y
RECOMENDACIONES

5.1 Manual de operaciones y mantenimiento del equipo

5.2 Prcticas sugeridas para el laboratorio

5.3 Conclusiones

5.4 Recomendaciones
 CAPITULO V

MANUAL DE OPERACIONES Y MANTENIMIENTO DEL

EQUIPO

5.1.- MANUAL DE OPERACIONES Y MANTENIMIENTO DEL EQUIPO

Para utilizar el mdulo didctico con modulacin directa es necesario tom

en cuenta los siguientes pasos:

1.- Antes de encender el equipo conecte en la salida BNC PS5 u

carga externa de 50Q o un Watimetro con la misma especificac
mediante un cable coaxial de 50Q. Puesto que el amplificador
salida en este mtodo entrega una potencia mxima de 1W so
una carga de 50Q es indispensable verificar este paso para no da
al equipo. En caso de elegir un Watimetro como carga, uti
nicamente aquellos que permitan mediciones de mnimo 3W co
precaucin.

2.- Encienda el equipo y seleccione mediante los switches de retenc

SW1 la seal modulante que desee. El modulador est disea
para trabajar por defecto con la modulante proporcionada po
oscilador externo. Si esta seal no fuese conectada se transm
nicamente la seal portadora.

3.- Seleccione mediante el selector rotativo SELECCIN la frecuen

portadora deseada. En este punto es importante considerar que
bien el selector permite maniobrar frecuencia entre los SO.OM
hasta los 99.9MHz, el circuito est diseado para trabajar entre
87.9MHz hasta los 99.9MHz. Por limitaciones del equipo, no
conveniente dejar el selector en un valor inferior a los 87.9M
porque la seal FM dividida que ingresa al detector de fase pue
estar fuera del rango de captura del detector (referirse a lo expue

4.- Mediante el potencimetro externo A el usuario puede varia

amplitud de la seal modulante desde OV hasta el mximo valor q
es 1VP.

5.- S e! led se enciende y la seal audible ALARMA se hace presen

el usuario debe verificar si se cumple la restriccin especificada
el numeral 4.1.1/e, esto es no superar la amplitud mxima permit
de 1Vp.

6.- Solamente despus de haber desconectado el equipo retire la ca

 de 50Q.

La utilizacin del mdulo didctico con modulacin indirecta

requiere de pasos previos que se deban respetar puesto que nicame
est diseado para presentar al usuario terminales que le permiten rastr
la seal. No proporciona sino potencias inferiores a los 50 mW por lo que
carga de 50Q en el amplificador de salida es interna. Las seales PS1, P
PS3, PS4, PS5, PS6, PS7 y PS8 pueden ser observadas en
osciloscopio de baja frecuencia, mientras que las seales de alta frecuen
PS9 (Seal modulada en frecuencia a 31.25MHz) y PS10 (Seal modula
en frecuencia a 93.75MHz) solo pueden ser visualizadas en un oscilosco
con un ancho de banda mayor o igual a los 200MHz y con puntas de prue
compensadas para evitar que la capacidad del osciloscopio sumada con
capaciadad del cable de la punta de prueba alteren el valor de la capacid
del circuito y se tomen valores de la seal en funcin de la frecuencia
especial cuando se trata de un circuito resonante.

Los moduladores requieren que se respete los pasos de operaci

y no se conecte ninguna seal de entrada en los puntos especififados co
salidas para garantizar su funcionamiento.

5.2.- PRACTICAS SUGERIDAS PARA EL LABORATORIO

5,2.1. Utilizando el modulador FM con modulacin directa:

CALCULO DEL NDICE DE MODULACIN:

a. Conecte el equipo segn los pasos descritos en el manual

operacin (Numeral 5.1.).
b. Seleccione el valor de la frecuencia portadora ms estable con la q
se va a trabajar (Para determinar la estabilidad de la seal portad
utilize el analizador de espectros en la menor escala de ancho
banda que permita visualizar en forma completa la seal esto
girando la parte superior de la perilla ANCHO DE BANDA hacia
derecha), es conveniente escoger la frecuencia en un espacio li
del espectro (evitando las emisiones FM comerciales).
c. Presionando el Switch correspondiente mida con el osciloscopio
valor de la amplitud del tono sinusoidal de 400Hz.
d. Como en este punto se tiene ya la seal FM, mediante el uso
analizador determine la desviacin de frecuencia de la se
considerando como desviacin de frecuencia el interv
comprendido entre la doble cinta que muestra la imagen.
e. Mediante la expresin;
 donde Af es la desviacin de frecuencia y fm es la frecuencia de
sea! modulante, determine el valor del ndice de modulacin.
f. Repita el proceso cambiando el valor de la amplitud de la se
modulante.
g. Observe como cambia la desviacin de frecuencia ai variar
amplitud de la modulante, compare los resultados obtenidos.
h. Manteniendo constante la amplitud de la seal portadora, repita
proceso anterior seleccionando en este caso el tono de 1 KHz.
i. Compare los resultados obtenidos.
j. Determine e! valor del ndice de modulacin considerando los cas
donde se vara la amplitud de la seal modulante mantenien
constante su frecuencia y para el caso en el que se mantie
constante la amplitud y se vara la frecuencia modulan
seleccionando una determinada frecuencia.
k. Compare los resultados con los obtenidos para diferentes frecuenc
portadoras.
!. Para tener mayores fuentes de comparacin, seleccione com
modulante a la seal proveniente del oscilador externo, introduz
bajo las condiciones descritas un tono sinusoidal de cualqu
frecuencia.

ANLISIS ESPECTRAL DE LA SEAL FM:

a. Conecte el equipo segn los pasos descritos en el manual

operacin (Numeral 5.1.).
b. Seleccione e! valor de la frecuencia portadora.
c. Para un mismo nivel de amplitud de la seal modulante, escoja
diferentes funciones que se dispone para la seal modulante.
d. Observe en el analizador de espectros las diferentes alternativas
compare los resultados obtenidos.

VALORES NECESARIOS PARA OBTENER UN Af = 75KHZ:

a. Conecte el equipo segn los pasos descritos en el manual

operacin (Numeral 5.1.).
b. Seleccione el valor de la frecuencia portadora.
c. Escoja como seal modulante el tono sinusoidal de 400Hz.
d. Vare la amplitud de la seal modulante hasta obtener en
analizador de espectros una desviacin de frecuencia igual a 75KH
e. Repita el procedimiento anterior para el tono de 1 KHz.
1
f. Compare los resultados obtenidos.
g. Seleccione como seal modulante la proveniente del oscila
externo con un valor de amplitud inferior al obtenido en el litera!
h. Vare la frecuencia del oscilador hasta obtener la desviacin
frecuencia igual a 75KHz.
i. Disminuya el valor de la amplitud de la seal proveniente
oscilador externo, repita el literal anterior.
j. Compare los resultados obtenidos.

5,2.2. Utilizando el modulador FM con modulacin indirecta:

SEGUIMIENTO DE LA SEAL:

a. Rastree la seal con el osciloscopio en cada uno de los puntos

prueba, determine utilizando el analizador de espectros la desvia
de frecuencia de la seal FM.
5.3.- CONCLUSIONES

La modulacin analgica en frecuencia es un proceso que perm

llevar informacin en una seal denominada portadora mediante
variacin de su frecuencia en funcin del tiempo. La expresin q
define a esta seal contiene un nmero infinito de componentes y
ancho de banda tambin es infinito, sin embargo en la prctica,
amplitudes de las componentes de frecuencia superior s
despreciables y la mayor parte de la energa de la seal FM que
contenida en las componentes espectrales situadas dentro de
ancho de banda finito que se define como W=2(Af+2fm)J donde fm
la frecuencia de la seal modulante y Af es la mxima desviacin
frecuencia fijada en 75KHz como mximo valor por la Comis
Federal de Comunicaciones FCC para estaciones FM
radiodifusin comercial. Por lo tanto el ancho de banda
aproximadamente igual a 150KHz.

La modulacin en frecuencia garantiza tericamente que la se

portadora mantenga su amplitud original independiente del ndice
modulacin, por lo tanto la potencia de esta seal es constante
igual a la potencia de la portadora sin modular. Como la seal
tiene componentes de portadora y de banda lateral, una adecua
eleccin del ndice de modulacin puede hacer a la potencia de
componente portadora tan pequea como se desee permitiendo u
eficiencia de transmisin cercana al 100%.

Como el ruido presente en la transmisin puede ser considera

como una funcin de probabilidad en la mayora de los casos de t
guassiana, se puede tambin expresar la densidad espectral
potencia FM en trminos de la funcin densidad de probabilidad
la seal modulante y estudiar exhaustivamente el comportamiento
una seal FM y los efectos que el ruido ocasiona en este tipo
sistemas de modulacin. Aunque sto-no es parte del te
estudiado en el presente trabajo, es conveniente mencionar que
puede dar un tratamiento de la seal FM a este nivel.

La estabilidad de la seal portadora en un proceso de modulac

FM es necesaria para garantizar una correcta recepcin de
informacin. La Comisin Federal de Comunicaciones FCC, requi
que las estaciones FM comerciales (88 MHz a 108 MHz) manteng
una frecuencia portadora estable con una mxima variacin
alrededor de 2KHz para la frecuencia asignada a cada estaci
Esta estabilidad puede ser obtenida mediante el uso de
realimentacin FM o del control automtico de frecuencia.
cualquiera de los dos casos, una muestra de la seal de salida e
tomada ya sea para demodularla y compararla con la seal de aud
original (seal modulante) o con una salida de referencia provenien
de un oscilador a cristal que ingresan a un detector de fas
respectivamente. En ambos casos se trata de generar una seal d
correccin que permite mantener estable la portadora.

En teora, existen diversas tcnicas de modulacin en fase y e

frecuencia, una idea general de estas se presentan en los Captulo
11 y III pero, la aplicacin prctica de ellas, depende del valor de
frecuencia de la seal portadora que se elija, porque la mayora d
dispositivos especialmente los integrados encuentran un limitante e
este punto. Aunque se tienen dos mtodos de modulacin, el direc
y el indirecto, este ultimo implica una serie de tratamientos com
cuadrar, multiplicar, filtrar; en tanto que la modulacin directa evi
todos estos pasos y garantiza un ahorro en tiempo y del nmero d
elementos necesarios para implementar un circuito modulado
Adems se puede realizar un mejor control de la seal o determin
una falla si se tiene un solo bloque corno es el caso de la modulaci
directa.

El mtodo directo de modulacin en frecuencia en base a un Laz

Asegurador de Fase permite trabajar con mltiples seale
portadoras seleccionares, garantiza estabilidad y requiere men
nmero de elementos; pero en la prctica, los circuitos adicionale
que se requieren (como e! amplificador que acopla la seal d
circuito integrado utilizado, el MC1648 a los contadores d
frecuencia, o el preamplificador, o las redes de acoplamiento o
amplificadores de potencia), complican el diseo, pues es necesar
considerar la respuesta de frecuencia y el factor de calidad de cad
una de las etapas, para obtener un circuito con una respuesta lo m
regular posible.

Si bien el mtodo indirecto de modulacin que aparece en

desarrollo del capitulo IV no muestra la complejidad que realment
tiene, es necesario indicar que para construir este circuito se tuv
que realizar mltiples diseos, se pens inicialmente y se implemen
multiplicadores y mezcladores discretos que partan de una portador
a 1MHz hasta llegara los 93.75MHz, sin ningn resultado positiv
debido a que cada circuito requera de redes de acoplamiento a
entrada y salida que lo complicaban, adems la multiplicaci
demandaba un gran nmero de etapas porque un multiplicado
discreto a estas frecuencias no puede superar un orden de tres
cuatro veces por la amplitud tan pequea que se obtiene. Despu
de esto, se trat de utilizar varios PLL integrados de alta frecuenc

14
(e! NE564) que realicen la multiplicacin hasta los SOMHz sin ning
resultado positivo. El circuito que se implemento permite v
nicamente tres pasos de la modulacin y an as fueron necesario
muchos cambios y varias pruebas.

La etapa ms difcil de implementar es la etapa de potencia porqu

mientras ms alta es la potencia que se requiera a esta frecuenci
los elementos utilizados ya no son resistencias sino bobinas
condensadores, esto vuelve al circuito ms selectivo e inestab
adems de costoso. Por ejemplo, para implementar esta etapa en
mtodo directo, se consider inicialmente, el diseo de u
amplificador clase C, con una potencia de salida igual a 1W sobre
carga de 50Q, usando el transistor MFR260. Los resultado
experimentales mostraron una operacin eficiente del amplificad
tan solo para rangos muy estrechos de frecuencia de 3 a 5 MHz
para voltajes en la base del transistor superiores a 2V, fuera de es
rango, la amplitud en la base del transistor se reduce de tai form
que el amplificador clase C no opera. Valores de Q muy bajos, hace
que la ganancia del circuito se reduzca.

Cualquiera que sea el mtodo de modulacin que se elija, el dise

de circuitos que trabajen en el rango de frecuencias como el de la
transmisiones comerciales FM requiere de desarrollos matemtico
que involucran caractersticas propias de cada dispositivo o elemen
a ser utilizado; por ejemplo, en el caso de un transistor o un circui
integrado el valor de su capacidad de entrada y de salida deben s
tomadas en cuenta para evitar que la eleccin del valor del resto d
elementos provoquen resultados errneos en el comportamiento d
diseo; a pesar de tomar en cuenta estos parmetros es importan
considerar que son determinados experimentalmente por
fabricante y tabulados en grficas nicamente para una muestra
que la generalizacin de estos valores ocasionan que los resultado
obtenidos no concuerden con los esperados, lo que obliga a elegirlo
considerando tambin la experiencia, que demanda tiempo
constancia.

El dimensionamiento de los elementos en un diseno de al

frecuencia requiere considerar que los valores de capacitancias
inductancias no sean comparables con las capacidades
inductancias parsitas que an los conductores presentan, es
obliga a considerar ai momento de implementar el circuito, el tipo d
material de cada elemento, la disposicin y la forma; por ejemplo e
conveniente elegir condensadores de myller y bobinas con ncleo d
aire de igual ancho y largo dispuestas perpendicularmente cuando s
tienen varias o de preferencia blindadas y conductores planos y
ms cortos posible.

1
La respuesta de cualquier circuito en alta frecuencia depende e
gran parte de la tierra que posee y de la seal DC con que s
alimente, una buena tierra, es decir sin la presencia de seales
garantiza una salida con poco ruido y sin distorsiones, esto s
consigue colocando en cada etapa filtros de desacoplamiento en
fuente Vcc. A pesar de estas precauciones no es posible elimina
totalmente el ruido sino minimizarlo.

Es importante sealar que si bien hay tcnicas de diseo de circuito

de alta frecuencia que se pueden seguir para mejorar los resultado
el poder conseguir en el mercado los elementos necesarios que e
teora se plantean resulta muy difcil, por ejemplo consegu
condensadores variables en un gran rango de los picofaradios
nductancias variables en e! orden de las dcimas de microhenrio
solo fue posible importndolos. De igual forma, contar con el equip
necesario para pruebas y mediciones como osciloscopio, punas d
prueba, un analizador de espectros contribuye a obtener un mejo
diseo.

El prototipo didctico construido para la modulacin en frecuenci

con e! mtodo directo supera los objetivos planteados en el temari
puesto que permite seleccionar diferentes valores de frecuencia d
la seal portadora a ser modulada en pasos de 0.1 MHz. Se aspir
trabajar con seales dentro de la banda de 87.9 MHz a 99.9 MHz, n
obstante la limitacin que se tiene en nuestro medio para l
adquisicin de los dispositivos adecuados oblig a reducir el anch
de banda planteado inicialmente.

15
5.4.- RECOMENDACIONES

Como no resulta real implementar un diseo a frecuencias superiore

a los SOMHz en un protoboard y los cambios que se realizan e
cuanto a los elementos y a su disposicin no hacen muy prctica
utilizacin de circuitos impresos por el costo y el tiempo, fu
conveniente utilizar como herramienta para simular el circuito bincha
metlicas con buenos resultados.

En cuanto sea posible por el tiempo y el costo que demandan, e

fundamental utilizar circuitos integrados que reemplacen a elemento
discretos ya sean amplificadores, osciladores o multiplicadores qu
operen a frecuencias en e! orden de varios megahertz porqu
eliminan problemas de acoplamiento y la presencia de capacidade
e nductancias parsitas.

Es recomendable estudiar e incluir como parte de cada diseo en al

frecuencia el uso de redes de acoplamiento. Una red d
acoplamiento bien diseada garantiza tener los niveles de potenc
deseados a pesar de un bajo nivel de carga, incluso el uso de rede
n con bobinas y condensadores permite tener a la salida niveles d
seal mayores que la entrada porque estos elementos reactivo
almacenan energa.

Para futuras aplicaciones es conveniete elegir o disear una anten

de banda ancha que permita transmitir seales a cualquier frecuenc
portadora elegida y la red de acopiamiento necesaria.

Por las limitaciones de recursos (elementos de un diseo) y d

equipo necesario es aconsejable trabajar en proyectos de al
frecuencia que no demanden actuar u operar sobre vario
parmetros a la vez como amplitud, frecuencia, etc. de una sea
para tener un mejor control y una mayor estabilidad en el diseo.

Es sumamente importante, como se dijo en las conclusiones, qu

todo, diseo considere el tamao, la disposicin y el tipo de materi
de los elementos usados en alta frecuencia, as como tambin lo
blindajes que son indispensables. Cada uno de los blindajes debe
estar conectados entre si y a una tierra comn que no sea la tier
del circuito.

1
 BIBLIOGRAFA

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[18] NATIONAL SEMICONDUCTOR, HIGH-SPEED CMOS FAMiLY

BQQKLET.1981.

[19] MOTOROLA, THE SEMICONDUCTOR DATA LIBR

SEMICONDUCTOR, 2da. edicin, 19
ANEXO A: Hoja de datos de los principales elemen
utilizados :

ANEXO B: Circuitos impresos de las tarjetas construida

HOJA DE DATOS DE LOS PRINCIPALES ELEMENTOS
UTILIZADOS
 MC4344/
MOTOROLA
MC4044

PHASE-FREQUENCY DETECTOR
PHASE-FREQUENCY
The MC4344/4044 consists of two digital phase detectors, a
charge pump, and an amplfier. In combinaton with a voltage DETECTOR
controlled multivibrator (such as the MC4324/4024 or MC1648),
it s useful in a broad range of phase-locked loop applications.
The circut accepts TTL waveforms at the R and V inputs and
generates an error voltage that s proportional to the frequency LSUFFIX
and/or phase difference of the nput signis. Phase detector #1 CERAMIC P A C K A G E
CASg 632
s ntended for use n systems requirng zero frequency and phase
(TO-116)
difference at lele. Phase detector #2 is used if quadrature lock s F SUFFIX
desred. Phase detector #2 can also be used to indcate that the CERAMIC PACKAGE
man loop, utzng phase detector #1, is out of lock. CASE 607

nput Loadng Factor; R, V = 3

Output Loading Factor (Pin B) = 10
P SUFFIX
Total Power Dissipaton = 85 mW typ/pkg PLSTIC PACKAGE
Propagaton Delay Time ~ 9.0 ns typ CASE 6AS
{thru phase detector) MC-044 anly

LOGIC D1AGRAM
PIN ASSIGNMENT
PU UF

Ul
Phase
Frequency 14

Detector
DI 13
,
v C 12

pu 11
U2 UF 10 DF
Phase
Frequency 02 C 9 Amp (n
Detector DZ
.2
Gnd 8 Ul Output

PHASE DETECTOR CHARGE PUMP AMPLIFIER

7-24
MC4344 MC4044

INPUT INPUT | QUTPUT

STATE R |V UI|D1 | U2[ D2
o
TRUTH TABLE
1 O X X i
3 1 0 X X 0
3 1 i X X 1 Ths s not strictly a functional
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 4 1 0 X X 0 truth table; i,e,, it does not show all
5 0 0 X X 1 possible modes of aperation. It s
6 1 a X X 0
7 0 o 0 1 1 useful for de testng.
a 1 D 0 1 0
9 0 0 0 1
10 o 1 0 1
11 o 0 1
12 a 1 1
13 o 0 o
14 o 1 0
15 0 a o
16 i 0 a a
17 o o i i

.i I -

i I I!!*

si <.,_. ie-,.i

i 11 !

7-25
 MC4344 MC4044

APPLICATION

Operation of the MC4344/4044 is best explained by in- FIGURE i PHASE DETECTOR #1 FLOW TABLE
itially considering each section sepsrately. [f phase de-
tector #1 is used, loop lockup occurs when both outputs R o o ui
U1 and DI remain high. This occurs only when all the pt.a!e.
negative transitions on R, the reference input, and V, the _OeiBCtor
rraq
variable or feedback input, coincide. The circuit responds /i
only to transitions, henee phase error s independent of | \t waveform duty cycle or a

detector #1 consists of sequental logic crcuitry, there- R.V R.V fl-V R.V
fore operation prior to lockup is determinad by initial 0-Q 0-1 1-1 1-0
conditions. 11) 2 3 14) 0
When operation is nitiated, by either applying power 5 12) |3) 8 0
(5) 6 7 8 1
to the circuit or active input signis to R and V, the cir- 9 16) 7 12 1
cuitry can be in oneof several states. Gven a ny particular 5 2 17) 12. 1
starting conditions, the flow table of Figure 1 can be used 1 2 7 181 1
19) 110) 11 12 1 0
to determine subsequent operation. The flow table in- 5 6 (11) (12) 1 0
dicates the status of U1 and DI as the R and V inputs are
vared.The numbers in the able which are in parentheses
are arbitrarily assigned labels that correspond to stable Use of the table in determining circuit operaton is I-
states that can result for each inpu combination. The lustrated in Figure 2. In the timing diagram, ihe nput to
numbers wthout parentheses refer to unstable condi- R is the reference frequency; the input lo V s ihe same
tions. Input changes are trced by horizontal movement frequency but lags in phase. Stable state (4) s arbitrarily
n the table; after each input change, circuit operation assumed as the initial condition. From the timing diagram
will settle n the numbered state indicated by moving and flow table, when the circuit is n stable state (4),
horizontally to the appropriate R-V column. If the number outputs Ul and 01 are "0" an "1" respectively. The next
at that locaiion is not in parentheses, move vertically to input state is R-V = 1-1; moving horizontally from siable
the number of the same valu that is n parentheses, For state (4) under R-V = 1-0 to the R-V - 1-1 column, state
a given inputpar, any one of three stable states can exis. 3 is indicated. However, this is an unstable condition and
As an example, if R = 1 and V = 0, the circuit will be n the circuit will assume the state indicated by moving ver-
one of the stable states (4), (8), or (12). tically n the R-V = 1-1 column to stabie state (3). In this

FIGURE 2 PHASE DETECTOR #1 TIMING DIAGRAM

(a) fl J 1 f | ! 1 1 1 1 I L_
fui v | j j ;j j
1) 13) 21 15) 18) [7] 12l| (5) (8) (7) |l2J S) J 1 8 1 (7) |l2l( 15} |(B)| 17) |2)| 15} 18][ 17) ,12))

ti M Ul ( 1 i LJ LJ n_r
'U- Id) 01 _

(el fl ( 1 j j j
1 1 i 1 1 I L
. 10 V J j j [ j _J 1 1 1 1 1 .
16) 17) (12) 15) (6) (7) 112) 15) (6) 171 [(12) (51 |[6) (71 (12JJ (51 I6)| 171 |(12J 15) 16] (7) (12)|
(a) ui

(hj Dr | 1 | 1 LJ LJ

<n R 1 1 1 [ 1 1 L_rn_r~i_rn_j~n_r-L_T~^L
ni v 1 [ ] '. 1 L i ii ii rL_
(7) (2) (5) (8) 12) (3) 13) (1) ( 3 ) 1 2 1 1 5 ) . . .

_T~
(1) 01 _

7-26
MC4344 MC4044
instance, outputs Ul and DI remain unchanged. The in-
put states nexl become R-V = 0-1; moving horizontally
to the R-V = 0-1 column, stable state [2} s ndicated. At
this point there is still no change in Ul or D1. The next
Input change shfts operation to the R-V = 0-0 column
where unstable state 5 s ndicated. Moving venically to
stable state (5), the outputs now change state lo Ul-Dl
= 1-1. The next input change, R-V = 1-0, drives the cr-
cutry to stable state (8), with no change in Ul or DI. The
next input, R-V = 1-1, leads to stable state (?) with no
change in the outputs. The next two input state changes
cause U1 o go low between the negative transitions of
R and V. As the inputs continu to change, the circuitry
moves repeatedly through stable states (2), (5), (8), (7},
(2), etc., as shown, and a periodic waveform is obtained
on the Ul terminal while DI remains hgh.
A similar resul s obtained f V is leading wth respect
to R, except that the periodic waveform now appears on
D1 as shown n rows e-h of the tmng diagram of Figure
2. In each case, the average valu of the resulting
waveform is proportionai to the phase dfference be-
tween the two inputs. In a closed loop application, the
error sgnal for controlling the VCO is derivad by trans-
[ating and filterng these waveforms.
The results obtaned when R and V are separated by
a fixed frequency difference are ndicated in rows -I of
the tmng system. For this case, the Ul output goes [ow
when R goes low and stays in that state until a negative
transiton on V occurs, The resulting waveform is similar
FIGURE 3 PHASG DETECTOR /2 OPERATION
7-27
to the fixed phase difference case, bul now the duty cycle
of he U1 waveform vares at a rate proportional to the
difference frequency of the two inputs, R and V. It is this
characteristic that permits the MC4344/4044 to be used
as a frequency discriminator; if the sgnal on R has been
frequency modulated and f the loop bandv/jdth s se-
leced to pass the deviation frequency bui rject R and
V, the resulting error voltage applied to the VCO wll pe
the recovered modulation signa!.
Phase detector #2 consists only of combinatoria! logic,
therefore ts characteristics can be determined from the
simple truth table of Figure 3. Since crcuit operation re-
qures that both inputs to the charge pump either be high
or have the same duty cycle when lele occurs, using this.
phase detector leads to a quadrature relaionship be-
tween R and V. This is llustrated in rows a-d of ihe tming
diagram of Figure 3. Note that any deviation from a ffty
percent duty cycle on the inputs would appear as phase
error.
Waveforms showing the operation of phase detector
#2 when phase detector #1 is being used In a closed
loop are ndicated n rows e-j. When the main loop Es
locked, U2 remains hgh. If the loop drifts out of lock n
either direction a negative pulse whose width s propor-
tional to the amount of drift appears on U2. This can be
used to genrate a simple loss-of-lock ndicator.
Operation of the charge pump is besrexplainad by
considering it n conjuncin wth the Darlington ampl-
fer included n the package (see Figure 4], There will ba
R V U2 02
0 0 1 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 1 1 0
MC4344 MC4044'

a pulsed waveform on either PD or PU, dependng on the
phase-frequency relationshi'p of and V. The charge
pump serves to inven one of the nput waveforms (01}
and translates the voltage levis before they are applied
to the loop filter. When PD is low and PU s high, Ql will
be conducting in the normal directon and Q2 will be off.
Current will be flowng through Q3 and CR2; the base of
Q3 will be two VBE drops above ground orapproximately
1.5 volts, Since both of the resistors connected to the
base of Q3 are equal, the emtter of 04 (base of Q5) will
be approximately 3,0 volts. Forthis condion, the emitter
of Q5 {DF} will be on Vgg below ths voltage, or about
2.25 volts. The PU nput to "the charge pump s hgh
(> 2.4 volts} and CR1 will be reverse biased. Therefore
Q5 will be supplying current to Q6. This will tend to lower
the voltage at the collector of Q7( resulting in an error
signal that lowers the VCO frequency as required by a
"pump down" signal.
FIGURE 4 CHARGE PUMP OPERAT1ON
and down voltages nave equal effects, The pump signis
are established by Vggs of transstors with millamperes
of current flowing. On the other hand, the transistors
included for use as a filter amplifer will have ver/ small
currents flowing and will have correspondingly lower
VBES on the order of 0.6 volt each for a threshold of
1.2 volts. Any displacement of the threshold from 1.5
volts causes an ncrease n gan n one direction and a
reduction in the other. The transistor configuraron pro-
vided is henee not optimum but does allow for the use
oan additional transistor to improve filter response. Ths
addtion also results n a non-symmetrical response since
the threshold is now approximately 1.8 volts. The effec-
tive postive swing s limited to 0.45 volt while the neg-
ative swing below threshold can be greater than 1.0 volt.
This means that the loop gan when changing from a
hgh frequency to a lower frequency is less than when
changing in the opposite directon. For type two loops
this tends to increase overshoot when going from low
to high and increases dampng in the other drection.
These problems and the selection of external filter com-
ponents are iruimaiety related to system requirements
and are discussed n detail n the flter design section.

FIGURE 5 PHASE DETECTOR TEST

When PU is low and PD s high, CR1 s forward biased

and UF will be approximately one Vgg above ground
(neglectng the VQg{ sat ) of he driving gate). With PD
high, Ql conducs in the reverse direction, supplying
base current for Q2. While Q2 s conducting, Q4 is pre-
vented from supplying base drive to Q5; with OS cut off
and UFIowthereisno base current for Q6 and the voltage
at the collector of Q7 moves up, resulting in an increase
in the VCO operating frequency as required by a "pump
TL
up" signal.
If both inputs to the charge pump are high (zero phase
dfference), both CR1 and the base-emitter junction of Q5 Shown lor DQliiva otiaia angla. Ra
are reverse biased and there s no tendency for the error A ana B for negativa chata jngl.
voltage to change. The output of the charge pump vares
between one Vgg and three Vg as the phase difference
of R and V vares from mnus 2ir to plus 2-jr. If this signal
s fltered to remove the high-frequency components, the 2.00
phase detector ransfer functon, K^ of approximately
0.12 volt/radian s obtained (see Figure 5). 1.75

The specified gan constant of 0,12 volt/radian may not

be obtained ff the amplifier/filter combination s improp-
erly designed. As indcated previously, the charge pump
dalivers pump commands of about 2.25 volts on the pos-
itive swings and 0.75 volt on the negative swings for a
mean n-pump valu of 1.5 volts. If the filter ampiifer s
biased to threshold "on" at 1.5 volts, then the pump up O, PHASE DiFFEHSNCE (RADIANS)

7"28
MC4344 MC4044

PHASE-LOCKED LOOP COMPONENTS where: Kp = (21

General
A basic phase-locked loop, when operating properly,
will acquire ("lock on") an nput signa], track it n fre- T-] = R2C and ^ fr9ure 4- Therefore,
quency, and exhibit a fixed- phase relationshp relativa to
the nput. In this basic loop, the output frequency will be NO -i- T!S)
(3)
idntica! to the nput frequency (Figure 6). A fundamental
loop consists of a phase detector, amplifier/filter, and
voltage-controlled oscillator (Figure 7). !t appears and
acts like a unity gain feedback loop. The controlled var-
iable is phase; any error between fj n and f out is ampllfed FIGURE 8 GAIN CONSTANTS
and applied to the VCO n a correctivo direction.
FIGURE 6 BASIC PHASE-LOCKED LOOP
FREQUENCY RELATIONSHP

KQ - Ptiaia Detactor Gain {olti/fadlan)

Kp Amolifiar/Filtaf Gain
Ky " VCO Gan (fadiani/iecand/volt)
FIGURE 7 FUNDAMENTAL PHASE-LOCKEO LOOP N - Inieger Divisor

Voltaga-
-
Amplifier/
-
ControUd Both wn (loop bandwidth or natural frequency) and
otar Filiar Otclllator (damping factor) are particularly mportant n the tran-
.sient response to a step input of phase orfrequency (Fig-
ure 9), and are defined as:

Simple phase detectors in digital phase-locked loops

usually put out a series of pulses. The average valu of (4)
these pulses s the "gain constant," K, of the phase
detector the volts ou for a given phase dfference, (5)
expressed as volts/radian.
The VCO is desgnedso that its output frequency range
is equal to or greater than he required output frequency LJsng these terms in Equation 3,
range of the system. The ratio of change n output fre-
quency to input control voltage is called "gain constant," gpts) Ntl +
(6)
KQ. If the slope of fout to Vn is not linear (.e., changes ft(s)
greaterthan 25%) over the expectedfrequency range, the +
curve should be piece-wise approximated and The ap-
propriate constant applied for/'best" and "worst" case
In a well defined system controlling factors such as
analysis of loop performance.
iu n and ( may be chosen eitherjrom a transient basis
System dynamics when in lock are determined by the
(time domain response) or stady state frequency plot
ampfier/filter block. Its gain determines how much
(roll-off point and peaking versus frequency]. Once these
phase error exists between fn and fout, and filter char-
two desgn goals are defined, synthesis of the filter is
acteristics shape the capture range and transient perfor-
relatively straight-forward.
mance. This will be dscussed in detall laten
Constants K, Ky, and N are usually fixed due to other
Loop Firter desgn constraints, leaving TI and T2 as variables to set
u)n and ^. Since only T2 appears n cquaton 4, it s the
Fundamental loop cha rete rist es such as capture range,
easiest to solve for initially.
loop bandwdth, capture time, and transient response are
controlled primarily by the loop filter. The loop behavior
T =
s described by gains n each component block of Figure 2 " 7)
8. The output to input ratio reflects a second order low
pass filter in frequency response with a static gain of N:
From Equation 5, we find
80{s} =
(1)
0(s) (8)
=~

7-29
MC4344 MC4044
FIGURE 9 TYPE 2 SECOND ORDER STEP HESPONSE
O 1.02.03.04.05.06.07.03.09.010 11 12
Using relationshps 7 and 8, actual resistor vales may
be computed;
Although fundamentally the range of fl-j and R 2 may
be from several hundred to several thousand ohms,
sdeband consderations usually forc the valu of R-j to
be set firsi, and then R 2 and C computed.
c =
Calculation of passve components R 2 and C (in syn-
theszers) is complicated by incomplete information on
N, which is variable, and the limits of tan and during
that varance. Equally mportant are changes in KV over
the output frequency range. Mnimum and mximum
vales of ci>n and can be computed from Equacions 4
and 5 when the appropriate worst case numbers are
known for all the factors,
Amplifier/filter gain usually determines how much
phase error exists betweentfn and fout, and the flter
characteristc shapes capture range and transent per-
formance. A relatively simple,, low gain amplifier may
usually be used n ihe loop since many designs are not
constrained so much by phase error as by the need to
make fn equal fout. Unnecessarily hgh gains can cause
problems En linear loops when the system is out of lo
if the amplifier output swing is not adequately restrict
since integrating operational amplifier circuits will lat
up n time and effectvely open the loop.
The internal amplifier included in the MC4344/40
may be used effectvely if ts limits are observed. T
circuit configuracin shown n Figure 10 Ilstrales t
placement of R-}, RI- c- ano< 'oac resistor RL (1 kOJ. Du
to the non-Enfinite gain of ths stage (Ay = 30) and oth
non-ideal characteristcs, some restraim must be plac
on passfve component seiection. Foremost is a low
limit on the valu of R 2 and an upper limit on R-. Plac
in order of prorty, the recommendations are as follow
[a) R2 > 50 O, (b)'R2/Rl < 10, (c) 1 kO < R1 < 5 kfl.
FIGURE 10 USING MC4344MO44 LOOP AMPUFIER
1-5.0 V
(to V C O )
Limt (c) s the most flexible and may be volated w
13 14
either higher sidebands and phase error (R^ > 5 klj
lower phase detector gain (R-j < I kfi). If limit (b) s
ceeded, loop bandwdth will be less than computed a
may not nave any similanty to the predicton. Por
accurate reproducton of calculated loop characteristi
one should go to an operational amplifier which has s
fcient gain to make limr (b) readily satisfed. Limit (a)
very important because TT in Equation 5 is En reality co
posed of three elements:
(10)
TI = C R 2 - -^ (1
Sm
where gm = transconductance of the common emin
amplifier,
Normally gm Es large and T-\y equals R2C, but
resistance vales below 50 n can forc the phase-ca
pensating "zero" to infnity or worse (into ihe rght h
(11)
plae) and give an unstable system. The problem can
crcumvemed to a large degree by buffering the feedba
wth an emitter follower (Figure 11). Inequality (a) m
then be reduced by at lase an order of magntude (
> 5 l) Jceeping in mnd that eiectrolytic capacitors us
RGURE 11 AMPUFIER CAPABLE OF HANDUNG
LOWER R2
I _]_!
7-30
MC4344 MC4044
as C may approach this valu by themselves at the fre-
quency of nterest {w n j.
Larger vales o R-; may be accommodated by either
usng an operational amplifier with a low bas current
(Ib < 1.0 *A) as shown in Figure 12 or by buffering the
interna! Darngton palr with an FET (Figure 13). It Es vitally
important, however, that the added device be operated
at zero VQS- Source resistor R4 should be adjusted for
this condition (which amounts to \QSS current for the
FET). Ths nsures that the overali amplifer input thresh-
od remalns at the proper potentia! of approximately two
base-emirterdrops. Use of an additional emitterfollower
instead of the FET and R 4 (Figure 14) gives a threshold
near the upper limit of the phase detector charge pump,
resulting n an extremely unsymmetncal phase detector
gain in the pump up versus pump down mode. [t s not
unusual to note a 5:1 difference in K< forcircuits having
the bipolar bufferstage. If theintial designcan withstand
this variation n loop gain and remain stable, the ap-
proach should be consdered since there are no crtica!
adjustments as in the FETcircuit.
FIGURE 12 USfNG AN OPERAT1ONAL AMPUHER
TO EXTENO THE VALU OF R1
FIGURE 13 FET BUFFERING TO RAIS AMPUF1ER
1NPUT1MPEDANCE
FIGURE 14 EMITTEH FOU.OWEH BUFFERING OF
AMPURER INPUT
MPS6S71
Of Equiv.
7-31
DESIGN PROBLEMS AND THEIR SOLUTIONS
Pyriamicjange
A source of trouble for all phase-Iocked loops, as well
as most electrnica s simply overload orlackofsufficiem
dynamc range. One limit is the amplifier output drive to
the VCO. Not only must a desgner note the outside limts
of the de control voltage necessary to give the output
frequency range, he must also account for the worst case
of overshoot expected for the system. Relatively large
damping factors (C = 0.5) can comrbute significant
amounts of overshoot (30%).To be prepared forthe worst
case output swing the amplifier should nave as mucn
margin to postive and negatve lmits as the expected
swing irself. That is, if a two-volt swing s suffcient to
gve the desired output frequency excursin, there should
be at least a two-volt cushion above and below mximum
expected steady-state vales on the control line.
This increase in range, in order to be effective, must
of course by followed by an equivalen! range n the VCO
or there is linle to be gained. Any loss in loop gain will
n general cause a decrease in and a consequent in-
crease in overshoot and ringing. If the loss in gain s
caused by saturation or near saturation conditions, the
problem tends to accelerate towards a situacin where
thesystem senles n notonly a slowbutoscllatormanner
as wel.
Loss of amplifier gan may not be due entirely to nor-
mal system damping considerations, In loops employing
digital phase detecors, an additional problem is likely to
appear. This is due to amplifier saturation durng a step
input when there is a mximum phase detector output
simultaneous with a large transient overshoot. The phase
detector square wave rideson top of the normal transient
and may even exceedthe amplifier output lmits imposed
above. Since the input frequency will exceed the R2C
time constant, gain Kp for these annoying pulses will be
RJ/RV Ordinarily this ratio will be less than 1, but soma
circumstances dctate a low loop gain commensurate
with a farly high tun. For these cases, Rj/Ri may be
higher than 10 and cause pulse-wise-saturation of the
amplifier.-Snce the de control voltage is an average of
phase detector pulses, clipping can be translated nto a
reduction in gain with all the "benefits" already outlined,
i.e,, poor settling time. An easy remedy to apply in many
cases s a simple RC low pass section preceding or to-
gether with the ntegrator-lag section. To make transient
suppression independen! of amplifier responso, the net-
work may be mbedded within the Enput resistor R-j (Fig-
ure 15) or be mplemented by placing a feedback capac-
itor across R2 (Figure 16). Besides rounding off and
inhbiting pulses, these nerworks add an additional pole
to the loop and may cause further overshoot f the cutoff
frequency (ucj Is too cise to wn. If at all possible the
cutorf point should be fve to ten limes tun. How far UJG
can be placed from cun depends on the input frequency
relationship to tun since fn s, after all, what is beng
filtered. A side beneft of this simple RC pulsa "flartener"
s a reduction n fn sidebands around f out for synthe-
MC4344 MC4044
sizers wth N > 1, However, a series o RC lters is not
recommended for ether extended pulse suppression or
sideband mprovement as excess phase will begin to
build up at the loop crossover (= ion} and tend to cause
instabilty. Ths will be discussed in more detall later.
FIGURE 15 IMPROVED TRANSIENT SUPPRESSION
WlTH R l Cr
FIGURE 16 IMPROVED TRANSIENT SUPPRESSION
WITH R2 C c
Spurious Outputs
Although the mafor problem n phase-locked loop de-
sign is deining loop gain and phase margin under dy-
namic operating condtions, high-qualty synthesizer de-
signs aiso requre special consideraton to minimlze
spurious spectral components the worst of which is
reference-frequency sdebands. Requirements for good
sideband suppression often conflict wth other perfor-
mance goals loop dynamic behavior, suppression of
VCO nose, or suppression of other in-ioop noise. As a
result, most synthesizer designa requre compromised
specfications. For a given set of components and loop
dynamic condtions, reference sdebands should be pre-
diaed and checked against design specifications before
any hardware s built.
Any steady-state sgnal on the VCO control will produce
sdebands n accordance with normal FM theory. For
small spurious devaiions on the VCO, relative sideband-
to-carrier levis can be predicted by:
sidebands ___ V re fK\
(13)
carrier 2uref
where V re f = peak voltage valu of spurious frequency
at the VCO input.
Unwanted control line modulation can come from a
variety of sources, but the most likely cause s phase
detector pulse components feedng through the loop fil-
7-32
ter. Although the filter does establish loop dynamic con
ditions, it leaves somethng to be desred as a low pas
section for reference frequency components.
For the usual case where curef is higher than M^-> th
Kp functon amounts to a simple resistor ratio:
(14
By substitution o Equations 9 and 10, ths sgnal transfe
can be relaied to loop parameters.
V ref
(1
Vef
where Vref = peak valu of reference voltage
the VCO input, and
V = peak valu of reference frequenc
voltage at the phase detector outpu
Sideband levis relative to reference voltage at h
phase detector output can be computed by combinin
Equations 13 and 15:
sdeband level _
~ < (16
fnnt evel JrefK</
From Equation 16 we find that for a given phase de
tector, a given_vaue of R-| {which determines V<), an
gven basic system constraints' (N, f re f), only C and o)
remain as variables to diminish the sidebands. If ther
are few limits on Jn, t may be lowered indefinitely unt
the desred degree of suppression is obtained. If w n i
not arbitrary and the sidebands are stll objectionable
additonal filtering is indcated.
One tem worthy of note is the absence of Ky in Equa
tion 16. From Equation 15 it might be concluded tha
decreasing Kywould be anothermeans forreducing spu
rious sidebands, but for constant vales of and iun this
is not a free variable. In a given loop, varying Ky wi
' certainly affect sideband voltage, but will also vary an
jn.
On the other hand, the cholee of tun may well affec
spectral purity near the carrier, ahhough referenc
sdeband levis may be quite acceptable.
In computing sideband levis, the valu of V,, must b
determined in relation to other loop components. Resid
ual reference frequency components at the phase detec
tor output are related to the de error voltage necessar
to supply charge purnp leakage current and amplifier bia
current. From these average voltage figures, spectra
components of the reference frequency and its harmon
Ics can be computed using an approxmation that th
phase detectar output consists of square waves T second
MC4344 MC4044

wide repeated at t second intervals (Figure 17). A Fourier
analysis can be summarized for smail ratios of 7/t by:
(1)' the average voltage (Vavg) is A(T/I)
(2) the peak reference voltage valu (V<) s twice V avg ,
and
(3) the second harmona (2f re f) s raughly equal in am-
plitude to the fundamental.
By knowing the requirements for (1) due to amplifer
bias and leakage currents, vales for [2] and (3) are
unquely determlned.
FIGURE 17 PHASE DETECTOR OUTPUT
in a direction to deplensh the charge on filter capacitor
C. A second charge pump leakage, IL', attributed by dode
CR1 flows out of pin 5. This current, however, s in a
direction to help supply IB and IL and thus tends to min-
mze the discharge of C. Typically IL' is much less than
IL and, since t is also in a direction to minimize discharge
of the flter capacitor, it will be gnored in the followng
discussion. The total charge removed from C must be
replaced by current supplied by the charge pump during
he next up-date opportunty. This current flows through
R1. To minimize the effects of IB and IL a relatve small
valu of Rl should be chosen. A mnimum valu of 1 k!l
s a good choice.
FIGURE 18 OUTPUT ERROR
CHARACTERISTICS

OUTY PHASE
CYCLE ERROR
IDegl ImV) tmV]
0.1 0.36 0S 12
0.2 0.72 12 2 4
0.3 i.as 1S 36
0.4 1.44 2 4 4 8
An example of this sdeband approxmaton technque
0.5 1.80 3 0 6 0
can be llustrated using the parametsrs specified for the 0.6 2.16 3 6 7 2
synthesizer design ncluded in the applications Infor- 0.7 2.52 42 S 4
0.8 2.88 48 9 6
mation secton. 0.9 3.24 5 4 10.9
1.0 3.60 6.0 12.0
Nmax = 30 Wn = 4500 rad/s 2.0 7.2 12.0 24.0
KV = 11.2 x lQ 6 rad/s/V R-, = 2 kl 3.0 10.8 18.0 35.9
4.0 14. d 24.0 47.9
K0 = 0.12 V/rad f re f = 100 kHz 5.0 18.0 30.0 59.8
= 0.8 6.0 21.6 36.0 71.6
7.0 25.2 .12.0 83.3
8.0 28.8 48.0 95.0
Substituting these numbers into Equation 16: 9.0 32.4 54.0 106.6
10.0 36.0 60.0 11S.O
sideband = (0.8K30}(4500)
(17)
~ *
(18)
After vales for C and 82 have been computed on the
basis of loop dynamic propenies, the overall sideband
to f0ut rat' computation can be simplified.
The result illustrates how much reference feedihrough
will affect sideband levis. If 1.0 mV peak of reference Snce
appears at the output of the phase detector, the nearest
= 2V
sideband will be down 56.2 dB.
V avg = Ub + 1
If the amplifier seciion included n the MC4344/4044 s
V = 2 (Ib -i-
used, with RL = 1 Jcfl, some approximations of the valu
of V0 can be made based on the input bias current and
the valu of R-j. The phase detector must provide suff-
cient average voltage to supply the amplifier bias curreni,
1^, through H-j," when the bias current is about 5.0 \iA and
RI is 2 kfl, V av g must be 10 mV. From the assumptions
earlier concerning the Fourer transform, and wth the
help of Figure 18, we can see that the phase detector duty
cycle will be about 1.7% (A = 0.6 V), givng a fundamental we fnd that
(reference) of 20 mV peak. If this valu for V< is substi-
sdejand _ V re fKy
tuted into Equation 18, the resulting sideband ratio rep- (19)
resants 30 dB suppression due to this componen! alone. . foout

In adddon to the amplifier bias current, another factor

LO consider is transistor Q5 reverse leakage current l[_ sideband
(20)
ftowng into pin 10 of the MC4344/4044 charge pump. IL
t* gencrally leas than 1.0 fiA and is no more than 5.0 p_A
over th temperatura range. A rypical design valu for Equation 20 ndcates that excelent suppression could
2S*C s 0.1 jiA. Both IL and amplfier bas current IB are be achieved if the bas and leakage terms were nulled by

7-33
MC4344 MC4044
current summing at the amplifier input (Figure 19). Ths
has ndeed proved to be the casa. Experimental results
indcate that greater than 60 dS rejection can routnely
be acheved at a constan! temperature. However when
nullng farly large vales (> 100 nA}, the rejection be-
comes quite sensitve since leakages are nherently a
function of temperature. This technique has proved use-
ful n achieving improved system performance when
used n conjunction with goad crcut practice and ref-
erence flering.
FIGURE 19 CQMPENSATING FOR BIAS AND
LEAKAGE CURRENT
Addrtonal Loop FJrterng
So far, ony the effects of fundamental loop dynamcs
on resultant sidebands have been consdered. If further
sideband suppression is requred, additonal loop filter-
ing is ndicated.-However, care must be taken in place-
ment of any low pass rolloff with regard to the loop nat-
ura! frequency (tun). On one hand, the "crner" should
be we!I below (iower than) u)ref and ye far removed
(above) from un. Although no easy method for placing
the roll-off pontexists, a rule of thumbthausually works
">c = 5un (21)
Reference frequency suppression per pole is the ratio
Of U)r. tO Jrof.
SB dB = n 20
ref-
whera n s the number of poles n the filter.
Equation 22 gves tha addtgnal loop suppression to
ti>ref; this number should be added o whaever suppres-
sion already exists.
For non-critcal applcations, simple RC networks may
suffice, but if more than one sectjon is required, loop,
dynarnics undergo undesrable changos. Loop damping
factor decreases, resultng n a high percentage of
overshoot and Encreased ringing since passive RC sec-
tons tend to accumuiate phase shift more rapdly than
signal suppression and par of this excess phase sub-
tracis from the loop phase margin. Less phase margn
transales into a lower dampng factor and can, in the
limt, cause outright oscillation.
A suitable alternativa is an active RC section, Figure 20,
compatible with the existing levis and voltages. An ac-
tive two pole filter (second order section) can realze a
more gradual phase shift at frequencies less than the
cutoff pont and still get nearly equal suppression at fre
quencies above the cutoff poin. Sections designed with
a sllght amoum of peaking ( = 0.5) show a good com
promise between excess phsse below cutoff (ujc), without
peaking enough to cause any danger of raising the loop
gan for frequencies above )n. A fairly non-critical section
may simply use an emitter follower as the active device
with two resistors and capacitors completing the circuit
(Figure 21).Ths provides a -12 dB/octave (-40 dB/dec-
ade) rolloff characteristic above )n, though the atten-
uation may be more accurately determned by Equation
22. If the sideband probiem persists, an additional section
may be added in series with the first. No more than two
sections are recommended .since at that time either (1)
the constraint between cun and curef is too cise, or (2)
reference voltage s modulating the VCO from a source
other than the phase detector through the loop amplifier
FIGURE 20 OPERAT10NAL AMPUFIER LOW PASS FILTER
rS.O to t-15 V
-5.0 o -J5 V
1. Cioow) R
1 V < R
FIGURE 21 EMITTER FOLLOWER LOW PASS F1LTEH
(22}
NOTE: H VQ > VCG - 1.0 V,
lili ru-g ti uc*piJbU o powor
Operation wthout charge pump phase detector #1 of
the MC4344MQ44 can be mplementad quite successfuly
in many applcations without using the charge pump and
internal darlington amplifier approach. An operational
amplifier filter can be used to process the error Infor-
mation appearing at U1 and Di (pins 13 and 2) diractly
(Figure 21). This phase detector/flter approach offers a
potentially superior performing system because:
a. Charge pump delay time is elminated.
b. Charge pump nput sgned threshold level need not
be overeme before error Information is obtained.
This can result n a substantial improvement in the
7-34
MC4344 # MC4044
4044's transfer functon lnearity in the vcinity of
zero phase error between he R and V inputs.
c. The filter ampJifer ground locationcan beseparated
from the phase detector ground.
d, An "optimum" filter amplifier nput threshold of
approxmately two diode drops need not be
established.
The filter dlscussons and relationships developed for
integrator-log filter sectons can be appled to the system
of Figure 21 and the prevously derivad equations can be
used to determine vales for R1, R2 and C.
It may be desrable to split each of he R1 resstors and
incorprate a capacitor to ground in a manner similar to
thar shown in Figure 15. This should improve transient
suppression and provide integration of the Ul and DI
signis to better enable the operational amplifier to de-
veiop corredive error information from very narrow Ul
and DI pulse widths.
Phase error for the circut n Figure 21 wll result from
nput offset voltage in the operational amplifier, resistor
mismatch and mismatch between the phase detector
output sates appearng at U1 and D1. Phase error can
be trimmed 10 zero initally by adjustng either the am-
plifier input offset or one of the Rl resstors,
VCO Noise
Effecls of noise within the VCO itself can be evaluated
by consdering a closed loop situation with an external
noise source, en, introduced at the VCO [Figure 22). Re-
suitant modulation of he VCO by error voltage, E, s a
second order hgh pass function:
T2N ' T2N 23)
S2
FIGURE 22EFFECTS OF VCO NOISE
Ths functon has a slope of 12 dB/octave at frequencies
less than tun (loop natural frequency), as shown in Figure
23. This means that noise components n the VCO above
un will pass unattenuated and those below will have
some degree of suppression. Therefore choice of loop
natural frequency may well rest on VCO noise qualty.
7-35
FIGURE 23 LOOP RESPONSE TO VCO NOISE
yl
TTF/T
LOG FEQUENCY
Other Spurious Responses
Spurious components appearing n the output spec-
trum are seldom due to reference frequency feedthrough
alone. Modulation of any kind appearing on the VCO con-
trol une will cause Spurious side.bands and can come in
through the loop amplifier supply, bias circuitry in the
control path, a translator, or even the VCO supply tself.
Some VCOs have a relatively hgh sensitivity to power
supply variaton. This should be investigated and its ef-
fects .considered. Problems of ths nature can be mn-
mized by operatng all devices except the phase detector,
charge pump, and VCO from a seprate and well isolated
supply. A common meihod uses a master supply of about
10 or 12 volts and two regulators to produce voltages for
the PLL one for sil the logic (ncluding the phase de-
tector) and the other for all circuitry associated with he
VCO control Une.
Sideband and noise performance s also a function of
good power supply and regulator layout. As mentoned
earler, extreme care should be exercised in isolating the
control lne voltageto the VCO from influences other than
the phase detector. This not only means good voltage
regulation but ac bypassing and adherence to good
grounding techniques as well. Figure 24 shows two sep-
rate regulators and their respective loads. Resistor RS
s a small stray resstance due to a common thn ground.
return for both R[_i and RQ, Any noise in R[_2 is now
reproduced (n a suppressed form} across R^ . Load cur-
rent from RJJ does not affect the voltage across R^.
Even though the regulators may be quite good, they can
hold VQ constant only across their outputs, not neces-
sarly across the load (unless remote sensing is used).
FIGURE 24 LOOP VOLTAGE REGULATION
1
Ragulator
/fl Regul
Nat
"Vi fltyulatfd
Regulator
rf2 Rag a(d < Bu2
t
MC4344 MC4044
One solutan to the ground-coupled noise problem is to
lay out the return path with the most sensitive regulated
circut at the-farthest point-from power supply entry as
shown in Figure 25.
Even for regulated subcircuits, accumulated noise on
the ground bus can pose major problems snce although
the cross currents do not produce a differential load volt-
age drectly, they do produce essentially common mode
noise on the regulators. Output differential load noise
then is a function o the nput regulaton specfication. By
far the best way to sdestep the problem s to connec:
each subcircut ground to the power supply entry return
line as shown n Figure 26.
FIGURE 25 REGULATOR LAYOUT
FIGURE 26 REGULATOR GROUND CONNECTION
In Figures 24 and 26, R[_-j and R(_2 represen! component
groups in the system. The designar must insure that all
ground return leads n a specifc component group are
returned to the common ground. Probably the most
overlooked components are bypass capactors. To mn-
mize sidebands, extreme caution must be taken in the
rea immedately following the phase detector and
through the VCO. A parta! schematic of a rypical loop
amplifer and flter is shown in Figure 27 to [Ilstrate the
common grounding technque.
RGURE 27 PARTTAL SCHEMATIC OF LOOP
AMPUFIER AND FILTER
7-36
Bypassing in a phase-locked loop must be effectve
both highfrequencesand lowfrequencies. One capaci
n the l.O-to-10 p.F range and another between 0.01 a
0.001 p,F are usually adequate. These can be effective
utilized boih at the immediaie crcuitry (between sup
and common ground) and the regulator if t is some d
tance away. When used at the regulator, a single el
trolytic capacitor on the output and a capacitor par
the input is most effective (Figure 28). It is importa
again, to note that these bypasses go from he inp
output pins to as near the regulator ground pin
possble.
FIGURE 28 SUGGESTED BYPASSING PROCEDURE
-,-.
APPUCAT10NS INFORMATION
JT&quency Syntheslzers
The basic PLL dlscussed earler is actually a spec
case of frequency synthesis. In that Enstance, fout =
aithough normally a programmable counter in the fee
back loop nsures the general rule that fout = Nf[n (Figu
29). In the synthesiierfn is usually constan: (crystal co
trolled) andf out ischanged by varying the programma
dvider (-- N|. By stepping N n nteger increments, t
output frequency ischanged byfn periricrement. In co
FIGURE 29 PHASE-LOCKED LOOP WETH
PROGRAMMABLE COUNTER
Phai Ain0im.tr/
Voliage-
'OUt-
'n Contrallad
Detector Filiar Oicllator
| fin
.
TN
~" Coumer
MC4344 MC4044

muncation use, this input frequency is called ihe "chan- Added sideband suppresson (dB) s:
nel spacng" or, n general, t is the reference frequency.
There is essentially no dfference in loop dynamc prob- 1
dS = 20 (B)
lems between the basfc PLL and synthesizers except that
synthesizer designers musfcontend wth" problems pe- 25(oJn)2
culiar to loops where N is variable and greater than 1.
Also, sidebands or speclral purity usually requre special 12. If step 11 still does not give the desired results, add
anention. These and other aspects are discussed n a second arder secton at a)c = 5 Ln using either
greater detail n AN-535. The steps fora sutable synthess the configuration o Figure 20 or 21. The expected
procedure may be summarized as follows: improvement stwicethat of the single pole in step
11.
Synthesis Procedure
1
dB = 40 log;0 (C)
1. Choose input frequency. {fref = channel spacing)
2. Compute the range o digital divisin:

I1I0A t
>ref Total sideband rejection is then the total of 20 log-jrj(A)
M - - frnin (B) -i- (C).
^min - f ,
T ref

3. Compute needed VCO range: Design Example (Figure 30)

Assume the following requirements:
( 2f ~ f f VCO "f Output frequency, fou[ = 2.0 MHz to 3.0 MHz
Frequency steps, fn = 100 kHz
4, Choose mnimum from transient response plot, Lockup time between channels (to 5%) = 1.0 ms
Figure 9. A good startng point is = 0.5. Overshoot < 20%.
5. Choose un from needed response time (Figure 9): Mnimum sideband suppression = 30 dS

From the steps of the synthess procedure:

1. f re f = fin = IQOkHz
6. Compute C:
. f max = 3.0 MHz= 30
2. Nr
f re f 0,1 MHz
C =
fmin = 2.0 MHz
R = 20
fref 0.1 MHz
7. Compute R2:

2n 3. VCO range:
R2 = The VCO output frequency range should extend
WnC
beyond the specified mnimum-maximum limits to
accommodate the overshoot specificaton. In this
8. Compute C max :
nstance f ou t should be able to cover an additional
20% on either end. End limits on the VCO are:

f out max &3.0 -- 0.2(1.0) = 3.2 MHz

fou[mn ^ 2.0 - 0.2(1.0) = 1.8 MHz
9. Ch'eck transient response of C m ax fr compatibility
with transient specificaton. /
This VCO range (= 1.8:1) is realizable with the
10. Compute expected sdebands:
MC4324/4024 voltage controlled multvibrator. From
sideband _ (I0^ j- Figure 7 of the MC4324/4024 data sheet we find the
(A) required tuning capacitor valu to be 120 pF and
'out
fr ^ref the VCO gain, Ky, typically 11 x 106 rad/sM
_ s about 100 nA at Tj = 25C.) 4. From the step response curve of Figure 9, = 0.8
wll produce a peak overshoot less than 20%.
11. If step 10 yelds larger sidebands than are accept- 5. Referring to Figure 9, overshoot with = 0.8 will
able, add a single pole at the loop amplfer by settle to within 5% atiunt = 4.5. Snce the required
splitting RI and adding Cc as shown n Figure 15: lock-up time s 1.0 ms.

4.5 4.5
= -T = ^r= (4.5)(1o3)rad/s
t 0.001

7-37
MC4344 MC4044

6. In order to compute C, phase detector gain and Rl
must be selected. Phase detector gain, K>, for the
MC4344/4044 is approximately 0.1 volt/radian with
RI = 1 kfi. Therefore,
If desired additional sideband filterng can be ob-
tained as noted n steps 11 and 12.
^- ^y splitting R- and Cc, further anenuaton can be
gained. The magntude of Cc s approximately:

C- (-11111 X 106) -1.B.* . 0.8 0.8

(30)(4.5 X 103)2(103) LC = = = o.ia H.F
Rl^n {103){4.5)M03)
7. Al this point, R2 can be computed:
Improvement n sidebands will be:
p. 2rnjn 1.6
00 l
>> wnC (4,5 x 103)(1,8 x 10"6)
- = 28 dB

u-
,
^max
. /Nmax
^mm ,/ w .
Y V mm
nqfl
u-Ja y- (2-T x 105)2
25(4.5 x 103)2

9. Figure 9 shows that C = 0.98 will meet the s ettling Nominal suppr assion is now - 63 dB. Worst-case is
time requirement. 6 d8 higher th 5n nominal suppression of - 57 dB
10. Sidebands may be computed fortwo cases: ( 1) with Ths s well witlin the -30 dB design requirement,
l(_ {charge pump leakage current) nominal (1 30 nA), step 12 s included for completeness only.
and (2) with l(_ mximum (5.0 iA). A valu c f 5 nA
will also be assumed for the amplifier bias c urrent, " 12. Anenuation of a second order filter s double that
ib- of thesingle ore er filter section described in stepll.
The calculation > for a second order filter indcate an
sideband (10 * 10"6J(200Hn x lO^) _ -iQ-3 additional-56cJB of sideband rejecton. Figures 20
f out max 6 -2S * 3 and 21 show tw o second order filier configura tions.
If R is assigneci a valu of 10 kl then C may be
The sideband-to-center frequency ratio ornnallV calculated.
wll be:
- c o.i
sideband 5.1 _ ^
mnR {4.5 x 103J{104) """"" >"'
'out^ nom 10

= 20 Iog-]0(17.85 x 10'3) s -35 dB

FIGURE 30-- CIRCUIT DIAGRAM OF TYPE 2

F HASE-LOCKED LOOP

O 0

f <i k
C R2 f
" , I
!(
1.8| 12001 C = 120 PF
\f\\ d
,,-. MPS6571

7 tr ' -l/ ^Y\9r\ai ^

1 O t)
MC-3A4
1
-^~! i^ \
9

1' | 1
13 10 3 _ 3 1 0 - 1

MC54J16
[MC4316) 1MC4316)
5 11 14 2 5 11 la 2

-n 1 1
DO DI D2 D3
un
DO O D2 O3

7-38
MC4344 MC4044
dock Recovery from Phase-Encoded Data
The electro-mechanical system used for recording dig-
ital data on magnetic tape often introduces random var-
iations n tape speed and data spacing, Because of ths
and the encoding technque used, it is usually necessary
to regenrate a synchronized clock from the data during
this read cycle. One method for dojng ths is to phase-
lock a voltage controlled multivibrator to the data as it
is read (Figure 31).
A typcal data block using the phase encoded format
is shown n row 1 of Figure 32. The standard format calis
for recording a preamble of forty "0"s followed by a sin-
gle "1"; this is followed by from 19 to 2048 characters
of data and a postamble consisting of a "1" followed by
forty "0"s. The encoding format records a "O" as a tran-
sition from low to high n the middle of a data cell. A
"1" s indicated by a transiran from hgh to low at the
data cell mdpont. When required, phase transitions oc-
curatthe end of data cells. If a string of eitherconsecutive
"0"s or consecutive "1"s s recorded, the format dupl-
cales the original clock; the clock s easily recovered by
straght forward synchrontzation whh a phase-locked
loop. In the general case, where the data may appear n
any order, the phase-encoded data must be processed
to obtain a single pulse during each data cell before it s
appled to the phase detector. For example, f the data
FIGURE 31 CLOCK RECOVERy FROM PHASE-ENCODED DATA
Gl, G2, Gil. G12: SN74LS2Q
AII otnar gatej; SN74LSOO
Nurnbri In paremh(si rafer to
wivformi o Floura 32.
7-39
consisted only of alternatmg "T's and "0"s, ihe phase-
encoded formal would resultin a waveform equal to one-
half the original clock frequency. If ths were applied d-
recly to the loop, the VCM would of course move down
to that frequency. The encoding format nsures that there
wll be a transition n the middle of each data time. If only
trese transitions are sensed they can be used to regen-
rate the clock. The schematic dagram of Figure 31 in-
dcates one method of accomplishing this.
The logic clrcutry generales a pulse at the midpoint
of each data cell which is then applied to the reference
input of the phase detector. The loop VCM is deslgned
to oprate at some mltiple of the basic clock rale. The
VCM frequency selected depends on the decoding res-
olution desired and other system timing requirements.
In this example, the VCM oprales at twenty-four times
the clock rate (Figure 32, Row 12).
Referring to Figure 31 and the liming dagram of Figure
32, the phase-encoded data Figure 32, Row 1) is com-
bined with a delayed versin of itself (output of flp-flop
A row 3) to provide a poshve pulse out of G3 for every
transltion of the input signa!. Portions of the data block
are shown expanded n row 2 of Figure 32. Flip-flop A
delays the ncoming data of one-half of a VCM clock pe-
riod. Gates Gl, G2, and G3 rnplement the logic Exclusive
OR of waveforms 1 and 3 excepi when inhibited by
DGATE [row4| or the output of G12 (row 7). DGATE and
MC4344 MC4044

its complement, DGATE, serve to initialize the circutry As a rougn check on acqustion time, assume that
and insure that the frst ransition of the data block [a lockup should occur not later than half-way through a 40-
phase transtion) s gnored. The MC7493 bnary counter bt preample, or for twenty 8,34 p.s data periods.
and the G5-G12 latch genrate a suitable sgnal for gating
out G3 pulses caused by phase transtions at the end of uint = {3.05)104(20)(8.34)10-6 = 5.1 (26)
a data cell, such as the one shown dashed in row 6.
The nitial data pulse from G3 sets GT2 low and is From Figure 3, the output wll be wthin 2 to 3% of its
combned with DGATE n G7 to reset the counter to ts final valu for w n t = 5 and = 0.707. The filter compo-
zero state. Subsequent VCM clock pulses now cycle the nents are calculated by:
counter and approximately one-third of the way through
the next data cell the counter's full state is decoded by K,KV (27)
Gil, generatng a negative transMon. This causes G12
to go high, removing the nhibit signal until it s again
and
reset by the next data ransition. Ths pulse a]so resets
the counter, continuing the cycle and generating a pos- (28)
tive pulse at the midpoint of each data cell as required.
Acquisiton time is reduced if the loop is locked to a where = 0.115 v/rad
frequency approximately the same as the expected data V= (18.2) 106rad/s/volt
rate durng inter-block gaps. In Figure 31, ths is achieved N = 24 = Feedback divider ratio
by operating the remaining half of the dual VCM at n = (3.05) 104 rad/s
sghtly less than the data rate and applying it to the S = 0.707
reference input of the phase detector va the G8-G9-G10 (0.1151(18.21106 _ 4
data selector. When data appears, DGATE and DGATE - 8.72)10
cause the output of G3 to be selected as the reference
nput to the loop. From Equation 27:
The loop parameters are selected as a compromise
between fast acquisiton and jitter-free racking once syn- (8.72)104
chronization s achieved. The resulting filter componen! -5
vales indicated in Figure 31 are suitable for recoverng
the clock from data recorded at a 120 kHz rate, such as
would result n a tape system operating at 75 .p.s. with From Equation 28:
a recording density of 1600 b.p.i. Synchronzation is
achieved by approximately the twenty-fourth bit time of R2 _ 2r.tunN _ 2[0.707)(3.05H04 _
the preamble. The relationship between system requre- [8.72J104
ments and the design procedure is illustrated by the fol-
lowng sample calcularon: Let R-, = 3.0 kTl; then R2 = 1.5 Wl and
Assume a 3.0 dB loop bandwdth much less than the
input data rate (= 120 kHz), say 10 kHz. Further, assume
a damping factor of - 0.707. From the expression for
loop bandwidth as a functon of damping factor and un-
damped natural frequency, ton, calclate Dn as: or using a cise standard valu, use C = 0.033 y.F. Now
add the additional prefiltering by splining R-j and select-
ing a time constant for the additonal secton so that t
+ 42 - 4{4j (24)
is large with respect to

or for tu_ 3 Q = (2iT)104 rad/s and = 0.707: = R2C

wn = = (3.05)104 rad/s
n 2.06 10R-1 10(3.0)103

7-40
MC4344 MC4044

FIGURE 32 TIMING DIAGRAM CLOCK RECOVERY FROM PHASE-NCOOEQ DATA

(1) "

(2) Data

(3) QA

(i)
15)
DGATE
DGATE
e 1
r t
L
i
(6) G3 (1 fl
i
17) G12

(8) G11

(9) G7

(10) G10

(lll 0B [VCM-7-24]

[121 VCM

7-41
MC1648/MC1648M
VOLTAGE-CONTROLLED
OSCILLATOR

" The MC1648 requires an ex terna I p'arallal

tank circuir consisting of the inductor (L)
and capacitor (C).
A varactor diode may be incorporated into
Blas Pont 10 the tank circuir to provide a voltage variable
Tank 12 input for ihe oscillaror (VCO). The MC164S
was designed for use in ihe Motorola Phase-
Locked Loop shown in Figura 9. Thls devce
may also be used n many other applicacons
AGC
requiring a f j x e d or variable frequency clork
saurce of high spectral purry. (See Figure 2.)
The MC1648 may be operated from a +5.0
Input Capacitance 6 pF typ
Vdc supply or a 5.2 Vdc supply, depending
Mximum Seres Resistance for L (Externa!
upon syscem requirements.
Inductance) = 50 l typ
Power Oissipation = 150 mW typ/pkg
(+5.0 Vdc Suoply)
Supply Voltage Gnci Pins Supply PinS

Mximum Output Frequency = 225 MHz typ T5.0 Vdc 7, 8 1, 14

-5.2 Vdc 1, 14 7, a

LSUFFIX PSUFF1X FSUFFIX ,

CERAMIC P A C K A G E PLSTIC PACKAGE CERAMIC P A C K A G S
CASS 632 CASE 646 ' CASE 607

F I G U R E 1 - CIRCUITSCHEMATIC

4-3
 O

I
CO
FIGURE 2 - SPECTRAL PURITY OF SIGfJAL AT OUTPLIT

l_: Micro Metal lorroid frT20 22. 8 tumi n

#30 Enarnled Coppui wire.

C - 3.0 - 35 pF 1 * 1 ~* 15 - D Vdc TEST VOLTAGE/CURRENT VALES

I i I n i I
IQ^lF @ Test (Volts) mAdc
I I I f"" i
10 14 Temperature
v IHmax v ILmin VCG IL
r- MCI 648
0.1.'
-30C -2.00 -H .50 ' 5.0 -5.0
*fl >25C H 1.85 -t 1.35 5.0 -5.0

+ 85C -ti. 70 41.20 5.0 -5.0

B.W. - l O K H i
Ctmi< r Fruquuncy - 100 MHi MC164BM
WicIih B O k H / / d j v -12.07 -11.57 5.0 -5.0
caIScak * 10 OB/<!iu
'The 1200 ohtn rtiisloi wnd lie scopt: icimina- + 1.85 4 1.35 5.0 -5.0
lion inipeilNc' comlituie a 25:1 at leiiuator
prolit;. Coax shall be CT-070-50 or e 14 u i val en U -11.60 H 1.10 5.0 -5.0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Supply Voltage = - 5.0 Volls
-55C ~30C -!2S0C -t-85C -M25C
Characterisiic Symbol Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Unil Conttions
_ _
Power Supply Diain Cuirun ~ - - - 41 - - - mAdc Inpuls and ouipuis opcn.
"E
Logic "1" Ouipui Voltnijc VOH 3.92 4.13 3.355 4.1B5 4.04 4.25 4.1 4.36 4. IR 4.40 Vdc vlLmin >opin 12,iL@Pin3.
Logic "0" Oulpul Voliagt VOL 3.13 3.38 3.16 3.40 3.20 3.43 3.22 3.475 3.23 3.51 Vdc vIHmax ' Pin 12, IL @ Pin 3.
Biis VoltnQc; v Bins' 1.6? 1.97 1.60 1.90 1.45 1.75 1.30 1.60 1.20 1.50 Vdc vlLminP'n12.

Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max
Pcnk.o-Penk Tank Voliatjn VP.P - - - - - - - 400 - - - - - - - mV
_ _
Oulpul Duly Cycle - - - - - - 50 - - - - L. - % Scu Pigurii 3.
VDC
Oscillotion Frecjucncy 'mnx ' " - 225 - - 225 ~ 200 225 - - 225 - - 225 - MHz

'This rncnsurcmotil rjuoraniiJL's thtf de poicniin! o ihc hias poinl for puiposiis o ncotporaiintj a varnciat [urniny riiotlu ni ihis poini.
' 'Frcqucncy varisiion ovci lenipctlurc is a tirocl (uncion o he C/A Tmpuraiurc and A L / A Tcmpcraiuie.
 o
i
CO

O
TEST V O L T A G E / C U R R E N T VALES

@ Test (Volts) mAdc

co
Temperatuie
v IHmax v ILmn vcc IL
MC1G48

-30C -3.20 -3.70 -5.2 -5.0

425C -3.35 -3.85 -5.2 -5.0
-i85 a C -3.50 4.00 -5.2 -5.0
MC1648M

-55C -3.13 -3.63 -5.2 -5.0

425C -3.35 -3.85 -5.2 -5.0
+125C -3.60 -4.10 -5.2 -5.0

ELECTRICALCHARACTER1STICS
Supply Voltage = -5.2 Volts

-55C -30C + 25DC + 85C +125C

Charoclerislic Svnibol Mn Max Min Max Min Max Min Max Min Max Unil Condiiions
_ _ _ _ _
Powei Supply Drnin Cuircni le - - 41 - - mAdc Inpuls and oinpuis open.
Logic "1" Ouipui Volingu VOH - 1 .080 -0.870 -1.015 -0.815 -0.960 -0.750 -0.890 -0.640 -0.840 -0.600 Vdc V||_mn>P'n12.1L<?Pin3.

Logic "0" Ompui Vohagc VOL -1.920 -1.670 -1.890 -1.650 -1.850 -1.620 -1.830 -1.575 -1.820 -1.540 Vdc ViHmaxtoPinlS.lL^Pina.
Bias Voliage v Bias- -3.53 -3.23 -3.60 -3.30 -3.75 -3.45 -3.90 -3.60 -4.00 -3.70 Vdc VlLmintopin 12 >

Mn Typ Max Mn Typ Max Min Typ Max Min Typ Max Min Typ Max
Pcak-to-Peak Tank Voliagc Vp.p - - - - - - - 400 - - - - - - - mV
_
Outpui Duty yele VDC - - - _ - - 50 - - - - - - - % Sei: Figure 3.

Oscllaiion Ficquency 'max" ' - 225 - - 225 - 200 225 " - 225 - - 225 - MHz

"This measufemenl guaranlees ihe de polenlial ai ihe bias point lor purposes o incorporang a varaclof turning diode ai ihis poini.
' 'Frequency vnation over lemperalure is a diit-ci lunclion o !he A C / A Tempera tute and L/A Tempera tur e.
MC1648/MC1648M FIGUR E 3 - TEST CIRCUIT AND WAVEFORMS

imDcaancc coni[i(u)e j 2> 1 juenuJiai prone

C04 inoll o* CT 070 SO o eauvjleni
" " "aytJJJi ooly (nJ! supniy ooconts grounti

I r
OPERATING CHARACTERISTICS
Figure 1 Ilstralas trie circuit schernatic f o r the FIGURE 4 -THE MCI6Jfl OPERATING |N THE VOLTAGE
MC1648. The oscillator ncorporatas positiva feed- CONTROLLED MODE
taack by coupltng the base of transistor Q7 to the
collector of Q8. An autamatic gain control (AGC)
s Incorporated TO limit the current through the
emtter-coupled par of transistors (Q7 ana QS) and
allow optimurn frequancy response of the oscillator.

In order to maintain the hgh Q of the oscillaior,

and pro vid e high spectral purty at the output,
transistor Q4 is used to transate the oscillator sig-
nal to the output differental pair Q2 and Q3.
Q2 and Q3( in conjunction wih output transistor
Ql, provides a highly buffarea output which pro-
the cathode of the varactor diode ( D ) shoula be
duces a square wave. Transistors Q9 and di 1 pro- biased at least 2 V g ^ above V g ^ (^1.4 V for pas-
vide the bas drive for the oscillaior and output itive supply operation).
buffer. Figure 2 indicates the high spectral purity
of the oscillator output (pin 3). When ihe MC1648 i5 used with a constan: de voliage
to the varacior dioda, the output frequency vvill vary
When oparatng the oscillator in the voltage slightly because o internal noise. This variacin is plotted
controllad moa e (Figure 4), T should be noted that versus operating requency in Figure 5.

FIGURES -NOISE D EVIATION TEST CIRCUIT ANO VVAVEFORM

Oscillaioi Tank Componenu

[ C l I C u i I O fiqutti 4)
1 L
MHl D pH
1.0 10 MV211S 100
10 60 W V 2 1 15 2.3
60 100 MV2106 0.1S

1
f, OPEHATING FEQUeNCY. (MHJ

20 kH* aoue MC1648-Ff equncy

MC1648
Fregusncy () 11

1HPS21DA oui ollaqel iFull Scal

NOTE: Any faquncy a*uiton causa by m iional gorilor arxl

wjpoly ihoud ta aatBrmina and tmnimi*a orior to i*nir-9.

4-6
MC1648/MC1648M

TRANSFER CHARACTERISTICS IN THE VOLTAGE CONTROLLED MODE

USING EXTERNAL VARACTOR DIODE AND COIL. T A = 25C
FIGURE 6

L- Micro Mala! ToroiOai Coro -=Td-10.

J lufniQ t-lo. 22 copper wira.

z_

I O 2.0 3.0 4 O 5O 60 7O SO 90 10 Trie 1200 onm esiitor ano me icopa te

non imoJdnce comlilule a 2 5 . ) dUa
H'oo* CQJ- snall a* CT 070-50 or uau
V m . INPUT V O L T A G E I V O L T S l

FIGURE?

i M. 10 Uei.il Toiu.dal Coiu /Ts<s ]Q.

9O
^SE 1 " V EE2 ' GnU
8 O
l.O 2.0 3.0 4.0 5.0 60 70 3 O 9.0 'The 1200 onn esistoi and me SCODB l
coniuiuie 3 25 t m
prob. Coa i l ae CT 070 5O or Hqu
Vin. INPUT V O L T A G E t V O L T S l

190
Miro MBUI Toroaial Core sT30-22,
iao 5 tutos f No 20 coppar wir.
170
160
150
14O
130
12O
1 10
1OO
z
90
ao

1.0 2.0 3.0 4.0 S.O 6.0 70 8.0 9 O 1O 1200 onrn itfs.iof jnd [he iCOe tBimn-
iiiipedance consiiiultt J 2S 1 Jllenuato
V,n. INPUT V O L T A G E IVOLTSl tf CoJ mu DP CT O70 50 or eyuwdleni

4-7
MC1648/MC1648M
Typlcal transfer characteristics for the
oscllator n the voltage contrallad mode are
shown in Figures 6, 7\d 8. Figures 6 and 8
show transfer characteristics employing only
the capacitance of the varactor diode {plus the
input capacitance of the oscillator, 6 pF typi-
cal). Figure 7 illustrates the oscillator operating
n a voltage controlled mode wjih the output
frequency range limited. This is acheved by
addng a capacitor in parallel wth the tank
circuit as shown. The 1 kl resistor n Figures 6
and 7 s used to protect the varactor diode
during testing. It is not necessary as iong
as the de nput voltage does not cause the diode
10 become forward based. The larger-valued
resistor (51 kl~i) n Figure 8 is required to
provde sola t ion for the high-mpedance
junctions of the two varactor diodes.
The tunng range of the oscillator in the
voltage controlled mode rnay be calculated as:
f
where f n
2JTs/L(C D (max) + C S J
Cg = shunt capacitance {input plus external
capacitance).
CQ = varactor capacitance as a function
of bas voltage.
Good R F and low-frequency bypassng s
necessary on the power supply pins. (See
Figure 2.)
APPLICATION
The phasa [ocked loop shown in Figure 9
illustrates the u s e ' o f the MC1648 as a voltage
controlled oscillator. The figure ilustra tes
a frequency synthesizer useful n tuners for
FM broadcast, general aviation, maritime and
[andmobile communicatons, amateur and
CS receivers. The system operates from a single
t-5.0 Vdc supply, and requires no nternal trans-
lations, since all components are compatible.
Frequency gen era ti on of this type offers
the advantages" of single crystal operation,
simple channei selection, and elimnaton of
special circuitry to preven: harmonic lockup,
Addtonal features nclude de digital switching
Capacitor* |C1 and C2 of Figure 4) should
be used to bypass.the AGC point and the VCO
input [varactor diode), guaranteeng only
de levis at trese points.
For output frequency operation between
1 MHz and 50 MHz a 0.1 pF capacitor is s u f f i -
cent for C1 and C2. A t higher frequencies,
smaller vales of capacitance should be used;
at lower frequencies, larger vales of capaci-
tance. At high frequencies the valu of bypass
capacitors depends directly upon the physical
layout of ihe system. AII bypassing should be
as cise to the package pins as possible to
minimize unwanted lead nductance.
The peak-to-peak swing of the tank circuit
is set internally by the AGC circuitry. Since
voltage swing of the tank circuit provides the
drive for the output buffer, the AGC potential
directly a f f e c t s the output waveform. !f t is
desired to have a sine wave at the output of
the MCT648, a series resistor s tied from the
AGC point to he most negative power poten-
tial (ground if T-5.0 volt supply is used. 5.2
volts if a negative supply is used) as shown in
Figure 10.
At frequencies above 100 MHz typ, it may
be desirable to increase the tank circuit peak-
to-peak voltage in order to shape the signal
at the output of the MC1648. This is accom-
plished by tyng a series resistor (1 k! mni-
mum) from the AGC to the most positive
power potential (-rS.O volts f a + 5.0 volt sup-
ply is used, ground if a -5.2 volt suppiy is
used). Figure 1 1 illustraces this principie.
INFORMATION
(preferable over RF switching with a mltiple
crystal system, and a broad range of tuning (up
to 150 MHz, the range being set by the varactor
diode).
The output frequency of the synthesizer
loop is determined by the reference frequency
and the number programmed ac the program-
mable counter; f o u t = Nf r e f. The channei
spacing is equal to frequency ( f r e f ) .
For additional Information on applications
and designs for phase locked-Ioops and digital
frequency synthesizers. see Moiorola Applica-
tion Notes A N - 5 3 2 A , AN-535, AN-553, AN-
564 or AN594.
4-8
MC1648/MC1648M
FIGURE 9 - TYPICAL FREQUENCY SYNTHESIZER APPLICATION
Figure 1 O shows tha MC1648 n the variable frequency
mode op^rating from a +5.0 Vdc supply. To obtain a sine
wave at the output, a resistor is added from the AGC
circuit [pin 5) to V.
Figure 11 shows the MCI 648 n the variable frequency
mode operating from a +5.0 Vdc supply. To extend the
usaful range of he devce (maintain a square wave output
above 175 MHz), a resistor is added to the AGC circu: ai
pin 5 (1 k-ohm mnimum).
FIGURE 10-METHODOFOBTAINING A SINE-WA VE OUTPUT
4-9
N No * P A
Figure 12 shows he MC1648 operating from +5.0 Vdc
and +9.0 Vdc pcuver supplies. This permhs a higher voltage
swing and hightr output power than is possible from the
MECL outpm (pin 31. Plots o output power versus total
collector load resisiance at pin 1 are giv*;n m Figures 13
and 14 for 100 MHz and 10 MHz opdration. The total
collector load includes R in parallel with Rp of Ll and
Cl at resonance. The optimum valu or R at 100 MHz is
approximately 850 ohms.
FIGURE 11 - METHOD OF EXTENOINGTHE USE FUL RANGE
OF THE MC1G48 (SQUARE WAVE OUTPUT)
POWER OUTPUT (inW RMS)
-* M U t O 01 J n
o n o w
M O U *
T O T A L C OLLECTOR L O A Q { o n m i |
o r 3; 3 r r - en
U KJ -o 31 n u
10.0OO 1000 100 10
k < 5 o ' 3 b " co
6 - ~ tn o , G.
' 0 ? - < I 0
.ES " MM3 U
ui Sc
^ 3 5- a , * * Dr o
s\ X
Q
Q ^ -n _
TI

CT)

00
\
\
X
s
\

X 82
:>f=
Q AWG 3/16" ID
-J
r
1 " 11 klta l O O M H i ReQ nance
k
Cl 1.0 - 7.0 eF

POWEH OUTF'UT (mW RMS)

jure 12. ! l O O M H

> D
H TI
(*'
RF Transistor*
flFTrans/Vfors
2N3866 (continued)
2N3866 (SILICON)
t c = 0.4 A

FIGURE 1 - 400 MHi RF AMPLIFIER CIRCUIT FOR POWER-OUTPUT TEST

NPN silicon transistor, designed for amplifier,. re-

quency-multiplier, or oscillator applications in mili-
lary and industrial equipment. Suitable for uses as out-
CASE 79
put, drlver, or pre~driver stages in VHF and U H F
[TO-3V) equipment.
Colindar connecled to ca e

MXIMUM RATINGS (TA = 2 5 ' C unless otherwlse noted)

Characterisic Symbol Rating Unit

Collecir-Emitler VolUge 30 Vdc ,
V CRO
-K-B.3/I-W.
Collecior-Base Voltaje 55 Vdc
V CB

Emltter-Base Vollage 3.5 Vdc

V EB

Collt-ctor Current 0.4 Ainp

lc FIGURE 2-POWER OUTPUTversus FREQUENCY FIGURE A - PARALLEL 1NPUT RES1STANC
Total Dfivice Dlsslpatlon @ TC = 25C 5 Watts (Class C) CAPACITAHCE versus FREQUENCY (Cias
PD

E>erate above 25*C 28.6 mW/C

Oiierang and Storage Junction

Temperature Rangc T -65 to -t200 "C
j- T ale

ELECTRICAL CHARACTERISTICS O> = 25'C unless otherwise noted)

diaracUilic Symbol Mn Typ Max Unil

Orr CHARACTERISTICS
ColIrclor-KrnllUr ttjMilnlnt VulUfc Vdc
I1VCEO{u.)
(lc - i mXdc, I u - 0) 30

_ Vdc
nv ci.a ni
t l K - o , l c - o . l "A.ie)
Vdc
I1V EDO
(l EC -0.]*mWr, l c - 0 ] i.a
Colleclor Culoll Currcnl fjA
'CEO 10 FIGURE 3 - POWER OUTPUT vcrsus POWER INPUT FIGURE 5 - PARALLEL OUTPUT CAPACI
(VCi.-"Vdc. I B - O )
C) versus FREQUENCY (Ciass C)
ON CHARAaERISTICS
DCCurr.nl Cun FE
|I C -Q.3 Adc, V CE - 5 Vdc) a 'el - 11 '
(i c -0.0i Adc, V C E - 1 Vdc] 10 . 300 - W1I1 ft C&uro31D WBK 111 ID C
DYHAWIC CHARACTERI5TIC5
Currtn(-r~iln Bsndwldlh Prwiucl _ MHi
'T BOO.
(l c - 3i mArfc, V CE - 11 Vdc, 1 - 300 MHi) ^\
Out|l CipaclUnct c* 3.0 PF
(V CB - 30 Vdc, !E - 0, f - 1 Mili) 1.0
U wns
 (*'
RF Transs/ors
Transsiors
2N3866(continued) 2N3866 (contnued)
y PARAMETER VARIAT1ONS

FIGURE 6 - SMALL-SIGNAL CURRENT GAIN FIGURE 7-OUTPUT CAPACITANCE

versus FREQUENC.Y versus COLLECTOR VOLTAGE FIGURE 11-SMALL-SIGNAL 1NPUT ADMITTANCE FIGURE 13-SMALL-SIGNAL FORWARD TRANS
versus COLLECTOR CURRENT ADMITAME versus COLLECTOR CURRENT
2K 1
^ -^
Vr -. Y*
\ 1 - Aik
X Va - IDV
to *
- 1 S V Je - |0 -r-
\ -700 IH "*~
J\1 -b,.
\ HJW
/*
V
S Va - lOVfc
-ISVic """"
^
s^\ *.fcj . V 1 - OOMUj
N ^^
1 ^
S. I L.
\ ^ =* 5 -* i
*z ^

M U M ICO *00 (00 K 1DOQ 10 ]S JO
Vcl. CCKIW-MSt VDUtC 1VW ! \* ^^ .
-V- -W
d. lu ti.
^r:
b - -w
0
^s ,
-170
M 0 O 40 M 10
lc,C(Xl[ElCCUBS[ll(mWcl
ic.coaicion aiRRiNi imUc
FIGURE 8 - T versus COLLECTOR CURRENT FIGU RE 12-SMALL-SIGNAL REVERSE TRANSFEF FIGUfIE 14 - SMALL-SIGNAL OUTPUT ADMITT
A DMIHANCE versus COLLECTOR CURRENT versus COLLECTOR CURRENT
i TO

V - lOVic Ve, - inv if.

? ' ~ISYfc 1S
1 - 100 MH ~ Va- Vdc
1 - OO MH

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-^ "
n . ._ -L, I-.
FIGURE 10-DC CURRENT GAIN (0 W 10
FIGURE 9 - iv Ce versus COLLECTOR CURRENT versus COLLECTOR CURRENT 1C.CCWC1M CUSRW! Miel
loCOHfClOflCUffiNIl^W]

DESIGN NOTE
Figures U Ihrough 18 show small-slgnal admittance-parameer data. This dala can be used f
Class A arnplifier deslgns.

B w For Class C power-ampl(er desiens, the small-signal parameters are not applicablu. Figures A a
5 EVC parallel output capacitance and the parallel nput resistance and capacitance for Class C pow
amplifier operation.

The parallel resistive portion o the collector load Impedance or a power amplifer, R t ', may b
10 C
computed by assuming a peak voltage swng equal to Vcc, and using Ihe expression
 RF Transislors
RF Transsfors

2N3866(contnued)
2N3924thru2N3927 V CB = 36 V
l c = 0.5-3.0 A
P 0 = 7.0-23.2
y PARAMETER VARIATIONS -i
(VcE=15 Vdc, le =80 mAdc, TA = 25'C) NPN silcon annular RF power traiisistors, opti
mized for large-signi power-amplLfier aiid drive
FIGURE 15 - SMALL-SIGNAL INPUT ADMITTAHCE FIGURE 17 - SMALL-S1GNAL FORWARD TRANSFER applications, fealure a wide cholee of power levi
versus FREQ.UENCY ADMITTANCE versus FREQUENCY

'Colleclor connecled )o ca
ilud hoUled rom c*ie
\d 70 1M
"Emitter connoctod lo c i t e
ilud iiolitod from c i t e

'CASE 79 'CASE 24 * * C A S E 30
(TO-39) (TO-102) (TO-60)
2N3924 2N3925 2N392
2 N 39 27

MXIMUM RAT1NGS (TA= 25'C unless othenvise noted)

200 300 Characterislic Symbol 2N3942 2N3"925 2N3926 2N3927 Unit

t WHil

Collector-Base Voltage 36 36 36 36 Vdc

V CB

Emter-Base Voltage 4 4 4 4 Vdc

V EB

Collector-Emitter Voltage 18 18 18 18 Vdc

V CEO
FIGURE 16-SMALL-SIGNAL REVERSE TRANSFER FIGURE 18-SMALL-SIGNAL OUTPUT ADMITTANCE
rnrnllnir>u Colleclor Current
versus FREQUENCY ]C
0.5- 1.0 1.5 3.0 Adc
ADMITTANCE versus FREQUENCY
Power DiBsipation @ T p = 25C 7.0 10 11.6 23.2 Wats
PD
Derate above 25C u 40 57.1 66.3 132.5 mW/C
Junctioii Temperatura OG
TJ

Storage Tcmperature Range T o +200 c

J Elg
1
a ) FIGURE 1 175 me TEST CIRCUIT FIGURE 2 PULSE TEST CIRCUIT

C,

O ' JO 100 ?00 300

(.fRfOUtNCYWKi)

" +Vcc-
IJ.Vie
 MV2115 (SILICON)

vvc-WI-
VOLTAGE-VARIABLE
CAPACITANCE DIODES

6.B-100pF
30 VOLTS
SILICON EPICAP DIODES

. . . dsigned n the popular PLSTIC PACKAGE for high volumt

retiuiremKntsof FM Radio and TV tuning and AFC, general frequency
control and tuning applications; providing solid-stalt; reliability in
rtjjlacerneni o mechanical tuning mtthuds.

Hlgh Q wih Guarantccd Minimurn Vaiues

Controllcd and Unifonn Tuniny Ratio
Standard Capacitance Tolurancc- 10%
Complete Typical Design Curves
Casu TO-92 with Two Luads

MXIMUM RATINGS
Raling Symbol ValuB Unil

Reverse Voltai^; VR 30 Volis

Fowaid Curicni 'F 200 mA

Device Dissijaiion ?TA ' 25C PD 230 mW

Deraie aboue 25C 2.8 mVV/C

Junction Temoctatufc TJ + 125 C

Slorage Temjjeraiuie Rang T sig -G5 ID M50 c

/..J. ,.

3-991
MV2101 thru MV2115 (continuad)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25C unless oiherv/ise noted)

CharcirinicAII Typi Symbo Min Typ Max IWt

Reversa Breakdown Voltaje ev R 30 - - Vc

(IR - lOfiAdc)

Rever Voltaje Leakage Curren! IR ~ 0.10 yAdc

|VR - 2 S Vdc, T A - 2 5 C )

Series Inductance LS ~ 6.0 nH

(! 250 MHz.Lead Length = 1 /1 6")

Casi Capacitante cc ~* 0.18 - PF

(f 1 .0 MHz, Lead Length ^ 1 /1 6")

Diode Capacitante Tamperature Coefficient TCC " 280 JOO Ppnv^C

(V R - 4.0 Vdc. f - 1.0 MHz)

Cj. Diode Capacitance Q, Figure of Mein TR. Tuomg Rano

V R =4.0 Vdc. [ * 1.0 MH VR - d.O Vdc, C2'C30
PF ! = 50 MHz t f = 1,0 MH*
Dtvice | Min | Nom Max Min M,n Typ M~

UV2101 6.1 6.8 7.5 4.O 2.5 2.7 37

MV2102 7.4 8.2 9.0 SO 2 5 2.8 37
WV2103 90 10.0 11.0 400 2.5 2.9 3?
MV2104 108 12.0 13.2 400 2.5 2.9 37
MV710S 13.5 15.0 16.5 400 2.5 2.9 37
MV2106 162 ia.o l.a 350 2.5 2.9 37
WV2107 19.B 22.0 24.? 300 2.5 2.9 37
MV2108 21.3 27.0 23.7 300 ! 2.5 3.0 37
MV2109 29.7 33.0 3G.3 200 ! 2.5 3.0 37
MV2110 35.1 39.0 4?9 150 2.5 3.0 37
MV21 1 1 42.3 17.0 bl.7 150 2.5 . 3.0 37
MV2112 50.4 56.0 G1. IbO 2.G 3.0 33
MV2113 61.? 68.0 74.a 150 2G 3.0 33
MV2J14 73.8 82.0 90.2 100 20 3.0 33
MV2115 900 100.0 1100 100 2.6 ' 3.0 33

PARAMETER TESTMSTHODS

i. LS.SRIES NDUCTANCE 5. Q, PIGUREOFMERIT

LS ii measuced on a shoned pacfcaoa al 250 MHz using an Q s calculated by laking the G and C readinga o >n (
Impdanos bridpe (Boonton flado Model 250A RX Meter). brdge at the specified Ifequeticy and substituting n P**
equations;

2. Ce, CASE CAPACTANCE

Q- ,
CQ ii(peasuredonanopn paclcageat 1.0 MHz using acaoacitanca G
[Boonton Elecironci Model 75A or equivalent).
(Boonion Elettronici Model 33AS3). Usa Ud Ltnfvn - 1/"
G. TCC, DIODECAPACITANCETEMPERATUReCOErf'ICKHl
3, CT. OIODE CAPACTANCE TCC s guafanteed by comparing CT al VR - *.0 V<*C I - ' *
fC-- "Ce * Cj). CT ls maiUfe-d st 1.0 MHz uiing a capacitance MHz, T A - -65Cv,m CT at VR - 4.0 Vdc, - 1,0 WHi. U*
bridge (Boonton Elecirania Model 75A or equvalent). + 85C In the (olloyvlnq equation vvhfcri defin TCc

C-rl*35Cl - CTI-65CI JO6

4. TR.TUNING RATIO TCc" 35 + 65 "c|25C)
TR s the ratio of Cf m^asured at 2.0 Vdc divided by Cj measured
Accuracy Ilmiied by nxasufenent o C~f to i 0.1

'3-992
MV2101 thru MV2115 (continued)

TYPICAL DEVICE PERFORMANCE

FIGURE 1-DIODE CAPACTANOS versui REVERSE VOLTAGE

1.0 *.Q
VR, REVERSE VOLTAGE IVOLTS]

FIGURE 2 - NORMALIZED DIODE CAPACITANCE FIGURE 3 - REVERSE CURRENT

verws JUNCTION TEMPERATURE venu REVERSE BIAS VOLTAGE

w
. 5.0
2.0 TA ;sc -
1.0
D.50

: Q.20
D.10
0.05

0.02
0.01
-25 O 25 50 75 1QD 125

Tj.JUNCTIOrJTEMPEHATUR(C) n, REVERSE VOLTAGE [VOLTS)

FIGURE 4 - FIGURE OF MERIT veraui REVERSE VOUTAGE FIGURE 5 - FIGURE OF MERIT varaui FREQUENCY

:.0 5.0 10 20 30
Vfl. REVERSE VOLTACE (VOLTS! I.FHEQUeNCY(MHr)

3-993
 NETWORK B
The followlng ls a computer solution or the P nefwork when RLequals 50 otuns.

XL
. ,. ^~v-^ . n n rn nrsir.N A NETWORK TTSTKT. THF T A R I rs

L5 i i-reo
R c ut " X C!
(SeSte P 2)
I1
-pXC2
~ T
KL
50 1-
> 1.

2.
Define Q, in column one, as H./X
l
C. actual ts equal to C. - parallel C
C1
.

of device to
be1 matched. * out

DEVICE TO BE z" = =" 3. This completes the necwork.

MATCHED

Q XC1 XC2 XL Rl
Q XC1 X C2 XL Rl
Q X C1 XC2 XL Rl

i 1 5.03 5.47 1 3 0.33 2.24 2.53 1 5 20 14.43 32.55 100

l 2 7.14 8 2 3 0.67 3.17 3.76 2 5 25 16.31 38.78 125
l 3 a. 79 10.03 3 3 1 3. 88 4.76 3 5 30 18.06 44.82 150
i 4 10.21 11.8 4 3 1.33 4.49 5.65 i 5 35 19.72 50.72 175
l 5 11.47 13.4 5 3 1.67 5,03 6.47 5 5 40 21.32 56.5 200
i 10 16.67 20 10 3 3.33 7.14 10 10 5 45 22.87 62. 13 225
l 15 21 25.35 15 3 5 8.79 13.03 15 5 50 24.4 67.78 250
l 20 25 30 20 3 6.67 10.21 15.8 20 5 60 27.39 78.76 300
l 25 28.87 34. 15 25 3 8.33 11.47 18.4 25 5 80 33.33 100 400
l 30 32.73 37.91 30 3 10 12.63 20.87 30 5 100 39.53 120.48 500
l 35 36.69 41.35 35 3 11.67 13.72 23.26 35 5 120 46.29 140.31 600
l 40 40.82 44.49 40 3 ' 13.33 14.74 25.56 40 5 140 54.01 159.54 700
l 45 45.23 47.37 45 3 15 15.72 27.81 45 5 160 63.25 178.17 800
i 50 50 50 50 3 16.67 16.67 30 50 5 180 75 196. 15 900
i 55 55.28 52.37 55 3 18.33 17.58 32. 14 55 5 200 91.29 213.37 1000
i 60 61.24 54.49 60 3 20 18.46 34.25 60 5 220 117.26 229.58 1100
l 65 68.14 56.35 65 3 21.67 19.33 36.32 65 5 240 173.21 2 4 4 . 0 9 1200
l 70 76. 38 57. 91 70 3 23. 33 20. 17 38. 35 70
l 75 86.6 59.15 75 3 25 21 40.35 75 6 0.17 1.16 1.32 1
i 80 100 60 80 3 26.67 21.82 42.33 80 6 4.17 5.85 9.83 25
1 85 119.02 60.35 85 3 28.33 22.63 44.28 85 8 8.33 8.33 16.22 50
i 90 150 60 90 3 30 23.43 46.21 90 6 12.5 10.28 22.02 75
3 31. 67 24.22 48. 12 95 5 16.67 11.95 27.52 100
2 0.5 3.17 3.56 1 3 33.33 25 50 100 6 20.83 13.46 32.82 125
2 1 4.49 5.25 2 3 41.67 28.87 59.12 125 14.85
6 25 37.97 150
2 1.5 5.51 6.64 3 3 50 32.73 67.91 150
2 6 29. 17 16. 16 43.01 175
2 6.38 7.87 4 3 58.33 36.69 76.35 175 6 33.33 17.41 47.96 200
2 2.5 7. 14 9 - 5 40.82 64,49 200
3 66.67 6 37.5 18.61 52.83 225
2 5 10.21 13.8 10 3 75 45.23 92.37 225 6 19.76
41.67 57.63 250
2 7,5 12. G3 17.87 15 3 83.33 50 100 250 6 50 22 67.08 300
2 10 14.74 21.56 20 0 66. 67 26.26 85. 45 400
2 12.5 16.67 25 25
6 83.33 30.43 500
4 6.25 8.7 14.33 25 103.29
2 15 18.46 28.25 30 34.64
4 12.5 12.5 23.53 50 6 100 120.7 600
2 17.5 20. 17 31.35 35 6 116.67 39.01 137.76 700
4 18.75 15.55 31.83 75
2 20 21.32 34.33 40 43.64
4 25 18.26 39.64 100 6 133.33 154.5 800
2 22.5 23.43 37.21 45
2 4 31.25 20.76 47.12 125 6 150 48.67 170.94 900
25 25 40 50
2 4 37.5 23. 15 54.36 150 S 166.67 54.23 187.08 1000
27.5 26.55 42.71 55
4 43.75 25.46 61.39 175 6 183.33 60.55 202.93 100
2 30 28.1 45.35 60 67.94
4 50 27.74 68.27 200 6 200 218.46 200
2 32.5 29.64 47.93 65
2 4 56.25 30 75 225 6 216.67 76.87 233.66 300
35 31. 18 50.45 70
4 62.5 32.27 B1.61 250 6 233.33 88. 19 248.48 400
2 37.5 32.73 52,91 75
4 75 36.93 94.48 300 6 250 103.51 262.83 500
2 40 34.3 55.32 80
4 100 47.14 119.07 400 6 266.67 126.49 276.55 600
2 42.5 35.89 57.69 85
4 125 59.76 142.25 500 6 283.33 168.33 289.32 700
2 45 37.5 60 90
4 150 77.46 163.96 600 6 300 300 300 800
2 47.5 39. 14 62.27 95
50 40.82 64.49 100 4 175 108. 01 183.77 700
7 0.14 1 1.14 1
2
75 4 200 200 200 800 7 3.57 5.03 B.47 25
2 62.5 50 125
2 75 61.24 84.49 150 5 0.2 1.39 1.58 1 7 7.14 7.14 14 50
2 87.5 76.38 92.91 175 5 5 7 11.67 25 7 10.71 8.79 19.03 75
y. 100
112.5
100 100
105
200
225
5 10 10 19.23 50 7
7
14.29
17,86
10.21
11.47
23.8
28.4
100
125
2 150 5 15 12.37 26.08 75

20-39
Q Q Q X C1 X C2 XL Rl
XC1 X C2 XL Rl XC1 X C2 XL Hl

7 21.43 12.63 32.87 150 10 0.1 0.7 0.8 1 16 18.75 7.73 26.23 300
7 25 13.72 37.26 175 10 5 5 9.9 50 16 25 8.96 33.59 400
7 28.57 14.74 41.56 200 10 10 7.11 16.87 100 16 31.25 10.06 40.8 500
7 32.14 15,72 45.81 225 10 15 8.75 23.34 150 16 37.5 11.07 47.9 600
7 35.71 16.67 50 250 10 20 10.15 29.55 200 16 43.75 12 54.93 700
7 42.86 18.46 58.25 300 10 25 11.41 35.6 250 16 50 12.68 61.89 800
7 57.14 21.82 74.33 400 10 30 12.57 41.52 300 16 56.25 13.72 68.79 900
7 71.43 25 90 sod 10 40 14.66 53.11 400 16 62.5 14.52 75.65 1000
7 85.71 28.1 105.35 600 10 50 16.57 64.44 500 16 75 16.05 89.26 1200
7 100 31.18 120.45 700 10 60 18.36 75.58 600 16 87. S 17.48 102.74 1400
7 114.29 34.3 135.32 800 10 70 20.06 86.58 700 16 100 18.86 116.12 1600
7 128.57 37.5 150 900 10 30 21.69 97.46 800 16 112.5 20.18 129.42 1800
7 142.86 40.82 164.49 1000 10 90 23.28 108.24 900 16 125 21.47 142.64 2000
7 171.43 48.04 192.98 1200 10 100 24.85 118.94 1000 16 137.5 22.73 155.8 2200
7 200 56.41 220.82 1400 10 120 27.91 140.09 1200 16 150 23.96 168.9 2400
7 228.57 66.67 248 1600 10 140 30.97 161 1400 16 162.5 25.18 181.95 2600
7 57.14 80.18 274.45 1800 10 160 34.05 181.68 1600 16 175 26.39 194.96 "2800
7 85.71 100 300 2000 10 180 37.21 202.17 1300 16 187.5 27.59 207.92 3000
7 314.29 135.4 324.25 2200 10 200 40.49 222.47 2000 16 218.75 30.59 240. 16 35O
7 342.86 244.95 345.8 2400 10 220 43.93 242.61 2200 16- 250 33.61 272. 18 4000
10 240 47.58 262.59 2400 16 231.25 36.71 304.01 4500
16 312.5 39.9 335.66 5000
8 0.13 0.88 1 1 16 343.75 43.25 367.15 5500
3 3.13 4.4 7.45 25 12 25 10.39 34.79 300 16 375 46.8 398.49 6000
D 6.13 6 .* 3
) 12 31 50 12 33.33 12.08 44.52 400 18 16.67
8 9.38 7.68 16.74 75 6.86 23.35 300
12 41.67 13.61 54.05 500 18 22. 22 7.94
8 12.5 8.91 20.94 100 29.9 400
12 50 15.02 63.43 600 18 27.78 8.91
8 15.63 10 25 125 12 58.33 16.35 72.7 36.33 500
700 18 33.33 9.79 42.66 600
8 18.75 11 28.95 150 12 66.67 17.61 81.87 800
8 21.88 11.93 32.82 175 18 38.39 10.61 48.92 700
12 75 18.82 90.97 900 18 55. 13
8 2S 12.8 36.63 200 12 83.33 20 100 44.44 11.38 300
1000 18 50 12. 11 61.28
8 28.13 13.64 40.38 225 12 100 900
22.27 117.89 1200 18 55. 56 12.8
8 31.25 14.43 44.09 250 67.4 1000
12 116.67 24.46 135.6 1400 18 66.67
8 37.5 15.94 51.4 300 12 133.33 26.61 153.15 1600 14. 12 79.54 1200
8 50 18.73 65.66 400 18 77.78 15.35 91.57 1400
'12 150 23.73 170.57 1800 18 88.89
8 62.5 21.32 79.58 500 16.52 103.51 1600
12 166.67 30.86 187.86 2000 18 100 17.65
8 75 23.79 93.25 600 12 183.33 33 205.06 2200 115.38 1800
8 87.5 26.2 106.71 700 18 111.11 18.73 127.2 2000
12 200 35.17 222. 15 2400 18 122.22
8 100 28.57 120 800 19.79 138.95 2200
12 216.67 37.39 239.16 2600 18 133.33 20.81 150.66
8 112.5 30.94 133.14 900 12 233.33 39.66 2400
256.07 2800 18 144.44 21.82 162.33 2600
8 125 33.33 146. 15 1000 12 250 42.01 272.9 3000
8 150 38.25 171.82 1200 18 155.56 22.81 173.96 2800
12 291.67 48. 3 314.64 3500 18 166.67 23.79 185.55
3 175 43.5 197.07 1400 12 333.33 355.9 3000
55.47 4000
a 200 49.24 221.92 1600 12 375 63.96 396.67 4500
18 194.44 26.2 214.4 3500
8 225 55.71 246.39 1800 18 222.22 28.57 243.08 4000
12 416.67 74.54 436.92 5000
8 250 63.25 270.48 2000 12 453.33 88.64 476.57 5500
ia 250 30.94 271.6 4500
8 275 72.37 294.15 2200 18 277.78 33.33 300 5000
12 500 109.54 515.44 6000 18
8 300 84.02 317.36 2400 305.56 35.76 323.27 5500
18 333.33 38.25 356.44 6000
14 21.43 8.86 29.91 300 20 15 6. 16 21.03 300
9 8.33 6.83 14.93 75 14 28.57 10.29 38.3 400 20 20 7.13 26.94 400
9 11.11 7.91 18.69 100 14 35.71 11.56 46.51 500 20 25 8 32.73 500
9 13.89 8.87 22.32 125 14 42.86 12.73 54.6 600 20 30 8.78 38.44 600
9 16.67 9.74 25.85 150 14 50 13.83 62.59 700 20 35 9.51 44.09 700
9 19.44 10.56 29.31 175 14 57.14 14.87 70.51 800 20 40 10.19 49.69 800
9 22.22 11.32 32.72 200 14 64.29 15.86 78.37 900 20 45 10.84 55.24 900
9 25 12.05 36,08 225 14 71.43 16.81 86.17 1000 20 50 11.46 60.76 1000
9 27.78 12.74 39.4 250 14 85.71 18.62 101.63 1200 20 50 12.62 71.71 1200
9 33.33 14.05 45.95 300 14 100 20.35 116.95 1400 20 70 13.7 82.57 1400
9 44.44 16.44 58.74 400 14 114.29 22.02 132.15 1600 20 80 14.72 93.35 1600
9 55.56 18.63 71.24 500 14 128.57 23.64 147.24 1800 20 90 15.7 104.07 1800
9 66.67 20.7 83.53 600 14 142.86 25.24 162.25 2000 20 100 16.64 114.73 2000
9 77.78 22.69 95.64 700 14 157. 14 26.81 177. 17 2200 20 110 17.55 125.35 2200
9 88.89 24.62 107.62 800 14 171.43 28.38 192.02 2400 20 120 18.44 135.93 2400
9* 100 26.52 119.48 900 14 185.71 29.94 206.81 2600 20 130 19.3 146.47 2600
9 111.11 28.4 131.23 1000 14 200 31.51 221.54 2800 20 140 20.14 156.98 2800
9 133.33 32.16 154.46 1200 14 214.29 33.09 236.21 3000 20 150 20.97 167.46 3000
9 155.56 36 177.37 1400 14 250 37.12 272.66 3500 20 175 22.99 193.54 3500
9 177.78 40 200 1600 14 285.71 41.34 308.82 4000 20 200 24.96 219.48 4000
9 200 44.23 222.37 1800 14 321.43 45.86 344.7 4500 20 225 26.9 245.3 4500
9 222.22 48.8 244.5 2000 14 357.14 50.77 380.33 5000 20 250 28.82 271.01 5000
9 244.44 53.8 268.4 2200 14 392.86 56.22 415.69 5500 20 275 30.74 296.62 5500
9 266.67 59.41 288.05 2400 14 428.57 62.42 450.79 6000 20 300 32.67 322. 15 6000

20-40
 National Semiconductor i
LM381A Dual Preamplifier Application Note 70 -N
for Ultra-Low Joe E. Byerly O
Noise Applications Dennis Bonn
August 1972

OJ
co
INTRODUCTION

The LM381A is a dual preamplifier expressiy de- Figures 2A and 26 show the wide-band [10 H"z o
sgned to mee: the requrements of amplifyng low 10 kHz) input noise voltage and input noise cur- c
level signis in noise critical applications. Such rent versus collector current for the single ended QJ
applications include hydrophones, scientfic and
instrumentation recorders, low level wideband gain
blocks, tape recorders, studio sound equipment, O)'
etc. CU
The LM3S1A can be externaliy based for optimum 3
_ noise performance n ultra-low noise applications.
VVhen thsisdone che LM381A provides a wideband,
high gain amplifer with noise performance that
exceeds that of todays best transistors. cu
i
The amplfier can be operated n either the dffer- t
ential or single ended nput confguration. How- o
-1
ever, for optimum noise performance, the nput
must be operated single ended, since both transis-
tors contribute noise in a differential stage, de-
FIGURE2A. Widfaand EquivJ*nt Inpot fJoi
vi Callecior Curtnt
c
It-
gradng input noise by the factor A/2. A second -1
consideraron s the design of the input bias cir- 01
I
cuitry. Both the load and bssng elements mus: r*
be resistive, snce active components would each o
contnbute additional noise equal to that of the
input device. Thirdly, ihe current densty of the
input device should be optimized for the source
resistance of the input transducer.

Figure 1 shows the schematic diagram of one

channel of LM381A [a detailed explanation of the CU
ja H tM lu na 121
circuit operation s given in appcation note
AN-64). To oprate the npuc single ended, tran-
>
~O
sistor Q2 is turned OFr by returning the base of FIGURE 28. Wkebsnd EquivaNnt Input NOM Currant
Q2 [Pins 2, 13) to ground. vs Collectoc Curreni
O
QJ
rf
o'
ZJ
V)

FIGURE 1. LM3S1ASchm4ticDsrain

AN70-1
inpu: configuraron of the LM381A. Total input
nose of the amplifer is found by:

ET = B.W. (1)

Where:

en = amplifer noise voltageA/Hz

in = amplifier noise curren tA/Hz"

Rs = source resistance fi

k = Boltzmann's constant = 1.38 x 10'2

J/K

T = source resstance temperature K

B.W. = nose bandwidth

Figure 3 shows a plot of input transistor (C^) col-

lector current versus source resstancfi for optimum
noise performance of the LM381A. For source
impedances less than 3 kH the noise voltage term
{e n j dominates and the input s based at 170iA
whch s optimum for noise voltage. In the regin FIGUfl E 4. LM331A wiih aasng Componenti for
between 3 kH and 15 kfi, both the en and inRs InCfeasing O] Currtml Densiiy
terms contribute and the nput should be biased
as indicated by Figure 3. Above 15 kO, the nfls
term s dominan: and the amplifier s operaied Since resistors Rj and R 3 are biased from the
without additional external biasing. ' power supply, the decaupling capacitor, C l f is
required to preserve supply rejection. The valu
pf CT s given by;

10
(3)

Where:
P.S.R. = Supply rejection in referred to
E.IQtQ 1U; l V L Mil
input
!!! l SV 10* Di i IDi fs = Frequency of supply ripple
flllil-
AT = Voltage gain of first stage

FIGURE 3. Col laclar Curren! vi Sourca Rasiswnca
for Opiimum Noiw performanca
Figure 4 shows the input stage of the LM381A with
the external components added to ncrease the
current density of transistor Q,, Resistors f\- and
fl2 supply the additonal current (I2) to the exist-
ng collector current (I,) which is approxmately
As R! becomes smaller capacitor C-, ncreases for
a given power supply re|ection rario. Conversely,
as R 2 becomes smaller the gain of the nput stage
decreases, adversely affecting noise performance.
For the range of collector currents over which the
LM3S1A is operating, a reasonable compromise is
obtained with:
R2 = 3 14J

The sum of resistors R T d R 2 is given by: The gain of the input stage s:

R Vs-2.1 ( 2 x 10 5 ]R-,
(2)
Ic-ISxlQ-6 105
A, = (5)
1 " .026 1
For DC consideradora, only the sum (Rj + R 2 ) s
importan!. When considering the AC effects, how- le 1 . 1 . 1
ever, the vales of R 1 and R2 become significan!.

AN70-2
 Resistor dvider R|/R3 provides negative DC feed-
C-, = -4 x 10'12 (11)
back around the amplifier establishing the quies-
i .026 \
cent operaling point. Rf is found by; 102D

1 f V s R 3 x 104 Where:
2 x 104) + lc (R: x l O 4 )
l.55{R 3 + j f-) = high frequency 3 dB crner
Ic = Q! collectar current
R a x 10*
(6) A = mid band gain dB
R 3 r 1 x lO4
Example: Design an ultra-low noise preamplfier
For DC stability let: with a gain of 1,000 ooarating from a 24 volt
supply and a OQH source impedance. Bandwidth
R 3 = 1 kCl Mximum (7) of interest is 20 Hz to 10 kHz.

R can then be found from: 1. From Figure 3 the optimum collector cur-
rent for 6GOn source resistance is 170 A.
2. From equation (2),
-910 (8)
2 6.05 X 103+ I C X 107
V s -2.1
! + R2 =
Sx 10"6
Where:
V s = Supply Voltage 24 - 2.1

lc = Q! Collector Current (170- 18J x

The AC closed loop gain is set by the ratio: R! +fl a = 1.44 x 105.

3. From equaion |4],

(Rf + RJ/R* (9)
_ 1.44 x 1Q5
Capacitor C2 sets the low requency 3 dB crner 1.08 x 105
2 " ' 1.333
where:
R 2 ~100kn,
(10}
R j 3 6 x 1 0 "^ 39 x2.

4. From equation (7) let Rs = 1

5. From equation (8),

V3 x 107
-910
6.05 x 103r l c x 107

1 24 x 107
R f = r- -910
* [ 6.05 x 1Q 3 T 1.7 x 10'

R f = 2.67 x lO J ^27k.Q.

5, For a gain of 1,000; equation (9),

.,. .
Amplifier Gain = = 1,000
RA

27 x 103
HA = = ^7
103

PICURE 5. Singla Endad Input Confiouration wlti

Exiernal Biairng Comporwnti
7. For a low crner frequency, f0, of 20 Hz;
equation (10).
1 1
Figure 5 shows the LM3S1A in the single ended ^ " 2^f 0 R 4 6.28 x 20 x 27.
input configuration with ihe additional biasing
components. Capacitor C3 may be added to limil
the amplifier bandwidth to the frequency range of = 2.95 x
inters!, thus elminating excess noise outside ihe
p9ftnent bandwidth. C2 * 300 jiF.

AN70-3
8. From equation (51 the gain of the input
stage s:

( 2 x 10r\Si
S) R 2

R, + 2 x 105
AI =
.026 s~T^ U.F
1 . 1

2 x 1Q5 x 10S

1Q5-r2x1Q5
A, =
1 .026 1

1.7xlO-4
_
104 103
_
27
FIGURE 6. Typical Appllcation wth Incrsis*d Current
9. For 100 dB supply rejecton at 120 Hz.
Danuty of lnp<Jl Su^a
Equation (3),

Total Wideband =4.37xl0-7v_

P.S.R. TOO
Noise Voltage
10 20 10"2T __
C, =
2llf R i A i 2:rx 120 x 39 x 10 3 x 372
Wdeband = en2 + (i n R s ) 2
Noise Figure 9 4KTR S
C, = = 9.1 x 1Q-6
1.09 x 1010 9.94 x
= lOIog
9.94 x 10'1S
10/iF.

= l O l o g 1.92 = 2.83 dB.

10. For a high frequency crner, f 1 ( of 10 kHz;
equation (1 1),
CONCLUSIN
C3 =
In applicadons raquiring a wide band, high gain
preampfier where noise performance is critica!,
the LM3S1A is unsurpassed. !n addirion to ultra
low noise performance, the LM381A offers two
C, = -4x completely- independen! amplifiers, each with an
6.28 x 10 4 x 1.53 x 102 x 104 nternal power supply decoupler-regulator provid-
ng 120 dB supply rejection and 60 dB channel
C3 = 6.4 x I0' ia ss6.8 pF. separacin,

The noise performance of the circuir of Figure 6
can be found with the aid of Figures 2A and 2B
and equation (i!. From Figures 2A and 28 the
noise voltage (en) and noise current (in) at 170 pA
l c are: en = 3.0 nVA/RT, n = .72 pAA/Hz". From
equation (1)
Other outstandng features include, hgh gain
(112 dB) large output vokage swing {V s - 2V)
peak to peak, wde supply operating range {9 -
40V], wide power bandwidth (75 kHz, 20 V OSJ ),
internal frequency compensation, and short-crcuit
protection

REFERENCE
ET
J.E. Byeriy and E.L. Long - "LM381 Low Noise
Dua! Preamplfier" National Semiconductor Cor-
\/l!3.0x 10- 9 ) a + [7.2 x 10* 13 x 600)* + 9.94 K 10'18| 10* poration AN-64, May 1972.

AN70-4
o
a Precisin i Waveform1'-;-
Generator/Voltage ;:;
Contrblled Oscilaor;
GENERAL DESCRiPTION ' ; ' [ : : . . - _ FEATURES-- . . "- , : -.
The 1CLB036 Waveform Generapr is monolithic inte- Low Frequency Drift V/lth Temperatura" .
gratecJ crcuit capable of producing high accuracy sina, . 250ppm/ C . . : .- . .
square, triangular, sawooth and pulse waveforms with a Smultaneous Sine, Square, and Trlangle \Vave
mnimum of exernal componens. The (requency (or repet-. Outputs
lion rale) can be selected exernay from .OOiHz to more Low Distorlon 1% (Slne Wave Outpt)
than SOOkHz using eilbgr resistors ~or capacitors, and High Llneafity 0.1% (Trangle. Wave Outpt)
frequericy modulation and jweeoinQ-can be ^ccompjisiiejj Wide Operaling Frequency Range O.OOlHz to
wilh an externa! vllaga. The ICLB038 is fabricaied with .-300kHz
advanced monoiithic technology, usng Schottky-barrier Variable Duty Cycle 2% to 98%
dodes and thin film resistors, and the oulput is stabte over a High Leve! Outputs TTL to.28V
wde range of temperaure and suppiy variations. These Easy to Use Jus A Handful o Extemal
devices may be interfaced with phase Jodied loop circuiry Components Required .
to reduce temperatuie dri/l to less than 25Gppm/C.. .
ORDER1NG INFORMATION
PAHT NUMQER STAB1LITY TEMP. RANGE PACKAGE
icuao33CCXJD 250[)pin/"C !yp - O'C lo +70'C CE.RDIP
ICLS036HCJD 1SOppm/'C typ o"C 10 T?crc CERDIP
ICL6038.ACJO 110ppni/'C ryp rf 0"C le +70*C CERDIP
ICLE033BMJO* 3Oppm/*C max- * . -55'C lo -t-125'C CERDIP
ICLB31AMJD' 2!)0ppm/ *C max -55"C lo t- i25*C CERDIP
ICLSC^S/D ~ - DICE"

/SQ3D lo pn nunibar il 863 processing Is ftiquirci.

ranietPf Um/Max mils gusranleod al 25*C onh- ioi DICE oideis.

CUHflEHT /V
souncE ka

TRIWiGLE r~ SINE WAVE

OUT ADJU3T
DUTT
CYCLE
FROUKHCY
ADJUST
I CAPACITOR
50UARC WA
OUT
TI FM SWEP
INPUT

BUFFEH sme
CONVERTER
1
JLTL.

Figure 1: Functlonal Diagram Figure 2: Pin Confguration

(Outline dwg MD)

5-72 302600-OC
Nolc: All lypical vales have been guaranlad hy charactorization and ara no! c-sled.
ICL8033 :: .' ; . .' -.
ABSOLUTE MAXIMU/ RATiNGS-- "
Supply Voltage (V" to'v+);';;!;;...:...7."7,~'~.7."...'.'36V"":' ' Storage-'Temperatura Rahge".7^~"."f:650C lo'VT50"C'-
Power Dissipation'V.....,.-...-'.'.'.'.,.,.'..,'.,.-'.:;....,.750mVV...'.. ...Operaing Temperatura Rangei-lii^l'jJL1'" "...'. '.'
Input Voltngo (any pin). ;....: ....,.;.....V~ to y T 8038AM, 8038SM.. ....'...:.-55'C lo -i-125C'
Input Currenl (Pns 4 and 5) ; ......' ...... 25rnA . " 8038AC, 803S8C/8038CC ..'."..7,...0C to +70C
Output Snk Currenl {Pns 3 and 9}-; ',. ;.,.25mA-. ' _ Lead Temperatura {Soldering, 10see)-,-.;.;.'. ...300C'

Stresses abova ttiose lislud undef Absolle Mximum Flatings tnay cause permanenl damage to ttie devca. These are stress ratngs only, anc functional
cperaibn o ".ne da-.ice al [nese'ar any clnar conditions abova those ndicaled in Ihe op^ralional sactiotw o lile s?cificationa _fa nol implicd. Exposuie lo
absoluta mximum rating condilions (or extended pariods m&y effect avce [eliabily. . .... .. . _ ___ . ... . .'"' '
NOTE 1: Oerale ce/ain:c package at' 1^.5mV//*C df ambient .lempotaluras atwvfl 100'C '_ _._ . , . ' " .:_.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS or +20V,T A "25 D C. R L - iOkn,.Test Circuit Unless

OlhGfv/iso Spocified) . ' . . . , ' ' .

o38cc.; 8038BC(BM) .-. 803SAC(AM)

SYMBOL GENERAL CHARACTERISTICS; UNIT
MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN ; TYP MAX
VSUPPLY uppl/ Vottage Operatiog Ranga . .
v+ Singlo Supply ' . - ; + 10 + 30 + 10 .. 30 + 10 .... 30 . v . -.
v*. v- Dual Supplias '.'.:' .' 5 i!5 i5 15 5 15 V
. 'SUPPLY Suppl/ Current (Vsui'PLY - 10>.')ta
B03BAM. H03SBM " . . v . 12 15 12 . 15 tnA
S03GAC. 803880, 6038CC 12 . 20 I 12 20 I 12 20 mA
FREQUEKCY CHARACTERISTICS (atl wavefDrms) \
lmai: - j Wa*ir,ium Fiequancy o( Oscllelton. . - . 100 ! 100 100 | KHz .
'sv-^o 1 Srveep Frequency o FM Input 10 10 10 KH: .'
Swcup FM Range[3) 35:t 35.1 35:1.
f:M Llnooilly I0;l Relio 0.5 j 0.2 0.2 %
Hroquoncy Drill Wilh Tmpora tura 's'
AI/AT 250 180 110
03S AC. BC, CC O'C lo 70'C
pp:n/*C
- (1038 AM, BM, ~55'C to 125*C 1
350 250

Fioq-jsncy Onft With Supply Voltage

, t/V 0.05 0.05 0.05 %/V
{Ove Supply Voltagt Ranga)
OUTPUT CHARACTEHISTICS '
Squtiro-Wvo ... _,
IOLK Loal-iio Cuirunl (Vg - 30V}' 1 1 1 M
VS^T Satardtion Vollage (IsiNK " 2mA) ,., 0.2 0.5 I 0.2 0.4 0.2 ' 0.4 V

' ir Risa Time (R[. - 4.7Knj : . ' ' 180 160 180 nn
ii Fall Timo (RL - 4.7K) ' 40 JO . 10 ns
AD TypCJ! Duly Cycio Adjus! (Nole 6} ^ ! !)3 2 98 2 aa %
Trianqle/Sawtooth/namp : 1
VTRIANGLE Afnp!:lud9 (RtHI - lOOkfi) 0.30 0.33 0.30 0.33 0.30 0,33 VSUWLV
j Lineanly 0.1 0.05 - 0.05 %

^OUI Oulpul Impedanca (!ouT ~ 5mA) 200 200 1I . ' 200 L

S[n*-Wavt
VSINE Ampliludfl (RsiNE - lOOh) 0,2 0.22 . 0.2 0.22 0.2 0.22 KV'SUPPLY
THD THD (fl s- IMiljW 2.0 5 1.5 3 1.0 1.5 %
THD THD Adjustod (Us,e Figure 6) 1.5 1.0 1 O.B %

NOTES: 2, R A and RQ cunenls nol Induded.

3. VSUPpi_Y - 20V; HA end Rg - tOhl, [S iokHz nominal; can be eilendtd 1000 lo 1. Sea Figures 7a and 7b.
4. 62kH connecled Iwtv/t'on fxr. 11 and 12. Tuangfe Ouly Cycle sol al 50*-i. (Use R A and Rg.)
5. Figura 3. pins 7 ana 8 connucted, Vsuppt,Y ~ *10V. Sae Typcal Cur-'os or T.C, vs VCU

Noto: AH ' vales have buen gua/anl*^ by charadefiinl-on and are nol losled.
co
co
o
TST CONDITIONS'

1 ! PARAMETER .'' ' r. . , RA ...i; RB ' RU-- 'O \"SVJi '. MEASURE \' -.

Suppiy Cwrnt ;"' . lOk .; i lOk tokl 3.3nF Glosad Cunon; into Pin 6 - -.

Swep FM BangeO) .- ' '! :",_ Mokn r ', 10K IGKfl 3.3nF Gpn 'Fiequenc/ a\n 9 '.' '
Fiequancy Drill witn Temperatura iokn I iokn mil 3.3nF Clos&d- Fifccjuancy al Pin 3
Fequency Dff with Supply Voltage^' "- 10kU ' r - lOftn icki 3.3riF Closed Ftequncy at Pin 8 '
Qutpul Amplilude: Sina ' ' 10W '.. IQXi ' lOkl . 2.3nF Closed Pk-Pk outpul al Pin 2
(Note 4}; Triangfa 10 M . lOkQ 10K . 3.3nF Closed Pk-Pk oulpul a! Pin 3 .- \ Closed

LeaKaga Curient (oli)[3) ! !OV ' lOkl . . 3.3nF

Saluration Voltage (on}{3' 10KH - 10kf 3.3nF Clased . Output (lo-iv) at Pin 9
nise and Fall Times (ola 5) 10kP. . iok 4.?kn 3.3nF Clased Waveorm al Pin 9
Duly Cycls Adjust: MAX 5okn -i.6kl . . lOk 3.3nF . Closfld Wavolorm at Pin 9
(Cile 5) WIN . ~25^n 50V.O lV-fl 3.3nF Glosan . Wauefotm al Pin 9.
Triangle Waveorm Linearity - ioka iokn 10K1 3.3 r,F Glosad Waveform al Pin 3
Tola! Harmonio Distortion . lOkl 10K 10kf! | 3.3nF j Clo&ed Wavaform al Pin 2
pin 8 lo pm 6 (f]0). Olhanvise
appl/ Swocp Vbllaga at pin 6 (2/3 VsuPPLY "*"2V) - '-'SVVEHP - VsuPPLY whafe VsuPPLY '5 llfl 1 lal suppty yoltagg. [n Figure 7b.
pin 6 should vsr/ bsiwaen 5.3V and 1CV _wih. rsped lo ground.
2. i o v < v * <3ov, of sv<VSUPPLY--15V.
3. Oscillaon can be halled oy lorcing pin 10 to 4 5 volts or -5 volls,
4. Oulpul Ampliluda is tested undar slalic condilions by forcing p!ti 10 lo S.OV tnen to -5.0V.
5. Hoi Issted; (or design purposes on!y. ' . . . , _ ' . ' .

DEFINITION OF TERMS: \: 1. Tho h and lo (requeridas can ba oblaina

Supply Voltage (VsupPLY)- The tota! supply voltage from
V " to V"
Supply Current. The supply current requred [rom the
powef supply lo oprate the device, excluding load currents" .
and he currents through RA and RB- ..
Frcquency Range. The (requency rango at he squara
v/ave output through v/hich circuit oporation is guaranteed.
Svveep FM Range. The ralio o rnaxiniurn iequency to
rninimum requency which can be obtained by applying a
sweep voltage to pin 6. For correct operalion, tho swoop
voltage should be withn the range

(2/3 VSUPPLY + 2V) < VEWEEP <VSUPPLY^

FM Linearity. The porcentago dovalion (rom the besl-t
straighl lino on tho control voltagc vcrsus: oulpul requency
curve. Figure 3: Test Crcut
Oulput Amplliude. Tho peak-to-peak signal amplitudo
nppcnring al tho oulpuls.
Saturatlon Voltage. The output voltage at the collector o
23 whon Uiis tiansistor s turnad on. ! is rneasured or a
sinfc currenl o 2mA,
Riso and Fall Times. The time rcquired or the square wove
outpul to changn from 10% to 90%, or 90% to 10%, o ts
fini vala. mt ,, ',
Trsr.gle V/aveorm Linearity. The perceniage dsvialion
(rom the bpst-il straight lino on thorising and alling triangle
wavoform." ","' ' ." -.' ^-^^t-''
Tol^ Harmona Dlstarton. The tota! harmonio distortion
al he sino-wave output.

5-7-1
Mole: All typica! valuos hava beon guaranleod by characlarizaton arxi ara not leslod.
J..-.TYPICAL PERFORMANCE ; CHARACTERSTICS U
.O

TyjTTTfpJ

s 10 is K a 10 ;o j i
. > ttJPPtr VOLTJGE . . - -' TEVPRJLIURE'C '
Q<*XIX:

Performance o the Square-Wave Output

Performance of Triangle-Wave Output

ir
I 1 _, .

jTi..uj"

Performance of Sne-Wave Ouput

121 . . . ,

i -i I

rn 1
-.,.1...,_._.
Ii M'
UHAJUSTEDI I

ICOt-U UH 1C*.Hl IC UKi lOkKtl

FRCQUENCY FHEOUENCY

Note: Ail typica valas riaye btn guaranteed by criaracierizalkMi" and ara not tesied. ' ,
 i' i;
-'f (V
>
"-J:
' rt !
- o 1
cp l
O

Squii:a-Wave Outy Cycle 50% Square-Wavc Duty .Cycle 30%

Figure A: Phase Relationshp of Wavcforms

DETAILED DESCRIPTION ' . ' controis Ihe rising porticn o the triangle and sine-wavo and
(See Figure 1) . . Ihe 1 state o Ihe square-wave.
The magnitude of the triangle-waveform is 301 ai 1/3
An external capacitor C is charged and discharged by two
VSUPPLY: thereore the rising portion of Ihe triangle s,
current sources. Cutront sourco # 2 is s\vtched on and of
by a Ilip-lop, while currenl source #1 is on conlinuously. Cxv c x lo x VSUPPLY x RA 5
Assuniing tha tho Ilip-fop is in a state such that current ti = = -= - F./, >: C
source i? 2 is o, snd the capacitor is charged with a curren
! Va x VSUPPLY 3
1. hs voltage across the capacitor rises linariiy v.-lh time.1. The falling portion of Ihe triangle and sine-wavj and he O
When this volago reaches the leve! o comparatcr # 1 (sst state of the square-wave is:
at 2/3 of the supply vollage), Ihe flip-llop is trigoered,
changos stales, and rolease.1; current source #2. This CxV C x i / 3 vSUppLY
current source normally carries a current 21. thus the
capacitor is discharged with a not-current I and the voltago VSUPFLV VSUPPLY
across i: drops linearly with time. When i has reached tho
lovol o coniparalor # 2 (sol ai 1/3 of tha suppiy volagu),
the the lip-flop is triggerod into its original sato and tho
cyclo slarts again. Thus a 50% duty cycle is achieved whan F '* RB. .
'Four waveforms aro ready obtainable [rom this basic 11 t!o duty-cycd is to be varied ovar a small r moo about
goneralor circuit. With Ihe curran sources sol at I and 21 50% oniy, tho connc-jtion shown in Figuio 5t. is slighlly
rospeclivoly,- tho charge and discharge timos are equal. moro con'.'Giiien. l no adjustment o Iha duty cyclo is
Thus a triangle v/aveform is created across the capacitor cosired, terminis 4 and 5 can be shorted U'tjelher. as
and tho flip-flop produces a square-wavo. Bolh waveforrns snown in Figure 5c. This connection. hov/over, c:ausos an
are cd to bufr slagos and aro availablo al pins 3 and 9. inheronlly Irujoi variation of Iho duiy-cyc-It, fraujuncy, etc.
Wih tv/o seprale timing rosislors, tho liqic:n:y i; ci
Tho levis o! Ihe curren! sources can, however, bo by
selected ovor a wido range v/ilh two oxternal resislors.
Thoroore, wih Iho two crrente set al vales dferonl (rom
I and 21, an asymmeirical sav.looth appears al terminal 3
and pulsos wih a duty cycle from losy than 1% to greator
han 99% are availabe at termina! 9. . 1 *
Tho sne-wave is crealed by eeding the Uianglo-v/ave
into a non-linoar network (sine-convorter). This nelwork
provides a decrcasing shunt-impedanco as thc potonial o! or. i nA
Ihe Iriangle moves toward Ihe v/o extremes.
0.3
f " (or Figure 5a)
WAVEFORM TIMNG RC . -
The symme(/y of all wavoforms can be adjusted with Ihe If a single timing resistor is used (Figuro 5 ^ only), tho
externa/ ming resistors. Two possible ways to accomplish requoncy is
this are shown in Figure 5. Bast results are obtaincd by 0.15
koeping Ihe timing resistors RA and RB seprale (a). R A i _
RC

5-76

Nole; Ali typca! vales have" b&(\d jy charadarization end ai e [\o| t

 - Figure 5: Posslble Connecions or the External Timing Resisors
Neither time or frequency'ar dependen! on supply
'voltage, even though "none o the volages are regulated
Insids the integraed crcuii This is due to the ac that both
currents snd thresholds are direc, linear functions of the
supply voltage and thus their efecs cancel. ^ ..
To minimize sine-wave distortion. he 62K1 'resistor
betweon pins 11 and 12 is best made variable. Wilh Ihis
arrangomont distortion o less than % H, ach;;- -!.;i. To
reduce this even iurther, t\yo potontiornoters can bo con-
nected a? shown in Figure- 6; this conliguration allows a
typical reduction o sine-wave disortion coso lo 0,5%..
Figure 6: Connecton to Achleve
Mnimum Slne-VVave Distortion
5-77
NQG:- AK typical valas rtave baon guaianleed by characleniollon and c/c no! tesiad.
SELECTING R A , R B " and C
For any given oulput requency, thore s a wide range of
RC combinatons that wl work, however conato constrainls
are placed upon the rnagnitude of the cl.c.rging current for
optimum performance. At Ihe low end, orronts of less than
1 pA are undesirable becauso circuit leakcges wl ccnirbute
sgnicant errors al high emporatures. Ai higher currents
(I > 5mA), transistor betas and satura ion yoltages wifl
contribua increasingly Isrger srrors. Oprum performance
will, thorotoro, be obiained wilh charging curronls o 10 uA
P_lmA. II pins 7 and 8 are shortod logolhcir, the magniluds
of the charging current due to R^ can bs caiculated (rom;
. A similar calculatrn.holds or Rg. .
The capacitor valu should be chosen at the upper end
of ts possible rsnge. " '. "
WAVEFORM OUT LEVL'CONTROL." AND
'POWER SUPPUES : - ;
Tho waveorm generstor can be operaled either rom a
singlo power-supply (10 to 30 Volts) or a dual power-supply
[i 5 lo 15 Volts). V/ith a singlo power-upply Ihe averags
lovels o the triangle and sine-wave are y. exactly one-hal
of tho supply voltage, iwhile trje squae-v.-ave allcrnalcs
belwo^V"*" and ground. A sp'l powui supply has the
advtnlge that al! waveorms move sinimetrically about
ground, :
The square-wave outpul s not commiU&d. A lond resistor
can bo connected to a differen powei-suppy, as long as
the applied voltage remains v/itoin tho broakdown capabilily
of the waveform generator (30V). In thi- way, the square-
wavo output can be made TTL compaolo (lond resistor
conneclod o + 5 Volts) v/hile tho v/vdi'rm goficratot itsel
s powered (rom a much higher voltagD.
O
co
u

:--.... (b):

' fU - > Ra

^JLTL . .flTL;

ICL4038 ' ' i" 3 A/y

. : 1CUOM '
/x/v ' - ' i

10 n = Vl; 10 n 'VA, -

t r J \~olGHD

Lcntiso
Figure 7: Connections for Frequency Modulation (a) and Sweep (b)

FREQUEMCY MODULATO AN For largor FM devislions or for froquency \veeping, the

.SWEEPING . . . ,, .-..':... . r - - . -\
' The requency o tha waveorm geherator is a direct
functicn of the DC voltago at terminal 8 (measured (rom
V"*"). By altering this vollag, requncy modulalion's
poiloimed. For small doviaons (o.g. 10%) the modulating
signa! can bo applied Uirectly to pin 8, merely providing DC
dacoupling wtb a capacitor as showh n Figure 7a. An
externa! resistor botween pins 7 and 8 s not necessary, but
it can be used to ncroase input impedance from about Bk7
(pi.Ti 7 and 8 connectod together), to aboui (R + ak).
Tno sino v/ave oulput has a relatively high output
mpedance (ik Typ). The circuit o Figure 8 provides
buffarig, gain and amplilude adjustnis.nt. A simple op arnp
followur could a!so bo used. ...
modulating signsl is applied bobeen the' posive suppiy
voltage and pin 3 (Figure 7b). in this way the onlire bias for
the current sources is created by !he modulaing signal, and
a very larga (e.g. 1000:1) sweep range is cieatod (f = O at
Vsv/oep = )- Cafe must e taken, however, lo reglate the
supply voitaga; n this configuration the charyo curront is no
longsr a unction o the supply vollage (/at Ihe'lrigger
thresnolds still are)-and thus the roqu(ncy. becomes
dependon on tha supply voltage. The poientia on Pin 8
may bo swcpt down rom V + by {1/3 VsL'PPLY-2V). .
APPLICATIONS" - .
. With a dual supply voltage the externa! capacitor on Pin
: l O can be shorted to ground o hall Ihe 1018038 oscillation.
Figuro 9 shows a FETT switch, diode ANDed wih an Input
;srobe signal lo allow the output lo always sl-ait on tho same
slope. . ' ' * ' ' " ' ' ' "
To obtain a 1000:1 Sweep Range on tho ICL803B Ihe
voitaga across exiernal [esisiors RA and RQ rnut docroasa
lo near!y zero. This rcquires Ihat the highest voltago on
control Pin B excecd the vollage at the top cf RA and RB by
a few hundred mlllvolts.
1 Tha Circuit of Figure 10 achievas this by UinQ a diode to
lower Ihe efeclive supply voltage on the ICL8033. The
large rasislor on pin 5 helps reduce duty cyclc varialions
wilh swefep. . .

'T
Figure 8: Sne Wave Ouput Buffer Ampllfers

5-78

Note: All typicnl vales hava Qeen guaranleod by characleriralton and afe nol
 '
CL8038;i?;;.
* I'. . vi.r-'t-r*.- -' - ~:,~,V^:.-.V-;v..* : - .f/..-, ,L> -:. -,'...rf:-,,- .^-,,
-. ",. ^
-. '
.
. .^V. ,,-.-,f
t ,.'

.j a, : .:L":--;.
1
: - , . ' ' . - ,

.' - ;r- . - DTr

. T10V "*

[ 7
s - t * l" ' CYCXI '
4 ' iWvi

ICLB034

u' I * I , I a
A j nn_
i1 " ' 10 2
1H9H -

';=P^l
i^Ta TROBE 10
X . _-, . >
^ -. "\A/
&FF
j p-isv(-Hav)
_^iv LJ LJ
OH
-ISV(-IOV)
( '
10 11 13 J
con ' ..,._. . i
. F gure 9: Strobe-Tone Burst Cienerator : -JW X^.- ZZJXVW S^D^TOBTIOfi
' ..-'.*. -' /> 100. _^.

i .- * ....'.. ' 'Fig Jrc 10: Variable Audio Osciator,

t .
1 20Hz to 20kHz . .:"
v'; ,. T: ^'--.NV.'--'-

Figure 11; Linear Voltage Controlled Oscilialor '

The Lneariry o npul sweep voltage vcrsus oulput fro-
cuoncy can be siQni'icanlly mproyed by using an op amp as
iliown n FKjure 11.
USE IN PHASE-LOCKED LOOPS .
. Its high roquency stabilily maks the ICL8038 an ideal
buildmg block or a phase-locked loop as shown in Figure
12. In this application [ho remar.ing unclional blocks, ho
phas-3-dC'iector and tha amplilier, can be (ormed "oy a
numhor of avalablo |C*- (e.g. MC4344. NE562. HA2800,
HA2H20)
In order to match hcse bulding blocks lo each other, Iwo
slops mjst be laKen. First, two diflerem supply vollages are
used snd tho squara v/ave output is relurnod to (ho supply
of ho phasfl detoclor. This assures Ihat the VCO input
voltage will. nol oxceed Ihe capabilic-j of tho...pha
delector. II a smaer VCO signol is roquired, a sim
rsistive volo|]o divider s connecied bolvon pin 9 o
waveform gc-norator and Ihe VCO nput of the pha
detector. *
Second, th DC otpul leve] of the anplfior mus
made cornpalible lo the DC leve! roquired .l tho FM inpu
Ihe waveorm gcneralor (pin 8. O.SV*"). Tho simp
soluon hero a 10 prvida a voltago dividi.-r to V* (R 1p
as shown} il Ihe amplifier has a lower oulput lovcl, or
ground I its Ic^oi s higher. The divider car be niado par
Ine low-pasb lilier.
' This'applicition nol only provides lo.- a free-runn
Irequoncy wilh very low temperaturo drilt, bul aiso has

5-79

Note- All lypical voluo hav oeen guaranlcfri b/ cha/seleri;alian and tuo nol le&tod.
co . ' '' " - V--
p>
o - : ' | [
05
unicua (esure o producing a large reconstitutad smewave For further informaon; 'see "Intersil Application Note
signal with a frcqusncy dentical lo that at the input. , .A013, "Everytbing You Aiways Warited to Know About Th
ICL8038." ..; ' . . ;-, '

Figure 12: Waveorm Generator Used os Stable VCO In a Phase-Locked Loop

Figure 13: Detallad Schemattc

Nolo: Al tyfxcal vales have bson guaranleed by ctiaracterzat'on and are nol tasted
 National Audio/Radio Circuits
Semiconductor O
CD
CT)

LM1596/LM1496 Balanced Moduiator-Demodulator

Geneal Descripiion Features
CD
The LM596/LM1496 are double balanced modu- Excellent carrier suppression en
lator-derodulators which produce an o u t p u t
65 dB typcal at 0.5 MHz
voltage poportional to the product o an input
50 dB typical at 10'MHz
[signalj uliage and a swiiching (carrier) signal.
Typical ipplicatons include suppressed carrier
Adjustable gain and signal handling
modulada, amplitude rnodulation, synchronous
detection; FW or PM detection, broadbard (re-
quency oubling and choppng. Fully balanced inputs and outputs

The LMS96 s specified for operaran over the

Low offset and drift
-55C tc-H2SC military temperature range. The
LM1496 s specified for operation over the 0C
.to f70CtemperaTure range. " Wide frequency response up o 10Q MHz

l Cin PiCkig,
Scherrutic and Connection Diagrams

[w .i-

Ordr Numbar LMU96H or LM15MH

S* NS Pck*9< H08C

f LW1496N
9* N14A

Typical Application and Test Circuit

d CjfT*r

10-107
5 tO
Ii s Absolute Mximum Ratings
V (

!i i
i Iniecnal Pawer Oiin'pation [Note 1)
ADpliod Voltage INale 2)
500 mW
30V
Oifferential Inpot Signa! [V7 - Vgl sfi.OV
1 " to DIHcr.entitllnputSigruI [V* - V,J :[5*ISR.|V >
O) Inoot SlyaJ (V - V,, V 3 - V 4 | 5.0V
j LO BiiiCtmn[ US) 12 mA
Oparaiinj Tt<np*ritur* flange LM1596 -55*CtorI2SC
UM1496
-65C lo t
Uad Tmp*mure (Soldering. 10 s 300*C

CharaCteristCS |TA = 25C, unless otherwse specified, see test circuitl

LM1596 LM149
PAHAMETER CONDITIONS UNITS
MIN TVP MAX MIN TYP MX
Cimtf FJlniougn V c - 60 mVrm lint v,e 40 40 iWmi
'c " 1.0 lHi. olf[ idjuited
V c - 60 mVrmi wm wjv 140 140 /Vrms
C - 10 MHf, oAwn jjuiied
Vc - 300 mVpo tcw"e we 0,04 0.2 0.04 n mVrm
C * 1.0 *Hz, of[ adjuilid
' Vc - 300 mVp,, touar. w*- 20 100 20 15 -nVrrra
fe ' l.OiHi, olfielnot idjusted
Carril* Supfxraion s - 10kH/, aOOmVrm 50 65 50 65 03
Ic 5OO kHr, 60 mVrm in we '.
oHwi idjuslrf
s - IQkH, 30QmVrmi 50 50 dB
f g - 10 MHi. 60 mVmii n wj.

Tranudmittance Bandwidtn RL- son 300 300 MHi

Carrier lopjt Pod. Vc 60 mVrm jn< v-*ve
ls - 1.0 kH!, 300 mVrm iine *ve
Slgoal Inpui Port, Vj 300 mVfrm tme *av BO 80 MHi
V; - V 9 - O.SVbC
Voltaga Gain. Slgrw! Channei V s - lOOmVrmi.t - 1.0 kHi 2.5 3,5 2.5 3.5 WV
V 7 - V a - 0.5Voc
Inpul Reiounce,S9nal Pon I-S.OMHi - 200 200 kp.
V7 - Va 0.5 Vc
Inpjt Cjpaciljnc*. Sigoil Port ( - 5.0 MHi 2.0 2.0 pF
. V, - Vg-Q.SVdc
Single 6ndd CXtixil Rnlitarvce f - lOMHi 40 40 *n
Singla Ended CXitpu / " lOMHi 5.0 5.0 .F

Input Blii Cuffent ll^U/2 12 25 12 3C. JJA

Input aiaiCurrenl (b * B)/2 12 25 12 30 ^A

Input llwl Curfent di -Ul 0.7 5.0 0.7 50 yA
Inoul Olfso Curreni HT-IB 0.7 5.0 5.0 1.0 ^A
Avw.g Tmpr*tuf. |-55'C<TA<t125'C| 2.0 nA/*C
Cacf(ki<n[ of Iripol (O i 'C<TA<- t 70"C 2.0 nATC
Otft Curren C
Oulpoi OH[ Currm (I 6 -I 9 I 14 50 14 61 WA
Ayra?, Tcmperatur. (-55"C<TA<tl2SiC| 90 nASC
Coaltident o Outrxit |0''C<T A <*70'C) 90 nA/*C
OfiM Currtnt
Siaoal Port CofTimoo Mod f s - 1.0 kHi 5.0 5.0 Vt>M
Inpui VoiUs* Ritifli
Sigrul Pon Conimon Mod V7 - V8 - 0.5 Vdc -35 -85 dB
fljection Rtio
Common Mod* Quiescent a.o a.o Vdc
Outpoi Voluta
Diff*rcntl*l OiJput Swing 8.0 8.0 v^

PQSJI! SiJDpJy Curienl " (U -Mu ' 2.0 3.0 2.0 3.0 mA
Ntoitv* Suppiy Currmt lijo) 3.0 4.0 3.0 *.o mA
Pow, DiaJMtan 33 33 mW

Not 1; LM1596 raling apoliei to case temperatucej to ^-125C; derale nearly at 6.5 mW/^C Jar
ambiem temperature above 75C. LM1496 nting appJies to case temperatures to ^70C. ' ' ,
Nott 2: Voltafle appid betWMti pini 6-7, 8-1, 9-7, 9-6, 7-4, 7-1, S-4, 6-6, 2-5, 3-5.

N
10-108
Typical Performance Characteristics

596
Car rier Supprtulon vi Crr'wr SuppfaiIJon vi Carrir Fendthrough vi
Carrir Inpui Lv FrsqOocy

496
IM IDO 300 Wfl SOO 0.05 0.1 0.5 1.0 LO 10 LOS a,| a.s i.n i. u IB 5o
CARBIER INFUT UVEL [V|iw) C A R R I E f l F R f d U E N C Y (UHj} CARHIEfl FflEQUENCr IMHi

Std*tnd ind Slgn*J Pon

Std*band Outputw
r Lv*li

: a so IM isa 200 i.) i.a la loo 1DOO 101 Ll 1.0 10 100

=
0 CARRlEfl UVEl (mVi) CAHHIER FREQUCNCr (UHi FREQUENCY (WHil

Applications (Cominued)

Bisanuo\
iNfUT ^ J ^ 4 _>JCv 1 O """OULArE
~-w^^ j ^u Af g u r r u T
LM I

-4 Vli

SSB Protktct Dt:tor

adjuitment i not requred. ThJ circuit may aJfO be ussd as in AM detector by appying compoiite and carrer sgnali
!n ths iatri manner ai datcribed for product detictor opuraton.

10-109
co
t^
T_ Typical Applications (Continuad)

2
en

l>io- DIP coniwttiodl.

-i Vic

Broidband FrBtuJeocy Doublr

Tha frequency doubler crcuit shown will double low-Jeval signis with. low distorton. The valu of C should be chosen
of low reactance at the operating frequency.
Signal level at the carrier input rnuit b lesi trian 25 mV peak to maintan op^ration n the linear regin of tha switching
diKerential amplifer. Levis to 50 mV peale may be usad with some dscortion of the output waveform. f a larger input
signal is available a resistiva divider may be used at the carrier input, with ful! signaJ applled to tha signal npui.

10-110
en
CO National
Q
Tf
Q
Semiconductor
O
CD4018BM/CD4018BC Presettable Divide-by-N Counter
en
CO

General Description Features

Q
O The CD4018B consjsts o 5 Johnson counter siages. A Wdesupplyvoltagerange 3.0Vtol5V
buffered Qoutput from each sage, "CLOGK", "RESET", Highnoiseimmunity 0.45VOD(typ.)
"DATA", "PRESET ENABlE'Vand 5 individual "JAM"
inputs are provided. The counter is advanced one count LowpowerTTL fanout of Sdriving 74L
at the positiva clock signal transition. A high "RESET" compatibility or i driving 74LS
signal clears the counters to an "ALLZERO" condhion. Fully static operaiion
A high "PRESET ENABLE" signal allows in/ormation on
the "JAM" inputs to preset the couner. Anti-lock gating Applications
is provided to assure the proper couming sequence. Fixed and programmable divide-by-10, 9, 8, 7, 6/5,' 4,
3, 2 counter
Fxed and programmable counters greater than 10
Programmable decade counters
Divide by "N" counters/frequency synthesizers

Logic Diagram

Connection Diagram
Dual-In-Lne and Fat Package

V OD atii cinc os i
i( is K In U

5-58
 O
Typical Performance Characteristcs o
Typical Transition Tm vs _ Typical Propagaron Delay vi. C[__
CD
JDD CD

O
o
co
ca
O

2Q 40 G 30 1QQ 2D 10 SO SD 100
CL - L O A O CAPACITAfJCE |F) CL - LOAG CAPACirANCE \vI

External Connections Timing Diagram

Exiernal Connectons for Divide by
10, 9, 8, 7, 6, 5,1, 3, 2, Operatan j\j\\j\fvv\f\. "Data" nput tied to Q
Divida By 10 Q5
Divicie By 8 O
Cannecied Back
Divide By 6 Q3
To "DATA" Input
Divide By 4 02
Divida By 2 Q1

Divide Ey 9 -COirtCtEO I01-D*I*liINI'UI

Divide 8y 7 . COSMCIEQ I O ' D

Divida B y S l
o ro-a*iA-iMui

Divide By 3 CONSECHD r a - O

5-61
O
QG
CN(
LO
National
O
TT Semiconductor
Q
U

CU
CD4Q51BM/CD4Q51BC Single 8-Channel Analog
CM
LO
Muitplexer/Demultiplexer
O
Tj- CD4052BM/CD4Q52BC Dual 4-Channe! Analog
Q
O
Multiplexer/Demultipiexer
CD4Q53BM/CD4Q53BC Triple 2-Channel Analog
m CQ
T- CO
Multiplexer/Demultipiexer
LO LO
O O
r- TT
QQ General Description Features
OO
These analog multiplexers/demultiplexers are digitally Wide range of digital and analog signal levis: d
i conrolled analog switches having low "ON" impedance 3-15 V, analog to l5Vp.p
CQ CU and very low "OFF" leakage currents. Control of analog
T- CO signis up to 15Vp.p can be achieved by digital signal Low "ON" resistance: 80 {typ.) over entire
LO LO signal-input range lor VDO Vgc = l5V
O O amplitudes o 3-15V. For example, if VDD = 5V, VSS=OV
^ T and Vcg = -5V, analog signis from -5V to +5V can be High "OFF1 resistance: channel leakage of =
QQ conrolled by digital inputs of 0-5 V. The multiplexer cir- (typ.) at Voo-VES = 10 V
OO cuits dissipale extremely low quiescent power over the
full VDD - Vss and Voo - VEE supply voltage ranges, inde- Logic level conversin for digital addressing si
penden! of the logic sate of the control signis. When a of 3-15V (V DO -V SS = 3-15V) to swtch analog sig
logical "l" Is present at the inhbit input terminal all tolSV p . p (V D D -V E E =15V)
channels are "OFF". Mached switch characterisics: (typ
CD4051BM/CD4051BC is a single 8-channel multiplexer
having three binary control inputs. A, B, and G, and an in-
Very low quiescent power dissipation under all di
hbit input.The tnree binary signis select 1 of 8 channels
control input and supply ccnditons: ipW (typ
to be turned "ON" and connect the nput to the output.
VDO -Vss = VnD-VgE = iOV
CD4052BM/C04052BC is a differential 4-channel multi-
Binary address decoding on chp
plexer having two binary control inputs, A and S, and an
nhibit input. The lwo binary input signis select 1 or 4
pairs of channels to be turned on and connect the dif-
ferential analog inputs to the differential outputs.
CD4053BM/CD4053BC Is a triple 2-channeh multiplexer
having three seprate digital control inputs, A, B, and G,
and an inhibit input. Each control input selecs one of a
palr of-channels whlch are connected n a single-pole
double-throw configuration.

Connection Dagrams

CD4051 BM/CD4051 BC CD40S2BM/CD4052BC CD4-053 BM/C D4053 BC

N'OUT niirnu IF/GUT OUT/IN IN/OUT

k 15 14 13 13 11 in 1; 1G IS U 13 II 11 10 1 13 ti ll lO

p J J
I-

1 2 3
*
5 E 7 i I 1 3 1
5 G J
!'
1N/DUT ' O U T / I H INOUI

TOP VIEW TOP VIEW

5-152
53 MSI DM54/DM7490A, L90, LS90, 92A, LS92 , 93A, L93, LS93

Decade, Divide by 12, and Binary Counters

Genera! Description
Each of hese monolithic counters contains four master- 90A, L90, or LS90 counters by connecling the QD output to
slave flip Iops
and addlional gaiing io provide a divide-by- Ihe A input and applytng the input count to the B input whch
two counter and a three-s age binary counter for which the gives a divide-by-len square wave at output QA-
count cycle length s divide-by-five for the 90A. L90. and
LS90, divide-by-six for the 92A and LS92, and dvide-by-
eigh for the 93A L93, and LS93. Features
All of these counters have a gated zero reset and the 90A, Typcal Count
L90, and LS90 also have gated set-to-nine inputs for use in Type p Q w e r Dsspaton Frequency
BCD nine's complement applicalions.
90A 145 mW 42 MHz
To use their mximum count length (decade, divide-by- L90 20 mW 1 1 MHz
twelve, or four-b binary) the B nput is conneced to the LS90 45 mW 42 MHz
O A output.The inpu count pulses are applied to input A and 92A, 93A 130 mW 42 MHz
the outputs are as described in the approprate truth table. LS92. LS93 45 mW 42 MHz
A symmetrical divide-by ten count can be obained (rom the L93 16 mW 15 MHz

Connection Dagrams
NPUT INPUT
A NC QA QD GNO 3g QC A NC OA QB GND Qc 0D
14 13 12 11 10 9 8 14 13 12 11 10 9 B

I o >

r ' r> i

1 2 3 4 5 6 7 1 2 3 4 5 6 7

INPUT R0(l) H0(2) NC VCG R9(1) R9{2) INPUT NC NC NC V CC RO[1J R0(2)

B B

S490A (J,W) 7490A(N) 5492A (J.WJ 7492A (N)

54L90 (J,W) 74L90 (N) 54LS92 (J,W) 74LS92 (N)
S4LS90 (J.W) 74LS90 (N)

INPUT IHPUT INPUT

A NC QA QD GN D QB QC A QA QD GND oc oa B
14 13 12 11 10 9 3 14 13 12 11 10 9 8

u> u>
<c1
c> r^~ ~
1

i 2 3
5
6
' 1 2 3 4 5 6 7
INPUT RO(D R0(2) NC Vr NC NC '
B HO(D H0{2) NC VCC NC NC NC ;

5493A (J,W) 7493A (N) S4L93 (J,W); 74L93 (N)

54LS93 (J,W) 74LS93 (N)

6-36
 MSI DM54/DM7490A, L90, LS90, 92A, LS92, 93A, L93, LS93

Logic Diagrams
90A, L90, LS90

H9[l] -
H9|21

j a
CLOCi

J Q
CUOCi
K O

BOflI 1 \-_
ROI-Jr
92A,LS92 93A, L93, LS93

Nole: Nuinoirrs -n parf-ntnesis are (o L93 only

| (he J ana K mans snowa *unout conneclian aie lor relerence only ana are lunclionally al a Hign level
22 MS| DM54/DM74147, 1

Priority Encode
General Descripion Feaures
DM54147, DM7414-7
These TTL encoders feaiure priority decading o the nput
data to ensure ihat only the highest-order data Une s en- Encodes lO-line decimal lo 4-lme BCD
coded. The DM54147 and DM74147 encode nine data Unes Applications include:
to four-Iine ( 8-4-2-1) BCD. The implied decimal zero condi- Keyboard encoding
lion requires no inpu condition as zero is encoded when all Range selection
nine data lines are at a high logic level. All inputs are Typ cal data delay lO
buffered to represen! one normalzed Series 5 4 / 7 4 load.
Typical power dissipation 225
The DM54148 and DM74148 encode eight data Unes to
Ihree-Hne (4-2-1) bnary (octal). Cascading circuitry (en- DM54148, DM74148
able input El and enable oufput EO) has been provided to i Encodes 8 data lines to 3-line binary (octal)
allow octal expansin without the need lor externa! circuit- Applications nclude:
ry. For all types. data inputs and outpus are active ai the N-bit encoding
ow logic level. Code conveners and generators
Typical data delay 10
Typical power dissipation 190

Connection Diagrams

niITPUT INPUTS OUTPIIT OUTPUTS INPUTS

i ' > f i wu i r u i
VCG HC C 3 2 1 9 A V CC EO GS 3 2 1 0 AO
16 15 14 13 12 11 10 9 10 9

n O O O O O l
(

jC
J iC D-l

o o y o o o 0 C 0 0 0 (J

1 2 3 4 5 6 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8
4 5 6 7 8 C B GND I
j , ,_ , 4 5 6 7 l A2 A1 GND
INPUTS OUTPUTS -*
INPUTS OUTPUT s

54147 (J,W); 74147 (J.N.W) 54148 (J,W); 74148 (J.N.W)

Truth Tables .
54147/74147 54148/741-18

Inputs Outputs Inputs O jtputs

1 2 3 4 5 6 7 B 9 D C B A E 0 1 2 3 4 5 6 7 A 2 A 1 AO GS
H H H H H H H H H H H H H H X X X X X X X X H H H H
X X X X X X X X L L H H L L H H H H H H H H H H H H
X X X X X X X L H L H H H L X X X X X X X L L L L L
X X X X X X L H H H L L L L X X X X X X L H L L H L
X X X X X L H H H H L L H L X X X X X L H H L H L L
X X X X L H H H H H L H L L X X X X L H H H L H H L
X X X L H H H H H H L H H L X X X L H H H H H L L L
X X L H H H H H H H H L L L X X L H H H H H H L H L
X L H H H H H H H H H L H L X L H H H H H H H H L L
L H H H H H H H H H H H L L L H H H H H H H H H H L

H = Hign Logic Level, L = Low Logic Leval. X = Oon'I care

6 58
 MSI DM54/DM74176, 177, 196, LS196, S196, 197, LS197, S19

Presettable Decade and Bnary Counte

General Description
These hgh-speed couniers conss o four d-c coupled. 3. For operalion as a divide-by-two counter and a divi
master-slave (lip-flops which are niernally nterconnected by-five counler, no external inlerconnections are
to provide eifher a divde-by-two and a divide-by-fve quired. Flip-flop A is used as a binary element for
counter (176. 196) or a dvde-by-two and a divide-by-eght divide-by-lwo unction. The ciock-2 input is used
counter (177, 197). These counters are fully program- oblan binary dvide-by-fve operalion at the QB, O
mable; that is. Ihe outputs may be preset o any stale by and QQ outputs. In Ihs mode, the two counters op
placing a low on Ihe count/load input and enten'ng Ihe de- ale ndependently; however, all [our flip-fiops
sired dala at the data npuls. The outpuls w|[ change inde- loaded and cleared simultaneously.
penden! o the state o the docks.
177, 197, LS197, AND S197
During Ihe counl operaon, transfer of normaton to Ihe
The outpu of flip-flop A is not internally connected to
outputs occurs on the negave-going edge o the clock
succeeding flip-flops; herefore the countermay be oper
pulse. These counters feature a direc clear which, when
ed in two independen! modes:
taken low. sets ali outputs low regardless o the state of the
ciocks. 1, When used as a high-speed 4-bit ripple-throu
.counter, output G must be externally connected
These counters may aiso be used as 4-bt laiches by using Ihe clock-2 npul. The input count pulses are app
Ihe count/load jnpul as the strobe and entering dala al the to the clock-1 input. Simuitaneous divisions by 2, 4
data nputs. The oulpus wi directly follow the dala inputs
and 16 are performed al the QA,. OB, QC. a"d QO o
when the count/load is low, but wifl remain unchanged puts as shown in the truth table.
when the count/load is high and the clock inputs are
inactive. 2. When used as a 3-bit ripple-through counler, the in
count pulses are applied to the clock-2 input. Simu
neous frequency divisons by 2, 4, and 8 are availa
TYPICAL COUNT CONFIGURATIONS 176, 196, at the QB, QC. and OQ outpuis. Independen! use
LS196, AND S196 [[p-flop A is available i! the load and clear functo
The outpu of Ilip-llop A is not internally connected to he coincide with those of the 3-bit ripple-lhrou
succeeding (Hp-flops; herefore, Ihe count may be operated counter.
in three independen! modes:
1, When used as a BCD decade counter, the cIock-2 in- Features
put mus be externally conneced to the QA outpu.
Performs BCD, bi-quinary, or binary countng
The clock-1 Inpul receives the inconling count, and a
Fully programmable
count sequence is obtained n accordance wii-h the
BCD count sequence truth table. Fully independen! clear input
Output Q^ maintains (ull (an-ou capability in addition
2. If a symmetricai divide-by-len count s desired or fre- drivjng clock-2 input
quency synthesizers (or olhef applications requiring
Typical Typical
divisin of a bnary coun by a power of len), the QQ Type Count Frequency Power
output must be externally conneced lo the clock-1 in- Clock 1 Clock 2 Dlsslpatlon
pul. The input count is then applied al the clock-2 in- 176,177 50MHz 25 MHz 150 mW
put and a divide-by-ten square wave is obtained at 196, 197 50 MHz 25 MHz 240 mW
oulput QA n accordance with Ihe bi-quinary truth US 196, LSI97 40 MHz 20 MHz 80 mW
table. SI96.3197 100 MHz 50 MHz 375 rnW

Connection Diagram

5*1176 (J) 74176(N)

54177 (J) 74177 (N)
54196 (J) 74196 (N)
54LS196 (J,W) 74LS196(N)
54S19G (J,W) 745196 {N)
54197 (J) 74197 (N)
54LS197 (J,W) 74LS197 (N}
54S197 (J,W) 745197 (N)

DATA JNPUTS
Not: Low rnpul lo Cleaf sais
 DM54/DM74192, L192, LS192, 193, L193, LS193

Synchronous Up/Down Counters with Dual Clock

General Descrpton
These crcuits are synchronous up/down counters; ihe These counters were designed to be cascaded without the
192. L192 and LS192 circuils are BCD counters and the need for exlernai circuilry. Both borrow and carry outpus
193. L193 and LS193 are 4-bit binary counters. Synchro- are available to cascade both Ihe up and down counling
nous operation is provded by having all p-flops clocked lunctions. The borrow oulpul produces a pulse equai n
simullaneously. so Ihal the outputs change logether when width to the count down inpu when the counler underlows.
so instrucled by Ihe steering logic. This mode of operaiion Similariy, the carry ouput produces a pulse equai n wdth
eliminares the ouput counting spikes normally associaled lo the counl down inpul when an overlow condilion exisls.
wilh asynchronous (ripple-clock) counlers. The counters can Ihen be easily cascaded by eeding the
borrow and carry oulpuls to the count down and counl1 up
The ouiputs o Ihe (our master-slave lp-flops are triggered
inputs respectively o the succeeding counler.
by a low-to-high level transilan o either counl (clock) in-
pul. The direction o counling is determinad by which count
input is pulsed. while the other counl input is held hgh.
Features
All lour counters are fully programmable; [hat is, each out-
pul may be preset o either level by entering the desired Fully independen! clear input
dala al Ihe inpuls while the load inpul is low. The output will " Synchronous operation
change independentfy o ihe counl pulses. This iealure al- M Cascadng circuitry provided nternally
lows the cocnlers lo be used as modulo-N dviders by sim- Individual prese each llip-Iop
ply modilying Ihe count lenglh with Ihe preset inputs.
Typcal Typical
A clear input has been provided which. when taken to a high Type Count Power
level, (orces all oulputs lo the low level; independen! of Ihe Frequency Disspation
count and load inpuls. The clear, counl, and load inputs are 192. 193 25 MHz 325 mW
buered to lower the drive requirements o clock drivers, L192. L193 12 MHz 40 mW
etc., required for long words. LSI92. LS193 32 MHz 95 mW

Connection Diagram
IHPUTS

DATA DATA DATA

VCG CLEAfi BORROW CARRY LOAD c D

16 15 14 13 12 n 10 9

r\ S c\

-*

i\ \

1 2 3 4 7 8

DATA e COUNT COUNT Oc

1NPUT DOWN UP

OUTPUTS INPUTS

Noto Low inpui lo load seis C 1 A. Qg B. GC = C. ano Qo *

54192 (J,W) 74192{N}

54L192 (J,W) 74L192(N)
54LS192 (J.WJ 74LS192(N)
54193 (J,W) 74193(N)
54L193 (J,W) 74L193(N)
54LS193 {J.WJ 74LS193(N)

6-161
22 MSI DM54/DM74194, LS194A, S194

4-Bit Bidrectional Universal Shift Registers

General Description
These bidirectional shift registers are designed to incorp- Clocking of the flip-flop is inhibiled when both mode control
rale virtually all o (he features a system designermay want inputs are low. The mode controls of the of .the DM54 194/
in shift register; they feature parallel inputs . parallel DM74194 should be changed only while the clock inpul is
oulputs. righ-shift and left-shift serial nputs, operating- high.
mode-control inpuis. and a direct overrding clear line. The
register has four disinct modes of operaton, namely:

Parallel (broadside) load Features

Shift right (in the drection QA loward Op)
Parallel inputs and oulputs
Shift left Cn the direction QQ toward QA)
Inhibit clock (do nolhing) Four operaing modes:
Synchronous parallel load
Synchronous parallel loading is accomplished by appiying
Right shift
Ihe our bils o data and taking bolh mode control inputs, SO
Left shift
and SI. high. The data are loaded into the associaled flip-
Do nothing
lops and appear al Ihe outputs after the posiiive transiion
of the clock nput. During loading, serial data flow s Positive edge-triggered clocking
inhibited. Direct overriding clear
Typical Clock Typical
Shit right is accomplished synchronously with the rislng Type
Frequency Power Dssipaton
edge of !he clock pulse when SO is high and Si s low.
Serial dala for Ihis mode is entered at the shfl-right dala 194 36 MHz ' 195 mW
LS194A 36 MHz 75 mW
nput. When SO is low and S 1 is high, data shifts left syn-
Si 94 105 MHz 425 mW
chronously and new data is entered a[ the shft-left serial
nput.

Connection Diagram OUTPUTS

vcc o OB oc OQ CLOCK si 50
16 IS H 13 13 11 10 9

V1

1 7 3 4 5 6 7 a
CLEAH SHi^r A B C 0 ShiFT C
RIGHT ' ' LEFT

54194 (J,W) 54LS194A (J,W) 54S194 (J,W)

74194 (N) 74LS194A(N) 74S194 (N)

Truth Table
lnDO|. OulpuU
Moda Serial Parallel
Claaf si so
Cloc
k Ult filfjril A B C D OA a oc QD
L X X X X X X X X X L t L L
H X X U X X X X X X AO SO CO DO
H H H 1 X X a b c d a o c d
H L H ! X H X X X X H O An QB(1 QCn
H L H i X L X X X X L CAf OBn OCn
H H L, ' 1 H X X X X X Ogn QCn QDll H
H H L / 1 L X X X X X OBn Cn Dn L
H L L X X X X X X X OAQ c so co DO

H = Hih Level fsteatJy siala). L = Lo- Level (sleady stale). X = Don'l Cafa (any nput, -icludmg tiadiiions)
j = Tfaitanion Irom tow to fvgn tevl
a. b. c, a = Th Itfvel o al aacy stale mpul a| inpul A, B, C. Of D. respeciively
GAO- ao- co- oo * Tne * vel o Q^. Gg, Q^, or DQ, resQiC! ely, eiofa ne ndicaied sleady siale inpul cono
Uons were esiaoliisned.
oAn.oen.Qcn.a0n^^e level olO A .Q 3 .Q c .:e 3 jeet vly. balofe me mos l.fCent(KJMilionoimeciock

6 169
 MSI DM54/DM7419S, LS195A, S1

4-Bt Parallel Access Shift Regist

General Description
These --btl registeis (eature parallel inpuls, parallel out- can be upgraded merely by usmg this Schcttky-ciam
puts. J-k seria] inpuls. shifl/Ioad control input, and a direct shilt register.
overriding clear. All inpuls are bufered !o [ower Ihe inpul
dnve requirements. The regisiers have lwo modes o
operation:
Features
Parallel (broaaside) load
Shit (in Ihe direciion QA toward QQ) Synchronous parallel load
Posiive-edge-triggered clocking
Parallel loading s accomplished by appiying the four bits o
dala and taking Ihe shi/load control input low. The data-s Parallel inputs and outputs rom each flip-'flop
loaded inlo Ihe associated flip-Ilop and appears at the out- Direct overriding clear f

puls afier the positive iransilion o the cock input. During i J and K inpuls to [irsl stage
loading. serial dala low is inhibited. Complementary outpuls rom las! stage
Shilting is accomplished synchronously when the shift; For use in high-performance:
load conlrol inpu is high. Serial data or this mode s en- accumulators/processors
tered at Ihe J-K inpuls. These inpuls permit the irst stage serial-to-parailel, parallel-to-seriai converters
lo perform as a J-K, D. or T-type flip-flop as shown in the
Typical Clock Typical
trulh labia. Type Frequency Power Dissipati
The high-perormance 3195, with a 105 MHr typical shilt 195 39 MHz 195 mVV
/rc-quoncy, is particularly attractive for very high-speed LS195A 39 MHz 70 mW
dala processng systems. n most cases exising systems S195 105 MHz 350 mW

Connection Diagram

SERIAL INPUTS PAHALLEI.IN1HJIS

54195 (J,W) 54S195 (J,W) 74LS195A (N)

54LS195A (J,W) 74195 (N) 74S195 (N)

Truth Table

Inpuls Qutput
Shtft Salal Parallel
CI03 P,n,>
Load J K A B C D
L X X X X X X X X U L L L H
H L 1 X X a D c d a C c 3 ti
H H U X X X X X X AO Qso co oo QDO
H H ! L H X X X X 0*0 GAO QQn OCn OCn
H H ! L L X X X X L Q An QBn OCn QCn
H H ! H H X X X X H OAn QBn Ocn CCfi
H H 1 H L X X X X An 0 An QBn OCn QCn

H - Hign Lfcvtl (sieady alai u). L = Lo* LevtI [Mead/ sldle), X = Oon'l Care {any mpui. mcludmg iiansiliona)
- ansiluii Iforn low ID ti.gn leve)
a.b.c.a Ttie level o sieaay. siale inpm al A, B. C. o D. respeciivBly.
AD- eo- GO- DO = Thejevel O Q A . Q B , QC- f OD- fespeclively. belore ine Jndicaleo sieady slale inpul
condilions v-uie esIaDNsneo.
Q An . Gg(|. QC,, -= Tne levsl O Q^. O0- OQ, f especvely. oelo'e ne mos! ecenl Iransidon o Itie Clack

6-174
CIRCUITOS IMPRESOS DE LAS TARJETAS CONSTRUIDAS
ETAPA DE AUDIO
MODULADOR FM UTILIZANDO EL MTODO DIRECTO
ETAPA DE LA ONDA P ORTAD ORA
MODULADOR FM UTILIZANDO EL MTODO DIRECTO
ETAPA BE POTENCIA
MODULADOR FM UTILIZJNDO EL MTODO INDIRECTO
SEAL FM DE BANDA ESTRECHA
MODULADOR FM UTILIZANDO EL MTODO INDIRECTO
SEAL FM A 31.25 MHz