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IG 0 A
ID IS
2
Vgs
I D I DSS 1 Esto es para los JFETS y los MOSFETS de
Vp
de tipo decremental
I D K Vgs Vt
2
MOSFET de tipo incremental
CONFIGURACIN DE POLARIZACIN FIJA
D
+ Idss=10mA
Vds Vp=-8V
+
Vgs - 2 Vgs 0
S
- - Vgs 2V
+
Mtodo matemtico
Calcular:
a) Vgsq, Idq
b) Vds
c) Vs, Vg, Vd
b)Vds Vdd I D ( RS RD )
Vds 20 2.6mA(1k 3,3k )
Vds 8.82V
c)Vs I S RS (2.6)(1k ) Vs 2.6V
Vg 0V
Vds Vd Vs Vd Vds Vs 2.6 8.82
Vd 11.42V
CONFIGURACIN DE ENTRADA COMN
dispsitivo
-6
POLARIZACIN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE
DETERMINAR
= Vdd a) Pto de operacin
Idq, Vgsq y Vds.
D
G Idss=8mA
Vp=-4V
S
Reemplazando valores
R2Vdd
Vg
R1 R2
270k 16V
Vg Vg 1.82V
2.1M 0.27M
Vgs Vg Vrs
Vgs Vg I D RS
Vgs 1.82 I D 1.5k ecuacin de red
Id(mA)
-4
Vd Vdd I D RD
Vd 16 (2.4mA)(2.4k )
Vd 10.24V
Vs I G RS I D RS
Vs 3.6V
Vds Vd Vs
Vds 10.24 3.6
Vds 6.64V DE OTRO MODO:
Vdd I D RD RS Vds Ec. De salida
Vds 16 2.42.4 1.5k
Vds 6.64
FET DEL CANAL -P
JFET tipo P
Rd Idss
Id
+
Vds
+
Vgs -
- Pto Q
Rs Is
Vp
-Vgs
MOSFET canal P tipo decremental
-Vdd
Id
R1 Rd
Idss
+
Vds
+ Vgs - Pto Q
Vg/Rs
-
R2
Rs -Vgs
Vg Vp
MOSFET canal P tipo Incremental
-Vdd
Id
Rd
Rg +
Vds
Vdd/Rd
+ -
Vgs
- Pto Q
Vgs
Is
Vd Vgsth 0
DISEO
Dado los valores del pto Q (Idq=2.5mA)
^ Vd=12V calcular los valores necesarios
20V
Rd y Rs
Rd Idq
Vdd Vd 20 12
Vd I DQ RD
G + RD 2.5mA
+ S RD 3.2 K
- Idss=6mA
Vp=-3V
Rs Is Con los datos obtenidos procedemos a aplicar
La curva de transferencia y obtener Vgsq
Id(mA)
6
entoncesdel grfico 1V
Vgs Vg Vs Vg 0 Vs I D RS
Idq
Vgs I D RS
RS
Vgs
1V
Vgsq
Idq 2.5mA -3
RS 0.4 K Vgsq=-1V
Para la configuracin de polarizacin mediante divisor de voltaje, calcular el valor
De Rs si Vd=12V y Vgsq=-2V
16V 16
Vg 47k Vg 5.44
91 47k
1.8K Id Vdd Vd 16 12
91k Rd ID I D 2.22mA
Vd Rd 1.8k
Vgs Vg Vs Vg I D RS
+
47k
Vgs 2 5.44 2.22(mA) RS
-
Rs RS 3.35K
Para la sgte configuracin se especifican los niveles de Vds e Id=Id encendido
Determine el nivel de Vdd y de Rd , Adems Vgs=Vgs on
Vdd Vgs 6V
I D ENCENDIDO 4mA
Rd
10M Vgs(th) 3V
D
G 1
Vds Vdd
S 2
si I D I D ENCENDIDO 4mA I DQ
Vgs Vds 6v
Vdd Vds I DQ RD 0
1
Vds Vdd Vdd Vds 12 6
2 RD 1 .5 K
Vdd 2Vds 2(6) I DQ 4mA
Vdd 12V
MOSFET de tipo decremental canal n
Configuracin TIPO H Para el MOSFET de tipo decremental
18V De canal n, determine:
a) Ptos de operacin
1.8k b) Vds
110M Idss= 6 mA Id(mA)
Vp= - 3V
Vgs
10M 750
Idss 6
Para la curva de transferencia :
2
Vgs
I DS I DSS 1 13.1mA
Vp
Vp I Vp
Con Vp I D DS
2 4 -3 -1 Vgs
Vp 1.5V I D 1.5mA
Vgsq
I
Con I D DSS Vp 0.3Vp
2
I D 3mA Vp 0.9V
Con Vgs 1V I D 10.67mA
10M
Vg 18V Vg 1.5V
110 10M
Vgs Vg I D RS Vgs 1.5 I D (750).
Con I D 0 Vgs 1.5V
1.5
Con Vgs 0V I D I D 2mA
750
Del grfico I DQ 3.1mA , Vgsq 0.8V
Vds Vdd I D ( RD RS )
Vds 18V 3.1mA(1.8 K 750)
Vds 10.1V Vcodo Vgs Vp
10.1 2.2 ZONA LINEAL Vcodo 0.8 3
Vcodo 2.2V
Configuracin autopolarizacin
20V a) Idq, Vgsq
b) Vd
Vi
Idss 8
1M
2.4
Is
13.1mA
Vp
Vgs I D RS Ec. de la entrada
-8 -1 Vgs
Si Vgs 0 I D 0
Vp 4 del grafico : Vgsq
Vgs ID 4.67mA
2 2. 4 K I DQ 1.7mA
6
Vgs 6 I D 2.5mA Vgsq 4.3V
2.4 K
Vdd I D RD Vd
Vd 20 1.7mA(6.2 K )
Vd 9.46V
I D K Vgs Vgs(Th )
2
(Curva)
I D ENCENDIDO
K
Vgs Vgs(Th ) 2
6mA A 3
K 0 . 24 x10 A / V 2
8 32 V 2
Id (mA) Para los dos puntos de la curva
6
Con Vgs 6 I D 2,16mA
Q
2,75 Con Vgs 10 I D 11,76mA
Vdd
Vgs
3 6,4 8 10 12
Id
R2Vdd 18M (40V )
22M 3K Vg 18V
R1 R2 22M 18M
D
La recta esta dada por : Vgs Vg - IdRs
Vgs S 18V
Con Vgs 0 I D 21.95mA
18M 0.82K 0.82K
Con I D 0 Vgs Vg 18V
3mA 3 A
K 0.12 x10
I D ENCENDIDO 3mA (10 5) 2 V2
I D 0.12x103 Vgs 5
2
Vgs ENCENDIDO 10V ENTONCES
Vgs(Th ) 5V
Id (mA)
De la grafica se obtiene el pto Q :
I DQ 6.7 mA
Vgsq 12.5V
21,95
Vds 14.4V