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INTRODUCCIN.
Los problemas que vienen presentando los transistores bipolares o BJT, como son
la corriente que soportan y la dependencia de la temperatura a la que se ven
sometidos, unas veces por su emplazamiento, otras por un mal trazado y la mas
evidente, el efecto llamado de avalancha. Estas evidencias, han llevado a que se
sustituyan por otros transistores ms avanzados, hasta la llegada de los MOSFET.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que ocupen un
lugar importante dentro de la industria, desplazando a los viejos BJT a otros fines.
Los MOSFET de potencia son muy populares para aplicaciones de baja tensin,
baja potencia y conmutacin resistiva en altas frecuencias, como fuentes de
alimentacin conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones como robtica,
CNC y electrodomsticos.
La mayora de sistemas como lmparas, motores, drivers de estado slido,
electrodomsticos, etc. utilizan dispositivos de control, los cuales controlan el flujo
de energa que se transfiere a la carga. Estos dispositivos logran alta eficiencia
variando su ciclo de trabajo para regular la tensin de salida. Para realizar la parte
de conmutacin, existen varios dispositivos semiconductores, a continuacin se
muestra una tabla con algunos de ellos.
La siguiente es una tabla comparativa de las diversas capacidades entre potencia y
velocidad de conmutacin de los tipos de dispositivos.
LOS TRANSISTORES MOSFET.
Vamos a estudiar un transistor cuyo funcionamiento no se basa en uniones PN,
como el transistor bipolar, ya que en ste, el movimiento de carga se produce
exclusivamente por la existencia de campos elctricos en el interior del dispositivo.
Este tipo de transistores se conocen como, efecto de campo JFET (del
ingls, Juntion Field Effect Transistor).
El transistor MOSFET, como veremos, est basado en la estructura MOS. En los
MOSFET de enriquecimiento, una diferencia de tensin entre el electrodo de la
Puerta y el substrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y
Surtidor, gracias al efecto de campo. El trmino enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad elctrica debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la regin correspondiente al canal, que tambin es conocida
como la zona de inversin.
LA ESTRUCTURA MOS.
La estructura MOS esta compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de
silicio, puro o poco dopado p o n, sobre el cual se genera una capa de Oxido de
Silicio (SiO2) que, posee caractersticas dielctricas o aislantes, lo que presenta una
alta impedancia de entrada. Por ltimo, sobre esta capa, se coloca una capa
de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee caractersticas conductoras. En la parte
inferior se coloca un contacto hmico, en contacto con la capsula, como se ve en la
figura.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE
CANAL N.
Bajo el terminal de Puerta existe una capa de xido (SiO2) que impide
prcticamente el paso de corriente a su travs; por lo que, el control de puerta se
establece en forma de tensin. La calidad y estabilidad con que es posible fabricar
estas finas capas de xido es la principal causa del xito alcanzado con este
transistor, siendo actualmente el dispositivo ms utilizado.
Adems, este transistor ocupa un menor volumen que el BJT, lo que permite una
mayor densidad de integracin. Comencemos con la estructura bsica del
MOSFET, seguido de sus smbolos.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el substrato
semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la interfase Oxido-
Semiconductor se han practicado difusiones de material n, fuertemente dopado
(n+).
Cuando se aplica una tensin positiva al terminal de puerta de un MOSFET de tipo
N, se crea un campo elctrico bajo la capa de xido que incide perpendicularmente
sobre la superficie del semiconductor P. Este campo, atrae a los electrones hacia
la superficie, bajo la capa de xido, repeliendo los huecos hacia el sustrato. Si el
campo elctrico es muy intenso se logra crear en dicha superficie una regin muy
rica en electrones, denominada canal N, que permite el paso de corriente de la
Fuente al Drenador. Cuanto mayor sea la tensin de Puerta (Gate) mayor ser el
campo elctrico y, por tanto, la carga en el canal. Una vez creado el canal, la
corriente se origina, aplicando una tensin positiva en el Drenador (Drain)
respecto a la tensin de la Fuente (Source).
En un MOSFET tipo P, el funcionamiento es a la inversa, ya que los portadores son
huecos (cargas de valor positivas, el mdulo de la carga del electrn). En este caso,
para que exista conduccin el campo elctrico perpendicular a la superficie debe
tener sentido opuesto al del MOSFET tipo N, por lo que la tensin aplicada ha de
ser negativa. Ahora, los huecos son atrados hacia la superficie bajo la capa de
xido, y los electrones repelidos hacia el sustrato. Si la superficie es muy rica en
huecos se forma el canal P. Cuanto ms negativa sea la tensin de puerta mayor
puede ser la corriente (ms huecos en el canal P), corriente que se establece al
aplicar al terminal de Drenador una tensin negativa respecto al terminal de
Fuente. La corriente tiene sentido opuesto a la de un MOSFET tipo N.
Si con tensin
de Puerta nula no existe canal, el transistor se denomina de acumulacin; y de
vaciamiento en caso contrario. Mientras que la tensin de Puerta a partir de la cual
se produce canal, se conoce como tensin umbral, VT. El terminal de sustrato sirve
para controlar la tensin umbral del transistor, y normalmente su tensin es la
misma que la de la Fuente.
El transistor MOS es simtrico: los terminales de Fuente y Drenador son
intercambiables entre s. En el MOSFET tipo N el terminal de mayor tensin acta
de Drenador (recoge los electrones), siendo el de menor tensin en el tipo P (recoge
los huecos). A modo de resumen, la figura anterior, muestra el funcionamiento de
un transistor MOS tipo N de enriquecimiento.
El smbolo ms utilizado para su representacin a nivel de circuito se muestra en la
figura siguiente. La flecha en el terminal de Fuente (Gate) nos informa sobre el
sentido de la corriente.
REGIN DE CORTE.
El transistor estar en esta regin, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale elctricamente a un circuito abierto, entre los
terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo bsico del transistor,
en esta regin, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conduccin entre
Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.
REGIN HMICA.
Cuando un MOSFET est polarizado en la regin hmica, el valor de RDS(on) viene
dado por la expresin:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) especfica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si VDS(on)=1V y ID(on)=100mA = 01 A; entonces,
REGIN DE SATURACIN.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin
entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensin de
saturacin (Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas
caractersticas proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET
mantiene constante su corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de
tensin que haya entre el Drenador y el Surtidor (VDS). Por lo tanto, el transistor
equivale a un generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estar en esta regin, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS Vt ).
O sea, estaremos en la regin de saturacin cuando el canal se interrumpe o
estrangula, lo que sucede cuando:
REGIN DE RUPTURA.
Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus propiedades
semiconductoras y se puede llegar a romper el componente fsico. La palabra
ruptura hace referencia a que se rompe la unin semiconductora de la parte del
terminal del drenador.
Los transistores unipolares estn limitados en tres magnitudes elctricas:
RESUMIENDO:
Mxima Tensin Puerta-Fuente. La delgada capa de dixido de silicio en el
MOSFET funciona como aislante, el cual, impide el paso de corriente de Puerta,
tanto para tensiones de Puerta negativas como positivas. Muchos MOSFET estn
protegidos con diodos zener internos, en paralelo con la Puerta y la Fuente. La
tensin del zener, es menor que la tensin Puerta-Fuente que soporta el MOSFET
VGS(Max).
Zona hmica. El MOSFET es un dispositivo de conmutacin, por lo que
evitaremos, en lo posible, polarizarlo en la zona activa. La tensin de entrada tpica
tomar un valor bajo o alto. La tensin baja es 0 V, y la tensin alta es V GS(on),
especificado en hojas de caractersticas.
Drenador-Fuente en resistencia. Cuando un MOSFET de enriquecimiento se
polariza en la zona activa, es equivalente a una resistencia de RDS(on), especificada en
hojas de caractersticas. En la curva caracterstica existe un punto Qtest en la zona
hmica. En este punto, ID(on) y VDS(on) estn determinados, con los cuales se calcula
RDS(on).
CAPACIDADES PARSITAS.
Al igual que en los transistores bipolares, la existencia de condensadores parsitos
en la estructura MOS origina el retraso en la respuesta del mismo, cuando es
excitado por una seal de tensin o intensidad externa. La carga/descarga de los
condensadores parsitos, requiere un determinado tiempo, que determina la
capacidad de respuesta de los MOSFET a una excitacin. En la estructura y
funcionamiento de estos transistores se localizan dos grupos de capacidades:
1 I<sub>D</sub>=<em>k</em>(V<sub>GS</sub>-V<sub>T</sub><sup>2</sup>
donde k es el parmetro de transconductancia del MOSFET N y se mide en
mA/V2.
b) Si VDSVGS-VT, el transistor MOSFET, estar en la regin hmica de forma
que, al aumentar VDS, tambin lo harn la corriente y la resistencia del canal. El
comportamiento del transistor puede asociarse a la resistencia que presenta el
canal entre Drenador y Fuente.
Para terminar este punto, las tensiones bajas son transmitidas sin error por el
MOSFET tipo N, mientras que las altas lo son por el tipo P. Esta configuracin, se
denomina puerta de paso. Para su funcionamiento, las tensiones en las puertas
han de ser complementarias (cuando una es alta la otra es baja, y viceversa); esto se
indica aadiendo un crculo a una de las puertas, o una barra sobre una de las
tensiones.
POLARIZACIN DE MOSFET.
Los circuitos de polarizacin tpicos para MOSFET enriquecido, son similares al
circuito de polarizacin utilizados para JFET. La principal diferencia entre ambos
es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento tpico slo permite puntos de
funcionamiento con valor positivo de VGS para canal n y valor negativo de VGS para
el canal p. Para tener un valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo de VGS de
canal p, es adecuado un circuito de auto polarizacin. Por lo tanto hablamos de
recorte de realimentacin y circuito divisor de tensin para mejorar el tipo
MOSFET.
1 V<sub>D</sub>=V<sub>G</sub>
2 y V<sub>DS</sub>=V<sub>GS</sub>=> V<sub>s</sub>=0 [1]
Aplicando la segunda Ley de Kirchhoff a los circuitos de salida, obtenemos,
1 V<sub>DD</sub>-I<sub>D</sub>xR<sub>D</sub>-V<sub>DS</sub>=0
2 si V<sub>DS</sub>=V<sub>DD</sub>-I<sub>d</sub>xR<sub>d</sub> [2]
3 o V<sub>GS</sub>=V<sub>DD</sub>-I<sub>D</sub>xR<sub>D</sub>; si V<sub>DS</sub>
4 =V<sub>GS</sub> [3]
Ejemplo practico: Para el circuito dado en la siguiente figura, calcular VGS, ID y VDS.
1 V<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>DD</sub></a> = 12 V
2 V<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>GS</sub></a> = 8 V
3 V<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>T</sub></a> = 3 V
Como, VGS = VDD ID x RD = 12 ID x RD
tenemos que,
I<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a>=K((12-I<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>d</sub></a> x R<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>d</sub></a>)-V<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>t</sub></a>)<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup></a> =0.24 x 10<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>-3</sup></a>[12-I<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a> x 2 x 10<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>-3</sup></a>-3]<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup></a>
1
=0.24x10<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>-3</sup></a>
2
[81 - 36000 I<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a>
3
+ 4000000 I<a
4
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup><sub>D</sub></a>]
As; I<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a> =
0.01944 - 8.64 I<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a> + 960 I<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup><sub>d</sub></a>
960 x I<a
href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sup>2</sup><sub>D</sub></a> -
9.64 x I<a href="http://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/ejemplo8.gif"><sub>D</sub></a> +
0.01944 = 0
Esto es una ecuacin de segundo grado y se puede resolver usando la frmula
habitual.
V<sub>ds</sub>=V<sub>dd</sub>-I<sub>d</sub>xR<sub>d</sub>=12-7.2477x10<sup>-
1
3</sup>x2x10<sup>3</sup>=12-14.495=-2.495
En la prctica, el valor de VDS debe ser positivo, por lo tanto Id =7.2477mA, no es
valido.
Ahora, calculemos el valor de VDS teniendo ID = 7.2477mA, obtenemos que,
1 Vgs=12-2.794x10<sup>-3</sup>x2x10<sup>3</sup>=12-5.588=6.412V
2 V<sub>GS</sub>=6.412V
RECAPITULEMOS.
Consideremos, el caso de utilizar el MOSFET en conmutacin, se debe aplicar la
seal de activacin del MOSFET con un flanco de subida muy corto en tiempo, al
igual que el flanco de bajada. Tal vez con un ejemplo quede ms claro.
No es conveniente aplicar la salida de un microcontrolador directamente a un
MOSFET, las razones son evidentes. Existe gran variedad de drivers comerciales,
adecuados para cada necesidad. Por lo tanto, siempre, se debe emplear un driver.
El ms sencillo sera un transistor, como se muestra en la figura que sigue.
En el esquema de la figura, la salida del micro, se aplica a R1, cuando la tensin sea
positiva, el NPN conducir en saturacin, por lo tanto, su colector estar
aproximadamente a GND y como consecuencia, el MOSFET, no conducir. En el
caso de que a la base del NPN le llegue una tensin negativa o cercana a GND, el
transistor no conducir y la tensin en su colector ser cercana a la tensin Vcc,
esto hace que el MOSFET se comporte como un interruptor cerrado, dejando pasar
la mxima intensidad (IDds).
Que hace el transistor NPN, conmuta su estado entre Vcc y GND, la cuestin es
que, lo debe hacer con un tiempo muy corto, al pasar de un estado alto a un estado
bajo y viceversa. Esto se consigue, reduciendo en lo posible las capacidades,
existentes incluso en los propios transistores BJT. Puesto que lo que pretendemos
es que el MOSFET, no trabaje en la zona hmica, para evitar las perdidas que se
evidencian con el calor que desprender en su caso.
Mejorando el circuito anterior, podramos aadir un par de transistores BJT ms,
para reducir el tiempo se subida y bajada al conmutar los niveles de tensin,
veamos la siguiente figura.