Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
SKRIPSI
Oleh :
Anastasia Ima
NIM : 023214013
i
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
SKRIPSI
By
Anastasia Ima
NIM : 023214013
ii
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
iii
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
iv
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
SedanG Kau TiDaK TahU aPa YanG aKan TerJaDi BesOk. ApaLah Arti hiDupMu?
HidUpmu iTu saMa sePerTi UaP YanG seBenTar saJa keLiHaTan Lalu LenYaP
~Yakobus 4:14~
FirmanMu ......
jika kamu meminta sesuatu kepadaKu dalam namaKu
Aku akan melakukannya .......(Yoh 14:14)
Aku tahu............
Untuk segala sesuatu ada masanya, untuk apapun di bawah kolong langit.......
ada waktunya......... (Pengkotbah 3:1)
Karya sederhana ini kupersembahkan kepada :
Jesus Kristus yang selalu membukakan pintu bagi setiap harapan dan doaku
Papa dan Mama tersayang, i love u.
Abang moses dan keluarga barunya (kak Tuti dan si kecil), niko dan my littel
sister dedek (Emel), u all my inspiration.
Almamater dan Sahabat-sahabatku terkasih.
vi
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
ABSTRAK
sebagai akibat penembakkan oleh ion positif berat. Proses ini dapat digunakan untuk
mendeposisikan suatu lapisan tipis logam secara merata di atas sebuah bahan dalam
Telah dilakukan deposisi lapisan tipis SnO2 dengan metode sputtering DC.
Penelitian ini bertujuan untuk mempelajari pengaruh variasi waktu deposisi terhadap
karakteristik bahan lapisan tipis SnO2. Karakteristik ini meliputi resistansi, struktur
morfologi dan komposisi kimia lapisan tipis SnO2. Variasi waktu deposisi dimulai
dari 30 menit, 60 menit, 90 menit, 120 menit dan 150 menit dengan parameter lain
dibuat tetap seperti tekanan kerja 3 x 10-2 Torr, temperatur substrat 2000 C dan
Dari penelitian ini dihasilkan nilai resistansi optimal sebesar 180 M. Kondisi
ini dicapai pada waktu deposisi 120 menit. Dari observasi SEM dihasilkan bahwa
sekitar 2,1 m. Sedangkan dari analisis EDX dihasilkan perbandingan unsur Sn dan O
adalah 1 : 1,42.
vii
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
ABSTRACT
bombarding of weight ions. This proses can be used to deposit a thin film on a
The deposition of SnO2 thin film was carried out using by DC sputtering
method. The purpose of this research is to study the effect of time variation of
morphology structure and chemical composition of SnO2 thin film. The time variation
of deposition was from 30 minutes, 60 minutes, 90 minutes, 120 minutes and 150
minutes while the others parameter was kept constant, such as the pressure of Argon
gas 3 x 10-2 Torr, substrate temperature is 2000 C and electrode voltage is 2.5 kV.
conditions was achieved at the time of deposition is in orde of 120 minutes. From
SEM observation it was found that grains was distributed homogenously and the
thickness of layer is around 2.1 m while from EDX analysis it was found that the
viii
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
KATA PENGANTAR
Puji dan syukur penulis haturkan kepada Allah Bapa atas segala rahmat dan
DAN KARAKTERISASINYA.
Dalam proses penulisan skripsi ini, penulis menyadari telah mendapat bantuan
dari berbagai pihak. Oleh karena itu, pada kesempatan ini, penulis ingin
2. Bapak Drs. B.A. Tjipto Sujitno, MT, APU. selaku dosen pembimbing di
3. Ibu Ir. Sri Agustini Sulandari, M.Si selaku dosen pembimbing di kampus
4. Bapak Dr. Agung Bambang Setyo Utomo, SU. yang telah berkenan
ix
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
5. Bapak Dr. Ign. Edi Santosa, M.S. selaku dosen pendamping akademik
mahasiswa.
karakteristik sample.
skripsi ini.
9. Abangku tercinta Moses Umbu dan adik-adikku Niko dan Emel (dedek)
10. Bapak Sukirno yang selalu memberikan semangat dan nasehat kepada
11. Teman-teman seperjuangan di BATAN Erni, Frida, Ika (UAD), dll atas
x
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
13. Teman-teman kosku Lori, Nanut, Fani, Kia, Sari dan dPitha yang selalu
selama ini.
16. Seluruh Staff Pengajar Jurusan Fisika yang telah memberikan pengajaran
dan pendampingan.
17. Semua pihak yang telah membantu dalam penyelesaian penelitian ini yang
Penulis menyadari bahwa dalam penulisan ini masih banyak kekurangan, oleh
karena itu penulis sangat mengharapkan saran dan kritik yang sangat membangun
Akhirnya penulis berharap semoga skripsi ini dapat bermanfaat bagi dunia
Penulis
xi
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
xii
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
DAFTAR ISI
HALAMAN JUDUL.............................................. i
ABSTRAK . vii
ABSTRACT .. viii
BAB I. PENDAHULUAN. 1
xiii
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
xiv
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Sputtering DC .................................................................. 33
5.2. Saran . 54
DAFTAR PUSTAKA 56
LAMPIRAN ........................................................................................... 58
xv
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
DAFTAR GAMBAR
xvi
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Gambar 4.6 Spektrum hasil karakteristik EDX lapisan tipis SnO2 yang
dideposisi dengan metode sputtering DC pada tekanan 3 x 10 -
49
2
Torr, suhu 2000C dan waktu deposisi 120 menit .....................
xvii
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
DAFTAR TABEL
Tabel 4.1 Pengukuran nilai resistansi lapisan tipis SnO2 hasil dari
sputtering DC terhadap variasi waktu deposisi pada tekanan 3
x 10 -2 Torr, dan suhu 2000C .................................................... 41
Tabel 4.2 Pengukuran nilai resistansi dan resistivitas lapisan tipis SnO2
hasil dari sputtering DC terhadap variasi waktu deposisi pada
tekanan 3 x 10 -2 Torr, dan suhu 2000C .................................... 43
Tabel 4.3 Pengukuran butir-butir lapisan tipis SnO2 hasil dari sputtering
-2
DC terhadap variasi waktu deposisi pada tekanan 3 x 10
Torr, dan suhu 2000C ................................................................ 44
Tabel 4.4 Pengukuran ketebalan lapisan tipis S n O2 hasil dari sputtering
xviii
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
BAB I
PENDAHULUAN
merupakan masalah dunia yang sangat serius, yang perlu diperhatikan secara
khusus agar tidak merusak tatanan kehidupan makhluk hidup. Berbagai upaya
kota besar, karena kegiatan seperti pembangunan industri, transfortasi yang padat
berpusat di kota-kota besar sementara taman kota serta pohon perindang yang
sistem pengolahan limbah sebelum dibuang ke alam bebas. Sistem tesebut harus
diketahui jenis, konsentrasi maupun batas ambang dari tingkat polusi yang
untuk deteksi gas-gas berbahaya dari bahan semikonduktor yang dikenal dengan
pengembangan sensor jenis MOS adalah Naayoshi Taguchi, yang dikenal dengan
nama Taaguchi Gas Sensor (TGS) (Lieznerski, 2004). Beberapa bahan MOS yang
dikembangkan sebagai sensor gas adalah SnO2, TiO2, CeO2, WO2 dan ZnO. Dalam
1
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
penelitian ini dipilih bahan SnO2 karena bahannya yang relatif murah, mudah
kemampuan suatu sensor gas adalah sensitivitas dan selektivitas. Untuk menjadi
suatu sistem yang terintegarsi dan siap digunakan dilapangan diperlukan suatu
langkah yang cukup panjang. Untuk fabrikasi lapisan tipis menggunakan teknik
antar elektroda, tingkat kevakuman, aliran gas sputter, temperatur substrat dan
waktu deposisi.
parameter lain seperti, tegangan kerja, arus kerja, tekanan kerja dan temperatur
dibuat tetap. Lapisan tipis SnO2 yang dihasilkan akan dikarakterisasi, karakterisasi
2
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Kondisi lapisan tipis SnO2 dalam merespon gas sangat ditentukan oleh
kondisi parameter pembuatan lapisan tipis SnO2 dan karakterisasinya, maka dalam
tegangan kerja, arus kerja, tekanan kerja dan temperatur dibuat tetap.
multimeter.
3
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
BAB I Pendahuluan
penelitian
4
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
(EDXS)
BAB V Penutup
5
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
BAB II
DASAR TEORI
beberapa atom suatu bahan logam sebagai akibat penembakan oleh ion positif
berat. Proses ini dapat digunakan untuk mengendapkan suatu lapisan tipis logam
secara merata di atas sebuah bahan dalam suatu lingkungan tertupup (Isaacs A.,
1994). Pada umumnya bahan lapisan tipis dibuat dengan cara deposisi atom-atom
orde kurang dari beberapa mikron. Lapisan metal tipis diperoleh pertama kali oleh
Bunsen dan R. W. Grove pada tahun 1852, ketika mereka melakukan penelitian
lucutan listrik dalam gas bertekanan rendah dalam suatu sistem vakum, yang
substrat (Grainger, 1998). Proses ini berlangsung selama beberapa menit sampai
terbentuk lapisan tipis dipermukaan substrat. Metode ini mudah dikontrol sesuai
reaktor plasma, sumber tegangan tinggi (HVDC), sistem pemanas substrat, sistem
pendingin target, sistem vakum, pompa difusi, pompa rotari, alat pengukur dan
6
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
yaitu untuk pembentukan plasma dan deposisi lapisan tipis pada substrat. Di
dalam tabung terdapat dua elektroda, elektroda bagian bawah yang berfungsi
sebagai katoda, diberi pendingin sedangkan elektroda bagian atas yang berfungsi
digunakan alat pengukur suhu yang dilengkapi dengan termostrat. Sistem ini
terdiri dari alat pemanas dan pengontrol suhu yang bekerja secara otomatis.
7
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
memerlukan suatu sistem vakum. Untuk menghampakan tabung dari gas-gas sisa
digunakan pompa vakum bertekanan rendah. Pompa vakum ini terdiri dari pompa
tabung reaktor plasma dengan cara mengatur laju aliran gas Argon (Ar) yang
reaktor plasma. Tegangan yang dialirkan ke dalam tabung reaktor plasma akan
menyebabkan beda potensial antara katoda dan anoda, akibatnya medan listrik
yang dihasilkan akan mempercepat ion-ion gas sputter untuk menumbuk atom-
atom target.
sputter (Argon), apabila tabung sputtering sudah terisi gas Argon dengan tekanan
di dalam tabung reaktor plasma dalam orde 10-3 10-2 Torr dan pengaruh medan
listrik diantara elektroda (1-3 keV) maka ion-ion gas akan bergerak dengan energi
8
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Bahan target (SnO2) ditembaki dengan ion-ion Argon yang diberi tegangan
untuk melepaskan diri dari target. Atom-atom yang terpercik tadi akan
tipis pada substrat kaca. Teknik sputtering DC ini sejak dahulu hingga sekarang
Namun pada metode ini bahan target yang digunakan terbatas pada logam dan
mencapai substrat. Bila jarak kedua elektroda lebih dekat, maka atom target yang
mencapai substrat akan semakin banyak bahkan untuk atom yang berenergi kecil
sekalipun, karena atom-atom yang terpercik dari target memiliki energi yang
berbeda-beda untuk mencapai substrat. Tetapi, bila jarak antar elektroda jauh,
maka hanya atom yang berenergi cukup tinggi saja yang dapat mencapai substrat.
2.1.2.2. Tegangan
tenaga ion ditentukan oleh kuat medan listrik di daerah dekat dengan bahan target.
9
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Bila energi ion penumbuk lebih besar dari energi ikat atom target, maka atom-
atom target dapat terlepas dari ikatan atomnya dan terpercik kesegala arah.
E = E k + E p (1)
1 2
E= mv + qV .(2)
2
dimana energi total sebuah partikel bermuatan atau ion dengan massa m dan
Karena partikel-partikel fundamental dan inti memiliki muatan yang sama dengan
1 2
E= mv + eV .(3)
2
partikel udara yang masih ada di dalam ruang vakum. Tingkat kevakuman akan
Atom-atom suatu bahan tidak dapat bergerak pada suhu 0 K (-2370 C).
Pada kondisi ini, atom-atom menduduki keadaan dengan tingkat energi terendah
dan setiap atom menempati kedudukan kisi dalam susunan geometri yang teratur.
Setiap kedudukan kisi identik dan tidak terdapat getaran termal dalam atom. Bila
suhu bahan tersebut dinaikkan maka energi akan meningkat sehingga atom-atom
bergetar dan menimbulkan jarak antar atom lebih lebar. Jarak antar atom yang
10
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
keposisi yang baru, sehingga kisi menjadi kosong. Dengan bertambahnya suhu
celah atom atau menempati kekosongan yang ada. Hal ini mengakibatkan atom-
atom asing terikat dan semakin kuat menempel pada bahan, sehingga lapisan yang
yang dihasilkan. Semakin lama waktu deposisi, maka akan semakin banyak atom-
atom bahan target yang terdeposisi menempati posisi interstisi atau ruang kosong
dalam substrat sehingga kerapatan bahan disekitar permukaan akan meningkat dan
dapat menghasilkan lapisan tipis yang maksimum. Kondisi ini juga dipengaruhi
pada kisi kristal yang dipengaruhi oleh naiknya temperatur, bila suhu dinaikkan
jarak antar atom lebih lebar. Jarak inilah yang menjadi daerah interstisi.
Secara skematis interaksi berkas ion gas sputter dengan material target
11
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
dalam lucutan pijar ini menggunakan tegangan tinggi dc, tegangan dc ini
diberikan pada dua elektroda ( katoda dan anoda). Adanya beda potensial antara
kedua elektroda tersebut menyebabkan gas Argon terionisasi dan ion-ion Argon
tereksitasi menuju ke tingkat energi yang lebih tinggi akibat penyerapan sejumlah
energi ion penumbuk. Jika energi yang dipindahkan melebihi ambang ionisasi,
maka elektron dapat terlepas dari ikatannya dan menjadi bebas. Dalam masalah
ini dapat dikatakan bahwa atom terionisasi (Wong, 1984). Ionisasi gas adalah
proses terlepasnya elektron suatu partikel gas dari ikatannya. Ionisasi ini akan
menghasilkan ion-ion positif dan ion-ion negatif. Ion-ion positif yang dihasilkan
oleh medan listrik karena adanya beda tegangan diantara kedua elektroda,
12
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
sehingga ion-ion positif yang mendapat percepatan dari gaya yang ditimbulkan
oleh medan listrik, akan bergerak menuju katoda dan menumbukinya dengan
energi yang cukup tinggi, dengan diikuti tumbukan berikutnya secara terus
pembentukan lapisan tipis pada permukaan bahan cuplikan (Wasa dan Hayakawa,
1992).
diantaranya adalah :
1. Ion gas sputter terpantul dan dapat menjadi netral dengan menangkap
2. Atom target akan terpental keluar yang dapat disertai dengan elektron
sekunder.
menjadi rusak.
13
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
target.
Banyaknya atom yang terlepas dari permukaan target untuk setiap ion
2. Jenis target;
4. Struktur kristal.
Banyaknya bahan yang terpercik per satuan luas katoda secara matematis
14
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
j + S .t. A
w0 = .....................................................(5)
e.N A
k .w0
W= ...........................................................(6)
p.d
Pada prinsipnya ion memiliki ukuran yang sama dengan atom, sehingga
ketika ion menumbuk permukaan, dapat dikatakan sebagai tumbukan antar atom
datang (ion) dengan atom permukaan. Dalam tumbukan itu terjadi proses
pemindahan energi. Agar terjadi proses sputtering, energi ion harus lebih besar
15
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
dipindahkan selama proses tumbukan berlangsung bila arah ion datang tegak lurus
permukaa target ( = 0), maka energi yang ditransfer adalah maksimum dan
4M i M s
Et = Ei (7)
(M i + M s )
2
Dengan Ei adalah energi ion penumbuk [eV], Et adalah energi ion yang
dipindahkan [eV], Mi adalah massa atom ion gas sputter [amu] dan Ms adalah
aus, tahan korosi maupun tahan suhu tinggi. Metode sputtering telah terbukti
1. Dapat melapisi lapisan tipis dari bahan dengan titik leleh tinggi;
isolator;
16
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
terletak antara bahan konduktor dan bahan isolator. Daya hantar listrik
berprilaku seperti bahan isolator (T = 0 K), sedangkan pada suhu tinggi berprilaku
dan hole, dimana pada semikonduktor intrinsik suhu tinggi dapat menyebabkan
elektron pada pita valensi berpindah menuju pita konduksi dengan meninggalkan
hole pada pita valensi. Semakin tinggi suhu, semakin banyak elektron dilepaskan
Berdasarkan azas Pauli, dalam suatu tingkat energi tidak boleh terdapat
lebih dari satu elektron pada keadaan yang sama. Kumpulan garis pada tingkat
energi yang sama akan saling berhimpitan dan membentuk satu pita, ini disebut
pita energi. Secara umum penentuan struktur pita energi untuk kristal isolator,
kristal semikonduktor dan kristal konduktor dapat diilustrasikan pada Gambar 2.4.
dimana pada keadaan kesetimbangan pita energi tersplit menjadi dua bagian dan
17
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
dipisahkan oleh daerah dimana elektron tidak bisa bergerak atau beroperasi,
Gambar 2.4. Struktur pita energi untuk : a). bahan isolator; b) bahan
semikonduktor; dan c) bahan konduktor.
konduksinya tidak terisi oleh elektron (kosong), sedangkan pada pita valensinya
penuh oleh elektron. Sehingga bahan isolator tidak bisa menghantarkan listrik.
Semikonduktor memiliki celah energi sekitar ~ 1,1 eV, dimana sebagian elektron
pada pita valensi pindah menuju pita konduksi, sehingga meninggalkan hole pada
pita valensi. Kemudahan elektron pindah menuju pita konduksi karena energi gap-
nya kecil. Elektron-elektron ini cukup untuk menimbulkan sejumlah arus yang
terbatas untuk mengalir jika medan listrik dipasang, sehingga bahan memiliki
resistivitas listrik diantara isolator dan konduktor. Sedangkan konduktor tidak ada
celah energi, dimana pita konduksi terisi sebagian oleh elektron. Sehingga
elektron-elektron pada pita valensi sangat mudah untuk pindah menuju pita
menghantarkan listrik. Elektron pembawa muatan negatif dalam pita konduksi dan
hole merupakan pembawa muatan positif pada pita valensi (Van Vlack, 1991).
18
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
dari logam dan berikatan dengan oksigen. Lapisan teratas permukaan SnO2
disusun oleh ion-ion oksigen dan ion-ion logam pada lapisan dibawahnya. Kisi
ion-ion logam hanya terisi sebagian, ruang tersisa berada dalam keadaan cacat
(defect) (Atmono Trimardji, 2003). Dalam teori defect, kekurangan atau kelebihan
ion oksigen pada permukaan akan menyebabkan cacat titik. Cacat titik yang
akan menyebabkan terbentuknya pita akseptor yang letaknya di atas pita valensi
dalam struktur pita energi permukaan. Cacat titik yang terbentuk karena terisinya
yang letaknya sedikit di bawah pita konduksi dalam stuktur pita energi (Atmono
Trimarjdi, 2003). Pengotoran dengan atom donor dan atom akseptor dapat di
Pita konduksi
Donor
Pita valensi
(a) (b)
Gambar 2.5. (a) Semikonduktor dengan donor atom asing dari golongan VA
(arsenik) atau semikonduktor tipe-n. (b) Tingkat energi atom donor
19
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Pita konduksi
Akseptor
Pita valensi
(a) (b)
Gambar 2.6. (a) Semikonduktor dengan atom asing dari golongan IIIA (Boron)
atau semikonduktor tipe-p. (b) Tingkat energi atom akseptor
elektron berlebih (jumlah elektronnya lebih banyak satu dari atom murni).
adalah atom pengotor yang memberikan kontribusi jumlah hole berlebih (jumlah
elektronnya lebih sedikit satu dari atom murni). Sehingga semikonduktor yang
dikotori dengan atom akseptor akan kekurangan elektron dan menimbulkan hole.
atom, penyimpangan ini disebut cacat titik (point defect) atau ketidaksempurnaan
20
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Gambar 2.7. Cacat titik (point defect) dalam sebuah kisi kristal (Beiser Artur,
1981). a) kekosongan (vacancy) dan cacat interstisi (interstisi
defect). b) cacat substitusi (substitusional defect)
dari posisi kisi normal (Van Vlack, 1991). Cacat interstisi yaitu apabila sebuah
atom menempati suatu keadaan yang tidak normal sehingga terdesak diantara
atom-atom pada kisi tuan rumah (Trethewey, 1991). Atom interstisi bisa berupa
atom tuan rumah atau atom asing (Van Vlack, 1991). Cacat substitusi yaitu
adanya atom asing yang menempati suatu kedudukan pada kisi yang seharusnya
21
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
maka akan timbul medan listrik pada setiap titik di dalam semikonduktor tersebut
yang menghasilkan arus listrik I. secara matematis, arus yang mengalir pada
semikonduktor adalah
V
I= .(8)
R
dengan I (Ampere) adalah arus listrik, V (Volt) merupakan beda potensial ujung-
J = E .(9)
semkonduktor (-1m-1) dan E merupakan kuat medan listrik (V/m). rapat arus
I
J= .(10)
A
Bila kuat medan listrik dalam suatu semikonduktor dianggap serba sama
V
E= ..(11)
l
V
J = ...(12)
l
22
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
A
I= V ..(13)
l
1
= .(14)
l
V = I (15)
A
Vlack, 1991)
l
R= .(16)
A
Bahan lapisan tipis SnO2 yang baik sebagai sensor gas adalah yang
mempunyai nilai resistansi kecil, karena sensitivitas suatu sensor gas ditunjukkan
Spektroscopy (EDXS)
morfologi dan kompisisi kimia bahan sampel dalam orde kurang dari beberapa
mikron. Sejak tahun 1800, analisis lapisan tipis pada batuan masih menggunakan
23
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
polarizing atau petrografic microscope, yaitu suatu alat tradisional dalam geologis
(ilmu bumi). Dalam penggunaanya alat ini mampu bekerja dalam dua dimensi,
taksiran dari kandungan kimia pada mineral, observasi mengenai ukuran lapisan
dan tekstur permukaan. Tetapi dalam kenyataanya alat ini belum mampu untuk
mengungkapkan secara terperinci mengenai struktur kulit dari sampel, dalam hal
Dalam perkembangannya saat ini sistem SEM dan teknik EDX telah lebih
maju. Hal ini dapat dilihat dari kemampuannya dalam menganalisis lapisan tipis
telah mencapai orde kurang dari beberapa mikron dan mampu mengenali serta
melihat struktur pori-pori kulit mineral-mineral yang sangat kecil. Manfaat lain
dari SEM adalah mudah dalam preparasi sampel, mempunyai medan yang besar
dan resolusi yang tinggi serta memiliki perbesaran yang cukup signifikan (banyak
analisis SEM pada batuan yang mempunyai perbesaran antara 10000x sampai
sampel.
analisis komposisi kimia dengan teknik EDX. Karakteristik morfologi ini adalah
lapisan tipis. Kedua karakteristik ini memanfaatkan pancaran sinar-x dan elektron
sekunder yang dipancarkan oleh specimen akibat dari tumbukan berkas elektron
24
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
berkas elektron yang menumbuk sampel, selanjutnya elektron sekunder ini akan
EDX SEM
Gambar 2.8. Skema dasar dari Scanning Electron Microscope (SEM) dan Energy
Dispersive X-ray Spectroscopy (EDXS) (Modified from Beck,
1977)
dengan segala tonjolan dan lekukkan permukaan. Gambar topografi ini diperoleh
25
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
sampel akibat tumbukan dengan berkas elektron berenergi tinggi. Kata kunci dari
prinsip kerja SEM adalah Scanning yang berarti bahwa berkas elektron
menyapu permukaan sampe, titik demi titik dengan sapuan membentuk garis
demi garis, mirip seperti gerakkan mata yang membaca. Sinyal sekunder yang
oleh Secondary Electron (SE) detektor dan kemudian diolah dan ditampilkan
Gambar 2.9. Skema dasar dari Scanning Electron Microscope (SEM) (Principles
of SEM, Training Textbook)
sinar-x karakteristik hasil dari interaksi antara berkas elektron dengan materi.
26
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
keterangan mengenai struktur material tersebut. Skema pada Gambar 2.10. akan
dan ada juga yang dapat menembus spesimen, yaitu elektron yang mempunyai
energi cukup tinggi. Bila spesimen cukup tipis, sebagian akan menembus
spesimen dan sebagian lagi akan dihamburkan secara elastis tanpa kehilangan
energinya dan sebagian secara inelastis. Interaksi berkas elektron dengan atom
Energi sinar-x yang dinyatakan dalam keV dideteksi per canal (faktor
tidak tetap, kira-kira 10 eV/canal). Dalam prakteknya, teknik EDX sangat sering
27
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
sampel.
28
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
BAB III
METODOLOGI PENELITIAN
Geologi), Bandung.
berikut :
29
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
dibersihkan.
1. pemotong kaca;
2. ultrasonic cleanser;
3. penggaris;
4. pinset;
5. hair dryer.
pendukungnya :
jarak pisah 2 cm. Pada anoda diberi elemen pemanas dan pada katoda
diberi pendingin.
30
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
2. Sistem Pemanas
3. Sistem Vakum
gas sisa dalam tabung reaktor plasma. Alat ini dapat menghampakan
dalam tabung.
31
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
X-Ray Specrtoscopy)
Urutan kerja dalam penelitian ini dibagi menjadi tiga tahap, yaitu tahap
preparasi sampel, tahap pendeposisian lapisan tipis dan tahap karakterisasi lapisan
yang terbentuk.
telah tersedia dalam keadan jadi, berbentuk bundar dengan diameter 60 mm, tebal
ukuran (1,2 x 2,5 x 0,1) cm. Kemudian dicuci dengan air bersih yang diberi
32
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
lucutan
sedang berlangsung.
33
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
keadaan dingin.
2. Memasang target perak (Ag) pada katoda dan sampel lapisan tipis pada
anoda.
34
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
sputtering akan terjadi pada tabung reaktor plasma yang dapat dilihat
dari alat ini berupa nilai resistansi lapisan tipis tersebut. Adapun pengukurannya
dilakukan dengan cara menempelkan stik pengukur dari multimeter pada ujung-
ujung sampel, kemudian diamati nilai resistansi sampai pada keadaan stabil,
setelah menunjukan suatu nilai yang stabil lalu dicatat datanya. Hasil pengukuran
lapisan serta komposisi kimia menggunakan alat SEM/EDX dengan merk Joel
35
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
perak).
36
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Proses Sputtering
Karakteristik
37
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
BAB IV
HASIL EKSPERIMEN DAN PEMBAHASAN
4.1. Hasil
Pada bab ini akan diuraikan hasil penelitian serta pembahasannya yang
terdiri dari proses pembuatan lapisan tipis SnO2 menggunakan teknik sputtering
tekanan kerja, tegangan antar elektroda dan temperatur substrat tetap. Hasil
kimia menggunakan EDX, dan sifat kelistrikan dari lapisan tipis menggunakan
multimeter digital.
Telah berhasil dilakukan deposisi lapisan tipis SnO2 pada substrat kaca
dengan variasi waktu 30 menit, 60 menit, 90 menit, 120 menit dan 150 menit
3. Arus : 40 mA
4. Temperatur : 2000C
tahap, yaitu proses deposisi lapisan tipis SnO2 dan tahap pembuatan kontak perak
38
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
pada bagian kedua tepi substrat yang telah dilapisi SnO2. Pemberian kontak perak
daerah sample yang terhubung sehingga arus-arus yang lewat semakin mudah
terdeteksi.
Lapisan tipis SnO2 yang terbentuk di atas substrat kaca berwarna agak
putih buram. Tebalnya lapisan tipis tergantung dari lamanya waktu deposisi. Hal
ini ditandai dengan lapisan warna putih buram yang semakin tebal sebanding
dengan bertambahnya waktu deposisi. Sedangkan hasil dari kontak perak akan
ditandai dengan lapisan warna agak kehitaman pada kedua tepi substrat.
tergantung dari prinsip kerjanya. Untuk lapisan tipis SnO2 yang baik sebagai
sensor gas, dengan prinsip kerja dari sensor gas itu sendiri adalah berdasarkan
semakin kecil perubahan resistansi dari lapisan tipis berarti semakin tinggi
bermaksud untuk megetahui pada kondisi waktu deposisi berapa sample terukur
dengan sensitive.
39
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
diperoleh grafik yang menunjukan perubahan nilai resistansi untuk setiap waktu
tipis baik penampang muka yang menunjukan banyaknya atom yang terdeposisi
lapisan tipis tersebut. Dari gambar/foto penampang lintang dapat diukur ketebalan
pertumbuhan lapisan tipis, dari perbandingan ini akan didapatkan grafik hubungan
antara ketebalan lapisan tipis dengan waktu deposisi, sedangkan dari gambar/foto
dapat juga dicari nilai rata-rata dari pertumbuhan butir atom-atom yang
dilihat pada layar monitor atau dicetak dengan printer. Tampilan pada monitor
Lapisan tipis yang baik adalah lapisan tipis yang cukup homogen bila
dilihat dengan mata biasa, tidak mudah mengelupas dan mempunyai nilai
40
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
UT 70A.
Untuk mengetahui sifat listrik dari lapisan tipis yang dihasilkan, dilakukan
cara memvariasi waktu sputtering, yaitu 30 menit, 60 menit, 90 menit, 120 menit,
dan 150 menit pada tekanan gas Argon 3 10 2 Torr, Suhu substrat 200 0 C , dan
terhadap variasi waktu deposisi dengan parameter lain dibuat tetap dapat dilihat
Tabel 4.1. Pengukuran nilai resistansi lapisan tipis S n O2 hasil dari sputtering DC
terhadap variasi waktu deposisi pada tekanan 3 10 2 Torr, dan suhu
200 0 C
41
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Resistansi (megaOhm)
500
400
300
200
100
0
0 30 60 90 120 150 180
Waktu deposisi (m enit)
Resistansi (M)
Gambar 4.1. Grafik hubungan antara resistansi lapisan tipis S n O2 dengan waktu
deposisi.
menurun dengan bertambahnya waktu deposisi. Hal ini diakibatkan karena waktu
deposisi yang semakin lama maka jumlah atom-atom yang terdeposisi pada
semakin rapat dan homogen, tetapi nilai resistansi belum begitu stabil karena pada
keadaan tertentu kembali naik. Hal ini disebabkan sampel setelah dideposisi tidak
tersimpan di dalam tabung desikator, yaitu tabung vakum yang tertutup rapat,
sehingga sampel masih bisa terkontaminasi oleh senyawa disekitarnya. Hal ini
resistansi sebesar 180 M dengan waktu deposisi 120 menit, pada tekanan
3 10 2 Torr, dan suhu 200 0 C . Semakin rendah nilai resistansi suatu lapisan
tipis, maka semakin baik bahan sampel tersebut sebagai sensor gas.
42
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
terhadap variasi waktu deposisi dengan parameter lain dibuat tetap dapat dilihat
Tabel 4.2. Pengukuran nilai resistansi dan resistivitas lapisan tipis S n O2 hasil dari
sputtering DC terhadap variasi waktu deposisi pada tekanan 3 10 2
Torr, dan suhu 200 0 C
l
R= (Van Vlack, 1991).
A
Mikro Permukaan.
43
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Makin lama waktu deposisi jumlah atom-atom yang terdeposisi juga semakin
dapat dicari nilai rata-rata dari pertunbuhan butir-butir atom yang terbentuk
gambar 4.2.
44
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
0.35
Pertumbuhan butir-butir 0.3
(mikrometer) 0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0 30 60 90 120 150 180
Waktu deposisi (menit)
Hasil dari foto SEM menunjukkan bahwa ukuran dan bentuk butir-butir
dari lapisan tipis S n O2 yang terdeposisi pada substrat cukup homogen, hal ini
dapat dilihat dari bentuk kristal yang cukup seragam. Struktur morfologi
menit, 60 menit, 90 menit, 120 menit dan 150 menit pada tekanan 3 10 2 Torr,
dan suhu 200 0 C dapat dilihat dari hasil Scanning Electron Microscope pada
gambar 4.3.
45
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
tampang lintang dari substrat yang ada lapisan tipis S n O2 . Dari gambar tampak
garis tipis yang berwarna putih dengan ketebalan 1 m, garis ini merupakan
Lapisan.
deposisi, karena semakin lama waktu sputtering maka semakin banyak atom-atom
30 0,6
60 1,2
90 1,4
120 2,1
150 2,2
46
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Berdasarkan tabel 4.4 dapat dibuat grafik hubungan antara waktu deposisi
2.4
2.1
Tebal lapisan
1.8
(mikrometer)
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
0 30 60 90 120 150 180
Waktu deposisi (m enit)
Gambar 4.4. Grafik hubungan antara ketebalan lapisan tipis S n O2 terhadap waktu
deposisi.
Diperoleh nilai ketebalan lapisan 2.1 m pada nilai resistansi terkecil yaitu 180
47
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
hasil dari membandingkan garis putih yang tercetak pada gambar 4.5. dengan
Kimia.
dapat dianalisis dengan metode EDX. Hasil uji EDX berupa spektrum yang
yang terdapat dalam sampel menjadi tidak stabil. Untuk kembali stabil (ground
state), maka atom-atom dalam sampel melepaskan sejumlah energi. Energi yang
dilepaskan antara lain berupa sinar-x. Tiap atom memiliki tingkat energi tertentu
48
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Gambar 4.6. Spektrum hasil karakteristik EDX lapisan tipis S n O2 yang dideposis
dengan metode sputtering DC pada tekanan 3 10 2 Torr, suhu
200 0 C dan waktu deposisi 120 menit.
Tabel 4.5. Data karakteristik EDX hasil dari dideposis lapisan tipis S n O2 dengan
metode sputtering DC pada tekanan 3 10 2 Torr, suhu 200 0 C dan
waktu deposisi 120 menit.
Unsur Senyawa
O Fe Sn Si S i O2 FeO S n O2
49
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
kemungkinan berasal dari wadah target yang terbuat dari stainles steel, sedangkan
unsur Si kemungkinan berasal dari substrat yang terbuat dari kaca preparat. Unsur-
unsur ini kemungkinan ikut terpercik dan bersenyawa dengan oksigen dan
4.2. Pembahasan
Sensor gas merupakan alat deteksi gas-gas berbahaya hasil polusi yang
terbuat dari bahan semikonduktor. Tolok ukur kemampuan suatu sensor gas
adalah sensitivitas dan selektivitas. Untuk menjadi suatu sistem yang terintegrasi
teknik sputtering. Dalam penelitian ini dibatasi pada teknik pembuatan lapisan
tipis
beberapa atom suatu bahan logam sebagai akibat penembakan oleh ion positif
berat dalam suatu lingkungan tertutup (Isaacs A., 1994). Dalam penelitian ini
Pada sistem sputtering terdiri dari sepasang elektroda planar, yaitu bagian
katoda yang dipasang bahan target dan anoda yang dipasang bahan substrat.
lucutan divakumkan terlebih dahulu sampai mencapai 10-2 Torr. Hal ini
dimaksudkan agar tabung lucutan terbebas dari gas-gas sisa yang akan
50
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
tabung dan generator DC dinyalakan, maka akan terjadi lucutan pijar diantara
sehingga terjadi perbedaan tegangan yang tinggi antara katoda dan anoda,
akibatnya gas Argon akan terionisasi. Ion-ion Argon dalam tabung lucutan pijar
menghasilkan lapisan tipis pada permukaan substrat. Besarnya aliran gas Argon
bisa diatur sehingga diperoleh tekanan operasi yang dikehendaki, tekanan operasi
harus dijaga kestabilannya selama proses sputtering agar diperoleh lapisan yang
homogen.
waktu 30 menit, 60 menit, 90 menit, 120 menit, 150 menit pada tekanan gas
penelitian, bahwa plasma sputtering efektif terbentuk pada tekanan berkisar antara
overload pada sumber daya sehingga menyulitkan proses deposisi. Suhu substrat
200 0 C , dan tegangan kerja 2 kV dengan arus sebesar 40 mA. Hal ini didasarkan
pada penelitian terdahulu bahwa suhu berkisar 200 0 C , dan tegangan kerja 2 kV
DC merupakan salah satu cara untuk mengetahui sifat-sifat dan kondisi dari
51
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
lapisan tipis yang akan diintergasikan sebagai sensor gas. Karakterisasi meliputi
lapisan tipis dikontak perak terlebih dahulu. Hal ini dimaksudkan agar
terukur maka semakin sensitive suatu sensor gas tersebut. Dari grafik 4.1 dapat
dilihat hubungan antara resistansi lapisan tipis dengan waktu deposisi, nilai
dapat mengikat O2. Tetapi perubahan ini tidak signifikan, jadi data yang disajikan
pada tabel 4.2 sudah mewakili nilai resistansi dari lapisan tipis.
tipis menggunakan teknik EDX, teknik ini merupakan bagian dari alat SEM. Dari
jumlahnya sebanding dengan lamanya waktu deposisi. Hal ini dapat dilihat
pertumbuhan lapisan tipis dengan garis tipis berwarna putih yang berukuran 1 m.
52
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Grafik 4.5 menunjukkan bahwa hubungan antara ketebalan lapisan dengan waktu
deposisi mendekati linear. Hal ini berarti dengan bertambahnya waktu deposisi
melambat setelah waktu deposisi 120 menit, dimana pertumbuhan lapisan tipis
hanya bertambah sedikit pada waktu deposisi 150 menit. Hal ini disebabkan
semakin padat dan homogennya atom-atom yang terdepoisisi. Kondisi ini dapat
disebut sebagai pertumbuhan lapisan tipis yang optimal karena pada waktu
unsur untuk mengetahui jumlah komposisi kimia dan jenis-jenis unsur yang
energi dan intensitas yang terpancar dari sampel, saat sampel di tembaki dengan
berkas elektron.
sehingga atom-atom yang terdapat dalam sampel menjadi tidak stabil. Untuk
sejumlah energi. Energi yang dilepaskan antara lain berupa sinar-x. Tiap atom
dari karakteristik EDX disajikan pada tabel 4.5. dengan perbandingan mol Sn : O
adalah 1 : 1,42. Munculnya unsur lain kemungkinan berasal dari wadah target dan
kaca preparat yang merupakan bahan substrat, dimana saat proses deposisi ikut
terpercik.
53
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
BAB V
PENUTUP
5.1. Kesimpulan
sebagai berikut
1. Pada waktu deposisi 120 menit diperoleh lapisan tipis SnO2 dengan
diperoleh nilai ketebalan lapisan tipis SnO2 yang optimum sebesar 2,1
Torr, suhu 2000 C dan tegangan 2,5 KeV. Untuk pertumbuhan butir-
butir-butirnya.
5.2. Saran
54
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
55
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
DAFTAR PUSTAKA
Konuma, M., 1992, Film Deposition by Plasma Technique, New York : Springer
Verlag.
Alonso M. And Finn E. J., 1994, Dasar-daras Fisika Universitas, 2nd. Ed.,
Jakarta : Erlangga.
Ohring, M., 1992, The Materials Science of Thin Film, New York : Academic
Press Inc.
Smallman, R. E. and Bishop, R. J., 1999, Metalurgi Fisik Modern dan Rekayasa
Material (Sriati Djaprie. Terjemahan), Jakarta : Erlangga.
Sujitno Tjipto, B. A., 2003, Aplikasi Plasma dan Teknologi Sputtering untuk
Surface Treatment (Diktat Kuliah), Yogyakarta : PTAPB BATAN.
56
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Atmono Trimardji, 2003, Lapisan Tipis dan Aplikasinya untuk Sensor Magnet dan
Sensor Gas (Diktat Kuliah), Yogyakarta : PTAPB BATAN.
Van Vlack, L. H., 1991, Ilmu dan Teknologi Bahan , Jakarta : Erlangga.
Wasa, K. and Hayakawa, S., 1992, Handbook Of sputter and Sputtering, New
York : Academic Press Inc.
57
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
LAMPIRAN
58
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Lampiran 1
Gambar/foto tampang lintang lapisan tipis SnO2 yang diambil menggunakan SEM
t = 30 menit t = 60 menit
t = 150 menit
59
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Lampiran 2
t = 30 menit t = 60 menit
t = 150 menit
60
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Lampiran 3
Data hasil karakteristik EDX
LP3G - BANDUNG
t = 30 menit
t = 60 menit
61
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Lampiran 4 (lanjutan)
LP3G BANDUNG
t = 90 menit
t = 120 menit
62
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Lampiran 5 (lanjutan)
LP3G BANDUNG
t = 150 menit
63
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Lampiran 6
Dokumentasi penelitian
64
PLAGIAT MERUPAKAN TINDAKAN TIDAK TERPUJI
Lampiran 7 (lanjutan)
Mesin SEM/EDX
65