Leccion II Curso Reparacion Ecus - Unlocked

LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus
CURSO DE REPARACION DE COMPUTADORAS AUTOMOTRICES

Manual del Alumno Primer Nivel
Leccin 2:
2.1-Transistores NPN, PNP , encapsulados y montajes.

2.2-Transistores Darlington y FETs. Transistores IGBT.
2.3-Reguladores de tensin a 5 V.
2.4-Reemplazos de componentes, bsqueda en la Internet.
2.5-Mediciones de estos componentes en forma prctica con multmetro.
2.6-Mtodos para localizar componentes, parmetros a observar en reemplazos.
Al terminar esta Leccin Ud. deber ser capaz de:
- Reconocer transistores TBJ, Darlington, Mosfet e IGBT y enteder sus diferencias.

- Entender para que sirve un Regulador de Tensin y conocer modelos utilizados en ECUS
Automotrices.
- Sabe medir con multmetro diferentes tipos de transistores TBJ y probar Mosfets e IBGT.
-Conocer los parmetros mas importantes para reemplazos de transistores segn su funcin.
-Saber localizar componentes en la web.
2.1- Transistores Bipolares - COMPONENTES ACTIVOS.
Dentro de lo que respecta a la electrnica de mdulos en automotriz la gran evolucin de los

sistemas se presento cuando se implementaron en los controles los Semiconductores.
Estos componentes tienen un gran numero de virtudes porque simplifican los circuitos , sus
propiedades permiten que cambien su caractersticas de operacin como ningn otro
material lo podra hacer , para brindar un ejemplo muy simple se podra decir que este tipo de
elementos podra comportarse en un momento similar a un alambre de cobre que conduce la
corriente elctrica y en otro momento se podra comportar en un plstico que no conduce
bien la corriente elctrica , todo esto lo hace el mismo componente y se podra conseguir
este cambio tan notable con solo invertir la polaridad del circuito.
TRANSISTOR BJT (BIPOLAR).
Cise Electrnica Jose M. Bustillo 3243 ( 1406 ) Capital Federal Buenos Aires Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street Suite 4 Miami Florida 33186 USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
1
Cuando se selecciona un transistor se debe conocer el tipo de encapsulado, as como el

esquema de identificacin de los terminales.
Tambin se deber conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y

potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parmetro de la
potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la temperatura, de modo que
esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces
necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores crticos los
proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un polmetro: Este dispone de
dos orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la
medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda
determinado si es un NPN o un PNP.
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una
fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de
corriente).Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un
mnimo para una corriente de colector dada (I c); adems de esto, suele presentar una
variacin acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no
podemos conocer su valor. Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero
esta medida hay que tomarla solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este
parmetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez
en el circuito.
2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin

(potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el
colector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos

digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas (y
en especial I c).
4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street Suite 4 ( 33186 ) Miami Florida USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
2
El transistor PNP es complemento del NPN de forma que todos los voltajes y corrientes son
opuestos a los del transistor NPN.
Para encontrar el circuito PNP complementario:
Se sustituye el transistor NPN por un PNP y se invierten todos los voltajes y corrientes.
Un ejemplo de la configuracin de este tipo de transistores el la imagen inferior que muestra

la geometra e identificacin de sus pines tal cual como es representado en el manual
correspondiente de cada fabricante.
http://www.cise.com
3
En el esquema se pueden identificar la Base el Colector y el Emisor.
En el caso de este tipo de transistores la capacidad de conmutacin es baja comparada con

los transistores de compuerta aislada.
Un transistor de este tipo comnmente llevara entre sus terminales una corriente usual de 1A
y voltajes de 60 V.
Encapsulados y Montajes:
El TO-92: Este transistor pequeo es muy utilizado para la amplificacin de pequeas

seales.
La asignacin de patitas (emisor - base - colector) no est estandarizado, por lo que es
necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias para obtener estos datos.
El TO-18: Es un poco ms grande que el encapsulado TO-92, pero es metlico. En la

carcasa hay un pequeo saliente que indica que la patita ms cercana es el emisor.
Para saber la configuracin de patitas es necesario a veces recurrir a los manuales de
equivalencias.
El TO-39: Tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es ms grande.

Al igual que el anterior tiene una saliente que indica la cercana del emisor, pero tambin
tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de disipacin de calor.
El TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequea a mediana potencia. Puede o no

utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en se este utilizando.
Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se debe
utilizar una mica aislante
El TO-220: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que se deba de disipar potencia

algo menor que con el encapsulado TO-3, y al igual que el TO-126 debe utilizar una mica
aislante si va a utilizar disipador, fijado por un tornillo debidamente aislado.
TO-92 TO-18 TO-39 T0-126 TO-220
http://www.cise.com
4
El TO-3: Este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia. Como se puede ver
en el grfico es de gran tamao debido a que tiene que disipar bastante calor. Est fabricado
de metal y es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energa que este genera en
calor.
Este disipador no tiene un contacto directo con el cuerpo del transistor, pues este estara
conectado directamente con el colector del transistor (ver siguiente prrafo). Para evitar el
contacto se pone una mica para que sirva de aislante y a la vez de buen conductor trmico.
El disipador de fija al transistor con ayuda de tornillos adecuadamente aislados que se

introducen el los orificios que estos tienen. (ver figura arriba)
En el transistor con encapsulado TO-3 el colector esta directamente conectado al cuerpo del
mismo (carcasa), pudiendo verse que slo tiene dos pines o patitas.
Estas patitas no estn en el centro del transistor sino que ligeramente a un lado y si se pone
el transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estar el emisor y la derecha la
base.
2.2-Transistor Darlington, Mosfet e IGBT:
En muchos mdulos de control electrnico se utiliza un transistor denominado darlintong, el

cual lo podemos analizar como dos transistores convencionales BJT unidos, obteniendo as
mas capacidad de conmutacin de corriente, en el escrito inferior se da el fundamento fsico
que demuestra esta operacin, son unas ecuaciones muy sencillas que pueden ampliar el
concepto de este transistor.
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de
corriente.
Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada.
Ver la forma en la figura.
http://www.cise.com
5
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.
La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es:
IE= x IB
(Corriente de colector es igual a beta por la corriente de base).
Entonces analizando el grfico:
Ecuacin del primer transistor es:
IE1 = 1 x IB1 (1),
Ecuacin del segundo transistor es:
IE2 = 2 x IB2 (2)
Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la corriente
de base del transistor T2. Entonces
IE1= IB2 (3)

Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene:
IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1
Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1)) se obtiene la

ecuacin final de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1
http://www.cise.com
6
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un
transistor corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. ( las ganancias se
multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 (b = 100) conectados como un transistor
Darlington y se utilizara la formula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100
= 10000. Como se ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.
Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con

corrientes muy pequeas.
Muy importante: la cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington
es 1.4 voltios que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del
primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2
(0.7 Voltios).
En los manuales de los componentes podemos encontrar una representacin para este
transistor como muestra la imagen inferior.
El encapsulado es una de las caractersticas en las que este transistor cambia respecto a los
convencionales BJT. Con las hojas de informacin DATASHETS es muy fcil identificar sus
terminales. En el caso de requerir sus propiedades normales de operacin este mismo
catalogo provee la informacin normal de operacin, o los valores mximo de parmetros de
funcionamiento como serian por ejemplo.
Voltaje C E
Corriente Colector normal y mxima.
Frecuencia de Trabajo Mxima.
Temperatura Mxima de Trabajo.
http://www.cise.com
7
En el cuadro inferior se muestra una tabla usual para una referencia especifica de un
transistor tipo DARLINTONG.
Transistores de Efecto de Campo:
El transistor de efecto de campo (FET = Field-Effect Transistor) es un dispositivo de tres

terminales que se emplea para una amplia variedad de aplicaciones que coinciden, en gran
parte, con aquellas correspondientes al transistor BJT.
La diferencia principal entre las dos clases de transistores es el hecho de que el transistor
BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un
dispositivo controlado por voltaje.
En otras palabras, la corriente Ic la es una funcin directa del nivel de IB. Para el FET la
corriente ID ser una funcin del voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito, en cada caso
la corriente de la salida del circuito se controla por un parametro del circuito de entrada, en
un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado
As como hay transistores bipolares NPN y PNP, existen transistores de efecto de campo de
canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el transistor BJT es un
dispositivo bipolar (el prefijo bi- revela que el nivel de conduccin es una funcin de dos
portadores de carga, electrones y huecos). El FET es un dispositivo unipolar que depende
nicamente ya sea de la conduccin por electrones (canal-n) o por los huecos (canal-p). El
termino "efecto de campo" en el nombre elegido amerita una explicacin. Todos estamos
familiarizados con la habilidad de un imn permanente de atraer limaduras de metal sin
necesidad de un contacto fsico directo.
El campo magntico de un imn permanente acta sobre las limaduras y las atrae hacia el
imn a travs de un esfuerzo por parte de las lneas de flujo magntico, para mantenerlas a
tan corta distancia como sea posible.
http://www.cise.com
8
Para el FET se establece un campo elctrico por medio de las cargas presentes que
controlaran la trayectoria de conduccin del circuito de salida, sin necesidad de un contacto
directo entre la cantidad que controla y la que es controlada.
Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones semejante a otro

presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a comparar algunas de las
caractersticas generales de uno contra el otro.
Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones semejante a otro
presentado con anterioridad, existe una tendencia natural a comparar algunas de las
caractersticas generales de uno contra el otro
Construccin de los Fets
El JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo
de corriente entre las otras dos. En nuestra explicacin sobre el transistor BJT se utiliz el
transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de anlisis y diseo, con una
seccin dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp.
Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecer como el dispositivo

predominante sobre todo en los controles realizados en los diferentes modulos
especialmente el PCM.
La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura inferior.
Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre
las capas difundidas en material tipo p.
El extremo superior del canal tipo n,se conecta mediante contacto hmico a la terminal
denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material
se conecta por medio de contacto hmico a la terminal llamada la fuente (source) (S).
http://www.cise.com
9
Los dos materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la
terminal de compuerta (gate) (Q).
Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los extremos del
canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p.
En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo
condiciones sin polarizacin.
El resultado es una regin de agotamiento en cada unin, como se ilustra en la figura
anterior, que se parece a la misma regin de un diodo bajo condiciones sin polarizacin
Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de
portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la conduccin a travs de la regin.
Este tipo de transistores permiten que los mdulos de control puedan controlar cada vez mas
circuitos con alta corriente, a este efecto se le denomina ganancia, en el momento de
diagnostico de uno de estos componentes podemos encontrar que no existe cada de tensin
en la excitacin de su base. Presentando generalmente voltajes cercanos a 5V a travs
siempre de una resistencia.
El principal de estos transistores se denomina MOSFET M: Metal O:Oxido S:

Semiconductor.
En la grafica inferior se puede apreciar la presentacin comercial de unos de estos

transistores en ella se puede apreciar la denominacin de sus terminales y tambin su
configuracin externa donde es importante recalcar la caracterstica de compuerta Aislada, el
encapsulado en el caso Automotriz es tipo To 220 200 2P 3P
http://www.cise.com
10
Pero las diferencias principales se generan en cunto a poder de conmutacin en donde este
tipo de transistores puede tener mayor ganancia en la tabla inferior se presenta una
especificacin general para este tipo de transistor. Es importante observar por ejemplo el
valor de corriente mximo y pulsante entre Drain Source , y el voltaje mximo soportado en
estos terminales.
En el valor de corriente se encuentra que en condiciones normales puede comandar 20 A y

en conmutacin pulsante llegara hasta 80 A y en el Voltaje D S sin problemas 450 V con lo
cual un sistema de encendido podra ser activado por este componente, en la grafica de los
terminales se puede apreciar que el montaje del componente es superficial SMD.
Transistores IGBT.
El transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un componente utilizado cada vez
mas en aplicaciones automotrices en el cual la conmutacin de altas corrientes es un
requisito importante, este tipo de transistores aprovechan la ventaja de un transistor
MOSFET y un transistor BJT (Bipolar).
En el caso de la excitacin de este transistor se utiliza una compuerta aislada tipo MOSFET
con lo cual se controla la conmutacin por voltaje, y no por corriente llevando esto mucha
eficiencia a la llave electrnica.
En el caso de la llave electrnica se usa un transistor BIPOPOLAR con lo que se gana

conmutacin sin el valor de resistencia descripto en los transistores Mosfet.
http://www.cise.com
11
Este valor de resistencia presentara un aumento en la cada de tensin a medida que

aumente la corriente ,mientras que en un Bipolar la cada de tensin es constante
independiente de cuanta corriente conmute as que se vuelve en una unin perfecta de dos
tipos de transistores en un solo encapsulado.
Como se trata de una activacin por medio de un Mosfet se tendr Gate en la excitacin, y
como se tiene un bipolar en la llave electrnica ah se tendr Colector para la fuente y Emisor
para el circuito a conmutar, en la grafica se puede apreciar este arreglo.
En la estructura interna de este transistor se encuentra una organizacin qumica que usa las
propiedades de los dos transistores que se comento en el prrafo anterior.
http://www.cise.com
12
En Automotriz una de las cargas mas complicadas para operar son las cargas inductivas
estas son caractersticas de los sistemas de encendido por ejemplo.
En este caso la corriente tiene una caracterstica muy interesante porque presenta un
aumento a medida que el tiempo de circuito cerrado aumenta, lo que lleva a que el conductor
de esta corriente debe tener una muy eficiente conduccin de lo contrario colapsara.
http://www.cise.com
13
El oscilograma superior presenta una caracterstica para esta afirmacin.
Este fenmeno de la corriente viene acompaado en el momento de su corte con un efecto

de elevacin de tensin. Un pico inductivo, en ese momento la tensin presenta un pico que
podra perjudicar una juntura dbil, se podra pensar que en el momento del pico inductivo
fuese como si un diodo se polarizara de forma inversa.
Este valor debe ser un punto importante en la seleccin del transistor.
En la grafica inferior se muestra la imagen de este fenmeno en donde a medida que la

corriente va disminuyendo el pico de tensin aparece.
Todos estos valores estarn en la respectiva tabla de manual de los fabricantes de

componentes, en la grafica inferior observaremos la identificacin de de los pines de uno de
estos elementos y la tabla comn de valores mximos a soportar por parte de este transistor.
http://www.cise.com
14
Es importante apreciar que aunque la corriente continua es de 16 A, la corriente mxima

pulsante es de 58 A, en el caso automotriz la mayora de consumos altos (Casos PCM), se
da por corriente que pulsan a alta frecuencia.
http://www.cise.com
15
2.3- Reguladores de Tensin:
Un regulador tiene como funcin mantener la tensin de salida Vo en un valor

predeterminado, sobre el rango esperado de corriente de carga, independientemente de las
variaciones de la corriente de la carga, la tensin de entrada al regulador Vi y la temperatura
T.
Si se quisiera plasmar un regulador en un diagrama de bloques lo ms prximo a lograrlo en

lneas generales seria lo siguiente:
Cada uno de estos bloques sern explicados posteriormente, antes se quiso hablar de los
parmetros ms importantes que caracterizan un regulador de tensin; estos son la
regulacin de carga, la regulacin de lnea y el coeficiente de temperatura.
Regulacin de carga
Es el cambio de tensin de salida para un cambio especfico de la corriente de carga,

manteniendo constantes la tensin de entrad y la temperatura, la formula general es:
REG-CARGA (%) = (Vo, cargamin - Vo, cargamx) x 100% / (Vo, cargamin); donde Vo,
cargamin es la tensin de salida con carga mnima (tensin nominal) y Vo, cargamx es la
tensin de salida con carga mxima.
Regulacin de lnea
Es el cambio en la tensin de salida para un cambio dado a la tensin de entrada,

manteniendo constantes la corriente de salida y la temperatura la formula general es:
REG-LINEA (%) = "Vo / ("Vi x Vo) x 100%; donde "Vo es el cambio en la tensin de salida
para un cambio en la entrad "Vi y vo es la tensin nominal de salida. La regulacin de lnea
es comparable a otras especificaciones como el rechazo al ripple o a la regulacin de
entrada
http://www.cise.com
16
Coeficiente de temperatura
Es el cambio promedio en la tensin de salida para cada 1 Celsius de cambio en la

temperatura del regulador, usualmente se especifica como:
T.C. (% / C) = +/- (Vomx - Vomin) / (Vo ref. x Tmx -Tmin) x 100%
Siendo Vomx la tensin de salida a la mxima temperatura especificada Tmx, Vomin la

tensin de salida a la temperatura mnima Tmin y Vo ref. la tensin nominal de salida
especificada a un temperatura predeterminada, en la mayora de los casos 25 C.
Como se dijo un regulador de tensin est constituido por una serie de bloques funcionales
que permiten estabilizar la tensin de salida, el diagrama que se mostr antes est formado
por referencia, circuito de muestreo , amplificador de error y un elemento de control, en teora
una variacin de la tensin de salida Vo es detectada por el amplificador de error al comparar
la referencia de tensin y el circuito de muestreo, este amplificador opera sobre el elementote
control en serie para restaurar la Vo. Antes de adentrarnos en el tema se debe hacer
mencin de algunas de estos bloques constituyentes de un regulador en serie.
Voltaje de referencia: esto constituye una parte fundamental de los reguladores de tensin
al proporcionar una tensin de continua, muy precisa y estable con la temperatura y con el
tiempo, para minimizar los errores debidos al auto calentamiento, las referencias de tensin
proporcionan una corriente de salida moderada, tpicamente en el orden de unos pocos
miliamperios, estn referencias estn basadas en diodos zener y transistores bipolares o de
salto de banda,
Un diodo zener es el dispositivo mas barato y simple para obtener una tensin de referencia
ms o menos estable. Sin embargo, hay que adaptarse a los valores de tensiones zener
presentes en el mercado, adems estos presentan fuertes deriva trmica y el ruido de
avalancha es muy elevado. Estas limitaciones pueden ser resueltas en parte con la ayuda de
un amplificador operacional, resultando un circuito con caractersticas de autorregulacin.
Ejemplo de esta mejora lo constituye el siguiente circuito.
http://www.cise.com
17
Existen circuitos integrados monolticos con caractersticas similares a la estructura anterior

como el REF102 de Burr-Brown que proporcionan una tensin de referencia de tensin de 10
V compensado trmicamente que utiliza un diodo Zener de Vz = 8.2 V, la corriente mxima
de salida es de 10mA su estructura interna es lago similar a lo siguiente:
En un los PCM generalmente el Regulador de tensin debe mantener una tensin de salida
constante a 5V, independientemente de el valor de entrada que podra variar de valores entre
12 y 15 V.
Este tipo de reguladores estn construidos a base de monolticos integrados montado en un

encapsulada TO 220 u otra. Esta regulacin adems ofrece ventajas adicionales como una
proteccin trmica y una proteccin contra sobre corrientes, en el caso de una sobre
temperatura simplemente el circuito se abre.
Algunas ventajas de estos componentes son:
Salidas de Tensin alrededor de 1 A.

No requieren componentes Externos.
Proteccin interna por sobre cargas de temperaturas.
Proteccin interna por sobre corriente.
Salida a travs de un transistor Safe Area.
http://www.cise.com
18
El conexionado usual para los pines de estos componentes es como el mostrado en la figura
inferior.
Este tipo de componentes tambin tienen su propia carta de referencia de valores

DATASHETS. El cuadro inferior se puede apreciar una de ellas para un regulador muy usual
denominado 7805.
http://www.cise.com
19
Algunos reguladores de tensin utilizados en Ecus automotrices:
TLE4260 - TLE 4471
http://www.cise.com
20
2.4-Reemplazos de componentes, busqueda en la Internet:
Los componentes electrnicos puede ser fcilmente localizados en catalogos ON Line, por
Interent.
El problema que se presenta en el caso de las ECUS autmotices es que no siempre en las
mismas los componentes se encuentra con cdigos comerciales. Muchgas veces los
componentes estan con cdigos internos de fabricante y si bien estos componentes existen
en el mercado, no es sencillo identificarlos.
Por ejemplo: Si intentamos localizar el transistor de la figura, marcado con el cdigo 30021,
no podremos hallarlo en ningn catalogo.
El componente existe, pero cuando este ocurre, debemos intentar localizarlo por su funcin.
En Internet se pueden localizar componentes utilizando buscadores, basta colocar el cdigo

del componete en http://www.google.com o en buscadores de componentes especializados
como http://www.datasheetcatalog.com
Al localizar el componente se suele encontrar una ficha tcnica, generalmente en un archivo

de extensin .pdf. Esta ficha del componente se denomina DATASHEET.
En los DATASHHET aparecen todos los datos de los componentes desde el punto de vista
de funcionamiento y aplicaciones.
Las caractersticas y los parmetros son detallados en forma dedicada.
Incluye tambin los conexionados tpicos y las aplicaciones mas usuales del componente
solicitado.
http://www.cise.com
21
Veamos un ejemplo de una parte de un Datasheet:
Resulta de fundamental importancia conocer algunos parmetros importantes para

seleccionar correctamente un componente a la hora de realizar un reemplazo. Sobre todo si
el componente esta bajo cdigo y se debe colocar alguno que cumpla con la solicitud segn
la funcin que tiene en el circuito.
http://www.cise.com
22
2.5-Mediciones de algunos componentes en forma prctica con multmetro:
Los componentes que pueden ser medidos en forma muy acertada con el multmetro, son los
transistores el tipo TBJ. Tambin puede ser identificado un Darlington.
Los transistores MOSFET y los IGBT deben ser medidos con otros medios que se explicaran
posteriormente.
Estos componentes son de compuerta aislada, por lo que las mediciones de resistencia entre
sus terminales no tiene sentido realizarlas.
Se debe primero definir y conocer la construccin y estructura fsica de un transistor para

saber bien lo que vamos a medir. Como todos saben o han escuchado o ledo, los
transistores bipolares se concentran en dos grandes grupos: los N-P-N y los P-N-P, siendo
su simbologa tambin muy conocida y vista en cada lugar que se hable de circuitos
electrnicos.
Transistores Bipolares clsicos TBJ:
Para comenzar, seleccionamos un tipo de transistor al azar (el NPN). Se puede ver en el
dibujo siguiente que lo obtenido es muy similar a la estructura que antes conocamos del
diodo. A la unin N-P preexistente le agregamos un nuevo bloque semiconductor (tipo N), y
el conjunto resultante se transforma en un dispositivo de tres terminales de conexin y dos
tipos de silicio.
http://www.cise.com
23
Bloques que componen un transistor NPN: Si hubisemos elegido para los extremos el
material tipo P (carente de electrones, con exceso de huecos) y para el bloque central uno
del tipo N (exceso de electrones), nos hubiera quedado un transistor P-N-P.
Aclaracin importante: El dibujo mostrado no tiene nada que ver con la realidad fsica de un
transistor. Lo hemos dibujado as para que se pueda apreciar las partes que lo componen y
que se pueda conocer cmo se denominan.
Si se observa el dibujo, se veran lineas que representan a las dos junturas que se han
formado a ambos lados del terminal denominado BASE por la unin de los materiales N y P,
respectivamente. Si se asocia esta particularidad fsica con los diodos, con sus junturas N y
P, lo mostrado equivale a esto:
http://www.cise.com
24
Equivalencia armada con diodos simples
Entonces, se puede observar que todo se reduce a medir dos diodos. Si se aplica el mismo
razonamiento, ahora se podr descubrir que un transistor NPN equivale a dos diodos
conectados en oposicin con sus nodos unidos.
Aclaracin importante: Las analogas que se indican entre la composicin fsica de un

transistor y los diodos comunes es a modo de ejemplo para que resulte sencillo de analizar lo
que se medir. No significa que si se toman dos diodos y se conectan enfrentados
trabajarn como un transistor. NO. Es para que se tenga una idea de que medir un
transistor bipolar comn tipo PNP o NPN no es ninguna ciencia oculta; es lo mismo que
medir dos diodos enfrentados entre s.
Medicin Base-Colector en Medicin Base-Emisor en Medicin Colector-Emisor

polarizacin directa polarizacin directa
Si se observa la galera de imgenes que figura arriba, se comprobar que el terminal

llamado BASE es el que se encuentra a la izquierda del encapsulado. Al centro, se
encuentra el COLECTOR y, a la derecha, el EMISOR. Como resultado, se tiene que al
multmetro con su llave selectora colocada en su posicin para medir DIODO; en dicho
multmetro leemos que: BASE EMISOR conduce, BASE COLECTOR conduce, y
COLECTOR EMISOR lgicamente no conduce.
Por qu lgicamente? Porque all no se esta midiendo una juntura en directa sino que al
momento de realizar la medicin hay que atravesar dos junturas, segn el grfico antes visto.
Una de ellas s quedara polarizada en directa, pero la otra no; esto hace que la medicin
sea equivalente a un circuito abierto.
Entonces, se puede extraer del anlisis hecho que entre COLECTOR y EMISOR nunca
habr conduccin en ninguno de los sentidos y en ninguno de los tipos de transistores
bipolares NPN o PNP que se intenten medir y controlar.
http://www.cise.com
25
Aclaracin importante: No existen slo dos tipos de transistores bipolares. Como se ha

mencionado otros tipos de transistores, en este caso tomamos las mas elementales que son
el NPN y el PNP.
Con el tiempo y la prctica se descubrir una cantidad interminable de variantes de

combinaciones N y P, que forman transistores de caractersticas especiales y que adems
agregan, dentro del encapsulado, diodos, resistencias y hasta otros transistores creados en
el entorno de diseos muy especficos para aplicaciones tambin muy especficas.
Medicin de transistores con multmetro analgico:
De la misma forma que se realizaron mediciones con el multmetro digital, tambin se puede
realizar la comprobacin de transistores con el instrumento analgico.
Medicin Base-Emisor en Medicin Base-Emisor en Medicin Base-Emisor en

polarizacin directa polarizacin inversa polarizacin inversa por
alta resistencia
En las tres imgenes se puede ver las posibilidades que presenta una medicin BASE
EMISOR. En la primera, a la izquierda, tenemos una medicin en polarizacin directa la que,
como vemos, conduce normalmente como si fuera un diodo. En la fotografa central, hemos
invertido las puntas de medicin, y la juntura se ha polarizado en inversa y ha dejado de
conducir.
En la ltima imagen, a la derecha, se muestra la situacin verdaderamente importante de la
nota, que nos permite el instrumento de aguja. Es muy obvio notar que la juntura examinada
est excelente ya que tanto en R X 1 como en R X 10K la aguja no se mueve en absoluto.
No existen fugas de corriente a travs de las junturas.
Aclaracin importante: Cuando se realicen mediciones en alta resistencia, no se deben

tocar los terminales del instrumento ya que el mismo indicar la resistencia propia del cuerpo
a travs de las manos, entregando mediciones errneas.
http://www.cise.com
26
Uno se debe acostumbrar ahora a poder determinar fcilmente la identificacin de los

terminales de un transistor. Es decir, cul es la BASE, cul es el EMISOR y cul es el
COLECTOR.
Para facilitar como hemos visto, los fabricantes entregan las famosas hojas de datos o
datasheets que te brindan la informacin completa del encapsulado y de las caractersticas
elctricas ms importantes del transistor.
Consejos para la medicin de diodos y transistores:
1-Desconectar uno de los terminales del diodo antes de medirlo.

2-Si es un transistor, se recomienda desconectar dos terminales: BASE y EMISOR.
3-Utilizar la posicin DIODO al medir con un multmetro digital.
4-Si se utiliza un instrumento de aguja, mide en R X 1.
5-Si se tienen dudas al medir una juntura en polarizacin inversa, utilizar un instrumento
analgico en R X 10K.
6-Slo reemplazar un semiconductor por otro de iguales caractersticas.
2.6-Mtodos para localizar componentes, parmetros a observar en reemplazos.
Cuando se decida reemplazar un componente se deben tener en cuenta ciertos parmetros a

los efectos de que si el componente a colocar es un reemplazo, el mismo tenga las mismas
caractersticas que el componente original. Veamos algunos casos:
Resistencias: Lo mas importante es el valor en OHMS y la Potencia. Ejemplo: 470 W
Condensadores: Tipo ( Cermico, polister, electroltico, tntalio, etc,), Capacidad y

tensin de trabajo. Ejemplo: Condensador Electroltico 22 uf x 25V
Diodos General: Tensin en inversa Vinv. y Corriente en directa Id. Ejemplo: Diodo 1000V
1 A.
Diodos Zener: Tensin de trabajo Zener y Potencia. Ejemplo: Zener 20 V 1 W.
Transistores TBJ en NPN y PNP: En estos transistores se debe tener en cuenta lo

siguiente: Tipo de capsula, VCE (Tensin Colector Emisor), IC ( Corriente de Colector) y
Hfe o ganancia. Estos parmetros a observar son los mas importantes en el caso de
reemplazos de transistores TBJ en ECUS automotrices. Ejemplo: Transistor NPN , capsula
TO220, VCE 100 V , IC 8 Amp. Hfe= 40 mnimo.
http://www.cise.com
27
Transistores Darlington: Semejante al caso anterior se debe tener en cuenta lo siguiente:

Tipo de capsula, VCE (Tensin Colector Emisor), IC ( Corriente de Colector) y hfe o
ganancia.
Ejemplo: Transistor NPN , capsula TO220, VCE 100 V , IC 8 Amp. Hfe= 1500 mnimo.
NOTA: Se define al hfe = IC/IB - Corriente de Colector/ Corriente de la Base.
Transistores Mosfet: Los transistores Mosfet tienen 3 terminales de conexin, GATE,

DRAIN y SOURCE en lugar de BASE, COLECTOR y EMISOR.
Los parmetros importantes en estos transistores son VDS ( Tensin entre Drain Y Source),
ID (Corriente de Drenaje) y un parmetro sumamente importante RDS(on) ( Resistencia en
Drain y Source , cuando el transistor esta activado)
El RDS es la resistencia que presenta el transistor entre los terminales Drain y Source
cuando el mismo esta conectado. De acuerdo a la corriente ID que pase por el Mosfet, esta
resistencia interna remanente provocar una cada de tensin en el transistor y su
calentamiento. En muchas aplicaciones de Mosfets en ECUS automotrices se debe prestar
especial atencin al parmetro RDS.
Por supuesto es importante tambin seleccionar adecuadamente el tipo de capsula.
Transistores Mosfet 2SK1517 en un conversor DC DC de un vehiculo hibrido
http://www.cise.com
28
Transistores IGBT: Los transistores IGBT tienen 3 terminales de conexin, GATE,

COLECTOR y EMISOR . Como se menciono esta compuestos por un Mosfet mas un TBJ.
Los parmetros importantes en estos transistores son VCE (Tensin Colector Emisor), IC
(Corriente de Colector) y un parmetro sumamente importante VCE(on) ( Voltaje en Colector
y Emisor, cuando el transistor esta activado), siendo VCE(on) el voltaje de cada en el
transistor cuando el mismo esta saturado.
Por supuesto es importante tambin seleccionar adecuadamente el tipo de capsula.
Transistores IGBT GT30J324 en un conversor DC AC de un vehiculo hibrido
Cuando el componente no se localiza porque tiene un cdigo de fabricante y no su

identificacin comercial, deberemos seleccionarlo por sus parmetros.
Por ejemlo, si debemos reempazar un Mosfet para exitar 4 inyectores que trabajan en forma
paralela y considerando un consumo maximo de corriente de 1 A por inyector, y teniendo en
cueta que el pico de extratensi[on entre Colectro y Emisor suele llegra a 60 V, podrimaos
elegir un Mosfet con ID= 6 Amp. VDS = 100V y el RDS lo mas bajo posible.
Por ejemplo el BUZ72 cumple perfectamente:
VDS 100 Volts ID = 9Amp. Y RDS = 0.25 ohms.
http://www.cise.com
29
Se puede ver en su datasheet :
http://www.cise.com
30
Notas:
http://www.cise.com
31

Leccion II Curso Reparacion Ecus - Unlocked

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Leccion II Curso Reparacion Ecus - Unlocked

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

LECCION 2 Curso Reparacin de Ecus

CURSO DE REPARACION DE COMPUTADORAS AUTOMOTRICES

2.1-Transistores NPN, PNP , encapsulados y montajes.

Al terminar esta Leccin Ud. deber ser capaz de:

- Reconocer transistores TBJ, Darlington, Mosfet e IGBT y enteder sus diferencias.

2.1- Transistores Bipolares - COMPONENTES ACTIVOS.

Dentro de lo que respecta a la electrnica de mdulos en automotriz la gran evolucin de los

TRANSISTOR BJT (BIPOLAR).

Cuando se selecciona un transistor se debe conocer el tipo de encapsulado, as como el

Tambin se deber conocer una serie de valores mximos de tensiones, corrientes y

Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:

2. SATURACIN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin

3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos

4. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de inters.

Un ejemplo de la configuracin de este tipo de transistores el la imagen inferior que muestra

En el esquema se pueden identificar la Base el Colector y el Emisor.

En el caso de este tipo de transistores la capacidad de conmutacin es baja comparada con

El TO-92: Este transistor pequeo es muy utilizado para la amplificacin de pequeas

El TO-18: Es un poco ms grande que el encapsulado TO-92, pero es metlico. En la

El TO-39: Tiene le mismo aspecto que es TO-18, pero es ms grande.

El TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequea a mediana potencia. Puede o no

El TO-220: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que se deba de disipar potencia

TO-92 TO-18 TO-39 T0-126 TO-220

El disipador de fija al transistor con ayuda de tornillos adecuadamente aislados que se

2.2-Transistor Darlington, Mosfet e IGBT:

En muchos mdulos de control electrnico se utiliza un transistor denominado darlintong, el

(Corriente de colector es igual a beta por la corriente de base).

Entonces analizando el grfico:

Ecuacin del primer transistor es:

IE1 = 1 x IB1 (1),

Ecuacin del segundo transistor es:

IE2 = 2 x IB2 (2)

IE1= IB2 (3)

IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1

Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1)) se obtiene la

Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con

Transistores de Efecto de Campo:

El transistor de efecto de campo (FET = Field-Effect Transistor) es un dispositivo de tres

Cuando se introduce un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones semejante a otro

Construccin de los Fets

Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecer como el dispositivo

La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura inferior.

El principal de estos transistores se denomina MOSFET M: Metal O:Oxido S:

En la grafica inferior se puede apreciar la presentacin comercial de unos de estos

En el valor de corriente se encuentra que en condiciones normales puede comandar 20 A y

En el caso de la llave electrnica se usa un transistor BIPOPOLAR con lo que se gana

Este valor de resistencia presentara un aumento en la cada de tensin a medida que

El oscilograma superior presenta una caracterstica para esta afirmacin.

Este fenmeno de la corriente viene acompaado en el momento de su corte con un efecto

Este valor debe ser un punto importante en la seleccin del transistor.

En la grafica inferior se muestra la imagen de este fenmeno en donde a medida que la

Todos estos valores estarn en la respectiva tabla de manual de los fabricantes de

Es importante apreciar que aunque la corriente continua es de 16 A, la corriente mxima

2.3- Reguladores de Tensin:

Un regulador tiene como funcin mantener la tensin de salida Vo en un valor

Si se quisiera plasmar un regulador en un diagrama de bloques lo ms prximo a lograrlo en

Es el cambio de tensin de salida para un cambio especfico de la corriente de carga,

Es el cambio en la tensin de salida para un cambio dado a la tensin de entrada,

Es el cambio promedio en la tensin de salida para cada 1 Celsius de cambio en la

T.C. (% / C) = +/- (Vomx - Vomin) / (Vo ref. x Tmx -Tmin) x 100%

Siendo Vomx la tensin de salida a la mxima temperatura especificada Tmx, Vomin la

Ejemplo de esta mejora lo constituye el siguiente circuito.

Existen circuitos integrados monolticos con caractersticas similares a la estructura anterior