Relatorio Final Conversor Boost Grupo02 PDF

UNIVERSIDADE FEDERAL DA PARAIBA
CENTRO DE ENERGIAS ALTERNATIVAS E RENOVAVEIS

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELETRICA
CONVERSOR BOOST
Eletronica de Potencia - Prof. Dr. Romero Leandro Andersen.

Georgia de Souza Rolim - 11111871;
Pabula Tayna Silva Vieira - 11427646;
Rafaella Sales Mendes - 11228524;
Rodrigo do Nascimento Toledo - 11121953;
Wenita de Lima Silva - 11509693;
Joao Pessoa Paraba

28 de maio de 2017
Georgia de Souza Rolim - 11111871;
Pabula Tayna Silva Vieira - 11427646;
Rafaella Sales Mendes - 11228524;
Rodrigo do Nascimento Toledo - 11121953;
Wenita de Lima Silva - 11509693;
CONVERSOR BOOST
Relatorio referente ao projeto final apresentado

ao curso de graduacao de Engenharia Eletrica
da Universidade Federal da Paraba como requi-
sito da disciplina de Eletronica de Potencia.
Prof. Dr. Romero Leandro Andersen.
Joao Pessoa Paraba

28 de maio de 2017
Resumo
O conversor Boost, tambem conhecido como elevador de tensao, e um conversor cha-

veado que em conducao contnua apresenta um ganho de tensao de acordo com o ciclo de
trabalho de sua chave. Basicamente consiste de um diodo, um indutor e um chaveador.
O capacitor de sada pode ser utilizado como filtro. O presente relatorio contem funda-
mentos teoricos envolvidos na analise e concepcao de um conversor Boost. Os parametros
teoricos foram calculados e simulados via software de modo que fosse possvel satisfazer
as especificacoes do projeto. Os testes realizados em laboratorio afirmaram um bom funci-
onamento do conversor, que adquiriu um rendimento considerado alto.
Palavras-chave: Conversores CC-CC, Boost, Elevador de Tensao.
Lista de Figuras
1 Representacao ilustrativa do esquematico de um conversor Boost. . . . . . . . 2
2 Esquematico simplificado do conversor Boost tendo como entrada uma fonte de
corrente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
3 Representacao da etapa de chave fechada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
4 Representacao da etapa de chave aberta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
5 Formas de ondas teoricas para as principais correntes no conversor Boost. . . . 6
6 Formas de ondas teoricas para as principais tensoes no conversor Boost. . . . . 7
7 Circuito equivalente para o calculo das perdas termicas. . . . . . . . . . . . . . 13
8 Relacao de Dissipadores. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
9 Abaco usado para o ajuste de rds(on) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
10 Pinagem do CI UC3525A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
11 Graficos para razoes cclicas de 50% e 25%. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
12 Esquematico do circuito de comando e driver de corrente. . . . . . . . . . . . . 22
13 Esquematico no programa PSIM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
14 Corrente no Capacitor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
15 Tensao na Chave. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
16 Corrente na Chave. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
17 Tensao no Diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
18 Corrente no Diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
19 Foto do indutor confeccionado para o projeto. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
20 Esquematico completo do circuito para implementacao do conversor Boost. . . 33
21 Leiaute completo para implementacao do conversor Boost. . . . . . . . . . . . 34
22 Placa obtida pelo processo de corrosao. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
23 Sada em Tensao do Circuito de Comando. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
24 Sada em Tensao do Circuito de Comando. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
25 Organizacao dos equipamentos usados nos ensaios do conversor Boost. . . . . 37
26 Formas de Onda da Tensao e Corrente de Entrada. . . . . . . . . . . . . . . . . 38
27 Formas de Onda da Tensao e Corrente de Sada. . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
28 Formas de Onda da Tensao Reversa no Diodo e Corrente no Indutor. . . . . . . 39
29 Formas de Onda da Tensao na Chave e Corrente no Indutor Medidas. . . . . . . 39
4
30 Grafico do Rendimento em funcao da Potencia de Sada. . . . . . . . . . . . . 41
31 Temperaturas dos componentes em funcao do tempo. . . . . . . . . . . . . . . 41
32 Tela do Termografico focando no Diodo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
33 Tela do Termografico focando no MOSFET. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
34 Tela do Termografico focando no Enrolamento do Indutor. . . . . . . . . . . . 43
35 Tela do Termografico focando no Nucleo do Indutor. . . . . . . . . . . . . . . 43
Lista de Tabelas
1 Comparacao dos valores calculados e simulados. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2 Valores calculados para os parametros fsicos do indutor. . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
3 Tensoes e Correntes de Entrada e Sada. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Sumario
1 OBJETIVO 1
2 INTRODUCAO 2
3 PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO 2
3.1 MODO DE OPERACAO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
3.1.1 Formas de Onda para o Modo de Conducao Contnua . . . . . . . . . . 4
3.2 GANHO ESTATICO EM CONDUCAO CONTNUA . . . . . . . . . . . . . 8
3.3 DETERMINACAO DOS VALORES DOS COMPONENTES . . . . . . . . . 9
3.3.1 Determinacao da Resistencia de Carga RO . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.3.2 Determinacao da Capacitancia C e Calculos Relativos . . . . . . . . . 9
3.3.3 Determinacao da Indutancia L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3.4 ESFORCOS NOS SEMICONDUTORES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.4.1 Tensao Maxima na Chave VSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.4.2 Corrente Eficaz na Chave ISe f . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.4.3 Tensao Maxima no Diodo D VDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.4.4 Corrente Media no Diodo D IDmd . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
4 DIMENSIONAMENTO DOS COMPONENTES 12

4.1 ESCOLHA DOS DISSIPADORES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
4.1.1 Perdas no MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
4.1.2 Perdas no Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
4.2 PROJETO FSICO DO INDUTOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
4.2.1 Escolha do Nucleo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
4.2.2 Numero de Espiras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
4.2.3 Entreferro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
4.2.4 Calculo da Bitola dos Condutores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
4.2.5 Perdas no Cobre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
4.2.6 Perdas Magneticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
4.2.7 Resistencia Termica do Nucleo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
4.2.8 Elevacao da Temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
4.2.9 Possibilidade de Execucao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
5 CIRCUITO DE COMANDO 20
5.1 MODULACAO POR LARGURA DE PULSO . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
5.2 O CIRCUITO INTEGRADO UC3525A APLICADO A MODULACAO POR
LARGURA DE PULSO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
5.3 DETERMINACAO DA FREQUENCIA DE TRABALHO . . . . . . . . . . . 22
6 DRIVER DE CORRENTE 22
6.1 RESISTENCIA DE GATILHO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
7 CALCULOS PRELIMINARES 23
7.1 GANHO ESTATICO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
7.2 VALORES DOS COMPONENTES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
7.2.1 Resistencia de Carga RO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
7.2.2 Capacitancia C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
7.2.3 Resistencia Serie Equivalente Maxima . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
7.2.4 Corrente Eficaz no Capacitor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
7.2.5 Indutancia L . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
7.3 CALCULOS DOS ESFORCOS NOS SEMICONDUTORES . . . . . . . . . . 25
7.3.1 Tensao Maxima na Chave VSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.3.2 Corrente Eficaz na Chave ISe f . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.3.3 Tensao Maxima no Diodo VDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.3.4 Corrente Media no Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.4 CALCULOS DAS PERDAS NOS SEMICONDUTORES . . . . . . . . . . . . 25
7.4.1 Perdas no MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.4.2 Perdas no Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
7.5 RESISTENCIA RT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
7.6 RESISTENCIA DE GATILHO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
8 VALIDACAO DO MODELO MATEMATICO 28

8.1 SIMULACOES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
9 IMPLEMENTACAO DO CIRCUITO 32
9.1 CONFECCAO DO INDUTOR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
8
9.2 CONFECCAO DA PLACA DO CIRCUITO DE CIRCUITO IMPRESSO . . . 32
10 VALIDACAO DO PROJETO 35
10.1 VALIDACAO DO CIRCUITO DE COMANDO . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
10.2 VALIDACAO DO CIRCUITO DE POTENCIA . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
10.3 ENSAIOS LABORATORIAIS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
10.3.1 Ensaio do Rendimento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
10.3.2 Ensaio Termico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
11 CONSIDERACOES FINAIS 43
A APENDICE 46
1
1 OBJETIVO
Este relatorio tem por objetivo apresentar a descricao do dimensionamento e da realizacao
de um conversor CC-CC elevador de tensao, Boost, contendo o passo a passo de todas as eta-
pas bem como mostrando os resultados obtidos teoricamente e por meio de simulacao, alem
dos resultados de testes fsicos realizados em laboratorio com o circuito, descrito neste projeto,
implementado.
Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

Laboratorio de Maquinas e Acionamentos (LMA)
Eletronica de Potencia - 2016.2
2
2 INTRODUCAO
Os conversores CC-CC tem o funcionamento baseado no controle do fluxo de potencia,
eles sao formados por semicondutores que funcionam como chaves e elementos passivos como
indutores e capacitores. Uma vantagem dos conversores CC-CC sobre os reguladores lineares,
e o fato de eles ocuparem menor volume, o que facilita sua aplicacao, como por exemplo em
fontes chaveadas.
Um conversor Boost tem como objetivo elevar o nvel da tensao media de sada, de
forma que seu valor mnimo seja o valor medio da tensao de entrada. Na configuracao destes
conversores, como exibida na Figura 1, tem-se uma indutancia em serie com a fonte de tensao,
o que faz com que a entrada se comporte como uma fonte de corrente. Sabendo que uma fonte
de corrente so pode ser associada a uma fonte de tensao, tem-se que a carga deve-se portar como
uma fonte de tensao. Desta obrigatoriedade vem a necessidade de se utilizar um capacitor em
paralelo com a carga, caso esta seja indutiva.
Figura 1: Representacao ilustrativa do esquematico de um conversor Boost.

Fonte: Autoria propria.
Conversores Boost podem ser empregados tanto em aplicacoes de baixa potencia, uti-
lizados em sistemas de iluminacao portatil (lanternas); como de alta potencia, um exemplo
pratico pode ser o veculo hbrido Toyota Prius, que utiliza um motor eletrico e com o uso de
conversor Boost, eleva sua tensao disponvel, com uma quantidade reduzida de elementos de
acumulacao, de 200 V para os 500 V necessarios ao seu funcionamento [1].
3 PRINCIPIO DE FUNCIONAMENTO
O conversor Boost apresenta uma indutancia em serie com a fonte de tensao de entrada,
ainda, como para altas frequencias de chaveamento a ondulacao da corrente iL do indutor pode

3
ser desprezada, estes conversores podem ser representados da forma como esta mostrado na
Figura 1, como tambem pode-se realizar a simplificacao da fonte de tensao na entrada em serie
com o indutor por um equivalente em fonte de corrente, como mostrado na Figura 2.
Figura 2: Esquematico simplificado do conversor Boost tendo como entrada uma fonte de corrente.
Este conversor tem seu funcionamento regido pela abertura ou fechamento da chave S,
que por sua vez, possui uma frequencia de funcionamento especfica, denominada f . O tempo
em que a chave permanece aberta e dito ta , o tempo em que a chave permanece fechada ou
conduzindo e dito tc e a soma destes intervalos de tempo deve ser igual ao perodo T total de
operacao do conversor.
Pode-se descrever tais etapas da seguinte forma:
1. Chave Fechada: Esta primeira etapa e a etapa de acumulacao de energia e esta represen-
tada na Figura 3. Estando a chave fechada, o diodo D e polarizado reversamente e a carga
e desconectada da fonte de entrada, de forma que a corrente fornecida pela fonte circula
apenas no indutor L, magnetizando-o.
Figura 3: Representacao da etapa de chave fechada.

2. Chave Aberta: Nesta etapa ocorre a desmagnetizacao do indutor. Com a chave aberta,
o diodo neste momento encontra-se polarizado diretamente, logo, conduzindo. Neste

4
segundo a carga e conectada a fonte de forma que, como mostrado na Figura 4, a corrente
iE que e fornecida ao circuito, depende da carga acoplada a este.
Figura 4: Representacao da etapa de chave aberta.

3.1 MODO DE OPERACAO
Em um conversor Boost, o seu tipo de operacao e regido pela quantidade de energia

armazenada no indutor L associado a fonte de entrada, posto que a corrente no diodo D e
sempre descontnua, ja a corrente do indutor pode ser contnua ou descontnua.
3.1.1 Formas de Onda para o Modo de Conducao Contnua
O conversor Boost opera em conducao contnua quando o indutor nao se desmagnetiza

completamente no intervalo de um perodo. As etapas de funcionamento para tal modo de
conducao foram descritas e exemplificadas na secao anterior. Com o objetivo de ilustrar as
etapas mencionadas, abaixo seguem as formas de onda classicas para a operacao em modo de
conducao contnua.
Na Figura 5 (a), verifica-se que nao ha descontinuidade na corrente do indutor, posto que
em um momento ela cresce e em outro ela decresce de forma a nao ser nula durante o perodo.
Tem-se que o valor medio de corrente para IL e igual ao valor medio da corrente fornecida
pela fonte de entrada (IEmd ), o indutor esta sendo magnetizado durante o tempo tc , ou seja,
na primeira etapa e se desmagnetiza durante o tempo ta que corresponde a segunda etapa que
ocorre quando a chave esta aberta. Seus valores maximo (IM ) e mnimo (Im ) afetam diretamente
a ondulacao da corrente de entrada I.
A Figura 5 (b), explicita a forma de onda para a corrente na chave. A corrente iS so existe
durante tC , que e o tempo em que a chave encontra-se fechada, na primeira etapa iS possui o

5
mesmo formato de iL , ja na segunda etapa, como a chave esta aberta, a corrente na mesma e
nula, tal como exibido na Figura 5 (b).
A Figura 5 (c) exibe a forma de onda para a corrente no diodo, tem-se que iD e nula
na primeira etapa, pois o diodo esta polarizado reversamente, entao nao conduz corrente, na
segunda etapa o diodo conduz e a corrente iD tem o mesmo formato da corrente iL que circula
no indutor.
A Figura 5 (d) ilustra a forma de onda da corrente no capacitor, como na primeira etapa
a corrente iC que circula no capacitor e a corrente IO da carga so que negativa, iC permanece
neste patamar constante enquanto a chave esta fechada. No momento em que a chave e aberta,
iC passa a ser IM subtrada de IO , esse resultado e obtido analisando o circuito da Figura 4.
Na Figura 5 (e), tem-se que a corrente de carga e constante, posto que a carga nao se
altera em nenhum momento durante o perodo de funcionamento do conversor. Em uma etapa
a corrente demandada e fornecida pela fonte de entrada, e na outra ela e suprida pelo energia
armazenada capacitor.
A Figura 6 (a), demonstra a forma de onda para a tensao na chave. A tensao VS so existe
durante o tempo ta e seu valor corresponde a tensao de sada VO .
Partindo do princpio de que a tensao de sada nao e constante, tem-se na Figura 6 (b)
a ondulacao da tensao no capacitor C de sada. Durante a conducao da chave S o capacitor
C transfere energia a carga, isso faz com que a carga armazenada decresca reduzindo a tensao
em seus terminais. Quando a chave S e aberta, a fonte de alimentacao entrega energia a carga
e o capacitor e carregado novamente, consequentemente a tensao em seus terminais tambem
aumenta. Essa operacao produz uma ondulacao nos terminais do capacitor de valor constante
igual a Vc . Vale ressaltar que a curva para carga e descarga do capacitor e uma exponencial,
portanto as retas da forma de onda da Figura 6 sao uma boa aproximacao.
Na Figura 6 (c), tem-se a tensao de sada VO que representa a tensao media na carga,
nesta forma de onda nao esta sendo considerada a ondulacao da tensao sobre o capacitor.
Na Figura 6 (d), tem-se a tensao de sada VL que representa a tensao sobre o indutor,
durante tc , quando a chave esta aberta, VL e igual a tensao de entrada, ja durante ta , como o diodo
e considerado ideal e a queda de tensao sobre ele e 0, a tensao sobre o indutor e (VO E).

6
Figura 5: Formas de ondas teoricas para as principais correntes no conversor Boost.


7
Figura 6: Formas de ondas teoricas para as principais tensoes no conversor Boost.


8
3.2 GANHO ESTATICO EM CONDUCAO CONTINUA
O ganho estatico em conducao contnua pode ser obtido analisando a forma de onda da
tensao nos terminais do indutor pois, em regime permanente, a tensao media sobre ele e nula.
Por meio da Figura 6 (d), tem-se que com a chave fechada, a tensao que nos terminais
do indutor e a propria tensao da fonte E. Logo tc e calculado a partir da Equacao 1.
tc = D T (1)
Quando a chave abre, a tensao que nos terminais do indutor e determinada pela E VO .
O tempo em que a chave permanece aberta e chamado de ta e e determinada pela 2.
ta = (1 D) T (2)
Por meio das equacoes 1 e 2, verifica-se que o perodo T e dado pela Equacao 3.
T = ta + tc (3)
Como o indutor se magnetiza na primeira etapa e desmagnetiza na segunda, a energia

acumulada na primeira etapa, deve ser igual a entregue na segunda. Portanto, iguala-se as areas
para que a tensao media em seus terminais seja nula [4], como observa-se na Equacao 4.
E D T = (VO E) (1 D) T (4)
Simplificando a Equacao 4 obtem-se a Equacao 5, a qual representa o ganho estatico do

conversor em conducao contnua.
VO 1
= (5)
E 1D
Reorganizando os termos da Equacao 5, obtem-se uma expressao para o ciclo de trabalho
D, como exibido na Equacao 6.
VO E
D= (6)
VO

9
3.3 DETERMINACAO DOS VALORES DOS COMPONENTES
3.3.1 Determinacao da Resistencia de Carga RO
Considerando que a potencia na carga PO do conversor Boost e a tensao na carga VO sao

conhecidas, e possvel achar a resistencia de carga RO atraves da Equacao 7, pois ela relaciona
as tres variaveis descritas.
VO2
PO = (7)
RO
Para calcular RO utiliza-se a Equacao 8, proveniente da Equacao 7.
VO2
RO = (8)
PO
3.3.2 Determinacao da Capacitancia C e Calculos Relativos
Analisando a primeira etapa de conducao, para encontrar a capacitancia C e importante

lembrar da Equacao 9 que relaciona a tensao e corrente de um capacitor.
dvC
iC = C (9)
dt
Considerando a primeira etapa, a corrente no capacitor e IO durante uma variacao de tempo

tc 0, tal como na Equacao 10
VC VC
IO = C =C (10)
t tc
IO e calculado pela lei de Ohm ja que a tensao e a resistencia na carga sao conhecidas.
Para encontrar o valor do capacitor, isola-se C na Equacao 10, chegando-se ao resultado da
Equacao 11.
IO tc
C= (11)
VC
X Resistencia Serie Equivalente Maxima - RseM
Visando mais exatidao nos calculos, deve-se considerar a resistencia serie equivalente
do capacitor Rse que e a responsavel pelas perdas do capacitor, tendo assim efeito significativo
na ondulacao da tensao, para calcular seu valor maximo, deve-se usar a Equacao 12.
VC
RseM = (12)
IC
10
X Corrente Eficaz
Calcula-se a corrente eficaz no capacitor por intermedio da Equacao 13.
s
Z T
1
ICe f = iC2 (t)dt (13)
T 0
Observando a forma de onda na Figura 5 (d), percebe-se que a corrente no capacitor

admite dois valores diferentes no intervalo de um perodo T . Durante o tempo que a chave
permanece fechada e constante com valor IO . No tempo em que a chave permanece aberta
a mesma decresce e, embora na realidade isso aconteca de forma exponencial, a curva pode
ser aproximada por uma reta devido a alta frequencia de comutacao da chave e ondulacao de
corrente definida no projeto ser menor que 25%, inclusive ainda permite-se aproximar a reta, no
momento em que a chave esta aberta, para um patamar constante que corresponde ao seu valor
medio. Assim, a Equacao 13 torna-se na Equacao 14.
s
tc Z ta
Z
1
ICe f = (IO )2 dt + (IEmd IO2 ) dt (14)
T 0 0
Lembrando do ganho estatico dado na Equacao 5 e sabendo que a potencia na entrada

do conversor e igual a potencia na sada, pode-se reescrever IEmd , como mostrado na Equacao
15, por fim, desenvolvendo a integral chega-se a Equacao 16 para a corrente eficaz no capacitor.
IO
IEmd = (15)
1D
r
D
ICe f = IO (16)
1D
3.3.3 Determinacao da Indutancia L
Para o calculo da indutancia, tem-se a relacao entre tensao e corrente de um indutor na

Equacao 17.
diL (t)
vL = L (17)
dt
Mediante a Figura 5 (a), que representa a forma de onda da corrente no indutor, consi-
derando a primeira etapa, na qual a tensao sobre o indutor e E durante um variacao de tempo

11
tc 0, e possvel reescrever a Equacao 17, resultando na Equacao 18.
IL
E = L (18)
tc
Isolando L na Equacao 18, resulta-se na Equacao 19.
tc E
L= (19)
IL
3.4 ESFORCOS NOS SEMICONDUTORES
3.4.1 Tensao Maxima na Chave VSM
A tensao na chave sera maxima quando ela estiver aberta, como o diodo e ideal nao ha
queda de tensao sobre ele, consequentemente a tensao maxima na chave sera a mesma da carga,
e possvel calcula-la usando a Equacao 20.
VSM = VO (20)
Onde VO representa a variacao de tensao na carga que e a mesma variacao de tensao

do capacitor.
3.4.2 Corrente Eficaz na Chave ISe f
Calcula-se a corrente eficaz na chave atraves da Equacao 21.

s
Z T
1
ISe f = i2S (t)dt (21)
T 0
Observando a Figura 5 (b), ve-se que a corrente na chave sera diferente de zero apenas
na primeira etapa, a aproximacao que foi feita para o calculo da corrente eficaz no capacitor
tambem pode ser usada neste caso. Resolvendo a integral da Equacao 22 e obtido o resultado
da Equacao 23. r Z tc
1
ISe f = IE2 dt (22)
T 0

ISe f = IE D (23)

12
3.4.3 Tensao Maxima no Diodo D VDM
Para o calculo da tensao maxima no diodo, deve-se perceber apenas que quando a chave
esta fechada, o diodo nao conduz, diante disso a tensao sobre ele e igual a da carga, assim a
tensao maxima no diodo sera VO ,portanto tambem igual a tensao maxima na chave, tal como na
Equacao 24.
VDM = VO = VSM (24)
3.4.4 Corrente Media no Diodo D IDmd
Como ja discutido anteriormente, na primeira etapa, devido a polarizacao reversa, a

corrente no diodo e nula. Na segunda etapa, ela se iguala a corrente que passa no indutor. O seu
valor medio e o mesmo da corrente na carga, tal como exibido na Equacao 25.
IDmd = IO (25)
4 DIMENSIONAMENTO DOS COMPONENTES
4.1 ESCOLHA DOS DISSIPADORES
Em quaisquer tipos de circuitos, sao utilizados componentes nos quais circula corrente
eletrica, devido a isso, ha a ocorrencia de um fenomeno que estabelece uma relacao entre a
corrente eletrica que percorre um condutor e o calor gerado, chamado de efeito Joule. A
problematica se resume a uma corrente em circulacao que produz calor, ocasionando perdas
termicas nos semicondutores, como os componentes a serem empregados neste projeto pos-
suem limitacoes termicas, que quando excedidas podem levar a falha ou ate mesmo estrago
do componente, ve-se a necessidade da utilizacao do dissipador. Ate mesmo por motivos de
seguranca os calculos termicos sao de fundamental importancia [3].
De forma simplificada, o calculo termico pode ser feito a partir de um circuito equiva-
lente como exibido na Figura 7 [2].
Na Figura 7 compreende-se que:
T j e a temperatura da juncao em graus Celsius ( C);
Td e a temperatura do dissipador em graus Celsius ( C);

13
Figura 7: Circuito equivalente para o calculo das perdas termicas.

Tc e a temperatura da capsula em graus Celsius ( C);
Ta e a temperatura do ambiente em graus Celsius ( C);
R jc e a resistencia termica entre a juncao e a capsula em graus Celsius por Watts ( C/W);
Rcd e a resistencia termica entre o componente e o dissipador em graus Celsius por Watts
( C/W);
Rda e a resistencia termica entre o dissipador e o ambiente em graus Celsius por Watts
( C/W);
P e a potencia termica que esta sendo dissipada no componente e e transferida ao ambi-

ente.
A resistencia total do circuito equivalente para calculo termico pode ser representada
por R ja que e a resistencia termica entre a juncao e o ambiente e e dada pelas Equacoes 26 e 27.
R ja = R jc + Rcd + Rda (26)
T j Ta
R ja = (27)
P
Os valores de R jc , Rcd e T j sao obtidos a partir do manual do componente [5], enquanto
isso Ta e a temperatura ambiente a qual o conversor sera submetido. Portanto, sera preciso
determinar Rda para definir o tipo de dissipador a ser usado, esse dissipador pode ser encontrado
a partir da tabela da Figura 8, a qual estabelece a relacao entre os dissipadores, resistencias
termicas e massa.

14
Figura 8: Relacao de Dissipadores.

Fonte: [4].
4.1.1 Perdas no MOSFET
Neste projeto sera utilizado o MOSFET IRF640 para o chaveamento, as perdas totais
em um MOSFET sao dadas pela Equacao 28.
PMOSFET = PM(cond) + PM(com) (28)
Onde PM(cond) e a potencia quando a chave esta conduzindo e PM(com) e a potencia

quando a chave esta em comutacao, ou seja, ha perdas por conducao e por comutacao. As

15
perdas por conducao sao definidas pela Equacao 29.
ton
PM(cond) = r i2 = rds(on) i2De f (29)
T ds(on) d(on)
Sabe-se que ton = tc , iD(on) = iLmed , rds(on) e a resistencia de conducao, id(on) e a corrente
de dreno quando o transistor esta conduzindo e T e o perodo de chaveamento. O valor de rds(on)
e definido geralmente pelo fabricante para uma temperatura de juncao de 25 C, por isso sera
preciso fazer a correcao para a temperatura da juncao maxima desejada empregando o abaco
exibido na Figura 9.
Figura 9: Abaco usado para o ajuste de rds(on) .

Fonte: [5].
Para obter o valor de rds(on) na temperatura T j desejada, usa-se a Equacao 30, o valor
de rds(on) normalizado e retirado do grafico para a T j almejada e rds(on)@25C , como ja falado
anteriormente, e fornecido no manual do MOSFET.
rds(on) = rds(on)@25C rds(on)normalizada (30)
As perdas de comutacao estao expostas na Equacao 31
f
PM(com) = (tr + t f ) id(on) Vds(o f f ) (31)
2

16
Onde Vds(o f f ) e igual a tensao VO para etapa na qual a chave esta aberta, tr e t f sao dados
encontrados no manual [5].
4.1.2 Perdas no Diodo
Neste projeto sera usado o diodo MUR860, a potencia dissipada neste componente e
definida pela soma das perdas por conducao e por comutacao, tal como no MOSFET, e esta
descrita na Equacao 32.
PDIODO = PD(cond) + PD(com) (32)
As perdas por conducao e por comutacao no diodo estao exibidas, respectivamente, nas
Equacoes 33 e 34
2
PD(cond) = VF IDmed + r IDe f (33)
PD(com) = Qrr E f (34)
Onde VF e um dado fornecido pelo fabricante e simboliza a tensao direta sobre o diodo
quando ele esta conduzindo, Qrr e um dado do fabricante, E e a tensao sobre o diodo quando
ele encontra-se bloqueado e f e a frequencia de comutacao. A tensao VF tem que ser ajustada
para a operacao a 100 C, para ajusta-la sera usada a Equacao 35.
VF = VF@25C VFnormalizada (35)
4.2 PROJETO FISICO DO INDUTOR
Para a confeccao do indutor que utilizou-se nesse projeto, foi seguido um passo a passo
que esta apresentado nos itens a seguir. Utilizou-se o software MATLAB para realizar todos
os calculos de dimensionamento. O programa encontra-se no Apendice A.
4.2.1 Escolha do Nucleo
A princpio para a confeccao de um indutor deve-se escolher o tipo de nucleo, este pode
ser de dois tipos: ferrite (bom funcionamento em altas frequencias) ou de ferro-silcio (bom

17
funcionamento para baixas frequencias). Dois parametros tem extrema importancia na escolha
do nucleo que sera utilizado no projeto, estes sao a area de seccao transversal do nucleo Ae e a
area da janela Aw .
A escolha do nucleo apropriado e feita conhecendo-se o produto da area da seccao trans-
versal do nucleo, com a sua area de janela, como os fabricantes so disponibilizam alguns ta-
manhos e formatos padroes de nucleos, deve-se escolher o nucleo com o Ae Aw maior e mais
proximo do calculado. A Equacao 36 apresenta a relacao entre as areas citadas anteriormente e
outros parametros fundamentais na construcao do indutor.
L I pico Ie f
Ae Aw = 104 (36)
Bmax Jmax kw
4.2.2 Numero de Espiras
Por meio da relacao entre fluxo magnetico e tensao induzida no indutor, e possvel apre-
sentar o numero de espiras que devem ser enrolados no carretel do projeto do indutor. O numero
de espiras a serem utilizadas no projeto do indutor e dado pela Equacao 37. E importante res-
saltar que o valor obtido deve ser proximo de um valor inteiro, ja que nao e viavel um numero
de espiras nao inteiro.
L I pico
NL = (37)
Bmax Ae
4.2.3 Entreferro
Tendo em vista que a indutancia depende diretamente do numero de espiras e da re-

lutancia total do circuito magnetico, considerando a presenca de um entreferro para projeto do
indutor, e considerando que a relutancia deste e muito maior que a relutancia do nucleo, pode-se
aproximar a relutancia total como sendo igual a relutancia referente ao entreferro. Dessa forma,
o comprimento do entreferro e dado pela Equacao 38. Este entreferro torna o sistema menos
sensvel as variacoes de temperatura e permeabilidade do nucleo o que torna o circuito mais
linear.
NL2 Ae 0
Lentre f erro = 102 (38)
L

18
4.2.4 Calculo da Bitola dos Condutores
Para dimensionar a bitola dos condutores que serao usados no enrolamento, tem-se que
levar em conta o efeito pelicular, que atua de modo a limitar a area maxima do condutor a ser
utilizado. O valor da profundidade de penetracao do condutor e calculado pela Equacao 39.
7, 5
= (39)
fs
Assim, o condutor nao deve possuir diametro maior que duas vezes a sua profundidade.
Para o calculo da bitola, leva-se em conta a maxima densidade de corrente que passa pelo
condutor, assim a bitola e dimensionada pela Equacao 40.
Ie f icaz
Scondutor = (40)
Jmax
Uma solucao ao efeito pelicular e utilizar mais de um condutor em paralelo, conduzindo
assim a mesma corrente, mas evitando o efeito negativo. A quantidade de condutores e definida
pela Equacao 41.
Scondutor
Ncondutor = (41)
S f io
4.2.5 Perdas no Cobre
As perdas no cobre sao devido ao efeito Joule, como acontece no caso dos semiconduto-
res. Essas perdas sao analisadas a partir da resistencia do enrolamento, que e dada pela Equacao
42.
f io lespira NL
Rcobre = (42)
ncond
Na qual lespira e o comprimento medio de uma espira, e f io e a resistividade do fio por
cm. As perdas Joule sao dadas pela Equacao 43.
Pcobre = Rcobre Ie2f (43)
4.2.6 Perdas Magneticas
Ja as perdas magneticas ocorrem devido ao nucleo do indutor, essas perdas provocam

elevacao de temperatura, fazendo com que a temperatura do circuito exceda a temperatura do

19
ambiente o qual ele esta inserido. Essas perdas, que ocorrem devido ao fenomeno da histerese
e correntes parasitas, a Equacao 44 e uma aproximacao para o calculo das perdas magneticas
principais.
Pnucleo = B2,4 (Kh f + K f f 2 ) Vnucleo (44)
Onde Kh e o coeficiente de perdas por histerese, K f e o coeficiente de perdas por corren-

tes parasitas e Vnucleo e o volume do nucleo. A variacao da densidade de campo magnetico (B)
e determinada pela Equacao 45.
L IL
B = (45)
NL Ae
Vale ressaltar que para nucleos de Thornton, as constantes Kh e K f sao definidas como:
Kh = 4 105 ;
K f = 4 1010 .
4.2.7 Resistencia Termica do Nucleo
A resistencia termica do nucleo tambem caracteriza as perdas, e um fator que representa

a resistencia do nucleo em transferir o calor gerado por meio dos enrolamentos, a Equacao 46
define este parametro.
Rtermica(nucleo) = 23(Ae Aw )0,37 (46)
4.2.8 Elevacao da Temperatura
A elevacao de temperatura tem relacao com a potencia dissipada no nucleo e nos enro-
lamentos. Fazendo analogia com a lei de Ohm, pode-se defini-la a partir da Equacao 47.
T = (Pcobre + Pnucleo ) Rtermica(nucleo) (47)
4.2.9 Possibilidade de Execucao
O ultimo parametro do projeto fsico de um indutor e a verificacao se o projeto e possvel

de ser realizado fisicamente. Basicamente, e verificada a area necessaria para os condutores, e
associada com a area disponvel na janela do nucleo Aw . A Equacao 48 define essa possibilidade
de execucao.
Awmin
Exec = (48)
Awnucleo
20
5 CIRCUITO DE COMANDO
O circuito de comando foi implementado utilizando um circuito integrado UC3525A,
do fabricante Microelectronics , Figura 10. Utiliza-se para isso o conceito de modulacao por
largura de pulso.
Figura 10: Pinagem do CI UC3525A.

5.1 MODULACAO POR LARGURA DE PULSO
A tecnica de modulacao por largura de pulso tem como princpio a codificacao digital
de um sinal analogico, onde a razao cclica de uma onda quadrada e modulada para se codificar
um nvel de sinal analogico. Assim, e possvel controlar o tempo de trabalho de uma chave.
Dessa forma e possvel fazer o controle da potencia media para uma determinada aplicacao,
injetar mais ou menos potencia a depender das necessidades requeridas. Isso torna sua utilizacao
popular em diversas aplicacoes como controle de motores eletricos, controles de potencia, fon-
tes chaveadas dentre outras.
Logo a depender da razao cclica pode-se controlar o tempo que a chave fica ligada
(tligada ) e consequentemente desligada (tdesligada ) e portando pode-se controlar a potencia media
entregue a uma carga. A mesma e deduzida como a relacao entre o tempo em que a tensao esta

21
sendo transferida para a carga e o perodo total T , visto na Equacao 49.
tligada
D= (49)
T
A Figura 11 demonstra ondas para 50% e 25% de razao cclica.
Figura 11: Graficos para razoes cclicas de 50% e 25%.

5.2 O CIRCUITO INTEGRADO UC3525A APLICADO A MODULACAO

POR LARGURA DE PULSO
O sinal de modulacao por largura de pulso foi gerado a partir do CI UC3525A. A Figura
10 apresenta a relacao entre os pinos e as conexoes e na Figura 12 esta exibido o esquematico
completo para o circuito de comando e driver de corrente. No pino 16 e gerado um sinal com 5
V de amplitude ligado ao um potenciometro que esta conectado a entrada nao inversora do CI,
pino 2, essa conexao regula a razao cclica e a onda portadora dente de serra gerada no pino 5
onde esta conectado CT . O pino 13 indica a sada, que no caso sera o sinal de comando.

22
Figura 12: Esquematico do circuito de comando e driver de corrente.
5.3 DETERMINACAO DA FREQUENCIA DE TRABALHO
A frequencia de trabalho e definida pelos resistores RT e Rd e capacitor CT , como des-

crito na Equacao 50. A variavel Rd e responsavel pelo formato da onda dente de serra na sada
por meio do controle de descarga.
1
f= (50)
CT (0, 7 RT + 0, 3 Rd )
6 DRIVER DE CORRENTE
O circuito de comando descrito acima nao possui capacidade de suprir a corrente ne-
cessaria para o acionamento do MOSFET utilizado. Como solucao optou-se pela utilizacao
de um drive de corrente que e um circuito com a finalidade de prover correntes para variadas
finalidades, o mesmo tambem exerce um papel de protecao para o circuito.
6.1 RESISTENCIA DE GATILHO
O resistor de gatilho Rg deve ser definido com a finalidade de operacao do driver de

acordo com os requisitos de projeto. Atraves da Equacao 51 e possvel obter a resistencia
desejada. Onde t f e o tempo de queda, em cada oscilacao e Ciss e o valor da capacitancia de
entrada do MOSFET.
tf
Rg = (51)
2, 2 Ciss
23
7 CALCULOS PRELIMINARES
As especificacoes do Conversor Boost a ser projetado sao as seguintes:
Tensao de entrada (E): 75 V;
Tensao de sada (VO ): 100 V;
Potencia de sada (PO ): 100 W;
Frequencia de chaveamento ( fs ): 35 kHz;
Variacao na corrente no indutor (IL ): 25% de ILmed ;
Variacao na tensao de sada (VO ): 0,5% de VO .
7.1 GANHO ESTATICO
A partir da Equacao 6, substituindo os valores de VO e E para o projeto do conversor

Boost, encontra-se o valor da razao cclica do projeto. De forma apresentada na Equacao 52.
VO E 100 75
D= = = 0, 25 (52)
VO 100
O ganho estatico, assim como definido na Equacao 5, pode ser entao obtido, como
exibido na Equacao 53.
VO 1 1
= = = 1, 33 (53)
E 1 D 1 0, 25
7.2 VALORES DOS COMPONENTES
7.2.1 Resistencia de Carga RO
Para o calculo de RO , usa-se a Equacao 8, o resultado e encontrado em 54.
VO2 1002
RO = = = 100 (54)
PO 100
7.2.2 Capacitancia C
Para que seja possvel usar a Equacao 11, deve-se calcular a variacao de tensao no capa-
citor. Atraves dos valores requeridos pode-se calcular a variacao de tensao, como mostrada em
24
55.
VC = 0, 005 VO = 0, 005 100 = 0, 5 V (55)
Assim, em 56, acha-se a capacitancia.
1
IO tc 1 0, 25 35000
C= = = 14, 286 F (56)
Vc 0, 5
7.2.3 Resistencia Serie Equivalente Maxima
Usando a Equacao 12, encontra-se RseM , o resultado e dado em 57.
VC 0, 5
RseM = = = 1, 5 (57)
IC 0, 3333
7.2.4 Corrente Eficaz no Capacitor
Por meio da Equacao 16, o resultado e mostrado na Equacao 58.
r s
D 0, 25
ICe f = IO = 1 = 0, 577 A (58)
1D 1 0, 25
7.2.5 Indutancia L
A princpio, e importante lembrar que ILmd e igual a IEmd , recorrendo as relacoes de

potencias e possvel encontrar a variacao de corrente empregando da Equacao 59, com o valor
de IEmd obtido com a Equacao 60. Portanto substituindo a Equacao 60 na Equacao 59 obtem-se
o valor de IL encontrado na Equacao 61. Por fim usando a Equacao 19 e substituindo todos os
valores necessarios obtem-se 62.
IL = 0, 25 IEmd (59)
PO 100
IEmd = = = 1, 333 A (60)
VO 75
IL = 0, 25 1, 333 = 0, 333 A (61)
1
tc E 0, 25 35000 75
L= = = 1, 607 mH (62)
IL 0, 333

25
7.3 CALCULOS DOS ESFORCOS NOS SEMICONDUTORES
7.3.1 Tensao Maxima na Chave VSM
Usando a Equacao 20, obtem-se o resultado mostrado na Equacao 63.
VSM = VO = 100V (63)
7.3.2 Corrente Eficaz na Chave ISe f
Usando a Equacao 23, obtem-se o resultado mostrado na Equacao 64.
p
ISe f = IE D = 1, 333 0, 25 = 0, 666 A (64)
7.3.3 Tensao Maxima no Diodo VDM
Pode-se obter a tensao maxima no diodo por meio da Equacao 65.
VDM = VSM = 100 V (65)
7.3.4 Corrente Media no Diodo
Ja foi calculado indiretamente, o valor e dado em 66.
IDmed = IO = 1 A (66)
7.4 CALCULOS DAS PERDAS NOS SEMICONDUTORES
7.4.1 Perdas no MOSFET
Inicialmente o valor de rds(on) e calculado usando a Equacao 30 e chega-se ao resultado

numerico apresentado na Equacao 67.
rds(on) = rds(on)@25C rds(on)normalizada
= 0, 18 0, 293 (67)
= 0, 293 W
Em posse do valor de rds(on) , pode-se calcular as perdas por conducao usando a Equacao

26
29 obtem-se o resultado apresentado na Equacao 68.
PM(cond) = rds(on) i2De f = 0, 293 0, 6662 = 0, 130 W (68)
Dando sequencia, pode-se definir as perdas por comutacao usando a Equacao 31 e che-
gando ao resultado apresentado na Equacao 69:
f
PM(com) = (tr + t f ) id(on) Vds(o f f )
2
35 103
= (51 109 + 36 109 ) 1, 333 100 (69)
2
= 0, 203
Finalmente, pode-se calcular a perda de potencia total no MOSFET usado a Equacao 28

e chegando ao resultado apresentado na Equacao 70.
PMOSFET = PM(cond) + PM(com) = 0, 130 + 0, 203 = 0, 333 W (70)
A resistencia termica entre a juncao e o ambiente, calculada pela Equacao 27 tem seu
resultado apresentado na Equacao 71.
T j Ta 100 50
R ja = = = 150, 51 C/W (71)
P 0, 3322
Usando a Equacao 26 e isolando Rda , e possvel chegar ao resultado apresentado na
Equacao 72.
Rda = R ja R jc Rcd = 150, 51 1 0, 5 = 149, 01 C/W (72)
A partir dos calculos efetuados, tendo em vista a necessidade exigida pelo projeto, sera
adotado o dissipador cuja convencao natural e de 10,5 C/W.
7.4.2 Perdas no Diodo
As perdas por comutacao no diodo foram inicialmente definidas atraves da Equacao 34

obtendo-se a Equacao 73.
PD(com) = Qrr E f = 35 103 195 109 100 = 0, 683 W (73)

27
As perdas por conducao do diodo foram definidas atraves da Equacao 33 desprezando a segunda
parcela, pois r e muito pequeno, obtem-se a Equacao 74, lembrando que VF foi definido tendo
em vista o pior caso, que e T=50 C.
2 (74)
PD(cond) = VF IDmed + r IDe f VF IDmed = 1 1, 5 = 1, 5 W
A perda total de potencia no diodo e calculada a partir da Equacao 32, resultando na Equacao
75.
PDIODO = PD(cond) + PD(com) = 1, 500 + 0, 683 = 2, 183 W (75)
Usando a Equacao 27 obtem-se o resultado da Equacao 76
T j Ta 100 50
R ja = = = 22, 910 C/W (76)
P 2, 183
Utilizando a Equacao 26, isolando Rda , chega-se ao resultado da Equacao 77
Rda = R ja R jc Rcd = 22, 910 0, 500 2 = 20, 410 C/W (77)
Assim, o dissipador escolhido foi o cuja convencao natural e de 10,5 C/W o que rea-
firma o resultado obtido no topico acima. Por meio dos resultados dos calculos e escolhas, e
possvel averiguar que nao foi necessario uso de ventilacao forcada nos dissipadores usados no
diodo ou no MOSFET.
7.5 RESISTENCIA RT
O componente RT pode ser determinado a partir da Equacao 50. Substituindo a frequencia

de operacao (35 kHz), adotando CT como 47 nF e Rd com valor 0 (pois deseja-se um onda
triangular no formato dente de serra perfeita), o resultado para RT esta exibido na Equacao 78.
1 1
RT = = = 8, 7 K (78)
0, 7 CT f 0, 7 4, 7 109 35000
7.6 RESISTENCIA DE GATILHO
A resistencia de gatilho Rg e obtida por intermedio da Equacao 51. Logo o resultado e

exposto na Equacao 79, os valores de t f e Ciss , verificados no manual foram, respectivamente,

28
1, 3 nF e 36 ns.
tf 36 109
Rg = = = 12, 58 (79)
2, 2Ciss 2, 2 1, 3 109
8 VALIDACAO DO MODELO MATEMATICO
8.1 SIMULACOES
Com o intuito de validar os calculos analticos, o conversor foi simulado no programa

PSIM . Na Figura 13 pode-se ver como ficou o esquematico no programa.
Figura 13: Esquematico no programa PSIM .
Apos realizar a simulacao, os resultados corresponderam ao esperado, na Figura 14,

pode-se observar a forma de onda da corrente no capacitor, e seu valor eficaz, comprovando
que o valor calculado analiticamente esta correto.
Agora, na Figura 15, tem-se a forma de onda da tensao na chave, para comparacao com
o resultado calculado, os cursores sao ajustados para visualizar seu valor maximo que tambem
e destacado na referida Figura. Tambem na chave, tem-se a Figura 16 que ilustra forma de onda
da corrente na chave e e destacado seu valor eficaz.
Deve-se observar a tensao e corrente no diodo para comparacao com os valores calcula-
dos, a forma de onda da tensao e mostrada na Figura 17, nela e destacado o valor maximo no
semicondutor.
Para a corrente e necessario o seu valor eficaz, assim, na Figura 18, tem-se a forma de
onda da corrente no diodo destacando seu valor eficaz.
Com os valores destacados nas Figuras, pode-se afirmar que os calculos foram realizados
corretamente, na Tabela 1 e possvel comparar os valores calculados e simulados.

29
Figura 14: Corrente no Capacitor.
Figura 15: Tensao na Chave.

30
Figura 16: Corrente na Chave.
Figura 17: Tensao no Diodo.

31
Figura 18: Corrente no Diodo.
Tabela 1: Comparacao dos valores calculados e simulados.
Variavel Valor Calculado Valor Simulado

ICe f (A) 0,577 0,584
VSM (V) 100,250 100,210
ISe f (A) 0,666 0,670
VDM (V) 100,250 100,210
IDmd (A) 1 0,998

32
9 IMPLEMENTACAO DO CIRCUITO
9.1 CONFECCAO DO INDUTOR
Como enunciado na subsecao 4.2, os calculos do projeto fsico do indutor foram todos
realizados por auxlio de um programa desenvolvido no software MATLAB e que se encontra
disponvel no Apendice A. Abaixo, na Tabela 2, estao apresentados os resultados obtidos por
meio do programa.
Tabela 2: Valores calculados para os parametros fsicos do indutor.
Parametro Valor
Produto das areas AeAw (cm4 ) 0,959
Indutancia (H) 0,004
Numero de espiras 111
Comprimento do entreferro (mm) 0,697
Comprimento total do chicote (m) 9,657
Numero de condutores 2
Possibilidade de Execucao 81,06%
Na etapa de confeccao indutor foi necessario a da ondulacao de corrente 10%, pois com
o valor determinado de projeto nao foi alcancado um executavel satisfatorio tendo em vista
que o nucleo dessa forma nao foi completamente preenchido,assim o novo valor do indutor
calculado foi de 4,02 mH.
Com as correcoes realizadas, a confeccao do prototipo seguiu as instrucoes apresentadas
na subsecao 4.2, o valor obtido foi de aproximadamente 5 mH (acima do desejado), assim, foi
necessario utilizar papeis entre as juncoes dos nucleos para aumentar o entreferro e diminuir a
indutancia. Foram utilizados 6 pedacos de papel de folha de caderno em cada lado do nucleo
para chegar na indutancia desejada de 4,02 mH. O resultado final pode ser observado na Figura
19.
9.2 CONFECCAO DA PLACA DO CIRCUITO DE CIRCUITO IMPRESSO
O projeto da placa de circuito impresso (PCI) foi concebido usando o Proteus 8.5 , que e
um software sute que contem as ferramentas ISIS, que possibilita a elaboracao de esquematicos

33
Figura 19: Foto do indutor confeccionado para o projeto.
e simulacao de circuitos, e ARES, que permite a confeccao de leiautes de PCI.

Na plataforma ISIS elaborou-se o esquematico completo do circuito, assim como ilus-
trado na Figura 20.
Figura 20: Esquematico completo do circuito para implementacao do conversor Boost.
Em seguida, exportou-se o esquematico para a plataforma ARES. Em relacao a disposicao

dos componentes, foi levado em consideracao que no circuito de potencia os mesmos deveriam
estar o mais proximo possvel entre si sem que as trilhas dessem varias voltas. Em termos de
espessura de trilha considerou-se 40 mils (1, 54 mm ou 0, 06 in) por ampere (A) de corrente
que iria circular pela trilha, como no circuito em questao a corrente maxima (que e no estagio

34
de potencia) nao ultrapassaria 3 A, decidiu-se usar 120 mils para a parte de potencia e 60 mils
para a parte de comando e driver de corrente, alem disso, escolheu-se usar a malha de terra. O
leiaute completo esta representado na Figura 21.
Figura 21: Leiaute completo para implementacao do conversor Boost.
Diante da conclusao do projeto da PCI em software, prosseguiu-se com a confeccao da

placa de acordo com os seguintes passos:
Usando la de aco a placa de fenolite foi lixada ate que superfcie de cobre da mesma
ficasse limpa e brilhante;
A superfcie da placa foi limpada usando alcool Isoproplico;
Dispondo de impressora laser, o leiaute da placa foi impresso em papel Glossy;
O leiaute da placa foi posto sobre a placa de fenolite e o conjunto foi aquecido, para a
tinta soltar do papel e aderir a placa, usando uma plastificadora a 150 C;
Com a tinta aderida sobre a superfcie, a placa ficou mergulhada em solucao de Percloreto
de Ferro e apos 1 hora foi retirada da solucao, em seguida foi usada novamente la de aco
para limpar as regioes que continham resqucios de tinta;
Aplicou-se em toda a superfcie acobreada verniz incolor Isotec (apropriado para PCI),
esperou-se cerca de 20 minutos para o mesmo secar.
Na Figura 22 esta apresentado o resultado para a placa apos serem realizados os passos
citados acima.
35
Figura 22: Placa obtida pelo processo de corrosao.
10 VALIDACAO DO PROJETO
Com a placa com todos os componentes soldados, iniciou-se os ensaios.
10.1 VALIDACAO DO CIRCUITO DE COMANDO
No circuito de comando, deve-se preocupar com a frequencia e o ciclo de trabalho,

ambos sao controlados pelos potenciometros no esquematico mostrado na Figura 20. Como
requisitado no projeto, a frequencia e 35 KHz e, como calculado na equacao 52, deve-se ter um
ciclo de trabalho de 25%. O esquematico de montagem para esse circuito e ilustrado na Figura
12, onde sua alimentacao e diferente daquela usada para o circuito de comando.
Ajustando os potenciometros para os valores de D e f requeridos, pode-se observar na
Figura 23 a onda quadrada com a frequencia e ciclo de trabalho.
A portadora do sinal da modulacao por largura de pulso e uma onda dente de serra
ilustrada na figura 24.

36
Figura 23: Sada em Tensao do Circuito de Comando.
Figura 24: Sada em Tensao do Circuito de Comando.
10.2 VALIDACAO DO CIRCUITO DE POTENCIA
Uma vez que o circuito de comando funcionou corretamente, iniciou-se os ensaios no

circuito de potencia. A disposicao dos equipamentos utilizados esta exibida na Figura 25.
Na Figura 25 esta exibida a montagem completa para realizacao dos ensaios no con-
versor Boost. O valor de tensao CC na entrada foi obtido empregando um Varivolt (regiao
delimitada em vermelho) conectado a retificador a diodos em ponte completa e um filtro LC

37
Figura 25: Organizacao dos equipamentos usados nos ensaios do conversor Boost.
(regiao delimitada em azul). O Varivolt controla a tensao fornecida ao conversor, o retificador e

o filtro servem para diminuir a ondulacao da tensao que ira ser disponibilizada ao conversor.
A regiao delimitada em verde na Figura 25 representa a carga, de acordo com os requi-
sitos de projeto, a potencia dissipada sobre a mesma e de 100 W, alem de uma tensao de 100 V,
para isso, dispoe-se de seis resistores de 100 que suportam, no maximo, 50 W cada. Foram
realizadas conexoes com arranjos em serie e em paralelo, por medidas de seguranca, os resisto-
res foram arranjados de forma que cada a potencia dissipada sobre cada um nao ultrapassasse
30 W. A regiao delimitada em amarelo exibe a placa do circuito.
Com a tensao de entrada em valor nominal, as medicoes foram feitas. A Figura 26 ilustra
as formas de onda para tensao e corrente de entrada, os valores medidos foram Vin = 72, 460 V
e Iin med = 1, 355 A.
Na Figura 27 tem-se as formas de onda para tensao e corrente na sada, os valores de
tensao e corrente medios alcancados foram, respectivamente, 99, 796 V e 0, 981 A.
Na Figura 28 estao expostas as formas de onda da tensao reversa sobre o diodo e a
corrente no indutor. Quando o diodo esta polarizado reversamente, a tensao sobre ele e prati-
camente igual a tensao na carga, nesta etapa o indutor esta sendo magnetizado e sua corrente
cresce, quando o diodo conduz, a tensao sobre ele e nula e o indutor se desmagnetiza pois for-

38
Figura 26: Formas de Onda da Tensao e Corrente de Entrada.
Figura 27: Formas de Onda da Tensao e Corrente de Sada.
nece energia a carga, logo, a corrente no indutor decresce, tal como na Figura 28. Em termos de
valores, a tensao reversa maxima adquirida foi 103 V e para a corrente no indutor foi 1, 357 A,
ambos concordaram com os valores calculados e simulados anteriormente.
A ultima forma de onda adquirida foi a da tensao sobre a chave, na Figura 29 e possvel
observa-la juntamente com a corrente no indutor. O valor maximo para a tensao na chave foi de
125 V, contrastando com o valor calculado, porem deve-se ficar atento ao fato que ha picos em
ao longo do perodo, provocando um erro ao exibir o valor em tela. Como exibido na Figura 29
39
Figura 28: Formas de Onda da Tensao Reversa no Diodo e Corrente no Indutor.
a escala do canal 2 esta configurada como 50 V por divisao, com isso fica evidente que a tensao
na chave varia entre 0 e 100 V, assim como calculado e simulado.
Figura 29: Formas de Onda da Tensao na Chave e Corrente no Indutor Medidas.
10.3 ENSAIOS LABORATORIAIS
Dois ensaios foram realizados para a caracterizacao do conversor CC, o de rendimento

e termico.
40
10.3.1 Ensaio do Rendimento
Sabe-se que o rendimento ideal de um conversor CC e 100%, porem aqui e mostrado

que para diferentes cargas, obtem-se rendimentos variados. As cargas utilizadas foram: 100,
150, 200, 300, 400 e 600 sempre atentando ao fato de que elas podem suportar no maximo
50 W. Medindo as tensoes e correntes de entrada e sada do conversor, foram calculadas as
potencias, obtendo o rendimento, que segue a Equacao 80.
PO
= (80)
PE
Na Tabela 3 estao apresentadas as correntes e tensoes medias para cada valor na carga,
onde E e IE representam os parametros da entrada, e VO e IO os da sada.
Tabela 3: Tensoes e Correntes de Entrada e Sada.
E(V) / IE (A) VO (V) / IO (A) Carga ()

74, 210 / 1, 381 99, 010 / 0, 975 100
75, 100 / 0, 945 101, 990 / 0, 664 150
75, 160 / 0, 734 102, 710 / 0, 515 200
75, 380 / 0, 492 103, 920 / 0, 342 300
73, 790 / 0, 365 102, 390 / 0, 252 400
75, 150 / 0, 252 104, 980 / 0, 171 600
A grafico da Figura 30 foi gerado no MATLAB a partir dos valores da Tabela 3, nele e
possvel verificar o rendimento em funcao da potencia de sada.
O rendimento comeca a subir ate cerca de 50W para a potencia de sada e depois cai.
Seu valor maximo foi atingido usando tanto uma resistencia de 300 quanto a de 400.
E possvel perceber que de fato, o conversor mantem, aproximadamente, o mesmo ren-
dimento mesmo variando a carga.
10.3.2 Ensaio Termico
A temperatura dos componentes do conversor afeta seus valores, assim um ensaio termico
dara uma resposta mais precisa caso o Boost seja usado durante um grande intervalo de tempo.
Utilizando um termografico, foram obtidas as temperaturas do MOSFET, do diodo, do enro-
lamento do indutor e do nucleo do indutor. O ensaio teve duracao de 45 minutos, tempo em
41
Figura 30: Grafico do Rendimento em funcao da Potencia de Sada.
que todos os componentes medidos ficaram com temperaturas aproximadamente constantes,

as medicoes foram feitas em intervalos de cinco minutos. O valor de tensao de entrada foi o
nominal e a carga utilizada foi a calculada para os requisitos do conversor.
Com as dez medicoes, e possvel observar na Figura 31, as temperaturas dos componen-
tes citados em funcao do tempo.
Figura 31: Temperaturas dos componentes em funcao do tempo.
Na Figura 32 tem-se a imagem da tela do termografico da ultima medicao da temperatura

no diodo.

42
Figura 32: Tela do Termografico focando no Diodo.
Na Figura 33 pode-se observar a imagem da tela do termografico da ultima medicao da

temperatura do MOSFET, pois que o transistor ficou mais quente que o diodo, sua temperatura
foi 47, 3 C enquanto que a do diodo foi 40, 0 C.
Figura 33: Tela do Termografico focando no MOSFET.
Nas Figuras 34 e 35 verificou-se a temperatura no enrolamento e no nucleo na ultima

medicao, respectivamente. A temperatura do enrolamento foi 40, 2 C e no nucleo, 35, 5 C.
Como esperado, a temperatura no nucleo foi menor que aquela medida no enrolamento.

43
Figura 34: Tela do Termografico focando no Enrolamento do Indutor.
Figura 35: Tela do Termografico focando no Nucleo do Indutor.
11 CONSIDERACOES FINAIS
Para o projeto em questao, de acordo com as simulacoes, medicoes e resultados obtidos
em laboratorio, e possvel afirmar que todos os calculos foram executados corretamente. O
projeto fsico do indutor, onde utilizou-se um software computacional para determinar seus
parametros numericos, possibilitou enrolar o indutor de maneira manual.
Alem disso, as perdas no MOSFET e no diodo foram calculadas com o objetivo de es-
colher um dissipador adequado ao projeto, de modo que nao houvesse um sobreaquecimento de
componentes. Houve tambem a realizacao do circuito de comando para controlar o MOSFET,
neste circuito utilizou-se um CI UC3525A e um driver de corrente.

44
Atraves dos ensaios termico e de rendimento foi verificado que o conversor atende aos
criterios de operacao dos componentes, em regime termico permanente, e que possui um rendi-
mento superior a 95,5%.
Assim, ao decorrer de todo o projeto, o conhecimento teorico adiquirido pode ser poste
em pratica atraves do circuito fsico. Todas as analises e calculos de projeto foram de ex-
trema importancia para que o conversor funcionasse corretamente e apresentasse resultados
satisfatorios observados durante os testes de funcionamento do circuito.

45
Referencias Bibliograficas
[1] Page sur les transformateurs convertisseurs. Disponivel em: http://www.schema-
electrique.be/francais/convertisseur.html.
[2] Barbi, I. e Martins, D. C. Conversores CC-CC Basicos Nao Isolados.

Edicao dos Autores, 4 (2011). Conversor elevador (Boost). Disponvel em :
http://www.joinville.udesc.br/portal/professores/yales/materiaiBoost.pdf.
[3] Assef A.. Aula 10 - Calculo Termico. Disponvel em:

http://paginapessoal.utfpr.edu.br/amauriassef/disciplinas/eletronica-de-
potencia/apresentacoes/EletrPot110.pdf.
[4] Barbi I.. Eletronica de Potencia. Edicao do Autor, Universidade Federal de Santa Catarina
(2006).
[5] Fairchild. IRF640B/IRFS640B, Novembro 2001.

46
Apendice A APENDICE
Contents
1. ESPECIFICAES
2. ESCOLHA DO NCLEO
3. CLCULO DO NMERO DE ESPIRAS
4. CLCULO DO ENTREFERRO
5. CLCULO DA BITOLA DO CONDUTOR
6. CLCULO DAS PERDAS
7. POSSIBILIDADE DE EXECUO
% DIMENSIONAMENTO DO INDUTOR COM O AUXLIO DO MATLAB

% PROJETO FINAL ELETRNICA DE POTNCIA - 2016.2
% CONVERSOR BOOST
clc;
clear all;
1. ESPECIFICAES
L= 4.02e-3; %Indutncia (H)

Ipico= 1.4993; %Corrente Mxima (A)
Ief= 1.3369; %Corrente Eficaz (A)
delta_IL= 0.3333; %Ondulao de Corrente (A)
Bmax= 0.3; %Densidade de Fluxo mxima (T)
Jmax= 400; %Densidade de corrente mxima (A/cm^2)
kw= 0.7; %Fator de utilizao da rea do ncleo
fs= 35e3; %Frequncia (Hz)
2. ESCOLHA DO NCLEO
AeAw=((L*Ipico*Ief)/(Bmax*Jmax*kw))*(1e4); %Produto das reas AeAw (cm^4)

% Ncleo escolhido: E-42/15
Ae=1.81; %Dado escolhido (cm^2)
Aw=1.57; %Dado escolhido (cm^2)
3. CLCULO DO NMERO DE ESPIRAS
Bmax_Wbcm2=Bmax/1e4; %Converte Bmax de T para Wb/cm^2

NL=ceil((L*Ipico)/(Bmax_Wbcm2*Ae)); %Nmero de espiras
Bmax_real=((L*Ipico)/(NL*Ae))*(1e4); %Verifica a densidade de fluxo mxima (T)
4. CLCULO DO ENTREFERRO
mi_o=4*pi*1e-7; %Permeabilidade do vcuo (H/m)

l_entreferro=(((NL^2)*mi_o*Ae)/L)*0.1; %Comprimento do entreferro (mm)
5. CLCULO DA BITOLA DO CONDUTOR
delta=7.5/sqrt(fs); %Clculo da profundidade de penetrao (cm)

Dfio=2*delta; %Dimetro mximo do fio (cm)
% Condutor Escolhido: 22AWG
Sfio=0.003255; %rea da seo do fio (cm^2)
Sfioiso=0.004013; %rea da seo do fio com isolamento (cm^2)
Scobre=Ief/Jmax; %rea total requerida para a corrente (cm^2)
ncond=ceil(Scobre/Sfio); %Nmero de condutores em paralelo
6. CLCULO DAS PERDAS
% Perdas no Cobre
pfio=0.000708; %Resistividade do fio (ohms/cm)
lespira=8.7; %Comprimento mdio de uma espira (cm)
lfio=(NL*lespira)/100; %Comprimento total do chicote (m)
Rcobre=(pfio*lespira*NL)/ncond; %Resistncia do cobre (ohms)
Pcobre=Rcobre*(Ief^2); %Perdas no cobre (W)
%Perdas Magnticas
delta_B=((L*delta_IL)/(NL*Ae))*1e4; %Variao da densidade do fluxo (T)
Kh=4*1e-5; %Coeficiente de perdas por histerese
Kf=4*1e-10; %Coeficiente de perdas por correntes parasitas
Vnucleo=17.10; %Volume do ncleo (cm^3)
Pnucleo=(delta_B^2.4)*((Kh*fs)+(Kf*(fs^2)))*Vnucleo; %Perdas no ncleo (W)
% Resistncia trmica do ncleo
Rtnucleo=23*(Ae*Aw)^(-0.37); %Resistncia trmica do ncleo (grauas-C/W)
% Elevao de temperatura
delta_T=(Pcobre+Pnucleo)*Rtnucleo; %Elevao de temperatura em graus Celsius
7. POSSIBILIDADE DE EXECUO
Awmin=(NL*Sfioiso*ncond)/kw; %rea mnima da janela necessria (cm^2)

Exec=Awmin/Aw; %Possibilidade de execuo


Relatorio Final Conversor Boost Grupo02 PDF

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Relatorio Final Conversor Boost Grupo02 PDF

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

UNIVERSIDADE FEDERAL DA PARAIBA

CENTRO DE ENERGIAS ALTERNATIVAS E RENOVAVEIS

Eletronica de Potencia - Prof. Dr. Romero Leandro Andersen.

Joao Pessoa Paraba

Relatorio referente ao projeto final apresentado

Joao Pessoa Paraba

O conversor Boost, tambem conhecido como elevador de tensao, e um conversor cha-

4 DIMENSIONAMENTO DOS COMPONENTES 12

8 VALIDACAO DO MODELO MATEMATICO 28

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

Figura 1: Representacao ilustrativa do esquematico de um conversor Boost.

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

Figura 3: Representacao da etapa de chave fechada.

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

Figura 4: Representacao da etapa de chave aberta.

3.1 MODO DE OPERACAO

Em um conversor Boost, o seu tipo de operacao e regido pela quantidade de energia

3.1.1 Formas de Onda para o Modo de Conducao Contnua

O conversor Boost opera em conducao contnua quando o indutor nao se desmagnetiza

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

Figura 5: Formas de ondas teoricas para as principais correntes no conversor Boost.

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

Figura 6: Formas de ondas teoricas para as principais tensoes no conversor Boost.

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

3.2 GANHO ESTATICO EM CONDUCAO CONTINUA

Como o indutor se magnetiza na primeira etapa e desmagnetiza na segunda, a energia

Simplificando a Equacao 4 obtem-se a Equacao 5, a qual representa o ganho estatico do

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

3.3 DETERMINACAO DOS VALORES DOS COMPONENTES

3.3.1 Determinacao da Resistencia de Carga RO

Considerando que a potencia na carga PO do conversor Boost e a tensao na carga VO sao

3.3.2 Determinacao da Capacitancia C e Calculos Relativos

Analisando a primeira etapa de conducao, para encontrar a capacitancia C e importante

Considerando a primeira etapa, a corrente no capacitor e IO durante uma variacao de tempo

Observando a forma de onda na Figura 5 (d), percebe-se que a corrente no capacitor

Lembrando do ganho estatico dado na Equacao 5 e sabendo que a potencia na entrada

3.3.3 Determinacao da Indutancia L

Para o calculo da indutancia, tem-se a relacao entre tensao e corrente de um indutor na

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

tc 0, e possvel reescrever a Equacao 17, resultando na Equacao 18.

Isolando L na Equacao 18, resulta-se na Equacao 19.

3.4 ESFORCOS NOS SEMICONDUTORES

3.4.1 Tensao Maxima na Chave VSM

Onde VO representa a variacao de tensao na carga que e a mesma variacao de tensao

3.4.2 Corrente Eficaz na Chave ISe f

Calcula-se a corrente eficaz na chave atraves da Equacao 21.

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

3.4.3 Tensao Maxima no Diodo D VDM

3.4.4 Corrente Media no Diodo D IDmd

Como ja discutido anteriormente, na primeira etapa, devido a polarizacao reversa, a

4 DIMENSIONAMENTO DOS COMPONENTES

4.1 ESCOLHA DOS DISSIPADORES

T j e a temperatura da juncao em graus Celsius ( C);

Td e a temperatura do dissipador em graus Celsius ( C);

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

Figura 7: Circuito equivalente para o calculo das perdas termicas.

Tc e a temperatura da capsula em graus Celsius ( C);

Ta e a temperatura do ambiente em graus Celsius ( C);

P e a potencia termica que esta sendo dissipada no componente e e transferida ao ambi-

R ja = R jc + Rcd + Rda (26)

Centro de Energias Alternativas e Renovaveis - Departamento de Engenharia Eletrica

Figura 8: Relacao de Dissipadores.