2.

5 - Transistores como chaves

Ainda que os transistores sejam a espinha dorsal da eletrnica

moderna, com dezenas de tipos e centenas de utilizaes, vamos +
nos limitar a analisar apenas uma funo destes componentes: a controle
de chave liga-desliga.
Pode parecer uma viso muito limitada de um componente to
verstil, mas a verdade que no o objetivo deste trabalho um
estudo terico de eletrnica, e difcil encontrar uma outra
-
funo para este componente que no seja melhor executada por
Figura 2.5.1
um circuito integrado com preo acessvel.

Ainda dentro do universo dos transistores, apresentaremos aqui

apenas trs tipos: o bipolar tipo NPN, o bipolar tipo PNP e
MOSFET de potncia canal N (tipo de enriquecimento ou
enhanced).

Em todos eles, a corrente flui entre dois dos trs terminais do

transstor, controlada pelo sinal eltrico existente no terceiro,
como indica a figura 2.5.1.

Transistores bipolares
Estes transistores deixam passar a corrente entre dois terminais C E
chamados coletor e emissor quando se faz passar uma corrente B B
muito menor por um terminal chamado base.
E C

Os transistores bipolares se dividem em dois tipos, NPN e PNP

NPN PNP
(fig.2.5.2). Essa diferena, na prtica, se reflete na polaridade
das ligaes, e resulta em que o NPN "ligado" por um sinal Figura 2.5.2
positivo e o PNP "ligado" por um sinal negativo (aterramento).
Na verdade, na ausncia de um sinal, ou seja, como o pino de
base desconectado do circuito, os dois tipos ficam "desligados",
sem conduzir corrente. coletor
coletor

A figura 2.5.3 apresenta as analogias hidrulicas simplificadas

base base
de transistores bipolares. Para analisar as figuras, deve-se ter em
mente que a vlvula de base controla a vlvula maior, e no o
contrrio.

O transistor, em muitos aspectos, se comporta como dois diodos emissor emissor

justapostos, e uma conseqncia disso que existe dentro deles a
mesma barreira de tenso dos diodos. Ou seja: a diferena de NPN PNP
tenso entre o emissor e o coletor deve ser maior que 0,6V ou o
transstor no conduzira mesmo com uma grande tenso na base. Figura 2.5.3
E ainda, a tenso na base tem que ter uma diferena de pelo
menos 0,6V em relao ao emissor (+0,6V nos NPN e -0,6V nos
PNP) para que se inicie a conduo.

Uma vez que a corrente comece a fluir pela base, uma corrente
vrias vezes maior conseguir fluir entre o emissor e o coletor.
Quantas vezes maior? Este nmero dado pelo fabricante e tem
 o nome de hFE. um nmero bastante instvel e varia
individualmente entre peas de um mesmo tipo. Felizmente, para
usar o transstor como chave liga e desliga, este valor no
crtico. Basta garantir que, quando o sinal aplicado base, uma
corrente prxima ao mximo admissvel flua por este terminal.
O valor desta corrente determinado por um resistor. Este
resistor no pode ter uma resistncia muito pequena para no
ultrapassar o valor limite de corrente na base, dado pelo
fabricante. Lembre que a base ligada ao emissor como que
atravs de um diodo, podendo haver um verdadeiro curto-
circuito em caso de uma ligao direta alimentao (NPN) ou
ao terra (PNP). Este resistor tambm no pode ser muito grande,
pois fundamental ao funcionamento do transistor como chave
que a corrente de base provoque o mximo de conduo entre o
emissor e o coletor. Isto porque neste ponto, a queda de tenso
no transistor (entre o emissor e o coletor) ser penas os 0,6V
devidos barreira de tenso (diodo) e a potncia dissipada ser:

Potncia dissipada=0,6Corrente

C Caso o transistor no esteja conduzindo completamente, a queda

B de tenso ser maior que 0,6V e a potncia dissipada pode subir
perigosamente. A tabela 2.3 apresenta valores de resistores que
E permitem a passagem pela base de 1/15 da corrente mxima de
coletor (corrente mxima do transistor). Este valor quase sempre
Figura 2.5.4 - Transistor Darlington. garante a saturao dos transistores de baixa e mdia potncia.

Transistores Darlington
D (dreno) Os transistores de potncia geralmente tm ganhos menores e
precisam correntes altas na base para a plena conduo. Por
G (porta)
exemplo, um transistor 2N3055 pode exigir 3A para controlar
S (fonte ou supridouro) uma corrente de 15A. Para solucionar este problema, existe um
tipo de transistor bipolar que se chama Darlington, e nada mais
Figura 2.5.5 - Mosfet canal N. do que dois transstores em um nico encapsulamento,
conforme mostra a figura 2.5.4. Neste caso, o valor de hFE
muito grande, e uma corrente bem pequena na base j leva o
transstor ao estado de plena conduo. O preo pago por esta
sensibilidade corrente o fato de que aqui a barreira de tenso
o dobro (dois diodos), e preciso que a tenso na base tenha
uma diferena de 1,2V em relao ao emissor para que comece a
ocorrer a conduo.

D Mosfet de potncia canal N

Este outro tipo de transstor funciona de forma diferente dos
anteriores. Aqui a resistncia entre dois terminais, o dreno
(drain) e a fonte (source), determinada pela tenso aplicada a
G
um terceiro teminal, a porta (gate). O dreno ligado
alimentao positiva atravs da carga e a fonte ligado ao terra.
A fonte as vezes chamada de "supridouro".
S Inicialmente a resistncia entre o dreno e a fonte um valor
muito alto, praticamente um circuito aberto, mas medida que a
Figura 2.5.6 - Analogia hidrulica de um tenso na porta aumenta, esta resistncia cai, chegando a um
Mosfet de canal N.
valor que praticamente um circuito fechado. Geralmente esta
conduo comea quando a tenso na porta chega a cerca de trs
volts e atinge a menor resistncia possvel quando a tenso na
porta atinge cerca de 10 volts.

Aqui tambm importante que o transstor seja levado plena

conduo para que a potncia dissipada seja a menor possvel. O
valor da resistncia do MOSFET quando ele est no estado
"ligado" fornecida pelo fabricante nos datasheets. Como a C D
B
potncia dissipada o produto desta resistncia pelo quadrado da G
corrente, aconselhvel escolher sempre o MOSFET que tiver a E S
menor resistncia de estado "ligado". carga NO! carga

Figura 2.5.7 - A carga no deve ser ligada

nem ao emissor, nem fonte (s).
Notas sobre bipolares e mosfets
+V +V
No servem para controlar correntes alternadas. E
B carga

Os MOSFETS so mais caros que os transstores bipolares, NO! C

C
B
mas funcionam melhor como chaves. carga
E
O terminal de controle (base ou gate) tem sua tenso
comparada com a tenso no emissor ou na fonte, portanto,
Figura 2.5.8 - O acionamento no deve ser
no uma boa idia colocar a carga em srie com estes feito por ligao direta sem resistor.
terminais (figura 2.5.7).
+12V +12V
Lembre tambm que, entre o emissor e a base, o transstor se
comporta como um diodo e, portanto, no boa idia acionar
os transistores bipolares ligando sua base diretamente corrente G G
tenso de alimentao ou ao terra. Isto equivale a um curto- zero D D
circuito (figura 2.5.8). S S

Podemos considerar que os MOSFETS possuem uma +9 volts

resistncia de entrada (impedncia) infinita. Isto significa que
Figura 2.5.9 - O MOSFET retm a carga na
no consomem corrente em sua porta, apenas aquela porta.
necessria para "encher" o terminal, devido a uma pequena
capacitncia que deve ser levada em considerao nas altas
freqncias. Isto pode ser comprovado pela experincia
mostrada na figura 2.5.9. O MOSFET, uma vez "carregado"
com uma tenso positiva em sua porta, permanece Carga indutiva
Diodo
conduzindo mesmo depois da tenso ser desconectada. (indutor, rel,
transformador etc.)
preciso "descarregar" a porta no terra para parar a conduo.
Chave eletrnica
(transistor bipolar,
Sempre se deve colocar um diodo em paralelo com uma MOSFET, SCR etc.)
carga indutiva, como mostra a figura 2.5.10. Quando a
corrente flui normalmente, o diodo no conduz, mas quando
o fluxo de corrente cortado, o indutor gera uma tenso
Figura 2.5.10 - Sempre se deve colocar um
inversa muito alta, que seria capaz de destruir o transistor se diodo em paralelo com cargas indutivas.
no fosse dissipada pelo diodo.
 Quando utilizados como chave, com uma corrente ou
+12V
tenso que garanta a plena conduo, tanto os
transistores bipolares como os MOSFETS dissipam
QUENTE ! luz pouca potncia, pois a queda de tenso entre seus
corrente fraca terminais pequena. Ainda assim, para correntes muito
zero D altas, pode ser necessrio o uso de um dissipador para
G
S garantir o bom funcionamento do componente.
+3 volts Entretanto, quando no so levados ao estado de plena
conduo, dissipam muito mais energia, com o
conseqente aquecimento (fig. 2.5.11).
Figura 2.5.11
 +0,6V* a +30V

+6V +6V
BC548 carga
+6V

mximo de 100 mA
C C C
B B B
lmpada
E pequena E E
cada mA que C de 6V
E B C
entra na base B
provoca um
aumento de E
100 a 800mA
no emissor Emissor
(hfe= ganho = ligado
ao terra (-)
desligado ligado
100 a 800)

Figura 2.5.12 - Funcionamento de um transistor NPN de pequena potncia atuando como chave.

+0,6V* a +30V
+6V +6V
BC558
+6V
mximo de 100 mA

E E E
B Emissor B B
ligado
cada mA que C ao +V C C
sai da base E
E B C
provoca um carga B
aumento de
75 a 475mA C
no emissor
(hfe= ganho =
100 a 800) desligado ligado

Figura 2.5.13 - Funcionamento de um transistor PNP de pequena potncia atuando como chave.

max. 200V +12V +12V

lmpada de
IRF640 farol
resistncia
que pode ser
carga
desde
muito baixa
mximo de 18 A

D (curto) at
G
D muito alta
G D
re sistncia (megaohms)
S G
que pode ser S S
Comea a desde
conduzir com muito baixa
G uma tenso (curto) at
D S muito alta
de 2 a 4V
no Gate. (megaohms)
Conduz 100%
com 10V ou mais.
desligado ligado
Figura 2.5.14 - Funcionamento de um MOSFET canal N de potncia atuando como chave.
 Tabela 2.3: Caratersticas de transistores comuns:
Resistncia em srie com a base para
Baixa potncia e uso geral - srie BC uma tenso de acionamento de:**
Imax (A) Vmax (V) hFE Pot max(W) Obs. 5V 9V 12V
BC337 0,5 45 100-800 0,8
470 1000 1200
BC338 0,5 25 100-800 0,8
Transistores de baixa potncia e uso
BC546 0,1 65 110-450 0,5
NPN geral. O mais popular o BC548.
BC547 0,1 45 110-800 0,5
680 1200 1800
BC548 0,1 30 110-800 0,5
BC549 0,1 30 200-800 0,5 Igual ao 548, mas com menos rudo.
E B C
BC327 0,5 45 100-800 0,8 Complementar do BC337. 470 1000 1200
BC557 PNP 0,1 45 75-475 0,5 Complementar do BC547.
680 1200 1800
BC558 0,1 30 75-475 0,5 Complementar do BC548.

Resistncia em srie com a base para

Baixa potncia - diversos uma tenso de acionamento de:**
Imax (A) Vmax (V) hFE Pot max(W) Obs. 5V 9V 12V
Transistor NPN de uso geral, com
2N2222 30 capacidade de corrente um pouco
E B C maior. Encontrado em encapsulamento
NPN 0,8 40-300 0,5 100 150 220
metlico (2N2222) ou plstico
2N2222A 40 (2N2222A). Particularmente popular
nos Estados Unidos.
C B E

BF494 NPN 0,03 20 65-220 0,3 Para freqncias at 100MHz. 1000 1800 2400
B E C

Resistncia em srie com a base para

Mdia potncia e uso geral - srie BD uma tenso de acionamento de:**
Imax (A) Vmax (V) hFE Pot max(W) Obs. 5V 9V 12V
BD135 45
BD137 NPN 1,5 60 25-250 1,25 a 12,5* Transistores de mdia potncia e uso
BD139 80 geral.
47 82 120
metal
BD136 45 Complementar ao BD135
atrs
BD138 PNP EC B 1,5 60 25-250 1,25 a 12,5* Complementar ao BD137
BD140 80 Complementar ao BD139

Resistncia em srie com a base para

Alta potncia - srie TIP uma tenso de acionamento de:**
Imax (A) Vmax (V) hFE Pot max(W) Obs. 5V 9V 12V
TIP31C NPN Pares complementares de transistores
22 47 56
TIP32C PNP 3 100 10-50 2 a 40* de uso geral e alta potncia. A letra C
no final indica que a voltagem mxima
TIP41C NPN entre emissor e coletor de 100V. A
10 18 24
TIP42C PNP 6 100 15-75 2 a 65* indicaria 60V e B 80V.

TIP122 NPN-Darlington
470 1000 1200
TIP127 PNP-Darlington 5 100 1000 (min.) 2 a 65*
Pares complementares de transistores
Darlington de uso geral e alta potncia.
TIP142 NPN-Darlington
220 470 560
TIP147 PNP-Darlington 10 100 1000 (min.) max. 125*

TIP3055 NPN Par complementar clssico de alta

1,5*** 2,7*** 3,9***
TIP2955 PNP 15 100 5 70 max. 90* potncia em ecapsulamento TO-220.

Resistncia em srie com a base para

Alta potncia - diversos. uma tenso de acionamento de:
Imax (A) Vmax (V) hFE Pot max(W) Obs. 5V 9V 12V

2N3055 NPN Par complementar clssico de alta

1,5*** 2,7*** 3,9***
potncia em ecapsulamento metlico.
2N2955 PNP 15 100 5 70 max. 90*
* Depende da temperatura em que mantido o coletor. Dissipadores e refrigerao aumentam a potncia mxima.
** Valores de resistores comerciais que deixam passar uma corrente na base de aproximadamente 1/15 da corrente mxima do transistor (Imax).
*** Valores calculados considerando o ganho (hFE) mnimo do transistor. Para manter a corrente de base em um valor pequeno que garanta a plena conduo, este valor deve ser
calculado de acordo com as caractersticas do circuito, pois possvel que correntes menores garantam a saturao (plena conduo). Considere tambm a possibilidade de
substituir o transistor por outro do tipo darlington, como o TIP142 ou TIP147.
 MOSFETs de potncia - canal N
Resistncia Tenso para Tenso para
quando est comear a deixar
Imax (A) Vmax (V) Pot max (W) ligado () conduzir (V) ligado(V)
IRFZ34 30 60 88* 0,050
IRFZ44 50 60 150* 0,028
IRFZ44N 49 55 94* 0,018
IRFZ46 CANAL N 50 50 150* 0,024
IRFZ46N 53 55 107* 0,017 2a4 10
(enhanced)
IRF640 18 200 125* 0,18
IRF840 8 500 125* 0,85
6N60 6,2 600 62,5* 1,5

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