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EL TRANSISTOR
Electrnica Analgica

NDICE
OBJETIVOS ................................................................................................. 3

INTRODUCCIN .......................................................................................... 4
6.1. El transistor ............................................................................................ 5
6.1.1. El interior de un transistor ................................................................. 5
6.1.2. Polarizacin de un transistor ............................................................. 7
6.1.2.1. Polarizacin directa de la unin emisor de un transistor NPN ...... 7
6.1.2.2. Polarizacin directa de la unin emisor de un transistor PNP ....... 8
6.1.2.3. Polarizacin inversa de la unin colector de un transistor NPN .... 9
6.1.2.4. Polarizacin inversa de la unin colector de un transistor PNP .... 9
6.1.3. Efecto transistor y ganancia de corriente ........................................ 11
6.1.4. Curvas caractersticas de un transistor en emisor comn .............. 16
6.1.5. Recta de carga de un transistor ...................................................... 18
6.1.6. Punto de reposo de un transistor .................................................... 20
6.1.7. Zonas de funcionamiento de un transistor ...................................... 21
6.1.8. Presentacin del transistor .............................................................. 24
6.1.9. Varios circuitos de polarizacin ....................................................... 28
6.2. El transistor en conmutacin .............................................................. 36
6.2.1. Zonas de trabajo del transistor en conmutacin ............................. 36
6.2.2. Polarizacin del transistor en conmutacin para NPN y PNP ......... 38
6.2.3. Montaje en Darlington ..................................................................... 40
6.3. Montajes con transistores ................................................................... 42
6.3.1. Rel en colector .............................................................................. 42
6.3.2. Montaje en Darlington ..................................................................... 44
6.3.3. Mando rel con dos transistores NPN............................................. 47
6.3.4. Circuito con doble mando ............................................................... 49
6.3.5. Temporizacin al cierre de un rel .................................................. 51
RESUMEN .................................................................................................. 53

UD7..- El Transistor
Electrnica Analgica

OBJETIVOS

Comprobar el funcionamiento del transistor.

Experimentar el comportamiento prctico de los transistores cuando estn


formando parte de circuitos de aplicacin.

Estudiar los efectos que diodos y transistores tienen sobre las seales
electrnicas, base fundamental para entender cmo se puede aplicar a la
realizacin de montajes prcticos.

UD7. El Transistor
INTRODUCCIN

La electrnica es una ciencia de aplicacin que a primera vista, sea por los
comentarios que venimos oyendo desde hace muchos aos, sea por la
escasa formacin, tiene fama de cosa complicada e intocable.

La verdad es que no es lo mismo entender el funcionamiento de un motor o


aplicacin mecnica, donde las piezas y efectos se "ven" y se "palpan"
fsicamente, o una instalacin hidrulica, donde el fluido se aprecia
discurriendo por los conductos, que una tarjeta electrnica llena de circuitos
integrados de aspecto negro siniestro (parecidos a los de Lord Vader) y
acompaados por su corte de resistencias, condensadores, transistores y
otros componentes de menor "rango".

El secreto de la electrnica es el conocimiento de estos componentes, y como


conocimiento queremos decir el estudiar y saber qu hacen en realidad con
las seales electrnicas, cul es su efecto sobre ellas y qu va a ser lo que
obtengamos a la salida. As, un transistor en amplificacin consigue
entregarnos una seal que es n veces ms grande que la de su entrada, o un
diodo recorta los semiciclos negativos de una seal alterna colocada en su
entrada. Mezclando, intercalando y combinando estos componentes podemos
llegar a producir efectos de temporizacin, control, clculo, automatizacin,
que conseguimos con las tarjetas electrnicas. Ya puede ver que el len no
es tan fiero como lo pintan.

Por otra parte se ha comprobado en la prctica que los transistores son el


componente estrella de la electrnica por sus caractersticas y aplicaciones,
algo parecido a la popular aspirina, que sirve para todo. Adems, es muy fcil
agruparlos de forma compacta en grupos llamados circuitos integrados, las
renombradas "cucarachas" o "chips", asignndoles tambin a cada uno una
funcin, ms complicada, claro.

Por consiguiente, se puede comprobar que nadie sabe la suficiente


electrnica como para desentraar el funcionamiento de una tarjeta
electrnica, ni siquiera para reparar una avera. Lo que es ms importante es
disponer de una buena base y una buena cantidad de catlogos de casas
comerciales, que son las que ponen en el comercio esas piezas que realizan
una tarea determinada. No queda ms que identificar el integrado o
componente mediante las marcas que tiene, y decir "bien, este integrado es
un 723 de la marca National Semiconductor, y realiza tal y tal cosa". En estas
condiciones s que se puede comprobar el funcionamiento de un circuito,
chequearlo para comprobar una avera y lo que es ms importante, disear
nuestras propias aplicaciones con esos conocimientos.

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Electrnica Analgica

1.1. EL TRANSISTOR
Abordamos en este punto el componente estrella de la electrnica moderna,
el transistor. Existen diversos tipos de transistores. El que vamos a ver a
continuacin y con ms extensin se denomina transistor bipolar. Las otras
familias (MOS, FET, etc.) se tratarn en otros captulos. Estos dispositivos
electrnicos culminan los componentes activos por sus caractersticas y
aplicaciones.

Todos los montajes, funciones y circuitos electrnicos de cierta envergadura


disponen de estos elementos ya sea de forma individual o por grupos
funcionales, generalmente dentro de un chip o integrado. As pues, el circuito
integrado no es un nuevo componente, sino conjuntos de transistores unidos
de forma especial para realizar un cometido. El aumento de la complicidad de
los circuitos ha llevado a este desarrollo y al uso de los circuitos integrados.
Pasemos pues a estudiar el transistor.

1.1.1. EL INTERIOR DE UN TRANSISTOR

El transistor es un componente que basa su funcionamiento, al igual que el


diodo, en los cristales semiconductores P y N, aunque para ser ms exactos,
emplea tres y no dos. Segn las combinaciones que podemos conseguir
tenemos dos configuraciones bsicas: PNP y NPN, segn cmo coloquemos
los cristales.

1 unin

P N P N P N

2 unin

Figura 6.1. Cristales PNP y NPN

Cada una de las zonas determinadas por los tres cristales se denomina de
una forma, la cual obtendr su razn de ser cuando estudiemos la
polarizacin de este invento. stas son el emisor, colector y base, donde la
base es la encargada de ejercer el gobierno sobre las dems.

UD7..- El Transistor
Sera algo parecido a un sistema de riego, donde el caudal de una acequia
principal pudiera ser controlado con el de otra ms pequea y adems ms
fcil de manejar por su reducido valor (en cantidad de agua).

DEPSITO DE
COLECTOR

Acequia principal
DEPSITO
DE BASE
COLECTOR
REGULACIN

EMISOR

BASE
Acequia secundaria

Alternador

Lmpara

CARGA

Figura 6.2. Smil hidrulico de un transistor

Como puede ver (el que tenga experiencia como hortelano tendr ventaja), el
caudal de la acequia principal puede ser regulado con el de la secundaria,
aumentando la cantidad de agua que pasa por el emisor. El transistor todava
va ms lejos que el smil y con la corriente de base es capaz incluso de
"llamar" o "atraer" ms corriente de colector.

Salta a la vista que el caudal que circula por el emisor es la suma de los
caudales del colector y la base. Esta propiedad es muy importante y refleja
todo el funcionamiento del transistor.

Un transistor est formado por tres cristales semiconductores


unidos, dando lugar a arquitecturas PNP y NPN.

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1.1.2. POLARIZACIN DE UN TRANSISTOR

Vamos a ver cmo un transistor es capaz de realizar lo anteriormente


expuesto con la corriente. La colocacin de los cristales, como ya sabemos,
origina la aparicin de tres zonas, y el secreto, como siempre, consiste en la
polarizacin adecuada de estas zonas, que es la siguiente:

N P N P N P

e c e c

b b

Figura 6.3. Polarizacin adecuada de transistores.

Ya ve que la unin emisor-base debe estar directamente polarizada, y la


unin colector - base inversamente. Veremos a continuacin esto con ms
detalle.

1.1.2.1. POLARIZACIN DIRECTA DE LA UNIN EMISOR DE UN


TRANSISTOR NPN

La figura siguiente muestra una polarizacin directa de la unin emisor-base


de un transistor NPN, mediante una batera de potencial Vee. El polo positivo
se conecta con la base y el negativo con el emisor, consiguiendo el mismo
efecto que si de un diodo se tratara.

Barrera de potencial

N P N
- - - -
-
emisor colector
- - - -
-
- - - -

base
Ie

Vee
Ib

Figura 6.4. Polarizacin directa de la unin emisor-base de un transistor NPN

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El negativo de la pila inyecta electrones en el emisor, con lo que los
electrones de la primera fila (prximos a la barrera de potencial) adquieren la
suficiente energa como para atravesarla y cubrir huecos en la base. Este
efecto produce un aumento de electrones en la base, que son atrados por el
positivo de la pila.

Ya sabe que el potencial Vee de la pila debe ser superior a 0,7


V (potencial adquirido por la unin PN directamente
polarizada). En caso contrario, la barrera es insalvable y no se
produce trnsito de portadores.

Se crea pues una corriente de portadores real del emisor a la base (Ie =Ib),
expresndose la misma idea si decimos que se produce una circulacin de
corriente base a emisor en su sentido convencional.

1.1.2.2. POLARIZACIN DIRECTA DE LA UNIN EMISOR DE UN


TRANSISTOR PNP

En este caso debemos montar el circuito de la figura siguiente. El polo


positivo se encuentra conectado al emisor y el negativo a la base. En este
caso el movimiento de electrones se produce de base a emisor.
(Convencionalmente de emisor a base).

Barrera de potencial

P N P
- - - - -
-
emisor colector
- - - - -
-
- - - - -

Ie

base
Ib
Vee = 0,7V

Figura 6.5. Polarizacin directa de la unin emisor-base de un transistor PNP

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1.1.2.3. POLARIZACIN INVERSA DE LA UNIN COLECTOR DE


UN TRANSISTOR NPN

Esta polarizacin conecta el polo negativo de la pila a la base (tipo P) del


transistor, y el positivo al colector (tipo N). Puede verse el montaje en la figura
siguiente.

La barrera de potencial aumenta.


Diferencia de potencial = Vcc
Ifugas

N P N

emisor colector
- - -

base

Vcc
Figura 6.6. Polarizacin inversa de la unin emisor-base de un transistor NPN

En estas condiciones y como ya sabemos, los electrones del colector son


atrados por el polo positivo de la fuente Vcc, mientras que el polo negativo
inyecta electrones en la base. Por esto la barrera de potencial de la unin
aumenta hasta que su valor se hace igual a la tensin de la pila, impidiendo
cualquier circulacin de corriente a su travs, excepto la corriente inversa de
saturacin (corriente de fuga).

1.1.2.4. POLARIZACIN INVERSA DE LA UNIN COLECTOR DE


UN TRANSISTOR PNP

En este caso debe cambiar el polo positivo de la pila a la base y el negativo al


colector, por lo que este ltimo inyecta electrones en el colector (P) y el polo
positivo atrae electrones a la base (N). nicamente tenemos la corriente
inversa de saturacin.

UD7..- El Transistor
Aumento de la barrera de potencial

Ifugas

P N P

emisor colector
- - -

base

Vcc

Figura 6.7. Polarizacin inversa de la unin colector de un transistor PNP

6.1.2. POLARIZACIN EN EMISOR COMN

Por fin parece llegar el final del calvario al que estamos sometiendo a los
cristales P y N desde hace varios puntos, la polarizacin de un montaje NPN
o PNP con dos polarizaciones, una inversa y otra directa, ofrecindonos un
efecto muy peculiar y maravilloso: el efecto transistor.

As pues, tomamos un cristal de tipo NPN, le conectamos una polarizacin


directa emisor-base y otra colector-base, tal como aparece en la siguiente
figura:

Barrera de potencial

N P N

- - - - - -
-
emisor - - - - - - colector

- - - - - - -

base
Ie Ib Ic

Vee 0,7V Vcc

Figura 6.8. Efecto de la doble polarizacin

10 UD7.- El transistor
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La polarizacin directa de la unin emisor implica una circulacin de


electrones de emisor a base. La polarizacin inversa de colector supone un
desplazamiento muy pequeo de electrones de base a colector.

Como puede verse en la figura anterior, los electrones que proceden del
emisor vienen con mucha velocidad gracias a estar la unin directamente
polarizada. Es la llamada corriente de emisor. Esta virulencia de llegada,
unida al hecho de que la base tiene un espesor muy pequeo comparado con
el emisor y colector, hace que algunos electrones sean atrados por la base,
formando la corriente de base. El resto, ms numerosos, atraviesan la base y
se introducen en el colector, formando la corriente de colector.

Todo lo dicho es vlido para los transistores PNP, slo que cambiar la forma
de polarizacin.

Este proceso de conduccin se denomina efecto transistor y culmina las


prestaciones electrnicas de los materiales semiconductores al ofrecernos el
componente que basa su funcionamiento en este efecto: el transistor.

1.1.3. EFECTO TRANSISTOR Y GANANCIA DE CORRIENTE

Volviendo a la figura anterior, el polo negativo de la pila Vee introduce


electrones en el emisor. La base se hace cargo de ellos para rellenar los
huecos que tiene. Sin embargo, estos electrones disponen de una energa tan
elevada (velocidad) que muchos de ellos pasan de largo hacia el colector
atrados adems por la pila Vcc.

Para que este efecto se produzca con resultados palpables, artificialmente


podemos incentivarlo haciendo que la base sea estrecha y est poco dopada
(facilidades para los electrones que circulan hacia el colector). Tambin
podemos hacer que el colector sea ms grande y est ms impurificado,
atrayendo y facilitando que los electrones vayan a l, algo parecido a lo de
Jesucristo y los nios. Por otra parte, y sta es una cuestin muy interesante
para los circuitos con transistor, la Vcc debe ser bastante mayor que Vee.
Resumiendo, cuantos ms electrones atraviesen la base, mayor ser la
corriente de colector. Estamos llegando a la aplicacin elctrica del dibujo de
las acequias. Una corriente de base es capaz de comandar a otra, de
colector. Y lo que es ms, la hace aumentar o disminuir a voluntad.

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Se suele decir de una forma ms tcnica, comparando con una resistencia
variable, que el transistor es un dispositivo electrnico que vara su
resistencia de la unin emisor a la unin de colector, de ah recibe su nombre,
transistor (Transfer Resistor).

Ic

Ic
c
TRANSISTOR
c
TRANSISTOR
N

Ib
P Ib
b R
N
b

e e
Ie Ie

Figura 6.9. Representacin de la transferencia de resistencia

Ib Intensidad de base

Ic Intensidad de colector

Ie Intensidad de emisor

R f (Ib)

Ib R Ic

12 UD7.- El transistor
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El smbolo elctrico de un transistor es el que aparece en la siguiente figura,


dndonos bastantes pistas para entender su funcionamiento.

TRANSISTO R NPN TRANSISTO R PNP

Ic Ie
b c b e
e c
Ib Ib
Ie Ic

Figura 6.10. Representacin de un smbolo de transistor

Como observar, las flechas de corriente ya tienen el sentido convencional,


queriendo decir que realmente los electrones circulan en sentido contrario con
respecto a lo que hemos estudiado hasta aqu. No se preocupe por eso y no
le d vueltas, qudese con el esquema de la figura anterior aunque ya
sabemos que los electrones circulan en otro sentido.

Seguimos adelante. Si consideramos la corriente de base, o mejor an, el


circuito de base como circuito de entrada y el de colector como de salida,
podemos definir una serie de parmetros muy importantes. Por otra parte,
cabe destacar que llevamos explicando todo el rato el funcionamiento del
transistor sobre un tipo de polarizacin, llamada de emisor comn. Existen
otros tipos de polarizaciones que no vamos a ver, pues sta es la ms
utilizada. Es la respuesta a la tpica pregunta: cmo podemos conectar un
transistor para que funcione? La ms prctica y usada es la de emisor comn,
aunque debe saber que hay otras. Los parmetros de que hablamos son los
siguientes y son debidos a que una "pequea" corriente de base comanda o
controla a otra "ms grande" de colector:

a) Una pequea tensin directa en la entrada origina una elevada tensin de


salida. A esto se le denominar ganancia de tensin.

b) Para una pequea corriente de entrada, se obtiene una elevada corriente


a la salida. Se trata de la ganancia de corriente.

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CIRCUITO DE SALIDA
EN COLECTOR Vc

Vcc
A Ic

Ib
CIRCUITO DE ENTRADA
A V Vce
Vee Ve
Vbe V
0,7V

Ie
A

CIRCUITO DE SALIDA
EN EMISOR Ve

Figura 6.11. Representacin de los circuitos de entrada y salida de un transistor

Para que un transistor funcione correctamente, debe estar


polarizado.

Vemos algo en la figura anterior que no hemos comentado? Claro que s.


Tenemos la tensin base-emisor (Vbe) sobre todo. Esta ltima corresponde
al potencial que se genera en esa parte del transistor cuando circula a
travs de l una determinada corriente, de forma que depende ms de los
circuitos externos de colector y emisor que del propio transistor.

14 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Lo verdaderamente importante es lo que se denomina ganancia de corriente,


producida gracias al efecto transistor. Ya sabemos que una determinada
corriente introducida en la base de un transistor correctamente polarizada
origina un valor de corriente por colector determinada y que es funcin de la
corriente de base.

Pero, cmo funciona?, si sube una baja la otra?, cunto sube la de


colector si sube la de base? Estas preguntas tienen respuesta si hablamos
del parmetro ms importante del transistor: la ganancia de corriente, tambin
llamada (beta) o hFE en algunos manuales. Este valor, caracterstico de
cada componente y particular de cada uno, es el que relaciona las corrientes,
dando lugar a la ecuacin fundamental que rige el efecto transistor en
montajes como los estudiados:

Ic = Ib

Donde Ic es la corriente de colector, Ib la de base y es el famoso parmetro


relacionativo. En los transistores ms comunes, la oscila entre 50 y 150.
Seguramente podr determinar la corriente de colector de un transistor de =
100 si circula una corriente de base de 0,5 mA: 50mA. Tambin habr
adivinado que se cumple otra ecuacin, tan importante o ms:

Ie = Ib + Ic

Donde:

Ie Corriente de emisor

Ib Corriente de base

Ic Corriente de colector

Todos estos parmetros resumen el funcionamiento del transistor, y los


fabricantes los resumen en unas curvas donde se advierten a primera vista
los valores. A continuacin vamos a estudiar alguno de ellos.

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UD7..- El Transistor
1.1.4. CURVAS CARACTERSTICAS DE UN TRANSISTOR EN
EMISOR COMN

Para estudiar el comportamiento de un transistor vamos a tomar el circuito de


polarizacin ms comn y prctico, el de emisor. Debemos realizar el montaje
de la figura siguiente, donde se encuentran reflejados y controlados todos los
parmetros posibles.

A3 Rc
A P2 Vcc
P1 c Ic
Rb A1 b
A Vce
e
Vbb Ib Vbe
V V2
Ie A2
V1 V A

Figura 6.12. Montaje para la obtencin de las curvas caractersticas de un transistor.

Este circuito responde a una polarizacin completa y correcta con las


tensiones continuas Vbb y Vcc, y las resistencias limitadoras de intensidad Rb
y Rc.

Los potencimetros P1 y P2 hacen posible variar los valores de corrientes a


voluntad, y as comprobar el funcionamiento. Debido a la cantidad de
parmetros que hay, se suele dejar fijo uno, variar otro y comprobar los
efectos en un tercero. Con estas situaciones alcanzamos a ver todas las
combinaciones de inters, que son cuatro y se colocan en cada uno de los
cuadrantes de un sistema de representacin cartesiano:

Isalida
Cuadrante II Cuadrante I

Ic = f(Ib) Vce = Cte. Ic = f(Vce) Ib = Cte.

Ientrada Vsalida
Vbe = f(Ib) Vce = Cte. Vbe = f(Vce) Ib = Cte.

Cuadrante III Cuadrante IV


Ventrada

Figura 6.13. Situacin de las curvas de respuesta

16 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Dicho esto y efectuando las recomendaciones de cada cuadrante, se obtienen


las frmulas de curvas de la figura siguiente:

Ic(mA)
CUADRANTE IIVce1 CUADRANTE I

Ibn > Ib(n-1)


...
Vce2 > Vce1 ...
...
...
Ib2 > Ib1
Vce3 > Vce2

Ib1 = 0
Ib( A) Vce(V)
Iceo
Ib1
Ib2 > Ib1
Vce1 Ib3 > Ib2
Ib4 > Ib3
Ib5 > Ib4
Vce2 > Vce1

CUADRANTE III CUADRANTE IV


Vbe (V)

Figura 6.14. Curvas de un transistor en emisor comn

Expliqumoslas por cuadrantes de forma breve:

Cuadrante I

Expresa la variacin de la corriente de colector (Ic) en funcin de la tensin


colector-emisor (Vce) al mantener constante la corriente base. Como vemos,
a grandes aumentos del valor de la Vce, le corresponden pequeas
variaciones de la Ic, para cada una de las corrientes de base indicadas.
Comprobamos que afecta muy poco la tensin colector-emisor a la corriente
de colector.

Cuadrante II

La genuina curva de corriente de colector en funcin de la de base a tensin


colector-emisor constante. Aumentos de Ic corresponden a aumentos de Ib y
viceversa.

Cuadrante III

Se trata de comprobar el valor de la tensin Vbe en funcin de Ib para Vce


constante. Se trata de la polarizacin de un diodo de forma directa, de tal
manera que este cuadrante carece de aplicacin prctica.

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UD7..- El Transistor
Cuadrante IV

Estudiamos la tensin de base-emisor (Vbe) en funcin de la Vce, para Ib=


constante.

En resumen, tenemos como curvas ms importantes la del cuadrante I y II,


que veremos ms en profundidad a continuacin.

1.1.5. RECTA DE CARGA DE UN TRANSISTOR

El circuito ms comn de montaje y polarizacin de un transistor es el


siguiente.

VRc

Ic Rc
c
Rb b Vcc
Vce
e
Ib Vbe
Vbb

Figura 6.15. Polarizacin de un transistor

Una vez puesto en funcionamiento, en todo momento debe cumplirse la


ecuacin siguiente, siguiendo la Ley de Ohm:

Vcc= VRc + Vce

Si VRc= Rc Ic tenemos que:

Vcc = Rc Ic + Vce

As pues, como sabemos que la corriente de colector Ic depende de la de


base y tambin Vcc es constante, cuando aumente la Ib, lo har Ic y por
consiguiente la tensin en Rc (VRc), en detrimento de la Vce, que disminuir.
En caso contrario, bajar Ib, Ic, y VRc, aumentando Vce.

18 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Si se tiene presente la curva del cuadrante I, pueden definirse


unas zonas de funcionamiento en el transistor que forman la
llamada recta de carga, la cual podemos ver en la figura
siguiente y cuyos puntos marcados como P1, P2 y P3 indican
tres puntos de trabajo, uno para corriente colector mxima (lo
que permita Rc para Vce = 0 a mxima corriente de base Ib),
otro para Ib = 0 y otro para Ib de valor intermedio.

Ic(mA)
Ib7>Ib6

P2 Ib6>Ib5
Vcc Ib5>Ib4
Icmax =
Rc
Ib4>Ib3
Vce = 0 P3 Ib3>Ib2
Ib2>Ib1
Ib1>Ib0
Vcc Ib0
2 P1 Vce(V)
Icmed = Iceo
Rc
Vcemax =Vcc
Vcc Ic = 0
Vcmed =
2

Figura 6.16. Recta de carga de un transistor

Como hemos hecho anteriormente con los cuadrantes, estudiaremos qu


ocurre en cada punto dichoso.

Punto P1

La corriente de base es cero, con lo que lgicamente la de colector tambin lo


ser. Sin corriente por colector, la tensin colector-emisor alcanza su valor
mximo, es decir, Vcc, ya que:

Vcc = VRc Ic + Vce


Si Ic = 0; Vcc = Vce.
Se dice que en este punto el transistor est en corte.

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UD7..- El Transistor
Punto P2

La corriente de base alcanza un valor mximo, por lo que tenemos una


corriente de colector bastante elevada. En este caso, al contrario del anterior,
es la tensin en Rc la que se eleva hasta valores cercanos a Vcc, cumpliendo
la ecuacin:

Vcc= VRcIc + Vce

Si Ic es muy grande, VRcIc Vcc por lo que Vce 0

En estas condiciones el transistor alcanza un estado llamado de saturacin.

Punto P3

La corriente de colector alcanza su valor medio entre el mximo y el mnimo,


por lo que la tensin Vcc se reparte a partes iguales entre el colector y el
emisor del transistor:

Vcc
Vce = = VRc
2

Ic
Ib =

1.1.6. PUNTO DE REPOSO DE UN TRANSISTOR

Se llama punto de reposo de un transistor o punto de trabajo a aqul de la


recta de carga en el que se encuentra el transistor para unos determinados
valores de Vce e Ic, determinados por los elementos del circuito de
polarizacin.

Generalmente se encontrar con montajes y problemas donde le pidan


realizar o hallar el punto de reposo de un transistor. Lo nico que deber
hacer (sin buscar el sitio donde duerme el transistor, claro) es calcular la
corriente de colector y la tensin de colector-emisor.

Al punto de reposo viene unido el concepto de potencia disipada por el


transistor. Si bien sabemos que en una resistencia es el producto de la
tensin en sus bornes por la corriente que la recorre, cul ser el clculo en
el caso de un transistor? Qu corrientes podemos emplear?

20 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Pues dado que la corriente de emisor es aproximadamente igual a la de


colector, se puede despreciar la de base y calcular la potencia como el
producto de la tensin colector emisor por la corriente de colector:

W = Vce Ic

Donde:

W Potencia en Vatios

Vce Tensin colector-emisor en voltios

Ic Corriente de colector en amperios

No se asuste por el hecho de haber despreciado la corriente de base. Se


encontrar muchas aplicaciones donde lo hacen y usted mismo, en la
prctica, podr hacerlo.

Si se fija en la ecuacin:

Ie = Ic + Ib

Ic
Estamos sumando valores que son 100 150 veces ms pequeos (Ib = ),

pudiendo despreciar el ms pequeo:

Ie = Ic

No lo tome como un mandamiento divino. Puede seguir realizando los


clculos como siempre y cuando tenga la suficiente experiencia, desprecie Ib.

1.1.7. ZONAS DE FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR

Esta pregunta puede considerarse como un resumen al tema del transistor.


Vamos a describir las zonas en las que el transistor puede ofrecernos sus
favores de una manera u otra, con caractersticas y valores distintos.

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UD7..- El Transistor
Si recuerda lo anteriormente descrito y mira la figura siguiente se pueden
observar tres zonas de funcionamiento:

Zona de saturacin

Zona de corte o bloqueo

Zona de trabajo o activa

Ic(mA) Linea de saturacin

Zona de
Zona activa
saturacin Vcc
Rc

Zona de bloqueo

Iceo Vce(V)
Vcc
Figura 6.17. Zonas de funcionamiento de un transistor

Zona de saturacin

En esta regin las tensiones de colector-emisor son muy pequeas,


prcticamente cero. Sin embargo, las corrientes de base y colector son las
mximas permitidas para el correcto funcionamiento.

En estas condiciones tenemos el transistor comportndose como un circuito o


interruptor cerrado.

+Vcc

Ic Ic = mxima.
colector Ib = mxima.

base Vce 0
Ib

Ie

emisor

Figura 6.18. Smil de un transistor en saturacin

22 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Zona de bloqueo o corte

La zona correspondiente a este estado implica que el transistor trabaja por


debajo de la curva de Vcc para Ib 0. En estas condiciones, sin intensidad de
base, la tensin de colector alcanza su valor mximo, es decir, el de Vcc,
comportndose como un interruptor abierto.

+Vcc
Ic 0

base
Vce Vcc
Ib = 0

Ie 0

Figura 6.19. Smil de un transistor en corte

Zona activa

La zona activa es la ms grande de las tres, y en ella coloca el transistor su


punto de reposo para cualquier combinacin de corriente de colector y tensin
de colector-emisor.

Los dos estados extremos de funcionamiento de un transistor


son el de corte y saturacin.

Como hemos estudiado, en esta zona se cumple la relacin de tensiones


(reparto de Vcc) entre la resistencia de colector y el colector-emisor del
transistor. En esta zona el transistor se encuentra trabajando en modo
amplificacin, mientras que cuando se encuentra en corte-saturacin, se dice
que trabaja en conmutacin.

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UD7..- El Transistor
1.1.8. PRESENTACIN DEL TRANSISTOR

Hemos visto las maravillas que nos ofrece el transistor al aplicarle una
polarizacin adecuada, cmo funciona en corte y saturacin, cmo podemos
controlar una corriente grande con una pequea, etc. Pero nada de esto tiene
valor si no convertimos el cristal semiconductor, NPN o PNP, en un
componente electrnico. Debido a la extrema pequeez de los cristales, es
necesario recubrirlos de una proteccin, llamada cpsula, y, sobre todo,
conectarles una serie de conductores, llamados pines o patillas, para
comunicarlos con los dems componentes electrnicos y formar los circuitos.
La siguiente figura le sacar de dudas.

SMBOLO DEL PARTE METLICA


TRANSISTOR NPN
CPSULA PLSTICA

c CRISTAL
SEMICONDUCTOR

b
PATILLAS O "PINES"
N
P
e N

AGUJERO PARA
ATORNILLAR EL
RADIADOR

e
b
c

Figura 6.20. Representacin del transistor

Salta a la vista la importancia de saber qu pin corresponde a cada terminal


del cristal, es decir, colector, base o emisor. Los catlogos de componentes,
como veremos, tratan el tema muy en serio, lgicamente, por lo que cuando
tomemos un transistor de cualquier tipo, lo primero que debemos hacer es
identificar sus terminales y por supuesto, si es NPN o PNP. Ahora veremos
esto con ms precisin.

La forma de la cpsula es muy importante tambin a la hora de identificar el


componente dentro de un circuito. Adems, sobre ella est serigrafiado o
escrito el tipo de transistor, a modo de matricula de coche o DNI, y en formato
alfanumrico. Este cdigo de letras y nmeros determina con precisin qu
tipo de transistor es. Por ejemplo, el BC 547 es un transistor de tipo NPN de
baja potencia y ese cdigo est escrito en la cpsula:

24 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

c
BC547 b

c b e

Figura 6.21. BC547. Cpsula y smbolo

Existe en el mercado multitud de cpsulas distintas en su forma y


caractersticas. No se preocupe porque las que ms se utilizan estn
perfectamente normalizadas y son pocas.

Sus caractersticas y naturaleza dependen sobre todo de la potencia que va a


disipar el componente en funcionamiento. As, por ejemplo, los transistores,
utilizados en seales de bajo nivel suelen tener la cpsula de plstico,
mientras que los de potencia son metlicos, para evacuar ms fcilmente el
calor generado en su interior por el paso de electricidad. Vamos a dar un
repaso a los tipos de cpsulas ms utilizadas actualmente.

Cpsula TO92

Se llama as a la de la siguiente figura. El transistor que ms la utiliza es el


BC547 en NPN.

Figura 6.22. Transistor BC547 en cpsula TO92

25

UD7..- El Transistor
Cpsula TO18

sta es tambin muy utilizada por transistores de baja potencia, siendo


metlica. Dispone de un saliente que determina la colocacin de las patillas
de una determinada manera para identificar el colector, base y emisor.

1 e
b2

3 c
Saliente

Cpsula TO18

Figura 6.23. Transistor PNP 2N2218 en cpsula TO18

Un usuario comn de la TO18 es el transistor PNP 2N2218 de baja seal. No


se preocupe demasiado por las palabras en ingls. Las hemos colocado para
que se vaya acostumbrando a ellas ya que la mayora de los catlogos no se
encuentran escritos en cristiano. Aparte de "inches" (pulgadas), "within"
(entre), las dems creemos que puede entenderlas intuitivamente.

Cpsula T03

Es el tipo de cpsula ms utilizada por los transistores de potencia. Es de tipo


metlico y su forma difiere claramente de las dems anteriormente
estudiadas, como aparece en la siguiente figura. Observe la forma de
identificar la base y emisor con la nota (D>d). El colector es la propia cpsula
metlica.

cpsula 1.- Base.


1
2.- Emisor.
2 Cpsula = Colector.
Cpsula TO3

Figura 6.24. Transistor NPN 2N3055 en cpsula TO3

Habr observado que en este modelo slo existen dos patillas o pines,
correspondiendo a la base y al emisor. Dnde tenemos el colector? Pues
tratndose de transistores de cierta potencia, donde la corriente de colector
puede ser de varios amperios, el terminal de colector se toma de la propia
cpsula, conectndolo internamente.

26 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Por ello, cuando necesitamos disponer de l se suele colocar un conector


exterior con un tornillo sujeto a los agujeros que al efecto aparecen en la
cpsula T03. Estudie la siguiente figura y ver qu sencillo.

Tornillo

Aro Tornillo
Cable
metlico
Cpsula
Cable
2N3055
Colector
Emisor
Ficha o aro
metlico Patillas
Soldadura
Tuerca
Base

Figura 6.25. Conexin de un transistor de cpsula TO3

Si miramos en la tabla de la figura anterior observamos que el dimetro del


agujero marcado como P es de 4 mm, por lo que quedan determinados los
grosores de los tornillos, por ejemplo uno de mtrica 3,5 sera ideal.

Cpsula TO126

Por ltimo tenemos este tipo, menos utilizado que los anteriores. Por ejemplo,
el SC4137 lo emplea y puede verse en al figura siguiente.

Figura 6.26. Cpsula TO126

Con la informacin planteada quedarn pocos transistores que no pueda


identificar, por lo menos en lo que a cpsula se refiere. Si se fija encontrar
por alguna parte una cifra que pronto le ser familiar. Leer 2N2894, 2N3055,
BC547, 2N222, etc. Cada una de estas claves coincide con un tipo de
transistor de unas determinadas caractersticas, las cuales se suelen mirar y
comparar en los "handbooks" o manuales que los fabricantes distribuyen y
facilitan en cualquier comercio de electrnica, o ellos mismos directamente.

27

UD7..- El Transistor
Por ejemplo si usted consigue un catlogo del transistor 2N3055, ver en
primer lugar la cpsula (T03) y el componente que contiene. Adems,
aparecen una serie de valores elctricos mximos que soporta en condiciones
extremas, y otros ms de funcionamiento normal, pero eso s, en perfecto
ingls:

Smbolo Parmetros Valor Unidad

VCBO Voltaje Colector-Base (IE = 0) 100 V

VCER Voltaje Colector-Emisor (RBE = 100 ) 70 V

VCEO Voltaje Colector-Emisor (IE= 0) 60 V

VEBO Voltaje Emisor-Base (IC = 0) 7 V

IC Corriente de Colector 15 A

IB Corriente de Base 7 A

Ptot Potencia total a TC 25C 115 W

Tstg Temperatura de almacenaje 65 a 200 C

Tj Mxima temperatura de la operacin 200 C


de unin

Intuitivamente podemos adivinar qu significa cada cosa. Veremos que Ic,


intensidad de colector es de 15A y la Ptot, potencia total para temperatura de
cpsula (Tc) 25, es de 115 W, valores nada despreciables. Por algo
estamos hablando de un transistor de potencia. Las dos ltimas lneas
corresponden a las mximas temperaturas admitidas por la cpsula y la
propia unin interna NPN para un ptimo funcionamiento.

Puede encontrarse otros valores que poco a poco ir conociendo. Con la


experiencia adquirir cada vez ms informacin de los componentes
electrnicos, base fundamental para crear sus propios diseos.

Los transistores suelen presentarse en varios tipos de


cpsulas. Las ms importantes son la TO92 y la TO3.

1.1.9. VARIOS CIRCUITOS DE POLARIZACIN

El funcionamiento correcto del transistor implica una colocacin o conexin


con respecto a los dems componentes del circuito, y ms especialmente con

28 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

la alimentacin. Recuerde la pregunta de la polarizacin de la unin y el


efecto transistor, donde se explicaba que las corrientes de base, emisor y
colector se generan si los polos de las bateras estn colocados
correctamente.

En los transistores NPN (por diferenciarlos de los PNP) la corriente siempre


debe introducirse por el colector (hablamos de corrientes en sentido
convencional) y sale por el emisor, por lo que el colector debe ser ms
positivo que el emisor. De igual manera, la corriente de base debe provenir de
una fuente ms positiva que el emisor. Para suavizar el problema, vamos a
comentar a continuacin la existencia de unos circuitos de polarizacin
pensados para mantener el transistor en funcionamiento y en el punto de
reposo deseado. Estos circuitos se vienen usando desde siempre y los
encontrar en numerosas aplicaciones.

Polarizacin por resistencia de base

Este tipo de polarizacin corresponde al siguiente circuito:

Rc VRc
Ic

Rb
T Vce Vcc
Ib
Vbb Vbe Ic

Figura 6.27. Polarizacin por resistencia de base con dos fuentes

El sentido convencional de la corriente indica una circulacin del polo ms


positivo al ms negativo de la alimentacin.

Fjese, en el circuito, cmo la Ic debe entrar por el colector y salir por el


emisor (flecha indicativa del componente). Asimismo, la Ib debe entrar por el
terminal base, sumarse a la Ic y salir tambin por el emisor. Comprobamos
que las polarizaciones de las bateras se encuentran colocadas
correctamente:

29

UD7..- El Transistor
Colector ms positivo que emisor.

Base ms positiva que emisor.

Para qu queremos las resistencias?

Pues aparte de limitar la corriente y evitar destrozos en el componente, con


ellas podemos, gracias a los distintos valores que pueden tomar, ajustar el
punto de reposo del transistor a voluntad.

En la prctica las fuentes de tensin de la anterior figura suelen reducirse a


una sola, quedando el circuito como sigue:

+Vcc
Rc
Ic VRc
Rb

Vce
Ib Vbe

Figura 6.28. Montaje prctico de una polarizacin para resistencia de base

Compruebe cmo las condiciones de polarizacin siguen mantenindose.


Cules son los valores que podemos ajustar con este montaje? Ya sabe: el
punto de reposo, la tensin colector-emisor y la intensidad de colector, segn
las ecuaciones siguientes:

Vcc = VRc + Vce Ecuacin de colector

Vcc = VRb + Vbe Ecuacin de base

30 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Desarrollndolas tenemos:

Vcc = Rc Ic + Vce

Vcc = Rb Ib + Vbe

Las cuales junto a las siguientes permiten el control de la situacin


paramtrica del transistor.

Ic = Ib

Ie = Ic + Ib

Pongamos un ejemplo: en un transistor montado en polarizacin por


resistencia de base se desea que exista una tensin colector-emisor de 5V, y
una corriente de colector de 50mA. Qu resistencias debemos colocar si
tenemos = 100 y la tensin de alimentacin es de 12V? Vbe = 0,7V.

Vcc = VRc + Vce

VRc = Vcc - Vce = 12 - 5 = 7V

VRc 7V
VRc = Rc Ic Rc = = 140
Ic 50mA
Vcc = Rb Ib + Vbe

Ic 50mA
Ib = = 0,5 mA
100

Vcc Vbe 12 0,7


Rb = = 22600 22 K6
Ib 0,5mA

Observe que el valor de la resistencia de base es ms elevado, pues para


igual alimentacin debe suministrarse 100 veces menos corriente. Se
encontrar este efecto muy a menudo.

Le adelantamos que este circuito no es el mejor para polarizar el transistor.


Es as por el problema de la , parmetro que no es constante en la prctica,
pues depende de procesos de fabricacin, calidades de los cristales dopados,
etc. As, puede verse en los manuales que los fabricantes indican una
mxima y otra mnima. Por ejemplo el BC547 NPN tiene una mnima de 100 y
una mxima de 300.

31

UD7..- El Transistor
Para clculos tericos se suelen tomar valores intermedios para circuitos en
amplificacin y mnimos para funcionamiento de corte y saturacin. Vamos a
cambiar el transistor del ejemplo anterior, de = 100, por otro de 40 con las
mismas resistencias. Los clculos quedarn:

Vcc = Vce + VRc Rc = 140

Vcc = Vbe + Rb Ib Rb = 22 K6

TRANSISTOR IC VCE

= 100 50 mA 5V

= 40 20 mA 9,2 V

Ic
12 = 0,7 + 22 K6
40

Ic = 20 mA

Vce = Vcc - Rc Ic = 12 V - 140 20mA = 9,2V

Salta a la vista el cambio de valores por el mero hecho de cambiar un


transistor por otro. Por ello es muy til utilizar otros circuitos de polarizacin,
que veremos a continuacin, capaces de mantener constantes los parmetros
independientemente del valor de la .

32 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Polarizacin por divisor de tensin de base

Corresponde al siguiente circuito, donde la polarizacin de base se consigue


gracias al divisor de tensin formado por Rb1 y Rb2. El circuito de colector se
consigue polarizar con Rc

+Vcc

IRb1 Ic Rc VRc
Rb1
Ib
B
Vce
Rb2 IRb2 Vbe

Figura 6.29. Polarizacin por divisor de tensin de base

La tensin que consigue introducir corriente es la del punto B, y es:

VB = Rb2 IRb 2

La experiencia dice que es correcto fijar como IRb2 nueve veces la Ib y para
IRb1, diez veces Ib:

IRb2 = 9Ib

IRb1 = 10 Ib

IRb1 = IRb2 + Ib

La particularidad de este montaje es que la tensin de base-emisor se


mantiene en un determinado valor por estar en paralelo con la tensin en el
punto B, que tambin es constante por estar inmerso en un divisor de tensin
(Rb1 y Rb2). As, la corriente de colector tambin debe mantenerse
constante.

Las resistencias de base se calculan de la siguiente manera:

Vcc Vbe Vbe


Rb1 = ; Rb2 =
10 Ib 9 Ib

33

UD7..- El Transistor
Si colocamos una resistencia en emisor, obtenemos el circuito de la siguiente
figura:

+Vcc

10Ib Rb1 Rc VRc

Ib
B Vce
Vbe
9Ib Rb2 Re VRe

Figura 6.30. Polarizacin por divisor de tensin de base con resistencia de emisor

La estabilizacin del punto de trabajo todava es mayor en este circuito.


Empecemos a estudiarlo:

VB = Vbe + VRe

Despejando:

VRe = VB - Vbe

Tenemos la ecuacin de colector un poco ms complicada:

Vcc = VRc + Vce + VRe

Pongamos un ejemplo para aclararnos. Sea un transistor de = 100 que


queremos situar en un punto de reposo con Vce = 5V e Ic = 50 mA.
Deberemos colocar los siguientes valores de resistencia:

Ic 50mA
Ib = = 0,5 mA
100

Ie = Ib + Ic = 0,5 mA + 50 mA = 50,5 mA

Vcc = VRc + Vce + VRe; 12 = VRc + 5V + VRe

Si VRe = 1 V fijada, VRc = 12V-5V-1V = 6V

34 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

VRc 6V
Rc = = = 120
Ic 50mA

VRe 1V
Re = = = 19,8
Ie 50,5mA

VRb2 = VRe + Vbe = 1V + 0,7V = 1,7V

VRb2 1,7V 1,7V


Rb2 = = = = 377
9 Ib 9 0,5mA 4,5mA

VRb1 Vcc VRb2 12 1,7V 10,3V


Rb1 = = = = =2060 2 K
10Ib 10 Ib 10 0,5mA 5mA

No se preocupe si a la primera pasada no ha entendido absolutamente nada


de este lo de frmulas. Tmese su tiempo y asimlelas poco a poco. Cuando
las entienda, una parte muy importante de la teora de transistores estar
automticamente comprendida.

Los circuitos de polarizacin para transistores son unos


montajes destinados a establecer y definir un punto de trabajo
(ya sabe, llamado de reposo) para el transistor.

35

UD7..- El Transistor
1.2. EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN

Ya hemos dicho que el transistor es un elemento de estado slido que puede


trabajar como amplificador de seales de bajo nivel o bien como conmutador;
acta como una llave de paso que deja o no pasar la corriente fijada
previamente, pero nunca permite estados intermedios de conduccin.

1.2.1. ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR EN CONMUTACIN

Basndonos en el circuito de la figura siguiente y de acuerdo con las curvas


de salida del transistor, tenemos que un transistor como este (en
conmutacin) trabaja siempre en zonas de corte o saturacin, pero nunca
estar trabajando en la zona intermedia de amplificacin.

Ic
ZONA DE SATURACIN
+Vcc

Ic Rc

S1
Rb
Vce
Ib
Vbe
Ib = 0

ZONA DE AMPLIFICACIN ZONA DE CORTE Vce

Figura 6.31. Zonas de saturacin y corte

Saturacin

Vcc = Vce + Rc Ic

Vce 0V

Vcc = Rc Ic

Vcc
Ic =
Rc

36 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Corte

Vcc = Vce + Rc Ic

Ic = 0 mA

Rc Ic = 0

Vcc = Vce

Haciendo referencia de nuevo al circuito de la figura anterior, si el interruptor


S1 est abierto, la corriente de base Ib = 0, luego Ic = 0, y, por tanto, el
transistor se encuentra en zona de corte donde Vce = Vcc.

Si cerramos el interruptor S1, Ib 0, luego Ic 0, y el transistor estar en


zona de saturacin.

Vcc Ic
Ic = ; Ib = ; Vce 0
Rc

6.1.3. TIeMPOS DE CONMUTACIN

En el apartado anterior hemos visto que el transistor tiene dos estados


estables en los cuales se puede encontrar por tiempo indefinido, stos son el
estado de corte y el de saturacin. Ahora bien, para cambiar de uno a otro
emplea unos tiempos denominados tiempos de conmutacin. A estos tiempos
se les llama Ton y Toff.

Ton El tiempo que tarda en pasar de corte a saturacin

Toff El tiempo que tarda en pasar de saturacin a corte

Estos tiempos son de gran ayuda si deseamos trabajar a altas frecuencias,


existiendo transistores especiales que pasan de corte a saturacin en tiempos
muy pequeos.

37

UD7..- El Transistor
1.2.2. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR EN CONMUTACIN PARA
NPN Y PNP

Repase el circuito y los clculos de los dos montajes tpicos de transistores en


conmutacin. Compruebe que efectivamente se cumplen todas las
ecuaciones siguientes.

+Vcc

Rc
Ic

Rb

Ib
S

Vbb

Figura 6.32. Transistor en conmutacin

Ecuacin de Colector

Ic
Ib =
min

Vcc = Rc Ic + Vce Sat

Vcc VceSat
Rc =
IcSat

Ecuacin de Base

Vbb = Rb Ib + Vbe

Vbb Vbe
Rb =
Ib

38 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Si Vce Sat es muy pequeo, puede despreciarse en las frmulas, ya que Vce
Sat es aproximadamente 0V (Vce de saturacin). Se pone min con el fin de
calcular las resistencias necesarias para saturar cualquier transistor de este
modelo, aunque la sea la mnima (el peor de los casos).

+Vcc

Ib Ic

Rb

Rc
S

Figura 6.33. Transistor en conmutacin

Ecuacin de Colector

Vcc = Vcc Sat + Rc Ic

Vcc VceSat
Rc =
IcSat

Ecuacin de Base

Vcc = Vbe + Rb . Ib

Ic
Ib =
min

Vcc Vbe
Rb =
Ib

39

UD7..- El Transistor
1.2.3. MONTAJE EN DARLINGTON

En conmutacin es muy normal emplear el transistor para maniobrar "cargas"


en colector. Como "carga" se entiende una bombilla, un rel, etc. que
podemos encender, apagar, etc. desde una pequea corriente de base.

CIRCUITO DE POTENC

+Vcc
12V
LAMPARA
Ic 12V
100mA
S1 Rb
Vce 0V
Vbb Ib Vbe
2,5V

CIRCUITO DE MANDO

Figura 6.34. Circuito de mando y potencia en un montaje con transistores.

Imaginemos una lmpara que luce cuando la corriente a su travs es de


100mA. Si el transistor de la anterior figura tiene una de 100 como valor
mnimo, la corriente de base slo debe ser de 100 mA/100 = 1mA. Puede
comprobar cmo con una corriente de solamente 1mA podemos hacer pasar,
otra de 100 mA por la lmpara. El poder de un transistor se pone de
manifiesto en casos como ste, y ms en aplicaciones de conmutacin.

En caso de usar un rel ocurre exactamente lo mismo. Si para activar uno de


estos sistemas debemos hacer pasar 100 mA a su travs, encontraremos la
misma facilidad de maniobra que si empleamos el mismo transistor de la
lmpara.

Empleando tecnicismos se denomina "aumentar la sensibilidad de un rel",


por ejemplo, a lo comentado anteriormente, es decir, activar o desactivar el
rel con una corriente de valor ms bajo a su nominal.

No obstante, puede surgirnos la siguiente duda al respecto: qu pasa si la


corriente que atraviesa la carga es tan grande que no puede ser maniobrada
por la base? Esto toma todava ms cuerpo si comentamos el hecho de que
existen ciertos circuitos de control incapaces de suministrar ms corriente de
salida que unos pocos miliamperios.

40 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Qu debemos hacer? La respuesta es muy simple, de igual forma que para


tirar de un carro pesado ponemos dos caballos en vez de uno, poner dos
transistores formando un "tiro" electrnico llamado "montaje en Darlington",
que puede ver en la figura siguiente.

+Vcc
Ic Rele

S1 Rb B
T1
Vbb T2
Ib

CIRCUITO DE MANDO Montaje en Darlington


Figura 6.35. Montaje en Darlington

Como resultado de la conexin de los transistores T1 y T2, de la forma


anterior conseguimos una beta total, nada ms y nada menos que el producto
de las dos, es decir:

T del montaje Darlington


Ic1 1Ib1
T1 del transistor T1 Ie1 (1 1 )Ib 1Ib1
T2 del transistor T2 Ic 2 2Ib2 12Ib1
T T1 T2 Ie1 Ib2

Calcule los alcances de este producto. Si tenemos un T1 con T1 de 40 y otro


T2 con T2 de 100, tendremos como resultado de T = 4000, es decir, para
maniobrar una intensidad de 1 A (ya respetable) necesitamos una corriente
de base de:
Ic 1A
Ib = = = 0,25 mA
T 4000
Claro que T2, como habr observado, deber ser un transistor de potencia
para soportar ese amperio por colector Servira un 2N3055? Vuelva atrs y
comprubelo en la tabla de caractersticas mximas.

Un montaje en Darlington consigue betas de valores muy


elevados, ideales para manejar cargas de bastante potencia.

41

UD7..- El Transistor
1.3. MONTAJES CON TRANSISTORES

Ya sabemos que un rel es un sistema electromecnico que abre o cierra


unos contactos si por una bobina hacemos pasar una determinada corriente.
Estos contactos a su vez pueden comandar otras cargas.

Para un determinado rel pueden decirnos directamente la corriente


necesaria en miliamperios, o la tensin e impedancia que tiene. Por ejemplo,
un rel comercial de 12V de corriente continua y 270 de impedancia de la
12V
bobina consumir 45 mA, corriente a comandar desde nuestro
270
circuito con transistores.

Pasemos a ver algunos ejemplos, prcticas reales realizadas y comprobadas.


Por ello existen unos cuadros de medidas en "campo". Usted tambin puede
comprobarlos.

1.3.1. REL EN COLECTOR

Vcc
12V

Rel D1=1N4007
12V
270

S1

Rb = 82K T1
=325

Clculos

Ic 44,5mA
Ib = = = 136 A
325

Vcc Vbe 12V 0,7


Rb = = =83.088 82 K
Ib 136 A

42 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

Medidas

Ic Ib Vce Vrel

V. Calculados 44,5 mA 136 A 1V 11V

V. Medidas 44 mA 130 A 1V 11V

Memoria

Funcionamiento

Al originar una Ib, se origina por tanto una Ic que atraviesa el rel, al ser la Ic
la corriente de Rel, ste tiene 11V y 44,5 mA, suficientes para cerrar los
contactos del rel.

Observaciones

Este circuito aumenta la sensibilidad del rel: con un voltaje y corrientes


pequeas conseguimos controlar una corriente mucho ms grande que
accione el rel.

El diodo sirve para, una vez desactivado el circuito, liberar la


fuerza contraelectromotriz creada en la bobina del rel.

43

UD7..- El Transistor
1.3.2. MONTAJE EN DARLINGTON

Circuito (1)

+Vcc
12V T1 =BC147B
D1
Rele 1 = 200
Rb 1N4007
2M T2 = MC140
+Vcc S1 T1
2 = 40
T2

Clculos (1)

En la anterior prctica hemos sido incapaces de bajar la tensin de colector-


emisor por debajo de 1V por lo que a partir de aqu contamos con ella, y por
ello V Rel = 11 V (12 V - 1 V).

VRele 11V
Ic = Irel = = = 40,7 mA
Rele 270
Ic 40,7mA
T = 1 2 = 200 40 = 8000; Ib = = = 5A
8000

Vcc Vbe1 Vbe2 12V 1,4V


Rb = = = 2M1 2M
Ib 5A

Medidas (1)

S1 cerrado

Vce2 Ic rel Ib1 Ib2 V rel

Calculados 1V 40,7 mA 5 A 1,01 mA 11 V

Medidos 1V 41 mA 5A 1 mA 11 V

44 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

S2 abierto

VceT2 = 12V

Memoria (1)

Este montaje se llama Darlington. Con l conseguimos que la del conjunto


de transistores sea el producto de sus respectivas , con lo que conseguimos
Ic
que con una pequesima Ib (Ib = = Ib ) controlemos una Ic

bastante grande, que utilizamos para el control del rel.

Los nmeros detrs de las indicaciones corresponden al


nmero de transistor. Por ejemplo, Vbe1 significa tensin
base-emisor del transistor 1, Vce2 es tensin colector-emisor
del transistor 2, 2 es beta del transistor 2, etc.

Circuito (2)

+Vcc
T1 = BC147
Rb
S1 120k = 200
+Vcc
T1 T2 = MC140
T2
= 40

Rel D1
1N4007

Clculos (2)

T = 1 2 = 200 40 = 8000

Ic VRele 10V
Ib1 = Ic = I Rel = = = 37 mA
RRele 270

Dejamos 2V en VceT2 para no apurar la saturacin del Darlington.

45

UD7..- El Transistor
Ic 37mA
Ib1 = = = 4,6 A
8000

Vcc Vbe1 Vbe2 VRele 12 1,4 10


Rb = = = 130 K 120 K
Ib 4,6 A

Ic1 = Ib1 = 200 4,6 mA = 920 mA = 920 mA

Ib2 = Ib1 + Ic1 = 4,6 mA + 920 mA = 9,24 mA

Ic2 = 2 Ib2 = 40 924 mA = 37 mA

Medidas (2)

S1 Cerrado

Vce2 I rel Ib1 Ib2 V rel

Calculados 2V 40,7 mA 4,6 A 924 A 10 V

Medidos 2V 41 mA 5A 1 mA 10 V

S1 Abierto medida nica: Vce2 = 12 V

Memoria (2)

En este circuito ocurre como en el anterior, slo que el rel est en el emisor
y tambin la T es el producto de las betas. Como la total es muy grande, la
corriente de base del conjunto es pequea y se pueden controlar corrientes
grandes de colector con poca seal.

46 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

1.3.3. MANDO REL CON DOS TRANSISTORES NPN

Circuito (1)

+Vcc
12V
Rel
D1
R2 1N4007
1K R3 Vcc = 12V
S1 10K T2 T1 = C147
MC140 = 200
T1
R1 BC147 T2 = MC140
2M = 40

Clculos (1)

Supondremos que la tensin Vce en saturacin ser 1V, de esta forma


podemos calcular la corriente en el rel cuanto T2 est en saturacin.

Conociendo el valor de 2 podemos calcular la corriente que necesitaremos


en base para llegar a saturacin.(corriente como mnimo)

El transistor T2 entrar en saturacin cuanto T1 est bloqueo y por lo tanto


podemos establecer la ecuacin de corriente de base Ib como sigue

Determinamos R2=1K (puede ser vlido cualquier otra combinacin) por lo


tanto R3=10K.

47

UD7..- El Transistor
Bajo esta situacin podemos calcular el valor de R1 para que entre en
saturacin T1 al activar el pulsador S1. Podemos calcular la corriente Ic1
cuando T1 est en saturacin.(Consideramos que Vce=1V)

Ahora calculamos el valor de Ib2 (mnimo):

Por otro lado podemos establecer la ecuacin de la corriente de base como:

Como resumen los valores de resistencias debern ser las siguientes:

R1=200K

R2=1K

R3=10K

Es interesante observar que existen varias soluciones al mismo problema, por


ejemplo podramos haber propuesto:

Si debemos cumplir la condicin que: podemos tomar que


R3=0 y hacer R2=10K.

Es ese caso se puede comprobar repitiendo los pasos anteriores que el valor
de R1 debe ser de 2M.

48 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

1.3.4. CIRCUITO CON DOBLE MANDO

Circuito

+Vcc
Rel D1 12V
R3 1N4007
R4
T3
A R1 T1 MC140
BC147

R2 Vcc=12V
T2
BC147 T1 y T2=110
B
T3=40

Clculos

Vrele 11V
Ic3 = = 40 mA
Rrele 270

Ic1 20 mA ( fijada )
Ib1 = = 118 A
1 110

Vcc Vbe1 12 0,7


R1 95K 100K
Ib1 118 A

Ic2 20 mA
Ib2 = = 118 A
2 110

Vcc Vbe2 12 0,7


R2 95 100K
Ib2 118 A

Ic3 40 mA
Ib3 = = 1 mA
3 40

49

UD7..- El Transistor
Vcc VR3(satT1) Vbe3 12V 11V 0,7V
R4= = 300 330
Ib3 1mA

Vcc VceT1 12 1V
R3 = = 550 560
Ic1 20mA

Medidas

A B Estado rel VceT1 VceT2 VceT3 Ic1 Ic2 Ic3 Vrel

A y B a masa 0 0 Activado 11 V 12 V 1V 40mA 40mA 11V

A a Vcc amasa 1 0 Desactivado 0,3 V 0,3 V 12 V 20mA 20mA 0

A a masa y B a Vcc 0 1 Desactivado 0,5 V 0,5 V 12 V 20mA 0

A y B a Vcc 1 1 Desactivado 0,5 V 0,5 V 12 V 20mA

Memoria

Posiciones:

0-0 (A y B a masa). T1 y T2 se cortan, por lo que en T3 hay tensin de


polarizacin y el rel funciona, al saturarse T3.

1-0 (A a Vcc y B a masa). Como T1 y T2 estn en paralelo, han de tener


la misma posicin o estado. En este caso estn saturados y T3 no tiene
suficiente tensin y est cortado. El rel no funciona.

0-1 (A a masa y B a Vcc). Pasa como con el caso anterior: los


transistores estn saturados, menos T3, y el rel no funciona.

1-1 (A a masa y B a Vcc). Los dos transistores T1 y T2, estn saturados.


Por tener tensin directa de polarizacin T3 est cortado y el rel
desactivado.

50 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

1.3.5. TEMPORIZACIN AL CIERRE DE UN REL

Circuito

+Vcc
Ic1 12V
Ic2
R1 30mA 37mA
100K
T1
T2

R2 D1 T1 = T2 = BC147B
C1 330 Rele
10 F 1N4007 1 = 2 = 200

Datos

VcT1 = 11,5 V

IcT2 = 37 mA.

Rel = 270 /10V

Vcc = 12V

T = 5 segundos de temporizacin.

Clculos

Con C1 cargado:

T = R1C1; C1 = 10f (fijado)

IcT1 = 30mA fijada

Si R1 = 100 K y

C1 = 10 F, t = 5 R1 C1 = 5 100K 10 F = 5 seg.

VC1 = Vbe1+R2 Ic1 Ic1 Ie1

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UD7..- El Transistor
VC1 Vbe 11 0,7
R2 = = 360
Ic1 30mA

Ic2 37mA
Ib2 = = 185 A
2 200

Ic1 30mA
Ib1 = = 150 A
1 200

Medidas

Con C1 cargado

Vce1 Vce2 Ic1 Ic2 Ib1 Ib2

1V 1V 30mA 38mA 150A 175A

rel activado

Con C1 descargado

Vce1 Vce2 Ib1 Ib2

12 V 12 V 0 0

rel desactivado

Memoria

Es necesario ajustar algn valor de resistencia para conseguir el tiempo de 5


seg. El funcionamiento es el siguiente: en el instante inicial, C1 est
descargado (0V) con lo que T1 est en corte y el rel desactivado. Slo se
activar cuando la tensin en C1 consiga saturar a T1, eso s, tras 5
segundos.

52 UD7.- El transistor
Electrnica Analgica

RESUMEN

El transistor utiliza tres cristales semiconductores para su funcionamiento,


conectndolos uno al lado de otro, dando lugar a los tipos NPN y PNP.

El efecto transistor consiste en poder manejar o controlar una determinada


corriente gracias a la variacin de otra ms pequea. La corriente a
controlar suele circular por el colector, mientras que la de control es la de
base.

Existen determinadas formas de polarizar a transistor. stas son distintas


y ofrecen unas ventajas e inconvenientes. La ms usada es la de emisor
comn.

El punto de reposo de un transistor es el punto exacto donde se encuentra


trabajando, definido por una corriente de colector y una tensin de
colector-emisor.

El montaje en Darlington es una aplicacin especial de los transistores,


mediante la que se consigue aumentar en gran forma la corriente
susceptible de ser controlada.

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UD7..- El Transistor