CINCIA dos MATERIAIS

Engenharia

3 semestre 2017.1

Docente: Josu ATCHE

 IMPERFEIES CRISTALINAS

- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (discordncias)
- Defeitos de interface (gro e
maclas)
- Defeitos volumtricos (incluses,
precipitados)
 O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo
peridico regular dos tomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade
na posio dos tomos
no tipo de tomos

O tipo e o nmero de defeitos dependem do

material, do meio ambiente, e das circunstncias
sob as quais o cristal processado.
 IMPERFEIES ESTRUTURAIS

Apenas uma pequena frao dos stios

atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Menos sendo poucos eles influenciam
muito nas propriedades dos materiais e
nem sempre de forma negativa
 IMPERFEIES ESTRUTURAIS
- IMPORTNCIA-

DEFEITOS

INTRODUO CONTROLE
ARRANJO
SELETIVA DO NMERO

Permite desenhar e criar novos materiais

com a combinao desejada de propriedades
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 4- IMPERFEIES CRISTALINAS

Exemplos de efeitos da presena de

imperfeies

o O processo de dopagem em semicondutores visa criar

imperfeies para mudar o tipo de condutividade em
determinadas regies do material
o A deformao mecnica dos materiais promove a
formao de imperfeies que geram um aumento na
resistncia mecnica (processo conhecido como
encruamento)
o Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo discordncias)
apresentam resistncia maior que 70GPa, enquanto o
ferro comum rompe-se a aproximadamente 270MPa.
 IMPERFEIES ESTRUTURAIS

So classificados de acordo com sua

geometria ou dimenses

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 IMPERFEIES ESTRUTURAIS

Defeitos Pontuais associados c/ 1 ou 2

posies atmicas

Defeitos lineares uma dimenso

Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras) duas

dimenses

Defeitos volumtricos trs dimenses

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 1- DEFEITOS PONTUAIS

Vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Frenkel Ocorrem em slidos inicos

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 VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados durante a
solidificao do cristal ou
como resultado das
vibraes atmicas (os
tomos deslocam-se de
suas posies normais)

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 VACNCIAS OU VAZIOS

O nmero de vacncias aumenta exponencialmente

com a temperatura

Nv= N0 exp (-Qv/KT)

Nv= nmero de vacncias
N0 = nmero total de stios atmicos
Qv= energia requerida para formao de vacncias
K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou
8,62x10-5 eV/ at.K

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 Lacunas ou Vazios
Grfico de Arrhenius
Clculo de nmero de stios

Onde: NA= no avogadro;

= densidade

PA= peso atmico

 INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no
interstcio (do prprio cristal)

Produz uma distoro no reticulado,

j que o tomo geralmente maior
que o espao do interstcio

A formao de um defeito
intersticial implica na criao de
uma vacncia, por isso este defeito
menos provvel que uma
vacncia

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 INTERSTICIAIS

tomo intersticial grande

tomo intersticial pequeno
Gera maior distoro na rede

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 FRENKEL

Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um on
sai de sua posio
normal e vai para um
interstcio

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 SCHOTTKY

Presentes em
compostos que tem que
manter o balano de
cargas
Envolve a falta de um
nion e/ou um ction

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 CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso
Estruturas de empacotamento fechado tem um
menor nmero intersticiais e Frenkel que de vazios e
Schottky

Porque necessria energia adicional para

forar os tomos para novas posies

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 IMPUREZAS NOS SLIDOS
Um metal considerado puro sempre tem
impurezas (tomos estranhos) presentes
99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3

A presena de impurezas promove a

formao de defeitos pontuais
 LIGAS METLICAS

As impurezas (chamadas elementos de

liga) so adicionadas intencionalmente com
a finalidade:
- aumentar a resistncia mecnica
- aumentar a resistncia corroso
- Aumentar a condutividade eltrica
- Etc.
 A ADIO DE IMPUREZAS PODE
FORMAR
Solues slidas < limite de solubilidade

Segunda fase > limite de solubilidade

A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de impureza
Concentrao da impureza
 Termos usados

Elemento de liga ou Impureza

soluto (< quantidade)

Matriz ou solvente
Hospedeiro (>quantidade)
 SOLUES SLIDAS
A estrutura cristalina do material que atua
como matriz mantida e no formam-se
novas estruturas
As solues slidas formam-se mais
facilmente quando o elemento de liga
(impureza) e matriz apresentam estrutura
cristalina e dimenses eletrnicas
semelhantes
Soluo slida
 SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas podem ser:

- Intersticial
- Substitucional
Ordenada
Desordenada
 INTERSTICIAL

SOLUES SLIDAS
INTERSTICIAIS
Os tomos de impurezas ou os elementos de liga
ocupam os espaos dos interstcios
Ocorre quando a impureza apresenta raio
atmico bem menor que o hospedeiro
Como os materiais metlicos tem geralmente
fator de empacotamento alto as posies
intersticiais so relativamente pequenas
Geralmente, no mximo 10% de impurezas
so incorporadas nos interstcios
 EXEMPLO DE SOLUO SLIDA
INTERSTICIAL
Fe + C solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)
O C tem raio atmico bastante pequeno se
comparado com o Fe

rC= 0,071 nm= 0,71 A

rFe= 0,124 nm= 1,24 A
 TIPOS DE SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
SUBSTITUCIONAL
ORDENADA SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA
 FATORES QUE INFLUEM NA FORMAO DE SOLUES
SLIDAS SUBSTITUCIONAIS
REGRA DE HOME-ROTHERY

Raio atmico deve ter uma diferena

de no mximo 15%, caso contrrio pode
promover distores na rede e assim
formao de nova fase
Estrutura cristalina mesma
Eletronegatividade prximas
Valncia mesma ou maior que a do
hospedeiro
 EXEMPLO DE SOLUO SLIDA SUBSTICIONAL

Cu + Ni so solveis em todas as
propores

Cu Ni

Raio atmico 0,128nm=1,28 A 0,125 nm=1,25A

Estrutura CFC CFC

Eletronegatividade 1,9 1,8

Valncia +1 (as vezes +2) +2

 2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
As discordncias esto associadas com a cristalizao e
a deformao (origem: trmica, mecnica e
supersaturao de defeitos pontuais)

A presena deste defeito a responsvel pela

deformao, falha e ruptura dos materiais
Mecanismo de difuso
 2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Podem ser:

- Cunha
- Hlice
- Mista
 VETOR DE BURGER (b)
D a magnitude e a direo de distoro da
rede

Corresponde distncia de deslocamento dos

tomos ao redor da discordncia
 2.1- DISCORDNCIA EM CUNHA
Envolve um SEMI-plano
extra de tomos
O vetor de Burger
perpendicular direo
da linha da discordncia
Envolve zonas de trao
e compresso
DISCORDNCIAS EM CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ

DISCORDNCIAS EM CUNHA

Fonte: Prof. Sidnei, DCMM, PUCRJ

 2.2- DISCORDANCIA EM HLICE

Produz distoro na
rede
O vetor de burger
paralelo direo da
linha de discordncia
DISCORDANCIA EM HLICE
2.2- DISCORDANCIA EM HLICE

DISCORDNCIA EM HLICE NA SUPERFCIE DE

UM MONOCRISTAL DE SiC. AS LINHAS ESCURAS
SO DEGRAUS DE ESCORREGAMENT SUPERFICIAIS.
(Fig. 5.3-2 in Schaffer et al.).
OBSERVAO DAS DISCORDANCIAS

Diretamente TEM ou HRTEM

Indiretamente SEM e microscopia ptica

(aps ataque qumico seletivo)
DISCORDNCIAS NO HRTEM
DISCORDNCIAS NO HRTEM
 CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias podem ser
controlados pelo grau de deformao (conformao mecnica)
e/ou por tratamentos trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na velocidade
de deslocamento das discordncias favorecendo o
aniquilamento mtuo das mesmas e formao de
discordncias nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno das
discordncias formando uma atmosfera de impurezas
 CONSIDERAES GERAIS
O cisalhamento se d mais facilmente nos planos de
maior densidade atmica, por isso a densidade das
mesmas depende da orientao cristalogrfica
As discordncias geram vacncias
As discordncias influem nos processos de difuso
As discordncias contribuem para a deformao
plstica
 3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Envolvem fronteiras (defeitos em duas

dimenses) e normalmente separam regies
dos materiais de diferentes estruturas
cristalinas ou orientaes cristalogrficas
 3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS

Superfcie externa
Contorno de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento
 3.1- DEFEITOS NA SUPERFCIE
EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto
completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na superfcie
maior que no interior do cristal
Os materiais tendem a minimizar est energia
A energia superficial expressa em erg/cm2 ou
J/m2)
 3.2- CONTORNO DE GRO

Corresponde regio que separa dois ou mais

cristais de orientao diferente
um cristal = um gro
No interior de cada gro todos os tomos esto arranjados
segundo um nico modelo e nica orientao,
caracterizada pela clula unitria
 Monocristal e Policristal

Monocristal: Material com apenas uma orientao

cristalina, ou seja, que contm apenas um gro

Policristal: Material com mais de uma orientao

cristalina, ou seja, que contm vrios gros
LINGOTE DE ALUMNIO
POLICRISTALINO
 GRO

A forma do gro controlada:

- pela presena dos gros circunvizinhos

O tamanho de gro controlado

- Composio qumica
- Taxa (velocidade) de cristalizao ou
solidificao
 FORMAO DOS GROS

A forma do gro controlada:

- pela presena dos gros
circunvizinhos

O tamanho de gro controlado

- Composio
- Taxa de cristalizao ou
solidificao
CONSIDERAES GERAIS SOBRE CONTORNO DE
GRO

H um empacotamento ATMICO menos eficiente

H uma energia mais elevada
Favorece a nucleao de novas fases (segregao)
favorece a difuso
O contorno de gro ancora o movimento das
discordncias
 Discordncia e Contorno de Gro
A passagem de uma discordncia atravs do contorno de gro
requer energia

DISCORDNCIA

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois constitui

um obstculo para a passagem da mesma, LOGO QUANTO MENOR O
TAMANHO DE GRO
MAIOR A RESISTNCIA DO MATERIAL
CONTORNO DE PEQUENO NGULO
Ocorre quando a
desorientao dos
cristais pequena
formado pelo
alinhamento de
discordncias
 OBSERVAO DOS GROS E
CONTORNOS DE GRO

Por microscopia (TICA OU ELETRNICA)

utiliza ataque qumico especfico para cada
material

O contorno geralmente mais reativo

 GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO
 TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades dos
materiais
Para a determinao do tamanho de gro utiliza-se
cartas padres

ASTM
ou
ABNT
 DETERMINAO DO TAMANHO DE GRO
(ASTM)
Quanto maior o nmero menor o
Tamanho: 1-10 tamanho de gro da amostra
Aumento: 100 X

N= 2 n-1

N= nmero mdio de gros por polegada quadrada

n= tamanho de gro
CRESCIMENTO DO GRO com a
temperatura

Em geral, por questes termodinmicas (energia)

os gros maiores crescem em
detrimento dos menores
 3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de
contorno de gro
Os tomos de um lado do
contorno so imagens
especulares dos tomos do
outro lado do contorno
A macla ocorre num plano
definido e numa direo
especfica, dependendo da
estrutura cristalina
 ORIGENS DOS TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS

O seu aparecimento est

geralmente associado
com A PRESENA DE:
- tenses trmicas e
mecnicas
- impurezas
- Etc.

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 4- IMPERFEIES VOLUMTRICAS

So introduzidas no processamento do
material e/ou na fabricao do componente
4- IMPERFEIES VOLUMTRICAS

- Incluses Impurezas estranhas

- Precipitados so aglomerados de partculas
cuja composio difere da matriz
- Fases forma-se devido presena de impurezas
ou elementos de liga (ocorre quando o limite de solubilidade
ultrapassado)
- Porosidade origina-se devido a presena ou
formao de gases
 Incluses

SULFETOS DE MANGANS (MnS) EM AO RPIDO.

 Porosidade
As figuras abaixo apresentam a superfcie de ferro puro durante o seu processamento por
metalurgia do
p. Nota-se que, embora a sinterizao tenha diminudo a quantidade de poros
bem como melhorado
sua forma (os poros esto mais arredondados), ainda permanece uma
porosidade residual.

COMPACTADO DE P DE FERRO APS

COMPACTADO DE P DE SINTERIZAO
FERRO,COMPACTAO A 1150oC, POR 120min EM ATMOSFERA
UNIAXIAL EM MATRIZ DE DE HIDROGNIO
DUPLO EFEITO, A 550 MPa
 EXEMPLO DE PARTCULAS DE
SEGUNDA FASE

A MICROESTRUTURA COMPOSTA POR VEIOS DE GRAFITA SOBRE UMA MATRIZ PERLTICA.

CADA GRO DE PERLITA, POR SUA VEZ, CONSTITUDO POR LAMELAS ALTERNADAS DE
DUAS FASES: FERRITA (OU FERRO-A) E CEMENTITA (OU CARBONETO DE FERRO).
Microestrutura da liga Al-Si-Cu + Mg mostrando diversas fases precipitadas
Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso