UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA

"JLIO DE MESQUITA FILHO"

CAMPUS DE GUARATINGUET
Colgio Tcnico Industrial de Guaratinguet Prof. Carlos Augusto Patrcio Amorim

Transistores II

Prof. Marcelo Wendling

2009
Verso 1.0
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ndice

1 Transistor como Chave...............................................................3

1.1 Definio de Corte e Saturao ..............................................3
1.2 Corrente de Base .................................................................4
1.3 Exerccios de Fixao ............................................................6
2 Reguladores Transistorizados ......................................................9
2.1 Regulador Srie ...................................................................9
2.2 Regulador Paralelo ............................................................. 10
2.3 Regulador com Amplificador de Erro ..................................... 11
3 Conexo Darlington ................................................................. 13
4 Transistores por Efeito de Campo (FET)...................................... 14
4.1 JFET (Junction Field Effect transistor) ................................... 14
4.1.1 Polarizao do JFET ....................................................... 15
4.1.1.1 Curvas de Dreno ..................................................... 16
4.1.1.2 Curva de Transcondutncia....................................... 17
4.1.1.3 Polarizao com VGS constante .................................. 18
4.1.1.4 Autopolarizao....................................................... 20
4.1.2 Aplicaes do JFET ........................................................ 22
4.1.2.1 Chave Analgica ...................................................... 22
4.1.2.2 Multiplex Analgico .................................................. 23
4.1.3 Exerccios de Fixao..................................................... 24
4.2 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) ............................ 25
4.2.1 MOSFET de Depleo..................................................... 25
4.2.2 MOSFET de Acumulao................................................. 26
4.2.3 Proteo da Porta ......................................................... 28
4.2.4 Aplicaes do MOSFET ................................................... 29
ANEXO A Teste de Diodos e Transistores ....................................... 31
Referncias Bibliogrficas............................................................... 32

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1 Transistor como Chave

A forma mais simples de se usar um transistor como uma chave,

significando uma operao na saturao ou no corte e em nenhum outro lugar
ao longo da reta de carga.
Quando o transistor est saturado, como se houvesse uma chave
fechada do coletor para o emissor. Quando o transistor est cortado, como
uma chave aberta.

1.1 Definio de Corte e Saturao

Corte conhecido como o ponto onde a reta de carga intercepta a curva

IB =0. Nesse ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito
pequena (ICEO).
Saturao o ponto onde existe a interseo da reta de carga e a curva
IB=IB(SAT). Nesse ponto a corrente de coletor mxima.

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1.2 Corrente de Base

A corrente de base controla a posio da chave. Se IB for zero, a corrente

de coletor prxima de zero e o transistor est em corte. Se IB for IB(SAT) ou
maior, a corrente de coletor mxima e o transistor satura.
Saturao fraca significa que o transistor est levemente saturado, isto
, a corrente de base apenas suficiente para operar o transistor na
extremidade superior da reta de carga. No aconselhvel a produo em
massa de saturao fraca devido variao de e em IB(SAT).
Saturao forte significa dispor de corrente da base suficiente para
saturar o transistor para todas as variaes de valores de . No pior caso de
temperatura e corrente, a maioria dos transistores de silcio de pequeno sinal
tem um maior do que 10.
Portanto, uma boa orientao de projeto para a saturao forte de
considerar um (SAT)=10, ou seja, dispor de uma corrente de base que seja de
aproximadamente um dcimo do valor saturado da corrente de coletor.

EXEMPLO 1:
A abaixo mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado
por uma tenso em degrau. Qual a tenso de sada?

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SOLUO:
Quando a tenso de entrada for zero, o transistor est em corte. Neste
caso, ele se comporta como uma chave aberta. Sem corrente pelo resistor de
coletor, a tenso de sada iguala-se a +5V.
Quando a tenso de entrada for de +5V, a corrente de base ser:

5 0,7
IB = = 1,43mA
3.10 3
Supondo o transistor com um curto entre coletor e o emissor (totalmente
saturado). A tenso de sada vai a zero e a corrente de saturao ser:

5
IC = = 15,2mA
330
Isto aproximadamente 10 vezes o valor da corrente de base, ou seja,
certamente h uma saturao forte no circuito.
No circuito analisado, uma tenso de entrada de 0V produz uma sada de
5V e uma tenso de entrada de 5V, uma sada de 0V. Em circuitos digitais este
circuito chamado de porta inversora e tem a representao abaixo:

EXEMPLO 2:
Recalcule os resistores RB e RC no circuito anterior para um IC=10mA.

SOLUO:
Clculo de IB:
Se IC=10mA utilizando um para a saturao forte de 10 temos:

IC 10.10 3
I B ( SAT ) = = = 1,0mA
10
Clculo de RC:
Ao considerar o transistor saturado, o VCE de saturao prximo de
zero:

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VCC 5
RC = = = 500
I C 10.10 3
Clculo de RB:

VE VBE 5 0,7
RB = = = 4,3k
IB 1.10 3

1.3 Exerccios de Fixao

1) No circuito abaixo, deseja-se que o LED seja acionado quando a

chave estiver na posio ON e desativado quando a chave estiver na posio
OFF.
Calcule os resistores RC e RB considerando que o transistor trabalhar na
regio de saturao quando a chave estiver na posio ON.

Parmetros do Transistor:
VBEsat = 0,7V
VCEsat = 0,3V
sat = 20
ICmax = 200mA
VCEmax=80V

Parmetros do LED:
VD = 1,5V
ID = 25mA

2) Um circuito digital (TTL) foi projetado para acionar um motor de 110V

/ 60Hz sob determinadas condies. Para tanto, necessrio que um transistor
como chave atue sobre um rel, j que nem o circuito digital, nem o transistor
podem acionar este motor. O circuito utilizado para este fim est mostrado a
seguir:

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Neste circuito, em srie com RC coloca-se a bobina do rel. Esta bobina,

normalmente, apresenta uma resistncia da ordem de algumas dezenas de
ohms. Por ser to baixa, o resistor RC tem a funo de limitar a corrente no
transistor, para no danific-lo. O diodo em paralelo com a bobina serve para
evitar que o transistor se danifique devido corrente reversa gerada por ela
no chaveamento do rel.
Calcule RC e RB.

Parmetros do Transistor: Parmetros do Rel:

VBEsat = 0,7V RR = 80
VCEsat = 0,3V IR = 50mA
sat = 10
ICmax = 500mA
VCEmax=100V

3) Calcule os resistores de polarizao do circuito abaixo, para que ele

comande o acionamento de um motor DC de 3V / 750mW, a partir de um
circuito digital TTL:

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Parmetros do Transistor:
VBEsat = 0,7V
VCEsat = 0,3V
sat = 40
ICmax = 1,5A
VCEmax=60V

4) Projete uma interface de potncia para que um circuito digital CMOS,

alimentado com 12V, acione um sistema de aquecimento de 220V / 1000W
quando fornecer nvel lgico 1 e um sistema de resfriamento de 220V /
500W quando fornecer nvel lgico 0. Utilize um rel com contatos NA/NF.

Parmetros do Transistor: Parmetros do Rel:

VBEsat = 0,6V RR = 60
VCEsat = 0,2V IR = 80mA
sat = 10
ICmax = 500mA
VCEmax=100V

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2 Reguladores Transistorizados

Apresentaremos agora reguladores de tenso que utilizam de

transistores bipolares como elementos de regulagem.

2.1 Regulador Srie

A figura abaixo apresenta um regulador transistorizado em srie, que

uma fonte de alimentao mais sofisticada em relao aos reguladores que
utilizam apenas diodo zener.

O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o

transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor
est em srie com a carga, por isso o nome regulador srie.

FUNCIONAMENTO:

Tenso de sada: VL = VZ VBE

Como VZ>>VBE ento VL VZ
Caso Vin aumente:
o Vin = VR + VZ, e VR = VCB, logo:

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Vin = VCB + VZ e VCE = VCB + VBE;

o Portanto, quando Vin aumenta, como VZ constante, VCB

tambm aumentar provocando um aumento de VCE, de modo a
suprir a variao na entrada, mantendo VL constante:
VL = Vin VCE;

2.2 Regulador Paralelo

A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de

controle e o zener como elemento de referncia.
Nesse tipo de regulador, a carga fica em paralelo com o transistor, por
isso o nome regulador paralelo, o circuito mostrado abaixo:

FUNCIONAMENTO:

VCB = VZ, como VZ constante, VCB ser constante;

VCE = VCB + VBE, como VCB >> VBE logo:
o VCE VCB, portanto VCE VZ

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Ao variarmos a tenso de entrada, dentro de certos limites, como VZ

fixa, variar VBE, variando a corrente IB e consequentemente IC. Em outras
palavras, variando-se a tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente
de base a qual controla a corrente de coletor.
Neste caso, VCE tende a permanecer constante desde que IZ no assuma
valores menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).

2.3 Regulador com Amplificador de Erro

O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s
variaes da tenso de entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da
introduo de um transistor junto ao elemento de referncia.
A figura abaixo ilustra esse tipo de regulador:

Os elementos que compes o circuito possuem as seguintes funes:

Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso;

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Transistor T1: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de

sada a partir de uma tenso de correo a ele enviada atravs de um
circuito comparador;
Transistor T2: basicamente um comparador de tenso DC, ou seja,
compara duas tenses, VR2 e VR3, sendo a tenso VR3 fixa (tenso
de referncia), cuja finalidade controlar a tenso de polarizao do
circuito de controle. Qualquer diferena de tenso entre os dois
resistores ir fornecer sada do comparador uma tenso de
referncia que ser aplicada ao circuito de controle.

FUNCIONAMENTO:

Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia

ocorrer uma variao da tenso de sada.
Supondo que Vin aumente, a tenso nos extremos de RL tender a
aumentar, aumentando a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de
T2 fixada por VZ, ento um aumento de tenso no ponto X provocar um
aumento de VBE2, que aumentar IB2 e consequentemente IC2.
Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma
vez que a tenso do emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).
Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de
VCE1.
R
Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1 e V L = 1 + 2 .(VZ + V BE 2 ) .
R3

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3 Conexo Darlington

A conexo Darlington uma forma de acoplamento direto entre dois

transistores, muito utilizada, como mostra da figura abaixo:

Trata-se de dois transistores T1 e T2, respectivamente com 1 e 2,

ligados em cascata, possuindo as seguintes caractersticas:

iC
T = 1 . 2 =
iB

iE 2 = T .iB1

VBE = VBE1 + VBE 2

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4 Transistores por Efeito de Campo (FET)

At agora foi estudado os transistores bipolares, se baseiam em dois

tipos de cargas: lacunas e eltrons, e so utilizados amplamente em circuitos
lineares. No entanto existem aplicaes nos quais os transistores unipolares
com a sua alta impedncia de entrada so uma alternativa melhor. Este tipo
de transistor depende de um s tipo de carga, da o nome unipolar. H dois
tipos bsicos: os transistores de efeito de campo de juno (JFET - Junction
Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de xido metlico
(MOSFET).
Os transistores bipolares so dispositivos controlados por corrente, isto
, a corrente de coletor controlada pela corrente de base, enquanto nos
transistores de efeito de campo (FET) a corrente controlada pela tenso ou
pelo campo eltrico.

4.1 JFET (Junction Field Effect transistor)

Na figura abaixo, mostrada a estrutura e smbolo de um transistor de

efeito de campo de juno ou simplesmente JFET canal N:

O JFET formado por trs terminais:

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- Fonte (source) por onde os eltrons entram;

- Dreno (drain) de onde os eltrons saem;
- Porta (gate) faz o controle da passagem dos eltrons.

O transistor pode ser um dispositivo com canal n (conduo por eltrons)

ou com canal p (conduo por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo
com canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tenso e corrente.
O princpio de funcionamento do JFET bem simples. O objetivo
controlar a corrente iD que circula entre a fonte e o dreno. Isto feito
aplicando-se uma tenso (negativa) na porta.

4.1.1 Polarizao do JFET

A figura abaixo mostra a polarizao convencional de um JFET com canal
n.

Uma alimentao positiva VDD ligada entre o dreno e a fonte,

estabelecendo um fluxo de corrente atravs do canal. Esta corrente tambm
depende da largura do canal.
Uma ligao negativa VGG ligada entre a porta e a fonte. Com isto a
porta fica com uma polarizao reversa, circulando apenas uma corrente de
fuga, portanto, h uma alta impedncia entre a porta e a fonte. A polarizao
reversa cria camadas de depleo em volta da regies p e isto estreita o canal

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condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estreito torna-se o
canal.
Para um dado VGG, as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor
(D-S) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VGG
que produz o corte simbolizada por VGS(Off).

4.1.1.1 Curvas de Dreno

Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo
resistivo linear (na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou
estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura
por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante.
Os ndices IDSS referem-se corrente do dreno para a fonte com a porta
em curto (VGS=0V). IDSS a corrente de dreno mxima que um JFET pode
produzir.
Na figura a seguir, mostrado um exemplo de curva para um JFET:

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Quando o JFET est saturado (na regio hmica), VDS situa-se entre 0V e
4V, dependendo da reta de carga. A tenso de saturao mais alta (4V) igual
intensidade da tenso de corte da porta-fonte (VGS(Off) = -4V). Esta uma
propriedade inerente a todos os JFET.
Para polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio,
isto , se o mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado
por tenso. Como amplificador, a regio de trabalho o trecho da curva, na
figura, aps a condio de pinamento e esquerda da regio de tenso VDS
de ruptura. Se for como resistor controlado por tenso a regio de trabalho
entre VDS igual a zero e antes de atingir a condio de pinamento.

4.1.1.2 Curva de Transcondutncia

A curva de transcondutncia ou transferncia de um JFET um grfico
da corrente de sada versus a tenso de entrada, ID em funo de VGS. A sua
equao :
2
V
i D = i DSS 1 GS
V
GS ( off )

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4.1.1.3 Polarizao com VGS constante

Neste tipo de polarizao, impe-se uma tenso VGSQ constante na porta
atravs de VGG para se obter a corrente IDQ desejada, a partir da curva de
transcondutncia do componente.

A impedncia vista pelo terminal da porta muito alta, pois juno est
polarizada reversamente. Por isso, VGSQ = - VGG. Assim o resistor RG utilizado
apenas para definir a impedncia de entrada do circuito, no influenciando na
polarizao do JFET.
Logo, basta calcular o valor de RD para polarizar o transistor.

V DD V DSQ
Da malha de sada obtemos: R D =
I DQ

EXEMPLO:
Polarizar o JFET do circuito abaixo no seguinte ponto quiescente:
IDQ = 1mA; VDSQ = 15V; VGSQ = -1V

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Para um VGSQ = -1V, temos IDQ = 2,5mA, portanto:

VDD VDSQ 25 15
RD = = = 4k
I DQ 2,5.10 3

Este tipo de polarizao apresenta dois grandes inconvenientes:

1) Necessita de duas fontes de alimentao;

2) Como os parmetros do JFET apresentam tolerncias altas, seu ponto
quiescente pode ter variaes.

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4.1.1.4 Autopolarizao
Esta polarizao utiliza apenas uma fonte de alimentao, eliminando-se
VGG. Isto feito utilizando-se um resistor RS em srie com a fonte do JFET,
para gerar uma tenso reversa na juno porta-fonte.

O resistor RS produz uma realimentao negativa. Se a corrente de

dreno aumenta, a tenso sobre RS tambm aumenta. Isto faz aumentar a
tenso reversa porta-fonte (VGS) estreitando o canal, reduzindo novamente a
corrente iD. Por isso o nome autopolarizao.
Podemos determinar os resistores de polarizao atravs da curva de
transferncia do JFET e o ponto quiescente desejado.
Da malha de entrada obtm-se:

VGS = RS .iD RG .I G
Como iG praticamente nula devido alta impedncia de entrada,
temos:

VGS = RS .iD

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Pela curva de transferncia com valores tpicos, atravs dos pontos IDQ
e VGSQ previamente escolhidos, determina-se o resistor RS, pela malha de
entrada:

VGSQ
RS =
iDQ
Pela malha de sada temos:

VDD VDSQ + VGSQ

RD =
i DQ

EXEMPLO:
Dado o circuito abaixo, calcule os resistores RD e RS para a
autopolarizao do JFET, para IDQ = 1mA e VDSQ = 15V.

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A partir da curva de transferncia obtemos VGSQ = -2V e, sendo assim:

VGSQ ( 2) VDD VDSQ + VGSQ 25 15 2

RS = = = 2 k RD = = = 8k
iDQ 1.10 3 iDQ 1.10 3

4.1.2 Aplicaes do JFET

4.1.2.1 Chave Analgica

O circuito abaixo mostra um JFET polarizado para funcionar nas regies
de corte e saturao, como uma chave DC:

Quando VG < VGS(OFF), o JFET encontra-se na regio de corte, ou seja, ID

= 0 e VS 0. Portanto, como se ele funcionasse como uma chave aberta.
Quando VG = 0V, para um valor adequado de R, a corrente ID pode levar
o JFET a operar na regio de saturao. Portanto, como se ele funcionasse
como uma chave fechada, com VS VDD.
Na regio de saturao, a resistncia entre dreno e fonte, denominada
RDS(on), pode ser calculada por:

VDS ( sat )
RDS ( on ) =
iD ( sat )

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Portanto, quando VGS = 0V a tenso VDD fica dividida entre RDS(on) e R.

Para minimizar esse efeito, utiliza-se R >> RDS(on).

4.1.2.2 Multiplex Analgico

Ligando-se vrias chaves analgicas em paralelo, tem-se um
multiplixador de sinais analgicos, que pode selecionar uma entre as diversas
informaes presentes em suas entradas, para ser transmitida a outro circuito.
A figura abaixo nos mostra um multiplex de 4 canais:

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4.1.3 Exerccios de Fixao

1) O que significa tenso de estrangulamento?

2) Qual o significado de IDSS?

3) O que tenso de corte?

4) Qual a relao entre a tenso de estrangulamento e a tenso de

corte?

5) Polarize o JFET com as caractersticas abaixo com VGS constante para

VDD = 28V, IDQ = 3,5mA e VDSQ = 15V.

6) Polarize o mesmo JFET pelo processo de autopolarizao para as

mesmas condies do exerccio anterior.

7) Implemente uma chave analgica que funcione de forma inversa da

apresentada no tpico 4.1.2.1, ou seja, para:
VG = 0V VS 0V
VG < VG ( off ) VS VE

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4.2 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)

O FET de xido de semicondutor e metal, MOSFET, tem uma fonte, uma

porta e um dreno. A diferena bsica para o JFET que a porta isolada
eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta extremamente
pequena, para qualquer tenso positiva ou negativa.
Existem dois tipos de MOSFET que sero estudados: MOSFET de
depleo e MOSFET de acumulao.

4.2.1 MOSFET de Depleo

A figura a seguir mostra um MOSFET de modo depleo canal n e o seu
smbolo. O substrato em geral conectado a fonte (pelo fabricante). Em
algumas aplicaes usa-se o substrato para controlar tambm a corrente de
dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais.
Os eltrons livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do material
n. A regio p chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a
passagem dos eltrons livres da fonte ao dreno.

A fina camada de dixido de silcio (SiO2), que um isolante, impede a

passagem de corrente da porta para o material n.

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A anterior mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta

negativa. A tenso VDD fora os eltrons livres a fluir atravs do material n.
Como no JFET, a tenso de porta controla a largura do canal. Quanto mais
negativa a tenso, menor a corrente de dreno. At um momento que a
camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos eltrons livres. Com VGS
negativo o funcionamento similar ao JFET.
Como a porta est isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma
tenso positiva na porta (inverso de polaridade bateria VGG do circuito da
figura anterior). A tenso positiva na porta aumenta o nmero de eltrons
livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a tenso, maior a corrente de
dreno. Isto que a diferencia de um JFET.

4.2.2 MOSFET de Acumulao

O MOSFET de modo crescimento ou intensificao uma evoluo do
MOSFET de modo depleo e de uso generalizado na indstria eletrnica em
especial nos circuitos digitais.

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A anterior mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu

smbolo. O substrato estende-se por todo caminho at o dixido de silcio. No
existe mais um canal n ligando a fonte e o dreno.
Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos
eltrons livres da fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos
eltrons livres produzidos termicamente. Assim, quando a tenso da porta
zero, o MOSFET fica no estado desligado (Off). Isto totalmente diferente dos
dispositivos JFET e MOSFET de modo depleo.
Quando a tenso na porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p.
Os eltrons livres recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido
de silcio. Quando a tenso suficientemente positiva, todas as lacunas
encostadas a dixido de silcio so preenchidas e eltrons livres comeam a
fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina
camada de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa camada
chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe, o dispositivo,
normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres fluem facilmente
da fonte para o dreno.
O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de
limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de
dreno zero. Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso tipo n
conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar de
menos de 1V at mais de 5V dependendo do MOSFET.
A figura abaixo mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo
intensificao e reta de carga tpica. No grfico ID x VDS, a curva mais baixa
para VGS(th). Quando VGS maior que VGS(th), a corrente de dreno controlada
pela tenso da porta.
A curva ID x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva
quadrtica. O incio da parbola est em VGS(th):

I D = k (VGS VGS (th ) ) 2

onde k uma constante que depende do MOSFET em particular.
O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On). Ento reescrevendo a
frmula:
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I D = k .I D ( on )
Onde:
2
VGS VGS ( th )
k =
V V
GS ( on ) GS ( th )

4.2.3 Proteo da Porta

Os MOSFET tm uma fina camada de dixido de silcio, um isolante que
impede a circulao de corrente de porta tanto para tenses positivas como
negativas. Essa camada isolante mantida to fina quanto possvel para dar a
porta um melhor controle sobre a corrente de dreno. Como a camada muito
fina, fcil destru-la com uma tenso porta fonte excessiva. Alm da
aplicao direta de tenso excessiva entre a porta fonte, pode-se destruir a
camada isolante devido a transientes de tenso causados por
retirada/colocao do componente com o sistema ligado. O simples ato de
tocar um MOSFET pode depositar cargas estticas suficientes que excedam a
especificao de VGS mximo. Alguns MOSFET so protegidos por diodos zener
internos em paralelo com a porta e a fonte. Mas eles tm como inconveniente,
a diminuio da impedncia de entrada.

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4.2.4 Aplicaes do MOSFET

O MOSFET muito utilizado na fabricao de circuitos integrados de

portas lgicas, registradores e memrias, entre outros. Isto se justifica pelo
fato desse dispositivo dissipar baixssima potncia e, tambm, por possibilitar
a integrao em larga escala (ocupa uma pequena rea).
Inicialmente analisemos um MOSFET de acumulao canal n funcionando
como chave DC:

Para este circuito, analisaremos as seguintes situaes:

Se VE = VGS = 0V, o transistor corta, pois VGS < VGS(th) e, portanto,
VS = VDS = VDD.
Se VE = VGS = VDD, para um valor adequado de R, o transistor
satura e, portanto, VS = VDS(sat) 0V.

Conclui-se que o circuito funciona como um inversor, pois com VE = 0V

tem-se VS = VDD e com VE = VDD temos VS = 0V.
Para a implementao de circuitos lgicos utiliza-se, basicamente, o
MOSFET como chave. Porm, como o resistor ocupa uma rea muito grande no
circuito integrado, ele substitudo por um MOSFET atuando como resistor de
carga.

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A figura a seguir mostra a implementao de duas portas lgicas

utilizando MOSFET como componente:

EXERCCIO:
Prove que o circuito abaixo atua como uma porta NOR.

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ANEXO A Teste de Diodos e Transistores

Uma maneira simples mostrada a seguir para se testar diodos e

transistores utilizando um ohmmetro.

- Teste de funcionamento de um diodo com um ohmmetro.

1. Encosta-se a ponta de prova negativa no ctodo

2. Encosta-se a ponta de prova positiva no nodo
O ohmmetro deve indicar resistncia baixa.
3. Inverte-se as pontas de provas, a resistncia deve ser alta.

- Teste de funcionamento de um transistor npn com um ohmmetro.

1. Encosta-se a ponta de prova negativa na base do transistor

2. Encosta-se a ponta de prova positiva no coletor do transistor
O ohmmetro deve indicar resistncia alta.
3. Muda-se a ponta de prova positiva para o emissor do transistor
O ohmmetro deve indicar resistncia alta.
4. Inverte-se as pontas de provas, isto , encosta-se a positiva na base
e repete os itens 2 e 3. As resistncias devem ser baixas.

OBS: Isto vlido para os multmetros digitais. Em geral, nos

multmetros analgicos, a ponta de prova positiva est ligada ao plo negativo
da bateria.

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Referncias Bibliogrficas

BERTOLI, Roberto A. Apostila de Eletrnica Bsica. 96 p.

ZUIM, Edgar. Apostila Reguladores. 16 p.

MARQUEZ, ngelo E. B. CRUZ, Eduardo C. A. CHOUERI JNIOR,

Salomo. Dispositivos Semicondutores: Diodos e Transistores. 7
ed. So Paulo: rica, 2002. 389 p.

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