MARCO TEORICO

CIRCUITOS INTEGRADOS

La idea de circuito integrado nace de la necesidad de reducir los circuitos elctricos a

uno mucho ms sencillo y pequeo. Gracias a ellos, se evitaron la multitud de
problemas que se daban a la hora de fabricar un circuito, como por ejemplo, que alguna
de las miles de soldaduras que haba que realizar estuviera defectuosa, o la reduccin
del espacio que ocupaban las vlvulas de vaco, las cuales se vieron rpidamente
obsoletas gracias a las mejoras que supuso la introduccin de los circuitos integrados.

Actualmente se utilizan en prcticamente todas las tecnologas. Bsicamente, los

circuitos integrados, tambin llamados "chips", son una pequea pastilla de material
semiconductor sobre la que se integran circuitos en miniatura y se protegen con
encapsulados de plstico, cermica o metal.

El creador del primer circuito integrado, fue el ingeniero electrnico

estadounidense Jack Kilby, en el ao 1959, pocos meses despus de ser contratado
por Texas Instruments. Se trataba de un dispositivo que integraba seis transistores sobre
una misma base semiconductora para formar un oscilador de rotacin de fase. A los 77
aos, en el ao 2000, Kilby fue galardonado con el Premio Nobel de Fsica por su
contribucin al desarrollo de la tecnologa de la informacin.

Fabricacin de los circuitos integrados

Los Circuitos Integrados digitales disponibles se fabrican a partir de pastillas de silicio.

El procesamiento del silicio para obtener CI o chips es relativamente complicado.

El silicio utilizado para la fabricacin de chips es de una pureza de orden del

99.9999999%. Una vez sintetizado, el silicio se funde en una atmsfera inerte y se
cristaliza en forma de barras cilndricas de hasta 10cm de dimetro y 1 m de largo.
Cada barra se corta en pastillas de 0.25 a 0.50 mm de espesor y las superficies de estas
ltimas se pulen hasta quedar brillantes. Dependiendo de su tamao, se obtienen varios
cientos de circuitos idnticos (chips) sobre ambas superficies mediante un proceso
llamado planar, el mismo utilizado para producir transistores en masa.

Para fabricar un chip, las pastillas de silicio se procesan primero para hacer transistores.
Una pastilla de silicio por s misma es aislante y no conduce corriente. Los transistores
se crean agregando impurezas como fsforo o arsnico a determinadas regiones de la
pastilla. Las conexiones se realizan a travs de lneas metlicas.

Cada rasgo de forma sobre la pastilla rociando en las regiones seleccionadas un qumico
protector sensible a la luz llamado photoresist, el cual forma una pelcula muy delgada
sobre la superficie de la pastilla. La pastilla es entonces bombardeada con luz, mediante
un proyector deslizante muy preciso llamado alineador ptico.

El alineador posee un dispositivo muy pequeo llamado mascara, que evita que la luz
incida sobre puntos especficos de la pastilla, cuando la luz alcanza un rea determinada
de la pastilla elimina el photoresist presente en esa zona. A este proceso se le denomina
fotolitografa.

Mediante un proceso de revelado, el qumico se deposita en las regiones descubiertas

por la luz e ignora las encubiertas por la mscara. Estas ltimas zonas aun permanecen
recubiertas de " photoresist".

La precisin del alineador ptico determina que tan fino puede hacerse un rasgo. A
comienzos de los 70s, era difcil hacer transistores de menos de 10 micras de tamao.
Ahora, los transistores alcanzan tamaos increblemente pequeos.

A continuacin, la pastilla se calienta a altas temperaturas; esto origina que el silicio no

procesado de la superficie se convierta en oxido de silicio (SiO2). El SiO2 se esparce
sobre la superficie de la pastilla y forma sobre la misma una delgada pelcula aislante de
unas pocas micras de espesor.

De este modo se obtiene el primer nivel de metalizacin de chips. Para obtener una
nueva capa de metalizacin, el SiO2 se trata nuevamente con "photoresist" y se expone
al alineador ptico, repitindose el mismo procedimiento seguido con el silicio del
primer nivel.
Las diferentes capas van creciendo una sobre otra formando una estructura parecida a
un sandwich, con el SiO2 como el pan y el metal o el silicio dopado como la salchicha,
la mayora de Circuitos Integrados no se hacen con ms de tres capas de metalizacin.

Ventajas e inconvenientes de los circuitos integrados

Bajo coste.
Debido a su integracin, es ms fcil almacenarlos por el espacio que ocupan.
Tienen un consumo energtico inferior al de los circuitos anteriores.
Permiten que las placas de circuitos impresos de las distintas aplicaciones
existentes tengan un tamao bastante ms pequeo.
Son ms fiables.

Reducida potencia de salida.

Limitacin en los voltajes de funcionamiento.
Dificultad en la integracin de determinados componentes (bobinas,
resistencia y condensadores de valores considerables...).

Los circuitos integrados son unidades funcionales completas. Esto no quiere decir que
por s mismos son capaces de cumplir la funcin para los que estn diseados. Para ello
sern necesarios unos componentes pasivos y activos para completar dicha
funcionalidad. Si los circuitos integrados no existieran las placas de circuito impreso
para los aparatos seran muy grandes y adems estaran llenos de componentes. Este
tipo de dispositivos, por su diseo, son capaces de albergar en su interior y de forma
casi microscpica gran cantidad de componentes, sobre todo, semiconductores.
No todos los componentes electrnicos se pueden integrar con la misma facilidad:

Como antes se indic los semiconductores, bsicamente, los transistores y diodos,

presentan menos problemas y menor costo en la integracin.
 Igualmente tanto resistencias como condensadores se pueden integrar pero aumenta el
coste.
Por ltimo las bobinas no se integran por la dificultad fsica que entraan, as mismo
ocurre con rels, cristales de cuarzo, displays, transformadores y componentes tanto
pasivos como activos que disipan una potencia considerable respecto de la que podran
soportar una vez integrados.

El proceso de fabricacin de un circuito integrado es como se observa en la figura de un

modo esquemtico:

a) Diseo del circuito que se quiere integrar.

b) Mscara integrada con los semiconductores necesarios segn el
diseo del circuito.
c) Oblea de silicio donde se fabrican en serie los chips.
d) Corte del microchip.
e) Ensamblado del microchip en su encapsulado y a los pines
correspondientes.
f) Terminacin del encapsulado.

LSI
LSI- significa Large-Scale Integration (integracin en alta escala) y comprende los
chips que contienen de 100 a 1000 compuertas. Ejemplos: memorias, unidades
aritmticas y lgicas (alus), microprocesadores de 8 y 16 bits. Los circuitos integrados
LSI se fabrican principalmente empleando tecnologas i2l, NMOS y PMOS.

Escalas de integracin del LSI

La rapidez del desarrollo tecnolgico ha dado

lugar a que se puedan integrar simultneamente
en un mismo dispositivo un nmero
determinado de puertas entre s, que realizan
una funcin concreta, as a principio de los
aos sesenta lleg la aparicin del circuito
integrado.

A partir de entonces se han ido mejorando las

tcnicas de fabricacin de forma espectacular,
hasta llegar a la actualidad, donde es posible
encontrar en una superficie de algo ms de 1 cm cuadrado cientos de miles de puertas
lgicas.

Dependiendo del nmero de elementos puertas que se encuentren integrados en el chip

se dice que ese circuito est dentro de una determinada escala de integracin.

LSI (Large Scale Integration): A esta escala pertenecen todos aquellos

integrados que contienen ms de 100 puertas lgicas (lo cual conlleva unos 1000
componentes integrados individualmente), hasta las mil puertas. Estos
 integrados realizan una funcin completa, como es el caso de las operaciones
esenciales de una calculadora o el almacenamiento de una gran cantidad de bits.
La aparicin de los circuitos integrados a gran escala, dio paso a la construccin
del microprocesador. Los primeros funcionaban con 4 bits (1971) e integraban
unos 2.300 transistores; rpidamente se pas a los de 8 bits (1974) y se
integraban hasta 8.000 transistores. Posteriormente aparecieron los
microprocesadores de circuitos integrados VLSI

Se suele suponer que la integracin a gran escala de la lgica compleja es un

compromiso entre dos factores de coste contradictorios, es decir, un tiempo de diseo
reducido mediante la estandarizacin de la disposicin y un aumento del rendimiento a
travs de la densidad de circuitos elevados. Alta densidad de circuito generalmente
esperada de la disposicin modificada para requisitos particulares. Al mismo tiempo, se
simplifica el diseo de la personalidad (el patrn de interconexin deseado), utilizando
una nica capa de metalizacin. El mtodo se ha aplicado a la lgica compleja
utilizando circuitos MOS NOR.

ESCALAS DE INTEGRACION

Las escalas de integracin hacen referencia a la complejidad de los circuitos integrados,

dichas escalas estn normalizadas por los fabricantes.

N
Escala de integracin Aplicaciones tpicas
componentes
SSI: pequea escala de integracin <100 Puertas lgica y biestables
MSI: media escala de integracin +100 y -1000 Codificadores, sumadores, registros...
+1000 y - Circuitos aritmticos complejos,
LSI: gran escala de integracin
100000 memorias...
Microprocesadores, memorias,
VLSI: Muy alta escala de integracin +100000 y -106
microcontroladores...
Procesadores digitales y
ULSI: Ultra alta escala de integracin + 106
microprocesadores avanzados
Memoria RAM
La memoria de acceso aleatorio (en ingls: random-access memory),se utiliza como
memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayora del software.
Es all donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras
unidades de cmputo. Se denominan "de acceso aleatorio" porque se puede leer o
escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier
posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la
manera ms rpida posible.

Hay dos tipos bsicos de memoria RAM

RAM dinmica (DRAM)
RAM esttica (SRAM)
Los dos tipos de memoria RAM se diferencian en la tecnologa que utilizan para
guardar los datos, la memoria RAM dinmica es la ms comn.
La memoria RAM dinmica necesita actualizarse miles de veces por segundo, mientras
que la memoria RAM esttica no necesita actualizarse, por lo que es ms rpida, aunque
tambin ms cara. Ambos tipos de memoria RAM son voltiles, es decir, que pierden su
contenido cuando se apaga el equipo.
ARQUITECTURA DE LA RAM
Al igual que con la ROM, es til pensar en la RAM como si consistiera de un nmero
de registros, cada uno de los cuales almacena una sola palabra de datos y tiene una
direccin nica. Por lo general las RAMs tienen capacidades de palabras de lK, 4K,
SK, 16K, 64K, 128K, 256K y 1024K, con tamaos de palabra de uno, cuatro u ocho
bits. Como veremos ms adelante, la capacidad de palabras y el tamao de palabra
pueden expandirse mediante la combinacin de chips de memoria.

Memoria ROM
La memoria de solo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en ingls de read-
only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos
electrnicos, que permite solo la lectura de la informacin y no su escritura,
independientemente de la presencia o no de una fuente de energa.
Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera
rpida o fcil. Se utiliza principalmente para contener el firmware (programa que est
estrechamente ligado a hardware especfico, y es poco probable que requiera
actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del
dispositivo, como los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los
diagnsticos.
ARQUITECTURA DE LA ROM
La arquitectura (estructura) interna de un CI de ROM es muy compleja, por lo que no
intentaremos familiarizarnos con todos sus detalles. No obstante, por cuestin didctica
s podemos ver un diagrama simplificado de la arquitectura interna, como el que se
muestra en la figura 12-7 para la ROM de 16 X 8. Hay cuatro partes bsicas: arreglo de
registros, decodificador de fila, deaxlificador de columna y bferes de salida.

Arquitectura de una ROM de 16 x 8. Cada registro almacena una palabra de ocho bits

Memoria EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). Los

microcontroladores con este tipo de memoria son muy fciles de identificar porque su
encapsulado es de cermica y llevan encima una ventanita de vidrio desde la cual puede
verse la oblea de silicio del microcontrolador. Se fabrican as porque la memoria
EPROM es reprogramable, pero antes debe borrase, y para ello hay que exponerla a una
fuente de luz ultravioleta, el proceso de grabacin es similar al empleado para las
memorias OTP. Al aparecer tecnologas menos costosas y ms flexibles, como las
memorias EEPROM y FLASH, este tipo de memoria han cado en desuso, se utilizaban
en sistemas que requieren actualizaciones del programa y para los procesos de
desarrollo y puesta a punto.
El elemento de almacenamiento de una EPROM es un transistor MOS con una
compuerta de silicio que no tiene conexin elctrica (es decir, una compuerta flotante)
pero est muy cerca de un electrodo. En su estado normal no hay carga almacenada en
la compuerta flotante, por lo que el transistor producir un 1 lgico cada vez que el
decodificador de direccin lo seleccione. Para programar un O se utiliza un pulso de
alto voltaje para dejar una carga neta en la compuerta flotante. Esta carga hace que el
transistor produz.ca como salida un O lgico cuando se selecciona. Como la carga est
atrapada en la compuerta flotante y no tiene ruta de descarga, el O se almacenar hasta
que se borre. Para borrar los datos se restauran todas las celdas a un 1 lgico. Para ello
se neutraliza la carga en el electrodo flotante al exponer el silicio a una luz ultravioleta
(UV) de alta intensidad durante varios minutos.

EEPROM (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory). Fueron el sustituto

natural de las memorias EPROM, la diferencia fundamental es que pueden ser borradas
elctricamente, por lo que la ventanilla de cristal de cuarzo y los encapsulados
cermicos no son necesarios. Al disminuir los costos de los encapsulados, los
microcontroladores con este tipo de memoria se hicieron ms baratos y cmodos para
trabajar que sus equivalentes con memoria EPROM. Otra caracterstica destacable de
este tipo de microcontrolador es que fue en ellos donde comenzaron a utilizarse los
sistemas de programacin en el sistema que evitan tener que sacar el microcontrolador
de la tarjeta que lo aloja para hacer actualizaciones al programa.

La EEPROM en comparacin con la EPROM es la habilidad de borrar y reescribir bytes

individuales (palabras de ocho bits) en el arreglo de memoria mediante electricidad.
Durante una operacin de escritura, el circuito interno borra de manera automtica todas
las celdas en una ubicacin de direccin antes de escribir los nuevos datos. Esta
capacidad de borrar bytes facilita en forma considerable la realizacin de
modificaciones en los datos que se almacenan en una EEPROM.

(a) Smbolo para la EEPROM 2864; (b) modos de operacin; (e) sincronizacin para la
operacin de escritura.
Referencias
JS Kilby, "Integracin a gran escala: fabricacin de dispositivos", Circuitos
Internacionales de Circuito Slido Conf. Digest de Tech. Papeles , 1966-Febrero.
JC Logue, "Integracin a gran escala: utilizacin del sistema", Conf. Digest de
Tech. Papeles , 1966-Febrero.
Publicado en: Revista IEEE de Circuitos de Estado Slido ( Volumen: 2 , Issue: 4 ,
Dec 1967 )

Bibliografa
http://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/1049816/?reload=true
https://www.electronicafacil.net/tutoriales/ESCALAS-INTEGRACION-CIRCUITOS-
LOGICOS-SSI-MSI-LSI.php
http://slipkomy.blogspot.com/2008/09/lsi-y-vlsi.html
http://galia.fc.uaslp.mx/~cantocar/microprocesadores/TUTORIALES/LAS_MEMORIA
S/CIRCUITOS_INTEGRADOS.HTM
Sistemas Digitales Principios y Aplicaciones (10ma Edicin, Ronald Tocci)