Eletronica Industrial

Eletrnica Industrial
Braslia-DF.
Elaborao
Alex Sander de Magalhes Pivoto
Produo
Equipe Tcnica de Avaliao, Reviso Lingustica e Editorao

Sumrio
APRESENTAO.................................................................................................................................. 4
ORGANIZAO DO CADERNO DE ESTUDOS E PESQUISA..................................................................... 5
INTRODUO.................................................................................................................................... 7
UNIDADE I
FUNDAMENTOS DE ELETRNICA INDUSTRIAL............................................................................................ 9
CAPTULO 1
INTRODUO ELETRNICA INDUSTRIAL.................................................................................. 9
CAPTULO 2
FSICA DOS SEMICONDUTORES............................................................................................... 12
UNIDADE II
O DIODO............................................................................................................................................. 24
CAPTULO 1
JUNO P-N........................................................................................................................... 24
CAPTULO 2
TRANSISTOR BJT....................................................................................................................... 34
CAPTULO 3
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (JFET) FET E METAL-XIDO-SEMICONDUTOR (MOSFET)...... 43
CAPTULO 4
TIRISTOR (SCR)......................................................................................................................... 54
CAPTULO 5
GTO....................................................................................................................................... 64
CAPTULO 6
IGBT........................................................................................................................................ 69
UNIDADE III
CIRCUITOS RETIFICADORES................................................................................................................... 73
CAPTULO 1
CIRCUITOS RETIFICADORES MONOFSICOS NO CONTROLADOS........................................... 73
CAPTULO 2
CIRCUITOS RETIFICADORES MONOFSICOS CONTROLADOS................................................... 79
UNIDADE IV
CONVERSO DE ENERGIA.................................................................................................................... 85
CAPTULO 1
CONVERSORES AC-DC........................................................................................................... 85
CAPTULO 2
CONVERSORES DC-DC........................................................................................................... 90
CAPTULO 3
CONVERSORES DC-AC........................................................................................................... 96
PARA (NO) FINALIZAR.................................................................................................................... 100
REFERNCIAS................................................................................................................................. 101
Apresentao
Caro aluno
A proposta editorial deste Caderno de Estudos e Pesquisa rene elementos que se

entendem necessrios para o desenvolvimento do estudo com segurana e qualidade.
Caracteriza-se pela atualidade, dinmica e pertinncia de seu contedo, bem como pela
interatividade e modernidade de sua estrutura formal, adequadas metodologia da
Educao a Distncia EaD.
Pretende-se, com este material, lev-lo reflexo e compreenso da pluralidade

dos conhecimentos a serem oferecidos, possibilitando-lhe ampliar conceitos
especficos da rea e atuar de forma competente e conscienciosa, como convm
ao profissional que busca a formao continuada para vencer os desafios que a
evoluo cientfico-tecnolgica impe ao mundo contemporneo.
Elaborou-se a presente publicao com a inteno de torn-la subsdio valioso, de modo

a facilitar sua caminhada na trajetria a ser percorrida tanto na vida pessoal quanto na
profissional. Utilize-a como instrumento para seu sucesso na carreira.
Conselho Editorial
5
Organizao do Caderno
de Estudos e Pesquisa
Para facilitar seu estudo, os contedos so organizados em unidades, subdivididas em

captulos, de forma didtica, objetiva e coerente. Eles sero abordados por meio de textos
bsicos, com questes para reflexo, entre outros recursos editoriais que visam a tornar
sua leitura mais agradvel. Ao final, sero indicadas, tambm, fontes de consulta, para
aprofundar os estudos com leituras e pesquisas complementares.
A seguir, uma breve descrio dos cones utilizados na organizao dos Cadernos de
Estudos e Pesquisa.
Provocao
Textos que buscam instigar o aluno a refletir sobre determinado assunto antes
mesmo de iniciar sua leitura ou aps algum trecho pertinente para o autor
conteudista.
Para refletir
Questes inseridas no decorrer do estudo a fim de que o aluno faa uma pausa e reflita
sobre o contedo estudado ou temas que o ajudem em seu raciocnio. importante
que ele verifique seus conhecimentos, suas experincias e seus sentimentos. As
reflexes so o ponto de partida para a construo de suas concluses.
Sugesto de estudo complementar
Sugestes de leituras adicionais, filmes e sites para aprofundamento do estudo,

discusses em fruns ou encontros presenciais quando for o caso.
Praticando
Sugesto de atividades, no decorrer das leituras, com o objetivo didtico de fortalecer

o processo de aprendizagem do aluno.
6
Ateno
Chamadas para alertar detalhes/tpicos importantes que contribuam para a

sntese/concluso do assunto abordado.
Saiba mais
Informaes complementares para elucidar a construo das snteses/concluses

sobre o assunto abordado.
Sintetizando
Trecho que busca resumir informaes relevantes do contedo, facilitando o

entendimento pelo aluno sobre trechos mais complexos.
Exerccio de fixao
Atividades que buscam reforar a assimilao e fixao dos perodos que o autor/
conteudista achar mais relevante em relao a aprendizagem de seu mdulo (no
h registro de meno).
Avaliao Final
Questionrio com 10 questes objetivas, baseadas nos objetivos do curso,

que visam verificar a aprendizagem do curso (h registro de meno). a nica
atividade do curso que vale nota, ou seja, a atividade que o aluno far para saber
se pode ou no receber a certificao.
Para (no) finalizar
Texto integrador, ao final do mdulo, que motiva o aluno a continuar a aprendizagem

ou estimula ponderaes complementares sobre o mdulo estudado.
7
Introduo
Nos tempos modernos com a preocupao referente ao consumo de energia mundial bem
como a miniaturizao dos componentes e circuitos, por consequncia a diminuio da
dissipao de potncia, busca-se cada vez mais a otimizao da eletrnica embarcada
provendo solues inovadoras visando assim a reduo de custos e maior desempenho
dos dispositivos eltricos.
Diante deste cenrio, novas filosofias de equipamentos desenvolvidos que sejam capazes
de realizar as mesmas tarefas que anteriores no qual se aplica tradicionais topologias de
circuitaria eletrnica vm a contribuir e muito para esta questo da reduo do consumo
energtico, bem como a reduo dos gastos finais da indstria fabril. Equipamentos
como inversores, retificadores, controladores no qual se emprega semicondutores e
topologias mais modernas permitem uma maior eficincia, reduo de rudos e reduo
dimensional final.
No ambiente industrial o profissional poder atuar no desenvolvimento de produtos

voltados para fins industriais bem como apenas no ambiente de aplicaes, ou seja,
desde o projeto detalhado de implementao, especificao de equipamentos a serem
utilizados e a realizao final deste projeto, realizado pela prpria equipe ou empresas
contratadas.
Nesta disciplina sero abordados os componentes semicondutores, circuitos

caractersticos empregado na eletrnica industrial e topologias de circuitos a serem
empregados no ambiente industrial.
Objetivos
Promover ao aluno um contato direto aos componentes semicondutores
e circuitos bsicos aplicados eletrnica industrial despertando assim
viso crtica para projeto e anlises para implementao de tecnologia
nesta rea.
Analisar os conceitos abordados pelo material bem como ser capaz de

implementar solues criativas baseada em tcnicas e exemplos abordados.
Compreender a importncia dos componentes semicondutores e afins

aplicados aos circuitos voltados para os produtos eletrnicos aplicados ao
ambiente industrial utilizando o conhecimento adquirido para resoluo
de problemas correlacionados.
8
FUNDAMENTOS
DE ELETRNICA UNIDADE I
INDUSTRIAL
CAPTULO 1
Introduo eletrnica industrial
Figura 1. Fonte de alimentao de corrente contnua de um gerador de usina hidreltrica.
Fonte: <http://cienciahoje.uol.com.br/colunas/do-laboratorio-para-a-fabrica/guerra-e-paz-no-mundo-da-eletricidade>.
Acesso em: 22 dez. 2014.
Quando pensamos em equipamentos eltricos somos levados a imaginar

dispositivos de dimenses reduzidas e compactos, porm no mundo industrial
podemos nos deparar com grandiosas estruturas utilizadas proporcionalmente
carga as quais lidam.
Para saber mais a respeito veja em:
<http://pt.wikipedia.org/wiki/Usina_Hidrel%C3%A9trica_de_Itaipu>
<http://www.itaipu.gov.br/energia/geracao>
Nos tempos modernos, extremamente prazeroso chegarmos em casa, ligarmos

o computador e a um click termos em nossa tela notcias do mundo todo em
tempo real. As revistas e jornais que assinamos mensalmente todas muito
9
UNIDADE I FUNDAMENTOS DE ELETRNICA INDUSTRIAL
bem ilustradas e com qualidade de resoluo extremamente alta. Como isso

possvel? Acostumaramos a viver sem estas comodidades? Para responder estas
questes temos que mergulhar no mundo industrial, pois foram mquinas e
pessoas integradas que agregaram trabalho diariamente para que possamos ter,
por exemplo, todas as notcias em um folhear de jornal ou revista.
A integrao entre homem-mquina permite que o trabalho seja realizado

com precises cada vez maiores. Enquanto as mquinas so programadas e
controladas eletronicamente, os homens na maioria das vezes atuam apenas
como gerenciadores do sistema. Para isso inicia uma nova busca por profissionais
que tenham capacidade de compreender e gerenciar estes dispositivos
programveis.
Podemos tambm fazer um paralelo em outra ponta da indstria, os profissionais

que projetam eletronicamente todo o sistema a ser implantado nestas mquinas
e equipamentos. Imaginando um universo industrial, chegamos a concluir que
o mercado para tal extremamente grandioso. Um profissional bem preparado
certamente desenvolver projetos muito mais eficientes e versteis tendo assim
grandes diferenciais dentro de um mercado to competitivo. Sem falar de
outros ambientes de trabalho necessrios da indstria que o profissional pode
atuar como manuteno, interligaes de mquinas, melhorias industriais etc.
Portanto, alm de poder atuar como profissional operacional, profissional de
desenvolvimento de novos equipamentos e manuteno o aluno qualificado
estar sempre na vanguarda do conhecimento e por consequncia boas
oportunidades de trabalho sempre aparecero.
Introduo eletrnica industrial

No incio do sculo XX, a partir de experimentos realizados por Edison, que
introduziu um eletrodo com potencial positivo em sua lmpada de filamento para
evitar que houvesse deposio de material no bulbo, Ambrose Fleming identificou
a capacidade de este dispositivo atuar como retificador. Ou seja, converter uma
alimentao CA em CC.
Uma vez que a produo de eletricidade se faz em CA, essa inveno possibilitou o
processamento da energia eltrica de forma a se adequar s cargas CC.
Foram tambm desenvolvidos outros dispositivos retificadores, como as vlvulas a

arco de mercrio, mais adequadas a aplicaes de potncia elevada, devido maior
capacidade de conduo de corrente devido ao plasma criado pelo arco. Seu uso permitiu
10
FUNDAMENTOS DE ELETRNICA INDUSTRIAL UNIDADE I
substituir os grupos motores-geradores para produo de corrente contnua, necessria

aos sistemas de trao.
Nos anos 1920 surgiu a Thyratron, que no um dispositivo a vcuo, uma vez que
seu interior ocupado por algum gs responsvel por ampliar a quantidade de ons e,
em consequncia, a capacidade de conduo de corrente. Seu comportamento o de
um interruptor que acionado por um terminal de disparo. Com este dispositivo foi
possvel aprimorar os processos alimentados em CC, pois se tornou vivel o ajuste do
valor da tenso e/ou corrente por meio de uma retificao controlada.
Em 1925 fora registrada uma patente (concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld) que
se referia a um mtodo e um dispositivo para controlar o fluxo de uma corrente eltrica
entre dois terminais de um slido condutor. Tal patente, que pode ser considerada a
precursora do que viriam a ser os Transistores de Efeito de Campo, no entanto, no
redundou em um componente prtico, uma vez que no havia, ento, tecnologia que
permitisse a construo dos dispositivos. Isto se modificou a partir do final da dcada de
1940, quando a tecnologia dos semicondutores permitiu a realizao de tal dispositivo.
A partir da construo dos semicondutores (FETs), deu-se incio a evoluo dos

componentes eletrnicos modernos que conhecemos atualmente como Tiristores,
MOSFETS, Diodos etc.
11
CAPTULO 2
Fsica dos semicondutores
A descoberta dos materiais semicondutores permitiu a eletrnica de um modo geral

a evolues imensurveis no desenvolvimento de componentes eletrnicos. Os
microprocessadores de nossos computadores ou telefones celulares possuem milhares
de transistores interconectados, que no seriam possveis sua realizao se no fossem
os materiais semicondutores.
Para entendermos melhor os semicondutores, importante termos claramente em

mente a ideia do que condutor e isolante.
A condutividade eltrica () utilizada para especificar o material quanto sua

caracterstica eltrica, ou seja, o quo fcil o material na conduo de uma corrente
eltrica. Para tal, tem-se que:
1
=

Como pode ser notado na equao acima, a condutividade eltrica inversamente

proporcional resistividade . Essa condutividade baseia-se no fato de os eltrons
da ltima camada de cada tomo, eltrons livres, serem capazes de migrar para
tomos vizinhos, logo o nmero de eltrons na orbita de valncia a chave para
a condutibilidade. Alguns materiais slidos possuem boas caractersticas de
condutividade e outros com caractersticas no to boas. Podemos classificar
os materiais slidos em trs grupos quanto sua condutividade eltrica, so eles:
condutores, isolantes e semicondutores.
Condutores
Para os materiais condutores, os eltrons livres da ltima camada esto fracamente

ligados ao ncleo. Dessa forma, podem ser arrancados facilmente. Possuem apenas
um eltron na camada de valncia. Para exemplificar, um condutor o ferro possui
apenas dois eltrons na ltima camada, que podem ser arrancados com facilidade do
ncleo, por isso dizemos que ele um bom condutor.
12
Isolantes
Para os materiais que no conduzem eletricidade, ou seja, no h movimento das

cargas eltricas so caracterizados como isolantes. Para estes materiais quando
aplicado uma diferena de potencial entre as extremidades dos mesmos no h
movimento dos eltrons livres. Nesse caso, os eltrons livres da ltima camada
esto fortemente ligados ao ncleo. Possuem oito eltrons na camada de valncia.
Os materiais isolantes so utilizados, por exemplo, para isolao de fios eltricos de
alta potncia.
Para saber mais veja em:
<http://www.coladaweb.com/quimica/eletroquimica/condutores-e-isolantes-
semicondutores/>
<http://pt.wikipedia.org/wiki/Condutividade_el%C3%A9trica>
Estrutura atmica
Quando observamos o meio ambiente sob os olhos da fsica, percebemos que todos os
materiais na verdade so compostos por molculas que por sua vez so constitudas
de tomos. Os tomos, bem como as molculas so constitudos por partculas ainda
menores, denominadas de prtons, eltrons e nutrons. Podemos visualizar estas
partculas atravs da Figura 2. Portanto, definido que:
Prtons Possuem cargas eltricas positivas.
Eltrons Possuem cargas eltricas negativas.
Nutrons Ausncia de cargas eltrica.
Para uma melhor compreenso dos estudos de semicondutores de fundamental

importncia o entendimento da estrutura do tomo, que aqui mostrado pelo
modelo atmico de Bohr. Segundo Bohr, os eltrons permanecem incessantemente
girando nas camadas externas ao redor do ncleo do tomo, em uma analogia ao
nosso sistema solar.
13
Figura 2. Modelo atmico de Bohr.
Fonte: <http://www.infoescola.com/fisica/Condutividade-Eletrica/>
Caso deseje aprofundar ou relembrar os conhecimentos a respeito dos tomos,

acesse <http://pt.wikipedia.org/wiki/%C3%81tomo>
<http://educacao.globo.com/quimica/assunto/estrutura-atomica/atomo.html>
tomos de germnio e silcio
Para um elemento atmico ser classificado como semicondutor, significa que

um tomo desse elemento deva possuir apenas quatro eltrons em sua camada
de valncia ou rbita mais externa. O Germnio e o Silcio possuem esta
caracterstica e suas camadas orbitais podem ser vistas nas Figuras 3 e 4.
tomo de germnio
Um tomo de germnio possui um ncleo com 32 prtons e seus eltrons esto

distribudos em suas camadas orbitais externas. Esta distribuio acontece da seguinte
forma: 2 eltrons esto compondo a primeira rbita, 8 na segunda rbita, 18 na terceira
rbita e 4 eltrons na quarta rbita ou rbita de valncia. Portanto o germnio, como
todos os materiais semicondutores, possui apenas 4 eltrons em sua camada de valncia.
A Figura 3 representa a distribuio atmica do germnio.
14
Figura 3 Distribuio atmica do tomo de Germnio.
Camada de
valncia
Fonte: <http://www.radioamadores.net/semicond.htm>
Para saber mais a respeito do tomo de Germnio acesse <http://pt.wikipedia.

org/wiki/Germ%C3%A2nio>
tomo de silcio
O silcio o material mais conhecido e tambm mais comumente utilizado como

semicondutor. Um tomo deste material isolado composto por 14 prtons em seu
ncleo e 14 eltrons distribudos em suas rbitas externas, da seguinte forma: 2 eltrons
esto compondo a primeira rbita, 8 eltrons na segunda rbita e 4 eltrons na terceira
rbita ou rbita de valncia. A Figura 4 representa a distribuio atmica do Silcio.
Figura 4. Distribuio atmica do tomo de Silcio.
Camada de
valncia
Fonte: <http://www.radioamadores.net/semicond.htm>
15
Para saber mais a respeito do tomo de silcio acesse: <http://pt.wikipedia.org/

wiki/Sil%C3%ADcio>
Bandas de energia
Como mencionado anteriormente, os eltrons giram ao redor do ncleo em regies,

ou orbitais. Estes orbitais so 7 no total e recebem o nome de camadas ou bandas de
energia. Em um tomo a banda mais externa ao ncleo chamada de camada de valncia
ou banda de valncia. Os eltrons desta camada tem funo muito importante, pois
na maioria das vezes, so eles que participam das reaes qumicas e dos fenmenos
eltricos.
Os tomos com 1, 2 e 3 eltrons na camada de valncia tm certa facilidade

em ced-los, transformando - se assim em ons positivos; o alumnio (Al),
o clcio (Ca), o sdio (Na) etc.
Os tomos com 5, 6 e 7 eltrons na camada de valncia tm facilidade

em ganhar eltrons, transformando-se em ons negativos; o fsforo (P), o
oxignio (O), o cloro (Cl) etc.
Os tomos com 4 eltrons na camada de valncia geralmente no ganham

nem perdem eltrons, o que ocorre com o silcio (Si) e o germnio (Ge),
semicondutores.
Figura 5. Camadas de energia de um tomo.
Fonte: <http://www.ebah.com.br/content/ABAAAAVR4AG/eletronica-basica>
Cristais de Si
Os cristais so combinaes de tomos iguais que se unem para formar um slido. Para
a formao de um cristal de silcio necessrios que cada tomo de silcio ceda seus
eltrons livres, de sua camada de valncia, para outros tomos de silcio. Desta forma, a
16
rbita de valncia dos tomos agora passar a possuir 8 e no mais 4 eltrons, conforme
Figura 6. Sendo assim o tomo de silcio se torna quimicamente estvel.
Figura 6. Formao de um cristal de silcio e ligaes covalentes
Fonte: < http://www.saberdetudo.com.br/os-semicondutores/>
Ligaes covalentes
Como vimos por meio da Figura 6, para formao do cristal de silcio os tomos de
Si se unem trocando os eltrons da camada de valncia. Deste modo, o tomo central
passara a possuir 8 eltrons na sua rbita de valncia.
Esta caracterstica faz com que os eltrons da camada de valncia agora no mais
pertenam a um tomo isolado, mas sim compartilhando eltrons com tomos
adjacentes. A Figura 6 Ilustra esta propriedade.
Este tipo de ligao qumica em que os eltrons so compartilhados por meio de foras
em sentidos opostos, sendo o elo entre as partes dos tomos, chamado de ligao
covalente.
Em um cristal de silcio existem bilhes de tomos de silcio, cada um com oito

eltrons de valncia. Esses eltrons de valncia so as ligaes covalentes que
mantm os tomos de cristal unidos, formando o slido.
Para saber mais sobre ligao covalente, veja este vdeo: <http://www.youtube.
com/watch?v=ThoD-SAczw8>
17
Lacuna
Os tomos do cristal de silcio, quando submetidos a temperaturas acima do zero

absoluto (-273C), iniciam um processo de vibrao dentro do cristal na qual se tornam
dependente dessa temperatura. Quanto mais alta a temperatura maior ser esta
vibrao. Essas vibraes podem deslocar o eltron da rbita de valncia deixando um
vazio no local que agora chamado de lacuna. Desta forma, pode-se dizer que a lacuna
age como carga positiva, ou seja, ausncia de eltron. A Figura 7 ilustra este processo.
Figura 7. Processo de surgimento de uma lacuna
Eltron Livre O DESCOLAMENTO DO

e lacuna ELTRON DA CAMADA DE
VALNCIA CAUSA UMA
LACUNA NO TOMO
CENTRAL DE SILCIO DA
ESTRUTURA. ESTA LACUNA
PODE SER CONSIDERADA
UMA CARGA POSITIVA, POIS
REPRESENTA A AUSNCIA
DE UM ELTRON.
Fonte: < http://www.saberdetudo.com.br/os-semicondutores/>
Recombinao e tempo de vida
A recombinao ocorre quando os eltrons livres que esto se movendo aleatoriamente

pelo cristal, em uma banda chamada banda de conduo, ao se aproximarem de uma
lacuna so atrados e consequentemente capturados. Logo, a lacuna antes existente na
banda de valncia preenchida por um eltron livre. O tempo mdio de surgimento at
o desaparecimento de uma lacuna, tempo de vida, da ordem de alguns nano a micro
segundos.
Processo de conduo no cristal de Si
Como estudado anteriormente, vimos que quando uma rede cristalina encontra-se
sob a temperatura de zero absoluto, os eltrons esto fortemente presos camada de
valncia por ligaes covalentes logo, o fluxo de eltrons livres no existir. A Figura 8
ilustra este processo.
18
Figura 8. Circuito e banda de energia temperatura de zero absoluto.

Energia
Metal Metal Banda de Conduo
Si Puro
Banda de Valncia
Banda 2
Banda 1
Fonte: <http://www.ebah.com.br/content/ABAAAAXn0AH/semicondutores>
Podemos verificar que a banda de conduo est vazia e no h corrente fluindo pelo
silcio.
Quando a temperatura ambiente comea a aumentar em relao ao zero absoluto inicia-se

todo o processo de liberao de eltrons livres para a banda de conduo, conforme
visto anteriormente, criando desta forma pares eltrons lacunas. A Figura 9 ilustra os
eltrons e lacunas nas bandas de conduo e valncia.
Figura 9. Fluxo de eltrons e faixas de energia temperatura ambiente.

Energia
Movimento dos Eltrons
Metal Metal Banda de Conduo
Si Puro
Banda de Valncia
Banda 2
Banda 1
Sob ao do campo eltrico, os eltrons livres movem-se para a esquerda

e estabelecem uma corrente.
Fonte: < http://tecinposts.blogspot.com.br/2012/05/introducao-aos-semicondutores-extrato.html>
T2. Semicondutores intrnsecos
Um semicondutor pode ser caracterizado como Intrnseco ou Extrnseco. Para um

semicondutor ser caracterizado como Intrnseco ele deve ser puro sem adio de
impurezas. No caso do cristal de silcio, ele ser Intrnseco se todos os seus tomos
forem compostos apenas por silcio.
19
Fluxo de eltrons livres e lacunas
Podemos observar na Figura 10 que o cristal de silcio puro foi submetido a uma fonte
de tenso. Suponha que se tenha gerado um eltron livre devido energia trmica.
Podemos notar que existem dois trajetos para que os eltrons possam se locomover
dentro do cristal. Os eltrons livres estaro se deslocando dentro do cristal por meio
da banda de conduo, j os eltrons da camada de valncia estaro se deslocando no
cristal mediante das lacunas dos tomos de silcio.
A Figura 10. Fluxo de lacunas e eltrons livres no cristal de silcio.
Eltron livre
Fonte: prprio autor.
Na Figura 10, o eltron livre situado na parte superior direita do cristal ser atrado
pelo polo positivo da fonte de alimentao, deslocando-se dentro do cristal por meio da
banda de conduo.
O eltron do situado no ponto 1 (um) , na camada de valncia, poder ser atrado pela
lacuna indicada nesta mesma banda, logo a lacuna antes presente no cristal deixar de
existir e aparece onde estava o eltron no ponto 1. Novamente a lacuna que apareceu no
ponto 1 poder atrair o eltron da camada de valncia, agora representado no ponto 2
(dois), onde aparecer outra lacuna e assim por diante.
Podemos observar por meio das indicaes na Figura 10 que os eltrons se deslocam
em direo ao polo positivo da fonte de alimentao, enquanto as lacunas em direo
ao polo negativo.
O movimento de eltrons de valncia dentro do cristal pode ser visto como o

movimento de lacunas em sentido contrrio.
20
Fluxos de correntes
Pode-se notar na Figura 11 que no semicondutor intrnseco o nmero de eltrons livres

o mesmo que o nmero de lacunas, isso devido energia trmica aplicada sobre o
mesmo. Foi aplicada nas extremidades deste cristal intrnseco uma fonte de tenso. Esta
tenso forar os eltrons livres dentro do cristal se deslocarem para o potencial mais
positivo da fonte enquanto as lacunas deslocaram-se para a direita do cristal, potencial
mais negativo da fonte. Estes eltrons livres passaram pelo polo negativo chegando at
o lado oposto do cristal recombinando-se com as lacunas l presentes. Assim, tem-se
um fluxo estvel de eltrons livres e lacunas circulando dentro do semicondutor.
Figura 11. Semicondutor Intrnseco.
Eltrons livres e lacunas
Fonte: Prprio autor.
Na Figura 10 os eltrons livres e as lacunas movem-se em sentidos opostos. A partir

daqui, vamos visualizar a corrente em um semicondutor como o efeito combinado
de dois tipos de fluxos: o fluxo de eltrons livres em um sentido e o fluxo de
lacunas no sentido oposto. Os eltrons livres e as lacunas so chamados s vezes de
portadores, porque transportam uma carga igual de um lugar para outro.
Dopagem de um semicondutor
O processo de dopagem em semicondutor consiste em adicionar impurezas aos tomos

de um cristal com o objetivo de aumentar sua condutibilidade eltrica.
Aumentando os eltrons livres e lacunas
Para aumentar o nmero de eltrons livres em um cristal de silcio primeiramente

necessrio quebrar suas ligaes covalentes. Para isso deve-se fundir o cristal de silcio
puro mudando-o do estado slido para o estado lquido. Ao inserir tomos pentavalentes
neste cristal aumenta-se o nmero de eltrons livres. Estes tomos pentavalentes tm a
caracterstica de possurem 5 tomos em sua camada de valncia, e consequentemente
doam eltrons ao cristal de silcio. A Figura 12 ilustra esse processo de insero de um
tomo pentavalente.
21
Figura 12. Aumentando o nmero de eltrons livres e lacunas no semicondutor.
Lacuna
Eltron livre
tomo trivalente
tomo
pentavalente
(a) (b)
A Figura 12(a) mostra como a estrutura do cristal de silcio alterada aps ter sido
esfriada e solidificada.
Esse processo de insero de um tomo pentavalente em um cristal de silcio produz

o efeito desejado que a produo de um eltron livre. Portanto, pode-se dizer que
quanto mais impurezas adicionadas ao cristal maior ser a condutibilidade de um
semicondutor. Quando se diz que um semicondutor fracamente dopado significa que
este semicondutor possui uma alta resistncia enquanto um semicondutor fortemente
dopado possui uma baixa resistncia.
Para provocar um excesso de lacunas em um cristal puro de silcio deve-se adicionar

impurezas do tipo trivalentes, ou seja, tomos que possuem 3 eltrons em sua camada
de valncia.
A Figura 12(b) ilustra um tomo trivalente ao centro rodeado por quatro tomos de
silcio cedendo um tomo cada de suas camadas de valncia para o tomo trivalente ao
centro.
Mesmo com os tomos da camada de valncia dos quatro tomos de silcio, o tomo
central ficou com apenas 7 tomos em sua ltima camada, logo existe uma lacuna
orbitando a camada de valncia para este tomo trivalente. Por este fato, um tomo
trivalente conhecido como um tomo receptor pelo fato de a lacuna existente poder
receber um eltron livre durante a recombinao.
Semicondutores extrnsecos
Semicondutor tipo N
Como vimos anteriormente a dopagem de um semicondutor de silcio acontece com a

adio de impurezas no cristal de silcio puro. Ao adicionar impurezas pentavalentes
22
no cristal de silcio vimos que ser produzido, no cristal, um excesso de eltrons livres
se comparados s lacunas, portanto podemos dizer que este semicondutor do tipo N.
Portadores Majoritrios = Eltrons Livres
Portadores Minoritrios = Lacunas
Semicondutor tipo P
Ao adicionar impurezas do tipo trivalentes no cristal de silcio foi visto tambm que
ser produzido lacunas no cristal, portanto este semicondutor ser do tipo P.
Portadores Majoritrios = Lacunas.
Portadores Minoritrios = Eltrons Livres.
Para fixar este conceito de dopagem, materiais intrnsecos e extrnsecos

recomendado que se assista ao breve vdeo no endereo abaixo:
<http://www.youtube.com/watch?v=pSWoSZKqNEk>
Para aprofundar os conhecimentos sobre semicondutores deve-se verificar o

captulo 2 da referncia MALVINO, A; BATES, D. J. Eletrnica. 7. ed. Porto Alegre:
Amgh, 2007.
23
O DIODO UNIDADE II
CAPTULO 1
Juno P-N
Na juno PN, existe uma diferena de concentrao de portadores em suas duas

extremidades, logo haver uma difuso de eltrons livres do lado N se deslocando
para o lado P e simultaneamente lacunas se difundiro do lado P para o lado N. Esta
caracterstica far com que apaream ons positivos neutralizados do lado N do cristal e
ons negativos neutralizados do lado P do cristal, dando origem a uma regio chamada
de regio de depleo. Esta distribuio de cargas criar uma barreira q qual ir se opor
a difuso de mais portadores majoritrios, lacunas no lado P e eltrons livres no lado N.
Figura 13. Formao da regio de depleo.
ID
ons negativos ons positivos
V+ V-
Regio de depleo
IS
Pode ser visto na Figura 13 que no sentido direto de polarizao da juno circula uma
corrente de difuso (que na verdade o transporte das lacunas na face P do cristal e dos
eltrons na face N do cristal) e no sentido inverso circula uma corrente de saturao
(que a corrente reversa produzida pelos portadores minoritrios, dependente
termicamente).
A barreira de potencial, em temperatura ambiente de 25C, de aproximadamente 0,3

V para os diodos de germnio e 0,7 V para os diodos de silcio.
24
O DIODO UNIDADE II
Barreira de potencial e temperatura

Uma juno PN fortemente dependente da temperatura incidente sobre a mesma. Os
valores de barreira de potencial de 0,7 e 0,3 volts para os diodos de silcio e germnio
so considerados para uma temperatura de juno de 25C. Quando a temperatura da
juno se eleva gerado mais eltrons livres e lacunas, consequentemente reduzindo a
largura da camada de depleo diminuindo assim a barreira de potencial.
Usualmente considera-se como regra prtica por muitos projetistas que tanto para o
diodo de silcio quanto para o diodo de germnio, para cada grau clsius aumentado, a
barreira de potencial diminui 2 mV.
Exemplo:
Qual ser o valor da barreira de potencial de um diodo de silcio quando a temperatura

em sua juno atingir 85C?
Soluo:
Como mencionado, podemos adotar como regra prtica que para cada grau clsius
aumentado na temperatura, diminui-se 2mV da barreira de potencial, logo:
(85 - 25) * 2 mV = 0,12 V
O novo valor da barreira de potencial para 85C ser:
VB = 0,7 0,12 = 0,58 V
A juno P-N polarizada diretamente
A polarizao direta de uma juno PN acontece quando o terminal negativo de uma

fonte de alimentao conectado no material N do semicondutor correspondente e o
terminal positivo desta fonte de alimentao conectado na extremidade P do material
semicondutor.
Imaginemos esta fonte de alimentao contnua, que est polarizando diretamente a

juno PN da Figura 14 (a seguir), iniciando-se em zero. No incio, podemos considerar
a corrente que circula atravs da juno desprezvel, pois toda a tenso est aplicada
sobre a juno PN. Com o aumento desta tenso a regio de depleo diminuir
reduzindo assim a barreira de potencial facilitando o deslocamento dos portadores
majoritrios de um lado da juno para o outro.
25
UNIDADE II O DIODO
medida que a corrente aumenta, a tenso se distribui entre o material e a barreira. A

partir desse ponto a corrente passa a ser controlada pela resistncia direta do material
(a corrente no diodo passa a ter um comportamento aproximadamente linear com a
tenso). O aumento efetivo desta corrente apenas acontecer quando a tenso aplicada
entre os terminais do semicondutor exceder aproximadamente 0,6 ~ 0,7 volts. Este
valor de tenso quando a barreira de potencial ser vencida. Depois de vencido a
tenso de ruptura da barreira de potencial, 0,7 volts para o diodo de silcio, necessrio
controlar sua corrente direta por meio da resistncia externa. Esta medida evitar a
queima prematura do diodo devido ao efeito Joule. A Figura 14 ilustra a polarizao
direta de um semicondutor considerando uma fonte de alimentao contnua VD.
Figura 14. polarizao direta da juno PN.
P N
VD
A corrente ID pela juno PN, polarizada diretamente ser:
( )
vD
iD = I S e n VT
1
Onde,
IS Corrente reversa de saturao, (10 ~ 15 nA).
n Coeficiente de emisso (1 n 2).
n = 1 Circuito integrado.
n = 2 Componentes discretos.
VT Tenso trmica (25mV @ 24C), dado por:
26
O DIODO UNIDADE II
kT
VT =
q
Onde:
k Constante Boltzmann (1,3810-23 J/K).
T Temperatura absoluta (K = C + 273).
q Carga do eltron (1,6 10-19 C).
Para polarizao direta, ,ou seja, VD >> nVT tem-se:
Figura 15. Curva caracterstica de polarizao do diodo (diretamente).
Regio de
polarizao direta
Regio de ruptura
A juno P-N polarizada reversamente
A polarizao reversa de uma juno PN acontece quando conectada ao terminal

positivo da fonte de alimentao a extremidade do semicondutor correspondente ao
material tipo N e o terminal negativo da fonte de alimentao na extremidade P do
material semicondutor.
Esta polarizao faz com que os eltrons livres da extremidade N se afastem da juno
em direo ao polo positivo da fonte e a lacunas, da regio P, se afastem da regio de
juno, consequentemente aumentando a largura da camada de depleo.
27
UNIDADE II O DIODO
Quanto mais alta a tenso reversa aplicada sobre a juno PN, mais larga se tornar a
camada de depleo, chegando ao pondo de ruptura, destruindo o componente.
Alguns tipos especficos de diodos, como o diodo zener, podem conduzir polarizados
reversamente sem que ocorra a ruptura da juno. A Figura 16 ilustra esta polarizao.
Figura 16. Polarizao reversa da juno PN.
P N
VD
Para polarizao reversa, ou seja VD < 0, tem-se:
Figura 17. Curva caracterstica de polarizao do diodo (reversamente).
Regio de Regio de
polarizao reversa polarizao direta
Regio de ruptura
Para fixar este conceito de polarizao das junes PN, recomendado que
assista ao breve vdeo no endereo:
<http://www.youtube.com/watch?v=e3aJOSD-6OQ>
28
O DIODO UNIDADE II
Ruptura por efeito avalanche
Ao aumentar indiscriminadamente a tenso reversa sobre o diodo, chegar ao ponto no

qual o diodo no suportar e atingir a ruptura da juno. Este fato ocorre na camada de
depleo quando um eltron ganha velocidade podendo desalojar um eltron da camada
de valncia. Com isso, o par de eltrons aumentar sua velocidade proporcionalmente
ao aumento da tenso reversa sobre a juno, desalojando mais eltrons da camada
de valncia. Desta maneira, chegar ao ponto que o diodo conduzir abruptamente
danificando o componente pelo efeito Joule.
Figura 18. Processo de desalojamento do eltron ocasionando efeito avalanche.
Deslocamento de
eltrons
ID
VD
BC
Fonte: Prprio autor
Caractersticas eltricas
Todo fabricante de componente eletrnico disponibiliza uma folha de dados na qual

informada todas as condies de funcionamento daquele dispositivo. Estas folhas de
dados devem ser observadas pelos projetistas eletrnicos para correta aplicao destes
componentes respeitando assim os parmetros eltricos no qual o componente foi
submetido.
Para os diodos, tm-se inmeros dados na qual impactam diretamente na correta escolha
do modelo a ser empregado. Podemos ver por meio do Quadro 1 alguns parmetros
eltricos de grande importncia que so fornecidos pelo fabricante.
Quadro 1. Parmetros eltricos disponibilizados pelos fabricantes.
Parmetros Descrio
VBR Tenso de Ruptura
VRWM Tenso Reversa Mxima de Trabalho
PIV Tenso de Pico Inversa
29
UNIDADE II O DIODO
Parmetros Descrio
PRV Tenso Reversa de Pico
BV Tenso de Ruptura
VRM Mxima Tenso Reversa
Fonte: Prprio autor
Simbologia
A Figura 19(a) ilustra o smbolo esquemtico representativo para um diodo retificador.

A extremidade P chamada de nodo e a extremidade N chamada de catodo. A Figura
19(b) ilustra um circuito simples com o diodo semicondutor polarizado diretamente e
um resistor limitador de corrente R1.
Figura 19. Simbologia e exemplo de circuito com diodo.
(a) (b)
Curva caracterstica do diodo
A Figura 20 ilustra a curva caracterstica de um diodo. Quando polarizamos este diodo

diretamente, ou seja, VD > 0, podemos notar no grfico que o fluxo de corrente pelo
diodo aumenta exponencialmente assim que a tenso VD aproxima-se de 0,7 V, tenso
de limiar de conduo para o diodo de silcio. Este limiar comumente conhecido como
tenso de joelho do diodo, logo o componente est atuando em sua regio de conduo.
Analisando novamente a curva caracterstica do diodo, quando este semicondutor

polarizado reversamente, ou seja, aumentando a tenso reversa gradativamente, pode-se
notar que o fluxo de corrente de fuga tende a ser muito pequeno, constante e desprezvel
(zona de bloqueio). Caso a tenso reversa continue a aumentar sem controle, chegar
ao ponto em que acontecer a ruptura do componente. Esta ruptura acontecer pela
ocorrncia de uma abrupta conduo reversa que acontecer pelo diodo desta forma
danificando o componente (zona de avalanche).
30
O DIODO UNIDADE II
Figura 20. Curva caracterstica do diodo.
Resistor de limitao de corrente

Como visto anteriormente, quando VD > 0,7 para os transistores de silcio, a nica
resistncia que a corrente direta pelo diodo encontrar ser a resistncia de corpo .
Vimos tambm que esta resistncia muito pequena, da ordem de alguns miliohms.
Para controlar a corrente direta sobre o diodo, evitando assim danos ao componente,
deve-se adicionar um resistor externo ao circuito, conforme mostrado anteriormente
pela Figura 19(b).
O valor da corrente resultante do circuito pode ser calculado por:

VS V D
ID =
R
Onde:
VS =V1,VD = VD1 e R = R1
Exemplo:
Na Figura 21, qual o valor da corrente direta ID pelo diodo?
Figura 21. Circuito para clculo de corrente pelo diodo.
31
UNIDADE II O DIODO
Soluo:
Para calcular o valor da corrente pelo circuito consideramos uma tenso sobre o diodo
de 0,7 volts, logo utilizando a frmula a seguir tem-se que:
V1 VD 10 0,7
=ID = = 9,3mA
R1 1k
Portanto,
A corrente que circular pelo diodo polarizado diretamente ser de 9,3 mA.
Diodos em tenso contnua
Quando aplicamos diodos em circuitos eletrnicos em regime contnuo normalmente

utilizamos em circuitos como:
protees contra inverso de polaridade;
circuitos de proteo entrada de sinais eltricos;
circuitos lgicos;
protees para circuitos integrados etc.
Figura 22. Algumas aplicaes para diodos em regime contnuo.
Diodos em tenso alternada
Os diodos utilizados para converterem uma tenso alternada em tenso contnua

so chamados de diodos retificadores. Suas principais aplicaes so em circuitos
retificadores empregados em fontes de alimentao. Estes circuitos retificadores tm
32
O DIODO UNIDADE II
a funo basicamente de converter a tenso alternada presente nas redes eltricas em

tenses contnuas. Podemos listar alguns destes retificadores:
retificador de meia onda;
retificador de onda completa com CT;
retificador de onda completa em ponte etc.
Figura 23. Algumas aplicaes para diodos em regime alternado.
33
CAPTULO 2
Transistor BJT
Os transistores so componentes semicondutores compostos por trs terminais e so

muito mais teis se comparados aos diodos. Podemos utiliz-los em circuitos como
amplificadores, circuitos lgicos, chaves eletrnicas, como diodos e mais uma infinidade
de aplicaes.
Juno PNP e NPN

O transistor bipolar de juno (Bipolar Junction Transistor BJT) um componente
semicondutore de trs terminais que consiste em duas junes PN. A base responsvel
por controlar o fluxo de corrente entre o emissor e o coletor. No emissor tem-se uma
dopagem mais forte, pois os eltrons partem de l para a outra regio onde est o
terminal de base. A base considerada fracamente dopada. Grande parte dos eltrons
que partiram do emissor chega ao coletor. Este possui uma dopagem intermediria,
entre os nveis de base e do emissor. A Figura 24 ilustra a estrutura de um transistor
NPN e outro PNP.
Figura 24. Junes PN internas de um transistor NPN e PNP.
Quando so implementados, em um material semicondutor, uma juno PN sabemos

que existir uma repulso interna entre os eltrons livres no material N que provocar
a difuso deste por meio desta juno dando origem a recombinao no lado P. Este
processo dar origem formao de duas camadas de depleo. O nvel de dopagem
das regies de emissor e coletor responsvel diretamente pelo dimensional destas
camadas de depleo, pois quanto mais portadores majoritrios uma regio possuir
34
O DIODO UNIDADE II
maior ser a quantidade de ons formados em uma regio de limiar de menor dimenso.
Importante lembrar que como nos diodos, as junes PN nos transistores provocaro
uma barreira de potencial de 0,7 volts. A Figura 25 ilustra as camadas de depleo
existentes na estrutura BJT.
Figura 25. Formao das regies de depleo da estrutura BJT.
Vimos anteriormente que o processo de insero de impurezas pentavalentes e

impurezas trivalentes no cristal de silcio conseguem transform-los em cristais
tipo N e tipo P. Como o transistor consiste de duas junes PN, ou seja, juno
emissor-base e a juno coletor-base, ou simplesmente juno de emissor e juno
de coletor, dependendo das condies de polarizao, direta ou reversa, tem-se
diferente modos de operao. Estes modos de operao do transistor BJT podem
ser vistos no Quadro 2.
Quadro 2. Modos de operao para os transistores BJT.
Modo de Polarizao Juno Emissor Base Juno Coletor - Base
Corte Reversa Reversa
Ativa Direta Reversa
Saturao Direta Direta
Regio de operao ativa Transistor utilizado como amplificador.
Regio de operao corte e saturao Transistor utilizado como

chave
35
UNIDADE II O DIODO
O transistor NPN
Figura 26. Transistor NPN no modo ativo conduo.
Quando se deseja que o transistor NPN opere na regio ativa necessrio polariz-lo
com uma fonte aplicada entre os terminas de base e emissor, VBE, e outra aplicada entre
os terminais de coletor e base, VCE. A tenso VBE produz um potencial maior de base
em relao ao emissor, desta forma polarizando a juno de forma direta. J a tenso
entre coletor e base, VCB, produz um potencial de coletor maior que o potencial da base,
assim, essa juno coletor base estar polarizada no modo reverso.
Ao polarizar diretamente a juno base emissor inicia-se a circulao de uma corrente

de eltrons injetados do emissor base e outra de lacunas injetadas da base no emissor.
Os eltrons so portadores majoritrios de corrente no cristal do tipo N na regio do
emissor e quando atingem a regio da base so submetidos a duas foras de atrao.
Uma delas o terminal da fonte emissor base, VEB e a outra o terminal positivo da fonte
coletor base, VCB. Os eltrons que atingem a regio da base se deslocam em alta velocidade
e a sua grande maioria atrada pelo potencial mais alto do coletor atravessando a
regio de base no sentido do coletor. Como o cristal da base extremamente fino, os
eltrons que saem do emissor tm facilidade de passar atravs dele, para o coletor.
Alguns eltrons, contudo, penetram na base e so atrados pelo terminal positivo da
fonte VEB, formando a corrente de base. Os eltrons que passam atravs do coletor e
entram na fonte VCB e produzem a corrente de coletor. Cada eltron que deixa o coletor
deve ser substitudo por um eltron no emissor para produzir um fluxo contnuo de
corrente. A fonte conectada entre emissor e base ir controlar a quantidade de eltrons
que entram no emissor e consequentemente a corrente que sai no coletor.
36
O DIODO UNIDADE II
O transistor PNP
Figura 27. Transistor PNP no modo ativo conduo.
Como podemos visualizar na Figura 27 que para o transistor bipolar PNP, o emissor
e o coletor so compostos por materiais do tipo P e a base por material semicondutor
tipo N. Para conduo do transistor PNP no modo ativo a juno emissor base est
polarizada diretamente e a juno coletor base polarizada reversamente, da mesma
forma que ocorre com o transistor do tipo NPN, porm com as polaridades das fontes
invertidas. Os portadores majoritrios no cristal do tipo P so lacunas. A polarizao
direta na juno emissor base faz com que as lacunas sejam aceleradas para a base.
A maioria das lacunas penetra na base do cristal chegando ao coletor. As lacunas que
chegam ao coletor so preenchidas por eltrons provenientes do terminal negativo da
fonte de coletor. Esses eltrons se deslocam atravs da fina camada de base em direo
ao emissor. Alm disso, uns poucos eltrons entram na base, provenientes da fonte
emissor base e combina-se com as lacunas que no penetram em direo ao coletor.
Todos os eltrons que chegam ao emissor so atrados para o terminal positivo da fonte
VEB. Cada eltron que passa do emissor para a fonte VEB, deixa uma lacuna em seu lugar.
As lacunas movimentam-se atravs da base em direo ao coletor onde se recombinam
com os eltrons que entram no coletor.
Simbologia e fluxo de correntes pelo transistor BJT
A simbologia dos transistores NPN e PNP pode ser vista pela figura 28. As setas
representam o terminal referente ao emissor e seu sentido indica a corrente no modo
convencional, ou seja, para os transistores NPN elas saem em direo ao circuito e
para os transistores PNP elas entram dos circuitos externos em direo base e
principalmente ao coletor.
37
UNIDADE II O DIODO
Figura 28. Sentido das correntes nos transistores bipolares BJT.
A Figura 28 apresenta o sentido real e convencional das correntes para os transistores

NPN e PNP. Considerando o sentido real, para um transistor NPN a corrente entra
pelo terminal de emissor uma pequena parte sai pelo terminal de base e seu maior
fluxo sai pelo terminal de coletor. No caso dos transistores PNP a corrente entre pelos
terminais de base e coletor e sai pelo terminal de emissor. Para anlise de circuitos na
prtica utiliza-se convencionalmente o modo de circulao de correntes convencional.
Considerando o modo convencional, para um transistor NPN a corrente entrar no
componente pelos terminais de base e coletor saindo unicamente pelo terminal de
emissor. J para o transistor NPN, a corrente entrar apenas pelo terminal de emissor
e sara pelos terminais de base e coletor.
Considerando o sentido convencional das correntes e relembrando da lei das correntes

de Kirchhoff, que diz que o somatrio das correntes que entram em um n deve ser
igual ao somatrio das correntes que saem deste mesmo n, temos que:
Ie = Ib + Ic
A corrente de coletor de um transistor est relacionada diretamente corrente de base

e o ganho cc do transistor, tem-se dessa forma que:
I
CC =c
Ib
Tipicamente o ganho de corrente para transistores de baixa potncia varia de 100 a

300. Para transistores de alta potncia este ganho ainda menor, da ordem de 20 a
100. Podemos rearranjar a equao anterior de forma a calcular os valores de Ib e Ic
quando conhecido o valor de .
38
O DIODO UNIDADE II
Curvas de base do transistor BJT
Para a anlise das curvas de base e curvas de coletor estaremos utilizando o circuito
representado pela Figura 29 no qual composto por duas fontes onde uma estar
polarizando a juno base emissor e a outra polarizando a juno coletor emissor.
Figura 29. Transistor na configurao emissor comum para anlise das curvas de base e coletor.
Como a juno base emissor de um transistor BJT se trata na verdade de um diodo,

espera-se que a curva de base seja a mesma de um diodo. Ao plotarmos o grfico IB
x VBE no transistor NPN podemos notar este comportamento atravs da figura 30.
Importante mencionar que para cada valor de VCE tem-se uma curva de base, ou seja,
quanto maior a tenso no diodo de coletor, maior ser a regio de depleo dentro da
base do transistor.
Figura 30. Curva de base do transistor NPN.
Como a corrente de base formada pela recombinao dos eltrons livres injetados pelo
emissor com as lacunas da base, a corrente de Ib tende a diminuir. Com isso a tenso VBE
aumenta deslocando a curva de base para a direita. Este fenmeno conhecido como
Efeito Early.
39
UNIDADE II O DIODO
Para saber mais a respeito do Efeito Early, recomenda-se consultar o seguinte

site:
<http://en.wikipedia.org/wiki/Early_effect>
Transistor como chave
Uma das aplicaes mais simples e tambm mais utilizadas na eletrnica a

configurao do transistor como chave. Esta configurao, normalmente aplicada a
circuitos eletrnicos digitais permite que o transistor atue nas duas extremidades de
sua reta de carga, ou seja, na regio de corte e saturao.
Esta configurao permite que circuitos eltricos sejam acionados por componentes de
baixssimas potncias, como microcontrolodores controlando e acionando cargas de
grandes potncias. claro que nesse meio existem drives especficos para interfacear
esta transferncia de potncia.
Utilizaremos o transistor NPN para implementaes dos circuitos aqui abordados,

porm a mesma analogia deve ser feita para os transistores PNP, considerando suas
particularidades de polarizao. A Figura 31 ilustra uma chave eletrnica na qual
controlada por um sinal digital de baixa tenso inserido na base do transistor e tendo
sua sada no coletor do transistor com nvel de tenso transladado para o desejado,
ambos referenciado ao terra.
Figura 31. transistor atuando como chave digital operando na regio de corte e saturao
O circuito apresentado pela Figura 31(a) representa o transistor aplicado como chave
digital. Sua regio de atuao est restrita apenas s regies de corte e saturao.
40
O DIODO UNIDADE II
Funcionamento
O sinal de entrada, sinal de controle para este circuito, acontece no terminal de base do
transistor. O sinal de sada capturado no terminal de coletor, transladado da tenso de
referncia, que aqui consideramos 0V, para a tenso de interesse, que para este circuito
de 30 volts, tenso da fonte V2.
O sinal de entrada, ou sinal de controle, tipicamente um sinal quadrado de amplitude

0 a 5 volts, nvel lgico TTL e duty cicle de 50%. Este sinal de entrada pode assumir
diversos valores, desde que esteja entre dois valores bem definidos e deve ser estabelecido
de acordo com a necessidade de cada circuito.
Quando o sinal de controle est em 0V, a tenso VB no terminal de base do transistor

est com 0V, logo no existir corrente na base do transistor, bem como tambm no
existir corrente fluindo pelo coletor do componente (IC=0A). Com isto a tenso VCE
passa a ser a tenso da fonte de alimentao e no existe queda de tenso sobre o
resistor RC. Portanto, a tenso de sada do circuito ser a tenso da fonte de alimentao,
representada na Figura 31b como a forma de onda (1). O transistor se comporta como
uma chave aberta.
Quando o sinal de entrada est em 5V, forma de onda representada pela Figura 31b
com forma de onda (2), existir uma corrente de base. Caso esta corrente de base seja
suficientemente alta para que o transistor Q1 sature, a tenso de VCE agora tender a 0V.
Logo uma corrente IC fluir levando a sada do circuito a um sinal prximo de 0 volts.
O limite desta corrente de coletor dado por meio do resistor de coletor RC. Portanto, o
transistor se comporta como uma chave fechada.
Condies para o correto funcionamento da chave

eletrnica
A principal condio para que o transistor opere como chave eletrnica ter certeza de
que o mesmo esteja saturando nas regies de corte e saturao. Para que o transistor
esteja totalmente saturado, deve-se garantir uma corrente de base que seja suficiente
para que isto ocorra. Uma regra utilizada na prtica para a escolha dos resistores RB e
RC para garantir a condio de saturao adotarem um para o transistor. Portanto
podemos agora calcular os componentes da seguinte forma:
O resistor RC representa a carga na qual se deseja acionar, logo se deve

conhecer seu comportamento quanto corrente necessria para seu
41
UNIDADE II O DIODO
acionamento ou sua respectiva resistncia interna. Esta corrente ser

representada por ICOPERACIONAL.
Calcular a corrente IB utilizando o = 10 adotado anteriormente. IB fica:
IC OPERACIONAL
Ib =

Por ltimo, deve-se calcular o valor de RB. Para tal, deve-se utilizar a Lei
de Ohm. Como sabemos que VBE = 0,7 volts, temos que:
VBB VBE
RB =
Ib
Em um transistor atuando como chave, o sinal de sada de coletor exatamente

o oposto do sinal de entrada aplicado na base do transistor. Seu limite de tenso,
para este exemplo, est limitado alimentao da fonte V2.
Acionamento de cargas com transistores
Comumente utilizam-se transistores atuando como chave para atuarem em circuitos

resistivos, indutivos e capacitivos, tais como:
acionadores de LEDs (lmpadas);
acionadores de cargas indutivas (motores);
acionadores de cargas capacitivas (banco de capacitores) etc.
Figura 32. Algumas aplicaes para transistores atuando como chave.
42
CAPTULO 3
Transistor de Efeito de Campo (JFET)
FET e Metal-xido-Semicondutor
(MOSFET)
Alm dos transistores bipolares, estudado no captulo anterior, existem tambm outros
modelos de transistores largamente utilizados na eletrnica industrial denominado de
FET (Field Effect Transistor). Estes transistores de efeito de campo no necessitam
de corrente de base para atuarem na saturao/corte e so largamente aplicados em
circuitos como chaves eletrnicas, retificadores, inversores e acionadores de carga no
ambiente industrial.
Os transistores de efeito de campo que estudaremos neste captulo sero os JFET

(Junction Field Effect Transistor) e os MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor). Estes transistores diferenciam dos transistores bipolares nas
seguintes caractersticas:
Ocupam menor rea de integrao nas pastilhas se comparado ao

transistor bipolar. Desta maneira, so amplamente utilizados para
integrao em larga escala (LSI).
Apresenta alta impedncia de entrada, na casa dos Megaohms.
Capacidade de dissipao de potncias elevadas e comutao de grandes

correntes, em fraes de tempos pr-estabelecidos.
Adequado para estgios de entrada de amplificadores de baixo rudo,

devido ser muito mais imune a rudos do que os BJTs.
Como todo componente eletrnico os FETs apresentam desvantagens, como apresentar

uma relativamente pequena banda de ganho em comparao com o BJT e maior
suscetibilidade a danos quando manuseado.
Transistor de efeito de campo de juno JFET

O transistor de efeito de campo de juno (JFET) um dispositivo de trs terminais
largamente utilizado na eletrnica desde circuitos de pr-amplificao a chaves
comutadoras em eletrnica industrial.
43
UNIDADE II O DIODO
A diferena fundamental dos transistores de efeito de campo comparados aos BJT que
os transistores BJT so dispositivos controlados por corrente enquanto os transistores
FETs so controlados por tenso. A corrente IC do transistor BJT em funo direta
do valor de IB enquanto para os FETs a corrente ID estar em funo da tenso entre os
terminais de Gate e Source (VGS) aplica ao componente.
Simbologia e fluxo de correntes
Assim como nos transistores BJT existem transistores NPN e PNP, para os transistores
JFET existem transistores canal N e canal P. Importante mencionar que como os
transistores de efeito de campo so componentes unipolares eles se tornam dependentes
somente da conduo realizada por eltrons, canal N, e lacunas, canal P. A Figura 32
ilustra um transistor JFET canal N e P bem como a incidncia da corrente de dreno no
componente.
Figura 32. Simbologia e fluxo de correntes no transistor JFET
Podemos notar que para o JFET canal N, quando aplicado uma tenso VGS suficiente
para que o mesmo sature, a corrente circular do terminal de dreno para o terminal
de Source (Fonte). Para o canal P o sentido de corrente se inverte, ou seja, entra pelo
terminal de Source e sa pelo terminal de dreno, ambos no sentido convencional.
Estrutura do transistor JFET
Podemos notar na Figura 33 que a estrutura de um transistor JFET canal N formada por
um material semicondutor N ou P inseridos sobre dois poos de material semicondutor
N ou P. Para facilitar a anlise estaremos explorando o transistor canal N, porm todas
as consideraes devem ser examinadas de forma anloga para o transistor canal P,
considerando suas diferenas de materiais semicondutores.
44
O DIODO UNIDADE II
Figura 33. Estrutura de um transistor JFET canal N e canal P.
Observe que para o transistor canal N, a maior parte da estrutura composta por
material semicondutor do tipo N, formando um canal entre os poos de material tipo
P correspondente ao terminal de Gate do transistor. Na parte superior do canal N est
localizado o terminal de Dreno enquanto que na parte inferior deste mesmo canal
encontra-se o terminal de Source (Fonte). Os dois poes formados por material do
tipo P, esto conectados entre si formando-se dessa forma o terminal de Gate (Porta).
Portanto, haver fluxo de eltrons entre Dreno e Fonte controlados atravs de um
potencial aplicado ao Gate em relao Fonte.
Condies de funcionamento
Para VGS = 0, VDS > 0
Ao aplicamos uma tenso positiva entre Dreno e Source (VDS) e conectando-se o Gate
ao terminal de fonte, tem-se a condio VGS = 0. Quando se aplica uma tenso VDS
maior que zero, os eltrons iniciam um fluxo para o terminal de Dreno, estabelecendo
uma corrente com sentido convencional ID. Lembrando que o fluxo de eltrons ocorre
no sentido real da corrente ID. Como Dreno e Fonte esto sob o mesmo material
semicondutor, ao estabelecer um fluxo de corrente, teremos que ID = IS).
Conforme a tenso VDS tende aumentar de zero para alguns volts, a corrente ID aumenta
conforme lei de ohm e quando VDS atingir um determinado valor definido por VP, as
regies de depleo tendem a se alargar, provocando uma reduo na largura do canal,
dessa forma aumentando a resistncia do canal.
45
UNIDADE II O DIODO
VP Tenso a qual resultar o estrangulamento do canal. Tenso est imposta por VDS.
IDSS Corrente mxima de Dreno para um JFET.
Apesar do estrangulamento do canal, ainda sim existir circulao de corrente ID,

definida por IDSS, mantendo assim um nvel de saturao.
medida que VDS continua a aumentar ultrapassando os nveis de VP, a regio de

confronto entre as duas regies de depleo aumenta em comprimento ao longo do
canal, mas o nvel de corrente ID permanece o mesmo. Portanto, uma vez estabelecido
VDS > VP, o transistor FET apresenta caractersticas de uma fonte de corrente. Todavia,
a corrente permanecer constante em ID = IDSS, mas a tenso VDS ser determinada pela
carga. A Figura 34 ilustra esta caracterstica.
Figura 34. JFET com caractersticas de fonte de corrente.
Para VGS < 0
Para um transistor JFET canal N, no qual estamos considerando, a tenso de controle

VGS inserida cada vez mais negativa, a partir de VGS = 0. Em outras palavras o terminal
de Gate estar cada vez mais em potncias menores se comparado ao terminal de Fonte.
A polarizao negativa ir estabelecer regies de depleo semelhantes ao obtidos

quando VGS = 0, porm com nveis menores de VDS. Portanto, o resultado de aplicao
de uma fonte negativa no terminal de Gate alcanar condies de saturao em
nveis menores de VDS. Quanto mais negativos forem os valores de VGS, maior ser o
estrangulamento do canal.
46
O DIODO UNIDADE II
O nvel da tenso VGS que resulta em ID = 0 definido por VGS = VP, onde VP sendo
uma tenso negativa para JFETs de canal N e uma tenso positiva para JFETs de
canal P.
Figura 35. Regio hmica e de saturao de um transistor JFET
O fato de VGS ser negativo faz com que a corrente atravs de Gate seja desprezvel,
garantindo assim uma altssima impedncia de entrada (ZIN). Essa resistncia pode ser
calculada por meio da tenso mxima VGS, que causa o corte do JFET (com VDS = 0) e da
corrente de corte de Gate IGSS.
VGS
Z IN =
I GSS
Exemplo:
Dado um transistor JFET BF245 para VGS = 20V, com VDS = 0, tem-se IGSS = 5nA. Calcule
a impedncia de entrada:
Soluo:
Aplicando a expresso definida anteriormente, teremos que ZIN ser:
VGS 20
=
Z IN = = 4 G
I GSS 5 109
47
UNIDADE II O DIODO
Alguns parmetros eltricos dos JFETS
Quadro 3. Parmetros eltricos dos transistores JFET.
Parmetros Descrio
IDSS Mxima corrente que o JFET pode produzir, no qual ocorrer o estrangulamento do canal quando VGS
= 0.
VP0 Tenso mxima de saturao ou de estrangulamento (Pinch-off).
VP Tenso na qual ocorrer o corte do transistor JFET
BVDSS Tenso de ruptura do transistor para VGS = 0
Transistor de efeito de campo metal-xido-

semicondutor (MOSFET)
Vimos anteriormente no transistor JFET que para os transistores de efeito de campo

a corrente est associada ao transporte por conduo de um nico tipo de portadores
de carga, os maioritrios nessa regio do semicondutor. Dentre os vrios tipos de FETs
existentes o mais importante, sob o ponto de vista das aplicaes, o MOSFET (Metal
Oxide Semiconductor Field Effect Transstor). No MOSFET normalmente o material
semicondutor o Silcio, os contatos metlicos so de Alumnio e o isolante um xido
de Silcio.
Simbologia e fluxo de correntes
Na Figura 36 temos a simbologia para os transistores MOSFET de quatro terminais:
Figura 36. Simbologia para os transistores MOSFET canal N e P de trs terminais.
Existem Simbologias no qual apresentam quatro terminais ao invs de trs. Este

terminal a mais referente a um terminal do substrato sob o qual o componente foi
fabricado.
48
O DIODO UNIDADE II
Estrutura do MOSFET
Podemos visualizar atravs da Figura 37 a estrutura interna de um transistor MOSFET

canal N, pois o substrato ao qual foi construdo do tipo P. Para o caso de um transistor
canal P o substrato ser composto por material semicondutor tipo N.
Figura 37. Estrutura interna de um transistor MOSFET canal N.
Nos transistores MOSFET assim como nos JFETs, estudado anteriormente, para que
exista fluxo de corrente entre Dreno e Fonte necessria formao de um canal a
qual sua largura ou resistncia, a passagem da corrente, ser controlada pelo terminal
de Gate. Este canal consiste numa regio do semicondutor, junto ao xido, em que os
portadores maioritrios so do mesmo tipo dos das regies fortemente dopadas onde
esto conectados os terminais de Fonte e Dreno.
O terminal de Gate est interligado ao xido por isso diz-se que a corrente de IG
desprezvel. O terminal B, denominado de corpo, est interligado ao substrato, para
dispositivo de quatro terminais. Geralmente este terminal encontra-se em curto com o
terminal de Fonte (S), logo a tenso VBS ser zero.
Podemos notar tambm por meio da Figura 37 os sentidos convencionais nos quais as
correntes incidem sob este componente.
Princpio de funcionamento do MOSFET
Nos transistores MOSFET para que acontece a conduo necessrio estabelecer um

canal entre Dreno e Fonte. Quando este canal est formado no haver conduo. Para
qualquer valor de VDS, haver uma das junes internas sempre polarizadas inversamente
sendo o valor mximo da corrente o valor da juno com polarizao inversa. Caso
seja superior aos valores recomendado pelo fabricante a juno se romper por efeito
49
UNIDADE II O DIODO
avalanche. Assim que inserido nveis de tenso no terminal de Gate, referente Fonte
e Dreno, aparecer um campo eltrico na superfcie do xido para o semicondutor
iniciando assim a acumulao de carga negativa no substrato em uma regio prxima
do plano de separao xido-semicondutor. Esta carga ser formada por eltrons que
se localizam numa regio estreita prxima ao plano de separao.
Estes eltrons acumulados junto superfcie de separao xido-semicondutor, ao

estarem presentes em quantidades elevadas, daro origem a um canal de condutividade.
Logo a aplicao de uma tenso entre VDS originar uma corrente de Dreno, ID.
Para as anlises a seguir considera-se VT como sendo a tenso de limiar de saturao

para o transistor, logo teremos que:
Condio de saturao
Para o MOSFET teremos que VGS > VT e VDS > VGS VT. Assim ocorrer a formao de
canal entre Dreno e Fonte. Assim, haver a ocorrncia de corrente de Dreno, ID, devido
aos eltrons que constituem o canal e que apresentam densidade muito dos portadores
minoritrios do substrato (Canal totalmente formado).
A relao ID(VDS) a VGS constante dever ser aproximadamente linear pois o canal
comporta-se como uma resistncia constante. Um aumento de ID com VGS, para
cada valor de VDS pode acontecer, pois para valores de VGS maiores, mais largo ser
o canal correspondendo a uma resistncia (RDSON) cada vez menor. Esta resistncia
tipicamente da ordem de miliohms e informada pelos fabricantes atravs de folhas de
dados do componente.
Condio trodo
Para caractersticas de VDS prximas a VGS, o transistor possui caractersticas de largura

de canal varivel estreitando a juno localizada na regio de Dreno. Se comparado
situao anterior, o canal possuir resistncia maior. Logo, o canal deixar de
se comportar de forma linear, ao passo que a resistncia do canal se torna varivel.
Ao continuarmos a aumentar a tenso VDS chegar a uma situao em que o canal
encontrara-se estrangulado. Com isso o transistor estabelece caractersticas de uma
fonte de corrente controlada.
A tenso VDSSAT, conhecida como tenso VDS de saturao, e a tenso do nvel a que
se estabelece a conduo de estrangulamento do canal junto ao terminal de dreno. A
corrente de Dreno designada de corrente de saturao de Dreno, IDS.
50
O DIODO UNIDADE II
Considerando que VT o valor mnimo de tenso para que se garanta a formao do

canal nos transistores MOSFET, podemos dizer que a saturao nesta regio ser
atingida, para a condio em questo, mediante a:
VGS > VT
Logo se tem que:
VDSAT < VGS VT
Para a regio limiar entre regio de saturao e trodo tem-se:
= VGS VT
VDSAT
Condio corte
Regio de atuao do transistor MOSFET em que o componente encontra-se desligado.

Para tal a condio ser de VGS < VT. Quando o dispositivo aplicado em circuitos como
chaves eletrnicas este estado o interessado juntamente com o estado de saturao
total.
Quando desejado o desligamento do componente, circuitos de comando devero

garantir a condio em que a tenso aplicada ao terminal de Gate do transistor seja
menor que a tenso mnima para saturao, VT. A Figura 38 ilustra a curva caracterstica
I x V de um transistor MOSFET canal N no qual exemplifica todas as trs regies de
operao.
Figura 38. Curvas Caractersticas ID VDS (MOSFET) Canal N
Fonte: <http://macao.communications.museum/por/exhibition/secondfloor/moreinfo/2_10_4_HowFETWorks.html>
51
UNIDADE II O DIODO
MOSFET canal N atuando como chave
No exemplo a seguir estaremos verificando uma aplicao de um transistor MOSFET

canal N atuando como chave no acionamento de uma carga puramente resistiva. A
Figura 39 ilustra esta aplicao.
Figura 39. MOSFET canal N atuando como chave; (a) Circuito sob teste; (b) Simulao de tenso VT e (C) Resposta
de entrada/sada como chave.
Podemos notar na Figura 39(a) o circuito utilizado para simular o funcionamento como
chave e determinao de seus estados de operao. Na Figura 39(b) levantou-se as
regies de operao variando a tenso VGS e monitorando o sinal de sada do circuito. Na
Figura 39(c) ilustra-se a resposta do sinal de sada para um sinal de entrada variando
de 0 a 5V. Importante lembrar que o sinal de sada o inverso do sinal de entrada.
Alguns parmetros eltricos dos MOSFETS
Quadro 4. Parmetros eltricos do transistor FDN327P.
Parmetros Descrio
VGS(TH) Tenso de limiar de Gate para saturao
VSD Tenso direta entre Dreno e Fonte
RDS(ON0 Resistncia esttica entre Dreno e Fonte.
ID(ON) Corrente de direta de Dreno
BVDSS Tenso de ruptura do transistor para VGS = 0
52
O DIODO UNIDADE II
Para saber mais a respeito dos parmetros eltricos do transistor FDN327N,

acesse os seguintes sites:
<https://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDN327N.pdf>
<http://www.nxp.com/documents/selection_guide/75017357.pdf>
53
CAPTULO 4
Tiristor (SCR)
O Tiristor um nome dado a uma famlia de componentes semicondutores formados

por um conjunto de quatro camadas (PNPN), com trs junes e trs terminais, nos
quais so denominados de Anodo (A), Catodo (K) e (Gate)(G).
Um dos componentes da famlia dos Tiristores que veremos neste captulo ser o SCR.
O componente Tiristor SCR (Silicon Controlled Rectifier) foi desenvolvido em 1957
por engenheiros da Bell Telephone Laboratory, nos Estados Unidos, e no cenrio
da eletrnica industrial e de potncia o um dos componentes mais utilizados para
circuitos de acionamento e controle.
O Tiristor SCR funciona analogamente a um diodo, porm possui um terceiro terminal

conhecido como Gate. Este terminal tem como principal funo estabelecer o controle
de disparo ao componente. Portanto para que o SCR conduza este terminal deve receber
um sinal de gatinho, um pulso entre Gate e Catodo.
Todo SCR considerado um Tiristor, porm nem todo Tiristor um SCR.
Caractersticas dos SCRs

Como os SCRs tm sua principal aplicao em circuitos de converso e controle de
grandes potncias, geralmente em sistemas de regime contnuo ou alternado, podemos
observar algumas caractersticas que permitem que este componente seja considerado
o semicondutor mais utilizado da famlia dos Tiristores, logo:
Possui comportamento de chaves eletrnicas biestveis, atuando como

chave fechada quando estiver conduzindo e como chave aberta quando
no estiver em processo de conduo.
So componentes semicondutores de trs terminais formados por quatro

junes (PNPN).
Possui alta resposta de comutao.
Como um semicondutor baseado em silcio e formado por junes PNs,

afetado pela variao da temperatura.
54
O DIODO UNIDADE II
Aplicaes tpicas como: fontes regulveis, controle de motores,

inversores etc.
Simbologia
A Figura 40(a) ilustra o smbolo esquemtico representativo para um Tiristor SCR. A

extremidade A chamada de nodo, a extremidade C chamada de catodo e o terminal
G chamado de Gate. A Figura 40(b) e 40(c) ilustra a estrutura interna de formao de
um SCR (formado pelas junes PNPN) e suas distribuies no componente.
Figura 40. Simbologia e estrutura do SCR.
Polarizao direta SCR
A polarizao de um Tiristor SCR de forma direta acontece quando aplicado o potencial

mais positivo da fonte de alimentao no nodo e o potencial mais negativo no Catodo,
conforme indicado pela Figura 41(a). Como o terminal de Gate do componente est
aberto, o SCR encontra-se cortado ou bloqueado ou ainda desligado. Podemos notar
que para polarizao direta, os diodos formados pelas junes PNs (J1 e J3) estaro
polarizados diretamente enquanto o diodo J2 estar polarizado reversamente. Pode-se
verificar esta polarizao por meio da Figura 41(b). Na Figura 41(c) podemos verificar
o efeito da polarizao sobre as junes PNs semicondutoras do SCR. O resistor R1
foi inserido ao circuito com objetivo de atuar como um limitador da corrente direta
pelo componente SCR, quando este mesmo estiver em regime de conduo. A queda
de tenso sobre o SCR da ordem de 1V, podendo variar de acordo com o modelo
desenvolvido pelo fabricante.
55
UNIDADE II O DIODO
Figura 41. SCR polarizado diretamente.
Mesmo o SCR polarizado diretamente estando cortado, existe uma pequena

corrente de fuga direta que flui do nodo para o Catodo, denominada de IF
(Forward Current). A tenso VAK no infinita. Seu valor determinado pelo
fabricante do componente e caso esta tenso seja superior ao recomendado, a
juno formada pelo resistor J2 poder se romper.
Polarizao reversa SCR
A polarizao reversa de um Tiristor SCR acontece de forma inversa polarizao

direta, ou seja, quando for aplicado o potencial mais positivo da fonte de alimentao
no Catodo e o potencial menos positivo no nodo, conforme indicado pela Figura 42(a).
Como anteriormente o SCR se encontra bloqueado, terminal de Gate aberto. Para a
polarizao reversa, apenas o diodo J2 formado pelas junes PNs estar polarizado
diretamente, quando os diodos J1 e J3 estaro polarizados reversamente. Pode-se
verificar esta polarizao atravs da Figura 42(b). Na Figura 42(c) podemos verificar
o efeito da polarizao sobre as junes PNs semicondutoras do SCR. O resistor R1
inserido para limitar a corrente direta pelo componente.
56
O DIODO UNIDADE II
Figura 42. SCR polarizado reversamente.
Mesmo o SCR polarizado reversamente estando cortado, existe uma pequena

corrente de fuga reversa que flui do catodo para o nodo, denominada de IR
(Reverse Current).
Modo de disparo SCR
Para que o SCR possa ser acionado, ele deve estar polarizado diretamente, logo o
componente poder entrar em operao (entrar em conduo) das seguintes maneiras:
T3. Corrente de gatilho IGK Pulso no Gate
Este mtodo de disparo o mais utilizado no acionamento de um SCR. Trata-se da

insero de um sinal de corrente (pulso de tenso) no seu terminal de gatilho (Gate).
Este pulso de tenso polarizar diretamente o diodo J2, formado pelas camadas N e P,
levando desta forma o SCR conduo. Ao ser acionado via pulso em seu terminal de
Gate, o SCR continuar conduzindo enquanto existir corrente entre os terminais de
nodo e Catodo. Quando esta corrente no estiver mais presente, o SCR ser cortado,
ou seja, bloqueado. Para um segundo acionamento, deve-se gerar novamente um pulso
no terminal de Gate que seja capaz de vencer as barreiras de potenciais sobre o mesmo
para que assim o SCR volte a conduzir.
57
UNIDADE II O DIODO
Quando polarizado reversamente o SCR funcionar como um diodo, bloqueando a

passagem da corrente, mesmo inserindo um pulso em seu terminal de Gate.
Como o terminal de Gate do SCR se assemelha a uma juno PN de um diodo e como

sabemos que uma juno PN submetida a uma variao de temperatura altera-se sua
barreira de potencial, logo a tenso necessria no terminal de Gate para acionamento
do SCR poder variar conforme a temperatura.
Como a juno Gate-Catodo trata-se de uma juno PN de silcio, a barreira de

potencial necessria ser de 0,7 V. Podemos encontrar as caractersticas necessrias
para acionamento do Gate do SCR observando a Figura 43.
Figura 43. Circuito para acionamento do SCR via pulso de no terminal de Gate.
Analisando a Figura 43, podemos notar que a tenso VD necessria para acionar o SCR
ser:
=
VD I D RD + 0,7V
Exemplo:
Dado o circuito mostrado pela Figura a seguir encontrar a tenso mnima para que o
SCR seja acionado.
58
O DIODO UNIDADE II
Figura 44. Circuito de acionamento de SCR.
Soluo:
Aplicado a expresso definida anteriormente, teremos que a tenso aplicada no Gate

do SCR ser:
V=
D I D RD + 0,7V= 4,3mA 1k + 0,7
= 5V
Figura 45. Forma de onda da tenso no Gate e no nodo do SCR.
Figura 46. Forma de onda da corrente no Gate e no nodo do SCR.
59
UNIDADE II O DIODO
Disparo por sobretenso
Este tipo de disparo do SCR se dar quando o valor da tenso VAK for maior que o
valor da tenso mxima de ruptura direta VDRM percorrendo pelo componente uma
corrente de fuga suficiente para que SCR entre em conduo assumindo caractersticas
semelhantes a um diodo de potncia. Pode-se fazer uma analogia, para este modo de
disparo, a dois transistores conforme ilustrado pela Figura 47.
Figura 47. Modelo equivalente de um SCR representado por 2 transistores complementares.
Considerando a representao do SCR atravs dos transistores, podemos considerar o

quo grande for as correntes de fuga ICB1 (corrente da juno coletor-base do transistor
Q1) e ICB2 (corrente da juno coletor-base do transistor Q2) pelos transistores que
podero levar os transistores saturao. Ao passo que a tenso VAK aumenta com o
SCR polarizado diretamente, aumenta o nmero de eltrons livres que estaro sendo
atrados, por meio do catodo (polo negativo da fonte de alimentao) para o terminal de
nodo (polo positivo da fonte de alimentao). A entrada do componente em conduo
ocorre quando os eltrons livres prximos da juno dois so suficientes para romp-la,
estabelecendo o fluxo de eltrons do catodo para o nodo. Este tipo de disparo diminui
a vida til do componente, portanto deve ser evitado. A aplicao de uma sobretenso
reversa, ou seja, uma tenso nodo catodo maior que o valor mximo da tenso de
ruptura (VRRM ou VBR) danificar o componente.
Disparo por dV/dt
Este disparo indesejado pode ocorrer quando a taxa de crescimento da tenso VAK no
tempo acontecer de forma brusca (subida da tenso muito rpida) levando o SCR
60
O DIODO UNIDADE II
conduo. Este valor mximo da taxa de crescimento ou decaimento da tenso (dV/

vt) fornecido pelo fabricante por meio das folhas de dados do componente. Uma
alternativa para minimizar este efeito colateral a insero de um circuito RC em
paralelo ao componente. Este tipo de disparo deve ser evitado, pois poder levar o
componente queima prematura ou disparos intempestivos.
Disparo por sobretemperatura
Este disparo pode acontecer quando o ambiente em que se encontra o SCR est com
nveis de temperaturas elevadas, desta forma as correntes de fuga se tornam maiores
iniciando a quebra das ligaes covalentes no cristal de silcio. Essas quebras das
ligaes covalentes no cristal proporcionaro um aumento do nmero de eltrons
livres que, consequentemente implicar em aumento da corrente de fuga. Em um
determinado instante esta corrente ser grande suficiente para levar o componente
conduo. Este tipo de acionamento deve tambm ser evitado, pois geralmente
danifica o componente.
Comutao
O desligamento do SCR normalmente chamado de comutao, ou seja, a comutao

significa levar o SCR do estado de conduo para o estado de bloqueio. Como o SCR
comporta-se como uma chave de reteno, uma vez conduzindo, o terminal de Gate
perde o controle sobre o componente. Desta forma, a comutao do componente s
ir ocorrer quando a corrente IAK for menor que a corrente de manuteno IH (IAK ~ 0)
durante um determinado tempo. Este tempo o necessrio para o desligamento do
SCR, Toff. Este tempo est na ordem de 5 a 100 s.
Comutao natural
A comutao natural acontece quando a corrente IAK for reduzida a valores abaixo
da corrente de manuteno IH. Geralmente a corrente de manuteno da ordem de
1000 vezes menor que a corrente nominal do SCR. Esta comutao geralmente ocorre
em circuitos cuja fonte de alimentao possui caracterstica senoidal. Considerando
a alimentao de um circuito com SCR por uma alimentao alternada de 60 Hz, a
corrente IAK passar por zero durante o ciclo, logo ser suficiente para comutao do
componente. Este tipo de comutao bastante utilizado em conversores CA/CC.
61
UNIDADE II O DIODO
Figura 48. Exemplo de computao natural do SCR.
Fonte: Prprio autor
Comutao forada
Este tipo de comutao acontece quando a fonte de alimentao do circuito possui

caractersticas contnuas. Logo deve-se criar meios para que a corrente IAK reduza-se a
zero, por instantes, de forma que assim o componente possa ser comutado. Podem-se
utilizar formas para que isto ocorra como:
Desviar a corrente por caminhos de menor impedncia, fazendo que IAK

< IH.
Aplicar uma polarizao reversa forando-se assim o componente a atuar

na regio reversa, desse modo IAK < IH.
A Figura a seguir ilustra um tipo de comutao forada mediante de chave que assim
que acionada permitir desviar totalmente a corrente antes pelo SCR agora totalmente
para GND, dessa forma IAK < IH levando assim o componente ao bloqueio.
Figura 49. Exemplo de comutao forada por chave.
62
O DIODO UNIDADE II
Caractersticas estticas
Como todos os componentes semicondutores, os SCRs tambm possuem limites de
tenso e correntes que o componente suporta e devem ser respeitados para que a vida
til do componente perdure por tempos evitando assim estragos indesejados devido
m utilizao. Estes limites so na verdade as caractersticas estticas do componente e
podem ser ilustradas na curva I x V, representada pela a seguir.
Figura 50. Curva caracterstica I x V para um SCR real.
Podemos verificar por meio da Figura 50 que um SCR real possui trs regies,
dependendo de sua polarizao, so elas:
bloqueio em polarizao reversa curva 1;
bloqueio em polarizao direta curva 2;
conduo em polarizao direta curva 3.
Principais parmetros eltricos

Os principais parmetros fornecidos pelos fabricantes podem ser vistos assim como
suas terminologias atravs do Quadro 5.
Quadro 5. Principais parmetros eltricos para os SCRs.
Parmetro Significado Unidade

VF Forward Voltage Tenso entre nodo e catodo quando SCR V
estiver em conduo
VTO Turn-on Voltage
VRRM ou VBR Reverse Breakover Voltage Mxima tenso de ruptura reversa V
VDRM ou VBO Breakover Voltage Mxima tenso de ruptura direta V ~ KV
IR Reverse Current Corrente de fuga reversa mA
IF Forward Current Corrente de fuga direta mA
IGK ou IG Gate Current Corrente de Gate mA ~ A
IL Latching Current Corrente de reteno A ~ mA
IH Holding Current Corrente de manuteno A ~ mA
63
CAPTULO 5
GTO
Como vimos no captulo anterior, os Tiristores SCR permitem seu bloqueio apenas
quando a corrente IAK < IH. Logo, no existe a possibilidade de desligamento via terminal
de disparo (Gate).
Os Tiristores GTO (Gate Turn Off) so componentes que possuem caracterstica de

controle de conduo e bloqueio via terminal de Gate, ou seja, permite o desligamento
atravs de pulso de corrente negativa inserida ao seu terminal de controle.
Vantagens do GTO sobre os SCRs
elimina a necessidade de componentes de chaveamentos forados, desta

forma reduzindo o custo;
reduz rudos eletromagnticos e acsticos por no possuir deformao de

comutao (ressonncia);
chaveamento para estado de bloqueio rpido, permitindo operao em

altas frequncias;
maior eficincia;
melhor capacidade eficaz aos equipamentos de potncia como conversor;
possui uma vantagem em relao ao transistor bipolar quando utilizado

em baixa potencia etc.
Apesar de o GTO ocupar uma posio privilegiada em termos de potncia, o valor da

corrente de pico necessria para comut-lo ainda bastante elevada.
Caractersticas dos GTOs
A caracterstica do GTO na regio direta idntica a do SCR. Mas, na regio reversa, o

GTO no apresenta uma capacidade de bloqueio elevada (20V a 30V ) devido ao anodo
pequeno.
64
O DIODO UNIDADE II
Caractersticas de desligamento
Como o ganho do GTO no grande h a necessidade de pulso de corrente, negativa,

com grande amplitude para se desligar o componente. Esta amplitude de corrente
limitada pelo fenmeno Crowding e, portanto, existe uma corrente mxima de nodo
que garante o desligamento seguro do componente.
Os GTOs so utilizados em aplicaes de mdia a alta potncia. Geralmente so utilizados

como Snubbers para proteger o componente no desligamento, principalmente contra
sobre correntes; j que o Gate no desliga para correntes que excedem o valor mximo
especificado.
Caractersticas de chaveamento do GTO
Se comparado ao SCR o processo de disparo do GTO bastante semelhante. Deve-se

aplicar um pulso de corrente, positiva, no Gate do componente e ao final do disparo
total, apenas uma pequena corrente backparch current dever circular pelo mesmo.
Esta corrente necessria para evitar que o componente pare de conduzir. A Figura 51
ilustra as formas de onda de tenso e corrente no GTO durante o processo de disparo
no GTO.
Figura 51. Caractersticas de disparo de um GTO
Fonte: <http://profs.basu.ac.ir/deihimi/free_space/week_13_gto.pdf>
65
UNIDADE II O DIODO
Para o processo de comutao, ou desligamento, deve-se aplicar uma alta corrente,

negativa, no Gate do componente. Esta corrente da ordem de 1/5 a 1/3 do valor da
corrente que circula pelo GTO quando polarizado diretamente, ou seja, corrente IAK
em um pequeno intervalo de tempo. A seguir, a imagem ilustra as formas de onda de
tenso e corrente no GTO durante o processo de comutao no GTO.
Figura 52. Caractersticas de comutao do GTO
Fonte: <http://profs.basu.ac.ir/deihimi/free_space/week_13_gto.pdf>
Analisando as Figuras 51 e 52 podemos fazer algumas consideraes:
Storage Time (ts): a corrente negativa IG utilizada para remover

cargas armazenadas nas regies internas entre as junes PN do GTO.
Quando uma quantidade suficiente de cargas armazenadas for removida,
a corrente de nodo comea a diminuir.
Fall Time (tf): quando as cargas so removidas a corrente decresce

rapidamente. Este tempo cessa quando o excesso de portadores na
66
O DIODO UNIDADE II
juno Gate-Catodo so eliminados e a juno recupera sua capacidade

de bloqueio reverso.
Gate-Cathode Junction Avalanche Breakdown Time(tw2):

neste perodo a tenso VGK torna-se negativa e a corrente IG comea a
decrescer a uma taxa dIG/dt provocando a ruptura por avalanche da
juno Gate-Catodo. Esta ruptura por avalanche desejvel somente
neste intervalo, de forma a retirar o mximo possvel as muitas cargas
armazenadas no Gate e nas regies internas do GTO;
Anode Tail-Currente Time(ttail): o intervalo de tempo em que

circula uma corrente de nodo para o Gate, devido diferena de
potencial entre ambos. Este intervalo contribui com a maior dissipao
de potncia, durante o desligamento do GTO. Isto porque o intervalo
relativamente longo e a tenso sobre o GTO relativamente alta. Quando
a corrente de nodo fica abaixo de IH, a tenso VGK cai a um valor mnimo
e o GTO pode ser novamente disparado.
Simbologia GTO
A Figura 53 ilustra o smbolo esquemtico representativo para o GTO, bem como seu
circuito equivalente e a formao de sua estrutura interna. A Figura 53(a) ilustra o
smbolo esquemtico utilizado para representar um GTO. A Figura 53(b) ilustra o
circuito equivalente de um GTO atravs de transistores complementares e a Figura
53(c) ilustra a estrutura interna do componente.
Figura 53. Smbolo eltrico, circuito equivalente e estrutura interna de um GTO
Fonte: <http://ca.wikipedia.org/wiki/Usuari:Mcapdevila/Tiristor_GTO>
67
UNIDADE II O DIODO
Parmetros eltricos
No Quadro 6 estaremos listando os principais parmetros eltricos fornecidos pelo

fabricante referente aos GTOs. Importante lembrar que sempre que utilizarem este
componente em qualquer projeto eletrnico, deve-se verificar seus parmetros eltricos
para a correta escolha do melhor componente a ser aplicado.
Quadro 6. Alguns parmetros eltricos dos GTOs.

VGRM Peak gate reverse voltage Nvel de tenso reversa de pico no Gate repetitiva; a mxima tenso que permite V
ser aplicada na juno catodo Gate.
VDRXM Repetitive peak off state voltage Tenso de pico repetitiva de estado desligado; a mxima tenso instantnea V
permitida no estado desligado onde no poder ser maior que Dv/dt.
IT(AV) GTO thyristor average on state current Mxima corrente a circular continuamente quando GTO estiver em conduo A
ITQRM GTO thyristor maximum turn-off current Mxima corrente de desligamento permitida A
68
CAPTULO 6
IGBT
Um componente que basicamente a juno de dois transistores, MOSFET e BJT. O

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) associa as caractersticas de comando dos
transistores MOSFETs com as caractersticas de conduo dos transistores bipolares.
Assim, o IGBT agrega tambm a facilidade de acionamento dos MOSFETs e grande
impedncia de entrada com as mnimas perdas de conduo dos transistores BJT.
Como o IGBT rene as melhores caractersticas dos transistores MOSFETs e BJT, ele
se torna um componente bastante indicado para chaveamento de cargas com elevadas
correntes e em altas velocidades.
Vantagens de utilizao de um IGBT

Como o IGBT um componente comutador de alta potncia controlado por tenso,
logo requer que esta tenso de controle no terminal de Gate no possua grandes
quantidades de energia. Em conduo tem como grande vantagem as baixas tenses de
VCE tpicas da aplicao utilizando transistores BJT. Se comparados aos GTOs podemos
listar algumas vantagens:
maior velocidade de comutao;
maior impedncia de entrada (MOSFET);
maior controle quando aplicado em motores de induo;
maior velocidade de resposta;
possibilidade de implementao de modulao por largura de pulso etc.
Caractersticas estticas do IGBT

Acionado via fonte de tenso semelhante ao MOSFET.
Na regio de disparo via tenso VGE, na faixa de 12 V a 20 V, ir resultar

em uma tenso entre coletor e emissor de acionamento (VCEON) menor,
desta forma reduzindo as chamadas perdas de conduo.
Possui coeficiente de temperatura positiva, facilitando condies de

ligaes paralelas.
69
UNIDADE II O DIODO
Caractersticas dinmicas do IGBT
TD(ON ) Retardo de entrada para conduo.
TR Tempo de subida da corrente de coletor.
TD(OFF) Retardo em seu bloqueio.
TF Tempo de descida da corrente de coletor.
A corrente de carga normalmente da ordem de 20% de TOFF, onde ir controlar e

limitar o crescimento da frequncia em operao.
Simbologia e estrutura fsica de um IGBT
A Figura 54 ilustra o smbolo esquemtico representativo para o IGBT, bem como seu
circuito equivalente e a formao de sua estrutura interna. O smbolo esquemtico
representado pela Figura 54(a). Seu circuito equivalente (transistores MOSFET e BJT)
pode ser visto por meio da Figura 54b e a Figura 54c ilustra a estrutura interna do
componente.
Figura 54. Simbologia e estruturas de um IGBT.
Fonte: <http://pt.wikipedia.org/wiki/IGBT>
Se comparado ao transistor de efeito de campo, sua estrutura bastante semelhante,

porm teremos no IGBT uma dupla difuso, ou seja, uma regio do tipo P e outra do
tipo N. Abaixo da regio de Gate, uma camada de inverso pode ser formada a partir da
70
O DIODO UNIDADE II
aplicao de tenso entre o Gate e o Emissor da mesma forma que realizado em um

transistor MOSFET, fazendo assim o entrar em conduo.
A grande diferena entre as estruturas de um IGBT e um MOSFET a incluso de um

substrato P+ (regio fortemente dopada) no qual conectado o terminal de coletor.
O principal objetivo desta mudana a incluso de caractersticas bipolares ao
componente.
Processo de conduo do IGBT
O IGBT um componente bastante utilizado como uma chave, alternando os estados

de conduo e corte nos quais so controlados pela tenso de Gate, assim como feito
nos transistores MOSFET.
Ao aplicarmos uma pequena tenso de Gate, positiva em relao ao terminal de Emissor

internamente a juno J1 estar se polarizada reversamente, logo nenhuma corrente
ir circular de coletor para emissor. No entanto, a aplicao desta tenso positiva no
terminal de Gate far com que se forme um campo eltrico na regio de xido de silcio
responsvel pela repulso das lacunas pertencentes ao substrato tipo P e a atrao de
eltrons livres desse mesmo substrato para a regio imediatamente abaixo de Gate.
Enquanto no houver conduo de corrente na regio abaixo dos terminais de Gate, no

haver conduo de corrente entre o emissor e o coletor devido polarizao reversa da
juno J2, interna. A nica corrente que poder fluir entre o coletor e o emissor ser a
corrente de escape leakage.
Figura 55. Estrutura interna detalhada de um IGBT.
Fonte: <http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/igtb/Pagina_IGBT.htm>
71
UNIDADE II O DIODO
A curva caracterstica de corrente de coletor pela tenso de coletor para diferentes

valores de tenso de Gate pode ser vista por meio da Figura a seguir.
Figura 56. Curva caracterstica de um IGBT
Fonte: <http://pt.wikipedia.org/wiki/IGBT>
Principais parmetros de um IGBT
No Quadro 7 estaremos listando os principais parmetros eltricos fornecidos pelos

fabricantes referente aos IGBTs. Importante lembrar que sempre que utilizarem este
componente em qualquer projeto eletrnico, deve-se atentar para seus parmetros
eltricos para a correta escolha do melhor componente a ser aplicado.
Quadro 7. Parmetros eltricos do IGBT.

VCES Collector-to-Emitter Voltage Mxima tenso suportvel pelo IGBT entre coletor e emissor V
VCEON Collector-to-Emitter Saturation Mxima tenso entre coletor e emissor na regio de saturao V
Voltage
IC Continuous Collector Current Mxima corrente contnua de coletor A
ICM Pulsed Collector Current Mxima corrente pulsada de coletor A
72
CIRCUITOS UNIDADE III
RETIFICADORES
No Brasil, assim como em quase todas as localidades mundiais a distribuio da energia

eltrica at a chegada ao quadro de distribuies de nossas casas e afins so entregues
em formatos senoidais. Portanto, a maioria das aplicaes em eletrnica industrial
ser alimentada por tenses e correntes alternadas. Como os circuitos eletrnicos em
sua grande maioria necessitam de nveis de tenso constantes e de baixa amplitude,
necessrio converter estes correntes alternadas em contnua, dessa forma empregando
os circuitos retificadores.
Nesta unidade, iremos abordar os retificadores no controlados, formados

essencialmente por diodos e os retificadores controlados, formados normalmente por
Tiristores.
CAPTULO 1
Circuitos retificadores monofsicos no
controlados
Os circuitos retificadores monofsicos no controlados, no qual so utilizados

normalmente diodos como componente base, so encontrados em diversas
aplicaes, como o objetivo principal de converter tenses e correntes alternadas
em tenses e correntes contnuas. Esto presentes em circuitos de entradas de
fontes AC/DC chaveadas e lineares, carregadores de baterias, painis de controle
industrial etc.
Para este tipo de retificador, como o nome mesmo diz, os componentes de sada
de seu circuito no podem ser controladas.
73
UNIDADE III CIRCUITOS RETIFICADORES
Retificador monofsico de meia onda no

controlador
O circuito retificador de meia onda composto unicamente por um diodo alimentado

por uma fonte de tenso alternada.
Figura 57. Circuito retificador de meia onda.
Funcionamento do RMO
Quando a tenso alternada aplicada a entrada do retificador de meia onda estiver no

semiciclo positivo, o diodo D estar conduzindo e a tenso na carga ser igual tenso
de entrada descontando 0,7 V. Se a tenso de pico de entrada for muito maior que 0,7
V, a tenso na carga ser praticamente igual tenso de entrada. Quando a tenso de
entrada estiver no semiciclo negativo, o diodo estar polarizado reversamente, portanto
estar cortado e toda a tenso estar aplicada entre seus terminais; por isso, o diodo
deve ter uma tenso de ruptura maior que a tenso de pico de entrada.
Figura 58. Tenso de sada do RMO para tenso de entrada no semiciclo positivo.
74
CIRCUITOS RETIFICADORES UNIDADE III
Podemos notar por meio da Figura 58 que a tenso sobre a carga, ou seja, VO a
basicamente a mesma tenso contida no semiciclo positivo da tenso de entrada. Na
Figura 59 observamos os nveis desta tenso VO de sada do retificador de meia onda.
Figura 59. Formas de onda do retificador de meia onda.
O valor mdio da tenso de sada sob o resistor de carga para este retificador ser dado
por:
VP VP
=
VCC = eVef
2
Logo,
= V=
V MED CC 0,45Vef
O fato da tenso de sada, contnua, porm ainda ser pulsante, isto se d pela razo
da tenso de sada ainda ser dependente da componente alternada de entrada, desta
forma podemos determinar o valor da tenso eficaz de sada (VAC), para retificadores de
meia onda como sendo:
75
VP
V AC =
2
Podemos determinar a corrente mdia que passar pelo circuito como:
VCC
= I=
I MED L
R
RMO no controlado com carga RL
Podemos notar por meio da Figura 60 o mesmo retificador de meia onda no controlado
agora aplicado uma carga RL.
Figura 60. Retificador monofsico de meia onda no controlado com carga RL.
Quando um retificador alimenta uma carga puramente resistiva, atrasos entre tenses
e corrente so inexistentes, porm quando esta carga passa a ter um comportamento
indutivo, ocorrer um atraso da corrente em relao tenso. Por este motivo, o diodo
agora no bloquear mais quando t = . O bloqueio por parte do diodo ocorrer no
ngulo , superior a . Portanto, podemos notar que enquanto a corrente de carga no
se anula o diodo se manter em estado de conduo levando assim a tenso de carga
mantendo-se em estado negativo para ngulos superiores a .
Outro impacto negativo causado pela indutncia inserida ao circuito retificador

que a tenso mdia de sada ser reduzida, de forma que quanto maior a indutncia,
maior ser o ngulo presente ao circuito, maior ser a reduo da tenso de sada do
retificador.
76
Retificador monofsico no controlado de onda

completa em ponte
Para este circuito so utilizados quatro diodos no processo de retificao do sinal

alternado. Com a utilizao de mais dois diodos, se comparado ao retificador anterior,
fica eliminado a necessidade de utilizao de center tap, no transformador. A grande
vantagem da no utilizao desta topologia onda completa com center tap que a
tenso retificada na carga ser o dobro da tenso de um retificador de onda completa,
que utiliza tomada central.
Figura 61. Circuito retificador de onda completa em ponte.
Funcionamento
Ao aplicar uma tenso senoidal na entrada do transformador representado pela Figura

61(a), observamos que no semiciclo positivo os diodos D1 e D2 esto polarizados
diretamente, portanto conduzindo. Os diodos D3 e D4 esto polarizados reversamente,
portanto cortados. Pelo fato de D1 e D2 estarem conduzindo e em srie, obtm-se uma
queda de tenso sobre os diodos de 1,4V. Durante o semiciclo negativo, os diodos D1 e
D2 estaro polarizados reversamente, portanto cortados e os diodos D3 e D4 estaro
polarizados diretamente, portanto conduzindo. Em D3 e D4 tambm ocorrer uma
queda de tenso de 1,4 volts.
Portanto, para o retificador de onda completa em ponte, a tenso na carga ser:
2VP
= V MED
VCC = V=
0 = 0,9Vef

E sua corrente mdia ser:
V MED 0,9Vef
I=
MED =
R R
77
A mxima tenso de pico reversa que cada diodo retificador deve suportar para este
retificador de aproximadamente VP.
Aplicao com carga RL
Podemos verificar a seguir o mesmo retificador de meia onda no controlado agora

aplicado uma carga RL.
Figura 62. Retificador monofsico em ponte no controlado com carga RL.
A Figura 62(a) ilustra um circuito retificador no controlado em ponte bsico

alimentando uma carga RL. Na Figura 61(b) est representada a forma de onda incidente
a este circuito quando o mesmo estiver em regime permanente.
Podemos notar na Figura 61(b) que ao inserirmos o indutor ao circuito podemos obter
uma corrente de carga mais estvel, contnua. Portanto podemos ver que a ondulao
da corrente de sada, ripple de corrente, est proporcionalmente ligada indutncia
inserida ao circuito para os retificadores no controlados em ponte.
Sugerimos o enriquecimento de seus estudos a respeito de retificadores no

controlados, por meio dos seguintes sites:
<http://en.wikipedia.org/wiki/Rectifier>
<http://www.daenotes.com/electronics/basic-electronics/ac-dc-converters-
rectifiers>
78
CAPTULO 2
Circuitos retificadores monofsicos
controlados
Os circuitos retificadores monofsicos controlados so utilizados, principalmente,

quando se deseja obter um controle sobre a tenso de sada dos retificadores aplicado
ao seu acionamento. Tais acionamentos controlados podem ser mquinas operando
em regime contnuo, controle de temperaturas em fornos industriais etc. Todas estas
aplicaes mencionadas so necessrias para obtermos um controle sobre a tenso
de sada. Utilizaremos o Tiristor SCR para implementar os circuitos retificadores
controlados abordados neste captulo.
Para este tipo de retificador, como o nome mesmo diz, as componentes de

sada so objetivamente controladas para aplicaes que necessitam desta
caracterstica.
Retificador monofsico de meia onda controlado
O circuito retificador de meia onda controlado composto unicamente por um SCR

alimentado por uma fonte de tenso alternada. A Figura 63 ilustra o processo deste
retificador.
Figura 63. Retificador monofsico de meia onda controlador com Tiristor SCR.
79
Podemos notar na Figura 62(c) que durante o semiciclo positivo da tenso VS aplicada
entrada do retificador o SCR est polarizado diretamente. Para o SCR apenas a
condio de polarizao direta no suficiente para o mesmo entrar em conduo,
necessrio tambm inserirmos um pulso de corrente entre seus terminais de Gate e
Catodo para iniciar assim a conduo. Portanto, no intervalo (0 - Disparo ) o SCR no
estar conduzindo, ou seja, estar bloqueado. Com isso a tenso de sada VL ser zero.
Ainda no primeiro semiciclo de VS, passado algum tempo (Disparo), o circuito de controle
do SCR aplica um pulso de corrente IG entre os terminais de Gate e Catodo levando ao
SCR a conduo. Dessa forma, a tenso na carga VL ser basicamente igual tenso
aplicada na entrada do retificador (VS).
No semiciclo negativo da tenso de entrada, a tenso da fonte de entrada, VS, se torna

negativa, logo o SCR estar polarizado reversamente, ou seja, bloqueado. Assim,
durante este semiciclo a tenso e corrente de carga permanecero nulas. Apenas no
prximo ciclo positivo ao atingir o ngulo de disparo Disparo que ocorre novamente o
disparo e o processo continua.
Podemos verificar que variando o ngulo d, ou seja, (Disparo), podemos variar a tenso
mdia aplicada a carga resistiva R. Logo o valor mdio desta carga pode ser obtido por:
=
VL MDIO 0,225VS RMS (1 + cos d )
Onde VS RMS a tenso eficaz aplicada entrada do retificador.
Os ngulos mximos de disparo acontecem quando:
d = 0 (Circuito retificador no controlado);
d = (180) SCR totalmente bloqueado).
Podemos visualizar graficamente na prxima figura a tenso mdia de carga em funo

do ngulo de disparo do SCR (d).
Figura 64. Grfico representativo da tenso na carga em funo do ngulo de disparo.
80
A tenso mdia de sada dada em valor por unidade (p.u.). Logo, pode-se utilizar este
grfico para qualquer valor de tenso eficaz de entrada.
Suponhamos que o ngulo de disparo do SCR para uma determinada aplicao seja de
, ou seja, 90. Segundo o grfico representado anteriormente, obtemos um valor de

2
0,225. Assim, aplicando a frmula da tenso mdia de sada para uma tenso eficaz de
entrada de 180 volts teremos que:
=
VL MDIO 0,225VS RMS (1 + cos d )

VL MDIO = 0,225 180(1 + cos )
2
VL MDIO = 40,5V
RMO controlado com carga RL
Podemos observar por meio da Figura 65 o mesmo retificador de meia onda controlado
agora aplicado a uma carga RL.
Figura 65. Retificador monofsico de meia onda no controlado com carga RL.
Ao alimentar uma carga RL, o ngulo de defasagem da corrente em relao tenso de

entrada (), atravs do SCR maior que . Assim, enquanto a corrente direta pelo SCR
no se anula, a tenso da carga ser mantida praticamente igual tenso da fonte VS.
Como nos circuitos retificadores no controlados aplicados a circuitos RL, que o ngulo
maior que , a tenso de carga assume valores negativos. Logo, o valor mdio da
tenso de carga ser reduzido se comparado a uma carga puramente resistiva.
81
A tenso mdia de carga depende da tenso de entrada, do ngulo de disparo (d) e do

ngulo de atraso . Este ngulo , no entanto, depende apenas da carga RL. Portanto
podemos considerar que quanto maior a indutncia, maior ser o ngulo presente ao
circuito, consequentemente maior ser a reduo da tenso de sada do retificador.
Retificador monofsico controlado de onda

completa em ponte
Este retificador formado por quatro SCR que estaro sendo disparados em
determinados ngulos de forma a possibilitar um controle da tenso de sada. Os SCR
so comandados aos pares, T1-T4 e T2-T3.
Figura 66. Circuito e forma de onda retificador controlado de onda completa.
Funcionamento
Quando a tenso de entrada VS est no semiciclo positivo, os SCRs T1 e T4 devem ser

disparados criando assim um caminho para que as correntes circulem da fonte para a
carga. Como para este caso a carga puramente resistiva, o comportamento da corrente
anlogo ao da tenso, logo quando a corrente chega a zero o par de Tiristores cortado.
Quando VS estiver em seu semiciclo negativo o par de SCR T2-T3 deve ser disparado,
dessa forma levando os semicondutores a conduo. Com isso, as correntes continuaro
circulando da fonte para a carga sem interrupo.
A tenso de sada para este retificador pode ser controlada a partir do ngulo de disparo
(d) dos SCRs. O valor da tenso mdia de sada pode ser encontrado pela seguinte
expresso:
=
V L MDIO
0,45VS RMS (1 + cos d )
82
Onde VS RMS a tenso eficaz aplicada entrada do retificador.
Aplicao com carga RL
Na Figura 67 o retificador monofsico controlado em ponte agora alimentando uma

carga RL. Devido ao atraso da corrente em relao tenso, quando acontece a mudana
do ciclo positivo para o ciclo negativo da tenso de entrada VS, ainda sim circular
corrente pelos SCRs e pela carga RL. Enquanto essa corrente no se anular, a tenso
de carga se manter praticamente igual tenso de entrada VS. Assim que a corrente
se anular o par de SCR no qual estava conduzindo entrar em bloqueio anulando assim
a tenso sobre a carga RL. Para o semiciclo negativo deve-se fazer a mesma analogia.
Figura 67. Retificador controlado em ponte alimentado carga RL.
Na Figura 68, podemos verificar todo o funcionamento do circuito retificador em onda

completa, na forma contnua e descontnua.
Figura 68. Formas de onda para carga RL; (a) em conduo descontnua, e (b) em conduo contnua.
83
O fato de a corrente IL se anular antes da ocorrncia do prximo disparo no Gate

do SCR faz com que a conduo acontea de forma descontnua (Figura 68a). Como
vimos que quando maior o valor da indutncia presente na carga alimentada pelo
retificador, maior ser o atraso da corrente em relao tenso, de forma a no se
anular antes do prximo disparo do SCR, diz-se que a conduo acontece de forma
contnua (Figura 68b).
84
CONVERSO DE UNIDADE IV
ENERGIA
CAPTULO 1
Conversores AC-DC
Dentre os trs tipos bsicos de conversores de tenso, certamente o conversor de sinais

eltricos alternados para sinais eltricos contnuos, ou simplesmente AC-DC, o mais
amplamente utilizado nos equipamentos eletrnicos.
Figura 69. Representao em bloco de conversor AC-DC.
Estes conversores AC-DC podem ser tambm designados como retificadores de

sinais. Estes retificadores so justamente os estudados no captulo anterior, ou seja,
os retificadores monofsicos. Existem tambm os retificadores trifsicos aplicados a
redes trifsicas, nos quais tem o mesmo objetivo dos monofsicos, porm no foram
abordados por no se tratar do objetivo principal deste contedo.
Sempre que for necessrio conectarmos um dispositivo eletrnico rede de

distribuio eltrica fornecida pelas concessionrias eltricas, geralmente implica-se
que internamente haver um dispositivo de converso AC para DC.
Conversor AC-DC (Retificador de meia onda)
Estes conversores, retificadores de meia onda, so os conversores AC-DC mais simples

de serem implementados.
85
UNIDADE IV CONVERSO DE ENERGIA
Figura 70. Circuito bsico conversor AC-DC.
Podemos notar que na Figura 70(a) tem-se ilustrado o esquema eltrico referente ao
retificador de meia onda e na Figura 70(b) a tenso alternada de entrada e a tenso em
sua sada. Lembrando que para este exemplo, como a carga puramente resistiva, a
forma de onda da corrente a mesma forma de onda da tenso.
Podemos notar que uma desvantagem desta topologia de conversor que a mesma utiliza
apenas a metade do sinal AC disponvel em sua entrada, ou seja, conduz apenas quando
incide-se o semiciclo positivo, desperdiando dessa forma toda energia disponvel no
semiciclo negativo do sinal de entrada.
Outro ponto que podemos notar que o sinal de sada transformou-se em um sinal
contnuo, porm ainda com componentes alternadas. Isto ocorre pelo fato da no
insero de um capacitor de filtro ao circuito, de forma a permitir um sinal em DC_OUT
o mais contnuo possvel. Podemos verificar na Figura 71 o mesmo circuito da Figura
70a inserido filtro capacitivo para alisamento do sinal DC do secundrio.
Figura 71. Conversor AC-DC meia onda com filtro capacitivo.
Podemos notar que a partir do emprego do filtro capacitivo, o sinal de sada comea
a possuir caractersticas contnuas. Implementaes de outros circuitos, como
reguladores lineares low drop permitiro que este sinal DC_OUT tenha cada vez
mais ondulaes levando assim a tenso de sada o mais prxima possvel de um sinal
puramente contnuo.
86
CONVERSO DE ENERGIA UNIDADE IV
Conversor AC-DC (Retificador de onda completa

em ponte)
Este outro modelo de topologia de conversores AC-DC, tambm j estudado em

captulos anteriores pode ser visto na Figura 72.
Figura 72. Circuito conversor AC-DC onda completa.
Conforme observamos na Figura 72(a) representado o esquema eltrico referente

ao retificador de onda completa e na Figura 72(b) a relao entre as tenses de
entrada, alternada, e a tenso de sada, contnua, porm com componentes alternadas.
Considere-se a carga puramente resistiva.
Uma grande vantagem na utilizao desta topologia de conversores AC-DC a

utilizao de toda a energia entregue a sua entrada pelo sinal alternado proveniente
das concessionrias. Deste modo, teremos conduo em ambos os semiciclos dos sinais
de entrada, positivo e negativo, levando assim uma melhor eficincia se comparado
topologia meia onda.
Como mencionado na topologia meia onda, o sinal de sada contnuo porm ainda
alternado, pelo fato de o circuito estar sem o filtro de sada. A Figura 73 ilustra a o
circuito da Figura 72(a) implementado a um filtro capacitivo de sada.
Figura 73. Conversor topologia onda completa com filtro capacitivo de sada.
87
Desta forma, podemos notar que o sinal DC_OUT se aproxima cada vez mais de um
sinal contnuo puro.
A ondulao da tenso de sada, tambm denominada de componente alternada

de sada um dos principais fatores que definem a qualidade de um circuito
retificador. Quanto menor esta ondulao melhor ser sua qualidade.
Exemplos de conversores AC-DC
Conversor AC-DC Encapsulado:
Figura 74. Conversor AC-DC comercializado pelo fabricante SunPower.
Fonte:<http://www.sunpower-uk.com/product/15W-12V-1250mA-Encapsulated-AC-DC-Converter/ANC-12S>
Fonte chaveada:
Figura 75. Conversor AC-DC (Fonte chaveada) para utilizao industrial.
Fonte: <http://www.sense.com.br/produtos/index/2/215/KFT>
88
Carregador de baterias de uso geral:
Figura 76. Carregador de baterias para uso geral.
Fonte: <http://www.seek.ind.br/categoria/carregadores-conversores>
Mais informaes sobre parmetros eltricos deve acessar os seguintes sites:
<http://www.sunpower-uk.com/product/15W-12V-1250mA-Encapsulated-AC-
DC-Converter/ANC-12S/default.htm>
<http://www.sense.com.br/arquivos/produtos/arq1/Fontes_de_Alimentao_
Rev_B.pdf>
<http://www.seek.ind.br/wp-content/uploads/2010/03/8017-FC-3048.pdf>
89
CAPTULO 2
Conversores DC-DC
Os conversores DC-DC basicamente tm como funo principal realizar a converso de

uma tenso contnua em outra tenso contnua, porm com magnitude diferente.
Equipamentos aplicados ao ambiente industrial, tais como sensores indutivos,

capacitivos, PLCs, monitores de movimento etc., quase sempre so alimentados por
tenses contnuas.
Figura 77. Representao em bloco de conversor DC-DC.
Existem diferentes tipos e topologias de conversores DC-DC na qual possuem inmeros

ambientes de aplicao. Dentre os vrios parmetros no que diz respeito a um conversor
DC-DC, o modo de isolamento destes componentes so de fato um parmetro no qual
atuam como um direcionador para diferentes modos de aplicao.
Conversores DC-DC no isolados

Normalmente os conversores DC-DC no isolados so empregados quando se deseja
elevar ou baixar o valor da tenso de sada. Circuitos que possuem a caracterstica de
elevar o sinal de sada a nveis superiores ao aplicado em sua entrada so chamados de
Step Up. J os conversores DC-DC que apresentam caractersticas de nveis de tenso
de sada inferiores tenso de entrada so caracterizados como Step Down.
Diante destas possibilidades de circuitos, emprega-se diferentes tipos de topologias

para implementao destes circuitos, ou seja, conversores DC-DC com caractersticas
Step Up ou Step Down. Tais topologias so:
Buck.
Boost.
Buck-Boost.
90
Ck.
SEPIC.
Charge Pump etc.
Dentre as topologias mencionadas, veremos basicamente a topologia Buck (abaixador

de tenso) e a topologia Boost (elevador de tenso).
Conversor DC-DC abaixador (Buck)
A Figura 78 ilustra um modelo esquemtico simplificado de topologia de circuito

abaixador de tenso buck.
Figura 78. Conversor Buck simplificado e sua tenso mdia de carga (sada).
Na Figura 78, a chave representa por SW1 pode assumir as posies 1 e 2. Quando esta
chave est na posio 1, toda tenso de entrada estar aplicada sobre a carga R. Quando
a chave estiver na posio 2, no existir tenso sobre a carga. Portanto, podemos
notar que a tenso DC-OUT ser menor que a tenso de entrada e seu valor se tornar
dependente do tempo de permanncia da chave S1 na posio 1. Assim, podemos definir
o valor da tenso mdia na sada do conversor como:
V0= D Vin
Onde, D o Duty Cicle dos estados cclicos da chave da chave SW1 (posies 1 e 2).
Ton
D=
T
De forma a aperfeioar o circuito da topologia Buck e tambm a fim de eliminar a

componente alternada inserida a carga insere-se um filtro via um indutor L no circuito
91
original em srie com a carga R e um capacitor C em paralelo com a carga, dessa

forma reduzindo o ripple de corrente e de tenso na carga. Agora com a chave SW1 na
posio 1 a corrente no indutor cresce, armazenando a energia no mesmo. Quando a
chave altera para a posio 2 o indutor transfere a energia armazenada para a carga, se
descarregando.
Figura 79. Implementao de filtro indutivo e capacitivo no conversor Buck.
Por fim, em substituio chave SW1 utilizado semicondutor com caractersticas

de alta frequncia de chaveamento, um MOSFET canal N e um diodo D. Quando o
transistor Q saturado, ou seja, conduz para o ponto 1 da chave, o indutor ir armazenar
energia. Quando Q cortado, ou seja, bloqueado, a corrente que circula pelo diodo D,
substituindo a posio 2 da chave.
Figura 80. Diagrama eltrico final para um conversor Buck.
Portanto, no modo de conduo contnuo, o conversor Buck possui caractersticas

equivalentes a um transformador de corrente contnua, na qual a razo de
transformao pode ser continuamente modificada por meio da razo cclica D,
definida anteriormente.
92
Mais informaes sobre parmetros eltricos acesse o site:
<http://en.wikipedia.org/wiki/Buck_converter>
<http://www.daycounter.com/LabBook/BuckConverter/Buck-Converter-
Equations.phtml>
Conversor DC-DC elevador (Boost)
O circuito conceitual do conversor Boost, ou conversor elevador pode ser visto por meio
da Figura 81.
Figura 81. Diagrama eltrico ilustrativo para um conversor Boost.
Podemos cerificar atravs do circuito conceitual mostrado anteriormente que quando

o MOSFET Q est conduzindo ocorrer um aumento da corrente atravs do indutor L,
aumentando assim sua energia armazenada. Quando o MOSFET cortado, a corrente
do indutor continuar a fluindo pelo diodo D, pela rede paralela RC e de volta fonte
de alimentao continua V1. Dessa forma, sendo transferida a energia armazenada pelo
indutor rede paralela RC.
A tenso final sobre o capacitor, posteriormente ao mesmo ser carregado pela energia
contida no indutor, deve ser maior que a tenso da fonte para que assim acontea
transferncia de energia na segunda etapa. Outro ponto que deve ser conhecido que
o valor da constante RC deve ser muito maior que o perodo de comutao, garantindo
assim que a tenso de sada permanea constante quando apenas o capacitor fornecer
energia para a carga, primeira etapa.
Para um conversor Boost a tenso de sada ser dada por:
Vin
V0 =
1D
93
Acesse o site:
<http://en.wikipedia.org/wiki/Boost_converter>
<http://www.daycounter.com/LabBook/BoostConverter/Boost-Converter-
Equations.phtml>
Conversores DC-DC isolados

Os conversores DC-DC isolados so aplicados quando se deseja manter a isolao do
ambiente no qual os sinais de entradas esto compreendidos dos ambientes eltricos
nos quais sero aplicados os novos nveis de tenses contnuas dos conversores DC.
Sendo assim, estes circuitos continuam a ser empregados preferencialmente em baixas
e mdias potncias.
Topologias aplicadas em conversores DC-DC isolados destinados baixas e mdias

potncias mais utilizadas so:
Flyback.
Forward.
Mais informaes sobre as topologias Flyback e Forward, acesse aos seguintes

sites:
<http://www.simonbramble.co.uk/dc_dc_converter_design/flyback_converter/
flyback_converter_design.htm>
<http://powerelectronics.com/site-files/powerelectronics.com/files/archive/
powerelectronics.com/mag/510PET22b.pdf>
<http://www.ivobarbi.com/PDF/GE03-ARBOY-COUSIN-PFE_Rev_MLH.pdf>
Para circuitos nos quais a exigncia de potncia seja alta, ou seja, circuitos de alta
potncia, recomendado que se utilize topologias como:
Half Bridge.
Full Bridge.
Mais informaes sobre as topologias Half Bridge e Full Bridge, acesse:
<http://www.ti.com/lit/ug/tidu248/tidu248.pdf>
<http://ww1.microchip.com/downloads/en/AppNotes/01369A.pdf>
<https://www.wpi.edu/Pubs/E-project/Available/E-project-042507-151144/
unrestricted/High_Voltage_DC_Converter.pdf>
94
Normalmente estes conversores de mdia e alta potncia so equipamentos de dimenses

maiores e elevado custo se comparado a solues de conversores no isolados.
Basicamente todas as topologias aqui apresentadas so baseadas nas topologias

anteriormente vistas, Buck e Boost, de forma a se evolurem at as demais aqui
mencionadas. Materiais de referncias contendo com contedo vasto incluindo exemplos
de projetos esto disponveis para o aluno que desejar aprimorar seus conhecimentos.
Exemplo de conversores DC-DC
Figura 82. Conversor DC-DC comercializado pelo fabricante Xppower.
Fonte: <http://www.xppower.com/>
Figura 83. Conversores DC-DC do Fabricante Tracopower de baixa potncia.
Fonte: <http://www.tracopower.com/overview/ton15/>
Acesse:
<http://www.xppower.com/pdfs/SF_JTF.pdf>
<http://www.tracopower.com/fileadmin/medien/dokumente/pdf/datasheets/
ton15.pdf>
95
CAPTULO 3
Conversores DC-AC
Os equipamentos ou circuitos de converso de energia DC-AC, na prtica, so intitulados

de inversores de tenso. Sua principal funo converter a tenso contnua presente
em sua entrada em tenses alternadas em sua sada com em nveis de amplitude e
frequncia estabelecidos. As fontes de energia contnua utilizadas para alimentar este
inversor podem ser, por exemplo, painis solares, baterias, No-Break etc.
Figura 84. Representao em bloco de um conversor DC-AC.
Basicamente, a forma de onda ideal do sinal de sada de um inversor senoidal, porm

devido a harmnicos presentes neste sinal, contribuem negativamente para o formato
ideal. Atualmente com a evoluo dos semicondutores possvel utilizar componentes
com resposta em frequncia cada vez mais rpidos atrelado a tcnicas de chaveamento
levando assim a otimizao do circuito reduzindo bastante os nveis de harmnicos no
sinal alternado de sada.
Os inversores podem ser chamados, classificados como:
VFI (Voltage fed inverter) Quando so alimentados em tenso e quando

esta tenso constante.
CSI(Current fed inverter) Quando so alimentados em corrente e

quando esta corrente constante.
Alm disso, podem ainda ser classificados tambm quanto sua forma de onda de sada,
ou seja, senoidal, quadrada e quase quadrada.
Inversores monofsicos de onda quadrada

Podemos visualizar por meio da Figura 85 a implementao bsica, didtica, de um
inversor monofsico em meia onda.
96
Figura 85. Inversor monofsico em meia ponte.
Para este tipo de inversor necessrio uma fonte de alimentao com ponto mdio e
duas chaves semicondutores, na qual foi representada por os IGBTs Q1 e Q2. Quando
o IGBT Q1 est conduzindo a tenso sobre a carga R de e quando a conduo ocorre
pelo IGBT Q2 a tenso na carga de . Os diodos D1 e D2 foram inseridos para garantir
um caminho de descarga para o caso de cargas indutivas de modo a no afetar o sinal
de sada. Outro ponto no qual podemos notar que para esta topologia no se permite
variar a tenso de sada. Isto pode ser corrigido realizando o controle no estgio anterior
de forma a variar a tenso da fonte VIN.
Com relao s chaves semicondutoras Q1 e Q2, importante lembrar que em hiptese

alguma elas podem conduzir ao mesmo tempo, o que levaria a um curto- circuito. Para
evitar este problema inserido um pequeno intervalo de tempo em que ambas as chaves
ficam em estado abertas no qual este tempo denominado de tempo morto, na ordem
de s.
Na Figura 86 verificamos um inversor onda completa em ponte, uma evoluo do

inversor de meia onda, estudado anteriormente. Para este tipo de topologia, os
comandos das chaves semicondutoras podem ser realizados aos pares, assim como nos
retificadores de onda completa. Quando os pares de chaves Q1 e Q4 esto conduzindo
tem-se como tenso de sada +VIN e quando os pares Q2 e Q3 esto conduzindo ateno
de sada ser VIN.
97
Figura 86. Inversores DC-AC; (a) Circuito simplificado inversor onda completa em ponte; (b) Forma de onda quase-
quadrada.
Inversores PWM
Vimos anteriormente nas topologias de inversores meia onda e onda completa

que a tenso de sada alternada, porm com forma quadrada, ou quase quadrada
e sua frequncia pode ser controlada atuando na frequncia de chaveamento dos
semicondutores.
A utilizao da modulao por largura de pulso, PWM, em inversores permite alm de

controlar a frequncia de chaveamento dos semicondutores controlar o valor da tenso
eficaz de sada. Esta caracterstica contribui para uma maior reduo dos harmnicos
de tenso de sada obtendo-se assim uma onda praticamente senoidal, em sua sada.
A tcnica de modulao senoidal a mais utilizada em circuitos inversores PWM.

Basicamente esta tcnica consiste em modular a largura dos pulsos nos semicondutores
de forma senoidal. Este tipo de modulao obtida comparando uma tenso de referncia
senoidal com um sinal triangular simtrico no qual sua frequncia determinar a
frequncia de chaveamento. A Frequncia de chaveamento, ou seja, da onda triangular
(portadora) deve ser no mnimo 20 vezes superior a frequncia da onda de referncia,
para que assim se obtenha uma reproduo aceitvel da forma de onda sobre a carga,
aps a filtragem. O Duty Cicle do pulso de sada varia de acordo com a amplitude do
sinal senoidal de referncia.
Imaginamos o circuito retificador em onda completa representado pela Figura 86a

agora comandado por uma modulao PWM em alta frequncia, 12KHz. A Figura 87
ilustra o resultado da modulao por onda senoidal, produzindo em sua sada uma
tenso com dois nveis, sob a frequncia da onda triangular. A tenso de sada
composta pelo somatrio das ondas retangulares de amplitude igual tenso contnua
de alimentao.
98
Figura 87. Modulao Senoidal PWM
O valor RMS e a frequncia da tenso de sada esto diretamente dependentes da

amplitude e frequncia da senode de referncia. Logo, alterando a senoide de referncia
altera-se tambm a tenso de sada.
Quanto maior o nmero de pulsos maior ser a frequncia dos harmnicos mais
significativos no qual sero filtrados atravs de filtros passivos. As limitaes
de frequncia destes pulsos se baseiam na velocidade de comutao das chaves
semicondutoras escolhidas para utilizao.
Na indstria tem-se cada vez mais aumentando o uso de inversores AC-DC empregados
ao acionamento de motores de induo e utilizao em equipamentos de testes remotos
no qual so alimentados por fontes de energia contnua. Portanto, um conhecimento
apurado a respeito deste equipamento muito importante para implementaes de
novas aplicaes nos diversas ambientes industriais.
99
Para (no) Finalizar
Profissional preparado e o mercado de

produtos industriais
Como visto no decorrer desta disciplina, em vrios momentos o conceito de eletrnica
industrial referente a aplicaes em circuitos eltricos, se assemelham aos utilizados
na eletrnica de potncia. Logo, o profissional cada vez mais preparado em ambos os
setores poder prover solues cada vez mais vantajosa, eficaz e consequentemente mais
economicamente vivel. Com isso o profissional se tornar cada vez mais disputado,
valorizado, pelo mercado aumentando assim seu poder de negociao perante uma
nova situao de oferta e procura.
O mercado de produtos voltados para o controle de processos na indstria possui um

nvel de valor agregado bastante interessante e atrativo. Grandes empresas do setor
automotivo, farmacutico buscam cada vez mais investimentos em novos equipamentos
que por sua vez permitam uma reduo de custos e maior desempenho.
Diante do potencial industrial dos pases subdesenvolvidos, como o Brasil, cada vez
mais necessria mo de obra qualificada que permita desenvolver solues inovadoras
permitindo assim a otimizao de plantas industriais melhorando a qualidade dos
equipamentos e reduzindo, por consequncia, o tempo de manufatura. Um produto
final mais qualificado certamente ser um grande diferencial na disputa por um espao
no mercado industrial.
100
Referncias
MALVINO, A.; BATES, D. J. Eletrnica. 7. ed. Porto Alegre: Amgh, v. 1. 2007.
MALVINO, A.; BATES, D. J. Eletrnica. 7. ed. Porto Alegre: Amgh, v. 2. 2008.
SEDRA, Adel S.; SMITCH, Kenneth C. Microeletrnica. 5. ed. Books, 2010.
Sites
<http://www.infoescola.com/quimica/estruturas-atomicas/>
<http://www.brasilescola.com/quimica/silicio.htm>
<http://pt.wikipedia.org/wiki/Sil%C3%ADcio>
<http://www.infoescola.com/elementos-quimicos/germanio>
<http://pt.wikipedia.org/wiki/Germ%C3%A2nio>
<http://pt.wikipedia.org/wiki/Jun%C3%A7%C3%A3o_PN>
<http://www.agostinhorosa.com.br/artigos/como-funciona-um-diodo.html>
<http://www.electronica-pt.com/diodos-rectificadores>
<http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_8.html>
<http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_7.html>
<http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/files/manuals/gtothyristors.
pdf>
<http://www.circuitstoday.com/gate-turn-off-switch>
<http://www.get.bme.hu/edu/subjects/VIAU0030/final/3.2_PSD_Dudrik_EN_
FINAL/html/sekundarne/3_sek_en.htm>
<http://pt.wikipedia.org/wiki/IGBT>
<http://www.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf>
101
REFERNCIAS
<http://www.ixys.com/documents/appnotes/ixan0010.pdf>
<http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/AN211A.pdf>
<http://staff.utar.edu.my/limsk/Basic%20Electronics/Chapter%205%20
MOSFET%20Theory%20and%20Applications.pdf>
<http://www.daenotes.com/electronics/basic-electronics/ac-dc-converters-
rectifiers>
102

Eletronica Industrial

Enviado por

Dados do documento

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Eletronica Industrial

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Eletrnica Industrial

Alex Sander de Magalhes Pivoto

Equipe Tcnica de Avaliao, Reviso Lingustica e Editorao

ORGANIZAO DO CADERNO DE ESTUDOS E PESQUISA..................................................................... 5

PARA (NO) FINALIZAR.................................................................................................................... 100

A proposta editorial deste Caderno de Estudos e Pesquisa rene elementos que se

Pretende-se, com este material, lev-lo reflexo e compreenso da pluralidade

Elaborou-se a presente publicao com a inteno de torn-la subsdio valioso, de modo

Para facilitar seu estudo, os contedos so organizados em unidades, subdivididas em

Sugesto de estudo complementar

Sugestes de leituras adicionais, filmes e sites para aprofundamento do estudo,

Sugesto de atividades, no decorrer das leituras, com o objetivo didtico de fortalecer

Chamadas para alertar detalhes/tpicos importantes que contribuam para a

Informaes complementares para elucidar a construo das snteses/concluses

Trecho que busca resumir informaes relevantes do contedo, facilitando o

Questionrio com 10 questes objetivas, baseadas nos objetivos do curso,

Para (no) finalizar

Texto integrador, ao final do mdulo, que motiva o aluno a continuar a aprendizagem

No ambiente industrial o profissional poder atuar no desenvolvimento de produtos

Nesta disciplina sero abordados os componentes semicondutores, circuitos

Analisar os conceitos abordados pelo material bem como ser capaz de

Compreender a importncia dos componentes semicondutores e afins

Figura 1. Fonte de alimentao de corrente contnua de um gerador de usina hidreltrica.

Quando pensamos em equipamentos eltricos somos levados a imaginar

Para saber mais a respeito veja em:

Nos tempos modernos, extremamente prazeroso chegarmos em casa, ligarmos

bem ilustradas e com qualidade de resoluo extremamente alta. Como isso

A integrao entre homem-mquina permite que o trabalho seja realizado

Podemos tambm fazer um paralelo em outra ponta da indstria, os profissionais

Introduo eletrnica industrial

Foram tambm desenvolvidos outros dispositivos retificadores, como as vlvulas a

substituir os grupos motores-geradores para produo de corrente contnua, necessria

A partir da construo dos semicondutores (FETs), deu-se incio a evoluo dos

A descoberta dos materiais semicondutores permitiu a eletrnica de um modo geral

Para entendermos melhor os semicondutores, importante termos claramente em

A condutividade eltrica () utilizada para especificar o material quanto sua

Como pode ser notado na equao acima, a condutividade eltrica inversamente

Para os materiais condutores, os eltrons livres da ltima camada esto fracamente

Para os materiais que no conduzem eletricidade, ou seja, no h movimento das

Para saber mais veja em:

Prtons Possuem cargas eltricas positivas.

Eltrons Possuem cargas eltricas negativas.

Nutrons Ausncia de cargas eltrica.

Para uma melhor compreenso dos estudos de semicondutores de fundamental

Figura 2. Modelo atmico de Bohr.

Caso deseje aprofundar ou relembrar os conhecimentos a respeito dos tomos,

tomos de germnio e silcio

Para um elemento atmico ser classificado como semicondutor, significa que

Um tomo de germnio possui um ncleo com 32 prtons e seus eltrons esto

Figura 3 Distribuio atmica do tomo de Germnio.

Para saber mais a respeito do tomo de Germnio acesse <http://pt.wikipedia.

O silcio o material mais conhecido e tambm mais comumente utilizado como

Figura 4. Distribuio atmica do tomo de Silcio.

Para saber mais a respeito do tomo de silcio acesse: <http://pt.wikipedia.org/

Como mencionado anteriormente, os eltrons giram ao redor do ncleo em regies,

Os tomos com 1, 2 e 3 eltrons na camada de valncia tm certa facilidade

Os tomos com 5, 6 e 7 eltrons na camada de valncia tm facilidade

Os tomos com 4 eltrons na camada de valncia geralmente no ganham

Figura 5. Camadas de energia de um tomo.

Figura 6. Formao de um cristal de silcio e ligaes covalentes

Fonte: < http://www.saberdetudo.com.br/os-semicondutores/>

Em um cristal de silcio existem bilhes de tomos de silcio, cada um com oito

Os tomos do cristal de silcio, quando submetidos a temperaturas acima do zero

Figura 7. Processo de surgimento de uma lacuna