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Universidade de So Paulo

Instituto de Fsica de So Carlos


Laboratrio Avanado de Fsica

Condutividade Eltrica e Efeito Hall em Semicondutores


em funo da temperatura

Introduo

Do ponto de vista prtico, um semicondutor um material cuja resistividade eltrica,


temperatura ambiente, possui um valor dentro da faixa de 10-2 - 109 -cm. As propriedades de um
semicondutor so definidas pelo comportamento dos portadores de carga: eltrons (portadores de
carga negativa) e buracos (portadores de carga positiva). Se o semicondutor um cristal puro, o
nmero de eltrons n igual ao nmero de buracos p, pois para cada eltron que passa para a banda
de conduo, criado um buraco na banda de valncia. Estes so denominados de portadores de
carga intrnsecos.
Para uso prtico de um semicondutor, este impurificado de tal forma que seja capaz de doar
eltrons para a banda de conduo (fazendo com que seja um cristal tipo n) ou de aceitar eltrons da
banda de valncia, criando buracos (fazendo com que seja um cristal tipo p). As impurezas que
produzem este efeito so denominadas de portadores carga extrnsecos; em tais cristais a
concentrao de portadores diferente (n p).
A estrutura de bandas de energia de um semicondutor sem impurezas seria aquela mostrada
na figura 1, onde do lado esquerdo temos a distribuio de Fermi f() para um gs de eltrons livres
e do lado direito temos a densidade de estados D().
A posio do nvel de Fermi medida a partir da banda de conduo e definida por
N () 3
Eg m 4
EF = + kTln h (1)
BANDA DE
CONDUO
2 me
Como o nvel de Fermi fica debaixo da banda de
DE ESTADOS

Eg
EF
conduo, EF um valor negativo, Eg a energia da banda
NVEL DE
FERMI proibida e m h e me so as massas efetivas dos buracos e
eltrons respectivamente, k a constante de Boltzmann e T a
BANDA temperatura absoluta. Sejam C e F a posio da banda de
NORMALMENTE
PREENCHIDA conduo e do nvel de Fermi, respectivamente, acima da
DENSIDADE

energia de ponto zero, ento:


ENERGIA

F = C + EF (2)
f ()

OUTRAS BANDAS
PREENCHIDAS D ()

Fig. 1 - Estrutura de bandas de energia num


semicondutor sem impurezas.

1
Para encontrar o nmero de eltrons na banda de conduo (ou de buracos na banda
de valncia) basta integrar a densidade de estados vezes a distribuio sobre o intervalo de energia
entre = C at .
1
8 3 F

C N ( )d = h 3 C 2m exp kT + 1 d (3)

porm quando o expoente


Eg
( F ) ~ + E >> kT (4)
2
a distribuio de Fermi degenera para uma distribuio de Boltzmann (onde a energia dos
eltrons assim medida do fundo da banda de conduo).
Com esta superposio a integrao d como resultado
3/ 2 3/ 2
2 me kT 2 me kT E g / 2 kT
n = 2

e E F / kT
~ 2

e (5)
h h
da mesma maneira
3/ 2 3/ 2
2 me kT ( E g + E F ) / kT 2 me kT E g / 2 kT
p = 2

e ~ 2

e (6)
h h
interessante notar que o produto np independe da posio do nvel de Fermi especialmente
se tomamos me = mh :
E g / kT
ni2 = np = 2.31 10 31 T 3 e (7)

medida que a temperatura aumenta, os portadores de carga intrnsecos do semicondutor


aumentaro numa proporo exponencial caracterizado por Eg/2kT. Esta temperatura geralmente
muito alta, por exemplo para o Germnio Ge, Eg = 0,7 eV que corresponde a T = 8.000 K.
Uma das caractersticas do semicondutor fica determinada pelas impurezas do cristal,
especialmente a baixas temperaturas, onde poucos portadores de carga intrnsecos esto populando a
banda de conduo. Estas impurezas, quando esto no seu estado fundamental, ficam geralmente
concentradas num nvel de energia simples muito prximo da banda de conduo (se so impurezas
doadoras) ou muito prximo da banda de valncia (se so impurezas aceptoras) como representamos
esquematicamente na figura 2.
Fazendo a aproximao para baixas temperaturas, teremos que o nmero de eltrons na
banda de conduo est dado por

2 mkT
3/ 2

n = Nd e Ed / 2 kT (8)
h
2

onde Nd o nmero de doadores e Ed a separao entre o nvel de doadores e a banda de conduo.


Devemos tomar em considerao essa aproximao, pois vlida s para baixas temperaturas, note-
se por exemplo para o Ge:
E g = 0,7eV e para kT = 0,7eV T = 8.000 o K

2
ELTRONS

EF NVEL
ACEITADORES

NVEL
DOADORES
EF

BURACOS
f( )

f( )
D()
(a) (b)

Figura 2 - Estrutura de bandas de energia quando o semicondutor impurificado com (a) doadores,
ficando o nvel de impurezas ligeiramente abaixo da banda de conduo e (b) aceptores,
ficando o nvel ligeiramente acima da banda de valncia.

entretanto para

E d = 0,01eV e para kT = 0,01eV T = 120 o K

Assim para temperaturas T > 120K a maioria das impurezas doadoras estaro na banda de
conduo e no lugar da equao (8) teremos n ~ Nd; o nmero de portadores de carga impuros fica
saturado. Uma vez neste estado de saturao os portadores de carga impuros na banda de conduo
se comportaram como se fossem eltrons livres de um metal.
Estudaremos em funo da temperatura observando o comportamento dos portadores de
carga intrnsecos do Ge.

Condutividade Eltrica: Modelo de Drude

Para estudar a condutividade eltrica usaremos a seguinte notao:


r
J = densidade de corrente
r
Ir = corrente
A = seo transversal por onde a corrente flui
r r 1
= condutividade, tal que E = J ; = = resistividade

e = carga do eltron
n = densidade de portadores negativos (eltrons)
p = densidade de portadores positivos (buracos)
r
v = velocidade de deslocamento
r
E = campo eltrico aplicado
r r
= mobilidade; tal que E = v
m* = massa efetiva; me , m h para eltron e buraco, respectivamente
= livre caminho mdio entre colises

3
fcil derivar que a densidade de corrente est dada por:
r
( )
r I r r
J = = e nV e pV h (9)
A
Considerando as colises trmicas e sendo s e t a distncia e o tempo, respectivamente, entre
colises consecutivas teremos que
r
1 1 e E
s = t2 =
t2 (10)
2 2 m
e
r
s 1 eE
v= = (11)
t 2 m t

que em termos de livre caminho mdio t=


v , onde v a velocidade trmica, teremos

mv 2 3
= kT (12)
2 2
assim
r
e E
v= (13)
2 3kRm
Caso tenhamos um s tipo de portadores de carga:
r r r
J = env = en E (14)
e
ne 2
= en = (15)
2 3kTm

Assim, se o nmero de portadores constante e o livre caminho mdio permanece constante,


ento a condutividade dever diminuir com T -. A primeira destas condies vlida na regio
extrnseca aps todos os portadores de carga extrnsecos ficarem na banda de conduo; porm a
segunda condio do livre caminho mdio no verdadeira pois temperatura alta aumentam as
vibraes reticulares do cristal que afetam o espalhamento dos portadores. Um clculo simples
sugere uma dependncia de kT1 para , de tal maneira que

ne 2 32
= ne = C T (16)
m
onde C uma constante. Neste ponto cabe advertir que esta dependncia no sempre observada
experimentalmente.

Efeito Hall
Realmente a experincia de condutividade no revela o tipo de portador de carga que est
presente no semicondutor. Esta informao pode ser obtida atravs de medidas do efeito Hall que

4
uma ferramenta bsica para a determinao de mobilidades. Este efeito foi descoberto por E.H. Hall
em 1879.
Para explicar o efeito Hall consideremos o cristal da figura 3, o qual est submetido a uma
voltagem Vx e um campo magntico H na direo z.
Quando aplicamos a voltagem Vx entre os pontos 1 e 2 fluir uma corrente I atravs do cristal
na direo x, aparecendo uma voltagem induzida entre os pontos 3 e 4 devido ao efeito do campo
magntico que polariza os portadores de carga, esta voltagem denominada de voltagem de Hall
(Vy).
H

W
4
x
l y
1
z
2
3

Vx

Figura 3 - Esquema do efeito Hall.

Podemos calcular a voltagem de Hall para o caso em que os portadores de carga sejam de um
tipo nico.
A fora magntica sobre os portadores de carga
r r r
Fm = e(V H ) = evHy (17)

que compensado pelo campo de Hall


r r
FH = eE H = eE y y (18)
desta forma
E y = vH

mas v = E x , ento E y = H E x . O coeficiente de Hall RH est definido como

Ey Ex 1
RH = = = (19)
JxH Jx ne
Portanto para um campo magntico e corrente fixos, a voltagem de Hall RH proporcional a
1/n. Como conseqncia a mobilidade vem a ser
H = RH (20)

RH expressada em [m3 C-1] e em [ 1 m 1 ] , assim est dado em | m 2V 1 s 1 ] .


medida que a voltagem aplicada for constante, define-se o ngulo de Hall como a razo
das voltagens aplicada e medida.

5
Vy E yt
= = (21)
Vx Exl

onde l o comprimento e t a largura da amostra.


O ngulo de Hall proporcional mobilidade e

t 1
Vy = H (22)
1 ne
onde novamente proporcional a 1/n e portanto a [RH].

Procedimento

1. Calibrao do campo magntico - Antes de realizar as medies dos parmetros da


condutividade e voltagem de Hall necessrio levantar uma curva de calibrao do eletrom,
isto , obter uma curva de campo magntico B contra a corrente alimentada no eletrom. Para
realizar essa calibrao basta recorrer a uma sonda de Hall disponvel no Laboratrio Avanado.
Consulte o manual e o professor para tomar conhecimento sobre sua operao.
2. Medidas de Condutividade e efeito Hall: Existem placas com laminas de metais e
semicondutores, de geometrias caracterizadas, com conexes e terminais apropriados para
aplicar e medir voltagens na determinao da condutividade eltrica e o efeito Hall. Algumas das
placas possuem um circuito de aquecimento para mudar a temperatura e um termopar de medida.

Placas para metais:


- Medida de condutividade em funo da temperatura (placa 11808.00) para um fio de cobre.
- Efeito Hall no cobre (em funo da temperatura, placa 11803.00) e no zinco (somente a
temperatura ambiente, placa 11804.01)

Placas para Germnio


- Medida de condutividade intrnseca do Germnio em funo da temperatura (placa 11807.00).
- Medida do efeito Hall em laminas de Germnio dopado com impurezas tipo n (placa 11802.00) e
tipo p (placa 11805.00), em funo da temperatura.

Importante:

- O termopar (Cu-CuNi) fornece uma variao da tenso de 40V por K. Confira a voltagem para
temperatura ambiente antes de aplicar voltagens nos terminais do aquecedor.

- No ultrapasse a temperatura mxima de operao das placas (1700C): seja extremamente


cuidadoso com as voltagens aplicadas no aquecedor e confira atentamente a tenso medida no
termopar.

- Nas medidas de efeito Hall, ajuste o potencimetro de compensao para voltagem zero em
ausncia de campo magntico. Porque necessrio fazer este ajuste?

6
Questes experimentais sugeridas

1) Analisar a dependncia da condutividade com a temperatura no Cu. Explicar.


2) Verificar o comportamento da voltagem Hall com o campo magntico, a corrente e a
temperatura no cobre. Determinar o sinal e a concentrao dos portadores de carga.
3) Determinar o sinal e a concentrao dos portadores de carga no Zn. Explicar.
4) Analisar a dependncia da condutividade com a temperatura no Ge. Comparar com o
comportamento observado no metal (Cu). Verificar a existncia de regimes intrnseco e
extrnseco. Determinar a energia do gap.
5) Verificar a dependncia do efeito Hall com a temperatura no germnio dopado (n e p).
Verificar sinal e concentrao de portadores de carga. Explicar os comportamentos
observados.

Referncias

- A. Melissinos, Experiments in Modern Physics, Ed. Acad. Press (1966). Biblioteca


IFQSC/USP, 539, M523e.

- Adler, Smith, Longini, Introduction to Semiconductor Physics, Biblioteca IFQSC/USP


530.41, M478s.

hall-1 MSL / JFS 10/2002


S.A.S

7
PHYWE 11808.00

6V

Cu d = 35 m

max. 1A

+
V
max.7mV; 40
K
_

Placa 11808.00: Condutividade do Cobre

Para demonstrar a diminuio da condutividade em metais ao aumentar a temperatura (ao


contrrio do que ocorre com semicondutores). Amostra de cobre impresso, com sistema de
aquecimento e termopar incorporados, para medir a condutividade do cobre em funo da
temperatura. Todas as conexes eltricas dispostas com bornes de 4mm.

PHYWE 11803.00

6V
UH
Cu d = 18 m

max. 20A
+
max.7mV; 40 V
UH K
-

Placa 11803.00: Efeito Hall do Cobre

Para demonstrar o efeito Hall em metais. Vem com sistema de aquecimento e termopar
incorporado. para mostrar como a tenso de Hall independe da temperatura (ao contrrio com
semicondutores). A disposio dos bornes permite colocar a placa no entre-ncleo do eletrom.
8
Placa 11804.01: Efeito Hall do Zinco

para mostrar o efeito Hall anmalo no Zinco. No possui sistema de aquecimento nem termopar.

PHYWE 11802.00
6V

+ 12 30V n - Ge - -

V
40 K
+

Placa 11802.00: Condutividade eltrica e efeito Hall do Germnio tipo - n


Para estudar a condutividade eltrica e a tenso de Hall de semicondutores dopados tipo n em
funo da temperatura. Com os resultados das medidas possvel obter o valor da banda proibida do
Germnio, o tipo de portador de carga responsvel pela conduo a concentrao e a mobilidade.
A placa impressa dos dois lados, com aquecedor e termopar integrados. Tambm tem um regulador
de corrente estabilizada, para assegurar uma conexo constante diante a forte variao da resistncia do
semicondutor.

9
PHYWE 11805.00
6V

+ 12 30 V p - Ge - -

V
40
+ K

Placa 11805.00: Condutividade eltrica e efeito Hall do Germnio tipo - p

Analogamente ao caso do Germnio tipo-n, esta placa dedicada para o estudo da condutividade
eltrica e a tenso de Hall de semicondutores dopados tipo-p. Alm de obter valores para a banda proibida do
Ge, tipo de portador de carga, concentrao de impurezas e mobilidade possvel observar a inverso de
polaridade na tenso de Hall que ocorre em 120C, mostrando visivelmente que os buracos tem uma
mobilidade menor que os eltrons.

PHYWE 11807.00
6V

max. 30 mA

V
40
K
+

+
Placa 11807.00: Condutividade intrnseca do Germnio.
Para estudar a condutividade eltrica de semicondutores no dopados em funo da temperatura.
possvel obter a energia da banda proibida do Germnio. Possui sistema de aquecimento e termopar
incorporado.

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CARACTERSTICAS DAS PLACAS IMPRESSAS

Placa Condutividade Efeito Hall Efeito Hall Condutividade e Condutividade e Condutividade


do Cobre do Cobre do Zinco Efeito Hall Ge-n Efeito Hall Ge-p intrnseca do Ge
11808.00 11803.00 11804.01 11802.00 11805.00 11807.00
Amostra cobre cobre zinco Ge-n Ge-p Ge sem dopante
Resistncia
@ 25C 1 ----- ----- ----- ----- -----
Espessura
da amostra 35 18 25 1 mm 1 mm 1 mm
Formato
da amostra 25 x 25 mm2 25 x 25 mm2 20 x 10 mm2 20 x 10 mm2 20 x 10 mm2
Corrente mxima
na amostra 1A 20 A 20 A 30 mA 30 mA 30 mA
Compensao
de tenso ----- potencimetro potencimetro potencimetro potencimetro -----
Temperatura
mxima 175C 175C ----- 175C 175C 175C
Voltagem/Corrente
do aquecedor 6V/5A 6V/5A ----- 6V/5A 6V/5A 6V/5A
Termopar Cu-CuNi Cu-CuNi ----- Cu-CuNi Cu-CuNi Cu-CuNi
Coeficiente de
Tenso do 40 V/K 40 V/K ----- 40 V/K 40 V/K 40 V/K
termopar
Regulador 30 mA 30 mA
de corrente ajustvel ajustvel
Alimentao
do regulador 12 - 30 V 12 - 30 V
de corrente

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