Você está na página 1de 15

DEFEITOS CRISTALINOS

GOMES, Henrique Miller Andrade 1


XXXXX, xxxxxxxxx xxxx xxx 2

RESUMO

Este documento apresenta o modelo de formatao a ser utilizado nos cursos de


graduao e Ps-Graduao do Centro Universitrio So Camilo - ES. O resumo
elemento obrigatrio constitudo de uma sequncia de frases objetivas e no uma
enumerao de tpicos, no mesmo idioma do trabalho, no se deve ultrapassar a
250 palavras, sintetizando o tema em questo, objetivo do estudo, a metodologia e
as consideraes finais a que se chegou. Deve-se evitar frases longas e no se
recorre a citaes ou uso de qualquer tipo de ilustrao (grfico, tabela, frmulas).
Esse resumo deve ficar na primeira pgina em Fonte Arial 12, espaamento simples
(1,0). Para as palavras-chave recomendamos um pargrafo nico com 3 (trs) a 5
(cinco) palavras separadas por ponto-e-vrgula, com a primeira letra de cada palavra
em maisculo e finalizadas por ponto, conforme exemplo abaixo.

Palavras-chave: Artigo Cientfico; Metodologia; Normas.

ABSTRACT

This document presents the model format to be used in undergraduate and Graduate University
Center - ES. The summary is mandatory element consists of a sequence of sentences and not an
objective list of topics in the language of work, not to exceed 250 words, summarizing the topic,
purpose of the study, the methodology and final considerations was reached. You should avoid long
sentences and are not used to quote or use any type of illustration (chart, table, formulas). This
summary should be on the first page in Arial 12, single space (1.0). For keywords recommend a single
paragraph three (3) to five (5) words separated by a semicolon, with the first letter of each word
capitalized and finalized by point, as shown below.

Keywords: Scientific Article, Methodology, Standards.

_____________
1
Mestrando em Engenharia dos Materiais do Instituto Federal do Piau - IFPI,
henriquemiller123@gmail.com; 2Graduando do Curso de XXXXX do Centro Universitrio so Camilo-
ES, sillvae-mail@email.com, Julho de 2017.
2

INTRODUO

Ao analisarmos materiais podemos at admitir que um


determinado material pode ser considerado perfeito e no conter
falhas e defeitos, porm quando analisamos em uma escala atmica,
microestrutura, todos os materiais contm grandes nmeros de uma
variedade de defeitos ou imperfeies. Na realidade, muitas das
propriedades dos materiais so profundamente sensveis a desvios
da perfeio cristalina; a influncia no sempre adversa, e com
frequncia caractersticas especficas so deliberadamente
moldadas pela introduo de quantidades ou nmeros controlados
de defeitos especficos, conforme est detalhado no decorrer do
artigo (CALLISTER, 2012).

A observao e estudo da microestrutura dos materiais de fundamental


importncia, pois muitas propriedades dos materiais so fortemente dependentes da
sua microestrutura e com uma anlise detalhada de sua microestrutura podemos
descrever suas caractersticas qualitativas, tais como: quantidade, tamanho, forma e
distribuio das fases e dos defeitos cristalinos presentes no material, sendo estes
defeitos presentes no material o nosso foco de pesquisa.

A microestrutura dos materiais (cristalinos) , na maioria dos casos,


constituda de fases cristalinas e de defeitos cristalinos tais como contornos de
gros, contornos de subgros, contornos de maclas, defeitos de empilhamento,
interfaces, discordncias e defeitos puntiformes. Alguns materiais, como as
cermicas tradicionais, apresentam na sua microestrutura fraes volumtricas
considerveis de fase vtrea (amorfa) e de poros (PADILHA, 2007).

Defeito cristalino uma imperfeio ou um "erro" no arranjo peridico regular


dos tomos em um cristal. Na realidade, os cristais nunca so perfeitos e contm
vrios tipos de imperfeies e defeitos, que afetam muitas das suas propriedades
fsicas e mecnicas, o que, por sua vez, altera propriedades de engenharia
importantes, tais como a plasticidade (a frio) das ligas, a condutividade eletrnica
3

dos semicondutores (condutividade dos semicondutores depende das impurezas


presentes) a velocidade de migrao dos tomos nas ligas (a difuso atmica pode
ser acelerada pelas impurezas e imperfeies) a cor e luminescncia de muitos
cristais se devem as impurezas ou imperfeies, assim como a corroso dos metais.
Os defeitos so importantes, mesmo em concentraes muito pequenas, porque
podem causar uma mudana significativa nas propriedades de um material.

Neste artigo vamos abordar os tipos de defeitos e como se


classificam, frequentemente as imperfeies cristalinas so
classificadas de acordo com a geometria ou dimensionalidade do
defeito. Vrios tipos diferentes de imperfeies so discutidos ao
decorrer deste artigo, incluindo os defeitos pontuais (aqueles
associados com uma ou duas posies atmicas), os defeitos
lineares (ou unidimensionais), assim como os defeitos interfaciais,
ou contornos, que so bidimensionais. As impurezas nos slidos
tambm so discutidas, uma vez que os tomos de impurezas podem
existir como defeitos pontuais.
4

METODOLOGIA

MTODO DE ABORDAGEM

Neste trabalho, a metodologia de abordagem utilizada foi pesquisa


bibliogrfica, acrescida de observao e reflexes sobre o tema.

TCNICAS DE PESQUISA

Quanto ao procedimento tcnico, o trabalho classifica-se como pesquisa


bibliogrfica. Pesquisa bibliogrfica porque, para sua elaborao, foram utilizados
livros, artigos cientficos e documentos da internet, segundo Gerhardt e Silveira
(2009) uma pesquisa bibliogrfica objetiva recolher informaes e conhecimentos
prvios acerca de um problema para o qual se procura resposta ou acerca de uma
hiptese que se quer experimentar.
A leitura e anlise do material coletado foram feitos de maneira crtica, sempre
tecendo comparaes com o que presenciamos no dia-a-dia e as caractersticas dos
materiais e suas propriedades influenciadas pela presena de defeitos em sua
estrutura e abordando os tipos de defeitos de forma critica.
5

DESENVOLVIMENTO

Para entendermos a influncia dos defeitos nas propriedades dos materiais


necessrio conhecer os principais tipos de defeitos cristalinos. De acordo
com Padilha os defeitos podem ser classificados em puntiformes
(lacunas, intersticiais e combinaes deles), lineares
(discordncias) e bidimensionais (defeitos de empilhamento,
contornos de macla, contornos de sub-gro, contornos de gro,
contornos de antifase e interfaces entre fases diferentes). Podemos
ter uma ideia do tamanho dos defeitos cristalinos observando a
Figura 01.

Figura 1 - Dimenses aproximadas dos defeitos encontrados

Para analisarmos os defeitos presentes em um material necessario a


utilizao de algumas tcnicas e dentre as tecnicas utilizadas destaca-se a
microscopia. Atualmente, existem vrios tipos de microscpio, sendo mais
conhecidos o microscpio ptico, o microscpio eletrnico de varredura, o
microscpio eletrnico de transmisso, o microscpio de campo inico e o
microscpio de tunelamento eletrnico (PADILHA, 2007).
Com auxlio destes diversos tipos de microscopia e as tecnicas de
observao e anlise empregadas pode-se observar as caractersticas, determinar a
6

quantidade e estudar a distribuio dos defeitos cristalinos. A seguir so


apresentadas as faixas de aumento tpicas em cada tipo de microscpio:
microscpio ptico: 50 a 3000 vezes;
microscpio eletrnico de varredura: 5 a 50000 vezes;
microscpio eletrnico de transmisso: 5000 a 300000 vezes;
microscpio de campo inico: 1000000 vezes;
microscpio de tunelamento eletrnico: 300000000 vezes.

Defeitos Pontuais
So irregularidades que se estendem sobre somente alguns tomos (defeitos
adimensionais - dimenso zero), podendo ser lacunas, intersticiais ou
substitucionais.

Lacuna
De acordo com Callister, o mais simples dos defeitos pontuais a Lacuna ou
stio vago da rede cristalina, onde um stio que normalmente deveria estar ocupado
est com um tomo faltando, pode-se visualizar este defeito na Figura 02 que ilustra
uma espiga de milho com a falta de um gro, lacuna, em sua estrtura distorcendo a
simetria de sua estrutura.

Figura 2 - Lacuna observada em uma espiga de milho


7

Todos os slidos cristalinos contm lacunas. Na realidade, no possvel


criar um material que esteja isento desse tipo de defeito. As lacunas desempenham
um papel muito importante na movimentao atmica (difuso) (PADILHA, 2007).
De acordo com Padilha, a presena de defeitos cristalinos dentro de um
material causa aumentos da energia interna (U) do mesmo e da sua entropia (S). A
grande maioria dos defeitos cristalinos encontra-se fora de equilbrio termodinmico
dentro do material. Eles aumentam muito a energia interna e tendem a desaparecer
quando o material recozido. Nos casos das lacunas e dos intersticiais, o aumento
da energia interna ou da entalpia (H = U + PV ) compensado pelo aumento da
entropia. Portanto, existe uma concentrao de equilbrio de lacunas e de
intersticiais (ao contrrio dos outros defeitos cristalinos) que funo da temperatura
e do material (PADILHA, 2007).
A necessidade da existncia de lacunas explicada utilizando-se os
princpios da termodinmica; essencialmente, a presena de lacunas aumenta a
entropia (isto , aleatoriedade) do cristal. O nmero de lacunas em equilbrio ampara
uma dada quantidade de material depende da temperatura, aumentando em funo
da temperatura (CALLISTER, 2012).
Lacunas (e tomos da rede em posies intersticiais) podem ser criadas
nos materiais por deformao plstica ou por meio de irradiao com partculas de
alta energia (nutrons, eltrons ou ons). Uma alta concentrao de
lacunas tambm pode ser retida em um cristal por meio de resfriamento
rpido a partir de altas temperaturas (quenching). Se o resfriamento no for
muito rpido, as lacunas em excesso em relao quantidade de equilbrio
para cada temperatura migraro para a superfcie externa do cristal ou para
outros defeitos cristalinos internos e desaparecero. Muitas vezes,
energeticamente favorvel o agrupamento de lacunas formando dilacunas, trilacunas
e assim por diante, observando que as lacunas podem migrar nos cristais
trocando de lugar com tomos vizinhos. Esse mecanismo possibilita tambm
a movimentao dos tomos da rede (PADILHA, 2007).

Interticial
8

Os autointersticiais ou simplesmente intersticiais tambm so defeitos


de equilbrio, isto , para cada material existe uma concentrao de equilbrio
de intersticiais, a qual aumenta com o aumento da temperatura.
tomos estranhos, de impurezas ou adicionados intencionalmente ocupa uma
posio que no uma posio da rede e dependendo do seu tamanho, ele pode
ocupar uma posio substitucional ou intersticial, tambm so considerados defeitos
puntiformes, conforme podemos visualizar na Figura 03.

Figura 3 - Defeitos pontuais: (a) lacuna e (b) auto-intersticial ou intersticial, na rede

A energia de formao de intersticiais de um material muito


maior que a energia de formao de lacunas para o mesmo material.
Por exemplo, enquanto a energia de formao de lacunas no cobre
cerca de 1,2 eV, a energia de formao de intersticiais 4 eV para o
mesmo metal. Por isto, a concentrao de equilbrio de intersticiais
numa dada temperatura para um dado material muito menor que a
concentrao de lacunas (PADILHA, 2007).
Os intersticiais desempenham um papel muito menos
importante que as lacunas. Os intersticiais tambm podem ser
criados por deformao plstica,
irradiao ou resfriamento rpido. O agrupamento de intersticiais
formando segmentos de planos de tomos muitas vezes favorvel
9

energeticamente. A recombinao de lacunas com intersticiais,


eliminando os dois defeitos, tambm possvel.

Defeitos Lineares

Uma discordncia um defeito linear ou unidimensional em torno do qual


alguns dos tomos esto desalinhados. Um tipo de discordncia est representado
na Figura 4: uma poro extra de um plano de tomos, ou semiplano, cuja aresta
termina no interior do cristal. Isto conhecido por discordancia de aresta este um
defeito linear que esta centralizado em torno da linha que fica definida ao longo da
extremidade do semiplano de tomos adicional. Isto alguma vezes conhecido por
linha da discordncia, que, para a discordncia aresta mostrada na Figura 03,
perpendicular ao plano da pgina (CALLISTER, 2012).
Dentro da regio em torno da linha da discordncia existe uma distoro
localizada da rede cristalina. Os tomos acima da linha da discordncia na Figura 03
so pressionados uns contra os outros, e os tomos abaixo so puxados um para
longe do outro; isso est refletido na ligeira curvatura para os planos de tomos
verticais medida que eles se curvam em torno deste semiplano adicional
(CALLISTER, 2012).

Figura 4 - Discordncia de Aresta um defeito provocado pela adio de um semiplano extra de


tomos
10

A maioria das discordncias encontradas em materiais


cristalinos no provavelmente nem uma discordncia puramente
aresta nem uma discordncia puramente espiral, porm exibe
componentes que so caractersticos de
umbos os tipos; essas so conhecidas por discordncias mistas.
Todos os trs tipos de discordncias esto representados
esqueinaticamente na Figura 05; a distoro da rede cristalina que
produzida ao se distanciar das duas faces mista, possuindo nveis
variveis de carter espiral e carter aresta (CALLISTER, 2012).
11

Figura 5 - (a) Representao esquemtica de uma discordncia que possui caracteres de


discordncias aresta e mista. (b) Vista superior, onde os crculos abertos representam posies
atmicos acima do plano de deslizamento. Os crculos pretos representam tomos abaixo do plano,
No ponto A, a discordncia puramente espiral, enquanto no ponto B ela puramente aresta. Para
as regies localizadas entre esses pontos, onde existe uma curvatura na linha da discordncia, o
carter de uma discordncia mista entre aresta e espiral.
12

Defeitos Interfaciais
Os defeitos interfaciais so contornos que possuem duas
dimenses e normalmente separam as regies dos materiais que
possuem diferentes estruturas cristalinas e/ou orientaes
cristalogrficas. Essas imperfeies incluem as superfcies
externas, os contornos de gro, contornos de macia, falhas de
empilhamento e os contornos de fases (CALLISTER, 2012).
13

RESULTADOS E DISCUSSO

Em pesquisas com levantamento de dados ou experimentais que utilizam


entrevistas, pronturios, avaliaes de pessoas ou animais necessrio inserir os
principais resultados obtidos com o desenvolvimento da pesquisa. Podero ser
inseridas figuras e tabelas. importante destacar que em pesquisas de reviso
sistemtica da literatura, o trabalho pode tambm ser apresentado com resultados e
discusso.

CONSIDERAESFINAIS

Os defeitos so importantes, mesmo em concentraes muito


pequenas, porque podem causar uma mudana significativa nas
propriedades de um material e isto torna possvel o seu estudo por meio do
estudo da variao destas propriedades. Por exemplo, os defeitos puntiformes
podem ser estudados com auxlio de determinaes de resistividade eltrica; Sem
a presena de defeitos: os dispositivos eletrnicos do estado slido
no existiriam;os metais seriam muito mais resistentes;os
cermicos seriam muito mais tenazes; os cristais no teriam
nenhuma cor.

Esta parte do trabalho pretende apresentar as principais concluses, destacando o


progresso e as aplicaes que a pesquisa propicia.
A escrita das consideraes finais deve expressar a relao entre os objetivos
do trabalho e os resultados encontrados. Pode ser iniciada com o que foi aprendido.
Deve ser exposto de forma muito resumida e pontual as idias principais e as
contribuies que o trabalho proporcionou para a rea de estudos.
Nas Consideraes Finais podem ser colocadas tambm as limitaes do
estudo com relao ao problema, sugestes de modificaes no mtodo para
futuros estudos. Deve, portanto, abster-se do uso de citaes. Destinando-se a
demonstrar se as hipteses foram confirmadas, quando houver, a responder s
14

perguntas feitas no inicio do trabalho e a esclarecer se os objetivos fixados na


introduo foram atingidos. A concluso no um resumo do trabalho.
15

REFERNCIAS

PADILHA, ngelo Fernando. Materiais de Engenharia: Microestrutura e PADILHA,


ngelo Fernando. Materiais de Engenharia: Microestrutura e Propriedades. So
Paulo. Hemus, 2007.

CALLISTER. W. D. Cincia e Engenharia de Materiais: uma introduo. 8. ed. So


Paulo: LTC, 2012. 817 p.

Você também pode gostar