Tecnologa TTL.

Las siglas en ingls significan transistor-transistor logic (lgica transistor a

transistor). Tecnologa de construccin de circuitos integrados electrnicos digitales basada en
el uso de transistores bipolares, es caracterstico el uso de transistores multiemisores. TTL
sucedi a las tecnologas RTL (lgica resistencia-transistor) y DTL (lgica diodo-transistor).

La familia TTL tuvo su origen en los estudios de Sylvania, pero fue Texas Instruments quien la
insert en el mercado con la fabricacin de la serie 74xx, de mayor velocidad y mejor relacin
seal-ruido, convirtindose esta serie en el estndar de la familia. Aunque estos componentes
actualmente son utilizados, su mayor empleo ocurri en las dcadas de 1960 y 1970.

La familia original 74XX ya obsoleta dio lugar a varias subfamilias, buscando mejoras en el
funcionamiento y compatibilidad con otros componentes. A qu subfamilia pertenece el
componente, se indica en el centro de su nombre con una o varias letras despus del nmero
74/54. Ejemplo 74LS00.

El significado completo del nombre de los componentes pertenecientes a la serie 74xx es el

siguiente:

Prefijo. SN, HD, MM, DM, indican el fabricante, Texas Instruments, Motorola, ON
Semiconductor, Hitachi Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Renesas, etc.
El nmero 74/54, indica que es de uso comercial para el 74 y de diseo militar para 54.
La diferencia radica en la temperatura de trabajo y en los niveles mnimo y mximo de
la tensin de alimentacin 5 volts tpica.
Las letras que siguen al nmero 74/54 indican la subfamilia, L, H, S, LS, AS, ALS, F.
El nmero despus de las letras de la subfamilia, indica el componente en s
(inversores, compuertas, contadores, registros, etc.). Si dos o ms subfamilias tienen
componentes con el mismo nmero significa que la funcin del componente es la
misma.
El sufijo (ltimas letras) de tenerlo indica el encapsulado (P,J,N,D).

Respondiendo a exigencias an mayores la serie 74xx incorpor componentes fabricados con

tecnologa CMOS (transistores complementarios MOS), dentro de estas subfamilias tenemos:

C: CMOS 415 V
HC: Alta velocidad CMOS
HCT: Alta velocidad, lgica compatible con los niveles bipolares.
AC: Advanced CMOS.
ACQ: Advanced CMOS with Quiet outputs.
FC: Fast CMOS
AHC: CMOS de alta velocidad avanzada.
ALVC: bajo voltaje 1.83.3 V

caractersticas generales

Tensin de alimentacin: 5 V tpica, con rango entre los 4,75V y los 5,25V para la 74 y
4,5 V a 5,5 V para la 54.
Lgica positiva: el 1lgico es de mayor tensin que el 0 lgico.
Rango de temperatura: de 0 C a 70 C para la serie 74 y de -55 a 125 C para la 54.
Niveles de tensin de entrada para el 0 lgico (VIL): entre 0V y 0,8V.
Niveles de tensin de entrada para el 1 lgico (VIH): entre 2,4V y VCC
Velocidad de transmisin entre los estados lgicos: alrededor de 400 Mhz.

Subfamilias
 Sin letras: estndar, obsoleta.
L: (low power) bajo consumo de energa
S: (Schottky) subfamilia de alta velocidad (usa diodos Schottky).
AS: (advanced schottky) versin mejorada de la subfamilia anterior.
LS : (low power schottky) combinacin de las tecnologas L y S (es la subfamilia ms
utilizada).
ALS : (advanced low power schottky) versin mejorada de la serie LS.
F: (FAST, fairchild advanced schottky).
AF (advanced FAST): versin mejorada de la subfamilia F.

Aplicaciones

Microprocesadores, como el 8X300, de Signetics, la familia 2900 de AMD y otros.

Memorias
Circuitos digitales, entre ellos, contadores, compuertas, biestables, registros de
desplazamiento, etc.
PAL (arreglo lgico programable), para disear matrices decodificadoras.

La tecnologa TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la primera la que le nombra:

Etapa de entrada por emisor: se utiliza un transistor multiemisor en lugar de la matriz

de diodos de DTL.
Separador de fase: es un transistor conectado en emisor comn que produce en su
colector y emisor seales en contrafase.
Driver: est formada por varios transistores, separados en dos grupos. El primero va
conectado al emisor del separador de fase y drenan la corriente para producir el nivel
bajo a la salida. El segundo grupo va conectado al colector del divisor de fase y
produce el nivel alto.

Esta configuracin general vara ligeramente entre dispositivos de cada familia, principalmente
la etapa de salida, que depende de si son bferes o no y si son de colector abierto, tres estados
(ThreeState), etc.

Se presentan mayores variaciones entre las distintas familias: 74N, 74L y 74H que difieren
principalmente en el valor de las resistencias de polarizacin, pero los 74LS (y no 74S) carecen
del transistor multiemisor caracterstico de TTL. En su lugar llevan una matriz de diodos
Schottky (como DTL). Esto les permite aceptar un margen ms amplio de tensiones de entrada,
hasta 15V en algunos dispositivos, para facilitar su interfaz con CMOS.

Tambin es bastante comn, en circuitos conectados a buses, colocar un transistor PNP a la

entrada de cada lnea para disminuir la corriente de entrada y as cargar menos el bus. Existen
dispositivos de interfaz que integran impedancias de adaptacin al bus para disminuir la
reflexiones o aumentar la velocidad.
TECNOLOGIA CMOS

El semiconductor complementario de xido metlico o complementary metal-oxide-

semiconductor (CMOS) es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos
integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo
pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en estado de reposo, el consumo de energa
es nicamente el debido a las corrientes parsitas, colocado en la placa base.

En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican usan la tecnologa

CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y muchos
otros tipos de circuitos integrados digitales de consumo considerablemente bajo.

Drenador (D) conectada a tierra (Vss), con valor 0; el valor 0 no se propaga al surtidor (S) y
por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor pMOS, por el contrario, est en estado
de conduccin y es el que propaga valor 1 (Vdd) a la salida.

Otra caracterstica importante de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una seal
degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico inicial 0
1, siempre que an est dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.

Ventajas

La familia lgica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la fabricacin de
circuitos integrados digitales:

El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de entrada de los

transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS slo
experimentar corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados
lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el terminal de tierra,
o lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el inversor CMOS bsico
se encuentra en la regin de corte en estado estacionario.
Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o
degradacin de seal debido a la impedancia del metal de interconexin.
Los circuitos CMOS son sencillos de disear.
La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible conseguir densidades
de integracin muy altas a un precio mucho menor que otras tecnologas.

Inconvenientes

Algunos de los inconvenientes son los siguientes:

Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son
empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es
comparativamente menor que la de otras familias lgicas.
Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la
estructura CMOS que entra en conduccin cuando la salida supera la alimentacin. Esto
se produce con relativa facilidad debido a la componente inductiva de la red de
alimentacin de los circuitos integrados. El latch-up produce un camino de baja
resistencia a la corriente de alimentacin que acarrea la destruccin del dispositivo.
Siguiendo las tcnicas de diseo adecuadas este riesgo es prcticamente nulo.
Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato y pozos de difusin con
suficiente regularidad, para asegurarse de que est slidamente conectado a masa o
alimentacin.
Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes parsitas empiezan
a ser comparables a las corrientes dinmicas (debidas a la conmutacin de los
dispositivos).
Se emplean circuitos mixtos bipolar y CMOS tanto en circuitos analgicos como digitales, en un
intento de aprovechar lo mejor de ambas tecnologas. En el mbito analgico destaca la
tecnologa BiCMOS, que permite mantener la velocidad y precisin de los circuitos bipolares,
pero con la alta impedancia de entrada y mrgenes de tensin CMOS. En cuanto a las familias
digitales, la idea es cortar las lneas de corriente entre alimentacin y masa de un circuito
bipolar, colocando transistores MOS. Esto debido a que un transistor bipolar se controla por
corriente, mientras que uno MOS, por tensin.

La relevancia de estos inconvenientes es muy baja en el diseo microelectrnico actual.

Caractersticas de la lgica CMOS:

Disipacin de baja potencia: La disipacin de potencia depende de la potencia de la fuente de

poder, su frecuencia, carga en la salida y el tiempo de arranque. A 1 MHz y a 50pF de carga, la
disipacin de potencia es tpicamente 10nW por compuerta.

Retrasos de propagacin corta: Depende de la fuente de poder, los retrasos de propagacin

son usualmente de 25 ns a 50 ns.

Tiempos de subida y bajada controlados: Los flancos de subida y de bajada son usualmente
denominados como rampas en lugar de funciones de escaln, y tardan entre 20% 40% ms
que los retrasos de propagacin.

La inmunidad al ruido ronda el 50% o 45% de la oscilacin lgica.

Niveles lgicos sern esencialmente iguales a la fuente de poder, esto debido a la alta
impedancia de entrada.

Nivel de tensin desde 0 a VDD donde VDD es la fuente de tensin. Un nivel bajo es cualquier
valor entre 0 y 1/3 de VDD mientras que un nivel alto se representa como cualquier valor entre
2/3 VDD y VDD.

Caractersticas de la lgica TTL:

10 mW de disipacin de potencia por compuerta.

Retrasos de propagacin son de 10ns al tratar con 15 pF/400 de carga.

El rango de tensin est entre 0 y Vcc donde Vcc es usualmente 4.75V 5.25V. Un nivel bajo
es representado por niveles de tensin entre 0V 0.8V, mientras que un nivel alto se representa
por niveles de tensin entre 2V Vcc.

CMOS comparado con TTL:

Los componentes CMOS son usualmente ms caros que los equivalentes en TTL. Sin
embargo, la tecnologa CMOS es ms barata a nivel de sistema, esto debido a los chips que
poseen un menor tamao adems que requieren menos regulacin.

Los circuitos CMOS no drenan tanta potencia como los TTL en los perodos de inactividad. Sin
embargo, el consumo de potencia de los CMOS se incrementa ms rpidamente que los TTL al
aumentar la velocidad del reloj. Un menor consumo de corriente requiere menor distribucin de
la fuente de alimentacin, teniendo como producto un diseo ms sencillo y barato.

Debido a que los tiempos de subida y bajada son mayores, la transmisin de las seales
digitales resulta ms sencilla y barata con los chips CMOS.

Los componentes CMOS son ms susceptibles a daos por descargas electrostticas con
respecto a los componentes TTL.

En realidad la tendencia actual es que los TTL se estan obsoletando, debido principalmente a
que son mas lentos y consumen mas energia que los CMOS, incluso muchos fabricantes estan
ofreciendo chips CMOS completamente compatibles con la familia 74, solo cambia las siglas y
listo

Por Ejemplo: si antes pedias un 74LS138N ahora lo pides como 74HC138N o 74VHC138N

La nomenclatura varia de fabricante a fabricante... pero en las tiendas les especificas que lo
quieres version CMOS y ellos te dan el correcto

Normalmente las versiones CMOS soportan rangos de voltajes mas elevados (3 a 6 V) pero casi
siempre dan menos corriente (en rangos que van de 3 a 10mA).