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ANALOGICA
TRANSISTOR BJT
Descripcin breve
En esto informe vamos a examinar la respuesta de ca del amplificador con BJT revisando los
modelos de uso ms frecuente para representar el transistor en el dominio de ca senoidal.
INTEGRANTES:
AGUILAR CONTRERAS; Jose Miguel
APONTE ARRO; Ronald David
MENDEZ POLO; David Jack
MENDOZA RODRIGUEZ; Irwing Jesus
MIRANDA CABANILLAS; Jherson Aaron
PROFESOR:
UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO
INDICE
INTRODUCCIN. 2
FUNDAMENTO TEORICO
Transistor BJ. 3
Amplificacin en el dominio ca.. 4
Modelo de un transistor BJT
Configuracin en emisor comn... 6
Configuracin en base comn. 11
Configuracin en colector comn. 13
Configuracin de polarizacin fija en emisor comn 13
Configuracin de polarizacin por medio del divisor de
voltaje.. 15
Configuracin de polarizacin en emisor comn.. 18
Configuracin emisor-seguidor.. 22
Configuracin en base comn. 24
Configuracin de realimentacin del colector. 24
Amplificador de polarizacin mediante retroalimentacin de
colector.. 25
Configuracin de realimentacin de cd del colector.. 28
CONCLUSIONES. 30
BIBLIOGRAFIA. 30
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Introduccin
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que
cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El transistor BJT se puede emplear como un
amplificador.
Una de nuestras primeras preocupaciones en el anlisis de ca
senoidal de redes de transistores es la magnitud de la seal de
entrada, la seal de salida y la ganancia. Para Determinar estos
datos utilizamos los conceptos previos ya aprendidos de anlisis
del transistor BJT en cd. Un modelo muy comn que utilizaremos
para analizar el transistor BJT en ac, es el modelo .
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FUNDAMENTO Terico
El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, adems de controlar
el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a
que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia
de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en
electrnica analgica.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:
Emisor; que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.
Base; la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector; de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector
en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.
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AMPLIFICACIN EN EL DOMINIO DE CA
El transistor se puede emplear como un dispositivo amplificador. Es decir, la seal
senoidal de salida es mayor que la de entrada, o, dicho de otra manera, la potencia de
ca de salida puede ser mayor que la potencia de ca de entrada. Surge entonces la
pregunta sobre cmo es que la potencia de salida de ca pueda ser mayor que la potencia
de ca de entrada. La conservacin de la energa dicta que con el tiempo la salida de
potencia total, de un sistema no puede ser mayor que su potencia de entrada y
que la eficiencia definida por = no puede ser mayor que 1. El factor que falta en
el planteamiento anterior que permite que una potencia de salida de ca sea mayor que
la potencia de ca de entrada es la potencia de cd aplicada. Es un contribuyente a la
potencia de salida total aun cuando una parte de ella se disipe por el dispositivo y los
elementos resistivos. En otras palabras, existe un intercambio de potencia de cd con
el dominio de ca que permite establecer una potencia de ca de salida ms alta. De hecho,
se define una eficiencia de conversin = () donde () es la potencia de
()
ca suministrada y () es la potencia cd suministrada.
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En la figura 5.6 las impedancias de entrada y de salida para un sistema particular son
resistivas.
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Sabemos =
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El circuito equivalente, por consiguiente, ha quedado definido, pero ahora los circuitos
de entrada y salida estn aislados y estn vinculados slo por la fuente controlada: una
forma mucho ms fcil de trabajar cuando se analizan redes.
Para tener una idea de este valor de impedancia de salida considere las caractersticas
de salida tpicas de un BJT de la figura 5.15. La pendiente de cada curva definir una
resistencia en ese punto como sigue:
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En general, las configuraciones en base comn tienen una impedancia de entrada muy
baja porque en esencia slo es .
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Observe la ausencia de es debido al efecto de cortocircuito de baja impedancia del capacitor
de puenteo . Es decir, a la frecuencia (o frecuencias) de operacin la reactancia del capacitor
es tan pequea comparada con , que se considera como un cortocircuito a travs de RE.
Cuando se establece en cero, coloca un extremo de 1 y a un potencial de tierra, como se
muestra en la figura. Adems, observe que 1 y 2 permanecen en el circuito de entrada, en
tanto que forma parte del circuito de salida. La combinacin en paralelo de 1 y 2 se define
como:
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Luego hallamos :
0 10
0 10
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b)
o = C = 6.8
d)
6.8
= = = 368.76
18.44
e)
i = 1.35
o = 0 = 6.8 50 = 5.98
0 5.98
= = = 324.3
18.44
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Sustituyendo aproximado:
Y por aproximacin :
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a) Analizamos en CD:
20 0.7
= = = 35.89
+ ( + 1) 470 + (121)0.56
= ( + 1) = (121)(35.89 ) = 4.34
26 26
= = = 5.99
4.34
b) Sometiendo a prueba la condicin 0 10( + )
= ( + ) = (90)(5.99 + 560 ) = 67.92
i = b = (470 ) (67.92 ) = 59.34
c)
o = C = 6.8
c) 0 10 se satisface. Por consiguiente:
0 (120)(2.2 )
= = = = 3.89
67.92
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Configuracin emisor-seguidor:
Cuando la salida se toma de la terminal del emisor del transistor, la red se conoce como
emisor seguidor. El voltaje de salida siempre es un poco menor que la seal de entrada
debido a la cada de la base al emisor, pero la aproximacin Av _ 1 en general es buena.
A diferencia del voltaje en el colector, el voltaje en el emisor est en fase con la seal Vi.
Es decir, Vo y Vi alcanzan sus valores pico positivos y negativos al mismo tiempo. El
hecho de que Vo siga a la magnitud de Vi con una relacin en fase, explica la
terminologa emisor seguidor.
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De lo cual se obtiene:
= ||
= ( + 1)
Sustituyendo Zb y desarrollando la ecuacin obtenemos:
=
+
Analizando el sgte circuito:
= ||
( + 1)
= +
1 +
= || ||
( + 1)
( + 1)
=
1 +
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Zo Rc||Rf
Rc
Av =
re
Zo ro||Rc||Rf
Rc
re
Av = Rc
1+
Rf
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Seal de entrada:
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Conclusiones
Una de los principales uso del transistor BJT en ca, es como un amplificador de
seal para que esto suceda el punto de trabajo debe situarse aproximadamente
en el centro de la recta de carga debido a que si se desplaza a la zona de
saturacin la intensidad de colector se hace mxima y deja de responder a los
incrementos de intensidad de base y si se desplaza a la zona de corte la
intensidad de colector se hace cero y el transistor no conduce. Entre el corte y la
saturacin, el transistor funciona como amplificador, ya que, a cada intensidad
de base (del orden de microamperios) corresponde una intensidad de colector
amplificada (del orden de miliamperios).
Para analizar un BJT en corriente alterna hacemos uso del anlisis en corriente
directa para datos previos que utilizamos. Uno de los datos ms importantes que
hallamos en cada configuracin es la ganancia de voltaje.
Una de las principales ventajas como amplificador del transistor BJT es que la
seal que entra se amplifica y sale una seal ms grande, esto puede relacionarse
en el mundo de la mecnica con una prensa hidrulica
Bibliografa
- Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos 10ma. Boylestad
- Electrnica teora de circuitos 6ta edicin Boylestad.
- Principios de electrnica malvino
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