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Transmisores TRANSMISORES EN COMUNICACIONES PTICAS Transmisores

1. INTRODUCCION Y CONCEPTOS BSICOS

CIRCUITO DE F. O.

9 Transmisores en Comunicaciones Opticas V ATAQUE Y

POLARIZACIN LED
9 Interaccin radiacin materia en niveles o
atmicos P (t)
LD
Transmisores: conversores electro-pticos V (t)

9 Conceptos bsicos de semiconductores Tipos:

9 Interaccin radiacin-materia en Light Emitting Diode (LED)
Laser Diode (LD)
semiconductores
Requisitos ideales (dependiendo de aplicacin):
9 Unin p-n, doble heterounin Alta potencia en la fibra
Alta velocidad de conmutacin
9 Materiales para emisores pticos
Espectro de emisin estrecho; longitud de onda
estable
Conversin E/O: lineal (analgicos), sin ruido
Baja dependencia con la temperatura
Otras caractersticas: tamao, precio, fiabilidad....
1 2
IEM IEM

El papel del transmisor en un sistema de Comunicaciones pticas es la

conversin de la seal elctrica de entrada en su correspondiente seal ptica y
acoplarla a la fibra ptica que sirve como medio de transmisin.
El componente principal del transmisor es el emisor o fuente ptica. Los dos
tipos de dispositivos habitualmente empleados como emisores son el Diodo
Emisor de Luz (LED) y el Diodo Lser (LD), tambin conocido como Lser de
Semiconductor o Lser de Inyeccin.
El transmisor ptico puede incluir adicionalmente al emisor otros
componentes, tales como los circuitos electrnicos de ataque y polarizacin
(driver), un fotodiodo de control de potencia, un sistema de control de
temperatura, y la ptica necesaria para realizar el acoplo a fibra.
Las caractersticas ms importantes del transmisor desde el punto de vista
de su aplicacin a un sistema son la potencia ptica que es capaz de acoplar a
fibra, su velocidad de conmutacin y su anchura espectral.

1 2
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Coeficientes de Einstein Transmisores

Radiacin del Cuerpo Negro Transmisores

E2

E1

ABSORCIN EMISIN ESPONTNEA EMISIN ESTIMULADA

dN1/dt = -B12 N1 U(Q) + A21 N2 + B21 N2 U(Q) = - dN2/dt = 0

N2/N1 = exp [- (E2 - E1) /kT] = exp (-hQ/kT)

U(Q) = A21 / [ B12 (N1/ N2) - B21] = A21 / [ B12 exp (hQ/kT) - B21]
U(Q) = (83hQ3/c3) / [ exp (hQ/kT) - 1] Ley del cuerpo negro

B12 = B21 A21/ B12 = (83hQ3/c3)

4
IEM
3
IEM

La densidad de energa emitida por un cuerpo negro en equilibrio a una

temperatura T viene dada por la ley del cuerpo negro, propuesta por Plank al
considerar la existencia de cuantos o unidades discretas de energa.
Existen tres tipos de procesos de interaccin entre la radiacin y la materia: Al identificar trminos de la ley del cuerpo negro con la densidad de energa en
absorcin, emisin espontnea y emisin estimulada. equilibrio con la materia, se obtienen relaciones entre los coeficientes de
La figura ilustra los tres procesos en el caso de niveles atmicos, tomando como Einstein. A partir de estas relaciones se deduce que en equilibrio la emisin
referencia dos niveles atmicos de energas E1 y E2. espontnea predomina frente a la estimulada, y que las tasas de absorcin y de
(a)Absorcin: un electrn en el nivel E1 absorbe un fotn de energa (E2 - E1) y emisin estimulada tienen el mismo coeficiente de proporcionalidad.
pasa al nivel E2.
(b)Emisin espontnea: un tomo en el nivel E2 pasa al nivel E1 emitiendo un
fotn de energa (E2 - E1).
(c)Emisin estimulada: un fotn, de energa (E2 - E1), estimula una transicin de
un tomo del nivel E2 al nivel E1, generndose un segundo fotn idntico al
primero en todas sus propiedades (frecuencia, fase, direccin, polarizacin...).
Las probabilidades de transicin de cada uno de estos procesos pueden
formularse considerando las constantes de proporcionalidad de Einstein B12 para
procesos de absorcin, B21 para procesos de emisin estimulada y A21 para
procesos de emisin espontnea. Se considera que el nmero de tomos en el
nivel energtico E1 es N1 y en el nivel E2 es N2 y que la densidad de energa de
radiacin a la frecuencia Q tal que hQ = E2 - E1 es U(Q).
En equilibrio la relacin entre N1 y N2 vendr dada por la funcin de Boltzmann,
con lo que es posible obtener U(Q) en funcin de B12, B21, A21 y hQ.

3 4
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Inversin de poblacin Transmisores Ganancia Transmisores

x Absorcin D (cm-1)
g>0
x Ganancia g = - D
x I (x) = I0 exp (-D x)
o I0

g<0 g > 0 Amplificacin

g < 0 Atenuacin
MEDIO x g = 0 Transparencia

Inversin de poblacin:
dN2/dt = B21 U(Q) (N2 - N1) - A21 N2
N2 > N1 g > 0

6
IEM

5
IEM

Cuando un haz ptico recorre un medio, puede ser amplificado, atenuado o no

La tasa de emisin estimulada neta ser proporcional a la diferencia (N2 - N1). Si el
material est en equilibrio, N1 > N2, con lo que predominar la absorcin sobre la
emisin estimulada. Por el contrario, si se saca el material de equilibrio mediante un
bombeo que lleve tomos del nivel E1 al nivel E2, se podr alcanzar la denominada
inversin de poblacin (N2 > N1), con lo que la emisin estimulada predominar frente a
la absorcin.
afectado, en funcin del valor del coeficiente de ganancia (absorcin) a la longitud de onda
de la radiacin. En general, la variacin de la intensidad ptica I en un diferencial de
longitud dz ser proporcional a la intensidad y al coeficiente de ganancia:
dI = g I dz
La integracin de esta ecuacin diferencial nos dar el tpico crecimiento exponencial
si la ganancia es positiva, o decrecimiento exponencial si la ganancia es negativa (o
coeficiente de absorcin D positivo)
El coeficiente de ganancia es proporcional a la tasa de emisin estimulada neta, y
por lo tanto a la diferencia (N2 - N1). Ello indica que en equilibrio, predominar la
absorcin, o el material ser transparente (g = 0) si no existe ninguna transicin a la
energa del fotn considerado. En cambio, si se aporta energa al medio de la forma
adecuada (bombeo), y se consigue la condicin de inversin de poblacin, el material
presentar ganancia ptica positiva, siendo capaz de amplificar la radiacin.

5 6
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NIVELES ENERGTICOS Y BANDAS DE ENERGA Transmisores BANDAS EN SEMICONDUCTORES Transmisores

METAL
Banda de conduccin
Banda de
E2 Conduccin Banda de valencia
EC = EC0 + (h k)2 /2mC
SEMICONDUCTOR
EC0
EG Banda de conduccin
EC0

Energa
EV0 Gap de Energa
EG
Banda de valencia EV0
E1 Banda de
Valencia EV = EV0 - (h k)2 /2mV
AISLANTE

Banda de conduccin

ATOMO SLIDO k= 0
Gap de Energa
Vector de onda k
Banda de valencia

7 8
IEM IEM

Es bien sabido que los electrones en los tomos estn caracterizados por
niveles discretos de energa. En el caso de los slidos, la prximidad de los
tomos da lugar a un desdoblamiento de los niveles energticos en un conjunto
de valores discretos prximos entre s, que aproximamos por un continuo de
energas que denominamos bandas.
La banda de energas ms altas se denomina banda de conduccin (BC) y
la siguiente, de energas menores, banda de valencia (BV). La diferencia de
energa entre el mnimo de la BC y el mximo de la BV es el gap de energa
(zanja, salto).
Los diferentes tipos de slidos cristalinos pueden caracterizarse por la
disposicin de las bandas de energa, y su nivel de llenado de electrones. Los
metales tienen la ltima banda parcialmente llena de electrones; los
semiconductores y aislantes tienen gap de energa, con la BV llena de electrones
y la BC vaca. Si el gap toma valores entre 0,1 y 2,5 eV nos referimos a materiales
semiconductores, y con gaps mayores hablamos de aislantes, aunque las
fronteras no estn definidas y tambin depende de otras propiedades de los
materiales.
Los diagramas de dispersin, de bandas, o E-k, relacionan el vector de onda
k con la energa en los estados energticos de las bandas. Son consecuencia de
la consideracin de los electrones como onda en un slido cristalino, lo que
implica unos ciertos valores posibles de su vector de onda k y de su
correspondiente energa.
En los valores de mnima energa de la BC, la relacin entre la energa de
los estados electrnicos y su vector de onda es aproximadamente cuadrtica. El
valor de la masa efectiva de los electrones en la masa de conduccin mC
representa el efecto de la red atmica del slido sobre el movimiento de dichos
electrones en comparacin con un electrn libre.
En la banda de valencia la relacin E-k da lugar a una masa efectiva de los
electrones mV negativa, lo que significa que el movimiento del conjunto de
electrones de esa manda es equivalente al de una partcula con carga positiva y
masa mV, que denominamos hueco.

7 8
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OCUPACIN DE LAS BANDAS: EQUILIBRIO Transmisores OCUPACIN DE LAS BANDAS: FUERA DE EQUILIBRIO Transmisores

BOMBEO (Inyeccin)
Intrnseco: T = 0 Intrnseco: T > 0 Dopado n
EFN - EFP > 0
EFN

Energa
EF

Energa
Energa

Energa
EF EF EFP f(EC) = ^1 + exp[(EC - EFN)/kT]`-1

Vector de onda k f(EV) = ^1 + exp[(EV - EFP)/kT]`-1

Vector de onda k Vector de onda k Vector de onda k

f(E) = ^1 + exp[(E - EF)/kT]`-1

9 10
IEM IEM

La probabilidad de que un estado electrnico en una banda est ocupado o
no por un electrn viene dada por la funcin estadsticas de Fermi-Dirac, y
depende de la distancia entre la energa del estado y la energa de Fermi EF del
semiconductor.
Los semiconductores intrnsecos son aquellos que no tienen, en nmero
significativo, tomos de impurezas o defectos de la red cristalina. En ellos, a la
temperatura de 0 K, todos los estados de la banda de valencia estn ocupados
por electrones, y todos lo de la banda de conduccin estn vacos. A una
temperatura superior la energa trmica provocar que algunos electrones de la
BV pasen a la BC, dejando huecos en la BV. El nmero de electrones y huecos,
denominado concentracin intrnseca, es muy bajo comparado con el nmero de
estados.
Al dopar un semiconductor se le aaden tomos de impurezas, que pueden
ser donadoras, si aaden electrones a la BC, o aceptadoras, si toman un electrn
de la BV, liberando un hueco.
En un semiconductor en equilibrio, la probabilidad de encontrar un electrn
en la BV es siempre mayor que la de encontrarlo en la BC. Cuando se saca al
semiconductor de equilibrio, por bombeo ptico o inyeccin de portadores, se
vacan de electrones los estados en la BV, que queda poblada por huecos, y se
aaden electrones a la BC. Es decir se quitan electrones de baja energa y se
aaden electrones de alta energa.
Las probabilidades de ocupacin vienen dadas ahora por los quasiniveles de
Fermi en las bandas de conduccin y valencia (EFN y EFP, respectivamente). El
nivel de inyeccin, o bombeo, viene dado por la diferencia de quaisiniveles.

9 10
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INTERACCIN RADIACIN-MATERIA: Semiconductor Transmisores ESPECTROS DE GANANCIA Y EMISIN ESPONTNEA Transmisores

4000 8
19 -3D e m o
O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o
10 cm
O rigin60 O rigin60 D em o

3000 AlGaAs SQW 7 AlGaAs SQW

Ganancia del M aterial (cm )

-3
-1

Recombinacin Espontnea
18
E 9 x 10

cm
1 1 0 19
O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o
2000 6 18
8 x 10

1
0 18 0 8

(10 eV cm s )
-3 -1
18
7 x 10

9x
1000 5
EC hQ O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o

hQ hQ

8x1
hQ 6 x 10
18

-1
0 4
Eg

7 x 1 18
O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o
18

0
5 x 10

6 x 1 18
hQ

28
EV

5 x 1 180
-1000 3
18

0
4 x 10

4 x 1 18
O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o

0
3 x 1 18
-2000 2 18

0
3 x 10

2 x 1 18

c m -3
0
O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o O rigin60 D em o
18
-3000 1 2 x 10

1 0 18
18
10
k=0 k k=0 k k=0 k -4000 0
0,65 0,70 0,75 0,80 0,85 0,65 0,70 0,75 0,80 0,85
(a) (b) (c) Longitud de Onda (m ) Longitud de O nda (m)

ABSORCIN EM. ESPONTNEA EM. ESTIMULADA

Semiconductor con ganancia positiva (inversin de poblacin):

(EFN - EFP) > hQ > EG

11 12
IEM IEM

La figura ilustra los tres procesos anteriores en el caso de un material

semiconductor. Las transiciones de un banda a otra deben realizarse sin variacin
del vector de onda k de los electrones y conservando la energa total.
(a)Absorcin: un electrn de la BV absorbe un fotn y pasa a la BC,
generndose un par electrn-hueco. Este proceso es el fundamento de los
fotodetectores
(b)Emisin espontnea: un electrn de la BC pasa a la BV (recombinacin
electrn hueco), emitiendo espontneamente un fotn. Es la base de
funcionamiento de los LEDs
(c) Emisin estimulada: un fotn atravesando el material estimula una
recombinacin electrn-hueco, generndose un segundo fotn idntico al primero.
Es el fundamento de los lseres y amplificadores pticos.
La Figura de la izquierda presenta el espectro calculado de ganancia para
un semiconductor (en concreto una estructura de pozo cuntico de AlGaAs), en
funcin de la densidad de portadores inyectados.
A baja densidad de portadores el semiconductor es absorbente a longitudes
de onda menores que la correspondiente al gap y transparente a longitudes de
onda mayores. Cuando se va aumentando la inyeccin aparece un rango de
longitudes de onda en el que el semiconductor presenta ganancia positiva. El
ancho de este rango es tpicamente 20-50 nm.
Puede demostrarse fcilmente que para que un semiconductor presente
ganancia positiva para una energa de fotn hQ es necesario que la probabilidad
de encontrar a un electrn en el nivel energtico de la BC involucrado en la
transicin ha de ser mayor que la de encontrar a un electrn en el nivel de la BV.
Ello implica que la separacin de los cuasiniveles de Fermi ha de ser mayor que la
energa del fotn.
La figura de la derecha muestra el espectro calculado de emisin
espontnea para el mismo material en funcin de la densidad de portadores. Este
espectro es equivalente al espectro de emisin de un LED fabricado con este
material en la zona activa. Su anchura a mitad es tpicamente entre 30 y 150 nm,
dependiendo de la longitud de onda y el nivel de inyeccin.

11 12
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UNIN p-n Transmisores MATERIALES para EMISORES OPTICOS Transmisores

9 Gap indirecto (Si, Ge): No eficientes

Transiciones con intervencin de
un fonn
Vj

9 Gap directo (III-V, II-VI): eficientes

Transiciones directas
Electron Energy

EC
Efe 9 Materiales tpicos (C.O.):
qVj
Efh GaAs/AlGaAs: 780-850 nm
EV
InGaAsP/ InP: 1300-1600 nm
junction

p-material n-material

13 14
IEM IEM

Existen dos tipos de materiales semiconductores: semiconductores de gap

La forma convencional de bombear el semiconductor para que est en directo y semiconductores de gap indirecto. En los primeros el mnimo de la BC
condiciones de no-equilibrio y pueda proporcionar ganancia y/o emisin corresponde al mismo valor del vector de onda que el mximo de la BV. Ello
espontnea es mediante el clsico diodo de unin p-n. Tanto los LEDs como los favorece transiciones directas de una banda a otra y posibilita el uso de estos
LDs estn basados en un diodo de unin p-n. materiales en emisores pticos.

En una unin p-n en polarizacin directa se inyectan electrones de la zona n
hacia la p, y huecos de la p hacia la n. En la zona cercana a la unin se produce
una alta recombinacin de electrones y huecos ya que se establecen altas
densidades de ambos. En esta zona la diferencia entre los niveles de Fermi de
electrones y huecos es aproximadamente el voltaje externo aplicado.
Desde un punto de vista elctrico la unin p-n es un diodo, permitiendo el
paso de la corriente con una cada de tensin casi constante al estar polarizado
en directa, y no permitiendo el paso de corriente en inversa.
En los semiconductores de gap indirecto el mnimo de la BC se encuentra
a un valor del vector de onda diferente del mximo de la BV. Por ello no se
pueden realizar transiciones directas de una banda a otra sin la intervencin de
otra partcula que iguale la variacin del vector de onda entre el estado inicial y
final. Esta otra partcula es habitualmente un fonn (cuanto de vibracin de la red).
La necesidad de intervencin de otra partcula hace menos probables las
transiciones radiativas en este tipo de materiales.
Los semiconductores del grupo IV (Silicio, germanio...) tienen gap indirecto
y por ello no pueden emplearse como emisores.
Casi todos los semiconductores del grupo III-V y II-VI tienen gap directo:
aquellos cuya tecnologa est suficientemente desarrollada pueden emplearse
como emisores. Entre ellos destaca la aleacin AlGaAs sobre sustrato de GaAs,
utilizada para dispositivos que emiten entre 780 y 850 nm, y la aleacin
InGaAs(P), sobre sustrato de InP, empleada para emisores de 2 y 3 ventana.

13 14
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4.2 LED Transmisores LED: Principios de funcionamiento Transmisores

9 Principios de funcionamiento x Estructura basica: diodo p-n en

material de gap directo
9 Caracterstica Potencia-Corriente Vj x Basado en emisin espontnea
x Caracterstica P-I: aprox. Lineal
9 Estructuras LED x Baja eficiencia de conversin (2-3 %)
9 Espectros de emisin
9 Propiedades dinmicas
9 Diagramas de radiacin
hX hX
Pout Kextrac Pin KextKin I Ke I
q q

15 16
IEM IEM

Un emisor LED es bsicamente un diodo de unin p-n fabricado sobre un

semiconductor de gap directo y diseado para facilitar al mximo la extraccin al
exterior de la emisin espontnea.
La relacin entre la potencia ptica emitida Pout y la corriente inyectada I es
aproximadamente lineal, salvo a muy altas corrientes en las que la emisin
disminuye debido al autocalentamiento. Se define como eficiencia cuntica
externa Ke la relacin entre el nmero de fotones extrados y el numero de
electrones inyectados. Salvo en algunas estructuras recientes, con valores de
hasta el 22%, el valor tpico de Ke es bajo (1-3%), debido a las dificultades en la
extraccin de los fotones espontneamente emitidos.
La emisin espontnea del LED es incoherente, es decir, los fotones
emitidos no tienen correlacin entre s. La frecuencia, polarizaccin, direccin, y
fase de cada uno de ellos es independiente de los dems.

15 16
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CARACTERSTICA POTENCIA-CORRIENTE (P-I) Transmisores

Transmisores

ESTRUCTURAS LED
60
C
50 -15
epoxy

Output power (PW)

adhesive metal contact
40 25 C insulation layer

optical fiber
multimode
(SiO2)
30 65 C +
p -GaAs
metal
p-AlGaAs
20 n-GaAs etched contact p-GaAs
substrate well n-AlGaAs n-AlGaAs
10 p-GaAs
p-AlGaAs output
SiO2 light
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 metal
contact metal contact
GaAs-substrate
Current (mA) light emitting region

P-I lineal (casi)

Baja pendiente (tpica 10-4 W/A en fibra) LED EMISIN LED EMISIN LATERAL
Poca dependencia con temperatura SUPERFICIAL (ELED)
(SLED)

17
18
IEM
IEM

Puede observarse que la relacin P-I en el LED es casi lineal con una cierta
saturacin causada por efectos de autocalentamiento. La potencia mxima
acoplada a fibra MM es baja, siendo su valor tpico -10 a 15 dBm. La dependencia
de la potencia con la temperatura ambiente es pequea.
Existen muchas estructuras LED, dos de las cuales estn representadas en
las figuras.
La de la izquierda corresponde a un LED de emisin superficial (surface
emitting LED, SLED), tambin llamado tipo Burrus, muy empleado en
comunicaciones pticas desde hace aos. La estructura de capas corresponde a
una unin p-n cuya zona activa es GaAs. Las capas epitaxiales se sueldan con la
parte superior (p) hacia abajo sobre un sumidero de calor con el fin de facilitar la
disipacin. En el substrato se realiza un agujero mediante ataque qumico hasta
acercarse a la zona activa, en el que se coloca una fibra MM, buscando que la
mayor parte de la luz emitida se acople a la fibra.
La estructura de la derecha corresponde a un LED de emisin lateral (edge
emitting LED, ELED). En este caso la extraccin de la luz y acoplo a la fibra se
realiza por un lateral de la estructura de capas. El diseo de la estructura, al igual
que en un LD, da lugar a un fenmeno de guiado ptico en la direccin de
inyeccin de corriente, que aumenta la emisin en las caras laterales.

17 18
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ESPECTRO DE EMISIN Transmisores Transmisores

DIAGRAMA DE RADIACIN (LED)

1.0 LED

Campo lejano (u.a.)

Power Intensity (a.u.) 1
0.8

0.6 120

0.4

0.2
0
0.0 -90 -60 -30 0 30 60 90
1100 1200 1300 1400 1500
ngulo ()
Wavelength (nm)
LED: lambertiano
Valores tpicos: 'O (FWHM) entre 30 y 150 nm
Aproximadamente: 'O ~ 1,45 (kT) O2 4 |  (FWHM)
[O expresado en m y (kT) en eV]

19 20
IEM IEM

En las figuras se ha representado el espectro de emisin tpico de un LED. Su
espectro es habitualmente asimtrico y con un nico lbulo, de ancho a mitad de
altura 'O entre 30 y 150 nm. Es tanto ms ancho cuanto mayor es la longitud de
onda de emisin.
Los diagramas o patrones de radiacin de un LED son muy anchos y siguen una
ley lambertiana debido a la naturaleza incoherente de la radiacin. Ello da lugar
a un ancho terico a mitad de altura de 120. En la prctica el ancho es algo
menor, y en el caso de los ELED es mucho ms estrecho (hasta 30) en la
direccin perpendicular al plano de la unin.
Este diagrama dificulta el acoplo a fibra de la radiacin.

19 20
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RESPUESTA DINMICA Transmisores

3. Diodo Lser Transmisores

P
90 %
Idea general de Lser
Lser de semiconductor
10 %
Condicin umbral
Potencia-corriente
t
2.2 Wn
Estructuras de guiado lateral
Patrones de emisin
Filtro paso bajo:
Lser de pozo cuntico
P( 0 ) Compromiso potencia-velocidad Lser FP: Espectro
P(Z ) 1 Lser monofrecuencia
>1  ZW tot 
2
@ 2
Valores tpicos: 10 MHz-1 GHz Lseres sintonizables:
W rise,fall | 2.2W tot VCSELs
Propiedades dinmicas:

21
22
IEM
IEM

Al aplicar un escaln de corriente a un LED la potencia ptica aumenta de

acuerdo con una funcin exponencial similar a la de un circuito RC. El tiempo
caracterstico Wtot corresponde al tiempo de vida de portadores, tomando valores
entre 1 y 10 ns.
La respuesta en frecuencia (modulacin en pequea seal) corresponde a un filtro
paso bajo de polo simple, con ancho de banda (2SWtot)-1. Los valores tpicos de
ancho de banda en LEDs de comunicaciones varan entre 10 y 150 MHz,
pudindose encontrarse algunos de mayor velocidad. Sin embargo, cuando la
velocidad es mayor la potencia emitida disminuye en comparacin con
dispositivos ms lentos.

21 22
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CONCEPTO GENERAL DE LSER Transmisores LSER DE DOBLE HETEROESTRUCTURA Transmisores

LASER: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation

electrical
x wire
I
z
metal
BOMBEO y contact
optical
mode
refractive
index energy
9 Energa (bombeo): active
p-material bandgap
region
ptico o inyeccin de corriente

electrons
holes
I I > I Iout 9 Medio con ganancia
n-material 'n
MEDIO ACTIVO (inversin de poblacin) VB CB

g>0 9 Realimentacin: cavity width

cavidad resonante (Fabry-Perot)

realimentacin OSCILACIN LSER x Confinamiento de portadores (recombinacin en la zona

activa)
x Gua-onda en la direccin vertical

23 24
IEM IEM

La emisin LASER en un medio fue obtenida por primera vez en 1960 en un
cristal de rub. Desde entonces se ha desarrollado un gran nmero de tipos
diferentes de lser (gas, estado slido, semiconductor, colorante, electrones
libres...) con un enorme rango de aplicaciones.
En general, un lser es un oscilador a frecuencias pticas. De la misma
manera que un oscilador electrnico necesita para oscilar un proceso de
amplificacin y otro de realimentacin positiva, un lser est constituido por un
medio en condiciones de ganancia y una cavidad resonante. El medio debe estar
recibiendo un bombeo, que puede ser ptico o mediante inyeccin de corriente,
para estar fuera de equilibrio y ser capaz de amplificar. La realimentacin se
consigue tpicamente por medio de una cavidad Fabry-Perot, consistente en dos
espejos semitransparentes separados una distancia L. La luz confinada en el
interior de la cavidad sufre un proceso de ganancia al propagarse que compensa
las prdidas debidas a las reflexiones en los espejos. Aquellas frecuencias pticas
que tras propagarse por la cavidad y reflejarse en ambos espejos mantengan su
fase sin cambios, sern las posibles frecuencias de oscilacin del sistema.
La emisin lser est caracterizada por ser altamente coherente, es decir
por fotones (casi) idnticos en cuanto a frecuencia, polarizacin y fase.
Casi todos los diodos lser (LD) actuales estn basados en el lser de doble
heteroestructura. Consiste en un chip de semiconductor en el que se ha crecido
una unin p-n sobre un substrato; sus caras han sido talladas (cleaved) de forma
que den lugar a espejos de alta calidad debido a la diferencia entre el ndice de
refraccin del semiconductor y del aire. En la direccin de inyeccin de corriente
se ha crecido una zona activa de mayor ndice de refraccin y de menor gap
que las zonas adyacentes, denominadas zonas de recubrimiento (cladding). Ello
se consigue mediante un adecuado perfil de composicin.
Dicho perfil de composicin da lugar a dos fenmenos imprescindibles para
obtener emisin lser en forma eficiente:
- Confinamiento de portadores: que son acumulados y forzados a
recombinarse en la regin activa, de menor gap.
- Confinamiento ptico: el perfil de ndices produce un efecto de gua onda
que confina el campo ptico en la zona activa.

23 24
 Nov- 05 Nov- 05

CONDICIN UMBRAL Transmisores MODOS LONGITUDINALES Transmisores

CURRENT
(n  1) 2
INJECTION
R | 0 .3 2Sneff
(n  1) 2 k
cavity losses O

Gain
ACTIVE REGION
E ( z, t ) A( z )e j (Zt  kz ) mc
longitudinal carrier Qm
Condicin de oscilacin : modes density neff 2 L
L E0 E2 R e ( g D in ) L e (  j 2 kL ) 1 c
R CLEAVED FACETS R 'Q
neff 2 L
E2 GAIN MEDIUM 0
E0 1 1 Wavelength (m) neff 2 L
MDULO : g th D in  ln Om
L R lasing mode m
O2
Z=0 MIRRORS Z=L FASE : 2kL = 2mS 'O
neff 2 L

25 26
IEM IEM

La condicin necesaria para la oscilacin lser se denomina condicin
umbral. Refleja el hecho de que un campo ptico E0 que se propague por la
cavidad debe permanecer inalterado tras una ida y vuelta completa (round trip
condition).
Esta condicin se expresa matemticamente como E0 = E2, donde E2 es el
campo tras recorrer una distancia 2L en un medio de ganancia neta (g-Din), siendo
la constante de propagacin k. g es la ganancia modal y Din es el coeficiente de
prdidas internas. La reflectividad de los espejos viene dada por R.
La condicin umbral puede dividirse en dos partes:
Condicin en mdulo, que indica que la ganancia umbral proporcionada por
el material debe ser igual a las prdidas totales.
Condicin en fase, que indica que la fase de la onda tras una ida y vuelta en
la cavidad debe ser un mltiplo entero de 2S.
Esta ltima condicin define las frecuencias propias de oscilacin de la
cavidad, denominadas modos longitudinales.
La figura representa el espectro de ganancia y los posibles modos
longitudinales de la cavidad Om. Las prdidas totales de la cavidad estn dadas
por la lnea de puntos.
Al aumentar la corriente inyectada la densidad de portadores en la zona
activa aumenta, y por tanto tambin aumenta la ganancia. Cuando la ganancia
iguala a las prdidas de la cavidad, comienza la emisin lser en el modo
longitudinal ms cercano al mximo de la curva de ganancia. Un aumento
posterior de la corriente ya no aumenta la concentracin de portadores, que se
mantiene enganchada en su valor umbral, y por tanto no vara la longitud de onda
de emisin, salvo por efectos de segundo orden.
Los posibles modos longitudinales estn equiespaciados en frecuencia pero
no en longitud de onda. La distancia entre dos modos en longitud de onda
depende de la longitud de la cavidad, siendo su margen tpico entre 0,1 y 0,3 nm
para los lseres habituales.

25 26
 Nov- 05 Nov- 05

CARACTERSTICA POTENCIA-CORRIENTE (P-I) Transmisores

RELACIN POTENCIA-PORTADORES-CORRIENTE
Transmisores

1.6
n 1.4 15 C
nth

Output power (mW)

25 C
1.2 35 C
1.0 45 C
0.8 55 C
I  I th 0.6
0.4
n
I qVact 0.2
W tot 0.0
S 0; Popt 0 I 0 5 10 15 20 25
P
Current (mA)
I ! I th
I I th  g 0 (nth  n0 ) S
P K slope ( I  I th ) Kslope P-I con umbral (tpica 10 mA)
K slope : Slope Efficiency (W/A) Alta pendiente (tpica 0.1-0.5 W/A; en fibra menor)
Alta potencia (tpica 0-10 dBm); ruptura por exceso de potencia
Alta dependencia con temperatura
Ith I

28
27
IEM
IEM

Al aumentar la corriente inyectada al lser por debajo de umbral, la densidad
de portadores en la zona activa n crece casi linealmente con la corriente. Cuando
la densidad de portadores alcanza su valor umbral nth todo nuevo incremento de
corriente es convertido en potencia ptica, y la densidad de portadores queda
enganchada a su valor umbral.
La caracterstica Potencia ptica-Corriente (P-I) de un LD est caracterizada
por la existencia de una corriente umbral (Ith) a partir de la cual comienza la
emisin lser. Esta corriente es la necesaria para que la densidad de portadores
llegue a nth, y pueda proporcionar la ganancia necesaria para igualar a las
prdidas. La corriente umbral es proporcional al volumen de la zona activa e
inversamente proporcional al tiempo de vida de los portadores.
A corrientes superiores a Ith la potencia ptica emitida aumenta linealmente
con la corriente. La pendiente de la relacin P-I se define como la eficiencia de la
pendiente Kslope, en W/A. Su valor depende de la longitud de onda, de la longitud
de la cavidad y de otras caractersticas del dispositivo. Valores tpicos se
encuentran entre 0,2 y 1 W/A, considerando la emisin por ambas caras.
En la curva Potencia-Corriente de un LD puede observarse la existencia de un
valor umbral altamente dependiente con la temperatura, segn la expresin
emprica:
T
I th I th0 exp
T0
donde T0 se denomina temperatura caracterstica y toma valores entre 50 y 150 K.
La dependencia con la temperatura es ms acusada en lseres de 2 y 3 ventana
que en los de 1 ventana.
Los LDs acoplan alta potencia en fibra SM, tpicamente entre 0 y 10 dBm para
lseres de comunicaciones. La pendiente de la curva P-I es altamente lineal,
hasta su potencia mxima de operacin.

27 28
 Nov- 05 Nov- 05

DIAGRAMA DE RADIACIN (LSER) Transmisores

Transmisores
ESTRUCTURAS LSER: GUIADO LATERAL
metal metal metal
active contac
contac contac
oxide
oxide p
p-cladding p-cladding blocking
active a n n layer
n-cladding n-cladding p n p confinement
layer
substrate substrate substrate

campo lejano (u.a.)

Guiado por ganancia: Guiado dbil por ndice: Guiado fuerte por ndice
Fabricacin sencilla Fabricacin ms compleja (estructuras enterradas)
Haz inestable Control de modos laterales Fabricacin muy compleja
LD: depende de la estructura
Menor volumen bombeado Confinamiento ptico y de
portadores
Mnimo volumen bombeado 0
4A | 30-50
-90 -60 -30 0 30 60 90 4 | 5-15
ngulo ()

30
29
IEM
IEM

Existen un gran nmero de estructuras lser desde el punto de vista de su

configuracin lateral, es decir en el eje perpendicular a la emisin y a la inyeccin
de corriente. El diagrama de radiacin de un lser convencional (emisin lateral) es
fuertemente asimtrico, dando lugar a un haz con forma elptica.
Los lseres guiados por ganancia son los ms sencillos de fabricar, y en
ellos su zona activa es definida por la inyeccin de corriente sin que se produzca En la direccin perpendicular a la unin es altamente divergente, con anchuras
ningn guiado en la direccin lateral. Ello da lugar a un esparcimiento de la variables entre 30 y 50, dependiendo de la estructura interna de capas. En la
corriente (spreading), que no queda confinada, y un haz muy inestable y poco direccin paralela a la unin toma valores muy diversos en funcin de la
controlable. estructura lateral y de las dimensiones de la zona activa, pudiendo valer entre 5 y
15.
Las estructuras con guiado dbil por ndice, como por ejemplo la estructura
en caballete (ridge) representada en la figura, proporcionan una ligera diferencia
de ndice efectivo entre la zona bombeada y la zona exterior. Esta diferencia de
ndice realiza un guiado lateral y confina el modo en una zona localizada,
proporcionando operacin monomodo lateral hasta niveles altos de potencia. Su
proceso de fabricacin es ms complejo que el anterior.
Las estructuras con guiado fuerte por ndice, tales como las estructuras
enterradas (buried heterostructures) dan lugar a confinamiento del modo ptico y
de los portadores en la zona activa. Deben ser fabricadas mediante recrecimiento
epitaxial lo que complica su produccin. Proporcionan las mejores prestaciones, y
casi todos los lseres de C.O. corresponden a este tipo.

29 30
 Nov- 05 Nov- 05

ESPECTRO LASER FP: variacin con I Transmisores

LSERES DE POZO CUNTICO Transmisores

Zona activa: 5-20 nm

Variacin de longitud de onda:
Confinamiento de e- y h+ en sub-bandas de
energa Cada modo neff (I, T)
Ventajas:
n-cladding p-cladding
9 Menor volumen + efectos 2D Saltos:
EC confinement confinement
QW menor corriente umbral 40 mA
2
9ganancia (T)
|\ | 9 Ms grados de libertad (long.
ei
35 mA
onda) 9 efectos no lineales
E ei 30 mA
9 Ms velocidad
'Eei-hj 25 mA
E hj
x Actualmente todos los LD comerciales 20 mA
EV
|\hj |
2
son de QW
16 mA
y
x Futuro:
I = 14 mA
o Punto cuntico (QD)?
o Cascada cuntica (QC)? O (nm)
32
31
IEM
IEM

A partir de 1980 comenzaron a fabricarse los llamados lseres de pozo En la figura puede observarse la variacin del espectro de un lser FP por encima
cuntico (Quantum Well, QW). En ellos la zona activa corresponde a un material de umbral al aumentar la corriente inyectada (la escala es lineal).
de gap ms estrecho que el de las zonas adyacentes (zonas de confinamiento) y Puede apreciarse el fenmeno de salto de modo (mode hopping) longitudinal,
pequeo espesor. El confinamiento de los portadores en el QW da lugar a efectos debido fundamentalmente al autocalentamiento: al aumentar la temperatura
de tipo cuntico, apareciendo subbandas de energa y limitando el movimiento de interna el gap del semiconductor se estrecha y el mximo del espectro de
stos en la direccin de crecimiento. ganancia se traslada a longitudes de onda mayores.
Este tipo de lseres se ha impuesto en el decenio de los 90, de tal forma Adicionalmente tambin se aprecia un ligero desplazamiento de cada uno de los
que en la actualidad casi todos los lseres comerciales son de QW. El modos a longitud de onda ms alta al aumentar la corriente; es debido a la
confinamiento de los portadores y el menor volumen activo da lugar a una menor dependencia con la temperatura del ndice de refraccin.
corriente umbral. Adems es posible crecer un mayor nmero de materiales,
aumentando el nmero de grados de libertad en el diseo y expandiendo el rango
de longitudes de onda disponibles.
Actualmente se est tendiendo a dos nuevos tipos de estructuras, a nivel
investigacin y desarrollo, que probablemente entrarn prximamente en su fase
comercial: los lseres de punto cuntico (Quantum Dot), en los que se produce
confinamiento de portadores en las tres direcciones del espacio, y los lseres de
cascada cuntica (Quantum Cascade), en los que las transiciones se producen
entre las subbandas de conduccin de un pozo cuntico.

31 32
 Nov- 05 Nov- 05

ANCHO DE LINEA Transmisores

LSERES MONOFRECUENCIA (SINGLE FREQUENCY) (1) Transmisores

Tpico (DFB): 1-10 MHz (10 mW)

'X R spon
1  D2 
4S P
D: factor de ensanchamiento de lnea
D| 1-5
Medidas del mismo Lser en
diferentes Laboratorios !!!!
33
IEM
Se denomina ancho de lnea de emisin a la anchura a mitad de altura de cada
uno de los modos longitudinales de lser FP o del nico modo de un lser DFB o
DBR.
El ancho de lnea est originado por fluctuaciones de la fase provenientes de
diferentes fuentes de ruido, entre la que destaca el ruido de la emisin
espontnea acoplada al modo lser. Su valor es muy diferente en funcin del
dispositivo concreto y de su modo de operacin, y suele expresarse en unidades
de frecuencia, variando entre decenas de KHz y decenas de MHz.
El ancho de lnea disminuye al aumentar la potencia emitida. Su determinacin
experimental no es sencilla, y como ejemplo se adjunta un conjunto de medidas
del ancho de lnea del mismo lser DFB realizadas en laboratorios diferentes, en
las que puede observarse una gran dispersin en los resultados.
El valor tpico del ancho de lnea garantizado por los fabricantes en DFBs
comerciales es de 1-10 MHz a 10 mW.
33
LSER FABRY-PEROT (FP) LSER MONOFRECUENCIA
SMSR = 3 - 20 dB SMSR = 30 - 40 dB
Side Mode Supression Ratio (SMSR) = 10 log (P0/Ps)
34
IEM
Se denomina lseres monomodo, o monofrecuencia (single frequency), a
aquellos que son capaces de emitir en un nico modo longitudinal. Para
comprender su funcionamiento debemos observar primero el espectro de emisin
de un lser convencional de cavidad Fabry-Perot. Puede observarse la aparicin
de todo un conjunto de longitudes de onda de emisin.
El parmetro que define la importancia relativa de los modos secundarios es
el SMSR (Relacin de Supresin de Modos Laterales), siendo su valor tpico entre
3 y 20 dB para un lser FP en continua. En conmutacin el SMSR se degrada
fuertemente.
En general se define como monomodo a aquellos lseres cuya SMSR toma
un valor en continua de 30 o 40 dB. Adems su longitud de onda de emisin es
altamente estable frente a variaciones en la corriente de inyeccin.
34
 Nov- 05 Nov- 05

ESPECTRO LASER DFB: variacin con T Transmisores

LSERES MONOFRECUENCIA (SINGLE FREQUENCY) (2) Transmisores

+ +
grating
p-type p-type

n-type active DBR n-type DBR

region

- -
DFB: Distributed Feedback Laser DBR: Distributed Bragg Reflector

Longitud de onda de Bragg:

/ = m OB / 2 neff
o Seleccionan un nico modo
longitudinal de la cavidad
o Tecnologa muy compleja
o Alto precio 36
35
IEM
IEM

Existen dos tipos fundamentales de lseres monomodo: los lseres DFB En la figura puede observarse el desplazamiento de la longitud de onda de
(realimentacin distribuida) y los lseres DBR (reflector de Bragg distribuido). emisin de un lser DFB al aumentar la temperatura, por el mismo motivo que el
En los lseres DFB se define una red de difraccin (grating) a lo largo de comentado anteriormente en un lser FP (variacin del ndice con la temperatura).
toda la cavidad mediante una variacin del ndice de refraccin de periodo /. Las Este fenmeno tiene como aplicacin directa la seleccin de longitud de onda a
interferencias constructivas entre las ondas que se propagan hacia delante y partir del control de la temperatura (temperature tuning)
hacia atrs en la cavidad dan lugar a que slo aquellas frecuencias que cumplan
la condicin de Bragg puedan ser sostenidas.
En los lseres DBR se sustituye uno o los dos espejos por un reflector de
Bragg que da lugar a un mximo de reflexin a una nica frecuencia y un mnimo
cercano a cero a las dems. Ello da lugar a que el nico modo que pueda
sostenerse es aqul para el cual se produce la reflexin.
Es importante resaltar que la condicin de Bragg depende en ambos casos
del ndice de refraccin. Por tanto cualquier variacin del ndice (portadores,
temperatura...) dar lugar a variaciones en la longitud de onda de emisin.

35 36
 Nov- 05 Nov- 05

LSERES SINTONIZABLES Transmisores LSERES DE EMISIN SUPERFICIAL Transmisores

Vertical Cavity Surface Emitting

Lser de cavidad externa Lasers (VCSELs)

o Pequeo volumen: menor

ganancia, menor Ith
o Alta densidad (produccin)
o Posibilidad de arrays 2D
o Tecnologa compleja
Lser DBR multiseccin o Problemas trmicos
o Bajo precio!

37 38
IEM IEM

En los ltimos aos han aparecido ya en forma comercial los lseres de

Existen diferentes modos de fabricar lseres sintonizables, de gran
importancia en algunas aplicaciones tales como sistemas WDM
En los lseres de cavidad externa se aplica un recubrimiento antireflexivo en
una de las caras y la emisin se lleva a una red de difraccin. sta solo reflejar
una nica longitud de onda que definir el modo de oscilacin lser. Girando la
red de difraccin es posible sintonizar la longitud de onda deseada.
En los lseres DBR multiseccin se dispone de una o ms zonas adicionales
de bombeo. La variacin en la corriente de la seccin DBR (I3 en la figura) vara la
densidad de portadores y por tanto el ndice efectivo y la longitud de onda de
Bragg. La corriente I2 proporciona un ajuste fino de la longitud de onda de
emisin.
El margen de sintona en estos lseres corresponde al ancho de su espectro
de ganancia, tpicamente 50 nm.
Cavidad Vertical y Emisin Superficial (VCSEL). En ellos la emisin tiene lugar en
la direccin perpendicular al substrato y estructura de capas. La cavidad tiene una
longitud muy inferiores a la de los lseres de emisin lateral (1-2 m en lugar de
500-1000 m), por lo que es necesario introducir espejos de muy alta reflectividad.
Ello se consigue creciendo DBRs por encima y por debajo de la zona activa.
El rea ocupada por cada lser es muy inferior a la de un lser
convencional, lo que abarata el coste de produccin y permite la fabricacin de
arrays bidimensionales. El volumen tambin es pequeo, por lo que la corriente
umbral es muy baja. Debido al pequeo tamao de la cavidad, los modos
longitudinales estn muy separados en frecuencia, por lo que los VCSELs
presentan funcionamiento monomodo longitudinal.
Su mayor problema es el de disipacin trmica, que da lugar a un alto
calentamiento y limita la mxima potencia de emisin. Los posibles modos
transversos y el control de la polarizacin del haz dan lugar tambin a problemas
en mucha aplicaciones.
Hasta ahora se han fabricado VCSELs emitiendo en longitudes de onda
inferiores a 1 m, siendo ms compleja su fabricacin para longitudes de onda
mayores.

37 38
 Nov- 05 Nov- 05

DIAGRAMA DE RADIACIN (VCSEL) Transmisores RESPUESTA DINMICA DEL LSER (GRAN SEAL) Transmisores

Tiempo de encendido:
0.2-0.5 ns
Oscilaciones de relajacin:
1-20 GHz

Anchos de banda (f3dB)

> 1 GHz siempre
> 25 GHz posible

39 40
IEM IEM

Los VCSELs presentan habitualmente problemas en cuanto al control de sus
modos transversos. Debido a su simetra cilndrica tienden a aparecer modos de
tipo LP, similares a los de la fibra ptica a altos niveles de inyeccin. En la figura
pueden observarse los patrones de campo cercano de los cuatro primeros modos.
Al aplicar un escaln de corriente a un LD la respuesta es mucho ms complicada
que en un LED y puede verse esquematizada en la Figura. Durante un tiempo
inicial, denominado tiempo de encendido, no se emite potencia. Posteriormente la
potencia emitida aumenta muy abruptamente y presenta oscilaciones hasta que
se relaja a su valor de equilibrio.
El tiempo de encendido es el necesario para que el nmero de portadores en la
zona activa llegue a su valor umbral. Este tiempo depende de la corriente inicial y
de la corriente inyectada, siendo su valor tpico entre 0,2 y 0,5 ns. Las
oscilaciones de relajacin tienen una frecuencia entre 1 y 20 GHz, dependiendo
de la estructura del lser y del valor de la corriente. En dcimas de ns se suele
alcanzar el estado estacionario.
El origen de estas oscilaciones es la interaccin entre las poblaciones de
portadores y fotones en el interior de la cavidad, que tienen un comportamiento
resonante similar al de un circuito LCR.
Si se evita el tiempo de encendido mediante prepolarizacin como veremos a
continuacin, la respuesta de casi todos los lseres es muy rpida, pudiendo
llegar a anchos de banda entre 1 y 40 GHz. En aquellos lseres no diseados
para alta velocidad, el lmite viene dado por los parsitos elctricos del
encapsulado.

39 40
 Nov- 05 Nov- 05

RESPUESTA DINMICA DEL LSER (Pequea seal) Transmisores MODULACIN CON SEALES BINARIAS Transmisores

Respuesta similar a un filtro LCR: resonancia y amortiguamiento

IOFF | ITH
La frecuencia de resonancia aumenta con la corriente hasta ION | I(Pmax.)
llegara a amortiguamiento crtico (mximo ancho de banda) 25 Gbs NRZ
Relacin de extincin = POFF/ PON
41 42
IEM IEM

Al modular el lser en forma digital se aplica una corriente que vara entre un valor
IOFF y un valor ION, dando lugar a una potencia variable entre un mnimo y un
mximo. Habitualmente se aplica como IOFF un valor cercano al umbral con el fin
de evitar el tiempo de encendido a la vez que se minimiza la potencia en estado
OFF. El valor de ION se escoge para que aplique la mxima potencia a la fibra.
En la figura puede observarse un diagrama de ojo realizado por modulacin
directa de un lser a 25 Gbs en formato NRZ.

41 42
 Nov- 05 Nov- 05

4. MODULOS TRANSMISORES Transmisores

MODULACIN EN FRECUENCIA Transmisores

NDICE

Modulacin en AM (intensidad)
Modulacin en FM (frecuencia ptica) Comparacin de emisores
Origen fsico: 'i 'n (portadores)

Acoplo fibra-lser
'neff 'X
Chirp: variacin temporal en la frecuencia Mdulos lser
ptica causada por la modulacin AM
Moduladores externos
Circuitos de ataque y polarizacin
Caractersticas V-I
Encapsulados

43
IEM
44
IEM

Uno de los mayores problemas en LDs en aplicaciones de alta velocidad y alta

distancia es el fenmeno de la modulacin en frecuencia que se produce al aplicar
una modulacin directa en intensidad.
El origen fsico de este fenmeno es la variacin del ndice de refraccin con la
concentracin de portadores, que hace que vare a su vez la frecuencia ptica de
emisin. En el transitorio de encendido, las oscilaciones de relajacin hacen que
el nmero de portadores vare con el tiempo y por tanto tambin lo hace la
longitud de onda. Ello da lugar al denominado chirp del lser, ensanchamiento
promedio del espectro en conmutacin. El valor del ensanchamiento depende de
un parmetro del semiconductor denominado D (linewidth enhancement factor),
caracterstico de cada dispositivo.
Esta modulacin de la frecuencia ptica puede ser aplicada en comunicaciones
pticas coherentes como tcnica de modulacin FM; sin embargo en la mayora
de las aplicaciones que utilizan modulacin directa es un inconveniente que no
puede ser evitado. Por ello a altas velocidades (> 2,5 Gb/s) se utiliza en ocasiones
un modulador externo en lugar de modulacin directa.

43 44
 Nov- 05 Nov- 05

COMPARACIN DE EMISORES Transmisores ACOPLO LSER A FIBRA Transmisores

LED LD-FP LD-DFB VCSEL

Potencia en
Baja Alta Alta Alta
fibra
Espectro Ancho Estrecho Muy estrecho Muy estrecho Diodo Lser:
Muy sensible a la
Vel. realimentacin ptica
Baja-media Alta Alta-muy alta Alta-muy alta
Modulacin Necesidad de Aisladores
Costo Bajo Medio Alto Bajo pticos

Acoplo a
MM SM SM MM
fibra
Ventanas
1, 2 2, 3 2, 3 1
(para C.O.)
Baja/media Alta tasa
Baja tasa binaria / larga Alta tasa
tasa binaria -
Aplicaciones binaria -corta distancia binaria /corta
baja/ media
distancia distancia
distancia WDM 45 46
IEM IEM

El acoplo de la potencia emitida por el lser a una Fibra SM tiene una gran
dificultad debido a la alta divergencia de la fuente, que adems es astigmtica, y a
las reducidas dimensiones del dimetro de la fibra. Lleva un complicado proceso
de alineamiento y suele llevarse a cabo con diferentes tipos de lentes.
Adicionalmente, debe minimizarse la reflexin de las lentes, o de cualquier otro
punto del sistema, puesto que la emisin del lser se desestabiliza, incluso con
niveles muy pequeos de reflexin. Esto se consigue mediante el uso de
aisladores pticos.

45 46
 Nov- 05 Nov- 05

MODULOS LSER Transmisores

MODULACIN EXTERNA Transmisores

Vin

48
IEM
47
IEM

Existen todo tipo de mdulos comerciales LED y lser incluyendo en el
encapsulado diversos accesorios adems del propio emisor.
Todos los lseres comerciales incluyen un fotodetector en el encapsulado que
acta como monitor de potencia emitida. Algunos incluyen adicionalmente un
sensor de temperatura y un dispositivo tipo Peltier que permite variar la
temperatura mediante un controlador externo. Los mdulos de altas prestaciones
pueden incluir tambin un aislador ptico. El acoplo a la fibra se realiza mediante
una lente, habitualmente tipo GRIN.
Cuando la tasa binaria de un sistema supera los 2,5 Gb/s el efecto del "chirp" en
el diodo lser da lugar a problemas de dispersin en caso de modulacin directa.
Para evitarlo suele recurrirse a un modulador externo, que permite o no el paso de
la intensidad ptica en funcin de una tensin externa relacionada con la seal,
mantenindose el lser siempre encendido.
Los principales parmetros de un modulador son: ls prdidas de insercin al
transmitir, la relacin de extincin, su ancho de banda elctrico, y el margen de
tensiones necesario para su operacin.
Existen diferentes tecnologas de moduladores externos. La figura de la izquierda
muestra un modulador en ptica integrada basado en un interfermetro Mach-
Zehnder. La tensin aplicada vara el ndice de refraccin de la guonda y por
tanto vara la condicin de interferencia constructiva o destructiva a la salida.
La figura de la derecha muestra un modulador de semiconductor basado en
electroabsorcin. En este caso el gap neto del semiconductor es variado por la
tensin externa, con lo que pasa de ser absorbente a transparente a la longitud de
onda de trabajo. Estos tienen la ventaja de poder ser integrados con el diodo
lser.

47 48
 Nov- 05 Nov- 05

Transmisores Transmisores

CARACTERSTICA TENSIN -CORRIENTE (V-I)

CIRCUITOS DE ATAQUE Y POLARIZACIN PARA LDs

Diodo: 30

I = I0 [exp (qV/mkT) - 1] 25

V = V0 + I Rs 20

I (mA)
V0 ~ Eg/q 15

1 ventana: V0 | 1,5 -1,7 V 10

2 y 3 ventanas: V0 | 1 -1,2 V 5

0
0 0.5 1 1.5 2
V (V)

49 50
IEM IEM

Los circuitos de ataque y polarizacin de los emisores (driver) suelen realizarse
externamente a su encapsulado. Su papel es realizar una conversin
tensin/corriente de la seal de modulacin y aadir la polarizacin necesaria.
Habitualmente incluyen control automtico de potencia a partir de la seal del
fotodetector asociado al lser.
Existen gran nmero de drivers comerciales integrados monolticamente para
diferentes velocidades de modulacin.
Desde el punto de vista de su funcionamiento en un circuito, no debe olvidarse
que los LEDsy LDs son diodos, por lo que su caracterstica I-V sigue la clsica ley
exponencial, y puede ser aproximada por una cada constante de tensin y una
resistencia serie.
La tensin de codo del diodo depende del gap del semiconductor, y por tanto de
su longitud de onda de emisin.

49 50
 Nov- 05

ENCAPSULADOS/ACOPLOS Transmisores

POF-receptacle LED
Pigtailed FP-LD
Receptacle FP-LD

Receptacle VCSEL
Pigtailed DIL DFB

Uncoupled FP-LD

51
IEM

Existe una gran variedad de modelos comerciales de encapsulado, casi todos

ellos modificaciones de los habituales en transistores y CI. El acoplo a fibra puede
hacerse mediante un pigtail, tramo corto de fibra terminado en conector macho,
o mediante un conector de fibra hembra (receptacle)

51