Eletronica Geral PDF

Centro de Formao Profissional Pedro Martins Guerra
ELETRNICA
GERAL
Presidente da FIEMG
Robson Braga de Andrade
Gestor do SENAI
Petrnio Machado Zica
Diretor Regional do SENAI e

Superintendente de Conhecimento e Tecnologia
Alexandre Magno Leo dos Santos
Gerente de Educao e Tecnologia

Edmar Fernando de Alcntara
Elaborao
Equipe Tcnica - Ncleo Eletroeletrnica
Unidade Operacional
Centro de Formao Profissional Pedro Martins Guerra
Reviso
Equipe Tcnica - Centro de Formao Profissional Pedro Martins Guerra
Itabira/MG 2005
Sumrio
APRESENTAO ..............................................................................................................................4
1. FISICA DOS SEMICONDUTORES ................................................................................................5
1.1 CONDUO NOS SEMICONDUTORES.................................................................................5
1.2 DOPAGEM DE SEMICONDUTORES ......................................................................................7
2. DIODO DE JUNO ......................................................................................................................9
2.1 JUNO PN .............................................................................................................................9
2.2 DIODO DE JUNO IDEAL ..................................................................................................12
2.3 DIODO DE JUNO REAL ...................................................................................................12
2.4 CARACTERSTICAS E PROPRIEDADES DO DIODOS.......................................................14
2.5 COMPORTAMENTO DO DIODO EM AC ..............................................................................14
2.6 REGIME MXIMO DO DIODO EM CC ..................................................................................15
2.7 EFEITO DA TEMPERATURA NA CARACTERSTICA .......................................................16
2.8 RESISTNICA DO DIODO.....................................................................................................16
2.9 TEMPO DE CHAVEAMENTO DO DIODO ............................................................................17
2.10 CLASSIFICAO DOS DIODOS ........................................................................................17
3. RETIFICADORES ........................................................................................................................22
3.1 RETIFICADOR DE 1/2 ONDA................................................................................................22
3.2 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA.................................................................................25
3.3 RETIFICADOR EM PONTE....................................................................................................27
3.4 FILTROS .................................................................................................................................30
4. TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO (TBJ) .............................................................................36
5. AMPLIFICADORES DE POTNCIA ............................................................................................45
5.1 DISSIPADORES DE CALOR .................................................................................................54
6. JFET..............................................................................................................................................55
7. AMPLIFICADORES OPERACIONAIS.........................................................................................60
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ................................................................................................63
Eletrnica Geral
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Apresentao
Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

conhecimento.
Peter Drucker
O ingresso na sociedade da informao exige mudanas profundas em todos os

perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produo,
coleta, disseminao e uso da informao.
O SENAI, maior rede privada de educao profissional do pas,sabe disso , e

,consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a gide do conceito
da competncia: formar o profissional com responsabilidade no processo
produtivo, com iniciativa na resoluo de problemas, com conhecimentos
tcnicos aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e
conscincia da necessidade de educao continuada.
Vivemos numa sociedade da informao. O conhecimento, na sua rea

tecnolgica, amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualizao se
faz necessria. Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliogrfico, da sua infovia,
da conexo de suas escolas rede mundial de informaes Internet - to
importante quanto zelar pela produo de material didtico.
Isto porque, nos embates dirios,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e

laboratrios do SENAI, fazem com que as informaes, contidas nos materiais
didticos, tomem sentido e se concretizem em mltiplos conhecimentos.
O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didticos, aguar a sua
curiosidade, responder s suas demandas de informaes e construir links entre
os diversos conhecimentos, to importantes para sua formao continuada !
Gerncia de Educao e Tecnologia
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Mantenedor Eletrnico - Usina
Eletrnica Geral
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1. Fsica dos Semicondutores

1.1. Conduo nos semicondutores
Estrutura atmica
Qualquer substncia ou material conhecido pode ser subdividido em partes cada

vez menores, at que se chegue menor delas, a molcula. Pode-se ento definir
como molcula a menor partcula a qual se pode dividir um corpo sem que
este perca suas propriedades fundamentais. A partir do ponto em que se
descobriu molcula, conseguiu-se subdividi-la ainda mais, mas desta feita no
mais possvel conseguir que o material conserve suas propriedades
fundamentais.
A estas subdivises da molcula deu-se o nome de TOMO, palavra de origem

grega, que significa A=no TOMO=diviso, TOMO=NO DIVISVEL.
O tomo formado por um grande nmero de partculas, dentre as quais,

podemos destacar:
- ELTRONS: parte do tomo com carga eltrica negativa (-).

- PRTONS: parte do tomo com carga eltrica positiva (+).
- NUTRONS: parte do tomo que no tem carga eltrica.
Os prtons e os nutrons constituem o chamado ncleo do tomo tendo em seu

redor, num movimento de rotao, os eltrons, dispostos em rbitas concntricas.
importante lembrar que somente a camada perifrica de um tomo pode
apresentar-se incompleta, as demais esto sempre completas.
Os eltrons que se encontram nesta camada perifrica, so chamados de

eltrons de valncia, e possuem a caracterstica de serem quase que
completamente livres, para participar de fenmenos qumicos e eltricos.
ELTRON DE VALNCIA: eltrons da camada externa,

responsveis pela atividade qumica ou eltrica do elemento.
Quando um grupo de tomos est disposto simetricamente entre si, um eltron de

valncia muitas vezes gira em torno de dois ncleos, ao invs de um s. Quando
isto acontece, os eltrons de valncia unem os tomos nos quais giram ao redor,
a este tipo de ligao d-se o nome de ligao covalente.
LIGAO COVALENTE: unio entre dois tomos

atravs de seus eltrons de valncia.
Se, num material, aps todas as ligaes covalentes terem se realizado, ainda
restarem eltrons que no possuem unies firmes, estes so denominados de
eltrons livres. Quanto maior o nmero de eltrons livres, maior a condutividade.
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A partir desse conceito podemos ento definir:
- CONDUTOR: material que possui grande quantidade de eltrons livres.

- ISOLANTE: material que possui pouca ou nenhuma quantidade de
eltrons livres.
- SEMICONDUTOR: existem certos materiais, com molculas especiais,
que se situam entre os dois grupos e no so nem bons condutores,
nem bons isolantes, chamam-se semicondutores, pois possuem
eltrons livres, mas em pequena quantidade. Destes materiais os mais
conhecidos so: o Germnio (Ge) e o Silcio (Si).
O nmero de valncia destes dois elementos equivale ao nmero ou quantidade

de eltrons na ltima camada perifrica. Estes tomos possuem uma outra
particularidade, que a de se combinarem entre si, para formar o que
denominamos de estrutura cristalina.
Estrutura cristalina
O Ge por problemas de limitaes (temperatura) teve o seu uso abandonado e o
silcio passou a ser o cristal mais utilizado para a fabricao de componentes
eletrnicos. O silcio um elemento qumico pertencente ao quarto grupo da
tabela peridica. Cada tomo possui 14 eltrons na coroa. A camada mais interna
ocupada somente por dois eltrons e a seguinte por oito. Os quatro eltrons
restantes circulam numa terceira camada eletrnica. Portanto nesta terceira
camada para que o tomo atingisse a estabilidade qumica, seriam necessrios
mais quatro eltrons. No estado slido e sob condies adequadas de fabricao,
o silcio constitui uma rede cristalina, onde cada tomo tem quatro tomos
vizinhos eqidistantes, interligados por pontes de pares de eltrons, ligao
covalente; e todos os eltrons de valncia dos tomos de silcio, na estrutura
cristalina, so envolvidos pelas ligaes entre tomos. Esto, desse modo, presos
em um lugar, sendo denominados eltrons presos.
Conceito de lacuna
A rede cristalina se encontra sempre a uma temperatura acima do zero absoluto,
ou seja, contm sempre determinada quantidade de energia trmica. O resultado
da presena dessa energia trmica que os tomos e os eltrons vibram em
torno de suas posies de repouso, o que tem como conseqncia o
aparecimento de foras mecnicas adicionais na rede cristalina. Se a energia
introduzida for to elevada que supere as foras de ligao, alguns eltrons
podero escapar de suas ligaes covalentes. Tais eltrons ficam livres de seus
tomos e com isso se tornam mveis; so denominados, ento, eltrons livres e
esto, do mesmo modo como as molculas de um gs, em permanente
movimento. Ao mesmo tempo, esto sempre colidindo com os tomos da
estrutura em oscilao, modificando constantemente a direo do movimento.
Aparece um movimento em ziguezague irregular desses eltrons, no qual, em
termos de valores mdios no h direo predominante.
Quando um eltron abandona uma ligao covalente, fica faltando, nesse lugar,
uma carga eltrica negativa, provocando ento a formao de uma lacuna.
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Verifica-se que essa lacuna, ou seja, uma carga negativa faltante na ligao da
rede, tambm pode ser considerada como uma partcula autnoma, carregada
positivamente.
Existem, pois, com a introduo de calor, eltrons livres e lacunas de igual

nmero, e ambas as espcies de portadores contribuem para a condutividade do
semicondutor.
1.2. Dopagem de Semicondutores

Semicondutor intrnseco
uma estrutura cristalina formada somente por tomos do mesmo cristal, sendo,
portanto um material semicondutor muito puro. A natureza dos semicondutores
tal que mesmo quantidades muito pequenas de certas impurezas podem alterar
drasticamente suas propriedades eltricas. Por esta razo, um semicondutor no
seria chamado verdadeiramente intrnseco, a menos que, o nvel de impurezas
fosse muito pequeno. A figura 01 ilustra a estrutura cristalina do Si, a qual
idntica a do Ge.
Figura 01 A estrutura do silcio numa representao bidimensional.
Semicondutor extrnseco
Na aplicao da eletrnica, o material semicondutor dopado, isto ,
propositalmente so adicionadas certas impurezas para resultar, em uma
predominante conduo de eltrons ou lacunas, qualquer que seja o requerido.
As impurezas usadas so geralmente de dois tipos: uma delas formada por
elementos que possuem trs eltrons de valncia e a outra por um elemento que
possui cinco eltrons de valncia. A primeira chamada de impureza tipo-P, e a
outra chamada de impureza tipo-N, aps a impureza ter sido adicionada, o
material ento denominado um semicondutor extrnseco.
Dopagem do semicondutor
A dopagem um processo qumico que tem por finalidade introduzir tomos
estranhos a uma substncia na sua estrutura cristalina; podendo esta ser do tipo
N ou do tipo P, o que dar origem ao cristal N ou ento ao cristal P, conforme
apresentado a seguir:
Dopagem em tipo N (cristal N)
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Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do Ge ou do Si

uma quantidade de tomos com mais de quatro eltrons na ltima camada,
forma-se uma nova estrutura cristalina denominada de cristal N. Tomemos como
exemplo, a introduo de tomos de fsforo, que possuem cinco eltrons na
ltima camada, dos cinco eltrons externos do fsforo, quatro encontram um
eltron no cristal, que possibilita a ligao covalente, o quinto eltron do fsforo
no forma ligao covalente porque no encontra um eltron na estrutura que
possibilite esta formao. Este eltron isolado tem a caracterstica de se libertar
facilmente do tomo, passando a vagar livremente dentro da estrutura do cristal,
constituindo-se um portador livre de carga eltrica. Veja na figura 02:
Figura 02
Dopagem em tipo P (cristal P)

A utilizao de tomos com menos de quatro eltrons na ltima camada, originar
um tipo de estrutura chamada de cristal P, tomando como base o tomo de ndio,
por exemplo, verifica-se a falta de um eltron para que os elementos com quatro
eltrons (Si ou Ge) se combinem de forma covalente. Veja na figura 03:
Figura 03
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2. Diodo de Juno
2.1. Juno PN
Se unirmos cristais do tipo P a cristais do tipo N, de maneira a constituirmos um
cristal nico (juno na qual mantida a continuidade da estrutura cristalina), esta
juno ser denominada de JUNO PN ou DIODO DE JUNO.
Observaes:
Nos elementos tipo N, os eltrons sero denominados portadores
majoritrios de carga, existindo tambm nesses elementos os portadores
minoritrios de carga que so as lacunas.
Nos elementos tipo P, as lacunas sero denominadas portadores

majoritrios de carga, existindo tambm nesses elementos os portadores
minoritrios de carga que so os eltrons.
O material N apresenta um grande nmero de eltrons e o material P um grande

nmero de lacunas logo, quando dispostos a formar uma juno PN como na
figura 04, haver passagem de lacunas do elemento P ao N e de eltrons do N
para o P durante a difuso, as reas que se encontram em torno da juno,
ficaro livres dos portadores de carga (eltrons e lacunas), devido
recombinao entre esses portadores e suas conseqentes anulaes. Com a
formao de ons positivos de um dos lados da juno e negativos do outro,
teremos um decrscimo nas correntes, o que facilmente compreendido se
lembrarmos que um eltron que tentar passar atravs da juno vindo do lado N,
encontrar uma barreira negativa do lado P, que o repelir; dando-se o mesmo
com as lacunas, ficando claro que neste material ocorrer um equilbrio de cargas
em torno da juno.
Com o acmulo de ons positivos de um dos lados da juno e negativos do outro,

se estabelecer uma regio de carga espacial ou regio de cargas. Devido a
pouca quantidade de cargas mveis esta regio chamada de REGIO DE
DEPLEXO.
As cargas que se formaram nesta regio de espao de cargas do origem a uma

diferena de potencial Vo, e esta diferena de potencial pode ser
esquematicamente representada por uma bateria, associada juno.
Dentro da regio de cargas existe uma carga positiva no lado de tipo N, e uma
carga negativa no lado do tipo P, e isto d origem a uma barreira de potencial.
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Juno
P N
+ + + - - -
+ + + - - -
Barreira de Potencial
Figura 04 Juno PN
Juno PN polarizada inversamente
A juno PN tem propriedades de retificadores, e se a conectamos a uma fonte

de tenso, chamada de fonte de polarizao, poderemos observar como tal
dispositivo opera, na figura 05, temos uma bateria conectada aos terminais da
juno, de tal forma que o plo positivo est ligado ao material N, e o negativo ao
material P. Assim, os portadores majoritrios so atrados pela bateria, ou seja, as
lacunas do material P so atradas pelo plo negativo da bateria e os eltrons do
material N pelo positivo.
Como estes portadores se afastam da juno largura da barreira de potencial

aumentada, e quando a fora de resistncia do campo da barreira se iguala da
tenso aplicada, surge uma nova condio de equilbrio, pois, nestas condies,
os campos internos (da barreira) e externo (da tenso aplicada) somam-se; onde
com a barreira aumentada, no pode haver fluxo de corrente, pois a barreira age
como se fora um isolante
Juno
P N
+ + + - - + + - - -
+ + + - - + + - - -
Barreira
- +
Bateria de Polarizao
Figura 05 Juno PN polarizada inversamente
Juno PN polarizada diretamente

Ocorre polarizao direta quando o plo positivo da bateria est ligado ao material
P e o negativo ao material N, nesta situao a maioria dos portadores majoritrios
so repelidos em direo juno (claro que uma lacuna no existe fisicamente,
e quando falamos em movimento de lacuna subentende-se que um eltron se
move no sentido oposto a ela).
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Juno
P N
+ + + - - -
+ + + - - -
Barreira
+ -
Bateria
Figura 06 Juno PN polarizada diretamente
O primeiro efeito disto a neutralizao de alguns ons doadores e receptores, e

conseqentemente uma reduo na barreira de potencial. At aqui, a corrente
somente aumentou ligeiramente. Um aumento da tenso eventualmente reduzir
o potencial da barreira a zero, e ento eltrons e lacunas iro se mover atravs da
juno, os eltrons recombinando-se com eltrons no lado de tipo N assim, uma
corrente agora flui atravs da juno. E esta corrente aumenta rapidamente com
somente um pequeno aumento adicional na tenso.
A corrente que flui quando uma polarizao direta aplicada chamada de

corrente direta, e consiste essencialmente de um fluxo de portadores em maioria
de cada um dos lados atravs da juno. Estes portadores em maioria que
cruzam a juno, tornam-se no outro lado portadores em minoria. Na figura 07
temos uma representao da juno no polarizada.
P N
B.P.
Figura 07 Juno PN no polarizada
At agora tnhamos visto, para efeito de explicao, um modelo terico onde

destacvamos os materiais P e N e os portadores de cargas. No entanto, nos
circuitos usamos uma representao simblica, como indica a figura 08.
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nodo Ctodo
+ -
Corrente I
Figura 08 Smbolo do diodo de juno
O smbolo usado quer dizer que o fluxo de corrente do material P para o

material N, ou seja, do anodo para o catodo e os sinais mais (+) e menos (-)
indicam a polarizao direta que produzir tal corrente.
2.2. Diodo de Juno Ideal

Como diodo de juno ideal, se compreende um diodo que apresenta
caractersticas especiais, conduzindo ou bloqueando completamente.
Conduo no diodo ideal

Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir a corrente eltrica sem
apresentar resistncia, comportando-se como um interruptor fechado, o qual
equivale ao circuito do diodo ideal em conduo.
Bloqueio do diodo ideal

Polarizando inversamente um diodo semicondutor, ideal, deve-se comportar como
um isolante perfeito, impedindo completamente a circulao de corrente. A
condio de bloqueio de um diodo tambm pode ser denominada de corte do
diodo, por que o diodo corta a circulao de corrente; comportando-se como um
interruptor aberto, o qual equivale ao circuito do diodo ideal em corte.
2.3. Diodo de Juno Real
O diodo de juno real apresenta algumas diferenas em relao ao diodo de

juno ideal. Estas diferenas existem porque o processo de purificao dos
cristais semicondutores para fabricao de componentes eletrnicos no
perfeito. Aps a purificao ainda existe nos cristais uma pequena quantidade de
impurezas originrias da formao do material na natureza. Estas impurezas,
chamadas de portadores minoritrios, resultantes da deficincia na purificao
fazem com que as caractersticas de conduo e bloqueio dos diodos reais se
distanciem dos ideais.
Conduo no diodo real

Dois fatores diferenciam o diodo real no sentido de conduo:
A barreira de potencial
A resistncia interna
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A barreira de potencial, existente na juno dos cristais, faz com que o diodo
entre em conduo efetiva apenas a partir do momento em que a tenso da
bateria externa atinge um valor maior que a tenso da barreira de potencial, veja
na figura 09:
+ -
V > 0,7 V
Figura 09 Diodo Real
A resistncia interna devida ao fato de que o cristal dopado no um condutor

perfeito; esta, na conduo, normalmente menor que 1 , como na maioria dos
casos em que o diodo utilizado, as tenses e resistncias externas do circuito
so muito maiores que os valores internos do diodo (0,7v e ; 1 ), podemos
normalmente considerar o diodo real igual ao ideal no sentido de conduo, sem
provocar um erro significativo.
Bloqueio no diodo real

O diodo real polarizado inversamente, no capaz de impedir completamente a
existncia de corrente no sentido inverso, fluindo uma pequena corrente inversa
(que desprezvel), sendo esta denominada de corrente de fuga, da ordem de
alguns microampres. Isto significa que no sentido inverso o diodo apresenta uma
resistncia elevadssima (vrios Mega Ohms).
Como a corrente de fuga muito pequena comparada com a corrente de

conduo, a resistncia inversa do diodo pode ser desprezada na anlise da
grande maioria dos circuitos, considerando-se o diodo como ideal.
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2.4. Caractersticas e propriedades do diodo

A figura 10, representa a curva caracterstica de um diodo, com polarizao direta
e reserva.
Tenso de
ruptura
Vr Vd
Ir
Vd = Tenso direta Id = Corrente direta

Vr = Tenso reversa Ir = Corrente reversa
Figura 10 - Curva caracterstica do Diodo Real
A curva da figura 10 ser a mesma para os elementos de germnio e silcio.

Como j se sabe, pode ser polarizado diretamente ou reversamente. Em
polarizao direta o germnio comea a conduzir com cerca de 0,3V, e o silcio
com cerca de 0,6V. Podemos notar pela curva (em polarizao direta), que para
pequenos valores de tenso Vd, quase no temos Id, passando a existir corrente
somente quando atingirmos as caractersticas de conduo do germnio e do
silcio. Em polarizao reversa, notamos que para pequenos valores de tenso a
corrente Ir aproximadamente constante. Se aumentarmos Vr at prximo da
tenso de ruptura, notaremos que Ir quase no apresenta variaes, sendo ainda
de pequeno valor. Ao atingirmos a tenso de ruptura, ocorrer o efeito avalanche
(Break Down), que consiste no seguinte:
A tenso reversa aplicada juno, aumenta a barreira de potencial, e

conseqentemente um eltron minoritrio presente nesta regio ser acelerado
devido ao campo eltrico. Com o aumento gradativo da tenso reversa, mais e
mais eltrons so acelerados, dando origem a novos eltrons livres e a
posteriores aumentos de corrente. Pois bem, elevando-se a corrente, mais
portadores sero liberados, estabelecendo-se um ciclo que culminar com a
ruptura do elemento semicondutor (Break Down).
2.5. Comportamento do diodo em AC

Considerando inicialmente o primeiro semiciclo da tenso alternada, de 0 a .
Neste intervalo, a tenso positiva e o diodo fica polarizado diretamente,
deixando passar uma corrente que tem a mesma forma de onda senoidal da
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tenso aplicada, com exceo da parte inicial e final do semiciclo, que apresenta
alguma distoro, devido ao fato de que a caracterstica do diodo no linear
nesta regio, (figura 11).
Figura 11
No semiciclo seguinte, de a 2 , a tenso se torna negativa, e o diodo

polarizado inversamente; agora ele oferece uma resistncia muito alta
passagem da corrente, circulando somente a corrente de fuga, que pode ser
desprezada em comparao com a corrente direta, (figura 12).
Figura 12
2.6. Regime mximo do diodo em CC

Os regimes mximos do diodo em CC estabelecem os limites da tenso e
corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente
contnua, sem provocar danos a sua estrutura. Analisando o comportamento do
diodo em conduo e bloqueio verifica-se que os fatores que dependem
diretamente do circuito ao qual o diodo est conectado so:
Corrente de conduo ( If )
Tenso reversa ( Vr )
Pois a tenso de conduo Vd no depende do circuito (0,7 V para o silcio e 0,3

V para o germnio) e a corrente de fuga depende apenas do material do diodo
(alguns microamperes).
Corrente mxima de conduo:

A corrente de conduo mxima de cada tipo de diodo dada pelo fabricante em
folhetos tcnicos, nestes folhetos, a corrente mxima de conduo aparece
designada pela sigla If.
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Tenso reversa mxima:

As tenses reversas colocam o diodo em bloqueio. Nesta condio toda a tenso
aplicada ao circuito fica aplicada sobre o diodo. Cada diodo tem a estrutura
preparada para suportar um determinado valor de tenso reversa. Aplicando um
valor de tenso reversa superior ao especificado para cada diodo, a corrente de
fuga aumenta excessivamente e o diodo danificado. Os fabricantes de diodos
fornecem em folhetos tcnicos o valor caracterstico de tenso mxima que o
diodo suporta sem sofrer a ruptura. Este valor aparece designado pela sigla Vr.
Na tabela a seguir encontram-se as especificaes bsicas de alguns diodos

retificadores (25 C).
Diodos Corrente direta mxima ( A ) Tenso de pico inversa ( V )

IN 4606 0,2 70
BY 126 1,0 650
DY 127 1,0 1250
BYX 10 2,0 800
IN 4001 1,0 50
IN 4004 1,0 400
IN 4007 1,0 1000
IN 1615 R 5,0 600
2.7. Efeito da temperatura na caracterstica

Uma juno PN sofre influncia da temperatura. A temperatura mxima do
elemento silcio, est por volta de 150 C, enquanto que a do germnio acha-se
por volta de 100 C. para cada aumento de 1 C na temperatura, teremos em
decorrncia, uma queda na tenso direta, cerca de 2,5 mV / C.
2.8. Resistncia do diodo

Resistncia esttica
A partir da caracterstica direta do diodo podemos observar que no um
elemento hmico e sua resistncia em funo do ponto de operao. A
resistncia esttica tambm denominada resistncia contnua e significativa
para circuitos com pontos de operao fixos.
Resistncia dinmica
A resistncia dinmica determinada a partir das variaes em torno do ponto
quiescente, ambas as resistncias dependem do ponto de trabalho, porm,
convm lembrar que a resistncia dinmica tem interesse para regies de
pequenas variaes de tenso e corrente, e no em toda a caracterstica do
diodo.
A resistncia que um diodo oferece em polarizao direta denominada

resistncia direta e extremamente baixa; da ordem de algumas dezenas de
ohms, e a resistncia reversa apresenta valores da ordem de algumas dezenas
de milhes de ohms.
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2.9. Tempo de chaveamento do diodo

Quando o diodo passa da condio reversa para a condio direta ou vice versa,
h a passagem por um transitrio, decorrendo certo intervalo de tempo antes que
o diodo volte ao regime estacionrio. O tempo de recuperao direta tfr a
diferena de tempos entre o ponto que corresponde a 10% do valor final da
tenso do diodo e o ponto que corresponde a 10% do valor final da tenso; na
maioria das aplicaes, o tfr no constitui na prtica um problema srio e, assim,
consideramos apenas a mais importante situao, que a recuperao reversa.
Tempo de recuperao reversa do diodo:

Quando uma tenso externa polariza diretamente uma juno PN, a densidade de
portadores minoritrios em regime permanente muito grande; estes, em cada
caso, foram fornecidos pelo outro lado da juno, onde, sendo majoritrios, so
fornecidos abundantemente. Se a tenso externa repentinamente alterada
(invertida) de direta para reversa em um circuito cujo diodo atravessado por
uma corrente direta, a nova corrente (reversa) do doido no cair imediatamente
para seu valor de regime permanente, pois a corrente no pode atingir seu valor
de regime enquanto a distribuio de portadores minoritrios no tornar a
densidade de portadores minoritrios injetados ou em excesso quase nula.
Durante este intervalo de tempo o diodo continuar conduzindo facilmente, e a
corrente ser determinada pela resistncia externa no circuito do diodo.
2.10. Classificao dos diodos

Diodo Zener
Diodos projetados com capacidades adequadas de dissipao de potncia para
operar na regio de ruptura podem ser empregados como dispositivos de
tenso constante, tenso de referncia ou de avalanche.
nodo Ctodo
+ -
Figura 13 Simbologia do Diodo Zenner
Os diodos zener so usados da seguinte forma: a fonte V e o resistor R so

selecionados de maneira que, inicialmente, o diodo esteja operando na regio de
ruptura. A tenso sobre o diodo, que tambm a tenso na carga R1, igual a
Vz, e a corrente do diodo denominada Iz. O diodo ir regular, agora, a tenso na
carga contra as variaes de corrente (na carga) e tambm contra as variaes
de tenso na fonte de alimentao, pois na regio de ruptura, grandes variaes
na corrente do diodo produzem pequenas variaes na tenso (do diodo); alm
disso, como existem mudanas na corrente de carga ou na tenso de
alimentao, a corrente do doido se acomodar a estas mudanas para manter
a tenso na carga aproximadamente constante.
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Como os diodos zener so empregados para tenses superiores a 2V; abaixo

desta tenso comum o uso de diodos polarizados diretamente para serem
usados como reguladores de tenso, e como referncia; pois a caracterstica volt-
ampre de um diodo polarizado diretamente igual caracterstica reversa,
exceto que, para a caracterstica direta, o joelho ocorre para uma tenso mais
baixa. Para alcanar tenses maiores, colocamos vrios diodos em srie. Tal
conjunto de diodos, encapsulados como um nico dispositivo, encontrado com
tenses de at 5V, sendo s vezes preferidos aos diodos zener polarizados
reversamente, que em baixas tenses tem valores muito altos de resistncia
dinmica.
As caractersticas eltricas do diodo zener so:

- Tenso Zener
- Potncia Zener
- Coeficiente de temperatura
- Tolerncia
- Tenso Zener: a tenso zener (tenso de ruptura) dos diodos zener depende do
processo de fabricao e da resistividade da juno semicondutora. Os diodos
zener so fabricados para valores de tenso zener da ordem de 2V at algumas
dezenas de volts.
- Potncia Zener: o diodo zener funciona na regio de ruptura, apresentando um

valor determinado de tenso sobre seus terminais (Vz), sendo percorrido por um
uma corrente inversa. Nestas condies verifica-se que o componente dissipa
potncia em forma de calor. A potncia dada pelo produto de tenso e corrente:
P=V.I POTNCIA
Pz = Vz . Iz POTNCIA ZENER
O valor da potncia determina a dissipao mxima que o componente pode

suportar, o que possui uma relao direta como a regio de funcionamento do
zener, a qual definida por dois valores de corrente, uma vez que sua tenso
inversa constante; sendo estas:
- Iz mximo
- Iz mnimo
O valor de Iz mximo definido pela potncia zener:
Iz mx = Pz
Vz
O valor de Iz mnimo definido como 10% do valor de Iz mximo.
- Tolerncia: a tolerncia do diodo zener informa a variao que pode existir entre
o valor especificado e o valor real da tenso reversa do diodo zener. Isto
significa que um diodo zener de 12V pode ter uma tenso reversa real, por
exemplo, de 11,5V.
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Eletrnica Geral
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Diodo Tnel
O diodo tnel apresenta caractersticas bem diferentes do diodo semicondutor
comum dentro de uma determinada regio, cuja principal peculiaridade
apresentar uma regio de resistncia negativa, isto , a corrente pelo diodo
diminui, enquanto a queda de potencial entre seus terminais aumenta. A curva
caracterstica apresentada no grfico da figura 14, ilustra tal situao.
Figura 14 - Caracterstica volt-ampre de um diodo tnel
Normalmente este diodo aplicado em: osciladores, detectores, etc
Figura 15 - Simbologia do Diodo Tnel
Varicap
Os varicaps so diodos semicondutores especiais que substituem os
capacitadores variveis, em circuitos de alta frequncia. Nestes diodos
aproveitam-se as caractersticas da capacidade da juno PN quando polarizada
reversamente, pois um aumento da tenso reversa aplicada ao diodo, faz com
que haja um aumento da largura da barreira de potencial e conseqentemente
uma diminuio da capacidade da juno. Este tipo de diodo indicado para
moduladores de FM, sintonizadores de FM, controle de frequncia, etc.
Figura 16 Smbolo do varicap
Diodo emissor de luz - LED

O diodo do tipo LED um diodo semicondutor que apresenta emisso de luz
regida pelo fenmeno da eletroluminescncia. Assim como necessrio fornecer
energia para gerar o par eltron-lacuna, da mesma maneira a energia liberada
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Eletrnica Geral
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quando um eltron se recombina com uma lacuna. Esta energia liberada

transferida para o cristal sob forma de calor. Em outros semicondutores tais como
o arseneto de glio, h uma quantidade considervel de recombinao direta.
Nestas circunstncias a energia liberada pelo eltron, ao cair da banda de
conduo para a banda de valncia, aparece em forma de radiao. Um diodo
que funcione nestas condies chamado de Diodo Emissor de Luz (LED),
embora a maior parte da radiao emitida esteja na faixa do infravermelho. A
eficincia do processo de gerao de luz aumenta com a corrente injetada e com
a diminuio da temperatura. A luz est concentrada perto da juno devido ao
fato de que a maior parte dos portadores se recombinam nas vizinhanas da
mesma. O diodo emissor de luz, identificado comunente como diodo LED
representado pelo smbolo apresentado na figura 17.
Figura 17 Smbolo do LED
Os diodos LED so encontrados com as mais diversas formas e dimenses,

conforme mostra a figura 18.
Figura 18 Tipos mais comuns de Diodo
O catodo de um diodo LED, de formato redondo, pode ser identificado por um

corte na base do encapsulamento. (figura 19)
CATODO
Figura 19 - Corte no lado do Catodo ( Vista de baixo )
Caractersticas do diodo LED
- Corrente direta nominal (If): um valor de corrente de conduo indicado pelo

fabricante no qual o LED apresenta um rendimento luminoso timo (normalmente
20mA).
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Eletrnica Geral
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-Tenso direta nominal (Vf): Especificao que define a queda da tenso tpica do
diodo no sentido de conduo. A queda de tenso nominal (Vf) ocorre no
componente quando a corrente direta tem valor nominal (If).
- Tenso reversa mxima (Vr): Especificao que determina o valor mximo de

tenso, que o LED suporta, no sentido inverso sem sofrer ruptura. A tenso
inversa mxima dos LEDs pequena, da ordem de 5V.
A tabela abaixo apresenta as caractersticas de alguns diodos LED.
LED COR Vf a If = 20 mA If mx.

LD 30C Vermelho 1,6V 100mA
LD 37I Verde 2,4V 60mA
LD 3I1 amarelo 2,4V 60mA
LED bicolor
O LED bicolor consiste, na verdade, de dois LEDs colocados dentro de uma
mesma cpsula.
Estes LEDs tm trs terminais. (figura 20)
Figura 20 - LED bicolor
LED infra-vermelho
A luz infra-vermelha um tipo de irradiao que no visvel ao olho humano,
este tipo de luz usado principalmente em alarmes, controle remoto, etc. Assim
os LEDs que emitem esta luz, funcionam como os outros, porm no se pode
observar visualmente se esto ligados ou no.
Fotodiodo
O fotodiodo um diodo semicondutor com juno PN cuja caracterstica operar
na polarizao inversa da juno. Na polarizao inversa a corrente
praticamente nula, porm, se o cristal for devidamente dopado, o nmero de
portadores aumenta tremendamente sob luz incidente, pois esta fornece energia
sob forma de ftons. E este o princpio bsico do funcionamento de um
fotodiodo.
A aplicao do fotodiodo se verifica em leitura de cartes, circuitos digitais,

acopladores pticos, etc.
Figura 21 Smbolo do fotodiodo
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Eletrnica Geral
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3. Retificadores
3.1. Retificadores de onda
A retificao de meia onda um processo de transformao de CA em CC, que
permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tenso de entrada, na
carga, (figura 22).
1 ciclo
TENSO NA
CIRCUITO RETIFIDADOR CARGA
ENTRADA DE MEIA ONDA
Figura 22 - Entrada e Sada na retificao de onda
Funcionamento
Primeiro semiciclo
Durante o primeiro semiciclo a tenso positiva no ponto A, com relao ao ponto
B. esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em conduo, permitindo
a circulao de corrente. (figura 23)
Figura 23
A tenso sobre a carga assume a mesma forma da tenso de entrada, (figura 24).
Figura 24
O valor de pico de tenso sobre a carga menor que o valor do pico de tenso da
entrada, porque o diodo, durante a conduo, apresenta uma pequena queda de
tenso Vd (0,7 para o silcio e 0,3V para o germnio). Entretanto, na maioria dos
casos, a queda de tenso sobre o diodo pode ser desprezada porque o seu valor
muito pequeno em relao ao valor total do pico de tenso sobre a carga.
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Eletrnica Geral
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Segundo semiciclo
Durante o segundo semiciclo, a tenso de entrada negativa no ponto A, com
relao ao ponto B, esta polaridade de tenso de entrada coloca o diodo em
bloqueio, logo no h corrente, (figura. 25).
Figura 25
Nesta condio toda a tenso de entrada aplicada sobre o diodo, que atua
como interruptor aberto, e a tenso na carga nula porque no h circulao de
corrente, (figura 26).
Figura 26
Observa-se que para cada ciclo completo da tenso de entrada, apenas um
semiciclo passa para a carga, enquanto o outro semiciclo fica sobre o diodo. Os
grficos da figura 27 ilustram o que foi descrito.
Tenso na
entrada
Tenso no
Diodo
Tenso na
carga
Figura 27 - Tenso de entrada x diodo x sada
Retificao de meia onda com tenso de sada negativa
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Eletrnica Geral
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Dependendo da forma como o diodo est colocado no circuito retificador, pode-se

obter uma tenso CC positiva ou negativa em relao ao terra.
Tenso e corrente CC de sada da retificao de meia onda.
Tenso de sada
A tenso na carga, apesar de ser contnua, no constante, recebendo o nome
de contnua pulsante. O valor mdio DC de um sinal alternado senoidal nulo,
assim se conectarmos um voltmetro DC para medir um sinal senoidal, a leitura
indicada pelo aparelho ser zero. Se medirmos, com um medidor DC, o sinal da
figura 26, que um sinal retificado de meia onda, pulsante e senoidal, o medidor
fornecer o valor DC do sinal tambm denominado valor contnuo.
Tenso Mdia
Figura 28 Tenso de sada e tenso mdia
O valor DC dado pela relao abaixo:
Vdc = 1 / x (Em)
Esta relao representa a rea sob a curva, dividida pelo perodo da onda
retificada.
importante notar que num circuito retificador de meia onda, quando o diodo for
polarizado reversamente, aparece uma tenso em seus terminais denominada
tenso de pico reversa. E de acordo com a aplicao da Segunda Lei de
Kirchhoff, em um retificador de onda, determinamos que o valor da tenso de
pico o valor mximo da tenso alternada aplicada.
Corrente de sada
Na retificao de meia onda a corrente de sada tambm pulsante, uma vez que
a tenso sobre a carga pulsante, isto implica que a corrente mdia na sada
(sobre a carga) uma mdia entre os perodos de existncia e inexistncia de
corrente, (figura 28.1).
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Eletrnica Geral
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I mdia
Figura 28.1 Corrente mdia de sada
Inconvenientes da retificao de meia onda:

A retificao de meia onda apresenta alguns inconvenientes, decorrentes da sua
condio de funcionamento.
- O rendimento baixo (45%) em relao tenso eficaz de entrada
- Nas retificaes com transformador existe um mau aproveitamento da

capacidade de transformao porque a corrente circula em apenas um semiciclo
3.2. Retificao de onda completa

um processo de converso de corrente alternada em corrente contnua que faz
o aproveitamento dos dois semiciclos da tenso de entrada, (figura 29).
1 ciclo
TENSO NA
CIRCUITO RETIFIDADOR CARGA
ENTRADA DE MEIA ONDA
Figura 29 Corrente mdia de sada
O circuito retificador de onda completa o mais empregado nos equipamentos

eletrnicos porque realiza um melhor aproveitamento da energia aplicada na
entrada. Esta retificao pode ser realizada de duas maneiras distintas:
- Empregando um transformador com derivao central e dois diodos.

- Empregando quatro diodos ligados em ponte.
Retificao de onda completa com dois diodos.

A retificao de onda completa com derivao central, a denominao tcnica
do circuito retificador de onda completa que emprega dois diodos com um
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Eletrnica Geral
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transformador com derivao central. A figura 31 apresenta a configurao deste

tipo de circuito retificador.
Figura 30 Retificador de onda completa com 2 diodos
Este tipo de retificao tambm chamado de retificao de onda completa

CENTER TAPE, a expresso significa DERIVAO CENTRAL.
Funcionamento
O princpio de funcionamento do circuito retificador de onda completa pode ser
facilmente compreendido, considerando-se cada um dos semiciclos da tenso de
entrada isoladamente, conforme mostra a figura 31.
Tenso na
entrada
Tenso no
Diodo
Tenso no
Diodo
Tenso na
carga
Figura 31
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Eletrnica Geral
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Para tenses de entrada acima de 10Vca pode-se considerar a queda de tenso

no diodo, desenvolvendo a equao como:
Vcc = Em Vd desconsiderando Vd tm-se:
Vcc = 2 . Em como Em = Vca . 2
Vcc = 2 . Vca . simplificando: / tm-se:
Vcc = 2 . Vca . 0,45
Corrente de sada
A corrente mdia na sada da retificao de onda completa depende da tenso
mdia:
IDC = Vdc
RL
Relao entre frequncia de entrada e frequncia de sada:
Na retificao de onda completa cada ciclo da tenso CA de entrada

transformado em dois semiciclos de tenso sobre a carga. Desta forma, a
frequncia dos picos de tenso sobre a carga o dobro da frequncia da rede,
(figura 32).
Figura 32
3.3 Retificador em ponte:

A retificao em ponte com quatro diodos entrega carga uma onda completa
sem que seja necessrio utilizar um transformador com derivao central. A figura
33 apresenta a configurao da retificao de onda completa em ponte.
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Eletrnica Geral
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Figura 33
Funcionamento
Primeiro Semiciclo
Considerando a tenso positiva no terminal de entrada superior, teremos:
Diodo 1 anodo positivo em relao ao catodo = CONDUO

Diodo 2 catodo positivo em relao ao anodo = BLOQUEIO
Diodo 3 catodo negativo em relao ao anodo = CONDUO
Diodo 4 anodo negativo em relao ao catodo = BLOQUEIO
Segundo Semiciclo
No segundo semiciclo ocorre a intervenso da polaridade nos terminais de
entrada do circuito, onde teremos:
Diodo 1 = anodo negativo em relao ao catodo BLOQUEIO

Diodo 2 = catodo negativo em relao ao anodo CONDUO
Diodo 3 = catodo positivo em relao ao anodo BLOQUEIO
Diodo 4 = anodo positivo em relao ao catodo CONDUO
A ponte retificadora entrega carga, os dois semiciclos, da mesma forma que a

retificao de ponto central, com uma freqncia da CC pulsante igual ao dobro
da freqncia da rede.
A ponte retificadora tambm pode ser representada em esquema conforme

mostra a figura 34
Figura 34
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Eletrnica Geral
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Tenso e corrente CC de sada da retificao em ponte

Tenso de Sada
A ponte retificadora fornece na sada o mesmo tipo de forma de onda que a
retificao com derivao central, contudo, h uma diferena em termos de
tenso de pico sobre a carga, devido ao fato de que na ponte retificadora em cada
semiciclo existem dois diodos em srie, o que implica que o pico de tenso sobre
a carga 1,4V menor que o pico de tenso na entrada (para diodos de Si), (figura
35).
Figura 35
Para tenses acima de 20 Vca na entrada da ponte pode-se desconsiderar as

quedas de tenso nos diodos (2Vd) de forma que o desenvolvimento da equao
resulta em:
Tenso CC mdia Vcc = 2 x Em 2Vd

na sada
Para uma mesma tenso de sada, a retificao em ponte usa apenas uma
tenso no secundrio, enquanto que a retificao com derivao central,
necessita de duas tenses, com o terminal central comum. As figuras 36 e 37
mostram claramente o que foi descrito:
Figura 36
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Eletrnica Geral
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Figura 37
Conseqentemente o transformador melhor aproveitado nas retificaes em

ponte porque o secundrio trabalha integralmente nos dois semiciclos.
Corrente de sada
A Corrente de sada dada pela mesma equao utilizada na retificao de ponto
mdio:
IDC = Vdc
RL (carga)
3.4 Filtros
Uma tenso alternada, aps ser retificada, reduz-se a uma tenso contnua
pulsativa, ou seja, ainda guarda em si as alternncias da CA. Contudo, a corrente
contnua CC que desejamos no pode conter oscilaes, e para evit-las usamos
um circuito de filtro, (figura 38).
Figura 38 Circuito retificador de1/2 onda com filtro
A filtragem freqentemente realizada colocando-se um capacitor ligado em

paralelo com a carga. Este sistema baseia-se no fato de que o capacitor
armazena durante o perodo de conduo do diodo, e fornece esta mesma
energia para a carga durante o perodo em que o diodo est cortado. Desse
modo, o tempo durante o qual a corrente passa pela carga RL, prolongado e a
ondulao consideravelmente menor. A tenso de ondulao definida a partir
do seu valor mdio ou CC.
Filtro capacitivo
Tanto o retificador de meia onda quanto o de onda completa, apresentam como
resultados, correntes contnuas, porm pulsantes, como mostra a figura 39.
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Eletrnica Geral
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Figura 39 - Sada de um retificador sem filtro
Se conectarmos um capacitor em paralelo com a carga, como mostra a figura 40,

observaremos uma diminuio na variao (ou na ondulao) da tenso de sada.
Figura 40
A tenso de sada com o capacitor mostrada na figura 41.
Figura 41
Durante o meio ciclo em que o anodo for positivo em relao ao catodo, do diodo,
o diodo conduz e o capacitor C se carrega simultaneamente com o valor da
tenso aplicada.
Durante o semiciclo seguinte, quando o anodo for negativo em relao ao catodo,

o diodo corta e o capacitor C descarrega-se atravs da resistncia de carga.
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Eletrnica Geral
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fcil notar que o tempo de descarga da associao RL x C que vai determinar

o valor da tenso mnima, Vpmin.
Quanto maior for o tempo de descarga da associao maior ser a constante de
tempo e, portanto, maior ser o valor mnimo e menor a ondulao. A figura 42,
mostra a tenso de sada com trs capacitores de filtro cujas capacitncias so
respectivamente C1 < C2 < C3.
Figura 42
Essa ondulao recebe o nome de tenso de ripple, e seu valor pico a pico
dado por:
Vrpp = Vp Vpmin.
As figuras 43 e 44 mostram respectivamente a tenso de sada na carga e a

tenso de ripple.
Figura 43
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Eletrnica Geral
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Figura 44
Ripple: fator, tenso e percentagem

Para uma melhor compreenso do equacionamento do fenmeno e para uma
melhor visualizao do circuito, analisaremos a forma de onda da figura 45, que
se aproxima em muito, da tenso de sada de um circuito com filtro.
Figura 45
Essa figura mostra um sinal contnuo e constante Vdc, somado a uma senoide.
Medindo esta tenso com o voltmetro DC, obteramos o valor mdio ou contnuo,
isto , Vdc; se medirmos essa mesma tenso com um voltmetro AC, mediramos
somente o valor eficaz da senide, que a ondulao indesejvel.
Por definio a expresso matemtica E a percentagem de ripple dada pela

do fator de ripple : relao:
r = tenso eficaz de ripple % r = 100 . r

tenso contnua
% r = 100 . Vref
r = Vr eficaz Vdc
Vdc
Capacitor de filtro em onda completa:

Do mesmo modo que no circuito de meia onda, o capacitor de filtro vai ligado em
paralelo com a carga. A figura 46 mostra a tenso num circuito retificador de onda
completa sem conectarmos o capacitor de filtro, e a figura 47 mostra a forma de
onda que resulta aps conectarmos o capacitor de filtro. Deve-se notar que o sinal
filtrado apresenta um nvel DC e um sinal de ripple em cima.
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Eletrnica Geral
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Figura 46
Figura 47
Analisando a figura 48, que mostra um retificador de onda completa com filtro e
sua forma de onda, podemos destacar dois tempos particulares.
Figura 48
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Eletrnica Geral
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O intervalo Tc o intervalo de tempo em que o capacitor se carrega e o intervalo

de tempo Td o intervalo de tempo em que o capacitor se descarrega atravs da
resistncia de carga, onde o valor do capacitor e o valor da resistncia de carga,
influenciam no intervalo de tempo Td da descarga, e obviamente no valor da
tenso de ripple, no fator de ripple, no valor contnuo Vdc, etc...
E o valor eficaz da tenso de ripple

O valor contnuo ou Vdc dado por:
dado por:
Vdc = Vp - 1/2 Vrpp (1) Vref = Vrp = 1/2 Vrpp (2)
2 2
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Eletrnica Geral
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4. Transistor Bipolar de Juno ( TBJ )

Aps o estudo do diodo de juno, que o componente essencial de dois
terminais, vamos agora comear a abordar dispositivos semicondutores de trs
terminais. Eles so muito mais utilizados e de funes mais complexas, que vo
desde amplificao de sinais at a lgica digital. O nome transistor bipolar reflete
o fato de que o fluxo de corrente nestes elementos ser direcional, ou seja, uma
parte formada por eltrons e outra por lacunas.
Outro fato curioso est no nome: o prefixo TRANS vem da palavra inglesa
TRANSFER e o sufixo SISTOR de RESISTOR. Combinando ambas, temos algo
semelhante a resistor de transferncia. medida que nos aprofundamos no
estudo do dispositivo mostraremos esta caracterstica fundamental.
Enfim, o transistor de juno (que fora desenvolvido no incio da dcada de 50)

revolucionou a tecnologia at alcanar o estgio atual. Para se ter uma idia do
significado da inveno do transistor, historiadores da cincia referem-se nossa
poca como a Era do Transistor!
Estrutura fsica
A figura 49, mostra duas estruturas cristalinas: uma NPN e outra PNP.
Visualmente percebem-se trs regies: emissor, base e coletor. O emissor
dopado fortemente, pois, dele partem os eltrons para a outra regio, a base. Na
base, que fina e fracamente dopada, a maioria dos eltrons injetados pelo
emissor passa para o coletor. O coletor a maior das trs regies, pois nele
gerada uma quantidade de calor maior, e assim designado pelo fato dos
eltrons da base convergirem para l (diz-se que o coletor junta os eltrons da
base). O nvel de dopagem do coletor intermedirio, est entre o da base e o do
emissor.
E C E P N P C
N P N
B
B
Figura 49 - Estruturas fsicas
Modos de operao polarizao

Fazemos a abordagem dos transistores de silcio pelos mesmos motivos que nos
levaram a fazer tal escolha para o diodo, objeto de nossos estudos anteriores.
Tais motivos eram as especificaes de tenso/corrente mais altas e a menor
sensibilidade temperatura. Lembre-se, tambm, que a 25C a barreira de
potencial era aproximadamente 0,7V. Na figura 50 temos a ilustrao da estrutura
cristalina NPN com as regies sombreadas. Estudaremos a estrutura PNP mais
adiante.
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Eletrnica Geral
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CAMADA DE DEPLEO
-- -- - - - -
E -- -- - - - - C
-- -- - - - -
-- -- - - - -
Figura 50
Observe, nas figuras anteriores, que existem duas junes nas estruturas
cristalinas: uma entre base-coletor e outra entre base-emissor. O diodo situado
entre a base-emissor denominado diodo emissor e o outro, entre base-coletor,
diodo coletor. Como so dois diodos, temos quatro hipteses para polarizao
simultnea de todos eles. Veja o quadro a seguir:
Denominao do modo de
polarizao Diodo emissor Diodo coletor
Corte Reverso Reverso
No se aplica Reverso Direto
Ativo Direto Reverso
Saturao Direto Direto
Os modos de corte e saturao so aqueles em que o transistor usado para

operar como chave eletrnica em circuitos lgicos (por exemplo, em
computadores). No modo ativo, o transistor opera como fonte de corrente e
capaz de amplificar sinais. Vejamos, adiante, a descrio da operao em cada
um dos modos.
Modo ativo do transistor NPN polarizao direta-reversa Esta situao

est ilustrada na figura 51, duas fontes de tenso externas so usadas para
estabelecer as condies de operao. A tenso Vbe faz com que a base tipo P
esteja em um potencial mais alto do que o emissor tipo N; portanto, se a d.d.p.
entre as duas regies for aproximadamente 0,7V, este diodo est diretamente
polarizado. A tenso na juno base-coletor Vcb faz com que o coletor tipo N
esteja em um potencial mais alto do que a base tipo P; portanto, este diodo est
reversamente polarizado.
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Eletrnica Geral
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E C
N P N
RE RC
VBB B VCC
Figura 51
Relao entre as correntes Ib, Ic e Ie

Voc j tem conhecimento sobre a ordem de grandeza entre as correntes que
circulam no transistor polarizado direta e reversamente. Esta relao depende do
nvel de dopagem entre as regies constituintes do transistor. Como foi
mencionado, a base, o coletor e o emissor so fraca, mdia e intensamente
dopados, respectivamente. Na prtica, os transistores modernos de baixa
potncia tm corrente de coletor, que so cerca de 99% da corrente de emissor.
Portanto, resta base 1%.
Dados estes percentuais, razovel admitir e relacion-las por meio de nmeros

adimensionais denominados e . A relao mede quo prxima a corrente de
coletor Ic est de Ie, ou seja, o quociente entre elas. a razo entre Ic e Ib, e
basicamente nos permite dizer o quanto os portadores majoritrios do emissor (os
eltrons) fluem pelo coletor e qual a taxa se recombina na base.
Matematicamente, temos:
= Ic e = Ic
Ie Ib
Obs.:
freqente o uso de hfe (ndices maisculos) para representar o envolvendo Ic
e Ib contnuos. Muitos se referem a ele como cc. O ca representado por hfe
(ndices minsculos).
Simbologia
Apesar de estarmos estudando a estrutura transistora tipo NPN, na figura 52,
apresentamos a seguir os smbolos de ambos os tipos.
COLETOR EMISSOR
BASE BASE
EMISSOR COLETOR
NPN PNP
Figura 52 - Simbologias
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Eletrnica Geral
____________________________________________________________
Observe que o smbolo do transistor PNP est de cabea para baixo, de praxe
desenh-lo assim e o motivo ser explicado futuramente.
Conexes do transistor bipolar

Nossa avaliao do funcionamento do transistor tem sido realizada sob o circuito
montado com a estrutura cristalina NPN. Existem configuraes tpicas
elaboradas com o TBJ e essencial aprender a reconhec-las apenas com um
olhar lanado sobre um circuito transistorizado. So trs as configuraes com
terminal em comum: base, emissor e coletor.
Observe-as na figura 53:
COLETOR COMUM BASE COMUM

EMISSOR COMUM
Figura 53
Obs.:
Se voc retornar ilustrao da estrutura cristalina NPN em funcionamento, ver
que se trata de uma configurao em base comum, pois este terminal comum a
Vbb e a Vcc.
Anlise na configurao Emissor-Comum (EC)

Entre as trs configuraes do TBJ, a mais utilizada, na prtica, a em emissor
comum, requerendo assim uma anlise mais cuidadosa. Faremos o emprego da
estrutura cristalina do TBJ NPN pela ltima vez, pois daqui para frente sempre
empregaremos o smbolo em nossas anlises.
Para analisar a ligao E, primeiramente colocamos o transistor na vertical, com o

emissor em baixo. Cuidamos para que esse terminal seja realmente comum s
duas fontes, ligando os negativos nele. Dois resistores Rb e Rc limitam a corrente
na base e no coletor, nessa ordem. Veja a ilustrao da figura 54.
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Eletrnica Geral
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COLETOR
RC
N
BASE
P
RB
EMISSOR
Figura 54
Especificaes de um TBJ
Pretendemos, aqui, apresentar algumas especificaes teis do transistor bipolar.
Deixamos claro que o uso do manual do fabricante ou Databook de vital

importncia e que o aluno no deve se contentar em saber apenas as
especificaes que apresentaremos. O quadro abaixo apresenta as principais
caractersticas de um TBJ com a descrio de cada uma.
Descrio (o fabricante pode fornecer valores mnimos,

Parmetro
tpicos ou mximos)
Ib Corrente de base
Ic Corrente de coletor
Ie Corrente de emissor
Pd Potncia dissipada
Vceo Tenso de coletor ao emissor com a base aberta
Vcbo Tenso de coletor base com emissor aberto
Vebo Tenso de emisor base com o coletor aberto
P Fator de degradao
Rthj Resistncia trmica da juno
As trs primeiras especificaes so bvias. Especificar a potncia Pd

importante para evitar o inconveniente de destruir o transistor por excessiva
dissipao de calor. Matematicamente, podemos encontr-la por:
Pd = Vce . Ic
Esta no toda a potncia que o transistor dissipa, mas est prxima dela, pois
as componentes da potncia dissipada nos diodos emissor e coletor so
desprezveis em comparao com ela.
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Eletrnica Geral
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As trs tenses: Vceo, Vcbo e Vebo so importantes na escolha do transistor.

Vceo e Vebo so boas aproximaes para as tenses de ruptura dos diodos
coletor e emissor, respectivamente.
Todas as especificaes de componentes eletrnicos so feitas a determinadas

temperaturas. P mede o fator de degradao da especificao de potncia
medida que nos distanciamos das temperaturas ideais de funcionamento.
O ltimo parmetro importante para a escolha do irradiador de calor, visto que,

em algumas circunstncias, a quantidade de calor gerada na juno no
trocada com o meio ambiente. Nestas circunstncias, o irradiador de calor bem-
dimensionado muitas vezes resolve o problema.
O transistor como chave

O primeiro circuito que estudamos com o transistor a configurao tpica de uma
chave. Com um projeto consistente, o transistor opera apenas no modo de
saturao e corte. Esta aplicao o ceme do funcionamento dos computadores
e circuitos digitais. Estude-a com ateno e perspiccia, pois futuramente voc
entrar em contato direto com os circuitos digitais e a base da operao destes
ser vista aqui.
Esquema do circuito
A chave eletrnica com o transistor feita usando-se o terminal da base como
controle e a sada retirada no coletor, ambos relativos ao terra. Veja a figura 55:
COLETOR
( Sada )
BASE
( Controle )
EMISSOR
Figura 55
O controle , tipicamente, um sinal quadrado que varia de 0 a um nvel fixo, que

5V para circuitos denominados TTL (Transistor Transistor Lgico). Quando o
sinal de controle est em 0V, a malha da base est submetida a 0V de d.d.p.;
portanto, no h corrente na base e, por conseguinte, no coletor tambm no.
Como Ic = 0A, a queda de tenso em Rc nula e, para que a lei de Kirchhoff das
tenses continue vlida, Vce tem de assumir o valor da fonte Vcc, chave aberta.
No instante em que i pulso sobe para o nvel alto nvel fixo de tenso h
corrente na base e, se esta corrente for suficientemente alta, o transistor entra na
regio de saturao tornando Vce prximo 0V. A corrente circulante no coletor
Icsat e, de coletor para emissor, o transistor se assemelha a uma chave fechada.
Novamente para a lei de Kirchhoff permanecer inalterada, o resistor de coletor Rc
tem entre seus terminais a tenso da fonte Vcc. importante observar que, o
sinal quadrado de sada exatamente o oposto ao do controle. Isto devido s
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Eletrnica Geral
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condies em que ocorrem os chaveamentos. Quando controle = 0V, a sada =

Vcc. Caso contrrio, se controle = Vbb, a sada = 0V. Por isso, os sinais so
recprocos.
Condio suficiente para o funcionamento da chave eletrnica

A condio necessria e essencial que a corrente Ib seja grande o suficiente
para levar Ic saturao. Os profissionais que projetam chaves a transistor usam
uma regra superdimensionada para escolha dos resistores Rb e Rc. Eles adotam
um = 10; este praticamente no se encontra, mesmo em transistores de
potncia que so conhecidos por terem betas pequenos. Dessa maneira
dividimos o projeto em trs etapas:
1 etapa O resistor Rc normalmente a carga que se deseja acionar.

imprescindvel conhecer sua resistncia eltrica ou a corrente de funcionamento.
Esta corrente dever ser tida como Icsat.
2 etapa Podemos calcular Ib usando um beta crtico igual a 10. portanto, Ib =
Icsat/10.
3 etapa Encontramos o valor de Rb usando a lei de Ohm, j que sabemos que
a tenso nos terminais dele deve ser Vbb 0,7V e Ib, acabamos de encontrar:
Rb = (Vbb 0,7V) / Ib.
Acionando carga com o transistor

No estudo feito acima, buscamos especificar um resistor de base que o transistor
saturasse irremediavelmente. Na prtica, a chave muito usada para acionar
rels, motores CC de pequena capacidade, lmpadas de baixa potncia, LEDs
indicadores etc. Veja um exemplo do acionamento por rels:
Usando rels ligar (ou desligar) cargas CA, figura 56

VCC
Retificado
r
RE
VBE
D2
Figura 56
Obs.:
Toda vez que um transistor chavear cargas indutivas necessrio acrescentar um
diodo, reversamente polarizado, em paralelo com a carga. Isto porque quando a
carga est sendo acionada (transistor saturado) a indutncia da carga recebe
energia da fonte. Durante o desligamento (transistor indo para o corte) ocorre a
inverso da tenso nos terminais da carga (lei de Lenz) para manter a corrente
circulando no mesmo sentido. Essa tenso pode ser suficientemente alta e
destruir o diodo coletor. O diodo D, faz o retorno da corrente e dissipa a energia
armazenada na indutncia da carga, protegendo o transistor.
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Eletrnica Geral
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Outra aplicao importante do transistor, como fonte de corrente, pois nesta, o

transistor capaz de amplificar sinais CA, veremos um pouco frente, em nossos
estudos, como polarizar circuitos transistorizados na regio ativa e prepar-los
para a amplificao.
Outros transistores especiais

Fototransistor
um transistor otimizado para operar a partir da luz. Existe uma janela

transparente para incidncia de luz (ftons). A luz converge para a juno base-
coletor reversa, diodo reverso, e quebra ligaes covalentes na banda de
valncia. Os eltrons so elevados banda de conduo e podem circular l
como intensidade da luz adequada ao funcionamento do dispositivo, aquela que
possui o comprimento de onda certo e pode ser visvel ou no. Veja na figura 57
sua simbologia.
COLETOR
BASE
EMISSOR
Figura 57 Simbologia do Fototransistor
Optoacoplador com fototransistor

Como o fototransistor um receptor de luz e atua somente na presena dela, os
fabricantes oferecem um pequeno CI que incorpora o par emissor-receptor. Este
par bastante aplicado na isolao eltrica entre circuitos eletrnicos.
Transistor multiemissor e multicoletor

A figura 58 mostra a sua simbologia
B B
E1 C C1 E
E2 C2
E3 C3
Figura 58
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Eletrnica Geral
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Obs.:
No caso do transistor multiemissor, basta que um dos transistores tenha o
emissor colocado, por exemplo, no terra para que todas as bases estejam em
0,7V. De forma equivalente, se no smbolo um dos emissores vai ao terra, a base
assume 0,7V de potencial e circulam as correntes Ic e Ib correspondentes
quantidade de emissores em conduo. No caso do multicoletor necessrio que
pelo menos um dos transistores tenha o coletor em Vcc, atravs de Rc, para
existir Ib e Ie.
Transistor Darlington Consiste em uma conexo de dois transistores. O

emissor do primeiro vai base do segundo; os coletores so ligados juntos e
base do primeiro. O emissor do segundo e a conexo em comum dos coletores
so: a base, o emissor e o coletor do Darlington, respectivamente. A razo
principal da conexo a obteno de um transistor cujo beta o produto de 1 e
2.
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Eletrnica Geral
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5. Amplificadores de Potncia
Os estgios amplificadores, estudados at este ponto, tratam da amplificao de
sinais com maior nfase no ponto de vista de tenso. Porm, para que possamos
aplicar estes sinais carga, que geralmente tm valor de resistncia baixo, alguns
poucos Ohms, necessrio que eles sofram tambm uma amplificao de
corrente.
Do exposto, entende-se claramente que os sinais a serem amplificados passam

por estgios amplificadores de tenso e corrente, isto , so amplificadores em
potncia para acionar a carga. Os transistores do estgio final de amplificao
(potncia) dissipam grande quantidade de calor, visto que, neste, a potncia do
sinal elevada (acima de 0,5W).
Deve-se tomar cuidado de mont-los em irradiadores de calor (dissipadores), a

fim de que possam trocar de calor com o meio externo, evitando a sua destruio
por dissipao excessiva de potncia.
Os transistores dos estgios iniciais so de potncia inferior (abaixo de 0,5W) e

no necessitam de dissipadores. Estes estgios recebem a denominao de pr-
amplificadores.
Os amplificadores de potncia que discutiremos operam em trs classes distintas,

que so: A, B e AB.
Definies
Ganho de tenso (Av)
Conforme j estudado, o ganho de tenso a relao entre a tenso de sada e a
tenso de entrada
Ganho de corrente (Ai)

O ganho de corrente a relao entre as correntes CAs de coletor e de base,
podendo ser aproximada ao com erro desprezvel.
Ganho de potncia (Ap)

O ganho de potncia a relao entre a potncia de sada (Po) e a potncia de
entrada (Pin) de um amplificador.
Potncia de carga (Pl)

Correspondente ao valor de potncia CA na sada do amplificador, isto , sobre a
carga.
Potncia de dissipao do transistor (Pd)

Deve-se tomar o cuidado de especificar a potncia do transistor como sendo
maior que a potncia quiescente (Pdq), visto que a condio de dissipao de
potncia ocorre quando no h sinal na entrada do mesmo, ou seja, Pd diminui
medida que a tenso pico a pico na carga aumenta.
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Eletrnica Geral
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Rendimento ou eficincia do amplificador em porcentagem ( %)

Corresponde relao entre a potncia CA em RL com a potncia entregue pela
fonte Vcc.
Amplificadores Classe D
Os amplificadores de udio tradicionais so circuitos analgicos que amplificam
tenses e as aplicam em transdutores como fones e auto-falantes, sem
alteraes de suas caractersticas, conforme mostra a figura 1.
Figura 1
relativamente simples construir um circuito amplificador linear usando

componentes tradicionais como vlvulas, transitores bipolares ou mesmo
transitores de efeito de campo. At mesmo um nico transitor polarizado
apropriadamente pode se tornar um amplificador simples, excitando um pequeno
alto-falante ou fone de ouvido, veja a figura 2.
Figura 2
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Eletrnica Geral
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No entanto, esse tipo de circuito no atende as necessidades modernas,

principalmente dos equipamentos alimentados por baterias, visto que seu
rendimento muito baixo.
A maior parte da energia que entregue a esse tipo de circuito convertida em
calor nos componentes de potencia. s observar que os transitores de sada,
mesmo para equipamentos com potencias relativamente baixas, precisam ser
montados em bons dissipadores de calor. Ao tocar nesses dissipadores quando
o equipamento funciona, d para se ter a idia de quanta energia perdida na
forma de calor.
Para atender as necessidades dos novos equipamentos, so utilizadas
configuraes de baixo consumo e alto rendimento. So os amplificadores de
Classe D que, para entender melhor vamos explica-los desde o inicio,
comparando-os com amplificadores tradicionais.
A configurao mais simples para um amplificador justamente a que

mostramos na figura 2 e que pode ser analisada de uma forma mais completa
com o circuito da figura 3.
Figura 3
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Eletrnica Geral
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Nessa configurao , o transitor deve ser polarizado pelo resitor Rb de modo que
ele opere no centro da reta de carga, exibida na figura 4.
Figura 4
Isso significa que o transitor juntamente co o transformador, que alimenta,

formam um divisor de tenso e no coletor do transitor existe uma tenso
equivalente a aproximadamente metade da tenso da alimentao. Assim,
quando os sinais de udio so colocados na entrada desse circuito, eles fazem
com que a tenso aplicada ao transformador oscile entre um mximo prximo da
tenso de alimentao e um mnimo perto de 0 V, conforme ilustra a figura 5.
Figura 5
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Eletrnica Geral
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evidente que, na ausncia do sinal o transitor precisa permanecer em conduo

para que a tenso no seu coletor se mantenha em metade nesse circuito so
tais que mais da metade da potencia dissipada na forma de calor, fora o fato de
que mesmo em repouso seu consumo alto. Algo inadmissvel para uma
aplicao alimenta por bateria.
Classe B
Um tipo de circuito que oferece um ganho de rendimento em relao ao anterior

e por isso ainda encontrado em algumas aplicaes portteis econmicas
como rdios AM e FM de baixo custo o que corresponde etapa de sada
Classe B em Push-Pull, cujo diagrama apresentado na figura 6.
Figura 6
Nesse circuito, o que se faz polarizar os dois transitores de tal forma que eles
fiquem perto do inicio do ponto de conduo ou mesmo no corte, usando para
essa finalidade seu primrio, os semiciclos positivos polarizam o transitor A de
modo que ele amplifique os sinais, enquanto que os semiciclos negativos
polarizam o transitor B no mesmo sentido.
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Eletrnica Geral
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Assim, enquanto o transitor A amplifica apenas os semiciclos positivos do sinal,

otrasitor B amplifica apenas os semiciclos negativos. Na ausncia de sinal,
nenhum dos dois transitores conduz e o consumo do circuito extremamente
baixo. No coletor dos transmissores temos um outro transformador que
empregado como carga, o qual rene os sinais amplificados recuperando sua
forma original que aparece no seu secundrio,observe a figura7.
Figura 7
Apesar de seu bom rendimento, este circuito tem alguns problemas. O maior est
no fato de se necessitar de um transformador drive e de transformador de sada ,
que so componentes problemtico, quanto ao custo e ao tamanho,
principalmente se precisarmos de potencias elevadas. O segundo ponto refere-se
a que transitores demoram um pouco para comear a conduzir com o sinal
aplicado, pois s fazem isso quando a tenso de base chega aos 0,7 V. Isso
introduz uma certa distoro no sinal, conforme mostra a figura 8.
Figura 8
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Eletrnica Geral
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Polarizando-se o circuito de modo que o transitor fique prestes a conduzir, veja a

figura 9, podemos eliminar essa distoro e obter amplificadores de boa potncia
e excelente qualidade de som.
Figura 9
Na verdade usando transformadores feitos com chapas especiais (ultralineares) e

vlvulas em lugar dos transitores ( ou mesmo MOSFETS de potncia), a distoro
por cruzamento ( cross-over) como conhecida, pode ser reduzida a valores
desprezveis obtendo-se com isso os melhores amplificadores em qualidade de
som.
Existem grupos de entusiastas de som que dizem que tais amplificadores so

insubstituveis em termos de qualidade de som e compra equipamentos
especiais que custam milhares de dlares. Um amplificador ultralinear com
sada em push-pull classe AB usando vlvulas com anodos revestidos de ouro
pode ter preos que chegam perto dos 10.000 de dlares.
Classe C
Nos amplificadores classe C os elementos ativos como, por exemplo, os

transitores, so polarizados de modo que eles conduzam apenas metade dos
ciclos dos sinais de entrada. Atente para a figura 10.
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Eletrnica Geral
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Figura 10
Esses amplificadores no so empregados em amplificaes que envolvem

sinais de udio pela distoro que introduzem. Todavia com o uso de filtros de
sada apropriados que eliminam as harmnicas geradas no processo de
amplificao e devolvam a forma senoidal original de um sinal de alta freqncia,
eles podem ser usados sem transmissores.
NA figura 11 mostramos uma etapa de sada tpica de um transmissor em
classe C.
Figura 11
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Eletrnica Geral
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A idia bsica das etapas em classe D trabalhar com impulsos. Trata-se, de

certa forma, de uma digitalizao do sinal de udio, se considerarmos que os
impulsos so quantidades discretas. Vamos partir de uma configurao simples
(em ponte) usando transitores de efeito de campo de potencia, a qual e dada na
figura 12.
Figura 12
Tomando como exemplo um sinal de entrada de udio que corresponda a uma

senide, podemos transforma-lo em impulsos amostrando sua intensidade num
certo numero de instantes. Dessa forma, pelo critrio de Nyquist, que usado
quando se trata da digitalizao de sinais, vemos que para podermos reproduzir
esse sinal com fidelidade precisamos ter um numero de pelo menos 3
amostragens por ciclo de sinal.
Na pratica, a amostragem feita com uma freqncia muitas vezes mais

elevada do que a maior freqncia de udio que deve ser reproduzida. Nos
circuitos comuns empregados em equipamentos comerciais , para se recuperar o
sinal original com boa fidelidade, a amostragem deve ser feita numa freqncia
pelo menos 10 vezes mais alta que a freqncia maior que se deseja produzir.
Assim como visto na figura 13, com um grande numero de amostragens,
poderemos recuperar o sinal original com mais facilidade quando o passarmos
por um filtro apropriado.
Podemos dizer que transformaremos a intensidade do sinal no em valores
digitais (como num conversor ADC), mas sim em pulsos de largura proporcional a
essa intensidade.
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Eletrnica Geral
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5.1. Dissipadores de calor
A potncia desenvolvida sob forma de calor no coletor dos transistores de sada

muito alta, fazendo valer algumas consideraes importantes. Por exemplo,
temperatura ambiente (25C), a troca de calor entre o meio ambiente e a cpsula
(invlucro) do transistor, que poder ser metlica ou plstica, pode ser suficiente
para uma determinada condio de funcionamento do equipamento.
Porm, com o aumento desta temperatura, esta troca de calor para a mesma
condio anterior de trabalho poder no ser to eficiente, fazendo com que os
transistores permaneam quentes por uma faixa de tempo, tendo como
conseqncia o suprimento de uma corrente reversa nos terminais de coletor.
Esta corrente simada ao nvel quiescente, faz com que a dissipao de potncia
nos transistores seja ainda maior. Este efeito cumulativo e termina por levar os
transistores destruio. A este fenmeno denominamos deriva trmica.
Uma forma de minimizar este efeito fazer com que a rea de superfcie do
encapsulamento do transistor seja aumentada. Para isso utilizamos os
dissipadores de calor, que so massas metlicas (chapas de metal) de modelos
variados, podendo ou no ser alteradas, com o propsito de melhorar a
transferncia de calor do encapsulamento para o meio ambiente. Em alguns
casos, o terminal de coletor conectado a uma placa metlica ou carcaa do
encapulamento, a fim de facilitar a conexo com o dissipador e melhorar a
dissipao de calor. Quando isso acontece, necessrio, s vezes, isolar o
terminal de coletor do terra do circuito. Para isso, so utilizados isoladores de
mica, por se tratar de um material que bom isolante eltrico e condutor trmico.
Outros acessrios so amplamente utilizados, como, por exemplo, isoladores

plsticos (buchas) para isolar terminais e/ou parafusos de fixao, pasta trmica
para reduzir a resistncia trmica entre o dissipador e o encapsulamento, entre
outros. A figura 59 a seguir ilustram alguns tipos de transistores e dissipadores de
comum utilizao.
Figura 59
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Eletrnica Geral
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6. JFET
JFET - TRANSISTORES DE JUNO POR EFEITO DE CAMPO
( Junction Field Effect Transistor )
um dispositivo semicondutor que requer um campo eltrico para o controle de

sua corrente de operao. , tambm, conhecido como transistor unipolar, por
possuir apenas um tipo de portador de corrente (eltrons ou lacunas).
Comparao entre FET e Transistor Bipolar:

- O FET tem impedncia de entrada muitas vezes maior;
- O FET tem comutao mais rpida;
- O FET apresenta elevada sensibilidade trmica;
- O FET quase no gera rudos;
- O FET tem ganhos e potncias de trabalho menores.
Tipos de FET
Classificao da famlia FET
De juno (FET) Tipo depleo Canal tipo N e tipo P
Tipo depleo Canal tipo N e tipo P
De porta isolada Tipo intensificao / Canal tipo N e tipo P
(MOSFET ou IGFET) induo
VMOS / DMOS / Canal tipo N e tipo P
TMOS
Hbrido com TBJ -------------------
(IGBT)
De arsenieto de glio Tipo depleo Canal N
GaAs GaAsFET ou
MESFET
A figura 60, mostra a seo em corte de um JFET canal N. A regio denominada

substrato feita de material do tipo P, no qual est incrustado o material do tipo N
para produzir o canal. Os terminais nas extremidades do canal so conhecidos
como dreno (D drain) e fonte (S source). No centro do material tipo N existe
outra regio tipo P, denominada porta (G gate).
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Eletrnica Geral
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G SUBSTRATO
P P
CANAL
N
S
Figura 60
Polarizao de um FET
Normalmente o substrato conectado internamente ao terminal de porta. Como
veremos, isso aumenta o controle sobre o canal.
No h necessidade de resistncia na porta, pois em ambos os casos a juno

porta-canal deve estar reversamente polarizada. A polarizao direta na porta-
canal no tem significado, em termos de controle da corrente Ids, e deve ser
evitada para manuteno das caractersticas do JFET.
Princpio de funcionamento
Juno porta-canal com polarizao reversa Vgs = 0V
Circular uma corrente no canal (Iids) que ser diretamente proporcional ao valor
Vds aplicado. O canal comporta-se como um resistor e, devido ao sentido da
corrente, o potencial no dreno (D) ser mais positivo que na fonte (S), para o
JFET canal tipo N. se o JFET for canal do tipo P, o potencial em (D) ser mais
negativo que em (S).
Fazer Vgs = 0V significa conectar a porta fonte eletricamente. A corrente Ids

provoca, internamente, quedas de tenso bem distribudas e isto reverte a
polarizao da juno porta-canal de forma variada. A camada de depleo ser
esticada em direo ao dreno e estreitada na fonte (para o JFET canal N).
Esta polarizao produz uma regio de depleo no canal que limita a corrente
atravs dele. Quanto maior a queda de tenso no canal (Vds maior), mais larga
a regio de depleo que se forma e mais reduzida ser a corrente. Estes dois
efeitos se opem e, a partir de uma determinada tenso Vds, eles estaro em
equilbrio e a corrente Ids permanecer constante. Esta tenso conhecida como
tenso de pinamento (pinch-off) e simbolizada por Vp. A tal corrente
remanescente denominada corrente mxima do dreno Idss, especificada para
Vds > Vp e Vgs = 0V. perceba os detalhes na figura 61.
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Eletrnica Geral
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SUBSTRATO
G P P
S
Figura 61
Juno porta-canal com polarizao reversa gs < 0

Nestas condies, a camada de depleo se alargar devido polarizao
reversa adicional imprimida pela fonte Vgs. O campo eltrico formado pela
camada de depleo provocar o estreitamento do canal e, conseqentemente,
um aumento na sua resistncia e diminuio na corrente Ids. Assim, variaes na
tenso entre a porta e a fonte refletem-se em variaes na corrente do canal.
Outra vez, devido queda de tenso interna no canal, a camada de depleo
ser mais esticada em direo ao dreno.
Se continuarmos a aumentar (negativamente) Vgs, ser atingido um valor no qual

a regio de depleo ocupar todo o canal. Com esse valor de Vgs o canal fica
completamente deplecionado de portadores de carga eltrons no canal N e
lacunas no canal P; o canal em efeito desaparece. Essa tenso Vgs
denominada tenso de corte Vgs(corte) ou Vgs(off), a qual obviamente negativa
para o JFET canal N e positiva para o canal P.
Polarizao direta da juno porta-canal Vgs > 0

O JFET no foi otimizado para funcionar deste modo. Esta polarizao produz
corrente pelo canal, o que pode danific-lo. Ademais, a juno porta-canal no
pode exceder a 0,7V, j que ela basicamente um diodo.
Simbologia
Veja na figura 62, a simbologia dos JFETs
D D
G G
S S
CANAL N SIMTRICO CANAL P SIMTRICO

Figura 62
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Eletrnica Geral
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Algumas terminologias importantes

Idss: corrente mxima que um JFET pode conduzir. Dada para um
determinado valor de Vds e Vgs = 0V.
Igss: corrente reversa na juno porta-canal
Vgs(corte) = Vgs(off) : valor de tenso reversa na juno porta-canal, que

fecha completamente o canal e torna Id = 0A.
Vp: tenso de pinch-off, pinamento ou constrio. Valor de tenso Vds a

partir da qual a corrente Id torna-se constante.
BV : mxima tenso que pode ser aplicada juno porta-canal.
BVdss: mxima tenso que pode ser aplicada entre dreno e fonte.
Aplicaes do JFET como chave

Dentre as aplicaes mais importantes e populares do JFET, encontramos
algumas que realmente so bastante distintas das encontradas para o transistor
bipolar.
Novamente, se queremos um componente como chave devemos trabalhar com

apenas dois pontos da reta de carga dele. Aqui bastante fcil faz-lo operar
assim. Se Vgs = 0V, o canal est completamente aberto, de forma que, de dreno
para a fonte, o JFET assemelha-se a um chave fechada. Se o Vgs = Vgs(off), o
canal estar fechado e o JFET assemelha-se a um chave aberta.
A chave srie e paralela

Se desejarmos chavear uma pequena tenso CA (menor que 100mV) atravs de
uma carga, uma boa escolha usar as configuraes srie e paralela de chave a
JFET.
Na chave srie, os terminais dreno-fonte so colocados em srie com a carga.

Fazendo Vgs = 0V ou Vgs = Vgs(off), controla-se a permanncia ou no do sinal
na sada respectivamente. Deve-se considerar a resistncia rds(on) e usar a regra
do divisor de tenso para achar a tenso na carga. Observe o esquema:
Na chave paralela, os terminais dreno-fonte esto em paralelo com a carga.

Fazendo Vgs = Vgs(off) ou Vgs = 0V, permite-se ou no a presena de tenso na
sada, respectivamente. Se a chave estiver ligada, a resistncia rds(on)
colocada em paralelo com RL e o equivalente (RL // rds(on) usado na regra do
divisor com Rs para encontrar Vs. Caso a chave esteja aberta, apenas RL entra
no clculo da tenso de sada, usando a regra do divisor de tenso. Observe a
figura abaixo):
Multiplexao analgica
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Uma aplicao bastante interessante e til a multiplexao de sinais no tempo.

A idia consiste em transmitir vrios sinais eltricos analgicos em um mesmo fio,
mas em tempos diferentes.
Vamos analisar um Mux de trs canais (entradas) com JFET. Na verdade so

trs chave srie com um terminal em comum. Atravs dos terminais de controle
Vgs1, Vgs2 e Vgs3 permitimos ou no a passagem dos sinais pelos JFETs.
Lembramos que os sinais devem ter amplitudes menores que 100mV.
Definies teis
MOSFET Metal Oxide Semicondutor Field Effetc Transistor.

IGFET Insulated Gate Field Effect Transistor.
MESFET Gallium Arseneide (gaAs) Devices The Mesfet.
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor.
NMOS = N Channel Metal Oxide Semicondutor.
PMOS = P Channel Metal Oxide Semicondutor.
As aplicaes nas reas de potncia dos MOSFETs tm consideravelmente. Sua

melhor caracterstica ter velocidade de chaveamento superior a qualquer outro
tipo de dispositivo de alta potncia. A razo para isto o fluxo de corrente
unidirecional, que no causa armazenamento de cargas e, por conseguinte, sem
acomodao das mesmas. Na verdade, a velocidade depende da carga e
descarga da Porta-Fonte efeito capacitivo -, mas bons circuitos externos podem
propiciar resultados excelentes durante o chaveamento. Diversos fabricantes
colocaram MOSFETs de potncia no mercado, usando designaes diferentes: a
Motorola usa TMOS, a Internacional Rectifier (IR) adotou HEXFET, a Siemens
colocou o seu MOS com canal em V como SIPMOS, VMOS e DMOS tambm so
de uso fluente. Aqui abordaremos os MOSFETs de uma forma geral,
centralizando o nosso foco no VMOS, que, apesar de ter sido o primeiro, ainda
no encontrou concorrente em altas freqncias.
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7. Amplificadores Operacionais
Um amplificador operacional, ou amp-op, um amplificador diferencial de ganho
muito alto com impedncia de entrada muito alta e baixa impedncia de sada.
Normalmente se utiliza o amplificador operacional para que se obtenham
variaes na tenso (amplitude e polaridade), para a construo de osciladores,
filtros e alguns circuitos de instrumentao. Um amp-op contm alguns estgios
amplificadores diferenciais para produzir um ganho de tenso muito alto.
A figura 63 abaixo mostra um amp-op bsico com duas entradas e uma sada,
uma vez que o estgio de entrada um estgio de entrada de amplificador
diferencial.
Entrada 1
V
o
Entrada 2
Figura 63
Aplicaes
Os amplificadores operacionais nos permite executar diversas tarefas como:
ganho constante, fontes reguladas, compensao de tenso, demodulao em
udio, operaes com tenses, geradores de rampas, etc; as quais so
conseguidas pelas diferentes configuraes em que o A.O. opera. Estas
configuraes so conseguidas pelas ligaes de resistores e/ou capacitores
externos; dentre as quais podemos citar:
Circuitos AMP-OP Prticos

O amp-op pode ser conectado a uma grande variedade de circuitos
estabelecendo vrias possibilidades operacionais. Nesta seo, abordamos
alguns dos circuitos mais comuns.
Amplificador Inversor
O amplificador de ganho constante mais amplamente usado o amplificador
inversor, mostrado na figura anterior. A sada obtida pela multiplicao da
entrada por um ganho fixo ou constante, fixado pelo resistor de entrada (R1) e o
resistor de realimentao (Rf) esta sada tambm invertida em relao
entrada.
Amplificador No-Inversor
A conexo da figura 64 mostra um circuito com amp-op que trabalha como um
amplificador no-inversor ou multiplicador de ganho constante. Deve-se observar
que a conexo amplificador inversor mais amplamente usada porque tem
melhor estabilidade em freqncia.
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Eletrnica Geral
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V1
Vo
R1 Rf
Figura 64 No inversor
Seguidor Unitrio
O circuito seguidor-unitrio, fornece em ganho unitrio (1) sem inverso de
polaridade ou fase. Do circuito equivalente claro que a sada tem a mesma
polaridade e amplitude da entrada. O circuito opera como um circuito seguidor de
emissor ou de fonte, exceto que o ganho exatamente um.
Amplificador Somador
Provavelmente, o mais usado dos circuitos amp-ops o circuito amplificador
somador mostrado na figura 65. O circuito mostra um circuito amplificador
somador de trs entradas, o qual fornece um meio de somar algebricamente
(adicionando) trs tenses, cada uma multiplicada por um fator de ganho
constante. A tenso de sada pode ser expressada em termos das entradas como
Vo = - Rf V1 + Rf + V2 + Rf V3
R1 R2 R3
Em outras palavras, cada entrada adiciona uma tenso sada, multiplicada pelo
seu correspondente fator de ganho. Se mais entradas so usadas, cada qual
acrescenta uma componente adicional sada.
Rf
R1
V1
V2 R2
R3 Vo
V3
Figura 65 - Somador
____________________________________________________________ 61/63
Eletrnica Geral
____________________________________________________________
Integrador
At agora, a entrada e os componentes de realimentao eram resistores. Se o

componente de realimentao usado for um capacitor, a conexo resultante
chamada de integrador. O circuito, com terra-virtual, mostra que uma expresso
para a tenso entre entrada e sada pode ser deduzida em funo da corrente I,
da entrada para a sada. A operao de integrao semelhante de somar,
uma vez que constitui uma soma da rea sob a forma de onda ou curva em um
perodo de tempo
C
R
V
Figura 66 - Integrador
____________________________________________________________ 62/63
Eletrnica Geral
____________________________________________________________
Referncias Bibliogrficas
SENAI. MG. Eletrnica Digital
IDOETA, Ivan Valeije, CAPUANO, Francisco Gabriel. Elementos de Eletrnica

Digital. 34 Edio. So Paulo. Ed. rica. 2002.
LOURENO, Antnio Carlos, CRUZ, Eduardo C. A.. Circuitos Digitais - Estude e

Use. 5 Edio. So Paulo. Ed. rica. 2002.
TOCCI, Ronald J., LASKOWSKI,Lester P.. Microprocessadores e

Microcomputadores. 2 Edio. Rio de Janeiro. Ed. Prentice-Hall do Brasil. 1983.
http://www.i-magazine.com.br/imagazine/picbook/cap1.htm em 15/07/2004.
____________________________________________________________ 63/63

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Centro de Formao Profissional Pedro Martins Guerra

Diretor Regional do SENAI e

Gerente de Educao e Tecnologia

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Isto porque, nos embates dirios,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e

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1. Fsica dos Semicondutores

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A estas subdivises da molcula deu-se o nome de TOMO, palavra de origem

O tomo formado por um grande nmero de partculas, dentre as quais,

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Os eltrons que se encontram nesta camada perifrica, so chamados de

ELTRON DE VALNCIA: eltrons da camada externa,

Quando um grupo de tomos est disposto simetricamente entre si, um eltron de

LIGAO COVALENTE: unio entre dois tomos

A partir desse conceito podemos ento definir:

- CONDUTOR: material que possui grande quantidade de eltrons livres.

O nmero de valncia destes dois elementos equivale ao nmero ou quantidade

Existem, pois, com a introduo de calor, eltrons livres e lacunas de igual

1.2. Dopagem de Semicondutores

Figura 01 A estrutura do silcio numa representao bidimensional.

Dopagem em tipo N (cristal N)

Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do Ge ou do Si

Dopagem em tipo P (cristal P)

Nos elementos tipo P, as lacunas sero denominadas portadores

O material N apresenta um grande nmero de eltrons e o material P um grande

Com o acmulo de ons positivos de um dos lados da juno e negativos do outro,

As cargas que se formaram nesta regio de espao de cargas do origem a uma

Juno PN polarizada inversamente

A juno PN tem propriedades de retificadores, e se a conectamos a uma fonte

Como estes portadores se afastam da juno largura da barreira de potencial

Figura 05 Juno PN polarizada inversamente

Juno PN polarizada diretamente

Figura 06 Juno PN polarizada diretamente

O primeiro efeito disto a neutralizao de alguns ons doadores e receptores, e

A corrente que flui quando uma polarizao direta aplicada chamada de

Figura 07 Juno PN no polarizada

At agora tnhamos visto, para efeito de explicao, um modelo terico onde

Figura 08 Smbolo do diodo de juno

O smbolo usado quer dizer que o fluxo de corrente do material P para o

2.2. Diodo de Juno Ideal

Conduo no diodo ideal

Bloqueio do diodo ideal

2.3. Diodo de Juno Real

O diodo de juno real apresenta algumas diferenas em relao ao diodo de

Conduo no diodo real

Figura 09 Diodo Real

A resistncia interna devida ao fato de que o cristal dopado no um condutor

Bloqueio no diodo real

Como a corrente de fuga muito pequena comparada com a corrente de

2.4. Caractersticas e propriedades do diodo

Vd = Tenso direta Id = Corrente direta

A curva da figura 10 ser a mesma para os elementos de germnio e silcio.

A tenso reversa aplicada juno, aumenta a barreira de potencial, e

2.5. Comportamento do diodo em AC

No semiciclo seguinte, de a 2 , a tenso se torna negativa, e o diodo

2.6. Regime mximo do diodo em CC