Apostila Eletronica Potencia IFRN Zona Norte PDF

Campus Natal
Zona Norte
Apostila de Eletrnica de Potncia
Prof. Jefferson Pereira da Silva

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAO CINCIA E TECNOLOGIA DO RN CAMPUS NATAL ZONA NORTE
ndice
1. Eletrnica de potncia ............................................................................ 2

1.1. Definio ................................................................................................. 2
1.2. Chaves semicondutoras de potncia ...................................................... 2
1.3. Tipos de circuitos de eletrnica de potncia ........................................... 2
1.4. Aplicaes da eletrnica de potncia ..................................................... 2
2. Dispositivos de potncia: caractersticas e funcionamento ..................... 3
2.1. Diodos de potncia ................................................................................. 3
2.2. Transistor bipolar de juno (TJB) ............................................................... 5
2.3. Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor (MOSFET) ......... 6
2.4. Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) ................................................... 7
2.5. Retificador controlado de silcio (SCR) ........................................................ 8
2.6. TRIAC .......................................................................................................... 13
3. Dispositivos e circuitos de disparo ............................................................... 15
3.1. DIAC ............................................................................................................ 15
3.2. Transistor de unijuno (UJT) ...................................................................... 15
3.3. Oscilador de relaxao com UJT ................................................................. 16
3.4. CIs para disparo ........................................................................................... 18
4. Dispositivos de proteo e circuitos ............................................................. 19
4.1. Varistores ..................................................................................................... 19
4.2. Fusveis ........................................................................................................ 20
4.3. Transformadores de pulso ........................................................................... 21
4.4. Acopladores pticos ..................................................................................... 23
5. Conversores AC/DC (retificadores) ............................................................. 24
5.1. Retificadores monofsicos no controlados ................................................ 24
5.2. Retificadores monofsicos controlados ....................................................... 25
6. Conversores DC/DC (choppers) . 28
6.1. Choppers step-down (buck) . 29
6.2. Choppers step-up (boost) . 30
6.3. Choppers buck-boost 32
7. Conversores DC/AC (inversores) ................................................................ 34
7.1. Funcionamento de inversores monofsicos ................................................ 36
8. Chaves estticas .......................................................................................... 37
8.1. Definio e aplicaes ................................................................................. 37
8.2. Comparao com rels eletromecnicos ..................................................... 38
8.3. Rel de estado slido (SSR) ........................................................................ 39
9. Bibliografia ................................................................................................... 41
APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA
1
1. Eletrnica de Potncia
1.1 Definio
A eletrnica de potncia trata das aplicaes de dispositivos semicondutores de

potncia, como tiristores e transistores, na converso e no controle de energia eltrica em
nveis altos de potncia aplicados indstria. Essa converso normalmente de AC para DC ou
vice-versa, enquanto os parmetros controlados so tenso, corrente e frequncia. Portanto, a
eletrnica de potncia pode ser considerada uma tecnologia interdisciplinar que envolve trs
campos bsicos: a potncia, a eletrnica e o controle.
1.2 Chaves semicondutoras de potncia
As chaves semicondutoras de potncia so os elementos mais importantes em circuitos

de eletrnica de potncia. Os principais tipos de dispositivos semicondutores usados como
chaves em circuitos de eletrnica de potncia so:
Diodos;
Transistores bipolares de juno (BJTs);
Transistores de efeito de campo metal-xido-semicondutor (MOSFETs);
Transistores bipolares de porta isolada (IGBTs);
Retificadores controlados de silcio (SCRs);
Triacs;
1.3 Tipos de circuitos de eletrnica de potncia
Os circuitos de eletrnica de potncia (ou conversores, como so usualmente

chamados) podem ser divididos nas seguintes categorias:
1. Retificadores no controlados (AC para DC) converte uma tenso monofsica ou

trifsica em uma tenso DC e so usados diodos como elementos de retificao.
2. Retificadores controlados (AC para DC) converte uma tenso monofsica ou trifsica
em uma tenso varivel e so usados SCRs como elementos de retificao.
3. Choppers DC (DC para DC) converte ums tenso DC fixa em tenses DC variveis.
4. Inversores (DC para AC) converte uma tenso DC fixa em uma tenso monofsica ou
trifsica AC, fixa ou varivel, e com frequncias tambm fixas ou variveis.
5. Conversores cclicos (AC para AC) converte uma tenso e frequncia AC fixa em uma
tenso e frequncia AC varivel.
6. Chaves estticas (AC ou DC) o dispositivo de potncia (SCR ou triac) pode ser
operado como uma chave AC ou DC, substituindo, dessa maneira, as chaves mecnicas
e eletromagnticas tradicionais.
1.4 Aplicaes da Eletrnica de Potncia
A transferncia de potncia eltrica de uma fonte para uma carga pode ser controlada
pela variao da tenso de alimentao (com o uso de um transformador varivel) ou pela
insero de um regulador (como uma chave).
Os dispositivos semicondutores utilizados como chaves tm a vantagem do porte
pequeno, do custo baixo, da eficincia e da utilizao para o controle automtico da potncia.
2
A aplicao de dispositivos semicondutores em sistemas eltricos de potncia vem

crescendo incessantemente. Os dispositivos como diodo de potncia, transistor de potncia,
SCR, TRIAC, IGBT etc, so usados como elementos de chaveamento e controle de fornecimento
de energia de mquinas e motores eltricos.
Dentre as aplicaes cotidianas mais comuns se destaca o controle microprocessado de
potncia.
Fig. 01 - Controle microprocessado de potncia
Os equipamentos de informtica, tais como a fonte de alimentao chaveada do PC, o

estabilizador, o no-break, etc, utilizam como elementos principais dispositivos semicondutores
chaveadores (Mosfets, IGBTs, TJBs, etc).
Fig. 02 - No-break Fig. 03 - Fonte Chaveada de PC
2. Dispositivos de potncia: caractersticas e funcionamento
2.1 Diodos de potncia
O material ativo mais comum para a construo do diodo o silcio, um material

semicondutor, ou seja, classificado entre o isolante e o condutor, cuja resistncia decresce com
o aumento da temperatura.
O silcio um elemento do grupo IV da tabela peridica e tem quatro eltrons na ltima
rbita em sua estrutura atmica.
Se a ele for acrescido um elemento pentavalente, com cinco eltrons na ltima rbita,
haver um eltron livre na estrutura do cristal. O eltron livre possibilita um grande aumento na
3
conduo e, como o eltron uma carga negativa, esse material conhecido como
semicondutor tipo N.
Se ao silcio for acrescentada uma impureza trivalente, um elemento com trs eltrons
na sua ltima rbita, surge um vazio ou lacuna na estrutura cristalina, que pode receber um
eltron. Esse vazio pode ser considerado uma carga positiva, conhecida como lacuna, e
possibilita um grande aumento na conduo; esse material dopado conhecido como
semicondutor tipo P.
O grau de dopagem (adio de impurezas) da ordem de 10 7 tomos. Em
semicondutores tipo N, a maioria dos portadores de corrente de eltrons e a minoria de
lacunas. O contrrio aplica-se a semicondutor tipo P. Dependendo da dopagem, a condutividade
do semicondutor tipo N ou P aumentada muito se comparada ao silcio puro.
O diodo mostrado abaixo formado pela juno dos materiais dos tipos N e P. Desta
forma, s h passagem de corrente eltrica quando for imposto um potencial maior no lado P
do que no lado N. Devido a uma barreira de potencial formada nesta juno (V), necessria
uma d.d.p. com valor acima de 0,6V (em diodos de sinal) para que haja a conduo. Em diodos
de potncia, esta tenso necessria gira em torno de 1 a 2V.
Figura 04 Smbolo do diodo
Na figura 05 vemos o aspecto fsico de um diodo de potncia caracterizado pelo anodo

rosqueado.
Figura 05 Aspecto fsico do diodo de potncia
Principais valores nominais para os diodos
Tenso de pico inversa (PIV)
O valor nominal da tenso de pico inversa (peak inverse voltage PIV) a tenso
inversa mxima que pode ser ligada nos terminais do diodo sem ruptura. Se for excedido a PIV
nominal, o diodo comea a conduzir na direo inversa e pode ser danificado no mesmo
instante. Os valores nominais da PIV so de dezenas a milhares de volts, dependendo do tipo
do diodo. Os valores nominais da PIV so tambm chamados de tenso de pico reversa (PRV)
ou tenso de ruptura (VBR).
4
Corrente direta mdia mxima (If(avg)Max)
A corrente direta mdia mxima a corrente mxima que um diodo pode aguentar com
segurana quando estiver diretamente polarizado. Os diodos de potncia esto disponveis com
valores nominais que vo desde alguns poucos a centenas de ampres.
Tempo de recuperao reverso (trr)
O tempo de recuperao reverso de um diodo bastante significativo em aplicaes de

chaveamento em alta velocidade. Um diodo real no passa, em um nico instante, do estado de
conduo para o estado de no-conduo. Nesse momento, uma corrente inversa flui por breve
perodo, e o diodo no desliga at que a corrente inversa caia a zero.
O intervalo durante o qual a corrente inversa flui denominado de tempo de
recuperao reverso. Durante este perodo, so removidos os portadores de carga armazenados
na juno quando a conduo direta cessou.
Os diodos so classificados como de recuperao rpida e lenta com base nos tempos
de recuperao. Esses tempos vo da faixa de microssegundos, nos diodos de juno PN, a
vrias centenas de nanossegundos em diodos de recuperao rpida, como o Schottky.
Os diodos de recuperao rpida so utilizados em aplicaes de alta frequencia, tais
como inversores, choppers e nobreaks.
A figura abaixo mostra um caso onde o diodo conduzia a corrente direta (I F) e que,
depois de desligado, existe um tempo em que a corrente flui no sentido inverso (I RR).
Figura 06 Tempo de recuperao reverso
Temperatura mxima da juno (Tj(Max))
Este parmetro define a temperatura mxima que o diodo pode suportar, na juno,
sem apresentar defeito. As temperaturas nominais de diodos de silcio esto normalmente na
faixa de -40C a +200C. A operao em temperaturas mais baixas costuma resultar em um
desempenho melhor. Os diodos so em geral montados em dispositivos dissipadores de calor
para que haja melhora nas condies nominais de temperatura.
Corrente mxima de surto (IFSM)
O valor nominal da corrente direta mxima de surto a corrente mxima que o diodo
pode suportar durante um transitrio fortuito ou diante de um defeito no circuito.
2.2 Transistor bipolar de juno (TJB)
Um transistor bipolar um dispositivo de trs camadas P e N (P-N-P ou N-P-N), cujos

smbolos so mostrados na figura 07.
5
Figura 07 Transistor bipolar de juno
A figura seguinte mostra as correntes e tenses inerentes aos dois tipos de TJBs:
Figura 08 Correntes e tenses no TJB
Aplicando-se as leis de Kirchoff para corrente e tenso, teremos as seguintes equaes:
- NPN ou PNP: IE = IC + IB
- NPN ou PNP: IC = IB
- NPN: VCE = VBE + VCB
- PNP: VEC = VEB + VBC
Para o TJB trabalhar como chave eletrnica preciso polariz-lo nas regies de corte e
saturao e como amplificador, na regio ativa.
De modo geral, o TJB de potncia segue os mesmos parmetros do transistor de sinal.
Algumas caractersticas so prprias devido aos nveis de correntes e tenses que o dispositivo
trabalha, por exemplo:
a) o ganho () varia entre 15 e 100;

b) operao como chave, variando entre os estados de corte e saturao;
c) tenso e corrente mximas de coletor de 700V e 800A, respectivamente;
d) tenso de saturao de 1,1V para um transistor de silcio.
e) tenso de bloqueio reverso entre coletor e emissor em torno de 20V, de modo que o
impede de trabalhar em AC.
2.3 Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor (MOSFET)
O transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico (MOSFET) de

potncia um dispositivo para uso como chave em nveis de potncia. Os terminais principais
so o dreno e a fonte, com a corrente fluindo do dreno para a fonte e sendo controlada pela
tenso entre a porta e a fonte. Abaixo mostrado o smbolo do MOSFET:
6
Figura 09 Smbolo do MOSFET
O MOSFET um transistor de chaveamento rpido, caracterizado por uma alta

impedncia de entrada, apropriado para potncias baixas (at alguns quilowatts) e para
aplicaes de alta frequncia (at 100kHz).
Um MOSFET tem aplicaes importantes em fontes de alimentao chaveadas, nas
quais frequncias altas de chaveamento subentendem componentes menores e mais
econmicos, alm de motores de baixa velocidade de controle que utilizem modulao por
largura de pulso PWM (ver item 6).
Os MOSFETs esto disponveis no mercado nos tipos canal N e canal P. Entretanto, os
dispositivos em canal N tm valores nominais de corrente e tenso mais altos. A figura 08
mostra a simbologia de um dispositivo em canal N.
Devido alta resistncia de porta, a corrente de controle praticamente nula,
propiciando um controle de conduo entre dreno e fonte a partir de uma tenso aplicada no
terminal de porta. Ainda, pela baixssima necessidade de corrente de controle, possvel
comutar a conduo do MOSFET atravs de circuitos microcontrolados.
O MOSFET bem mais rpido nas comutaes que o TJB, entretanto fornece mais
perdas de conduo na saturao.
O MOSFET infelizmente sozinho no consegue bloquear uma tenso reversa entre
dreno e fonte. Isto de deve ao um diodo acoplado internamente a sua estrutura em
antiparalelo. Este diodo chamado de diodo de corpo e serve para permitir um caminho de
retorno para a corrente para a maioria das aplicaes de chaveamento. Este diodo visto na
figura 10.
Figura 10 Detalhe do diodo de corpo
2.4 Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as caractersticas de baixa queda de

tenso de saturao do TJB com as excelentes caractersticas de chaveamento e simplicidade
dos circuitos de controle da porta do MOSFET. O smbolo do IGBT mostrado a seguir:
7
Figura 11 Smbolo do IGBT
Os IGBTs substituem os MOSFETS em aplicaes de alta tenso, nas quais as perdas na

conduo precisam ser mantidas em valores baixos. Embora as velocidades de chaveamento
dos IGBTs sejam maiores (at 50 kHz) do que as dos TJBs, so menores que as dos MOSFETs.
Portanto, as frequncias mximas de chaveamento possveis com IGBT ficam entre as dos TJBs
e as dos MOSFETs. Ao contrrio do que ocorre no MOSFET, o IGBT no tem qualquer diodo
reverso interno. Assim, sua capacidade de bloqueio para tenses inversas muito ruim. A
tenso inversa mxima que ele pode suportar de menos de 10 V.
2.5 Retificador controlado de silcio (SCR)
O SCR um dispositivo de trs terminais, chamados de anodo (A), catodo (K) e gatilho
(G), como mostra a figura a seguir:
Figura 12 Retificador controlado de silcio
A seguir vemos o aspecto fsico mais comum do SCR de potncia. A figura mostra o
anodo sendo o terminal rosqueado e dois rabichos: o catodo, mais grosso, e o gatilho, mais
fino.
Figura 13 Aspecto fsico do SCR de potncia
Podemos considerar o SCR um diodo controlado pelo terminal de gatilho. No SCR,

apesar da tenso ser positiva, o mesmo ainda permanece bloqueado (corrente nula). S
quando for aplicado um pulso de gatilho, que o SCR passar a conduzir corrente,
8
comportando-se como um curto-circuito. Para observar este fato melhor mostrada a curva
deste dispositivo.
Caractersticas e parmetros
Observando-se a curva da figura 14, pode-se distinguir trs regies:
Polarizao reversa: com VAK<0, praticamente no h corrente reversa. A corrente

reversa depende do tipo de SCR. Nos de baixa corrente, a corrente reversa da ordem de
dezenas a centenas de A e nos de alta corrente, a corrente reversa pode chegar a centenas de
mA.
Polarizao direta em bloqueio: nesta regio, h vrias curvas parametrizadas pela

corrente de gatilho IG. Quando IG = 0, o SCR permanece bloqueado, desde que a tenso seja
inferior a VBO (tenso de disparo ou breakover voltage). Quando V AK= VBO, o SCR dispara e a
corrente cresce, sendo limitada pela resistncia de carga, colocada em srie com o SCR.
Polarizao direta em conduo: para que o SCR permanea nesta regio,

necessrio que a corrente de anodo atinja um valor mnimo de disparo IL (latching current
ou corrente de disparo). Caso esse valor no seja atingido, aps o disparo, o SCR volta ao
estado de bloqueio.
Figura 14 Curva caracterstica do SCR
Pela curva do SCR, v-se que, quanto maior o valor da corrente de gatilho, tanto menor
a tenso VAK necessria para disparar o SCR. Isso verdade at o limite de I G = IGT (corrente
de gatilho com disparo). IGT a mnima corrente de gatilho que garante o disparo do
SCR com tenso direta de conduo VT. Com IGT aplicada, como se o SCR fosse um
diodo.
Na regio de polarizao direta em conduo, a queda de tenso do dispositivo em
torno de 1,5V.
Aps o disparo, sendo estabelecida a conduo (IA>IL), a corrente de gatilho poder
ser removida que este continuar em conduo. O SCR s voltar ao bloqueio se a corrente I A
cair abaixo de IH (corrente de manuteno ou holding current), ou se VAK < 0.
Mtodos de acionamento
O nvel mnimo de tenso e corrente necessrio para o disparo do SCR uma funo da
temperatura da juno. De maneira genrica, quanto menor a temperatura de juno, maior
ser a corrente e menor ser a tenso necessria ao gatilhamento.
A corrente e tenso de gatilho esto sujeitas a um valor mximo, mas no disparo
devem ultrapassar um valor mnimo. O produto entre a tenso e corrente de gatilho d um
nvel de potncia para o qual um mximo estabelecido.
9
Mtodos de disparo sem aplicao do pulso de gatilho
Alm da aplicao do pulso de gatilho, o SCR pode ser disparado de outras formas.
Normalmente, esses disparos so indesejados, pois, em alguns casos, podem destruir o
dispositivo.
Disparo por sobretenso
Se aumentarmos a tenso VAK a ponto de atingir o valor VBO, o SCR entrar em

conduo, mesmo sem a aplicao da corrente de gatilho. Este processo de disparo, nem
sempre destrutivo, raramente utilizado na prtica.
Disparo por variao de tenso
Um capacitor armazena carga eltrica e a corrente que carrega o capacitor relaciona-se

com a tenso pela expresso:
v
iC
t
Ou seja, para haver variao de tenso no capacitor (v), em um intervalo de tempo
(t), necessrio circular uma corrente i pelo capacitor. Quando a variao de tenso muito
pequena e o intervalo de tempo muito pequeno, essa expresso muda para:
dv
iC
dt
Em um SCR polarizado diretamente, na juno J 2 existem ons positivos de um lado e
ons negativos do outro. Isto como um capacitor carregado, como mostra a figura 15.
Figura 15 Detalhe do efeito capacitivo na juno do SCR
Assim, mesmo no havendo pulso no gatilho, fechando-se a chave CH1, a capacitncia

da juno J2 far com que circule corrente de gatilho. Como a variao muito grande (de zero
para V), a corrente resultante ser muito grande. Essa corrente poder ser suficiente para
estabelecer o processo de conduo do SCR.
Esse disparo normalmente indesejado e pode ser evitado pela ao de um circuito de
proteo chamado de SNUBBER. Este circuito mostrado na figura 16.
Figura 16 Circuito de proteo SNUBBER
10
Disparo por outros meios
H a possibilidade do SCR entrar no estado de conduo, sem a aplicao do pulso de

gatilho, por aumento de temperatura ou por intensidade de incidncia de luz ou radiao no
dispositivo. No segundo caso, h um dispositivo prprio chamado de LASCR (Light Activated
Silicon Controlled Rectifier). Alm do disparo por luz, esse dispositivo tambm acionado pelo
gatilho. Podemos ver na fig. 17 os detalhes deste dispositivo.
Figura 17 Detalhes do LASCR
Mtodos de bloqueio
Bloquear ou comutar um SCR, significa cortar a corrente que ele conduz e impedir que
ele retorna conduo. Ou seja, o bloqueio estar completo, quando a corrente no sentido
direto for anulada e a reaplicao de tenso direta, entre anodo e catodo, no provocar o
retorno do SCR ao estado de conduo.
Bloqueio natural
Quando se reduz a corrente de anodo a um valor abaixo de IH, chamada de corrente de

manuteno (holding current), o SCR bloqueado. A corrente de manuteno tem um valor
baixo, normalmente cerca de 1000 vezes menor do que a corrente nominal do dispositivo.
Em circuito CA, em algum momento a corrente passa pelo zero da rede, levando o SCR
ao bloqueio.
Exemplo: Bloqueio pelo Zero da Rede
Figura 18 Bloqueio pelo zero da rede
Bloqueio forado
Em vez de aguardar a passagem de corrente pelo zero da rede para bloquear um SCR,
pode-se fazer o bloqueio atravs de dois meios:
1: diminuir o fluxo de corrente direta para um valor abaixo de IH;

2: aplicar tenso reversa.
11
Aps o bloqueio, deve-se garantir que a tenso no seja reaplicada ao SCR

imediatamente. Isto restabeleceria o processo de conduo do dispositivo. A tenso reaplicada
deve aumentar segundo um parmetro dv/dt, definido nas folhas de dados fornecidos pelo
fabricante.
Exemplo: Bloqueio por Chave
Figura 19 Bloqueio por chave
Exemplo comentado: Bloqueio por Capacitor
Figura 20 Bloqueio por capacitor
Com CH1 e CH2 abertas, o SCR est bloqueado, a lmpada apagada e o capacitor
descarregado.
Fechando-se CH1, alimenta-se o circuito de gatilho. O SCR dispara e lmpada acende.
Alm da corrente da lmpada, o SCR conduz tambm a corrente de carga do capacitor
C1, conforme se v abaixo:
Figura 21 Processo de carga do capacitor C1
O capacitor carrega-se de forma exponencial, com uma constante de tempo = R1 . C1.

Ou seja, passado um tempo correspondente a , o capacitor carrega-se com aproximadamente
2/3 da tenso que o alimenta. No caso deste circuito, com cerca de 5 o capacitor estar
totalmente carregado com 12V.
Se CH2 for fechada, a tenso acumulada no capacitor polarizar reversamente o SCR
levando-o ao bloqueio, de acordo com a figura 22.
12
Figura 22 Polarizao reversa do SCR atravs do capacitor
2.6 TRIAC
Para se evitar a necessidade de utilizao de dois SCRs em antiparalelo, foi

desenvolvido o TRIAC.
TRI (triodo ou dispositivo de trs terminais) e AC (corrente alternada) formam o nome
deste elemento, cuja principal caracterstica permitir o controle de passagem de corrente
alternada.
O smbolo dado por:
Figura 23 Smbolo do triac
Caractersticas e parmetros
Sua curva caracterstica mostrada a seguir:
Figura 24 Curva caracterstica do triac
Pela curva caracterstica, pode-se observar que o TRIAC pode conduzir nos dois
sentidos de polarizao.
13
As condies de disparo so anlogas ao do SCR. Podendo ser disparado com corrente

de gatilho positiva ou negativa. Em conduo, apresenta-se quase como um curto-circuito
com queda de tenso entre 1V e 2V.
Os terminais so chamados de anodo 1 (A1 ou MT1), anodo 2 (A2 ou MT2) e
gatilho (G).
O TRIAC pode ser disparado em qualquer polaridade de tenso e sentido de corrente,
desta forma ele opera nos quatro quadrantes, tomando-se o terminal A1 como referncia. V-
se este fato na figura 25.
Figura 25 Quadrantes de polarizao do triac
A sensibilidade ao disparo varia conforme o quadrante, em funo das diferenas nos

ganhos de amplificao, em cada caso. Normalmente, o primeiro quadrante o de maior
sensibilidade ao disparo e o quarto, o de menor.
O TRIAC em corrente alternada
Os circuitos a seguir mostram, como exemplo, aplicaes simples do TRIAC em

corrente alternada.
a) Controle em Onda-Completa com TRIAC
Figura 26
b) Controle de Potncia numa carga
Figura 27
14
3. Dispositivos e circuitos de disparo
3.1 DIAC
Quando o TRIAC usado como dispositivo de controle, frequentemente utilizado um

DIAC como dispositivo de disparo, conforme pode ser visto na figura 28.
Figura 28 Controle de disparo com DIAC
O DIAC (Diode Alternative Currente) uma chave bidirecional disparada por tenso.
Normalmente, a tenso de disparo dos DIACs ocorre entre 20 e 40V. A sua curva caracterstica
est mostrada a seguir, junto com seus smbolos mais utilizados:
Figura 29 Detalhes do DIAC
No circuito da figura 28, a rede R1, R2 e C1 defasa a tenso sobre C1. O capacitor se
carrega at atingir a tenso VD de disparo do DIAC. Quando isso ocorre, o DIAC entra em
conduo e cria um caminho de baixa impedncia para o capacitor descarregar-se sobre o
gatilho do TRIAC. A corrente de descarga do capacitor suficientemente elevada para
conseguir disparar TRIACs de baixa potncia, mesmo com valores relativamente baixos de
capacitncia.
3.2 Transistor de unijuno (UJT)
O UJT um dispositivo semicondutor de trs terminais com apenas uma juno PN.
A estrutura fsica e a simbologia do UJT so mostradas na figura 30.
15
Figura 30 Detalhes do UJT
Para facilitar a anlise do funcionamento do UJT utilizado o circuito visto a seguir.
Figura 31 Circuito equivalente do UJT
Na figura acima, o diodo representa a juno PN do emissor. O caminho B2-B1 (Base 2

e Base 1) dividido em duas partes: a primeira, rb2, que a resistncia entre o ponto central
x e o terminal B2 e a segunda, formada por uma resistncia fixa rs e outra varivel rn, sendo
rb1 = rs + rn.
A soma das resistncias rbb = rb1 + rb2 corresponde resistncia da barra entre os
terminais B1 e B2.
3.3 Oscilador de relaxao com UJT
O circuito tradicional de disparo usando o UJT chamado de oscilador de

relaxao, mostrado na figura 32.
Figura 32 Oscilador de relaxao
O UJT tem dois parmetros importantes: Tenso de Disparo (VP) e Tenso de Vale
(VV). O primeiro diz o valor de tenso necessrio para fazer conduzir o caminho entre o emissor
(E) e a base 1 (B1). O segundo informa o valor de tenso que, aps a entrada em conduo,
16
bloqueia o citado caminho. Em outras palavras, estes parmetros indicam o incio e o fim do
disparo do UJT.
Analisando o circuito da figura 32, vamos considerar inicialmente o capacitor
descarregado. Ao ligarmos a fonte VBB ao circuito, o capacitor comear a se carregar
exponencialmente. Enquanto o valor da tenso do capacitor no alcanar o valor do parmetro
VP, o UJT estar bloqueado, isto , passar uma pequena corrente pelo caminho entre os
terminais de base. Esta corrente, por sua vez, ir produzir uma pequena queda de tenso no
resistor RB1.
No momento que a tenso do capacitor atinge o parmetro V P, o UJT comear a
conduzir atravs do caminho emissor e base1. Neste instante inicial de conduo, a resistncia
interna deste caminho baixssima, proporcionando a elevao da corrente e, ao mesmo
tempo, a descarga do capacitor. o que chamamos de resistncia negativa.
Este surto de corrente inicial transitrio, pois a resistncia do caminho E-B1 torna-se
gradativamente maior at o ponto em que a tenso do capacitor cai at o parmetro VV. Deste
modo, o UJT sai de conduo proporcionando uma nova recarga do capacitor.
O circuito, portanto, oscilatrio, sendo as formas de onda de VE, VB1 e VB2 como
mostradas abaixo:
Figura 33 Sinais de tenso no oscilador de relaxao
Em B1, aparece um pulso de tenso que utilizado para o disparo de SCRs e TRIACs,
conforme ilustra o circuito da figura 34.
Figura 34 Gerao de pulsos de disparo de tiristores atravs do oscilador de relaxao
17
3.4 CIs para disparo
H circuitos integrados (CIs), especficos ou no para esta finalidade, que geram sinais
de tenso e corrente direcionados ao disparo de tiristores. Estes sinais so peridicos e podem
ser controlados, em termos de frequncia e amplitude.
So comumente utilizados para o controle de pulsos de disparos de tiristores
dispositivos como microcontroladores, processadores digitais de sinais (DSPs) e, principalmente,
o CI TCA 785 produzido pela Siemens.
Circuito integrado TCA 785
A grande utilizao de circuitos tiristorizados, associada similaridade dos circuitos de

disparo, deu margem ao aparecimento de circuitos integrados de disparo. A finalidade desses
circuitos a de facilitar o projeto de circuitos de disparo e torn-los mais compactos e
confiveis. Em muitos aparelhos usados industrialmente, destaca-se a utilizao do CI TCA 785
da Siemens. A figura 35(a) mostra a pinagem e a figura 35(b), o diagrama de blocos do TCA
785.
Figura 35(a)
Figura 35(b)
De acordo com os valores dos componentes externos ao TCA 785, pode-se gerar pulsos
para acionar tiristores com controle do ngulo de disparo () sincronizados com a rede eltrica
(60 Hz). A largura dos pulsos pode ser de 30s ou de 180-, como mostrado na figura 36.
Esta figura ainda mostra que o ngulo de disparo () controlado basicamente pelo tempo de
carga do capacitor CR e pelo valor da tenso de controle VC. O pulso largo (180-) serve para
disparar tiristores em cargas altamente indutivas, onde a corrente de gatilho necessita de um
tempo maior para garantir a conduo do tiristor.
18
Figura 36 Sinais de tenso do TCA 785
Para um aprofundamento nas caractersticas do TCA 785, consulte o livro Estude e Use
Dispositivos Semicondutores Tiristores [3].
4. Dispositivos de proteo e circuitos
4.1 Varistores
Um varistor ou VDR (do ingls Voltage Dependent Resistor) um componente

eletrnico cujo valor de resistncia eltrica uma funo da tenso aplicada nos seus terminais.
Isto , a medida que a diferena de potencial sobre o varistor aumenta, sua resistncia diminui.
Os VDRs so geralmente utilizados como elemento de proteo contra transientes de

tenso em circuitos, tal como em filtros de linha. Assim eles montados em paralelo ao circuito
que se deseja proteger, por apresentarem uma caracterstica de "limitador de tenso",
impedindo que surtos de pequena durao cheguem ao circuito, e no caso de picos de tenso
19
de maior durao, a alta corrente que circula pelo dispositivo faz com que o dispositivo de
proteo (disjuntor ou fusvel), desarme, desconectando o circuito da fonte de alimentao
Figura 37 Varistor utilizado como proteo contra surtos de tenso
4.2 Fusveis
Os fusveis so dispositivos que protegem os circuitos eltricos contra danos causados

por sobrecargas de corrente, que podem provocar at incndios, exploses e choques eltricos.
Os fusveis so aplicados geralmente nos circuitos domsticos e na indstria leve.
O funcionamento do fusvel baseia-se no princpio segundo o qual uma corrente que

passa por um condutor gera calor proporcional ao quadrado de sua intensidade. Quando a
corrente atinge a intensidade mxima tolervel, o calor gerado no se dissipa com rapidez
suficiente, derretendo um componente e interrompendo o circuito.
O tipo mais simples composto basicamente de um recipiente tipo soquete, em geral

de porcelana, cujos terminais so ligados por um fio curto (elemento fusvel), que se derrete
quando a corrente que passa por ele atinge determinada intensidade. O chumbo e o estanho
so dois metais utilizados para esse fim. O chumbo se funde a 327 C e o estanho, a 232 C.
Se a corrente for maior do que aquela que vem especificada no fusvel: 10A, 20A, 30A, etc, o
seu filamento se funde (derrete).
Figura 38 Fusvel de uso geral (esquerda) e utilizado em automveis (direita)
O fusvel de cartucho, manufaturado e lacrado em fbrica, consiste de um corpo oco

no condutivo, de vidro ou plstico, cujo elemento condutor est ligado interiormente a duas
cpsulas de metal e os terminais so localizados nas extremidades (figura 39).
20
Figura 39 Fusvel de cartucho
4.3 Transformadores de Pulso
Os transformadores de pulso so especialmente projetados para transmitir os pulsos de

disparo aos tiristores.
A figura abaixo d um exemplo de utilizao de transformador de pulso num circuito de
disparo com UJT:
Figura 40 Uso do Trafo de pulso para isolao de pulsos de disparo
O projeto dos transformadores de pulso deve atender a algumas condies, entre as quais a
de o acoplamento entre primrio e secundrio deve ser o mais perfeito possvel. que no
disparo, a corrente injetada no gatilho propaga-se transversalmente no material semicondutor
do SCR. Durante essa propagao, as reas atingidas vo se tornando condutoras, deixando
circular a corrente de anodo. A figura seguinte simboliza a propagao da rea condutora.
Figura 41
21
Se o acoplamento no for adequado, durante o disparo, a rea condutora pode no se

espalhar rapidamente, fazendo com que a corrente de anodo se concentre toda em uma rea
pequena. o que chamamos de ponto quente. Isto tende a queimar o SCR.
Quando a carga for indutiva, haver um intervalo entre o instante de disparo e o momento
em que realmente o SCR entrar em conduo. Desta forma, deve-se manter o pulso aplicado
por um intervalo de tempo razovel, para garantir que o SCR esteja em condies de disparo
no momento adequado.
Isto resulta em pulsos largos, que tendem a saturar o ncleo do transformador de pulso.
Para evitar essa saturao, usa-se um esquema chamado de disparo por pulsos de alta
frequncia. O pulso largo transformado em um trem de pulsos de alta frequncia, conforme
visto abaixo:
Figura 42 Trem de pulsos para minimizar a saturao do Trafo de pulso
A tenso VGD o pulsou tenso de gatilho desejada. Trata-se de uma tenso de baixa
frequncia, que tende a saturar o transformador e distorcer a tenso aplicada ao gatilho.
A tenso VGP uma tenso com envoltria VGD e possui alta frequncia quando h
necessidade de se aplicar pulso no gatilho.
Para exemplificar este mtodo, vejamos a figura 43 na pgina seguinte.
22
Figura 43 Circuito utilizando o Trafo de pulso
O circuito acima utiliza o CI 555, montado na sua configurao astvel, gera um sinal de alta
frequncia (5 a 10 kHz) em sua sada (pino 3), cujo valor depende de R1, R2 e C1. Aps passar
pela porta lgica AND, o sinal amplificado pelo transistor e acoplado ao SCR atravs do
transformador de pulso. O diodo D1 evita que apaream sobretenses no transistor, quando
este cortar. Neste instante, a energia armazenada no ncleo do transformador dissipada pelo
resistor de 33. No secundrio do transformador, D2 retifica os pulsos, impedindo que seja
aplicada tenso negativa ao gatilho do SCR.
4.4 Acopladores pticos
Outra maneira de isolar pulsos de disparo atravs de um LED infravermelho e um

fotodetector. O fotodetector pode ser um transistor ou at um SCR ou TRIAC, arranjados
num mesmo invlucro. A figura seguinte ilustra duas possibilidades.
Figura 44 Acopladores pticos
O inconveniente em usar acopladores pticos com transistor a necessidade de uma fonte

adicional, para polarizar o circuito de coletor do transistor e fornecer a corrente de gatilho.
23
O exemplo abaixo utiliza o MOC3011 da Motorola para acionar uma carga resistiva via um
TRIAC.
Figura 45 Detalhe do MOC3011
Desejando acionar o TRIAC Q1, o sistema digital deve fornecer nvel lgico 1
entrada de controle da porta NAND. Assim, o pino 2 do MOC3011 vai para nvel lgico 0 e o
LED D2 fica polarizado diretamente, disparando o fotodetector Q2 e, como conseqncia, o
TRIAC Q1.
5. Conversores AC/DC (retificadores)
5.1 Retificadores monofsicos no controlados
A retificao o processo de converter tenso e corrente alternadas em tenso e

corrente contnuas. Um retificador no controlado usa apenas diodos como elementos de
retificao. A amplitude da tenso de sada DC determinada pela amplitude da tenso de
alimentao AC. Entretanto, a sada da tenso DC contm componentes AC significativas, as
quais recebem o nome de ondulao. Para eliminar a ondulao, costuma-se inserir um filtro
capacitivo aps o retificador.
Os tipos de retificador no controlados e estudados na disciplina de Eletrnica Analgica
so o meia-onda, onda completa com derivao (tap) central e onda completa em ponte.
Figura 46(a) Retificado meia-onda Figura 46(b) Retificado OC com tap central
Figura 46(c) Retificado OC em ponte Figura 46(d) Retificado OC em ponte com filtro capacitivo
24
5.2. Retificadores Monofsicos Controlados
Os circuitos retificadores so aqueles que transformam um sinal AC em um sinal DC no

constante. Eles podem ser no controlados e controlados. Os primeiros utilizam os diodos
semicondutores de potncia como elementos retificadores, no havendo, portanto, controle do
ngulo de disparo. Os retificadores controlados tm como elementos retificadores geralmente
os SCRs, possibilitando o controle do ngulo de disparo e, consequentemente, o controle da
potncia entregue carga. Neste material estudaremos os retificadores controlados de meia
onda e de onda completa.
Retificador controlado de meia onda
A figura 47 mostra um circuito retificador de meia onda com carga resistiva.
Figura 47 Retificador de meia onda monofsico controlado com carga resistiva
O comportamento das tenses e corrente de carga mostrado a seguir:
Figura 48 Comportamento da tenso e corrente na carga resistiva
25
Observa-se que durante o semiciclo positivo, o SCR ficar diretamente polarizado e

conduzir se o pulso de acionamento for aplicado ao gatilho. Se o SCR passar a conduzir
(instante t0), uma corrente fluir na carga e a tenso de sada (V 0) ser aproximadamente igual
tenso de entrada. No instante em que o semiciclo torna-se igual a igual a zero, o SCR
cortar, ficando assim at o prximo disparo no semiciclo positivo. Neste semiciclo, o ngulo
em que o SCR fica bloqueado () chamado de ngulo de disparo e o ngulo em que fica
conduzindo () de ngulo de conduo.
A figura 49 mostra um circuito retificador em meia onda com carga resistiva e indutiva
(caso mais comum):
Figura 49 Retificador controlado com carga resistiva e indutiva
Se o SCR for acionado com um ngulo de disparo igual a , a corrente na carga

aumentar devagar, uma vez que a indutncia forar a corrente se atrasar em relao
tenso. A tenso na carga ser positiva e o indutor estar armazenando energia em seu campo
magntico. Quando a tenso aplicada se tornar negativa, o SCR ficar polarizado reversamente.
Entretanto, a energia armazenada no campo magntico do indutor retornar e manter uma
corrente direta atravs da carga. A corrente continuar a fluir at (denominado de ngulo de
avano), quando ento o SCR entrar no estado de bloqueio. A tenso no indutor mudar de
polaridade e a tenso na carga ficar negativa. Em consequncia disso, a tenso mdia na
carga vai se tornar menor do que seria se a carga fosse uma resistncia pura. As formas de
onda para este circuito so mostradas abaixo.
Figura 50 - Comportamento da tenso e corrente na carga resistiva e indutiva
Para cortar a poro negativa da tenso na carga instantnea e amenizar a ondulao

da corrente de carga, utiliza-se um diodo de retorno (free-wheeling diode ou FWD). Este
26
diodo tem por funo dissipar a energia armazenada no indutor durante o tempo em que o SCR
estiver bloqueado. O circuito com o FWD e as formas de onda esto mostrados nas figuras 51
e 52.
Figura 51 Detalhe do diodo de retorno
Figura 52 - Comportamento da tenso e corrente na carga resistiva e indutiva com FWD
Retificador controlado de onda completa
Para as cargas resistivas (iluminao incandescente, aquecedores, fornos etc), como

vimos, h a necessidade de um diodo de retorno (FWD), pois no existe (a princpio) uma
indutncia. Porm, para efeito de dinamizar o nosso estudo, iremos abordar neste tpico
apenas cargas RL, ou seja, que necessitam de um diodo de retorno. Um circuito retificador com
carga RL e FWD visto na figura 53.
27
Figura 53 Retificador OC controlado com FWD
No circuito na figura acima so disparados aos pares (SCR1/SCR4 e SCR2/SCR3), com um

ngulo de disparo igual a . Os valores mdios para a tenso e corrente na carga so o dobro
dos valores do retificador de meia onda. As formas de onda so mostradas abaixo:
Figura 54 Comportamento da tenso e corrente na carga resistiva e indutiva
6. Conversores DC/DC (choppers)
O conversor DC/DC ou chopper usado para obter uma tenso DC varivel a partir de
uma fonte de tenso DC constante. O valor mdio da tenso de sada varia quando se altera a
proporo do tempo no qual a sada fica ligada entrada. Essa converso pode ser obtida pela
combinao de um indutor ou capacitor e um dispositivo de estado slido que opere no modo
de chaveamento em alta frequncia.
28
A tcnica de chaveamento usada em choppers denominada de PWM (pulse-width

modulation modulao por largura de pulso). H dois tipos bsicos de choppers: step-
down ou buck e step-up ou boost.
Antes de sermos apresentados de fato aos circuitos choppers, veremos a tcnica de
chaveamento PWM. Neste mtodo, a largura do pulso alto (TON) varia enquanto o perodo de
chaveamento total T constante. A figura 55 mostra como as formas de onda de sada variam
medida que o ciclo de trabalho (tempo de durao de TON) aumenta e, por consequncia, o
valor mdio (V average) da tenso tambm aumenta.
Figura 55 Modulao por largura de pulsos (PWM)
6.1 Chopper step-down (buck)
O chopper step-down (buck) se caracteriza pela tenso mdia de sada (VO) ser menor
que a tenso de entrada (VI). A configurao bsica deste tipo de chopper mostrada abaixo.
Figura 56 Chopper buck
Enquanto a chave S (que pode ser qualquer elemento chaveador como SCR, transistor
bipolar, MOSFET operando em PWM) estiver fechada, o diodo ficar polarizado reversamente e
o indutor armazenando energia em forma de campo magntico. Nesta situao temos que
Vo=Vi.
Quando a chave abrir, a tenso VL torna-se negativa impondo o diodo D ficar em
conduo at que a energia do indutor se descarregue ou que a chave S volte a fechar. Nesta
situao temos que Vo<Vi, pois a parcela relativa a VL diminui a soma Vo=VL+VR.
A figura seguinte esclarece estes comportamentos.
29
Figura 57 Funcionamento do chopper buck
As formas de onda das correntes e tenses deste circuito so vistas na figura 58.
Figura 58 Formas de onda no chopper buck
6.2 Chopper step-up (boost)
No circuito boost, a tenso de sada pode variar desde a fonte de tenso at diversas
vezes a fonte de tenso. O circuito bsico deste chopper mostrado na figura 59.
30
Figura 59 - Chopper boost
Na fig. 60, quando a chave S passar para o estado de conduo, o indutor ficar
conectado alimentao. A tenso no indutor (VL) pular no mesmo instante para a fonte de
tenso Vi, mas a corrente no indutor Ii aumentar de maneira linear e armazenar energia no
campo magntico. Quando a chave for aberta, a corrente cair de forma violenta e a energia
armazenada no indutor ser transferida para o capacitor, atravs do diodo D. A tenso induzida
no indutor VL mudar de polaridade, somando-se fonte de tenso para aumentar a tenso de
sada VO (mesma tenso do capacitor). Portanto, a energia armazenada no indutor ser
liberada para a carga. Quando S for fechada, D se tornar inversamente polarizado, a energia
do capacitor fornecer a tenso na carga e o ciclo se repetir.
Figura 60 - Funcionamento do chopper boost
As formas de onda deste circuito so mostradas na fig. 61 da pgina seguinte.
31
Figura 61 - Formas de onda no chopper boost
6.3 Chopper buck-boost
O circuito chopper buck-boost combina os conceitos dos choppers anteriores. A tenso

de sada pode ser mais alta, igual ou menor que a tenso de entrada. Uma inverso de
polaridade na tenso de sada tambm pode ocorrer. Como visto nas situaes anteriores, a
chave pode ser qualquer dispositivo de chaveamento controlado, tal como um TJB ou IGBT.
Vemos na fig. 62(a) a configurao do chopper buck-boost. Quando a chave S estiver
ligada, o diodo D ficar inversamente polarizado e iD ser nula. O circuito pode ser simplificado,
como mostra a fig. 62(b). A tenso no indutor igual tenso de entrada e a corrente no
indutor iL aumenta de modo linear com o tempo. Quando S estiver desligada, a fonte ser
desconectada. A corrente no indutor no poder variar de imediato; logo, polarizar o diodo
diretamente e fornecer um caminho para a corrente na carga. A tenso de sada se tornar
igual tenso no indutor. O circuito pode ser simplificado, como mostra a fig. 62(c). As formas
de onda de tenso e de corrente so apresentadas na fig. 63.
32
Figura 62 Diagrama e funcionamento do chopper buck-boost
33
Figura 63 Formas de onda no chopper buck-boost
7. Conversores DC/AC (inversores)
Os inversores so circuitos estticos (isto , no tm partes mveis) que convertem

potncia DC em potncia AC com a frequncia e tenso ou corrente de sada desejada. A
tenso de sada tem uma forma de onda peridica que, embora no-senoidal, pode, com uma
boa aproximao, chegar a ser considerada como tal. Dentre os vrios tipos de inversores
destacamos os de fonte de tenso (VSI Voltage source inverters) que so utilizados nas
fontes de tenso de funcionamento contnuo (UPS Uninterruptible power supplies).
O circuito bsico para gerar um sinal AC a partir de um DC, monofsico, mostrado na
figura seguinte:
34
Figura 64 Esquema bsico do inversor
As chaves S1 e S2 ligam e desligam a fonte DC carga de modo alternado, o que

produz uma forma de onda retangular de tenso AC. O circuito anterior chamado de inversor
de meia ponte por ter apenas dois elementos chaveadores. Uma vez que as chaves tm
terminais positivo e negativo, a combinao das duas chaves fornecem os quatro estados
mostrados na figura 65.
Figura 65 Estados das chaves no inversor
Quando os estados 1 e 3 so repetidos de maneira alternada, uma tenso de onda

quadrada gerada na carga, como mostra a figura 66(a). Se os estados 2 e 4, que fazem a
tenso na carga ficar em zero, so usados, obtm-se uma onda em degrau ou forma de onda
quase quadrada, como pode ser observado na figura 66(b).
Figura 66 Forma de onda de tenso na carga
35
7.1 Funcionamento de inversores monofsicos
A figura 67 mostra um inversor monofsico com carga RL que usa SCRs como chaves. A
tenso de sada uma forma de onda retangular, com um ciclo de trabalho de 50%. A forma
de onda da corrente na sada tem forma exponencial. Quando a tenso de sada for positiva, a
corrente crescer exponencialmente. Durante o ciclo seguinte, quando a tenso de sada for
negativa, a corrente cair exponencialmente.
A funo dos diodos de retorno fornecer um caminho de volta para a corrente de
carga, quando as chaves estiverem desligadas. Logo aps SCR 2 e SCR3 passarem para o estado
desligado em t=0, por exemplo, os diodos D1 e D4 iro ligar. A corrente de carga comear em
um valor negativo e crescer exponencialmente a uma taxa dada pela constante de tempo da
carga ( = L/R). A fonte de corrente DC, nesse perodo, invertida e flui de fato para a fonte
DC. Quando a corrente na sada chega a zero, D1 e D4 passam para o estado desligado e SCR1
e SCR4, para o ligado. A corrente continua a crescer e alcana o valor mximo em t=T/2,
quando SCR1 e SCR4 passam para o estado desligado. A tenso na sada se inverte, mas a
corrente na sada continua a fluir na mesma direo. A corrente na sada somente pode fluir
atravs dos diodos D2 e D3, que ligam a fonte DC carga , o que gera tenso inversa. A energia
armazenada no indutor retorna fonte DC e a corrente na sada agora cai de seu valor mximo
e chega a zero. Logo que a corrente de carga parar, SCR 2 e SCR3 podem conduzir para fornecer
potncia carga. A corrente alcana seu valor mximo negativo em t=T e o ciclo se repete.
A figura 68 apresenta as formas de onda de tenso e corrente. Tambm mostrados nas
formas de onda esto os dispositivos que conduzem durante os vrios intervalos. Observe, na
forma de onda da fonte de corrente (indutor), que esta fica positiva quando as chaves
conduzem e quando h potncia entregue pela fonte. Mas se torna negativa quando os diodos
conduzem e quando h potncia absorvida pela fonte.
Figura 67 Inversor monofsico com carga resistiva e indutiva
36
Figura 68 Formas de onda de tenso e corrente
8. Chaves estticas
8.1 Definies e aplicaes
Uma chave esttica comuta a potncia para a carga, liga e desliga, mas no a modifica
em nenhum outro aspecto. A caracterstica duplamente estvel dos dispositivos semicondutores
(como os tiristores) isto , a existncia de dois estados estveis (conduo e no conduo)
sugere que esses dispositivos podem ser usados como chaves sem contatos. As aplicaes no
campo do chaveamento esttico incluem chaves liga/desliga, disjuntores, rels de estado slido,
contactores e outros semelhantes. Um caso tpico de operao de uma chave esttica a
aplicao de tiristores no chaveamento de uma carga, como observado na fig. 69.
Figura 69 Aplicaes de chaves estticas
37
8.2 Comparao com rels eletromecnicos
Uma chave semicondutora oferece diversas vantagens em relao aos rels

eletromecnicos e a outros dispositivos mecnicos de chaveamento. Para a devida comparao,
vejamos o que so os rels eletromecnicos.
Rels Eletromecnicos
A estrutura simplificada de um rel eletromecnico mostrada na figura 70.
Figura 70 Estrutura do rel eletromecnico
Nas proximidades de um eletroim instalada uma armadura mvel que tem por
finalidade abrir ou fechar um jogo de contatos. Quando a bobina percorrida por uma corrente
eltrica criado um campo magntico que atua sobre a armadura, atraindo-a. Nesta atrao
ocorre um movimento que ativa os contatos, os quais podem ser abertos ou fechados.
Isso significa que, atravs de uma corrente de controle aplicada bobina de um rel,
podemos abrir ou fechar os contatos de uma determinada forma, controlando assim as
correntes que circulam por circuitos externos. Quando a corrente deixa de circular pela bobina
do rel o campo magntico criado desaparece, e com isso a armadura volta a sua posio inicial
pela ao da mola.
Os rels se dizem energizados quando esto sendo percorridos por uma corrente em
sua bobina capaz de ativar seus contatos, e se dizem desenergizados quando no h corrente
circulando por sua bobina. A aplicao mais imediata de um rel com contato simples no
controle de um circuito externo ligando ou desligando-o, conforme mostra a prxima figura.
Observe o smbolo usado para representar este componente.
Figura 71 Rel utilizado no acionamento de carga AC sob o comando de um sinal DC
38
Uma das caractersticas do rel que ele pode ser energizado com correntes muito
pequenas em relao corrente que o circuito controlado exige para funcionar. Isso leva a
possibilidade de controlarmos circuitos de altas correntes como motores, lmpadas e mquinas
industriais, diretamente a partir de dispositivos eletrnicos fracos como transistores, circuitos
integrados, foto-resistores etc. A corrente fornecida diretamente por um transistor de pequena
potncia da ordem de 0,1A no conseguiria controlar uma mquina industrial, um motor ou
uma lmpada, mas pode ativar um rel e atravs dele controlar a carga de alta potncia.
Outra caracterstica importante dos rels a segurana dada pelo isolamento do
circuito de controle em relao ao circuito que est sendo controlado. No existe contato
eltrico entre o circuito da bobina e os circuitos dos contatos do rel, o que significa que no h
passagem de qualquer corrente do circuito que ativa o rel para o circuito que ele controla.
Se o circuito controlado for de alta tenso, por exemplo, este isolamento pode ser importante
em termos de segurana.
Chaves estticas x Rels eletromecnicos
Uma chave semicondutora oferece diversas vantagens em relao aos demais

dispositivos de chaveamento. Vejamos algumas:
1. Propicia velocidades de chaveamento extremamente altas, porque a chave liga de

imediato.
2. A operao tranquila porque no h partes mveis e no ocorrem centelhas.
3. A interferncia eletromagntica (EMI) minimizada.
4. A vida til bem maior.
5. imune a vibraes e choques mecnicos.
6. pequena e leve.
7. Pode ser controlada eletronicamente.
8. O custo baixo.
9. Na comutao, no h trepidao.
10. Oferece maior segurana e confiabilidade.
11. Oferece a possibilidade de controle distncia e de potncia entregue carga.
8.3. Rels de estado slido (SSR)
Os SSRs diferem dos rels eletromecnicos pelo fato de no apresentarem partes

mecnicas mveis. A estrutura interna de um SSR feita de semicondutores, assim ele pode
operar em grandes velocidades, comparado a um rel eletromecnico.
H duas categorias de SSRs: mdulos I/O e chaves estticas. Ambas so
largamente so largamente utilizadas na indstria, sendo a primeira para baixas potncias e
empregada como interface entre o comando digital e pequenas cargas (solenides, lmpadas,
eletrovlvulas, etc.). As chaves estticas possuem o mesmo princpio de funcionamento dos
mdulos I/O, porm so projetadas para operar com cargas de alta potncia (grandes motores,
por exemplo).
Os semicondutores que formam os SSRs podem ser TJBs, MOSFETs, SCRs e outros
tantos. Ainda, h SSRs monofsicos e trifsicos que trabalham tanto em DC como em AC. A
figura seguinte mostra dois tipos de SSRs: um com comando DC e o outro com comando AC.
Deve ser observada a isolao tica entre o comando de entrada e a sada.
39
Figura 72 Mdulos I/O de potncia
40
9. Bibliografia
1. AHMED, Ashfaq. Eletrnica de Potncia.Prentice Hall, 2000.
2. LANDER, Cyril W. Eletrnica Industrial Teoria e Aplicaes 2 Edio. MAKRON

Books do Brasil Editora Ltda. 1996.
3. ALMEIDA, Jos Luis Antunes de. Estude e Use Dispositivos Semicondutores

Tiristores. Editora rica.
41

Idioma

Apostila Eletronica Potencia IFRN Zona Norte PDF

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Apostila Eletronica Potencia IFRN Zona Norte PDF

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Campus Natal

Apostila de Eletrnica de Potncia

Prof. Jefferson Pereira da Silva

1. Eletrnica de potncia ............................................................................ 2

APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA

A eletrnica de potncia trata das aplicaes de dispositivos semicondutores de

1.2 Chaves semicondutoras de potncia

As chaves semicondutoras de potncia so os elementos mais importantes em circuitos

1.3 Tipos de circuitos de eletrnica de potncia

Os circuitos de eletrnica de potncia (ou conversores, como so usualmente

1. Retificadores no controlados (AC para DC) converte uma tenso monofsica ou

1.4 Aplicaes da Eletrnica de Potncia

A aplicao de dispositivos semicondutores em sistemas eltricos de potncia vem

Fig. 01 - Controle microprocessado de potncia

Os equipamentos de informtica, tais como a fonte de alimentao chaveada do PC, o

Fig. 02 - No-break Fig. 03 - Fonte Chaveada de PC

2. Dispositivos de potncia: caractersticas e funcionamento

2.1 Diodos de potncia

O material ativo mais comum para a construo do diodo o silcio, um material

APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA

Figura 04 Smbolo do diodo

Na figura 05 vemos o aspecto fsico de um diodo de potncia caracterizado pelo anodo

Figura 05 Aspecto fsico do diodo de potncia

Principais valores nominais para os diodos

Tenso de pico inversa (PIV)

APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA

Corrente direta mdia mxima (If(avg)Max)

Tempo de recuperao reverso (trr)

O tempo de recuperao reverso de um diodo bastante significativo em aplicaes de

Figura 06 Tempo de recuperao reverso

Temperatura mxima da juno (Tj(Max))

Corrente mxima de surto (IFSM)

2.2 Transistor bipolar de juno (TJB)

Um transistor bipolar um dispositivo de trs camadas P e N (P-N-P ou N-P-N), cujos

APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA

Figura 07 Transistor bipolar de juno

Figura 08 Correntes e tenses no TJB

Aplicando-se as leis de Kirchoff para corrente e tenso, teremos as seguintes equaes:

a) o ganho () varia entre 15 e 100;

2.3 Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor (MOSFET)

O transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico (MOSFET) de

APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA

Figura 09 Smbolo do MOSFET

O MOSFET um transistor de chaveamento rpido, caracterizado por uma alta

Figura 10 Detalhe do diodo de corpo

2.4 Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as caractersticas de baixa queda de

APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA

Figura 11 Smbolo do IGBT

Os IGBTs substituem os MOSFETS em aplicaes de alta tenso, nas quais as perdas na

2.5 Retificador controlado de silcio (SCR)

Figura 12 Retificador controlado de silcio

Figura 13 Aspecto fsico do SCR de potncia

Podemos considerar o SCR um diodo controlado pelo terminal de gatilho. No SCR,

APOSTILA DE ELETRNICA DE POTNCIA

Observando-se a curva da figura 14, pode-se distinguir trs regies:

Polarizao reversa: com VAK<0, praticamente no h corrente reversa. A corrente

Polarizao direta em bloqueio: nesta regio, h vrias curvas parametrizadas pela

Polarizao direta em conduo: para que o SCR permanea nesta regio,

Figura 14 Curva caracterstica do SCR

Mtodos de disparo sem aplicao do pulso de gatilho

Disparo por sobretenso