ESCUELA TECNICA SUPERIOR DE INGENIEROS INDUSTRIALES

Y DE TELECOMUNICACION

UNIVERSIDAD DE CANTABRIA

INSTRUMENTACION ELECTRNICA DE COMUNICACIONES

(5 Curso Ingeniera de Telecomunicacin)

Tema VI: Referencias de tensin y reguladores de tensin.

(Ejercicios resueltos)

Jos Mara Drake Moyano

Dpto. de Electrnica y Computadores
Santander, 2005
Problema 6.1: Diseo de un regulador de tensin.

Disear un regulador de tensin de 7.5 V nominal con capacidad de alimentar cargas

comprendidas entre 1.5 y 10 . Para ello se dispone de una fuente de tensin no
regulada de 12 V y con un nivel de rizado de 0.5 Vrms.

Transformacin
Rectificacin y 12 Vdc + Regulador 7 Vdc + RL
220 ac 0.5 Vrms
filtrado de tensin 0.01% (1.5-10)

Analizar dos posibles diseo:

Diseo basado en el circuito de referencia de tensin AD580, y en el amplificador

operacional TL081.

Utilizando el regulador de tensin integrado LM317

Si se necesita utilizar una etapa de potencia, utilizar el transistor de potencia 2N2055 ,

cuyas hojas caractersticas se acompaan..

Requerimientos:

Bajo las condiciones de variacin de la fuente y de la carga especificadas y con el

rango de 0 a 40C de temperatura ambiente, las variaciones de la tensin de salida
deben ser inferiores al 0.01% de la tensin nominal.

El nivel de ruido en la banda 0.1- 10Hz debe ser inferior 5 mVrms.

Debe necesitar ser ajustada slo una vez por ao.

Debe aguantar cortocircuitos circuito de salida de hasta 5 s.

Diseo funcional

Vi =12 V

AD580 (BC549)
+ Q2
TL81
- Rb Q1 (2N3055)
(BC549) Q3
R sc
Vo =7.5 V

R2
RL
R1 (1.5 -10 )

R1

La tensin de salida Vo es funcin de R1, R2 y Vz,

R2 = 220
R R R2
Vo = Vz 1 + 2 7.5 = 2.5 1 + 2 = 2.0 R1 = 180
R1 R1 R1 R1 = 220
R1' = 100

La intensidad de salida en cortocircuito ISC se puede limitar a,

7.5V 0.6
I SC > = 5.0 A elijo ISC = 6 A Rsc = = 0.1
1.5 6
La resistencia Rb debe proporcionar la intensidad IB2 sin que el operacional se sature.

VAOsat Vo VBE1 VBE 2 11 7.5 1.0 0.6

Rb < = 3800 Rb = 560
I L max 5
(1 + 1(1 + 2)) 1 + 50 200

Diseo trmico

Mxima potencia disipada en Q1

PQ1 = VCE I L Max = (12 7.5) 5 = 22.5W

JC=1.52C/W D
TJ<200C
TA=40C

Pmax=22.5W

La resistencia mxima que puede ofrecer el radiador del transistor Q1 es

200 40
D < 1.52 = 5.6 C / W
22.5

Verificacin de los requerimientos

Se requiere que Vo<0.1/100*Vo=7.5 mV

Variacin de la salida debida al rizado de la fuente:

Debido al PSRR del AO: (PSRR=86 dB=20000)

Vo = 0.5 * 3 / 20000 = 75 V (Se cumple)
Debido al PSRR de la referencia de tensin:
Vo<1.5mV*3=4.5 mV (Se cumple)

Variacin debido a los cambios de la carga

La impedancia de salida del amplificador se puede deducir de la grfica de VCE-IC,

RoQ1=0.1

La impedancia de salida del regulador, que es tambin la regulacin de carga es,

Ro=RoQ1/(1+Ad*)=0.1/(1+200000(1/3))=1.5

Vo=Ro*Vo(1/RLmin-1/RLmax)=7.5V*1.5 10-6*(1/1.5-1/10)=6.4 V (Se cumple)

 IC=5A

RoQ1=(1.3-0.4)V/(10.0-1.0)A=
= 0.1
1/RoQ1

Evaluacin del ruido en el rango 0.1Hz-10Hz

Ruido debido al amplificador operacional

En el amplificador TL81: e2nw=5.2 10-16 V2/Hz fce=100 Hz

R f
EnoAO = 1 + 2 enw f ce Ln H = 3*5.2 10-16*(100*Ln(10/0.1))1/2=1.46 Vrms
R1 fL

Ruido debido a la referencia de tensin:

El ruido integrado en el rango 0.1-10 Hz es 8.0 V pp, por tanto el ruido en la salida,

R E 8 .0
EnoR = 1 + 2 nRpp = 3 = 8.0 Vrms
R1 3 3
El ruido total a la salida del circuito regulador de tensin es,
Eno = EnoAO
2
+ EnoR
2
= 1.46 2 + 8.0 2 = 8.13 Vrms (se cumple)

Variacin en la salida debido a las variaciones de temperatura (0-40C)

Vo = 55 ppm / C 7.5V T = 55 10 6 7.5V 40 C = 16.5 mV (AD580S)

Vo = 25 ppm / C 7.5V T = 25 10 6 7.5V 40 C = 7.5 mV (AD580T)
6
Vo = 10 ppm / C 7.5V T = 10 10 7.5V 40 C = 3.0 mV (AD580U)

No se cumple la especificacin si se utiliza el modelo AD580S, pero s se cumple si se

utilizan los modelos AD580T y AD580U.
Variacin en la salida en un ao

La desviacin de la tensin de referencia a largo plazo (plazo indefinido) es de 250 V,

por tanto, en la salida

R
Vo = 1 + 2 VR = 3 250 V = 0.75 mV (Se cumple)
R1

Diseo utilizando el Regulador de tensin integrado LM317

No es posible utilizar directamente el regulador de tensin LM317, ya que solo tiene

capacidad de proporcionar una intensidad de salida de 1.5 A. y en la aplicacin se
requieren 4 A. Por ello, se utiliza un transistor de potencia de salida.

Vi=12V R
Input Vo = 1.25V 1 + 2 + I ADJ R2 = 7.5V
R1

Output Q1 Si utilizamos R2=1200

LM317
(2N3055) (R2=1000 +R2=500)

R1 Vo=7.5V R2 1200
R1 = = =
Adjust Vo I ADJ R2 7 .5 46 .0 10 6
1200
1 1
1.25 1.25
R2 1200
RL = = 240
(1.5 10) 5
R2

Diseo trmico:

La potencia trmica se disipa en el transistor Q1 y el modelo trmico es exactamente el

mismo que en el diseo implementado con amplificador operacional.

PmaxQ1= 22.5W y D=5.6 C/W

Variacin de la salida debida al rizado de la fuente:

La regulacin de lnea del LM317 es: 0.02 %/V ( incluye la fluctuacin de temperatura)

Vo = ( RC / 100) Vo Vi = 0.0002 7.5 0.5 = 0.75 mVrms (se cumple)

Variacin de la salida debida a los cambios de la carga

En este caso, la introduccin del transitor Q1 hace difcil estimar las variaciones que se
produce por variacin de la carga, ya que no se tiene informacin de la ganancia de
bucle alrededor de l. Posiblemente sea del orden del evaluado en el regulador basado
en el amplificador operacional.

No tiene sentido aplicar el regulador de carga del LM317, ya que la variacin de la

carga est amortiguada por el efecto del transistor Q1.

Variacin en la salida en un ao

En las hojas caractersticas de LM317,

0.3
Vo = Vo = 22.5mV (no se cumple lo requerido en la especificacin)
100

Ruido en la salida (0.1-10 Hz):

En las hojas caractersticas de LM317,

No se dispone informacin para evaluar el ruido en el rango 0.1 a 10 Hz.

Le ruido en el rango 10Hz 10KHz

0.003
Vo = Vo = 0.225 mVrms
100
Problema 6.2: Caracterizacin automatizada de una fuente de tensin.