Fbrica Braslia: Fortaleza: Rio de Janeiro:

So Paulo: Tel. (55 61) 348-7600 Tel. (55 85) 261-7855 Tel. (55 21) 2583-3379
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Mdulo 6 ?? S
Dimensionamento
Proteo contra sobretenso
de instalao
de s
eltrica atmosfricas
origem pela demanda e de
para
consumo
raios
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Siemens Ltda. As informaes aqui contidas correspondem ao estado atual

tcnico, e esto sujeitas a alteraes sem aviso prvio.
Produzido em mai/03
IND2-3/2133-CA
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Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Necessidade de proteo interna das estruturas

Assim como a NBR-5419:2001 estabelece um critrio para decidir sobre a necessidade de proteo externa
de uma estrutura contra descargas atmosfricas, tm sido propostos vrios critrios para fazer o mesmo
quando se trata de equipamentos ou aparelhos da tecnologia da informao instalados. Note-se que
atualmente quase todas as residncias e escritrios tm esse tipo de equipamento.

No Brasil, se uma estrutura necessita de proteo externa, devemos pelo menos proteger as entradas dos
circuitos de fora e de telefonia, como previsto nas NBR.5419:2001 e NBR -5410:1997. Estas normas
pedem a instalao de uma barra de equalizao dos potenciais (TAP ou LEP) nas entradas das
instalaes; estas barras devem receber os fios PE (terra, fio verde, fio verde-amarelo) e a elas devem estar
ligados os terminais terra dos protetores dos condutores de fora. Dessas barras devem sair conexes ao
sub-sistema de aterramento da edificao (anel de aterramento ou aterramento pela fundao). A comisso
que est fazendo a reviso da NBR-5410 tem um grupo de trabalho (GT-4) dedicado exclusivamente
proteo e est sendo prevista uma reviso radical em relao norma atual.

(NBR 5419:1997) 6.4.2.4.1 Em qualquer instalao deve ser previsto um terminal ou barra de aterramento
principal e os seguintes condutores devem ser a ele ligados:

a) condutor de aterramento;
b) condutores de proteo principais;
c) condutores de equipotencialidade principais;
d) condutor neutro, se disponvel;
e) barramento de equipotencialidade funcional (ver 6.4.8.5), se necessrio;
f) condutores de equipotencialidade ligados a eletrodos de aterramento de outros sistemas (por
exemplo, SPDA).

NOTAS
1 O terminal de aterramento principal realiza a ligao equipotencial principal (ver 5.1.3.1.1).
2 Nas instalaes alimentadas diretamente por rede de distribuio pblica em baixa tenso, que utilizem o
esquema TN, o condutor neutro deve ser ligado ao terminal ou barra de aterramento principal diretamente
ou atravs de terminal ou barramento de aterramento local;
3 Nas instalaes alimentadas diretamente por rede de distribuio pblica em baixa tenso, que utilizem o
esquema TT, devem ser previstos dois terminais ou barras de aterramento separados, ligados a eletrodos
de aterramento eletricamente independentes, quando possvel, um para o aterramento do condutor neutro e
o outro constituindo o terminal de aterramento principal propriamente dito.
4 Os condutores de equipotencialidade destinados ligao de eletrodos de aterramento de SPDA devem
ser dimensionados segundo a NBR 5419.

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Em alguns pases, como a Frana, a concessionria obriga o consumidor a instalar pelo menos os
protetores na entrada da instalao.

Na Alemanha, as companhias de seguro que exigem essa proteo: se o usurio quiser fazer seguro de
seus equipamentos, ter que fazer a proteo.

Nos EUA, a ANSI recomenda um critrio baseado em medies e clculos das correntes e tenses em
vrias partes (denominadas categorias) e na estimativa (at um certo ponto subjetiva) da exposio da
estrutura e das linhas de alimentao de suas instalaes, s descargas atmosfricas.

Na IEC foi proposto um projeto que leva em conta uma anlise dos riscos, que embora matematicamente
correto, de trabalhosa aplicao.

A coordenao da isolao
So necessrias inicialmente algumas definies:

Coordenao da isolao
a classificao das caractersticas dos equipamentos eltricos, considerando as condies do micro-
ambiente e outros esforos importantes.

Proteo dos circuitos de fora em Mdia Tenso

Estes circuitos so normalmente protegidos por pra-raios de 12kV ou mais (dependendo da tenso da rede
e do tipo de aterramento do neutro), 5kA ou 10 kA dependendo da maior ou menor exposio aos raios, e
so do tipo vlvula com ou sem centelhador. Os pra-raios de mdia tenso deixam passar surtos de
tenso da ordem de 40 a 50kV (quando so do tipo com centelhador e 30 a 40kV quando so do tipo de
ZnO sem centelhador). Esses surtos passam, pela capacitncia parasita entre os enrolamentos do
transformador, para o secundrio atingindo valores da ordem de 4 a 6kV.
Os pra-raios polimricos so usados nas zonas urbanas para evitar os danos causados pela queda de
cacos de porcelana e peas internas dos pra-raios sobre as pessoas ou objetos.
Atualmente s so usados pra-raios sem centelhador, base de blocos de ZnO, com preferncia para os
polimricos. Estes circuitos so normalmente protegidos por pra-raios de 12kV ou mais

Proteo dos circuitos de fora em Baixa Tenso

A proteo dos circuitos de Fora em BT deve ser executada num conjunto de eventos:

Esquema de aterramento adequadamente utilizado (item 4.2.2.2 Esquemas de aterramento, da NBR

5410:1997)

Equalizao dos Potenciais entre massas metlicas e aterramentos,

Instalao de DPSs (item 6.3.5, da NBR 5410:1997)
Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas
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A designao dos aterramentos dos sistemas feita sempre por duas letras:
a
A 1 indica como o neutro da fonte ligado terra:
T (ligao direta a um eletrodo ou malha, ou
I (isolado ou atravs de resistncia de alto valor)

a
A 2 Representa a ligao das massas terra:
T (ligao terra a um eletrodo que no o da fonte)
N (ligao terra atravs do condutor Neutro)

Ento os aterramentos so assim denominados: TT, TN (TN-C, TN-S, TN-C-S), IT

TT - A fonte aterrada em eletrodo na entrada e as massas so aterradas em outro eletrodo

ou malha de terra.
TN - A fonte aterrada em eletrodo na entrada e as massa so aterradas em um condutor que
aterrado tambm na entrada, junto com o Neutro.
IT - A fonte no aterrada ou aterrada atravs de resistncia de alto valor 1500 500 .

Caracterstica do esquema TT:

1
2
3
Carga
N

Possuem dois eletrodos (ou malhas) separados, com resistncias de aterramento de alguns Ohms (10-20);
As correntes de curto circuito so relativamente baixas, da ordem de dezenas de ampres;

Existe o risco de produzir tenses de toque elevadas (> 50 V , ou > 25 V) que podem levar ao choque fatal.

Este sistema obrigatoriamente necessita de proteo atravs de dispositivo diferencial residual (DR). (NBR
5410:1997, item 5.1.3.1.5, b).

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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s

Caractersticas do esquema TN e suas variaes:

um esquema que por ter circuitos de corrente de falta com baixa impedncia, proporciona correntes
de curto-circuito elevadas;
Pode ter seu desligamento pelo DPCC: disjuntor ou fusvel;
O comprimento do lao da corrente de curto-circuito tem limite mximo em funo da coordenao da
proteo;
A tenso de toque pode ser alta (corrente de falta x impedncia do lao de cc)
Deve-se usar o DR nas reas frias.

Esquema de aterramento TN-C

1
2
3
PEN

O Esquema de Aterramento TN-S:

1
2
3 Carga
N
PE

O Esquema de Aterramento TN-C-S:

1
2
3
Carga
PEN PE
N

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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O esquema de aterramento IT
Neste esquema a corrente de curto fase-terra muito pequena, portanto no h atuao do DPCC;
Deve haver um controle da impedncia para terra com uso de DSI, Dispositivo Supervisor da Isolao.
A tenso de toque muito pequena
Em caso de falta terra (F T), a tenso das fases ss para terra passa ser a tenso de linha (F-F). por
isso os DPSs devem ser dimensionado para a tenso F.F.
As correntes de curto F-F so muito altas.

1
2
3
Carga
N

Os pulsos nos sistemas de fora

EMP - pulso eletromagntico
LEMP - EMPs gerados pelos raios
SEMP - EMPs gerados pelas manobras nos circuitos
NEMP - EMPs gerados por exploses nucleares

Pulsos eltricos
ESD - pulsos gerados por descargas eletrostticas ou induo eletrosttica.

Tenso disruptiva
a mxima tenso atingida antes do DPS comear a conduzir corrente (vlida para os DPS que tm gaps).

Tenso residual
a mxima tenso atingida depois do DPS comear a conduzir corrente (vlida para qualquer DPS).

Nvel de proteo
O maior dos dois valores acima.

Corrente mxima de impulso

Corrente que o DPS pode descarregar uma vez sem ser deteriorado ou destrudo.

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Corrente nominal de impulso

Corrente que o DPS pode descarregar 15 vezes sem ser deteriorado.
Corrente subseqente
Corrente de freqncia industrial que passa pelo DPS, em seguida corrente de impulso. A durao desta
corrente no mximo de ciclo para os DPS com centelhador e varistor de SiC (Carboneto de Cilcio) de
poucos ms para os DPS de ZnO sem centelhador.

Avalanche trmica
Um varistor quando submetido a descargas elevadas ou a muitas descargas comea a conduzir uma
corrente de fuga elevada o que aumenta sua temperatura e reduz sua resistncia. Isto causa um aumento
da corrente de fuga e da temperatura chegando esta a valores to altos que pode causar a exploso ou
queima do varistor com risco de incndio.

Condicionamento e ciclo de servio

Verificao do funcionamento em condies de operao com condies combinadas de tenso e corrente
e verificao da extino da corrente subseqente.

Origem dos surtos gerados pelos raios

Induo eletrosttica

e = p..h.E

Onde:
E - campo eltrico na altura da linha (kV/m)
h - altura mdia da linha (m)
- coeficiente dependente da forma de descarga da nuvem
p - coeficiente dependente da existncia de condutor aterrado (neutro ou cabo de guarda)

Ordem de grandeza dos surtos

Causados por pulsos eletromagnticos (EMP) temos:
65 kV em Mdia tenso e 14 kV em Baixa Tenso
Causados por pulsos eltricos (ESD) temos: 15kV em Baixa Tenso

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Causados por Induo eletromagntica

Os surtos induzidos so causados por ondas eletromagnticas que se propagam pelo ar quando da
ocorrncia de uma descarga atmosfrica. Se considerarmos uma linha de transmisso / distribuio, onde :

d x

d = distncia ao plano vertical da linha

x = a distncia ao longo da linha do ponto em que se quer calcular a sobretenso
A tenso induzida pode ser calculada por:

V(x) = di/dt.o . h/8 . log d2/(d2 + x2)

Onde:
di/dt = a taxa de crescimento da corrente
o = a permeabilidade do ar = 0,4 x 10-6 (.s/m)
h = a altura mdia da linha (m)

Em linhas de mdia tenso, V(x) da ordem de centenas de kV (at 400 kV)

Em linhas de baixa tenso, V(x) da ordem de dezenas de kV (at 20 kV)
Estes valores de V(x) podem ser reduzidos em 30% ou 40% se houver um condutor aterrado (cabo de
guarda ou Neutro) posicionado acima ou abaixo da linha
Descargas Diretas
1
u =
Z + 2Zc
Onde:
I - Valor de crista da corrente (valor mdio no Brasil - 45kA), valor mximo: 200kA
Z - Impedncia do gerador equivalente (50 a 100)
Zc - Impedncia caracterstica da linha (200 a 300)
u tem valor tpico de 3 MV

Para descarga diretas h uma reduo ao longo da linha, pois o pulso naturalmente dividido por 2. ( 50%
da corrente para cada lado da mesma).

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Outros fatores atenuantes so o efeito corona, a descarga de contorno dos isoladores e a atuao dos DPS.
Sendo assim podemos dizer que via de regra os pra raios de mdia tenso, so geralmente submetidos
a tenses entre 100 e 150kV; esses pra-raios reduzem esta tenso para nveis da ordem de 30 a 40kV.
Na baixa tenso, em funo da capacitncia primrio / secundrio do transformador, estas tenses sero
reduzidas em 6 a 20 %, significando valores em torno de 6 a 8 kV.
Contudo, se considerarmos as linhas BT numa rede de longa de distribuio rural, estas tenses podero
ser da ordem de 20kV ou mais.

Portanto deveremos considerar um NBI Nvel Bsico de Isolamento para as linhas BT conforme sua forma
de instalao. Para linhas externas 25 a 50kV, para linhas internas 6 a 8kV.

Devemos entender NBI como o impulso de tenso atmosfrico que o equipamento deve suportar quando
novo (se for de material orgnico sua suportabilidade poder cair 20 a 25%)

NBI para alguns componentes de um sistema eltricos em baixa tenso (BT):

Fusveis: F-F: 8kV ; F-T: 6kV
Medidores: 8kV (s vezes 6kV)
Disjuntores F-F: 8kV; F-T: 6kV (caixa moldada)
Cabo Tranado: 20kV

Valor e freqncia dos surtos na Baixa Tenso (BT)

As estatsticas americanas e europias coincidem nos valores, mas no na quantidade por ano (nos EUA
maior):
20kV (1 por ano)
10kV (9 por ano)
2kV (10 por ano)

Nas zonas rurais h predominncias dos pulsos eletromagnticos (LEMP);

Nas zonas urbanas: temos podemos distribuir a incidncia dos pulsos da seguinte maneira : LEMP - 40%;
SEMP - 60%.

A Norma ANSI C62.41-1991 indica os valores esperados das tenses e correntes nos vrios trechos
(categorias) da instalao.

J a IEC 664-1980 fornece as tenses que os equipamentos devem suportar nas vrias categorias da
instalao.

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Categorias das instalaes pela ANSI C64.41

Alimentao
C B A

Ento atravs de tabelas diagrama so fornecidos os valores de corrente e tenso esperados nas trs
categorias, a forma de impulso de tenso e corrente e o Impulso de tenso para.
Forma dos pulsos em suas respectivas origens:
Atmosfrico: 1,2 / 50 s
Manobra: 250 / 2500 s
Senoidal amortecido: 0,5 s, 100 kHz, atenuao 40%/ciclo (ring wave)

Forma dos Impulsos Produzidos por Gerador Combo (Hbrido)

I
V

I/ V/
2

8 20 m 1,2 50 m
s s
Corrente: 8/20 ms Tenso: 1,2/50 ms

Impulsos de corrente

Os impulsos de correntes so usados para ensaiar os DPS.

Atmosfrico: 8/20s, 4/10s, 10/350s
Senoidal amortecido: 0,5 s, 100 kHz

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Ring wave - onda senoidal amortecida

f= 100kHz

D = 40%

0,5ms

(usada s pela ANSI)

Essa Norma considera que essa onda (ring wave) conseqncia do deslocamento da onda unidirecional
pelas indutncias e pelas capacitncias parasitas dos condutores

Valores dos Parmetros das ondas pelas Normas Americanas

Onda Senoidal Amortecida
Valores esperados nas vrias categorias e nos vrios nveis de exposio aos surtos atmosfricos e de
manobra.

L o ca l E x p o si o T e n s o (kV ) C o rre n te (kA ) Im p e d n cia (o h m s)

A1 B aixa 2 0,07 30
A2 M d ia 4 0,13 30
A3 A lta 6 0,2 30
B1 B aixa 2 0,17 12
B2 M d ia 4 0,33 12
B3 A lta 6 0,5 12

Valores dos parmetros dos surtos pelas normas americanas (Onda Combinada)

L o ca l E x p o si o T e n s o (kV ) C o rre n te (kA ) Im p e d n cia (o h m s)

B1 B aixa 2 1 2
B2 M d ia 4 2 2
B3 A lta 6 3 2
C1 B aixa 6 3 2
C2 M d ia 10 5 2
C3 A LTA 20 10 2

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Valores esperados nas diversas categorias e nos diversos nveis de exposio ( Locais). Esses valores
obtidos nas tabelas serviro para escolha dos DPS que devero reduzir as tenses que aparecerem a
valores de no mximo (70 a 80%) dos suportveis pelos equipamentos.
Na baixa tenso tambm usamos o termo tenso de grampeamento (clamping voltage) que a maior
tenso que o DPS deixa passar, seja disruptivo, seja residual.

As categorias das instalaes pela IEC 364-1

Categoria de sobretenso
Valor numrico que especifica uma tenso suportvel de impulso. So especificadas pela IEC para as
categorias I, II, III e IV (da instalao).

Alimentao IV III II I

Valores das tenses suportveis de impulso (NBI)

So fornecidos em funo da tenso fase-Neutro (em V)

Tenso suportvel de impulso

o mximo valor do impulso de tenso de forma padronizada (1,2/50 s) que no leva perfurao da
isolao nem a descarga disruptiva externa, sob condies determinadas (dependem do equipamento).
Pela IEC os valores so apresentados a seguir:

No sistema 380/220V as tenses suportveis de impulso so:

I: 1,5 KV
II: 2,5 kV
III: 4 kV
IV: 6 kV.

No sistema 220/127 V so, respectivamente:

I: 0,8 kV
II: 1,5 kV
III: 2,5 kV
IV: 4 kV.

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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( NBR 5410-1997) 5.4.3.1 A avaliao dos riscos provocados por sobretenses de origem atmosfrica deve
levar em considerao:

a) as caractersticas das alimentaes de alta e de baixa tenso e das linhas de sinal;

b) as caractersticas de instalao que afetam a impedncia do condutor de aterramento;
c) a sua exposio ao de descargas atmosfricas;
d) as eventuais protees contra sobretenses existentes a montante;
e) outros condutores metlicos que entram ou saem da edificao, em especial de torres de sinalizao e /
ou de antenas;
f) os nveis de tenso suportvel e da categoria dos equipamentos quanto s sobretenses, conforme tabela
23;
g) o tipo de alimentao dos equipamentos (sensveis) monofsicos, se entre fase e neutro, ou entre duas
fases;
h) o aterramento dos circuitos de sinal dos equipamentos

Tabela 23 - Nvel de tenso suportvel e da categoria dos equipamentos

Nvel presumido de sobretenso transitria (kV)

Categoria dos Tenso nominal da instalao

Linhas eltricas
equipamentos em corrente alternada (V)

120/240 ; 127/220 ; 220/380 de sinal

I
0,8 -
Equipamento especialmente
protegido

II
1,5 -
Aparelhos eletrodomsticos
e eletroprofissionais

III
2,5 -
Circuitos de distribuio e
terminais

IV
6,0 1,5
Localizados na origem da
instalao

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Uncontrolle
VOLTAG
IV: (6) 4kV
See note 2
III: (4) 2,5kV
Installation
II: (2,5) 1,5kV
Category IV Installation
Category III I: (1,5) 0,8kV
Primary supply level. Installation
Overhead lines and Fixed installation Category II Installation
cable systems following installation Category I
including distribution category IV Appliances,
bus and its portable equipment Special equipment or
associated etc following parts equipment
overcurrent protection installation category following installation
equipment III category II
telecomunication
electronic, etc

Se os equipamentos e/ou aparelhos no forem capazes de suportar os valores esperados, devero ser
instalados DPS que reduzam as tenses a 70-80% dos valores suportveis pelos equipamentos.
Os DPS so escolhidos de acordo com a corrente na curva (8/20s) que so capazes de descarregar e
com a queda de tenso produzida por essa corrente.
fixado o nmero de vezes que o DPS deve descarregar; 15 vezes.

Os modos das sobretenses

Modo comum

i/3

Modo Diferencial

i
i u

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Escolha dos protetores dos circuitos de fora em BT - Recomendaes bsicas

Uma vez decidido que se deva fazer a proteo dos circuitos secundrios, a escolha das caractersticas
nominais dos vrios dispositivos disposio deve ser feita de acordo com o grau de exposio da
instalao, com o nvel cerunico, com a posio do componente no circuito e com a suportabilidade do
equipamento que se deseja proteger.

(NBR 5410:1991) 5.4.3.2 Em instalaes alimentadas por rede de distribuio em baixa tenso, situadas
em zonas expostas a raios (AQ2 e AQ3 conforme 4.3.1.11), se necessrio, devem ser instalados, na origem
da instalao, dispositivos adequados de proteo contra sobretenses do tipo no curto-circuitante, tais
como pra-raios de resistncia no linear de baixa tenso (pra-raios secundrios).

Tabela 11 Raios (Inserida Parcialmente)

Cdigo Classificao Caractersticas Aplicaes e exemplos

AQ2 Indiretos Riscos provenientes da Instalaes alimentadas por linhas

rede de alimentao areas

AQ3 Diretos Riscos provenientes da Partes da instalao situadas no

exposio dos exterior das edificaes
equipamentos

5.4.3.3 Nos casos de serem as linhas eltricas de sinal constitudas por condutores metlicos, devem ser
instalados dispositivos de proteo contra sobretenses, do tipo curto-circuitante, tais como centelhadores,
no Ponto de Terminao da Rede - (PTR).

NOTA - Quando os cabos de sinal forem providos de proteo metlica, estas devem ser aterradas.

A grosso modo poderamos generalizar a instalao dos DPS da seguinte forma:

Na sada dos transformadores ou nos quadros de entrada (QGBT) so recomendados pra-raios de 40 ou
50 kA (ou mesmo mais) que pela IEC so designados pra-raios de corrente. Para os quadros de
distribuio afastados do QGBT de cerca de 15 m so recomendados protetores de 15kA (mnimo de 10 kA)
e junto s cargas mais sensveis so especificados supressores de surto de 2 a 4 kA. possvel introduzir
uma indutncia no circuito para substituir o comprimento do cabo, se no houver a citada distncia de 15m
(mnimo de 10m).

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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Nota: As correntes indicadas so as mximas (para uma operao) dos varistores; a nominal a corrente
que ele dever suportar suportar por 15 vezes; costuma-se escolher junto ao equipamento a corrente que
ele capaz de escoar um nmero elevado de vezes ( 20 ou mais vezes, em qualquer caso, no mnimo 15
vezes).
Os valores recomendados correspondem classificao ANSI C3 (no mnimo C2) para as entradas das
instalaes de baixa tenso, B3 para os quadros de distribuio e A3 para as tomadas dos ETI.

(NBR 5410:1997) 6.3.5 Dispositivos de proteo contra sobretenses

6.3.5.1 Se, pela avaliao de 5.4, for necessria a instalao de proteo contra sobretenso, a sua seleo
deve respeitar os seguintes critrios:

a) quando utilizada a proteo em cascata, deve ser efetuada a coordenao adequada, entre os
vrios estgios, da tenso nominal e da corrente de descarga dos dispositivos de proteo contra
sobretenses em geral, desde a origem da instalao at aos equipamentos a serem protegidos;

NOTA - Quando necessrio podem ser instalados filtros ou impedncias para efeito de coordenao
de tenso e corrente entre os estgios.

b) quando as caractersticas dos equipamentos o exigirem, devem ser instalados tambm dispositivos
de proteo contra sobretenses apropriados, tais como supressores entre as linhas;

c) a tenso nominal (ou mxima tenso de operao em servio contnuo), dos dispositivos de
proteo contra sobretenses bem como tenso residual dos de tipo no curto-circuitante, devem ser
superiores mxima tenso entre a terra da instalao, e os condutores de fase, ou de sinal;

d) no caso de dispositivos de proteo contra sobretenses cujas caractersticas no impeam a sua

exploso, princpio de incndio ou outros efeitos danosos, deve ser prevista a proteo do dispositivo
contra sobrecorrentes e/ou sobreaquecimento;

e) os dispositivos de proteo contra sobretenses devem ser de tipo no curto-circuitante para

proteger o sistema de energia;

NOTA - Excepcionalmente podem ser utilizados dispositivos do tipo curto-circuitante desde que haja
proteo contra sobrecorrente devidamente coordenada.

f) para os sistemas de sinal, os dispositivos de proteo contra sobretenses devem ser do tipo curto-
circuitante, quando externos ao equipamento.

NOTA Para reduzir as impedncias das ligaes dos dispositivos de proteo contra sobretenses
as linhas devem estar o mais prximo possvel do terminal de aterramento.

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

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6.3.5.2 Os dispositivos de proteo contra sobretenses devem ser instalados na origem da instalao.
Devem ser ligados:

a) no esquema TN, entre cada condutor fase e o terminal de aterramento principal;

b) no esquema TT, entre cada condutor ativo (fases e neutro) e o terminal de aterramento principal;
c) no esquema IT, admitindo o neutro no distribudo, entre cada condutor fase e o terminal de
aterramento principal.

NOTAS
1 No caso de instalaes alimentadas por rede de distribuio em baixa tenso, admite-se ligar os
dispositivos de proteo contra sobretenses entre cada condutor fase, inclusive o condutor PEN (esquema
TN), ou entre cada condutor ativo (esquema TT), e um terminal de aterramento local ligado ao eletrodo de
aterramento da origem da instalao distinto do da edificao, quando ligado ao terminal de aterramento
principal da edificao.
2 No aconselhvel, em princpio, prever equipamentos de tecnologia da informao (ver 6.4.8) em
instalaes com esquema TT ou IT.
3 Os dispositivos de proteo contra sobretenses devem ser instalados a jusante do dispositivo de
seccionamento, mas a montante do dispositivo DR.
4 Na eventualidade de serem os dispositivos de proteo contra sobretenses instalados a jusante de um
dispositivo DR, este dispositivo dever ser tipo S.

6.3.5.3 Se necessrio, os dispositivos de proteo contra sobretenses suplementares podem ser

instalados, ao longo da instalao e principalmente junto ao equipamento a ser protegido, ligados entre o
condutor PE e os condutores das linhas vindas do exterior da edificao, tanto de energia, como de sinal, se
metlicas.

NOTA - Os dispositivos de proteo contra sobretenses suplementares, devem ser ligados entre cada fase
e neutro e entre neutro e condutor de proteo, e/ou entre cada fase e o condutor de proteo e entre o
neutro e o condutor de proteo.

6.3.5.4 Um nico conjunto de dispositivo de proteo contra sobretenses instalado na origem da

instalao pode proteger vrios circuitos a jusante.

NOTAS
1 Para sistemas de baixa tenso de 60 Hz com at 127 V nominal terra, devem utilizar-se dos dispositivos
de proteo contra sobretenses do tipo no curto-circuitante, como pra-raios secundrios, com tenso
contnua/nominal 175 V, tenses de referncia/proteo e residual com valor mximo de crista de 700V, e
corrente nominal de 10 kA (ou 20 kA nas reas crticas).

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

18
s
2 Para sistemas de baixa tenso de 60 Hz com at 220 V nominal terra, devem utilizar-se dispositivos de
proteo contra sobretenses de tipo no curto-circuitante, como pra-raios secundrios, com tenso
contnua/nominal 280 V, tenses de referncia/proteo e residual com valor mximo de crista de 700 V ,
com corrente nominal 10 kA (ou 20 kA nas reas crticas).
3 Para linhas eltricas de sinal, devem utilizar-se dispositivos de proteo de tipo curto-circuitante, como
centelhador (recomenda-se o tipo tripolar / balanceado), com tenso disruptiva entre 300V e 500 V , em
corrente contnua, e capacidade mnima de corrente de 10 kA (ou 20 kA nas reas crticas), com onda de
8/20 s, e corrente mnima de 10 A (ou 20 A nas reas crticas) sob 60 Hz por 1 s. Para equipamentos
com circuito de sinal aterrado pode ser utilizado centelhador bipolar ou tripolar / balanceado com tenso
disruptiva entre 200V e 500 V, em corrente contnua, com ou sem os protetores de sobrecorrentes de 150
mA nominal, integrados. Nos condutores contidos num cabo com blindagem aterrada podem ser utilizados
centelhador de 5 kA.

6.3.5.6 Quando a distncia entre a origem da instalao e o quadro de entrada da edificao ultrapassar 10
m, e a origem estiver fora da zona de influncia da ligao equipotencial principal da edificao, a entrada
da edificao deve ser considerada como origem efetiva da instalao. Portanto, todas as consideraes
referidas no seguimento devem ser a efetuadas, sem entretanto deixar de as executar tambm na origem
formal da instalao, como um sistema independente.

NOTA - A interligao entre o terminal de aterramento da origem da instalao e o terminal de aterramento

principal deve ser realizada pelo condutor PEN.

6.3.5.7 O condutor de terra de proteo PE deve ser instalado junto com os condutores de energia
correspondentes, at aos pontos servidos, porm, para instalaes extensas, o PE deve ser multi-aterrado
localmente s armaes estruturais.

6.3.5.8 O condutor de proteo PE deve ser utilizado como a referncia de potencial para aterramento dos
equipamentos e dos supressores de sobretenso locais, tanto para a instalao de energia como de sinal.

NOTA - Todas as ligaes de aterramento, (incluindo as dos dispositivos de proteo contra sobretenses)
referentes a cada equipamento, devem ser to curtas e retilneas quanto possvel e convergir num mesmo
ponto do PE.

6.3.5.9 Quando vivel, prefervel utilizar equipamentos de tecnologia da informao alimentados entre
fases, em vez de entre fase e neutro. Neste caso os dispositivos de proteo contra de sobretenses do tipo
no curto-circuitante, se necessrios, devem ser ligados entre cada fase e o condutor PE, ou entre cada
fase e o terminal "terra" do equipamento.

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

19
s

6.3.5.10 Quando os equipamentos de tecnologia da informao so alimentados entre fase e neutro, os

dispositivos de proteo contra sobretenses, se necessrios, devem ser do tipo supressores de
sobretenso e ligados entre fase e neutro e entre o neutro e o condutor PE, ou entre o neutro e o terminal
de "terra", do equipamento.

6.3.5.11 Os dispositivos destinados proteo contra sobretenses provenientes dos condutores

mencionados em 5.4.3.1 e) devem ser instalados no ponto de entrada ou de sada (dos condutores) da
edificao. O terminal "terra" dos dispositivos deve ser ligado a um terminal de aterramento prximo,
interligado a uma armadura de ao local da edificao, com o traado mais curto e retilneo possvel,
diretamente ou atravs de um condutor de proteo.

6.3.5.14 Em uma instalao com edificaes separadas, devem ser aplicadas as prescries anteriores a
cada edificao.

NOTA Quando existirem cabos de sinal interligando edificaes os terminais de aterramento principal, ou
terminais de aterramento prximo ligados s armaduras de ao local da edificao, devem ser interligados
com condutores de eqipotencialidade (cabo guarda) adequados que acompanhem o traado dos cabos de
sinal.

Constituio dos DPS

Os DPS podem ser constitudos por:

um centelhador independente
um varistor independente
uma associao centelhador em srie com varistor
associao centelhador/varistor em paralelo + fusvel

Centelhador
Corta um pulso de tenso reduzindo muito rapidamente a tenso

Tenso disruptiva

Ao valor do pico que o centelhador deixa passar denominado tenso disruptiva.

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

20
s
Varistor: reduz a uma onda de tenso de forma contnua:

O valor mximo remanescente denominado tenso residual.

Um DPS composto por centelhador + varistor possui as duas caractersticas:

Com o DPS energizado surge uma corrente para terra denominada Corrente Subsequente que tem os
seguintes aspectos:

Centelhador + Centelhador +
varistor de Sic varistor de ZnO

Portanto, um dispositivo de proteo contra sobretenses deve reduzir a sobretenso em uma linha
energizada sem causar interrupo do fluxo de corrente.

Dispomos dos seguintes tipos de componentes para, em associao ou no, construirmos um DPS:
centelhador a gs
centelhador a ar
varistor de ZnO
varistor de Sic
pra-raios de expulso
pra-raios com centelhador

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

21
s

Centelhador a gs

Este componente tem como vantagens:

Capacidade de descarga elevada 5, 10, 20 ou mais kA
Capacitncia muito baixa, pode ser usado em AF

E como desvantagens:
No pode ser usado em freqncia industrial com V > 110V

Seus valores nominais so:

In mxima corrente que suporta em 15 atuaes
Vn tenso disruptiva em corrente contnua

Tipos:

Bipolares Tripolares

Varistor de ZnO

Smbolo ou

Tem como vantagens:

Corrente de fuga baixa
Interrompe a corrente subsequente em 2ms

Tem como desvantagens :

Envelhece de acordo com as solicitaes recebidas
No pode ser usado em Altas Frequncias (acima de 1MHz)

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

22
s
Tem como caractersticas nominais:
VMx - Tenso mxima de operao contnua
IMx - Mxima corrente da forma 8/20s que pode descarregar 1 vez
Inom - Mxima corrente da forma 8/20s que pode descarregar 15 vezes.

Diodo para Surto (TAZ ou back to back))

Tem como vantagens:
Atuao rpida
Limita a tenso a 10% acima da nominal
Capacitncia muito baixa
Pode ser ligado em srie e em paralelo

Tem como desvantagem:

Baixa capacidade de dissipao de energia (basicamente 1500W)

Classificao dos DPS (depende ainda de aprovao na IEC e ABNT), a VDE admite utilizao, e a
base para a EN (europia).

Classe A
Pra-raios instalados em linhas areas onde eles no podem ser tocados; so testados com correntes da
forma 8/20s.
Classe B
Pra-raios instalados com a finalidade de equalizar potenciais e controlar descargas diretas de raios; so
testados com correntes da forma 10/350s. So instalados na entrada da instalao onde so esperadas
correntes muito elevadas.
Classe C
Instalados com o propsito de proteo contra surtos na rea de distribuio. As tenses residuais precisam
ser seguramente controladas. Testados com correntes 8/20s.
Classe D
Instalados para proteger contra surtos nas tomadas ou antes dos terminais. Testados com gerador hbrido
(Z = 2)

Pela VDE a diviso em classes:

A- para linhas areas
B-na entrada e para equalizao dos potenciais
C- na distribuio (quadros)
D- nas tomadas e antes dos terminais

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

23
s
Requisitos para as classes
Classe A

1 Ponta fusvel
2 Fita fusvel
3 Indicador
4 Disco de SiC
5 Centelhador

Caractersticas:
Sem proteo contra contatos diretos
Projetado para correntes induzidas, da forma 8/20s
Capacidade de descarga: 5 kA, 8/20s
O condicionamento: ensaios preliminares
O ciclo de servio: sob a tenso nominal em 60Hz deve, sem envelhecer, descarregar a corrente
nominal 15 vezes.

CLASSE B
Caractersticas:
Instalado na entrada , (Categoria IV), junto ao TAP da edificao
Possui proteo contra contatos diretos
Projetado para correntes de raios diretos - forma 10/350s
Interface ZPR 0Aou 0b/ZPR1.
Valor mximo da corrente: 100kA (nvel 1)
Tenso disruptiva/residual: 4 a 6 kV (mx.)
Encapsulado / no encapsulado (em funo da liberao de gases)

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

24
s
Avaliao da corrente conduzida pela DPS Classe B Nvel I

I = 200 kA,10/350 ms

50% Sai pelas linhas de

DPS Classe B: I = 33,3 kA, 10/350 ms

50% para o

O envelhecimento

A proteo feita por sensores tipo PTC que comandam o desligamento do DPS por um disjuntor. Como
isto deixa o equipamento sem proteo, alguns fabricantes oferecem DPS com reserva: cada varistor tem
um outro em paralelo. Quando um deles falha (aquele que comea a conduzir primeiro), ele desligado e o
outro passa a oferecer a proteo. Esta operao sinalizada para que o usurio troque o elemento
deteriorado.

Os locais com caractersticas mais severas, que possuam SPDA (sistema de proteo contra descargas
atmosfricas), e/ou onde as edificaes forem extensas tanto vertical quanto horizontalmente, devem ser
divididos em zonas de proteo considerando as sees 5.4, 6.3.5.1 e 6.3.5.3. Devem ser levadas em
considerao as coordenaes adequadas de tenso, corrente e energia (ver IEC 61312-1, IEC 61312-3,
IEC 61643-11 e IEC 61643-21), bem como as informaes tcnicas dos fabricantes dos DPSs instalados ao
longo da instalao, para que estes no sofram degradao prematura.

Conforme o caso, na categoria IV do sistema eltrico de energia, quando for considerada a possibilidade de
descarga direta e a instalao for desprovida de blindagem, condutor PEN ou outros condutores metlicos
aterrados externos a propriedade, malha de aterramento nica, condutor PEN no aterrado no TAP
(esquema TT), recomenda-se utilizar DPSs mais robustos que atendam os testes IEC 61634-11, para
classe I da corrente nominal de descarga (In), e da corrente mxima de impulso (Iimp), que representa a
curva 10/350 s.

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

25
s

A despeito da aplicao correta da coordenao, podero ocorrer danos no equipamento terminal, quando o
DPS no for instalado no equipamento, ou prximo a esse. Portanto, deve ser considerada a existncia ou
no da proteo integrada do equipamento terminal ( ver 4.3.1.10 e 6.1.3.2), conforme as informaes do
fabricante.

Impulso de corrente para DPS da Classe B

o
Impulso da forma 10/350 s (forma de onda do 1 raio)

I/2

10 350 Aplic
ao: transio da ZPR0A / ZPR1, ou na equalizao no TAP da entrada da instalao

Zonas de proteo contra raios (ZPR)

ZPR0A (106kV

ZPR1 (10s V)

ZPR2 (100s V)
ZPR0B
(100s kV) ZPR3
ET
(10s V) ETI C B A
ZPR0B I

D
TAP

Modos de falha e proteo

O funcionamento do DPS baseado em varistores sofre envelhecimento do componente do dispositivo de
desligamento pela temperatura superficial, na proporo em que sua atuao seja exigida.

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

26
s

DPS s com centelhadores podem entrar em curto circuito, dependendo da intensidade da corrente e do
tempo pelo que ela circular pelo dispositivo, deixando o condutor em curto-circuito com o aterramento. A
soluo instalar-se um DPCC (fusvel ou disjuntor), como mostrado abaixo:

Posio do DPCC
Se instalado na linha de alimentao e antes do DPS causa o inconveniente de: ao atuar desligar toda a
instalao

Se instalado na derivao para o DPS causa o inconveniente de: ao atuar deixar a carga sem proteo para
a prxima sobretenso, at a substituio do DPS.

Cabe ao projetista, definir a melhor situao que se aplica em cada caso:

Carga

Posies
alternativas
para o
DP

Aplicaes de dps nos vrios esquemas de aterramento (T-T; TN-C; TN-S; TN-C-S; IT).

DPS NO SISTEMA TT

DPS
DPS
I CLASSE
CLASSEL
W D
D
KWh
N

s
P

TAP

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

27
s

Proteo com 3 dps + gap - classe b (1) em Sistema T-T

F1 L1
F2 L2
F3
L3
N

250 A PE
F4 F5 F6 gL/gG

DPS Os fusveis F4 a F6
Classe B S sero necessrios
Se os fusveis F1 a F3
Forem maiores que
250 A gL/gG

Aplicao de DPS no Sistema TN-C-S

DPS
DPS
I
I CLASSE
CLASSL
KW D
E
KWh
S N D N

PEN
PE PE

TAP

DPS CLASSE B DPS CLASSE C

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

28
s

Proteo com 3 DPS, classe b -1- em Sistema TN-C

F1 L1
F2 L2
F3
L3

PEN
250 A gL/gG F4 F5 F6

DPS Os fusveis F4 a F6
Classe B s sero necessrios
se os fusveis F1 a F3
forem maiores que
250 A gL/gG
TAP

Proteo contra surtos com DPS classe c - 1 - em Sistema TN-C

F1 L1
F2 L2
F3
L3

PEN
F4 F5 F6 125 A gL/gG

DPS Os fusveis F4 a F6
Classe C s sero necessrios
se os fusveis F1 a F3
forem maiores que
125 A gL/gG

TAP

Proteo contra surtos com DPS classe c - 3 - em Sistema TN-C

F1 L1
F2 L2
F3
L3

PEN
F4 F5 F6

DPS Os fusveis F4 a F6
Classe C
tripolar s sero necessrios
se os fusveis F1 a F3
forem maiores que
100 A gL/gG
TAP

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

29
s

Aplicao de DPS no Sistema TN-S

Condies iniciais para uma adequada proteo interna:

As barras de Neutro (N) e proteo (PE ou T) devem estar interligadas e aterradas na origem da instalao,
atravs de um TAP.

O Terminal de Aterramento Principal (TAP ou LEP) alm de estar ligado s barras de N e PE deve estar
ligado a toda tubulao metlica que entre na edificao e ao aterramento geral do edifcio. barra PE
sero ligadas as massas dos equipamentos; os terminais terra dos protetores devem ser ligados s massas
dos equipamentos. Os condutores neutro sero ligados barra de neutro.

DPS
DPS
II CLASSE
CLASS L
KW D
KWh E
S N D N

PEN
PE P

TAP

DPS CLASSE B DPS CLASSE C

Proteo com 4 DPS classe b (1) em Sistema TN-S

F1 L1
F2 L2
F3
L3
N
PE
250 A gL/gG F4 F5 F6

DPS Os fusveis F4 a F6
Classe B s sero necessrios
se os fusveis F1 a F3
forem maiores que
250 A gL/gG
TAP

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

30
s

Proteo contra surtos com DPS classe c (1) em Sistema IT

Neutro no distribudo, como pede aNBR 5410
F1 L1
F2 L2
F3
L3

PE
63 A F4 F5 F6
gL/gG
Os fusveis F4 a F6
DPS s sero necessrios
Classe C se os fusveis F1 a F3
forem maiores que
63 A gL/gG

Todas as medidas para proteo pessoal devem ter prioridade sobre outras medidas de proteo.

Portanto :
Os dispositivos de proteo contra sobrecorrentes(fusveis e disjuntores), os DRs, os dispositivos de
monitorao da isolao e os dispositivos de proteo contra falta de tenso, sempre devem estar
devidamente coordenados com os DPS.

importante salientar que os DR devem suportar impulso de corrente para no serem danificados e devem
ser instalados aps os DPS para no deixarem de atuar nos casos em que houver falha simultnea do
equipamento ou instalao e de um DPS. (NBR 5410:1997, item 6.3.5.2, nota 3)

Posicionamento do DR em relao aos DPS no esquema de aterramento TN-S. Neste caso o DR pode
atuar indevidamente, pois suporta impulsos de corrente de 250 A ou se for classe S, 3 kA..

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

31
s

J para DPS e Equipamento defeituosos a jusante do DR, podemos afirmar que o DR no atuar
corretamente, pois influenciado tambm pela corrente de retorno que passa pelo DPS defeituoso.

L
DR
L

L
N

DPS ETI

PE

Portanto a nica forma correta de instalao do DPS a montante do DR. Neste caso o DR fica entre o
DPS defeituoso e o equipamento. Como o equipamento estar a jusante do DR, em caso de defeito este
atuar sem problemas (dentro do nivel de suportabilidade de impulso j apresentado).
L1

L2

DR L3
N

DPS ETI

PE

Necessidade da proteo interna - Anlise de Risco

Atualmente a reviso da NBR 5410 em seu item 5.4 prope uma anlise de risco para definio da
necessidade ou no da instalao dos DPS. Enquanto este mtodo no aprovado vale o item 5.4.3.1.da
verso atual (1997)

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

32
s

A Proposta de Rousseau
A seguir apresentamos uma proposta apresentada por Alain Rousseau na Frana, baseada em vrios
parmetros de maneira anloga adotada para a proteo externa:

Coeficiente A: Sensibilidade ou suportabilidade do equipamento a ser protegido

Alta ( > 2,5 kV) A=1
Baixa ( 1,5 kV) A=3
Desconhecida ( 1,5 kV) A=3

Coeficiente B: Custo do equipamento

Baixo (USD < 2000) B=1
Mdio (2000 custo < 20000 USD) B=2
Alto ( 20000 USD) B=3

Coeficiente C: no disponibilidade do equipamento por um certo tempo

Aceitvel C=1
Inaceitvel C=3

Coeficiente E: Comprimento L (em km) linha de mdia tenso

L conhecido E = 10xL
L desconhecido E=5

Coeficiente F: Posio do local (instalao e linhas areas)

Isolado ou em crista de morro F = 1,5
Plano com poucos edifcios em torno F=1
Local cercado por outra estrutura de
mesma altura ou maior F = 0,5
Desconhecido (adotar valor mdio) F=1
Redes (BT e MT) subterrneas e blindadas
(dentro de tubulao metlica) F=0

Coeficiente G: Proximidade de SPDA ou estrutura mais alta (10 a 20m)

Sim G=2
No G=0
Desconhecida G=1

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

33
s

Clculo de risco
O risco considerado igual a Ro quando parte das linhas de BT e MT for area e igual a Ru quando a rde
totalmente subterrnea.
Ro = A.B.C.D [F ( 8E + 20)]
Ru = A.B.C.D.G

A proteo no ser necessria se:

Ro 100 ou Ru 20 (verificar a existncia de surtos de manobra)

A proteo ser necessria se:

100 < Ro 1.000 ou 20 < Ru 40

A proteo ser especialmente necessria se:

Ro > 1000 ou Ru > 40

Clculo da corrente Imx. do dispositivo de proteo (DPS)

Calcular inicialmente RI = [ 0,25 F(1+E) + G] e escolher Imx de acordo com as relaes:

Imx 15 kA se RI 6
Imx 30 kA se 6 < RI 9
Imx 60 kA se 9 < RI 10

Nota: A corrente Imx a corrente que o DPS pode suportar uma nica vez e o parmetro normalmente
utilizado no Brasil. A IEC passou a utilizar a Inom que a corrente que o DPS suporta 15 vezes, o que dever
ser adotado tambm no Brasil, pela nova NBR-5410 / 2002 ( a ser editada).

Proteo dos circuitos de telefonia

recomendado usar transformadores de isolao com blindagem (chapa de cobre ou alumnio) entre os
enrolamentos, para as fontes de alimentao das centrais telefnicas e de modo geral para os ETIs.

Na entrada da instalao de telefonia deve haver um TAT (terminal de aterramento de telecomunicaes)

aonde devem estar ligados blindagem do cabo telefnico, os terras dos protetores instalados no DG
(Distribuidor Geral), e as estruturas dos quadros, painis, leitos e demais componentes metlicos dos
equipamentos de telefonia. Este TAT dever estar ligado ao TAP por um condutor curto de baixa
impedncia e no ligado diretamente ao anel de aterramento. Somente o TAP ser ligado ao aterramento
geral do prdio (anel ou ferragem da fundao).

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

34
s
6.3.5.5 Os condutores de energia e de sinal, que entram na edificao, devem convergir, sempre que
possvel, para um mesmo ponto. A partir deste ponto, as linhas de energia e de sinal devem seguir, sempre
que possvel, traados prximos, paralelos, em condutos separados. No caso de equipamentos de
tecnologia da informao (ver 6.4.8), recomendvel que quaisquer condutos fechados sejam de material
ferromagntico, aterrados e com continuidade eltrica assegurada.

6.3.5.12 As protees metlicas dos cabos de sinal vindos do exterior da edificao devem ser interligadas,
podendo, em casos especficos como ocorrncia de rudo excessivo na linha e/ou controle de corroso
eletroltica, a interligao ser efetuada atravs de dispositivos de proteo contra de sobretenses de tipo
curto-circuitante (centelhadores):
a) na origem da instalao, ao terminal de aterramento principal;
b) no caso mencionado em 5.4.3.1 e) ao terminal de aterramento prximo ligado s armaduras de ao
local da edificao.

NOTAS
1 Pode ser aplicado o mesmo procedimento contra rudos nas interligaes internas e externas da
edificao, apenas numa das extremidades dos cabos.
2 Para as protees metlicas dos cabos de sinal, devem ser utilizados dispositivos de proteo do tipo
curto-circuitante, como centelhador, com tenso disruptiva entre 200V e 300 V, em corrente contnua, e
capacidade mnima de corrente de 10 kA (20 kA, nas reas crticas) com onda de 8/20 s e corrente mnima
de 10 A (ou 20 A nas reas crticas) sob 60 Hz por 1 s.

6.3.5.13 Os equipamentos de sinal com circuito de baixa impedncia para a terra, devem ser providos, alm
de dispositivos de proteo contra sobretenses na origem da instalao, tambm de limitadores de
sobrecorrente adequados aos equipamentos, os quais podem estar instalados na origem da instalao ou
se constituir em parte integrante deste equipamento.

As centrais telefnicas eletrnicas tm uma suportabilidade muito mais baixa aos surtos que as antigas
centrais eletro-mecnicas. Embora diversas TELES do Brasil tenham especificado que os fabricantes das
centrais devam proteg-las internamente de modo que elas suportem 1kV na entrada isto no tem sido
satisfeito. Por esse motivo no se pode usar para proteg-las os tradicionais mdulos que contm somente
centelhadores a gs ou estes com bobinas trmicas, os quais reduzem os surtos a valores da ordem a
800V ou mais.

Para este tipo de central essencial usar protetores hbridos com um centelhador e um varistor ou varistor e
diodo de surto (estes com nomes comerciais como Transzorb ou TAZ ou ainda Tranzil) ou ainda um Tiristor.
Os mdulos MPH 160 (mdulo de proteo hbrido) satisfazem s condies de proteo das centrais
eletrnicas, assim como tambm outros totalmente do estado slido. A corrente nominal deve estar entre 10
e 15 kA e a tenso residual, inferior a 400V.

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

35
s
Os mdulos devem ser instalados no DG, nos troncos e nos ramais que saiam para fora do prdio da
central. Quando as linhas de pares telefnicos forem para outros prdios deve-se usar fibras ticas ( a
melhor soluo) ou interligar os aterramentos dos prdios com ligaes de impedncia muito baixa (tubos
de 6 a 8 , fitas de 30cm de largura, vigas generosas ) e instalar protetores anlogos nas entradas dos
prdios e/ou junto aos aparelhos, com os terminais terra ligados ao TAP ou ao condutor PE mais prximo,
no prdio. Quando o nmero de ramais for grande, instalar um DG com os protetores vistos acima.

Protetores das linhas de dados

Para as linhas de dados a filosofia a mesma: usam-se protetores hbridos mas aqui, com trs
componentes, a saber: um centelhador para descarregar a maior parte da energia do surto, um varistor para
abaixar a tenso que o centelhador deixou passar e um diodo de surto para dar a proteo fina.

Como os componentes da tecnologia da informao trabalham com tenses baixas (5 a 25Volts) consegue-
se um nvel muito bom de proteo fina (cerca de 10 % acima da tenso de operao).

Proteo de estrutura contra descargas atmosfricas

36
Fbrica Braslia: Fortaleza: Rio de Janeiro:
So Paulo: Tel. (55 61) 348-7600 Tel. (55 85) 261-7855 Tel. (55 21) 2583-3379
Rua Cel. Bento Bicudo, 111 Fax (55 61) 348-7639 Fax (55 85) 244-1650 Fax (55 21) 2583-3474
Lapa 05069-900
Tel. (55 11) 3833-4511 Campinas: Porto Alegre: Salvador:
Fax (55 11) 3833-4655 Tel. (55 19) 3754-6100 Tel. (55 51) 3358-1818 Tel. (55 71) 340-1421
Fax (55 19) 3754-6111 Fax (55 51) 3358-1714 Fax (55 71) 340-1433
Vendas
Belo Horizonte: Curitiba: Recife: So Paulo:
Tel. (55 31) 3289-4400 Tel. (55 41) 360-1171 Tel. (55 81) 3461-6200 Tel. (55 11) 3817-3000
Fax (55 31) 3289-4444 Fax (55 41) 360-1170 Fax (55 81) 3461-6276 Fax (55 11) 3817-3071
Seminrios Tcnicos 2003
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