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Universidade de So Paulo

Instituto de Fsica

Fsica Moderna II

Profa. Mrcia de Almeida Rizzutto


2o Semestre de 2014

Fsica Moderna 2
Aula 23 1

Cap. 10- Tipler Inicos
Covalentes
Cap. 13 - Eisberg

Slidos Metlicos
Moleculares
Moleculares: molculas to estveis que mantm individualidades.
No existem ligaes covalentes ou inicas. Ligao por van der Waals
(fraca, ~10-2 eV) Tamb (kT = 0,025 eV) dissociao.
Slidos apenas a T << Tamb. Fuso do H2 a 14 K.
Falta de e- livres maus condutores de eletricidade e calor.
Facilmente deformveis.
Ex: gelo, compostos orgnicos
Gelo interaes
intermoleculares ligaes
de hidrognio
Slido molecular baixo
ponto de fuso, mole

H2O(l) H2O(s)

Fsica Moderna 2 2
Aula 23
Inicos: formao regular, alternada, 3D, de ons Na+ e Cl. Esist < Eons isol..
Ligao no direcional.
Disposio como a de esferas empilhadas.
Arranjo depende do tamanho relativos dos ons, minimizando energia.
No existem e- livres.
M conduo de eletricidade e calor.
Foras eletrostticas fortes alta Tfuso, duros e pouco deformveis.
Interao dominante a coulombiana entre os ons.
No caso do NaCl, cada Na+ tem 6 Cl como vizinhos mais prximos. E cada
Cl tem 6 Na+ como vizinhos mais prximos.

NaCl
Clula unitria

Clula unitria o menor conjunto de


tomos que contm a simetria do
cristal, e cuja repetio produz o cristal.

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Aula 23
No caso dos cristais inicos, NaCl em particular: a parte coulombiana do
potencial (cujo resultado deve ser atrativo) pode ser escrita:
sendo r a distncia entre ons vizinhos e uma
e2
U atr (r ) constante (constante de Madelung), que depende da
4 0 r geometria do cristal. Se apenas os 6 vizinhos mais
prximos fossem importantes, seria igual a 6. S
que, a uma distncia 2r temos 12 vizinhos de
mesma carga, etc.
12 8 6 20
NaCl 6 1,7476 ( NaCl )
2 3 2 5
Quando os ons Na+ e Cl se aproximam muito, aparece uma
fora repulsiva, devida ao princpio de excluso. A energia
potencial total, ento, dada por:

U (r )
e2 A A distncia de equilbrio, r0, aquela
n e 2 n 1
r0
A
4 0 r r na qual a fora (- dU/dr) nula. Assim: 4 0 n
e 2 r0 1 r0
n
e2 1
Ento: U (r ) U (r0 ) 1
4 0 r0 r n r 4 0 r0 n
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Aula 23
Uma vez conhecido r0, que determinado experimentalmente (difrao de
R-X ou mesmo pela densidade), possvel determinar n determinando a
energia de dissociao, que a energia necessria para decompor o cristal.
EXERCCIO:
Determine no caso do slido NaCl, qual o valor de n (parmetro repulsivo)
temos que a energia de dissociao do slido dada por: 770 kJ/mol , que d
770x103 x6,2 x1018 por par de ons.
U (r ) ~ 7,98eV
6 x1023
e2 1
Como = 1,75 e ro =0,282nm, substituindo em U (r0 ) 1
4 0 r0 n
obtemos n = 9,35 ~ 9.
Energia de coeso:
A energia de dissociao tambm pode ser usada para determinar a energia
coesiva do cristal, que a energia potencial por par de tomos (no de ons).
No caso do NaCl, temos: Ecoes = 7,98 + 3,62 5,14 = 6,46 eV.
Energia para preciso fornecer esta energia
remover um Na+ A formao de um tomo neutro de
para formar um tomo neutro
e um Cl- do cristal Na a partir do Na+ libera esta energia
de Cl a partir do Cl-

Esta energia de coeso uma medida da estabilidade da rede cristalina.


Alta energia de coeso esta associada a alto ponto de fuso.
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Aula 23
Covalentes: tomos ligados por e- de valncia compartilhados ligaes
direcionais definem a geometria da estrutura cristalina.
Estrutura eletrnica rgida duros, pouco deformveis e alta Tfuso.
No existem e- livres m conduo de eletricidade e calor.
Alguns (como Si e Ge) so semicondutores.
Diamante, quartzo
Grafite slido
com ligaes
covalentes
e moleculares

Clula unitria de C

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Aula 23
Metlicos: Existem algumas semelhanas entre a ligao metlica e as
ligaes covalentes, posso dizer que temos aqui ocaso limite da ligao
covalente onde os e- so compartilhados por todos os ons do cristal,
os eltrons livres podem vagar pelo material, sendo compartilhado por todos
os tomos de uma molcula
e- externos fracamente ligados aos tomos so liberados pela energia
disponibilizada pela ligao e- ligados ao potencial combinado de todos os
ons positivos do cristal, formando um gs, que atrai os ons.
e- livres, que podem se mover por todo o volume do cristal bons
condutores de eletricidade e calor.
on do metal gs de e-
Um cristal metlico pode ser considerado
como uma rede de ons positivos
imersos em um mar de eltrons. A
atrao entre os ons da rede e o gs de
eltrons que mantm o slido unido
Nos metais: a fora de ligao aumenta
a medida que o nmero de eltrons
disponveis para a ligao aumenta
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Aula 23 7
Foras entre as
partculas

Atraes
eletrostticas

Ligaes
covalentes

Dipolo-dipolo,
Ligaes de H

Ligaes
metlicas

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Aula 23 2
Aula 23
Cristalinos Amorfos (no tem estrutura cristalina)

Difrao de R-X, e- ou n
Resultados para o Fe
amorfo cristalino

9
CsCl

Hexagonal com
agrupamento
compacto

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10
Aula 23
Resumidamente
Slidos Inicos:
No existem e- livres para transportar energia ou carga de um lado para
outro, logo mau condutor de eletricidade e calor.
Vibraes da rede necessitam de energia de IR (infra-vermelho) com
absoro tica intensa nesta faixa
As excitaes eletrnicas absorvem energia UV (ultra-violeta)
Cristais inicos so transparentes no visvel
Slidos Covalentes:
tomos ligados que compartilham e- No existem e- livres maus
condutores de eletricidade e calor.
Na Tamb alguns slidos so transparentes como o diamante
As excitaes eletrnicas acontecem com energias superiores as
energias dos ftons da regio do visvel
Cristais covalentes so algumas vezes transparentes
Slidos Metlicos:
e- compartilhados por todos os tomos do material e podem se mover de
tomo para tomo excelentes condutores de eletricidade e calor.
Absorvem facilmente energia de radiao incidente, ou outras vibraes de
rede radiao visvel facilmente absorvida
Cristais metlicos so opacos no visvel 11
Teoria de bandas nos slidos
O que acontece quando colocarmos um grande nmero de tomos prximos?

Situao: 2 tomos idnticos, distantes eles no interagem nveis de


energia eletrnico podem ser considerados aqueles dos tomos isolados
Na: 1s22s22p63s1 estado fundamental, tenho um eltron em 3s

Quando aproximo estes dois tomos de Na,


as suas funes de onda se sobrepem, e
os dois estados 3s degenerados, isolados
se abrem em dois diferentes estados

Quando vrios tomos de Na so colocados juntos


para formar um slido, semelhantemente haver
uma abertura dos estados de energia.
O valor de DE (energia da banda) ir
depender somente do nmero de
tomos prximos o suficiente para Fsica Moderna 2 12
interagir fortemente Aula 23
Teoria de bandas nos slidos
Se considerarmos o nmero total de tomos em um
slido (N ~ 1023 tomos/cm3) encontraremos uma
grande quantidade de nveis que poderemos considerar
como uma banda contnua (no caso do Na: banda 3s)

Aproximao
de 2 tomos
Nveis mais baixos no so
afetados por serem mais
ligados e terem rbitas
menores no h
Aproximao superposio!
de 4 tomos Desdobramento depende
das caractersticas do nvel:
nveis s banda com N
nveis. Nveis p (3x
degenerado, por causa dos
Nveis + baixos m 3N nveis.
no afetados 13
Na: 1s22s22p63s1
Banda permitida

Banda proibida no h nveis


de energia eletrnicos

Nvel 3s se transforma
Bandas vo se tornando em uma banda
mais largas, maior
energia do e-, maior Verificao experimental:
regio ocupada por seu transies 3s 2p
movimento e maior Na gasoso linha estreita dos
interao entre os ons R-X L emitidos.
vizinhos Na slido linha larga
(distribuio de energia dos
ftons alargada por causa do
alargamento do nvel 3s)
Nvel 2p no foi afetado na
separao de equilbrio
A condutividade em metais, isolantes e semicondutores pode ser
FNC0376 - Fisica Moderna 2
14
explicada qualitativamente emAulatermos
23 de bandas de energia
Modelo quntico da conduo eltrica em metais
A ocupao dos estados de energia de um gs de e num poo quadrado,
dada por: 8V (2m3 )1/ 2 E1/ 2 dE
n( E ) f ( E ) g ( E )dE
g()
h3 e ( E EF ) / kT 1
g()

f( f()
)

n() n()

Com o modelo de eltrons livres podemos calcular a largura em energia


de uma banda:
Fsica Moderna 2 15
Aula 23
Modelo unidimensional: Poo quadrado 1D: eikx
, com k >0 ou <0,
conforme o e- esteja em movimento para a direita ou para a esquerda. As
autofunes tm ns nas extremidades do poo n/2 = L onde L a
largura do poo. Como a energia dos e- : E = p2/2m, obtemos o resultado
conhecido: p2 h2 h2n2 2 2n2
E
2m 2m 2
8mL 2
2mL2
Como temos N tomos igualmente espaados de a ao longo do comprimento
L N = L/a. Lembrando que o nmero de nveis na banda igual ao
nmero de tomos do slido, temos que o valor mximo de n = N.
Dessa forma, a energia mxima de um e- na banda ser:
h2 N 2 h 2 L2 22
Emx 2
2 2

8mL 8mL a 2ma 2
Na verdade h uma diminuio na
densidade de nveis prximo do
final da banda.

No depende de N ! a largura da banda depende da


separao dos ons e no do no. de ons da rede
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Aula 23
e- em um poo nico e- em sistema de poos
peridicos, com b = l/16

A eq. de Schrdinger pode ser


resolvida para o potencial de
Kronig-Penney, de onde
aparecem as bandas
permitidas e as proibidas.
interessante notar que
intervalos proibidos aparecem
para determinados valores de
comprimento de onda (k).

2 3
k , , ,.....
a a a
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Aula 23
Rede unidimensional de periodicidade a:
Descontinuidades em
2 3
k , , ,
a a a
Concordam com o
resultado obtido com
base no nmero de
estados da banda!

Podemos entender os
intervalos proibidos
como resultado da
reflexo parcial da onda
progressiva pelas
sucessivas barreiras.
Ondas refletidas em fase
2a = , 2, 3, ...
(condio de Bragg)

Fsica Moderna 2 18
Aula 23
Conduo metais, isolantes e semicondutores

O comportamento de um slido em relao conduo de eletricidade


depende da distribuio e populao dos seus nveis de energia. As bandas
criadas por nveis que, no tomo isolado, correspondiam a subcamadas
fechadas tm todos os seus nveis ocupados.
As bandas geradas pelos nveis onde se encontram os e- de valncia podem
estar total ou parcialmente ocupadas.
Um campo eltrico aplicado ao material provoca um aumento na energia dos
e-, desde que existam nveis de energia disponveis para serem ocupados.
Caso contrrio, os e- no conseguem adquirir energia e o material se
comporta como um isolante.
Condutor A conduo eltrica em metais
entendida se considerarmos a
banda 3s parcialmente
preenchida

Nveis abaixo da energia de Fermi so


preenchidos e os acima esto vazios
(T=0). Com T>0 alguns e- so
termicamente excitados acima de EF. Os e-
encontram nveis vazios e esto livres
para se mover pois existem muitos
Fisica Moderna
Aula 23 estados de energia desocupados. 19
Quando um campo eltrico
Isolante suficientemente intenso para
promover e- para a banda de
conduo, ocorre a ruptura do
dieltrico.

Isolante Eg ~ 2eV
Um slido considerado um isolante, quando sua banda de valncia est
completa e h uma separao, superior a ~ 2 eV, at a primeira banda
disponvel, a banda de conduo.
Quase todos os cristais inicos so isolantes, pois ambos os ons tm suas
camadas fechadas, como no caso do NaCl. A banda vazia mais prxima vem
dos estados excitados dos ons Na+ e Cl-, que apresentam uma diferena de
energia muito grande em relao camada de valncia.
A excitao trmica, ou mesmo os campos eltricos usualmente empregados,
no so suficientes para conseguir promover um e- da banda de valncia para
a de conduo.
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Aula 23
Semicondutor
E

banda de valncia
fFD Semicondutor Eg ~ 1 eV

Quando a largura da banda proibida


pequena (menor que 2 eV), o slido
considerado um semicondutor. Consideremos o caso do C, que forma 4
ligaes covalentes com outros C para formar o diamante. Dos 8 estados
que o orbital hbrido sp tem, apenas 4 formam estados ligantes. Os outros 4
correspondem a autofunes espaciais anti-simtricas, com energias mais
altas. Esses estados vo dar origem s bandas de conduo.
Dependendo da distncia interatmica, a separao entre as bandas de
valncia e de conduo pode fazer do material um isolante (caso do
diamante) ou um semicondutor (caso do Si e do Ge).
Semicondutor intrnseco: semicondutor puro, sem impurezas que afetem a
distribuio de e- ou buracos. 21
Conduo eltrica em semicondutores
E
buracos
e- de conduo Conduo
eltrons
Proibida

Valncia

E
Um campo eltrico aplicado a um semicondutor produz conduo eltrica
devido ao movimento dos e- na banda de conduo, bem como dos buracos
na banda de valncia. No caso dos buracos, o movimento tambm se deve
aos e-, que, devido ao campo, ocupam sucessivamente a vacncia deixada
pelo e- promovido banda de conduo, fazendo com que a vacncia se
desloque no sentido oposto.

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Aula 23
Conduo eltrica em semicondutores
E
buracos
e- de conduo Conduo
eltrons
Proibida

Valncia

E
Um campo eltrico aplicado a um semicondutor produz conduo eltrica
devido ao movimento dos e- na banda de conduo, bem como dos buracos
na banda de valncia. No caso dos buracos, o movimento tambm se deve
aos e-, que, devido ao campo, ocupam sucessivamente a vacncia deixada
pelo e- promovido banda de conduo, fazendo com que a vacncia se
desloque no sentido oposto.
Uma caracterstica interessante dos semicondutores que sua
condutividade aumenta (e sua resistividade diminui) com o
aumento de T (contrrio aos metais)
Com o aumento de T o no. de e- aumenta j que mais e- so
excitados e enviados a banda
FNC0376de conduo
- Fisica Moderna 2 ( o no. de buracos
23
tambm aumenta.) Aula 24
Probabilidade de ocupao na banda de conduo:
1 E E F 4kT 0.10
f FD ( E )
e ( E EF ) / kT 1 kT 0.10 / 4 0.025

Se Eg 0,5eV, 10-5 dos e- que se


encontram no alto da banda de
valncia sero excitados para a
banda de conduo

FNC0376 - Fisica Moderna 2


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Aula 24
Dopagem de semicondutores
O processo de dopagem de semicondutores refere-se adio, ao cristal
intrnseco, de pequena quantidade de impureza, com propriedades
adequadas, de forma a afetar o comportamento eltrico do semicondutor da
maneira desejada. Existem dopantes doadores e receptores, que produzem
os semicondutores tipo n e tipo p, respectivamente.
Tipo n Si dopado com As (que tem valncia 5)

Eg ~ 1 eV
Ed ~ 0,05 eV

Este e- a mais fica


abaixo da banda de
conduo pode ser
facilmente excitado

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Aula 23
Tipo p Si dopado com Ga (que tem valncia 3)

Eg ~ 1 eV
Ea ~ 0,07 eV

Nveis vazios
acima da banda
de valncia,
associados aos
buracos dos
tomos de Ga

Ionizar o sistema buraco-on, significa transferir os eltrons da banda de


valncia para os nveis aceitadores, criando buracos nesta banda que
contribuiro para a conduo da eletricidade. O fato da conduo nos
semicondutores tipo p se deve principalmente ao movimento dos buracos.

Moderna 2(n ou p): 10


Densidades tpicas de Fisica
dopantes 13 a 1019 cm-3.
26
Aula 23
Componentes eletrnicos so baseados em semicondutores
A possibilidade de controle das caractersticas dos semicondutores em
relao conduo eltrica, fazem deles materiais muito utilizados na
produo de componentes eletrnicos, tais como diodos, transistores,
LEDs, lasers, detectores, etc.,
Juno p-n
ons fixos
Juno Regio de depleo

Quando um semicondutor tipo n entra em contato com um tipo p, h uma


concentrao desigual de eltrons e buracos e isto promove a difuso
de eltrons para o tipo p e de buracos para o lado n, at o equilbrio. D
origem uma ddp V entre o lado n e o lado p (potencial de contato). 27
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Aula 23
Ao se juntar um elemento p a um elemento n, temos a seguinte situao: o
elemento p tem excesso de buracos; o elemento n tem excesso de eltrons.
No ponto onde os dois cristais se tocam, tende a haver uma migrao de
eltrons e buracos, at que se estabelea um equilbrio.

Tipo p Tipo n

Formao da camada de depleo


Observe que se forma um equilbrio na regio da juno, deixando de existir
portadores majoritrios (eltrons livres ou buracos). A camada de depleo
uma espcie de "zona morta" onde no h espao para movimentao de
eltrons e lacunas.
http://www.agostinhorosa.com.br/artigos/transistor-6.html
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Aula 23
Quando submetemos o diodo a uma tenso, ou seja, colocarmos uma
bateria em seus terminais, conectamos o terminal negativo (fluxo de
eltrons) da bateria poro N do diodo e o terminal positivo (fluxo de
buracos) poro P. Desta forma, a regio N, com excesso de
eltrons, recebe ainda mais eltrons, e a poro P recebe ainda mais
buracos: i
Tipo p Tipo n
+ + + -- +
-
- -
+++ - + --
+ -
++ - +

+ -

polarizao direta

Com esse movimento, forma-se uma corrente eltrica. O semicondutor passa a


se comportar como um condutor normal.

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Aula 25
Vamos agora inverter a polaridade da bateria. Vamos conectar o terminal
positivo da bateria poro N do diodo e o terminal negativo poro P.
Desta forma, os eltrons da regio N so atrados pelas lacunas do plo
positivo da bateria e as buracos da regio P so completadas pelos
eltrons do plo negativo. Observe o que acontece:

Polarizao inversa
A camada de depleo aumenta sensivelmente. Se ela j dificultava a
passagem de corrente, agora torna-se virtualmente impossvel transp-la.
Os portadores majoritrios de cada lado ficam ainda mais isolados. O
semicondutor, ento, passa a se comportar como um isolante. No h
passagem de corrente eltrica.
http://www.agostinhorosa.com.br/artigos/transistor-6.html
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Aula 23
Nveis de energia dos No equil. e sem Com tenso de
eltrons de uma juno polarizao a corrente polarizao a corrente do
igual nos dois sentidos lado n para o p maior
pn (no polarizada)
que o inverso

Juno p-n: diodo

quando o lado n e o lado p (da


juno pn) so fortemente
dopados, a parte inferior da banda
Com o aumento maior da
de conduo fica abaixo da parte Diodo tnel polarizao a corrente de
superior da banda de valncia tunelamento deixa de existir.
h tunelamento Embora a i_normal tenha
Fisica Moderna 2
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aumentado i_total diminui
Aula 23
O aumento da tenso produz um
Curva caracterstica aumento da corrente normal e de
tunelamento

Com o aumento da tenso


aplicada h uma diminuio da
corrente de tunelamento e o
diodo se comporta como se sua
resistncia fosse negativa

a corrente de tunelamento se
torna to pequena , e o diodo
volta se comportar como um
diodo comum

Os diodos tnel so usados em circuitos


eletrnicos devido a seu tempo de
resposta rpido, pois quando est
funcionando perto do mximo da curva,
uma pequena variao de tenso resulta
em uma grande variao de corrente.
32
Absoro e emisso de luz
Absoro e emisso de luz por semicondutores so processos anlogos
queles que ocorrem em tomos isolados, com a diferena de que nveis
atmicos so substitudos por bandas.
Clula Solar: tambm apresenta junes pn. Um
fton de E > largura da banda proibida incide sobre
a regio p, transfere o e- para a banda de conduo
deixando buraco na banda de valncia, excesso de
+ cargas positivas na regio p
ddp entre as duas
- cargas negativas na regio n regies ~ 0.6V

Se uma resistncia ligada e estas regies, temos corrente eltrica

Parte da energia de luz incidente


transformada em energia eltrica

A corrente no resistor proporcional ao no de ftons, que por


sua vez proporcional a intensidade de luz incidente 33
Processo inverso da clula solar o
Diodo fotoemissor: uma partcula de alta
energia (e-) ao atravessar o semicondutor
cria muitos pares e- - buracos logo tenho um
pulso de corrente que registra a passagem
da partcula. Quando a juno pn
polarizada diretamente h uma corrente
elevada e muitos eltrons se recombinam
com os buracos para emitir ftons.

LED (Light-Emitting Diode)

Os LED so usados em lmpadas piloto, mostradores digitais, etc...

O principio de funcionamento do laser semicondutor o mesmo do LED

Fisica Moderna 2
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Aula 23
Transistor
O transistor funciona como um amplificador de sinal!

Quando polarizamos diretamente um


diodo vimos que este conduz eletricidade.
No transistor temos a capacidade de
controlar quanto de eletricidade
conduzida.
Camada com
espessura grande
com pequena
Camada com espessura fina com dopagem e a
dopagem mdia, no impede que responsvel para
as cargas que vem do emissor receber os
cheguem ao coletor (base) eltrons que vem
do emissor e
Camada com espessura mdia e passam pela base
muitos buracos, fornecedora de
cargas positivas

Fisica Moderna 2
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Aula 23
bateria entre o emissor e a base.
polarizao direta, terminal negativo (fluxo de eltrons) da bateria
ao emissor (poro N - excesso de eltrons) e o terminal positivo
(fluxo de buracos) base (poro P - excesso de buracos). Desta
forma, a regio N, com excesso de eltrons, recebe ainda mais
eltrons, e a poro P recebe ainda mais lacunas.

http://www.agostinhorosa.com.br/artigos/transistor-6.html

Polarizao direta emissor-base


Como no caso do diodo, a polarizao direta faz com que a poro
emissor-base se comporte exatamente como um condutor.
36
Ao mesmo tempo: polarizar inversamente o conjunto base-coletor,
conectando o terminal positivo (fluxo de buracos) da bateria ao coletor
(poro N - excesso de eltrons) e o terminal negativo (fluxo de eltrons)
base (poro P - excesso de buracos).
Os eltrons do coletor sero atrados pelas lacunas do plo positivo da
bateria e as lacunas da base sero completadas pelos eltrons do plo
negativo. Como no caso do diodo, essa polarizao inversa faz com que a
poro base-coletor no conduza corrente.
Polarizao simultnea

http://www.agostinhorosa.com.br/artigos/transistor-6.html
Na polarizao emissor-base os eltrons se dirigiam para a base, atrados pelo plo
positivo da bateria. Mas agora o coletor, que bem maior e est com energia extra vinda
do plo negativo da bateria, exerce uma atrao muito maior sobre esses eltrons.
Como a base muito fina, os eltrons tendem muito mais a atravessar a base e ir para o
coletor do que fluir pela base para o plo positivo da bateria. Desta forma, uma pequena
parte da corrente fluir pela base; a maior
FNC0376 parte 2da corrente fluir para o coletor.
- Fisica Moderna
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Aula 25
A mgica da amplificao est acontecendo
Transistor
se aumentarmos a corrente que flui pela base (emissor-base), haver um aumento
na corrente que flui pelo coletor. Ou seja, podemos controlar a corrente vinda do
emissor para o coletor agindo sobre a corrente da base. Isto a corrente da base
controla a corrente entre o emissor e o coletor.
como a corrente da base muito pequena, basta aplicarmos uma pequena variao
na corrente da base para obtermos uma grande variao na corrente do coletor.
Pronto: entramos com uma pequena corrente (via base) e samos com uma grande
corrente (via coletor)

Analisamos um transstor do tipo PNP. Caso


faamos uma invero no nosso sanduche,
criaremos um transstor NPN. O funcionamento
exatamente o mesmo, apenas invertendo-se o fluxo
da corrente.

Fisica Moderna 2
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Aula 23
Nos esquemas eletrnicos os transstores so representados pelos
seguintes smbolos:

Amplificao. (Inspirado em desenho da Lucent)

http://www.agostinhorosa.com.br/artigos/transistor-6.html

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Aula 23