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Eletrônica Industrial

1° Módulo

Introdução

Eletrônica Industrial 1° Módulo Introduç ão LVP / FD NOTAS DE AULA

LVP / FD

NOTAS DE AULA

Eletrônica Industrial

Bibliografia

ü Literatura Básica

Ashfaq Ahmed – Eletrônica de Potência, 1° Edição, Prentice Hall – 2000

ü Literatura Complementar

Robert L. Boylestad – Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos – 8° Edição – Pearson 2004 Pierre Decotening – Motor de indução na Maquina de tração elétrica – 1° Edição – 2000

Observações Diversos gráficos e formas de ondas apresentados nestas notas de aula são obtidos com auxilio do software PSIM de criação dedicada à área de Eletrônica de Potência com versão demo disponível em http://www.powersimtech.com/download.html, que pode ser gratuitamente baixado e utilizado para obtenção dos mesmos resultados aqui apresentados.

Introdução

Dentre as diversas áreas que a engenharia elétrica se ramificou ao longo de seu progresso, a área da eletrônica de potência realiza a importante interface entre o comando desejado e a ação resultante. Independente da origem ou tipo do sinal de comando (analógico, digital, micro processado, etc.), o módulo de saída, que usualmente recebe o nome de “drive”, amplifica este comando modulando a transferência de potencia entre a fonte e a carga.

O estudo dos diversos circuitos, componentes e efeitos obtidos recebem o nome de Eletrônica de Potencia ou

também de Eletrônica Industrial. Atualmente os processos industriais necessitam de rígido controle das grandezas produtivas para garantir qualidade e repetibilidade dos produtos. A obtenção destes resultados se deve em grande parte a Eletrônica de Potência e seu desenvolvimento a partir da metade do século passado. Temperatura, vazão, velocidade, posição, fluxo, nível, acidez, etc. são controladas com a utilização de resistências, motores, válvulas ou pistões a partir de um sinal de comando, estando à eletrônica de potencia neste elo intermediário. Neste estudo vamos aprimorar o conhecimento a partir das fontes disponíveis, revisar conceitos sobre conversão e transformação de energia, tipos de motores elétricos e formas para controle de suas respostas, finalizando com as modernas tecnologias disponíveis incluindo conceitos ecológicos sobre geração e utilização racional das energias, conforme diagrama que segue. Anteriormente ao surgimento dos semicondutores de potência, para controlar cargas que necessitavam de modulação de energia, alguns artifícios eram aplicados com objetivo final de obtenção de controle.

Um dos primeiros modelos utilizado foi através de reostato conectado em série com a carga, formando

um divisor de tensão e desta forma modulando a potência entregue, porem apresentando baixos rendimentos

e limitado a funcionamento em baixas potencias. Bastante difundido em maquinas de elevado nível de

corrente, conjuntos de motores e geradores interligados mecanicamente, tiveram utilização bastante difundida até os anos 60, formando os chamados conjuntos Ward-Leonard, que na verdade são amplificadores eletromecânicos, que permitem administrar uma grande corrente de armadura de um gerador de CC, pelo controle da tensão e corrente de campo deste mesmo gerador, com níveis de potencia muito menor, a grande

dificuldade da época.

LVP / FD

Laminadores de metais, geradores de energia elétrica em usinas hidroelétricas, elevadores, maquinas rotativas de alta potencia, entre outros, por muitos anos, foram usuários desta tecnologia até sua substituição por circuitos de estado solido a partir dos anos 60. Anterior ao surgimento dos dispositivos semicondutores de potencia algumas soluções foram utilizadas com razoável resultado, porem a partir dos anos 60 uma grande modificação nos conceitos de controle foi imposta pelo desenvolvimento dos semicondutores, iniciando pelos SCR e posteriormente, GTO, MOSFET e IGBT. Concluímos que a área de Eletrônica de Potência apresenta uma importância bastante grande na engenharia, pois cabe a ela, a interface entre o controle gerado por uma eletrônica e o resultado observado na carga, sejam eles fornos elétricos, motores AC ou DC banhos galvânicos, etc.

fornos elétricos, motores AC ou DC banhos galvânicos, etc. Nos tempos atuais, os controles de transferência

Nos tempos atuais, os controles de transferência de potencia entre fonte e carga, possuem duas filosofias de atuação, que são:

ü Controle a partir de fontes AC

ü Controle a partir de fontes DC

Em função da necessidade técnica das cargas a serem instaladas, por vezes se modifica a energia recebida para o funcionamento dos equipamentos. Atualmente podemos com facilidade obter as conversões abaixo com as técnicas da eletrônica de potencia:

LVP / FD

1 5 AC DC 2 3 4
1
5
AC
DC
2
3
4

Eletrônica Industrial

1 - Conversão AC – DC (Retificadores com ou sem controle)

Conversão utilizada quando a carga exige potência em DC (controlada ou não). Aplicação para potencia não controlada são banhos de galvanoplastia ou ainda processos de solda por arco elétrico onde se requer grande corrente com baixas tensões, mas a variação das grandezas não é importante. Para retificadores controlados podemos citar motores de corrente continua com variação de velocidade, com grande aplicação em industrias onde é necessário a regulação de velocidade.

2 – Conversão DC –DC (Chopper)

Conversão necessária quando a carga exige potencia DC com um grau de refino muito elevado. O melhor

exemplo desta aplicação é o controle de velocidade maquinas de tração (trens ônibus, metro, etc.), onde o processo de aceleração e frenagem deve ser bastante suave (lineares) a fim de proporcionar sensação de conforto aos passageiros

3 – Conversão DC – AC (Inversor Controlado)

Conversão aplicada quando a carga a ser alimentada exige potencia AC controlada, com tensão fixa e freqüência variável. Como exemplos, motores de indução AC que associados a estes conversores passam a

ter sua velocidade regulável, encontrando diversas utilizações industriais, substituindo motores DC com menor custo.

4 – Conversão DC – AC (Direta ou sem controle)

Conversão aplicada quando a carga a ser alimentada exige potência AC senoidal geradas normalmente a partir de um banco de baterias. Uma aplicação bastante usual é No-break, cuja principal função é manter sistemas com alimentação na ausência ou falha do fornecimento de energia.

5 – Conversão AC – AC (Ciclo conversor)

Conversão aplicada quando a carga a ser alimentada exige potência AC controlada com tensão e freqüência variáveis. A principal aplicação é em Servomotores AC muito utilizado em fuso de Controle Numérico ou em Tornos CNC Para tanto ao final deste curso estaremos aptos a transformações de energia em função das necessidades básicas e recursos disponíveis.

Estudaremos circuitos e aplicações que utilizam fonte de energia em AC ou DC, mas para tanto devemos observar ainda um conceito bastante importante referente à forma de utilização dos componentes de controle nos circuitos.

Fonte linear Condição empregada ao semicondutor onde temos sobre ele, tensões e correntes de elevado valor causando ao componente uma determinada perda de potência. Analisando um caso particular, faremos uma comparação entre uma fonte de tensão linear regulada a transistor e uma fonte chaveada. A fim de se obter uma boa regulação de tensão em uma fonte linear de tensão, partimos de um transformador que retificado e filtrado, fornece um valor DC de amplitude maior que a desejada de saída. Esta tensão é aplicada ao coletor de um transistor TJB que recebendo uma referencia de base, nos fornece a tensão desejada de saída, regulada e livre de riplle, ruídos e variações, conforme esquema abaixo.

LVP / FD

Tensão de

Entrada

X Volts

Tensão sobre TJB (X-Y) Volts

Circuito de Comando
Circuito de
Comando

Tensão de

Saída

Y Volts

O TJB em um circuito linear terá uma dissipação de potência:

P

c

=

V ce

xI

c

=

( X Y ) I

-

c

A fim de exemplificar numericamente consideraremos o caso abaixo:

Para uma fonte de 200 Volts, que alimenta uma carga de 5 ohms, regulada por um TJB no esquema anterior, podemos calcular a potencia entregue a carga e dissipada sobre o TJB e rendimento do sistema quando a

tensão sobre a carga for de 200 v, 100 v, 50 v e 0 v.

   

Potencia na

   

Tensão

Corrente

 

Potencia no TJB

Rendimento

 

carga

 
 

V L

   

P L

 

V L

I L

=

Resist

P

L

=

V LL xI

P

TJB =

(V T

-

V LL )xI

h =

P

L

+

P

TJB

200

V

 

40

A

 

8000

W

 

0 W

 

100 %

 

100

V

 

20

A

 

2000

W

 

2000

W

 

50

%

 

50

V

 

10

A

 

500 W

 

1500

W

 

25

%

 

10

V

 

2 A

 

20 W

 

380 W

   

5 %

 

Pela tabela acima fica fácil de observar que o rendimento de uma fonte linear pode se tornar muito pequeno quando necessitamos de baixa tensão sobre a carga. Problema obrigou o desenvolvimento de outras tecnologias que permitam melhor aproveitamento da energia, não só por economia como também por não necessitar retirar este calor dissipado pelos componentes nos circuitos.

Fonte Chaveada Em uma fonte chaveada, um TJB trabalha em seus extremos de corte e saturação, ou seja, se estamos

saturando o TJB para que ele esteja conduzindo a máxima corrente, sua tensão de Vce = Vce sat de forma que

a potencia dissipada neste instante será muito baixa, qualquer que seja o valor de corrente a tensão de

saturação do TJB é da ordem de 0,3 V, sendo o produto muito pequeno. No extremo oposto, com o TJB em corte, temos Vce =Vce max , porem a corrente neste instante será próxima a

zero (corrente de saturação reversa) e novamente o produto de tensão x corrente, será de baixo valor. Devemos lembrar ainda que nestas condições existam ainda perdas por chaveamento que serão estudadas posteriormente. Operando um TJB com uma freqüência elevada para que a carga não perceba estar recebendo um sinal

alternado e controlando a relação entre o tempo ligado e o tempo desligado dentro de um ciclo de trabalho, podemos variar o valor médio da tensão entregue a carga sem termos as perdas apresentadas por uma fonte linear.

A utilização de semicondutores como chave permitem a construção de equipamentos de maior potencia de

saída, para um mesmo componente de controle, por isto tem sido modernamente de maior utilização em

eletrônica industrial.

LVP / FD

Eletrônica Industrial

Eletrônica Industrial Nos tempos atuais, com o avanço da eletrônica dos semicondutores, os circuitos utilizados em

Nos tempos atuais, com o avanço da eletrônica dos semicondutores, os circuitos utilizados em eletrônica industrial são basicamente projetados sobre componentes trabalhando como chaves, seja sincronizado pela rede, como no caso dos retificadores chaves estáticas, etc. ou nos inversores, chopper’s e outros circuitos que trabalham em freqüências mais elevadas e independem do sinal de 60 Hz da rede, que passaremos a estudar a partir do módulo 6.

LVP / FD

Eletrônica Industrial

2° Modulo

Circuitos em AC

1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO

1

1 INTRODUÇÃO

INTRODUÇÃO

1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
Industrial 2° Modulo Circuitos em AC 1 INTRODUÇÃO CIRCUITOS 2 CONVERSÃO 3 MOTORES 4 EM AC
Industrial 2° Modulo Circuitos em AC 1 INTRODUÇÃO CIRCUITOS 2 CONVERSÃO 3 MOTORES 4 EM AC
Industrial 2° Modulo Circuitos em AC 1 INTRODUÇÃO CIRCUITOS 2 CONVERSÃO 3 MOTORES 4 EM AC
CIRCUITOS 2 CONVERSÃO 3 MOTORES 4 EM AC DE ENERGIA ELÉTRICOS 5 COMPONENTES CARGAS 6
CIRCUITOS
2
CONVERSÃO
3
MOTORES
4
EM AC
DE ENERGIA
ELÉTRICOS
5
COMPONENTES
CARGAS
6
10
CARGAS
DC
AC
14
CARGAS
ESPECIAIS
RETIFICADOR
7
RETIFICADOR
8
CHAVE ESTATICA
11
NÃO CONTROL.
CONTROLADO
E
1Ø E 3Ø
1Ø E 3Ø
SOFT START
9
15
12
INVERSOR
13
INVERSOR
CHOPPER
CONTROLE
DE
DE
TENSÃO
FREQUENCIA

Neste capitulo faremos uma breve revisão em sinais senoidais e o comportamento de componentes sob este regime de alimentação. Partindo do principio básico que no território Brasileiro o tipo de transmissão elétrica predominante é o trifásico alternado senoidal (AC 3Ø), que após tratamentos adequados, é entregue ao consumidor como abaixo, sendo esta a energia disponível industrialmente para energização e controle de processos. Mesmo modelos de controle mais modernos, como inversores de freqüência, geram sinais de freqüência variável a partir de sinais DC, que na realidade são obtidos a partir de um sinal AC monofásico ou trifásico, o que justifica a necessidade de revisão dos conceitos de sinais senoidais.

LVP / FD

Consumidor

Tipo

Tensões Usuais

Residencial

Monofásica (1Ø)

110 e 220 V ef

Industrial (até 75 KVA)

Trifásica (3Ø)

220 330, 440 e 760 Vef

Comportamento de dispositivos básicos R, L e C a uma fonte AC

Resistência Dentro de limites normais de operação, independente da freqüência de trabalho, uma resistência elétrica não varia seu valor ôhmico quando alimentada por tensões ou correntes senoidais.

Sendo

V = V max

senwt , podemos deduzir:

I

V

==

V

max

sen t

w

V max

=

RR

R

sen t

w =

I

max

sen t

w

onde I

max

V max

=

R

No gráfico abaixo observamos que em um circuito puramente resistivo a tensão e a corrente estão em fase, sendo a relação entre seus valores instantâneos determinados pela lei de ohm.

I

V=Vmax sen Wt R
V=Vmax sen Wt
R

V

determinados pela lei de ohm. I V=Vmax sen Wt R V Indutância Sabemos que o valor

Indutância Sabemos que o valor da impedância de um indutor é proporcional ao valor da freqüência de operação, portanto quanto maior a freqüência, maior também será a impedância apresentada pelo indutor. Mas também é sabido que em regime senoidal, o indutor tem a propriedade de impor uma defasagem entre tensão e corrente, é comum ouvir que um indutor “atrasa a corrente” com relação à tensão. Este efeito deve ser bastante observado nos circuitos de eletrônica de potência, pois a partir do momento que analisamos circuitos em regime DC, esta propriedade se reflete na verdade como sendo a propriedade de armazenar energia na forma de campo eletromagnético (um capacitor armazena energia na forma de campo elétrico), que será estudado mais adiante.

V

L

LVP / FD

L

d

i

==

t

d

L

d

t

d

(

I

m

ax

sen t

ww

=

)

L

(

I

m

ax

cos

t

w

)

Þ

ì

ï

í

ï

î V L

VL L

=

w

I

=

V

m

ax

m

ou

sen

ax

(

cos

t

w

t 90

w

)

Eletrônica Industrial

Pelo equacionamento acima observamos que a tensão esta adiantada de 90° em relação a corrente ou a corrente esta atrasada de 90° em relação a tensão, e que a impedância de um indutor em uma determinada freqüência é dada por:

I L

V L
V
L

LVP / FD

X

L

V L

V max

=

I m ax

= w

Lj

de um indutor em uma determinada freqüência é dada por: I L V L LVP /

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

5° Módulo

Componentes

1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO

1

1 INTRODUÇÃO

INTRODUÇÃO

1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
1 INTRODUÇÃO
não controlados 5° Mód ulo Componentes 1 INTRODUÇÃO CIRCUITOS 2 CONVERSÃO 3 MOTORES 4 EM AC
não controlados 5° Mód ulo Componentes 1 INTRODUÇÃO CIRCUITOS 2 CONVERSÃO 3 MOTORES 4 EM AC
não controlados 5° Mód ulo Componentes 1 INTRODUÇÃO CIRCUITOS 2 CONVERSÃO 3 MOTORES 4 EM AC
CIRCUITOS 2 CONVERSÃO 3 MOTORES 4 EM AC DE ENERGIA ELÉTRICOS 5 COMPONENTES CARGAS 6
CIRCUITOS
2
CONVERSÃO
3
MOTORES
4
EM AC
DE ENERGIA
ELÉTRICOS
5
COMPONENTES
CARGAS
6
10
CARGAS
DC
AC
14
CARGAS
ESPECIAIS
RETIFICADOR
7
RETIFICADOR
8
CHAVE ESTATICA
11
NÃO CONTROL.
CONTROLADO
E
1Ø E 3Ø
1Ø E 3Ø
SOFT START
9
15
12
INVERSOR
13
INVERSOR
CHOPPER
CONTROLE
DE
DE
TENSÃO
FREQUENCIA

LVP / FD

Modulo 4 / 1

4
4

Neste modulo estaremos dedicando um pouco de nossos estudos a verificar os principais componentes

utilizados em eletrônica industrial, para fabricação de retificadores controlados ou não controlados, inversores de tensão e de freqüência, chopper’s, chaves estáticas, etc. São eles basicamente:

ü Diodos

ü Transistores

ü SCR

ü GTO

ü MOSFET

ü IGBT

ü DIAC

ü UJT

ü PUT

ü Geradores de disparo TCA785

DIODO SEMICONDUTOR São dispositivos construídos por uma junção PN que permitem a passagem da corrente em um único sentido e bloqueiam a corrente no sentido inverso. O símbolo e a característica externa são representados abaixo:

A
A

V

I Vi V I V V
I
Vi
V
I
V
V

Em eletrônica de potência, onde trabalhamos com altas tensões e altas correntes, valores de V g ou Vd bem

como corrente de condução reversa são de valores muito pequenos face aos valores diretos que podem ser desprezados. Desta forma podemos tratar o diodo como um componente ideal, ou seja como uma chave fechada na região direta de condução e como uma chave aberta na região reversa de trabalho.

e como uma chave aberta na região reversa de trabalho. Um diodo real apresenta uma queda

Um diodo real apresenta uma queda de tensão (Vd < 1 V) no sentido direto para a corrente nominal (Id) e uma pequena corrente inversa (Ir) no sentido reverso. Esta corrente reversa é geralmente varias vezes menores que a corrente nominal.

LVP / FD

Modulo 4 / 2

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

O diodo de silício é o que apresenta melhor desempenho sendo por isto utilizado em larga escala, salvo em

raras ocasiões de aplicações especiais.

Em geral diodos suportam grandes sobrecargas no sentido direto por curtos intervalos de tempo, porém se sua

tensão reversa ultrapassar o limite máximo permitido (Vim) acarretará na destruição do dispositivo.

permitido (Vim) acarretará na destruição do dispositivo. 4 Catodo na Carcaça (Normal Anodo na Carcaça (Reverso)
4
4

Catodo na

Carcaça

(Normal

Anodo na

Carcaça

(Reverso)

Como as atuações dos dispositivos não são instantâneas, os fatores que provocam aquecimento são as

potencias dissipadas na passagem do estado de bloqueio para o estado de condução e principalmente do

estado de condução ao de bloqueio. Em freqüências industriais (60 Hz) estes fatores podem ser

desconsiderados, porem quando o regime for de alta freqüência ou de regime pulsado, devem ser

consideradas as perdas na comutação pela queda do rendimento global no sistema. Para estas aplicações

existem os diodos rápidos. Os tempos de comutação são também chamados de “tempo de recuperação.”

Principais valores de referência de um diodo

Tensão de pico reversa

æ

ç

è

V rev

max

ö

÷

ø

É o valor da máxima tensão de pico inversa (peak inverse voltage PIV) que um diodo suporta sem atingir a

ruptura e danificar. Com a ultrapassagem do valor máximo da tensão reversa, o diodo dará inicio a condução

de corrente no sentido oposto e irá se danificar instantaneamente. Tambem conhecido como tensão de pico

reversa (peak reverse voltage PRV) ou tensão de ruptura (breakdown voltage Vbk)

Corrente direta máxima

æ

ç

è

I

d

max

ö

÷

ø

É a máxima corrente que o diodo poderá suportar na condição de polarização direta. Comercialmente

podemos encontrar diodos de até centenas de àmperes, porem devemos considerar o alto custo destes

componentes sendo muito cuidadoso no seu dimensionamento.

Tempo de recuperação reversa

(

T r r

)

O tempo que um diodo necessita para troca do estado de condução para o estado de bloqueio, recebe o nome

de tempo de recuperação reversa e este tempo depende de uma recombinação de portadores no substrato de

um diodo.

Considerando que o diodo estava conduzindo inicialmente a corrente Id, quando então teve sua polaridade

invertida, devendo trocar de estado. A corrente Id decresce passando a fluir por ele a corrente Ir para um diodo

reversamente polarizado. Neste instante passa a ocorrer uma recombinação dos portadores de carga

Modulo 4 / 3

LVP / FD

armazenados na junção e o diodo só estará desligado quando acabar a recombinação dos portadores acumulados.

quando acabar a recombinação dos portadores acumulados. Temperatura máxima de junção æ ç è T j

Temperatura máxima de junção

æ

ç

è

T j

max

ö

÷

ø

É a máxima temperatura que a pastilha semicondutora suporta na região de trabalho, normalmente para as

pastilhas de silício é usual a faixa de -40 à +200°C, porem é sempre aconselhável operações em temperaturas abaixo de 60°C onde o semicondutor costuma apresentar melhor rendimento.

Corrente máxima de surto

æ

ç

è

I

s

max

ö

÷

ø

É a máxima corrente instantânea e não repetitiva que a pastilha do diodo pode suportar, sem danificar, durante

um transitório (como um pico de ruído, defeito no circuito, etc.)

Proteções para um diodo.

Sobre tensão Como visto acima, para impedir a queima de um diodo pela máxima tensão reversa, dimensionamos sempre o doido com pelo menos 1,2 vezes a tensão máxima calculada e em alguns casos utilizamos varistores em paralelo para proteção.

Sobre corrente

e em alguns casos fusíveis ultra rápidos.

Recomenda-se a colocação de fusíveis em serie com os diodos para proteção

Transitórios

queima de diodos. É usual a utilização de circuitos de proteção (snubber) que auxilia não só ao diodo como

Desligamento de cargas indutivas podem provocar picos de tensão reversa e

 

V

 

i

também protege a rede de alimentação contra ruídos de tensões e correntes chamados de

t

e

t

.

LVP / FD

contra ruídos de tensões e correntes chamados de ¶ t e ¶ t . L V

Modulo 4 / 4

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Associação de diodos

Conexão de diodos em série Em algumas situações é forçada a associação serie e paralela de diodos para que a montagem suporte o valor da tensão reversa máxima e corrente do circuito. Um claro exemplo disto ocorre na estação osciladora da Eletropaulo que recebe energia da Usina de Itaipu, em 500KV DC e converte

para senoidal trifásica, utilizando SCR´s e diodos.Como não é padrão a fabricação para esta classe de tensão, o circuito é obtido pela associação serie de elementos. Sendo as correntes de fuga diferentes para diodos de mesma característica, sua simples associação serie pode levar a queima do doido de menor corrente de fuga quando reversamente polarizado, pois este apresentará maior resistência reversa e por conseqüência terá a maior queda de tensão reversa sobre si. Garantimos a correta divisão da tensão reversa sobre cada componente, com a associação de resistências paralela a cada diodo, calculadas para conduzirem uma corrente maior que a maior corrente de fuga dos diodos. Lembramos que estas resistências aumentaram as perdas de potencia do circuito, portanto deveram

ter sempre o maior

de potencia do circuito, portanto deveram ter sempre o maior valor possível. Podemos calcular o valor

valor possível.

portanto deveram ter sempre o maior valor possível. Podemos calcular o valor da resistência por: If
portanto deveram ter sempre o maior valor possível. Podemos calcular o valor da resistência por: If

Podemos calcular o valor da resistência por:

If

=

V

D

1

R

I

++

D

1

V D

2

R

+

I D

2

Þ

R

=

VV

12

-

DD

II

D

2

-

D

1

4
4

Lembrando ainda que devido ao tempo de recuperação reverso podem ocorrer surtos de tensão diferentes, colocamos também capacitores em paralelo com as resistências para melhor proteção do circuito, que fica conforme abaixo:

com as resistências para melhor proteção do circuito, que fica conforme abaixo: L V P /

LVP / FD

Modulo 4 / 5

Conexão de diodos em paralelo Sendo a corrente admitida sobre o diodo menos que a corrente que circula no circuito, e a solução obvia não puder ser aplicada (substituição por um de maior capacidade) uma associação paralela pode ser aplicada. Lembrando que o diodo tem um coeficiente negativo de tensão (decréscimo da tensão com o aumento de temperatura, levando ao efeito avalanche) e não podendo garantir a mesma queda de tensão em dois semicondutores iguais, preferencialmente a corrente circulará com maior intensidade por um diodo levando este a queima por sobre corrente e posteriormente os outros componentes ligados em paralelo. Solucionamos este problema ligando em serie com cada diodo um pequeno resistor, chamado resistor de equalização. O bom dimensionamento dos resistores garante que a corrente sobre cada diodo seja igual, permitindo o correto funcionamento da montagem. As perdas Joule imposta pelos resistores, serão consideráveis e sempre que possível devemos optar pela utilização de um diodo que suporte a corrente nominal.

utilização de um diodo que suporte a corrente nominal. Calculamos a resistência R por: V =+
utilização de um diodo que suporte a corrente nominal. Calculamos a resistência R por: V =+

Calculamos a resistência R por:

V

=+

V

11

DD

I

xR V D

=

2

+

I D

2

xR

Þ

R

=

V D

2

V D - I D

2

-

1

I

D

1

TRANSISTORES Devido a problemas de bloqueio em correntes continua dos tiristores, que veremos adiante, têm sido largamente utilizado transistores de potência em retificadores controlados de chaveamento de CC de medias potências. Os transistores de junção são constituídos por duas junções, podendo ser do tipo PNP ou NPN, conforme abaixo, onde na simbologia esta indicada o sentido real das correntes convencionais (positivo)

LVP / FD

 
C P N P E
C
P
N
P
E

( coletor )

B

( base)

 

B

 

( emissor )

C N P N E
C
N
P
N
E
V BC I V EB
V BC
I
V EB
I C I E
I C
I E

V EC

V

V

I C CB I B I BE
I C
CB
I B
I
BE

V CE

Modulo 4 / 6

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Sua utilização básica em eletrônica industrial consiste na montagem como chave, com uma boa eficiência ou como seguidor de tensão, onde observamos uma ótima linearidade, porem uma eficiência bastante pequena, o que tem inviabilizado sua utilização modernamente sendo substituído por fontes chaveadas. A cada valor da corrente de base Ib (com o transistor polarizado na região ativa) corresponde a corrente de coletor ß (ou h FE ) vezes maior, o que torna o dispositivo um amplificador de corrente. O fator ß, varia com a temperatura e principalmente com a corrente de coletor. As principais aplicações dos transistores em nossos estudos são as de amplificar um sinal ou chavear uma

I c carga. No caso do chaveamento impõe-se uma corrente de base tal que =
I c
carga. No caso do chaveamento impõe-se uma corrente de base tal que
=
e utilizando-se transistores
I b
b
chamados “de comutação” a fim de minimizar perdas durante corte e
saturação.
As
principais limitações dos transistores são :
- Tensão máxima de coletor
- Tensão inversa máxima entre base e emissor
- Corrente máxima de base
4
4

- Potencia máxima dissipada no coletor

Para algumas aplicações que envolvem altas correntes com grandes ganhos utilizam-se as montagens “Darlington” como na figura. Neste tipo de montagem, o ganho de corrente é praticamente o produto dos ganhos de corrente dos dois transistores, que nestas aplicações podem estar no mesmo invólucro.

Principais valores de referência de um transistor

Proteções de um TJB Um TJB operando em freqüências elevadas, acaba tendo um aquecimento acima do esperado considerando apenas as perdas de corte e saturação, pois com o acréscimo da freqüência as perdas na região de transição devem ser consideradas e são o principal fator limitante de um TJB.

Sobre corrente Um TJB não pode ter sua corrente Ic Max suplantada pois isto causa a queima do componente. Operar muito próximo a esta região também é desaconselhável devido ao efeito avalanche (aumento da corrente de coletor acarreta no aquecimento da junção que diminui a queda de tensão da junção resultando no aumento da corrente). Fusíveis mesmo que do tipo ultra rápidos não conseguem proteger um TJB da queima por sobre corrente, de modo que a proteção que se mostra mais eficiente neste caso são circuitos limitadores de corrente que atuem eletronicamente na base do TJB, impedindo sua danificação.

Sobre tensão

O TJB não foi concebido para operação com tensão reversa na junção coletor-emissor, portanto para

funcionamento com tensões AC é usual a colocação de um diodo em oposição ao TJB nesta junção Altas tensões sobre a junção coletor-base também podem levar a ruptura desta, um diodo antiparalelo pode

ser utilizado para evitar este inconveniente caso sobre tensões apresentes valores acima da casa dos KV.

LVP / FD

Modulo 4 / 7

Circuito snubber Utilizado para limitar transitórios durante mudanças de estado, o circuito snubber possui a propriedade de

diminuir a taxa de crescimento de tensão

æ

ç

è

V ö

÷

t

ø e de corrente

æ

ç

è

I ö

÷

t

ø protegendo tanto o TJB como a rede de

alimentação.

t ø protegendo tanto o TJB como a rede de alimentação. Tensão de saturação coletor-emissor æ

Tensão de saturação coletor-emissor

æ

ç

è

V ce

sat

ö

÷

ø

É a queda de tensão sobre a junção coletor-emissor do TJB na condição de máxima condução de corrente,

que costuma ser muito pequena (da ordem de 0,3 Volts para TJB de pequenas potencias ate 1 a 2 Volts para TJB de potência). Importante notar que o produto esta queda de tensão pela corrente de coletor determina a potência de coletor do TJB que é na verdade a perda de potência no estado de condução.

Ganho de corrente DC (h

FE

)

É a relação entre a corrente de coletor e acorrente de base no modo de operação em corrente continua.

h FE

= b =

I c

I b

Observamos que diferentemente dos TJB utilizados em pequenas potencias onde ganhos se apresentam com facilidade na casa de 200 vezes, em eletrônica industrial onde se utilizam TJB como chave trabalhando em região de corte e saturação, os ganhos decrescem e se apresentam na faixa de 5 a 50 vezes, sendo bastante comum a aplicação de montagens Darlington para obtenção de maiores ganhos de corrente.

Velocidade de chaveamento O tempo necessário para troca do estado cortado para conduzindo ou conduzindo para cortado, que recebe o nome de tempo de comutação, determina a velocidade de operação do circuito, pois se tentarmos operar em freqüências acima da possível não conseguiremos definir corretamente o estado de saída, bem como aumentaremos demasiadamente as perdas por chaveamento.

LVP / FD

o estado de saída, bem como aumentaremos demasiadamente as perdas por chaveamento. L V P /

Modulo 4 / 8

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Tensão de bloqueio

É a máxima tensão suportada na junção coletor-emissor sem ruptura do TJB. Conhecida comercialmente como

, isto é a máxima tensão entre coletor-emissor com a base aberta. Atualmente existem

V CE SU

ou

V CE 0

TJB comerciais de até 1.500 V de tensão de bloqueio.

Corrente de coletor (

Ic

max

)

É o valor máximo da corrente continua de coletor suportados pelo TJB.

Dissipação de potência (

Pc

max

)

4
4

É o valor máximo da potência de coletor suportada pelo TJB, calculada por Pc = Vce . Ic

Área de operação segura (SOA) Para garantir uma operação segura de um TJB, é definido sobre sua curva Vce x Ic fornecida pelo fabricante, uma região de operação de segurança que se não extrapolada ira garantir a não queima do componente. Esta região é chamada de SOA (Safe operating área = área de operação segura) e pode ser observada no exemplo abaixo.

operação segura) e pode ser observada no exemplo abaixo. TIRISTORES Classe de dispositivos de quatro camadas

TIRISTORES Classe de dispositivos de quatro camadas (PNPN) da qual fazem parte os retificadores controlados (SCR), o Triac, os diodos de quatro camadas e outros. Comumente entende-se por o retificador controlado de potência, cuja configuração de camadas e símbolo estão na figura :

LVP / FD

A (anodo)

P N G (gatilho) P N
P
N
G (gatilho)
P
N
I A IG V G
I A
IG
V G

VA

Modulo 4 / 9

Este dispositivo permite a passagem da corrente, em condições normais, no sentido do anodo para o catodo, desde de que a tensão de anodo seja maior que a tensão de catodo e que haja um sinal de comando (corrente de gatilho) fornecido por uma fonte ligada entre gatilho e catodo. Existem entretanto outros mecanismos que podem levar o dispositivo ao estado de condução . Para entender este efeito, considere o tiristor como uma configuração de dois transistores abaixo :

como uma configuração de dois transistores abaixo : Os possíveis mecanismos de disparo são : I

Os possíveis mecanismos de disparo são :

I B1 ß1 I CO1 I C2 C I C1 I CO2 G ß2 I
I B1
ß1
I CO1
I C2
C
I C1
I CO2
G
ß2
I G
I B2
I C
C

Ação de transistor (comando pelo gatilho) Injetando-se uma corrente adequada I G no terminal de gatilho (G), haverá uma corrente de base do transistor 2 (ß 2 ) que será amplificada (se ß>1) resultando na corrente I C2 de coletor. Esta é praticamente a corrente de base do transistor 1 (I B1 ~I C2 2 .I B2 ), que por sua vez também será amplificada, provocando a corrente I C1 1 .I B1 , sendo esta a nova corrente de base do transistor 2, mesmo após a retirada do sinal original de gatilho. A continuidade do processo demonstra que terminaremos com os dois transistores em condição de saturação, sendo a corrente de anodo limitada apenas pelo circuito externo ao tiristor. Este é o processo normal de disparo.

Energia Radiante Havendo uma janela conveniente no dispositivo que permita a entrada de fótons, esta incidência provocará um aumento no do numero de portadores, levando ao mesmo processo regenerativo descrito. Existem foto-tiristores especiais gatilhados pela luz, processo que garante boa isolação elétrica do circuito de disparo, porem utilizados apenas em circuitos de pequenas potencias.

Tensão

LVP / FD

Modulo 4 / 10

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Ao aumentar-se a tensão de anodo em referencia ao catodo, aumenta-se a energia dos portadores da corrente de fuga, provocando uma avalanche de portadores e por conseqüência surgimento de correntes de polarização

e disparo do tiristor.

Em nossa figura, fazendo-se I G =0, temos para a corrente de anodo a expressão abaixo:

IA = (1+ß 1 ) (1+ß 2 ) (I CO1 +I CO2 )

1-ß 1 . ß 2 Como o ganho de corrente ß dos transistores variam com a corrente, a medida que esta aumenta, haverá um par de valores tal que ß 1 . ß 2 =1 e por conseqüência I A tendera ao infinito, limitado na verdade pelo circuito externo ao tiristor. Este é o processo normal de disparo de um diodo de quatro camadas (Diac), porem não utilizado em tiristores por não ser confiável.

4
4

Taxa de variação de tensão (dv/dt) A Capacitância de junção C representada em nossa figura (correspondente a soma das capacitâncias da junção coletor base dos dois transistores) impõe uma limitação no comportamento dinâmico dos tiristores. Se aplicarmos uma tensão no anodo com uma razão de subida dv/dt, teremos como resultado uma corrente I= C.dv/dt, através da junção. Caso dv/dt seja muito elevado, teremos o mesmo processo regenerativo ocorrendo, que é desaconselhável como processo de disparo.

Temperatura Com temperaturas mais elevadas, a corrente de fuga em uma junção PN dobra a cada 8°C aproximadamente. Estas correntes em circulação pelo nosso modelo podem levar um tiristor ao disparo. Considerando-se este processo de disparo também desaconselhável, devemos sempre buscar o componente em temperatura de trabalho recomendada, sendo um dos recursos utilizados para este fim o dissipador de potencia, abaixo representado.

C (catodo) G (gatilho) A (anodo) na carcaça
C (catodo)
G
(gatilho)
A
(anodo)
na carcaça

Características Externas Estáticas

A figura abaixo ilustra as características estáticas de anodo e gatilho de um tiristor. No primeiro gráfico V DM é a

máxima tensão direta que o tiristor suporta e é aproximadamente igual à tensão inversa máxima V IM (análoga a um diodo comum).

LVP / FD

Modulo 4 / 11

IA

I G2 IE IG1 IM IG0 VIM VA VDM
I
G2
IE
IG1
IM
IG0
VIM
VA
VDM

Características Externas de Anodo

IG Região recomendada VG
IG
Região recomendada
VG

Características Externas de Gatilho

A característica de anodo apresenta uma histerese quanto a corrente nos sentidos de condução e bloqueio,

isto é, a corrente de anodo deve crescer ate o valor I E (corrente de escorva ou “latching current”), para que o dispositivo continue em condução, entretanto o mesmo permanecerá em condução até a corrente de anodo diminuir ate o valor I M (corrente de manutenção ou “holding current”), abaixo da qual o dispositivo passa a condição de bloqueio. No outro gráfico temos as condições de gatilho, considerando-se as condições de temperatura de funcionamento.

Limitações do tiristor

Corrente A corrente máxima de anodo pode ser especificada como média ou eficaz nas formas repetitiva ou não repetitiva. A corrente máxima repetitiva é aquela que o dispositivo deve suportar em regime contínuo desde de que a temperatura seja mantida abaixo da máxima permitida. A corrente máxima não repetitiva é, em geral, especificada sob duas formas, ou seja, corrente de surto como função do numero de ciclos que ocorre e, quadrado da corrente x tempo ( I 2 xt ) para tempos menores que um ciclo de rede, onde t é o tempo de fusão do dispositivo. Para a taxa de crescimento da corrente do dispositivo ( di/dt ), existe também um limite Maximo permitido em virtude do tempo requerido para atingir toda área da junção partindo de uma pequena região onde se inicia o disparo. A densidade de corrente deve ser mantida dentro dos limites permitidos pelo tiristor. Para um tiristor com um di/dt especifico e sujeito a uma tensão V ( no pior caso ) antes do disparo, a fim de se calcular a razão de subida da corrente, é usual colocar-se um indutor em serie no circuito tal que :

usual colocar-se um indutor em serie no circuito tal que : L = V ( di/dt

L

=

V

( di/dt ) especificado Nota-se que L é o valor de indutância que o tiristor enxerga e nem sempre se faz necessário a colocação real deste no circuito, pois normalmente a reatância do transformador de alimentação já é suficiente. Quanto a corrente de gatilho, usualmente a especificação é de corrente continua máxima admitida pelo componente I GT .

Tensão

As

tensões de anodo tanto diretas como inversas também são especificadas como repetitivas e não repetitivas.

O

dispositivo pode suportar continuamente as tensões repetitivas e durante um intervalo de tempo as não

repetitivas. Entretanto é aconselhável proteger o dispositivo contra sobre tensões.

LVP / FD

Modulo 4 / 12

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

A taxa de variação de tensão (dv/dt ) é classificada sob duas formas, a estática e a reaplicada. A estática está

relacionada aos processos de ligação do equipamento e interferências. A reaplicada está relacionada com o “tempo de bloqueio” ( tb ), tempo necessário para que o dispositivo, mesmo com corrente nula, readquira a capacidade de bloquear a tensão direta aplicada ao anodo. Para operação em altas freqüências existem tiristores especiais, que apresentam tempo de bloqueio com cerca de uma ordem de grandeza menor que os tiristores utilizados em freqüências industriais. A figura abaixo ilustra o fenômeno.

IA I Q carga armazenada na junção VA t b 0
IA
I
Q carga armazenada na
junção
VA
t
b
0

t

VD

M

( dv/dt ) Reaplicado

t

4
4

É usual para proteger o tiristor, a utilização de circuitos contra sobre tensão e dv/dt, conforme abaixo.

R T1 L C
R
T1
L
C

VR

O dispositivo VR é utilizado para ceifar picos de tensão direta e inversa para valores acima dos limites. Normalmente utiliza-se um varistor de oxido metálico, diodos bipolares de selênio ou ainda associação oposição serie de diodos zener.

A associação RC é utilizada para limitar a dv/dt. Os valores de R e C são funções da dv/dt máxima, da corrente

inversa de anodo que ocorre no bloqueio, da tensão máxima direta e do valor da indutância do circuito. Devido serem os cálculos de extrema complexidade ( Ver V. Thyristor Handbook – Siemens), é usual a utilização dos pares abaixo:

Potência

R ( W)

C

(mF )

Pequena

100

 

0,1

Média

47

0,5

Grande

20

1,0

LVP / FD

Modulo 4 / 13

Quanto ao eletrodo de gatilho, a tensão inversa é em geral, de apenas alguns volts, o que torna necessário também uma proteção para o gatilho. Na maioria das vezes utiliza-se um diodo serie ou antiparalelo com o gatilho.

Temperatura Existem dois valores limites de temperatura, um valor mínimo para garantir que os esforços mecânicos não danifiquem o semicondutor e um valor máximo até o qual as características elétricas do tiristor sejam mantidas estáveis.

Dissipação de Potência

A potência gerada no interior do tiristor consiste das dissipações somadas nas fases abaixo que ocorrem em

regime normal de funcionamento :

ü Passagem ao estado de condução

ü Condução

ü Passagem ao estado de bloqueio

ü Bloqueio

ü Gatilhamento

As perdas no estado de condução, são em geral, as maiores em operação normal de freqüências industriais.

À medida que operamos com freqüências maiores, crescem as perdas por chaveamento na parcela total do

tiristor, principalmente aquelas de comutação, isto é, passagem ao estado de bloqueio. As perdas no estado de bloqueio, são muito menor que as perdas de condução e as perdas de gatilhamento podem ser desprezadas.

Em regime permanente é fundamental que o calor gerado internamente no tiristor seja transferido para o meio ambiente. Este fenômeno térmico pode ser estudado pelo circuito análogo elétrico da figura abaixo :

P

Tj RT
Tj
RT

T

A resistência RT é denominada resistência térmica ( em °C/W ) e equivale a soma das resistências térmicas R JC (da junção a carcaça ), R CD ( da carcaça ao dissipador ) e R DA ( do dissipador ao ambiente ). O gerador de corrente representa a potencia P gerada internamente ao tiristor. Portanto a elevação de temperatura da junção T J em relação a temperatura ambiente T A é dada por :

DT = P . R T

ou

T J = T A + P. RT

Os valores de R JC e R DA são fornecidos pelo fabricante. Para melhor eficiência do sistema pode-se reduzir o valor de R CD utilizando-se graxas especiais com silicone ou outros compostos térmicos próprios no contato entre dissipador e tiristor. Em outros casos podemos reduzir o valor de R DA com utilização de ventilação forcada e em casos mais extremos, refrigeração com circulação de água.

LVP / FD

Modulo 4 / 14

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

O circuito análogo elétrico da figura é utilizado em regime permanente, porem se o sistema obedecer a um

regime pulsado, outras considerações devem ser tomadas. Caso determinemos o sistema de refrigeração pelo pico, poderemos estar superestimando o sistema ( e por

conseqüência, aumentando custo ), porem se considerarmos a potencia média corremos o risco de subestimar

a elevação de temperatura, levando o tiristor a queima.

Nestes casos, temos fornecido pelo fabricante uma curva denominada “Impedância térmica Transitória ø (Dt)”

que é dependente do tempo de aplicação da potência como ilustra a figura.

ø (°C/ 4 2 1 0 0 0, 0, 1 10 tempo ( 1
ø
(°C/
4
2
1
0 0
0,
0,
1
10
tempo (
1

Neste caso não existe um circuito elétrico análogo, porém ø(t) qualitativamente é função das capacidades térmicas distribuídas, devendo ser consideradas para o calculo final.

Gatilhamento e bloqueio

O gatilhamento é normalmente efetuado de três métodos básicos :

Corrente continua,trem de pulsos ou pulso único Em corrente continua, aplica-se uma fonte de corrente continua ao gatilho cujo valor não deve ultrapassar o valor I GT especificado pelo fabricante ou a potencia máxima permitida no gatilho P G .

Com um trem de pulso de duração t, amplitude P P e período T, impomos a condição de:

P P . t/T = Pp . t . f < P G

A condição mais usual e confiável é o gatilhamento através de um pulso singelo como ilustrado.

I1

gatilhamento através de um pulso singelo como ilustrado. I1 I2 I3 t1 t2 t3 3 I

I2

I3

t1 t2 t3

t1

t2

t3

t1 t2 t3

3 I GT < I 1 < 5 I GT

I 2 > I GT I 3 = I GT

t1 < 1 us t2 ~ 20 us t3 ~ 1 ms

Bloqueio do tiristor

O bloqueio ou corte de um tiristor ocorre espontaneamente quando a corrente se anula. Automaticamente ao

passar pelo zero o tiristor entra na região de corte, que em caso de freqüência industrial, em todo ciclo de

senoide. Caso de operação em corrente continua, será necessária a anulação da corrente através de circuitos de “Comutação forçada”.

LVP / FD

Modulo 4 / 15

Associação de tiristores Em algumas aplicações devido a limitações de componentes somos forçados a associações serie ou paralelo de tiristores. Valem aqui as mesmas considerações efetuadas para associação de diodos. Associação Série Na figura abaixo, ilustramos o problema das características (exagerado) e o sistema de equalização para a associação série.

I (1 (2 I V V
I
(1
(2
I
V
V

Dinâm

Estát

Na figura, havendo uma corrente de fuga Io na associação, haverá diferente queda de tensão em cada tiristor.

Soluciona-se este problema ligando resistores em paralelo com o tiristor ( estático ) e seu valor é dado por :

Rs

<

ns .(E P – E M )

(ns – 1) . Io Max

onde ns são o numero de tiristores em série

E

P é a máxima tensão repetitiva

E

M a máxima tensão sobre a série

Io Max a máxima corrente de fuga

Entretanto é necessária também a equalização dinâmica para a qual se tem :

C

>

( ns – 1 ) . DQ MAX

e

Rd

=

K

.

C / L

 

Ns . E P – E C

1,25 <

K

<1,5

Onde DQ MAX é a máxima diferença de cargas armazenadas ( dado do fabricante )

E

C é a tensão de alimentação por ocasião do bloqueio

L

é a indutância série utilizada para limitar o di / dt

em não existindo, considerar L = 1 uH da fiação própria de circuitos de potencia. Associação Paralela Neste caso devemos garantir correntes semelhantes passando pelos tiristores, para garantir não haver a queima dos componentes.

I/2 I I/2
I/2
I
I/2
(2) I I2 (1) I1 Vd V
(2)
I
I2
(1)
I1
Vd
V

Basicamente a equalização consiste de um transformador de relação 1:1 com cada tiristor ligado em série, obrigando as correntes a serem iguais. O transformador deve absorver DV/2f ( volts - segundo ) onde, DV é a diferença de tensões máxima entre tiristores em condução e f a freqüência de operação.

LVP / FD

Modulo 4 / 16

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Circuitos para disparo de Tiristores

Tiristores necessitam para seu funcionamento o pulso de disparo sincronizado com a rede de alimentação obtido por diversas maneiras e circuitos. Uma gama bastante grande de geradores de disparo existente no mercado podem ser utilizadas, e descreveremos abaixo alguns casos bastante comuns de utilização industrial

UJT Incluiremos ainda neste capitulo, alguns componentes utilizados em conjunto com tiristores, como o UJT (Transistor Uni Junção), Diac e TCA 785

O UJT é um dispositivo semicondutor de três terminais e encapsulamento semelhante a um transistor de baixa

potência, um emissor E e duas bases B1 e B2 (também chamado de diodo de dupla base), com características abaixo representadas :

B2 Ie IB2 E B1 Ve
B2
Ie
IB2
E
B1
Ve

Vbb

Ve Vp2 Vp1 Vbb2 Vbb1 Vv diodo EB1 Ip Iv
Ve
Vp2
Vp1
Vbb2
Vbb1
Vv
diodo EB1
Ip
Iv
4
4

Como V BB ~ 0, o dispositivo apresenta uma região de resistencia negativa entre E e B1 o que lhe permite funcionar como um oscilador de relaxação (gerador de pulso) cuja configuração tipica é o da figura abaixo :

V

R Rb2 + Rb1 C
R
Rb2
+
Rb1
C

tipica é o da figura abaixo : V R Rb2 + Rb1 C Vbb Vb1 Ve

Vbb

Vb1tipica é o da figura abaixo : V R Rb2 + Rb1 C Vbb Ve Vp

Ve Vp Vv t Vb1 t
Ve
Vp
Vv
t
Vb1
t

Fazendo-se os resistores Rb2 ~ 500 W e Rb1 ~ 100 W , estes valores são em geral muito menores que a resistência interbases Rbb ~ 10 K W, de modo que podemos assumir então que Vbb ~ V

O

oscilador de relaxação, opera da seguinte forma :

O

capacitor inicia seu ciclo de carga, com corrente limitada pelo resistor R, considerando-se o emissor como

um circuito aberto até a tensão Ve atingir o valor Vp (tensão de pico) característica do componente. Neste instante ocorre praticamente um curto circuito entre E e B1, levando o capacitor a se descarregar por Rb1, ate a tensão do emissor se igualar a Vv (tensão de vale). Neste ponto o UJT volta ao estado de bloqueio, dando inicio a um novo ciclo. Colocando-se um osciloscópio sobre Rb1, observamos um trem de pulso que pode ser utilizado para disparo de tiristores.

LVP / FD

Modulo 4 / 17

O valor da tensão de pico é relacionado com a tensão inter-base por meio da expressão

Vp = h Vbb + Vd ~

h Vbb

Onde Vd representa a queda de tensão no diodo E B1 e a constante h é denominada “relação intrínseca de bloqueio”.

Supondo Vv = C e com uma descarga muito rápida do condensador, em é valido afirmar que o período de oscilação vale :

T = R . C . ln

1

.

1 - h

Porem deve-se observar que em um circuito real, algumas limitações devem ser respeitadas.

O valor Maximo do capacitor C é limitado pela máxima corrente suportada pelo emissor do UJT

fabricante )

( dado do

O

valor de h varia dentro de limites ( maximo e mínimo ) dado pelo fabricante.

O

valor de R também está compreendido em uma faixa limite para garantir a oscilação.

Então vem:

R MAX <

Vbb ( 1 - h MAX ) Ip

e

R MIN > V - Vv Iv

Para aplicações em circuitos industriais, é preciso efetuar o sincronismo com a rede para garantir o gatilhamento e o controle do circuito. Na figura abaixo apresentamos uma configuração típica deste circuito, com dois modos de controle do ângulo de atraso.

R1circuito, com dois modos de controle do ângulo de atraso. Rmin R2 Rmax P1 Dz P2

com dois modos de controle do ângulo de atraso. R1 Rmin R2 Rmax P1 Dz P2
Rmin R2 Rmax P1 Dz P2 Rb2 C
Rmin
R2
Rmax
P1
Dz
P2
Rb2
C
Rb2
Rb2

Sincroniza-se o circuito, utilizando-se o sinal senoidal retificado em onda completa e ceifado pelo diodo zener, garantindo assim que a cada passagem pelo zero o circuito seja reiniciado, em seu atraso de tempo. Verifica- se ainda a diferença de atuação do potenciômetro P1 e P2 para variação do ângulo de disparo do tiristor.

Vz Vp Ø1 Ø2
Vz
Vp
Ø1
Ø2

LVP / FD

Variação de P1

Vz Vp V3 V4 Ø3 Ø4
Vz
Vp
V3
V4
Ø3
Ø4

Variação de P2

Modulo 4 / 18

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

No caso da carga atraves de P2, o capacitor carrega-se rapidamente pelo divisor R2 P2 e após atingir

a tensao de corte de D1 isola este circuito e passa a se carregar atraves de P1, sendo este de maior

impedancia, carrega mais lentamente o capacitor C. Com este metodo, tem-se a vantagem de poder substituir o divisor por um sinal eletrico e deste modo controlar o circuito.

DIAC Outro dispositivo usado geralmente em circuitos monofasicos controlados por tiristores, é o Diac. Basicamente possui a estrutura interna de transistor simetrico funcionando na região de avalanche, abaixo representado :

V I
V
I

NP

N

V I
V
I

PN

P

I - Vr + V Vr
I
-
Vr
+ V
Vr
4
4

Sendo uma aplicação típica do circuito, conforme o esquema abaixo :

Carga R C
Carga
R
C

O capacitor C se carrega através de R até que a tensão no Diac se iguale a tensão de avalanche Vr, instante

no qual o capacitor ira descarregar toda sua energia no tiristor, provocando o gatilhamento e levando o tiristor

ao estado de condução. O ramo RC é então colocado em curto pelo triac, até o momento em que este entrar em estado de bloqueio novamente, que ocorre no instante que a tensão de entrada inicia o ciclo negativo. A partir daí, tudo se repete também neste ciclo.

TCA 785 Baixar o data sheet anexo as notas de aulas os através do link http://www.alldatasheet.com/datasheet-

pdf/pdf/45801/SIEMENS/TCA785.html

MOSFET

LVP / FD

Modulo 4 / 19

Um transistor MOSFET de potência se equivale a um transistor MOSFET de sinal apenas com diferentes valores máximos de tensão e corrente. Classe de transistores de alta velocidade de chaveamento e alta impedância de entrada e para faixa de medias potencias (1 a 2 KW no máximo). Tem utilização bastante consagrada em fontes chaveadas de micro computadores, apresentando uma alta eficiência, boa freqüência de operação e baixo custo. Encontramos comercialmente MOSFET de canal N e canal P, porem os MOSFET canal N são mais comerciais e possuem valores de tensão e corrente mais amplos que os canal P. A representação esquemática é vista a seguir:

canal P. A representação esquemática é vista a seguir: Analisaremos o funcionamento de um MOSFET canal

Analisaremos o funcionamento de um MOSFET canal N e para um de canal P será o mesmo com tensões inversas (como no estudo de TJB NPN e PNP). O terminal de dreno deve ser positivo em relação ao terminal fonte para permitir condução de corrente no

sentido dreno-fonte. Com aplicação de um pequeno potencial positivo na porta em relação a fonte V 0

GS ñ

ocorre condução de corrente entre dreno e fonte. Com tensão V

GS =

0 a condução de corrente cessa e o

MOSFET apresenta o estado de corte de corrente. Em outras palavras controlamos o estado de corte e saturação como em um TJB pelo controle de tensão de porta. Em ambas condições, sendo a resistência de entrada extremamente alta, a corrente de porta será muito baixa, considerada desprezível, que difere de um TJB que necessita de uma considerável corrente de base para comandar a corrente de coletor. Apresentando um tempo de resposta bastante baixo, permite operação em alta freqüência (acima de 100 kHz), sem consideráveis perdas de potência, suas perdas de comutação são muito baixas.

As perdas no corte são também desprezíveis, porem sua tensão V GS no estado de condução é

consideravelmente alta, cerca de 4 Volts, próximo a corrente nominal de condução, o que torna suas perdas de condução um limitante de operação em altas potencias.

Proteções para um MOSFET Como todo componente, devemos observar as máximas condições de operação de um MOSFET respeitando estes limites, para evitar sua danificação.

Sobre tensões Quando em condução, sobre tensões maiores que a especificada não afetam um MOSFET, porem no estado de bloqueio uma sobre tensão nos terminais de dreno-fonte ou porta-fonte pode levar o componente a ruptura.

LVP / FD

Modulo 4 / 20

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Evitamos este inconveniente dimensionando o componente com uma tensão de ruptura maior que o valor da fonte de alimentação do circuito. Como garantia algumas vezes são encontrados varistores (resistências não lineares) em paralelo com a alimentação para garantir eventuais surtos.

Sobre corrente Correntes acima da capacidade de condução de um MOSFET causam aquecimento na junção acima do suportável (em geral da ordem de 150°C), levando o componente a queima. É usual dimensionar um MOSFET para trabalho a 75% de sua capacidade máxima. Este dimensionamento garante um fator de segurança normalmente garante eventuais surtos de corrente imprevistos, alem das proteções padrão como limitador eletrônico de corrente, dissipador, ventilação forçada e outros.

Área de operação segura (SOA)

As principais limitações de um MOSFET são corrente máxima de dreno

I D

max

e máxima tensão dreno-fonte

V DS

max

que o componente pode suportar. Potência máxima que permita a junção trabalhar com

4
4

temperatura aceitável também limita a área de trabalho. Uma SOA típica de um MOSFET é apresentado abaixo.

também limita a área de trabalho. Uma SOA típica de um MOSFET é apresentado abaixo. L

LVP / FD

Modulo 4 / 21

Associação de MOSFET

Associação série Como na associação de diodos podemos ligar MOSFET em serie com objetivo de aumento da tensão de isolação, mantendo a necessidade de resistores em paralelo para garantir a divisão de tensão proporcional entre os transistores.

Associação paralela Nesta condição, observamos uma facilidade muito maior na associação paralela com MOSFET do que na associação de componentes semicondutores (TJB, diodo, SCR, etc.). Possuindo coeficiente de temperatura positivo, sempre que, em uma associação paralela, a corrente tender a passar preferencialmente por um componente este irá se aquecer e por conseqüência isto fará com que sua resistência aumente. O aumento da resistência faz com que a corrente diminua, resultando numa equalização natural entre os MOSFET, sem necessidade da resistência em serie.

IGBT Transistor bipolar de porta isolada

O IGBT mescla as características do TJB apresentando baixa queda de tensão no estado de condução (ligado)

com um tempo de transição menor que permite operar em freqüências mais elevadas (embora não atinja as freqüências de operação de um MOSFET) e com uma alta impedância de entrada. Comercialmente possui ainda uma gama muito mais ampla de tensões e correntes máximas que um MOSFET. Os IGBT têm substituído os MOSFET com grande vantagem, pois suas perdas de condução que são muito menores para esta classe de componente por apresentar menor Vce sat .

A freqüência de chaveamento de um IGBT é relativamente maior que as de um TJB, porem menores que as de

um MOSFET, portanto ele esta localizado em uma região intermediaria que lhe permite operar em inversores de tensão e freqüência com boa eficiência, se consagrando comercialmente nestes tipos de aplicação. Por não suportar tensão reversa muito alta, é recomendada a colocação de um diodo reverso na junção coletor-emissor para proteção. Esquematicamente um IGBT é apresentado abaixo, sendo encontrado tanto com canal N como com canal P, sendo o primeiro caso, mais comercial.

encontrado tanto com canal N como com canal P, sendo o primeiro caso, mais comercial. L

LVP / FD

Modulo 4 / 22

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

A operação de um IGBT é bastante similar a de um MOSFET. Para impor o estado de condução devemos

aplicar uma tensão positiva na junção gatilho-emissor, quando a junção coletor-emissor irá apresentar o estado

de condução ate um nível máximo de saturação. Suprimindo o sinal na junção gatilho-emissor automaticamente a junção coletor-emissor ira bloquear a condução de corrente.

É bastante comum para circuito de controle relativamente distantes do circuito de potência, forçar um potencial

negativo de V GE , a fim de garantir o corte do IGBT. Tipicamente aplicamos +15 V para condução e –5 V para o corte, porem toda alimentação de porta do IGBT costuma ser isolada eletricamente do restante do circuito.

LVP / FD

Modulo 4 / 23

4
4

3° Módulo

Retificadores Monofásicos não Controlados

3° Módulo Retificadores Monofásicos não Controlados Retificação é o processo de obtenção de corrente continua (DC

Retificação é o processo de obtenção de corrente continua (DC ou CC) a partir da corrente alternada (AC ou CA), onde a partir da onda senoidal que possui um valor eficaz mensurável e um valor médio zero, eliminamos ou rebatemos o semiciclo negativo, obtendo em sinal de valor médio diferente de zero. Um retificador não controlado utiliza apenas diodos como elementos de conversão e não possibilita a variação de tensão de saída, tendo larga utilização como fonte fixa de tensão. A tensão de saída de um retificador não controlado, possui um valor médio de saída embora não esteja livre de sinais alternados, chamados de ondulação, conforme visto no exemplo abaixo para um retificador.

chamados de ondulação, conforme visto no exemplo abaixo para um retificador. L V P / F

LVP / FD

chamados de ondulação, conforme visto no exemplo abaixo para um retificador. L V P / F

Modulo 4 / 24

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Portanto, poderemos calcular para o sinal de saída, seu valor médio e eficaz, dados pelas equações abaixo:

V

med

1

t

ò

t

22 1 f t T

ò

0

(

)

==

T

0

f t dt

(

)

e

V ef

dt

sendo

sen

2

q =

11 -

2

2

cos2

q

Retificador de meia onda, com carga resistiva.

É o mais simples dos retificadores, já que a tensão de saída, somente circula sobre a carga no semiciclo

positivo da senoide, bloqueando o semiciclo negativo no diodo. Desta forma o sinal de saída sobre a carga

apresentará um nível DC, convertido a partir de um sinal AC de entrada.

um nível DC, convertido a partir de um sinal AC de entrada. O valor de tensão
um nível DC, convertido a partir de um sinal AC de entrada. O valor de tensão

O valor de tensão media e eficaz na carga é dado por:

V med

=

1

2

p

p

ò

0

V max

sen d

qq

=

V max

2

p

(

-

cos

q

p V max ) ( 2 ) 0 = 2 p
p V max
)
(
2 )
0 =
2
p

=

V max

p

= 0,318 V max

V ef

2

=

V med

= 0,318

V

max

2

1

2

p

ò

22 sen

V max

2

V

max

d

qq

=

pp

o

p

ò

o

æ

è ç

11 -

22

ö

÷ ø

cos2

q q

d

=

V max

2

2

p

é p p ù æö q æ sen 2 q ö ê ú - ç÷
é
p
p
ù
æö
q
æ
sen
2
q
ö
ê
ú
-
ç÷
ê
ú
èø 2
ç è
4
÷ ø
0
0
ë
û

LVP / FD

V ef

2

=

Þ- ç÷ ê ú èø 2 ç è 4 ÷ ø 0 0 ë û L

V max = V ef 2
V max
=
V ef
2

Modulo 4 / 25

4
4

Conseqüentemente podemos também calcular as correntes media e eficaz, por:

I m ed

=

I ef

V med

0,318

V max

 

=

R

R

V ef

V max

 

=

=

R

2

R

Para Dimensionamento do diodo, devemos considerar a máxima corrente media direta suportada e a máxima tensão reversa, neste caso nossos limites para o diodo serão:

V diodo

ñ

V max

eI

diodo

ñ

V max

2 R

Exemplo: Para um retificador não controlado de ½ onda, alimentado por uma tensão de 100 Vef e carga de 12 Ω, determinar:

ü Tensão máxima na carga

ü Tensão media na carga

ü Tensão eficaz na carga

ü Corrente máxima na carga

ü Corrente media na carga

ü Corrente eficaz na carga

ü Dimensionamento do diodo

LVP / FD

VV max

ef

ü Dimensionamento do diodo L V P / F D VV max ef == 2 100

==

2 100 1,414 141,4

x

=

Vx0,318 med 141,4 44,96 V

=

=

141,4 = 70,7 V V ef = 2 141,4 I = = 11,78 A max
141,4
=
70,7
V
V ef =
2
141,4
I
=
=
11,78
A
max
12
44,96
I
=
3,74
med =
12
70,7
I
=
5,89
A
ef =
12
150Vx 6 A

A

V

Modulo 4 / 26

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Retificador de meia onda, com carga indutiva. Durante o semiciclo positivo o funcionamento do circuito é o mesmo da carga resistiva em termos de tensão,

porem durante este período a carga indutiva irá armazenar tensão na forma de campo magnético em seu núcleo e também atrasar a corrente de carga em relação ao circuito puramente resistivo. Observe que agora o valor máximo de corrente não ocorre com o máximo de tensão e sim após uma defasagem de tempo.

A partir do instante em que a tensão de entrada não pode mais suprir o circuito de energia, o indutor passa a

fornecer corrente para a carga, devolvendo a energia armazenada. Para garantir este efeito o indutor cria uma

FCEM (força contra eletromotriz) que ira manter o diodo em condução pois sua polarização permanecerá direta, até que cesse a carga contida no indutor. Quando a corrente chegar a zero, automaticamente o diodo será bloqueado e o circuito permanecerá neste estado até o próximo semiciclo positivo. Aumentando a indutância aumentaremos o período em que o diodo

se mantem em condução ( aumentodos angulos θeφ ). Supondo um indutor muito grande L ® ¥ , a

corrente na carga tenderia a se tornar plana e a tensão sobre a carga seria uma copia da tensão de entrada. Portanto para cargas indutivas de alto valor, teremos a tensão media na carga diminuindo.

de alto valor, teremos a tensão media na carga diminuindo. O valor médio de tensão na
de alto valor, teremos a tensão media na carga diminuindo. O valor médio de tensão na

O valor médio de tensão na carga é dado por:

Onde qpf=

+

LVP / FD

V med = V

max

2π

(

1 cos α

)

, é o ângulo total de condução e depende dos valores de L e R.

Modulo 4 / 27

4
4

Para circuitos com alta carga indutiva, não calculamos valores eficazes de tensão e corrente, devido ao fator

que sendo a corrente plana para L ® ¥ , temos que seu valor médio e eficaz se confunde, portanto podemos

fazer uso do calculo de valor médio mais fácil de ser obtido.

Retificador de meia onda, com carga indutiva e diodo de retorno. Utilizando o circuito anterior, incluindo um diodo em paralelo com a carga, obtemos um caminho para a circulação da corrente durante o semiciclo negativo da senoide, permitindo desta maneira o bloqueio do diodo de retificação e a conseqüente manutenção do valor médio de tensão na carga. Este diodo de retorno recebe o nome de “Freewheeling Diode – (FWD)”, ou diodo de retorno, pois permite a descarga da energia armazenada

no indutor.

pois permite a descarga da energia armazenada no indutor. Os cálculos de tensão media e eficaz
pois permite a descarga da energia armazenada no indutor. Os cálculos de tensão media e eficaz

Os cálculos de tensão media e eficaz são os mesmos de circuito com carga puramente resistiva, já que a forma de onda não se modifica nestes casos. Para as formas de onda acima, foi considerada com uma indutância alta, mas quando maior o valor de L mais próximo de uma reta plana será a corrente de carga.

Exemplo Para o circuito da figura, sendo Vi = 240 V ef e R = 10 Ω, determinar os itens abaixo, considerando uma indutância muito alta.

os itens abaixo, considerando uma indutância muito alta. L V P / F D V med

LVP / FD

V med =

uma indutância muito alta. L V P / F D V med = 0,318 xx 240

0,318 xx240 2 108V

=

I m ed =

108

/ F D V med = 0,318 xx 240 2 108 V = I m ed

10

=

10,8 A

I ef = I med , pois a corrente é quase constante.

Modulo 4 / 28

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Diodos 340 V x 10,8 A, iguais D1 e D2.

Retificador onda completa com tape central. O retificador de meia onda estudado anteriormente não é de uso pratico, pois fornece um sinal de baixo valor médio, muita ondulação e baixo rendimento. Na pratica são utilizados retificadores de onda completa para alimentação de cargas que necessitam de um sinal continuo não regulado. Podemos obter retificação de onda completa com transformadores de tape central ou por pontes retificadoras, que estudarmos a seguir.

4
4

Retificador onda completa com tape central e carga resistiva. Considerando o circuito abaixo, do retificador de onda completa com tape central e carga resistiva:

de onda completa com tape central e carga resistiva: Temos como principio básico de funcionamento duas

Temos como principio básico de funcionamento duas tensões geradas nos secundários do transformados de mesma amplitude, porem defasadas de 180° no tempo, devido à conexão. Desta forma no semiciclo positivo da senoide de entrada Vi, a tensão sobre D1 será positiva fazendo com que ele esteja em condução, enquanto que D2 estará reversamente polarizado, obtendo sobre a resistência R de carga um semiciclo positivo de senoide. No semiciclo negativo da senoide de entrada, a situação dos diodos será inversa, pois agora a tensão sobre D2 será positiva e ele estará em condução, entregando outro semiciclo de senoide do secundário do

LVP / FD

Modulo 4 / 29

transformador para a carga, porem com a mesma polaridade anterior, obtendo na saída um sinal retificado em onda completa.

Os valores de tensão médio e eficaz, são para este circuito:

V

med

=

1

p

p

ò

0

V

max

sen d

qq

=

V max

p

(

-

cos

q

)

p

0

=

VV max

2

2

(

)

== 0,636 V max

max

pp

V med

= 0,636

V

max

p 2 p 2 é p p ù 2 1 æ 11 ö æö q
p
2
p
2
é
p
p
ù
2
1
æ
11
ö
æö
q
æ
sen
2
q
V max
V max
ö
ê
ú
=
22 sen
qq
d
=
-
cos2
q q
d
=
-
V ef
ò
V max
ò
ç
2
pp
22
p
ê
ú
è
÷ ø
èø ç÷ 2
ç è
4
÷ ø
0
o
o
0
ë
û
2
2
V
æ
p
2
max
V max
V max
=
ç
ö ÷ =
Þ
=
V ef
V ef
p
2
2
2
è
ø

Consequentemente podemos também calcular as correntes media e eficaz, por:

I m ed

=

I ef

V med

R

=

0,636

V max

R

=

V ef V max = R 2 R
V
ef
V max
=
R
2
R

Para dimensionamento dos diodos, observamos que a corrente em cada diodo será metade da corrente total, já que cada diodo conduz um semiciclo e permanece bloqueado o outro. Para a tensão reversa pelo gráfico obtemos 2 Vmax como sendo a máxima tensão reversa do diodo.

2 Vmax como sendo a máxima tensão reversa do diodo. Portanto o diodo será dimensionado por:

Portanto o diodo será dimensionado por:

Para a senoide de entrada no valor máximo do semiciclo positivo, temos na saída do transformador +Vmax no ponto A e –Vmax no ponto C. Estando D1 em condução (um curto) e D2 bloqueado (circuito aberto) teremos entre B e C uma tensão de 2 Vmax, que é a máxima tensão reversa sobre o diodo D2. Para D1 vale o mesmo estudo quando a senoide de entrada estiver no semiciclo negativo.

Id

== I ef

2

V max

2 2 R
2 2 R

e Vd

= 2

V max

LVP / FD

Modulo 4 / 30

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Exemplo Para um retificador de onda completa com tape central e carga resistiva de valor 8 Ω, alimentado com tensão de entrada de 110 Vef e transformador com relação 2:1, obter:

4
4

ü Tensão no secundário do trafo

ü Tensão media na carga

ü Tensão eficaz na carga

ü Corrente media na carga

ü Corrente eficaz na carga

ü Dimensionamento dos diodos

LVP / FD

V

sec

=

Vef 2
Vef 2

2

= 77,8

V

pico

VxV0,636 med 77,8 49,48

=

=

77,8 = 55,02 V V ef = 2 49,48 = 6,18 A I m ed
77,8
=
55,02
V
V ef =
2
49,48
= 6,18 A
I m ed =
8
55,02
I
=
6,88
A
ef =
8
== 6,88
I
3,44
diodo
A xV rev
2

=

77,8 2 155,6

x

=

V

Modulo 4 / 31

Retificador onda completa com tape central e carga indutiva.

A colocação de uma carga indutiva na saída, assim como no circuito de meia onda modifica o valor médio da

tensão e a forma de onda das correntes.

o valor médio da tensão e a forma de onda das correntes. Neste caso, a forma
o valor médio da tensão e a forma de onda das correntes. Neste caso, a forma

Neste caso, a forma de onda de tensão não se altera, porem a forma de onda de corrente não apresenta a menor semelhança com o caso de carga resistiva. Durante a primeira metade do semiciclo positivo, em que D1 esta em condução, a tensão de entrada é copiada para a carga, porem o indutor não permite a brusca variação de corrente na carga, fazendo com que esta suba

lentamente durante o período de 0 à

p 2
p
2

, e armazenado energia nesta fase. No intervalo de

p
p

2 a

p

, a

segunda metade do semiciclo positivo da senoide, energia acumulada no indutor é devolvida ao circuito, mantendo a corrente de carga, relativamente constante. O mesmo processo ocorre durante o intervalo de

p a 2p , que é o semiciclo negativo da senoide, resultando em uma corrente media praticamente constante.

O

O

valor médio da tensão será igual ao da carga resistiva já que a forma de onda é a mesma:

V med =

0,636

V

max

valor médio de corrente que se confunde com o valor eficaz, já que a forma de onda tende a uma reta, será:

I m ed

V med

=

R

=

0,636

V max

R

LVP / FD

Modulo 4 / 32

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Retificador onda completa em ponte e carga resistiva.

Podemos obter uma retificação uma retificação em onda completa também pela utilização de retificadores a diodos, conforme explanação abaixo.

O processo de retificação é obtido a partir do sinal de Vs em dois possíveis caminhos. Quando o semiciclo

senoidal é positivo, temos os diodos D1 e D4 conduzindo, portanto a tensão sobre a carga terá a polaridade positiva na carga, no sentido indicado no desenho. Para o semiciclo negativo ocorre o bloqueio dos diodos D1 e D4 e teremos a condução dos diodos D2 e D3, devido a inversão de polaridade de Vs, porem para a carga Vo a polaridade permanecerá a mesma da anterior, garantindo uma tensão retificada sobre Vo.

4
4
da anterior, garantindo uma tensão retificada sobre Vo. 4 Os cálculos de valores médio e eficaz
da anterior, garantindo uma tensão retificada sobre Vo. 4 Os cálculos de valores médio e eficaz
da anterior, garantindo uma tensão retificada sobre Vo. 4 Os cálculos de valores médio e eficaz

Os cálculos de valores médio e eficaz de tensão e corrente são os mesmos do circuito com tape central e carga resistiva, já que as formas de onda são as mesmas em ambos os casos.

O valor de tensão reversa máxima para o diodo deveríamos dimensionar

V rev =

máxima para o diodo deveríamos dimensionar V rev = V max 2 , porem sendo os

V max 2

, porem sendo os

diodos componentes semicondutores, não podemos garantir que a impedância reversa sejam iguais para os

dois diodos, logo por segurança, adotamos

. Em termos de corrente dimensionamos

V

rev = max

V

I diodo =

I

2
2

ef

LVP / FD

Modulo 4 / 33

Exemplo

com uma resistência de carga de 10 Ω, calcular:

Um retificador de onda completa em ponte, é alimentado por uma tensão de 120Vef x 60 Hz,

ü Tensão máxima de entrada

120

Vx=

max

2 169,7 =
2 169,7
=

V

ü Tensão media na carga

ü Tensão eficaz na carga

ü Corrente media na carga

ü Corrente eficaz na carga

ü Dimensionamento dos diodos

Vx0,636 med 169,7

=

= 107,9 V

V ef =

I

diodo

169,7

2
2

= 120 V

107,9 = 10,79 A I m ed = 10 120 I = 12 A ef
107,9
=
10,79 A
I m ed =
10
120
I
=
12
A
ef =
10
12
==
6
=
169,7
A xV rev
2

V

Retificador onda completa em ponte e carga indutiva. A colocação de uma carga indutiva faz com que as formas de onda de corrente se modifiquem embora as formas de onda de tensão permaneçam inalteradas neste caso.

de onda de tensão permaneçam inalteradas neste caso. L V P / F D A corrente

LVP / FD

A corrente de entrada Ii, não será mais senoidal, mas tenderá a uma onda quadrada devido a existência da carga indutiva. Quanto maior a indutância, menor será a ondulação de corrente, como podemos verificar nos gráficos abaixo.

Modulo 4 / 34

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Notas de aulas Retificadores trifásicos não controlados Com indutância moderada Com indutância muito alta Os
Notas de aulas Retificadores trifásicos não controlados Com indutância moderada Com indutância muito alta Os

Com indutância moderada

Com indutância muito alta

Os valores de tensão media e eficaz,serão os mesmos do circuito puramente resistivo pois a forma de onda também não se altera neste caso, porem para a corrente temos uma forma de onda com pequenas oscilações

ou plana dependendo da indutância, de forma que podemos aproximar sem muito erro, I =I =I =I

o

max ef med .

LVP / FD

Modulo 4 / 35

4
4

Exemplo

110 Vef, sendo a resistência de 10 Ω e L ® ¥ , calcular:

Em um retificador de onda completa em ponte com carga RL é ligado a uma fonte senoidal de

ü Tensão máxima de entrada

110

Vx=

max

2 155,6 =
2 155,6
=

V

ü Tensão media na carga

ü Tensão eficaz na carga

ü Corrente media na carga

ü Corrente eficaz na carga

ü Dimensionamento dos diodos

Vx0,636 med 155,6 98,93 V

=

=

155,6 = 110 V V ef = 2 98,93 = 9,89 A I m ed
155,6
=
110 V
V ef =
2
98,93
=
9,89 A
I m ed =
10
110
I
=
11 A
ef =
10
11
I
==
5,5
=
155,6
diodo
A xV rev
2

V

LVP / FD

Modulo 4 / 36

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

4° Módulo

Retificadores Trifásicos não Controlados

4
4
4° Módulo Retificadores Trifásicos não Controlados 4 Para aplicações em alta potencia é usual a utilização

Para aplicações em alta potencia é usual a utilização de retificadores trifásicos, pois proporcionam muitas vantagens em relação aos monofásicos. O monofásico embora de construção mais simples tem capacidade de potencia limitada e maior ondulação de saída, sendo necessária maior filtragem para mesmo efeito. Em resumo comparativos as principais vantagens de um retificador trifásico.

ü Menor ondulação de tensão de saída, mesmo antes da filtragem

ü Menor período de ondulação (maior frequência) que diminui o filtro de saída

ü Maior nível de tensão de saída a partir de um mesmo nível de entrada

ü Eficiência total mais alta

Todas as montagens efetuadas nos circuitos monofásicos (1/2 onda, Center-tape e em ponte) são permitidas também no trifásico, como veremos.

Retificadores trifásicos de meia onda e carga resistiva O circuito básico de um retificador trifásico de meia onda é muito semelhante ao monofásico, apenas acrescido do transformador, como abaixo.

LVP / FD

Modulo 4 / 1

Referenciando todas as tensões ao neutro, quando Va, Vb ou Vc, assumir o maior valor

Referenciando todas as tensões ao neutro, quando Va, Vb ou Vc, assumir o maior valor entre as três, o diodo ligado a ela estará em condução, copiando para a carga a tensão de saída do transformador. Sendo o transformador alimentado por uma tensão senoidal trifásica teremos cada diodo conduzindo por 120°, ou 1/3 do período total. Desta forma diferentemente do retificador monofásico, a tensão de saída não atinge o valor zero, pois outro diodo entrará em condução antes da tensão se anular. Seu valor médio cresce e a freqüência de oscilação aumenta enquanto que a amplitude de oscilação diminui, fornecendo a carga um sinal de melhor qualidade que o retificador monofásico. Considerando que cada diodo conduz por 120°, teremos que a tensão de saída será a composição das três cristas senoidais com variação de 0,5 Vmax até Vmax. Este circuito recebe o nome de retificador de três pulsos ou de três diodos, já que é repetitivo três vezes a cada ciclo de entrada. Comparado a um retificador monofásico, temos um valor médio de saída maior e uma freqüência de ondulação também maior.

LVP / FD

Vo

med

F

r

=

=

n

p

V

max

sen

æ

è ç

p

n

ö

ø ÷

e neste caso Vo

med

=

0,827

V max

ï

í

ï

F frequencia de ondulação

r

ì

n F onde n numero de pulsos ou de diodos

s

î

F i frequencia da senoide de entrada

Modulo 4 / 2

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Demais considerações a respeito deste tipo de retificador:

ü Caso este retificador seja alimentado diretamente pela rede a tensão referida seria acima será a

tensão de fase, portando para tensão de linha, teremos Vo =0,477V

med

max lin

ü Os

V max

diodos

diodo

estarão

sujeitos

=V linha

lin ü Os V max diodos diodo estarão sujeitos =V linha 2=V fase 3 2 a

2=V fase

Os V max diodos diodo estarão sujeitos =V linha 2=V fase 3 2 a máxima tensão
Os V max diodos diodo estarão sujeitos =V linha 2=V fase 3 2 a máxima tensão

3 2

a

máxima

tensão

de

linha,

ou

seja

ü A corrente de cada diodo será igual a corrente de carga durante um período de 120° e zero durante 240°, portanto neste caso será de 1/3 da corrente de carga, ou genericamente:

I

diodo

=

I

c

arg

a

2

p

n

®

Io

med

=

n V max

p

æ

ç

p

sen

Rn è

ö

ø ÷

= 0,827

V max

R

Exemplo

de 4 fios com 220 V, para uma carga de 20 Ω, determinar:

Para um retificador trifásico ½ onda não controlado com carga resistiva ligado a uma fonte 3 f

ü Tensão máxima na carga

V max

linha

a uma fonte 3 f ü Tensão máxima na carga V max linha =220 2=311V ®

=220 2=311V

® V max

fase

311

=

3
3

=179,6V

ü Tensão media na carga

Vo=0,827x179,6=148,5V

ü Corrente media na carga

ü Corrente máxima na carga

ü Corrente media no diodo

ü Tensão reversa no diodo

ü Numero do pulsos do retificador

ü Ângulo de condução

ü Freqüência de ondulação

I

max

I

=

m ed =

179,6

20

148,5

20

= A

9

I

doido =

7,4

3

V rev

=311V

n = 3

2

p

q ==°

120

3

=

=

7,4 A

2,5

A

F

r =

3 x 60 180 Hz

=

LVP / FD

Modulo 4 / 3

4
4

Retificadores trifásicos de meia onda e carga indutiva Para circuitos com carga RL, ou uma indutância em serie com a resistência, a ondulação de corrente, que já estava sendo aproximada a uma reta nos circuitos monofásicos agora para circuitos trifásicos poderão ser consideradas como retas, pois as amplitudes de ondulação serão menores, as freqüências maiores e por conseqüência a eficiência do filtro aumenta. Para a forma de onda de tensão não haverá modificações, com relação ao circuito resistivo.

haverá modificações, com relação ao circuito resistivo. ü Não havendo nenhuma mudança nas formas de onda

ü Não havendo nenhuma mudança nas formas de onda de tensão, o valor médio de tensão será o

mesmo do caso resistivo V =0,827V

o

med

max

ü A corrente media no diodo, será

I

med diodo

=

I o

med

3

ü Supondo a corrente próxima a uma reta, logo I

med =I ef =I max

LVP / FD

Modulo 4 / 4

Eletrônica Industrial

Notas de aulas

Retificadores trifásicos não controlados

Exemplo

de 4 fios com 220 V, para uma carga de 20 Ω, determinar:

Para um retificador trifásico ½ onda não controlado com carga indutiva ligado a uma fonte 3 f

ü Tensão máxima na carga

ì
ï

í

ï
î