Efecto de carga

El efecto de carga, tambin conocido como regulacin es la prdida devoltaje a medida q

ue aumenta la carga, viene dado por la relacin:
Efecto de carga
El efecto de carga, tambin conocido como regulacin, tiene que ver con el error en la
medicin de un determinado parmetro, cuando se emplea un determinado instrumento que
modifica el sistema a medir. Ejemplos clsicos son las impedancias internas de los equipos
electrnicos, as como una resistencia en paralelo cuando se mide con un voltmetro.
Un caso particular del efecto de carga es el anlisis de la regulacin de una fuente. En ese caso el
efecto coincide con la prdida de tensin a medida que disminuye la carga.

El efecto de carga es tambin conocido como regulacin, sin embargo este es un error que puede ocurrir en
casi cualquier medicin elctrica, esto se debe a que cuando se realiza una medicin con un instrumento este
tiende a extraer una pequea o gran cantidad de energa (dependiendo de las caractersticas del instrumento de
medicin) del circuito que se este midiendo.
Dichos instrumentos poseen el llamado efecto de carga debido a los componentes internos que los componen,
este efecto tambin puede verse influenciado por los componentes externos que conforman el circuito a medir,
un ejemplo de esto son las impedancias internas de los equipos electrnicos, as como una resistencia en
paralelo cuando se mide con un voltmetro

Transistor en corte o en saturacin

El funcionamiento del transistor depende de la

cantidad de corriente que pase por su base.

Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros
terminales; se dice entonces que el transistor est en corte, es como si se tratara
de un interruptor abierto. El transistor est en saturacin cuando la corriente en
la base es muy alta; en ese caso se permite la circulacin de corriente entre el colector
y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado.

La retroalimentacin es un proceso mediante el cual un sistema, puede ser de cualquier tipo,

recibe energa proporcionada por s mismo para as garantizar su funcionamiento. Tracemos
una lnea imaginaria con un punto A y un punto B, la energa, el fluido o el producto avanzan
de A hasta B, pero si se crea un mecanismo para que para que esa mismo producto generado por
a, regrese nuevamente a su origen e impulse una corriente constante, se generara
una retroalimentacin efectiva.

Existen dos tipos de retroalimentacin, la positiva y la negativa, la positiva implica que lo que se
retroalimenta genera incremento, esta variacin har que el sistema funcione mejor y ms rpido.
La retroalimentacin negativa es cuando el sistema inicial no produce la fuerza o empuje necesario por lo
que el sistema que lo complementa mantiene estable la conduccin de energa, evitando que esta desmejore
o desaparezca.

La realimentacin1 2 tambin referida de forma comn como retroalimentacin3 es un

mecanismo por el cual una cierta proporcin de la salida de un sistema se redirige a la entrada,
con objeto de controlar su comportamiento.1 4
Lazo abierto y cerrado[editar]
Existen dos tipos de sistemas principalmente. Los no realimentados o de lazo abierto y los
realimentados o de lazo cerrado. El lazo cerrado funciona de tal manera que hace que el sistema
se realimente, es decir que la salida vuelve al principio para que analice la diferencia y en una
segunda opcin ajuste ms, as hasta que el error es 0. Cualquier concepto bsico que tenga como
naturaleza una cantidad controlada como por
ejemplo temperatura, velocidad, presin, caudal, fuerza, posicin, cuplas, etc. son parmetros de
control de lazo cerrado. Los sistemas de lazo abierto no se comparan a la variable controlada con
una entrada de referencia. Cada ajuste de entrada determina una posicin de funcionamiento fijo
en los elementos de control.

Tipos de realimentacin[editar]
1. Realimentacin positiva: cuando sale del sistema. La cual tiende a aumentar la seal de salida,
o actividad. Ej.: jugando al truco, uno mezcla y luego otro corta, sabe lo que tienen que hacer, si no
lo hace, est saliendo del sistema, lo est cortando. Es cuando la norma se muestra ineficaz y hay
que cambiarla.
2. Realimentacin negativa: es la que mantiene el sistema funcionando. Devuelve al emisor toda
la informacin que necesita para corregir la pauta de entrada. Mantiene el sistema estable y que
siga funcionando.
3. Realimentacin bipolar: La cual puede aumentar o disminuir la seal o actividad de salida. La
realimentacin bipolar est presente en muchos sistemas naturales y humanos. De hecho
generalmente la realimentacin es bipolar, es decir, positiva y negativa segn las condiciones
medioambientales, que, por su diversidad, producen respuestas sinrgicas y antagnicas como
respuesta adaptativa de cualquier sistema.8
Semiconductor (abreviadamente, SC) es un elemento que se comporta como un conductor o
como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o
magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla
adjunta.

Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el plano
por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden
absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura
ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
El proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el estado
energtico correspondiente en la banda de conduccin a un hueco en la banda de valencia,
liberando as energa. Este fenmeno se conoce como "recombinacin". A una determinada
temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se igualan, de modo
que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante. Sea "n" la concentracin
de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple
entonces que:
ni = n = p
donde ni es la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del elemento en cuestin.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente
elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la
banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la
banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2), originando
una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria al campo
elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.
Semiconductores extrnsecos[editar]
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Las impurezas
debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo
de silicio.
Semiconductor tipo N[editar]
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar
el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin
conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores
en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese
el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro,
por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio
adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo
15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb), se incorpora a
la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro
enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado
la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos
con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados
tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est
lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente
tiene una carga elctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P[editar]
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero
de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados
de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido
como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn
son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une
un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla
peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo
de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido
que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.
 As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha
desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un
nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la
excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios,
mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P.
Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo
de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Parmetros Alfa y Beta del transistor de unin bipolar[editar]

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones capaces de
cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la
regin de la base pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el emisor
hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La ganancia de corriente emisor

comn est representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente
continua de colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y es tpicamente

mayor a 100. Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, . La

ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a
colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que
oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta estn ms precisamente determinados por las siguientes
relaciones (para un transistor NPN):

Que es el Beta del transistor?

El parmetro Beta de un transistor bipolar o BJT nos indica la eficiencia del transistor, relacionando
la corriente de colector con la corriente de base, cuanto mayor es el numero de Beta mas eficiente
es el transistor, es decir que con una corriente de base pequea es capaz de entregar una corriente
de colector grande (ganancia de corriente del transistor), en algunos libro se lo suele encontrar como
hfe que tambin se refiere a la ganancia pero analizada desde los parmetros H de teora de
cuadripolos.
Existe otro parmetro conocido como el Alpha del transistor, y hace referencia a la relacin entre la
corriente de colector y la corriente de emisor, cuanto mas cercano a uno sea esta relacin menor
perdida entre los terminales tendr el transistor, Las ecuaciones son las siguientes.
Diodo Zener
El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado1 que se ha construido para que funcione
en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener. El diodo
Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con independencia de que
se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.
Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos similares a
estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes. Adems si el voltaje de la fuente es
inferior a la del diodo este no puede hacer su regulacin caracterstica.

Caractersticas[editar]
Si a un diodo Zener se le aplica una tensin elctrica positiva del nodo respecto a negativa en
el ctodo (polarizacin directa) toma las caractersticas de un diodo rectificador bsico (la mayora
de casos), pero si se le suministra tensin elctrica positiva de ctodoa negativa en
el nodo (polarizacin inversa), el diodo mantendr una tensin constante. No acta como
rectificador sino como un estabilizador de tensin
En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado inversamente para que adopte su caracterstica
de regulador de tensin. En la siguiente figura se observa un circuito tpico de su uso como
regulador de tensin:

Regulador de tensin utilizando diodo Zener

Variando la tensin V a valores mayores que la tensin de ruptura del Zener, Vz se mantiene
constante.
Su smbolo es como el de un diodo normal pero tiene dos terminales a los lados. Se deber tener
presente, que el diodo Zener al igual que cualquier dispositivo electrnico, tiene limitaciones y una
de ellas es la disipacin de potencia, si no se toman en consideracin sus parmetros, el
componente se quema.

Un amplificador operacional, a menudo conocido op-amp por sus siglas en ingls (operational
amplifier) es un dispositivo amplificador electrnico de alta ganancia acoplado en corriente
continua que tiene dos entradas y una salida. En esta configuracin, la salida del dispositivo es,
generalmente, de cientos de miles de veces mayor que la diferencia de potencial entre sus
entradas

Principio de operacin[editar]
Los diseos varan entre cada fabricante y cada producto, pero todos los amplificadores
operacionales tienen bsicamente la misma estructura interna, que consiste en tres etapas:

1. Amplificador diferencial: es la etapa de entrada que proporciona una baja amplificacin del
ruido y gran impedancia de entrada. Suelen tener una salida diferencial.
2. Amplificador de tensin: proporciona ganancia de tensin.
3. Amplificador de salida: proporciona la capacidad de suministrar la corriente necesaria,
tiene una baja impedancia de salida y, usualmente, proteccin frente a cortocircuitos. ste
tambin proporciona una ganancia adicional.1
El dispositivo posee dos entradas: una entrada no inversora (+), en la cual hay una tensin

indicada como y otra inversora () sometida a una tensin . En forma ideal, el

dispositivo amplifica solamente la diferencia de tensin en las entradas, conocida como tensin de

entrada diferencial ( ). La tensin o voltaje de salida del dispositivo est dada por la
ecuacin:

en la cual representa la ganancia del dispositivo cuando no hay realimentacin,

condicin conocida tambin como "lazo (o bucle) abierto". En algunos amplificadores
diferenciales, existen dos salidas con desfase de 180 para algunas aplicaciones especiales.
Lazo abierto[editar]

Amplificador operacional en modo de lazo abierto, configuracin usada como comparador.

La magnitud de la ganancia es, generalmente, muy grande, del orden de 100.000 veces

o ms y, por lo tanto, una pequea diferencia entre las tensiones y hace que la
salida del amplificador sea de un valor cercano al de la tensin de alimentacin, situacin

conocida como saturacin del amplificador. La magnitud de no es bien controlada por el

proceso de fabricacin, as que es imprctico usar un amplificador en lazo abierto como
amplificador diferencial.
Si la entrada inversora es conectada a tierra (0 V) de manera directa o mediante una

resistencia y el voltaje de entrada aplicado a la otra entrada es positivo, la salida

ser la de la mxima tensin positiva de alimentacin; si es negativo, la salida ser el

valor negativo de alimentacin. Como no existe realimentacin, desde la salida a la entrada, el
amplificador operacional acta como comparador.
Lazo cerrado[editar]

Un amplificador operacional en modo de realimentacin negativa.

Si se desea un comportamiento predecible en la seal de salida, se usa la realimentacin
negativa aplicando una parte de la tensin de salida a la entrada inversora. La configuracin
de lazo cerrado reduce notablemente la ganancia del dispositivo, ya que sta es determinada
por la red de realimentacin y no por las caractersticas del dispositivo. Si la red de
realimentacin es hecha con resistencias menores que la resistencia de entrada del

amplificador operacional, el valor de la ganancia en lazo abierto no afecta seriamente la

operacin del circuito. En el amplificador no inversor de la imagen, la red resistiva constituida

por y determina la ganancia en lazo cerrado.

Una forma vlida de analizar este circuito se basa en estas suposiciones vlidas: 2

Cuando un amplificador operacional opera en el modo lineal (no saturado) la diferencia de

tensin entre las dos entradas es insignificante.
 La resistencia entre las entradas es mucho ms grande que otras resistencias en la red de
realimentacin.

Debido a esto, la corriente que pasa por la resistencia es:

Pero la red conformada por las resistencias es un divisor de tensin y como la

corriente no entra al amplificador por presentar en sus entradas resistencias casi

infinitas, entonces esa corriente circula tambin por la resistencia y por ello:

Caractersticas del amplificador operacional[editar]

Circuito equivalente de un amplificador operacional.

Amplificador operacional ideal[editar]

Infinita ganancia en lazo abierto

Infinita resistencia de entrada,

Corriente de entrada cero.
Voltaje de desequilibrio de entrada cero.
Infinito rango de voltaje disponible en la salida.
Infinito ancho de banda con desplazamiento de fase cero.
Rapidez de variacin de voltaje infinita.

Resistencia de salida cero.

Ruido cero.

Infinito rechazo de modo comn (CMRR)

 Infinito factor de rechazo a fuente de alimentacin (PSRR).
Estas caractersticas se pueden resumir en dos "reglas de oro":

En el lazo cerrado la salida intenta hacer los necesario para hacer cero la diferencia de voltaje
entre las entradas.
Las corrientes de entrada al dispositivo son cero.3
Amplificador operacional real[editar]
El amplificador real difiere del ideal en varios aspectos:

Ganancia en lazo abierto, para corriente continua, desde 100.000 hasta ms de 1.000.000.
Resistencia de entrada finita, desde 0,3 M en adelante.
Resistencia de salida no cero.
Corriente de entrada no cero, generalmente de 10 nA en circuitos de tecnologa bipolar.
Voltaje de desequilibrio de entrada no cero, en ciertos dispositivos es de 15 mV
Rechazo de modo comn no infinito, aunque grande, en algunos casos, de 80 a 95 dB.
Rechazo a fuente de alimentacin no infinito.
Caractersticas afectadas por la temperatura de operacin.
Deriva de las caractersticas, debido al envejecimiento del dispositivo.
Ancho de banda finito, limitado a propsito por el diseo o por caractersticas de los
materiales.
Presencia de ruido trmico.
Presencia de efectos capacitivos en la entrada por la cercana de los terminales entre s.
Corriente de salida limitada.
Potencia disipada limitada.

Ganancia lazo abierto

La ganancia lazo abierto es aquella que tiene el amplificador operacional cuando no
existe ningn camino de realimentacin entre la salida y alguna de las dos entradas.
Ver el diagrama inferior. La ganancia lazo abierto del amplificador est dada por la
siguiente frmula:AV = Vsal/Vent
Donde:

AV = ganancia de tensin
Vsal = tensin de salida
Vent = tensin de entrada

Una muy alta impedancia de entrada (por lo general de megaohms).

Una muy alta ganancia de voltaje (por lo general de algunos cientos de miles y ms).
Una baja impedancia de salida (por lo general de menos de 100 ).
6. La tierra virtual es un concepto basado en el hecho prctico de que el voltaje de
entrada
diferencial entre las entradas (_) y (_) es casi (virtualmente) de cero volts, cuando se
calcula como el voltaje de salida (cuando mucho, el de la fuente de voltaje) dividido
entre
la muy alta ganancia de voltaje del amplificador operacional.

En electrnica, un tierra virtual (o tierra virtual) es un nodo de un circuito que se

mantiene a un potencial de referencia constante, sin estar conectado directamente con el
potencial de referencia. En algunos casos se considera el potencial de referencia de la
superficie de la tierra, y al nodo de referencia se llama "tierra" o "tierra" como consecuencia
de ello
en un AO la tierra virtual e un concepto donde existe cero voltaje y considera que las dos
entradas de AO la positiva y la negativa estan a potencial cero. Asi el concepto de tierra
virtual se utiliza como si fuera una tierra sin serlo para el anlisis elctrico del componente.
ya que como sabes entre las terminales existe una impedancia pero aun as se considera
que tiene voltaje cero y no absorte corriente