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-Sn/Si(111)
0.0
0.0
12
"
! "
0.5
-0.5
70 eV
10
8
0.0
0 .0
0.5
-0 .5
6
40 eV
d
4
2
d
0.0
0.0
2
0.5
-0.5 27 eV
0
0.0 0.5 1.0 0.0 0.4 0.8 0.0 0.4 0.8 3 2 1 0
kx (-1) Vector de onda Q (-1) Energa de ligadura
Enero de 2004
II
A mi familia,
de la que forma parte Myriam.
Lo ms importante de mi vida.
IV
ndice general
1. Introduccin y motivacin 1
Acrnimos I
Publicaciones III
Agradecimientos V
CAPTULO 1
Introduccin y motivacin
La Fsica de Superficies es sin duda alguna una de las ramas de la Fsica del Estado
Slido que mayor avance ha experimentado en los ltimos aos. Dicho auge coincide con
los desarrollos tecnolgicos de la dcada de 1960, que permitieron producir por primera
vez Ultra Alto Vaco (UHV). Esta tecnologa, desarrollada en estrecha conexin con la in-
dustria aeroespacial, permite mantener en un volumen reducido una presin similar a la
del espacio entre la estratosfera de la Tierra y la Luna. La tecnologa de UHV ha permitido
conseguir de manera rutinaria superficies con un alto grado de perfeccin y mantenerlas
limpias durante tiempos suficientemente largos para su estudio. Adems, como el nme-
ro de molculas y tomos residuales es nfimo, se pueden utilizar partculas ligeras, por
ejemplo electrones, para el estudio de los diferentes materiales, ya que se conservan prc-
ticamente sin dispersin las trayectorias y la energa de salida entre el emisor y el detector.
Por todo ello, por el desarrollo de diferentes tcnicas de medida basadas en la difraccin
y en la microscopa y por su gran inters tecnolgico y fundamental, la caracterizacin y
el estudio de las superficies han cobrado gran relevancia.
Con anterioridad al desarrollo de tcnicas capaces de proporcionar imgenes en el es-
2 Introduccin y motivacin
pacio real de la superficie de los slidos, tales como el microscopio de efecto tnel (STM),
las tcnicas de difraccin y las espectroscopas electrnicas eran prcticamente las nicas
fuentes de informacin acerca de la estructura atmica y electrnica superficial, el ordena-
miento de los adsorbatos, las desviaciones de la simetra traslacional (defectos en super-
ficie) y las transiciones de fase estructurales en dos dimensiones. Las tcnicas utilizadas
durante este trabajo pertenecen a este conjunto y son bsicamente dos: la espectroscopa
de fotoemisin resuelta en ngulo (ARUPS) y la dispersin de tomos de energa trmica
(TEAS), que especficamente aplicada a tomos de He recibe el nombre de dispersin de
tomos de Helio (HAS), nombre que usaremos de aqu en adelante.
aplica al anlisis en volumen de los slidos y lquidos. En el caso de HAS con energas
trmicas, la interaccin con la nube electrnica de la ltima capa del material es tan fuerte
que impide que los tomos de He puedan penetrar en el interior del slido. Por tanto,
esta tcnica es una de las pocas que es a la vez puramente superficial y no destructiva. Un
gran avance en la tcnica de HAS se consigui a principios de 1980 a raz de la implanta-
cin de la colimacin del haz por medio de un diafragma (nozzle). Este avance se produjo
paralelamente a un importante desarrollo en los conceptos tericos, que permiti un an-
lisis sistemtico de los tomos retrodispersados detectados experimentalmente con esta
tcnica. La posibilidad de modular el haz, mediante un disco giratorio denominado mo-
dulador (chopper), permiti separar las contribuciones de la seal elstica de la inelstica,
lo que posibilit la obtencin de informacin de las propiedades dinmicas superficiales
de la red, esto es, de los estados vibracionales y los modos fonnicos de la superficie.
En el captulo 2 se describirn, tanto terica como experimentalmente, las dos tcnicas
utilizadas en los diferentes experimentos de esta memoria. En el caso de la fotoemisin el
estudio se ha dirigido hacia los estados electrnicos de la banda de valencia, poniendo un
mayor nfasis en los estados electrnicos de superficie, mientras que la tcnica de HAS se
ha empleado para la determinacin de la dinmica vibracional superficial.
En el captulo 3 se estudiar mediante ARUPS el comportamiento del estado de super-
ficie de varios substratos vecinales de Cu(111) con diferentes ngulos de corte. Posterior-
mente, en ese mismo captulo se abordar el comportamiento de dicho estado electrnico
en funcin del recubrimiento de Ag, que da lugar a la formacin de nanoestructuras en
forma de tiras (stripes) alternas de Ag y Cu.
El captulo 4 trata de los sistemas Ge(111) y -Sn/Ge(111) medidos con tcnicas de
tiempo de vuelo (TOF) de HAS. Para Ge(111) se ha parametrizado la forma de la onda de
Rayleigh, resultada que se ha aplicado al sistema -Sn/Ge(111), lo que permite distinguir
el resto de los modos de vibracin superficial existentes. Un estudio terico ha permitido
establecer la relacin de los diferentes modos fonnicos con la naturaleza de la transicin
de fase inducida por temperatura observada en Sn/Ge(111).
El captulo 5 presenta la estructura electrnica del sistema de Sn/Si(111) para bajos re-
cubrimientos estudiada mediante ARUPS. Los resultado obtenidos en este captulo estn
estrechamente relacionados con el captulo anterior, puesto que se trata de sistemas muy
similares, tanto morfolgica como electrnicamente. En el caso de Sn/Si(111) no se ha
observado la transicin de fase, pero los resultados de fotoemisin apoyan la existencia
de orden local (3 3) en el sistema.
El ltimo captulo es un resumen de los resultados ms importantes obtenidos a lo
largo del presente trabajo y concluye esta memoria.
4 Introduccin y motivacin
CAPTULO 2
Este captulo est dedicado a los conceptos tericos que permitirn el anlisis de los
datos, as como a la descripcin de los sistemas experimentales. Las medidas de fotoemi-
sin se obtuvieron en los laboratorios de radiacin sincrotrn de Hamburgo (Alemania)
y Orsay (Francia), mientras que las de dispersin de tomos de He se obtuvieron en el
Instituto Max Planck de Gotinga (Alemania).
Este captulo se divide en dos partes: la siguiente seccin trata de los fundamentos
tericos bsicos de la espectroscopa de fotoemisin resuelta en ngulo y de los requisitos
experimentales necesarios para poder realizarla. La segunda seccin expone de forma
detallada los conocimientos tericos y experimentales necesarios para llevar a cabo la
tcnica de difraccin de tomos de He.
Los tomos de los slidos constituyen un sistema de muchos cuerpos formado por
todos los electrones y ncleos que lo componen. Una aproximacin sencilla para abordar
un sistema tan complejo consiste en despreciar las interacciones entre electrones y supo-
ner que cada uno experimenta un potencial peridico que slo depende de la posicin en
el interior del slido. Esta simplificacin se conoce como aproximacin de un solo electrn.
Amplitud f.o.
Hay otro tipo de estado de superficie que puede penetrar parcialmente dentro del
cristal e hibridarse con los estados de volumen existentes. Este tipo de estado de su-
perficie se conoce como resonancia superficial y puede propagarse dentro del cristal,
aunque su mayor amplitud de probabilidad se encuentra en la superficie.
Para estudiar los estados de superficie, as como la banda de valencia de los distintos
materiales, se necesita una alta sensibilidad superficial. Como se puede apreciar en la
2.1 Espectroscopa de fotoemisin 9
curva universal del recorrido libre medio de la figura 2.2 [17], los electrones cuyas energas
cinticas corresponden al rango ultravioleta (entre 10 y 100 eV) poseen esta propiedad,
pues slo los electrones ms cercanos a la superficie pueden escapar del slido sin sufrir
colisiones en su trayectoria. La fotoemisin en el rango de ultravioleta es por tanto idnea
para el estudio de los estados superficiales y de las bandas de valencia de los diferentes
materiales.
El proceso de fotoemisin es muy rpido, ya que el tiempo de transicin entre los es-
tados electrnicos y el tiempo de escape del electrn es del orden de 1 femtosegundo,
por lo que los dems electrones e iones del slido no tienen tiempo para reordenarse y
cambiar su estado durante dicho proceso. El estado final del sistema se puede modelizar
como una reordenacin electrnica esttica, lo cual permite una simplificacin de los da-
tos y del clculo de la estructura electrnica y se conoce como aproximacin adiabtica o de
Born-Oppenheimer. Esta aproximacin se utiliza asiduamente, a pesar de que el proceso
de fotoemisin real es mucho ms complejo, debido a que no es un proceso de una sola
partcula, sino que entran en juego las interacciones electrn-electrn y electrn-fonn.
En el proceso de fotoemisin un fotn de energa h incide sobre un material y arranca
un electrn, que abandona el slido siempre que su energa sea mayor que la funcin de
trabajo de la muestra . La energa de ligadura es EB = EF Ei , donde EF es la energa
del nivel de Fermi, es decir, la energa mxima de los estados ocupados a 0 K, y Ei la
energa del estado inicial del electrn. La energa cintica Ecin del electrn fotoemitido es
entonces [3]:
Ecin = h |EB | . (2.1)
Primer paso: el electrn es excitado desde un estado inicial propio del volumen a un es-
tado final en el interior del slido tras la absorcin de un fotn. La probabilidad de
este proceso viene dada por el elemento de matriz entre los estados inicial y final,
10 Tcnicas experimentales: teora e instrumentacin
cristal
Ef
Evac
h
EF
V0
Ei
Segundo paso: el transporte del electrn a la superficie slo se produce para aquellos
electrones que tienen un estado final con una componente del momento perpendi-
cular a la superficie significativa. En su camino el electrn puede experimentar coli-
siones elsticas, que no influyen en el balance energtico final y generan efectos de
difraccin e interferencia, o colisiones inelsticas, donde el electrn pierde parte de
su energa en la excitacin de plasmones, en la creacin de pares de electrn-hueco
o en la excitacin de los fonones de la red.
Tercer paso: la salida del fotoelectrn del slido se produce tras atravesar la superficie,
lo cual supone cruzar la barrera de potencial V0 . Esta prdida de momento provoca
un cambio en la direccin de escape del electrn (refraccin), que habr de tenerse
en cuenta en las medidas resueltas en ngulo.
ii) El potencial al que se ven sometidos los fotoelectrones emitidos se considera equi-
valente al del slido en el volumen.
iii) El paso del electrn al vaco se modela como el salto de un escaln de altura V0 , es
decir, del potencial interno del cristal.
a) Se desprecia el apantallamiento del hueco que se crea en el estado final del proceso
de fotoemisin, es decir, no se tiene en cuenta ninguna relajacin del sistema de
electrones.
b) Slo se tienen en cuenta transiciones directas, donde el momento del estado inicial
se iguala al momento del estado final a travs de un vector de la red recproca,
dejando de lado todas las posibles transiciones indirectas.
c) El clculo exacto de los elementos de matriz no suele ser posible, a pesar del buen
conocimiento existente de las reglas de seleccin de las transiciones pticas.
A pesar de estas limitaciones el modelo de tres pasos describe correctamente los expe-
rimentos para los casos en los que el material consta de bandas de electrones cuasilibres
o no localizadas y para los niveles internos, en particular si h 50 eV.
Conviene mencionar la existencia de otro modelo de fotoemisin basado tambin en
la aproximacin de un solo electrn. Este es el llamado modelo de un paso, en el que la tran-
sicin ptica no tiene lugar entre dos estados propios del slido, sino entre dos estados
soluciones del potencial semi-infinito que incluye la presencia de la superficie, el estado
inicial ligado y el estado final no ligado.
z
e-
k
y
k||
Figura 2.4 : Geometra experimental de ARUPS. La luz incide sobre la superficie con
un ngulo y el electrn fotoemitido escapa del slido con un momento
k = k|| + k , formando un ngulo de emisin azimutal y polar .
la obtencin de todos los nmeros cunticos relevantes de los estados electrnicos del
material estudiado. Esto se debe a que la densidad de los fotoelectrones emitidos y su
distribucin angular dependen de los estados electrnicos del material antes de absorber
los fotones, lo cual nos permite obtener informacin acerca de la composicin, estructura
y estado de la muestra irradiada.
Una caracterstica de la tcnica de ARUPS es la posibilidad de cambiar el ngulo de
deteccin, adems de la energa del haz incidente, lo que permite barrer en los vectores
de momento paralelo y perpendicular de la red recproca a lo largo de las direcciones
principales de simetra del cristal. A partir de las energas y momentos del estado final se
obtienen las energas y momentos del estado inicial, es decir, la estructura de bandas.
La geometra de la tcnica de ARUPS se muestra en la figura 2.4. Por simplicidad el
ngulo de emisin azimutal suele fijarse a lo largo de un direccin de alta simetra de la
zona de Brillouin, y se estudia la dependencia angular de k en funcin de la componente
polar .
En el proceso de fotoemisin ha de cumplirse tanto la conservacin de la energa, dada
por la ecuacin 2.1, como la conservacin del momento k. La componente paralela del
momento se conserva durante todo el proceso, salvo por un vector de la red recproca de
superficie, debido a la continuidad en la simetra traslacional, de modo que kf || = ki|| +G|| ,
donde G|| es un vector de la red recproca de superficie. Esto hace que en un esquema
de zona reducido de bandas, donde aparecen todos los vectores de la red recproca, la
expresin anterior se pueda simplificar en kf || = ki|| . Las transiciones que cumplen dicha
condicin se denominan transiciones directas o verticales.
2.1 Espectroscopa de fotoemisin 13
Fuentes de radiacin
gases utilizados suelen ser He, Ne y Ar, que producen las siguientes lneas principales:
21,22 eV (He I) y 40,81 eV (He II), doblete 16,85/16,67 eV (Ne I) y dobletes 11,83/11,62
eV (Ar I) y 13,48/13,30 eV (Ar II). La radiacin de salida no est polarizada y tiene un
anchura tpica de lnea de 2 meV (para He I). No es totalmente monocromtica debido a
que todas las diferentes lneas energticas de un gas estn presentes cuando inciden sobre
la muestra, aunque la intensidad relativa puede modificarse variando los parmetros de
presin y corriente en el interior de la lmpara.
Otro tipo de lmparas ms modernas son las fuentes de descarga excitada por microondas.
La radiacin ultravioleta se origina por transiciones radiativas en un plasma de He que es
excitado por impacto electrnico ampliado mediante excitacin de radiacin microondas.
Este tipo de fuentes tienen un mayor flujo de intensidad (1000 veces ms intensa que las
lmparas de descarga de gas) e incorporan generalmente un monocromador a la salida,
lo cual define las diferentes energas: 21,22 eV (He I ), 23,09 eV (He I ) y 40,81 eV (He
II ). La luz est parcialmente polarizada (70 %). La anchura de lnea es de 1 meV. Slo
es posible trabajar con gas de He debido al dao en la cavidad del plasma inducido por
el impacto inico que genera la radiacin con otros gases.
Las fuentes de laboratorio tienen como mayor limitacin que la energa con la que se
irradia la muestra no se puede cambiar a voluntad. Este problema se resolvi hace tres
dcadas con el uso de la radiacin sincrotrn. El uso de la radiacin sincrotrn requiere un
2.1 Espectroscopa de fotoemisin 15
Para poder estudiar los electrones fotoemitidos por la muestra necesitamos un anali-
zador de electrones que resuelva su nmero en funcin de la energa cintica que poseen.
Los analizadores utilizados durante nuestros experimentos son del tipo hemisfrico [13]
tal y como se muestra en la figura 2.6. Este tipo de analizadores van montados en un
gonimetro, lo que permite estudiar todos los ngulos de salida de los electrones. Estn
compuestos por tres partes: lentes de entrada, hemisferios y multiplicador de electrones,
que se describen de manera sencilla a continuacin.
El propsito de las lentes de entrada es en primer lugar focalizar los electrones ha-
cia la rejilla de entrada previa a los hemisferios. En segundo lugar, las lentes frenan
los electrones mediante un potencial de retardo variable hasta el valor de la energa
16 Tcnicas experimentales: teora e instrumentacin
Hemisferio exterior
Hemisferio interior
Lentes electrostticas
Apertura de lentes
de entrada
muestra
!
"#!
Figura 2.7 : EDC (curvas de distribucin de energa) para Sn/Si(111) con un recubri-
miento cercano a 0,33 ML medido a h = 13 eV. En el lado izquierdo cada
espectro o curva corresponde con un ngulo medido respecto la normal a
la superficie. En la figura de la derecha se muestran los mismos espectros,
pero con la intensidad en escala de grises (negro ms intenso).
mayor energa cintica del espectro corresponde con el nivel de Fermi en el caso de los
sistemas metlicos. Realizando series de EDC para diferentes ngulos de emisin, pero
manteniendo la energa y la direccin de incidencia del haz, seleccionamos diferentes mo-
mentos paralelos, por lo que se obtiene un diagrama de dispersin de los estados iniciales
paralela a la superficie del material.
Otro tipo de medida posible en ARUPS es el modo de estado inicial constante (cons-
tant initial state, CIS), que consiste en mantener fija la energa del estado inicial, variando
la energa de haz incidente y la energa cintica medida. Este mtodo permite medir la
seccin eficaz de fotoemisin del estado inicial en funcin de la energa de fotn utiliza-
da [10].
En el modo de distribucin angular de fotocorriente (angular distribution scan, ADS) los
parmetros de energa cintica y energa de fotn se mantienen constantes mientras se
vara de forma sistemtica los ngulos polares y azimutales bien de la muestra o del
analizador hasta barrer todo el espacio de emisin. Este mtodo se utiliza para medir
superficies de Fermi cuando la energa cintica seleccionada coincide con el nivel de Fermi.
2.2 Difraccin de tomos de He (HAS) 19
Esta seccin describe someramente la tcnica de HAS (helium atom scattering), comen-
zando por los fundamentos tericos y concluyendo con la descripcin del equipo expe-
rimental utilizado para la obtencin de los resultados en Ge(111) y Sn/Ge(111). Como se
apunt en la introduccin, la tcnica de HAS utiliza tomos de He neutros monoener-
gticos como proyectiles, pero de baja energa (Ei < 100 meV), por lo que la medida es
no destructiva a la vez que slo sensible a la nube electrnica ms exterior del material
estudiado. Esta caracterstica permite el anlisis de todo tipo de materiales, incluidos los
aislantes [20]. La interaccin de partculas neutras ligeras (especialmente He) para bajas
energas es predominantemente elstica y, como las longitudes de onda de de Broglie son
del orden de algunos ngstrms, los efectos de difraccin son dominantes. Las medidas
de difraccin permiten no solo determinar el tamao y orientacin de la celda unidad,
sino tambin la corrugacin superficial, realizando un anlisis de la intensidad de los pi-
cos difractados [21, 22]. Haciendo uso de la dispersin resonante en canales de estados
ligados es posible una determinacin precisa del potencial de fisisorcin entre el adsor-
bato y la superficie [23]. La tcnica de HAS es extremadamente sensible a cualquier tipo
de adsorbato o de defecto que se encuentre en la superficie del material, que se puede
cuantificar con una precisin cercana a 0,001 ML [24].
La difraccin de tomos de He tambin permite el estudio del desorden en superficies,
aprovechando las propiedades de la reflexin del haz especular. Con este tipo de medidas
se puede estudiar la difusin de adtomos y los fenmenos de nucleacin y crecimiento
de pelculas delgadas, lo que permite alcanzar una comprensin ms profunda de los
procesos microscpicos que tienen lugar en la superficie. Una gran ventaja de la tcnica
de HAS respecto a otras tcnicas en los estudios de crecimiento es su alta sensibilidad a la
distribucin de los escalones o islas en la superficie, lo cual permite clasificar y analizar el
tipo de crecimiento del sistema estudiado. En particular puede determinarse con facilidad
la densidad de defectos obtenida durante el crecimiento mediante medidas en fase del haz
especular reflejado.
El haz monoenergtico de partculas de He se consigue mediante la expansin adia-
btica en vaco del gas, al pasar a travs de una pequea apertura, denominada diafragma
(nozzle), cuyo dimetro es tpicamente del orden de 10 m. En la tcnica denominada tiem-
po de vuelo (time of flight, TOF), se modula el haz en pulsos cortos, mediante un disco con
orificios denominado modulador (chopper), cuyo tiempo de vuelo se conoce con precisin.
Esta tcnica permite determinar la dinmica de los fonones de superficie, especialmente
la dispersin de las ramas de ms baja energa, con una alta resolucin (0,5 meV). La tc-
20 Tcnicas experimentales: teora e instrumentacin
nica de TOF tambin permite analizar los procesos de dispersin inelstica [25]. As, se
pueden estudiar los pasos microscpicos involucrados en la difusin atmica superficial
analizando la dispersin de los procesos cuasielsticos [26]. Con esta tcnica es posible
medir fonones con un vector de onda elevado, no accesibles con otras espectroscopas de
tipo ptico, y resolver modos muy cercanos entre s, imposibles de estudiar utilizando
dispersin inelstica de electrones. Por ello, la tcnica de HAS no slo complementa, sino
que aumenta las espectroscopas vibracionales de superficies que utilizan electrones.
es, E(r) = (r) [29]. En esta aproximacin de tipo clsico, los puntos de retorno se en-
cuentran a unos 2 o 3 del ncleo de los tomos de la superficie. Por tanto, la topografa
de los tomos superficiales puede obtenerse relacionando la corrugacin experimental
con los perfiles de densidad de carga superficial calculados. En este marco, la corruga-
cin se incrementa al aumentar la energa de las partculas incidentes, pues penetran ms
profundamente en la nube electrnica superficial. En algunos casos este fenmeno no
ocurre [30], lo que conlleva a introducir correcciones de efectos de anticorrugacin a esta
aproximacin simple, pero que slo producen cambios en unas centsimas de .
La parte atractiva del potencial que experimenta el tomo de He al acercarse a la super-
ficie es de largo alcance y puede describirse mediante el primer trmino de la interaccin
de Van der Waals [31]
C3
Va (z) = 3 , (2.4)
z
donde C3 es una constante positiva y z es la distancia a la superficie. El potencial 2.4 es de
la misma naturaleza que el conocido potencial de Van der Waals (r6 ) existente entre dos
tomos. A pesar de ello esta descripcin no ajusta exactamente las curvas experimentales,
por lo que se necesitan factores de correccin dependiendo del sistema estudiado.
La parte repulsiva del potencial, que impide que el tomo de He pueda ligarse con los to-
mos de la superficie, es de tipo coulombiano. Se produce una repulsin de corto alcance
22 Tcnicas experimentales: teora e instrumentacin
04 03 02 01 00 01 02
z
ki
kf
i f kf
f
Ki kfz
Kf
i Kf
i
y
ki
x kiz
Ki G
R = m a + n b + ci , (2.9)
donde m y n son nmeros enteros y ci define la posicin de los tomos de la base. Por sim-
plicidad asumiremos una celda unidad simple, sin base alguna. En este caso los vectores
de la red recproca son
2 2
h= y k= , (2.10)
a sin b sin
siendo el ngulo entre los vectores a y b y cualquier vector de la red recproca se escribe:
G = m h + n k. (2.11)
2
|ki | = . (2.13)
y el difractado es:
kf = (Kf , kf z ). (2.15)
La condicin de Bragg en dos dimensiones relaciona los vectores de onda inicial y final a
travs de un vector de la red recproca, por la siguiente relacin:
como puede observarse en la figura 2.9 derecha. En este tratamiento elstico las partculas
no intercambian energa durante el proceso de difraccin por lo que ki = kf . Esto limita
el nmero de vectores de la red recproca para los cuales la difraccin puede ocurrir a la
siguiente condicin:
k2i (Ki + G)2 k2Gz > 0, (2.17)
describir por:
k (r) = eiKR u(z), (2.18)
donde u(z) tambin puede expandirse en una serie de Fourier por ser peridico en las
direcciones x e y. Por lo tanto las funciones de onda pueden escribirse como:
X
k (r) = G (z)ei(K+G)R . (2.19)
G
Insertando las expansiones de las funciones de onda 2.19 y el potencial 2.6 en las ecuacio-
nes de Schrdinger se obtiene una conjunto de ecuaciones diferenciales ordinarias aco-
pladas:
d2 2m X 2
2 G (z) + 2 VGG0 (z)G (z) = kGz G (z), (2.20)
dz ~ G0
donde kGZ se defini en 2.17. Las condiciones de contorno para z +, es decir, para
un estado dispersado, corresponden a la interferencia entre las ondas planas incidentes
y dispersadas, mientras que para z , G es despreciable [38]. Las condiciones
asintticas para G estn dadas por:
(
0 z
G (z) = ikiz z ikGz z
. (2.21)
e G,0 + AG e z +
30 30
15
15
0
0
D
-15 -15
1
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
z () z ()
Figura 2.10 : Izquierda: modelo de pared fuertemente corrugada (HCW). Derecha: po-
tencial de pozo cuadrado (SW). Ambos se utilizan para clculos de intensi-
dades de los picos de difraccin de He basados en aproximaciones semi-
clsicas. En el caso de HCW la parte atractiva se desprecia, mientras que
en el de SW se aproxima por un pozo cuadrado de altura D.
donde el primer trmino representa el haz incidente y el segundo la suma de los haces
difractados, cuyas amplitudes vienen dadas por AG y corresponden a cada vector de la
red recproca bidimensional G. Teniendo en cuenta que la funcin de onda k (R, z) = 0
para z en el potencial HCW, y considerando la conservacin del momento (ecuacin
2.16) se pueden obtener las amplitudes AG [38]:
X
eikiz (R) = AG eiGR eikGz (R) . (2.24)
G
Esta ecuacin puede transformarse a una forma matricial multiplicando ambas partes por
eikiz (R) e integrando dentro de la celda unidad:
X
AG MGR = 1, donde MGR = ei[(kGz kiz )(R)+GR] . (2.25)
G
Como se deduce de la ecuacin 2.24, la serie ser generalmente divergente debido al tr-
mino exponencial eikGz (R) . En la prctica, se encuentra que las condiciones de contorno
del modelo HCW se satisfacen en una buena aproximacin con un nmero finito de tr-
minos en dicha expansin, a pesar de que la expansin eventualmente diverge [20].
difraccin y parte tambin del Ansatz de Rayleigh hasta llegar a la ecuacin 2.24, pero
desprecia posteriormente la parte atractiva del potencial que siente la partcula incidente.
0
Partiendo pues de la ecuacin 2.24, se multiplican ambas partes por eiG RikG0 z (R) y se
integra en toda la celda unidad para llegar a la ecuacin matricial:
X
MGG0 AG = A0 , (2.28)
G
donde Z
1 0
MGG0 = ei[(GG )R+(kGz kG0 z )(R)] dR (2.29)
S c.u.
y Z
1 0
A0G0 = ei[G R+(kG0 z +kiz )(R)] dR, (2.30)
S c.u.
siendo S el rea de la celda unidad. La matriz MGG0 es hermtica y sus elementos dia-
gonales son iguales a la unidad. Dentro de esta aproximacin Eikonal se asume que la
superficie no est muy corrugada (menos de un 10 % del tamao de la celda unidad) y
que el ngulo de incidencia no es mayor de 45 , de manera que la ecuacin 2.28 se trans-
forma en:
AG = A0G0 . (2.31)
Una vez conocidas las amplitudes de dispersin, las probabilidades elsticas de dis-
persin en unos canales dados con ngulos finales f se calculan utilizando una expresin
anloga a la 2.26:
2
sin f
PG = |A0G |2 . (2.32)
sin i
El modelo descrito hasta ahora se basa en la omisin de la parte atractiva del potencial
que siente la partcula incidente. Obviamente esta aproximacin es muy burda y, como
se apunt, slo se puede utilizar en caso de que la partcula incidente tenga una energa
mucho mayor que el potencial D. En los experimentos tratados en esta memoria las ener-
gas variaban entre 5 y 65 meV, mientras que el pozo de potencial se estima en unos 10
meV. Ambos valores son comparables, por lo que las probabilidades de dispersin se ven
fuertemente afectadas por la parte atractiva del potencial.
Un fenmeno que se observa en casos donde la energa del haz incidente Ei es com-
parable a D, es la llamada dispersin resonante o adsorcin selectiva, que se observ por
primera vez en 1933 [44]. Este fenmeno se caracteriza por la aparicin de mximos (o
mnimos) en la intensidad de los haces difractados debidos a transiciones resonantes de
las partculas incidentes en estados ligados en el pozo de potencial atractivo [45]. No obs-
tante, en situaciones donde la adsorcin selectiva no desempea un papel importante, el
modelo de HCW ha de incluir la profundidad del pozo D en la forma del potencial. Un
modelo que cumple esta condicin es el llamado pozo de potencial cuadrado (SW) que tiene
la forma
z (R)
V (r) = D (R) z 1 , (2.34)
0 z > 1
se muestra en la parte derecha de la figura 2.10 y se usa en vez del potencial 2.22 [40, 43].
Esta modificacin reemplaza la energa de la partcula incidente por una energa efectiva
Eiz + D con la que la partcula golpea la superficie, conocida como la correccin de Beeby
[46]. Esto implica que la partcula sufre una aceleracin en su camino, y se refracta hacia
la normal a la superficie, de forma que el haz golpea la pared repulsiva con un menor
ngulo efectivo de incidencia i0 dado por:
|ki | sin i
sin i0 = 0
sin i = q , (2.35)
|k i | 1 + EDi
30 Tcnicas experimentales: teora e instrumentacin
o equivalentemente: r
0 2 2m
kiz = kiz + D. (2.36)
~2
que se incluye dentro de la expresin de las amplitudes dispersadas 2.30 en substitucin
de kiz .
As pues, en primera aproximacin basta con sustituir |ki | y i por |k0 i | y i0 para incluir
la aproximacin del pozo atractivo al modelo HCW. Este procedimiento es vlido para
corrugaciones no muy grandes y pequeos ngulos de incidencia.
Con la tcnicas de HAS es tambin posible investigar con mucha sensibilidad el des-
orden de las superficies. Para ello se estudia el cambio en la intensidad del haz especular
reflejado respecto a la cantidad de materia depositada de adsorbato [24]. La gran sensibi-
lidad de la tcnica se basa en la gran seccin eficaz de dispersin que tienen los tomos
de He al interactuar con los adtomos o defectos individuales, lo cual permite detectar
diferencias de recubrimiento de 0,001 ML a travs de una medida del desorden de la
superficie. Esto posibilita una medida extremadamente precisa del recubrimiento super-
ficial.
La seccin eficaz total para dispersin difusa se relaciona con las intensidad reflejada
antes, I0 , y despus, I, de la deposicin segn la siguiente relacin:
I
1 = n = ns , (2.37)
I0
debido a efectos geomtricos de sombreado, por lo que depende de la orientacin del ad-
sorbato con respecto a la superficie [48] y brinda una importante informacin geomtrica
de la seccin eficaz de defectos aislados. Experimentalmente se observa que la pendiente
con la que decae la intensidad especular es exponencial en el caso de un ordenamien-
to aleatorio, mientras que es lineal cuando el adsorbato se ordena formando islas en un
crecimiento tridimensional.
I
= (1 )ns . (2.39)
I0
Esta expresin se denomina frmula del gas de red (lattice gas formula). En casos en los que
no se produce la ocupacin de los primeros vecinos, la expresin correspondiente toma
la forma:
I
= (1 m)ns /m , (2.40)
I0
donde m = 1/m es el recubrimiento mximo de la superficie. A pesar de la aparien-
cia excesivamente restrictiva de esta ecuacin, se ha comprobado experimentalmente en
numerosos sistemas y se han obtenido unos resultados sorprendentemente buenos. Esta
aproximacin falla cuando se aplica a pares de adtomos o vacantes aislados en superfi-
cies planas, porque solo tiene en cuenta interacciones con un solo defecto en la regin de
solapamiento, y se desprecian las interacciones simultneas con otros.
Las desviaciones de la curva experimental medida I()/I0 respecto a la expresin 2.39
revelan directamente la naturaleza de la interaccin adsorbato-adsorbato, es decir, si la
curva de atenuacin se encuentra por debajo de la curva del gas de red, esto es indicativo
de interacciones repulsivas y, si est por encima, las interacciones entre los adsorbatos son
de tipo atractivo.
pecular est dominada por la interferencia entre las ondas dispersadas provenientes de
terrazas diferentes. En la direccin especular el cambio de fase entre dos terrazas
adyacentes viene dado por la siguiente expresin:
4d
= cos i = n, (2.41)
I
= (1 LS)2 , (2.42)
I0
donde S es la longitud del borde del escaln por unidad de rea e I0 es la intensidad
especular para S 0. La seccin eficaz de dispersin de un escaln se observa como un
ensanchamiento adicional L 10 a lo largo del escaln. Por lo tanto, si los adsorbatos
pueden difundirse hasta los escalones, sus secciones eficaces se solaparn con la de los
escalones, dando un valor de mucho menor que el real.
La ecuacin 2.42 permite determinar la densidad de islas para un recubrimiento
dado. En el caso de islas bidimensionales compactas, S n, donde es el factor de
p
forma y n la densidad de islas [51]. Por lo tanto, el valor de (1 I/I0 )2 es proporcional
a n, cuyo valor absoluto puede obtenerse conociendo L.
forma de la RW se puede ajustar en primera aproximacin por una onda sinusoidal, aun-
que para un ajuste fino se necesita realizar un desarrollo en serie que incluya un mayor
nmero de trminos.
K = Ki Kf = G + Q. (2.43)
Ef Ei = ~(Q), (2.44)
donde Ef y Ei son la energa final e inicial de la partcula y ~ es la energa del fonn, que
tiene una dependencia con el vector de onda Q. El signo (+) corresponde a un proceso
de aniquilacin de un fonn inducido por la partcula incidente, mientras que el signo
() corresponde a un proceso de creacin de un nuevo fonn. La combinacin de las
leyes de conservacin anteriores da como resultado la condicin cinemtica general para la
dispersin inelstica entre la partcula incidente y la superficie:
2
K sin2 i
~ = Ei + Ei 1+ . (2.45)
Ki sin2 f
# $ ! "
Figura 2.12 : Curvas de medida para una dispersin inelstica entre las partculas inci-
dentes y la superficie. Las lneas continuas representan los modos fonni-
cos de Rayleigh aproximados por curvas senoidales. Las lneas disconti-
nuas representan curvas de medida para diferentes ngulos de incidencia
i con energa incidente Ei = 25 meV. Los puntos A y B muestran un corte
tangencial y perpendicular entre el modo Rayleigh y la curva de medida
(tomado de la referencia [55]).
de la dispersin inelstica, que se hace evidente como un pico pequeo, pero bien defini-
do, para esta posicin angular. Benedek denomin este efecto enfoque cinemtico (KF) [56].
La condicin cinemtica para el efecto KF es:
d (K) s (K)
= y d (K) = s (K), (2.46)
K K
Procesos de dispersin con un solo fonn. Bortolani et al. [57] y Eichenauer [58] han
realizado clculos exactos del coeficiente de reflexin diferencial para procesos con un solo fonn,
y han deducido la siguiente relacin:
d2 R kf z X 1 Qj 2
|ez (Qj ) + iK ek (Qj )|2 e( Qc )
df dEf kiz Q |(Qj )|
j
El factor de Bose n ((Qj )). Define la probabilidad media para el suceso de crea-
cin (+) o aniquilacin () de un fonn de superficie, para una energa dada ~ del
fonn, en funcin de la temperatura de la muestra Tm y puede describirse como:
~ 1 1 1
n ((Qj )) = e kB Tm 1 + . (2.48)
2 2
El factor de Debye-Waller e2W (Tm ) . Este factor tiene en cuenta las vibraciones tr-
micas de los tomos de la muestra, que atenan las intensidades de dispersin co-
herente sin cambiar la forma de los picos, y los procesos de un solo fonn, aumen-
2.2 Difraccin de tomos de He (HAS) 37
1
I(Tm ) = I0 e2W (Tm ) donde W (Tm ) = h(u ki )2 iTm , (2.49)
2
1
W (Ts ) = hu2z i(kz )2 , (2.50)
2
Qj 2
aproximada al inverso del dimetro de una esfera dura del tomo incidente [59].
Adems, tiene en cuenta que para transferencias de momento elevadas los tomos
incidentes pueden interactuar simultneamente con varios tomos de la superficie.
A fin de obtener unas medidas con alta resolucin de las curvas de dispersin fon-
nicas de superficie, es crucial reducir las contribuciones multifonnicas de la intensidad
dispersada. Las condiciones de dispersin ms apropiadas para el predominio de proce-
sos de un solo fonn se pueden elegir de acuerdo con el criterio de Weare [60]:
m Eiz Tm
< 0,01, (2.52)
M kB 2D
donde m y M son las masas de los tomos del haz y de la superficie, respectivamente,
Tm es la temperatura de la muestra, D es la temperatura de Debye de la superficie y
kB es la constante de Boltzmann. De la ecuacin anterior se obtiene fcilmente que las
condiciones de dispersin con un solo fonn se consiguen utilizando como proyectiles
tomos ligeros de baja energa cintica incidiendo en una muestra cuya temperatura sea
la menor posible. El valor de 0,01 en la ecuacin 2.47 procede de una aproximacin del
modelo HCW bastante burda y no es necesariamente exacta. En trabajos posteriores [61],
basndose en potenciales ms realistas, se obtuvo un valor de 0,07. En cualquier caso,
la utilizacin de tomos de He de energas trmicas como partculas incidentes tiende a
2.2 Difraccin de tomos de He (HAS) 39
z z z
ki ki ki
kf kf kf
Figura 2.13 : Diagrama de las diferentes polarizaciones de los modos fonnicos de su-
perficie (tomado de la referencia [25]). Dependiendo de las orientaciones
de la polarizacin del vector del fonn, e(Qj ), referidos al plano de inciden-
cia y de la superficie, se pueden observar tres tipos de modos.
tres modos fonnicos enumerados. Para los modos transversal y longitudinal, el vector de
polarizacin del fonn e(Qj ) se encuentra en el plano de incidencia, normal al plano de
superficie para el primer modo y paralelo a la superficie para el segundo. Para el modo de
cizalla horizontal, el vector de polarizacin es paralelo a la superficie y ortogonal al plano
de incidencia. En definitiva, slo el modo de cizalla horizontal tiene una polarizacin
bien definida, los otros dos estn acoplados entre s por razones de simetra, por lo que
se tratan como polarizados de forma elptica con una polarizacin predominantemente
longitudinal o transversal [25].
Para sistemas que contienen ms de un tipo de tomos en la celda unidad, las vibra-
ciones de la red pueden dividirse en modos acsticos y pticos. Para vibraciones pticas,
el centro de masa en la celda unidad se mantiene fijo y los distintos tomos que forman la
celda unidad vibran en condicin de antifase, mientras que para vibraciones acsticas el
centro de masa oscila dentro del parmetro de red del cristal y la vibracin de los tomos
vecinos es prcticamente en fase [63].
Como conclusin de la parte terica de la dispersin de modos fonnicos y como
ejemplo, se representa en la figura 2.14 un clculo terico de los modos fonnicos rea-
lizado con un modelo de capas (slab) para una superficie (111) de un substrato fcc en
funcin del nmero de monocapas que forma el material, utilizando los parmetros del
paladio [64]. Para una anchura de 10 capas ya se intuyen los modos fonnico del cristal y
ms concretamente el modo de Rayleigh, que es el que tiene menor energa.
2.2 Difraccin de tomos de He (HAS) 41
Figura 2.14 : Clculo terico de los modos fonnicos de superficies utilizando un modelo
de capas (slab) para una superficie fcc (111) en funcin del nmero de ca-
pas l. La masa y las constantes utilizadas son correspondientes al paladio:
m = 106,40 u.m.a., 1 = 21 N/m y 1 = 1 N/m (tomado de la referencia [64]).
42 Tcnicas experimentales: teora e instrumentacin
Dedo Fro
Muestra
EIBD2 AES
EIBD1
Diafragma LEED
Focalizador
Modulador EFBD1
EFBD2
EFBD3
Ionizador
Imn
Multiplicador
m 2 m
U0 + pV0 + v0 = U1 + pV1 + v12 , (2.53)
2 2
De este modo, la energa del haz puede variarse a travs de la temperatura del diafragma
y sigue, en primera aproximacin, la siguiente relacin:
5
E i = k B T1 . (2.56)
2
cial bombeadas por dos bombas turbomoleculares que permiten establecer un gradien-
te de presin entre la cmara del modulador (p 107 mbar) y la campana principal
(p 1011 mbar).
Cmara principal
Mtodos de medida
tf al detector para un ngulo fijo i y un vector de onda ki dado. Para las partculas
de He que interactuan con los fonones de superficie, han de cumplirse las leyes de
conservacin del momento total 2.43 y de la energa 2.44 que dan lugar a las curvas
de medida 2.45. Las curvas de medida se usan para estimar el rango de las energas
de los fonones ~ y los vectores de onda Q donde han de medirse las curvas de
dispersin de los fonones de superficie.
En las medidas de TOF, se recogen los tiempos de vuelo desde el modulador hasta el
detector de las partculas dispersadas elstica, te , e inelsticamente, ti . Debido a que
las distancias entre el modulador y la muestra lcm y entre la muestra y el detector lmd
son bien conocidas, la energa incidente Ei de las partculas y sus correspondientes
energas despus de interaccionar con los fonones de superficie Ef se pueden calcu-
lar utilizando la siguiente expresin:
2 2
m lcm m lcd
Ei = = , (2.58)
2 tcm 2 tecd
2
m lmd
Ef = , (2.59)
2 timd
donde lcd = lcm + lmd y m es la masa de la partcula de He. A partir de estas dos
ecuaciones, la transferencia de energa E que tiene lugar en la interaccin entre
los tomos de He y los fonones de superficie puede expresarse como:
2
2
m lmd l
E = cd . (2.60)
2 ti + te lmd 1 tecd
cd cd lcd
donde IBg es la intensidad del fondo del espectro. Debido a que el jacobiano no es
2.2 Difraccin de tomos de He (HAS) 51
una transformacin lineal, afecta fuertemente tanto a las alturas como a los anchos
de los picos fonnicos, a pesar de que conserva la intensidad total de los picos. De
este modo, los picos de destruccin de fonones (tiempos de vuelo cortos) se vuelven
ms anchos y bajos, mientras que los picos de creacin, se vuelven por el contrario
ms intensos y estrechos.
El ancho de los picos de los fonones observados en los espectros de TOF se debe, por
un lado, a la resolucin energtica instrumental y por otro, a la anchura intrnseca
de los fonones superficiales (vida media de un fonn). La resolucin en energa de
los aparatos depende de los siguientes factores [32]:
Distribuciones angulares elsticas. Esta tcnica es una combinacin de las dos an-
teriores y se utiliza para extraer slo la contribucin elstica de la intensidad dis-
persada. Como en el caso de las distribuciones angulares, el ngulo de incidencia se
cambia paso a paso, pero en vez de contar toda la intensidad que alcanza el detector
se extrae nicamente la parte de la contribucin elstica medida mediante TOF. Esta
tcnica es poco frecuente, pero cuenta con caractersticas nicas para poder estudiar
procesos de superficies no accesibles utilizando otras tcnicas experimentales.
52 Tcnicas experimentales: teora e instrumentacin
Bibliografa
[1] H. Hertz, On the influence of ultraviolet light on the electric discharge. Ann. Physik
31, 983 (1887).
[16] H. Lth, Surfaces and interfaces of solid materials, Springer-Verlag, Berlin (1995).
54 BIBLIOGRAFA
[17] A. Zangwill, Physics at Surfaces, Cambridge Universiy Press, New York (1998).
[22] K. H. Rieder, Helium Atom scattering From Surfaces, Springer Series in Surface
Science 27, ed. E. Hulpke, Berlin: Springer (1992).
[23] H. Hoinkes, H. Wilsch, Helium Atom scattering From Surfaces, Springer Series in
Surface Science 27, ed. E. Hulpke, Berlin: Springer (1992).
[24] B. Poelsema, G. Comsa, Scattering of Thermal Energy Atoms from Disordered Sur-
faces, Springer Tracts in Modern Physics 115, Berlin: Springer (1989).
[25] J. P. Toennies, Surface Phonons, Springer Series in Surface Science 21, ed. W. Kress y
F. W. de Wette, Berlin: Springer (1991).
[26] J. W. M. Frenken, B. J. Hinch, Helium Atom scattering From Surfaces, Springer Series
in Surface Science 27, ed. E. Hulpke, Berlin: Springer (1992).
[28] R. E. Stickney, The Structure and Chemistry of Solid Surfaces, ed. G. A. Somorjai,
New York: Willey (1969).
[38] J. R. Manson, Helium Atom scattering From Surfaces, Springer Series in Surface
Science 27, ed. E. Hulpke, Berlin: Springer (1992).
[39] G. Wolken Jr., J. Chem. Phys. 58, 3047 (1973); J. Chem. Phys. 59, 1159 (1973).
[42] N. Garca, Phys. Rev. Lett. 37, 912 (1976); J. Chem. Phys. 67, 897 (1977).
[43] N. Garcia, F. O. Goodman, V. Celli, N. R. Hill, Phys. Rev. Lett. 19, 1808 (1979).
[47] B. Poelsema, T. S. Zwart, G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 49, 578 (1982); Phys. Rev. Lett.
51, 522(E) (1983).
[48] A. T. Yinnon, R. Kosloff, R. B. Gerber, B. Poelsema, G. Comsa, J. Chem. Phys. 88, 3722
(1988).
[52] G. Benedek, L. Miglio, G. Seriani, Helium Atom scattering From Surfaces, Springer
Series in Surface Science 27, ed. E. Hulpke, Berlin: Springer (1992).
[53] N. Cabrera, V. Celli, R. Manson, Phys. Rev. Lett. 22, 346 (1969).
56 BIBLIOGRAFA
[57] V. Bortolani, A. Franchini, F. Nizzoli, G. Santoro, Phys. Rev. Lett. 52, 429 (1984).
[59] R. B. Doak, Helium Atom scattering From Surfaces, Springer Series in Surface Scien-
ce 27, ed. E. Hulpke, Berlin: Springer (1992).
[62] G. Benedekm, F. Hofmann, P. Ruggerone, G. Onida, L. Miglio, Suf. Sci. Rep. 20, 1
(1994).
[63] C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, New York: John Willey and Sons (1978).
[65] D. R. Miller, Atomic and Molecular Beam Methods, ed. G. Scoles, Oxford: Oxford
Press (1988).
3.1. Introduccin
Uno de los temas cientficos que ms inters ha despertado en la ltima dcada ha sido
el estudio de sistemas con tamaos laterales en el rango de los nanmetros. Este nuevo
campo se ha denominado nanociencia y en l convergen ramas a priori tan dispares como
la biologa, la medicina, la qumica y la fsica. En este rango de dimensiones los efectos
cunticos y superficiales poseen una gran influencia en las propiedades fundamentales
del sistema [13].
Una alternativa prometedora para la reduccin de las dimensiones de los objetos hasta
la escala del nanmetro es el uso de materiales autoensamblados, esto es, sistemas que de
manera natural se estructuran en tamaos nanomtricos por causas termodinmicas. Su
mayor ventaja reside en el bajo coste de produccin, as como en las enormes densidades
que ofrecen, tan elevadas como 1011 -1013 cm2 (un CD-ROM tiene una densidad de 108
cm2 ). Por el contrario, su mayor inconveniente reside en la limitacin de los tamaos
disponibles, dada la escasez de sistemas que muestran este comportamiento.
Una va prometedora es la fabricacin de moldes (templates) para guiar el posterior
crecimiento de otros materiales, que ofrezcan a la vez un rango amplio de periodicidades
adems de una distribucin de tamaos bien definidos [47]. Las superficies vecinales de
58 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
los cristales, que consisten en terrazas planas separadas por escalones, son buenos can-
didatos para ello, pues ofrecen una amplia variedad de periodicidades. La presencia de
escalones generalmente altera el proceso de crecimiento de dos formas: modificando los
procesos de difusin, puesto que la barrera de difusin en los escalones, conocida como
barrera de Ehrlich-Schwoebel, tiende a aumentar respecto al valor de las terrazas pla-
nas [8, 9]; y tambin introduciendo cambios en la tensin local de los bordes del escaln.
Con las superficies vecinales tenemos la posibilidad de controlar el ancho de terraza
superficial y, siempre y cuando la anchura de distribucin se mantenga bien definida,
podemos crecer nanoestucturas de diferentes tamaos, bien en las terrazas o bien en los
bordes de los escalones, tales como tiras (stripes) [1012], cadenas unidimensionales (1D
chains) [1315] o puntos (dots) [16, 17]. Estos sistemas de dimensionalidad reducida tie-
nen un alto potencial en aplicaciones tecnolgicas, pero tambin permiten el estudio de
propiedades electrnicas en sistemas muy poco explorados [1820]. Los escalones se es-
tudian tambin por su actividad cataltica, puesto que hay un aumento de la reactividad
en los escalones debido a la menor coordinacin de los tomos de los bordes, lo que per-
mite estudiar diferentes lugares activos [2123]. El conocimiento y control de la estructura
electrnica de los substratos y moldes desempea un importante papel en el estudio de
las reacciones qumicas a escala atmica.
El estudio de la estructura electrnica de las superficies vecinales es por tanto de vital
importancia. En el caso concreto de esta memoria, se han estudiado las superficies vecina-
les de Cu(111), que posee un estado de superficie de tipo Shockley en la zona de energas
prohibidas del punto L, tpico de los metales nobles, muy sensible a los escalones presen-
tes en la superficie. Debido a esta sensibilidad superficial, con un cambio en la anchura
de las terrazas se puede alterar e incluso llegar a controlar, las propiedades del estado de
superficie. Esto es crucial para un posterior crecimiento y desarrollo de nanoestructuras
autoensambladas [24].
(111)
Cu(111)
6
L
L
4
[112] [112]
2
L
0
L
-2
-4
K
-6 [112] [112]
M' M
-8
-10
L
los metales nobles, formando en este sentido un gas electrnico bidimensional. Los de-
fectos y otras irregularidades superficiales, como por ejemplo los escalones, desempean
un importante papel en el comportamiento final de los estados de superficie, y afectan a
propiedades como la difusin, el crecimiento o la catlisis.
Las primeras evidencias experimentales de la existencia de los estados de superficie se
hallaron en la dcada de 1940 para superficies semiconductoras [25, 26]. Para los metales
no se observaron hasta la dcada de 1960 [27]. Hoy da, el estudio de la estructura elec-
trnica de los diferentes materiales es bastante comn utilizando ARUPS. En particular,
los metales nobles se han estudiado de una manera extensa [2835], y se ha caracteriza-
do que todas las superficies con orientacin (111) presentan un estado de superficie de
tipo Shockley [36] originado en los orbitales pz dentro de una zona prohibida de bandas
invertidas sp alrededor del punto de simetra L. Un esquema de las bandas de volumen
para el caso del Cu(111) se muestra a la izquierda de la figura 3.1. La zona prohibida est
centrada en y tiene un ancho de unos 5 eV [37], donde se encuentra incluida la energa
de Fermi. En la parte superior derecha de la figura 3.1 se muestra un corte vertical de
la zona de Brillouin. En la proyeccin de las bandas de volumen se puede observar que
existe una zona de energa prohibida absoluta alrededor del punto en la direccin (111).
Esto tiene una correspondencia directa con el esquema inferior derecho de la figura 3.1
donde se muestra la zona de Brillouin superficial. En consonancia, se obtiene la zona de
energa prohibida alrededor del punto , donde est localizado el estado de superficie.
Como se expuso en la seccin 2.1.1, los estados de superficie a veces pueden existir
fuera de las zonas de energa prohibida, esto es, dentro del volumen. A estos estados se los
denomina resonancias superficiales y presentan un cierto acoplamiento con los estados
electrnicos del volumen. No son por tanto estrictamente bidimensionales, aunque su
funcin de onda presenta su mayor amplitud en la superficie. Existen casos en que la
probabilidad de acoplamiento con los estados de volumen es tan baja que la amplitud de
resonancia est contenida en las primeras capas ms cercanas a la superficie. Este es el
caso de las superficies vecinales.
Como se ha mencionado previamente, los electrones del estado de superficie son li-
bres de moverse en el plano de la superficie, y se comportan prcticamente como un gas
electrnico bidimensional. Los diferentes trabajos de ARUPS [2835] y ARIPES [3840]
realizados en las superficies de los metales nobles han concluido que el estado Shockley
sp de superficie presenta un comportamiento istropo de tipo electrn libre en toda la
superficie. La dispersin energtica se puede describir por tanto mediante una funcin
3.1 Introduccin 61
Figura 3.2 : Energa de ligadura del fondo del estado de superficie para los tres metales
nobles medida en el punto a 30 K para la energa de fotn de He I (21,23
eV) (tomado de Reinert et al. [35]).
~2
E(k|| ) = E0 + (k|| k0 )2 , (3.1)
2m
Ag(111)
Cu(111)
Au(111)
Figura 3.3 : Estados de superficie de los metales nobles (111) medidos a 30 K con una
energa de fotn de 21,23 eV (adaptado del trabajo de Reinert et al. [35]):
Ag(111) parte superior, Cu(111) centro, Au(111) parte inferior. En la parte
izquierda de la figura se muestra la dispersin del estado de superficie como
intensidad fotoemitida respecto al ngulo de emisin y en el centro la energa
de ligadura respecto al momento paralelo. La zona sombreada corresponde
a la proyeccin de los estados de volumen. En la parte derecha de la figura
se muestran las superficies de Fermi. Se observa una dispersin parablica
de los estados de superficie, que se torna circular en la superficie de Fermi,
lo que indica un comportamiento istropo.
3.2 Las superficies vecinales de Cu(111) 63
de las superficies de Fermi depende tanto de la energa de ligadura mxima del fondo
del estado como de la masa efectiva que poseen los electrones, pero en todos los casos el
estado de superficie est centrado en el punto . Las magnitudes ms relevantes de los
estados de superficie de los metales nobles (111) obtenidas a 30 K de las figuras 3.2 y 3.3,
as como a RT [33, 42, 43], se resumen en la tabla 3.1.
[111]
d
h
Figura 3.4 : Vista lateral de una superficie vecinal (111), concretamente Cu(223) ( =
11,8 ), con escalones monoatmicos. Los parmetros ms relevantes y los
diferentes ejes de referencia se indican en la figura.
del plano de alta simetra respecto del cual la superficie es vecinal, tal y como se repre-
senta en la figura 3.4. Esta configuracin es el resultado de que energticamente es ms
favorable una superficie con escalones monoatmicos equiespaciados que una superficie
con otra distribucin de escalones. La superficie macroscpica es, por tanto, el promedio
de la superficie microscpica. En la figura 3.4 se indican los parmetros ms importantes
de este tipo de superficies: d es la distancia entre escalones o la periodicidad de la su-
perred, L es la anchura de la terraza plana, h es la altura del escaln y es el ngulo de
corte respecto a la direccin [111], es decir, el ngulo de la superficie macroscpica con
respecto al plano de alta simetra. En la figura 3.4 se aprecian dos ejes de coordenadas:
si partimos de la superficie macroscpica, es decir, la superficie ptica, el sistema natural
es el xyz, mientras que si utilizamos la superficie microscpica habr que hacer uso de
los ejes x0 y 0 z 0 . En todas las medidas se ha considerado como positivo el sentido ascen-
dente de los escalones en la direccin perpendicular a los mismos. Estos dos sistemas de
coordenadas son importantes y se utilizarn con asiduidad en este captulo.
Vista superior
[111] [111]
[001]
[111]
[112] [112]
Vista lateral
Figura 3.5 : Esquemas de la vista superior y lateral de los dos tipos de escalones obte-
nidos en una superficie vecinal de la (111) cortando el cristal en la direccin
perpendicular a la direccin [110]. Izquierda: escaln de tipo {100} obtenido
al cortar en la direccin [112]. Derecha: escaln de tipo {111} obtenido al
cortar en la direccin [112].
Figura 3.6 : Patrn de LEED a 115 eV de Cu(223), vecinal de la (111) con = 11,8 p yd=
10,2 . La estructura hexagonal tiene un tamao de lado de 2/a0 8/3 =
2,84 1 . Los puntos se dividen a lo largo de la direccin perpendicular a los
escalones, en una distancia proporcional al tamao de las terrazas.
~ 5.0
c) d)
~ 7.5
e) f)
~ 9.0
g) h)
~ 11.5
=10eV, =1
h
[111]
[110]
[112]
0.0
0
0.1
0.2
-5
0.3
E
0.4
d ()
Figura 3.9 : Cambio en la energa del fondo del estado de superficie E en funcin de
la distancia entre escalones de la superficie vecinal. Los puntos siguen una
lnea que se ajusta como 1/d2 . Los diferentes puntos se han obtenidos no
slo de las superficies estudiadas en este trabajo, sino en trabajos previos
de superficies vecinales de otros autores [42, 4851].
en la figura 3.10, pero ahora referidas a la superficie ptica de la muestra, es decir al eje z
de la figura 3.4. La primera diferencia evidente respecto a los espectros EDC de la figura
3.8 es que la posicin angular del mnimo del estado de superficie no se encuentra en 0 ,
es decir, en la direccin de la normal ptica, sino que se encuentra a 9 . Esto puede obser-
varse ms claramente en la parte derecha de la figura 3.10, al transformar los espectros de
la izquierda mediante la ecuacin 2.2 en energa de ligadura frente al momento paralelo
en la direccin perpendicular a los escalones, referido a la direccin ptica.
En todas las superficies de Cu(111) vecinal estudiadas se ha encontrado un compor-
tamiento dispersivo semejante para el estado de superficie. En la figura 3.11 se muestran
medidas de fotoemisin con diferentes energas de fotn en la direccin perpendicular
a los escalones para tres superficies vecinales con ngulos de corte diferentes: Cu(556)
( = 5 , d = 24 ) a la izquierda, Cu(779) ( = 7 , d = 17 ) en la parte central y Cu(557)
( = 9 , d = 13 ) a la derecha. Debido a que el estado de superficie es de tipo pz su
intensidad puede incrementarse si se hace incidir el haz de fotones lo ms rasante posi-
ble a la superficie, de modo que el vector de polarizacin tenga una mayor componente
en la direccin perpendicular a la muestra. Por ello, todas las medidas siguientes de este
captulo se realizaron con polarizacin tipo p, con una incidencia de la radiacin de 70
respecto a la normal ptica de la muestra.
En todos los casos el estado de superficie muestra un comportamiento parablico,
que est ajustado por una lnea gruesa negra, que se encuentra desplazada en energa y
momento. Del ajuste parablico se obtiene una mayor anchura en la forma de lnea de los
espectros de fotoemisin respecto a la superficie plana. Las masas efectivas obtenidas de
estos ajustes tienen valores comprendidos entre m = 0,4 me y m = 0,5 me , de acuerdo
con los valores obtenidos posteriormente por Baumberger et al. [42], que son mayores que
el obtenido para la superficie limpia (m = 0,41 me ).
La posicin de los mnimos del estado de superficie para las diferentes muestras tiene
un comportamiento diferente entre ellas para cada energa de fotn. Ms concretamente,
la superficie de Cu(557) ( = 9 ) no est correlacionada con el ngulo de corte de la su-
perficie, puesto que para energas de fotn bajas min > , mientras que para energas de
fotn altas min < , acercndose hacia la superficie ptica. Por el contrario, la superficie
de Cu(556) ( = 5 ) se comporta de una manera cualitativamente diferente: el mnimo
del estado de superficie nunca se acerca a la direccin de la superficie ptica, sino que
se acerca lentamente hacia el ngulo de corte = 5 . La superficie de Cu(779) ( = 7 )
parece mostrar un comportamiento mixto: se acerca ms rpidamente hacia la direccin
perpendicular a las terrazas y la cruza ligeramente para la mayor energa de fotn utili-
zada.
3.2 Las superficies vecinales de Cu(111) 73
=10eV, =1
h
[111]
[110]
0
[112]
5
0.0
0.1
10
0.2
0.3
15
E
0.4
Figura 3.11 : Intensidad de fotoemisin del estado de superficie de tres superficies veci-
nales en escala de grises (mayor intensidad cuanto ms oscuro) en funcin
del ngulo de emisin medido respecto a la superficie ptica para dife-
rentes energas de fotn y diferentes ngulos de corte: izquierda Cu(556)
( = 5 , d = 24 ), centro Cu(779) ( = 7 , d = 17 ) y derecha Cu(557)
( = 9 , d = 13 ). En todos los casos el estado de superficie se ha ajus-
tado mediante una parbola donde se observa que la posicin angular del
mnimo cambia con la energa de fotn y depende del ngulo de corte
de la superficie. La lnea vertical que pasa por 0 corresponde a la direc-
cin perpendicular a la superficie ptica, mientras que la de la izquierda se
corresponde en cada caso con el ngulo de corte de la muestra.
3.2 Las superficies vecinales de Cu(111) 75
=5 =7 =9
x
z
Figura 3.12 : Representacin del vector de ondas (kx , kz ) para cada energa de fotn
de las tres superficies vecinales mostradas en la figura 3.11. Los puntos
corresponden a los valores del momento tridimensional obtenidos del fon-
do del ajuste de las parbolas para cada energa de fotn. Las zonas som-
breadas se corresponden con el espectro de Fourier de las componentes
de la funcin de onda del estado de superficie en el espacio recproco.
La funcin de onda en el espacio real correspondiente a cada caso es-
t esquematizada en la parte inferior de cada figura. Existe un cambio de
comportamiento en la modulacin del estado de superficie, que se traduce
en una variacin en la alineacin de los puntos, entre las superficies de
= 9 y de = 5 . La superficie de = 7 muestra un comportamiento
mixto.
76 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
Para poder comprender el comportamiento del estado de superficie para cada super-
ficie vecinal en funcin de la energa de fotn, ha de transformarse la posicin angular de
cada mnimo de la banda en momento paralelo y perpendicular mediante las ecuaciones
2.2 y 2.3, utilizando como potencial interno V0 = 13,5 eV [34, 53]. El resultado se mues-
tra en la figura 3.12, donde se analiza el experimento de fotoemisin utilizando un marco
equivalente al de la difraccin de electrones de baja energa de una superficie vecinal [54].
Los husos de difraccin estn definidos como mltiplos del vector de la superred de es-
calones Gx = 2/d. Los puntos negros representan los mnimos experimentales de las
diferentes parbolas obtenidos de la figura 3.11 y transformados al espacio de momentos.
El mapa espectral de la figura 3.12, por tanto, refleja de manera cualitativa la distribu-
cin de Fourier del estado de superficie o de la resonancia superficial de las superficies
vecinales.
Para la superficie de = 9 el momento paralelo del fondo del estado de superficie
kxmin es un buen nmero cuntico y es independiente de los parmetros de medida, tales
como la energa de fotn utilizada. Los puntos de la figura 3.12 se alinean en una recta
vertical kxmin = /d, por lo que el estado presenta un comportamiento referido a la super-
ficie ptica, es decir, decae perpendicularmente a la superficie promedio (parte inferior
derecha de la figura 3.12). Esto da lugar a una distribucin en k ms difusa en la direccin
perpendicular a la superficie ptica kz [55], lo cual est representado por la zona som-
breada con forma de cigarro. Como el estado de superficie de Cu(111) tiene su origen en
el punto L es ah donde mayor intensidad ha de mostrar el estado cuando kz se aproxima
a l [56].
Por el contrario, la superficie de = 5 muestra una variacin de kxmin con la energa
de fotn, que sigue la direccin [111], es decir, la direccin perpendicular a las terrazas.
Esto implica que el estado de superficie se localiza en la direccin paralela a la terraza
y que decae perpendicularmente a la misma. El comportamiento es por tanto como si la
funcin de onda ignorase los escalones y se propagase paralela a las terrazas con direc-
cin (111). Los estados de superficie con este comportamiento pueden tomar todos los
valores de kx para una energa de ligadura fija variando la energa de fotn incidente.
Este comportamiento del estado de superficie se representa en la parte inferior izquierda
de la figura 3.12.
En el caso de la muestra con = 7 se observa una transicin entre ambos casos, es
decir, los puntos experimentales se encuentran localizados entre la direccin [111] y la
direccin media de la superficie que tiene en cuenta la modulacin introducida por los
escalones, es decir, la recta vertical kxmin = /d. Por tanto, el estado de superficie muestra
a la vez un decaimiento perpendicular a la superficie ptica y a las terrazas (111), como
3.2 Las superficies vecinales de Cu(111) 77
L x
L L /d
/d
5 7 9
/d /d
L L L
z= [111]
x= [211]
L L L
=5 =7 =9
Figura 3.13 : Proyeccin de las bandas de volumen en el plano (x, z) con E = EF para
diferentes superficies vecinales cuyos ngulos de corte son, de izquierda a
derecha, = 5 , 7 y 9 . Las zonas ms oscuras corresponden con la pro-
yeccin de las bandas a ambos lados de la zona de Brillouin de superficie,
mientras que las ms claras corresponden a la proyeccin desde un slo
lado. La zona de energa prohibida en torno a (zona sin sombrear) se
cierra para un ngulo cercano a 7 y el estado de superficie se transforma
en una resonancia. Los husos alargados se muestran rayados y represen-
tan la distribucin de momentos del estado de superficie en la direccin z
o z 0 . Tienen su mxima intensidad en los puntos L.
3.13, en analoga con la superficie plana que aparece en la figura 3.1. Los husos alarga-
dos representan las componentes de los espectros de Fourier de los estados de superficies
modulados por las terrazas y los escalones, correspondientes a las zonas sombreadas con
forma de cigarro mostrados en la figura 3.12.
Para ngulos de corte pequeos, en este caso = 5 , a la izquierda de la figura 3.13, la
zona de energas prohibidas es ms estrecha que para la superficie plana (111), pero sigue
estando en el centro de la zona de Brillouin de superficie. El estrechamiento se debe a la
proyeccin nueva obtenida de cada mitad de la zona de Brillouin, que se muestran en la
figura 3.13 como zonas grises claras en torno al punto (las zonas ms oscuras equivalen
a la proyeccin de las bandas a ambos lados de la zona de Brillouin de superficie).
A medida que incrementamos el ngulo de corte existe un momento en el que la zona
de energas prohibidas en torno a se cerrar. El clculo matemtico del ngulo crtico en
el que se cierra la zona de energas prohibidas es c = tan1 (ksemigap /kL ), donde ksemigap
es el radio del cuello de la zona prohibida para el fondo de la banda, es decir, la distancia
mnima entre el punto L y el borde de la zona de Brillouin, y kL es la distancia entre
y L. Para el caso de Cu(111), ksemigap = 0,19 1 y kL = 1,51 1 , por lo que se obtiene
un valor terico de c = 7,2 , muy cercano al valor del ngulo de corte de la muestra de
Cu(779).
Para ngulos mayores la zona de energas prohibidas en torno a se encuentra com-
pletamente cerrada, por lo que el estado de superficie se convierte en una resonancia
superficial. En la parte derecha de la figura 3.13 se observa este comportamiento. Existen
unas regiones con slo la mitad de la proyeccin de las bandas de volumen, centradas en
torno a los puntos /d. Como la transicin en la modulacin del estado de superficie ha
de ser suave, se espera que para el ngulo crtico, es decir para 7 , coexistan ambos tipos
de comportamiento como se muestra esquematizado en el centro de la figura 3.13, lo cual
explica el comportamiento experimental obtenido en la figura 3.12 para el caso de = 7 .
Los estados de superficie puros slo pueden existir en presencia de una zona de ener-
gas prohibidas, por lo que los estados que se obtienen para muestras con ngulos de corte
mayores que c = 7,2 son estrictamente resonancias superficiales. Dichas resonancias se
acoplan ms fuertemente con los estados de volumen que los estados de superficie puros,
por lo que estarn menos confinadas en la superficie, lo que disminuye la barrera poten-
cial efectiva que sienten los electrones debido a los escalones. Por tanto, el instante en el
que ocurre el cierre la zona de energas prohibidas est directamente relacionado con el
valor de la componente de la funcin de onda perpendicular a la superficie. Esto se ob-
serva en la intensidad del fondo de la banda de los estados, que se explica a continuacin
para el caso de la muestra de Cu(223).
3.2 Las superficies vecinales de Cu(111) 79
0.0
h
0.5 70eV
0.0
0.5 60eV
0.0
50eV
0.5
0.0
0.5 40eV
0.0
33eV
0.5
0.0
0.5 27eV
0.0
0.5 22eV
0 10 20 30
ngulo de emisin ()
con el flujo de fotones incidentes. Esta normalizacin es importante, puesto que permite
una comparacin directa de la intensidad de la resonancia superficial para las diferentes
energas de fotoemisin utilizadas.
Para una mejor visualizacin de los datos experimentales, todos los espectros de fo-
toemisin han de ser tratados individualmente de modo que se separe la seal debida a la
resonancia superficial de la del fondo, procedente de transiciones indirectas y de electro-
nes secundarios. Para ello, se ha substrado de la intensidad de cada espectro una medida
patrn para cada energa de fotn que muestra slo la intensidad del fondo (como t-
picamente ocurra para emisin normal). Esta medida se ha modificado con un factor
multiplicativo, de modo que se obtenga el mejor ajuste posible de la seal de fondo. Este
tratamiento ha dado muy buen resultado como se observa en la figura 3.14, donde no se
observa el escaln de Fermi usual, pero se aprecian claramente las parbolas correspon-
dientes a la resonancia superficial.
Las EDC de la figura 3.14 muestran la intensidad de fotoemisin normalizada a la
cantidad de fotones que inciden en la muestra en funcin de la energa de ligadura y el
ngulo de emisin referido a la normal ptica de la superficie (la direccin z de la figura
3.4). Dos efectos importantes se observan en la figura: el primero es la repeticin de la
resonancia en las diferentes energas de fotn estudiadas y el segundo tiene que ver con
la modulacin de la intensidad desde la primera a la segunda parbola segn aumenta la
energa de fotn.
La aparicin de la segunda parbola tiene su explicacin en la interaccin de los elec-
trones de la resonancia superficial con la superred de escalones, la cual produce una nue-
va periodicidad en el plano de la superficie perpendicular a los escalones. La observacin
de la nueva periodicidad se debe a la alta coherencia del conjunto de los escalones en la
superficie de Cu(223), como se deduce del patrn de LEED y de las imgenes de STM pre-
vias. Una buena periodicidad est directamente relacionada con un proceso de doblado
(repeticin del patrn con un vector superficial de la red recproca o Umklapp). Esta carac-
terstica es anloga a la obtenida en superficies de alta calidad de Au escalonado [48, 58].
De la separacin angular entre los mnimos de las parbolas de la resonancia superfi-
cial se puede obtener de forma experimental la periodicidad de la superred de escalones.
Para una mayor precisin en la determinacin de la periodicidad y del momento paralelo
es preferible utilizar la mnima energa de fotn a la que se observa la repeticin de la
resonancia, de modo que la separacin angular entre los mnimos sea la mayor posible,
lo que reduce el error experimental. La energa mnima de fotn a la que se observ ex-
perimentalmente la repeticin de la resonancia de superficie fue 27 eV. Esta energa es
mayor que las utilizadas durante el estudio de las otras superficies vecinales, puesto que
82 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
la energa de fotn mxima utilizada en esos casos era de 22 eV, lo cual explica el por qu
no se observaba la repeticin del estado de superficie.
En el caso de h = 27 eV el mnimo de energa de ligadura de la resonancia superficial
se obtiene a 0,26 eV , lo que concuerda con los resultados representados en la figura 3.9,
puesto que el valor de la energa de ligadura se encuentra entre 0,17 eV de la muestra
con un ngulo de corte de = 15,8 [42] y 0,3 eV de la muestra de = 9 . La posicin
angular del fondo de la primera parbola se encuentra en m = 7,7 , lo cual corresponde
a un valor del momento paralelo de kx = 0,32 1 , mientras que el mnimo de la segunda
parbola est en m = 23,3 , es decir, kx = 0,96 1 . La diferencia entre ambos valores es
inversamente proporcional a la periodicidad de los escalones, esto es, kx = 2/d = 0,64
1 , lo que corresponde con d = 9,8 , es decir, un ngulo de corte con respecto a la
superficie ptica de = (12,2 0,5 ) lo cual, dentro del margen de error de las medidas,
est en perfecto acuerdo con las medidas previas de STM.
Si repetimos este proceso para el resto de las energas de fotn utilizadas (entre 10 y
110 eV) obtendremos la posicin angular y energtica de los fondos de la resonancia su-
perficial, que se pueden transformar en una representacin del vector de ondas (kx , kz )
utilizando las ecuaciones 2.2 y 2.3. El resultado de este anlisis se representa para todas
las energas de fotn utilizadas en la figura 3.15, en analoga con la figura 3.12. Como
se espera para superficies con un ngulo de corte mayor de 7 , los mnimos de las par-
bolas conservan el momento paralelo para las diferentes energas de fotn utilizadas y se
alinean a lo largo de kx = /d. Adems, en este caso se obtiene la repeticin de la resonan-
cia que se alinea en 3/d. Por lo tanto la resonancia presenta un carcter bidimensional,
encontrndose deslocalizada a lo largo de la superficie ptica. Midiendo la separacin en
momento paralelo entre los mnimos de las parbolas repetidas se puede obtener una me-
dia de la periodicidad de la distancia entre escalones. En nuestro caso kx = 2/d = 0,63
1 , lo que corresponde con d = 10,0 y el ngulo de corte con respecto a la superficie
ptica queda como = (12,0 0,5 ), muy cercano al valor de 11,8 obtenido previamente
con STM.
El tamao de los puntos de la figura 3.15 es proporcional a la intensidad normalizada
de fotoemisin (en escala logartmica) del mnimo de la resonancia. Tal y como se observa,
el mximo de la intensidad de fotoemisin depende de la proximidad de la resonancia al
punto L de la estructura de bandas de volumen. El segundo punto L (L2 ) se encuentra en
k = 4,52 1 , lo que para la superficie escalonada de Cu(223) corresponde a un momento
paralelo de kx = 0,94 1 y perpendicular de kz = 4,42 1 . El clculo terico de la
energa de fotn a la que se alcanza el punto L2 es 70 eV, lo que concuerda con la mxima
intensidad experimental de la figura 3.15 para kx = 3/d. Por el contrario, el primer punto
3.2 Las superficies vecinales de Cu(111) 83
6
110 eV
60 eV L
4
40 eV
3 27 eV
17 eV
10 eV
2
L
1
0 /d 3/d
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2
kx (-1)
x
z
Figura 3.15 : Representacin del vector de ondas (kx , kz ) para todas las energa de fo-
tn utilizadas, en analoga con la figura 3.12. Los puntos corresponden a
los valores del momento tridimensional obtenidos de los fondos del ajuste
de las parbolas de la figura 3.14 para cada energa de fotn y su tamao
es proporcional a la intensidad de fotoemisin (en escala logartmica). Los
puntos se alinean a lo largo de kx = /d y 3/d y siguen muy de cerca en
intensidad y posicin a las zonas sombreadas, que hacen referencia al es-
pectro de Fourier de las componentes de la funcin de onda del estado de
superficie en el espacio recproco. Las lneas representan curvas de ener-
ga de fotn constante. La funcin de onda en el espacio real se representa
en la parte inferior, as como los ejes del sistema.
84 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
de doblado del estado final, entonces el estado final dentro del cristal (antes del Umklapp)
tendra que estar localizado en la misma posicin observada experimentalmente, pero
desplazado en kx por un vector de la superred 2/d, como se indica con el huso rojo en la
figura 3.16. Puesto que las transiciones directas implican que el estado inicial ha de poseer
el mismo momento y como no existen componentes de Fourier de la resonancia en dicha
regin, este argumento para un doblado proveniente del estado final es falso. Por tanto,
concluimos que la repeticin de la resonancia es debida al doblado de la zona del estado
inicial.
L
1.0
0.5
0.0
Figura 3.17 : Intensidad normalizada de los puntos experimentales de la figura 3.15 pa-
ra kx = 3/d en funcin del momento perpendicular a la superficie kz . Los
puntos de simetra correspondientes a la proyeccin en la direccin per-
pendicular a la superficie se encuentran indicados mediante lneas discon-
tinuas. La intensidad refleja la composicin espectral de la funcin de onda
de la resonancia superficial. La lnea continua es un ajuste de la ecuacin
3.2.
3
= 4 |W |, siendo el cambio en la energa propia del orbital superficial relativo al volumen y W el
ancho de banda.
88 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
Figura 3.18 : Izquierda: imagen de STM (300 300 2 ) tras la evaporacin de 0.35 ML de
Ag en Cu(223). Derecha: modelo tridimensional de la imagen topogrfica
de la izquierda. Se observan dos tipos de zonas en la superficie en forma
de tiras, una de Cu escalonado y otra de Ag, cada una con un ngulo local
de faceta diferente (tomada de la referencia [47]).
se calent suavemente a unos 500 K, lo que facilita la formacin de una estructura regular
de tiras de Ag y Cu para recubrimientos inferiores a 0,75 ML. Se ha comprobado mediante
medidas de STM y LEED que un calentamiento a una temperatura superior, de hasta 720
K, o durante tiempos mayores no influye de forma significativa en la topografa superfi-
cial resultante, lo que sugiere un equilibrio trmico muy estable del sistema en un amplio
rango de temperaturas. El recubrimiento se ha calculado inicialmente mediante imgenes
de STM de 30003000 2 , asumiendo que las reas cubiertas de Ag estn compuestas por
dominios altamente empaquetados, de profundidad atmica y que no existe una aleacin
superficial entre ambos materiales [62].
Figura 3.19 : Imgenes de STM del sistema Ag/Cu(223) para diferentes recubrimientos.
El tamao de las imgenes es de 10001000 2 . Se observa una transicin
de la morfologa de la superficie, que se refleja en el punto (0,0) del LEED
de la parte inferior de la figura (tomado de las referencias [47, 48, 61]).
3.3 Ag/Cu(223): evolucin electrnica con el recubrimiento 91
Cu limpio. Esto es as porque las facetas (112) de Ag precisan una mayor densidad de
escalones de la que hay disponible en la superficie (223) limpia, por lo que las facetas
(112) de Ag remueven muy eficazmente los escalones existentes en la zona de Cu limpio
(vase tambin la figura 3.20).
En las imgenes de LEED que aparecen en la parte inferior de la figura 3.19 se puede
observar que el punto (0,0) est dividido en 4 puntos diferentes para el rgimen A (entre
0,0 y 0,52 ML): dos relacionados con el patrn de Moir de la faceta (112) de Ag y otros
dos, que cambian su distancia con el recubrimiento, con el tamao de las terrazas de
Cu. Conociendo el cambio exacto de la separacin entre los puntos se puede calibrar el
ngulo local de la faceta de Cu, esto es, la traslacin de los escalones desde las tiras de
Cu a las de Ag conforme aumenta el recubrimiento, hasta que finalmente los puntos de
LEED convergen en un slo punto a 0,52 ML. En este recubrimiento el rgimen A termina,
debido a que los escalones de la faceta de Cu desaparecen totalmente5 .
El rgimen B (entre 0,52 y 0,76 ML) se caracteriza por una transicin suave en la
orientacin de las facetas de Ag desde (112) a (335) [a 14,5 de la direccin (111)], que est
ms cercana a la orientacin de la superficie ptica (223), lo que permite una mayor satu-
racin de Ag. Las zonas (335) se originan directamente en medio de las facetas existentes
(112) o por la coalescencia de dos facetas (112) contiguas. En cualquier caso, la orienta-
cin (335) aparece en el centro de las facetas de Ag, mientras que los bordes preservan
la orientacin (112). En cuanto a las zonas libres de Ag, como se puede ver en la imagen
de 0,65 ML de la figura 3.19, se observan tiras estrechas cruzadas por algunos escalones
irregulares. Para la imagen de 0,72 ML el rgimen B est prcticamente saturado, es de-
cir, tenemos terrazas planas de Cu(111) pequeas y tiras de Ag con orientacin (335), las
cuales muestran tambin una estructura de tipo Moir.
Durante el rgimen C (entre 0,76 y 1 ML) se desarrollan facetas (223), que poseen
la orientacin de la superficie ptica. Con 1 ML se observa una capa de Ag empaqueta-
da compactamente que moja la superficie en una distribucin aleatoria de terrazas con
orientacin (335) y (223), que mantiene la misma densidad de escalones que la superficie
limpia.
El punto (0,0) del LEED en los regmenes B y C tambin muestra cambios. Como se
observa de la figura 3.19, a partir del rgimen B aparecen dos nuevos puntos en torno al
punto nico perteneciente a las tiras de Cu, que para esos recubrimientos ya no tiene es-
calones. As, las tiras de Ag con su estructura de Moir forman un patrn de difraccin en
disposicin de rombo. Conforme aumenta el recubrimiento de Ag cambia la orientacin
5
Idealmente esto no debera ocurrir hasta 0,6 ML cuando las facetas de Cu(111) son totalmente planas
(sin escalones), pero debido a los defectos superficiales la saturacin efectiva ocurre a un recubrimiento
inferior.
92 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
de las facetas de Ag desde la (112) a la (335) y por ltimo a la (223) y esto se traduce en el
patrn de difraccin del punto (0,0) en una reduccin de las dimensiones del rombo. La
disminucin en el tamao del rombo tiene una relacin directa con el recubrimiento. La
unvoca reproducibilidad de este resultado ha demostrado ser esencial en los experimen-
tos de fotoemisin, puesto que usando tcnicas de LEED se dispone de una calibracin
en el recubrimiento de Ag con una precisin de 0,05 ML en los tres regmenes.
(223)
1.0 ML
(335)
0.76 ML
(112) (111)
0.5 ML
11.8
Cu Ag Cu Ag
0.3 ML
0.0 ML
Figura 3.20 : Esquema de la evolucin de las facetas con el recubrimiento de Ag, tal y
como se deduce del anlisis conjunto de los datos de STM y LEED.
h=27 eV
0.40 ML 0.60 ML 0.80 ML 1.40 ML
()
0 0 0
5 5 5
5
10 10 10
10
15 15 15 15
20 20 20 20
0,40 ML es de 0,09 1 . Por ello en la tira de Cu el estado de superficie se define por una
distribucin finita, pero continua, de parbolas alrededor de los mnimos que dan lugar
a un aplanamiento efectivo de las bandas mucho ms marcado en la zona entre las dos
parbolas.
Con un recubrimiento de 0,6 ML de Ag nos encontramos en el rgimen B, en el que
las tiras de Cu slo tienen escalones fijados de forma aleatoria por defectos superficiales
o entre dos tiras adyacentes de Ag. Las imgenes de STM muestran una variacin en la
anchura de las terrazas, por lo que a efectos prcticos se tiene la direccin (111) como
ngulo local promedio de la faceta. De las imgenes de STM se obtiene un promedio en
el tamao de las tiras de Cu de WCu 45 . Para las tiras de Ag se tienen facetas en las
direcciones (112) y (335).
Los espectros de fotoemisin de la figura 3.21 para este recubrimiento muestran un
slo estado no dispersivo con una energa de ligadura de 0,30 eV, indicado mediante una
lnea discontinua en la figura. Este comportamiento sugiere que se trata de un estado
de pozo cuntico, como veremos ms adelante. Su energa de ligadura es menor que la
obtenida con 0,40 ML, aunque todava mayor que para la muestra limpia de Cu(223). Es
comparable con el pico del estado N = 1 de pozo cuntico lateral observado en terrazas
de Au(111) [58].
Siguiendo con la descripcin dada en el marco de la difraccin de electrones (LEED),
los husos de difraccin para las terrazas planas de Cu aparecen completamente ensan-
chados y el doblado de las bandas existente en la muestra limpia y para 0,40 ML de Ag
se colapsa en un solo pico de pozo cuntico a la energa de 0,30 eV. Observando cuidado-
samente los espectros de fotoemisin de este recubrimiento, se puede advertir el estado
cuntico N = 2 para una energa de ligadura de 0,125 eV para ngulos mayores y me-
nores de emisin, indicado en la figura 3.21 por medio de unas lneas discontinuas ms
finas que la de mayor energa de ligadura. Adems, para bajos ngulos de emisin (lnea
punteada en la figura 3.21) aparece algo de intensidad muy cerca de la energa de Fermi.
Esta intensidad no proviene de estados de Cu, sino de Ag, como se ver al aumentar el
recubrimiento.
Los espectros de 0,80 ML corresponden al rgimen C, en el que existen tiras de Cu
aisladas con una anchura variable e irregular que se alternan con regiones extensas de Ag
que muestran aleatoriamente facetas (335) y (223) de diferentes grosores. Las terrazas de
Cu existentes tienen en promedio la orientacin (111), aunque en este rgimen el sistema
muestra una evidente prdida de orden con respecto a los regmenes A y B.
Los espectros de fotoemisin de la figura 3.21 para el recubrimiento de 0,80 ML mues-
tran un estado de Cu evidentemente dispersivo, por lo que se ha perdido de este modo
3.3 Ag/Cu(223): evolucin electrnica con el recubrimiento 97
Confinamiento del estado de Cu por las tiras de Ag. Estados de pozo cuntico
De la figura 3.21 se concluy que el valor de la energa de ligadura del fondo del esta-
do en las tiras de Cu era menor que el correspondiente a la superficie vecinal equivalente,
para el mismo tamao de terraza. La figura 3.22 muestra la comparacin de dicho cambio
en la energa de ligadura del fondo de los estados de Cu en funcin de la anchura de las
98 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
200
175 Ag/Cu(223)
Escalones {100}
150 Escalones {111}
125
100
75
50
25
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
d ()
Figura 3.22 : Cambio en la energa de ligadura del fondo del estado de superficie de
Cu en funcin de la anchura de las terrazas para el sistema Ag/Cu(223)
(crculos). Los cuadrados y tringulos siguen la lnea discontinua (1/d2 ) [48]
y corresponden a las superficies vecinales con escalones de tipo {100} y
tipo {111}, respectivamente, obtenidos de la figura 3.9. El incremento en el
cambio de energa de ligadura se debe al confinamiento en las tiras de Ag.
La mayor diferencia, para terrazas de 45 , corresponde al estado de pozo
cuntico.
3.21 para un recubrimiento de 0,60 ML. Con el fin de retirar la seal de fondo de los
espectros y conocer la posicin de los diferentes estados, realzando la intensidad de los
picos, cada espectro de fotoemisin se deriva dos veces. Una vez derivados todos los
espectros, se han suavizado para obtener una imagen bidimensional. El resultado de este
proceso se muestra para 5 recubrimientos diferentes en la figura 3.23, donde se representa
la intensidad de fotoemisin derivada dos veces en escala de grises con respecto a la
energa de ligadura y el ngulo de emisin medido con respecto a la normal ptica (223).
La energa de fotn incidente elegida es 22 eV, puesto que reduce apreciablemente la seal
del estado de Ag, manteniendo la intensidad del estado de Cu. A pesar de ello, en todos
los recubrimientos se aprecia una tenue intensidad entorno a 4 muy cercana a la energa
de Fermi que est relacionada generalmente con la seal proveniente de Ag.
El recubrimiento de 0,40 ML de la figura 3.23 muestra un comportamiento dispersivo,
anlogo al de la figura 3.21, donde se aprecia la repeticin del estado en 17,5 con una
energa de ligadura del fondo de 0,31 eV. La repeticin de la parbola se observa con ms
claridad, para esta energa de fotn, que en el substrato limpio (figura 3.14).
La imagen de 0,50 ML muestra un estado dispersivo con una energa de ligadura (0,33
eV) mayor que la de 0,40 ML, compatible con el aumento del tamao de terraza observado
en el rgimen A. En este segundo recubrimiento la segunda parbola desaparece y se
colapsa con la primera, del mismo modo que se juntan los puntos del LEED de la figura
3.19.
Para 0,60 ML se aprecia un cambio considerable con respecto a los anteriores recubri-
mientos. Por un lado el estado deja de ser dispersivo con una energa de ligadura cons-
tante de 0,30 eV, apreciablemente menor que las anteriores. Este comportamiento es com-
parable a la observacin de estados de pozo cuntico lateral en Au(111) escalonado [58].
Si aceptamos que el estado de superficie observado est cuantizado por el confinamiento
que sufren los electrones debido a las tiras de Ag, la diferencia entre su energa de ligadu-
ra y la obtenida para el estado de superficie de Cu(111) plano (EB,plano = 0,39 eV [42]), nos
puede dar una idea de la anchura de las terrazas (111) de las tiras de Cu. Usando como
primera aproximacin la relacin de las autoenergas de un estado de pozo cuntico de
barreras infinitas para N = 1 se obtiene [65]:
s
~2 2
dCu = , (3.3)
2m (EB,plano Emin )
que da un valor de 30 , es decir, del orden del tamao de las tiras de Cu (45 ) para
este recubrimiento.
A 0,125 eV aparece claramente un estado para ngulos de emisin en torno a 17 .
100 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
0.0
0.2
0.4 0.80 ML
0.0
0.2
0.4 0.70 ML
0.0
0.2
0.4 0.60 ML
0.0
0.2
0.4 0.50 ML
0.0
0.2
0.4 0.40 ML
0 5 10 15 20
ngulo de emsin ()
Todava queda por responder la segunda pregunta sobre el comportamiento de los es-
tados electrnicos en funcin del recubrimiento. Conviene realizar un estudio en funcin
de la energa de fotn, tal y como se hizo para las muestras vecinales de Cu(111) en las
figuras 3.11 y 3.14, para llevar a cabo un anlisis tridimensional en funcin de los vectores
de onda y comparar el resultado con las figuras 3.12 y 3.15.
La figura 3.24 muestra la intensidad de fotoemisin normalizada al flujo de fotones
incidentes para un recubrimiento de cada rgimen, utilizando 4 energas de fotn dife-
rentes: 22 eV, 27 eV, 50 eV y 70 eV. Las EDC estn en escala de grises, siendo el negro la
intensidad mxima, en funcin de la energa de ligadura y del ngulo respecto a la nor-
mal ptica. La seal de fondo de todos los espectros se ha substrado utilizando el mismo
criterio de la seccin 3.2.3, con la intencin de mejorar la visualizacin de la seal prove-
niente de los estados de Ag y Cu. Las lneas cortas y blancas marcan la posicin angular
102 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
0.0 0.0 0.0 0.0
0.0 0.0 0.0 0.0
3.5 3.5 3.5 3.5
3.0 3.0 3.0 3.0
Figura 3.25 : Representacin del vector de ondas (kx , kz ) para los cuatro recubrimientos
de la figura 3.24, en analoga con la figura 3.15. Los cuadrados muestran
la posicin del fondo de los estados de Cu, mientras que los crculos grises
corresponden a los estados de Ag (ambos indicados por las lneas blancas
en la figura 3.24). Se observa que la alineacin de los puntos cambia con
el recubrimiento y presenta un ngulo diferente, en relacin con el cambio
de orientacin local de las facetas con respecto a la direccin ptica del
substrato.
La muestra con un recubrimiento de 0,40 ML presenta dos filas de puntos que se ali-
nean con un ngulo de 4,5 respecto a la direccin normal a la superficie ptica [direccin
(223)]. Este ngulo coincide, dentro del margen de error, con el ngulo obtenido para la
faceta local mediante STM, que es de 7,0 respecto a la direccin (111), es decir, 4,8 res-
pecto a la direccin (223). La distancia entre ambas rectas corresponde a la separacin
en momento paralelo para esta superficie: kx = 0,38 1 , lo que parece indicar que la
funcin de onda del estado de superficie de la tira de Cu est referida al ngulo local de
la faceta.
Para un recubrimiento de 0,60 ML se obtiene que el ngulo que forman los puntos ex-
perimentales con respecto a la direccin normal a la superficie (223) es 16,3 . Este ngulo
es mayor que el de la direccin (111) (11,8 respecto a la normal ptica) que forman las
terrazas de Cu con la direccin ptica. Esto contradice inicialmente la idea de que para
3.3 Ag/Cu(223): evolucin electrnica con el recubrimiento 105
este rango las tiras de Cu estn moduladas con respecto a la direccin de la terraza, como
ocurre con las superficies vecinales que presentan un ngulo de corte pequeo.
Del mismo modo, para 0,80 ML se observa que el ngulo que presenta el ajuste de
los puntos del fondo de las parbolas de Cu con respecto a la normal ptica es 13,4 .
Este ngulo es, una vez ms, mayor que el esperado para las terrazas planas (111) (11,8
respecto a la normal ptica).
Para el recubrimiento de 1,40 ML se observa un comportamiento similar a Cu(223),
con los puntos experimentales alineados verticalmente y cerca de las lneas /d y 3/d.
Ms concretamente, la separacin entre las lneas verticales experimentales para este re-
cubrimiento es kx = 0,63 1 , equivalente al valor obtenido en la repeticin del estado
en la superficie (223). El origen de este desplazamiento rgido respecto a las posiciones de
los bordes de zona /d y 3/d de la muestra limpia no est claro. Por un lado, las lneas
verticales estn demasiado lejos de su posicin esperada como para achacarlo simple-
mente a errores experimentales por posibles fallos de alineacin y, por otro, la morfologa
de la superficie es demasiado compleja e irregular, ya que muestra facetas aleatorias (335)
y (223), como para poder modelizar el comportamiento de la funcin de onda.
Por lo tanto, el comportamiento de los estados de Cu y Ag representa un problema
complejo. Con el anlisis de la figura 3.25 no estamos en condiciones de responder a la
segunda cuestin acerca del comportamiento y localizacin de los estados de superficie.
Dada la complejidad de este sistema y como ya ha sido probado que los estados de Ag y
Cu estn desacoplados y son independientes entre s, se tratar inicialmente el comporta-
miento de los estados de Cu y posteriormente los de Ag.
Para poder comprender los resultados de fotoemisin de este sistema en los diferentes
rangos de crecimiento, es imprescindible un mayor nmero de datos que permita enten-
der su evolucin. Para ello, en el rango entre 0 y 1 ML, se han estudiado un total de 17
recubrimientos, 8 de ellos con altas energas de fotn (22 eV a 70 eV) en la lnea SU8 de LU-
RE (Francia) (resolucin energtica 80 meV, resolucin angular 0,5 ) y 7 con baja energa
de fotn (10 eV a 22 eV), medidos en la lnea F2.2 de HASYLAB en Hamburgo (Alemania)
(resolucin energtica 120 meV, resolucin angular 1 ). Los resultados de altas energas
tienen principalmente tres ventajas respecto a los de baja energa: el sistema tiene mejor
resolucin (los datos presentan una dispersin menor), se observa la repeticin de la se-
gunda parbola y el estudio con una energa de fotn superior permite sondear un rango
mayor de kz .
La funcin de onda de los estados de superficie que estamos analizando puede mos-
106 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
trar tres tipos de comportamiento: puede estar referida a la superficie ptica, a la faceta de
Cu escalonado o a la direccin de las terrazas (111). Para poder discernir correctamente
cul es el comportamiento que se observa, conviene recordar que un estado de superficie
convencional se caracteriza porque est localizado (en mayor o menor grado) en la direccin
perpendicular a la superficie. Esto hace que la componente del momento perpendicular a la
superficie k no sea un buen nmero cuntico, es decir, la energa del estado de superficie
no depende de k . Por el contrario, k|| s es un buen nmero cuntico, y al variar el mo-
mento perpendicular se detecta el estado de superficie siempre para el mismo valor del
momento paralelo k|| (que para la superficie plana (111) de los metales nobles es k|| = 0).
Podemos utilizar a la inversa el argumento anterior para determinar cul es la direc-
cin respecto a la cual est referida la funcin de onda del estado de superficie. En efecto,
si definimos k|| y k en un sistema de referencia dado, y en este sistema de referencia k||
no depende de k (es decir, k|| no vara al cambiar la energa de fotn), esto implica que
la funcin de onda del estado de superficie est referida al plano que contiene a k|| .
Es por tanto de vital importancia conocer el origen angular de nuestra superficie de
referencia ya que el valor obtenido de k|| depende fuertemente de l, tal y como se deduce
de la ecuacin 2.2. En las muestras planas, en general, los estados de superficie estn
referidos a la normal a la superficie, lo que define el origen angular del sistema. En el
sistema de Ag/Cu(223) el problema al que nos enfrentamos es que desconocemos a priori
cual es la direccin de referencia, la que se considera nuestra origen angular, para los
estados de superficie de Cu y Ag, direccin que no tiene por qu ser necesariamente la
misma al variar el recubrimiento y segn se refiera el estudio a las facetas de Cu o Ag.
En particular, adems de los cambios estructurales de las facetas de Ag, las tiras de Cu
atraviesan el ngulo de asimetra crtico (7 ) para el que se observaba un cambio de
comportamiento en las superficies limpias. Para este caso, se obtuvo que para ngulos de
corte mayores de 7 el sistema de referencia de la superficie ptica era el adecuado, puesto
que en este sistema de referencia el momento paralelo es constante al variar la energa de
fotn. Sin embargo, para ngulos menores de 7 este sistema de referencia no es adecuado,
puesto que el momento paralelo vara. El sistema de referencia adecuado para los estados
de Cu en este rango es el que presenta una direccin normal a las terrazas (vase la figura
3.12 izquierda). Este sistema se relaciona con el definido por la superficie ptica mediante
una rotacin. En el sistema definido por las terrazas (111), k|| no vara con k . En la figura
3.25 el momento paralelo vara con la energa de fotn para todos los recubrimientos por
debajo de 1 ML en los que aparece el estado de Cu. Por lo tanto esto indica que han de
estar referidos a otro sistema de referencia diferente al de la superficie ptica.
La figura 3.26 presenta la pendiente en la grfica izquierda y la ordenada en el origen
3.3 Ag/Cu(223): evolucin electrnica con el recubrimiento 107
4
30 Estado de Cu Estado de Cu
2
25
0
20
-2
15
-4
10
-6
5 -8
0 -10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Ag Ag
en la derecha del ajuste lineal por mnimos cuadrados del fondo de los estados de Cu con
respecto a la normal ptica en funcin del recubrimiento de Ag (provenientes del ajuste
lineal de datos similares a los de la figura 3.25). Los puntos medidos con alta energa de
fotn se indican por medio de cuadrados, mientras que los crculos corresponden a datos
de baja energa y presentan un error mayor. En ambas grficas, se observa que existe una
transicin entre los recubrimientos de 0,45 y 0,50 ML: en el caso de la pendiente, sta
decrece casi linealmente y luego se hace prcticamente constante al pasar la transicin,
mientras que la ordenada en el origen es negativa y aumenta con el recubrimiento, y pasa
a ser positiva y casi constante a partir de 0,50 ML. Esta transicin, que ocurre en torno
a 0,48 ML, est posiblemente relacionada con la observada en las muestras de Cu(111)
vecinal, donde el estado pasa de estar referido a la superficie ptica a estar referido a la
terraza (111) a medida que aumenta el tamao de terraza.
Con el fin de determinar el sistema de referencia adecuado para cada recubrimiento,
esto es, discernir si la direccin de referencia en la que se conserva k|| es la superficie
ptica, la direccin de las terrazas (111) o el ngulo local de la faceta (figura 3.27) vamos
a analizar el sistema utilizando tres mtodos diferentes:
Prueba y error. Consiste en restar al valor al que aparece el fondo de cada estado
108 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
(223)
x
z
Resta del ngulo de LEED. Consiste en restar al valor al que aparece el fondo de
cada estado el ngulo de la faceta local obtenido de las medidas de LEED para cada
recubrimiento. Este mtodo es equivalente a utilizar como sistema de referencia la
direccin local de las facetas.
0 kz
k = + tan(90 ) (A) cos , (3.5)
cos(90 )
donde m es la pendiente, el ngulo en grados que forma la recta con el eje kx y A
es la ordenada en el origen del ajuste. La transformacin de los puntos experimentales
utilizando las ecuaciones 3.4 y 3.5 para el estado de Cu de la figura 3.25 se muestra en la
figura 3.28.
Para 0,40 ML se aplica a los datos una rotacin de 4,5 y se obtienen dos rectas verti-
cales separadas en k||0 = 0,32 1 , lo que resulta en un tamao de escaln de d = 19 y
3.3 Ag/Cu(223): evolucin electrnica con el recubrimiento 109
Figura 3.28 : Representacin del vector de ondas del estado de superficie de Cu em-
pleando el mtodo de rotacin segn el ajuste lineal por el que los puntos
experimentales de la figura 3.25 se han rotado segn el ngulo obtenido de
la pendiente del ajuste lineal obtenido en el sistema de coordenadas de la
superficie ptica. Como se esperaba, todos los puntos se alinean en rectas
verticales, pero su direccin no corresponde ni a la superficie ptica, ni a
la direccin de las terrazas (111), ni al ngulo de la faceta local.
un ngulo de faceta respecto a la direccin (111) de 6,28 . Estos valores son cercanos a los
obtenidos de las imgenes de STM: d = 17 y 7 . En cualquier caso, esta rotacin no es
perfecta, puesto que la distancia entre las dos rectas no es el doble de la distancia entre el
origen y la primera recta, que se encuentra en 0,13 1 , como ocurre para la muestra de
Cu(223) en la figura 3.15.
Para 0,60 y 0,80 ML las rotaciones aplicadas del ajuste lineal de la figura 3.25 son 16,3
y 13,4 respectivamente. Estas rotaciones son mayores que el ngulo con direccin normal
a las terrazas (111), que segn las imgenes de STM son la direccin promedio de las tiras
de Cu. En la figura 3.28 se obtiene un resultado contradictorio: la alineacin de los puntos
rotados tienen momentos paralelos k||0 negativos, lo cual no tiene significado fsico.
Por lo tanto, el procedimiento de rotacin segn el ajuste lineal no parece funcionar bien
para los recubrimientos superiores al que se observa la transicin de la figura 3.26. Se hace
110 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
necesario aplicar otro de los mtodos descritos que tenga sentido fsico y que permita el
anlisis de todos los recubrimientos.
Figura 3.29 : Representacin del vector de ondas del estado de superficie de Cu utili-
zando el mtodo de prueba y error que consiste en restar una cantidad fija
dependiente del recubrimiento al valor angular al que aparece el fondo de
las parbolas de la figura 3.24. El ngulo substrado para el recubrimiento
de 0,40 ML es 4 , para el recubrimiento de 0,60 ML es 11,5 y para 0,80 ML
es 12 . Todos los puntos se alinean en rectas verticales.
parte del correspondiente a la segunda parbola. En otras palabras, el ngulo del fondo
de cada estado de un recubrimiento particular se ha de cambiar en un valor fijo de modo
que la primera parbola se localize en /d y la segunda en 3/d, como ocurre en la figura
3.15 para la superficie (223). Para los recubrimientos mayores, por el contrario, tenemos
que restar un ngulo tal que permita que todos los puntos experimentales se alineen en a
k||0 = 0.
En la figura 3.29 se muestra el resultado de aplicar este mtodo de prueba y error. Para
el recubrimiento de 0,40 ML el ngulo restado es 4 y se obtienen dos rectas verticales, la
primera en k||0 = 0,19 1 y la segunda en 0,55 1 . Esto da una diferencia de k||0 = 0,36
1 , lo que equivale a una anchura de terraza de 17,5 y un ngulo de local de la faceta
de Cu de 6,8 . Estos valores coinciden con los obtenidos de las imgenes de STM.
Para el recubrimiento de 0,60 ML, tenemos que restar un ngulo de 11,5 , mientras que
para el recubrimiento de 0,80 ML el ngulo es de 12 . Estos valores son muy prximos al
valor de la direccin normal a las terrazas (111). En analoga con la figura 3.24, donde los
estados prcticamente no varan su posicin angular al cambiar la energa de fotn, esto
significa que para recubrimientos altos el estado de Cu est referido a las terrazas (111).
Este mtodo de prueba y error presenta varios inconvenientes. Por un lado no podemos
aplicar este mtodo a los datos de bajo recubrimiento y baja energa de fotn obtenidos
en HASYLAB, ya que en estos datos no se observa la repeticin de la parbola. Por otro
lado, no tenemos ningn argumento fsico que apoye la aplicacin de este mtodo a nues-
tros resultados experimentales, a pesar de que permitan explorar el comportamiento del
estado de superficie de Cu.
Ag
sin f aceta = sin (111) + (sin (111) sin Ag(112) ), (3.6)
1 Ag
donde, tal y como se observa en la figura 3.27, f aceta es el ngulo local de la faceta de Cu
con respecto a la direccin (111), (111) = 11,8 es el ngulo que forma la direccin (111)
con la normal ptica (223), Ag(112) = 19,5 es el ngulo que forman la direccin (111)
112 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
Figura 3.30 : Representacin del vector de ondas del estado de superficie de Cu utili-
zando el mtodo de resta del ngulo de LEED que consiste en restar el
ngulo de la faceta de Cu obtenido mediante LEED, ecuaciones 3.6 y 3.7,
al valor angular al que aparecen las parbolas de la figura 3.24 para cada
recubrimiento. El ngulo substrado para el recubrimiento de 0,40 ML es
4,88 , para el recubrimiento de 0,60 ML es 10,91 y para 0,80 ML es 11,8 . El
resultado es muy semejante al obtenido por el mtodo de prueba y error.
El mtodo de resta del ngulo de LEED consiste en referir los datos al sistema de refe-
rencia de la faceta de Cu. Para ello se resta el ngulo f aceta obtenido de la expresin 3.6,
pero con respecto a la normal ptica (223), es decir,
para todos los ngulos experimentales obtenidos de la figura 3.24. Posteriormente, me-
diante las expresiones 2.2 y 2.3, se calcula el momento paralelo y perpendicular en el sis-
3.3 Ag/Cu(223): evolucin electrnica con el recubrimiento 113
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Ag (ML)
la superficie: las tiras de Cu son muy estrechas y slo tienen 2 escalones de media por
tira. Esto puede no ser suficiente para recrear el comportamiento del Cu vecinal con ese
tamao de terraza.
La segunda es ms compleja y tiene que ver con la transicin misma. Tal y como se
describi en las superficies vecinales de Cu(111), existe una transicin de la localizacin
del estado desde la superficie ptica a la direccin de la terraza a medida que aumenta
el tamao de las terrazas de Cu. Lo mismo puede suceder para el caso de Ag/Cu(223).
Si a 0,48 ML existe esta transicin, el cambio de ngulo pasar bruscamente al valor
correspondiente a la direccin (111). Se observa en efecto un considerable alejamiento del
valor esperado si no hubiera transicin (lnea negra). A 0,60 ML la direccin de la faceta
es tan prxima a la direccin (111) que prcticamente no detectamos ninguna diferencia
entre el mtodo resta del ngulo de LEED y el de prueba y error.
En definitiva, concluimos que el comportamiento general del estado de Cu est refe-
3.3 Ag/Cu(223): evolucin electrnica con el recubrimiento 115
3.5 3.5 3.5
Figura 3.32 : Representacin del vector de ondas (kx , kz ) del estado de Ag para tres re-
cubrimientos, en analoga con la figura 3.25. Los cuadrados muestran la
posicin del fondo del estado de superficie de Ag con respecto a la direc-
cin ptica del substrato y las lneas son los ajustes de la primera parbola.
Se observa que la pendiente de los ajustes cambia con el recubrimiento de
Ag.
lo observado mediante STM, parece haber una tendencia a que el estado de Ag se refiera
a la direccin ptica cuando depositamos 2 ML de Ag. La lnea continua de la figura
3.33 representa una modelizacin del comportamiento encontrado. En el modelo se ha
elegido que se alcance la direccin (223) para 2 ML de Ag, si bien este es un valor me-
ramente orientativo. Este resultado est relacionado probablemente con la irregularidad
que existe en la morfologa de la superficie, puesto que estas irregularidades resultan en
pequeos cambios de los resultados en la tcnica de fotoemisin.
Por tanto, el estado de Ag est tambin referido a la direccin de las facetas, pero dada
la irregularidad de la superficie, coexisten todas las facetas de Ag y el comportamiento
final es un promedio de la seal fotoemitida por todas las facetas presentes. As pues, se
observa un cambio desde la direccin (112) hacia la (223), pasando por la (335), que tiene
lugar de forma suave desde 0,52 ML a 2 ML.
3.3 Ag/Cu(223): evolucin electrnica con el recubrimiento 117
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
Ag (ML)
Figura 3.33 : Comparacin de los dos mtodos utilizados para el anlisis de la evolucin
del estado de Ag en el sistema Ag/Cu(223). La grfica muestra el cambio
en el ngulo que precisa cada mtodo en funcin del recubrimiento de Ag.
Los cuadrados negros corresponden al mtodo de prueba y error y los
cuadrados vacos al mtodo de rotacin segn el ajuste lineal. Los datos
parecen seguir la lnea negra, en la que se pasa suavemente desde la
direccin (112) a 0,52 ML hasta la direccin macroscpica (223) a 2 ML de
recubrimiento. El error de cada mtodo se muestra en cada tipo de punto.
3.4. Conclusiones
La tcnica de ARUPS se ha aplicado a las superficies de Cu(111) vecinal y Ag/Cu(223)
con diferentes recubrimientos, que previamente se haban caracterizado estructuralmente
mediante tcnicas de STM y LEED. Las conclusiones ms importantes se enumeran a
continuacin.
Nanoestructuras de Ag/Cu(223):
- La funcin de onda de los estados de superficie est modulada por el ngulo local
de la faceta.
3.4 Conclusiones 119
- El estado de Cu presenta una transicin similar a las superficies vecinales. Est refe-
rido al ngulo local de la faceta para recubrimientos de Ag bajos y pasa a localizarse
en la direccin de las terrazas (111) para recubrimientos superiores a 0,48 ML.
- A pesar de que ARUPS no es una tcnica estructural, este estudio prueba que es
posible detectar los cambios en la estructura electrnica provocados por modifica-
ciones morfolgicas en el rango nanomtrico de periodicidades.
120 Estructura electrnica de un sistema nanoestructurado: Ag/Cu(223)
Bibliografa
[2] D. J. Monsma, J. C. Lodder, Th. J. A. Popma, B. Dieny, Phys. Rev. Lett. 71, 1641 (1995).
[7] F. Liu, J. Tersoff, M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 80, 1268 (1998).
[11] A. R. Bachmann, A. Mugarza, J. E. Ortega, S. Speller, Phys. Rev. B 64, 153409 (2001).
[12] S. Flsch, A. Helms, S. Zphel, J. Repp, G. Meyer, K. H. Rieder, Phys. Rev. Lett. 84,
123 (2000).
[15] K. J. Friedland, H. P. Schnherr, R. Ntzel, K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 83, 156 (1999).
[16] J. Kuntze, A. Mugarza, J. E. Ortega, App. Phys. Lett. 81, 2463 (2002).
[31] T. C. Hsieh, T. Miller, T. C. Chiang, Phys. Rev. Lett. 55, 2483 (1985).
[33] S. LaShell, B. McDougall, E. Jensen, Phys. Rev. Lett. 77, 3419 (1996).
[35] F. Reinert, G. Nicolay, S. Schmidt, D. Ehm, S. Hfner, Phys. Rev. B 63, 115415 (2001).
[38] S. L. Hulbert, P. D. Johnson, N. G. Stoffel, N. V. Smith, Phys. Rev. B 32, 3451 (1985).
[41] G. Nicolay, F. Reinert, S. Hfner, P. Blaha, Phys. Rev. B 65, 033407 (2001).
[43] R. Paniago, R. Matzdorf, G. Meister, A. Goldmann, Surf. Sci. 336, 113 (1995).
[50] X. Y. Wang X. J. Shen, Jr. R. M. Osgood, Phys. Rev. B 56, 7665 (1997).
[55] S. D. Kevan, N. G. Stoffel, N. V. Smith, Phys. Rev. B 31, 1788 (1985); Phys. Rev. B 31,
3348 (1985).
124 BIBLIOGRAFA
[57] F. Theilmann, R. Matzdorf, G. Meister, A. Goldmann, Phys. Rev. B 56, 3632 (1997).
[61] A. R. Bachmann, S. Speller, A. Mugarza, J. E. Ortega, Surf. Sci. 526, L143 (2003).
[65] C. Cohen-Tannoudji, B. Diu, F. Lalo, Quantum mechanics (vol. I), John Willie and
sons, New York (1977).
CAPTULO 4
4.1. Introduccin
Este captulo est dividido en dos secciones: la primera estudia la dinmica de fonones
de la superficie de Ge(111), lo que nos permite parametrizar la forma y comportamiento
de la onda de Rayleigh (RW) de este substrato. Este resultado se aplicar posteriormente
a las diferentes fases del sistema Sn/Ge(111). En la segunda seccin se investiga la transi-
cin de fase inducida por temperatura que se produce en el sistema Sn/Ge(111) para un
recubrimiento de 0,33 ML. Esta superficie ha sido muy polmica en la ltima dcada da-
das las diferentes interpretaciones y modelos postulados para explicar sus propiedades.
Una cuestin pendiente consiste en resolver el mecanismo que produce dicha transicin.
Esta segunda parte est estrechamente relacionada con el captulo siguiente de esta me-
moria, en el que se estudiar el sistema isoelectrnico Sn/Si(111), sistema en el que no se
observa la transicin de fase al disminuir la temperatura, incluso hasta 6 K.
Este captulo est enteramente dedicado a determinar la dinmica de fonones y la es-
tructura de bandas de fonones de ambos sistemas. Para ello se utilizan tcnicas de tiempo
de vuelo (TOF) en la difraccin de tomos de He (HAS), que ya se han introducido en el
segundo captulo de esta memoria.
El trabajo experimental se ha realizado en el Instituto fr Strmungsforschung de Go-
126 Estudio de la dinmica fonnica: Ge(111)-c(2 8) y -Sn/Ge(111).
tinga (Alemania). Las simulaciones y clculos tericos que se incluyen en este captulo
han sido realizados por W. Kaminski, J. Ortega, R. Prez y F. Flores.
4.2.1. Introduccin
El germanio es un material semiconductor con estructura de tipo diamante, con una
constante de red de 5.66 que presenta hibridacin sp3 . En esta configuracin los enlaces
se orientan con simetra tetradrica. La banda ocupada tiene 4 electrones y la vaca 4
huecos por tomo. Cada banda s y p contribuye en la misma proporcin en los orbitales
de hibridacin sp3 .
La superficie de Ge(111) presenta varias reconstrucciones estables y metaestables para
diferentes condiciones de temperatura y preparacin. La fase estable a RT de Ge(111) es
la reconstruccin c(2 8). Palmberg y Peria [1] realizaron el primer intento de caracteri-
zacin de esta estructura utilizando tcnicas de difraccin de electrones de baja energa
(LEED). Concluyeron que la interpretacin ms simple era una reconstruccin con tres
dominios (2 8). Ms de una dcada despus, Chadi y Chiang [2] propusieron un mode-
lo con una estructura c(2 8), que explicaba de manera natural los resultados anteriores.
Este modelo ha sido ampliamente apoyado por otros trabajos posteriores [38]. Los es-
tudios de STM [5] y de SXRD [6] han dado lugar a una descripcin de la distribucin de
los adtomos, que se sitan en posiciones de tipo T4 (verticalmente encima de los tomos
de la segunda capa del volumen) [9, 10], saturando la mayora de los enlaces colgantes
(dangling bonds) de la ltima capa. Existe un cierto nmero de tomos cuyos enlaces col-
gantes no se saturan por los adtomos, que se denominan restmos o tomos restantes.
Adicionalmente hay una transferencia de carga electrnica desde los adtomos a los rest-
tomos, lo cual resulta en enlaces colgantes casi totalmente ocupados para los resttomos,
al contrario que los adtomos, lo que da estabilidad a esta reconstruccin [11].
La celda unidad de la reconstruccin superficial es c(2 8), como se observa en la
figura 4.1. Esta celda unidad est compuesta por dos subunidades alternas: (22) y "c(2
4)" truncada. Como se observa en la figura 4.1, la subunidad "c(2 4)" no corresponde
a una celda primitiva y no repite la periodicidad de la superficie. Slo es la mitad de
una celda c(2 4), que no aparece completa. En adelante utilizaremos, sin embargo, la
notacin c(2 4) por comodidad.
Existen tres dominios diferentes, cada uno de ellos rotado 120 . En ocasiones se pre-
sentan dominios que localmente tienen configuraciones (2 2) y c(2 4). Los resultados
4.2 Dinmica fonnica de Ge(111) 127
de STM [11] y de HAS [8], adems de clculos ab initio utilizando dinmica molecular
(MD) [7], confirmaron la existencia de diferencias en la altura entre los dos adtomos y
resttomos en la celda unidad, que probablemente estn relacionadas con la transferencia
de carga entre aquellos.
[112]
[112]
(22) [110]
c(28)
[110]
c(42)
Figura 4.1 : Izquierda: vista superior del espacio real de Ge(111)-c(2 8). Los puntos
negros y los crculos grises sin lnea corresponden respectivamente a la pe-
nltima y ltima capa del substrato de Ge. Los resttomos se muestran como
crculos negros con el interior gris, mientras que los crculos con el interior
blanco representan los adtomos. Las tres celdas unidades presentes en la
reconstruccin se muestran mediante lneas negras. Derecha: esquema del
espacio recproco de la reconstruccin c(2 8) con tres dominios. Los pun-
tos negros corresponden a la superficie sin reconstruir (1 1), mientras que
los crculos blancos forman una reconstruccin (2 2).
(a 19,0 meV) y en los tomos de la segunda capa por debajo (a 38,5 meV). Estos mo-
dos son comparables a los calculados en el sistema equivalente de Si(111)-(7 7) usando
MD [18, 19], ya contrastados experimentalmente para la regin de baja energa mediante
HAS de alta resolucin [20]. En este trabajo experimental la densidad de estados se com-
para directamente con los clculos numricos de los diferentes tomos que componen la
reconstruccin (7 7) [19].
En esta seccin se investiga la dinmica fonnica de la reconstruccin c(2 8) de
Ge(111). Para ello se han realizado medidas a RT y LT (140 K) a lo largo de las dos di-
recciones de alta simetra, es decir, [112] (K) y [110] (M). Los resultados de TOF se han
ajustado dentro de un modelo simple de fonones que tiene en cuenta la contribucin de
los diferentes vectores superficiales de la red recproca G(22) obtenidos por el doblado
de la RW de una superficie ideal (1 1) sin reconstruir. Un resultado importante de esta
seccin es la posibilidad de parametrizar la RW obtenida como un doblado provenien-
te de una celda unidad (2 2), que es ms simple que la c(2 8). El doblado aplicado
a la RW se basa en un modelo semi-emprico desarrollado por G. Lange et al. [20] para
Si(111)-(7 7).
Equipo experimental
Cermica
Figura 4.2 : Vista lateral del portamuestras. La muestra de Ge(111), apoyada en un cris-
tal de zafiro, se fija a un bloque de Cu mediante dos chapas de Mo que estn
aisladas elctricamente de ste.
tres ejes xyz con tres rotaciones angulares: azimutal, polar e inclinacin (tilt).
El enfriamiento del bloque de Cu se ha realizado utilizando nitrgeno lquido, trans-
ferido a travs de una trenza de alta conductividad. Debido a las propiedades fsicas del
cristal de zafiro, que permite una buena conductividad trmica durante el enfriamiento
aunque es elctricamente aislante, la muestra de Ge se ha enfriado a la vez que perma-
neca aislada del bloque de Cu. La temperatura se meda mediante dos termopares, uno
situado al final de la trenza de Cu y el otro en una chapa de Mo. Debido a problemas de
aislamiento, la temperatura mnima de trabajo era de 140 K.
Preparacin de la muestra
[112] ki = 6.09 -1 [110] ki = 5.90 -1
(0,0)
(1,0) (-1/2,-1/2)
(1/2,1/2)
100 100
10 10
2
w= q , (4.1)
(E)2
ki ( f )2 cos2 f + (sin i sin f )2 E2
donde ki es el vector de onda del He incidente, es el ancho a media altura del pico
difractado, i y f son los ngulos de incidencia y salida medidos respecto a la normal a la
superficie de la muestra y (E)2 /E 2 ' 0,0004 es la dispersin en energa del haz. El ancho
a media altura del pico especular tiene un valor de 0,16 , del orden de la aceptancia
angular de nuestro detector, lo que corresponde a un promedio de terrazas de 725 . Por
otra parte, de los diferentes picos pertenecientes a la reconstruccin se obtiene un valor
promedio de tamao de dominio de 250 , lo cual es prcticamente la tercera parte
del ancho promedio de las terrazas, muy posiblemente relacionado con los tres diferentes
dominios presentes en la reconstruccin c(28). Por el tamao de los dominios obtenidos
en la reconstruccin podemos concluir que el mtodo de preparacin de la muestra que
se ha utilizado durante este experimento es ptimo para su estudio con tcnicas de TOF
de HAS.
4.2 Dinmica fonnica de Ge(111) 131
En la figura 4.5 se muestran todos los puntos obtenidos de los espectros TOF en fun-
cin de la energa del fonn (ecuacin 2.60) y del vector de onda (ecuacin 2.57) medidos
en la superficie de Ge(111)-c(2 8) tanto a RT como a 140 K. Las medidas se han hecho
a lo largo de las dos direcciones de alta simetra y se ha mantenido la misma notacin
dependiente de la intensidad que en la figura 4.4. La proyeccin de los modos fonnicos
de volumen se ha adaptado de la superficie de Ge(111)-(2 1) [15]. Estos modos son muy
similares a los de Si(111) [24, 25] al reescalarlos con un factor dependiente de la relacin
de las masas entre ambos elementos (mSi = 0,62 mGe , es decir, EGe = 0,62 ESi ) [2527].
132 Estudio de la dinmica fonnica: Ge(111)-c(2 8) y -Sn/Ge(111).
[112] [110]
150 i = 53.80 i = 49.80 150
100 100
50 50
0 0
100 100
50 50
0 0
i = 47.73
100 100
50 50
0 0
-10 -5 0 5 10 15 20 -10 -5 0 5 10 15 20
Transferencia de energa E (meV)
Figura 4.4 : Espectros de TOF transformados en escala de transferencia de energa pa-
ra diferentes ngulos de incidencia a RT. El momento incidente es ki = 6,14
1 (Ei = 19,7 meV) para ambas direcciones de alta simetra ([112] a la
izquierda y [110] a la derecha) de la reconstruccin c(2 8). Los smbolos
indican la posicin de cada pico perteneciente a un fonn: los crculos ne-
gros indican alta intensidad, los cuadrados negros se consideran como de
mediana intensidad y los cuadrados vacos simbolizan picos dbiles.
4.2 Dinmica fonnica de Ge(111) 133
(22) M(22) (22) M(22) (22) (22) M(22) (22) M(22) (22)
10
15
8
6 10
4
[112] [110]
5
2
(11) M(11) (11) (11) K(11) M(11) K(11) (11)
0 0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.0 1.0 2.0 3.0
Vector de onda Q (-1)
rencia constructiva proveniente de los tres dominios de la reconstruccin c(2 8), ya que
la estructura local (2 2) corresponde a un nico dominio. Esto no es as para las subu-
nidades c(4 2), que tienen tres dominios diferentes, por lo que la suma de intensidades
no es constructiva y da lugar a ramas fonnicas de menor intensidad.
Doblado de la RW
Dado que la simetra dominante en las ramas fonnicas es (2 2), el siguiente paso
consistir en doblar la RW segn dicha simetra a lo largo de ambas direcciones de alta
simetra, con la intencin de buscar el mejor ajuste posible de la RW correspondiente a la
superficie ideal no reconstruida de Ge(111). Para ello se han de tener en cuenta todos los
vectores de la red recproca (2 2): G(22) .
Como ya se ha descrito en el captulo 2, la forma de la RW tiene en primera aproxi-
macin una forma sinusoidal. El ajuste con una funcin sin x no es perfecto, por lo que se
necesitan ms trminos en la expresin del ajuste. Los siguientes trminos provienen de
un desarrollo en serie y su contribucin ha de ser pequea en comparacin con el primer
trmino para respetar el carcter ondulatorio predominante de la RW. Un ajuste similar
se ha realizado para el sistema Si(111)-(7 7) [20]. El mejor ajuste para las ramas de la RW
(2 2) se obtiene utilizando tres componentes sinusoidales, tal y como se muestra en la
siguiente expresin:
( 3 ) 21
X
E(Q) = 61 sin2 (Ai Q) + 6 sin2 (2Ai Q) + 2 sin4 (2Ai Q) , (4.2)
i=1
de la ecuacin 4.2 para los vectores de la red recproca G(22) en la direccin sagital, mien-
tras que las lneas discontinuas corresponden a la direcciones contenidas en el plano de
superficie, fuera de la direccin sagital. La forma de la RW se presenta siempre como una
sola rama acstica para la superficie sin reconstruir (1 1) en cada direccin de alta si-
metra. El doblado de la RW debido a la superestructura resulta en nuevos modos pticos
transversales en la nueva zona de Brillouin reducida1 .
(22) M(22) (22) M(22) (22) (22) M(22) (22) M(22) (22)
12 K(22) K(22) K(22) K(22)
20
10
15
8
6 10
4
[112] [110]
5
2
(11) M(11) (11) (11) K(11) M(11) K(11) (11)
0 0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.0 1.0 2.0 3.0
Vector de onda Q (-1)
Figura 4.6 : Figura 4.5 aadiendo el ajuste de la RW doblada para una superficie con
reconstruccin (2 2). La figura de la izquierda corresponde a la direccin
[112] y la derecha a la [110]. Las lneas continuas corresponden a los vecto-
res recprocos G(22) en la direccin de medida y las lneas discontinuas al
resto de los vectores de la superficie.
Es conveniente sealar que las ramas fonnicas de la RW de la figura 4.6 no son exac-
tas debido a que la mayor parte de los cruces deben ser reemplazados por la apertura de
zonas de energa prohibida (gaps) o de cruces evitables introducidos por la ruptura de la
periodicidad original (1 1) [28]. A pesar de ello, la mayor parte de los puntos experi-
mentales parecen seguir el doblado (2 2) de la RW. El hecho de que no todos los puntos
siguen la simetra (2 2) es un recordatorio de que la reconstruccin real de la superficie
es una c(2 8). Estos puntos pueden proceder del doblado c(2 8) real de la RW o de
1
La ecuacin 4.2 obtenida del modelo semi-emprico [20], slo es aplicable a la zona de Brillouin de
superficie irreducible, puesto que de aplicarse a todo el espacio recproco se obtienen dos ramas acsticas
principales de la RW para la superficie ideal (1 1).
136 Estudio de la dinmica fonnica: Ge(111)-c(2 8) y -Sn/Ge(111).
nuevos modos vibracionales de la superficie. ste ltimo motivo puede ser el causante de
las ramas de alta energa que se observan a 15 y 20 meV en la direccin [110]. Se puede
observar que los modos de menor frecuencia se ajustan mejor por la RW que los de mayor
energa. Esto se debe a que la RW tiene una profundidad de penetracin del orden de la
longitud de onda, por tanto los de menor frecuencia penetran ms en el volumen [20].
[112] [110]
M K M
12
20
10
15
8
6
10
4
5
2
0 0
0.0 0.2 0.4 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
Vector de onda Q (-1)
Figura 4.7 : Doblado de los puntos experimentales provenientes de los fonones super-
ficiales de la figura 4.5 para una superficie con reconstruccin (2 2). La
figura de la izquierda corresponde a la direccin [112] y la derecha a la [110].
La forma de los puntos experimentales denotan diferentes grados de inten-
sidad. Las lneas corresponden al mejor ajuste de la RW de Ge(111)-(1 1)
doblada en una simetra (2 2), donde las lneas continuas corresponden
a los vectores recprocos G(22) en la direccin sagital y las lneas disconti-
nuas al resto de los vectores en el plano superficial.
(2 2) sino c(2 8), el ajuste de la RW obtenido para este tamao del espacio recproco
es mucho peor. El doblado de la RW para la reconstruccin c(2 8), como el obtenido en
las figuras 4.6 y 4.7 para la (2 2), es extremadamente complejo dado el enorme nmero
de vectores recprocos de la superficie Gc(28) a considerar en dicho ajuste. Esta dificultad
se incrementa enormemente al ser necesario considerar los tres dominios pertenecientes
a la reconstruccin c(2 8), lo que imposibilita un clculo sencillo del doblado de la RW.
Figura 4.8 : Clculo numrico de la densidad espectral de modos fonnicos para los
adtomos, los tomos de la segunda capa por debajo de stos y los estados
de volumen en el punto de la zona de Brillouin (tomado de Takeuchi et
al. [7]).
indicios de intensidad, pero probablemente se relaciona con el modo de los adtomos cal-
culado a 15,1 meV, ms que con un modo de volumen a 14,7 meV. El modo de superficie
calculado a 5,9 meV probablemente est oculto por el modo de volumen a 5,5 meV, prove-
niente del doblado c(2 8) de la RW, pero el modo a 19,5 meV tiene una correspondencia
directa con el modo de los adtomos calculado a 19,0 meV, que se ha relacionado con una
vibracin en fase de los adtomos en la celda unidad c(2 8).
1.0
0.5
0.0
0 5 10 15 20
Transferencia de energa E (meV)
Figura 4.9 : Histograma de la densidad de estados (DOS) obtenida del conteo de los
puntos experimentales de la figura 4.5 en una ventana de energa de 0,5
meV. Los picos se han pesado con un factor 2Q E y con la intensidad
del pico, de modo que los picos de mayor intensidad poseen un factor de
peso de 3 y los de mediana intensidad de 2 con respecto a los picos de baja
intensidad.
coincide con el mximo de la RW fuera del plano sagital, esto es, en el modo ptico. Hay
otra reduccin a 6,25 meV relacionada con una posible apertura de una zona prohibida
en el doblado (2 2) de la RW. La mxima intensidad en la DOS se encuentra a 7,5 meV,
localizada en el mximo de la rama (1 1) de la RW. Los mximos que se encuentran a 15
y 20 meV, observados en la direccin [110], se deben probablemente a las ramas fonnicas
pticas superficiales por encima de los modos pticos de la RW.
El histograma de la DOS debera compararse con un clculo numrico de la recons-
truccin c(2 8), pero hasta la fecha no se ha publicado ninguno. Por ello, la nica po-
sibilidad consiste en la comparacin con otros sistemas similares, como los resultados
experimentales publicados por Lange et al. [20] para Si(111)-(7 7). Cualitativamente, la
forma del histograma es muy parecida. Las mayores diferencias provienen de los modos
acsticos de alta frecuencia en el rango de energas entre 10,0 y 20,0 meV, que exhibe inten-
sidad muy dbil en Ge(111). El motivo podra ser la interferencia entre los tres dominios
de la reconstruccin c(2 8), cosa que no ocurre en Si(111), que es monodominio. Otra
diferencia reside en las energas a las que se encuentran los mximos y mnimos del histo-
grama de DOS, incluso tras reescalar las energas con el producto de las masas de ambos
elementos, como se hizo previamente para la proyeccin de masas del volumen [25, 27].
Los mximos ya transformados obtenidos para Si(111) nos arrojan valores a 4,0, 5,0, 6,2
y 9,3 meV, pero los encontramos para Ge(111) a 3,8, 5,3, 7,5 y 9,3 meV, los cuales no son
muy diferentes salvo para el mximo de 7,5 meV, que corresponde al mximo de la DOS
de Ge(111). Los mnimos convertidos para Si(111) se encuentran a 4,3, 5,3, 7,4 y 9,9 meV,
pero en Ge(111) aparecen en 4,3, 6,3, 8,8 y 10,8 meV, con una diferencia de 1 meV en los
ltimos 3 valores.
En conjunto, cualitativamente la DOS de la reconstruccin de Ge(111)-c(2 8) es muy
similar a la de Si(111)-(7 7), con unos valores de energa para las zonas de reduccin y
mximo nmero de estados muy similares despus de reescalar con los factores de masa
respectiva de los elementos.
140 Estudio de la dinmica fonnica: Ge(111)-c(2 8) y -Sn/Ge(111).
4.3.1. Introduccin
En las ltimas dcadas se ha dedicado un enorme esfuerzo experimental y terico a
la investigacin de las transiciones de fase en sistemas de baja dimensionalidad, puesto
que proporcionan una valiosa informacin de muchos aspectos fundamentales de la fsi-
ca del estado slido [29, 30]. Las transiciones de fase inducidas por temperatura pueden
clasificarse en dos grupos diferentes: desplazativas y orden-desorden. En las transicio-
nes desplazativas el sistema evoluciona entre dos estados ordenados, y el estado de baja
temperatura tiene menor simetra. En las transiciones orden-desorden, por el contrario,
el sistema evoluciona desde un estado ordenado a baja temperatura a uno desordenado
a alta temperatura, teniendo ste en promedio una mayor simetra que el de menor tem-
peratura. En general, aunque no siempre, la disminucin de simetra de las transiciones
desplazativas se debe a la congelacin de uno de los modos vibracionales del slido, lo
que se conoce como el ablandamiento de un fonn.
(3x3) [112]
K
M
K
[110] M M [110]
( 3 3 )R30
[112]
Figura 4.10 : Izquierda: espacio real de las estructuras ( 3 3)R30 y (3 3). Los
tomos de Sn se representan como crculos
grandes. Si todos son equiva-
lentes, la celda unidad es una ( 3 3)R30 . Si son diferentes, como se
muestra con los diferentes colores, la reconstruccin cambia a una (3 3).
Las dos celdas unidades se muestran
en rojo y azul. Derecha: espacio re-
cproco de las reconstrucciones ( 3 3)R30 (lneas en rojo) y (3 3)
(lneas en azul). Las dos direcciones de alta simetra se muestran
como
lneas rectas negras. Los puntos de simetra de la fase ( 3 3)R30 a lo
largo de ambas direcciones se indican en la figura.
4.3 Ablandamiento fonnico y transicin orden-desorden en -Sn/Ge(111) 141
Se han enunciado diferentes modelos con el fin de explicar las propiedades estructura-
les y electrnicas de la transicin de fase [3137, 3942]. Los ms ampliamente apoyados
por la comunidad cientfica son los modelos de onda de densidad de carga superficial
(SCDW) estabilizada por defectos [3840] y el modelo de las fluctuaciones dinmicas [32].
El modelo de SCDW se apoya principalmente en las imgenes complementarias entre es-
tados ocupados y desocupados obtenidas con STM. Las imgenes de STM sugieren una
redistribucin peridica de la carga, posiblemente acompaada por pequeas distorsio-
nes peridicas de la red, que sugiere la formacin de una SCDW inducida por el enca-
je (nesting) de un vector recproco de superficie en la superficie de Fermi en el caso de
Pb/Ge(111) [38] o por efectos de correlacin para Sn/Ge(111) [31]. Ms adelante se obser-
v que la fase (3 3) se estabiliza alrededor de defectos superficiales, al crearse pequeos
dominios locales que crecen a medida que la temperatura disminuye hasta cubrir el total
de toda la superficie del cristal [39, 40]. Sin embargo, este modelo no es capaz de explicar
los resultados experimentales obtenidos con tcnicas de fotoemisin [32, 37] y difraccin
de fotoelectrones (PED) [51].
(3 3) [32, 37].
Una cuestin crucial que todava quedaba por resolver en este sistema es el mecanis-
mo por el que tiene lugar la transicin de fase. El clculo terico de R. Prez et al. [43]
propona que el ablandamiento de un fonn podra ser el responsable de la transicin de
fase, al reducirse las vibraciones verticales de la celda unidad (3 3) al descender la tem-
peratura. Este fonn de superficie deba de estar asociado con las fluctuaciones dinmicas
de los tomos de Sn, y podra ser tambin responsable del ordenamiento de la fase (3 3)
alrededor de los defectos [44].
De este modo, la medida de los fonones superficiales y la comprensin de su compor-
tamiento se antoja de crucial importancia para clarificar el mecanismo que explica esta
transicin de fase. Para llevar a cabo esta tarea se han realizado experimentos de tiem-
po de vuelo con la tcnica de HAS de alta resolucin, que se han interpretado mediante
clculos tericos de dinmica molecular ab initio.
75
ki = 6.64 -1, Ts = 500 K
60 I
(0,0)
45
(3)
30
I(1/ ,1/ )
15 3 3
0 ML 0.33 ML
0
0 500 1000 1500
Tiempo de deposicin (s)
Figura 4.11 : Evolucin del pico especular (lnea negra) y el pico ( 31 , 13 ) en la direccin
[110] (lnea gris) en funcin del tiempo de deposicin de Sn. La temperatura
de la muestra era 500 K y el ritmo de evaporacin 1 ML/60 min.
(1,0)
3 3 100
10
10
(0,0) (0,0)
100 (1,0) 1000
140 K
(-1,0)
100
(1,1)
10
10
140 limpio
3
120
(3 x 3)
100
80
60
40
20
( 0.15)
0
40 80 120 160
Temperatura del haz (K)
Figura 4.13 : Intensidad del pico especular de las estructuras ( 3 3)R30 , (3 3) y
c(2 8) de la superficie limpia en funcin de la temperatura del haz inciden-
te. La intensidad del haz especular de la superficie limpia es unas 7 veces
mayor que para las otras dos fases. La direccin de incidencia del haz es
la [112].
dispersin elegidas son aquellas que resultan en una intensidad especular mxima. Para
la superficie de Sn/Ge(111) esto ocurre a una temperatura del haz de 138 K, correspon-
diente a un momento ki = 7,54 1 (Ei = 29,7 meV). Cabe destacar que las distribuciones
angular de HAS medidas con unas condiciones ligeramente diferentes, esto es, para una
temperatura de 105 K, correspondiente a un momento ki = 6,58 1 (Ei = 22,6 meV),
muestran un mejor patrn de difraccin (figura 4.12) y adems pertenecen a un mximo
local de la curva de tendencia de la fase (3 3).
[112]
ki = 6.62 -1
i = 49.85
Ts (K)
250
220
205
190
180
170
145
0 0
0 0
150 150
375
i = 49.49 i = 49.98 i = 49.67 i = 49.36
225
100
100
250
150
50 50
125
75
0 0
0
150 150 0
375
i = 48.79 i = 49.63 i = 49.14 i = 48.35 225
100 100
250
150
50 50
125 75
0 0
0
0
-10 0 10 20 -10 0 10 20 -10 0 10 20 -10 0 10 20
La dinmica de fonones de las fases ( 3 3)R30 y (3 3) para ambas direcciones
de simetra se obtiene tras convertir el ngulo incidente y la posicin de cada pico de los
diferentes espectros de TOF medidos, en transferencia de momento y de energa, usan-
do las ecuaciones 2.57 y 2.60, como ya se indic en el apartado anterior. El resultado se
muestra en la figura 4.16, usando los mismos smbolos que en la figura 4.15, es decir, los
crculos negros indican picos intensos y los cuadrados vacos, picos dbiles. El sombreado
gris en cada grfico muestra la proyeccin de los fonones de volumen de Ge(111).
En la seccin anterior se parametriz la RW de la superficie limpia de Ge(111) me-
diante la ecuacin 4.2. La misma ecuacin se puede aplicar a los datos de Sn/Ge(111)
pero cambiando los factores multiplicativos, puesto que la presencia de tomos de Sn en
la superficie cambia la amplitud de las vibraciones. Este efecto es denominado efecto de
masa (loading effect) y ha sido observado en otros sistemas como H/W(110) respecto a la
superficie limpia [45]. Los nuevos factores utilizados en el ajuste de los datos en la ecua-
cin 4.2 son 44, 4 y 6 en vez de los empleados para la muestra limpia 61, 6 y 2. Igualmente
el doblado de la RW para las nuevas fases de Sn/Ge(111) consiste en emplear los vec-
tores recprocos de superficie propios de cada reconstruccin, es decir, usar los vectores
G(33)R30 para la fase a RT y G(33) para la fase a baja temperatura. El ajuste obtenido
se muestra en la figura 4.16 como lneas azules: las lneas continuas corresponden a los
vectores recprocos en la direccin de medida y las discontinuas al resto de los vectores
recprocos de la superficie. El ajuste obtenido es muy bueno, dando consistencia a este
clculo semi-emprico para el doblado de la RW. Una vez ms, conviene destacar que este
doblado no es perfecto al no tener en cuenta la apertura de zonas de energa prohibidas
en los cruces de las bandas [28].
Algunos clculos tericos predicen que la transicin de fase se debe al ablandamiento
de un fonn de superficie de la fase ( 3 3)R30 en la direccin [112] [43]. La figura
4.17 muestra esta direccin en una escala ampliada del vector de onda para las dos fases,
donde todos los puntos experimentales se han doblado en el mismo rango.
Muchos de los puntos experimentales representados en las figuras 4.16 y 4.17 siguen
el doblado de la RW calculada, pero se observa que hay ciertos puntos que se encuentran
alejados de ellos, destacando sobre todo los puntos a 4 meV y 0,5 1 en la direccin
[112] de ambas fases, como claramente se observa en la figura 4.17. Como estos puntos
estn fuera de la zona de proyeccin de modos de volumen, su origen es de tipo estructu-
ral, es decir, han de proceder de modos directamente relacionados con la reconstruccin
superficial.
4.3 Ablandamiento fonnico y transicin orden-desorden en -Sn/Ge(111) 151
12 3 K3 M3 K3 3 3 M3 3 M3 12
10 10
8 8
6 6
4
[112] [110]
2 2
(33)R30 (33)R30
10 10
8 8
6 6
4 4
[112] [110]
2 (33) (33) 2
(11) M(11) (11) (11) K(11) M(11)
0 0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0
Vector de onda Q (-1)
Figura 4.16 : Puntos experimentales de las fases ( 3 3)R30 (grficas superiores) y
(3 3) (grficas inferiores) a lo largo de ambas direcciones de alta simetra:
[112] (izquierda) y [110] (derecha). Los smbolos son equivalentes a los de
la figura 4.15. Las lneas verticales muestran los puntos de simetra de
la superficie ideal (1 1) sin reconstruir, indicados en la parte inferior de
cada grfica, mientras que las lneas punteadas denotan los puntos de
simetra de la reconstruccin superficial, indicados en la parte superior.
Las lneas azules corresponden al ajuste de la RW doblada con la simetra
correspondiente, utilizando los vectores recprocos del plano de superficie.
Las lneas grises muestran los modos fonnicos calculados tericamente.
La zona sombreada corresponde a la proyeccin de los modos fonnicos
de volumen de Ge(111).
152 Estudio de la dinmica fonnica: Ge(111)-c(2 8) y -Sn/Ge(111).
10 10
8 8
6 6
4 4
2 [112] [112] 2
(33)R30 (33)
0 0
0.0 0.4 0.8 0.0 0.4 0.8
Vector de onda Q (-1)
Figura 4.17 : Puntos experimentales de las fases ( 3 3)R30 (izquierda) y (3 3)
(derecha) a lo largo de la direccin [112] doblados para un mismo rango del
vector de onda Q. Los smbolos y lneas representados son equivalentes
a los de la figura 4.16. En esta direccin se observa el ablandamiento del
fonn predicho tericamente [43].
4.3 Ablandamiento fonnico y transicin orden-desorden en -Sn/Ge(111) 153
1 1 1
k1 (111) k2 (2 1 1 ) k3 (01 1 )
3 6 2
[48]. Para estas simulaciones se ha utilizado una celda unidad (3 3) con cuatro capas
de tomos de Ge. El valor energtico de la fase (3 3) es ms estable que la fase ideal
( 3 3)R30 en 25 meV/tomo de Sn.
1 1 1
k'1 (111) k' 2 (2 1 1 ) k '3 (01 1 )
3 6 2
El primer modo normal k0 1 est asociado con el punto , el cual se refleja en el factor (t),
mientras que los otros dos modos estn asociados con el punto K de la zona de Brillouin
( 3 3)R30 , donde se desarrolla el ablandamiento del fonn y que se reflejan en el
comportamiento de (t) y (t). Descomponiendo estos tres factores obtenemos:
1
(t) = ,
3 [z10 (t)
+ z20 (t) + z30 (t)]
1
(t) = ,
6 [2z1 (t) z20 (t) z30 (t)]
0
1
(t) = . (4.6)
2 [z2 (t) z30 (t)]
0
Figura 4.21 : Representacin de las componentes (t) frente a (t) (ecuaciones 4.5
y 4.6) para tres temperaturas diferentes: 350 K, 170 K y 50 K. Los pun-
tos negros indican los estados fundamentales equivalentes (3 3): z0 =
(0,26, 0,13, 0,13), (0,13, 0,26, 0,13) y (0,13, 0,13, 0,26) (en )
[34] los cuales,
definidos en coordenadas
(,) corresponden a 0,32(1,0),
0,32(1/2, 3/2) y 0,32(1/2, 3/2) (tambin en). Los puntos azules
corresponden al estado fundamental de la fase ( 3 3)R30 ideal. La
simulacin comienza en 0,32(1,0) y se deja evolucionar durante un tiempo
de 50 ps.
4.3 Ablandamiento fonnico y transicin orden-desorden en -Sn/Ge(111) 159
4.4. Conclusiones
La tcnica de alta resolucin de HAS se ha aplicado tanto a la superficie limpia de
Ge(111) como a la fase -Sn/Ge(111) a lo largo de las dos direcciones principales de sime-
tra, tanto a RT como a LT (140 K). A continuacin se resumen las principales conclusiones
de cada apartado.
Ge(111)-c(2 8):
-Sn/Ge(111):
- Se ha determinado que este sistema presenta una transicin de fase reversible aso-
ciada con el ablandamiento de un fonn en el punto K de la superficie ( 3 3)R30 ,
relacionado con la periodicidad (3 3).
[5] R. S. Becker, J. A. Golovchenko, B. S. Swartzentruber, Phys. Rev. Lett. 54, 2678 (1985);
R. S. Becker, B. S. Swartzentruber, J. S. Vickers, T. Klitsner, Phys. Rev. B 39, 1633
(1989).
[8] D. Faras, G. Lange, K. H. Rieder, J. P. Toennies, Phys. Rev. B 55, 7023 (1997).
[11] E. S. Hirschorn, D. S. Lin, F. M. Leibsle, A. Samsavar, T. -C. Chiang, Phys. Rev. B 44,
1403 (1993).
[15] P. Santini, L. Miglio, G. Benedek, P. Ruggerone, Surf. Sci. 241, 346 (1991).
164 BIBLIOGRAFA
[17] A. L. Glebov, J. P. Toennies, S. Vollmer, G. Benedek, Europhys. Lett. 46, 369 (1999).
[18] I. tich, K. Terakura, B. E. Larson, Phys. Rev. Lett. 74, 4491 (1995).
[19] J. Kim, M.-L. Yeh, F. S. Khan, J. W. Wilkins, Phys. Rev. B 52, 14709 (1995).
[20] G. Lange, J. P. Toennies, P. Ruggerone, G. Benedek, Europhys. Lett. 41, 647 (1998).
[22] C. A. Meli, E. F. Greene, G. Lange, J. P. Toennies, Phys. Rev. Lett. 74, 2054 (1995).
[28] L. Miglio, P. Santini, P. Ruggerone, G. Benedek, Phys. Rev. Lett. 62, 3070 (1989).
[34] J. Ortega , R. Prez, F. Flores, J. Phys.: Condens. Matter 12, L21 (2000).
[36] T. E. Kidd, T. Miller, M. Y. Chou, and T. -C. Chiang, Phys. Rev. Lett. 85, 3684 (2000).
BIBLIOGRAFA 165
[37] R. I .G. Uhrberg, T. Balasubramanian, Phys. Rev. Lett. 81, 2108 (1998).
[41] G. Ballabio, S. Scandolo, E. Tosatti, Phys. Rev. B 61, R13345 (2000); Phys. Rev. Lett.
89, 126803 (2002).
[42] L. Floreano, D. Cvetko, G. Bavdek, M. Benes, A. Morgante, Phys. Rev. B 64, 075405
(2001).
[43] R. Prez, J. Ortega, F. Flores, Phys. Rev. Lett. 86, 4891 (2001).
[46] CASTEP 4.2 versin acadmica, licenciada bajo acuerdo con UKCP-MSI, 1999. M.
C. Payne et al., Rev. Mod. Phys. 64, 1045 (1992). L. J. Clarke et al., Comput. Phys.
Commun. 72, 14 (1992).
[47] A. A. Demkov, J. Ortega, O. F. Sankey, M. P. Grumbach, Phys. Rev. B 52, 1618 (1995).
[48] J. Ortega, R. Prez and F. Flores, J. Phys.: Condens. Matter 14, 5979 (2002).
Estructura electrnica de
Sn/Si(111)-( 3 3)R30
5.1. Introduccin
Estrup y Morrison estudiaron en 1964 por vez primera la interfase de Sn/Si(111) por
encima de RT mediante la tcnica de LEED [1]. En total encontraron 4 reconstrucciones
para recubrimientos superiores a 1 ML, que dependan tanto de la temperatura del subs-
trato como del recubrimiento de Sn. Un estudio posterior de principios de 1980 utilizando
la tcnica de difraccin de electrones de alta energa en reflexin (RHEED) confirm di-
chos resultados [2], y ampli la informacin para los recubrimientos inferiores a 1 ML,
tambin para temperaturas superiores a la de ambiente, como se muestra en la figura 5.1.
Fue durante la dcada de 1980 cuando se conoci la existencia de una reconstruccin
( 3 3)R30 a temperatura ambiente para los substratos de Ge(111) y Si(111) al evaporar
una pequea cantidad de Sn o Pb por debajo de 1 ML [2, 3]. Para el substrato de Ge(111),
la estructura atmica de esta reconstruccin se estudi utilizando la tcnica de SXRD [4],
mientras que la estructura electrnica de la banda de valencia se analiz mediante ARUPS
[5]. En la dcada de 1990 se descubri una transicin de fase inducida por temperatura
para Pb/Ge(111) [6] y Sn/Ge(111) [7] con un recubrimiento de 0,33 ML. Disminuyendo
la temperatura del sistema por debajo de RT se modifica la estructura ( 3 3)R30
a (3 3) [6, 7]. Esta nueva fase ha sido objeto de un considerable nmero de estudios
168 Estructura electrnica de Sn/Si(111)-( 3 3)R30
Figura 5.1 : Diagrama de fase del sistema Sn/Si(111) en funcin de la temperatura y del
recubrimiento de Sn (tomado de la referencia [2]).
(11)
( 3 3)R30
Figura 5.2 : Vista superior de Sn/Si(111) para el recubrimiento ideal de 0,33 ML. Los
crculos oscuros y grandes representan los tomos adsorbidos que ocupan
todas las posiciones T4 . Los crculos pequeos en amarillo representan la
ltima capa del substrato, mientras que losblancos se refieren a la penlti-
ma. La celda unidad de la reconstruccin ( 3 3)R30 se indica en rojo y
la del substrato ideal (1 1) se muestra en azul.
fondo similar, que se ha atribuido slo a la presencia de defectos, los cuales estabilizan
localmente la fase (3 3) pero no dan lugar al crecimiento de dominios a LT [16]. En
todo caso, y en vista de las predicciones tericas [12], cabe esperar que, de existir esta
transicin, la temperatura crtica sea muy baja. Es incluso posible que la energa trmica
de 6 K impida la estabilizacin de la fase (3 3). Por todo ello, segn estas tcnicas, la
existencia de la transicin de fase an es incierta.
Sn/Ge(111) Sn/Si(111)
Figura 5.3 : Espectros de los niveles internos de la lnea 4d del Sn para el sistema
Sn/Ge(111) (izquierda) y Sn/Si(111) (derecha) para un recubrimiento ideal
de 0,33 ML (tomado de la referencia [21]). El espectro se deconvoluciona en
dos componentes, cada una asociada a uno de los tipos de tomos de Sn
(a diferentes alturas) en la (3 3). Ntese la inversin en la relacin de in-
tensidad de las dos componentes entre los dos sistemas. Existe una tercera
componente menor (no representada) que se ha asignado a los defectos
pertenecientes a la superficie [14].
Como se observa en la figura 5.3, el cociente entre las intensidades de las dos compo-
nentes de los niveles internos es 2 a 1. Llama la atencin la inversin de las componentes
de Sn/Si(111) con respecto al caso de Sn/Ge(111). En lo que sigue se analiza esta cir-
cunstancia y sus implicaciones. La configuracin (3 3) generalmente aceptada tiene un
tomo de Sn arriba y dos abajo [11, 23]. Este tomo ms alto recibe carga de los otros dos
tomos de Sn ms bajos, completando su enlace libre (dangling bond). Desde el punto de
vista de los estados iniciales, esto significa que el Sn de arriba est reducido respecto a los
otros dos tomos de Sn, por lo que, segn las reglas generales del corrimiento qumico
(chemical shift), su componente debera encontrarse a una menor energa de ligadura que
la correspondiente a los otros dos tomos de Sn que estn ms oxidados. En el caso de
Sn/Ge(111) esto significa que la componente menos intensa, que corresponde al tomo
de arriba, debera poseer una menor energa de ligadura que la otra componente, es decir,
encontrarse ms a la derecha en la grfica izquierda de la figura 5.3. Es decir, lo contrario
de lo que se observa experimentalmente. El espectro de Sn/Ge(111) de la figura 5.3 pare-
ce sugerir una configuracin de la celda unidad (3 3) diferente a la aceptada, con dos
tomos de Sn arriba y uno abajo. En esta configuracin se cedera carga desde el tomo
de Sn de abajo a los otros dos que estn arriba, lo cual ya ha sido analizado tericamen-
te [24]. Sin embargo, esta configuracin (dos tomos arriba y uno abajo) es incompatible
con la estructura de bandas determinada experimentalmente [11, 37]. Para poder hacer
compatible el resultado de la grfica izquierda de la figura 5.3 con los resultados de la
banda de valencia y con la celda unidad comnmente aceptada, compuesta por un to-
mo de Sn arriba que recibe carga de los dos de abajo, se ha propuesto que el intercambio
de intensidad entre las componentes sea debido a efectos de estado final [11]. Existe un
mejor apantallamiento de los enlaces libres semiocupados, que dan lugar a una banda
metlica. El hueco del electrn fotoemitido que queda se rellena ms eficientemente que
el del enlace completamente lleno del tomo de Sn de arriba, que forma una banda se-
miconductora. Debido a esta menor eficacia en el apantallamiento del tomo con mayor
carga, existe un corrimiento de su componente de niveles internos hacia mayores energas
de ligadura, es decir, hacia la izquierda en la figura 5.3 [11]. Este comportamiento ya se ha
observado en otros sistemas, como Si(001) o Ge(001) [25]. En cualquier caso, las imgenes
de STM muestran que dependiendo del nmero de defectos ambas configuraciones de la
celda (3 3) pueden encontrarse experimentalmente [10]: en presencia de un solo defecto
se obtienen dominios con dos tomos arriba y uno abajo, mientras que en presencia de
dos o ms defectos la celda es la complementaria, con un Sn arriba y dos abajo. A pesar
de ello, la celda unidad formada por un tomo de Sn arriba y dos abajo se observa en una
abrumadora mayora de las imgenes de STM.
172 Estructura electrnica de Sn/Si(111)-( 3 3)R30
S3
S2
h = 21.1 eV S1
K (11 ) , 15off
18 19 20 21 22
Energa cintica (eV)
Figura 5.4 : Izquierda: patrn de LEED de Si(111)-(77) limpio con E = 119 eV. Derecha:
espectro de fotoemisin de los estados de superficie de Si(111)-(7 7) para
un ngulo de 15 respecto a la normal a la muestra a lo largo de la direccin
K(11) con h = 21,1 eV a RT. Obsrvese la elevada intensidad de los tres
estados de superficie (S1 , S2 y S3 ) dentro del mismo espectro, que confirma
la calidad de la reconstruccin.
[112]
K
M
K
M M [110]
Figura 5.5 : Espacio recproco de Sn/Si(111) para las estructuras ( 3 3)R30 (lneas
rojas) y (33) (lneas azules). Las dos direcciones de alta simetra se indican
con lneas negras.
Las letras corresponden a los puntos de simetra de la
estructura ( 3 3)R30 .
5.3. Estructura electrnica de SixSn(1x)/Si(111)-( 3 3)R30
En esta seccin se presentar una medida de la estructura de bandas en las dos di-
recciones de alta simetra de la interfase Sn/Si(111) obtenida para el recubrimiento ideal
(fase ), haciendo hincapi en los resultados a LT. Posteriormente, se har una compa-
racin con los diferentes recubrimientos estudiados en todo el rango de recubrimiento
en el que existe la reconstruccin ( 3 3)R30 , ms concretamente entre 0,15 ML y
0,40 ML [2, 19], lo que permitir estudiar los cambios en las propiedades electrnicas del
sistema.
que estos enlaces, denominados retroenlaces (backbond) estn totalmente ocupados. El Sn,
al ser tetravalente, tiene un enlace adicional en direccin perpendicular a la superficie
que queda libre y est semiocupado electrnicamente (dangling bond). De este modo cada
tomo de Sn ha de dar lugar a dos bandas de superficie diferentes: una totalmente ocu-
pada y asociada con los retroenlaces y otra semillena que cruzara la energa de Fermi. En
la grfica izquierda de la figura 5.6 se observan dos estados de superficie principales en
ambas direcciones de simetra: uno con una energa de ligadura entre 1 y 2 eV asociado
con los retroenlaces y el otro con una energa de ligadura menor que 0,5 eV, que se asocia
con el enlace semiocupado. El estado de superficie asociado a los retroenlaces tiene una
intensidad mayor que los enlaces semiocupados debido al mayor nmero de enlaces por
cada tomo de Sn. Estos resultados estn de acuerdo con otros trabajos realizados para
los sistemas isoeletrnicos Sn/Ge(111) [11, 28] y Pb/Ge(111) [28].
Las dos grficas de la parte derecha de la figura 5.6 muestran dos series de EDC en
funcin del ngulo de emisin respecto a la normal a la muestra, para las dos direcciones
de simetra. Estas curvas provienen de la zona ms cercana a la energa de Fermi en la
figura en escala de grises. Slo se observa un estado, que corresponde con el enlace se-
miocupado de Sn. Se observa que la intensidad del estado es mayor en la primera zona
de Brillouin y decrece segn se interna en la segunda zona. La dispersin del estado de
superficie del enlace semiocupado es ms pronunciada en la direccin K, y se encuen-
tra el mximo de intensidad en las proximidades del punto K, que corresponde al fondo
de esta banda. Debido a posibles efectos en los elementos de matriz de fotoemisin, la
intensidad de la banda de superficie es mayor en el rango 0,3 0,6 1 .
1
M () K ()
M K M K
35
0 50
30
40
25 M
-1
M
30
20
K
15
-2
20
10
10
-3 5
-1.0 -0.5 0.0 0.5 1.0 1.0 0.5 0.0 1.0 0.5 0.0
k|| (-1) Energa de ligadura (eV)
Figura 5.6 : Estructura electrnica de la fase -Sn/Si(111)-( 3 3)R30 (0,33 ML) con
h = 12,5 eV a 170 K. Izquierda: intensidad de fotoemisin normalizada en
escala de grises (blanco denota mayor intensidad) en funcin de la energa
de ligadura y respecto al momento
paralelo a la superficie. Los puntos de
simetra de las fases ( 3 3)R30 (lneas continuas) y (3 3) (lneas
discontinuas) aparecen indicados en la parte superior e inferior de la figura.
Derecha: EDC de la zona ms cercana a la energa de Fermi en funcin
del ngulo de emisin para las dos direccin de alta simetra. El pico ms
intenso corresponde al estado de superficie
del enlace semiocupado de Sn.
Los puntos de simetra de la fase ( 3 3)R30 para la energa de Fermi
se muestran junto a los espectros.
178 Estructura electrnica de Sn/Si(111)-( 3 3)R30
() ()
24 56
21 42
17 33
C2 C1
13 30
6 28
0 26
0.8 0.4 0.0 0.8 0.4 0.0
Energa de ligadura (eV)
Figura 5.7 : Ajuste por mnimos cuadrados usando dos componentes gaussianas y una
distribucin de Fermi-Dirac de algunos espectros seleccionados en funcin
del ngulo de emisin en la direccin K con h = 12,5 eV a 170 K para 0,33
ML. Los puntos representan la intensidad normalizada del espectro original,
la lnea roja es el ajuste de dichos puntos, mientras que las lneas azul y gris
son las componentes gaussianas ajustadas, denominadas C1 y C2 . Obsr-
vese que algunos espectros pueden ajustarse con una sola componente.
5.3 Estructura electrnica de Six Sn(1x) /Si(111)-( 3 3)R30 179
la figura 5.7 se deduce que el ajuste con dos componentes, y en algunos casos slo con una
componente, es excelente. La anchura media de la componente con la mayor energa de
ligadura, C2 (lnea gris), es de 0,22 eV mientras que la anchura de la otra, C1 (lnea azul), es
de 0,15 eV. Estas anchuras relativamente amplias estn por encima de la resolucin ener-
gtica, lo que implica que son una propiedad intrnseca de las bandas de superficie. Se
han encontrado anchuras an mayores para el sistema isoelectrnico Sn/Ge(111) (entre
0,23 0,30 meV) [11, 22].
100
50
0
0 20 40 60
ngulo de emisin ()
K M K M
0.0 0.0
0.2 0.2
0.4
0.4
(3x3) M (3x3) (3x3) M (3x3) (3x3) (3x3) K (3x3) M (3x3) K (3x3)
0.6 0.6
0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 0.0 0.3 0.6 0.9
k|| (-1) k|| (-1)
Figura 5.9 : Energa de ligadura de las dos componentes ajustadas C1 y C2 para el es-
tado de superficie semiocupado en funcin del momento paralelo a la su-
perficie para un recubrimiento de 0,33 ML con h = 12,5 eV a 170 K, a lo
largo de las dos direcciones de simetra K (izquierda) y M (derecha). Los
puntos negros se corresponden con componentes intensas de los ajustes y
los puntos vacos estn referidos a las componentes de baja intensidad. La
lnea discontinua
representa la banda de estado de superficie esperada de
la fase ( 3 3)R30 plana
(tomado de la referencia [29]). Los puntos de si-
metra de las fases ( 3 3)R30 y (3 3) se indican respectivamente en la
parte superior e inferior de la figura. La zona sombreada en gris corresponde
a la proyeccin de las bandas de volumen del substrato.
Sin embargo lo ms llamativo de la figura 5.9 es la simetra que exhiben las dos com-
ponentes en ambas grficas: en las dos direcciones de simetra, ambas componentes de la banda
del estado de superficie siguen marcadamente la simetra (33) y no la simetra ( 3 3)R30 ,
como se espera del patrn de LEED. Este resultado puede entenderse fcilmente dentro
del modelo de fluctuaciones dinmicas [11]. La existencia de fluctuaciones verticales con
simetra local (3 3) da lugar a dos tipos diferentes de tomos de Sn, desde el punto de
vista electrnico, dentro de la celda unidad. Cada tipo de tomo de Sn da lugar a una
banda de superficie en una estructura (3 3) local [30]. La banda con mayor energa de
ligadura, proveniente de la componente C2 , est completamente ocupada con dos electro-
nes y presenta un contenido orbital procedente del tomo de Sn desplazado hacia arriba,
que recibe carga de los otros dos tomos de Sn de abajo. Estos dos tomos son el origen
de la banda semiocupada con menor energa de ligadura, proveniente de la componente
C1 , con un solo electrn en total y con una banda desocupada adicional [30]. Teniendo en
cuenta los resultados de LEED, donde slo se observa una estructura ( 3 3)R30 , la
simetra (3 3) obtenida de los resultados de fotoemisin slo puede tener lugar si dicha
estructura existe slo de manera local.
Sn/Ge(111)
no predicen una transicin de fase para el sistema de Sn/Si(111) [12], aunque s un rango
amplio de temperaturas con fluctuaciones verticales significativas, que poseen simetra
local (3 3). El mecanismo de la transicin de fase a LT para el sistema Sn/Ge(111),
como se demostr experimentalmente en el captulo anterior, es el ablandamiento de un
fonn de superficie. Este ablandamiento no se ha predicho para el sistema de Sn/Si(111)
[12], porque la mayor intensidad de los enlaces de Sn-Si entre el adsorbato y el substrato
impiden el congelamiento de las vibraciones. Esto explicara que la fase (3 3) no se
observara ni siquiera a temperaturas tan bajas como 6 K [16]. Obviamente, a temperaturas
suficientemente bajas las vibraciones deberan congelarse, aunque sin generar orden a
largo alcance, si las predicciones tericas son ciertas [12]
Una pregunta crucial se extrae de este primer apartado: cul es la razn por la que la
estructura (3 3) se detecta con fotoemisin, si no puede detectarse con ninguna tcnica estruc-
tural? La respuesta a esta pregunta radica en la velocidad de medida de la tcnica de
fotoemisin, que es del orden de los femtosegundos, mucho ms rpida que la oscilacin
entre las dos posiciones verticales de los adtomos. Por tanto, los niveles profundos y el
estado de superficie de los dos tipos de tomos de Sn puede distinguirse en este espacio
temporal. De esa forma, los fotoelectrones detectados proporcionan una imagen instan-
tnea de la superficie al contrario que la tcnica de STM que promedia en un tiempo de
milisegundos la oscilacin de los adtomos.
Las diferencias entre la forma de lnea de los niveles internos de Sn/Ge(111) [11, 22]
y Sn/Si(111) [14], han servido para impulsar estudios con una configuracin de la celda
unidad (33) con dos tomos de Sn arriba y uno abajo [24]. En este captulo slo se mues-
tran resultados de la estructura electrnica del sistema, pero ha de existir una correlacin
directa entre el nmero de tomos desplazados hacia arriba y la ocupacin del estado
de superficie. De hecho, clculos recientes para Sn/Ge(111) muestran que la estructura
con dos tomos arriba es semiconductora y exhibe una separacin mucho menor entre
las dos bandas del estado de superficie ocupadas [24]. La estructura de bandas que se
muestra en la figura 5.9 no es compatible con el clculo terico resultante de dos tomos
desplazados hacia arriba y uno abajo. As pues, el sistema de Sn/Si(111) es muy parecido
a Sn/Ge(111)-(3 3) y, a pesar de la diferencia en la forma de lnea de los niveles internos,
la estructura electrnica de bandas ocupadas es similar y est perfectamente descrita por
la configuracin con un solo tomo de Sn arriba.
La clara observacin de la periodicidad (3 3) en fotoemisin (aunque no se observe
en LEED), aconseja en futuros trabajos renombrar los puntos de simetra con respecto
a la estructura (3 3) en vez de la ( 3 3)R30 habitual, aunque para mantener la
coherencia dentro de esta memoria se seguir usando la notacin precedente.
184 Estructura electrnica de Sn/Si(111)-( 3 3)R30
C1 Punto
Sn (ML) Punto
0.36
0.33
0.29
0.23
0.16
0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40
0.8 0.4 0.0 Sn (ML)
Energa de ligadura (eV)
Figura 5.11 : Izquierda: seleccin de espectros normalizados y ajustados con una com-
ponente en emisin normal (punto ), para diferentes recubrimientos de Sn
en funcin de la energa de ligadura con h = 12,5 eV a 170 K. Los datos
experimentales estn indicados por puntos negros, el resultado del ajuste
por una lnea roja, y la componente gaussiana por una lnea azul. Derecha:
intensidad integrada entre 0,0 y 0,40 eV de los espectros en emisin normal
en funcin del recubrimiento. La lnea continua es una gua para la vista.
En la seccin anterior se han hecho notar muchas similitudes electrnicas entre la fase
de los sistemas Sn/Si(111) y Sn/Ge(111), siendo la ms importante la idntica simetra
(3 3) caracterstica de esta fase. La siguiente cuestin interesante es cmo evoluciona
la estructura electrnica con el recubrimiento de Sn en todo el rango de estabilidad de la
fase ( 3 3)R30 . La grfica de la izquierda de la figura 5.11 muestra una seleccin de
espectros tomados en emisin normal para diferentes recubrimientos de Sn con h = 12,5
eV a 170 K. Se observa que todos los espectros presentan una intensidad residual que,
como ya se ha dicho, tiene su origen en el doblado de bandas de la simetra (3 3), pues
la banda de la fase ( 3 3)R30 ideal est por encima de la energa de Fermi en este
punto (figura 5.9). Como esta intensidad tiene su origen en la estructura (3 3), sera
esperable que el mximo de intensidad del pico se alcanzara en el recubrimiento ideal de
0,33 ML, donde la coexistencia de tomos de Sn y Si en la solucin slida es mnima. Para
comprobar esta idea se ha representado en la parte derecha de la figura 5.11 la intensidad
integrada alrededor del mximo del pico (entre 0,0 y 0,40 eV de energa de ligadura) como
5.3 Estructura electrnica de Six Sn(1x) /Si(111)-( 3 3)R30 185
C2 C1
Punto K
Sn (ML) Punto K
0.36
0.33
0.29
0.23
0.16
0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40
0.8 0.4 0.0 Sn (ML)
Energa de ligadura (eV)
Figura 5.12 : Izquierda: seleccin de espectros normalizados ajustados con dos compo-
nentes en el punto K, para diferentes recubrimientos de Sn en funcin de
la energa de ligadura con h = 12,5 eV a 170 K. Los datos experimentales
estn indicados por puntos negros, el resultado del ajuste por una lnea
roja, y las componentes gaussianas por lneas azules (C1 ) y grises (C2 ).
Derecha: intensidad integrada de la componente C2 entre 0,25 y 0,65 eV de
los espectros en el punto K en funcin del recubrimiento de Sn. La lnea
continua es una gua para la vista.
que favorece la transferencia de carga desde los tomos de Si a los de Sn. Esto da lugar
a la apertura de una zona de energa prohibida entre las bandas de superficie, y la su-
perficie se convierte en semiconductora para un recubrimiento de 0,16 ML (fase ). Esta
prediccin est respaldada por resultados de fotoemisin inversa [19].
0.45
K
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10 (3x 3) M (3x 3) (3 x3)
-0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35 0.40
k|| (-1) Sn (ML)
5.4. Conclusiones
La estructura electrnica de bandas de Six Sn(1x) /Si(111)-( 3 3)R30 se ha estu-
diado por medio de fotoemisin resuelta en ngulo a lo largo de las dos direcciones de
alta simetra a RT y LT (170 K).
- La banda del estado de superficie est separada en dos componentes, que sobre-
5.4 Conclusiones 189
[9] K. Horikoshi, Z. Tong, T. Nagao, S. Hasegawa, Phys. Rev. B 60, 13287 (1999).
[10] A. V. Melechko, J. Braun, H. H. Weitering, E. W. Plummer, Phys. Rev. Lett. 83, 999
(1999); Phys. Rev. B 61, 2235 (2000).
[12] R. Prez, J. Ortega, F. Flores, Phys. Rev. Lett. 86, 4891 (2001).
[15] L. Ottaviano, G. Profetta, L. Petaccia, S. Santucci, M. Pedio, Surf. Sci. 501, L171 (2002);
Surf. Rev. Lett. 9, L171 (2002).
[26] G. Profeta, L. Ottaviano, S. Santucci, A. Continenza, Phys. Rev. B 66, 081303 (2002).
[28] A. Mascaraque, J. Avila, E. G. Michel, M. C. Asensio, Phys. Rev. B 57, 14758 (1998).
[29] K. Wrde, P. Krger, A. Mazur, J. Pollmann, Surf. Rev. Lett. 5, 105 (1998).
[31] J. Ortega, R. Prez, F. Flores, J. Phys. Condens. Matter 12, L21 (2000).
Conclusiones generales
Dado el nmero de sistemas tratados en esta memoria y las diferentes tcnicas utiliza-
das, conviene hacer un resumen de los resultados ms importantes obtenidos.
puntos L de volumen, donde tiene origen el estado de superficie de los metales nobles. El
mecanismo que produce el cambio de comportamiento entre la localizacin del estado en
las terrazas (111) o deslocalizado en toda la superficie, est directamente relacionado con
la apertura o cierre de la proyeccin de la zona de energas prohibidas en el punto de
cada superficie vecinal.
"Transition from terrace to step modulatin in the surface state wave function at vici-
nal Cu(111)".
J. E. Ortega, A. Mugarza, A. Nrmann, A. Rubio, S. Speller, A. R. Bachmann, J. Lo-
bo, E. G. Michel, F. J. Himpsel.
Surface Science 482-485, 764-769 (2001).
Como quien no quiere la cosa, cinco aos han pasado hasta que he llegado a este pun-
to. He tenido la oportunidad de viajar mucho y conocer un sinnmero de gente, lugares
y laboratorios. Estos viajes han sido muy positivos en mi vida personal: en el terreno pro-
fesional me han permitido llevar a cabo la produccin de esta memoria y otros trabajos
no presentados en ella; en el terreno personal me ha permitido madurar como persona y
capacitarme para desenvolverme en lugares desconocidos de manera autosuficiente.
En este tiempo han ocurrido tantos sucesos que resumirlos en un manojo de pginas
sera imposible, como tambin lo es mencionar a todas las personas con las que he tenido
la ocasin de colaborar. As pues, espero no olvidarme de nadie cuando termine estas
pginas y, si lo he hecho, de antemano pido disculpas para que no se sientan insultados
por mi mala memoria y mi peor diplomacia.
Creo que el primer nombre que debe figurar en este apartado es el de mi jefe y amigo
Enrique. Desde que lo conozco se ha ganado a pulso mi devocin, respeto, confianza y
cario. Con l he compartido largas y fructferas conversaciones que han ido ms all del
terreno puramente profesional. Pero no todo ha sido un camino de rosas, tambin hemos
tenido que compartir muchos perodos de medida en sincrotrones, algunos de ellos te-
diosos y desmoralizantes, pero que en general han resultado ser desafos divertidos en
los que hemos luchado juntos por conseguir los resultados que he presentado en este tra-
bajo. Su capacidad mental y de trabajo, que me ha demostrado continuamente, junto con
la atencin y el apoyo que me ha dado siempre, han hecho de l un jefe modelo. Pero su
mejor cualidad, sin duda, es la relacin humana tan positiva que consigue con todos sus
estudiantes. Enrique muuuuchas, gracias por todo.
Los siguiente en aparecer son mis compaeros de laboratorio. Ellos han sido extrema-
damente pacientes y comprensivos con alguien tan hablador y extrovertido como yo. Me
han aguantado en mis quejas, mis barbaridades y mis peleas constantes con mquinas y
ordenadores. Tengo que reconocer que la atmsfera de trabajo que impera en el laborato-
VI Agradecimientos
Una vez finalizado los agradecimientos a toda la gente con la que he compartido mi
trabajo en estos ltimos 5 aos, me gustara finalizar dando las gracias a los mos, porque
ellos han estado antes, durante y estarn despus de que todo esto concluya.
El ncleo de mi familia est formada por mis justos, comprensivos y adorables padres:
Adrin y Asuncin; mis siempre alegres, divertidos e inteligentes hermanos: Adrin y
Elena; y mi maravillosa y exquisita mujer: Myriam. A ellos, sin deseos de resultar em-
palagoso o sentimentalista, les adoro con todo mi corazn y jams podr agradecerles
suficientemente todo lo que han aportado a mi vida. Sobran las palabras. . .
No me quiero olvidar del resto de la familia: tos y primos de Madrid, Castelln y
Londres, porque ellos tambin son importantsimos en mi vida y siempre estn ah, donde
los necesito. Tengo que dar especialmente las gracias a mi primo Sergio y a mi ta Anuncia,
con los que he vivido durante 6 aos y que han conseguido que sienta que su casa es la
ma propia y a mi ta Mari, porque me ha permitido vivir en su piso de Madrid casi de
"okupa".
Por ltimo hay muchos amigos a los que tengo que dar las gracias porque hacen que la
vida valga la pena para derrochar en algo ms que en trabajo. Los amigos de Vigo, los de
hace ya muchos aos son Quitos (mi padrino, tambin conocido como Hojarasco), Santi
(-he intentado ser amable- Sam), Pablo Santiago (el hombre de los campos de trabajo),
Javi (Bilogo, actor, informtico. . .) y Pablo Konfu (el paladn).
Los amigos del barrio de Madrid son todos los ms macarras, juerguistas, comilones
VIII Agradecimientos
y divertidos que existen: Varas (el militar de las rodillas de acero), Ivi (el flipao de los co-
ches y mviles), Alberto (el marmolista, que no obrero, del aparato), Juanra (el pequen
trajeao) y Rafa (el enano gordo). Vaya pea ms cojonuda.
Los universitarios que han compartido la carrera conmigo son Alberto (Sr. Cabolas),
Benito (Sr. Camelas) y Paco (mi compi de piso, el montaero -con GPS incluido en el lote-).
Buena gente donde las haya.