Electronica Boylestad - Capitulo 1

CAPTULO
Diodos
semiconductores
---------------------------~---
1.1 INTRODUCCIN
Unas cuantas dcadas que han seguido a la introduccin del transistor, hacia finales de los aos,
cuarenta, han sido testigo de un cambio asombroso en la industria de la electrnica. La
miniaturizacin que se ha logrado nos deja sorprendidos de sus alcances. Sistemas completos
aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces ms pequea que un solo elemento de
las redes iniciales. Las ventaja~ asociadas con los sistemas actuales, comparados con las redes
de bulbos de los aos anteriores, resultan, en su mayor parte, obvias de inmediato: son ms
pequeos y ligeros, no tienen requerimientos de calentamiento o disipacin de calor (como en
el caso de los bulbos), tienen una construccin ms robusta, son ms eficientes y no requieren
de un periodo de calentamiento.
La miniaturizacin desarrollada en los aos recientes ha dado por resultado sistemas tan
pequeos que ahora el propsito bsico del encapsulado slo es obtener algunos medios para
manipular el dispositivo y asegurar que las conexiones permanezcan fijas en fonna adecuada
en la base del semiconductor. Los lmites de la miniaturizacin dependen de tres factores: la
calidad del material semiconductor, la tcnica del diseo de redes y los lmites de la manufac-
tura y el equipo de procesamiento.
1.2 EL DIODO IDEAL
-
VD
El primer dispositivo electrnico que se presenta es el que se denomina diodo, el ms sencillo +
de los dispositivos semiconductores, pero que desempea un papel muy importante en los
o
~ o
sistemas electrnicos. Con sus caractersticas, que son muy similares a las de un interruptor ID
sencillo, aparece en una amplia variedad de aplicaciones, que van desde las ms sencillas a las
Ca)
ms complejas. Adems de los detalles de su construccin y caractersticas, los datos y grfi-
cas importantes se encontrarn en las hojas de especificaciones y tambin se estudiarn con
objeto de asegurar una comprensin de la terminologa que se utiliza, aparte de demostrar la + ID
riqueza de la informacin que los fabricantes suelen proporcionar.

Antes de analizar la construccin y las caractersticas de un dispositivo real, primero se ~
+
....1
Vo
lo
+
considerar el dispositivo ideal para ofrecer una base de comparacin. El diodo ideal es un
O VD
dispositivo con dos terminales. que tiene el smbolo y caractersticas que se muestran en la
figura l.la y b, respectivamente.
De manera ideal, un diodo conducir corriente en la direccin que define la flecha en el
smbolo, y actuar como un circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente en
...
Vo (
~I
lo
+
direccin opuesta. En esencia: (b)
Las caractensticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede Flgura 1.1 Diodo ideal: a)
conducir comente en una sola direccin. smbolo; b) caractersticas.
1
En la descripcin de los elementos que se presentan a continuacin es importante que se
definan los diferentes smbolos de letras, polaridades de voltajes y direcciones de la corriente. Si
la polaridad del voltaje aplicado es consistente con el que se muestra en la figura l.la, las carac-
tensticas que deben ser consideradas en la figura l.lb estn hacia la derecha del eje vertical. En
caso de que se aplique un voltaje inverso, son pertinentes las caractersticas hacia la izquierda del
eje. Si la corriente a travs del diodo tiene la direccin que se indica en la figura l.la, la porcin
de las caractersticas que deben considerarse es arriba del eje horizontal, mientras que una inver
sin en la direccin requerirla del empleo de las caractensticas abajo del eje. Para la mayona de
las caractensticas de los dispositivos que aparecen en este libro, la ordenada (o eje "y") ser el eje
de la corriente, en tanto la abscisa (o eje "x") ser el eje del voltaje.
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resisteuciaenel punto o la regin de
operacin. Si se considera la regin de conduccin definida por la direccin de ID y polaridad
de VD en la figura 1.1a (el cuadrante superior derecho de la figura l.lb), se deduce que el va-
lor de la resistencia directa, Rp segn lo define la ley de Ohm, es
V OV
RF =- F = OQ (corto circuito)
IF 2,3, mA, ... , slo un valor positivo
donde VF es el voltaje de polarizacin directa a travs del diodo e 1F es la corriente a travs del
diodo.
Por tanto, el diodo ideal es un circuito cerrado para la regin de conduccin.
Si ahora se considera la regin de potencial negativo aplicado (tercer cuadrante) de la

figura 1.1 b,
V. -5, -20, o cualquier potencial de polarizacin inversa

RR =- = =Q (circuito abierto)
IR OmA
donde VR es el voltaje inverso a travs del diodo e IR es la corriente inversa en el diodo.
Por tanto, el diodo ideal es un circuito abierto en la regin de no conduccin.
En resumen, son aplicables las condiciones que se descnben en la figura 1.2.
Corto circuito
./. o~ lo
~imitado por el circuito)

C')
o
+
0-0--..../ I
--
ei"uito abierto
o>----I~II---~o __ o ~
ID =0
Cb)
FIgUra 1.2 a) Estados de conduccin y b) no conduccin del diodo ideal segn est detenninado
por la polarizacin aplicada.
Por lo general, resulta sencillo hasta cierto punto determinar si un diodo se encuentra en la
regin de conduccin o de no conduccin, al observar la direccin de la corriente ID que se
establece mediante un voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al flujo de electro-
nes), si la corriente resultante del diodo tiene la misma direccin que la punta de la flecha del
smbolo del diodo, ste est operando en la regin de conduccin, segn se descnbe en la
figura 1.3a. Si la corriente resultante tiene la direccin opuesta, como se muestra en la figura
l.3b, el circuito abierto equivalente es el apropiado.
2 Capitulo l Diodos semiconductores

(al
FIgura 1.3 al Estados de
o conduccin y b) no conduccin del
diodo ideal, segn est determinado
por la direccin de la corriente
(bl convencional establecida por la red.
Como se indic antes, el propsito inicial de esta seccin es presentar las caractersticas
de un dispositivo ideal para poder compararlas con las caractersticas de la variedad comer-
cial. Segn se avance a travs de las prximas secciones, se deben considerar las siguientes
preguntas:
Qu tan cercana ser la resistencia directa o de "encendido" de un diodo prctico
comparado con el nivel O-.Q deseado?
Es la resistencia inversa parcial lo suficientemente grande como para permitir una
aproximacin de circuito abierto?
1.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES

El trmino semiconductor revela por si mismo una idea de sus caractersticas. El prefijo semi
suele aplicarse a un rango de niveles situado a la mitad entre dos lmites.
El trmino conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de
carga, cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a travs de sus
terminales.
Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la
presin de una fuente de voltaje aplicada.
Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre
algn punto entre los extremos de un aislante y un conductor.
De manera inversa, y relacionada con la conductividad de un material, se encuentra su

resistencia al flujo de la carga o corriente. Esto es, mientras ms alto es el nivel de conductividad,
menor es el nivel de resistencia. En las tablas, el tnnino resistividad (p, la letra griega rho) se
utiliza a menudo para comparar los niveles de resistencia de los materiales. En unidades mtri-
cas, la resistividad de un material se mide en n-cm o n-m. Las unidades de n-cm se derivan de
la sustitucin de las unidades para cada cantidad de la figura 1.4 en la siguiente ecuacin
(derivada de la ecuacin bsica de resistencia R = pi! A):
RA (n)(cm')
p=--= =>n-cm (l.l) p~-
cm
1 cm
De hecho, si el rea de la figura lA es de 1 cm' y la longitud de 1 cm, la magnitud de la A=lcm 2 l=lcm

resistencia del cubo de la figura lA es igual a la magnitud de la resistividad del material segn
Figura 1.4 Definicipn de las
se demuestra a continuacin: unidades mtricas de
resistividad.
1 (1 cm)
P -= P Iplohms
A (1 cm')
Este hecho ser de utilidad cuando se comparen los niveles de resistividad en los anlisis que se
presentan enseguida.
En la tabla 1.1 se muestran los valores tpicos de resistividad para tres categoras amplias
de materiales. Aunque se pueda estar familiarizado con las propiedades elctricas del cobre y la
mica, las caractersticas de los materiales semiconductores, germanio (Ge) y silicio (Si), pue-
1.3 Materiales semiconductores 3

TABLA 1.1 Valores tipicos de resistividad
Conductor Semiconductor Aislante
p == 10-6 O-cm p == 50 O-cm (germanio) p= 10 12 n-cm

(cobre) p == 50 X 103 O-cm (silicio) (mica)
den ser relativamente nuevas. Como se encontrar en los captulos que siguen, ciertamente no
son los nicos dos materiales semiconductores; sin embargo, son los que ms interesan en el
desarrollo de dispositivos semiconductores. En aos recientes el cambio ha sido estable con
el silicio, pero no as con el germanio. cuya produccin an es escasa.
Observe en la tabla 1.1 el rango tan grande entre los materiales conductores y aislantes para
la longitud de 1 cm (un rea de lcm') de material. Dieciocho lugares separan la colocacin del
punto decimal de un nmero a otro. Ge y Si han recibido la atencin que tienen por varias razo-
nes. Una consideracin muy importante es el hecho de que pueden ser fabricados con un muy
alto nivel de pureza. De hecho, los avances recientes han reducido los niveles de impureza en el
material puro a una parte por cada 10 mil millones (1 : 10 000 000 000). Es posible que alguien
se pregunte si estos niveles de impureza son realmente necesarios. En realidad lo son si se consi-
dera que la adicin de una parte de impureza (del tipo adecuado) por milln, en una oblea de
silicio, puede cambiar dicho material de un conductor relativamente pobre a un buen co~ductor .
de electricidad. Como es obvio, se est manejando un espectro completamente nuevo de nive-
les de comparacin, cuando se trata con el medio de los semiconductores. La capacidad de cam-
biar las caractersticas del material en forma significativa a travs de este proceso, que se conoce
como "dopado", es otra razn ms por la cual el Ge y el Si han recibido tanta atencin. Otras
razones incluyen el hecho de que sus caractersticas pueden alterarse en forma significativa a
travs de la aplicacin de calor o luz, una consideracin importante en el desarrollo de dispositi-
vos sensibles al calor o a la luz.
Algunas de las cualidades nicas del Ge y el Si que se observaron antes se deben a su
estructura atmica. Los tomos de ambos materiales forman un patrn muy definido que es
peridico en naturaleza (esto es que continuamente se repite el mismo). A un patrn completo
se le llama cristal, y al arreglo peridico de los tomos, red cristalina. Para el Ge y el Si el
cristal tiene la estructura de diamante de tres dimensiones que se muestra en la figura 1.5.
Cualquier material compuesto slo de estructuras repetidas de cristal del mismo tipo se deno
mina estructura de cristal nico. Para los materiales semiconductores de aplicacin prctica en
/ el campo de la electrnica, esta caracterstica de cristal nico existe y, adems, la periodicidad
/ de la estructura no cambia en forma significativa con la adicin de impurezas en el proceso de
/ dopado.
/ Ahora, se examinar la estructura del tomo en s y se observar cmo se pueden afectar
.1 las caractersticas elctricas del material. Como se tiene entendido, el tomo se compone de
/
tres partculas bsicas: el electrn, el protn y el neutrn. En la red atmica, los neutrones y los
protones forman el ncleo, mientras que los electrones se mueven alrededor del ncleo sobre
una rbita fija. Los modelos de Bohr de los semiconductores que se usan con mayor frecuen-
Figura 1.5 Estructura de un solo cia, el germanio y el silicio, se muestran en la fignra 1.6.
cristal de Ge y Si. Como se indica en la figura 1.6a, el tomo de germanio tiene 32 electrones en rbita,
mientras que el silicio tiene 14 electrones en varias rbitas. En cada caso, existen cuatro elec-
trones en la rbita exterior (valencia). El potencial (potencial de ionizacin) que se requiere
para movilizar cualquiera de estos cuatro electrones de valencia, es menor que el requerido
por cualquier otro electrn dentro de la estructura. En un cristal puro de germanio o de silicio
estos cuatro electrones de valencia se encuentran unidos a cuatro tomos adjuntos. como se
muestra en la figura 1.7 para el silicio. Tanto el Ge como el Si son referidos como tomos
tetravalentes, porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia.
U na unin de tomos fortalecida por el compartimiento de electrones se denomina
unin covalente.
4 Capitulo 1 Diodos semiconductores

Electrones
en rbita
EI,,,mn,,~
de valencia
(4 para cada uno)
lb)
Figura 1.6 Estructura atmica: a) germanio; Figura 1.7 Unin covalente del tomo de
b) silicio. silicio.
Si bien la unin covalente generar una unin ms fuerte entre los electrones de valencia
y su tomo, an es posible para los electrones de valencia absorber suficiente energa cintica
por causas naturales, para romper la unin covalente y asumir el estado "libre". El trmino
"libre" revela que su movimiento es muy sensible a los campos elctricos aplicados, como los
establecidos por las fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial. Estas causas natura-
les incluyen efectos como la energa lumnica en la forma de fotones y la energa trmica del
medio que lo rodea. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1.5 x 10 10 portadores
libres en un centmetro cbico de material intrnseco de silicio.
Los materiales intlnsecos son aquellos semiconductores que han sido
cuidadosamente refinados para reducir /as impurezas a un nivel muy bajo,
esencialmente tan puro como se puede obtener a travs de /a tecnologa moderna.
A los electrones libres localizados en el material que se deben slo a causas naturales, se
les conoce como portadores intrnsecos. A la misma temperatura, el material intrnseco de
germanio tendr aproximadamente 2.5 x 10 13 transmisores libres por centmetro cbico. La
relacin del nmero de portadores en el germanio respecto al silicio es mayor de 103 e indica
que el germanio es un mejor conductor a temperatura ambiente. Esto puede ser cierto, aunque
en el estado intrnseco ambos an son considerados conductores pobres. Observe en la tabla
1.1 cmo la resistividad tambin difiere por una relacin de aproximadamente 1000 : 1 con el
silicio, teniendo, por tanto, un mayor valor. Por supuesto, ste debe ser el caso, debido a que la
resistividad y la conductividad son inversamente proporcionales.
Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento
sustancial en el nmero de electrones libres en el material.
Segn aumenta la temperatura desde el cero absoluto (O K), un nmero mayor de

electrones de valencia absorben suficiente energa trmica como para romper la unin
covalente y contribuir as al nmero de portadores libres, segn se describi antes. Este
mayor nmero de portadores aumentar el ndice de conductividad y generar un menor
nivel de resistencia.
Se dice que los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una
reduccin en resistencia con el incremento en la temperatura, tienen un coeficiente
de temperatura negativo.
Quiz el lector recuerde que la resistencia de casi todos los conductores se incrementar
con la temperatura. Esto se debe al hecho de que el nmero de portadores en un conductor no
1.3 Materiales semiconductores 5

se incrementar significativamente con la temperatura, pero su patrn de vibracin con respec-
to a una localizacin relativamente fija aumentar la dificultad para que los electrones pasen a
travs de ella. Un incremento en la temperatura, por tanto, genera un aumento del nivel de
resistencia y un coeficiente positivo de temperatura.
1.4 NIVELES DE ENERGA

En la estructura atmica aislada existen niveles de energa discretos (individuales) asociados con
cada electrn en una rbita, segn se muestra en la figura 1.8a. Cada material tendr, de hecho, su
propio conjunto de niveles de energa pennisibles para los electrones en su estructura atmica.
Mientras ms distante se encuentre el electrn del ncleo, mayor e:s el estado de
energa, y cualquier electrn que haya dejado a su tomo, tiene un estado de energa
mayor que cualquier electrn en la estructura atmica.
Energa
Nivel de valencia (capa ms externa)

Banda de energa vaca!
Banda de energa vaca t Segundo nivel (siguiente capa interna)
Tercer nivel (etc.)

etc.
.. Ncleo
(a)
Energa ElectroneS Energa Energa

Banda de conduccin "libres" para
f-.,-------'""
t establecer la Banda de conduccin
conduccin --_._
I -. Las bandas Banda de conduccin
se traslapan --I;;;:;;;;
Banda de valencia
f-'-------,. de valencia
/ Electrones ~ -
e. .' unidos a la Banda de valencia
:.. ,Banda de y.alencia . estructura
atmica
E = 1.1 eV (Si)
Figura 1.8 Niveles de energa: a) ~ = 0.67 eV (Ge)
niveles discretos en estructuras ,,~ = 1.41 eV (GaAs)
atmicas aisladas; b) bandas de
conduccin y valencia de un Aislante Semiconductor Conductor
aislador, semiconductor y
conductor. (b)
Entre los niveles de energa discretos existen bandas vacas, en las cuales no pueden apa-
recer electrones dentro de la estructura atmica aislada. Cuando los tomos de un material se
unen para formar la estructura de la red cristalina, existe una interaccin entre los tomos que
ocasiona que los electrones dentro de una rbita en particular de un tomo tengan ligeras
diferencias en sus niveles de energa. respecto a los electrones en la misma rbita de un tomo
adjunto. El resultado neto es una expansin de la banda de los niveles discretos de estados de
energa posibles para los electrones de valencia, como se muestra en la figura 1.8b. Observe
que existen niveles y estados de energa mximos en los cuales se puede encontrar cualquier
electrn, y una regin prohibida entre la banda de valencia y el nivel de ionizacin. Recuerde
que la ionizacin es el mecanismo mediante el cual un electrn puede absorber suficiente

energa para separarse de su estructura atmica y entrar en la banda de conduccin. Se obser-
var que la energa asociada con cada electrn se mide en electrn volts (eV). La unidad de
medida es adecuada, porque
I W=QV I eV (1.2)
segn se deriv de la ecuacin definida para el voltaje V = W /Q. Q es la carga asociada con un
nico electrn.
Sustituyendo la carga de un electrn y una diferencia de potencial de 1 volt en la ecuacin
(1.2) se tiene un nivel de energa referido como un electrn volt. Debido a que la energa
tambin se mide en joules y que la carga de un electrn = 1.6 x 1j}-19 coulomb,
W = QV = (1.6 X 10- 19 C)(I V)
y 1 eV= 1.6XIO-19 J (1.3)
A O K o cero absoluto (-273.15 OC), todos los electrones de valencia de los materiales
semiconductores se encuentran en la capa exterior del tomo con niveles de energa asociados
con la banda de valencia de la figura 1.8b. Sin embargo, a temperatura ambiente (300 K, 25 oC)
un gran nmero de electrones de valencia han adquirido suficiente energa para dejar la banda
de valencia, y han atravesado la banda de energa vaca definida por Eg en la figura 1.8b y
entrado a la banda de conduccin. Para el silicio Eg es de 1.1 eV, para el germanio 0.67 eV
y para el arseniuro de galio 1.41 e V. Para el germanio, Eg obviamente es menor, y se debe al
gran nmero de portadores en dicho material, comparado al silicio expuesto a temperatura
ambiente. Observe que para el aislante la banda de energa es con frecuencia de 5 eV o ms, lo
cual limita drsticamente el nmero de electrones que pueden entrar a la banda de conduccin
a temperatura ambiente. El conductor tiene electrones en la banda de conduccin aun a O K.
Por tanto, es bastante obvio que a temperatura ambiente existan portadores libres ms que
suficientes para soportar un gran flujo de carga o corriente.
En la seccin 1.5 encontrar que si ciertas impurezas se aaden a los materiales
semiconductores intrnsecos, ocurrirn estados de energa en las bandas prohibidas, lo que
causar una reduccin neta en Eg para ambos materiales semiconductores y, por consecuen-
cia, tambin una mayor densidad de portadores en la banda de conduccin a temperatura
ambiente.
1.5 MATERIALES EXTRNSECOS:

TIPO n Y TIPO p
Las caractersticas de los materiales semiconductores pueden ser alteradas significativamente
por la adicin de ciertos tomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro.
Estas impurezas, aunque slo haya sido aadida 1 pane en \O millones, pueden alterar en
forma suficiente la estructura de la banda y cambiar totalmente las propiedades elctricas del
material.
Un material semiconductor que haya sido sujeto al proceso de dopado se denomina
un material exmnseco.
Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos

senticonductores: el tipo n y el tipo p. Cada uno se describir con detalle ms adelante.
Material tipo n
Tanto el material tipo n como el tipo p se forman mediante la adicin de un nmero predetermi-
nado de tomos de impureza al gennanio o al silicio. El tipo n se crea a travs de la introduccin
de elementos de impureza que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el
antimonio, arsnico y fbsforo. El efecto de estos elementos impuros se indica en la figura 1.9
1.5 Materiales extrnsecos: tipo n y tipo p 7

Figura 1.9 Impureza de antimonio
en el material tipo n.
(utilizando el antimonio como impureza en el silicio). Observe que las cuatro uniones covalentes
an se encuentran presentes. Existe, sin embargo, un quinto electrn adicional debido al tomo
de impureza, mismo que se encuentra desasociado de cualquier unin covalente en particular.
Este electrn restante, unido dbilmente a su tomo (antimonio), se encuentra relativamente
libre para moverse dentro del recin formado material tipo n. Debido a que el tomo de impu-
reza insertado ha donado un electrn relativamente "libre" a la estructura:
A 1m; impureZ/lS tlifundJos con cinco electrones de valencll se les l/mnll tomos donares.
Es importante comprender que, aunque un nmero importante de portadores "'libres" se
han creado en el material tipo n, ste an es elctricamente neutral, debido a que de manera
ideal el nmero de protones cargados positivamente en los ncleos es todava igual al nmero
de electrones 'libres" cargados negativamente y en rbita en la estructura.
El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa se describe mejor a
travs del diagrama de bandas de energa de la figura 1.10. Observe que un nivel de energa
discreto (llamado el nivel del donor) aparece en la banda prohibida con un Eg significativamente
menor que aquel del material intrnseco. Aquellos electrones "libres" que se deben a la impu-
reza aadida se sitan en este nivel de energa, y tienen menor dificultad para absorber la
energa trmica suficiente para moverse a la banda de conduccin a temperatura ambiente. El
resultado es que a temperatura ambiente existe un gran nmero de portadores (electrones) en el
nivel de conduccin, y la conductividad del material aumenta en forma significativa. A tempe-
ratura ambiente en un material de Si intrnseco existe aproximadamente un electrn libre por
cada 10 12 tomos (uno por cada 109 para Ge). Si el nivel de "dosificacin" fuera de 1 en 10
millones (lO'), la proporcin (10 12110 7 = 105 ) indicaria que la concentracin de portadores se
ha incrementado en una proporcin de 100,000 : l.
Energa
:;'B~~;da~de~~~~~ Eg = 0.05 eV (Si).O.Ol eV CGe)
Nivel de energa del donor

Es como antes
Figura 1.10 Efecto de las impurezas del donor sobre la estructura

de la banda de energa.
8 Capitulo l Diodos semiconductores

Material tipo p
El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con
tomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan
con mayor frecuencia para este propsito son el boro, galio e indio. El efecto de alguno de
estos elementos, como el boro sobre el silicio, se indica en la figura 1.11.
Figura 1.11 Impureza de boro en

el material tipo p.
Observe que ahora existe un nmero de electrones insuficiente para completar las uniones
covalentes de la red cristalina recin fonnada. A la vacante que resulte se le llama hueco, y est
representado por un pequeo crculo o signo positivo debido a la ausencia de una carga nega-
tiva. Por tanto, la vacante resultante aceptar con facilidad un electrn "libre"':
A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como tomos
aceptores.
El material resultante tipo p es elctricamente neutro, por las mismas razones descritas
para el material tipo n.
Flujo de electrones comparado con flujo de huecos

El efecto del hueco sobre la conduccin se muestra en la figura 1.12. Si un electrn de valencia
adquiere suficiente energa cintica para romper su unin covalente y llena un hueco. entonces
se crear un hueco en la unin covalente que liber el electrn. Sin embargo, existe una trans-
ferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha, segn se muestra en la
figura 1.12. La direccin que se utilizar en el texto es la del flujo convencional, el cual se
indica por la direccin del flujo de huecos .
Flujo de huecos

Flujo de electrones
FIgUra 1.12 Flujo de electrones en funcin de flujo de huecos.
1.5 Materiales extrnsecos: tipo R y tipo p 9

Portadores mayoritarios y minoritarios
En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en Ge o en Si se debe slo a aquellos
electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energa de las fuentes trmicas
o lumnicas para romper la unin covalente o a las pocas impurezas que no pudieron eliminar-
se. Las "vacantes" dejadas atrs en la estructura de uniones covalentes representan una canti-
dad muy limitada de huecos, En un material tipo n, el nmero de huecos no ha cambiado de
manera significativa de su nivel intrnseco, El resultado neto, por tanto, es que el nmero
de electrones supera por mucho el nmero de huecos. Por esta razn:
En un material tipo n (figura 1,13a) al electrn se le llama portador mayoritario y el
hueco es el portador minoritario.
Para el material tipo p el nmero de huecos supera por mucho el nmero de electrones,
como se muestra en la figura 1.13b. Por tanto:
En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrn es el portador
minoritario.
Cuando el quinto electrn de un tomo donor deja a su tomo, el tomo restante adquiere
una carga positiva neta: de ah el signo positivo en la representacin del ion donar. Por razones
anlogas, el signo negativo aparece en el ion aceptor.
Los materiales tipo n y p representan los bloques de construccin bsicos de los dispositi-
vos semiconductores. En la siguiente seccin se encontrar que la "unin" de un solo material
tipo n con un material tipo p tendr por resultado un elemento semiconductor de importancia
considerable en los sistemas electrnicos.
Iones donores Iones aceptores
Ponadores
mayoritarios
Portadores Portadores
minoritarios mayoritarios
Portadores
Tipo n Tipop minoritarios
Figura 1.13 a) material tipo n; b) material tipo p.
1.6 DIODO SEMICONDUCTOR

En la seccin 1.5 se presentaron tanto los materiales tipo n como tipo p, El diodo semiconductor
se fonna con slo juntar estos materiales (construidos en la misma base: Ge o Si), segn se
muestra en la figura 1.14, utilizando tcnicas que se describirn en el captulo 20, En el mo-
mento en que son "unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de la
unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a la unin.
A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de
agotamiento, debido al agotamiento de portadores en esta regin.
Como el diodo es un dispositivo de dos tenninales, la aplicacin de un voltaje a travs de

sus terminales permite tres posibilidades: sin polarizacin (VD = O V), polarizacin directa
(VD> O V) Ypolarizacin inversa (VD < OV), Cada una es una condicin que dar un resultado
que el usuario deber comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma
efectiva.
10 Captulo l Diodos semiconductores

~ Flujo de portadores minoritarios
1"
':~-~:I"
~~I.
FluJo de ponadores mayoritarios
p n
tzD ~ DmA
"------0+ VD ~ DV Figura 1.14 Unin p-n sin
(sin polarizacin) polarizacin externa.
Sin polarizacin aplicada (VD = O V)

Bajo condiciones -sin polarizacin, cualquiera de los portadores minoritarios (huecos) en el
material tipo n que se encuentren dentro de la regin de agotamiento, pasarn directamente
al material tipo p. Mientras ms cercano se encuentre el portador minoritario a la unin, mayor
ser la atraccn de la capa de iones negativos y menor la oposicin de los iones positivos en la
regin de agotamiento del material tipo n. Con la idea de que surjan anlisis futuros, se supone
que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se localizan en la regin de agota-
miento debido a su movimiento aleatorio pasarn directamente al material tipo p. Se puede
considerar que algo similar pasa con los portadores minoritarios (electrones) del material tipo
p. Este flujo de portadores se indica en la figura 1.14 para los portadores minoritarios de cada
materiaL
Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben sobreponerse a las fuer-
zas de atraccin de la capa de iones positivos del material tipo n, y a la capa de iones negativos
en el material tipo p, con el fin de migrar hacia el rea localizada ms all del rea de agota-
miento del material tipo p. Sin embargo, en el material tipo n el nmero de portadores mayori-
tarios es tan grande que invariablemente habr un pequeo nmero de portadores mayoritarios
con suficiente energa cintica para pasar a travs de ~a regin de agotamiento hacia el material
tipo p. Una vez ms, la misma consideracin se puede aplicar a los portadores mayoritarios
(huecos) del material tipo p. El flujo resultante debido a los portadores mayoritarios tambin se
describe en la figura 1.14.
,Si se examina con cuidado la figura 1.14, se observar que las magnitudes relativas de los
vectores de flujo son tales que el flujo neto en cualquier direccin es igual a cero. Esta cance-
lacin de los vectores se indica por medio de las lneas cruzadas. La longitud del vector que
representa el flujo de huecos se dibuj en una escala mayor que el flujo de los electrones con
objetO de demostrar que la magnitud de cada uno no necesariamente debe ser la misma para la
cancelacin del flujo, y que los niveles de dopado para cada material pueden dar como resulta-
do un flujo de portadores desigual de electrones y huecos. En resumen:
En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga en
cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.
1.6 Diodo semiconductor JI

El smbolo para el diodo se repite en la figura 1.15 con las regiones tipo n y tipo p asocia-
das. Observe que la flecha est asociada con el componente tipo p y la barra con la regin de
tipo n. Como se indic, para VD = O V, la corriente en cualquier direccin es O roA.
Condicin de polarizacin inversa (VD < O V)

Si un potencial externo de V volts se aplica a travs de 1,,: unin p-n de tal forma que la
Figura 1.15 Condiciones para un
terminal positiva se encuentre conectada con el material tipo n y la terminal negativa est
diodo semiconductor sin conectada con e1 materia1 tipo p como se muestra en la figura 1.16, el nmero de iones
polarizacin. positivos en la regin de agotamiento del material tipo n se incrementar debido al gran
nmero de electrones "libres" atrados por el potencial positivo del voltaje aplicado. Por
razones similares, el nmero de iones negativos se incrementar en el material tipo p. El
efecto neto, por tanto, es una ampliacin de la regin de agotamiento. Dicha ampliacin
establecer una barrera de potencial demasiado grande para ser superada por los portadores
mayoritarios, adems de una reduccin efectiva del flujo de los portadores mayoritarios a
cero, como se muestra en la figura 1 .16 .
.......-- l., Flujo de portadores minoritarios

,_:::0
1mayoruarlO
p '---------,---- n
Regin de agotamiento
+ Figura 1.16 Unin p-n con polarizacin

inversa.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estn entrando a la regin de

agotamiento no cambiarn, y dan como resultado vectores de flujo de portadores minoritarios
de la misma magnitud que sin voltaje aplicado, como lo indica la figura 1.14.
A la corriente que existe bajo las condiciones de polariUlcin inversa se le llama
corriente de saturacin inversa, y se representa mediante Is'
La corriente de saturacin inversa rara vez es mayor que unos cuantos microamperes, con
excepcin de los dispositivos de alta potencia. De hecho, en aos recientes se encontr que su
nivel est casi siempre en el rango de nanoamperes para dispositivos de silicio, y en el rango de
microamperes para el germanio. El trmino saturacin proviene del hecho de que alcanza su
mximo nivel con rapidez y no cambia de manera significativa con el incremento del potencial
de polarizacin inversa, como se muestra en las caractensticas de los diodos de la figura 1.19
para VD < O V. Las condiciones de polarizacin inversa se describen en la figura 1.17 para el
smbolo de diodo y la unin p-n. Observe, en particular, que la direccin de 1, es contra la
+ flecha del smbolo. A su vez, que el potencialaegativo est conectado al materia! tipo p y el
o---I~M-----<o
_t, potencial positivo a! material tipo n, y que la diferencia en las literales subrayadas para cada
regin revela una condicin de polarizacin inversa.
Condicin de polarizacin directa (VD> O V)

Una condicin de polarizacin directa O "encendido" se establece al aplicar el potencial posi-
(Opuestos) tivo al materia! tipo p y el potencia! negativo al materia! tipo n, como lo muestra la figura 1.18.
Por tanto, para mayor referencia:
Figura 1.17 Condiciones de
polarizacin inversa para un Un diodo semiconductor tiene po/arizacibn directa cuando se ha establecido la
diodo semiconductor. asociacin tipo p y positivo y tipo n y negativo.
12 Captulo 1 Diodos semiconductores

_1, }
. )' Imavoril:mo ID = lmayom:mo - 1,
8~8+
-,+~ + 8 + (-'"~ C<r.'
+8+8
p n
Regin de agotamiento
+ Figura 1.18 Unin p-n con polarizacin

VD directa.
La aplicacin de un potencial de polarizacin directa VD "presionar" los electrones en el

material tipo n y los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los iones cercanos
a la unin y reducir el ancho de la regin de agotamiento como se indica en la figura 1.18. El
flujo de electrones, portadores minoritarios, del material tipo p al material tipo n (y de los huecos
del material tipo n al material tipo p) no ha cambiado en magnitud (debido a que el nivel de
conduccin se encuentra controlado bsicamente por el nmero limitado de impurezas en el
material), pero la reduccin en el ancho de la regin de agotamiento ha generado un gran flujo
de portadores mayoritarios a travs de la unin. Ahora, un electrn de material tipo n "observa"
una barrera muy reducida en la unin. debido a la pequea regin de agotamiento y a una fuerte
atraccin del potencial positivo aplicado al material tipo p. Mientras se incremente en magnitud
la polarizacin aplicada, la regin de agotamiemo continuar disminuyendo su anchura hasta que
un flujo de electrones pueda pasar a travs de la unin, lo que da como resultado un incremento
exponencial en la corriente, como se muestra en la regin de polarizacin directa de las caracte J
ID(mA)
I
20 I
19
Ec. (1.4) I
lB Unidad real disponible- -
17
I
en el mercado - -
16
I
15
I
14
I
l3 I
12
Polarizacin definida y -
II direccin para la grfica -
10 VD -
+ -, -
9 ~
8
I
-ID -
7 Regin de polarizacin directa
(VD>OV,ID>OmA)
6
I
5
4 I I
3
I
1/
I
2
1, 1 , /
,/
-40 -30 -20 -\0 r->::0.3
-0.1 ~A
05 0.7 1 VD (V)
f --O.21J.A
Ji Si~ polariz~ci~
Regin de polarizacin inversa (VD=OV,ID=OmA)
(VD<OV,lD=-Is>T - -0.3 .LA
1 11
1 I -?4 .LA
I I I I Figura 1.19 Caractersticas del
diodo semiconductor de silicio.
1.6 Diodo semiconductor 13

rsticas de la figura 1.19. Observe que la escala vertical de la figura 1.19 est en miliamperes
(aunque algunos diodos semiconductores tendrn una escala vertical en amperes), y la escala
horizontal en la regin de polarizacin directa tiene un mximo de 1 V. Por tanto, en general, el
voltaje a travs de un diodo de polarizacin directa ser de menos de 1 V. Observe tambin la
rapidez con que se incrementa la corriente despus del punto de inflexin de la curva de respuesta.
A travs del empleo de la fsica del estado slido se puede demostrar que las caractersti-
cas generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la ecuacin siguiente
para las regiones de polarizacin directa e inversa:
(1.4)
donde Is = corriente de saturacin inversa

K = 11 ,600 / 1) con 1) = 1 para Ge y 1) = 2 para Si en niveles relativamente bajos de
corriente del diodo (en o abajo del punto de inflexin de la curva) y 1) = 1 para Ge
y Si en mayores niveles de corriente del diodo (en la seccin de crecimiento
rpido de la curva)
TK = Tc +273
En la fIgura 1.19 se ofrece una grfIca de la ecuacin (1.4). Si se expande la ecuacin (1.4)
en la forma siguiente, se puede describir con facilidad el componente de contribucin para
cada regin de la figura 1.19:
Para valores positivos de VD' el primer trmino de la ecuacin anterior crecer con mayor
rapidez, y superar el efecto del segundo trmino. El resultado ser positivo para los valores
positivos de Vv e [v' y crecer de la misma manera que la funcin y = ex, la cual aparece en la
figura 1.20. En Vv =0 V, la ecuacin (1.4) se convierte en Iv = [,(e0 - 1) =IP - 1) = O mA, como
}
aparece en la fIgura 1.19. Para valores negativos de Vv' el primer trmino disminuir rpidamen-
te debajo de 1" dando como resultado Iv =-1" que es la lnea horizontal de la figura 1.19. La ruptura
de las caractersticas en Vv = OV se debe slo al cambio drstico en la escala de mA a !LA.
Observe en la figura 1.19 que la unidad comercial disponible tiene caractersticas que se
encuentran desplazadas a la derecha por unas cuantas dcimas de un volt. Esto se debe a la
resistencia interna del "cuerpo" y a la resistencia externa de "contacto" de un diodo. Cada una
contribuye a un voltaje adicional sobre el mismo nivel de corriente, como lo determina la ley
de Ohm (V = IR). Con el tiempo, mientras se mejoran los mtodos de produccin, esta diferen-
cia disminuir y las caractersticas reales se aproximarn a aquellas de la seccin (1.4).
I
Es importante observar el cambio en la escala para los ejes vertical y horizontal. Para
o 2 x
los valores positivos de ID' la escala se encuentra en miliamperes y la escala de la corriente
Figura ].20 Grfica de ex. abajo del eje se calcula en microamperes (o posiblemente nanoamperes). Para Vv' la escala
para los valores positivos est en dcimas de volts y para los valores negativos la escala es
en decenas de volts.
En un principio, la ecuacin (l.4) parece algo compleja y es susceptible de generar un
temor injustificado de que sta se someter a todas las aplicaciones subsecuentes de diodos.
Sin embargo, afortunadamente en una seccin posterior se har un nmero de aproximaciones
que eliminar la necesidad de aplicar la ecuacin (1.4) Yofrecer una solucin con un mnimo
de dificultad matemtica.
Antes de dejar el tema del estado de polarizacin directa, las condiciones para la conduccin
(el estado "encendido") se repiten en la fIgura 1.21 con los requerimientos de polaridad y la
direccin resultante del flujo de portadores mayoritarios. Observe en particular cmo la direc-
cin de la conduccin concuerda con la flecha en el smbolo (segn se revel para el diodo ideal).
(Similares) Regin Zener

figura 1.21 Condiciones de Aunque la escala de la figura 1.19 se encuentra en mltiplos de diez volts en la regin negativa,
polarizacin directa para un diodo existe un punto en el cual la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar por resultado un
semiconductor. agudo cambio en las caractersticas, como lo muestra la figura 1.22. La corriente se incrementa
14
Captulo 1 Diodos semiconductores
V/
,, \
t o
,
1-- Regin
Zener
figura 1.22 Regin Zener.
a una velocidad muy rpida en una direccin opuesta a aquella de la regin de voltaje positivo.
El potencial de polarizacin inversa que da como resultado este cambio muy drstico de las
caractersticas se le llama potencial Zener y se le da el smbolo Vz .
Mientras el voltaje a travs del diodo se incrementa en la regin de polarizacin inversa, la
velocidad de los portadores minoritarios responsables de la corriente de saturacin inversa (
tambin se incrementarn. Eventualmente, su velocidad y energa cintica asociada (WK :=
: mv 1 ) ser suficiente para liberar portadores adicionales por medio de colisiones con otras
estructuras atmicas estables. Esto es, se generar un proceso de ionizacin por medio del cual
los electrones de valencia absorben suficiente energa para dejar su tomo. Dichos portadores
adicionales pueden luego ayudar al proceso de ionizacin, hasta el punto en el cual se estable-
ce una gran corriente de avalancha que determina la regin de ruptura de avalancha.
La regin de avalancha (Vz ) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles de:
dopado en los materiales tipo p y tipo n. Sin embargo, mientras Vz disminuye a niveles muy
bajos, como -5 V, otro mecanismo llamado ruptura Zener contribuir con un cambio agudo en
la caracterstica. Esto ocurre debido a que existe un fuerte campo elctrico en la regin de la
unin que puede superar las fuerzas de unin dentro del tomo y "generar" portadores. Aunque el
mecanismo de ruptura Zener es un contribuyente significativo slo en los niveles ms bajos de Vz
este cambio rpido en la caracterstica a cualquier nivel se denomina regin Zener, y los diodos que
utilizan esta porcin nica de la caracterstica de una unin p-n son los diodos Zener. Estos
diodos se describen en la seccin 1.14.
La regin Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de un
sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las caractersticas de esta
regin de voltaje inverso.
El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de entrar a
la regin Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el
valor PIV, por las iniciales en ingls de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las
iniciales en ingls de: Peak Reverse Voltage).
Si una aplicacin requiere de un valor PIV mayor que el de una sola unidad. se deben
conectar en serie un nmero de diodos de la misma caracterstica. Los diodos tambin se
conectan de manera paralela para aumentar la capacidad de transporte de corriente.
Silicio en funcin de germanio

Los diodos de silicio tienen, en general, un PIV y un valor de corriente ms altos, y rangos ms
amplios de temperatura que los diodos de germanio. Los valores PIV para el silicio pueden
encontrarse en la vecindad de 1000 V, mientras que el valor mximo para el germanio est ms
cel:ca de los 400 V. El silicio puede utilizarse para aplicaciones en las cuales la temperatura
puede aumentar a cerca de 200 oC (400F), mientras que el germanio tiene un valor mximo
mucho menor (lOO OC). Sin embargo, la desventaja del silicio, comparado con el gennanio,
segn se indica en la figura 1.23, es el mayor voltaje de polarizacin directa que se requiere
1.6 Diodo semiconductor 15

lo (roA)
30
25
G, Si
20
lS
lO
5
1, (Si)=O.OI pA= lOnA
Vz(Si) Vz(Ge)
~
t D.l 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 VD (V)
1 ~A
t 2 }.lA
VT(Ge) VT(Si)
J, (Ge)
3~
Si Ge
FIgUra 1.23 Comparacin de diodos

semiconductores de Si y Ge.
para alcanzar la regin de conduccin. ste suele ser del orden de 0.7 V de magnitud para los
diodos de silicio disponibles en el mercado, y 0.3 V para diodos de germanio cuando se redon-
dea a la siguiente dcima. La mayor variacin para el silicio se debe, bsicamente, al factor r
en la seccin (lA). Este factor toma parte en la determinacin de la forma de la curva slo en
niveles de corriente muy bajos. Una vez que la curva empieza su crecimiento vertical, el factor
r cae a 1 (el valor continuo del germanio). Esto es evidente por las similitudes en las curvas
una vez que el potencial de conduccin se ha alcanzado. El potencial por el cual ocurre este
crecimiento se conoce como potencial de conduccin de umbralo de encendido. Con frecuen-
cia, la primera letra de un trmino que describe una cantidad en particular se usa en la notacin
para dicha cantidad. Sin embargo, para asegurar un mnimo de confusin con otros trminos,
como el voltaje de salida (VD' por las iniciales en ingls de: output) y el voltaje de polarizacin
directa (Vp por la inicial en ingls de:forward), la notacin Vrha sido adaptada para este libro
por la palabra "umbral" (por la inicial en ingls de: threshold).
En resumen:
VT = 0.7 (Si)
VT = 0.3 (Ge)
Obviamente, mientras ms cercana al eje vertical es la excursin, ms cerca de lo "ideal" est

el dispositivo. Sin embargo. las otras caractersticas del silicio comparadas con el germanio lo
hacen ser el elegido en la mayor parte de las unidades disponibles en el mercado.
Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caractersticas de un diodo
semconductor de silicio, segn se comprob mediante un diodo de silicio tpico en la figura
1.24. A partir de mltiples experimentos se encontr que:
La corriente de saturacin inversa ls ser casi igual al doble en magnitud por cada
10C de incremento en la temperatura.

ID (mA)
(392F)
200C 100C 25C
12 I
I
I
I
lO I
I
I
I I
f---H---i--I::::=p-1F
I
8 , _=. (punto de ebullicin
I
T del ag.ua)
, I
6
J-----';"" (temper~tura ambiente)
4 f-----fl-,--If---f'--+----1
I /1
, I /1 ./
(V) 2 ...rl:"..'---+-----1
I--+-l'-h//I--
lO
'fl ..................................
I /...%:: .......('
0.7 1 1.5 2
,-- ---1--------1--1
- _1- - - - ~- - - - _/f- 2
(1 ;
,: ~ - 3
I I , Figura 1.24 Variacin en las
1: (!lA)
caractersticas de los diodos con
el cambio de temperatura.
No es poco frecuente que un diodo de germanio con un 1, del orden de 1 o 2 .LA a 25 oC

tenga una corriente de fuga de 100).lA = 0.1 roA a una temperatura de 100 Los niveles de oc.
corriente de esta magnitud en la regin de polarizacin inversa con seguridad cuestionaran la
condicin deseada de circuito abierto en la regin de polarizacin inversa. Los valores tpicos
de lo para el silicio son mucho menores que para el germanio para unos niveles similares de
potencia y corriente, segn se mostr en la figura 1.23. El resultado es que an a mayor tempe-
ratura.los niveles de 1, para los diodos de silicio no alcanzan los mismos altos niveles que para
el germanio, una razn muy importante para que los dispositivos de silicio tengan un nivel
significativamente mayor de desarrollo y utilizacin en el diseo. Fundamentalmente, el equi-
valente de circuito abierto en la regin de polarizacin inversa es mejor a cualquier temperatu-
ra con silicio en lugar de gennanio.
Los niveles de 1, aumentan a mayortemperatura con niveles menores del voltaje de umbral.
como se muestra en la figura 1.24. Simplemente, al incrementar el nivel de 1, en la ecuacin (lA)
observe el rpido incremento en la corriente del diodo. Desde luego, el nivel de TK tambin se
incrementar en la misma ecuacin, pero el mayor valor de Is sobrepasar el menor cambio
en porcentaje en TK' Mientras la temperatura mejora las caractersticas en polarizacin directa, en
realidad se convierten en caractersticas ms "ideales", pero cuando se revisan las hojas de espe-
cificacin se encuentra que las temperaturas ms all del rango de operacin normal pueden tener
un efecto muy perjudicial en los niveles de potencia y corriente mximas del diodo. En la regin
de polarizacin inversa, el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura, pero observe
tambin el incremento no deseado en la corriente de saturacin inversa.
1. 7 NIVELES DE RESISTENCIA
Cuando el punto de operacin de un diodo se mueve desde una regin a otra, la resistencia del
diodo tambin cambiar debido a la forma no lineal de la curva caracterstica. En los siguientes
prrafos se demostrar cmo el tipo de voltaje o seal aplicado definir el nivel de la resisten-
cia de inters. Se presentarn tres niveles diferentes en esta seccin, pero aparecern de nuevo
cuando se analicen otros dispositivos. Por tanto, es muy importante que su detenninacin se
comprenda con claridad.
1.7 Niveles de resistencia 17

Resistencia en dc o esttica
La aplicacin de un voltaje de a UD circuito que contiene un diodo semiconductor tendr por
resultado un punto de operacin sobre la curva caracterstica que no cambiar con el tiempo. La
resistencia del diodo en el punto de operacin puede encontrarse con slo localizar los niveles
correspondientes de VD e ID como se muestra en la figura 1.25 y aplicando la siguiente ecuacin:
( 1.5)
Los niveles de resistencia en de en el punto de inflexin y hacia abajo sern mayores que
los niveles de resistencia que se obtienen para la seccin de crecimiento vertical de las carac-
tersticas. Como es natural, los niveles de resistencia en la regin de polarizacin inversa sern
muy altos. Debido a que, por lo regular, los hmetros utilizan una fuente de comente relativa-
mente constante, la resistencia determinada ser en el nivel de corriente predeterminado (casi
siempre unos cuantos miliamperes).
ID (mA)
Figura 1.25 Determinacin de la

resistencia en dc de un diodo en un
punto de operacin en parti<:utar.
EJEMPLOl.l Determine los niveles de resistencia en de para el diodo de la figura 1.26 en

a) ID = 2rnA
b) ID=20rnA
e) VD = -10 V
30
_ Silicio
20 ------------
10
_
....- - - - + 0 0.5 0.8 VD (V)
lIlA
FIgura 1.26 Ejemplo L L
Solucin
a) EnID =2rnA, VD =0.5 V (de la curva) y
0.5 V
= 2500
2rnA

b) En ID = 20 rnA, VD = 0.8 V (de la curva) y
VD 0.8 V
RD = - = = 400
ID 20 rnA
c) En VD=-lOV,ID=-I,=-lpA(delacurva)y
VD 10V
RD = - = - - = 10 MO
ID 1 pA
Es obvio que se sustentan algunos de los comentarios anteriores con respecto a los niveles de
resistencia de de un diodo.
Resistencia en ac o dinmica
A partir de la ecuacin 1.5 y en el ejemplo l.l resulta obvio que la resistencia en dc de un diodo
es independiente de la forma de la caracterstica en la regin que rodea el punto de inters. Si
se aplica una entrada senoidal en lugar de una entrada de de, la situacin cambiar por comple-
to. La entrada variante desplazar de manera instantnea el punto de operacin hacia arriba y
abajo en una regin de las caractersticas y, por tanto, define un cambio especfico en corriente
y voltaje, como lo muestra la figura 1.27. Sin tener una seal con variacin aplicada, el punto
de operacin sera el punto Q que aparece en la figura 1.27, determinado por los niveles de dc
aplicados. La designacin del punto Q se deriva de la palabra estable (por la inicial en ingls
de: quiescent), que significa "estable o sin variacin~'.
Caracterstica del diodo "--.,
fCfJ'
'" ---------- Lnea tangente
L_ _ , _ _ _ . ' :
M ___ o - ----- -. : PuntoQ
(ope"dn de)
Figura 1.27 Definicin de la

resistencia dinmica o en ac.
Una lnea recta dibujada tangencialmente a la curva a travs del punto Q, como se muestra en
la figura 1.28, definir un cambio en particular en el voltaje, as como en la corriente que pueden
ser utilizados para detenninar la resistencia en ac o dinmica para esta regin en las caractersti-
cas del diodo. Se debe hacer un esfuerzo para mantener tan pequeo y equidistante como sea
posible el cambio en ei voltaje y en la corriente a cualquier lado del punto Q. En forma de ecuacin,
I = ~Vd
rd - dI
d
I donde ~ significa un cambio finito en la cantidad. (1.6)
Mientras mayor sea la pendiente, menor ser el valor de ~Vd para el mismo cambio en Md y
menor ser la resistencia. La resistencia ac en la regin de crecimiento vertical de la caracters-
tica es, por tanto, muy pequea, mientras que la resistencia ac es mucho ms alta en los niveles FIgura 1.28 Determinacin de la
de corriente bajos. resistencia en ac en un punto Q.

EJEMPLO 1.2 Para las caractersticas de la figura 1.29:
a) Determinar la resistencia en ac en ID::;: 2 mA.
b) Detenninar la resistencia en ac en [ D ; 25 mA.
e) Comparar los resultados de los incisos a y b con las resistencias en de a cada nivel.
30
1I
25
. raI"
20 J
\"v
u"
15
10
5
4 - ............
2 -----------------,.,
o 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 I VI> (V)
~
aY,}
F.gura 1.29 Ejemplo 1.2.
Solucin
a) Para [D = 2 mA; la lnea tangente en [D ; 2 mA se dibuj como se muestra en la figura y se
eligi una excursin de 2 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada. En [D =
=
4 mA; VD = 0.76 Y, Y en[D = O mA; VD 0.65 V. Los cambios que resultan en la corriente
y el voltaje son
!J.[d; 4mA - O mA = 4mA

y !J.Vd = 0.76 Y - 0.65 Y = 0.11 Y
y la resistencia en ac:
!J.Vd 0.11 Y
r = -- = - - = 27.5 O
d !J.[d 4 mA
b) Para [D = 25 mA; la lnea tangente en [D = 25 mA se dibuj como se muestra en la figura
y se eligi una excursin de 5 mA arriba y abajo de la corriente del diodo especificada. En
[D =30 mA; VD =0.8 Y, Y en [D =20 mA; VD =0.78 V. Los cambios que resultan en la
corriente y el voItaje son
!J.[d = 30mA - 20mA = lOmA
y !J.Vd = 0.8 Y - 0.78 Y = 0.02 Y
y la resistencia ac:
!J.V 0.02 Y
r d = - d- = - - ; 2 0
!J.[d 10 mA

e) Para/v =2roA, Vv =0.7Vy
Vv 0.7V
Rv = = -- = 350 Q
Iv 2mA
la cual excede por mucho la r d de 27.5 n.
Para Iv = 25 roA. Vv = 0.79 V Y
Vv 0.79 V
Rv = - = = 31.62 Q
Iv 25 roA
la cual excede por mucho la r d de 2 n.
Se ha encontrado la resistencia dinmica en forma grfica, pero existe una definicin

bsica en el clculo diferencial que establece:
La derivada de una funcin en un punto es igual a la pendiente de la nea tangente
dibujada en dicho punto.
Por tanto, la ecuacin (l.6), segn se defini en la figura 1.28, consiste, en esencia, encontrar la
derivada de la funcin en el punto Q de operacin. Si se encuentra la derivada de la ecuacin
general (104) para el diodo semiconductor con respecto a la polarizacin directa aplicada y luego
se invierte el resultado, se tendr una ecuacin para la resistencia dinmica o ac en esa regin. Es
decir, tomando la derivada de la ecuacin (104) con respecto a la polarizacin aplicada, se tendr
d d
dVv
(lo) = dV
- [IsCekVDITK - 1)]
dIo k
y =-(lv+ / ,)
dVo TK
siguiendo algunas maniobras bsicas de clculo diferencial. En general, ID >- Is en la seccin de
pendiente venical de las caractensticas y
dl D k
- - '" --Iv
dVo TK
Sustituyendo 11;;:;; 1 para Ge y Si en la seccin de crecimiento vertical de las caractersticas, se
obtiene
II ,600 II ,600
k= = =11,600
TI
y a temperatura ambiente
TK = Te + 273" = 25 0 + 273 0 = 298 0

k 1l,6OO
de tal ionna que = - 38.93
TK 298
dIo
y = 38.931v
dVD
Invirtiendo el resultado para definir una proporcin de resistencia (R =VIl), se obtiene
dVo '" 0.026
dIo Iv
o rd = 26mV I (1.7)
L -_ _ _I_o_....JGe.s;

El significado de la ecuacin (1.7) debe comprenderse con claridad. Este implica que la resis-
tencia dinmica se puede encontrar mediante la sustitucin del valor de la corriente en el punto
de operacin del diodo en la ecuacin. No hay necesidad de tener las caractensticas disponi-
bles o de preocuparse per trazar lneas tangenciales como se defmi en la ecuacin (1.6). Sin
embargo, es importante considerar que la ecuacin (l.7) es exacta slo para valores de ID en la
=
seccin de crecimiento vertical de la curva. Para valores menores de ID' 1] 2 (silicio) y el
valor obtenido de rd se debe multiplicar por un factor de 2. Para los valores pequeos de ID por
abajo del punto de inflexin de la curva,la ecuacin (1.7) resulta inadecuada.
Todos los niveles de resistencia que se han detenninado hasta ahora han sido definidos
para la unin p-n y no incluyen la resistencia del material semiconductor en s (llamada resis-
tencia del cuerpo), y la resistencia que presentan la conexin entre el material del semiconductor
y el co~ductor metlico exterior (llamada resistencia del contacto). Estos niveles de resistencia
adicionales pueden incluirse en la ecuacin (1.7) al aadir la resistencia denotada por rB como
r;
aparece en la ecuacin (1.8). Por tanto,la resistencia incluye la resistencia dinmica defini-
da por la ecuacin 1.7 y la resistencia r B que recin se present.
26mV
r' =: - - - + rB ohms (1.8)
d 1
D
El factor r B puede tener un rango tpico desde 0.1 O para los dispositivos de alta potencia
a 2 O para algunos diodos de baja potencia y propsitos generales. Para el ejemplo 1.2 la
resistencia ac en 25 mA se calcul como 2 O. Utilizando la ecuacin (l.7) se obtiene
26mV 26mV
rd = - 1 - = 25mA = 1.04D
D
La diferencia de aproximadamente 1 n se debe tomar como una contribucin de r B'

Para el ejemplo 1.2 la resistencia ac en 2 mA se calcul como de 27.5 Q. Utilizando la
ecuacin (1.7), pero multiplicando por un factor de 2 para esta regin (en el punto de inflexin
de la curva 1] = 2),
rd = 2( ---r
26m'V\
ID
(26mj
2 - - = 2(130) = 260
2mA
La diferencia de 1.5 Q se debe tomar como una contribucin debida a r B'

En realidad,la determinacin de rd con un alto grado de exactitud de una curva caractenstica
utilizando la ecuacin (1.6) es un proceso difcil, y en el mejor de los casos los resultados deben
manejarse con cuidado. En los niveles bajos de corriente del diodo, el factor rB es lo suficiente-
mente bajo comparado con rd como para pennitir que se omita su impacto sobre la resistencia ac
del diodo. En los niveles altos de corriente, el nivel de rB puede acercarse al de rd , pero debido a
que con frecuencia habr otros elementos de resistencia de mucho mayor magnitud en serie con
el diodo, a lo largo del libro se supone que la resistencia ac se encuentra determinada slo per r d
y que el impacto de rB se ignorar a menos que se observe lo contrario. Las mejoras tecnolgicas
de los aos recientes sugieren que el nivel de rB continuar disminuyendo en magnitud, y en
algn momento se convertir en un factor que con seguridad no se tomar en cuenta al compararse
con rd ,
El anlisis anterior se centr slo en la regin de polarizacin directa. En la regin de
polarizacin inversa se supondr que el cambio en la corriente a lo largo de la lnea 1, es nulo
desde OV hasta la regin Zener, y que la resistencia ac resultante al utilizar la ecuacin (1.6) es
suficientemente alta como para permitir la aproximacin del circuito abierto.
Resistencia en ac promedio
Si la seal de entrada es lo suficientemente grande para producir una gran excursin tal como
lo indica la figura 1.30, a la resistencia asociada con el dispositivo para esta regin se le llama
resistencia en ac promedio. La resistencia ac promedio es, por definicin, la resistencia deter-

ID (mA)
20
15
tJ d 10
o 0.1 0,2 0.3 DA 0.5 0.6
-0.7
" ,V,
0.8
Figura 1.30 Determinacin de la resistencia en ac promedio entre

los lmites indicados.
0.9
minada por una lnea recta dibujada entre dos intersecciones establecidas por unos valores
mximos y mnimos del voltaje de entrada, En forma de ecuacin (obsrvese la figura 1.30),
L\, Vd 1 (1.9)
r av:::: ..ld punto por punto
Para la situacin indicada por la figura 1.30,
L\,Id = 17 mA - 2 mA = 15 mA
y L\,Vd =0.725 V - 0.65 v = 0.075 V
con L\,Vd 0.075 V
r,,=--=----=5Q
Md 15 mA
Si la resistencia ac (rd ) estuviera determinada por ID = 2 mA, su valor no sera mayor a 5 a,

y si fuera determinada a 17 mA, sera menor. En medio, la resistencia ac hara la transicin
desde un valor alto en 2 mA al valor bajo en 17 mA. La ecuacin (1.9) defini un valor que se
considera el promedio de los valores ac de 2 a 17 mA. El hecho de que pueda utilizarse un nivel
de resistencia para tan amplio rango de las caractersticas probar ser bastante til en la defini-
cin de circuitos equivalentes para un diodo en una seccin posterior.
Tabla resumen
La tabla 1.2 se desarroll con objeto de reforzar las importantes conclusiones de las ltimas
pginas y de hacer nfasis en las diferencias entre los diversos niveles de resistencia. Como se
indic antes, el contenido de esta seccin es el fundamento para gran cantidad de clculos de
resistencia que se efectuarn en secciones y captulos posteriores.

TABLA 1.2 Niveles de resistencia
Caractersticas Determinacin
Tipo Ecuacin especiales grfica
DC Definida como un punto

o en las caractersticas
esttica
AC b.Vd 26mV Definida por una lnea

o rd = - - : - - tangencial en el
dinmica !!.id ID punto Q
26mV/IDQ
ac Definida por una lnea

promedio recta entre los lmites
.6./d punto a punto de operacin
1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS

Un circuito equivalente es una combinacin de elementos que se eligen en/arma
adecuado. para representar, lo mejor posible, las caractersticas terminales reales de
un dispositivo, sistema o similar en una regin de operacin en particular.
En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente. el smbolo del dispositivo
puede eliminarse de un esquema, e insertar el circuito equivalente en su lugar sin afectar de
forma severa el comportamiento real del sistema. El resultado es a menudo una red que puede
resolverse mediante el empleo de tcnicas tradicionales de anlisis de circuitos.
Circuito equivalente de segmentos lineales

Una tcnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar las
caractersticas del dispositivo mediante segmentos lineales. como se muestra en la figura 1.31.
Como es natural, al circuito equivalente que resulta se le llama circuito equivalente de segmen-
tos lineales. A partir de la figura 1.31 debe resultar obvio que los segmentos lineales no resultan
ser una duplicacin exacta de las caractersticas reales, sobre todo en la regin de inflexin de
la curva de respuesta. Sin embargo, los segmentos resultantes son lo suficientemente cercanos
a la curva real como para establecer un circuito equivalente, que ofrecer una excelente prime-
ra aproximacin al comportamiento real del dispositivo. Para la seccin con pendiente del
equivalente, el nivel de resistencia ac promedio que se present en la seccin 1.7 es la resisten-
cia que aparece en el circuito equivalente de la figura 1.32, a continuacin del dispositivo real.
En esencia, define el nivel de resistencia cuando se encuentra en el estado "encendido". El
diodo ideal se incluye con el fin de establecer que existe una nica direccin de conduccin a

ID (mA)
F1gura 1.31 Definicin del circuito

equivalente de segmentos lineales
mediante el empleo de segmentos de
() 0.7\1 O.sV VD (V) linea recta para aproximar la curva
(Vj) caracterstica.
+
o
FIgura 1.32 Componentes del circuito equivalente de segmentos lineales.
travs del dispositivo. y se generar una condicin de polarizacin inversa en el estado de circui-
to abierto para el dispositivo. Debido a que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el
estado de conduccin hasta que VD alcanza 0.7 V con una polarizacin directa (segn se muestra
en la figura 1.31), debe aparecer una batera Vr que se opone a la conduccin en el circuito
equivalente segn se muestra en la figura 1.32. La batera slo especifica que el voltaje a travs
del dispositivo debe ser mayor que el umbral del voltaje de la batera antes que pueda establecer-
se la conduccin a travs del dispositivo en la direccin que dicta el diodo ideal. Cuando se
establezca la conduccin, la resistencia del diodo ser el valor especificado de '".
Sin embargo, tenga en cuenta que V T en el circuito equivalente no es una fuente de voltaje
independiente. Si se coloca un voltmetro a travs de un diodo aislado encima de una mesa de
laboratorio, no se obtendr una lectura de 0.7 V. La batera slo representa el defasamiento
horizontal de las caractersticas que deben excederse para establecer la conduccin.
Por lo regular, el nivel aproximado de ray puede determinarse a partir de un punto de
operacin en la hoja de especificaciones (la cual se analizar en la seccin 1.9). Por ejemplo,
=
para un diodo semiconductor de silicio, si IF 10 mA (una comente de conduccin directa en
=
el diodo) a VD 0.8 V, se sabe que para el silicio se requiere un cambio de 0.7 V antes que haya
conduccin y
0.8 V - 0.7V 0.1 V
= =lOQ
lOmA - DmA lOmA
segn se obtuvo para la figura 1.30.
Circuito equivalente simplificado

Para la mayor parte de las aplicaciones, la resistencia rav es lo suficientemente pequea como
para omitirse en comparacin con otros elementos en la red. La eliminacin de rav del circuito
. 1.8 Circuitos equi-valentes para diodos 25

.,... r~,,=OQ
Figura 1.33 Circuito equivalente simplificado para el diodo semiconductor de silicio.
equivalente es la misma que aparece en las caractersticas del diodo, tal como se muestra en la
figura 1.33. Desde luego, esta aproximacin se emplea con frecuencia en el anlisis de circui-
tos semiconductores segn se demuestra en el captulo 2. El circuito equivalente reducido
aparece en la misma figura. ste establece que un diodo de silicio con polarizacin directa en
un sistema electrnico bajo condiciones de de tiene una cada de 0.7 V a travs de l, en el
estado de conduccin a cualquier nivel de corriente del diodo (desde luego, dentro de los
valores nominales).
Circuito equivalente ideal

Ahora que rav se elimin del circuito equivalente se tomar un paso ms, y se establece que un
nivel de 0.7-V puede, a menudo, omitirse, en comparacin con el nivel de voltaje aplicado. En
este caso, el circuito equivalente se reducir al de un diodo ideal, tal como lo muestra la figura
1.34 con sus caractersticas. En el captulo 2 se ver que esta aproximacin suele hacerse sin
perjuicio considerable en cuanto a exactitud.
En la industria, una sustitucin popular para la frase "circuito equivalente de diodo" es
modelo de diodo, un modelo que, por definicin, es la representacin de un dispositivo, objeto
y sistema existente, y as sucesivamente. De hecho, esta terminologa de sustitucin se em-
plear casi de manera exclusiva en los captulos subsecuentes.
figura 1.34 Diodo ideal y sus caractersticas.
Tabla resumen
Por claridad, los modelos de diodos que se utilizan para el rango de parmetros y aplicaciones
de circuito se presentan en la tabla 1.3, con todas sus caractersticas en segmentos lineales.
Cada uno se investigar con mayor detalle en el captulo 2. Siempre existen excepciones a la
regla general, pero es muy cierto que el modelo equivalente simplificado se utilizar con mu-
cha frecuencia en el anlisis de sistemas electrnicos, mientras que el diodo ideal es aplicado
con mayor regularidad en el anlisis de los sistemas de fuente de alimentacin donde se loca-
lizan los mayores voltajes.

TABLA 1.3 Circuitos equivalentes para diodos (modelos)
Tipo Condiciones Modelo Caractersticas
Modelo de segmentos
lineales o v,
Modelo
simplificado o v,
Dispositi vo Rred r~v

ideal Ered VT o
1.9 HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS

Los datos acerca de los dispositivos semiconductores especficos suele presentarlos el fabri-
cante de dos maneras. Es comn que consistan slo de una breve descripcin limitada, a veces
de una pgina. De otra forma, es un extenso examen de las caractersticas con sus grficas,
trabajo artstico, tablas, etc. Sin embargo, en cualquier caso, existen piezas especficas de da-
tos que deben incluirse para una correcta utilizacin del dispositivo. stos incluyen:
l. El voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas)

2. La corriente directa mxima IF (a una temperatura especificada)
3. La corriente de saturacin inversa IR (a una corriente y temperatura especificadas)
4. El valor de voltaje inverso [PIVo PRV o V(BR), donde BR proviene del trmino "ruptura"
(por la inicial en ingls de: breakdown) (a una temperatura especificada)]
5. El nivel mximo de disipacin de potencia a una temperatura en particular
6. Los niveles de capacitancia (segn se definir en la seccin 1.10)
7. El tiempo de recuperacin inverso t" (como se definir en la seccin 1.11)
8. El rango de temperatura de operacin
Dependiendo del tipo de diodo que se considere, tambin se presentan datos adicionales,
como el rango de frecuencia, el nivel de ruido, el tiempo de conmutacin, los niveles de resis-
tencia trmica y los valores pico repetitivos. Para la aplicacin considerada. el significado de
los datos, en general, ser claro por s mismo. Si se proporciona la mxima potencia o el valor
nominal de disipacin, se entiende que ste es igual al producto siguiente:
(1.10)
donde ID Y VD son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de operacin en particular.
1.9 Hojas de especificaciones de diodo" 27

Si se aplica el modelo simplificado para una aplicacin en particular (un caso frecuen-
te), se puede sustituir VD = VT = 0,7 V para un diodo de silicio en la ecuacin (1.10), y
determinar la disipacin de potencia resultante para compararla contra el valor de mxima
potencia. Es decir,
Pdi'ip'd' - (0,7 V)/D (Ul)
DIFUSIN PLANAR DE SILICIO
ENCAPSULADO 0035
A--<f---' BV '" 125 V (MIN)@loo!lA(BAY73)
'BV , .. 200 V (MIN) @ 100 !lA (BA 129)
VALORES NOMINALES MXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1)
Temperaturas
Rango de temperao1ra de almacenamiento -65C a +200 oC
B - I - - - - - Temperatura mxima de operacin de la unin +17SoC
Temperatura de la ,:anexin +260C
Disipacin de potenda (Nota 2)

Disipacin mxima de potencia total a 25 OC de ambiente SOOmW
c-l---- Factor de prdida de disipacin de potencia lineal (desde 25 OC) 3.33 mWOC
Voltaje y corriente mximas

WIV Voltaje inverso de trabajo BAY73 100 V
BA129 180V
Corriente rectificada promedio 200mA
0-1----- Corriente directa continua 500mA NOTAS
Cone~iones d~ acero cubierto de cobre
Pico de corriente directa repetitivo 600mA
ConexIones doradas dIsponibles
Encapsulado de vIdrio ~ellado hennhCameme
Pico de corriente de onda directa
Peso del paquete de 0.14 gramo;
Ancho de pulso = 1 s l.OA
Ancho de pulso = 1 J1s 4.0A
CARACTERSTICAS EUtCTRICAS (25 Oc temperatura ambiente a menos que se observe lo contrario)

BAY73 BA 129
SMBOLO CARACTERSTICA UNIDADES CONDICIONES DE PRUEBA
MN MX MN MX
E VF Voltaje dir~cto 0.85 1.00 V IF =200 mA
0.81 0.94 V IF =100 mA
0.78 0.88 0.78 1.00 V IF =SOmA
0.69 0.80 0.69 0.83 V IF=lOmA
0.67 0.75 V If =5.0mA
F 0.60 0.68 0.60 0.71 V IF = 0.1 mA
0.51 0.60 V IF = 0.1 mA
G IR Corriente inversa 500 nA V R -20V,T A - 12S"C
5.0 nA VR = lOOV
1.0 ~A VR = lOOV,T A 125C =
10 nA VR = 180V
5.0 ~A VR = 180V.TA 100C =
Bv Voltaje de ruptura 125 200 V IR - lOO~A
H e Capacitancia 8.0 6.0 pF vR = O,f - 1.0MHz

t
rr
Tiempo de: recuperacin i versa- 3.0 ~, IF - IOmA,V R 35V =
RL =
1.0 a lOOkO
CL =
lOpF,IAN256
NOTAS:
t Estos son valores lmites sobre 10$ cuales el funcionamiento del diodo puede ser daado.
2 Estos son lmit~~ de estado estables. La fbrica debe ser consultada sobre aplIcaciones que involucran pulsos u operacin con ciclo ele trabajo bajo.
Figura 1.35 Caractersticas elctricas de los diodos de alto voltaje y baja fuga Fairchild BAY73 . BA
129. (Cortesa de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)

Una copia exacta de los datos proporcionados por Fairchild Camera and Instrument
Corporaton para sus diodos de alto voltaje y baja fuga BAY73 y BA 129 aparece en las figuras
1.35 y 1.36. Este ejemplo representara la lista extensa de datos y caractersticas. El trmino
rectificador se aplica a un diodo cuando se emplea con frecuencia en un proceso de rectificacin,
mismo que se describir en el capitulo 2.
CURVAS CARACTERSTICAS ELCTRICAS TPICAS
a 25 Oc temperatura ambiente a menos que se observe lo contr;lrio
VOLTAJE DIRECTO CO:-iTRA CORRIENTE DIRECTA CONTRA CAPACITANCIA CONTRA
CORRIENTE DIRECTA COEFICIENTE DE TEMPERATURA VOLTAJE INVERSO
1000 500 6.0 ,
-;; 100 -< toO
I
I
,
I
I
, I i
50
= E
,
'2.
.~-
.- -, =-
,
40
"
.~ 10 ~-' ' - "O
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,
,
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+ ~ 30 \' !
~ ,
g \.
o
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(;
1.0 1.0
,
I
e 2-D
"'-.
'--';" I .
O. 1 u ,
1.0 ,
i
001 0.0 1 -X \" o I i
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 o 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 o 4.0 8.0 12 16
VF - Voltaje directo - \-'oh!'> Te - Coeficiente de temperatura _ mVolC VR - Voltaje inverso - volt~
VOLTAJE INVERSO CONTRA CORRIENTE INVERSA CONTRA (MPEDANCIA DINMICA

CORRIENTE INVERSA COEFICIENTE DE TEMPERATURA CONTRA CORRIE~TE DIRECTA
1.0 , 5K 100 I I II I I
-:'i 0.5
T" = 2~oC
I,
,
,
, vl IK
~ v,, 125 V
I , .
I~~
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J
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10 ~"; 1~<.=?I,dc I
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I 1.0 U I I
I I I
-' 0.02
I !
I
: I i
om 0.1 0.0 I
O 25 50 7S 100 125 O 25 50 75 100 125 ISO o 1.0 10 100 IK JQK
V R - Voltaje inverso - volts TA - Temperatura ambiente _ oC RD -Impedancia dinmica - Q
CORRIENTE RECTIFICADA
CURVA DE PRDIDA DE PROMEDIO Y CORRIENTE DIRECTA
DISIPACiN DE POTENCIA CONTRA TEMPERATURA AMBIENTE
500
1'\ i ! 500
400
'\ i I 400
f'\: I
I I I
~~'
i I
'"
,
300 E 300 ;,
I \. ,
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,
I
r\T I,
2
5
0, I
,
I
200
I I I
~
200
'"
100
i 1'\ 100 f--+-I--+C",",;:'
i , T
I I . ,\1 OL-~ __-L~~~~~
O
O 25 50 75 100 125 ISO 175 200 O 25 50 75 100 125150 175 200
TA - Temperatura ambiente _ oC TA - Temperatura ambiente - oC
Figura 1.36 Caractersticas trmicas de los diodos de alto voltaje Fairchild BAY73 .
BA 129. (Cortesa de Fairchild Camera and lnstrument Corporation.)
1.9 Hojas de especificaciones de diodos 29

Las reas especficas de las hojas de datos se resaltaron en gris con una letra de identifica-
cin correspondiente a la descripcin siguiente:
A: Los voltajes mnimos de polarizacin inversa (PIV) para cada diodo a una corriente
de saturacin inversa especificada.
B: Caractersticas de temperatura segn se indican. Observe el empleo de la escala Celsius
y un amplio rango de utilizacin [recuerde que 32F = O oC = congelamiento (H,O)
y 212F = 100 oC = ebullicin (Hz)]. -
C: Nivel de disipacin de potencia mximaPo= Volo = 500 mW. El valor de potencia
mxima disminuye a una proporcin de 3.33 mW por grado de incremento en la
temperatura arriba de la temperatura ambiente (25 oC), segn se indica con claridad
en la curva de prdida de disipacin de potencia en la figura 1.36.
D: Corriente directa continua mxima I F = 500 mA (observe I F en funcin de la
m"
temperatura en la figura 1.36).
E: El rango de valores de VF en IF =200 mA. Observe que excede VT =0.7 V para am-
bos dispositivos.
F: El rango de valores de VFen I F = 1.0 mA. En este caso, observe cmo los lmites su-
periores se encuentran alrededor de 0.7 V.
G: En V R " 20 Vy una temperatura de operacin tpica IR" 500 nA= 0.5 LA, mientras
que a un voltaje inverso mayor IR cae a S nA = 0.005 ..A.
H: El nivel de capacitancia entre las terminales es aproximadamente de 8 pF para el
diodo BAY73 en VR = VD = O V (sin polarizacin) y con una frecuencia aplicada de
1 MHz.
1: El tiempo de recuperacin inverso es 3 Ils para la lista de condiciones de operacin.
En algunas de las curvas de la figura 1.36 se utiliza una escala logartmica. Una breve
investigacin de la seccin 11.2 debe ayudar a la lectura de las grficas. Observe, en la figura
superior izquierda, la manera en que VF se increment desde cerca de 0.5 V a ms de 1 V,
mientras I F aument de lO ..A a ms de lOO mA. En la figura inferior se encuentra que la
corriente de saturacin inversa cambia un poco con los cambios crecientes de VR, pero perma-
nece en menos de 1 nA a temperatura ambiente hasta VR = 125 V. Sin embargo, como se
aprecia en la figura adjunta, la comente de saturacin inversa se incrementa con rapidez con el
aumento en la temperatura (tal como se pronostic antes).
En la figura superior derecha se observa cmo disminuye la capacitancia con el incremen-
to en el voltaje de polarizacin inversa, y en la figura inferior se puede ver que la resistencia ac
(rd ) es slo cercana al Q en lOO mA y aumenta a lOO Q en corrientes menores de 1 mA (segn
se esperaba a partir del anlisis en secciones anteriores).
La corriente rectificada promedio, la corriente directa pico repetitiva y la corriente de
sobrecarga pico, COmo aparecen en la hoja de especificaciones, se definen de la manera
siguiente:
1. Corriente rectificada promedio. Una seal rectificada de media onda (descrita en la sec-
cin 2.8) tiene un valor promedio definido por 1" = 0.318 Ip"o' El valor de la corriente
promedio es menor que las comentes directas continuas o pico repetitivo, porque una for-
ma de onda de corriente de media onda tendr valores instantneos mucho ms altos que el
valor promedio.
2. Corriente directa pico repetitivo. ste es el valor mximO instantneo de la corriente direc-
ta repetitiva. Observe que debido a que se encuentra en este nivel durante un breve periodo,
su nivel puede ser superior al nivel continuo.
,. Corriente de sobrecarga pico. Eu ocasiones, duraute el en.cendido, el mal funcionamiento
y otros factores similares, existirn corrientes muy altas a travs del dispositivo durante
breves intervalos de tiempo (que no Son repetitivos). Este valor nominal define el valor
mximo y el intervalo de tiempo para tales sobrecargas del nivel de corriente.
30 captulo l Diodos semiconductores

Mientras ms se est en contacto con las hojas de especificaciones, stas se volvern ms
"amistosas" , en particular cuando el impacto de cada parmetro se comprende con mayor
claridad para la aplicacin que se est investigando.
1.10 CAPACITANCIA DE TRANSICIN

Y DIFUSIN
Los dispositivos electrnicos son inherentemente sensibles a las frecuencias muy altas. Casi
todos los efectos relativos a la capacitancia pueden omitirse a bajas frecuencias, debido a que
su reactancia Xc = \l2rtfe es muy grande (equivalente a circuito abierto). Sin embargo, esto no
se puede ignorar a frecuencias muy altas. X" ser lo suficientemente pequeo debido al alto
valor def para presentar una trayectoria de "corto" de baja reactancia. En el diodo semiconductor
p-n existen dos efectos de capacitancia que deben considerarse. Ambos tipos de capacitancia
se encuentran presentes en las regiones de polarizacin directa y polarizacin inversa, pero
una sobrepasa a la otra de tal manera que en cada regin slo se consideran los efectos de una
sola capacitancia.
En la regin de polarizacin inversa se tiene la capacitancia de la regin de
transicin o de agotamiento (e T), mientras que en la regin de polarizacin directa
se tiene la capacitancia de difusin (e J o de almacenamiento.
Recuerde que la ecuacin bsica para la capacitancia de un capacitar de placa'S paralelas
est definida por e = EA/d, donde E es la pertnitividad del dielctrico (aislante) entre las placas
de rea A separada por una distancia d. En la regin de polarizacin inversa existe una regin de
agotamiento (libre de portadores) que, en esencia, se comporta como un aislante entre las
capas de carga opuesta. Debido a que el ancho de esta regin (el) se incrementar mediante el
aumento del potencial de polarizacin inversa, la capacitancia de transicin que resulta dis-
minuir, como lo muestra la figura 1.37. El hecho de que la capacitancia es dependiente del
potencial de polarizacin inverso aplicado, tiene aplicacin en numerosos sistemas electr-
nicos. De hecho, en el captulo 20 se presentar un diodo cuya operacin depende totalmente
de este fenmeno.
Aunque el efecto descrito tambin se encontrar presente en la regin de polarizacin
directa, ste es mucho menor que un efecto de capacitancia directamente dependiente de la
velocidad a la que la carga es inyectada hacia las regiones justo afuera de la regin de agota-
miento. El resultado es que niveles crecientes de corriente resultarn en niveles crecientes de la
capacitancia de difusin. Sin embargo, los niveles crecientes de corriente resultan en niveJes
reducidos de resistencia asociada (lo cual se demostrar ms adelante), y la constante de tiem-
po resultante (r = RC, misma que es muy importante en las aplicaciones de alta velocidad,
porque no se hace excesiva.
C(pF)
15
..
I
10
Polarizacin inversa (C r )
7
5 7
POlarizacin,directa (CD ) -

(V) -25 -20 -15 -lO o 0.25 0.5
Figura 1.37 Capacitancia de transicin y de difusin en funcin de la polarizacin

aplicada para un diodo de silicio.
1.10 Capacitancia de transicin y difusin 31

Los efectos de la capacitancia que se describieron antes se encuentran representados por
un capacitor en paralelo con el diodo ideal, segn se muestra en la figura 1.38. Sin embargo,
para las aplicaciones de baja O mediana frecuencia (excepto en el rea de potencia), por lo
regular, el capacitor no est incluido en el smbolo del diodo.
figura 1.38 Se incluye el efecto
de la capacitancia de transicin
o de difusin en el diodo 1.11 TIEMPO DE RECUPERACIN INVERSO
semiconductor.
Existen ciertas partes de datos que, por lo general, presentan los fabricantes en las hojas de
especificaciones de diodos. Una de estas cantidades que todava no se ha considerado es el
tiempo de recuperacin inverso, y se denota mediante t rr . En el estado de polarizacin directa,
se mostr antes que existe un gran nmero de electrones del material tipo n que pasan a travs
del material tipo p, y un gran nmero de huecos en el tipo n, lo cual es un requisito para la
conduccin. Los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden hacia el material tipo n
establecen un gran nmero de portadores minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado
se invierte para establecer una nueva situacin de polarizacin inversa, idealmente se deseara
ver que el diodo cambia de fonna instantnea, del estado de conduccin al de nO conduccin.
Sin embargo, debido a que un gran nmero de portadores minoritarios se localizan en cada
material, la corriente del diodo se invertir como se muestra en la figura 1.39, Y permanecer
en este nivel susceptible de ser medido durante un tiempo t, (tiempo de almacenamiento) que
requieren los portadores minoritarios para retornar a su estado de portadores mayoritarios den-
tro del material opuesto. En esencia~ el diodo pennanecer en el estado de circuito cerrado con
una corriente linversa determinada por los parmetros de la red. En algn momento, una vez que
ha pasado esta fase de almacenamiento, la corriente se reducir en nivel hasta llegar a aquel
asociado con el estado de no conduccin. Este segundo periodo se denota mediante t, (interva-
lo de transicin). El tiempo de recuperacin inversa es la suma de estos dos intervalos: t rr := t s
+ t{ Naturalmente, es una consideracin importante en las aplicaciones de conmutacin de
alta velocidad. Casi todos los diodos de conmutacin disponibles en el mercado tienen un t rr en
el rango de unos cuantos nanosegundos hasta 1 J.1.s. Sin embargo, hay unidades disponibles con
un t rr de slo unos cuantos cientos de picosegundos (10- 12 ).
Cambio de estado (encendidoapagado)

-'='"""+--i/
[dircc.
requerido en t = ti'
/ ' Respuesta deseada
[in\lersa '-_-'-!
1-,,-
. . . " ....
FIgura 1.39 Definicin del tiempo
1.....-t,'~ de recuperacin inverso.
1.12 NOTACIN DE DIODOS SEMICONDUCTORES

La notacin que ms se suele utilizar para los diodos semiconductores se presenta en la figura
1.40. Para la mayor parte de los diodos cualquier marca, como un punto o banda, segn lo
muestra la figura 1.40, aparece en el extremo del ctodo. La terminologa nodo y ctodo es
una herencia de la notacin de bulbos. El nodo se refiere a un potencial mayor O positivo y el
ctodo se refIere a una terminal a un potencial ms bajo o negativo. Esta combinacin de
niveles de polarizacin dar por resultado una condicin de polarizacin directa o "encendido"
para el diodo. En la figura 1.41 aparecen varios diodos semiconductores disponibles en el
mercado. Algunos detalles de la construccin real de dispositivos. como los que aparecen en la
figura 1.41, se explican en los captulos 12 y 20.

cb nooo
TCrod~ O', K, etc.
Figura 1.40 Notacin de los diodos semiconductores.
(,)
(b)
(e)
FlgUra 1.41 Varios tipos de diodos de unin. [a) Cortesa de Motorola lnc.; y
b) y e) Cortesa de International Rectifier Corporation.]
1.13 PRUEBA DE DIODOS

La condicin de un diodo semiconductor se puede detenninar con rapidez utilizando: 1) un
multmetro digital (DDM, por las iniciales en ingls de: digital display meter) con una funcin
de verificacin de diodos, 2) la seccin de medicin de ohms de un multmetro, o 3) un trazador
de curvas.
Funcin de verificacin de diodos

En la figura 1.42 se ilustra un multmetro digital con capacidad de verificacin de diodos.
Observe el pequeo smbolo de diodo en la parte inferior del selector. Cuando se coloca en esta
posicin y se conecta coma se muestra en la figura 1.43a, el diodo debe estar en encendido", y
la pantalla indicar el voltaje de polarizacin directa tal como 0.67 V (para Si). El medidor
tiene una fuente interna de corriente constante (cercana a 2 mA) que definir el nivel de volta-
je, como se muestra en la figura 1.43b. Una indicacin OL al conectar como en la figura 1.43a
revela un diodo abierto (defectuoso). Si las conexiones se encuentran invertidas, debe resultar
una indicacin OL debido a la equivalencia de circuito abierto que se espera para el diodo. Por
tanto, en general, una indicacin OL en ambas direcciones es indicativa de un diodo abierto o
defectuoso.
1.13 Prueba de diodos 33

Figura 1.42 Multmetro digital con
capacidad de verificacin de diodos.
(Cortesa de Computronics
Technology, Inc.)
{D (mA)
Terminal roja
(Vl) tI tI Terminal negra
(COM)
,t----I
---I~M---
A
o 0.67 V
Figura 1.43 Verificacin
de un diodo en el estado
(a) (b) de polarizacin directa.
Prueba con un hmetro

(hmetro) En la seccin 1.7 se encontr que la resistencia en polarizacin directa para un diodo
R relativamente baja
Terminal roja
(VQ)
1 1 Terminal negra
(COM)
semiconductor es bastante baja comparada con el nivel de polarizacin inversa. Por tanto, si se
mide la resistencia de un diodo utilizando las conexiones que se sealan en la figura 1.44a,
se puede esperar un nivel relativamente bajo. La indicacin resultante en el hmetro ser una
+-----'...- - funcin de la corriente establecida por la batera interna a travs del diodo (a menudo 1.5 V)
por el circuito del hmetro. Mientras ms alta sea la corriente, menor ser el nivel de resisten-
(a) cia. Para la situacin de polarizacin inversa la lectura debe ser bastante alta, requiriendo, tal
R relativamente alta
vez, de una mayor escala de resistencia en el medidor, segn se indica en la figura 1.44b. Una
Terminal negra
(COM)
1 lTerminal roja
(Vl)
lectura alta en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condicin abierta
(dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la resistencia en ambas direc-
ciones quiz indique un dispositivo en corto.
~,--+,
-'--I..
Trazador de curvas
(b)
El trazador de curvas de la figura 1.45 puede desplegar las caractersticas de una gran cantidad
Figura 1.44 Verificacin de un de dispositivos, incluyendo el diodo semiconductor. Al conectar el diodo en forma adecuada al
diodo mediante un hmetro. tablero de pruebas en la parte central e inferior de la unidad y ajustando los controles, se puede

figura 1.45 Trazador de curvas.
(Cortesa de Tektronix, lne.)
Por divi~in
lOmA VenIC;\
I
9mA mA
SmA
Pordjvi~in
7mA horilOntal
100
&mA m'
'mA
'mA
3mA
2mA
lmA
U r> o g",
por diVj,in
Figura 1.46 Respuesta del
DmA
V trazador de curvas para el
ov O,IV 0.2\1 03V 0.4\1 O,SV 0.6V 0.7\1 O.SV 0,9V 1.0V - - - - diodo de silicio IN4007.
obtener una imagen en la pantalla como la de la figura 1.46. Observe que la escala vertical
es de I mA/div, lo que da por resultado los niveles indicados. Para el eje horizontal, la escala es
de 100 m V/div, lo que da por resultado los niveles de voltaje que se indican. Para un nivel de
2-mA, como se defini para un DDM,el voltaje resultante sera de 625 mV = 0.625 y. Aunque,
en principio, el instrumento parece ser muy complejo, el manual de instrucciones y algunos
momentos de contacto revelarn que los resultados deseados por lo general se pueden obtener
sin mucho esfuerzo y tiempo. El mismo instrumento aparecer en ms de una ocasin en los
captulos subsecuentes, a medida que se investigan las caractersticas de diversos dispositivos.
o
1.14 DIODOS ZENER
La regin Zener de la figura 1.47 se analiz con cierto nivel de detalle en la seccin 1.6. La
caracterstica cae de manera casi vertical en un potencial de polarizacin inversa denotado
como Vz. El hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje horizontal, en vez de arriba y lejos
para la regin positiva VD. revela que la corriente en la regin Zener tiene una direccin opues- Figura 1.47 Revi.sin de la regin
ta a aquella de un diodo con polarizacin directa. Zener,
1.14 Diodos Zener 35

~--ffi-o
+ + Esta regin de caractersticas nicas se utiliza en el diseo de los diodos Zener, los cuales
~ 1, ~ID tienen el smbolo grfico que aparece en la figura 1.48a. Tanto el diodo semiconductor como
el diodo Zener se presentan uno alIado de otro en la figura 1.48 con objeto de asegurar que la
v VD
direccin de la conduccin se comprenda con todo detalle junto con la polarizacin requerida
del voltaje aplicado. El diodo semiconductor, en el estado "encendido", soportar una corrien-
le en la direccin de la flecha en el smbolo. Para el diodo Zener la direccin de la conduccin es
opuesta a la de la flecha sobre el smbolo, de acuerdo con el comentario en la introduccin de
fa) lb)
esta seccin. Observe, a su vez, que la polarizacin de VD y de Vz son iguales, como si se
Figura 1.48 Direccin de la hubieran obtenido en caso de que cada uno hubiera sido un elemento resistivo.
conduccin: a) diodo Zener: b) La localizacin de la regin Zener puede controlarse mediante la variacin de los niveles de
diodo semiconductor. dopado. Un incremento en el dopado, que produzca un aumento en el nmero de impurezas
agregadas, disminuir el potencial Zener. Los diodos Zener se encuentran disponibles con poten-
ciales Zener desde 1.8 hasta 200 V, con rangos de potencia desde 1hasta 50 W. Debido a su
capacidad para soportar mayor temperatura y comente, por lo general en la manufactura de los
r v-L
1T diodos Zener se prefiere silicio. El circuito equivalente completo del diodo Zener en la regin
Zener, incluye una pequea resistencia dinmica y una bateria igual al potencial Zener, como se
f - "'f (a)
-
v,
(b\
muestra en la figura 1.49. Sin embargo, para todas las aplicaciones siguientes se deber suponer
como primera aproximacin que las resistencias son de magnitudes mucho mayores que la resis-
tencia Zener equivalente, y que el circuito equivalente es el que se indica en la figura 1.49b.
En la figura 1.50 se muestra un dibujo ms grande de la regin Zener con objeto de'penni-
tir una descripcin de los datos con el nombre Zener que aparecen en la tabla lA para un diodo
Figura 1.49 Circuito equivalente de Fairchild IN961 de 500-mW y 20%. El trmino "nominal" asociado con Vz indica que se trata
Zener: a) completo: b) aproximado. de un valor tpico promedio. Debido a que se trata de un diodo de 20%. se puede esperar que el
'z
v" v, ..-
10 .uA 1" Vz
/' 0.25 mA = I ZK
(
"'- r d
=8.5.Q=Zn
1 l;r= 12.5 mA
lz.w= 32 mA
Figura 1.50 Caractersticas de
prueba de Zener (FairchUd lN96l).
TABLA 1.4 Caractelisticas elcmcas (25C de temperatura ambiente, a menos que se observe lo contrario)
Voltaje Impedancia Impedancia Corriente Corriente

Zener Corriente dinmica maxima de inversa Voltaje reguladora Coeficiente
nominal, de prueba, mxima punto de inflexin mxima de prueba mxima de temperatura
Tipo Vz IZT ZZT O IZT ZZJ( o IZK IR o VR VR IZM tpico
Jedec (V) emA) en) en) emA) (A) (V) emA) e%rc)
IN961 lO 12.5 8.5 700 0.25 lO 7.2 32 +0.072

potencial Zener vare cerca de 10 V 20% o entre 8 y 12 V en su rango de aplicacin. Tambin
se encuentran disponibles diodos de 10% y 5% con las mismas especificaciones. La corriente
de prueba 1ZT es la definida por el nivel ~ de potencia y ZZT es la impedancia dinmica en este
nivel de corriente. La mxima impedancia del punto de inflexin ocurre en la corriente del
punto de inflexin de JZK' La corriente de saturacin inversa se alcanza en un nivel particular
de potencia. e 1l.'VI representa la corriente mxima para la unidad de 20%.
El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual en Vz con respecto a la tempe-
ratunl. sta se define por la ecuacin .
%/OC (1.12)
donde ~ Vz es el cambio que resulta en el potencia! Zener debido a la variacin de la tempera-

tura. Observe en la figura 1.51 que el coeficiente de temperatura puede ser positivo, negativo,
o incluso hasta cero para diferentes niveles Zener. Un valor positivo reflejara un incremento
en Vz con un aumento en la temperatura. mientras que un valor negativo dara corno resultado
la disminucin en el valor con un incremento en la temperatura. Los niveles de 24 V, 6.8 V. y
3.6 V se refieren a tres diodos Zener que tienen estos valores nominales dentro de la misma
familia Zener como el lN96l. Naturalmente. la curva para el lN96l de 10 V caera entre las
curvas de los dispositivos de 6.8 V Y 24 V. Regresando a la ecuacin (1.12), Tu es la tempera-
tura a la cual se ofrece Vz (por lo regular la temperatura ambiente. 25 OC), Y TI es el nuevo
nivel. El ejetuplo l.3 demostrar el empleo de la ecuacin (1.12).
Coeficiente de temperatura contra Impedancia dinmica

corriente Zener contra corriente Zener
1 "1-'
lil~;Tl. -,"'-rT1L"Tl 1 kQ
E +0.12 ,T"'"T l;-rr--c
I ! I K! I
I,
, I i! !
,
tf-~:2~~~~~'I.='~':l!!=I~!::~\*\~;!,=ttt=1
500 ,
::: +0.08 el ,
200
";..[ '-J 1'-
+Q.G4 tr~''-:1~\J:j:t~i1:!tt:::d'j'l:::j
, 1 1
, l' , l.
1 1 '
,:' 100 1
,
""'. .I "- Ir
' 1
f-;...l. :_.l-+I-tI++-~+!+-1+1-;1-;-1+'l-c .~ 50
, ,
"' m1v
O ,! 'i
!\ ! 1, ! 1.11 :~ 20
~
~ f-h~3+v4-,-'"""1'-+1-+,+--'--'I-+++III-+--Hj,,-I
" ili 1 'II!'
"
10
~
-V.04
t~,;j;~=t:t~\tljlttj
"- ~lJ ~
e
"
-008
-
i !i I I 1 I,!
f-~'I!-,~+'Ht~-+i_+-jll+-+,-++HII-+i
12 L...J..:1-_'-.!.l_-'--'-CL..-'-.l..J.lL.~
1 5
2
I 1 1
i 6.8 V " "-
1
0.01 0.050.1 0.5 J 5 10 50 100 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
Corrente Zener. Iz - (mA) Corriente Zener. Iz - (mA)
(b)
Figura 1.51 Caractersticas elctricas para un diodo Zener Farchild de 500 mW.
(Cortesa de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
Detenninar el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild 1N96l de la tabla 1.4 a una EJEMPLO 1.3
temperatura de lOO oc.
Solucin
A partir de la ecuacin (1.12).
1.14 Diodos Zener 37

Los valores sustituidos a partir de la tabla 1.4 generan
(0.072)(10 V) (lOO oC _ 25 OC)

lOO
= (0.0072)(75)
= 0.54 V
y debido al coeficiente de temperatura positivo, un nuevo potencial Zener, definido por V;, es
V~ = Vz + 0.54 V
= 10.54 V
La variacin en la impedancia dinmica (fundamentalmente, su resistencia en serie) con

la corriente aparece en la figura 1.51b. Una vez ms, el Zener de 10 V surge entre los Zeners de
6.8 V Yde 24 V. Observe que mientras ms grande es la comente (o mientras ms arriba se est
en el eje vertical de la figura 1.47), menor ser el valor de la resistencia. Observe igualmente
que cuando se cae abajo del punt? de inflexin de la curva, la resistencia se incrementa a
niveles significativos.
La identificacin de la terminales y el encapsulado pata una variedad de diodos Zener apa-
rece en la figura 1.52. La figura 1.53 es una fotografa de diversos dispositivos Zener. Observe
que su aspecto es muy similar al diodo semiconductor. Algunas reas de aplicacin del diodo
Zener se examinarn en el captulo 2.
Figura 1.52 Identificacin y

smbolos de las terminales Zener.
figura 1.53 Diodos Zener.

(Cortesa de Siemens Corporation.)
1.15 DIODOS EMISORES DE LUZ

El aumento en el uso de pantallas digitales en las calculadoras, relojes y todo tipo de instru-
mentos ha contribuido a generar el muy considerable inters que hoy en da existe respecto a
las estructuras que emiten luz cuando se polarizan en forma apropiada. En la actualidad, los
dos tipos que se utilizan con ms frecuencia para llevar a cabo esta funcin son el diodo
emisor de luz (LED, por las iniciales en ingls de: light emitting diode) y la pantalla de cristal
lquido (LCD, por las iniciales en ingls de: liquid crystal display). Debido a que el LED entra

en la familia de los dispositivos de unin p-n, se estudiar en este captulo y algunas de sus
redes se estudiarn en los captulos siguientes. La pantalla LCD se describe en el captulo 20.
Como su nombre lo indica, el diodo emisor de luz (LED) es un diodo que emite luz visible
cuando se energiza. En cualquier unin p-n con polarizacin directa existe, dentro de la estruc-
tura y en forma primaria cerca de la unin. una recombinacin de huecos y electrones. Esta
recombinacin requiere que la energa que posee un electrn libre se transfiera a otro estado.
En todas las uniones p-n de semiconductor, parte de esta energa se emite como calor y otra
parte en forma de fotones. En el silicio y el germanio el mayor porcentaje se genera en forma
de calor y la luz emitida es insignificante. En otros materiales, como el fosfuro arseniuro de
galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP), el nmero de fotones de energa de luz emitida es
suficiente para crear una fuente de luz muy visible.
Al proceso de emisin de luz mediante la aplicacin de una fuente de energa
elctrica se le llama electroluminiscencia.
Como se muestra en la figura 1.54 con su smbolo grfico, la superficie conductora conec-
tada al material p es mucho ms pequea, con objeto de permitir la emisin de un nmero
mximo de fotones de energa lumnica. Observe en la figura que la recombinacin de los
portadores inyectados debido a la unin con polarizacin directa genera luz, que se emite en el
lugar en que se da la recombinacin. Puede haber, desde luego, alguna absorcin de los paque-
tes de energa de los fotones en la superficie misma, pero un gran porcentaje se encuentra
disponible para salir, segn se muestra en la figura.
/ ' Luz visible

/" emitida
+e el-
~
-::--I"--~e
----..
(-) ID VD
(b)
Contacto/ "" Contacto

metlico metlico
Figura 1.54 a) Proceso de
electroluminiscencia en el LED;
b) smbolo grfico.
La apariencia y caractersticas de una lmpara subminiatura de estado slido de gran efi-

ciencia que fabrica Hewlett-Packard aparece en la figura 1.55, Observe, en la figura 1.55(b),
que la corriente pico directa es de 60 rnA con 20 mA de corriente directa promedio tpica, Sin
embargo, las condiciones de prueba que se enumeran en la figura 1.55(c) corresponden a una
corriente directa de 10 rnA, El nivel de VD bajo condiciones de polarizacin directa se indica
como VF y se extiende de 2.2 a 3 V. En otras palabras, se puede esperar una corriente de
operacin tpica de aproximadamente 10 rnA a 2.5 V para una buena emisin de luz,
Aparecen dos cantidades que an no se han identificado bajo el encabezado de caracters-
ticas elctricas / pticas a TA = 25 oC, Estas son la intensidad lumnica axial (Iv) y la eficiencia
lumnica (1), La intensidad de la luz se mide en candelas, Una candela emite un flujo de luz
de 4n lmenes y establece una iluminacin de 1 candela pie en un rea de 1 pie cuadrado a 1
pie de la fuente de luz, Aunque esta descripcin quiz no ofrezca una comprensin clara de la
candela como unidad de medida, su nivel bien puede compararse entre dispositivos similares.
El trmino eficacia es, por definicin, una medida de la capacidad de un dispositivo para
generar un efecto deseado. Para el LED, este es el cociente del nmero de lmenes generados
por watt aplicado de energa elctrica. Esta eficiencia relativa est definida por la intensidad
1,15 Diodos emisores de luz 39

---------
lumnica por unidad de corriente, segn se muestra en la figura 1.55g. La intensidad relativa de
cada color contra la longitud de onda se muestra en la figura 1.55d,
Debido a que el LED es un dispositivo de unin p-n, tendr una caracterstica en polarizacin
directa (figura 1.5Se) similar a las curvas de respuesta del diodo. Observe el incremento casi
lineal en la intensidad lumnica relativa con corriente directa (figura 1.55f). La figura 1.55h
revela que mientras ms larga es la duracin del pulso a una frecuencia en particular, menor
ser la corriente pico permitida (despus de pasar el valor de ruptura de tp )' La figura 1.55i
muestra que la intensidad es mayor a 0 (de cabeza) y la menor a 90 (cuando el dispositivo se
observa desde un lada).
Valores mximos absolutos aTA = 25 Oc

Rojo de afra eficiencia
Parmetros ~160 Unidades
Disipacin de potencia 120 mv,:

Corriente directa promedio 20,11 mA
Corriente directa pico 60 mA
Rango de temperatura de operacin _55C a 100 C Q
y almacenamiento
Temperatura de soldadura de la cone;<..in 230C durante 3 segundos
[1.6 mm (0.063 pulg) del cuerpo
[1] Prdida desde 50 oC a 0.2 mA/oC.
(a) (b)
Caractersticas elctricas/pticas aTA = 25 Oc

Rojo de alta eficiencia
4160
Smbolo Descripcin Mnimo npico Mximo Unidades Condiciones de prueba
Intensidad lumnica LO 3.0 med

axial
Incluyendo el ngulo 80 deg. Nota 1
entre los Pl..mtos de la
mitad de intensidad
lumnica
Longitud de onda de pico 635 om Medida en el pico
Longitud de onda dominante 628 om Nota 2
Velocidad de respuesta 90
Capacitancia II
"'
pF VF = 0:1= 1 Mhz
Resistencia tnnica 120 crw nin a la
conexin ctodo a
079 mm (.031 pulg)
desde el cuerpo
Voltaje directo 2.2 3.0 v lF=lOmA
Voltaje de ruptura inverso 5.0 V IR=lOO~A
Eficacia lumnica 147 lmJW )ota 3
NOTAS,
l. el.'~ es el ngulo fuera dd eje al cual la intensidad lumnica es la mitad de la intensidad lumnica axial.
2. La longitud de onda dominante, P.d , se deriva del diagrama de cromaticidad elE y representa la longitud de onda nica que
define el color del dispositivo.
3. La intensidad radiante. le' en watts/estereorradianes. se puede encontrar a partir de la ecuacin 1,. = /,.ITf l donde/l' es la
intensidad lumnica en candelas y Tf,. es la eficacia luminica en lmenes/waU.
(e)
FIgUra 1.55 Lmpara subminiatura roja de estado slido de alta eficiencia de Hewlett-Packard;
a) apariencia; b) valores nominales mximos absolutos; e) caractersticas elctricas/pticas;
d) intensidad relativa contra longitud de onda; e) corriente directa contra voltaje directo; f) intensidad
lumnica relativa contra corriente directa; g) eficiencia relativa contra corriente pico; h) corriente
pico mxima contra duracin del pulso; i) intensidad lumnica relativa contra desplazamiento angular.
(Cortesa de Hewlett-packard Corporation.)
40 Captulo 1 Diodos semicondnctores

1.or-----------r-~--~~--_r------~ __~~--------~----------_,
Verde . /' Rojo GaAsP
ii 0.5 f-------,II------\---+--'----+'r--=="+--~--__j
:g
.
-=
;
O~~~~~----~~~~~~~---=~-----~==_~~~~-~=----~
500 550 600 650 700 750
Longitud de onda - nm
(d)
2O ,
~ 25~
3.0 1.6
-
<
=
T, r- 1'.4 = 25C
,""
1.5
, --
/
1.4
15
o 1.3
~ 2.0 i:g

1.2
"-O
10 /
/
2 l.l
.g 1~s 1.0
6 1.0
/
u 5 0.9
~-
o / o ../'
V OR
07
l
O 05 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 O 5 10 15 20

0" 10 20 40 "o
Vr - Voltaje directo - V
50
I r - Corriente directa - mA I p"" - Comente pico - roA
(, (f) (gl
--->- T I~
El 10 100 (000 10.000 20
~J~ rp - Duracin del pulso - )..ls

... ....:~
....:i,
(h) (i)
Flgura L55 Continuacin.
1.15 Diodos emisores de luz 41

Hoy en da, las pantallas de visualizacin LEO se encuentran disponibles en muchos ta-
maos y formas diferentes. La regin de emisin de luz est disponible en longitudes desde 0.1
a 1 pulgada. Los nmeros pueden crearse por segmentos como los que se ejemplifican en la
figura 1.56. Al aplicar una polarizacin directa al segmento apropiado de material tipo p, se
puede desplegar cualquier nmero del O al 9 .
.t:C.-. oto". i
~
.LtJ 'r" smIDJ --..11--

I~0803,,-I
O.IOO"Tip
Flgura 1.56 Pantalla visual de segmentos Litronix.
La pantalla de visualizacin de la figura 1.57 ofrece ocho dgitos y se utiliza en calculadoras.

Existen tambin lmparas LED con dos conexiones que contienen dos LED, de tal forma que una
inversin en la polarizacin cambiar el color de rojo a verde o viceversa. Actualmente, los LED
se encuentran disponibles en rojo, verde, amarillo, naranja y blanco; el blanco con azul estar
disponible pronto. En general, los LEO operan a niveles de voltaje desde 1.7 hasta 3.3 V, lo cual
los hace por completo compatibles con los circuitos de estado slido. Tienen un tiempo de res-
puesta rpido (nanosegundos) y ofrecen buenas relaciones de contraste para la visibilidad. El
. requerimiento de potencia suelen ser de 10 hasta 150 mW con un tiempo de vida de 100.000
horas o ms. Su construccin de semiconductor le aade un significativo factor de fortaleza.
Figura 1.57 Pantalla visual para calculadora con ocho dgitos y

signo. (Cortesa de Hewlett-Packard Corporation.)
1.16 ARREGLOS DE DIODOS: CIRCUITOS

INTEGRADOS
Las caractersticas nicas de los circuitos integrados se presentarn en el captulo 12. Sin em-
bargo, se ha alcanzado una plataforma en la introduccin de circuitos electrnicos que permite
por lo menos hacer un examen superficial a los arreglos de diodos en circuitos integrados. Se
encontrar que el circuito integrado no es un dispositivo nico con caractersticas totalmente
diferentes a aquellas que se analizarn en estos captulos introductorios. Simplemente es una
tcnica que permite una reduccin significativa en el tamao de los sistemas electrnicos. En
otras palabras, dentro del circuito integrado se encuentran sistemas y dispositivos discretos
que estuvieron disponibles mucho tiempo antes que el circuito integrado como se le conoce
actualmente, se convirtiera en una realidad.

Un arreglo posible aparece en la figura 1.58. Observe que los ocho diodos son internos en
el arreglo de diodos Fairchild FSAI4IOM. Esto es, en el encapsulado mostrado en la figura
1.59 existe un arreglo de diodos en una placa nica de silicio que tiene todos los nodos conec-
tados a la terminal 1 y los ctodos de cada una a las terminales 2 al 9. Observe. en la misma
figura, que la tenninal 1 puede detenninarse como la que est del lado izquierdo de la pequea
proyeccin o ceja del encapsulado si se mira desde abajo hacia el encapsulado. Los otros
nmeros siguen despus en secuencia. Si slo se utiliza un diodo, solamente se utilizarian las
tenninales 1 y 2 (o cualquier otro nmero del 3 al 9).
FSA1410M
ARREGLO MONOLTICO PLANAR DE DIODOS AISLADOS DEL AIRE
. c ... 5.0 pF CMX)

. dV F 15 mv (~X) @ lOmA
DIAGRA:vtA DE COl\"EXIl\"
VALORES NOMINALES MXIMOS ABSOLUTOS (Nota 1)
FSA]4 ]OM
Temperaturas
Rango de temperatura de almacenamiento _55C a +200 oC
rfHtHH
:vtxima temperatura de operacin de la unin +150C
Temperatura en la conexin +260 oC
Disipacin de potencia (Nota 2)
Mxima disipacin en la unin a 25 nc de ambiente 400mW
Por encapsulado a 25 oC de ambiente 600mW
Factor de prdida de disipacin lineal (desde 25 OC) en la unin 3.2 mWOC 2 J 4 5 6 7 8 9
Encapsulado 4.8 mWOC
Corriente y voltaje mximos Ver diagrama de base del encapsulado TO96
WIV Voltaje inverso de trabajo 55 V
Corriente directa continua 350 mV
Corriente de onda de pico directo
Ancho de puLso = t.o s 1.0 A
Ancho de pulso = l.o!ls 2.0A
CARACTERSTICAS ELCTRICAS (25 Oc de temperatura ambiente a menos que se especifique lo contraro)

SMBOLO CARACTERSTICA MNIMO I MXIMO UNIDADES CONDICIONES DE PRUEBA
I L 27. Voltaje de ruptura 60 !
v I
V, Voltaje directQ (Nota 3) 1.5 V lF = 500 mA

11 V
I
1
1.0 V
lF = 200 mA
IF = 100 mA
1, Corriente inversa 100 nA V R =40V
Corriente inversa (TA = 150C) 100 ~A V R = 40 V
I
e Capacitancia i
5.0 I pF VR = O. f = 1 MHz
V", Voltaje pico directo 4.0 V 11 = 500 mA. Ir < 10 ns
I I
t Tiempo de recuperacin directo 40 I, n, 11 _ 500 mA.l, < 10 ns
t rr Tiempo de recuperacin inverso 10 I

n, l I = 1, =10- 200mA
I R L = IOOn. Rec. a 0.1 Ir
50 I n, II = 5ODmA.I, = 50mA
R L = !DOn. Ret. a 5 mA
Igualdad de voltaje directo 15 mV
I IF = lOmA
-----_._-
NOTAS:
I Estos valore, son nlores limItes sobre Jo, cuales la vida O el de'empeo satIsfactorios pueden ser daado,
2 Estos son lmites estable~ de los estados. La fbrica debe ser con,ultada para aplicaciones que mvolucn:n operacIn con pulso o un Ctclo de tra1::>;Jo 1::>;jo.
:; V F se mide utill2lmdo un pulso de & ms
Figura 1.58 Arreglo monoltico de diodos. (Cortesa de Fairchild Camera and lnstrument
Corporation.)
1.16 Arreglos de diodos: circuitos integrados 43

.... 0.230" +-
3 La forma del
aislador de
FIgura 1.59 Descripcin del 2 separacin
~ Plano de montaje
encapsulado TO-96 para el arreglo 6
puede variar
de diodos FSA1410M. Todas las
7
dimensiones se encuentran en 0.500" Notas:
~~~~~~~~~n
pulgadas. (Cortesa de Fairchild Vidrio Conex.iones de Kovar, banadas en oro
Camera and Instrument Encapsulado sellado hennticamente
Corporation.) Peso del encapsulado: 1.32 gramos
Los diodos restantes se quedaran "colgando" y no afectaran la red a la cual slo estaran
conectadas las terminales 1 y 2.
Otro arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es diferente,
pero la secuencia de numeracin aparece en el diagrama de base. La terminall es la que est
directamente arriba de la pequea muesca cuando el dispositivo se observa con las terminales
hacia abajo.
TO-116-2 Descripcin
Diagramas de base
l' 0.785" , I
+" C:::::J
1 FSA2500M
....L,..,...._~--:-..,.....---,
Ver descripcin de! encapsulado TO-II6-2
o~r:"~:;::;;
-- - .".';
Notas:
Plano de t ~ Aleacin 42. terminales estaadas
montaje Terminales baadas en oro disponibles
Encapsulado de cermica sellado
hermticamente
Figura 1.60 Arreglo monoltico de diodos. Todas las dimensiones se encuentran en pulgadas.
(Cortesa de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
1.17 ANLISIS POR COMPUTADORA

La computadora se ha convertido en una parte integral de la industria electrnica, de tal mane-
ra que las capacidades de esta "herramienta" de trabajo se deben presentar en la primera opor-
tunidad posible. Para aquellos estudiantes sin experiencia previa en computacin, existe al
principio un temor muy comn hacia este poderoso sistema que parece complicado. Tomando
esto en cuenta, el anlisis por computadora de este libro fue diseado para hacer que el sistema
por computadora resulte ms "amistoso", mediante la revelacin de la relativa facilidad con
que se puede aplicar para llevar a cabo algunas tareas muy tiles y especiales con una cantidad
mnima de tiempo y un alto grado de exactitud. El contenido se escribi suponiendo que el
lector no tiene experiencia previa en computacin ni tampoco contacto con la terminologa que
se utilizar. Tampoco existe sugerencia alguna en cuanto a que el contenido de este libro sea
suficiente para permitir una comprensin completa de los "cmos" y los "porqus" que surgi-
rn. El propsito aqu es meramente presentar algo de la terminologa, analizar algunas de sus
capacidades, revelar las posibilidades disponibles, tocar algunas de las limitaciones y demos-
trar su versatilidad con un nmero de ejemplos cuidadosamente seleccionados.
En general, el anlisis por computadora de los sistemas electrnicos puede tomar uno de
dos mtodos: utilizando un lenguaje tal como el BASIC, Fortran, Pascal, o C, o utilizando un
paquete de programacin como PSpice, MicroCap 11, Breadboard, o Circuit Master, por nom-
brar unos cuantos. Un lenguaje, a travs de su notacin simblica, construye un puente entre el

usuario y la computadora, el cual permite un dilogo entre los dos con el fin de establecer las
operaciones que deben llevarse a cabo,
El lenguaje que se usa en este libro es el BASIC, y se eligi debido a que emplea una
cantidad de palabras y frases familiares de la lengua inglesa que revelan, por s mismas, la
operacin que se desarrollar. Cuando se utiliza un lenguaje para analizar un sistema, se desa-
rrolla un programa que define, en fanna secuencial, las operaciones que se llevarn a cabo, en
su mayor parte, siguiendo el mismo orden con que se realiza el mismo anlisis efectuando los
clculos a mano. Al igual que ocurre con el mtodo de calcular a mano, un paso incorrecto y el
resultado que se obtiene carecer por completa de significado. Obviamente, los programas que
se desarrollan con tiempo y aplicacin son medios ms eficaces para obtener una solucin.
Una vez que se establecen en su e"mejor" forma, se pueden catalogar y utilizar posterionnente.
La ventaja ms importante del mtodo de los lenguajes radica en que el programa puede adap-
tarse con objeto de satisfacer todas las necesidades especiales del usuario. Permite que este
ltimo haga "movimientos" especiales que darn por resultado la obtencin de datos en forma
impresa, de manera informativa e interesante.
El mtodo alterno que se describi antes utiliza un paquete de computadora para llevar a
cabo la investigacin deseada. Un paquete de programacin es un programa escrito y probado
durante cierto tiempo, que se disea para realizar un tipo de anlisis o sntesis en particular de
manera eficiente y con un alto nivel de exactitud.
El paquete en s no puede ser alterado por el usuario y su aplicacin est limitada a las opera-
ciones que se integran al sistema. Un usuario debe ajustar su deseo de informacin de salida al
rango de posibilidades que ofrece el paquete. Adems, el usuario debe capturar informacin, tal y
como lo exige el paquete, o de lo contrario los datos pueden ser malinterpretados, El paquete de
programacin que se eligi para este libro es PSpice.* En la actualidad, PSpice se encuentra dispo-
nible en dos formas: DOS y Wmdows, El formato DOS fue el primero que se introdujo y es el ms
popular hoy en da. Sin embargo, la versin Windows cobra cada vez ms aceptacin confonne los
usuarios conocen sus capacidades. Es como todo: una vez que se logra dominar un mtodo que har
el trabajo por nosotros, se genera menos entusiasmo por tomar el tiempo para aprender otro mtodo
del que se obtendrn resultados similares, Sin embargo, los autores confIrman que confonne se
conoce ms la versin Wmdows, sta ofrece algunas caractersticas interesantes que bien vale la
pena investigar. La versin de DOS que se usa en este texto es la 6.0 y la de Windows es la 6.1. En
MicroSim, ubicada en Irvine, California, se encuentran disponibles copias para evaluacin, En la
fIgura 1.61 aparece una fotografa de un paquete de Centro de Diseo completo con la versin CD-
ROM 6.2, Tambin se encuentra disponible en discos flexibles de 35", Una versin ms compleja,
que se denomina SPICE, est encontrando una amplia gama de aplicaciones en la industria,
Por tanto, en general, un paquete de programacin est "empacado" para realizar una serie
de clculos y operaciones, y para ofrecer los resultados en un formato definido. Un lenguaje
Fgura 1.61 Paquete de diseo

PSpice. (Cortesa de MicroSim
Corporaton.)
*PSpice es una marca registrada de MicroSim Corparation.
1,17 Anlisis por computadora 45

permite un mayor nivel de flexibilidad, pero tambin omite los beneficios que brindan las
numerosas pruebas y la investigacin exhaustiva que se suelen realizar para desarrollar un
paquete ~'confiable". El usuario debe definir cul mtodo satisface mejor sus necesidades
del momento. Obviamente, si existe un paquete para el anlisis o sntesis que se desea reali-
zar, debe considerarse antes de optar por las muchas horas de trabajo que se requieren para
desarrollar un programa confiable y eficiente. Adems, es posible adquirir los datos que se
necesitan para un anlisis en particular de un paquete de programacin y luego buscar un
lenguaje para definir el formato de salida. En muchos aspectos, los dos mtodos van de la
mano. Si alguien continuamente tiene que depender del anlisis por computadora, es necesa-
rio que conozca el uso y las limitaciones tanto de los lenguajes como de los paquetes. La
decisin en cuanto a con qu lenguaje o paquete conviene familiarizarse es, bsicamente,
una funcin del rea de investigacin. Sin embargo, por fortuna, el conocimiento fluido de
un lenguaje o un paquete especfico ayudar al usuario a familiarizarse con otros lenguajes y
paquetes. Existen similitudes en propsitos y procedimientos que facilitan la transicin de
un mtodo a otro.
En cada captulo se harn algunos comentarios respecto al anlisis por computadora. En
algunos casos aparecer un programa BASIC y una aplicacin PSpice, mientras que en otras
situaciones slo se aplicar uno de los dos. Conforme surja la necesidad de entrar en detalles,
se proporcionar la informacin necesaria para permitir cuando menos una comprensin su-
perficial del anlisis.
PSpice (versin DOS)

Este captulo aborda las caractersticas del diodo semiconductor en particular. En el captulo 2
el diodo se investiga utilizando el paquete PSpice. Como un primer paso dirigido hacia tal
anlisis, se presenta ahora el "modelo" para el diodo semiconductor. La descripcin en el
manual PSpice incluye un total de 14 parmetros para definir sus caractersticas tenninales.
stos incluyen la corriente de saturacin, la resistencia en serie, la capacitancia de la conexin,
Dl el voltaje de ruptura inverso, la corriente de ruptura inversa, y muchos otros factores que en
2 3 caso necesario pueden especificarse para el diseo o anlisis que vaya a realizarse.
o--I~II--~o La especificacin de un diodo en una red tiene dos componentes. El primero especifica la
(+) (-)
ubicacin y nombre del modelo, el otro incluye los parmetros que se mencionan antes. El
Figura 1.62 Etiquetas de PSpice fonnato para definir la ubicacin y el nombre del modelo del diodo es el siguiente para el
para la captura de diodos en la diodo de la figura 1.62:
descripcin de una red.
2 3 DI
'-v-' '-v-' '-v-'
+
nombre nodo nodo nombre
del modelo
Observe que el diodo se especifica mediante la literal D al principio del rengln seguida
por la identificacin que se asigna al diodo en el esquema. La secuencia de los nodos (puntos
de conexin para los diodos) define el potencial en cada nodo y la direccin de la conduccin
para el diodo de la figura 1.62. En otras palabras, la conduccin se especifica a partir del nodo
positivo y hacia el nodo negativo. El nombre del modelo es el nombre que se asigna a la
descripcin del parmetro que sigue. El mismo nombre de modelo puede aplicarse a cualquier
nmero de diodos en la red, como D2, D3, Y as sucesivamente.
Los parmetros se especifican cuando se usa una instruccin MODEL que tiene el fonnato
siguiente para un diodo:
MODEL DI D(IS = 2E - 15)

'-v-' '---- "
nombre especificaciones
del modelo de parmetro
La especificacin se inicia con los datos .MODEL seguido por el nombre del modelo
segn se especific en la descripcin de la ubicacin y la literal D para especificar un diodo.

Las especificaciones del parmetro aparecen en parntesis y deben utilizar la notacin que se
especifica en el manual PSpice. La corriente de saturacin inversa se encuentra listada como
IS y se le asigna un valor de 2 x 10- t5 A. Se eligi este valor debido a que, por lo general,
resulta en un voltaje de diodo de cerca de 0.7 V para niveles de corriente de diodo que con
frecuencia se encuentran en las aplicaciones que se analizan en el captulo 2. De esta manera,
del anlisis manual y por computadora se obtendrn resultados relativamente cercanos en cuanto
a magnitud. Si bien en el listado anterior se especific un parmetro, la lista puede incluir los
10 parmetros que aparecen en el manual. Para los dos enunciados anteriores, es en particular
importante seguir el fonnato segn se defini. La ausencia de un punto antes de MODEL o la
omsin de la letra D en el mismo rengln invalidarn por completo el registro.
Anlisis del centro de diseo PSpice en Windows

Cuando se utiliza el PSpice para Windows, el usuario dibuja la red en un esquema en lugar de
capturar rengln por rengln empleando los nodos de referencia. Por tanto, una fuente para cada
elemento debe encontrarse disponible para colocarlos en la pantalla. Primero, se debe establecer
una pantalla de esquemas (siguiendo un procedimiento de instalacin que se deja a criterio del
usuario), y luego se selecciona la opcin Draw (Dibuja) desde la barra de menes. Una vez
seleccionado, aparecer una lista de opciones de las cuales se elige Gel New.Part (Seleccionar
una nueva parte). Aparecer una caja de dilogo; se selecciona Browse (Hojear), lo cual lleva a
la caja de dilogo de Get Part (Traer parte). Se escoge la biblioteca eval.slb del listado de libre-
ras y se recorre la lista de Partes (part) hasta que se encuentra DIN414S. Cuando se hace "click",
la Descripcin (Description) superior revelar que se trata de un diodo. Se hace "click" en OK y
aparecer un smbolo de diodo en la pantalla de esquemas. Despus que se mueve el diodo a la
posicin deseada. un "click" adicional dejar el diodo y aadir las etiquetas DI y DIN414S.
Cuando se haga "click" con el botn derecho pel apuntador (motise), se completa la secuencia de
colocacin del diodo. Si se deben cambiar los parmetros del diodo, simplemente de hace "c1ick"
una vez (y slo una vez) al smbolo del diodo en el esquema y luego se hace "c1ick" otra vez en
la opcin de Edicin (Edit) en la barra de men. Se elige el Modelo (Model) y luego Editar
Modelo Ejemplificado (Edit Instance Model) (debido a que se desea establecer parmetros para
una sola aplicacin) y una caja de dilogo del Editor de Modelos (Model Editor) aparecer con
los parmetros del diodo. Los cambios en el modelo del diodo se pueden llevar a cabo en la caja
de dilogo para ser utilizados en la aplicacin real. Si no se observa la pantalla, lo anterior puede
resultar algo difcil de seguir y comprender. Lo mejor sera obtener el modelo para su evaluacin,
inicializar la pantalla y realizar las operaciones en el orden indicado. En el siguiente captulo se
presentar una red real que ayudar en el proceso de revisin.
},2 Diodo ideal PROBLEMAS

1. Describa, con sus propias palabras, el significado de la palabra ideal cuando se aplica a un dispo-
sitivo o a un sistema.
2. Describa. con sus propias palabras, las caractersticas del diodo ideal y cmo se determinan los
estados "encendido" y "apagado" del dispositivo. Es decir, describa por qu son adecuados los equi~
valentes de circuito cerrado y circuito abierto.
3. Cul es la diferencia ms importante entre las caractersticas de un simple intenuptor y aquellas
de un diodo ideal?
1.3 Materiales semiconductores

4. Con sus propias palabras, defina semiconductor, resistividad, resistencia de volumen y resistencia
de contactos hmicos.
S. a) Utilizando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio que tiene un rea de
1 cm2 y una longitud de 3 cm.
b) Repita el inciso a si la longitud es de 1 cm y el rea de 4 cm2 .
c) Repita el inciso a si la longitud es de 8 cm y el rea de 0.5 cm2
d) Repita el inciso a para el cobre y compare los resultados.
Problemas 47
6. Dibuje la estructura atmica del cobre y analice por qu es un buen conductor y cmo su estructura
es diferente del gennanio y del silicio.
7. Defina, con sus propias palabras. un material intrnseco, un coeficiente de temperatura negativo y
una unin covalente.
8. Consulte su biblioteca de referencia y mencione tres materiales que tengan un coeficiente de tem-
peratura negativo y tres que tengan un coeficiente de temperatura positivo.
1.4 Niveles de energa

9. Cunta energa en joules se necesita para mover una carga de 6 C a travs de una diferencia en
potencial de 3 V?
10. Si se requieren 48 eV de energa para mover uoacarga a travs de una diferencia de potencial de 12
Y, determine la carga involucrada.
11. Consulte su biblioteca de referencia y precise el nivel de E" para GaP y ZnS, dos materiales
semiconductores de valor prctico. Adems. determine el non~bre escrito para cada material.
1.5 Materiales extrinsecos: tipo n y tipo p

12. Especifique la diferencia entre los materiales semiconductores tipo 11 y tipo p.
13. Explique la diferencia entre las impurezas donoras y aceptaras.
14. Describa la diferencia entre los portadores mayoritarios y minoritarios.
15. Dibuje la estructura atmica del silicio e inserte una impureza de arsnico como se mostr para el
silicio en la figura 1.9.
16. Repita el problema 15, pero inserte una impureza de indio.
17. Consulte su biblioteca de referencia y localice otra explicacin para el flujo de huecos contra el de
electrones. Utilizando ambas descripciones, seale con sus propias palabras, el proceso de la conduc-
cin de huecos.
1.6 Diodo semiconductor

18. Explique, con sus propias palabras, las condiciones establecidas por las condiciones de
polarizacin directa e inversa en un diodo de unin P-ll, y la manera en que se afecta la corriente
resultante.
19. Describa, cmo recordar los estados de polarizacin directa e inversa en el diodo de unin p-n. Es
decir, cmo recordar cul potencial (positivo o negativo) se aplica a cul terminal?
20. Utilizando la ecuacin (1 .4), precise la corriente del diodo a 20 oC para un diodo de silicio con l ~
= 50 nA y una polarizacin directa aplicada de 0.6 V.
21. Repita el problema 20 para T = 100 oC (punto de ebullicin del agua). Suponga que Is se increment
a 5.0 LA.
22. a) Utilizando la ecuacin (lA), detennine la corriente del diodo a 20 oC para un diodo de silicio
con Is = 0.1 J1A a un potencial de polarizacin inversa de -10 V.
b) El resultado es el esperado? Por qu?
23. a) Grafique la funcin y::;; eX para x desde O hasta 5.
b) Cul es el valor de y = eX para x = O?
c) Basndose en los resultados del inciso b, por qu es importante el factor -1 en la ecuacin (lA)?
24. En la regin de polarizacin inversa la corriente de saturacin de un diodo de silicio es de
aproximadamente 0.1 Ji.A (T = 20 OC). Determine su valor aproximado si la temperatura se
incrementa 40 oC.
25. Compare las caractersticas de un diodo de silicio y uno de gennanio y detennine cul preferira
utilizar para la mayor parte de las aplicaciones prcticas. Proporcione algunos detalles. Refirase
a caractersticas de fabricante y compare las caractersticas de un diodo de germanio y uno de
silicio de valores mximos similares.
26. Detennine la cada de voltaje directo a travs del diodo cuyas caractersticas aparecen en la figura
1.24 a temperaturas de -75 oC, 2S oC, 100 oC y 200 oC y una corriente de 10 mA. Para cada
temperatura precise el nivel de la corriente de saturacin. Compare los extremos de cada una y
haga un comentario sobre la relacin de ambos.
48 Capitulo I Diodos semiconductores

1.7 Niveles de resistencia
27. Determine la resistencia esttica o de del diodo disponible en el mercaao ae la figura 1.19 con una
corriente directa de 2 mA.
28. Repita el problema 26 con una corriente directa de 15 mA Y compare los resultados.
29. Determine la resistencia esttica o de del diodo disponible en el mercado de la figura 1.19 con un
voltaje inverso de -10 V. Cmo se compara con el valor determinado para un voltaje inverso de
-30 V?
30. a) Determine la resistencia dinmica (ac) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de
10 mA utilizando la ecuacin (1.6).
b) Precise la resistencia dinmica (ae) del diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de 10
mA utilizando la ecuacin (1.7).
e) Compare las soluciones de los incisos a y b.
31. Calcule las resistencias dc y ac para el diodo de la figura 1.29 con una corriente directa de lOmA
y compare sus magnitudes.
32. Utilizando la ecuacin (1.6), determine la resistencia ac con una corriente de 1 mA y 15 mA para
el diodo de la figura 1.29. Compare las soluciones y d~sarrol1e una conclusin general respecto a
la resistencia ac y a los crecientes niveles de corriente del diodo.
33. Utilizando la ecuacin (1.7), determine la resistencia lC con una corriente de 1 mA y 15 mA para
el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuacin cuando sea necesario para los niveles bajos de
corriente de diodo. Compare con las soluciones que obtuvo en el problema 32.
34. Determine la resistencia ac promedio para el diodo de la figura 1.19 para la regin entre 0.6 y
0.9 V.
35. Determine la resistencia ac para el diodo de la figura 1 19 a 0.75 Vy compare con la resistencia ac
promedio obtenida en el problema 34.
1.8 Circnitos equivalentes para diodos
36. Encuentre el circuito equivalente de segmentos lineales para el diodo de la figura 1.19. Utilice un
segmento de lnea recta que interseque el eje horizontal en 0.7 V Y que mejor se aproxima a la
curva para la regin mayor a 0.7 V.
37, Repita el problema 36 para el diodo de la figura 1.29.
1.9 Hojas de especificaciones de diodos
* 38. Grafique 1F contra VF utilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de la figura 1.36. Observe
que la grfica que se presenta utiliza una escala logartmica para el eje vertical (las escalas
logartmicas se cubren en las secciones 11.2 y 11.3).
39. Comente el cambio en el nivel de capacitancia con el aumento en el potencial de polarizacin
inversa para el diodo BAY73.
40. Cambia significativamente en magnitud la corriente de saturacin inversa del diodo BAY73 para
potenciales de polarizacin inversa en el rango de -25 Va-lOO V?
* 41. Detennine para el diodo de la figura 1.36 el nivel de IR a temperatura ambiente (25 OC) Y en el
punto de ebullicin del agua (100 OC). Es significativo el cambio? Casi se duplica el nivel por
cada incremento de 10 oC en la temperatura?
42. Para el diodo de la figura 1.36 detenrune la resistencia en ac mxima (dinmica) con una corriente
directa de 0.1 mA, 1.5 mA Y20 mA. Compare los niveles y comente si los resultados respaldan las
conclusiones derivadas en las primeras secciones de este captulo.
43. Utilizando las caractersticas de la figura 1.36, determine los niveles mximos de disipacin de
potencia para el diodo a temperatura ambiente (25 OC) Y 100 oC. Suponiendo que VF permanece
fijo a 0.7 V, cmo ha cambiado el nivel mximo de IF entre los dos niveles de temperatura?
44. Haciendo uso de las caractersticas de la figura 1.36, detennine la temperatura en la cual la co-
rriente del diodo ser del 50% de su valor a temperatura ambiente (25 OC).
Problemas 49
1.10 Capacitancia de transicin y difusin
* 45. Con referencia a la figura 1.37, determine la capacitancia de transicin con potenciales de
a)
polarizacin inversa de -25 V Y-10 V. Cul es la proporcin del cambio en la capacitancia al
cambio en el voltaje?
b) Repita el inciso a para potenciales de polarizacin inversa de -10 V Y -1 V. Determine la
proporcin del cambio en capacitancia al cambio en el voltaje.
a
e) Cmo se comparan las proporciones detenninadas en los y b? Qu le indica a usted acerca
de cul rango tendr ms reas de aplicacin prctica?
46. Refirindose a la figura 1.37, detennine la capacitancia de difusin a O V Y a 0.25 V.
47. Describa, con sus propias palabras, cmo difieren las capacitancias de difusin y de transicin,
48. Detenmne la reactancia ofrecida por un diodo descrito con las caractersticas de la figura 1.37, a
un potencial directo de 0.2 V Y a un potencial inverso de -20 V si la frecuencia que se aplica es de
6 MHz.
1.11 Tiempo de recnperacin inverso

49. Dibuje la fonna de la onda para i en la red de la figura 1.63 si tI = 2ts Y el tiempo total de recupera-
cin inverso es de 9 ns.
!O
10 k!l
ti = 5 ns
o
.5
Figura 1.63 Problema 49.
1.14 Diodos Zener

SO. Las siguientes caractersticas estn especificadas para un diodo Zener en particular: V z = 29 V, V R =
16.8 V, Izr:: 10 mA, IR:; 20}lA Y 12M :: 40 mA. Dibuje la curva caracterstica de la manera que
tiene en la figura 1.50.
* 51 A qu temperatura tendr el diodo Zener IN961 10 V Fairchild un voltaje nominal de 10.75 V?
(Sugerencia: Observe los datos de la tabla 1.4).
52. Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de 5 V (caracterizado a 25 OC) si el
voltaje nominal cae a4.8 V a una temperatura de 100 oC.
53. Utilizando las curvas de la figura 1.51 a, qu nivel de coeficiente de temperatura esperara para un
diodo de 20 V? Repita para un diodo de S V. Suponga una escala lineal entre los niveles de voltaje
nominal y un nivel de corriente de 0.1 mA.
54. Detennine la impedancia dinmica para el diodo de 24 Valz = lOmA para la figura 1.5 1b.
Observe que se trata de una escala logartmica.
* SS. Compare los niveles de impedancia dinmica para el diodo de 24 V de la figura 1.5 1b a los niveles
de corriente de 0.2 mA, 1 roA, Y 10 mA. Cmo se relacionan los resultados a la forma de las
caractersticas en esta regin?
1.15 Diodos emisores de lnz

56. RefIrindose a la fIgura 1.55e, cul parecera ser un valor apropiado de VT para este dispositivo?
Cmo se compara con el valor de Vr para el silicio y el germanio?
57. Utilizando la infonnacin que se proporciona en la figura 1.55, determine el voltaje directo a
travs del diodo si la intensidad lumnica relativa es de 1.5.
* 58. a) Cul es el porcentaje de incremento en la eficiencia relativa de la figura 1.55 si la corriente
pico crece de 5 a 10 mA?
b) Repita el inciso a para 30 a 35 mA (el mismo incremento en corriente).
c) Compare el porcentaje de incremento de los incisos a y b. En qu punto de la curva dira
usted que se gana poco al seguir aumentando la corriente pico?
50 Capitulo I Diodos semiconductores

* 59. a) Refirindose a l~ figura 1.55h, detenrune la corriente pico tolerable mxima, si el periodo de
la duracin del pulso es de 1 ms.la frecuencia es de 300 Hz y la mxima corriente dc tolerable
es de 20 mA.
b) Repita el inciso a para una frecuencia de 100 Hz.
60. a) Si la intensidad lumnica en un desplazamiento angular de 0 es de 3.0 mcd para el dispositivo
de la figura 1.55. a qu ngulo ser de 0.75 mcd?
b) A qu ngulo cae la prdida de intensidad lumnica debajo del nivel de 50%?
* 61. Dibuje la curva de prdida de corriente para la corriente directa promedio del LED rojo de alta
eficiencia de la figura 1.55a como se determin para la temperatura. (Observe los valores mxi-
mos promedio.)
*Los asteriscos indican problemas ms difciles.
Problemas 51

Electronica Boylestad - Capitulo 1

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CAPTULO

1.2 EL DIODO IDEAL

riqueza de la informacin que los fabricantes suelen proporcionar.

direccin opuesta. En esencia: (b)

Si ahora se considera la regin de potencial negativo aplicado (tercer cuadrante) de la

V. -5, -20, o cualquier potencial de polarizacin inversa

En resumen, son aplicables las condiciones que se descnben en la figura 1.2.

~imitado por el circuito)

2 Capitulo l Diodos semiconductores

1.3 MATERIALES SEMICONDUCTORES

De manera inversa, y relacionada con la conductividad de un material, se encuentra su

De hecho, si el rea de la figura lA es de 1 cm' y la longitud de 1 cm, la magnitud de la A=lcm 2 l=lcm

1.3 Materiales semiconductores 3

p == 10-6 O-cm p == 50 O-cm (germanio) p= 10 12 n-cm

4 Capitulo 1 Diodos semiconductores

Segn aumenta la temperatura desde el cero absoluto (O K), un nmero mayor de

1.3 Materiales semiconductores 5

1.4 NIVELES DE ENERGA

Nivel de valencia (capa ms externa)

Banda de energa vaca t Segundo nivel (siguiente capa interna)

Tercer nivel (etc.)

Energa ElectroneS Energa Energa

6 Capitulo 1 Diodos semiconductores

W = QV = (1.6 X 10- 19 C)(I V)

y 1 eV= 1.6XIO-19 J (1.3)

1.5 MATERIALES EXTRNSECOS:

Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos

1.5 Materiales extrnsecos: tipo n y tipo p 7

:;'B~~;da~de~~~~~ Eg = 0.05 eV (Si).O.Ol eV CGe)

Nivel de energa del donor

Figura 1.10 Efecto de las impurezas del donor sobre la estructura

8 Capitulo l Diodos semiconductores

Figura 1.11 Impureza de boro en

Flujo de electrones comparado con flujo de huecos

FIgUra 1.12 Flujo de electrones en funcin de flujo de huecos.

1.5 Materiales extrnsecos: tipo R y tipo p 9

Iones donores Iones aceptores

Figura 1.13 a) material tipo n; b) material tipo p.

1.6 DIODO SEMICONDUCTOR

Como el diodo es un dispositivo de dos tenninales, la aplicacin de un voltaje a travs de

10 Captulo l Diodos semiconductores

Sin polarizacin aplicada (VD = O V)

1.6 Diodo semiconductor JI

Condicin de polarizacin inversa (VD < O V)

.......-- l., Flujo de portadores minoritarios

+ Figura 1.16 Unin p-n con polarizacin

Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estn entrando a la regin de

Condicin de polarizacin directa (VD> O V)

12 Captulo 1 Diodos semiconductores

+ Figura 1.18 Unin p-n con polarizacin

La aplicacin de un potencial de polarizacin directa VD "presionar" los electrones en el

1.6 Diodo semiconductor 13

donde Is = corriente de saturacin inversa

(Similares) Regin Zener

Silicio en funcin de germanio

1.6 Diodo semiconductor 15

FIgUra 1.23 Comparacin de diodos

Obviamente, mientras ms cercana al eje vertical es la excursin, ms cerca de lo "ideal" est

16 Capitulo 1 Diodos semiconductores

No es poco frecuente que un diodo de germanio con un 1, del orden de 1 o 2 .LA a 25 oC

1.7 Niveles de resistencia 17

Figura 1.25 Determinacin de la

EJEMPLOl.l Determine los niveles de resistencia en de para el diodo de la figura 1.26 en

18 Captulo 1 Diodos semiconductores