CAPTULO 3: INTRODUO TEORIA DOS SEMICONDUTORES

3.1) INTRODUO
Eletrnica a cincia e tecnologia do movimento de cargas eltricas num gs, vcuo ou semicondutor. Sua
histria divide-se basicamente em dois perodos: o primeiro definido como a era dos tubos a vcuo (conhecidas como
vlvulas), que consistem basicamente no aproveitamento do fenmeno da emisso termoinica e que, porisso, tem o
inconveniente de consumir muita energia, e o segundo como a era dos transistores, que so componentes construdos
a base de certos materiais slidos chamados semicondutores. Por isso, para diferenciar este ltimo da tecnologia dos
tubos a vcuo, a teoria dos semicondutores conhecida como Fsica do Estado Slido. Hoje todo o mbito da
eletrnica dominado pelos dispositivos semicondutores, exceto em algumas aplicaes de grande potncia e alta
tenso. Assim, a teoria dos tubos a vcuo praticamente omitida de todas as ementas de engenharia eletrotcnica.
Os dispositivos semicondutores so os componentes bsicos para processar sinais eltricos nos sistemas de
comutao, comunicao, computao e controle. Assim, o estudo dos semicondutores vem se tornando cada vez
mais importante, em razo de seu uso em larga escala no campo da eletro-eletrnica. Componentes como transistores
bipolares de juno (TBJs), diodos, termistores, fotocondutores, varistores, tiristores (SCR, Diac e Triac), transistores
de efeito de campo (FET's) e circuitos integrados baseiam-se em princpios estudados na teoria do estado slido.

3.2) MATERIAIS SEMICONDUTORES

Como visto no Captulo 1, a propriedade condutividade eltrica dos materiais proporcional concentrao n
de portadores de carga (eltrons livres), isto , = n e n. Como tambm mencionado no Captulo 1, para um bom
condutor, n muito grande (~1023 eltrons livres/cm3) e, para um isolante, n muito pequena (~107 eltrons
livres/cm3), havendo para este ltimo, portanto, poucos portadores de carga disponveis para a conduo de corrente.
Os materiais com concentraes de portadores de carga livres entre a dos condutores e a dos isolantes podem
ser denominados de semicondutores, caracterizados, ento, por possuir uma semicondutncia. Condutores e isolantes
possuem apenas eltrons livres como portadores de carga porque possuem apenas um caminho para a corrente. Nos
semicondutores, no entanto, o deslocamento de carga livre ocorre em dois caminhos, isto , os semicondutores
comportam-se como se tivessem dois tipos de portadores de carga livre, que sero vistos posteriormente: eltrons
livres e lacunas. Desse modo, o valor numrico desta condutncia intermediria um critrio insuficiente, pois de
modo algum define totalmente o comportamento funcional dos materiais e ligas pertencentes a esse grupo, pois pode-
se obter misturas de materiais que atendem a essa classificao mas que no tem comportamento semicondutor.
Com relao ao comportamento da condutividade com a temperatura, medido pelo parmetro coeficiente de
temperatura da resistividade (visto no Captulo 1), os semicondutores ditos puros apresentam, em geral, negativo
dentro de uma determinada faixa de valores, isto , ao contrrio dos metais (ou semelhante aos materiais isolantes),
sua condutividade aumenta com a temperatura e a concentrao de portadores de carga no constante, variando em
razo exponencial, o que poder ser observado na Eq. 3.3.2.
Os materiais semicondutores mais conhecidos e usados so o germnio (Ge), o silcio (Si) e o arsenieto de glio
(GaAs). Devido a limitaes de temperatura e capacidade de tenso e corrente do germnio, atualmente h um amplo
predomnio dos dispositivos de silcio, razo pela qual a discusso mais geral neste captulo limitar-se- a este
material. Outros materiais: selnio (Se), glio (Ga), sulfeto de cdmio, fosfeto de ndio e nitreto de glio.
Um tomo de germnio ou silcio isolado possui quatro eltrons na sua rbita
de valncia. Sabe-se porm que, para ser quimicamente estvel, um tomo necessita ligao +4
de oito eltrons na camada de valncia. Os tomos destes elementos podem, ento, covalente
posicionarem-se entre outros quatro tomos, compartilhando um eltron com cada
vizinho (ligao chamada covalente, presente tambm nos plsticos, no diamante,
em cermicas e nos polmeros), obtendo, assim, um total de oito eltrons na rbita de +4 +4 +4
valncia (Fig. 3.2.1). Esta disposio se constitui num slido onde os tomos se
arranjam na configurao chamada cristal (rede cristalina). ons de
Carbono, silcio, germnio e estanho pertencem configurao eletrnica do eltrons de +4 silcio
grupo IV-A da tabela peridica, ou seja, possuem quatro eltrons na camada de valncia
valncia. Apesar desta semelhana, o carbono na forma cristalina (diamante) um
isolante, silcio e germnio no estado slido so semicondutores e o estanho um Fig. 3.2.1: Estrutura
condutor. A razo para a diferena nos comportamentos eltricos est na estrutura de bidimensional de um cristal
bandas de energia: a energia do gap entre as bandas de valncia (BV) e de conduo semicondutor (silcio).
(BC), denominada EG , muito elevada no diamante (EG 6 eV), tem valores
pequenos no germnio (EG = 0,785 eV) e no silcio (EG = 1,21 eV) e inexistncia de gap no estanho (EG = 0 eV).
37
CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores

3.3) FENMENOS DE TRANSPORTE EM SEMICONDUTORES

A discusso que se segue limita-se ao silcio devido s razes discutidas anteriormente e por discutir.
Como visto no Captulo 1, um cristal condutor (metais), quando submetido a uma ddp, capaz de conduzir
correntes elevadas porque em sua estrutura atmica h eltrons submetidos a uma fraca atrao do ncleo dos tomos
do material, os chamados eltrons livres, pois percorrem nveis de energia elevados.
Para um cristal de silcio, ento, este tambm depende da
energia
metal existncia de eltrons que possam se deslocar dentro do cristal.
BC Contudo, em temperaturas muito baixas ( 0 K), seus eltrons
silcio puro
a T=0K
BV no conseguem se mover (no podem se comportar como carga
o livres) e o silcio comporta-se como isolante (Fig. 3.3.1-a). Isto
2 B
I=0 porque todos os eltrons de valncia esto fortemente presos aos
o
1 B seus tomos, pois fazem parte das ligaes covalentes do
VS bandas totalmente preenchidas material (Fig. 3.3.1-b) e, desse modo, no podem se deslocar
(a) (b) pelo mesmo em resposta a um campo eltrico aplicado, pois no
h rbitas disponveis na banda de valncia. Porm, para uma
Fig. 3.3.1: Conduo no silcio puro a 0 K: temperatura mais elevada (por exemplo, ambiente), a energia
(a) circuito; (b) bandas de energia. trmica recebida pelo cristal quebra ligaes covalentes e
eltrons se deslocam para a banda de conduo, deixando
vacncias na banda de valncia (Fig. 3.3.2-b e c) e possibilitando o silcio conduzir corrente (Fig. 3.3.2-a). Estas
vacncias, que se constituem em ligaes covalente incompletas, so chamadas de lacunas ou buracos. A importncia
do conceito de lacuna que esta se comporta como um portador de carga comparvel ao eltron livre.
Como cada eltron que se desloca para a banda de conduo cria uma lacuna na banda de valncia, o par criado
chamado par eltron-lacuna. Logo, o aumento de temperatura de um semicondutor provoca um aumento da
densidade de pares eltron-lacuna. Assim, devido temperatura, pode-se conseguir um nmero limitado de portadores
de carga livres em um semicondutor.
energia eltron livre
movimento ligao +4
dos eltrons BC covalente desfeita
par
eltron-lacuna
silcio puro BV +4 +4 +4
a T>0K lacuna
o lacuna
I0 2 B
eltron +4

VS 1o B livre

(a) (b) (c)

Fig. 3.3.2: Silcio puro temperatura ambiente: (a) fluxo de eltrons; (b) bandas de energia; (c) cristal de
silcio com ligao covalente desfeita.
Enquanto a energia trmica produzir novos pares eltron-lacuna, outros pares desaparecem como resultado de
recombinaes, isto , eltrons livres voltam BV para ocupar uma rbita disponvel (lacuna). Logo, em um
semicondutor dito intrnseco, como o caso do dito puro, o nmero de lacunas igual ao de eltrons livres. Sendo n
(eltrons livres/cm3) a concentrao de eltrons livres e p (lacunas/cm3) a concentrao de lacunas, tem-se ento que:
n = p = ni (3.3.1)
onde ni a chamada concentrao intrnseca (concentrao de pares eltron-lacuna num semicondutor intrnseco).
Assim, um aumento de temperatura em um semicondutor provoca um aumento em sua concentrao intrnseca.
Como a condutividade eltrica , como visto no Captulo 1, proporcional concentrao de eltrons livres (Eq. 1.3.6),
a condutividade do semicondutor puro aumenta com o aumento da temperatura (como j dito, seu coeficiente de
temperatura da resistividade negativo), devido ao aumento na sua concentrao intrnseca. Tal comportamento
expresso pela seguinte equao:
EGO

ni2 = Ao T 3 e K B T (3.3.2)
-6 -3
onde Ao (cm K ) uma constante do material independente da temperatura, EGO (eV) a largura da banda proibida a
0 K (ou a energia necessria para desfazer a ligao covalente) e KB (eV/K) a constante de Boltzmann.
Na temperatura ambiente, um cristal de silcio puro praticamente no tem portadores livres se comparado ao de
germnio. Esta a razo principal que fez o silcio tornar-se superior ao germnio na fabricao de componentes
semicondutores, pois significa que o silcio tem menor dependncia da temperatura em relao ao germnio.
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CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores
As lacunas em um semicondutor tambm produzem corrente. Seja um bloco de silcio temperatura ambiente
submetido a uma ddp, que gera um campo eltrico em seu interior. Atravs dos eltrons livres originados por quebra
das ligaes covalentes pela energia trmica, haver uma conduo de corrente na banda de conduo que se
assemelha conduo nos metais. As lacunas tambm se locomovem devido a esta ddp, porm em sentido contrrio.

energia eltrons da BC eltrons da BC

BC - - - - - - - - - - - - - -
- - - - - - - + + + + +
E
eltrons da BV lacunas na BV
BV
A B C D VS VS
(a) (b) (c)

Fig. 3.3.3: (a) diagrama de energia da corrente de lacunas; (b) e (c) dois trajetos para a corrente.

Seja uma lacuna criada por energia trmica, representada na Fig. 3.3.3-a com a letra A. Quando uma ligao
est incompleta de modo a existir uma lacuna, apenas uma pequena variao de energia fornecida por um campo
eltrico pode fazer um eltron de um tomo de valncia vizinho (representado em B) deslocar-se para esta lacuna e
deixar sua ligao covalente incompleta em B, gerando uma lacuna. Logo, o mesmo pode acontecer ao eltron em C
que, ao preencher a lacuna em B, cria uma lacuna em C e assim sucessivamente. Desse modo, as lacunas se movem
no sentido contrrio aos dos eltrons da BV (Figs. 3.3.3-b e c). Portanto, as lacunas, no lugar dos eltrons da BV,
podem ser tratadas como partculas clssicas de carga positiva e, assim como os eltrons da BC, tambm consideradas
portadores de carga livres. Tal comportamento das lacunas pode ser verificado pelo Efeito Hall, visto mais adiante.
Assim, pelo fato de haver lacunas nas rbitas de valncia, h dois percursos ao longo do qual os eltrons podem
se deslocar dentro do cristal: bandas de valncia e conduo (Figs. 3.3.3-a e b), com as lacunas no sentido contrrio
(Fig. 3.3.3-c). Portanto, entende-se que o semicondutor possui dois tipos de portadores de carga e oferece dois trajetos
de corrente para os mesmos: um atravs da banda de conduo, formado pelos eltrons livres, e outro atravs da
banda de valncia, formado pelas lacunas. Este o principal motivo dos semicondutores serem diferentes dos metais.
Como visto no Captulo 1, a densidade de corrente de conduo J em um material condutor proporcional ao
campo eltrico E aplicado ao mesmo, isto , J = E, onde a condutividade do material. Como tanto os eltrons
como as lacunas contribuem para o processo da conduo em um semicondutor, a expresso da condutividade para
estes materiais a uma temperatura acima de 0 K ampliada de modo a contemplar ambos os portadores, ou seja:
= n e n + p e p = e (n n + p p ) ( S / m) (3.3.3)
onde o sinal de soma dos produtos das concentraes de eltrons livres (n) e lacunas (p) com as mobilidades dos
eltrons livres (n) e lacunas (p) devido ao fato que os portadores movem-se em sentidos contrrios mas possuem
cargas opostas. A expresso da densidade de corrente de conduo agora expressa por:
J = E J = e (n n + p p ) E ( A / m2 ) (3.3.4)
mas, como nos semicondutores intrnsecos, n = p = ni (Eq. 3.3.1), tm-se ento que:
= e ni ( n + p ) J = e ni ( n + p ) E (A / m2 ) (3.3.5)
A Tab. 3.3.1 a seguir mostra algumas propriedades do silcio puro.

PROPRIEDADE VALOR PROPRIEDADE VALOR

nmero atmico 14 concentrao de tomos do cristal (cm-3) 5 x 1022
massa especfica (g/cm3) 2,33 2
constante de difuso de eltrons livres Dn a 300 K (cm /s) 34
constante Ao (cm-6 K-3) 5,23 x 1035 2
constante de difuso de lacunas Dp a 300 K (cm /s) 13
EGO (EG a 0 K) em eV 1,21 mobilidade das lacunas - p a 300 K (cm2/V s) 500
EG a 300 K em eV 1,12 mobilidade dos eltrons - n a 300 K (cm2/V s) 1300
-3
constante dieltrica 11,9 concentrao intrnseca ni a 300 K (cm ) 1,5 x 1010
Tab. 3.3.1: Algumas propriedades do silcio puro

Observa-se pela Tab. 3.3.1 que a densidade (concentrao) de tomos por cm3 no silcio da ordem de 1022,
mas temperatura ambiente (300 K) a concentrao intrnseca de portadores ni da ordem de 1010 portadores livres
por cm3. Isto significa dizer que apenas um tomo de silcio em cada 1012 tomos do material contribui com um
eltron livre (e, conseqentemente, uma lacuna). Desse modo, esta concentrao intrnseca de portadores mais
prxima da que se verifica num isolante. Tal fato pode ser verificado pela grande resistividade do silcio puro na
temperatura ambiente, calculada a seguir:
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CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores

Da Eq. 3.3.5 : 300 K = e ni 300 K ( n 300 K + p 300 K ) = 1,6 10 19 1,5 1010 (1300 + 500)
300 K = 4,32 10 6 S / cm = 4,32 10 4 S / m
1 1
Logo : 300 K = = = 2314 m 2300 m
300 K 4,32 10 4
Por estes clculos verifica-se, ento, que a resistividade do silcio puro na temperatura ambiente (300K) bem
elevada. Este problema exemplificado de outra maneira no exerccio a seguir.

EXERCCIO 3.3.1: Seja uma barra de silcio puro de comprimento 5 mm e 0,01 mm2 de seo transversal.
Determine a ddp entre as suas extremidades quando no mesmo se mede uma corrente de 1A a 300 K.
SOLUO
Seja Rb,300 K a resistncia CC da barra de silcio a 300 K. Do Captulo 1, sabe-se que: Rb,300 K = 300K l/A, onde,
do clculo acima, 300K = 2300 m e, do problema, que l = 5 mm = 5 x 10-3 m e A = 0,01 mm2 = 10-8 m2.
Seja Vb a ddp nos terminais da barra e I = 10-6 A sua corrente. Aplicando a Lei de Ohm na barra, tem-se ento:
l 5 10 3 6
Vb = Rb , 300 K I Vb = 300 K I = 2300 10 Vb = 1150 V
A 10 8

O resultado obtido neste exemplo indica que ser necessria uma tenso extremamente elevada (1150 V) para
produzir uma pequena corrente (1 A) no silcio. Assim, para a maioria das aplicaes, em um semicondutor
intrnseco no h portadores de carga livres nem causas suficientes para produzir uma corrente utilizvel. A soluo
consiste, ento, em elevar a condutividade do semicondutor intrnseco, introduzindo-se no mesmo, tomos de certas
impurezas para aumentar a quantidade de um dos tipos de portadores livres. Tal assunto visto a seguir.

3.4) O SEMICONDUTOR EXTRNSECO

Quando em um cristal semicondutor puro so introduzidas impurezas tal que produza um predomnio de um
portador de carga, este passa a ser denominado semicondutor extrnseco. Este expediente, chamado dopagem, tem a
funo de aumentar a condutividade do material semicondutor puro e diminuir sua dependncia com a temperatura. A
dopagem consiste na introduo, por processo tecnolgico delicado e sofisticado, de tomos de impurezas com teor
cuidadosamente controlado para produzir a perfeita difuso destas impurezas no semicondutor.
As impurezas so tomos trivalentes ou pentavalentes que, quando introduzidas, estabelecem um semicondutor
com predomnio de uma espcie de portador de carga, eltron livre ou lacuna. Para o silcio, o nvel usual de dopagem
da ordem de 1 tomo de impureza por 106 a 108 tomos de silcio. Assim, a maioria das propriedades fsicas e
qumicas so essencialmente as do silcio e apenas suas propriedades eltricas mudam acentuadamente.
De acordo com as impurezas dopadas no semicondutor intrnseco, obtm-se os semicondutores extrnsecos
denominados tipo P (predomnio de lacunas) e tipo N (predomnio de eltrons livres), vistos a seguir.

3.4.1) SEMICONDUTOR TIPO N

Dopando-se tomos pentavalentes (tomos com 5 eltrons na banda de valncia) em um cristal de silcio
intrnseco, pode-se aumentar o nmero de eltrons na banda de conduo deste material. Isto acontece porque o tomo
de impureza pentavalente forma quatro ligaes covalentes com quatro tomos de silcio vizinhos, atingindo oito
eltrons na sua banda de valncia e se tornando estvel. Como a banda de valncia est totalmente ocupada, o quinto
eltron do tomo pentavalente pode, ento, percorrer uma rbita disponvel na banda de conduo (Fig. 3.4.1-a).
Os tomos pentavalentes so chamados freqentemente de impurezas doadoras ou tipo N porque eles produzem
eltrons na banda de conduo. Exemplo de impurezas doadoras so o arsnio (As), o antimnio (Sb) e o fsforo (P).
Quando impurezas doadoras so adicionadas a um semicondutor intrnseco, nveis de energia permitidos so
introduzidos bem prximos da banda de conduo (Fig. 3.4.1-b). O quinto eltron do tomo pentavalente pode, ento,
ocupar este nvel. Como a energia necessria para retir-lo do tomo, da ordem de 0,05 eV no silcio, bem menor
que a requerida para desfazer a ligao covalente ( 1,1 eV), o mesmo pode facilmente ser ionizado.
O silcio dopado com doadores , dessa forma, conhecido como semicondutor tipo N. As impurezas tipo N no
s aumentam o nmero de eltrons livres como faz decrescer a quantidade de lacunas que havia no semicondutor
intrnseco, porque h uma maior taxa de recombinao devido maior presena de eltrons livres. Devido a este fato,
em semicondutores tipo N chama-se os eltrons livres de portadores majoritrios e as lacunas de portadores
minoritrios. A Fig. 3.4.1-c mostra as bandas de energia de um cristal dopado com impureza doadora. Nota-se, ento,
um grande nmero de eltrons na banda de conduo, produzido principalmente pela dopagem, e um nmero
comparativamente bem menor de lacunas na banda de valncia, criadas pela energia trmica.
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CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores

eltron
livre
energia energia
+4
BC BC
0,05 eV
+4 +5 +4 eltron
EG lacuna livre
nvel de
on energia
+4 pentavalente BV doador BV

(a) (b) (c)

Fig. 3.4.1: Cristal tipo N de silcio: (a) criao de eltrons livres na rede cristalina do silcio; (b) bandas de
energia; (c) predominncia de eltrons livres em relao s lacunas geradas por efeito trmico.

3.4.2) SEMICONDUTOR TIPO P

Dopando-se tomos trivalentes (tomos com trs eltrons na BV) em um cristal de silcio intrnseco, pode-se
aumentar o nmero de lacunas na BV deste material. Isto porque o tomo de impureza trivalente forma trs ligaes
covalentes com trs tomos de silcio vizinhos, atingindo sete eltrons na BV. Logo, resta uma ligao covalente
incompleta, ou seja, h a ausncia de um eltron (Fig. 3.4.2-a), o que se constitui numa lacuna.
Os tomos trivalentes so chamados freqentemente de impurezas aceitadoras ou tipo P, porque produzem
lacunas na banda de valncia. Exemplo de impurezas aceitadoras so o alumnio (Al), o boro (B) e o glio (Ga).
Quando impurezas aceitadoras so adicionadas ao semicondutor intrnseco, nveis de energia so introduzidos
bem prximos da banda de valncia (Fig. 3.4.2-b). Visto que pequena quantidade de energia necessria para um
eltron deixar a BV e ocupar este nvel aceitador (0,05 eV para o silcio), segue-se que as lacunas gerada na BV por
esses eltrons constituem o maior nmero de portadores no material semicondutor.
O silcio dopado com aceitadores , dessa forma, conhecido como semicondutor tipo P. As impurezas tipo P
tambm no s aumentam o nmero de lacunas como faz decrescer a quantidade de eltrons livres existentes no
semicondutor intrnseco, pois h tambm uma maior taxa de recombinao devido maior presena de lacunas. Logo,
em semicondutores tipo P chama-se os eltrons livres de portadores minoritrios e as lacunas de portadores
majoritrios. A Fig. 3.4.2-c mostra as bandas de energia de um cristal dopado com impureza aceitadora. Nota-se,
ento, um grande nmero de lacunas na banda de valncia, produzido principalmente pela dopagem, e um nmero
comparativamente bem menor de eltrons livres na banda de conduo, criadas pela energia trmica.

on energia energia
+4 nvel de
trivalente
BC energia
aceitador BC
+4 +3 +4 eltron
EG
livre
0,05 eV
lacuna ligao
+4 BV BV
covalente no
completada
lacuna
(a) (b) (c)

Fig. 3.4.2: Cristal tipo P de silcio: (a) criao de lacunas na rede cristalina do silcio; (b) bandas de
energia; (c) predominncia de lacunas em relao aos eltrons livres gerados por efeito trmico.

3.4.3) RESISTNCIA DE CORPO

A resistncia de um semicondutor chamada resistncia de corpo. Ela obedece a Lei de Ohm, isto , a tenso
aplicada mesma proporcional corrente eltrica que a percorre, atravs de uma constante dependente da
temperatura, que sua resistncia. Como, quanto maior a dopagem, mais portadores livres so criados, ento tem-se
que a resistncia de corpo do semicondutor extrnseco diminui com a dopagem.
41
CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores

3.4.4) LEI DA AO DE MASSAS

Pelo exposto anteriormente nota-se que, adicionando-se impurezas tipo N, esta decresce o nmero de lacunas e,
de maneira anloga, adicionando-se impurezas tipo P, esta diminui o nmero de eltrons livres abaixo da existente em
um semicondutor puro. Porm, em condies de equilbrio trmico, isto , de criao de pares eltron-lacuna
constante, verifica-se por anlise terica que, qualquer que seja a dopagem, o produto das concentraes de cargas
livres (eltrons n e lacunas p) sempre igual ao produto das concentraes de cargas livres do semicondutor puro, isto
, igual ao quadrado da concentrao intrnseca ni (pois, como visto, n = p = ni para o semicondutor intrnseco). Logo,
o produto das concentraes de cargas livres uma constante independente da quantidade da dopagem de impurezas
doadoras ou aceitadoras. Esta relao chamada Lei da Ao de Massas, sendo definida, ento, por:
n p = ni2 (3.4.1)
onde a concentrao intrnseca ni , como visto, funo da temperatura (Eq. 3.3.2). Esta sentena vlida, portanto,
tambm para qualquer semicondutor intrnseco (por exemplo, o puro), pois n = p = ni para este semicondutor.
Logo, nos semicondutores extrnsecos tem-se que n p, pois h predominncia de um dos tipos de portadores
de carga (eltrons livres nos semicondutores tipo N e lacunas nos tipo P), mas o produto das concentraes obedece a
Lei da Ao de Massas. Contudo, como ser visto a seguir com a definio das concentraes de portadores em um
semicondutor extrnseco atravs da Lei da Neutralidade de Carga, a predominncia de um tipo de portador far com
que a dopagem de um semicondutor extrnseco aumente bastante sua condutividade, pois passa a ter concentrao de
portadores mais prxima dos condutores, mesmo obedecendo a Lei da Ao de Massas.

3.4.5) CONCENTRAO DE PORTADORES EM SEMICONDUTORES EXTRNSECOS

Seja um cristal semicondutor isolado e uniformemente dopado com ND tomos doadores e NA tomos
aceitadores. Logo, tem-se que ND (tomos/cm3) a concentrao de tomos doadores e NA (tomos/cm3) a
concentrao de tomos aceitadores do semicondutor. Aps um tomo doador ceder um eltron, este se torna um on
positivo, assim como, aps um tomo aceitador receber um eltron, este se torna um on negativo. Para temperaturas
normais de uso (em torno de 300 K) estas impurezas esto praticamente ionizadas, e produzem, ento, uma densidade
ND de ons positivos e uma densidade NA de ons negativos. Porm, um cristal isolado deve manter sua neutralidade
eltrica e, assim, deve-se ter que a concentrao de cargas positivas totais (lacunas + ons positivos) deve igualar-se
concentrao de cargas negativas totais (eltrons livres + ons negativos), ou seja:
ND + p = NA + n (cm 3 ) (3.4.2)
Como em um semicondutor extrnseco, n p, adicionar-se- os ndices N e P para caracterizar o tipo de
material. Logo, a Eq. 3.4.2 reescrita para cada tipo de semicondutor extrnseco:
N D + pN = N A + nN (cm 3 ) (3.4.3)
para o semicondutor tipo N. Para o semicondutor tipo P ser:
N D + p P = N A + nP (cm 3 ) (3.4.4)
Considere-se agora um material tipo N. Como nesse tipo de semicondutor no h impurezas aceitadoras (NA =
0) e o nmero de eltrons livres muito maior que a quantidade de lacunas (nN >> pN ), a Eq. 3.4.3 reduz-se a:
nN N D (3.4.5)
isto , num material tipo N, a concentrao de eltrons livres aproximadamente igual concentrao de tomos
doadores. A concentrao de lacunas no material tipo N pode, ento, ser obtida pela Lei da Ao de Massas, ou seja:
ni2 ni2
n p = ni2 n N p N = ni2 pN = ou pN = (3.4.6)
nN ND
Logo, como nN >> pN , tem-se que as expresses da condutividade eltrica (Eq. 3.3.3) e da densidade de
corrente de conduo (Eq. 3.3.4) para o material tipo N passam a contemplar apenas os eltrons livres, isto :
n = e nN n e J n = e nN n E (3.4.7)
onde n a condutividade eltrica do material tipo N e Jn a densidade de corrente de conduo de eltrons livres.
Analogamente, para um semicondutor tipo P, onde ND = 0 e pP >> nP , tem-se, da Eq. 3.4.4, que:
pP N A (3.4.8)
e desse modo, pela Lei da Ao de Massas, a concentrao de eltrons livres no material tipo P ser:
ni2 ni2
nP = ou nP = (3.4.9)
pP NA
Como pP >> nP, tem-se neste caso que as expresses da condutividade eltrica (Eq. 3.3.3) e da densidade de corrente
de conduo (Eq. 3.3.4) para o material tipo P passam a contemplar apenas as lacunas, isto :
p = e pP p e J p = e pP p E (3.4.10)

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CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores
onde p a condutividade eltrica do material tipo P e Jp a densidade de corrente de conduo de lacunas.
O exemplo a seguir mostra a eficcia dos semicondutores extrnsecos nos dispositivos eletrnicos. Neste
exemplo ser considerada uma amostra tipo N com iguais dimenses e mesma corrente eltrica que se considerou no
silcio puro mostrado no exerccio 3.3.1.

EXERCCIO 3.4.1: Uma amostra de silcio tipo N a 300 K, de comprimento 5 mm e 0,01 mm2 de seo transversal,
percorrida por uma corrente eltrica de 1 A. A dopagem feita nesta amostra de 1 tomo de impureza doadora por
108 tomos de silcio. Determine a ddp na amostra.
SOLUO
Da Tab. 3.3.1 tem-se que a concentrao de tomos do cristal de silcio de 5 x 1022 tomos/cm3. Como a dopagem
feita no material consiste em 1 tomo de impureza por 108 tomos de silcio, ento a concentrao de tomos
doadores ser de 5 x 1014 tomos/cm3, isto : ND = 5 x 1014 tomos/cm3. Logo:
- Da Eq. 3.4.5: nN = 5 x 1014 eltrons livres/cm3

- Da Eq. 3.4.6: pN = i =
n2 ( )2
1,5 1010
= 4,5 10 5
lacunas
14
nN 5 10 cm 3
10 3
onde ni a 300 K 1,5 x 10 portadores/cm (Tab. 3.3.1).
Observando-se que nN >> pN, pode-se entender que a condutividade depender apenas da concentrao de eltrons
livres. Considerando constante o valor da mobilidade dos eltrons (n) a 300 K, dado na Tab. 3.3.1, tem-se:
- Da Eq. 3.4.7 : n , 300 K = e n N n , 300 K = 1,6 10 19 5 1014 1300
n , 300 K = 0,104 S / cm = 10,4 S / m n, 300 K = 0,09615 m
Pode-se observar que a condutividade desta amostra consideravelmente maior que a do silcio puro calculado
anteriormente (4,32 x 10 -4 S/m). A razo entre ambos de:
n, 300 (amostra extrnseca ) 10,4
= 24000
300 (amostra intrnseca ) 4,32 10 4
Utilizando-se a Lei de Ohm para o clculo da ddp na amostra de silcio tipo N, tem-se:
l 5 10 3 6
Vb = Rb , 300 K I Vb = n, 300 K I = 0,09615 10 Vb = 48,1 m V
A 10 8
Este resultado muito menor que o obtido para a amostra pura, pois, como as dimenses da mesma e condio de
corrente so iguais s do Exerccio 3.3.1, tem-se que a razo entre os mesmos de:
ddp (amostra intrnseca ) 1150
= 24000
ddp (amostra extrnseca ) 0,0481

A comparao deste resultado com o obtido no Exerccio 3.3.1 mostra que, para se gerar uma pequena corrente
de 1 A deve-se aplicar 1150 V amostra pura, enquanto que a amostra extrnseca tipo N requer apenas 48,1 mV.
Alm disso, como demonstrada no exemplo, esta reduo de tenso, num fator de 24000, iguala exatamente ao
acrscimo na condutividade. Logo, o enorme aumento da quantidade de eltrons livres, n = ni = 1,5 x 1010 cm-3 do
semicondutor intrnseco a 300 K (Tab. 3.3.1) para nN = 5 x 1014 cm-3 obtido neste exemplo, acontece quando apenas 1
tomo de silcio em 108 tomos substitudo por um tomo de impureza.

Comentrio: Se em um cristal tipo P, com concentrao NA de tomos aceitadores, for acrescentada ND impurezas
doadoras, tal que ND > NA , o cristal passa de tipo P para tipo N e vice-versa. Se ambas as dopagens forem iguais, o
semicondutor permanece intrnseco (porm no mais puro) porque eltrons livres e lacunas gerados pela dopagem se
combinam, no originando portadores adicionais. Logo, sobre uma amostra de determinado tipo, pode-se criar ilhas
do outro tipo e assim sucessivamente. Este fato amplamente aproveitado na construo dos circuitos integrados.

3.4.6) VARIAES DE PROPRIEDADES COM A TEMPERATURA DEVIDO DOPAGEM

Como visto, a condutividade de um semicondutor depende da concentrao e da mobilidade dos eltrons e

lacunas. Logo, o estudo das variaes destes parmetros com a temperatura em semicondutores extrnsecos
importante porque os dispositivos semicondutores sujeitam-se a uma vasta gama de temperaturas de operao:
1) Concentrao intrnseca ni : atravs da equao da concentrao intrnseca (Eq. 3.3.2), nota-se que o aumento de
ni2 com a temperatura tambm exerce efeito sobre as densidades de carga nos semicondutores extrnsecos por
causa da Lei da Ao de Massas (Eq. 3.4.1). Por exemplo, considere-se uma amostra tipo N com uma
concentrao de doadores ND. Neste semicondutor, quase todos os portadores de carga so eltrons livres
(portadores majoritrios) porque as impurezas tipo N contribuem aproximadamente com todos os portadores de
carga (eltrons livres). Quando esta amostra submetida a um aumento de temperatura, a energia trmica cria
43
CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores
pares eltron-lacuna, o que ocasiona um aumento substancial no nmero de lacunas (portadores minoritrios), mas
no de eltrons livres. Como a concentrao intrnseca ni depende deste aumento de temperatura, o aumento em ni
devido aos portadores minoritrios (lacunas - pN) pois o nmero de eltrons livres (nN) permanece praticamente
constante (nN ND), obedecendo a Lei da Ao de Massas. Analogamente, nos semicondutores tipo P, pequenas
subidas de temperatura elevam nP e verifica-se que pP NA permanece constante.
2) Mobilidade dos portadores de carga (n e p): a elevao da temperatura (aumento da energia trmica) cria
novos portadores e aumenta a agitao trmica, o que origina um maior nmero de colises, com conseqente
diminuio das mobilidades dos portadores de carga. Tipicamente, para uma variao da temperatura entre 100 e
400 K, a variao das mobilidades dos eltrons livres (n) proporcional a T -2,5 e, das lacunas (p), T -2,7.
3) Condutividade (): a condutividade de um semicondutor puro cresce com o aumento da temperatura porque o
incremento de pares eltron-lacuna maior que a diminuio das mobilidades. Nos semicondutores extrnsecos,
porm, na faixa de temperaturas entre 100 e 600 K, a quantidade de portadores majoritrios , como visto,
praticamente constante devido dopagem, mas a reduo da mobilidade origina um decrscimo da condutividade
com a temperatura. A dopagem, portanto, faz o semicondutor extrnseco adquirir caractersticas de temperatura
mais prxima dos materiais condutores, pois, como visto no Captulo 1, a condutividade aumenta para materiais
isolantes e diminui para materiais condutores.

3.4.7) O EFEITO HALL

Chama-se Efeito Hall o fenmeno do aparecimento de um campo eltrico induzido E quando um metal ou
semicondutor, conduzindo uma corrente eltrica I, imerso em um campo magntico de induo B uniforme e
transversal corrente I. Esse campo eltrico surge perpendicularmente ao plano B-I e tem como finalidade
restabelecer o estado de equilbrio que foi alterado pela ao das linhas de induo sobre o fluxo de portadores. O
surgimento deste campo eltrico discutido a seguir:
(corrente formada (corrente formada
z z
G G G G z majoritariamente por eltrons livres) majoritariamente por lacunas)
G G
Fmag = -e (- v ) x B = e v x B G G G G Fmag = e v x B
Fmag = -e (- v ) x B = e v x B lacuna
face 2 face 2 face 2

VH VH
VH
E E
d E face 1
v B y y
face 1 v w B y face 1 B
v
I Condutor SC Tipo N
I I SC Tipo P
x x
x
(a) (b) (c)

Fig. 3.4.3: Efeito Hall em: (a) condutores; (b) amostra tipo N; (c) amostra tipo P.
Da Eletrodinmica sabe-se que, quando uma carga q em movimento com velocidade v atravessa um campo
magntico uniforme de induo B transversal a v, surge uma fora magntica Fmag na carga proporcional ao produto
vetorial entre v e B e perpendicular ao plano v-B. Seja, ento, uma amostra de material condutor percorrida, no sentido
convencional, por uma corrente I na direo positiva do eixo x e mergulhada em um campo magntico de induo B
na direo positiva do eixo y (Fig. 3.4.3-a). Desse modo, os portadores de carga do condutor estaro sujeitos a uma
fora magntica Fmag . Como em condutores a corrente formada por eltrons livres, cujo sentido contrrio ao
convencional, e, sendo q = carga do eltron = - e, o sentido da fora magntica Fmag nos portadores de carga o
mostrado na Fig. 3.4.3-a (sentido positivo do eixo z). A fora magntica provoca, ento o deslocamento dos eltrons
para a face 2 da amostra, deixando a face 1 carregada positivamente. Esta separao de cargas opostas origina uma
diferena de potencial VH , como resultado de um campo eltrico E que surge entre as cargas (Fig. 3.4.3-a). O
surgimento do campo eltrico chamado Efeito Hall, sendo a ddp VH conhecida como tenso ou fem de Hall.
Como nos semicondutores tipos P e N os portadores majoritrios (lacunas e eltrons livres, respectivamente)
tm sinais contrrios, o Efeito Hall pode ser empregado na determinao do tipo de semicondutor . Seja, ento, uma
amostra de material semicondutor de tipo desconhecido, atravessada por uma corrente I no sentido positivo de x e
colocada em um campo magntico de induo B no sentido positivo de y. Assim, analisando-se as Figs. 3.4.3 -b e c
observa-se que seus portadores de carga estaro sujeitos a uma fora magntica no sentido positivo de z,
independentemente da amostra ser tipo N ou P, isto , independente do tipo de portador de carga que compe a
corrente no semicondutor. Logo, atravs da ddp de Hall entre as faces 1 e 2 nas amostras se conclui que:
Se a polaridade da tenso de Hall VH positiva na face 1 em relao face 2, ento os portadores de carga so
eltrons livres, o que identifica a amostra de material semicondutor como sendo do tipo N (Fig. 3.4.3-b). Nota-se
que este caso similar ao que ocorre em um condutor (Fig. 3.4.3-a).
44
CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores
Se a polaridade de VH positiva na face 2 ento os portadores de carga so lacunas, o que identifica a amostra
como sendo do tipo P (Fig. 3.4.3-c) e confirma ainda o fato indicado no item 3.3 de que a lacuna se comporta
como um clssico portador de carga livre positivo.
O mdulo do campo eltrico E criado devido ao Efeito Hall pode ser dado por: E = VH /d. Para o equilbrio das
cargas nas faces opostas, este campo eltrico deve submeter estas cargas a uma fora eltrica Fel para contrabalanar a
fora magntica Fmag, tal que: Fel = Fmag e E = e v B v = E/B = VH /(d B). Atravs da definio da densidade de
corrente J, vista no Captulo 1 (J = n e v = I/A, onde A = w d para este caso), e, com base na Fig. 3.4.3-b, tem-se que:
I V I B I
J = nev = ne H = n =
wd d B wd e w VH
Sabendo-se o valor de w e medindo-se os parmetros I, B e VH , pode-se, ento, calcular o valor da concentrao
da carga n na amostra. Se a condutividade do material da amostra tambm for determinada, atravs do simples
emprego da relao = l/(R A), onde R a resistncia da amostra, l seu comprimento e A = w d a rea da seo
transversal corrente, pode-se determinar tambm a mobilidade n das cargas pela relao: n = / (n e).

3.5) DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES PUROS

Como visto anteriormente, a condutividade de um semicondutor proporcional concentrao de portadores

livres (Eq. 3.3.3) e, ainda, que a mesma pode ser aumentada pelo acrscimo destes portadores. No entanto, devido
excessiva sensibilidade temperatura do semicondutor puro (por exemplo, a condutividade do silcio puro aumenta
aproximadamente 8% por grau de temperatura), acrescido ao fato da mobilidade dos eltrons livres ser maior que a de
lacunas (vide Tab. 3.3.1 para o silcio), no indica o material puro como um bom elemento para o emprego direto nos
circuitos eletrnicos. Isto porque necessita-se de ter o maior controle possvel sobre a corrente que flui nos circuitos
de modo a no haver mudanas na sua performance esperada, problema que pode se potencializar se a condutividade
dos materiais componentes de um circuito se alterar demasiadamente com a temperatura.
Porm, uma exceo feita em circuitos de controle, onde se deseja utilizar componentes sensores constitudos
de materiais em que alguma de suas propriedades fsicas alterada por ao de alguma varivel fsica externa. Como
para se alterar o nmero de pares eltron-lacuna em um semicondutor pode-se utilizar a variao da temperatura
(energia trmica) e mesmo a iluminao sobre o mesmo (energia luminosa), os semicondutores puros so, ento,
explorados em certos dispositivos tipo transdutores. Estes dispositivos so chamados de termistores (sensveis ao
da temperatura) e fotocondutores (sensveis ao da luz), sendo estes ltimos tambm chamados de fotorresistores.
Dessa forma, as propriedades dos semicondutores puros se constituem numa vantagem nestas aplicaes.
Tanto o germnio, quanto o silcio no so utilizados na tecnologia destes componentes porque ambos possuem
impurezas naturais de difcil extrao, sendo bastante dispendiosa sua purificao a um nvel satisfatrio, e porque h
outros semicondutores com maior sensibilidade e capacidade de corrente.

3.5.1) TERMISTORES

Termistores semicondutores (smbolo esquemtico

na Fig. 3.5.1-a) so componentes que se comportam circuito R () curva do termistor isolado
eltrico
como resistores variveis com a temperatura. So a ser
normalmente do tipo NTC, com variao da resistncia compensado
200 curva do
calor paralelo
o
da ordem de 3% por C, sendo muito maiores que os dos 100 termistor-
metais. So, por isso, usados como sensores trmicos ou T T Rparal. resistncia
para compensar variaes de temperatura em circuitos.
So considerados transdutores do tipo que converte -10 10 30 50 T(oC)
energia trmica em eltrica. Termistores so obtidos de (a) (b) (c)
xidos metlicos tais como de nquel, mangans, cobre,
zinco, etc, que fornecem produtos com condutividades Fig. 3.5.1: (a) smbolo esquemtico do termistor;
que crescem rapidamente com a temperatura. (b) compensao trmica de um circuito; (c) exemplo
Um exemplo do emprego dos termistores na de caracterstica resistncia versus temperatura de um
estabilizao do ponto de operao de um circuito paralelo termistor-resistncia.
submetido a grandes variaes de temperatura ambiente,
tais como circuitos eletrnicos que empregam componentes semicondutores, estes bastante sensveis a variaes de
temperatura. So empregados em srie com estes circuitos (Fig. 3.5.1-b) para se obter uma ao compensadora que
neutralize os efeitos da variao trmica ambiente. Se necessrio, utiliza-se ainda um resistor em paralelo com o
termistor (Fig. 3.5.1-b), para ajustar o coeficiente de temperatura do termistor de acordo com o do circuito a ser
compensado. A Fig. 3.5.1-c mostra a ao do ajuste de um paralelo termistor-resistncia.
Os termistores so utilizados tambm como sensores de temperatura em termometria. Duas aplicaes so:
45
CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores
Em rels de proteo de motores. O aquecimento de motores tem correlao com a corrente admissvel, atravs do
Efeito Joule. Desse modo, em caso de sobrecorrente no motor, o sobreaquecimento resultante permite ao termistor
interpretar esta condio adversa e, se necessrio, comandar um circuito eltrico capaz de desligar o motor.
Para medio e controle automtico de temperatura em fornos, motores a exploso e outros casos.

3.5.2) FOTORRESISTORES

Fotorresistores ou fotocondutores so componentes semicondutores que diminuem sua resistividade quando

incide-se sobre o mesmo uma radiao luminosa. A radiao quebra ligaes covalentes, gerando pares eltron-lacuna
em excesso queles gerados termicamente pela temperatura ambiente. Tipicamente, um aumento de iluminamento de
alguns lux em um fotocondutor comercial diminui sua resistncia consideravelmente. O fotocondutor consiste, ento,
em um transdutor do tipo que converte energia luminosa na forma eltrica. Exemplo de fotocondutor o LDR (light
dependent resistor), cujo smbolo esquemtico dado na Fig. 3.5.2.
Da teoria da Fsica Quntica sabe-se que a relao entre o comprimento de onda (m ou ) e a freqncia f
(Hz) de uma onda de radiao eletromagntica dada por:
f = c (3.5.1)
onde c = 299,79 x 10 m/s 3 x 10 m/s a velocidade da onda eletromagntica no vcuo. Sabe-se tambm que, para
6 8

um fton de energia Ef (eV), seu comprimento de onda () pode ser expresso por:
12400
= (3.5.2)
Ef
e que a energia mnima de um fton, necessria para a excitao de um eltron da banda de valncia de certo material,
a energia do gap EG do material. Logo, o comprimento de onda limite C para excitar um eltron da banda de
valncia de certo material ser dada por: C = 12400/EG .
Assim, se o comprimento de onda da radiao excede C ento a energia do fton menor que EG e tal fton
no desloca um eltron de valncia para a banda de conduo, pois, como Ef = 12400/, se > C, ento Ef < EG . Por
este motivo, C chamado comprimento de onda crtico, de corte ou limiar superior do material. Por exemplo, para o
silcio, EG = 1,12 eV a 300 K (Tab. 3.3.1) e, portanto, C 11071 (faixa do infravermelho, Tab. 3.5.1). Portanto,
pode se dizer que um fotocondutor um dispositivo seletivo de freqncia, ou seja, deve existir uma energia mnima
da radiao incidente, e por conseguinte do comprimento de onda, que consiga superar o gap EG do material.

Nomenclatura (m) Nomenclatura () Nomenclatura ()

6 7
energia eltrica 5 x10 infra-vermelho 10 7000 azul 5000 4500
udio-freqncia 3 x106 1,5 x 104 vermelho 7000 6500 violeta 4500 4000
ondas mdias e curtas 600 6 laranja 6500 6000 ultra-violeta 4000 40
FM-TV-VHF-UHF 5 0,5 amarelo 6000 5500 raios X 40 0,1
microondas 0,5 0,001 verde 5500 5000 raios 0,1 10-3
Tab. 3.5.1: Comprimentos de onda de algumas radiaes eletromagnticas

A curva de sensibilidade espectral para o silcio plotado na Fig. 3.5.2 (a faixa de comprimento de onda da luz
visvel indicada pela regio grifada). Observa-se nesta figura que,
75 LDR quando o comprimento de onda diminui ( < C ), a resposta aumenta e
smbolo atinge um mximo de sensibilidade. Logo, a resposta espectral depende
Resposta 50 da radiao incidente. Isto significa que uma certa radiao incidente de
relativa esquemtico
25
C um determinado comprimento de onda no conseguir gerar o mesmo
(%)
nmero de portadores de carga livres com uma igual intensidade de luz
0 de outro comprimento de onda.
4000 8000 11071 ()
Dispositivos fotocondutores comerciais so chamados de clulas
Fig. 3.5.2: Resposta espectral do silcio. fotocondutivas. So utilizados para medir a quantidade de iluminao
(como um medidor de luz), para registrar uma modulao de intensidade
luminosa e ainda como um rel de luz liga-desliga (como em um circuito digital ou de controle).
O dispositivo fotocondutor de maior aplicao a clula de sulfeto de cdmio dopada com uma pequena
quantidade de prata, antimnio ou ndio. As vantagens destes fotocondutores so sua alta capacidade de dissipao
(300 mW), excelente sensibilidade no espectro visvel e baixa resistncia quando estimulados pela luz (em escurido,
em torno de 2 M e com luz forte, menos de 100 ). Podem, ento, controlar, por exemplo, um circuito de vrios
watts operando um rel diretamente, sem circuitos amplificadores intermedirios.
Outros materiais fotocondutores: sulfeto de chumbo, que apresenta um mximo na curva de sensibilidade em
29000 (sendo, ento, usado para deteco ou medidas de absoro de infravermelho), e selnio, que sensvel em
toda faixa do espectro visvel, particularmente perto do azul.
46
CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores

3.6) CORRENTE DE DIFUSO E A JUNO PN

Como visto no Captulo 1, quando submetidos a uma ddp,

p (0) p(x)
os materiais condutores conduzem uma corrente eltrica como
resposta ao campo eltrico gerado pela ddp, chamada corrente de
conduo. Este tipo de corrente necessita, ento, de um campo dp
eltrico para que possa existir. Nos semicondutores, contudo, o dx
transporte de carga eltrica pode ocorrer por meio de, alm de
JDp
uma corrente de conduo, tambm atravs de um mecanismo
denominado difuso, geralmente no existente nos materiais densidade de
corrente de
condutores, e que ocorre devido a uma concentrao no difuso de
uniforme de portadores de carga livres num material. lacunas
Seja, por exemplo, uma amostra de semicondutor tipo P, 0 x x
onde a concentrao p de lacunas varia com a dimenso x do
material (Fig. 3.6.1). Como o vetor gradiente determina o sentido Fig. 3.6.1: Representao de uma amostra de
de crescimento de uma funo com a distncia, nesta amostra tipo P com densidade de lacunas no uniforme.
existe, portanto, um gradiente de concentrao de lacunas dp/dx,
que expressa a variao de lacunas ao longo do material, orientado, desse modo, no sentido negativo do eixo x.
A existncia de um gradiente implica que, numa superfcie imaginria (indicada na Fig. 3.6.1 pela linha
tracejada), a densidade de lacunas no material maior imediatamente antes do que imediatamente a seguir desta
superfcie. Como portador de carga, as lacunas esto em movimento aleatrio devido a sua energia trmica. Portanto,
elas se movimentam de um lado para outro atravs da superfcie. Espera-se ento que, estatisticamente e num
intervalo de tempo, haja mais lacunas a atravessar a superfcie do espao de maior concentrao para o de menor
concentrao do que em sentido contrrio.
Devido diferena de concentrao, ocorre, ento, um transporte resultante de lacunas atravs da superfcie no
sentido positivo de x, que se constitui na chamada corrente de difuso. Esta corrente no se deve repulso entre
cargas de mesmo sinal, mas apenas de um fenmeno estatstico resultado da diferena de concentrao de portadores.
Seja JDp a densidade de corrente de difuso de lacunas. Esta , ento, proporcional ao gradiente da concentrao
dp/dx de lacunas no semicondutor, segundo a relao:
dp
J Dp = e D p (A / m2 ) (3.6.1)
dx
onde e a carga do portador (lacuna, e, portanto, positiva) e Dp (m2/s) chamada constante de difuso das lacunas do
material. O sinal negativo devido ao fato que o gradiente dp/dx negativo (Fig. 3.6.1), pois tem sentido contrrio
direo de x (concentrao p diminui com o aumento de x).
Analogamente, para uma amostra de semicondutor tipo N onde a concentrao n de eltrons livres varia com a
distncia x, a densidade de corrente JDn de difuso dos eltrons livres ser:
dn
J Dn = e Dn (A / m2 ) (3.6.2)
dx
onde Dn a constante de difuso dos eltrons livres do material, sendo JDn , neste caso, positivo no sentido positivo de
x pois a carga e (carga do eltron) e o gradiente de portadores dn/dx so negativos.
Assim como outras variveis dos semicondutores, as constantes de difuso Dn e Dp dependem da temperatura.
Por exemplo, para o silcio a 300 K (Tab. 3.3.1): Dn = 34 x 10-4 m2/s.
Mobilidade e difuso so fenmenos termodinmicos estatsticos, de modo que as constantes de difuso (Dp e
Dn) e as mobilidades das cargas (p e n) no so independentes e esto relacionadas entre si pela Relao de Einstein:
Dp Dn
= = VT (V ) (3.6.3)
p n
onde VT = T/11600 (T = temperatura do material em Kelvins) o chamado potencial termodinmico ou equivalente
volt de temperatura do material. Por exemplo, para a temperatura ambiente (300 K), tem-se que VT = 0,0259 V e,
desse modo, Dn = 0,0259n e Dp = 0,0259p .
Como mencionado, os semicondutores podem conduzir dois tipos de corrente: conduo e difuso. Assim, na
Eq. 3.6.1 pode-se ainda acrescentar uma parcela referente corrente de conduo, que resultado de um gradiente de
potencial no material (o chamado campo eltrico), cuja expresso foi vista na Eq. 3.4.10. Assim, a densidade de
corrente total de lacunas Jp em um semicondutor tipo P, orientada na direo positiva do eixo x, agora expressa por:
dp
J p = e p p E e Dp (A / m2 ) (3.6.4)
dx
Analogamente, da Eq. 3.4.7 tem-se que a densidade de corrente total de eltrons livres Jn para o tipo N ser:
dn
J n = e n n E + e Dn (A / m2 ) (3.6.5)
dx
47
CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores
Como visto, a dopagem de lacunas da amostra de semicondutor mostrado na Fig. 3.6.1 a funo da distncia
x, isto , a dopagem progressiva (no uniforme), podendo haver, ento, uma corrente de difuso. Logo, pela Lei da
Ao de Massas, a densidade de eltrons livres tambm tem de variar com a distncia x.
Considerando equilbrio trmico e que no h injeo de corrente a partir de corrente corrente de
fonte externa (amostra isolada), ento, no pode existir um movimento de carga de difuso conduo
resultante na amostra, havendo somente o movimento aleatrio devido agitao
trmica, isto , a corrente total de lacunas tem de ser nula. Porm, com concentrao
no uniforme, h a tendncia de ocorrer uma corrente de difuso de lacunas no nula. dp dV
Assim, para que a corrente total de lacunas seja zero, dever existir uma corrente de dx dx
lacunas igual e no sentido contrrio (isto , da regio de menor para a de maior
concentrao) para anular a corrente de difuso, que, portanto, no pode ser tambm campo eltrico criado
de difuso. Logo, esta corrente contrria deve necessariamente ser de conduo (Fig. (barreira de potencial)
3.6.2). No entanto, para que possa existir, uma corrente de conduo exige, como
visto, um campo eltrico, isto , um gradiente de potencial. Pode-se concluir, ento, Fig. 3.6.2: Efeitos da
que, em uma amostra semicondutora de dopagem no uniforme, cria-se um campo dopagem no uniforme.
eltrico em seu interior (Fig. 3.6.2) e, conseqentemente, uma ddp (gradiente de potencial) entre dois pontos
V1 V2 quaisquer da amostra, que impede a difuso de lacunas (portadores
majoritrios), isto , a referida ddp funcionar como uma barreira de
p1 p2 potencial para os majoritrios.
Seja, ento, uma amostra de semicondutor isolado com dopagem
dp/dx no uniforme (Fig. 3.6.3), onde a concentrao de lacunas p(x) diminui
E
com a distncia x. Pretende-se agora determinar o campo eltrico criado
0 x1 x2 x
V21 devido dopagem no uniforme e a correspondente variao de potencial.
p1 > p2
Como a amostra est isolada (isto , no h movimento preferencial de
Fig. 3.6.3: Semicondutor com carga), conclui-se que a densidade de corrente de lacunas tem que ser
distribuio no uniforme de lacunas. nula. Assim, fazendo Jp = 0 na Eq. 3.6.4 e usando-se ainda a relao de
Einstein (Eq. 3.6.3), obtm-se:
V dp
E = T (3.6.6)
p dx
onde o campo eltrico resultante E pode ser determinado se conhecida a concentrao de dopagem p(x).
Como o campo eltrico expressa a variao de potencial eltrico V com a distncia x (E = - dV/dx), obtm-se,
da Eq. 3.6.6, uma equao que, integrada desde um ponto qualquer x1 , de concentrao p1 e potencial V1 , at um
ponto qualquer x2 de concentrao p2 e potencial V2 (Fig. 3.6.3), estabelece:
dV V dp dp V2 p2 1
E =
dx
= T
p dx
dV = VT
p
V1
dV = VT
p1 p dp

V21
p
V2 V1 = V21 = VT ln 1 , ou p1 = p 2 e VT (3.6.7)
2
p
onde nota-se que a diferena de potencial entre os dois pontos x1 e x2 depende apenas da concentrao de lacunas
nestes dois pontos e independente da distncia entre os mesmos (x2 - x1).
Analogamente, fazendo-se Jn = 0 na Eq. 3.6.5 e procedendo-se como anteriormente tem-se:
V21
n
V21 = VT ln 2 , ou n1 = n 2 e VT
(3.6.8)
n1
A multiplicao das Eqs. 3.6.7 e 3.6.8 resulta: n1 p1 = n2 p2. Assim, desde que se mantenha as condies de
equilbrio, o produto n p constante e independente de x e do nvel de dopagem (Lei da Ao de Massas.).
Considere-se agora o caso particular mostrado na Fig. 3.6.4, chamado
juno PN cristal PN. A regio esquerda do cristal de semicondutor tipo P (chamado
agora de substrato ou regio P), com uma concentrao de tomos
substrato P substrato N aceitadores NA uniforme, e a regio direita do tipo N (substrato ou regio
N), com uma concentrao de tomos doadores ND tambm uniforme. Nota-
se, ento, que a concentrao de portadores livres varia bruscamente do lado
p1 p2
P para o lado N na juno dos dois substratos. Esta fronteira entre os
NA ND substratos recebe a denominao de juno PN (Fig. 3.6.4) e se constitui na
chamada juno abrupta.
x1 V21 = Vo x2 x Pode-se notar, ento, que este caso particular constitui-se tambm em
V1 V2 uma diferena de concentrao de portadores, pois, entre um ponto qualquer
x1 no substrato P e um ponto qualquer x2 no substrato N h uma diferena de
Fig. 3.6.4: O cristal PN. concentrao de portadores (Fig. 3.6.4), pois, como visto, eltrons livres so
portadores minoritrios no lado P e majoritrios no lado N e lacunas so
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CAPTULO 3: Introduo Teoria dos semicondutores
majoritrios no lado P e minoritrios no lado N. Portanto, como visto, a teoria mostra que surge uma ddp (barreira de
potencial) entre estes dois pontos, agora chamada de potencial de contato Vo.
Assim, considerando, por exemplo, na Eq. 3.6.7 que p1 = NA (lacuna majoritrio no lado P - Eq. 3.4.8) e que
p2 = ni2/ND (lacuna minoritrio no lado N - Eq. 3.4.6), tem-se que o potencial de contato Vo ser dado por:
N N
V21 = Vo = VT ln A 2 D (3.6.9)
ni
Analogamente, para o caso dos eltrons livres, considera-se na Eq. 3.6.8 que n1 = ni2/NA (lado P - Eq. 3.4.9) e
que n2 = ND (lado N - Eq. 3.4.5), tem-se que o potencial de contato Vo ser dado por:
N N
Vo = VT ln A 2 D
ni
que o mesmo resultado da Eq. 3.6.9, como teria de se esperar.
Logo, a diferena de concentraes de portadores em um cristal PN provoca uma diferena de potencial Vo
entre os substratos, que impede, no cristal PN isolado, a difuso de majoritrios atravs da juno PN, isto , funciona
como uma barreira do tipo potencial para os majoritrios. Logo, conclui-se ento que os portadores majoritrios s
conseguiro se difundir atravs da juno PN se for aplicado uma ddp que vena a barreira de potencial Vo.
Assim, como ser novamente discutido no Captulo 4, o efeito desta barreira de potencial permite que o cristal
PN conduza bem corrente no sentido P N (sentido convencional), porque a corrente resultante ser constituda por
portadores majoritrios, e praticamente no o faa no sentido contrrio, porque a corrente resultante ser constituda
por portadores minoritrios, ou seja, dependendo de sua polarizao, o cristal PN funciona em dois modos distintos:
conduo-no conduo, o que ser chamado de funo retificadora.
Com este simples efeito, a juno PN tornou-se a base construtiva de quase todos os dispositivos eletrnicos,
pois empregada na construo de inmeros componentes e diversos dispositivos semicondutores, tais como diodos e
transistores, assuntos discutidos nos prximos captulos, alm de circuitos integrados, tiristores, etc.
Assim, a condio de equilbrio, definida pelo anulamento da corrente de lacunas ou eltrons livres resultantes,
permite calcular o nvel da barreira de potencial Vo em termos das concentraes de doadores e aceitadores, atravs da
Eq. 3.6.9, o que exemplificado a seguir.

EXERCCIO 3.6.1: Calcule o valor da barreira de potencial Vo numa juno PN a 300 K, considerando ambas as
regies P e N de silcio com dopagens iguais de 1 tomo de impureza por 108 tomos de silcio.
SOLUO
Da Tab. 3.3.1 tem-se: concentrao intrnseca ni = 1,5 x 1010 portadores/cm3
concentrao de tomos no cristal de silcio = 5 x 1022 tomos/cm3
Se a dopagem de 1 tomo de impureza para 108 tomos de silcio, ento a concentrao de tomos doadores (para o
substrato N) e aceitadores (substrato P) de 5 x 1014 tomos/cm3, ou seja, ND = NA = 5 x 1014 tomos/cm3.
Logo, da Eq. 3.6.9 tem-se:
N N N N 5 1014 5 1014
ln
T 300
Vo = VT ln A 2 D = ln A 2 D =
n i 11600 n i 11600 (
1,5 10 )
10 2

Vo 0,54 V
que um resultado coerente, pois os valores tpicos da barreira de potencial a 300 K para um cristal PN de silcio
esto entre 0,5 e 0,7 V (para um cristal PN de germnio, os valores tpicos situam-se em torno de 0,2 V).

QUESTES

1) Comente sobre os materiais semicondutores em geral.

2) Explique o conceito de lacuna e como ocorre a conduo em um semicondutor.
3) Qual o propsito da dopagem?
4) Comente sobre os semicondutores tipo N e tipo P.
5) Explique a Lei da Ao de Massas.
6) Explique o Efeito Hall e o que se pode determinar com ele.
7) Comente sobre os termistores e os fotocondutores.
8) Explique o mecanismo da difuso de portadores de carga em um semicondutor.
9) Explique o que se configura uma juno PN.

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