PROBLEMAS: TEMA 1.

PROBLEMA 1

Dado la malla siguiente averiguar su equivalente Thevenin.

-j5

5
50|0
j5

1) Hallamos la impedancia thevenin Z, que es la impedancia de entrada entre los

terminales AB con todas las fuentes internas iguales a cero:

(5 + j 5)( j 5)
Z = = 5-5j
5+5j 5j

2) Hallamos la tensin equivalente thevenin V, que es la tensin entre los terminales

AB con todas las fuentes internas iguales a cero:

500
Necesitamos la intensidad en la malla: I = = 100
(5 + j 5 j 5)

V = VAB = I (5+j5) = 100 7,0745 = 70,745

PROBLEMA 2

Sustituir la malla dada por su equivalente Norton.

-j5

5
50|0
j5
1) La fuente de corriente I es la corriente de cortocircuito aplicado a los terminales del
circuito activo AB:

500
I = = 1090
( j 5)

2) L impedancia Z es como antes:

Z = 5-j5

PROBLEMA 3

Resolver el siguiente circuito.

R1=1k R2=9k

R3=2k

6V 1 2 -14V

Aplicando las leyes de Kirchhoff:

1) Elijo (n-1) nodos, siendo n el nmero total de nodos de nuestro circuito y aplico a
1 Ley de Kirchhoff obteniendo (n-1) ecuaciones linealmente dependientes. Como
criterio consideramos las corrientes que entran en el nodo sealado positivas:

I1 + I2 + I3 =0 ; I3 = -( I1 + I2 )

2) Necesitamos r (n-1) ecuaciones ms que obtenemos de la 2 Ley de Kirchoff,

siendo r el nmero de ramas del circuito. Como criterio consideramos el signo positivo
como el de las flechas semicirculares del circuito y para las fuentes si la corriente entra
por su ctodo:

1 malla: I1 - 2I3 6 = 0

2 malla: 9I2 -2I3 + 14 = 0

Junto con la anterior se forma un sistema de 3 ecuaciones de cuya resolucin se obtiene

que las intensidades son:

I1 = 0.758 mA; I2 = 1.83 mA; I3 = - 2.588 mA

Si resolvemos ahora el mismo circuito con el mtodo de mallas con el signo positivo
para las intensidades el indicado en el dibujo y para las fuentes si entran por el ctodo:

1
R1=1k 2
R2=9k 3

R3=2k
+
I1 I2 -
6V -14V
- +
4

-6 + I1 R1 + ( I1 - I2 ) R3 = 0 -6 + 3I1 - 2I2 = 0 6 I1 - 4I2 = 12

-14 + ( I2 - I1 ) R3 + I2 R2 = 0 -14 + 11I2 +2I1 = 0 -6 I1 + 33I2 = 42

Resolviendo este sistema por reduccin obtenemos los mismos resultados que antes.
Para hallar I3 restamos ambas intensidades, siendo su direccin la de la intensidad
mayor.

PROBLEMA 4

Resulvase el siguiente circuito, utilizando el principio de superposicin.

I1 I2
1 2 3
6V -14V
R 1 =1k R 2 =9k

I3 R 3 =2k

Tomamos primero la fuente de 6V. La resistencia equivalente a R2 y R3 en paralelo es:

R2 R3 92
= = 1.636k
R2 + R3 9 + 2
Las intensidades que circulan por cada rama son:

6
I '1 = = 2.276mA
1 + 1.636

I '1 R3 2.276 2
I '2 = = = 0.414mA
R2 + R3 9+2

I '1 R2 2.276 9
I '3 = = = 1.862mA
R2 + R3 9+2

Por otro lado, tomamos la fuente de -14V. La resistencia equivalente a R1 y R3 en

paralelo es:

R1 R3 1 2 2
= = k
R1 + R3 1 + 2 3

Las intensidades que circulan por cada rama son:

1.448 2
I ' '1 = = 0.9655mA
1+ 2
14
I ' '2 = = 1.448mA
9 + 0.667
1.448 1
I ' '3 = = 0.4826mA
1+ 2

As, finalmente:
I1 = I1 + I1 = 2.276 + 0.9655 = 3.2415 mA
I2 = I2 + I2 = -0.414 - 1.448 = -1.862 mA
I3 = I3 + I3 = -1.862 + 0.4826 = -1.3794 mA
PROBLEMAS: TEMA 3.

PROBLEMA 5

Obtener la corriente de colector en la figura siguiente.

+5V

8k

5k
+1V F=10

-10V Transistor en estado desconocido.

Suponemos el caso en que el transistor est funcionando en activo directo dado

que hay tensin positiva en serie con la base y negativa en serie con el emisor, con lo
que probablemente el transistor est conduciendo. En este caso la figura es la siguiente

+5V

8k

C
5k
B 10IB
+1V
IB
0.7 E

-10V Circuito equivalente suponiendo el estado activo

directo.

Aplicando Kirchhoff al circuito de base obtenemos IB:

1 ( 5 K ) ( I B ) 0.7 = -10 IB = 2.06 mA

Dado que la corriente de base es positiva, lo nico que queda por comprobar es VCE

VC = 5 ( 8 K ) ( 10 ) ( 2,06 mA) = -159.8 V como VC = -10 V

VCE = -159.8 ( -10 ) = -149.8 V ( solucin en el 2 cuadrante )

Vemos que la suposicin hecha no es vlida pues VCE < 0.2 V.

La posibilidad de soluciones incorrectas como son debidas a que usamos modelos
lineales simples para representar dispositivos no lineales.
Probemos la saturacin. La siguiente figura es el circuito a que obliga la
saturacin
+5V

8k

C
5k
B
+1V 0.2

IB
0.7 E

-10V Circuito equivalente suponiendo saturacin.

La corriente de base es todava 2.06 mA. La corriente de colector es

5 (10 + 0.2)
IC = = 1.85 mA
8K

La inecuacin

F IB = 20.6 mA > 1.85 mA = IC ( funcionamiento en el 1 cuadrante )

confirma que el transistor est saturado.

PROBLEMA 6

Probar que el transistor del problema anterior permanece saturado cuando la

resistencia de base cambia a 50 k . Obtener entonces la resistencia de base RB que
lleva el transistor al borde del funcionamiento activo.

Respuesta: F IB = 2.06 mA > 1.85 mA = IC ; RB = 55.7 k.

PROBLEMA 7

Hallar el estado del transistor de la siguiente figura

+15V

8k

551k
F=10

10k
VBB=11V 0.2

Circuito original.

Debido a la elevada tensin positiva en el circuito de base, suponemos que el

transistor est saturado. Sin embargo, cuando sustituimos el transistor por su modelo de
saturacin y aplicamos el teorema de Thvenin, obtenemos la siguiente figura

+15V

8k IC

C
9.82k B 0.2

IB
0.7 E
0.196

Circuito suponiendo el transistor

saturado.
En este circuito es obvio que IB es negativa, contradiciendo la hiptesis de saturacin y
sugiriendo el corte.
La siguiente figura muestra el circuito con el modelo de corte sustituyendo al
transistor. Se observa que VBE = 0.196 V, un valor considerablemente menor que la
tensin de codo. Por lo tanto, el transistor est en corte.

PROBLEMA 8

Si se incrementa lentamente VBB en la figura del anterior problema a valores

mayores que 11 V, el transistor comienza a dejar el corte. Obtener el valor de VBB
donde esto ocurre.

Solucin. VBB = 28.1 V.

PROBLEMA 9

Uno de los transistores de la siguiente figura est cortado y el otro activo directo.
Verificar el corte del primero y obtener el punto de trabajo para el ltimo.

300 300

-1.0V Q1 Q2 -1.3V

=80
1.2k

-5.2V Circuito original.

Excepto por las fuentes de tensin aplicadas a las bases, el circuito es simtrico
respecto a un eje que pase por el centro del diagrama. Como la tensin de base de Q1 es
ms positiva que la de Q2 , suponemos que Q1 est activo y Q2 cortado y dibujamos la
siguiente figura
 +
300 300
-
C1
C2
B1 80IB1
-1.0V -1.3V
0.7 E2 B2
E1
IB1

IE1 1.2k

-5.2V Circuito equivalente suponiendo Q1

activo y Q2 cortado.

El diagrama muestra que IE1 = ( 80 +1 ) IB1 , por lo tanto IB1 = 36 A. Como la corriente
de base es positiva, establecemos que Q1 conduce; sin embargo podr estar saturado.
Como

IC1 = 80 IB1 = 2.88 mA

VC1 = 0 ( 300 ) ( 2,8810-3 ) = -0.864 V

por lo tanto

VCE1 = -0.864 (- 1.7 ) = 0.836

Como VCE > 0.2 V, Q1 est activo, no saturado.

PROBLEMA 10

Realizar los siguientes apartados:

a) Dibuje la salida y determine el nivel de cd de la salida para la red de la figura.
b) Repita el inciso a) si el diodo se sustituye por un diodo de silicio.
c) Repita los incisos a) y b) si se incrementa a 200 V y compare las soluciones
usando las ecuaciones:
Vcd = 0.318Vm Vcd = 0.318(Vm - VT)
 vi
20V

vi R 2k

0 T T t
2

a) En esta situacin, el diodo conducir durante la parte negativa de la entrada, como se

ilustra en la figura de abajo, y v0 aparecer como se muestra en la misma figura. Para el
periodo completo, el nivel de cd es:
Vcd = -0.318Vm = -0.318 20 V = -6.36 V

El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida

en la figura anterior.

vi
+
20
vi I 2k v o

0 T T t +
2
20
v0

0 T T t
2
20V

b) Al emplear un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la figura siguiente, y:

Vcd = -0.318(Vm - 0.7 V) = -0.318 19.3 V = -6.14 V
La cada resultante en el nivel de cd es de 0.22 V o de aproximadamente 3.5%.

v0

0 T T t
2

20V-0.7V=19.3V
c) Las ecuaciones en nuestro caso son:
Vcd = -0.318Vm = -0.318 200 V = -63.6 V
Vcd = -0.318(Vm - VT) = -0.318(200 V - 0.7 V) = -0.318 199.3 V = -63.38 V
Esta diferencia puede, sin duda, despreciarse para la mayora de las aplicaciones. Para la
parte c), el desplazamiento y la cada en la amplitud debida a VT no seran perceptibles
en un osciloscopio comn y corriente si se visualizara el patrn completo.

PROBLEMA 11

Determnese la forma de onda de salida para la red de la figura, y calcule el nivel

de salida de cd y el VPI requerido para cada diodo.

Vi

10
2k
vi
v0
0 T T
2 t
2k 2k

La red aparecer como se presenta en la figura siguiente para la regin positiva del
voltaje de entrada. Al redibujar la red, se obtendr la configuracin de la figura, donde
v0 = vi Vomax = Vimax = 10 V = 5 V. En la parte negativa de la entrada se
intercambiarn los papeles de los diodos, y v0 aparecer como se indica.

Vi

10V
2k
vi
v0
0 T
2 t
2k 2k
 + +
2K v0 v0

vi
- 2K 5V 5V

2K
0 T t 0 T T t
- 2 2

El efecto de eliminar los dos diodos de la configuracin puente consisti, por tanto, en
la reduccin del nivel de cd disponible al valor siguiente:
Vcd = 0.636 5 V = 3.18 V
o al nivel disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin
embargo, el VPI determinado es igual al voltaje mximo en R, que es de 5 V o la mitad
del que se requiere para el rectificador de media onda con la misma entrada.

PROBLEMA 12

Determinar la tensin de salida v0 en el circuito de la figura con las tensiones de

entrada siguientes:
a) v1 = v2 = 5 V
b) v1 = 5 V; v2 = 0
c) v1 = v2 = 0
Se usa un diodo de silicio que tiene Rt = 30 , V = 0.6 V, It = 0 y Rt .

+5V

D1

4.7k D2
270
270 D1
4.7 V0
v1 V0 270

+ + +
V1 V2 5V

270 D2
v2
Observemos que en la figura no estn sealadas las referencias (tierra). Todas las
tensiones indicadas estn medidas respecto a la referencia con cadas de tensin
consideradas positivas. El circuito de la figura est reproducido a la derecha con el
punto de referencia incluido.
a) Con v1 = v2 = 5 V, supondremos que D1 y D2 estn en corte. Podemos sustituir los
diodos de manera que quede el circuito de la figura siguiente. La observacin de este
circuito pone en evidencia que no circula corriente alguna. En consecuencia, la cada de
tensin a travs de cualquier resistencia es nula, y por la ley de Kirchhoff, VD1 = VD2 =
0, confirmando as la primera suposicin.. Por tanto, v0 = 5 V.

V D1
+

V D2 +

270k 270k 4.7k

VO
+ + +
5V 5V 5V

b) Supongamos que D1 est en corte y D2 en conduccin, con v1 = 5 V y v2 = 0.

Obtenemos el circuito:
V D1
+

+
+
30 0.6V
I D2
270k 270k 4.7k
VO

+ +
5V 5V

Aplicando la ley de Kirchhoff al lazo interior, tendremos que:

4700ID2 + 30ID2 + 270ID2 = 5 - 0.6
de donde, despejando ID2:

5 0.6
I D2 = = 0.88mA
4700 + 30 + 270

Como ID2 es positiva (en sentido directo), la suposicin de que D2 est en conduccin es
correcta. En el lazo exterior no hay corriente, por lo que:
v0 = 5 - 4700ID2 = 5 - 4700 0.00088 = 0.864 V
Tambin puede calcularse de:
v0 = 0.6 + 270ID2 + 30ID2 = 0.6 + 300 0.00088 = 0.864 V
Al no existir corriente en el exterior:
VD1 = v0 - 5 = 0.864 - 5 = -4.136 V
El valor negativo de VD1 confirma nuestra suposicin de que D1 est en corte. As, el
ltimo circuito representa las condiciones del circuito y el valor calculado de v0 = 0.864
V es la tensin de salida. Si en lugar de suponer que D2 est en conduccin hubiramos
supuesto que est en corte, ID2 hubiera sido cero. Sin corriente en ningn diodo, v0 = 5
V, haciendo que VD2 = 5 V. Como este valor es mayor que V = 0.6 V, nuestra
suposicin hubiera sido errnea. De igual forma, si se considera D1 en conduccin y D2
en corte, la ley de Kirchhoff aplicada al lazo exterior nos dara un valor negativo de ID1,
y el supuesto sera falso.

c) El circuito equivalente que sigue es aplicable cuando v1 = v2 = 0, suponiendo ambos

diodos D1, D2, en conduccin. Por razones de simetra, en ambos diodos existe la
misma corriente I. La ley de Kirchhoff exige suministrar una corriente 2I a estas ramas.

30 0.6V
+
+
I
30 0.6V +
I
270k 270k 2I
4.7k VO
+ +
5V 5V

Para el lazo interior, la expresin es:

4700 2I + (30 + 270)I = 5 - 0.6
de donde, despejando la I:

5 0.6
I= = 0.454mA
9400 + 300

El valor positivo indica que la suposicin es correcta, y por tanto:

v0 = 0.6 + (30 + 270)I = 0.6 + 300 0.000454 = 0.736 V
Hemos observado, en este ejercicio, que existen valores dispares de V0 que dependen
del estado de los diodos. Cuando ambas entradas son altas (por ejemplo, de 5 V), la
salida tambin es alta. La salida es baja cuando una o las dos entradas son tambin
bajas. Los circuitos con este tipo de comportamiento se denominan puertas AND.
PROBLEMA 13

Necesitamos un medidor analgico para medir tensiones senoidales con valores de

pico entre 0 y 400 V. El circuito es el de la figura, con R = Rx + rm, donde rm es la
de un mecanismo de medida disponible y Rx es una resistencia
resistencia de 10 k
en serie desconocida. El diodo es ideal. Hallar el valor de R, si la senoide de 400 V
genera una medida de corriente continua de 2 mA.

+ +
v i (t) R v o (t)
-
-
v i (t)=V M sen o t

Cuando aplicamos una senoide de VM = 400 V, aplicando la ecuacin:

T /2 T
1 VM
Vdc =
T V
0
M sen 0tdt + 0dt =
T /2

la tensin continua en R es 400 / = 127.3 V. La corriente medida de 2 mA viene de:

127.3
0.002 =
Rx + 10000

De donde despejamos Rx = 53.7 k

PROBLEMA 14

Disear un cargador de bateras para entregar IDC = 4 A a una batera de 12 V.

Disear implica hallar las especificaciones de los diodos, TIP y corriente de pico,
adems de R y VM. Suponer que nuestras ecuaciones basadas en un diodo ideal son
suficientemente precisas.

+ +
v i (t) i(t) V BB
- -

Si conocisemos 1 y 2, podramos usar la ecuacin VM sen i = VBB para hallar VM, ya

que VBB = 12 V. As, con los valores conocidos para VM e IDC, podramos resolver la
ecuacin:

1 2 VM sen VBB
2 1
I DC = d
R
y hallar R. La siguiente figura muestra que 1 y 2 son simtricos respecto a 90:

i(t)

I pico I DC

t=
1 2 2

As que podemos seleccionar arbitrariamente 1 = 20 y 2 = 160, por ejemplo. Con

VBB = 12V nos queda:
VM sen 20 = 12
de donde obtenemos VM = 35.1 V. Para una corriente de carga 4A, tenemos que:

2.79
1 1
R= (35.1sen 12)d =8 (35.1cos 12 ) = 1.46
2.79
0.349
4 2 0.349

con los ngulos expresados en radianes.

Este valor es menor que el que encontramos normalmente en circuitos
electrnicos, pero razonable para una aplicacin de potencia. A continuacin, hallamos
las especificaciones para el diodo rectificador.

Vemos que el pico de la corriente por el diodo ocurre cuando vi es mxima, a 35.1 V.
Con el diodo ideal en cortocircuito:

35.1 12
I pico = = 15.8 A
1.46

La siguiente figura muestra que en este circuito, el diodo debe resistir una tensin
inversa de VM + VBB = 35.1 + 12 = 47.1 V. Un diseador prudente aade un 20% o ms
a los valores de TIP e Ipico como factor de seguridad. Esto completa el diseo inicial:

R
A C

- +
E V BB
+
-

Examinemos ahora la decisin arbitraria que hicimos acerca de los ngulos de

conduccin. Como la corriente debe ser de 4A, elegir un intervalo de conduccin menor
incrementa la corriente de pico ya que el rea encerrada por la curva de la corriente debe
ser la misma. Pero con VBB = 12 V esto implica un valor mayor de VM, incrementando
el TIP que debe soportar el diodo. En general, un intervalo de conduccin menor
necesita diodos ms caros. El ngulo de conduccin original parece ser un compromiso
satisfactorio.
PROBLEMA 15

Disear el regulador bsico de la figura, para una salida de 10 V y 20 A.

21+1V 10V
- Z C 20mA

a) Funcionamiento del circuito.

El circuito es el regulador bsico con diodo zener. Omitiendo el rizado, por la
resistencia R circula una corriente constante I. Dicha corriente se divide en dos, la que
circula por la carga, IL, y la que circula por el zener, IZ, de forma que en todo momento
se cumple:
IL + IZ = I
As pues, el zener proporciona tensin constante a la salida del regulador y ello obliga a
que absorba la corriente que no quiere la carga.
Omitiendo el condensador C, el rizado a la salida del regulador, VRS, vale:

VRe
VRS = rz
R + rz

siendo VRe el rizado a la entrada y rz la resistencia dinmica del diodo zener.. El papel
del condensador C aparece, pues, claro; forman junto con R y rz un filtro de paso bajo
para rechazar el rizado. El valor de C puede calcularse tericamente para una atenuacin
del rizado deseada. Sin embargo, en un diseo prctico suele tomarse C = 2.500 F o
mayor.

b) Mtodo de diseo.
Se trata de elegir la resistencia R y diodo zener conforme a las especificaciones
deseadas. La tensin de ruptura del zener debe ser la tensin de salida deseada. La
corriente que como mnimo deber poder soportar ser la mxima corriente que circule
por R, y la potencia que debe de ser capaz de disipar ser la mxima corriente por R
multiplicada por la tensin de ruptura.
R debe disearse de forma que con las condiciones ms desfavorables de
funcionamiento (tensin mnima de entrada y mxima corriente a la carga), provea la
corriente de carga y la necesaria para polarizar al zaner (del orden de 1 mA).
c) Diseo.
De lo que precede, R se calcula por la frmula:
Vemin Vz 20 10
R= = = 470
I Lmax + I zmin 21
El zener ser uno de tensin de ruptura Vz = 10 V que deber poder soportar una
corriente Iz max dada por:
Vemax Vz 22 10
I zmax = = = 25.5mA
R 470
y una potencia Pz:
Pz = Iz max Vz = 255 mW
Finalmente, se elige C = 2.500 F.

d) Tabla de valores estndar.

Vz = 10 V R = 470 C = 2.500 F

PROBLEMA 16

Determine V0 para la red de la figura.

D1

E=10V D2
R=1k

Note en primer trmino que slo hay un potencial aplicado (10 V en la terminal 1). La
terminal 2 con una entrada de 0 V se encuentra en esencia en un potencial de conexin a
tierra, como se muestra en la red dibujada. Esta figura sugiere que es probable que D1
est en el estado encendido debido a los 10 V aplicados, en tanto que es posible que
D2, con su lado positivo en 0 V, est en estado apagado. La suposicin de estos
estados dar como resultado la configuracin siguiente:
 VD=0,7V

V0=E; VD=VR=IR

E=10V I
R=1k

El siguiente paso consiste slo en verificar que no hay contradicciones en nuestras

suposiciones. Esto es, note que la polaridad en D1 es tal que debe encender y que la
polaridad en D2 es mantenerlo apagado. En D1 el estado encendido establece V0 a:
V0 = E - VD = 10 V - 0.7 V = 9.3 V
Con 9.3 V en el lado ctodo (-) de D2 y 0V en el lado del nodo (+), D2 se encuentra
definitivamente en el estado apagado. La direccin de la corriente y la trayectoria
continua que resulta para la conduccin confirman an ms nuestra suposicin de que
D1 est conduciendo. Nuestras suposiciones parecen confirmarse por los voltajes y la
corriente resultantes, y puede considerarse correcto nuestro anlisis inicial. El nivel de
voltaje de salida no es de 10 V como se defini para una entrada de 1, pero el valor de
9.3 es lo suficientemente grande como para considerarse un nivel 1. La salida, por tanto,
se encuentra en un nivel 1, con slo una entrada, lo que sugiere que la compuerta es una
compuerta OR.
Un anlisis de la misma red con dos entradas de 10 V dar como resultado que ambos
diodos estn en el estado de conduccin y que la salida sea de 9.3 V. La entrada de 0 V
en ambas entradas no brindar los 0.7 V que se requieren para que conduzcan los diodos
y la salida ser igual a 0 al nivel de salida de 0 V. En la red de la figura 2, el nivel de
corriente se determina mediante:
E VD 10V 0.7V
I= = = 9.3mA
R 1k
PROBLEMA 17

Determine el nivel de salida para la compuerta AND de lgica positiva de la figura.

D1

D2
R=1k

E=10V

Observe en este caso que una fuente independiente aparece en la conexin a tierra de la
red. Por razones que pronto sern obvias, se elige al mismo nivel que el nivel lgico de
entrada. La red se encuentra redibujada abajo, con nuestras suposiciones iniciales en
cuanto al estado de los diodos. Con 10 V en el lado del ctodo de D1 se supone que ste
se encuentra en el estado encendido, aun cuando haya una fuente de 10 V conectada
al nodo de D1 a travs del resistor. Sin embargo, recuerde que sealamos que el empleo
de un modelo aproximado sera una ayuda para el anlisis. Para D1, de dnde
provendrn los 0.7 V si la entrada y los voltajes de la fuente se encuentran al mismo
nivel y crean presiones opuestas? Se supone que D2 se encuentra en el estado
encendido debido al bajo voltaje en el ctodo y a la disponibilidad de la fuente de 10
V a travs del resistor de 1 k.

VD=0,7V
- + V0=VD=0,7V

E=10V R=1k
I

E=10V

En esta red, el voltaje en V0 es 0.7 V a causa del diodo D2 polarizado directamente. Con
0.7 V en el nodo de D1 y 10 V en el ctodo, D1 se encuentra definitivamente en el
estado apagado. La corriente I tendr la direccin indicada, y una magnitud igual a:
E VD 10V 0.7V
I= = = 9.3mA
R 1k
De este modo se confirma el estado de los diodos y nuestro anlisis anterior fue
correcto. Aunque no se defini el valor de 0 V para el nivel 0 como antes, el voltaje de
salida es suficientemente pequeo como para considerarse un nivel 0. Para la compuerta
AND, en consecuencia, una sola entrada producir una salida de nivel 0.

PROBLEMA 18

El diodo de la figura es ideal. Obtener VA.

+12V

R=10k

VA

-8V

La figura introduce un tipo de circuito ampliamente utilizado en electrnica. Las flechas

indican el sentido de las tensiones respecto a una referencia de masa de cero voltios.
Esta referencia es explcita, pero a menudo se omite en el diagrama. La figura que viene
a continuacin es la notacin ms convencional del mismo circuito. La notacin
compacta muestra cmo se conectan los componentes a los terminales de alimentacin y
masa.

R=10k +12V

VA
R=10k
+12V

A VA
8V ID
C

-8V

Se espera que la corriente fluya del terminal de +12 V a travs del diodo, en sentido
positivo, hacia la fuente de -8 V; por lo tanto suponemos que el diodo est en
conduccin. A la derecha se muestra el modelo del circuito resultante. De este circuito
equivalente se obtiene:
 12 (8)
iD = = 2mA
10000
Vemos que nuestra suposicin inicial era correcta. Podemos concluir que:
VA = -8 V

PROBLEMA 19

El diodo de la figura es ideal. Hallar VC.

+10V

R=5k
R=2,5k
VC
VC A C
ID R=5k
R=5k
R=5k 5V
6V
6V

Supongamos el diodo en conduccin. Se obtiene la figura de la derecha. Est claro que

iD es negativa, as que la suposicin inicial es incorrecta.
Suponer que el diodo est cortado genera la figura de abajo. Como circula corriente nula
por el circuito, vA = 5 V y vC = 6 V; por lo tanto vD = vA - vC = -1 V. Del diagrama, VC
= 6 V.

R=2,5k
A C
VC
+ VD -

R=5k
5V

6V
PROBLEMA 20

Hallar Ii en la figura de la izquierda cuando:

a) Vi = +12 V
b) Vi = -6 V
Suponer ideales los diodos.
ID
D1
A C
D1

Ii 5k Ii 5k
+ +
A
Vi 2k D2 12V 2k D2
C
- -

a) Cuando Vi > 0, esperamos una corriente positiva Ii que se divide en dos partes, una
por el diodo y otra por la resistencia de 5 k, as que suponemos el diodo D1 en
conduccin. Esta corriente continuara a travs de la resistencia de 2 k, con D2
cortado, puesto que la conduccin inversa es imposible.
La figura de la derecha muestra nuestro modelo de circuito. Como D1 cortocircuita la
resistencia de 5 k, Ii = 12 / 2000 = 6 mA. Para D1, iD1 = +6 mA porque la tensin en la
resistencia de 5 k es cero. D2 est cortado porque vD2 = -12 V. Por lo tanto, las
suposiciones iniciales se verifican.
b) Cuando Vi = -6 V, esperamos una corriente negativa en nuestro circuito. Esto sugiere
que D1 est cortado y D2 conduce, dando la figura siguiente. De este circuito, Ii = -6/5
mA. Como iD2 es positiva y vD1 negativa, no hay contradiccin.

A C
D1

Ii 5k
+
A
6V 2k D2
C
-
PROBLEMAS DIODOS ZENER.

Procedimiento sugerido:
Similar al de diodos semiconductores normales.
1) Se determina el estado del diodo.
2) Se sustituye por un modelo apropiado y una determinacin de las
otras cantidades desconocidas de la red.

Anlisis para el caso de Vi y R fijas:

1) Determinar el estado del diodo Zener extrayndolo del circuito y calculando

el voltaje a lo largo del circuito abierto resultante.
2) Sustituir el circuito equivalente apropiado y resolver para las incgnitas
deseadas.

PROBLEMA 21

(a) Para la red de diodo Zener de la siguiente figura, determinar VL, VR, IZ y PZ.
.
(b) Repita la parte (a) con RL = 3 k
+ VR -
R

1
-

V =10 V
Z RL 1.2 K V
V 16 V L
i
+

PZM =30 mW

(a) Calculamos el voltaje a travs del circuito abierto:

RLVi 1.2k(16V )
V= = = 8.73 V
R + RL 1k + 1.2k
Dado que V = 8.73 V es menor que VZ = 10V, el diodo est en estado de no conduccin,
como se ve en la representacin de iz frente a VZ que se muestra a continuacin; con lo
que lo sustituimos por un circuito abierto:
I R i (mA)
Z
R
I
L

I
1 K Z
+ V Z -
V
L

+
16 V V =10 V
Z
V R L 1 K
V
Z
8.73 V
-
Donde hallamos que:

VL = V = 8.73 V dado que estamos en paralelo

VR = Vi - VL = 16 V 8.73 V = 7.27 V

IZ = 0 A

y PZ = VZ IZ = VZ ( 0 A ) = 0 W

(b) Hallamos la tensin en vaco del diodo Zener:

RLVi 3k(16V )
V= = = 12 V
R + RL 1k + 3k

Dado que V = 12 V es mayor que VZ = 10 V, el diodo est en el estado de conduccin y

se tendr la red de la siguiente figura:

+ VR -

IZ
1 K

V 10 V R 3 k
i 16 V V
Z L V
L

Dado que los voltajes a travs de los elementos en paralelo deben ser los mismos,
encontramos que:

VL = VZ = 10 V

y VR = Vi VL = 16 V 10 V = 6 V

VL 10V
con IL = = = 3.33 mA
RL 3k

VR 6V
y IR = = = 6 mA
R 1k
de modo que mediante la ley de corrientes de Kirchhoff
IZ = IR - IL = 6 mA 3.33 mA = 2.67 mA
La potencia disipada es
PZ = VZ IZ = (10 V ) ( 2.67 mA ) = 26.7 mW
La cual es menor que el valor especificado de PZM = 30 mW
Anlisis para el caso de Vi fijo, RL variable:

Por causa del voltaje VZ, hay un intervalo de valores del resistor y, por tanto, de
la corriente de carga, que asegurarn que el Zener est en estado de
conduccin. Una resistencia de carga demasiado pequea RL originar un
voltaje VL en el resistor de carga menor que VZ y el dispositivo Zener se
encontrar en el estado de corte.

PROBLEMA 22

(a) Para la red de la figura siguiente, determinar el rango de RL e IL que dar

como resultado a VRL mantenido a 10 V.

(b) Determinar el voltaje nominal del diodo.

IR
1 K I
L
+ R I
Z

V = 50 V
V = 10V R
i L
Z

I =32 mA
- ZM

(a) Para determinar el valor de RL que llevar el diodo Zener al estado de conduccin,
basta con calcular RL tal que produzca un voltaje de carga VL = VZ. Esto es,

RLVi RVZ (1k)(10V ) 10k

VL = VZ = ; RLmn = = = = 250
R + RL Vi VZ 50V 10V 40

El voltaje en el resistor R, que permanece fijo ahora que estamos en el estado de

conduccin, se determina mediante

VR = Vi VZ = 50 V 10 V = 40 V

e IR permanece fijo en

VR 40V
IR = = = 40 mA
R 1k

Dado que la corriente Zener IZ = IR - IL , vemos que IZ mnimo cuando IL es mximo, y

viceversa, dado que IR es constante. Con lo que el nivel mnimo de IL viene dado por

ILmn = IR - IZM = 40 mA- 32 mA = 8 mA

y la resistencia de carga mxima

VZ 10V
RLmx = = = 1.25 k
ILmn 18mA

En las siguientes figuras se muestra una grfica de VL versus RL y VL versus IL.

VL V
L

10 V

0 250 1.25 k R 0 8 mA 40 mA
L IL

(b) Pmx = VZ IZM = (10 V ) ( 32 mA ) = 320 mW

Anlisis para el caso de RL fijo, Vi variable:

PROBLEMA 23

Determinar el intervalo de valores de Vi que mantendrn en el estado de

conduccin al diodo Zener de la siguiente figura.

R IR
I
L
+ 220 K I
Z

+
V R 1.2 K V
V = 20V L L
i
Z -

I =60 mA
- ZM

El mnimo voltaje para activar Vi = Vimn se determina mediante

RLVi ( RL + R)VZ (1200 + 220)(20V )

VL = VZ = ; Vimn = = = 23.67 V
R + RL RL 1200

VL VZ 20V
IL = = = = 16.67 mA
RL RL 1.2k
El valor mximo de Vi est limitado por la corriente Zener mxima IZM. Puesto que
IZM = IR IL

IRmx = IZM + IL = 60 mA + 16.67 mA = 76.67 mA

Como IL se fija a VZ/RL e IZM es el valor mximo de IZ, el Vi mximo se define

mediante

Vimx = VRmx + VZ = IRmx R + VZ = ( 76.67 mA ) ( 0.22 k ) + 20 V =

= 16.87 V + 20 V = 36.87 V

En la siguiente figura se presenta una grfica de VL versus Vi

V
L

20 V

0 10 20 40 V
i

23.67 V 36.87 V

PROBLEMA 24

En el circuito de la figura: Determinar la tensin en la resistencia RL, La cada de

tensin en el diodo VD y la resistencia en continua equivalente del diodo. Suponer
el modelo lineal con Vr = 0.7 V, Rd = 30 .

+
E=20V -
i RL=2k
Sustituyendo el diodo por un modelo equivalente

V Rd
+ -

+
E i RL
-

E Vr 20 0.7
i= = = 9.5 mA
Rd + RL 2030

VL = RLi = 19 V

La tensin en los bornes del diodo es:

VD = Vr + Rd id = 0.7 + 9.510-3 30 = 0.98 V

VD 0.98
Rcc = = = 103
ID 0.0095

PROBLEMA 25

Determinar la tensin de salida VL utilizando el modelo equivalente del diodo

anterior y ( ? ) un diodo ideal. Vi = 5 sen wt.

D
002=L R

Vi VL
En directo tendremos el siguiente circuito:

V Rd

Vi i RL

La conduccin comienza a partir de Vi = Vr

0.7
5 sen X1 = 0.7 X1 = arcsen = 8.04
5

Vi Vr
i= cuando Vi >Vr
Rd + RL

5senwt 0.7
i= ; VL = i RL = 4.34 sen wt 0.6
230

Las grficas i, VL ( ? ) se muestra a continuacin:

Vi VL=iRL

0,7 2
x=t

x1=8,04 x1

En el ciclo negativo, ms exactamente en X = - X1 el diodo se polariza inversamente

siendo un circuito abierto Rr = y VL = 0
PROBLEMA 26

Obtener la tensin Vd en los extremos del diodo, con el montaje de la figura.

, Vpp = 0.026 sen wt, E = 2V.
Vr = 0.7 V, Rd = 4

R=100

Vpp=26mV
i Vd
E=2V

Sustituimos el diodo por su modelo para polarizacin directa

Vpp V
Vd
i
E Rd

Para que comience la conduccin deber ser:

E + Vpp Vr

Vd = VAC = VA VC = Ri - = Rd i + Vr

E + Vpp Vr 2 + 0.026 senwt 0.7

i = = = ( 0.0125 + 2.510-4 sen wt ) A
R + Rd 104

Vd = Vr + Rd I = 0.7 + (0.0125 + 2.510-4 sen wt ) 4 = 0.75 +110-3 sen wt =

= 0.75 V + 1 sen wt (mV)

 Vd

0,75V 1mV

PROBLEMA 27

En el circuito de la figura. Calcular:

a) Corriente en el diodo.
b) Tensin en el diodo y a la salida.
Vi = Vm sen wt, Vr = 0 V. Rf finita, Rr =

Vm

Vi RL VS 2
x=t

VmsenX Im senX Vm
a) 0 < X < ; i= = =
RL + Rf ? RL + Rf

< X < 2; i =0

El valor medio de la corriente ser

1 Im Im
[ cos X ]0 =

Imedia =
2 I
0
m senXdX =
2

b) VL = VS = RL i = Im RL sen X 0 < X<

VL = VS = 0 < X < 2
Media

Im RL
VLmedia = Imedia RL =

La tensin en bornes del diodo ser

conduccin 0<X< Vd = i Rf = Im Rf sen X

bloqueo < X < 2 Vd = Vi = Vm sen X ya que VL = 0

i
Im

2 x
0

VL
ImRL

2 x
0

Vd

ImRf
2 x
0

-Vm

El valor medio de la tensin en el diodo Vd ser

1
2
Vd medio = Im Rf senXdX + VmsenXdX =
2 0

1
= [Im Rf Im( Rf + RL )] = - Im RL

( ? ) Vm = Im ( RL + Rf )

Obsrvese que el valor medio es negativo tal como aparece en la figura.

PROBLEMA 28

Se tiene un diodo de unin cuya caracterstica corresponde a la figura adjunta.

Determinar para el circuito de la figura V2 en funcin de V1, utilizando la grfica
V I del diodo, en el intervalo 5 < V1 < +5. Supongase RS = 100 y trazar la
grfica V2.

El clculo debe hacerse ( ? ) vista de la caracterstica.

I(mA)

100

80

60
RS
40

20 D1 D2
V1 V2
V(Voltios)
0 0,1 0,2 0,3 0,4

V1 = 0 V. Ningn diodo conduce, no cae tensin en RS al ser i = 0 y V2 = V1 = 0 V.

V1 = 0.1 V No hay conduccin V2 = 0.1 V.

V1 = 0.2 V No hay conduccin V2 = 0.2 V.

V2 = 0.3 V ( ? ) como D1 conduce. D2 bloqueado, es decir, para

que comience la conduccin se precisa una tensin en bornes de ( ? )
segn la grfica. Es decir V2 = 0.3V.

En la grfica determinamos la corriente aproximadamente Id = 6 mA; de aqu a la vista

del circuito podemos obtener la tensin V1.

V1 = RS Id + VD1 = RS Id + V2 = 610-3 100 + 0.3 = 0.9 V

V2 = 0.35 V Id 15 mA V1 = 1510-3 100 + 0.35 = 1.4 V

V2 = 0.4 V Id 40 mA V1 = 4010-3 100 + 0.4 = 4.4 V

Para valores negativos sucede algo smilar y el diodo que conduce es D2

V1 = 0 V V2 = 0 V V1 = -0.9 V V2 = -0.3 V

V1 = -0.1 V V2 = - 0.1 V V1 = -1.4 V V2 = -0.35 V

V1 = -0.2 V V2 = -0.2 V V1 = -4.4 V V2 = -0.4 V

 V2 V2
V1
0,5
0,4 V1

0,3 1

0,2
0,5
0,1

-5 -4 -3 -2 -1 1 2 3 4 5 V2 0 t
-0,1 0
-0,2 -0,5

-0,3
-1
-0,4
-0,5

PROBLEMA 29

Las corrientes de saturacin de los diodos D1 y D2 son 1 y 2 A. La tensin de

ruptura es la misma en ambos e igual a 100 V.
Calcular la corriente y la tensin en cada diodo si V = 90 V y V = 110 V.
.
Repetir lo anterior si a cada diodo se le coloca en paralelo una R = 10 k

D1

D2

Debemos suponer que la caracterstica ( ? ). Se mantiene en la

corriente de saturacin I0 cte hasta que se alcanza la tensin de ruptura.
Id

Vi=100V I0
Vd

IL
En esta situacin los dos diodos estn inversamente polarizados y circular la corriente
inversa menos ( ? ) ambos.

I = I01 = 1 A

Como por el diodo D2 circula la corriente inversa I01, se tendr

I2 = I02 ( eV2/VT 1 ) = -I01

I 01
Despejando V2 queda V2 = VT ln 1
I 02
=2
Considerando los diodos de Si
VT = 0.026 V

V2 = 2 0.026 ln( 1 0.5 ) = -36 mV

V1 = V V2 = 90 - 3610-3 = -89.964 V

Obsrvese como el diodo que posee menos corriente inversa es el que soporta
prcticamente toda la tensin. En la grfica siguiente puede apreciarse lo anterior. Se ha
supuesto para verlo ms claro una cierta dependencia de la corriente inversa con la
tensin:
I

VR=VZ=100V V1 V2
0
V

I01
D1

D1

Vemos que la tensin V2 < V1 para un I01 en ambos diodos.

Supongamos ahora V = 110V.
Segn el apartado anterior vemos que D1 ha alcanzado la tensiin de ruptura zener.
Luego VD1 = VZ = -100 V V2 = -10 V ( V = V1 + V2 )
Pasar la corriente inversa de saturacin de D2, I02 = 2 , ya que D2 no ha llegado a la
zona de ruptura. ( V2 = -10 V )
PROBLEMAS: TEMA 4.

PROBLEMA 30

a) Calcular el punto de reposo.

b) Factores de estabilidad.

V = 10 V
CC

R = 7 K
R1 90 K C

RE= 1 K

R2 10 K

a)

RC= 7 K
RB

VBB R E= 1 k

R1R 2 900 10 6
RB = = = 9103 = 9k
R1 + R 2 100 10 3

R2 10 10 3
VBB = VCC = 10 = 1V
R1 + R 2 100 10 3

VBB = IBRB + VBE + IERE

VBB = ICRB / + VBE + ICRE

 VBB VBE 1 0.6 4 10 1 4 10 4
IC = = = = = 0.4 mA
RE + RB / 1 10 3 + 9 10 3 / 100 1.09 10 3 1.09

VCC = ICRC + VCE + IERE

VCC = IC (RC + RE) + VCE

VCE = VCC - IC (RC + RE) = 10 410-4 (7103 + 1103) = 10 410-4 8103 = 10 3210-1

= 10 3.2 = 6.8 V

(VBB VBE )( RB + RE ) (1 0.6)(9 10 3 + 1 10 3 ) 0.4 10 4 4 10 5

b) S = = = = = 4 10 7
[RB + RE (1 + )]2 [
9 10 3 + 1 10 3 (100)]2
[
1.09 10 5 ]
2
1 1010

= 410-7 = 410-4 mA

PROBLEMA 31

Calcular la red de polarizacin de este circuito para que el punto de reposo sea
Q(SC,VCE)(4mA,7V)

Datos: a) SIco = 17 = 200

b) I1 = 10IB

V = 15 V
CC

R
R1 I1 C

I
C

IB IE
RE
I2
R2
a)

VCC = ICRC + VCE + IERE

VCC VCE 15 7
VCC = IC (RC + RE) + VCE RC + RE = = 3
= 2 10 3 = 2k
IC 4 10

RC = 4RE RE = 0.4 k ; RC = 1.6 k

RB RB
SI = 1 + =1+ = 1.7 RB = 6.4 k
RE 0.4

VB = VBE + VE = 0.7 + 410-3 0.4105 = 2.3V

R2 15
VB = VCC 2.3 = R2 R1 = 41.58 k
R1 + R 2 R1 + R 2

R1 R 2
6.4 = R2 = 7.56 k
R1 + R 2

b)

VCC = ICRC + VCE + IERE RC + RE = 2 k

RC = 4RE RE = 0.4 k RC = 1.6 k

IC 4
IB = = = 0.02 mA
200

I1 = 10 IB = 0.2 mA; VB = 2.3V

15 2.3
VCC VB = I1R1 R1 = = 63.5 R1 = 63.5 k
0.2

VB = I2R2 = (I1-I2) R2 = (0.2-0.002) R2 R2 = 12.7 k

PROBLEMA 32

Hallar R1 y R2 del circuito de la figura, para que trabaje en el punto:

Q(IC,VCE)(3.75mA,4.5V)
 + 9V
RC = 1 K
R1

= 100

RE= 200 K

R2

Datos: VBE = 0,7 V

VB = VBE + IERE

VB = VBE + ICRE

VB 0.7 + 3.75 0.2 = 1.45 V

RC= 1 K
RB
+ 9 V

VBB R = 200 k
E

VBB = VB = 1.45 V

R2 VBB 1.45
VBB = VCC = = = 0.161
R1 + R 2 VCC 9

Como RB << ( +1) RE RE = 100 RE = 20k

RB << 20k RB = 2k

R1 R 2
= 2 10 3 ; R1R2 = 2103 (R1+R2) = 2103 R1 + 2103 R2
R1 + R 2

R2
= 0.161 ; R2 = 0.161R1 + 0.161R2 R2 0.839 = 0.161 R1
R1 + R 2
R2 = 0.192 R1

R1 0.192 R1 = 2103R1 + 2103 0.192 R1

0.192 R12 = 2103R1 + 0.384103R1

2.384
0.192 R1 = 2.384103; R1 = 10 3 = 12.4 10 3 = 12.4 k
0.192

R2 = 0.192 12.4103 = 2.4103 = 2.4 k

PROBLEMA 33

Hallar el punto de reposo para:

a) RB = 1k
b) RB = 10k

Datos: VBE = 0.7

= 0.99
ICBO = 0

RC= 1 K
RB + 10 V

+ 1 V
R E= 100 k

PROBLEMA 34

Hallar R1 y R2 conociendo ICQ = 10 mA segn los siguientes criterios:

a) Para que sea estable frente a variaciones de .
b) Imponiendo la estabilidad frente a ICBO.
c) Asegurando la estabilidad de VBE.

Datos: VBE = 0.6 V

= 100
 + 10 V

RC = 150 K
R1

RE= 50 K

R2

PROBLEMA 35

Calcular el punto Q de reposo del transistor del siguiente circuito.

Caso de que el factor SI no est entre11 y 21, disear de nuevo la red ( R1 y R2 ) para
que cumpla esta condicin, sin variar el punto de polarizacin.

V = 10 V
CC

R = 1 K
C
R1
9 K

R2 RE= 1 K
1 K

PROBLEMA 36

Calcular la red de autopolarizacin de un transistor de ganancia 100 < < 200 para
alimentarlo a 20 V y que d trabajo en el punto Q(6mA,5.5V); sabiendo que RC ha de
ser de valor 1k, por necesidades del diseo.
PROBLEMA 37

Calcular el valor de VBB necesaria para que el transistor trabaje en saturacin.

Datos: = 15
VBE = 0.7
VCesat = 0.1 V

+ 10 V

R = 1K
C

RB= 10 K

R =1 K
E

PROBLEMA 38

Hallar el punto de reposo del amplificador de la figura, para:

a) RB = 1k
b) RB = 10k

Datos:
VBEQ = 0.7V
= 0.99
ICBO = 0
 + 15 V

1K
RB

1V
100

PROBLEMA 39

Hallar R1 y R2 para que VCEQ = 5V, teniendo en cuenta que ICQ no debe variar ms de un
10% cuando vare entre 20 y 60.

Datos: VBE = 0.7V.

+ 25 V
1'5 K
R2

1 K
R1

PROBLEMA 40

Calcular R1 y R2 de un circuito de autopolarizacin para que ICQ = 10 mA, de forma que

ste sea muy estable frente a las variaciones de .
PROBLEMA 41

En el circuito de autopolarizacin RE = 4.7 k y RB = 7.75 k, la tensin de

alimentacin y RC se ajustan para que ICQ = 1.5 mA:
a) Calcular las variaciones de ICQ en el margen de temperaturas de 65C a +175C.
b) Si R1 = 1k, calcular VCC, RC y VCE para que el punto de reposo permita la
mxima excursin simtrica en tensin.
T-2.CARACTERSTICAS DE LOS TRANSISTORES.

Transistor = dispositivo de 3 capas

I I
C C

COLECTOR N
N

BASE
P
P
I I
B B
EMISOR

N
N

I I
E E

C C

IC IC

+ +
IB IB

V
B CE
B

- -

IE IE
E E
 E C
+ +

VEB VCB
B

- -

E C
+ +

VEB VCB
B

- -

Componentes de la corriente del transistor.

P N P

I pE I
PC1

I E IpE -I
pC
IC
E I
nE I nCD I CD C
I
PCD

IB
 A) IE = IPE + INE

Como el emisor est ms drogado IPE >> INE esto es deseable porque los
electrones que atraviesan la unin desde la Base al Emisor no contribuye con portadores
que alcacen el colector.
No todos los huecos IPE alcanzan el colectro, IPC1.

B) IPE IPC1 se recombinan con los electrones que entran en el circuito

del exterior.
C) Si abrimos el circuito emisor por colector ICO saturacin

-ICO = INCO + IPCO

As:

IC = ICO IPC1 = ICO - IE

Donde representa los huecos del emisor que atravesando la base llegan al colector.

IPC = IPC1 + IPCO

En un NPN las corrientes tendrn sentido contrario.

desde el corte IE = 0 hasta IC

IC = ICO IE

IC ICO
Puede definirse = Ganancia corriente
IE 0
para grandes seales.
PROBLEMAS: TEMA 5.

Ejemplo de circuito con polarizacin fija.

PROBLEMA 42

Determine las siguientes cantidades para la configuracin de polarizacin fija de la

siguiente figura
a) IBQ e ICQ.
b) VCEQ.
c) VB y VC.
d) VBC.

V CC =+12V

R B =240k IC R C =2.2k
Salida
IB +
Entrada de ca
de ca C 2 =10F
V CE
C 1 =10F
- =50

a) Consideramos primero la malla circuito base-emisor y aplicando Kirchhoff

VCC V BE 12V 0.7V

+VCC IBRB VBE = 0; IBQ = = = 47.08
RB 240k

En realidad, la expresin es slo la ley de Ohm.

Consideramos ahora la seccin de colector-emisor a partir de ahora. La magnitud de la

corriente de colector se relaciona directamente con IB

ICQ = IBQ = (50)(47.08 A) = 2.35 mA

b) Aplicando Kirchhoff a la malla colector-emisor en el sentido de las manecillas del

reloj

VCE + ICRC VCC = 0; VCEQ = VCC ICRC =

= 12V (2.35 mA)(2.2k)= 6.38 V

c) Recordamos brevemente que VCE = VC VE donde VCE es el voltaje colector emisor
y VC y VE son los voltajes de colector y emisor a tierra, respectivamente. Nos damos
cuenta que en este caso

VE = 0V VC = VCE = 6.83V
Adems, puesto que VBE = VB VE

VE = 0V VB = VBE = 0.7V

d) VBC = VB VC = 0.7V 6.83 V = -6.13 V

PROBLEMA 43

Determine el nivel de saturacin para la red del problema anterior.

Para un transistor que opera en la regin de saturacin, la corriente es un valor

mximo para el diseo particular. Si se vara el diseo, este nivel se elevar o caer.
Para conocer la corriente mxima de colector aproximada (nivel de saturacin) para un
diseo en particular, se inserta un corto circuito equivalente entre el colector y el emisor
del transistor y se calcula la corriente de colector resultante. Es decir hacemos VCE = 0V,
ocasionando que el voltaje a travs de RC sea el voltaje aplicado VCC. Por tanto,

VCC 12V
ICsat = = = 5.45 mA
RC 2.2k

Fijmonos que en el ejemplo anterior ICQ = 2.35 mA que est alrededor de la mitad del
valor mximo para el diseo.

Ejemplo de circuito de polarizacin estabilizada de emisor.

PROBLEMA 44

Para la red polarizada de emisor de la figura siguiente, determine:

a) IB
b) IC
c) VCE
d) VC
e) VE
f) VB
g) VBC

Este circuito tiene un resistor en el emisor para mejorar el nivel de estabilidad sobre el
de la configuracin de polarizacin fija.
 +20V

430k 2k

v0
vi =50 10F
10F

1k 40F

a) Consideremos la malla de base a emisor. Aplicando Kirchhoff en direccin de las

manecillas del reloj

+VCC IBRB VBE IERE = 0 y recordando IE = ( +1) IB

operando obtenemos

VCC VBE 20V 0.7V 19.3V

IB = = = = 40.1A
RB + ( RC + RE ) 430k + (51)(1k) 481k

b) IC = IB = (50)(40.1 ) 2.01 mA

c) Consideremos a partir de ahora la malla de colector-emisor. Aplicando Kirchhoff

para dicha malla

+IERE + VCE + ICRC VCC = 0 y sustituyendo IE IC y agrupando trminos

VCE = VCC IC(RC+RE) = 20V ( 2.01 mA)(2k + 1k) = 20 V 6.03 V =

= 13.97 V

d) Mientras que el voltaje del colector a tierra se puede determinar a partir de

VC = VCE + VE = VCC ICRC = 20 V (2.01 mA) (2k) = 20V 4.02V = 15.98 V

e) VE = VCE VC = 15.98 V 13.97 V = 2.01 V

o bien se puede hallar as

VE = IERE (2.01 mA)(1k) = 2.01 V

f) VB = VBE + VE = 0.7 V + 2.01V = 2.71 V

g) VBC = VB VC = 2.71 V 15.98 V = -13.27 V (polarizado inversamente como se

se requiere)
PROBLEMA 45

Determine la corriente de saturacin para la red del ejemplo anterior.

Mediante el mismo enfoque usado en la configuracin de polarizacin fija, se

aplica un corto circuito entre las terminales colector-emisor y se calcula la corriente del
colector resultante

VCC 20V 20V

ICsat = = = = 6.67 mA
RC + RE 2k + 1k 3k

La adicin del resistor de emisor reduce el nivel de saturacin del emisor debajo del
nivel que se obtiene con una configuracin de polarizacin fija por medio del mismo
resistor del colector. Fijmonos que es ms de dos veces el nivel de ICQ para el ejemplo
anterior.

PROBLEMA 46

La configuracin con polarizacin de emisor de la figura siguiente tiene las

siguientes especificaciones ICQ = 12 ICsat, ICsat = 8 mA, VC = 18 V y = 110.
Determine RC, RE y RB.

28 V

RB RC

V C =18V
=110

RE

ICQ = 1
2 ICsat = 4mA

VRC VCC VC 28V 18V

RC = = = = 2.5 k
ICQ ICQ 4mA

VCC
ICsat =
RC + RE

VCC 28V
y R C + RE = = = 3.5 k
ICsat 8mA
 RE = 3.5 k - RC = 3.5 k - 2.5 k = 1 k

ICQ 4mA
IBQ = = = 36.36 A
110

VCC VBE
IBQ =
RB + ( + 1) RE

VCC VBE
y RB + ( + 1) RE =
I BQ

VCC VBE 28V 0.7V

con RB = - (+1)RE = - (111)(1k) =
I BQ 36.36 A

27.3V
= - 111 k = 639.8 k
36.36 A

Para valores estndar

RC = 2.4 k

RE = 1 k

RB = 620 k

PROBLEMA 47

Determine los valores de los resistores para la red de la figura siguiente, para la
fuente de voltaje y el punto de operacin indicados.

V CC =20V

RB I C =2mA
Q R C C 2 =10F
Salida
Entrada de ca
de ca V CE =10V
Q
VB
C 1 =10F
=150 -

RE C E =50F
 VE = 1
10 VCC = 1
10 (20 V) = 2 V

VE VE 2V
RE = = = 1 k
IE IC 2mA

VRC VCC VCE VE 20V 10V 2V 8V

RC = = = = = 4 k
IC IC 2mA 2mA

IC 2mA
IB = = = 13.33 A
150

VRB VCC VBE VE 20V 0.7V 2V

RB = = = = 1.3 M
IB IB 1.33A

PROBLEMA 48

Estudiemos ahora el diseo de un circuito de ganancia en corriente estabilizada

(independiente de )

Determine los niveles de RC, RE, R1 y R2 para la red de la siguiente figura, para el
punto de operacin indicado.

V CC =20V

R1 I C =10mA
Q R C C 2 =10F
Salida
Entrada de ca
de ca V CE =8V
VB
Q

C 1 =10F
(min)=80 -

RE C E =100F

El valor de las cuatro resistencias se obtiene para un punto de operacin

especificado. Como tal se suele elegir un valor para el voltaje emisor, VE, que conduce a
una solucin directa para todos los valores de las resistencias. Todos los pasos de diseo
se muestran a continuacin:

VE = 1
10 VCC = 1
10 (20 V) = 2 V
 VE VE 2V
RE = = = 200
IE IC 10mA

VRC VCC VCE VE 20V 8V 2V 10V

RC = = = = = 1 k
IC IC 10mA 10mA

VB = VBE + VE = 0.7 + 2 V = 2.7 V

Para el clculo de R1 y R2 obtendremos una ecuacin usando el voltaje de base, VB, y el

voltaje de la fuente, VCC, y otra ecuacin sabiendo que para que el circuito opere con
eficacia la corriente a travs de estos dos resistores debe ser aproximadamente igual y
mucho mayor que la corriente de base (al menos en proporcin 10:1). Este hecho y la
ecuacin de divisor de voltaje son las dos relaciones necesarias para determinar los
resistores de base:

R2 1
10 RE

R2
VB = VCC
R1 + R 2

La sustitucin conduce a R2 1
10 (80)(0.2k) = 1.6 k

(1.6k)(20V )
VB = 2.7 V =
R1 + 1.6k

2.7R1 + 4.32 k = 32 k

2.7R1 = 27.68 k

R1 = 10.25 k (10 k en nmeros redondos).

PROBLEMA 49

Determine el voltaje polarizado de cd VCE y la corriente IC para la configuracin

con divisor de voltaje de la figura siguiente.

+ 22V

39 K 10 K

Vi V0
+
10 F 10 F
V CE
=140
3'9 K 1'5 K -
50 F

Vamos a buscar el equivalente Thevenin. La fuente de voltaje se reemplaza por un

cortocircuito equivalente y hallamos la resistencia Thevenin:

RTH = R1 < R2

39 3.9
RTH = = 3.55k
39 + 3.9

Hallamos la tensin Thevenin:

R2 VCC 3.9 22
ETH = = = 2V
R1 + R2 39 + 3.9

Hallamos ahora las intensidades:

ETH VBE 2V 0.7V 1.3V

IB = = = = 6.05A
RTH + ( + 1) RE 3.55k + (141)(1.5k) 3.55k + 211.5k

donde hemos puesto en el numerador la diferencia de los dos niveles de voltaje, y en el

denominador la resistencia de base ms el resistor de emisor reflejado por ( + 1).

I C =I B = (140)(6.05A) = 0.85mA

El voltaje polarizado de cd es:

VCE = VCC - IC(RC + RE) = 22 V - (0.85 mA)(10 + 1.5)k = 22 V - 9.78 V = 12.22 V

PROBLEMA 50

Repita el anlisis del problema anterior utilizando la tcnica aproximada y

compare las soluciones para ICQ y VCEQ.

+ 22V

39 K 10 K

Vi V0
+
10 F 10 F
V CE
=140
3'9 K 1'5 K -
50 F

La aproximacin mencionada consiste en tomar RE 10R2. Probmoslo en nuestro

caso:
140 (1.5 k) 10 (3.9 k) 210 k 39 k (resultado satisfactorio)

En este caso, podemos calcular la tensin VB utilizando la ecuacin:

R2 VCC (3.9k)(22V )
VB = = = 2V
R1 + R2 39k + 3.9k

Ntese que el nivel de VB es el mismo que el de ETH determinado en el problema 1. Por

consiguiente, la principal diferencia entre las tcnicas exacta y aproximada es el efecto
de RTH en el anlisis exacto que separa a ETH y VB.

VE = VB - VBE = 2 V - 0.7 V = 1.3 V

VE 1.3V
I CQ I E = = = 0.867 mA
RE 1.5k

comparada con 0.85 mA correspondiente al anlisis exacto. Por ltimo:

VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 22V - (0.867mA)(10k + 1.5k) = 22V - 9.97V = 12.03 V

contra los 12.22 V obtenidos en el problema anterior.

Los resultados para ICQ y VCEQ realmente estn muy cercanos y, tomando en
consideracin la variacin real en los valores de los parmetros, se puede considerar con
certeza que uno es tan preciso como el otro. Cuanto mayor sea el nivel de Ri en
comparacin con R2, ms cercana ser la aproximacin a la solucin exacta.
PROBLEMA 51

Repita el anlisis exacto del problema anterior si se reduce a 70, y compare las
soluciones para ICQ y VCEQ.

+ 22V

39 K 10 K

Vi V0
+
10 F 10 F
V CE
=140
3'9 K 1'5 K -
50 F

Este ejemplo no es una comparacin de los mtodos exacto y aproximado, sino ms

bien una prueba de qu tanto se trasladar el punto Q si el nivel de se trunca a la
mitad. RTH y ETH son iguales:

RTH = 3.55 k ETH = 2 V

ETH VBE 2V 0.7V 1.3V

IB = = = = 11.81A
RTH + ( + 1) RE 3.55k + (71)(1.5k) 3.55k + 106.5k

I CQ =I B =70 11.81A =0.83mA

VCEQ =VCC I C ( RC + RE ) = 22V (0.83mA)(10k + 1.5k) = 12.46V

Si tabulamos los resultados para los dos valores de :

ICQ (mA) VCEQ (V)

140 0.85 12.22
70 0.83 12.46

Los resultados muestran claramente la relativa insensibilidad del circuito al cambio en

. Aun cuando se trunca en forma drstica a la mitad de su valor, de 140 a 70, los
niveles de ICQ y VCEQ son esencialmente los mismos.
PROBLEMA 52

Determine los niveles de ICQ y VCEQ para la configuracin de divisor de voltaje de

la figura siguiente, utilizando las tcnicas exacta y aproximada, y compare las
soluciones. En este caso, las condiciones de la ecuacin RE 10R2 no se
satisfacen, pero los resultados revelarn la diferencia en la solucin si se ignora el
criterio de esta ecuacin.

18 V

82 K 5'6 K
I CQ
Vi V0
+
10 F
10 F
V CEQ
=50
3'9 K 1'2 K - Errata: no son 3.9 k,
sino 22 k

- Anlisis exacto:
RE 10R2 (50)(1.2 k) 10(22 k) 60 k 220 k, lo cual no es cierto.

Buscamos el equivalente Thevenin:

RTH = R1 || R2 = 82 k || 22 k = 17.35 k

R2VCC 22k 18V

ETH = = = 3.81V
R1 + R2 82k + 22k

Con lo que obtenemos los resultados pedidos:

ETH VBE 3.81V 0.7V 3.11V

IB = = = = 39.6 A
RTH + ( + 1) RE 17.35k + (51)(1.2k) 78.55k

I CQ =I B = (50)(39.6 A) = 1.98mA

VCEQ = VCC I C ( RC + RE ) = 18V (1.98mA)(5.6k + 1.2k) = 4.54V

-Anlisis aproximado:

VB = ETH = 3.81 V

VE = VB - VBE = 3.81 V - 0.7 V = 3.11 V

 VE 3.11V
I CQ I E == =2.59mA
RE 1.2k
VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 18 V - (2.59 mA)(5.6 k + 1.2 k) = 0.388 V

PROBLEMA 53

Determine los niveles quiescentes de ICQ y VCEQ para la red de la figura siguiente.

10 V

4'7 K
250 K 10 F
V2

Vi =90
10 F
1'2 K

Usaremos la ecuacin de una malla de base a emisor:

VCC VBE 10V 0.7V 9.3V 9.3V

IB = = = = =11.91A
RB + ( RC + RE ) 250k + (90)(4.7 k + 1.2k) 250k + 531k 781k

I CQ =I B =(90)(11.91A) = 1.07mA

VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 10 V - (1.07 mA)(4.7 k + 1.2 k) = 3.69 V

PROBLEMA 54

Repita el ejemplo anterior empleando una beta de 135 (50% ms que en el anterior
caso).

10 V

4'7 K
250 K 10 F
V2

Vi =90
10 F
1'2 K

Es importante advertir que en la solucin para IB en el ejemplo anterior, el segundo

trmino en el denominador de la ecuacin es mayor que el primero. Recordemos que
cuanto mayor sea este segundo trmino comparado con el primero, menor ser la
sensibilidad a los cambios con beta. En este ejemplo, el nivel de beta aumenta en un
50%, lo que incrementar la magnitud de este segundo trmino an ms en comparacin
con el primero. Sin embargo, es ms importante notar en estos ejemplos que una vez
que el segundo trmino es relativamente grande comparado con el primero, la
sensibilidad a los cambios en beta es significativamente menor.
Resolviendo para IB, obtenemos:

VCC V BE 10V 0.7V 9.3V

IB = = = = 8.89 A
R B + ( RC + R E ) 250k + (135)( 4.7 k + 1.2k ) 250k + 796.5k

I C = I B = (135)(8.89 A) =1.2mA

VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 10 V - (1.2 mA)(4.7 k + 1.2 k) = 2.92 V

Aun cuando el nivel de se ha incrementado en un 50%, el nivel de ICQ solamente

aument un 12.1%, mientras que el nivel de VCEQ disminuy cerca de un 20.9%. Si la
red fuera un diseo de polarizacin fija, un aumento del 50% en habra resultado en
un 50% de aumento en ICQ y en un cambio dramtico en la localizacin del punto Q.
PROBLEMA 55

Para la red de la figura, calcular ICQ, VCEQ, VB, VC, VE, y VBC.

V CC=20 V

R c =4'7 K
10 F
RB
V2
250 K C2
C1
Vi =120
10 F

La ausencia de RE reduce la reflexin de los niveles resistivos a simplemente el nivel de

RC, y la ecuacin para IB se reduce a:

V VBE 20V 0.7V 19.3V

I B = CC = = = 23.7 A
RB + RC 250k + (120)(4.7k) 814k

I CQ =I B =(120)(23.7 A) = 2.84mA

VCEQ = VCC - ICRC = 20 V - (2.84 mA)(4.7 k) = 6.65 V

VB = VBE = 0.7 V

VC = VCE = 6.65 V

VE = 0 V

VBC = VB - VC = 0.7 V - 6.65 V = -5.95 V

PROBLEMA 56

Determine VCEQ e IE para la red de la figura siguiente.

C1
Vi =90
10 F C2
V0
RB 240K 10 F
RE 2 K

V EE -20 V

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada, obtenemos:

-IBRB - VBE - IERE + VEE = 0

pero
IE = ( + 1)IB
y
VEE - VBE - ( + 1)IBRE - IBRB = 0

con
VEE V BE 20V 0.7V 19.3V 19.3V
IB = = = = = 45.73A
RB + ( + 1) R E 240k + (91)(2k) 240k + 182k 422k

I C = I B = (90)(45.73A) = 4.12mA

Aplicando la ley del voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, tenemos:

-VEE + IERE + VCE = 0

pero
IE = ( + 1)IB
y
VCEQ = VEE - ( + 1)IBRE = 20 V - (91)(45.73 A)(2 k) = 11.68 V
IE = (91)(45.73 A) = 4.16 mA
PROBLEMA 57

Determine el voltaje VCB y la corriente IB para la configuracin de base comn de

la figura siguiente.

=60
Vi V0

RE 1.2 K RC 2.4K

V EE 4V V CC 10 V

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada, llegamos a:

VEE + IERE + VBE = 0

VEE VBE 4V 0.7V

IE = = = 2.75mA
RE 1.2k

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, tenemos:

-VCB + ICRC - VCC = 0

VCB = VCC - ICRC con IC IE

VCB = VCC - IERC = 10 V - (2.75 mA)(2.4 k) = 3.4 V

I C 2.75mA
IB = = = 45.8A
60
PROBLEMAS: AMPLIFICADORES.

PROBLEMA 58

Calcular la ganancia en tensin del amplificador CASCODE.

hie = 760

hfe = 200
v1 ib 1 E2 C2 v 02

R B2 ||R B3 h ie 1 h ie 2 h fbie 2 RC

Base Q 2

V CC =18V

R B1=6.8k R C =1.8k

C 1 =10F V 02
Q2 C=5F

R B24.7k V 01
C S =5F
Q1

R B34.7k
R E =1.1k C E =5F

hfeZE 2 200 3.782

AV1 (emisor comn) = = = -0.99
hie 760

hie 760
ZE2 = hib2 = = = 3.78
1 + hfe 1 + 200

hfb 0.99 1 8 10 3
AV2 = - RC = = 471.4
hiRb 3.78

hfe
hfb = = 0.99
1 + hfe

AV = AV1AV1 = -466.6
PROBLEMA 59

Amplificador Multietapa (anlisis)

Caso en que los amplificadores se conectan en serie (cascada):

La carga en el primero es la resistencia de entrada del segundo.
La ganancia en una etapa se determina por la carga de sta, que se gobierna
por la resistencia de entrada a la siguiente etapa. As, al disear o analizar
amplificadores multietapa, se empieza por la salida y se contina hacia la
entrada.

Determnese las ganancias de tensin y corriente para el amplificador de dos

etapas acoplado por condensador que se muestra en la siguiente figura. Todos los
condensadores son suficientemente grandes para considerarse cortocircuitos de la
seal de ca.

12V

i 500k
R 2 =7k 600k 10k
V0
is 2

V1 R L =600

2k

R 2 =1k 50k
50k

Se desarrolla el circuito equivalente hbrido para el amplificador multietapa de la

figura dada. El circuito hbrido es el siguiente.

iE i s1
i s2

i b1 i c1 i c2

Las variables prima denotan cantidades de salida de la etapa, mientras que las variables
normales denotan cantidades de entrada a ella. Los clculos para la etapa de salida son:

10000 2000
RB = = 1.67 k
10000 + 2000

12 2000
VBB = =2 V
10000 + 2000
 VBB VBE 2 0.7
ICQ = = = 22 mA
R/ + RE 1670 / 200 + 50

hib = 26 mV / |ICQ| = 1.17 hie = 235.17

Para la etapa de entrada:

7000 1000
RB = = 8.75
7000 + 1000

12 2000
VBB = = 1.5 V
7000 + 1000

VBB VBE 1.5 0.7

ICQ = = = 1.47 mA
R/ + RE 875 / 200 + 50

26mV
hib = = 1.77 hie = 355.77
14.7 mA

La resistencia de entrada se determina usando la ecuacin siguiente:

875 200 (1.77 + 50)

Ren =RB || (hib + RE) = = 807
875 + 10354

La ganancia de corriente, Ai, se encuentra de la siguiente forma

RB ien 875in
ib = = = 0.078ien
RB + (hib + RE ) 875 + 200(1.77 + 50)

La resistencia de entrada de la segunda etapa es

Ren = RB || hie = 205

La corriente Ren es iL y est dada por

600
iL = 15.6 ien = 11.63 ien
805

Nuevamente, iL se divide en la entrada de la segunda etapa. Entonces,

RB i L 1670(11.63ien
ib = = = 10.38ien
R B + hie (1670 + 205)

La corriente de salida:

10.38ien 200 500

io = = 941 ien
500 + 600
La ganancia de corriente es

Ai = 941

Y la ganancia en tensin es

941 600
Av = = 700
807

PROBLEMA 60

Calcule la ganancia en tensin, la tensin de salida, la impedancia de entrada y de

salida para un amplificador de dos etapas en E. C. Ambos autopolarizados con
divisor de tensin y acoplados por condensador.

VCC = 20 V, hie = 1260 , hfe = 200, VE = 25 V, RL = 10 k

, R1 = 15 k
,
, RC = 2.2 k
R2 = 4,7 k , RE = 1 k , CE , Cacoplo.

20V

2.2k
15k
V0
=200 1F
RL

4.7k +
V 1 =25V
1k C E =20F
+

ZB1 = hie1 (RE est cortocircuitada)

ZE1 = RB1 || ZB1 = R11 || R22 || hie1 = 15 k || 4.7 k || 1.26 k = 932

ZE2 = R21 || R22 || hie2 = 15 k || 4.7 k || 1.26 k = 932

2.2 0.932
200
hfe ( RC || ZE 2) 2.2 + 0.932
AV1 = = = -103
hie1 1.26

hfeRC 200 2.2

AV2 = = = -349.2
hie 1.26
 AV = AV1AV2 = 84507

ZS = RC 2.2 k

La tensin de salida VS = AV VE = 845072510-6 = 2.1 V

Si ahora se conecta una resistencia RL:

ib 1
ib 2

RB h ie h fbie 1 Rc RB h ie h fbie 2 RC RL

En este caso se cumple que (RC || RL) = 1.80 k

hfe ( RC || RL )
AV2 = = -186.24
hie

AV = AV1AV2 = 36281.8

VS = AV VE = 0.74 V.

PROBLEMA 61

Determinar la ganancia en corriente del siguiente circuito.

12V

i 500k
R 2 =7k 600k 10k
V0
is 2

V1 R L =600

2k

R 2 =1k 50k
50k

Dibujamos primero el circuito hbrido equivalente

 iE i s1
i s2

i b1 i c1 i c2

Calculamos primero RB1 y RB2 del circuito hbrido equivalente:

7000 1000
RB1 = = 875
4000 + 1000

10000 2000
RB2 = = 1.67 k
10000 + 2000

A continuacin calculamos los siguientes parmetros:

ZB1 hie1 + hfe1 RE1 = 355.77 + 200 50 = 10356

875 10356
ZE1 = RB1 || (hie + hfe RE) = = 807
875 + 10356

ZE2 = RB2 || hie2 = 1.67 k || 355.77 = 205

i s 2 i s 2 ib 2 i s1 ib1
Ai = = =
i E ib 2 i s1 ib1 i E
h fe 2 Rc 2 RB 2 h fe1 Rc1 R B1
= +
R + h + (1 + h R ) =
823
Rc 2 + R L R B 2 + hie 2 Rc1 + Z E 2 B1 ie1 fe1 E1
PROBLEMA 62

Para la red de la figura, sin CE (sin derivacin) determine:

a) re
b) Zi
c) Z0
d) Av
e) Ai

20V

I0

270k 5.6k

C1=10F
C2=10F
Vi .=120
Ii

Zi
Z0
1.2k
CE=10F

a) CD.

VCC V BE 20V 0.7V

IB = = = 46.5A
RB + ( + 1) RE 270k + (121)1.2k

I E = ( + 1) I B = (121)(46.5A) = 5.63mA

26mV 26mV
re = = = 4.62
IE 5.63mA

b)
Zb = re + ( + 1)RE = (120)(4.62) + (121)1.2k = 145.75k
contra 144 k utilizando Zb RE

Zi = RB || Zb = 270k || 145.75k = 94.65k

contra 93.91 k empleando Zi RB || RE
c) Z0 = RC = 5.6k

d)
RC (120)(5.6k)
Av = = = 4.61
Zb 145.75k
contra -4.67 utilizando Av -RC / RE

e)
RB (120)(270k)
Ai = = = 77.93
RB + Z b 270k + 145.75k
o bien
Zi 94.65k
Ai = Av = (4.61) = 77.92
RC 5.6k

PROBLEMA 63

Repita el problema anterior con CE colocado en su sitio.

a) El anlisis de cd es el mismo, y re = 4.62 .

b) RE es cortocircuitado por CE para el anlisis de ca. Por consiguiente:

Zi = RB || Zb = RB || re = 270 k || (120)(4.62 ) = 270 k || 554.4 = 553.26

c) Z0 = RC = 5.6 k

d)
RC 5.6k
Av = = = 1212.12
re 4.62

lo cual es un incremento significativo con respecto al caso anterior.

e)
RB (120)(270k)
Ai = = = 119.75
RB + Z b 270k + 554.4
PROBLEMA 64

Para la red de la figura, determine (empleando aproximaciones apropiadas):

a) re
b) Zi
c) Z0
d) Av
e) Ai

16V

I0

2.2k
90k C2

C1 +

Vi =210
Z0
Ii

Zi V0

10k
0.68k CE

a) Al probar RE > 10R2:

(210)(0.68 k) > 10(10 k) 142.8 k > 100 k se satisface

R2 10k
VB = VCC = 16V = 1.6V
R1 + R2 90k + 10k

V E = V B V BE = 1.6V 0.7V = 0.9V

VE 0.9V
IE = = = 1.324mA
RE 0.68k

26mV 26mV
re = = = 19.64
IE 1.324mA
b) El circuito de ca equivalente se proporciona en la figura siguiente:

Ii +
I0 Z0
+

Zi V0 -
2.2k
Vi 10k 90k
0.68k

- -
R'
La configuracin resultante tiene ahora R = R1 || R2 = 9 k. Al utilizar las
aproximaciones adecuadas, llegamos a:

Zb RE = (210)(0.68 k) = 142.8 k

Zi = RB || Zb = 9 k || 142.8 k = 8.47 k

c) Z0 = RC = 2.2 k

d)
RC 2.2k
Av = = = 3.24
RE 0.68k

e)
Zi 8.47 k
Ai = Av = (3.24) = 12.47
RC 2.2k

PROBLEMA 65

Repita el problema anterior con CE en su sitio.

a) El anlisis de cd es el mismo, y as, re = 19.64 .

b) A partir del circuito de ca equivalente de la segunda figura:

Zb = re = (210)(19.64 ) = 4.12 k

Zi = RB || Zb = 9 k || 4.12 k = 2.83 k

c) Z0 = RC = 2.2 k
d)
RC 2.2k
Av = = = 112.02
re 19.64
lo cual es un incremento significativo.

e)
Zi 2.83k
Ai = Av = (112.02) = 144.1
RC 2.2k

PROBLEMA 66

Para la red de la figura, determine:

a) Zi
b) Z0
c) Av
d) Ai

8V
I0

2.7k
330k

V0
Vi hfe=120
hie=1.175k Z0
Ii hfe=20A/V
Zi

a) Zi = RB || hie = 330 k || 1.175 k = 1.171 (vemos que Zi hie)

b)
1 1
r0 = = = 0.05M = 50k
h0 e 20 A / V

1
Z0 = || RC = 50k || 2.7 k = 2.56k RC
h0 e
c)
h fe RC (120)(2.7 k)
Av = = = 276.69
hie 1.171k
d) Ai hfe = 120

PROBLEMA 67

Para la red de la figura, determine:

a) Zi
b) Z0
d) Av
e) Ai

Ii

+ +
I0
Z0
Zi
2.2k hfb=-0.99 3.3k
Vi hib=14.3 V0
hob=0.5A/V
4V 10V

- -

a) Zi = RE || hib = 2.2 k || 14.3 = 14.21 (vemos que Zi hib)

b)
1 1
r0 = = = 2 M
h0b 0.5A / V

1
Z0 = || RC = 2 M || 3.3k = 3.3k RC
h0b

c)
h fb RC (0.99)(3.3k)
Av = = = 229.91
hib 14.21k

d) Ai hfb = -1
PROBLEMA 68

Disear el amplificador estabilizado por divisor de tensin de la figura para que

trabaje en clase A, tenga una ganancia de tensin Av = -4 y una frecuencia inferior
de corte de aproximadamente 50 Hz. En el circuito diseado, cul es la mxima
seal de entrada para una salida sin distorsin? Suponer el BJT de silicio con >
100.

VCC=10V

RL
R1
CB

+
Vi R2
RE

Para que el amplificador trabaje en clase A, se debe cumplir:

VCC = ICQ (RL + RE)
y para que la ganancia de tensin valga -4, se debe verificar:
Av = -4 = -RL / RE RL = 4RE
Sustituyendo en la primera ecuacin, y fijando ICQ = 1 mA, inmediatamente se obtiene:
VCC = ICQ 5RE 5V = 1 mA5RE RE = 1 k
con lo que:
RL = 4 k
Con los valores de RE e ICQ anteriores, la tensin en el emisor vale VE = 1 V, y en
consecuencia, la tensin en la base es VB = 1.7 V. Eligiendo la corriente ID por el
divisor R1 - R2 igual a ID = 0.1 mA >> IB, fcilmente se determina:
R2 = VB / ID = 17 k
R1 = (VCC - VB) / ID = 83 k
La impedancia que ve el condensador CB es igual a la impedancia de entrada Zinp del
amplificador, que vale:
Zinp = R1 || R2 || ( + 1)RE = 12.38 k
y, en consecuencia:
Zinp = (CB1)-1 = 12.38 k CB = (12.38 k 250 Hz)-1 = 257 nF
Veamos cul es la mxima amplitud posible de la seal de entrada. El BJT se cortar
cuando en su emisor la tensin valga cero voltios o, lo que es lo mismo, cuando en la
base la tensin valga VB = 0.7 V. En consecuencia, la mxima amplitud de la seal de
entrada es de 1 V.

PROBLEMA 69

En el circuito de la figura, hallar R1 y R2 para que el circuito trabaje en clase A de

alterna. Con los valores de R1 y R2 obtenidos, cul es la mxima amplitud de la
salida sin distorsin? El BJT es de Ge (VBE 0) y con > 100.

VCC=10V

RL=150
R1
CB

R2
RE
CE
100

La ecuacin de la recta esttica de carga es:

VCC = ICQ (RL + RE) + VCEQ

y de la recta dinmica:

(iC - ICQ)RL = -(vCE - vCEQ)

Para una excursin mxima simtrica se debe verificar:

vCE = 0 ic = 2ICQ ICQ = VCEQ / RL

Sustituyendo el este valor en VCC:

VCC = ICQ(RL + RE) + ICQRL

VCC 10V
I CQ = = = 25mA
2 RL + RE 2 150 + 100
Es decir, para que el circuito trabaje en la clase A de alterna, el transistor debe
polarizarse mediante R1 y R2 para que la corriente de colector en el punto Q valga ICQ
= 25 mA. En ese caso, la tensin en el emisor valdr VE = ICQRE = 2.5 V, tensin que
ser igual a la que hay en la base VB por ser VBE = 0. Fijando la corriente ID por el
divisor en ID = 2.5 mA, inmediatamente se determina:

VCC VB 10V 2.5V

R1 = = = 3k
ID 2.5mA

VB 2.5V
R2 = = = 1k
I D 2.5mA

La mxima amplitud de salida, dado que el punto Q est centrado en alterna, vale:

ICQRL = 3.75 V

PROBLEMA 70

En el amplificador de la figura, hallar:

a) R2 de modo que ICQ = 5 mA.

b) El mximo valor de la amplitud de la tensin de salida sin distorsin con ICQ =
5mA
c) El valor de R2 que hace que el amplificador trabaje en clase A de alterna y
calcular en ese caso el mximo valor de la amplitud de la salida sin distorsin.

VCC=12V

hfb=-0.99
BJT hib=14.3
R2 hie=1k
CB
CE
+
Vi
RE RL
1k 2k

a) Si ICQ = 5 mA, la tensin en la base debe valer:

VB = VE = ICQRE = 5 V
Como la corriente continua de base vale IB = ICQ / = 0.1 mA, resulta:

VCC VB 12V 5V
R2 = = = 70k
IB 0.1mA

b) La tensin VCEQ es igual a:

VCEQ = VCC - ICQRE = 12 V - 5 mA 1 k = 7 V

por tanto, el punto Q est ms prximo a la zona de corte que a la de saturacin, y ser
precisamente el corte del BJT la causa que limite la amplitud de la oscilacin.

La ecuacin de la recta dinmica de carga es:

(iC - ICQ)R = -(vCE - VCEQ)

siendo R = RE || RL. Cuando el transistor se corta (iC = 0) la tensin vCE vale:

vCE = VCEQ + ICQR = 7 V + 5 mA 2/3 k = 10.33 V

por lo que, en ese instante, la tensin en el emisor vale:

vE = vC - 10.33 V = VCC - 10.33 V = 12 V - 10.33 V = 1.67 V

de donde, la mxima amplitud V0 de la seal de salida es:

V0 = VE - vE = 5 V - 1.67 V = 3.33 V

c) Para que el seguidor trabaje en clase A de alterna, vCE = 0 y iC = 2ICQ por lo que nos
queda:
(iC - ICQ)R = -(vCE - VCEQ) ICQR = VCEQ

Por otro lado, la ecuacin de la recta esttica de carga es:

VCC = ICQRE + VCEQ

Combinando estas dos ltimas ecuaciones:

VCC 12V
I CQ = = = 7.2mA
RE + R 1k + 0.67 k

Con el valor anterior de ICQ, la tensin en la base es VB = 7.2 V, de donde:

VCC VB 12V 7.2V

R2 = = = 33k
IB 0.144mA
La amplitud mxima V0 de la oscilacin de salida vale en este caso:

V0 = ICQR = 7.2 mA 0.67 k = 4.8 V

PROBLEMA 71

y R2
Determnese el punto Q para el circuito mostrado en la figura si R1 = 1.5 k
. Se utiliza un transistor 2N3903, con = 140, RE = 100 y RC = RL = 1k
= 6 k .

VCC=5V

RC=1k
R2 C

2N3903
+
VBE=0.7V
v0
Vi R1 RE RL
100 C
1k

R1VCC 1500 5V
VBB = = = 1V
R1 + R2 1500 + 6000

R1 R2
RB = = 1200
R1 + R2

Se determina si el amplificador tiene estabilidad con cambios en mediante a

verificacin de RB < 0.1RE = 0.1(140)(100 ) = 1400 . Como la desigualdad se
cumple, se tiene estabilidad. Se encuentra el punto Q como sigue:

VBB V BE 1V 0.7V
I CQ = = = 2.76mA
RB / + RE 1200 / 140 + 100

Se encuentran Rca = RC || RL = 500 , y Rcd = RC + RE = 1.1 k

Calculamos VCEQ:

VCEQ = VCC - ICQRcd = 5 V - 2.76 mA 1.1 k = 1.96 V

Entonces:

VCC = VCEQ + ICQRac = 1.96 V + 2.76 mA 500 = 3.34 V

Como el punto Q se halla en la mitad inferior de la lnea de carga de ca, la mxima

excursin simtrica en la tensin de salida es:

2ICQ(RC || RL) = 2(2.76 mA)(500 ) = 2.76 V

En este ejemplo, el punto Q no se encuentra en la mitad de la lnea de carga, de manera

que la excursin en la salida no es mxima. Sin embargo, si la seal de entrada es
pequea y no se requiere mxima salida, se puede utilizar una ICQ pequea para reducir
la potencia disipada en el circuito.

PROBLEMA 72

Seleccinese R1 y R2 para mxima excursin en la tensin de salida en el circuito

del ejemplo anterior.

Determinamos la ICQ:

VCC 5V
I CQ = = = 3.13mA
Rca + Rcd 500 + 1100

pues Rca = RC || RL = 500 , y Rcd = RE + RC = 1100 .

Para mxima excursin:

VCC = 2VCEQ

Entonces, VCEQ est dado por:

VCEQ = (3.13 mA)(500 ) = 1.56 V

La interseccin de la lnea de carga de ca con el eje vCE es VCC. As:

VCC = 2VCEQ = 3.12 V

De las especificaciones del fabricante, = 140, luego:

RB = 0.1(140)(100) = 1400

VBB = 3.13 mA (1400 / 140 + 100) + 0.7 = 1.044 V

Con esto, se encuentra R1 y R2:

RB 1400
R1 = = = 1.77 k
1 VBB / VCC 1 1.044 / 5

RBVCC 1400 5V
R2 = = = 6.7 k
VBB 1.044V

La mxima excursin en la tensin de salida, ignorando las no linealidades de

saturacin y corte, sera entonces:

2ICQ(RC || RL) = 2(3.13 mA)(500 ) = 3.13 V