Laboratorio N 03: EL TRANSISTOR

BIPOLAR POLARIZACION, CORTE Y

SATURACION
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per
Alvarez Blas, Abel alberto

INTRODUCCIN

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor (E).

La palabra bipolar se deriva del hecho que internamente existe una doble circulacin de
corriente: electrones y lagunas o agujeros

I. OBJETIVO II. TEORA

Conocer las caractersticas tcnicas
y los requerimientos de uso del
transistor. CLASIFICACIN DE LOS
Adquirir destreza en el uso de los TRANSISTORES BIPOLARES:
equipos y la obtencin de las curvas
caractersticas del transistor 1.- Por la disposicin de sus capas:
Bipolar. Transistores PNP y NPN
Adquirir destreza en el manejo de
2.- Por el material semiconductor
los manuales y obtencin de los
empleado: Transistores de Silicio y de
data sheet de los dispositivos a usar
Germanio
de Internet y los equipos de
medicin. 3.- Por la disipacin de Potencia:
Determinar las operaciones de corte Transistores de baja potencia, de mediana
y saturacin de los transistores.
potencia y de alta potencia
Identificar las rectas de carga y
punto de operacin. 4.- Por la frecuencia de trabajo:
Adquirir destreza en el manejo de Transistores de baja frecuencia y
los equipos y el ensamble de los Transistores de alta frecuencia
circuitos.
Afianzar el trabajo en equipo
asumiendo responsabilidades en el
desarrollo de la experiencia
POLARIZACIN DE LOS F: Transistor de alta frecuencia
TRANSISTORES BIPOLARES:
L: Transistor de alta frecuencia y potencia
Para que un transistor bipolar funcione
P: Foto semiconductor
adecuadamente, es necesario polarizarlo
correctamente. Para ellos se debe cumplir S: Transistor para conmutacin
que:
U: Transistor para conmutacin y de
La juntura BASE - EMISOR este potencia
polarizado directamente, y
Y: Diodos de potencia
La juntura COLECTOR BASE este
polarizado inversamente. Z: Diodo Zner.

Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base Nmero de serie:

debe tener un voltaje positivo con respecto
al emisor y el colector debe tener un voltaje 100 999: Para equipos domsticos tales
tambin positivo pero, mayor que el de la como radio, TV, amplificadores,
base. En el caso de un transistor PNP debe grabadoras, etc.
ocurrir lo contrario.
10 99 y la letra X, Y o Z: Para
CODIFICACIN DE LOS aplicaciones especiales.
TRANSISTORES BIPOLARES: Ejemplo: AD149, es un transistor de
potencia, de germanio y sus aplicaciones
Los transistores tienen un cdigo de
son de baja frecuencia.
identificacin que en algunos casos
especifica la funcin que cumple y en otros CODIFICACIN JAPONESA:
casos indica su fabricacin.
Primero:
Pese a la diversidad de transistores, se
distinguen tres grandes grupos: Europeos, 0 (cero): Foto transistor o fotodiodo
Japoneses y Americanos.
1: Diodos
CODIFICACIN EUROPEA:
2: Transistor
Primera letra:
Segundo:
A: Germanio
S: Semiconductor
B: Silicio
Tercero:
Segunda Letra:
A: Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
A: Diodo (excepto los diodos tnel)
B: Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
B: Transistor de baja potencia
C: Transistor NPN de RF
D: Transistor de baja frecuencia y de
potencia D: Transistor NPN de AF

E: Diodo tnel de potencia F: Tiristor tipo PNPN

G: Tiristor tipo NPNP

Cuarto: Elabora informes tcnicos claros
mediante un formato digital
Nmero de serie: comienza a partir del establecido, detallando el proceso
nmero 11 de laboratorio desarrollado,
entregando puntualmente.
Quinto: Usa software de simulacin y
compara con los resultados
Indica un transistor mejor que el anterior experimentales.
Ejemplo: Reconoce la importancia del
trabajo en equipo y se integra y
participa en forma efectiva en
equipos multidisciplinarios de
trabajo.

III. RESPUESTAS A PREGUNTAS

a. Realice los clculos para hallar

Es un transistor PNP de RF con mejores
caractersticas tcnicas que el 2SA186.
IB , IC empleando el simulador
ORCAD / Pspice o similar.
El clculo terico de IB para el
circuito es:

CODIFICACIN AMERICANA:
= +
Anteriormente los transistores americanos
=
empezaban su codificacin con el prefijo
2N y a continuacin un nmero que 12 0.767
indicaba la serie de fabricacin. Ejemplo
=
10
2N3055, 2N2924 (manuales del = 1.1233
laboratorio). =

Actualmente, cada fbrica le antepone su =
propio prefijo, as se tiene por ejemplo:
TI1411, ECG128, etc. que corresponden 0.098
=
respectivamente a TEXAS 1.123
INSTRUMENTS Y SYLVANIA. = 87

I. COMPETENCIAS

Maneja correctamente el
multmetro, generador, fuente
de alimentacin y osciloscopio,
configurando y conectndolos
apropiadamente.
Selecciona correctamente los
componentes a utilizar para el
anlisis de corte y saturacin
del transistor bipolar.
 b. Simule los pasos de la gua de
laboratorio y anote las tensiones
y corrientes que se piden en el
experimento.

Determinar la curva IC vs VCE

,Ajuste y mantenga IB en 40
y llene la siguiente tabla:

c. Con los valores obtenidos con el

simulador, haga las grficas de
las curvas: IC vs VCE ; IC vs IB ;
vs IC ; IB vs VBE ; y obtenga el
grfico de respuesta en
frecuencia indicando la ganancia
de tensin vs. Frecuencia usando
la escala logartmica.

Grfica IC vs VCE

10
CORRIENTE DE
COLECTOR (Ic)

8
6
4
2
0
0 5 10 15
VOLTAJE COLECTOR EMISOR (Vce)
 2N3904

d. Obtenga el Data Sheet del transistor y

determine las caractersticas de corte y
saturacin as como el punto de
operacin del 2N 2222 y el 2N 3904.

2N2222
e. Que voltaje AC de entrada puede
soportar el transistor 2N 2222 y el 2N
3904
2N3904
2N2222
IV. EQUIPOS Y MATERIALES
Los materiales a utilizar en el laboratorio
son:
01 transistor NPN 2N2222
2N3904 01 Protoboard
01 Resistencia de 100; 2de 1K
de 1W 02 Fuente DC; puntas de
prueba
01 Protoboard y cables conectores
01 multmetro
Resistencias:10K;15K;56K;2
2K;180K;
3.3K;6.2K;10K;510K;2K
de 1W
01 Potencimetro lineal de 50K y
500 K 0.5W 01 Generador de
funciones
02 transistores BJT iguales
BC548A
02 Diodos LED
01 Osciloscopio, puntas de prueba
V. DESARROLLO DE LA
EXPERIENCIA
5.1 POLARIZACIN- CURVAS DEL
TRANSISTOR
a) Mida las resistencias y los
potencimetros con el
multmetro y anote los valores.
b) Determine los terminales del
transistor con el multmetro o
use los manuales e imprima EL
Data Sheet obtenida en Internet
(Nota: si el multmetro tiene
probador de transistores selo)
c) Arme el siguiente circuito: Tenga
cuidado de colocar
correctamente los terminales del
transistor.
d) Si usa un transistor equivalente
busque en el datasheet sus
caractersticas y modifique si es
necesario el voltaje de entrada
e) Verifique las conexiones con el
multmetro, ajuste la fuente a 12
VDC y conctela al circuito.
f) La corriente de base ( I B )
obtenida en el informe previo, la
puede ajustar con el
potencimetro de 500 K. La
corriente de base ( I B ) la puede
medir indirectamente con la
tensin en la resistencia de 10K.
La tensin de colector-emisor
 (VCE ) la puede ajustar con el
potencimetro de 50K. La
g) corriente de colector ( IC ) la
puede medir indirectamente con
la tensin en la resistencia de 100
si solo cuenta con un
ampermetro.
h) Para determinar las curvas IC vs
VCE, ajuste y mantenga IB en 40
uA.
i) Obtener las curvas IC vs IB ,
matenga VCE= 5v.
j) Obtener la curvas IB vs VBE ,
matenga VCE= 5v. e.- Armar el circuito de la
figura 3

5.2- TRANSISTORES BIPOLARES

EN ZONA ACTIVA, CORTE Y
SATURACIN

a. Armar el circuito de la figura

2:

f.- Medir la tensiones VC , VE y

b. Polarizar el dispositivo y medir
VC y VB en una tabla
c. A partir de esta tabla graficar
la curva de transferencia de
entrada a salida
d. Graficar la curva de
transferencia de
corrientes ( I C vs I B ) y el
beta de las mismas (BETA
vs I C ).
SIMULACIN (Tomando datos en R1):
VB para trazar la recta de carga
del circuito variando R6.
g.- Determinar las corrientes
y graficar la recta de carga en
el plano IC vs VCE del
transistor,Indicar la zona de
operacin correspondiente.
h.- Graficar en un mismo plano
las diferentes rectas de carga,
a colores, indicando las zonas
de operacin. Adjuntar las
datasheet con los datos de los
transistores utilizados.
i.- Armar el circuito de la figura
2, conectar los diodos LED en
serie con las resistencias R1 y
R2, colocar en V3 una fuente
DC y reemplazar R! por un
potencimetro.
j.- Para determinar la regin VI. BIBLIOGRAFA
activa vare el voltaje de
entrada V3 y realice las http://search.datasheetcatalog.ne
mediciones necesarias, de tal t/key/2N3904
forma que pueda determinar
el intervalo de voltaje (V(min) http://www.datasheetcatalog.co
< V4 < V(max)) que mantiene m/datasheets_pdf/2/N/2/2/2N22
al transistor operando en la 22.shtml
regin activa. http://cvb.ehu.es/open_course_w
k.- Para determinar cuando el are/castellano/tecnicas/electro_g
transistor est en corte o est en/teoria/tema-4-teoria.pdf
en saturacin, aumentar de 1v
en 1v el V(max) DC de V3;
hasta encontrar un cambio en
V0. Luego repetir el
procedimiento disminuyendo
V(min) de V3 desde el ltimo
valor de v, hasta cero.
l-- En la simulacin determinar
la resistencia R1 que facilite el
corte y saturacin de manera
ms rpida y usar ese valor en
la prctica de laboratorio.