07

U.N.M.S.M
FACULTAD DE ING. ELECTRNICA, ELCTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

EGOAVIL BONIFACIO,RICHARD JONATHAN

14190010

CURSO TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRNICOS EL TRNASISTOR BIPOLAR NPN

INFORME FECHAS NOTA

PREVIO REALIZACIN ENTREGA

NUMERO

07 13 DE FEBRERO DEL 20 DE FEBRERO DEL

2015 2015

GRUPO PROFESOR

3
Viernes de 11 am 2 pm ING. LUIS PARETTO QUISPE
INFORME PREVIO N6
 I. TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR PNP.
II. OBJETIVOS:

Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar PNP.

III. INTRODUNCION TEORICO.

TRANSISTOR BIPOLAR PNP

Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin. Fsicamente, el
transistor est constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y
colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados PNP. A partir de este punto
nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN,
siendo el comportamiento de los transistores PNP
totalmente anlogo.

El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms

fuertemente dopada con donadores de electrones, siendo su
ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su funcin
es la de emitir electrones a la base. La base es la zona ms
estrecha y se encuentra dbilmente dopada con aceptores de
electrones. El colector es la zona ms ancha, y se
encuentra dopado con donadores de electrones en
cantidad intermedia entre el emisor y la base.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un
transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C
se encuentra polarizado en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen
del emisor a la base consiguen atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil dopado, y
llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es transistor se

comporta como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicionar de la
corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, sta depende
exclusivamente de la tensin entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su
circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base
corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi
independiente de la tensin entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo
B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar
polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener
el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es
prcticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como
un interruptor abierto.
 IV. RESOLUCION TERICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:

Trabajamos con el transistor TR85

POLARIDAD: PNP
MATERIAL: GERMANIO (Ge)
GANANCIA DE CORRIENTE () = 90

Datos del circuito:

Re=330
Rc=1k
R1=56K
R2= 22K.
Vcc= -12v

Hacemos el equivalente de Thevenin del circuito:

( R 1+ P1) R 2
Rb =
(R 1+ P 1)+ R 2

R 2 Vcc
V=
(R 1+ P1)+ R 2

Con este nuevo circuito

procedemos a realizar las
operaciones de las siguientes
tablas.

OBSERVACIN: El transistor
TR85 est hecho de
GERMANIO y es PNP,
entonces su VBE (activa) y su es respectivamente:

VBE= -0.2v =90.

 TABLA 2

(Para P1 = 0 y R1 = 56k )

Hallando el Rb: Ib = -68.4881 A

R1R2 Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Rb =
R 1+ R 2
Ic = (-68.4881* 106 )*(90)
56 K 22 K
Rb = Ic = -6.163929 mA
(56+ 22) K

Rb = 15.794k Hallando VCE: (Ic = Ie)

Hallando el V: Vcc= IcRc + VCE + IcRe

R 2 Vcc VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

V=
R 1+ R 2 3
VCE = -12 (-6.1639 10 (1000+330)

22 k (12)
V= VCE = -3.80197 v
(56+22) k
Hallando VE:
V = - 3.3846 v
VBE = VB - VE. (VB = V)
Hallando Ib:
VE = V - VBE
V V BE
Ib= VE = - 3.3846 (-0.2)
Rb+ ( +1 )
VE = -3.1846 v
3.384(0.2)
Ib=
15.794 103 + ( 9 0+1 ) 330

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K )

Tericos -6.1639 -68.4881 90 -3.80197 -0.2 -3.1846

TABLA 3

(Para P1 = 0 y R1 = 68k )
 Hallando el Rb: Ib = -58.60288 A

R 1 R 2
Rb =
R 1++ R 2 Hallando Ic:..( Ic = Ib)

68 K 22 K Ic = (-58.60288 106 )*(90)

Rb =
(68+ 22) K
Ic = -5.27426 mA
Rb = 16.623k
Hallando VCE: (Ic = Ie)
Hallando el V:
Vcc= IcRc + VCE + IcRe
R 2 Vcc
V= VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
R 1+ R 2

22 k (12)
VCE = -12 (-5.274 103 (1000+330)
V=
(68+22) k VCE = -4.9856 v

V = - 2.934 v Hallando VE:

Hallando Ib: VBE = VB - VE. (VB = V)

V V BE VE = V - VBE
Ib=
Rb+ ( +1 )
VE = - 2.934 (-0.2)
2.934(0.2)
Ib= VE = -2.734 v
16.623 10 3+ ( 9 0+1 ) 330

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 68K )

Tericos -5.27426 -58.60288 90 -4.9856 -0.2 -2.734

TABLA 5

(Para P1 = 100K y R1 = 56k )

 Hallando el V:

R 2 Vcc
V=
R 1+ P 1+ R2

22 k (12)
V=
(56+100+22)k

V = -1.483 v

Hallando Ib:

V V BE
Ib=
Rb+ ( +1 )

1.483(0.2)
Ib= 3
19.2808 10 + ( 9 0+1 ) 330

Ib = -26.01864 A

Hallando el Rb: Hallando Ic:..( Ic = Ib)

( R 1+ P1) R 2 Ic = (-26.01864 106 )*(90)

Rb =
R 1+ P 1+ R 2
Ic = -2.34168 mA
156 K 22 K
Rb =
(56+100+22) K Hallando VCE: (Ic = Ie)

Rb = 19.2808k Vcc= IcRc + VCE + IcRe

VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

VCE = -12 (-2.3417 103 (1000+330)

VCE = -8.8856 v

(Para P1 = 250K y R1 = 56k )

 Hallando el V:

R 2 Vcc
V=
R 1+ P 1+ R2

22 k (12)
V=
(56+250+22)k

V = -0.8048 v

Hallando Ib:

V V BE
Ib=
Rb+ ( +1 )

0.8048(0.2)
Ib= 3
20.524 10 + ( 9 0+1 ) 330

Ib = -11.96345 A

Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Ic = (-11.9635 106 )*(90)

Hallando el Rb:

Ic = -1.0767 mA
( R 1+ P1) R 2
Rb =
R 1+ P 1+ R 2
Hallando VCE: (Ic = Ie)
306 K 22 K
Rb = Vcc= IcRc + VCE + IcRe
(56+250+22) K

VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
Rb = 20.524k

VCE = -12 (-1.0767 103 (1000+330)

VCE = -10.56799 v

(Para P1 = 500K y R1 = 56k )

 Hallando el V:

R 2 Vcc
V=
R 1+ P 1+ R2

22 k (12)
V=
(56+500+22)k

V = -0.4567 v

Hallando Ib:

V V BE
Ib=
Rb+ ( +1 )

0.4567(0.2)
Ib= 3
21.162 10 + ( 9 0+1 ) 330

Ib = -5.01446 A

Hallando el Rb:
Hallando Ic:..( Ic = Ib)
( R 1+ P1) R 2
Rb = Ic = (-5.01446 106 )*(90)
R 1+ P 1+ R 2

556 K 22 K Ic = -0.4513 mA
Rb =
(56+500+22) K
Hallando VCE: (Ic = Ie)
Rb = 21.162k
Vcc= IcRc + VCE + IcRe

VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

VCE = -12 (-0.4513 103 (1000+330)

VCE = -11.3998 v

(Para P1 = 1M y R1 = 56k )
 Hallando el V:

R 2 Vcc
V=
R 1+ P 1+ R2

22 k (12)
V=
(56+1000+22) k

V = -0.245 v

Hallando Ib:

V V BE
Ib=
Rb+ ( +1 )

0.245(0.2)
Ib= 3
21.551 10 + ( 9 0+1 ) 330

Ib = -0.8724 A
Hallando Rb:
Hallando Ic:..( Ic = Ib)
( R 1+ P1) R 2
Rb = Ic = (-0.8724 106 )*(90)
R 1+ P 1+ R 2

1056 K 22 K Ic = -0.07852 mA
Rb =
(56+1000+22)K
Hallando VCE: (Ic = Ie)
Rb = 21.551k
Vcc= IcRc + VCE + IcRe

VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

VCE = -12 (-0.0785 103 (1000+330)

VCE = -11.8956 v
Procedemos a llenar la tabla con los datos tericos obtenidos:

P1 100K 250K 500K 1M

Ic(mA) -2.34168 -1.0767 -0.4513 -0.07852

Ib(uA) -26.01864 -11.96345 -5.01446 -0.8724

VCE (v.) -8.8856 -10.56799 -11.3998 -11.8956

V. CONCLUSIONES:

La variacin del potencimetro genera cambios en la ganancia de

corriente y voltaje.

Aumentar el valor de la resistencia no genera mayor ganancia pero

disminuye la estabilidad en un amplificador.

Se busca tener una buena ganancia y estabilidad.