Demostraciones

Sanchez Burgos Jose del Angel

Universidad Nacional de Trujillo,Escuela de Fsica
Av. Juan Pablo II s.n. Trujillo, Peru

Fecha de Elaboracion: 28 de Agosto del 2017

Fecha de Entrega: 31 de Agosto del 2017

1. Demostrar que la concentracion de electrones en la banda conductora es:

1 2me 3/2 (e Ec )1/2 me KB T 3/2 EKf ET c
Z
ne = ( ) de = 2( ) e B (1)
2 2 h2 Ec e
(e )
KB T
+1 2h2

Teniendo en cuenta que en las temperaturas de interes podemos suponer que para la banda de conduccion
de un semiconductor e  KB T , as que la funcion de distribucion de Fermi-Dirac tiene la siguiente
forma:

1 1 (e )
fe = (e )
= (e )
=e KB T
(2)
e KB T
+1 e KB T

Ademas para el potencial qumico evaluado en T = 0K, viene a ser la energa de fermi Ef , y como hablamos
de semiconductores, el potencial es conocido como nivel de Fermi. Por lo tanto, es considerable hacer la
siguiente aproximacion.

(T ) Ef (3)

Solucion:

Reemplazando (2) y (3) en la izquierda de (1) tenemos lo siguiente:

1 2me 3/2
Z (Ef e )

ne = ( ) (e Ec )1/2 e KB T
de (4)
2 2 h2 Ec

O que es lo mismo que:

Z
1 2me 3/2 KEfT e
ne = ( ) e B (e Ec )1/2 e KB T de (5)
2 2 h2 Ec

Ec
Multiplicando y dividiendo el integrando de la ecuacion (5) por e KB T ( KB1 T )1/2 , tenemos:

Ec

1 2me 3/2 KEfT e KB T ( KB1 T )1/2

Z
e
1/2
ne = ( ) e B (e Ec ) e KB T
de
2 2 h2 Ec
Ec
e KB T ( KB1 T )1/2

Ef

1 2me 3/2 e KB T (e Ec )1/2 Ke +E
Z
c
1/2
ne = ( ) Ec (KB T ) e B T de
2 2 h2 e KB T Ec (KB T )1/2

1

1 2me 3/2 EKf ET c e Ec 1/2 (Ke ETc )
Z
ne = ( ) e B (KB T )1/2 ( ) e B de (6)
2 2 h2 Ec KB T

Para facilitar el calculo, en (6) hacemos el siguiente cambio de variable:

e Ec de
= d = (7)
KB T KB T

Ademas, de (7) podemos ver que los lmites respectivos seran:

e E c 0 (8)

e (9)

Entonces, reemplazamos (7) en (6) y teniendo en cuenta los lmites respectivos (8) y (9); tenemos:

1 2me 3/2 EKf ET c
Z
ne = ( ) e B (KB T )1/2 1/2 e KB T d
2 2 h2 0

1 2me 3/2 EKf ET c
Z
ne = ( ) e B (KB T )3/2 1/2 e d
2 2 h2 0

1 2me KB T 3/2 EKf ET c
Z
ne = ( ) e B 1/2 e d (10)
2 2 h2 0

Ahora, nuestro problema se solucionara si desarrollamos la integral que se encuentra en (10).

Para ello, dejaremos por el momento de lado toda la ecuacion (10) y desarrollaremos la integral adecua-
damente, esto es:

Z
a= 1/2 e d (11)
0

Integrando por partes (11), tenemos:

Z
1 1
a = 1/2 (e )|
0 (e ) 2 d (12)
0 2

De (12) podemos observar que el primer termino se anula, esto es:

Cuando se evalua el lmite superior () la funcion que decae mas rapido es la exponencial haciendo que
el primer termino se anule ya que:

e 0

Y cuando se evalua el lmite inferior (0) obviamente se ve que el primer termino se anula.
Entonces, (12) sera :

Z
1 1
a= 2 e d (13)
2 0

2
Hacemos el siguiente cambio de variable:

1 1 1
= 2 d = 2 d
2

1
2d = 2 d

Y ademas, los lmites respectivos son:

00

Entonces (13) sera:

Z
1 2
a= e 2d
2 0

Z
2
a= e d (14)
0

Ahora, procedemos a calcular (14) de la siguiente manera:

Z Z
2 2
a2 = (a)(a) = e d e d
0 0

Z Z
2
+ 2 )
a =2
e( dd (15)
0 0

Considerando que (, ) son las coordenadas cartesianas, podemos utilizar las coordenadas polares (r,
)para resolver la integral (15). Donde el elemento de area en el primer cuadrante del plano cartesiano es
dd y en el plano polar sera rdrd

Entonces, con los lmites adecuados para el plano polar, (15) vendra a ser:

Z 2
Z
2
a = 2
er rdrd
0 0

Z 2
Z
2
a = 2
d er rdr
0 0

Z
2
a2 = er rdr (16)
2 0

O tambien la ecuacion (16) puede ser escrita:

d(r2 )
Z Z
r 2 2
2
a = e ( )= er d(r2 )
2 0 2 4 0

2
a2 = er |
0 = (e e0 ) =
4 4 4

3


a= (17)
2

Entonces, la ecuacion (11) sera :

Z

a= 1/2 e d = (18)
0 2

Reemplazando en la ecuacion (10) tenemos:

1 2me KB T 3/2 EKf ET c
ne = ( ) e B (19)
2 2 h2 2

Arreglando adecuadamente la ecuacion (19):

2me KB T 3/2 EKf ET c
ne = ( ) e B
4 2 h2

2 2m KB T 3/2 EKf ET c 2 2m KB T Ef Ec

ne = 3/2
( e2 ) e B =p ( e 2 )3/2 e KB T
8 h (23 )2 h

2me KB T 3/2 EKf ET c

ne = 2( ) e B
4h2

Finalmente tenemos lo pedido:

me KB T 3/2 EKf ET c
ne = 2( ) e B (20)
2h2

2. Demostrar que la concentracion de huecos en la banda de valencia esta dada por:

mh KB T 3/2 EKv ETf

nh = 2( ) e B (21)
2h2

Solucion:

De igual manera que en el caso anterior, para determinar la concentracion de huecos debemos de resolver
la siguiente integral (donde los lmites son tomados adecuadamente del problema, se puede ver mas abajo
en la figura 1).

Ev
1 2mh 3/2
Z
nh = ( ) (Ev h )1/2 fh dh (22)
2 2 h2

Donde fh es la distribucion de huecos y esta relacionado mediante fh = 1 fe porque un hueco es la

ausencia de un electron. Entonces tenemos:

(h )
1 e KB T
fh = 1 (h )
= (h )
(23)
e KB T
+1 e KB T
+1

Y como h  KB T y Ef , se tiene que:

(h Ef )

fh e KB T
(24)

4
Reemplazando (24) en (22) tenemos:

Ev
1 2mh 3/2 KEfT
Z h
nh = ( ) e B (Ev h )1/2 e KB T dh (25)
2 2 h2

KEvT
Procedemos a multiplicar y dividir por e B ( KB1 T )1/2 , teniendo as:

Ev
1 2mh 3/2 EKv ETf Ev h 1/2 K
Z
h Ev
nh = ( ) e B (KB T )1/2 ( ) e B T dh (26)
2 2 h2 KB T

Para facilitar el calculo, en (26) hacemos el siguiente cambio de variable:

Ev h dh
= d = (27)
KB T KB T

Ademas, de (27) podemos ver que los lmites respectivos seran:

h Ev 0 (28)

h (29)

Entonces, reemplazamos (27) en (6) y teniendo en cuenta los lmites respectivos (28) y (29); tenemos:

0
1 2mh 3/2 EKv ETf
Z
nh = ( ) e B (KB T )1/2 1/2 e (KB T )d
2 2 h2

1 2mh 3/2 EKv ETf
Z
nh = ( ) e B (KB T )1/2 [ 1/2 e (KB T )d]
2 2 h2 0

1 2mh 3/2 EKv ETf
Z
nh = ( ) e B (KB T )3/2 1/2 e d
2 2 h2 0

1 2mh KB T 3/2 EKv ETf
Z
nh = ( ) e B 1/2 e d (30)
2 2 h2 0

E Integrando por partes y evaluando los lmites tenemos:

1 2mh KB T 3/2 EKv ETf 1/2
Z
1
nh = ( 2 ) e B [ (e )|0 + 1/2 e ]
2 2 h 2 0

1 2mh KB T 3/2 EKv ETf 1
Z
nh = ( ) e B 1/2 e (31)
2 2 h2 2 0

De donde se puede observar que la integral en (31) no es mas que 2 , entonces se tendra:

1 2mh KB T 3/2 EKv ETf 1
nh = ( ) e B (32)
2 2 h2 2 2

Y arreglando adecuadamente tenemos:

5

2mh KB T 3/2 EKv ETf
nh = ( ) e B
4 2 h2

2 2m KB T 3/2 EKv ETf 2 2m KB T Ev Ef

nh = 3/2
( h2 ) e B =p ( h 2 )3/2 e KB T
8 h (23 )2 h

2mh KB T 3/2 EKv ETf

nh = 2( ) e B
4h2

Finalmente tenemos lo pedido:

mh KB T 3/2 EKv ETf

nh = 2( ) e B (33)
2h2

Figura 1: Escala de energa para calculos estadsticos. La funcion de distribucion de Fermi se muestra en la
misma escala, para una temperatura k BT  Eg . El nivel de Fermi se toma para quedar bien dentro de la
banda prohibida, como para un semiconductor intrnseco. Si = , entonces f = 12 .