INSTITUTO TECNOLGICO DE TUXTEPEC

ELECTRNICA DE POTENCIA
UNIDAD II. TIRISTORES Y TRANSISTORES DE POTENCIA.

2.1 Conceptos bsicos (significado, conmutacin, mecanismos de operacin)

Conmutacin. La conmutacin es el proceso mediante el cual un tiristor pasa de un estado de

conduccin (encendido) a uno de no conduccin (apagado) o viceversa. En electrnica de
potencia los tiristores y/o transistores de potencia se utilizan como interruptores.

Existen dos tipos de conmutacin en electrnica de potencia: la conmutacin natural o de lnea y

la conmutacin forzada.

La conmutacin natural es aquella que se presenta cuando el circuito de carga debido a los voltajes
aplicados hace que la corriente sea menor que la de sostenimiento. Este tipo de conmutacin se
tiene generalmente en aplicaciones de corriente alterna y sucede en los cruces por cero del
voltaje de lnea.

Por su parte en la conmutacin forzada en algunos circuitos de tiristor, el voltaje de entrada es de

cd, para desactivar al tiristor, la corriente en sentido directo del tiristor se obliga a pasar por cero
utilizando un circuito adicional conocido como circuito de conmutacin. Esta tcnica se conoce
como conmutacin forzada y por lo comn se aplica en los convertidores de cd a cd (pulsadores) y
en convertidores de cd a ca (inversores).

2.2 Construccin de dispositivos de cuatro capas.

Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia.

Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como
conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas
aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque
los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.

Caractersticas de los tiristores:

Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn
tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La figura 2.1 muestra el smbolo del tiristor y una
seccin recta de tres uniones pn.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen
polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea
corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en estado de bloqueo
directo o en estado desactivado llamndose a la corriente de fuga corriente de estado inactivo ID.

1
Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2
polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el
voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya
tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones
que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en
estado de conduccin o activado.

Figura 2.1 Smbolo del tiristor y tres uniones pn.

La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn
1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia
externa, RL, tal y como se muestra en la figura 2.2.

La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin
de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al
reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La
corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en
estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de
la compuerta. En la figura 2.2b aparece una grfica caracterstica v-i comn de un tiristor.

2
 Figura 2.2 Circuito Tiristor y caractersticas v-i

Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control

sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J 2 no existe una capa de
agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente
directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera

una regin de agotamiento alrededor de la unin J 2 debida al nmero reducido de portadores; el

tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden de los

miliamperios y es menor que la corriente de enganche, I L I H . La corriente de mantenimiento I H

es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La
corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J 2 tiene polarizacin

directa, pero las uniones J1 y J 3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos
conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo

inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa I R fluir a travs
del dispositivo.

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un
tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta
cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di / dt , el tiempo de
activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.

Para la construccin de estos dispositivos semiconductores existen 3 tcnicas que se explican a

continuacin.
Tcnica de Difusin-Aleacin: La parte principal del tiristor est compuesta por un disco de silicio
de material tipo n, dos uniones se obtienen en una operacin de difusin con galio, el cual dopa

3
con impurezas tipo p las dos caras del disco. En la cara exterior se forma una unin, con un
contacto oro-antimonio. Los contactos del nodo y ctodo se realizan con molibdeno. La conexin
de puerta se fija a la capa intermedia (tipo p) usando aluminio. Esta tcnica se usa solamente para
dispositivos que requieren gran potencia.

Tcnica "Todo Difusin": Se trata de la tcnica ms usada, sobre todo en dispositivos de mediana o
baja intensidad, el problema principal de esta tcnica reside en los contactos, cuya construccin
resulta ms delicada y problemtica que en el caso de difusin-aleacin. Las dos capas p se
obtienen por difusin del galio o el aluminio, mientras que las capas se obtienen mediante el
sistema de mscaras de xido. El problema principal de este mtodo radica en la multitud de fases
que hay que realizar. Aunque ciertas tcnicas permiten paralelizar este proceso.

Tcnica de Barrera Aislante: Esta tcnica es una variante de la anterior. Se parte de un sustrato de
silicio tipo n que se oxida por las dos caras, despus en cada una de las dos caras se hace la difusin
con material tipo p. Una difusin muy duradera y a altas temperaturas produce la unin de las dos
zonas p. Despus de este proceso se elimina todo el xido de una de las caras y se abre una
ventana en la otra, se realiza entonces en orden a aislar ms zonas de tipo n, una difusin tipo p.
Despus de una ltima difusin n el tiristor ya est terminado a falta de establecer las
metalizaciones, cortar los dados y encapsularlos.

2.3 Anlisis de circuitos equivalentes (diodo, transistor)

Modelo de tiristor de dos transistores.

Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q 1, y un

transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 2.3.
La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor I E y la
corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como:

I C = I E + I CBO (2.1)

La ganancia de corriente de base comn se define como a = I C / I B . Para el transistor Q1 la

corriente del emisor es la corriente del nodo I A , y la corriente del colector I C1 se puede
determinar a partir de la ecuacin (2.1):

I C1 = a I A + I CBO1 (2.2)

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 Figura 2.3 Modelo de tiristor de dos terminales. a) Estructura bsica, b) Circuito equivalente.

Donde a1 es la ganancia de corriente e I CBO1 es la corriente de fuga para Q 1. En forma similar para el
transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:

I C 2 = a 2 I K + I CBO 2 (2.3)

Donde a2 es la ganancia de corriente e I CBO2 es la corriente de fuga correspondiente a Q 2. Al

combinar IC1 e IC2, obtenemos:

I A =I C1 + I C 2 = 1 I A +I CBO 1 + 2 I k + I CBO 2

Pero para una corriente de compuerta igual a I G , I K = I A + I G resolviendo la ecuacin anterior en

funcin de IA obtenemos:

2 I G + I CBO1 +I CBO 2 (2.4)

I A=
1( 1 + 2 )

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2.4 Familia ISCR, TRIAC, DIAC, SUS, SBS, GTO, SCC, diodo de cuatro capas, interruptor direccional
de silicio de c.a. (SIDAC), UJT, PUT.

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin,

en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:

1. Tiristores de control de fase (SCR).

2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR)
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO)
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. Tiristores de induccin esttica (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT).

Formas mediante las cuales se puede activar un Tiristor

Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante
una de las siguientes formas.

Trmica. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares

electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har
que a1 y a2 aumenten. Debido a la accin regenerativa (a1 + a2) puede tender a la unidad y el
tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general
se evita.

Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrn-
hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que
esta llegue a los discos de silicio.

Alto voltaje. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo V BO,
fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de
activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.

dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las
uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga
puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes
especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.

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Corriente de compuerta. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de
compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del
ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de
bloqueo directo, tal y como aparece en la figura 2.4.

Figura 2.4 Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo.

2.5 Descripcin y caractersticas de funcionamiento.

Tiristores de control de fase (SCR).

El tiristor, tambin llamado rectificador controlado de silicio (SCR), es bsicamente un dispositivo

pnpn de cuatro capas con tres uniones. Este tiene tres terminales: nodo, ctodo, y compuerta. El
dispositivo es activado aplicando un pulso corto a travs de la compuerta y el ctodo. Una vez que
el dispositivo se activa, la compuerta pierde su control para apagarlo.

El apagado de este dispositivo se realiza aplicando un voltaje inverso a travs del nodo y el
ctodo. La figura 2.5 muestra el smbolo del SCR y sus caractersticas de corriente y voltaje.

Este tipo de Tiristor por lo general opera a la frecuencia de lnea, y se desactiva por conmutacin
natural. El tiempo de desactivacin, tq, es del orden de 50 a 100 s. Esto es muy adecuado en
especial para las aplicaciones de conmutaciones a baja velocidad. Tambin se les conoce como
tiristores convertidores. Dado que un tiristor es bsicamente un dispositivo controlado y fabricado
de silicio, tambin se conoce como un rectificador controlado de silicio (SCR).

El voltaje en estado activo Vr , por lo comn vara desde aproximadamente 1.15 V para 600 V, hasta
2.5 V para dispositivos de 4000 V; y para un tiristor de 5500 A a 1200 V es tpicamente 1.25 V.

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 Figura 2.5 a) Smbolo del SCR, b) Caractersticas de voltaje-corriente

Los tiristores modernos utilizan una compuerta amplificadora, en la que se dispara un tiristor

auxiliar TA mediante una seal de compuerta, y de all la salida amplificada de TA se aplica como

seal de compuerta al tiristor principal TM .

Un SCR (Rectificador Controlado de Silicio), es un dispositivo de tres terminales nodo (A), Ctodo
(K) y Compuerta (G), en el cual la corriente circula en forma unidireccional desde el nodo al
ctodo, esta circulacin de corriente es iniciada o producida por una pequea corriente de seal
desde la compuerta al ctodo.

a) b) c)

Figura 2.6 a) Smbolo del SCR, b) SCR discreto c) Modulo de potencia de SCRs
Disparo del SCR

Cuando el voltaje de puerta alcanza el voltaje de umbral V GT, hace que la corriente de compuerta
IGT, llegue al valor umbral dentro de un tiempo muy corto conocido como tiempo de encendido,
controlado por compuerta, tgt, la corriente de carga puede fluir desde el nodo al ctodo. Si la
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corriente de compuerta consiste de un pulso muy estrecho, por ejemplo menos de 1ms, su nivel de
pico tendr que aumentar para anchos de pulso progresivamente ms estrechos para garantizar el
disparo efectuado de esta manera.

Cuando la corriente de carga aumente, hasta el valor de corriente de enganche (latching) del
tiristor, la corriente de carga se mantendr estable despus de la remocin de la corriente de
compuerta. Mientras la corriente adecuada de carga contina circulando, el tiristor continuar
conduciendo, sin la corriente de puerta. Esto es lo que se denomina tiristor disparado.

Apagado (conmutacin).

Para apagar al SCR, la corriente de carga debe reducirse por debajo de la corriente de
mantenimiento IH, por el tiempo suficiente para permitir a todos los portadores evacuar la juntura.
Esto se logra por "conmutacin forzada" en circuitos de CC o al final del semiciclo de conduccin
(cruce por cero), en circuitos de CA.

Figura 2.7 Funcionamiento del SCR en polarizacin directa

Caractersticas ms destacadas del SCR:

Estructura de cuatro capas pn alternadas.

Dispositivo capaz de soportar las potencias ms elevadas. nico dispositivo capaz de

soportar I > 4000 A , VON @ 2 4V y V > 7000V .

Control del encendido por corriente de compuerta (pulso).

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 No es posible apagarlo desde la puerta El circuito de potencia debe bajar la corriente
andica por debajo de la de mantenimiento.
Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la velocidad (vida media de
los portadores larga) para conseguir una cada en conduccin lo menor posible. Su
funcionamiento se centra en aplicaciones a frecuencia de red.

Tiristores de conmutacin rpida (SCR)

Estos se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad con conmutacin forzada

(por ejemplo, en pulsadores e inversores). Tienen un tiempo corto de desactivacin, por lo general
de 5 a 50 s dependiendo del rango de voltaje. La cada directa en estado activo vara
aproximadamente en funcin inversa del tiempo de desactivacin tq Este tipo de tiristor tambin se
conoce como tiristor inversor

Estos tiristores tienen un dv /dt alto, tpicamente de 1000 V/S, y un di /dt de 1000 A/s. La
desactivacin rpida y el di/dt alto son muy importantes para reducir el tamao y el peso de los
componentes de conmutacin o reactivos del circuito. El voltaje en estado activo de un tiristor de
2200 A 1800 V es por lo comn de 1.7 V. Los tiristores inversores con una muy limitada capacidad
de bloqueo inverso, tpicamente de 10 V, y un tiempo de desactivacin muy corto, entre 3 y 5 s se
conocen comnmente como tiristores asimtricos (ASCR).

Tiristores de apagado por compuerta (GTO).

Un tiristor de apagado por compuerta (GTO), al igual que un SCR, puede activarse mediante la
aplicacin de una seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una
seal negativa de compuerta.

Un GTO, es un dispositivo de enganche y se puede construir con especificaciones de corriente y

voltaje similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo
corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto. Los GTOs tienen varias ventajas sobre los
SCR las cuales se describen a continuacin:
a) La eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada, que da como
resultado una reduccin en costo, peso y volumen.
b) La reduccin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de bobinas de
induccin en la conmutacin.
c) Una desactivacin ms rpida, que permite frecuencias de conmutacin ms altas.
d) Una eficiencia mejorada de los convertidores.

En aplicaciones de baja potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los transistores
bipolares:

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a) Una ms alta capacidad de voltaje de bloqueo.
b) Una relacin alta de corriente de pico controlable a corriente promedio.
c) Una relacin alta de corriente de pulsacin pico a corriente promedio, tpicamente de 10:1.
d) Una ganancia alta en estado activo (corriente del nodo dividida entre la corriente de la
compuerta) tpicamente 600.
e) Una seal de compuerta pulsada de corta duracin. Bajo condiciones de pulsacin de carga, un
GTO pasa a una saturacin ms profunda. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a salirse
de saturacin.

Un GTO tiene una ganancia baja durante el desactivamiento, tpicamente de 6, y para desactivarse
requiere de un pulso de corriente negativa relativamente alto. Tiene un voltaje en estado activo
ms alto que el de los SCR. El voltaje en estado activo de un GTO tpico de 550 A 1200 V es de 3-4 V.
Un GTO de 160 A 200 V del tipo 160PFT aparece en la figura 2.7.

Figura 2.8 GTO de 160 a 200V

Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC)

Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y normalmente se utiliza en el control de fase de

corriente alterna (por ejemplo, controladores de voltaje de ca). Se puede considerar como si fueran
dos SCR conectados en antiparalelo, con una conexin de compuerta comn, como se muestra en
la figura 2.9. Las caractersticas v-i aparecen en la figura 2.8b.

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 Figura 2.9 a) Equivalente del Triac, b) Smbolo, c) Caractersticas v-i.

Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como
nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, el TRIAC se puede
activar aplicando una seal de compuerta positiva entre la compuerta G y la terminal MT1 .Si la
terminal MT2 es negativa con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa a
la compuerta, entre la compuerta G y la terminal MT1. No es necesario que estn presentes ambas
polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola seal
positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el
TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I + (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el
cuadrante III- (voltaje y corriente de compuerta negativos).

Tiristores de conduccin inversa (RCT).

En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de un SCR,

con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y para
mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de
bloqueo inverso del SCR a 1 o 2 V por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin
embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30 V debido al
voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.

Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito; puede
considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra en la
figura 2.10. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de bloqueo
directo vara de 400 a 2000 V y la especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de
bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40 V. Dado que para un dispositivo determinado est
preestablecida la relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del
diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos.

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 Figura 2.10 Tiristor de conduccin inversa.

Tiristores de induccin esttica (SITH)

Las caractersticas de un SITH son similares a las de un MOSFET. Por lo general, un SITH es activado
al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al
aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores
minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo as como una
baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente ms altas.

Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv /dt y di/dt
. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6 s. La especificacin de voltaje puede alcanzar
hasta 2500 V y la de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a
su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden
producir cambios de importancia en sus caractersticas.

Rectificadores controlados de silicio activados por luz (LASCR)

Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz. Los
pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la
influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la
suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y
para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv /dt ).

Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente (por ejemplo, transmisin de cd de
alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos
(VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el
dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como
unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto
como 4 kV a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100 mW. El di/dt
tpico es 250 A/s y el dv /dt puede ser tan alto como 2000 V/s.

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Tiristores controlados por FET (FET-CTH)

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en la

figura 2.11. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3 V, se
genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de
conmutacin, un di / dt alto y un dv / dt alto. Este dispositivo se puede activar como los tiristores
convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en
aplicaciones en las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento
elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de
potencia.

Figura 2.11 Tiristor controlado por FET.

Tiristores controlados por MOS (MCT)

Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de
cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. En la figura 2.11 aparece el circuito equivalente
y el smbolo del MCT.

Figura 2.12 Circuito equivalente y smbolo del MCT

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 La estructura NPNP se puede representar por un transistor npn Q1 y un transistor pnp Q2. La
estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET
de canal n M2. Debido a que se trata de una estructura npnp, en vez de la estructura pnpn de un
SCR normal, el nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas
las seales de compuerta.

El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que
la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente
controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms
altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la
compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el
ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta
utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere,
de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de
evitar ambigedad en el estado. Las caractersticas ms sobresalientes de un MCT son:

a) Tiene una baja cada de voltaje directo durante la conduccin.

b) Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4 ps, y un tiempo de desactivado rpido,
tpicamente 1.25 ps, para un MCT de 300 A, 500 V.
c) Bajas prdidas de conmutacin.
d) Una baja capacidad de bloqueo de voltaje inverso.
e) Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de
excitacin.

2.6 Transistores de potencia (MOSFET, IGBT)

Los transistores de potencia son usados en aplicaciones de unos pocos a unos cuantos cientos de
kilowatts y frecuencias de conmutacin hasta aproximadamente 10 kHz. Los transistores de
potencia usados en aplicaciones de conversin de potencia son generalmente del tipo npn. Se
clasifican en Transistor bipolar de Union (BJT) de potencia, Transistores MOSFET y Transistores de
compuerta aislada IGBT de los cuales se presentarn las caractersticas de los dos ltimos a
continuacin.

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Transistores MOSFET

Qu es un transistor MOSFET? Un transistor MOSFET es una barra de silicio con un sector

oxidado (el xido de silicio se conoce vulgarmente como vidrio) sobre el que se produce un
metalizado. Este metalizado est por lo tanto aislado de la barra de silicio pero suficientemente
cercano como para cambiar la magnitud de la corriente circulante por la barra. Ver figura 2.13.

El transistor MOSFET (del ingls Metal-oxide-semiconductor field effect transistor) cuenta con un
canal de semiconductor tipo n, una regin tipo p y una puerta aislada. Los electrones libres pueden
fluir desde la fuente al drenaje a travs del material tipo n.

Figura 2.13 Transistor MOSFET

La regin p recibe el nombre de sustrato y reduce fsicamente la trayectoria de conduccin a un

canal muy estrecho. Los electrones fluyen en la forma indicada y deben pasar este angosto canal
cuya anchura efectiva se controla mediante el potencial aplicado a la compuerta. Como la
compuerta est aislada del canal, la corriente de entrada a la puerta es despreciable.

Los transistores MOSFET o tambin conocidos como Transistores de Efecto de Campo de Metal
Oxido Semiconductor (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Efect Transistor), es un dispositivo similar
al transistor BJT, en el hecho que se compone bsicamente de 3 capas de semiconductor n y p,
pero con ciertas modificaciones tal como se muestra a continuacin:

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 Figura 2.14 a).- Transistor MOSFET de canal n, b).- Transistor MOSFET de canal p

Observe que se pueden tener dos tipos de MOSFET, de canal n y canal p. El nombre de sus
terminales son respectivamente: S = Source (Fuente), D = Drain (Drenador) y G = Gate
(Compuerta). Se puede apreciar tambin que se ha utilizado una representacin con diodos, dicha
representacin terica ser til ms adelante para explicar el funcionamiento de este dispositivo.
A continuacin se muestra la distribucin interna de cargas para un MOSFET de canal n:

Figura 2.15 Distribucin interna de cargas para un MOSFET de canal n

Se observa que el semiconductor p tiene cierta cantidad de electrones libres, a los cuales se les
llama impurezas (en un MOSFET p las impurezas son huecos), an as son la clave para la operacin
del MOSFET, adems no existe conexin elctrica entre la compuerta y el material p, esta est
aislada por una capa de xido aislante.

Bsicamente un MOSFET es el resultado de combinar la estructura de un transistor BJT con la

operacin de un condensador, dicho condensador se ubica entre la compuerta G y la parte de la
fuente S que est en contacto con el material P.

Principio de funcionamiento

La explicacin que sigue se basar en el transistor MOSFET de canal n, pero es igualmente vlida
para el MOSFET de canal p solo que se cambian polaridades de las fuentes y electrones por
huecos.

Para empezar, el MOSFET funcionar solo si se cumplen las siguientes condiciones:

Debe existir un voltaje positivo entre Compuerta y Fuente (G = +, S = -), y un voltaje positivo entre
Drenador y Fuente (D = +, S = -).

Si solo se aplica un voltaje VDS, el diodo cercano al drenador tendr polarizacin inversa, por lo que
el MOSFET no conducir. Por otra parte si se aplica un voltaje positivo V GS por encima de cierto
valor conocido como Voltaje de Umbral (VT), se provocar la separacin de los huecos y de las

17
impurezas del material p (ley de las cargas elctricas), estas ltimas se juntarn al lado del xido
aislante sin poder cruzar (como en las placas de un condensador), por lo que IG = 0.

Figura 2.16 Funcionamiento de un MOSFET de canal n

El resultado de este proceso es la formacin de un canal n artificial, de aqu el nombre de MOSFET

de canal n. Gracias a la existencia de este canal artificial, se puede establecer una corriente entre
drenador D y fuente S, cuyo valor depender de la cantidad de impurezas reunidas cerca de la
compuerta, las cuales finalmente dependen del voltaje VGS.

A continuacin se presenta las curvas caractersticas del MOSFET:

Figura 2.17 Estructura fsica del MOSFET

Existen diferentes versiones de MOSFETs en funcin del tipo de barra de silicio (canal tipo P y canal
tipo N) y del funcionamiento del dispositivo. Hay MOSFET de ensanchamiento de canal y otros de
estrechamiento del canal (los primeros tiene una resistencia intrnseca alta, que se reduce al aplicar
tensin a la compuerta y los segundos tienen una resistencia intrnseca baja, que aumenta al
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aplicar tensin a la compuerta). Los cuatro tipos se individualizan por el smbolo, la flecha hacia el
canal significa tipo N y la flecha hacia el lado contrario al canal significa tipo P; los de
ensanchamiento se individualizan porque el smbolo del canal est cortado en contraposicin con
los de estrechamiento en donde el canal se dibuj completo. Tambin existen MOSFET de 4 patas
en donde el substrato est desconectado del terminal de fuente y tiene su pata individual.

El dispositivo MOSFET es perfectamente capaz de amplificar seal elctrica y de hecho existen

amplificadores de potencia basados en ellos; sin embargo en aplicaciones de electrnica de
potencia se utilizan como interruptores.

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo de una
pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de
conmutacin del orden de los nanosegundos. Los MOSFET no tienen los problemas de los
fenmenos de ruptura secundaria que tienen los BJT, pero tienen problemas de descargas
electrostticas, por lo que su manejo requiere de cuidados especiales. Adems es muy difcil
protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito.

Figura 2.18 Smbolos para diferentes tipos de MOSFET

Principales caractersticas de los MOSFET.

Ventajas:

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 Su altsima impedancia de entrada a frecuencias audibles. No necesitan drivers ni corriente
para funcionar en zona lineal. Son dispositivos controlados por tensin, no por corriente, y no
necesitan drivers como los BJT en las etapas de salida
Bajo nivel de ruido trmico, ya que los portadores que intervienen en la conduccin no son
creados trmicamente como en los BJT.
Coeficiente trmico negativo. Permite poner en paralelo varios de ellos, sin tener que
recurrir a un transistor de mayor potencia y encapsulados ms caros como el TO-3 o TO-247.
No existe ruptura secundaria como en los BJT, por lo que pueden proporcionar ms
corriente a alto voltaje.
Pueden soportar sobrecargas importantes en un breve espacio de tiempo, lo cual es positivo
a la hora de alimentar cargas reactivas como los altavoces.
Mayor velocidad que los bipolares.

Inconvenientes:

Muy baja linealidad con intensidades de drenador pequeas.

En los transistores de entrada de la etapa diferencial aparece cierto nivel de "fliker noise".
Transconductancia menor que en los bipolares.
Su tensin VGS mxima es muy baja, lo que puede provocar la destruccin del transistor muy
fcilmente, sobre todo al montar el amplificador, donde slo con la electricidad esttica de los
dedos se pueden estropear

Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

El transistor bipolar de compuerta aislada IGBT , combina las ventajas de un MOSFET de

potencia y la de un transistor bipolar BJT . Un IGBT tiene una alta impedancia de entrada, igual
que los MOSFET y bajas prdidas de conduccin en estado activo, como los BJT . Pero no
presentan ningn problema de ruptura secundaria, como los BJT . Mediante el diseo y
estructura del dispositivo, la resistencia equivalente drenaje fuente, R DS, se controla para que se
comporte como la salida de un BJT .

La seccin transversal de silicio de un IGBT se muestra en la figura 2.18, y es idntica a la de

un MOSFET , excepto en el sustrato p+. Sin embargo, el rendimiento o comportamiento de un
IGBT es ms parecido al de un BJT que al de un MOSFET . Esto se debe al sustrato p +, que es
responsable de la inyeccin de portadores minoritarios en la regin n . En la figura 2.19a aparece
el circuito equivalente, mismo que se puede simplificar al de la figura 2.19b. Un IGBT est

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fabricado con cuatro capas alternadas pnpn y se puede enganchar como un tiristor, si se da la

condicin necesaria (
npn + pnp >1 ).

La capa intermedia n y la amplia base epitaxial reducen la ganancia de la terminal pnp

+

mediante el diseo, evitando por lo tanto el enganche. Un IGBT es un dispositivo controlado

por voltaje, similar a un MOSFET de potencia. Tiene menores prdidas de conmutacin y de
conduccin, en tanto comparte muchas caractersticas atractivas de los MOSFET de potencia,
como la facilidad de excitacin de compuerta, la corriente de pico, la capacidad y la resistencia
Un IGBT es ms rpido que un BJT, sin embargo la velocidad de conmutacin comparada con las
de los MOSFET es inferior.

Figura 2.19 Seccin transversal de un IGBT

El smbolo el circuito de un IGBT se muestran en la figura 2.20. Las tres terminales son
compuerta, colector y emisor, en vez de compuerta, drenaje y fuente de un MOSFET . Las
especificaciones de corriente de un IGBT pueden llegar a 400 A a 1200 V y la frecuencia de
conmutacin hasta 20 KHz.

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Figura 2.20 Circuito equivalente correspondiente a un IGBT

Figura 2.21 Smbolo y circuito para un IGBT

Figura 2.22 Modulo de IGBT Powerex Expands 1700V IGBT Offering to 2400A

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