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Captulo 3:

Transstores de Potncia

Profa. Dr. Ing. Vera Lcia D. S. Franco


Engenharia Mecatrnica
Transistor de Potncia
-Os transistores com altos valores nominais de tenso e corrente so conhecidos
como transistores de potncia semicondutor PNP, NPN, 3 camadas com duas
junes.

-Os transistores possuem dois tipos bsicos de aplicao:


-Amplificao e chaveamento

-Em eletrnica de potncia em que o objetivo principal o controle eficaz de


potncia eles so utilizados como chaves.

-Os diodos so chaves que no podem ser controlados, pois tm apenas dois
terminais, j os transistores tm 3 terminais, dois atuam como contato de uma
chave e o terceiro usado para ligar e desligar a chave.

- Assim o circuito de controle pode ser independente do circuito que est sendo
controlado.

Transistores mais utilizados :


- Transistor bipolar de juno (Bipolar Junction Transistor BJT) controlado por
corrente.
Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor (metal-oxide-
semiconductor field-effect transistor - MOSFET), controlado por tenso, este
possui uma frequncia de chaveamento muito mais elevada que os BJTs.

-A inveno do IGBT (insulate-gate-bipolar transistor) foi criado para resolver as


limitaes tpicas dos Mosfets e dos BJTs.

Os IGBTs so prprios para tarefas que envolvem alta tenso, trabalham com
perdas baixas no estado ligado, requerem circuitos acionadores simples e suportam
velocidades de chaveamento relativamente altas.
Transistores Bipolares de Juno de Potncia (BJTs)

Os transistores de potncia so encontrados no mercado em dois tipos NPN e PNP.

Neste caso iremos concentrar no NPN, uma vez que tem valores nominais de tenso
e corrente mais alto.
O coletor e o emissor no podem ser invertido, pois suas caractersticas e os valores
nominais mudam significativamente quando esses terminais so invertidos.

Para controle de potncia o transistor usado como chave.

Um transistor NPN e o seu smbolo


Curva caracterstica V-I de um BJT

Curva caracterstica idealizada


de um transistor

A maioria das aplicaes de transistores de potncia utiliza a configurao


emissor comum (funcionando como chave).
-Trs regies de operao: corte, saturao e a regio ativa.
- Se IB = 0, IC desprezvel, neste caso o transistor se encontra na regio de corte
ou seja desligado: neste caso a juno coletor-base como baseemissor est
reversamente polarizado e o transistor uma chave aberta.
Se a corrente de base IB for suficiente para acionar o transistor at a saturao:
IC muito grande e VCE aproximadamente zero, neste caso o transistor uma
chave fechada e as duas junes esto diretamente polarizadas. Na saturao ambas
junes esto diretamente polarizadas

Na operao da regio ativa a juno base-emissor est diretamente polarizada e


enquanto a juno coletor-base fica inversamente polarizada. A regio ativa usada
para amplificao.

Os BJTs no podem bloquear mais do que 20 V na direo inversa, por isso no so


usados em controles de potncia AC, a menos que um diodo reverso seja ligado em
paralelo entre o emissor e coletor.
Polarizao de um transistor
- Transistor funcionando como chave, a corrente da base ser fornecida pelo
circuito de controle conectado entre a base e o emissor. O coletor e o emissor
atuam como terminais de potncia da chave.

Reta de carga DC todos os pontos de


operao do circuito
VCC ICRC VCE = 0
VCE= VCC ICRC
IC(sat) = (VCC VCE(sat))/RC VCC/RC Saturao

IC 0 ento VCC = VCE Ponto de corte

Perdas de potncia nos transistores

-Perdas na conduo ou no estado ligado;


-Perdas por fuga ou no estado desligado;
-Perdas por passagem para o estado ligado durante a ligao;
-Perdas por passagem para o estado desligado durante o desligamento da chave.

-* As perdas durante o chaveamento no podem ser desprezadas, pois so


significativas.
Perdas de potncia na base

PB = VBB(sat).IB
Perdas no coletor

PC = VCE(sat).IC

Perdas no estado ligado

Pon = VCE(sat).IC + VBE(sat).IB


Se as perdas de potncia na base forem pequenas, quando comparada s perdas
de potncia no coletor, estas podem ser desprezadas e o clculo da potncia no
estado ligado fica assim:

Pon = VCE(sat).IC
Perdas nos estado desligado

Poff = VCE.IC VCC.Ileakage


Perdas de energia durante a ligao de um transistor
VCC I C (max)
W( swon) .Tr
6

Onde: Tr tempo de subida da corrente de coletor ( de 1 a 2 ms).

Perdas de energia durante o desligamento

VCC I C (max)
W( swoff ) .T f
6
Sendo: Tf
A dissipao mdia total do transistor dada por:

PT(AVG) ={Pon. Ton + Poff.Toff + W(sw-on) + W(sw-off)}.f


Teste de um transistor

-Feito com Ohmmetro.

-Diretamente polarizados as junes base-emissor e base coletor devem ter


resistncia relativamente pequena, enquanto devem registrar uma resistncia
muito maior na polarizao inversa.

-A resistncia entre o coletor e o emissor (RCE) tambm pode ser testada. Essa
resistncia nas duas direes muito maior do que a resistncia direta de cada uma
das funes.

-RCE nos transistores de silcio pode ter uma leitura infinita em alguns
ohmmetros. Os transistores de potncia com defeito apresentam muitas vezes um
curto entre o coletor e emissor, mesmo quando ambas as junes passaram no
teste.

-Tipo do transistor com ohmmetro- terminal positivo ligado a base e o negativo


ao emissor, a leitura da resistncia baixa no transistor NPN e alta no PNP.
Proteo de um transistor

-Condies trmicas so importantes

-Proteo contra sobrecorrente

-IC aumenta com VCE dissipao de potncia VCE.IC e como conseqncia h


um aumento da temperatura na juno, a resistncia diminui e IC aumenta e
neste caso h dissipao de energia, e aumento exagerado da temperatura.

-Uma maneira de proteger o transistor basta desligar o dispositivo quando VCE

e IC ultrapassam o nvel de referncia.

-A proteo contra grandes defeitos pode-se utilizar chave em paralelo que


curto-circuite o transistor

Proteo contra sobretenso.


-diodo em antiparalelo ligado diretamente nos terminais do transistor.
Proteo de bloqueio de tenso inversa

-Utilizar um diodo em antiparalelo se for utilizado em um circuito AC.

-Circuito Snubber

- usado para limitar a tenso no dispositivo durante os transitrios de


chaveamento.

Circuito Snubber
Valores nominais de um transistor

-Tenso de saturao coletor emissor (VCE(sat))

-Ganho de corrente DC (hFE)

-hFE = IC/IB transistores de potncia fica na faixa de 5 e 50.

-Velocidade de chaveamento

-tempo de chaveamento de 1ms (ligado ) e 2ms (desligado)

-Tenso de bloqueio: valores para os transistores de potncia disponveis no


mercado na faixa de 1400 V.

-Valores de corrente de coletor : a corrente contnua mxima permissvel (ICmax)

-Valor mximo permissvel de temperatura na juno: normalmente de 125.

-Dissipao de potncia: o valor nominal mximo de potncia de um transistor


especificado como PD(max).
-rea de Operao segura (SOA) (safe operating area SOA)

- Para garantir uma operao segura do transistor, os fabricantes especificam


limites na curva VCE versus IC para definir a rea de operao segura.

rea de operao segura de um BJT


-Ruptura Secundria

-Os BJTs apresentam falhas para certas condies de tenso e de corrente altas. Se
uma tenso e uma corrente altas ocorrerem simultaneamente durante o corte, a
dissipao de potncia provocar a falha do dispositivo.

Ruptura secundria
Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor de
potncia (MOSFET)

-Transistor de chaveamento rpido caracterizado por alta impedncia de entrada e


apropriado para baixas potncias e altas frequncias de chaveamento (aprox.
100KHz).
-O MOSFET possui 3 terminais: a porta G, a fonte S e o dreno D. A fonte est
sempre em um potncia prximo da porta. O dreno ligado carga.
- Para conduo deste dispositivo, o dreno torna-se positivo em relao fonte e
uma fonte de tenso pequena positiva (VGS). No havendo tenso na porta, a
chave fica desligada, ou seja, tenso da porta que controla as condies de
ligado e desligado.

-Em ambas condies (ligado/desligado), a resistncia de entrada extremamente


alta, e neste caso a corrente de porta zero, pelo isolamento resistivo da porta,
isso propicia circuitos de controle de porta bem simples e eficientes quando
comparados com aqueles para acionar um BJT. O MOSFET consegue transies
mais rpidas entre os estados ligados e desligados do que um BJT e por isso
substitui os BJTs em aplicaes de altas frequncias de chaveamento.
-A queda de tenso no estado ligado de 4V perdas elevadas.
Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor de
potncia (MOSFET)

Smbolo de um MOSFET Curva caracterstica de um MOSFET


-Se o MOSFET for usado como chave, dever ser operado na regio no- saturada
para que seja assegurada uma queda de tenso baixa no dispositivo quando ele
estiver no estado ligado.

- o MOSFET possui trs regies distintas de operao: a regio de corte, a regio


ativa e a regio de resistncia constante.

-Regio de corte ou desligado VGS < VTH

-O MOSFET deve ser operado de tal modo que a tenso do dreno-fonte VDS seja
mantida abaixo de BVDSS (tenso de ruptura).

-Na regio ativa o MOSFET funciona como amplificador no utilizada na


eletrnica de potncia.

-A regio que interessa em eletrnica de potncia a regio hmica, em que a


corrente de dreno aumenta de maneira diretamente proporcional tenso de dreno-
fonte e o MOSFET fica no estado ligado. Esta regio similar quela de
saturao do BJT, a relao da tenso VDS com a corrente ID denominada
resistncia no estado ligado do dreno para a fonte (RDS(on)) praticamente
constante.
RDS(on) = VDS/ID resistncia no estado ligado para a fonte RDS(on)
- Valor tpico: de RDS 0,5 ohms .

- Para garantir que o MOSFET permanea na regio hmica melhor usar um


valor de VGS mais alto do que o necessrio na regio ativa. (valor em torno de 10V
no podendo passar de 20 V).
Curva caracterstica de transferncia do MOSFET

ID = 0 VGS<VTH
ID = gm(VGS VTH) VGS >VTH
Sendo que gm a transcundutncia: inverso de R=V/I ou seja gm = I/V
(unidade Siemens).
* Taxa de variao da corrente de dreno em relao a tenso aplicada na
porta/fonte (VGS).
Curva caracterstica ideal do MOSFET

Correspondem aos dois estados de uma chave ligado e desligado


Um MOSFET como chave

Quando o MOSFET funciona como chave na condio de ligado forado a


operar na regio hmica. Isso garante que a queda de tenso no dispositivo seja
baixa, de tal modo que a corrente de dreno fique determinada pela carga, assim as
perdas so pequenas.

-Condies para operao do MOSFET na regio hmica dada por:

VDS<<VGS-VTH e VDS >0

-A resistncia no estado ligado (chaveamento) muito importante, uma vez que


determina as perdas de potncia durante a conduo para um dado valor de
corrente de dreno.

RDS(on), a queda de tenso menor no estado ligado, neste caso a dissipao de


potncia tambm menor e com isso aumenta a capacidade de conduo de
corrente. A queda de tenso dada por:
VF = ID.RDS(on)
Dissipao Interna

P = ID2.RDS(on)

MOSFET desligado ID = 0 VDS = tenso


de alimentao e neste caso:

RDS (muito elevada)

Perdas nos MOSFETS

H quatro fontes de perdas de potncia no chaveamento do MOSFET: as perdas


na conduo ou no estado ligado, as perdas no estado desligado, perdas na ligao
da chave e as que ocorrem no desligamento da chave.

-Perdas na conduo ou no estado ligado:

Ton
Pon I D .RDS (on)
2

T onde T o perodo total.


Perdas no estado desligado

TOFF
POFF VDS ( MAX ) .I DSS .
T
Perdas na ligao da chave

A perda de energia no MOSFET quando a chave passa de desligado para ligado


dada por:
VDS (max). I D .Tr
WON
6

Onde: Tr o tempo de subida da corrente de dreno (ID).

Perdas no desligamento da chave

VDS (max). I D .T f
WOFF :onde Tf o tempo de descida da corrente de dreno
(ID). 6
Perdas de potncia por chaveamento

PSW = (WON + WOFF).f

onde f a frequncia de chaveamento.

Perdas total de potncia no MOSFET

PT = PON + POFF + PSW

Baixas frequncias de chaveamento a perda total de potncia em um


MOSFET mais alta que em um BJT por causa das perdas na conduo maior no
MOSFET.

Entretanto, medida que a frequncia cresce, as perdas de chaveamento


do BJT aumentam mais do que as do MOSFET. Portanto para aplicao em altas
frequncias desejvel o uso do MOSFET.
Exemplo 3.6 : Na figura abaixo a fonte de tenso DC VS = 120V e a resistncia de
carga RL =10 Ohms. Os parmetros dos MOSFET so Tr = 1,5 ms e RDS(ON) = 0,1
Ohm. Se o ciclo de trabalho for igual a d = 0,6 e a frequncia de chaveamento for
igual a 25 kHz, determine:
a) A perda de potncia no estado ligado
T = 1/f ; TON = d.T; WON = ID2.RDS(ON).TON ; PON = WON.f
b) perda de potncia durante o tempo de ligao:

VDS (max). I D .Tr


WONch , PON = WON.f
6
Soluo: exemplo 3.6 VS = 120V, RL =10 Ohms, Tr = 1,5 ms e RDS(ON) = 0,1 Ohm, d
= 0,6 e a frequncia de chaveamento for igual a 25 kHz:
ID = VS /(RL + RDS(ON)) = 120/(10 + 0,1) = 11,9 A
a)Perodo de chaveamento T=1/f = 1/25 k = 40ms;
tempo ligado = tON = d.T = 0,6.40 = 24 ms
Perda de energia durante o perodo ligado WON = ID2 RDS(ON).tON = 122 . 0,1.24(10-6)
= 345,6 mJ
Perda de potncia durante o perodo ligado PON = WON . f = 345,6 (10-6 ).2(103)
= 8,6 W VDS (max). I D .Tr
WON
6

b) perda de energia durante o tempo de ligao: WON = (120.12)/6 .1,5. (10-6 )


= 360 mJ.
Perda de potncia durante o tempo de ligao PON = WON .f = 360 (10-6 ).25(103) =
0,9 W
Diodo interno de um MOSFET de potncia diodo de corpo
Como o MOSFET no tem a capacidade de bloquear a tenso inversa necessrio
um diodo fornece de corpo em antiparalelo com o semicondutor, este oferece um
caminho de corrente direto para que a corrente passe na direo inversa (da fonte
para o dreno) atravs da juno que se torna diretamente polarizada. Ele muito
til na maioria das aplicaes de chaveamento, uma vez que oferece um caminho
de retorno para a corrente.
-Proteo do MOSFET
Um MOSFET, como todos os dispositivos semicondutores, deve ser protegido
contra sobretenses, sobrecorrentes e transitrios. Essa proteo ocorre quando h
anulao da tenso de porta, o que desliga o dispositivo. Os MOSFETs trazem,
embutidos, sensores internos de corrente e de temperatura e circuitos de
acionamento de porta, os quais anulam o efeito da tenso da porta em caso de
ocorrncia de sobrecorrentes ou de transitrios.

-Sobretenses
-As sobretenses no afetam o MOSFET ligado, uma vez que o dispositivo atua
como um curto circuito.
- No estado desligado a sobretenso nos terminais do dreno-fonte e atravs da
porta-fonte afetam o MOSFET diretamente.
-No estado desligado o MOSFET operar na regio ativa se VDS. Nessa regio a
tenso VDS e a corrente ID podem ser simultaneamente altas e a perda de potncia
associada a VDS. ID pode danificar o MOSFET. Isso pode ser contornado
verificando se a tenso da fonte menor que a de ruptura do MOSFET e tambm
deve-se ligar um resistor no-linear, denominado varistor em paralelo. No caso de
uma sobretenso prxima da tenso de ruptura BVDSS a resistncia do varistor
diminuir e oferecer um caminho para o fluxo de corrente.
Sobrecorrente

Uma sobrecorrente em um MOSFET de potncia far com que a temperatura de


juno exceda o seu valor nominal de 150 C. Esse superaquecimento poder
danificar o MOSFET. Um modo simples de proteg-lo assegurar-se de que o
fluxo de corrente nunca exceda 75% do valor nominal.

Esse mtodo propicia um fator de segurana de cerca de 25% se a tenso da


fonte da fonte aumentar ou se a impedncia da carga diminuir. Alguns fabricantes
usam sensores de corrente embutidos no dispositivo.

rea de operao segura

A rea de operao segura (SOA) mostra os limites operacionais do MOSFET.


rea de operao segura

A rea de operao segura (SOA) mostra os limites operacionais do MOSFET.


-Os limites de potncias so maiores para operao pulsada do que em DC.
-Quanto menor a durao do tempo de conduo, maior a dissipao de potncia
permitida.
MOSFET em srie e em paralelo
Ainda no existem MOSFETs com altos valores nominais de potncia. Portanto,
para aumentar seus valores nominais de tenso e de corrente preciso lig-los em
srie ou em paralelo.

MOSFET em srie
Existem MOSFETs com tenses nominais da ordem de at 1200 V. Entretanto se
a tenso nominal de um MOSFET isolado for mais baixa do que a fonte de
tenso, pode-se ligar dois ou mais MOSFETs em srie para suportar essa tenso
mais alta. Pode-se usar um resistor ligado em paralelo para compartilhar a tenso
por igual.

MOSFET em paralelo
Os MOSFETs podem ser ligados em paralelo para compartilhar, a corrente de
carga, caso a corrente nominal de um deles seja inferior ao solicitado pela carga.
Os MOSFETs ligados em paralelo compartilham igualmente a corrente por causa
do coeficiente positivo de temperatura de RDS(ON). Portanto, no h necessidade de
resistores compartilhando a corrente em srie.
Transistores bipolares de porta isolada (IGBTs)

-Os IGBTs mesclam as caractersticas de baixa queda de tenso no estado ligado


dos BJTs com as excelentes caractersticas de chaveamento dos MOSFETs.
- OS IGBTs substitui os MOSFETs, pois as perdas de conduo so inferiores a do
MOSFET.
-Estes elementos tem valores nominais de at 1400 V e correntes igual a 1000 A. O
chaveamento maior que o BJT e inferior aos MOSFETs
-No possui diodo reverso interno, assim a capacidade de bloqueio para tenses
inversa ruim.

a) Smbolo do IGBT; b) o equivalente MOSFET-BJT


Princpio de operao

Para o IGBT conduzir basta polarizar positivamente o terminal coletor em relao


ao emissor, e aplicar uma tenso positiva na porta (VG>Vlimiar(GGTH). O IGBT
passar para o estado desligado no momento em que houver a anulao do sinal de
tenso na porta.

Curvas caractersticas de tenso corrente de IGBT


Quando no houver tenso aplicada
na porta o IGBT estar no seu
estado desligado, IC = 0 e a tenso
que passa atravs da chave igual a
da fonte.
Se VG>VGGTH for aplicada porta o
IGBT passa para o estado ligado e IC
diferente de zero.
IC limitada pela tenso da fonte e
Rcarga , no estado ligado a tenso na
chave pode ser considerado igual a
Curva caracterstica de um IGBT zero(semicondutor ideal).
Curva caracterstica ideal do IGBT

O IGBT no estado ligado no apresenta tenso, enquanto a corrente determinada


por IC = VS/RL. No estado desligado o IGBT pode bloquear qualquer tenso
positiva ou negativa.

Curva caracterstica ideal do IGBT


Exemplo 3.10

Na figura abaixo a fonte de tenso de 220 V e a resistncia de carga igual a 5


ohms. O IGBT operado na frequncia de 1kHz. Determine, para o pulso, o tempo
no estado ligado, caso a potncia requerida seja de 5 kW.

1
T 1ms
f
V .T
VL ( avg ) S ON
T
2
VL ( avg )
PL
RL
2
VS .TON
PL
RL .T
Na figura abaixo a fonte de tenso de 220 V e a resistncia de carga igual a 5
ohms. O IGBT operado na frequncia de 1kHz. Determine, para o pulso, o tempo
no estado ligado, caso a potncia requerida seja de 5 kW.

1
T 1ms
f
V .T
VL ( avg ) S ON
T
2
VL ( avg )
PL
RL
2
VS .TON
PL
RL .T
Exemplo 3.10 PL .RL .T 5000.5.1(103 )
TON 2
2
0,52ms
VS 220
Transistor de unijuno (UJTs)

Este um dispositivo de trs terminais. Um deles o emissor (E) e os demais, as


duas bases: a base um (B1) e a base dois (B2).
-Emissor feito de um material P
-Corpo principal de um material N
- utilizado para gerar pulsos de acionamentos para dispositivos maiores (Ex:
SCR, e triacs)

O UJT: a) estrutura; b) smbolo esquemtico; c) curva caracterstica


Seus terminais de controle so tambm terminais de potncia. O terminal B2
usado para polarizao.
Sem polarizao de emissor no terminal E, VEB1 = 0 e o UJT tem uma certa
resistncia interna B2 e B1. Essa resistncia denominada de resistncia interbase
(RB) e, temperatura de 25 C, tem um valor na ordem de quiloohms. composta
por duas resistncias RB1 e RB2 (figura do prximo slide). A relao de RB1 e RB2
denominada relao de standoff h porque o valor dessa relao que determina a
polarizao inversa experimentada pela juno equivalente do diodo PN.

RB1 RB1
h
RB RB1 RB 2
O valor de h fica entre 0,5 e 0,8. O valor tpico para maioria dos UJTs de 0,6.
Polarizao de um UJT

Seus terminais B2 e B1, so polarizados positivamente com a fonte VBB, e as


resistncias RB2 e RB1 atuam como divisores de tenso, de tal modo que no ponto
h ela seja: VRB1 = h VBB

Polarizao de um UJT
Portanto, para polarizar o diodo diretamente e passar o UJT para o estado ligado, a
tenso de emissor VE deve ser maior do que o valor denominado tenso de pico
(VP), que dado por:

VP = Vb + h VBB ; onde Vb a barreira de potencial da juno PN (0,7 para silcio).


Depois de passado para o estado ligado, o UJT atua como um diodo diretamente
polarizado e a resistncia RB1 cai para um valor muito baixo, quase igual a zero.

Circuitos equivalentes do UJT: a) ligado; b) desligado


O uso de um UJT para disparar um tiristor

O UJT o dispositivo ideal para utilizao em osciladores de relaxamento usados


para o disparo de um SCR.
- Quando a chave for fechada, o capacitor C comear a carregar, atravs do
resistor R, a uma velocidade que depende da constante de tempo T = RG.

- Quando a tenso do capacitor (VC = VE) alcanar a tenso de pico VP, o UJT ser
disparado. como se fosse colocada uma resistncia baixa em paralelo com C, o
que resulta na descarga do capacitor de maneira muito rpida, atravs de R1. Isso
faz com que o UJT passe para o estado desligado e que o C comece a carregar
novamente, para a repetio do ciclo.
Circuito com UJT para disparo de um tiristor

O surto de corrente pode ser usado para acionar um tiristor ou para ligar um
transistor. A frequncia de oscilao dada, aproximadamente, por:

f = 1/T; onde T , o tempo necessrio para o UJT passar para o estado ligado, e
dado por: 1
T RC ln RC
1 h
FIM