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O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,

ou transistor de efeito de campo metal - xido - semicondutor - TECMOS), , de


longe, o tipo mais comum de transstores de efeito de campo em circuitos tanto
digitais quanto analgicos. Seu princpio bsico foi proposto pela primeira vez por
Julius Edgar Lilienfeld, em 1925.

ndice [esconder]
1 Introduo
2 Estrutura do MOSFET
3 Modos de operao do MOSFET
4 Efeito de modulao do comprimento do canal
5 Regime incremental
6 Ver tambm
7 Ligaes externas
7.1 Em ingls
8 Referncias
Introduo[editar | editar cdigo-fonte]
A palavra "metal" no nome um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as
comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polissilcio,
mas ainda so chamados de MOSFETs. Um MOSFET composto de um canal de material
semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de NMOS ou PMOS.
Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns fabricantes,
principalmente a IBM, comearam a usar uma mistura de silcio e germnio (SiGe) nos
canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades
eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto de glio, no formam bons xidos
nas comportas e portanto no so adequados para os MOSFETs. O IGFET um termo
relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e quase
sinnimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por
um isolante no xido.

O terminal de comporta uma camada de polissilcio (slicio policristalino)


colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dixido de
silcio isolante. Quando uma tenso aplicada entre os terminais comporta (gate) e
fonte (source), o campo eltrico gerado penetra atravs do xido e cria uma espcie
de "canal invertido" no canal original abaixo dele. O canal invertido do mesmo
tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor atravs
do qual a corrente eltrica possa passar. Variando-se a tenso entre a comporta e a
fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possvel se controlar o fluxo
de corrente entre o dreno e a fonte.

Simbolo de esquema eltrico de um MOSFET


Existem tambm modelos de Amplificador operacional baseados na tecnologia
FET/MOSFET, muito teis e com grande utilizao na indstria eletrnica

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