0

1.-La constante de la red de silicio es de 5.43 A Calcule el numero de tomos por cm3 . Calcule la
0
densidad de tomos de Galio en GaAs si la constante de red es 5.65 A .

El silicio tiene 8 tomos por celda unitaria entonces solo tenemos que encontrar el volumen eso lo
hacemos elevando al cubo la constante de red.

a)
aSi 5.43x1010 m
3
100cm
VolumenSi 5.43x10 m
10 3 22
1.601x10 cm
3

1m
# Atomos 8 atomos atomos
22 3
4.99678 x1022
Volumen 1.601x10 cm cm3
0
La constante de red del GaAs es de 5.65 A tenemos que elevar este valor al cubo para encontrar su
volumen y y encontrar el numero de tomo de galio en este compuesto.

b)
aGaAs 5.65 x1010 m
3
3 100cm
VolumenGaAs 5.65 x1010 m 22
1.803x10 cm
3

1m

Para el compuesto GaAs encontramos que la celda est compuesta por 4 tomos de GA

# Atomos 4 atomos atomos

22 3
2.21852 x1023
Volumen 1.803x10 cm cm3
2.-En la tecnologa de circuitos integrados un dispositivo de silicio es uno de los dispositivos ms
pequeos, mientras que en GaAs el laser es uno de los dispositivos ms grandes. Considere que un
dispositivo de silicio tiene las dimensiones de (5x2x1) m3 y que el laser semiconductor tiene
dimensiones de (200x10x5) m3 . Calcule el nmero de tomos de cada dispositivo.
3.-Calcule la densidad superficial de tomos en una superficie (001) de silicio. Cul sera la densidad si
fuera en el plano (111).

Constante de la red de silicio es a 5.43x1010 m

a)
Area plano (001) 5.43 x1010 m
2

# atomos plano (001) 1 atomo

# atomo 1 atomo atomos
Densidadsup erficial 19 2
3.391x1018
Area plano 2.9484 x10 m m2
atomos
Densidadsup erficial (001) 3.391x1018
m2

b)
3
5.43x1010 m
2
Area plano (111)
2
# atomos plano (111) 1 atomo
# atomo 1 atomo atomos
Densidadsup erficial 19 2
3.916 x1018
Area plano 2.5534 x10 m m2
atomos
Densidadsup erficial (111) 3.916 x1018
m2

4.-Si la constante de la red de silicio es a 5.43x1010 m , cual es la distancia (d) desde el centro de un
tomo de silicio al de su vecino ms cercano.

La distancia entre los tomos ms cercanos puede encontrarse como la suma de los radios atmicos.

Radio Atmico Si=1.17 A

Distancia =2R=2(1.17A)=2.34 A
Problemas Diapositivas

1.- Cual ser la densidad de tomos En los planos 100 y 110 en el silicio (tomos / cm2)

Lo primero es obtener el ares de cada plano

Plano (100) 2.94849 x1015 cm2

Plano (110) 4.1697915 cm2

Despus obtener el nuero de tomos en cada plano

Plano (100)=2 tomo

Plano (110)=2 tomos

2atomos atomos
Densidad (100) 15 2
6.7831x1014
2.94849 x10 cm cm 2

2atomos atomos
Densidad (110) 15 2
4.7964 x1014
4.16979 x10 cm cm 2

2.-Verifique que usando una estructura cbica simple, los planos cristalogrficos con los ndices Miller
ms pequeos, tales como los planos {100} {110}, {111} tienen la ms grande densidad de tomos.

a
Area 100 a 2 Radio cs = # de atomos por plano 100 =1
2
Areaatomos r2
densidad 0.7853x100=78.53
Area plano 2r 2 4

Area 110 2 a 2 Radio cs =

a
# de atomos por plano 110 = 1
2
Areaatomos r2
densidad 0.5553x100=55.53
2 2r
2
Area plano 4 2
a 1
Area 111 3a 2 Radio cs = # de atomos por plano 111 =
2 2
r2
Areaatomos 2
densidad 0.2267x100=22.67
3 2r
2
Area plano 8 3

La mayor densidad la encontramos en la familia de planos {100} con 78.53 porciento.

3.- Cul sera la composicin x del compuesto ternario InGaAs, para que tenga un buen ajuste de
redes con el AlAs y GaAs? Averigen cual es el ancho de banda a 300 oK de estos compuestos?

La constante de la red a ter de un compuesto ternario AxC1 x B vara aproximadamente en forma lineal
con la composicin.

Donde abin1 es la constante de la red del compuesto binario AB y abin 2 es la constante de la red del
compuesto binario CB

0 0
a GaAs 5.6533 A a AlAs 5.6605 A
0 0
a GaAs 5.6533 A a InAs 6.0580 A

Sacamos un promedio de los dos compuestos el cual es de 5.6569 esto se lo asignamos nuestra a ter

ater 5.6569

ater abin1 x abin 2 1 x ater 5.6569

a InAs x a GaAs x 1 5.6569

6.058 x 5.6533(1 x) 5.6569

5.6569 5.6533
x 0.00889
6.058 5.6533
1 x 99.11
0
In0.00889Ga0.9911 As 5.6569 A