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INTRODUO

O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais, formado por


trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de
material tipo "p" e uma de tipo "n".
O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de transistor pnp.
Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um fluxo de corrente,
permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes como: chaves comutadoras
eletrnicas, amplificadores de tenso e de potncia, osciladores, etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem do processo do
fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, eltron ou lacuna, o transistor denominado
unipolar (FET).

ESTRUTURA BSICA:
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando um circuito T
equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao da polarizao das junes, as
quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C respectivamente).

Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma a base, que
negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a juno dos dois
anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor negativos. A simbologia utilizada para
os transistores de juno mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.

POLARIZAO:

Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas junes, da


seguinte forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno bipolar, seja ele
npn ou pnp.

As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de transistores:

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Transistor npn com polarizao
direta entre base e emissor e
polarizao reversa entre coletor e
base.

Transistor pnp com polarizao


direta entre base e emissor e
polarizao reversa entre coletor e
base

Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.

OPERAO BSICA:
1 - Juno diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta entre base e
coletor. Para estudar o comportamento da juno diretamente polarizada, foi retirada a bateria de
polarizao reversa entre base e coletor.

Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com a polarizao
direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo estreita.

Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios do material p


para o material n.

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2 - Juno reversamente polarizada:
Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada, conforme mostra a
figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarizao direta entre emissor e base.
Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de depleo

semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um fluxo de portadores
minoritrios (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende tambm da temperatura. Podemos
ento dizer que uma juno p-n deve ser diretamente polarizada (base-emissor) enquanto que a outra
juno p-n deve ser reversamente polarizada (base-coletor).

FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente, atravs das
junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o emissor.

Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a base uma
pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da ordem de
microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores, ou seja da ordem de miliampres,
isto para transistores de baixa potncia, podendo alcanar alguns ampres em transistores de potncia.
Da mesma forma, para transistores de potncia, a corrente de base significativamente maior.

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Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos portadores
majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor (C) recebe os portadores
majoritrios provenientes do emissor.

A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de fuga,
praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores minoritrios so gerados
no material tipo n (base), denominados tambm de corrente de fuga e so difundidos com relativa
facilidade at ao material do tipo p (coletor), formando assim uma corrente minoritria de lacunas.
Lembre-se de que os portadores minoritrios em um cristal do tipo n so as lacunas.

Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios provenientes do
emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:

IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS)

Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um transistor
npn, atravs de uma outra forma de representao. No entanto, o processo de anlise o mesmo.

Na figura acima oberva-se que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO) provenientes da base so
os eltrons, que se somaro a corrente de coletor.

Verifica-se ainda em relao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a corrente de base (IB)
tem um sentido oposto , uma vez que, essa corrente formada por lacunas. Da mesma forma as
correntes de emissor (IE) e de coletor (IC) tambm tem sentidos opostos, por serem formadas por
eltrons.
OBS: Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de anlise,
bastando para isso, inverter a polaridade das baterias de polarizao e lembrar que:
Cristal N - os portadores majoritrios so os eltrons e os minoritrios as lacunas;
Cristal P - os portadores majoritrios so as lacunas e os minoritrios os eltrons.

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A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.

A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma regio de baixa
impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da ordem de 0,55V a 0,7V para
transistores de silcio), polarizao esta, caracterizada pela bateria VEE enquanto que, a juno base-
coletor est reversamente polarizada em funo da bateria VCC. Na prtica, VCC assume valores maiores
do que VEE.

Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o resultado dos portadores majoritrios


provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente em duas componentes: a
corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente do juno reversamente polarizada coletor-
base, denominada ICBO, sendo que esta ltima assume valores extremamente baixos que em muitos
casos podem ser desprezados.

A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor depende do tipo de


material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia de acordo com o tipo de transistor.
A constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa)1, de forma que, a
corrente de coletor representada por IE. Os valores tpicos de variam de 0,9 a 0,99. Isto significa
que parte da corrente do emissor no chega ao coletor2.

Exemplo: Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95, sabendo-se que a


corrente de emissor 2mA?
Soluo:
IC = IE
IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA

Caso ICBO no seja desprezada, a corrente de coletor dada por:

IC = IE + ICBO ( I )

Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base forma a corrente
de base, assim:

IE = IC + IB ( II )

Substituindo ( I ) em ( II ), podemos calcular a corrente de base:

1- ICBO
IB = (1 - ) . IE - ICBO = . IC -

A relao / (1 - ) representada por (beta)3.

1
O smbolo hFB algumas vezes usado na lugar de
2
Isto explicvel, pois menor do que 1.
3
O smbolo hFE algumas vezes usado no lugar de
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Podemos ento estabelecer as relaes:


=
1-


=
+1
Exemplos:
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?
Soluo:
0,92 0,92
= 1 - 0,92 = 0,08 = 11,5

b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?


Soluo:
100
= +1 = = 0,99
101

Podemos ento estabelecer uma relao entre e .4


Temos ento:
IC IC
= e =
IB IE
assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da ordem de 30
a 300). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a aproximar-se de 1.
Assim, levando-se em conta que IC = IE, para um valor de 100, podemos considerar
para fins prticos:
IC = IE

4
Alguns autores utilizam a notao CC e CC

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CONFIGURAES BSICAS:
Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base comum (BC), emissor
comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes relacionam-se aos pontos onde o sinal
injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do transistor referncia para a entrada e sada de
sinal.
BASE COMUM:
No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e retirado entre
coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e sada do sinal.O
capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja efetivamente aterrada para sinais
alternados.

CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): < 1


Ganho de tenso (GV): elevado
Resistncia de entrada (RIN): baixa
Resistncia de sada (ROUT): alta

EMISSOR COMUM:

No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado entre coletor e
emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do emissor para sinais alternados. CA
um capacitor de acoplamento de sinal.

CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): elevado


Ganho de tenso (GV) elevado
Resistncia de entrada (RIN) mdia
Resistncia de sada (ROUT) alta

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COLETOR COMUM:
A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum.
A configurao coletor comum tambm conhecida como seguidor de emissor. Essa
denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na entrada estar praticamente presente
na sada (circuito de emissor).
O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de emissor. O capacitor
"CC" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja aterrado para sinais alternados. CA um
capacitor de acoplamento de sinal.

CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Gi): elevado


Ganho de tenso (GV): 1
Resistncia de entrada (RIN): muito
elevada
Resistncia de sada (ROUT): muito
baixa

As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm denominadas


emissor a terra, base a terra e coletor a terra. Essas configuraes tambm podem ser apresentadas
conforme ilustram as figuras abaixo:

REPRESENTAO DE TENSES E CORRENTES:

Para representar tenses e correntes em um circuito com transistores, utiliza-se usualmente o


mtodo convencional (do + para o -), atravs de setas.
Para as tenses, a ponta da seta aponta sempre para o potencial mais positivo e as correntes so
representadas com setas em sentido contrrio as das tenses.
Podemos por exemplo representar uma tenso entre coletor e emissor por V CE quando o
transistor for npn. Isto significa que o coletor mais positivo do que o emissor. Em outras palavras, a

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primeira letra aps o V (neste caso o coletor) mais positiva do que a segunda letra (neste caso o
emissor).
Para um transistor pnp a tenso entre coletor e emissor representada por VEC, indicando que o
emissor mais positivo do que o coletor.
A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas, utilizando essa representao.

Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representaes; observe que as setas
que indicam o sentido da corrente so opostas aquelas que indicam as tenses.

Para as tenses VRC (tenso no resistor de coletor) e VRE ( tenso no resistor de emissor), a
ponta da seta indica que a tenso na parte superior desses resistores mais positiva do que na parte
inferior.

POLARIZAO COM UMA NICA BATERIA:

Temos visto at agora a polarizao de transistores utilizando duas baterias, sendo uma para
polarizao da juno base-emissor e outra para a juno base-coletor.
Na maioria das vezes, uma nica bateria pode polarizar um circuito transistorizado, visto que o
mesmo comporta-se como um circuito fechado.
As tenses nas junes do transistor e nos componentes externos, como resistores, capacitores,
indutores, etc. podem ser calculadas utilizando-se as leis de Kirchhoff para tenso (LKT).
Da mesma forma, as correntes podem ser calculadas aplicando-se LKC.
A figura a seguir mostra um transistor com polarizao por divisor de tenso na base, cuja
teoria ser vista no captulo referente aos circuitos de polarizao.

Observe atentamente as indicaes das tenses e das correntes em funo do sentido das setas.

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Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes:

1. VCC - VRC - VCE - VRE = 0


2. VCE -VBE - VCB = 0
3. VCC - VRB1 - VRB2 = 0
4. VRB1 - VRC - VCB = 0
5. VRB2 - VBE - VRE = 0
6. VCC - VRC - VCB - VBE - VRE = 0

Aplicando-se LKC no ponto X, temos:

1. IB = I 1 - I 2
2. I1 = I2 + IB

CURVAS CARACTERSTICAS:

As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais como: regio de


saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.

De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem ser escolhidas.
Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica, normalmente as regies de corte e
saturao so selecionadas; no caso de transistor operando como amplificador, via de regra, escolhe-se
a regio ativa.

A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem riscos de danos.

A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim didtico, no sendo
obedecido a rigor nenhum tipo de escala.

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CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM EMISSOR COMUM:

A regio de corte mostrada na rea sombreada, onde IB = 0.


A curva de potncia mxima representa a mxima potncia que pode ser dissipada pelo
transistor.

CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM BASE COMUM:

Observa-se na curva caracterstica para montagem em base comum, que a corrente de emissor
controla a corrente de coletor, enquanto que na curva caracterstica para montagem em emissor
comum, a corrente de base controla a corrente de coletor.

CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM COLETOR COMUM:

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Observe a calibrao dos eixos de tenso e corrente para a montagem em coletor comum, onde
a corrente de base controla a corrente de emissor.

A figura abaixo mostra a curva caracterstica para emissor comum semelhante a vista
anteriormente, no entanto, observe a rea sombreada, a qual denominada de rea til, na qual o
transistor opera com total segurana.

A regio til delimitada pela curva de potncia mxima5 e conforme dito anteriormente, o
transistor trabalha com segurana, no ultrapassando a mxima potncia permitida.

CIRCUITOS DE POLARIZAO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e suas principais
caractersticas:

1 - POLARIZAO POR CORRENTE DE BASE CONSTANTE

Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado quando deseja-se que
o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois pontos bem definidos: corte e saturao.

Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares, pois muito
instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de .
Para este tipo de polarizao: IC = IB
Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: VCE = 0,5VCC

5
Tambm denominada hiprbole de mxima dissipao.
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2 - POLARIZAO POR CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE

Diferente do caso anterior, procura-se compensar as variaes de atravs do resistor de


emissor.

Assim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando tambm a tenso no


emissor, fazendo com que haja uma diminuio da tenso de polarizao VBE, reduzindo a corrente de
base. Isto resulta numa corrente de coletor menor compensando parcialmente o aumento original de
.
Aplicando LKT:
VCC = VRC + VCE + REIE
onde: VRC = RCIC
logo:
VCC = RCIC + VCE + REIE

Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal de sada: VRE =
0,1VCC

Equaes bsicas:
VCC IC
IB = RB +RE
ou ainda: IB =

IE = ( + 1)IB

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3 - POLARIZAO POR REALIMENTAO NEGATIVA

Este circuito reduz o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.

Equaes bsicas:
VRE = 0,1VCC
VRC = VCC - (VCE + VRE)
VCC
IB = RB +RC

4 - SEGUIDOR DE EMISSOR

O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1)

Equaes bsicas:
VCE = 0,5VCC

0,5V CC
RE =
IE

IE = IB

VCC
IB = RB +RE

5 - POLARIZAO POR DIVISOR DE TENSO NA BASE

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A polarizao por divisor de tenso na base ou polarizao universal um dos mtodos mais
usados em circuitos lineares.

A grande vantagem desse tipo de polarizao sua estabilidade trmica (praticamente


independente de ). O nome divisor de tenso proveniente do divisor de tenso formado por R B1 e
RB2, onde RB2 polariza diretamente a juno base-emissor.

Passemos a analisar como opera esse tipo de polarizao.

Aplicando Thvenin:
RB2 . VCC
Abrindo o terminal da base temos: VTH =
RB1 +RB2

Ainda com o terminal da base aberto e VCC em curto, temos:


RB1 . RB2
RTH =
RB1 +RB2

Isto nos d o circuito equivalente de Thvenin:

OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recebe o nome de RBB enquanto que a tenso
equivalente de Thvenin recebe o nome de VBB
Aplicando LKT:
VTH - RTHIB - VBE - REIE = 0

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VTH - VBE
IE
Sendo: IB = +1
, temos: IE = RE +
RTH
+1

RTH
Se RE for 10 vezes maior do que +1 , podemos simplificar a frmula:

VTH - VBE
IE =
RE
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o que equivale dizer
que:
RTH 0,1 RE
Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um projeto de polarizao
por divisor de tenso na base:

VE = 0,1VCC
VCE = 0,5VCC
VRC = 0,4VCC
RC = 4RE
RBB = 0,1 RE

RBB . VCC VCC


RB1 = VBB
ou RB1 = RBB . VBB

RBB
RB1 . RBB
RB2 = ou RB2 = 1-
VBB
RB1 - RBB
VCC

Clculo das correntes de emissor, base e coletor

Em funo de
IE
IB = (+1)
- ICBO IE = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO
IC = IB + ( + 1)ICBO onde: ( + 1)ICBO = ICEO

Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:

IC = IE + ICBO

temos: IE = IC + IB
logo: IC = (IC + IB) + ICBO
portanto: IC = IC + IB + ICBO
resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
colocando IC em evidncia resulta:

IC (1 - ) = IB + ICBO
portanto:

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IB ICBO
IC = +
1- 1-

CORRENTES DE FUGA NO TRANSISTOR:

IEBO: a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. No normal termos esta
situao, uma vez que a juno base-emissor de um transistor sempre polarizada diretamente.

ICEO: Esta corrente ao contrrio da anterior, tem um elevado significado. Trata-se da corrente
entre coletor e emissor com a base aberta.

ICEO = ( + 1)ICBO
Basicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto mais adiante.

ICBO: Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que, para cada 10C de
aumento de temperatura, essa corrente dobra. a corrente entre coletor e base, com o emissor aberto.

EXERCCIOS RESOLVIDOS SOBRE POLARIZAO:


1 - Dado o circuito abaixo, polarizar o transistor na regio ativa, determinando o valor dos resistores e
as correntes.

DADOS:
= 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V

Soluo:
Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos:
VE = VRE = 1,2V
VCE = 6V
VRC = 4,8V

Clculo de IB
IC 3mA
Como = 100, podemos fazer IC = IE, logo: IB = = = 30 A
100
Clculo de RE
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VRE 1,2V
RE = = = 400
IE 3mA

Clculo de RBB
RBB = 0,1 .400 = 4k

Clculo de VBB
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2

VBB = 2,02V
Clculo de RC
VRC 4,8V
RC = = = 1,6k (equivalente a 4RE)
IC 3mA

Clculo de R1
RBB . VCC 4.000 . (12) 48.000
R1 = = = 2,02
= 23.762
VBB 2,02

Clculo de R2
R1 . RBB (23.762).( 4.000) 95.048
R2 = = = = 4.817
R1 - RBB 23 .762 - 4.000 19.762

Podemos tambm calcular R2 da seguinte forma:


RBB 4.000
4.000 4.000
R2 = 1 - VBB = 2,02 = 1 - 0,1683 = 0,8317 = 4.809 4.817
1-
VCC 12

RESPOSTAS:

RC 1,6k
RE 400
R1 23,762k
R2 4,817k
IB 30 A
IE 3mA
IC 3mA

2 - Dado o circuito a seguir, calcule: , ICEO, IC, IB, RC e RB.

DADOS:
IE = 4mA
VBE = 550mV
VCE = 5V
ETE JOO LUIZ DO NASCIMENTOV- CC = 12V DE JUNO
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ICBO = 6 A
= 0,92
Clculo de
0,92
= = =11,5
1 - 1 - 0,92

Clculo de ICEO
ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6 A) = 75 A

Clculo de IC
IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75 A = 3,755mA

Clculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245 A

Clculo de RC
VRC
RC = VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)
IC

VRC = 12 - 5 - 1,2 = 5,8V

5,8V
RC = 3,755mA = 1.54k (1.544,6 )

Clculo de RE
VRE 1,2
RE = = = 300
IE 4mA

Clculo de RB
VRB
RB = VRB = VCC - VBE - VRE VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
RB = 245 A = 41,84k (41.836,7 )
RESPOSTAS:

11,5
ICEO 75 A
IC 3,755mA
IB 245 A
RC 1.54k
RE 300
RB 41,84k

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3 - No seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tenses e correntes de polarizao, considerando
= 40.

Clculo de IB
VCC 15 15 15
IB = = = = = 72,12 A
RB + RE 100k + 40(2,7k ) 100k +108k 208k

Clculo de IE
IE = ( + 1).IB = (41).72,12 A = 2,96mA

Clculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k . 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
VRE = 7,992V 8V

RESPOSTAS:

IB 72,12 A
IE 2,96mA
VCE 7V
VRE 8V

4 - Calcule as correntes e as tenses de polarizao no circuito a seguir:

Considere = 100.

Clculo de IB

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VCC 15 15 15
IB = RB + RC = 270k +100.4k7 = 270k + 470k = 740k = 20,27 A

Clculo de IC
IC = IB = 100.(20,27 A) = 2,027mA

Clculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V

RESPOSTAS:

IB = 20,27 A IC = 2,027mA VCE = 5,473V

5 - Calcule IC, IB, RC e RB no circuito abaixo.

Equaes bsicas
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0
VRC = RCIC e VRE = REIE, temos:
( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE

Clculo de IC
IC
= , logo: IC = 6 A . 200 = 1,2mA
IB

Clculo de IE
IE = IC + IB = 1,2mA + 6 A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar IC = IE
Clculo de RC
Utilizando a equao ( II )
15 = (RC . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (RC . 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (RC . 1,2mA) + 8,18

15 - 8,18
RC = 1,2mA =5,68k (5.683,3 )

Clculo de RB
VRB = VCB + VRC

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RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V

desta forma: RB . (6 A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V


14,216V
RB = 6A
= 2,37M (2.369.333,33 )

RESPOSTAS:

IC = 1,2mA RC = 5,68k
IE = 1,2mA RB = 2,37M

RETA DE CARGA:
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de carga, definindo
em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente.

Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva caracterstica do
transistor, fornecida pelo fabricante.

A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos de operao de


um transistor.

Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para CA ser abordada
posteriormente.

Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o transistor opera na


ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da reta de carga, se quisermos que ele
opere na regio linear, regio de corte ou regio de saturao.

Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".

Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum, onde a curva
caracterstica do transistor mostrada ao lado.

Observe as reas sombreadas, que representam as regies de corte e de saturao.


Para determinarmos a reta de carga, necessitamos de dois pontos. Atravs da equao VCC =
(RC + IE)IC + VCE, obtemos:

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1 ponto: para IC = 0, temos VCC = VCE = 25V

VCC 25V
2 ponto: para VCE = 0, temos IC = RC + RE =1,25k = 20mA
Procedimento:

Traa-se ento a reta de carga unindo os dois pontos.

Para que o transistor opere na regio linear, o ponto Q dever ser o ponto mdio da reta de
carga. No nosso exemplo o ponto mdio (bem aproximado) coincidiu com a corrente de base
equivalente a 30 A.

A partir da ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre coletor e emissor:
ICQ = 11,25mA
VCEQ = 11V
IBQ = 30 A

Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos resistores:
IC 11,25mA
= IB = 30 A =375

Partindo da equao: VCC = VRC + VCE + VRE


VRC = (11,25mA).1k = 11,25V
VRE = (11,25mA).250 = 2,812V
Ento: VCC = 11,25 + 11 + 2,812 = 25,062V 25V

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Se na mesma curva selecionarmos um ponto quiescente (Q1) mais prximo da regio de
saturao, por exemplo IB = 45 A, teremos um aumento da corrente de coletor e uma diminuio de
VCE; para um ponto quiscente (Q2) mais prximo da regio de corte, por exemplo IB = 10 A, teremos
uma diminuio da corrente de coletor e um aumento de VCE, conforme ilustra a figura abaixo:

CONCLUSES:
1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a tenso entre coletor e
emissor (VCE) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a corrente de coletor.
2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso entre coletor e
emissor (VCE) tende a se igualar a VCC, pois a corrente de coletor tende a zero.
A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a 250mV.

Podemos ento aplicar LKT referente aos pontos Q1 e Q2, e constatar a variao de ao longo
da reta de carga.

Para Q1:
IC 18mA
= IB = 45 A =400

VCC = VRC + VCE + VRE = 1k .(18mA) + 2,6 + 250 .(18mA)


VCC = 18 + 2,6 + 4,5 = 25,1V 25V

Para Q2:
IC 2,5mA
= IB = 10 A = 250

VCC = VRC + VCE + VRE = 1k .(2,5mA) + 22 + 250 .(2,5mA)


VCC = 2,5 + 22 + 0,625 = 25,125V 25V

A reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum ou emissor
comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de uma reta de carga para uma
montagem em base comum.

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Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de carga.
1 ponto:
Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC.
Observe que o eixo da tenso est calibrado em VCB.
Quando IC = 0, VBE = 0, como VCB = VCE - VBE, logo VCB = VCE - 0
Portanto, VCB = 25V
2 ponto:
VCC 25V
Para VCE = 0, temos: IC = = = 25mA
RC 1k
Neste caso RE o circuito de entrada da configurao base comum, sendo ento desconsiderado
para calcular um dos pontos da reta de carga.

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Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no grfico. Como trata-se
de uma configurao base-comum, existem duas malhas definidas: uma para o circuito de entrada
(base-emissor) e outra para o circuito de sada (base-coletor). Veja a figura abaixo:

Onde: VRC = RCIC = 1k .(12mA) = 12V


VRE = REIE = 2k .(12,2mA) = 24,4V
Desta forma: VCE = VCB + VBE = 13 + 0,6 = 13,6V

TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRNICA:

a forma mais simples de operao de um transistor, pois ao longo da reta de carga so


definidos apenas dois pontos: corte e saturao e, portanto, podemos dizer que quando um transistor
est saturado, comporta-se como uma chave eletrnica fechada e quando est em corte, como uma
chave eletrnica aberta.

Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso garantir sua
saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de funcionamento; variao da

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temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a corrente de base da
ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta de carga, conforme mostra a figura
abaixo:

O valor de 20mA foi escolhido na curva caracterstica e portanto, a corrente de base ser
1/20mA = 2mA.
OBS: Na elaborao do projeto, deve-se tomar o cuidado de no ultrapassar os valores
mximos especificados pelo fabricante, como corrente de coletor, corrente de base, tenso entre
coletor e emissor, potncia de dissipao, etc.
Estamos considerando o valor de 20mA plenamente compatvel com nosso exemplo de projeto.
Podemos ento definir os valores de RC e RB

VRB VCC - VBE 12 - 0,7 11,3V


RB = = = = = 5,65k
IB IB 2mA 2mA

VCC 12V
Considerando VCE de saturao = 0, teremos: RC = = = 600
IC 2mA
Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Deveremos ento recalcular o valor de RC.

Supondo que a tenso no led seja de 1,5V (valor tpico), ento:

VCC - Vled 20 - 1,5 18,5V


RC = = = = 925
IC 20mA 20mA

OBS: importante observar se o led suporta a corrente do projeto.

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Um outro exemplo de transistor usado como chave mostrado abaixo.

Um sinal cuja forma de onda quadrada e amplitude que varia de 0 a 5V aplicado na entrada.

No instante 1, com 0V na entrada o transistor entra em corte, operando como uma chave aberta
e teremos na sada 15V (VCC); no instante 2, com 5V na entrada o transistor entra em saturao,
operando como uma chave fechada e portanto, teremos na sada 0V.

O prximo passo verificar se os valores adotados para R C e RB garantem a saturao do


transistor, ou seja, IB deve ser da ordem de 1/10 de IC.

5V - 0,7V
IB = = 0,915mA
4,7 k
15V
IC = 1,5k=10mA
Portanto, a relao vlida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturao.

TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE:


Consiste em tornar a tenso de emissor fixa, resultando assim em uma corrente de emissor fixa.
Pelo fato da tenso VBE ser fixa (da ordem de 0,7V), VE seguir as variaes da tenso de
entrada (VBB), isto , se a tenso de entrada aumentar de 6V para 10V, a tenso VE (nos extremos de
RE) variar de 5,3V para 9,3V.
Ao contrrio do transistor como chave eletrnica, o ponto de operao situa-se na regio ativa
ao longo da reta de carga.

A identificao entre um circuito com transistor operando como chave eletrnica e como fonte
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de corrente fcil; quando opera como chave eletrnica, o emissor aterrado e existe um resistor na
base, ao passo que, como fonte de corrente o emissor aterrado atravs de um resistor, no havendo
resistor na base.

Quando desejamos acionar um led, o ideal faz-lo atravs de uma fonte de corrente,
principalmente quando o valor de VCC baixo, levando-se em conta a queda de tenso no led da ordem
de 1,5 a 2,5V.

A ilustrao abaixo mostra as diferenas entre uma chave eletrnica e uma fonte de corrente.
Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor operando como

chave de corrente.

Devemos ento estabelecer um valor ideal de RE para nosso projeto.


Vamos supor:
VBB (tenso de entrada) = +5V
VCC = +12V
IC = 5mA (um ponto mdio da reta de carga dentro da regio ativa)

Determinar:
As tenses em RC para os valores de 10 e 1000
O valor de VCE nas duas condies

Determinando RE
Considerando IC = IE, temos:

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VBB - VBE VRE 5V - 0,7V 4,3V
RE = = = = = 860
IE IE 5mA 5mA

Lembrar que VBB - VBE = VRE = VE


A tenso de 4,3V ficar fixa, fixando tambm a corrente do emissor, para uma grande gama de
valores de RC, desde que o transistor opere dentro da regio ativa.

Calculando VRC
Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento, para os dois casos
IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC).

Para RC = 470 VRC = 10 .(5mA) = 0,05V


Para RC = 1,5k VRC = 1k .(5mA) = 5V

Para satisfazer a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, a tenso VCE que variar, assim sendo
temos:

Para RC = 10
VCE = 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V

Para RC = 1k
VCE = 12 - 5 - 4,3 = 2,7V

CONCLUSES: A corrente de coletor manteve-se constante para uma variao muito grande
de RC (100 vezes).

Mesmo com RC = 0 a corrente de emissor se manter em 5mA. No entanto, se R C assumir


valores mais elevados, suponhamos 4k , teramos teoricamente VRC = 20V, o que invalidaria a
equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, em outras palavras, para satisfazer a dita equao, IC teria que
assumir valores menores. Deve-se portanto evitar trabalhar com valores de RC que propiciem uma
tenso VCE muito prxima da regio de saturao.

O valor da corrente de coletor no depende do valor de , isto , ao substituir o transistor por


outro de diferente, a corrente de coletor permanecer praticamente igual.

Quanto maior for RE (respeitando-se as caractersticas do projeto), mais estvel torna-se a


corrente de coletor.

Quando o valor de VCC for relativamente baixo (por exemplo 5V) o acionamento de leds mais
eficaz com uma fonte de corrente, pois para leds de cores, tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso
pode variar de 1,5V a 2,5V), a corrente ser praticamente constante no prejudicando a luminosidade.

Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de corrente vamos

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admitir uma situao conforme ilustra a figura abaixo.
Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma luminosidade ideal. No
entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2 uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter
sua luminosidade diminuda por necessitar de mais tenso?

Soluo:
A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade diminuda, pois em
comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.

No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal no acontecer,
conforme ser mostrado nos clculos a seguir:
Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a corrente de
emissor em 15mA, dimensionando o valor de RE.

VBB - VBE 3V - 0,7V


RE = = =153,333 (onde VBB - VBE = VRE)
IE 15mA

Adotaremos ento RE = 150

Para o led 1: VCE = 6 - Vled - VRE = 6 - 1,5 - 2,3 = 2,2V


Para o led 2: VCE = 6 - Vled - VRE = 6 - 2,5 - 2,3 = 1,2V

Desta forma, a luminosidade do led 2 no ser diminuda.

A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora as tenses sejam
diferentes.

Reta de carga de L-1


1 ponto:
VCC - Vled 6V - 1,5V
IC = = = 30mA
RE 150

2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 1,5 = 4,5V

Reta de carga de L-2


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1 ponto:
VCC - Vled 6V - 2,5V
IC = = = 23,3mA
RE 150

2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 2,5 = 3,5V

REGULADOR SRIE:

O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais sofisticada em relao
aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.

O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o transistor o elemento
regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em srie com a carga, da o nome regulador
srie.
FUNCIONAMENTO:

A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE


Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ
Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:

VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ


VCE = VCB + VBE

Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar provocando um
aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo VL constante.
VL = VIN - VCE

Ento: se VIN aumenta VCE aumenta VL no se altera

Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo os mesmos
princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.

Com a diminuio de VIN VCE diminui VL no se altera

LIMITAES:
Valores mnimos e mximos de VIN
Como VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB

ento:
VIN = R(IZ + IB) + VZ

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Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(IZ(MIN) + IB(MAX))
Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas caractersticas de
estabilizao.

Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(IZ(MAX) + IB(MIN))


Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas caractersticas de
estabilizao e ser danificado.

CONDIES PARA UM PROJETO:

Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em condies normais sem
danificar seus componentes.
Tenso de entrada mxima:
VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I )
Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0

VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX)
onde: IZ(MAX) =
VZ
Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )

VIN(MAX) - VZ
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) = ( III)
R

VIN(MIN) - VZ
De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) = ( IV )
R

Dividindo ( III ) e ( IV ) temos:

IZ(MAX) VIN(MAX) - VZ
=
IZ(MIN) +IB(MAX) VIN(MIN) - VZ

PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor com as seguintes
caractersticas:
Tenso de sada (VL): 6V
Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%

Escolha do transistor

O transistor a ser utilizado dever obdecer as seguintes caractersticas:

VCBO > VIN(MAX) no caso 13,2V


IC(MAX) 6> IL(MAX) no caso 1,5A
PC(MAX) 7> (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o manual do fabricante
tem as especificaes:
6
IC(MAX) a mxima corrente que o coletor pode suportar
7
PC(MAX) a mxima potncia de dissipao do coletor
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VCBO(MAX) = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
> 40 < 250

Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto funcione sem
problemas adota-se o beta de menor valor.

O transistor escolhido atende as exigncias quanto a VCBO(MAX) e IC(MAX). No entanto preciso


verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente para este projeto.

Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor:

PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)


IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX)
IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX)

IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = ( MIN )
logo: IC(MAX) = IL(MAX) - ( MIN )

IL(MAX) 1,5 1,5 1,5


= = =1,46A
IC(MAX) = 1 + 1 = 1 + 1 1 + 0,025 1,025
( MIN ) 40

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,46A = 10,5W

O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao de potncia,


por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-se necessrio entretanto o
uso de um dissipador adequado para evitar sobreaquecimento do transistor.

Escolha do diodo zener:

Levando-se em conta que VL = VZ - VBE e que VBE 0,7V, se adotarmos um diodo zener com
tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento adotar um diodo zener com 6,7V,
porm este valor no comercial. O valor comercial mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem
uma tenso nominal de 6,8V e PZ(MAX) igual a 500mW com IZ(MIN) = 8mA.

0,5W
PZ(MAX) = 6,8V = 73,53mA
Teremos ento na carga 6,1V, valor este, perfeitamente aceitvel.

Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:

VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . ( IZ(MIN) +IB(MAX) )
VIN(MIN) - VZ

IC(MAX) 1,46A
IB(MAX) = ( MIN ) = 40 =36,5mA

13,2V - 6,8V
IZ(MAX) = . ( 8mA + 36,5mA )
10,8V - 6,8V
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6,4V
IZ(MAX) = . 44,5mA = 71,2mA
4V

Como PZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido pode ser utilizado.

Clculo de R:

Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V

VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ

Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0

VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ

VIN(MAX) - VZ 13,2V - 6,8V 6,4V


R= = = =87,04
IZ ( MAX ) 73 ,53 mA 73,53mA

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V

VIN(MIN) - VZ 10,8V - 6V 4V
R = IB(MAX) + IZ(MIN) = 36,5mA +8mA = 44,5mA =89,89

Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89 . Adotaremos o valor comercial
mais prximo: 91

Potncia dissipada pelo resistor:

2
E2 (V IN(MAX) - VZ) (13,2V - 6V) 2 (6,8V) 2
P= P= = = = 0,508W
R R 91 91

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W

REGULADOR PARALELO:
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o zener como
elemento de referncia.

Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador paralelo, cujo
circuito mostrado abaixo.

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A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do regulador srie,
no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.

FUNCIONAMENTO:
VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante
VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ

Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como VZ fixa, variar VBE variando a
corrente IB e consequentemente IC. Em outras palavras, variando-se a tenso de entrada ocorrer uma
atuao na corrente de base a qual controla a corrente de coletor.

Neste caso, VCE tende a parmanecer constante desde que IZ no assuma valores menores que
IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente: VIN, VL e IL(MAX).

Tenso de entrada mxima:


Na pior condio RL = IL = 0
VIN(MAX) = R1.(IL(MAX) + IC(MAX)) + VZ + VBE

VIN(MAX) - VZ - VBE
= IZ(MAX) + IC(MAX) (I)
R1

Tenso de entrada mnima:


VIN(MIN) = R1.(IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + VZ + VBE

VIN(MIN) - VZ - VBE
=IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ( II )
R1

Dividindo ( I ) e ( II ), temos:

IZ(MAX) + IC(MAX) VIN(MAX) - VZ - VBE


=
IZ(MIN) + IC ( MIN ) +IL(MAX) VIN(MIN) - VZ - VBE

Isolando IZ(MAX):

VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (I Z(MIN + IC(MIN) +IL(MAX) ) - IC(MAX) ( III )
VIN(MIN) - VZ - VBE
OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em muitos projetos a
mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no resultado final.

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Corrente em R2:
IC(MIN)
IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) = ( MIN )

IC(MIN)
portanto: IR2 = IZ(MIN) - ( MIN ) ( IV )
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio), um acrscimo
de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE praticamente constante, essa corrente circular
pela base do transistor, da ento teremos:

IC ( M A =X ) (M I N) . IB ( M A X )
IB ( M A =X I) Z ( M A X- I)R 2 I . (IZ(MAX) - IR2 ( V )
C(MAX) = (MIN)

Substituindo ( V ) em ( III ), temos:

VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) - .(IZ(MAX) - IR2
(MIN)
VIN(MIN) - VZ - VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
IZ(MAX) = . (I Z(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ) +( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN ) +1

Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
VCEO 8 > (VZ + VBE)
IC(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)

Escolha do diodo zener:


Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.

PROJETO
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:

VL = 15V
IC(MAX) = 600mA
VIN = 22V 10%

Escolha do transistor:
O transistor dever ter as seguintes caractersticas:

VCEO > (VCE + VVBE)


Ic(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)

Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas:

VCEO = 35V
IC(MAX) = 3A
PC(MAX) = 35W

8
VCEO a tenso entre coletor e emissor com a base aberta
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(mnimo = 40; mximo = 120)

Escolha do diodo zener:


O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas:

PZ(MAX) = 1,3W
IZ(MIN) = 20mA
VZ = 15V

PZ(MAX) 1,3W
IZ(MAX) = = = 86,67mA
VZ 15V
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:

VIN(MAX) - VZ - VBE 1
IZ(MAX) = . (I Z(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ) +( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN ) +1

IC(MIN)
Desprezando IC(MIN) ICMIN) = 0, ento como IR2 = IZ(MIN) - ( MIN )
, IR2 = 20mA

24,2V - 15V - 0,7V 1


IZ(MAX) = . (20mA + 0 + 600mA) + 40.(20mA) .
19,8V - 15V - 0,7V 41

8,5V
IZ(MAX) = . (620mA + 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA
4,1V

IZ(MAX) = 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel)

Calculando IC(MAX):
IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2)
IC(MAX) = 40 . (71,83mA - 20mA)
IC(MAX) = 40 . 51,83mA = 2,073A
IC(MAX) = 2,073A (o transistor compatvel quando a IC(MAX))

Calculando PC(MAX):
PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W
PC(MAX) = 31,24W

O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao de potncia,


por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-se necessrio entretanto o
uso de um dissipador adequado para evitar sobreaquecimento do transistor.

Calculando R2:
VR2 = R2.IR2 VR2 = VBE
VBE 0,7V
R2 = = = 35 (adotar 33 )
20mA 20mA

PR2 =
( ER2 ) 2 = ( 0,7 ) 2 =
0,49V
= 14,85mW
R2 33 33

Calculando R1:

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VIN(MIN) - VZ - VBE 19,8V - 15V - 0,7V 4,1V
R1 = IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) = = = 6,613
20mA + 600mA 620mA

OBS: IC(MIN) = 0
VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V
R1 = = = = 3,94
IZ(MAX) + IC(MAX) 86,67mA + 2,073A 2,16

R1 dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613


3,94 < R < 6,61

R1 adotado = 5,6 (valor comercial)

Potncia dissipada por R1:


( VR1 ) 2 =
( VIN(MAX) - VZ - VBE )
2
=
( 24,2V - 15V - 0,7V )
2
=
( 8,5V ) 2 =12,9W
PR1 =
R1 5,6 5,6 5,6
(adotar 15W - valor comercial)

REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO:

O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s variaes da tenso de
entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da introduo de um transistor junto ao elemento de
referncia.
A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que compem o circuito tem
as seguintes funes:
Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso;

Transistor T1: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de sada a partir de


uma tenso de correo a ele enviada atravs de um circuito comparador;

Transistor T2: basicamente um comparador de tenso DC, isto , compara duas


tenses, VR2 e VR3, sendo a tenso VR3 fixa (denominada tambm tenso de referncia), cuja
finalidade controlar a tenso de polarizao do circuito de controle. Qualquer diferena de
tenso entre os dois resistores ir fornecer sada do comparador uma tenso de referncia
que ser aplicada ao circuito de controle.

FUNCIONAMENTO:
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Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma variao da
tenso de sada.

Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar, aumentando a
tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada por VZ, ento um aumento de tenso no
ponto "x" provocar um aumento de VBE2, que aumentar IB2 e consequentemente IC2.

Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R 1 (VR1), uma vez que a tenso do
emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).

Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de VCE1.

Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1.

Um aumento de IC2 provocar tambm um discreto aumento na corrente de base de T1 (IB1).


IC2 = IR1 - IB1
IR1 = IC2 + IB1

FORMULRIO:
Considerando a tenso de entrada mxima

VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX) + IB1(MIN))


mas, IZ(MAX) >> IB1(MIN), logo:
VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX))

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = (I)
R1

Considerando a tenso de entrada mnima

VIN(MIN) = VL + VBE1(MAX) + R1.(IZ(MIN) + IB1(MAX))

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) + IB(MAX) =
R1
IL(MAX)
mas, IB(MAX) = 1( MIN )
IL(MAX) IC(MAX) temos ento:

IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)


IZ(MIN) + = ( II )
1( MIN ) R1

dividindo ( I ) e ( II )

IZ(MAX) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)


=
IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) +
1( MIN )

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IL(MAX)


IZ(MAX) = . IZ(MIN) + ( III )
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) 1( MIN )
Clculo de R1

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VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 > R1 < IL(MAX)
IZ(MAX) IZ(MIN) +
1( MIN )
A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por:
VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))

[(V IN(MAX) - (V L + VBE(MIN) ) ] 2


PR1 =
R1 (adotado)

Clculo de R2
Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2
VL - VZ - VBE2(MAX)
Quando IC2 = IZ(MIN) R2 < 0,1.I Z(MIN)
VL - VZ - VBE2(MIN)
Quando IC2 = IZ(MAX) R2 >
0,1.I Z(MAX)

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = R1 (adotado)

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) IL(MAX)


IZ(MIN) = - IB1(MAX) IB1(MAX) = 1( MIN
R1 (adotado) )

Clculo de potncia dissipada em R2

VR2 = VL - VZ - VBE2(MIN)

(V L - VZ - VBE2(MIN) ) 2
PR2 =
R2 (adotado)

Clculo de R3
R3
VR3 = VL . VR3.(R3 + R2) = VL.R3
R3 + R 2

VR3.R2 + VR3.R3 = VL.R3 VR3.R2 = VL.R3 - VR3.R3


VR3.R2 = R3.(VL - VR3)

VR3 . R2
R3 = (R2 adotado no clculo anterior)
VL - VR3

Clculo de potncia em R3
Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)

(V Z + VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)

PROJETO

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Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores e um diodo
zener de referncia, que obedea as caractersticas:

VIN = 25V 10%


IL(MAX) = 800mA
Tenso na carga (VL) = 12V

Teremos: VIN(MAX) = 25 + 2,5 = 27,5V VIN(MIN) = 25 - 2,5 = 22,5V

Escolha de T1:
O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas:
IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A
VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V
PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W

O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros:


VCEO = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
(MIN) = 40 (MAX) = 250

Escolha do diodo zener:


Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de referncia para nosso
projeto VZ aproximadamente 0,5VL. No entanto, outro valor pode ser escolhido.
Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os parmetros:
IZ(MIN) = 50mA
VZ = 5,1V
PZ(MAX) = 1,3W

Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto:


PZ(MAX) 1,3W
IZ(MAX) = = = 255mA
VZ 5,1V

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IL(MAX)


IZ(MAX) = . IZ(MIN) +
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) 1( MIN )

Adotando para este projeto VBE1(MIN) = 0,6V e para VBE1(MAX) = 0,7V

27,5V - 12V - 0,6V 800mA


IZ(MAX) = . 50mA +
22,5V - 12V - 0,7V 40

14,9V
IZ(MAX) = . 70mA =106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.

Escolha de T2:
O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas:

VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA
PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX)
PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W
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Para o transistor T2 tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para VBE2(MIN) e VBE2(MAX)
respectivamente.

O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas:

VCEO = 45V
IC(MAX) = 1A
PC(MAX) = 8W
(MIN) = 40 (MAX) = 250

Clculo de R1:
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) 27,5V - 12V - 0,6V 14,9V
R1 > = = = 58,4
IZ(MAX) 255mA 255mA

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) 22,5V - 12V - 0,7V 9,8V


= =140
R1 < IL(MAX) = 50mA + 800mA 70mA
IZ(MIN) +
1( MIN ) 40
58,4 < R1 < 140 valor adotado: 100

Calculando a potncia desenvolvida em R1:


[(V IN(MAX) - (V L + VBE(MIN) ) ] 2 (27,5V - 12,6V) 2
(14,9V) 2
PR1 = = = = 2,22W
R1 (adotado) 100 100
(adotar 5W)

Clculo de R2:
VL - VZ - VBE2(MIN) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R2 > 0,1.I Z(MAX)
IZ(MAX) = R1 (adotado)

27,5V - 12V - 0,6V


IZ(MAX) = =149mA
100

12V - 5,1V - 0,6V 6,3V


R2 > = = 422,82
14,9mA 14,9mA

VL - VZ - VBE2(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)


R2 < IZ(MIN) = - IB1(MAX)
0,1.I Z(MIN) R1 (adotado)

22,5V - 12V - 0,7V 800mA


IZ(MIN) = - = 98mA - 20mA = 78mA
100 40

12V - 5,1V - 0,7V 6,2V


R2 < = = 794,87
7,8mA 7,8mA

422,82 < R2 < 794,87 adotar 560

Calculando a potncia desenvolvida em R2:


(V L - VZ - VBE2(MIN) ) 2
PR2 =
R2 (adotado)
(12V - 5,1V - 0,6V) 2 ( 6,3V ) 2
PR2 = = = 70,88mW
560 560

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Clculo de R3:
VR3 . R2 5,7V . (560 ) 3.192
R3 = = = = 506,67 adotar 470
VL - VR3 12V - 5,7V 6,3

onde: VR3 = VZ + VBE2(MIN)


Calculando a potncia desenvolvida em R3:
(V Z + VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)

2
(5,1V + 0,7V) (5,8) 2
PR3 = = = 71,57mW
470 470

CONFIGURAO DARLINGTON:

A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.

Se 1 = 2 = 100, teremos: IC1 = IE1 e IC2 = IE2

O ganho total ( T) ser dado por: 1 . 2 = 100.100 = 10.000

Assim, IC2 = T . IB1

A tenso entre base e emissor dada por: VBE = VBE1 + VBE2


Por se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado de impedncia de
entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em relao a um transistor comum. A
configurao Darlington normalmente encontrada em um nico invlucro, como por exemplo os
transistores BD262 e BD263, com polaridades pnp e npn respectivamente.

PROJETO DE UM REGULADOR SRIE COM TRANSISTOR DARLINGTON

Reprojetar o regulador srie da pgina 34, utilizando transistor Darlington; proceder uma
anlise do projeto comparando-o ao projeto anterior e apresentar concluses.
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Caractersticas do regulador:

Tenso de sada (VL): 6V


Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%

Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:

VCBO = 80V
IC(MAX) = 4A
PC(MAX) = 36W
(MIN) = 500 (MAX) = 1.000

Neste caso, VBE maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V
Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.

O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so:

VZ = 7,5V
PZ(MAX) = 400mW
IZ(MIN) = 10mA

0,4W
IZ(MAX) = 7,5V = 53,33mA

Verificando a escolha do transistor:


PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX)
IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX)

IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = ( MIN )
logo: IC(MAX) = IL(MAX) - ( MIN )

IL(MAX) 1,5 1,5 1,5


= = =1,497A
IC(MAX) = 1 + 1 = 1+ 1 1 + 0,002 1,002
( MIN ) 500

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,497A = 10,78W


O transistor escolhido poder ser utilizado, no entanto, aconselhvel a utilizao de um
dissipador de calor para evitar o sobreaquecimento do transistor.

Verificando a escolha do zener:

VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . ( IZ(MIN) +IB(MAX) )
VIN(MIN) - VZ

IC(MAX) 1,497A
IB(MAX) = ( MIN ) = 500 = 2,994mA

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13,2V - 7,5V
IZ(MAX) = . (10mA + 2,994mA )
10,8V - 7,5V

5,7V
IZ(MAX) = 3,3V . 12,994mA = 22,44mA

Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 22,44mA o diodo zener escolhido pode ser
utilizado.

Clculo de R:

Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V

VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ

Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0

VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ

VIN(MAX) - VZ 13,2V - 7,5V 5,7V


R= = = =106,88
IZ ( MAX ) 53 ,33 mA 53,33mA

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V

VIN(MIN) - VZ 10,8V - 7,5V 3,3V


R = IB(MAX) + IZ(MIN) = 2,994mA +10mA =12,994mA = 253,96

Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96 . Adotaremos o valor comercial
mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que neste caso 180 .

Potncia dissipada pelo resistor:

2 2 2
E2 (V IN(MAX) - VZ) (13,2V - 7,5V) (5,7V)
P= P= = = =180,5mW
R R 180 180

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 250mW (1/4W).

COMPARAES:

Parmetros Projeto com transistor comum Projeto com transistor Darlington


R1 91 180
PR1 508mW 180,5mW
IC(MAX) 1,46A 1,497A
PC(MAX) 10,5W 10,78W
IZ(MAX) terico 73,53mA 53,33mA
IZ(MAX) prtico 71,2mA 22,44mA
VZ 6,8V 7,5V
IB(MAX) 36,5mA 2,994mA

Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o transistor
Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de base bem menor. Isto se explica
pelo fato de que o ganho de corrente no transistor Darlington bem maior.
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BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Malvino, Albert Paul - ELETRNICA NO LABORATRIO - Ed. McGraw-Hill SP - 1.987
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE
CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Volnei A. Pedroni - CIRCUITOS ELETRNICOS - Livros Tcnicos e Ciebntficos Editora S.A. - RJ
- 1.982
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill International
Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed. Prentice/Hall -
RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990

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