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ESTRUTURA BSICA:
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando um circuito T
equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao da polarizao das junes, as
quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C respectivamente).
Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma a base, que
negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a juno dos dois
anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor negativos. A simbologia utilizada para
os transistores de juno mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.
POLARIZAO:
ETE JOO LUIZ DO NASCIMENTO - TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I - Prof. Mrio Goretti 1
Transistor npn com polarizao
direta entre base e emissor e
polarizao reversa entre coletor e
base.
OPERAO BSICA:
1 - Juno diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta entre base e
coletor. Para estudar o comportamento da juno diretamente polarizada, foi retirada a bateria de
polarizao reversa entre base e coletor.
Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com a polarizao
direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo estreita.
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2 - Juno reversamente polarizada:
Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada, conforme mostra a
figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarizao direta entre emissor e base.
Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de depleo
semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um fluxo de portadores
minoritrios (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende tambm da temperatura. Podemos
ento dizer que uma juno p-n deve ser diretamente polarizada (base-emissor) enquanto que a outra
juno p-n deve ser reversamente polarizada (base-coletor).
FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente, atravs das
junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o emissor.
Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a base uma
pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da ordem de
microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores, ou seja da ordem de miliampres,
isto para transistores de baixa potncia, podendo alcanar alguns ampres em transistores de potncia.
Da mesma forma, para transistores de potncia, a corrente de base significativamente maior.
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Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos portadores
majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor (C) recebe os portadores
majoritrios provenientes do emissor.
A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de fuga,
praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores minoritrios so gerados
no material tipo n (base), denominados tambm de corrente de fuga e so difundidos com relativa
facilidade at ao material do tipo p (coletor), formando assim uma corrente minoritria de lacunas.
Lembre-se de que os portadores minoritrios em um cristal do tipo n so as lacunas.
Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios provenientes do
emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:
IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS)
Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um transistor
npn, atravs de uma outra forma de representao. No entanto, o processo de anlise o mesmo.
Na figura acima oberva-se que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO) provenientes da base so
os eltrons, que se somaro a corrente de coletor.
Verifica-se ainda em relao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a corrente de base (IB)
tem um sentido oposto , uma vez que, essa corrente formada por lacunas. Da mesma forma as
correntes de emissor (IE) e de coletor (IC) tambm tem sentidos opostos, por serem formadas por
eltrons.
OBS: Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de anlise,
bastando para isso, inverter a polaridade das baterias de polarizao e lembrar que:
Cristal N - os portadores majoritrios so os eltrons e os minoritrios as lacunas;
Cristal P - os portadores majoritrios so as lacunas e os minoritrios os eltrons.
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A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.
A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma regio de baixa
impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da ordem de 0,55V a 0,7V para
transistores de silcio), polarizao esta, caracterizada pela bateria VEE enquanto que, a juno base-
coletor est reversamente polarizada em funo da bateria VCC. Na prtica, VCC assume valores maiores
do que VEE.
IC = IE + ICBO ( I )
Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base forma a corrente
de base, assim:
IE = IC + IB ( II )
1- ICBO
IB = (1 - ) . IE - ICBO = . IC -
1
O smbolo hFB algumas vezes usado na lugar de
2
Isto explicvel, pois menor do que 1.
3
O smbolo hFE algumas vezes usado no lugar de
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Podemos ento estabelecer as relaes:
=
1-
=
+1
Exemplos:
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?
Soluo:
0,92 0,92
= 1 - 0,92 = 0,08 = 11,5
4
Alguns autores utilizam a notao CC e CC
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CONFIGURAES BSICAS:
Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base comum (BC), emissor
comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes relacionam-se aos pontos onde o sinal
injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do transistor referncia para a entrada e sada de
sinal.
BASE COMUM:
No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e retirado entre
coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e sada do sinal.O
capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja efetivamente aterrada para sinais
alternados.
CARACTERSTICAS:
EMISSOR COMUM:
No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado entre coletor e
emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do emissor para sinais alternados. CA
um capacitor de acoplamento de sinal.
CARACTERSTICAS:
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COLETOR COMUM:
A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum.
A configurao coletor comum tambm conhecida como seguidor de emissor. Essa
denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na entrada estar praticamente presente
na sada (circuito de emissor).
O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de emissor. O capacitor
"CC" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja aterrado para sinais alternados. CA um
capacitor de acoplamento de sinal.
CARACTERSTICAS:
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primeira letra aps o V (neste caso o coletor) mais positiva do que a segunda letra (neste caso o
emissor).
Para um transistor pnp a tenso entre coletor e emissor representada por VEC, indicando que o
emissor mais positivo do que o coletor.
A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas, utilizando essa representao.
Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representaes; observe que as setas
que indicam o sentido da corrente so opostas aquelas que indicam as tenses.
Para as tenses VRC (tenso no resistor de coletor) e VRE ( tenso no resistor de emissor), a
ponta da seta indica que a tenso na parte superior desses resistores mais positiva do que na parte
inferior.
Temos visto at agora a polarizao de transistores utilizando duas baterias, sendo uma para
polarizao da juno base-emissor e outra para a juno base-coletor.
Na maioria das vezes, uma nica bateria pode polarizar um circuito transistorizado, visto que o
mesmo comporta-se como um circuito fechado.
As tenses nas junes do transistor e nos componentes externos, como resistores, capacitores,
indutores, etc. podem ser calculadas utilizando-se as leis de Kirchhoff para tenso (LKT).
Da mesma forma, as correntes podem ser calculadas aplicando-se LKC.
A figura a seguir mostra um transistor com polarizao por divisor de tenso na base, cuja
teoria ser vista no captulo referente aos circuitos de polarizao.
Observe atentamente as indicaes das tenses e das correntes em funo do sentido das setas.
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Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes:
1. IB = I 1 - I 2
2. I1 = I2 + IB
CURVAS CARACTERSTICAS:
De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem ser escolhidas.
Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica, normalmente as regies de corte e
saturao so selecionadas; no caso de transistor operando como amplificador, via de regra, escolhe-se
a regio ativa.
A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem riscos de danos.
A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim didtico, no sendo
obedecido a rigor nenhum tipo de escala.
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CURVA CARACTERSTICA PARA MONTAGEM EM EMISSOR COMUM:
Observa-se na curva caracterstica para montagem em base comum, que a corrente de emissor
controla a corrente de coletor, enquanto que na curva caracterstica para montagem em emissor
comum, a corrente de base controla a corrente de coletor.
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Observe a calibrao dos eixos de tenso e corrente para a montagem em coletor comum, onde
a corrente de base controla a corrente de emissor.
A figura abaixo mostra a curva caracterstica para emissor comum semelhante a vista
anteriormente, no entanto, observe a rea sombreada, a qual denominada de rea til, na qual o
transistor opera com total segurana.
A regio til delimitada pela curva de potncia mxima5 e conforme dito anteriormente, o
transistor trabalha com segurana, no ultrapassando a mxima potncia permitida.
CIRCUITOS DE POLARIZAO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e suas principais
caractersticas:
Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado quando deseja-se que
o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois pontos bem definidos: corte e saturao.
Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares, pois muito
instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de .
Para este tipo de polarizao: IC = IB
Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: VCE = 0,5VCC
5
Tambm denominada hiprbole de mxima dissipao.
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2 - POLARIZAO POR CORRENTE DE EMISSOR CONSTANTE
Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal de sada: VRE =
0,1VCC
Equaes bsicas:
VCC IC
IB = RB +RE
ou ainda: IB =
IE = ( + 1)IB
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3 - POLARIZAO POR REALIMENTAO NEGATIVA
Equaes bsicas:
VRE = 0,1VCC
VRC = VCC - (VCE + VRE)
VCC
IB = RB +RC
4 - SEGUIDOR DE EMISSOR
Equaes bsicas:
VCE = 0,5VCC
0,5V CC
RE =
IE
IE = IB
VCC
IB = RB +RE
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A polarizao por divisor de tenso na base ou polarizao universal um dos mtodos mais
usados em circuitos lineares.
Aplicando Thvenin:
RB2 . VCC
Abrindo o terminal da base temos: VTH =
RB1 +RB2
OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recebe o nome de RBB enquanto que a tenso
equivalente de Thvenin recebe o nome de VBB
Aplicando LKT:
VTH - RTHIB - VBE - REIE = 0
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VTH - VBE
IE
Sendo: IB = +1
, temos: IE = RE +
RTH
+1
RTH
Se RE for 10 vezes maior do que +1 , podemos simplificar a frmula:
VTH - VBE
IE =
RE
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o que equivale dizer
que:
RTH 0,1 RE
Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um projeto de polarizao
por divisor de tenso na base:
VE = 0,1VCC
VCE = 0,5VCC
VRC = 0,4VCC
RC = 4RE
RBB = 0,1 RE
RBB
RB1 . RBB
RB2 = ou RB2 = 1-
VBB
RB1 - RBB
VCC
Em funo de
IE
IB = (+1)
- ICBO IE = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO
IC = IB + ( + 1)ICBO onde: ( + 1)ICBO = ICEO
Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:
IC = IE + ICBO
temos: IE = IC + IB
logo: IC = (IC + IB) + ICBO
portanto: IC = IC + IB + ICBO
resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
colocando IC em evidncia resulta:
IC (1 - ) = IB + ICBO
portanto:
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IB ICBO
IC = +
1- 1-
IEBO: a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. No normal termos esta
situao, uma vez que a juno base-emissor de um transistor sempre polarizada diretamente.
ICEO: Esta corrente ao contrrio da anterior, tem um elevado significado. Trata-se da corrente
entre coletor e emissor com a base aberta.
ICEO = ( + 1)ICBO
Basicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto mais adiante.
ICBO: Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que, para cada 10C de
aumento de temperatura, essa corrente dobra. a corrente entre coletor e base, com o emissor aberto.
DADOS:
= 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V
Soluo:
Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos:
VE = VRE = 1,2V
VCE = 6V
VRC = 4,8V
Clculo de IB
IC 3mA
Como = 100, podemos fazer IC = IE, logo: IB = = = 30 A
100
Clculo de RE
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VRE 1,2V
RE = = = 400
IE 3mA
Clculo de RBB
RBB = 0,1 .400 = 4k
Clculo de VBB
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
VBB = 2,02V
Clculo de RC
VRC 4,8V
RC = = = 1,6k (equivalente a 4RE)
IC 3mA
Clculo de R1
RBB . VCC 4.000 . (12) 48.000
R1 = = = 2,02
= 23.762
VBB 2,02
Clculo de R2
R1 . RBB (23.762).( 4.000) 95.048
R2 = = = = 4.817
R1 - RBB 23 .762 - 4.000 19.762
RESPOSTAS:
RC 1,6k
RE 400
R1 23,762k
R2 4,817k
IB 30 A
IE 3mA
IC 3mA
DADOS:
IE = 4mA
VBE = 550mV
VCE = 5V
ETE JOO LUIZ DO NASCIMENTOV- CC = 12V DE JUNO
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ICBO = 6 A
= 0,92
Clculo de
0,92
= = =11,5
1 - 1 - 0,92
Clculo de ICEO
ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6 A) = 75 A
Clculo de IC
IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75 A = 3,755mA
Clculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245 A
Clculo de RC
VRC
RC = VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)
IC
5,8V
RC = 3,755mA = 1.54k (1.544,6 )
Clculo de RE
VRE 1,2
RE = = = 300
IE 4mA
Clculo de RB
VRB
RB = VRB = VCC - VBE - VRE VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
RB = 245 A = 41,84k (41.836,7 )
RESPOSTAS:
11,5
ICEO 75 A
IC 3,755mA
IB 245 A
RC 1.54k
RE 300
RB 41,84k
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3 - No seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tenses e correntes de polarizao, considerando
= 40.
Clculo de IB
VCC 15 15 15
IB = = = = = 72,12 A
RB + RE 100k + 40(2,7k ) 100k +108k 208k
Clculo de IE
IE = ( + 1).IB = (41).72,12 A = 2,96mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k . 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V 7V
VRE = 7,992V 8V
RESPOSTAS:
IB 72,12 A
IE 2,96mA
VCE 7V
VRE 8V
Considere = 100.
Clculo de IB
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VCC 15 15 15
IB = RB + RC = 270k +100.4k7 = 270k + 470k = 740k = 20,27 A
Clculo de IC
IC = IB = 100.(20,27 A) = 2,027mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V
RESPOSTAS:
Equaes bsicas
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0
VRC = RCIC e VRE = REIE, temos:
( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE
Clculo de IC
IC
= , logo: IC = 6 A . 200 = 1,2mA
IB
Clculo de IE
IE = IC + IB = 1,2mA + 6 A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar IC = IE
Clculo de RC
Utilizando a equao ( II )
15 = (RC . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (RC . 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (RC . 1,2mA) + 8,18
15 - 8,18
RC = 1,2mA =5,68k (5.683,3 )
Clculo de RB
VRB = VCB + VRC
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RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V
RESPOSTAS:
IC = 1,2mA RC = 5,68k
IE = 1,2mA RB = 2,37M
RETA DE CARGA:
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de carga, definindo
em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente.
Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva caracterstica do
transistor, fornecida pelo fabricante.
Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para CA ser abordada
posteriormente.
Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum, onde a curva
caracterstica do transistor mostrada ao lado.
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1 ponto: para IC = 0, temos VCC = VCE = 25V
VCC 25V
2 ponto: para VCE = 0, temos IC = RC + RE =1,25k = 20mA
Procedimento:
Para que o transistor opere na regio linear, o ponto Q dever ser o ponto mdio da reta de
carga. No nosso exemplo o ponto mdio (bem aproximado) coincidiu com a corrente de base
equivalente a 30 A.
A partir da ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre coletor e emissor:
ICQ = 11,25mA
VCEQ = 11V
IBQ = 30 A
Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos resistores:
IC 11,25mA
= IB = 30 A =375
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Se na mesma curva selecionarmos um ponto quiescente (Q1) mais prximo da regio de
saturao, por exemplo IB = 45 A, teremos um aumento da corrente de coletor e uma diminuio de
VCE; para um ponto quiscente (Q2) mais prximo da regio de corte, por exemplo IB = 10 A, teremos
uma diminuio da corrente de coletor e um aumento de VCE, conforme ilustra a figura abaixo:
CONCLUSES:
1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a tenso entre coletor e
emissor (VCE) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a corrente de coletor.
2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso entre coletor e
emissor (VCE) tende a se igualar a VCC, pois a corrente de coletor tende a zero.
A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a 250mV.
Podemos ento aplicar LKT referente aos pontos Q1 e Q2, e constatar a variao de ao longo
da reta de carga.
Para Q1:
IC 18mA
= IB = 45 A =400
Para Q2:
IC 2,5mA
= IB = 10 A = 250
A reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum ou emissor
comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de uma reta de carga para uma
montagem em base comum.
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Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de carga.
1 ponto:
Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC.
Observe que o eixo da tenso est calibrado em VCB.
Quando IC = 0, VBE = 0, como VCB = VCE - VBE, logo VCB = VCE - 0
Portanto, VCB = 25V
2 ponto:
VCC 25V
Para VCE = 0, temos: IC = = = 25mA
RC 1k
Neste caso RE o circuito de entrada da configurao base comum, sendo ento desconsiderado
para calcular um dos pontos da reta de carga.
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Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no grfico. Como trata-se
de uma configurao base-comum, existem duas malhas definidas: uma para o circuito de entrada
(base-emissor) e outra para o circuito de sada (base-coletor). Veja a figura abaixo:
Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso garantir sua
saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de funcionamento; variao da
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temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a corrente de base da
ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta de carga, conforme mostra a figura
abaixo:
O valor de 20mA foi escolhido na curva caracterstica e portanto, a corrente de base ser
1/20mA = 2mA.
OBS: Na elaborao do projeto, deve-se tomar o cuidado de no ultrapassar os valores
mximos especificados pelo fabricante, como corrente de coletor, corrente de base, tenso entre
coletor e emissor, potncia de dissipao, etc.
Estamos considerando o valor de 20mA plenamente compatvel com nosso exemplo de projeto.
Podemos ento definir os valores de RC e RB
VCC 12V
Considerando VCE de saturao = 0, teremos: RC = = = 600
IC 2mA
Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Deveremos ento recalcular o valor de RC.
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Um outro exemplo de transistor usado como chave mostrado abaixo.
Um sinal cuja forma de onda quadrada e amplitude que varia de 0 a 5V aplicado na entrada.
No instante 1, com 0V na entrada o transistor entra em corte, operando como uma chave aberta
e teremos na sada 15V (VCC); no instante 2, com 5V na entrada o transistor entra em saturao,
operando como uma chave fechada e portanto, teremos na sada 0V.
5V - 0,7V
IB = = 0,915mA
4,7 k
15V
IC = 1,5k=10mA
Portanto, a relao vlida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturao.
A identificao entre um circuito com transistor operando como chave eletrnica e como fonte
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de corrente fcil; quando opera como chave eletrnica, o emissor aterrado e existe um resistor na
base, ao passo que, como fonte de corrente o emissor aterrado atravs de um resistor, no havendo
resistor na base.
Quando desejamos acionar um led, o ideal faz-lo atravs de uma fonte de corrente,
principalmente quando o valor de VCC baixo, levando-se em conta a queda de tenso no led da ordem
de 1,5 a 2,5V.
A ilustrao abaixo mostra as diferenas entre uma chave eletrnica e uma fonte de corrente.
Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor operando como
chave de corrente.
Determinar:
As tenses em RC para os valores de 10 e 1000
O valor de VCE nas duas condies
Determinando RE
Considerando IC = IE, temos:
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VBB - VBE VRE 5V - 0,7V 4,3V
RE = = = = = 860
IE IE 5mA 5mA
Calculando VRC
Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento, para os dois casos
IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC).
Para satisfazer a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, a tenso VCE que variar, assim sendo
temos:
Para RC = 10
VCE = 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V
Para RC = 1k
VCE = 12 - 5 - 4,3 = 2,7V
CONCLUSES: A corrente de coletor manteve-se constante para uma variao muito grande
de RC (100 vezes).
Quando o valor de VCC for relativamente baixo (por exemplo 5V) o acionamento de leds mais
eficaz com uma fonte de corrente, pois para leds de cores, tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso
pode variar de 1,5V a 2,5V), a corrente ser praticamente constante no prejudicando a luminosidade.
Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de corrente vamos
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admitir uma situao conforme ilustra a figura abaixo.
Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma luminosidade ideal. No
entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2 uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter
sua luminosidade diminuda por necessitar de mais tenso?
Soluo:
A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade diminuda, pois em
comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.
No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal no acontecer,
conforme ser mostrado nos clculos a seguir:
Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a corrente de
emissor em 15mA, dimensionando o valor de RE.
A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora as tenses sejam
diferentes.
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 1,5 = 4,5V
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 2,5 = 3,5V
REGULADOR SRIE:
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais sofisticada em relao
aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o transistor o elemento
regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em srie com a carga, da o nome regulador
srie.
FUNCIONAMENTO:
Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar provocando um
aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo VL constante.
VL = VIN - VCE
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo os mesmos
princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.
LIMITAES:
Valores mnimos e mximos de VIN
Como VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB
ento:
VIN = R(IZ + IB) + VZ
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Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(IZ(MIN) + IB(MAX))
Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas caractersticas de
estabilizao.
Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em condies normais sem
danificar seus componentes.
Tenso de entrada mxima:
VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I )
Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX)
onde: IZ(MAX) =
VZ
Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )
VIN(MAX) - VZ
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) = ( III)
R
VIN(MIN) - VZ
De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) = ( IV )
R
IZ(MAX) VIN(MAX) - VZ
=
IZ(MIN) +IB(MAX) VIN(MIN) - VZ
PROJETO
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor com as seguintes
caractersticas:
Tenso de sada (VL): 6V
Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%
Escolha do transistor
Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto funcione sem
problemas adota-se o beta de menor valor.
IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = ( MIN )
logo: IC(MAX) = IL(MAX) - ( MIN )
Levando-se em conta que VL = VZ - VBE e que VBE 0,7V, se adotarmos um diodo zener com
tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento adotar um diodo zener com 6,7V,
porm este valor no comercial. O valor comercial mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem
uma tenso nominal de 6,8V e PZ(MAX) igual a 500mW com IZ(MIN) = 8mA.
0,5W
PZ(MAX) = 6,8V = 73,53mA
Teremos ento na carga 6,1V, valor este, perfeitamente aceitvel.
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . ( IZ(MIN) +IB(MAX) )
VIN(MIN) - VZ
IC(MAX) 1,46A
IB(MAX) = ( MIN ) = 40 =36,5mA
13,2V - 6,8V
IZ(MAX) = . ( 8mA + 36,5mA )
10,8V - 6,8V
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6,4V
IZ(MAX) = . 44,5mA = 71,2mA
4V
Como PZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido pode ser utilizado.
Clculo de R:
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
VIN(MIN) - VZ 10,8V - 6V 4V
R = IB(MAX) + IZ(MIN) = 36,5mA +8mA = 44,5mA =89,89
Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89 . Adotaremos o valor comercial
mais prximo: 91
2
E2 (V IN(MAX) - VZ) (13,2V - 6V) 2 (6,8V) 2
P= P= = = = 0,508W
R R 91 91
REGULADOR PARALELO:
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o zener como
elemento de referncia.
Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador paralelo, cujo
circuito mostrado abaixo.
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A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do regulador srie,
no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.
FUNCIONAMENTO:
VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante
VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como VZ fixa, variar VBE variando a
corrente IB e consequentemente IC. Em outras palavras, variando-se a tenso de entrada ocorrer uma
atuao na corrente de base a qual controla a corrente de coletor.
Neste caso, VCE tende a parmanecer constante desde que IZ no assuma valores menores que
IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente: VIN, VL e IL(MAX).
VIN(MAX) - VZ - VBE
= IZ(MAX) + IC(MAX) (I)
R1
VIN(MIN) - VZ - VBE
=IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ( II )
R1
Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
Isolando IZ(MAX):
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (I Z(MIN + IC(MIN) +IL(MAX) ) - IC(MAX) ( III )
VIN(MIN) - VZ - VBE
OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em muitos projetos a
mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no resultado final.
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Corrente em R2:
IC(MIN)
IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) = ( MIN )
IC(MIN)
portanto: IR2 = IZ(MIN) - ( MIN ) ( IV )
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio), um acrscimo
de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE praticamente constante, essa corrente circular
pela base do transistor, da ento teremos:
IC ( M A =X ) (M I N) . IB ( M A X )
IB ( M A =X I) Z ( M A X- I)R 2 I . (IZ(MAX) - IR2 ( V )
C(MAX) = (MIN)
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) - .(IZ(MAX) - IR2
(MIN)
VIN(MIN) - VZ - VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
IZ(MAX) = . (I Z(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ) +( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN ) +1
Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
VCEO 8 > (VZ + VBE)
IC(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)
PROJETO
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:
VL = 15V
IC(MAX) = 600mA
VIN = 22V 10%
Escolha do transistor:
O transistor dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO = 35V
IC(MAX) = 3A
PC(MAX) = 35W
8
VCEO a tenso entre coletor e emissor com a base aberta
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(mnimo = 40; mximo = 120)
PZ(MAX) = 1,3W
IZ(MIN) = 20mA
VZ = 15V
PZ(MAX) 1,3W
IZ(MAX) = = = 86,67mA
VZ 15V
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
IZ(MAX) = . (I Z(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ) +( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN ) +1
IC(MIN)
Desprezando IC(MIN) ICMIN) = 0, ento como IR2 = IZ(MIN) - ( MIN )
, IR2 = 20mA
8,5V
IZ(MAX) = . (620mA + 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA
4,1V
Calculando IC(MAX):
IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2)
IC(MAX) = 40 . (71,83mA - 20mA)
IC(MAX) = 40 . 51,83mA = 2,073A
IC(MAX) = 2,073A (o transistor compatvel quando a IC(MAX))
Calculando PC(MAX):
PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W
PC(MAX) = 31,24W
Calculando R2:
VR2 = R2.IR2 VR2 = VBE
VBE 0,7V
R2 = = = 35 (adotar 33 )
20mA 20mA
PR2 =
( ER2 ) 2 = ( 0,7 ) 2 =
0,49V
= 14,85mW
R2 33 33
Calculando R1:
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VIN(MIN) - VZ - VBE 19,8V - 15V - 0,7V 4,1V
R1 = IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) = = = 6,613
20mA + 600mA 620mA
OBS: IC(MIN) = 0
VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V
R1 = = = = 3,94
IZ(MAX) + IC(MAX) 86,67mA + 2,073A 2,16
O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s variaes da tenso de
entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da introduo de um transistor junto ao elemento de
referncia.
A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que compem o circuito tem
as seguintes funes:
Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso;
FUNCIONAMENTO:
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Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma variao da
tenso de sada.
Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar, aumentando a
tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada por VZ, ento um aumento de tenso no
ponto "x" provocar um aumento de VBE2, que aumentar IB2 e consequentemente IC2.
Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R 1 (VR1), uma vez que a tenso do
emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).
FORMULRIO:
Considerando a tenso de entrada mxima
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = (I)
R1
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) + IB(MAX) =
R1
IL(MAX)
mas, IB(MAX) = 1( MIN )
IL(MAX) IC(MAX) temos ento:
dividindo ( I ) e ( II )
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VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R1 > R1 < IL(MAX)
IZ(MAX) IZ(MIN) +
1( MIN )
A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por:
VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))
Clculo de R2
Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2
VL - VZ - VBE2(MAX)
Quando IC2 = IZ(MIN) R2 < 0,1.I Z(MIN)
VL - VZ - VBE2(MIN)
Quando IC2 = IZ(MAX) R2 >
0,1.I Z(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = R1 (adotado)
VR2 = VL - VZ - VBE2(MIN)
(V L - VZ - VBE2(MIN) ) 2
PR2 =
R2 (adotado)
Clculo de R3
R3
VR3 = VL . VR3.(R3 + R2) = VL.R3
R3 + R 2
VR3 . R2
R3 = (R2 adotado no clculo anterior)
VL - VR3
Clculo de potncia em R3
Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)
(V Z + VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)
PROJETO
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Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores e um diodo
zener de referncia, que obedea as caractersticas:
Escolha de T1:
O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas:
IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A
VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V
PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
14,9V
IZ(MAX) = . 70mA =106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.
Escolha de T2:
O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA
PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX)
PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W
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Para o transistor T2 tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para VBE2(MIN) e VBE2(MAX)
respectivamente.
VCEO = 45V
IC(MAX) = 1A
PC(MAX) = 8W
(MIN) = 40 (MAX) = 250
Clculo de R1:
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) 27,5V - 12V - 0,6V 14,9V
R1 > = = = 58,4
IZ(MAX) 255mA 255mA
Clculo de R2:
VL - VZ - VBE2(MIN) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R2 > 0,1.I Z(MAX)
IZ(MAX) = R1 (adotado)
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Clculo de R3:
VR3 . R2 5,7V . (560 ) 3.192
R3 = = = = 506,67 adotar 470
VL - VR3 12V - 5,7V 6,3
2
(5,1V + 0,7V) (5,8) 2
PR3 = = = 71,57mW
470 470
CONFIGURAO DARLINGTON:
A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relao a um
nico transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.
Reprojetar o regulador srie da pgina 34, utilizando transistor Darlington; proceder uma
anlise do projeto comparando-o ao projeto anterior e apresentar concluses.
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Caractersticas do regulador:
Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:
VCBO = 80V
IC(MAX) = 4A
PC(MAX) = 36W
(MIN) = 500 (MAX) = 1.000
Neste caso, VBE maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V
Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.
VZ = 7,5V
PZ(MAX) = 400mW
IZ(MIN) = 10mA
0,4W
IZ(MAX) = 7,5V = 53,33mA
IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = ( MIN )
logo: IC(MAX) = IL(MAX) - ( MIN )
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . ( IZ(MIN) +IB(MAX) )
VIN(MIN) - VZ
IC(MAX) 1,497A
IB(MAX) = ( MIN ) = 500 = 2,994mA
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13,2V - 7,5V
IZ(MAX) = . (10mA + 2,994mA )
10,8V - 7,5V
5,7V
IZ(MAX) = 3,3V . 12,994mA = 22,44mA
Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 22,44mA o diodo zener escolhido pode ser
utilizado.
Clculo de R:
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96 . Adotaremos o valor comercial
mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que neste caso 180 .
2 2 2
E2 (V IN(MAX) - VZ) (13,2V - 7,5V) (5,7V)
P= P= = = =180,5mW
R R 180 180
COMPARAES:
Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o transistor
Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de base bem menor. Isto se explica
pelo fato de que o ganho de corrente no transistor Darlington bem maior.
ETE JOO LUIZ DO NASCIMENTO - TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR I - Prof. Mrio Goretti 46
BIBLIOGRAFIA:
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Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRNICOS E TEORIA DE
CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
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Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill International
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Horenstein, Mark N. - MICROELETRNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed. Prentice/Hall -
RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990
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