UNIVERSIDAD NACIONAL

MAYOR DE SAN MARCOS

RESPUESTA EN BAJA
FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR DE UNA SOLA
ETAPA
FACULTAD DE INGENERIA ELECTRO NICA Y
ELE CTRICA

CURSO:
Circuitos Electro nicos II

PROFESOR:
Celso Gero nimo Huama n

ALUMNA:
Camasca Tijero, Rosa Hayde e.

TRABAJO:
Respuesta en frecuencia de
amplificador de una sola etapa.
 RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA
I. OBJETIVOS

Determinar las caractersticas de operacin de un amplificador de corriente

transistorizado.

II. MARCO TERICO

El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de
corriente.

Est compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan en cascada

El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.

La ecuacin de la ganancia de un transistor tpico es:

I E = I B

I E :corriente del emisor

I B :corriente de base

Analizando el grfico:

Ecuacin del primer transistor es: I E = 1 I B (1)

1 1

Ecuacin del segundo transistor es: I E = 2 I B (2)

2 2

Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la

corriente de base de transisitor (T2), entonces I E =I B (3)
1 2
Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene: I E = 2 I B = 2 I E
2 2 2

Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de I E se obtiene a ecuacin final de

1

ganancia de transistor de Darlington:

I E =B2 B1 I B
2 1

Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de
un transistor corriente, pues provecha la ganancia de los dos transistores (las ganancias
se multiplican).

Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes

con corrientes muy pequeas.

IMPORTANTE! la cada de tensin del transistor Darlington es 1.4 voltios que resulta
de la suma de las cadas de tensin de la base a emisor del primer transistor B1 a E1
(0.7 voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

III. INFORME PREVIO

1. Mencione aplicaciones de la configuracin Darlington y algunos cdigos de su
versin de circuito integrado.
En la interfase para conectar la EVM con cualquier equipo de radio, la interfase
consta de dos integrados Darlington ULN2803 que sirven para incrementar la
intensidad de las seales TTL que les llegan, y otros elemento ms.
Cuando se quiere controlar un motor o un rel, necesitas emplear un dispositivo
que sea capaz de suministrar esta corriente. Este dispositivo puede ser un circuito
Darlington.
Para alimentar un carga como un pequeo motor de corriente continua.

Son ampliamente utilizados para accionar las aletas solenoide impulsada y luces
intermitentes en las maquinas de pintball electromecnico. Una seal de la lgica
de unos pocos miliamperios de un microprocesador, amplificada por un transistor
de Darlington , fcilmente cambia un amperio o mas a 50v en una escala de tiempo
medido en milisegundos, segn sea necesario para el accionamiento de un
solenoide o una lmpara de tungsteno.
Para resumir se utilizan en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes
con corrientes muy pequeas.

Algunos cdigos de circuitos integrados con configuracin Darlington son: NTE2077,

NTE2078, NTE 2084, NTE 2079, NTE2082, NTE2083 y NTE2088.
Algunos cdigos de circuitos integrados con configuracin Darlington son: NTE2077,
NTE2078, NTE2084, NTE2079, NTE2082, NTE2083, NTE2087 y NTE2088.
El TIP120 es un ejemplo de par Darlington, tiene un encapsulado del tipo TO220 como el
de la figura.

La ganancia de corriente segn las especificaciones del fabricante es de 1000, y la mxima

corriente que puede circular por el colector es de 5 A.
Adems de los dos transistores propios del par Darlington, este dispositivo, lleva un diodo
adicional y un par de resistencias con fines de proteccin.

SEMICONDUCTOR AVAILABILITY, DATA & STOCK

Part Number Description Manufacturer
Hitachi
2SD2213 Silicon NPN Epitaxial, Darlington Semiconducto
r
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2220
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2222
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2242
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2242A
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2250
Darlington (Matsushita)
 Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2254
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2273
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2275
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2276
Darlington (Matsushita)
Silicon NPN epitaxial planer type Panasonic
2SD2416
darlington (Matsushita)
Silicon NPN triple diffusion planar type Panasonic
2SD2420
Darlington (Matsushita)
Hitachi
2SD2423 Silicon NPN Epitaxial, Darlington Semiconducto
r

2. En el circuito de la figura, calcular los puntos de reposo.

1=100

2=100
Anlisis en CC

Se tiene el siguiente circuito equivalente:

De la figura anterior se tiene lo siguiente

 3. Calcular la ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancia de entrada,
impedancia de salida.

Anlisis en ca

Se tiene el siguiente circuito equivalente

De la figura anterior se tiene lo siguiente

Hallando re1 y re2

Encontrando la relacin i3 ib1

 i3 .R 3=ib1 . r e1 . 1+ib 2 . r e2 . 2
i3 .R 3=ib1 . 2. r e2 . 1+ib 2 .r e2 . 2
i3 .R 3=2. ib 1 . 2. 1 .r e2
2 .ib 1 . 2. 1 .r e2
i3 =
R3

hallando Ii = if

if =i 3 +ib 1
2 .i . 2 . 1. r e 2
if = b 1 +ib1
R3
2 . ib1 . 2 . 1. r e2
if =i b 1 (
R3
+1 )
2. r e 2 1
if =i b1 . 1 . 2.
R3 ( +
1. 2 )
hay que tomar en cuenta que:

2 .i b 1 . 2 . 1. r e 2
i 3 +i c 2 = + 2 .i b 2
R3
2 .i b 1 . 2 . 1. r e 2
i 3 +i c 2 = + 2 . 1. i b 1
R3
2. r e 2
i 3 +ic 2= 2 . 1. i b1 . ( R3
+1 )

El voltaje de entrada Vg es:

 V g=i f .R f +ib 1 .r e 1 . 1+ib 2 .r e2 . 2+(i3 +i c2 ). ( R 2||R 1||R E||R L )
V g=i f .R f +ib 1 .r e 2 . 2. 1+i b 1 1 .r e2 . 2+(i3 +ic 2 ). ( R 2||R 1||R E||R L )

(
V g= ib 1 . 1. 2 . ( 2.r e2 1
+
R 3 1. 2 )) (
. R f +2 .ib 1 . r e 2 . 1. 2+ 2. 1 .ib1 .
2 .r e 2
R3 ( ))
+1 . ( R 2||R1||R E||R L )

V g =ib1 . 1 . 2.
[( 2 .r e2 1
+
R 3 1. 2 )
.R f +2.r e 2 +
2. r e2
R3 ( )
+1 . ( R 2||R 1||R E||R L )
]
Hallando la impedancia de entrada Zi

Zi=
Vg
=
i b1 . 1 . 2.
[( 2 .r e 2 1
R3
+
1. 2 )
. R f +2. r e 2 +(2 . re 2
R3 )
+1 . ( R 2||R 1||R E||R L )
]
if 2. r e 2 1
i b1 . 1 . 2. ( R3
+
1. 2 )
Zi=
[( 2. r e 2 1
R3
+
1. 2 )
. R f + 2. r e 2 +
2 . re 2
R3 ( )
+ 1 . ( R 2||R 1||R E ||R L )
]
2. r e 2 1
(R3
+
1. 2 )
2 .r e 2

Z i =R f +
2 . re 2+
R3 ( )
+1 . ( R 2||R 1||R E ||R L )

2 .r e 2 1
(
R3
+
1. 2 )
1 1

Z i=R f +
1+
(
R 3 2 . re 2 (
+
)
. R 2||R 1||R E ||R L )
=7 .26 M
1 1
( +
R 3 2 . re 2 . 1 . 2 )

Hallando io
 ( i 3 +i c 2 ) . ( R 2||R 1||R E )
i0=
R1+ R 2+ R E + R L
( i 3 +i c 2 ) . ( R 2||R 1||R E ) . R L ( i3 +i c 2 ). ( R 2||R1||R E||R L )
i0= =
R L .( R 1+ R 2+ R E + R L ) R L .( R 1+ R 2+ R E )
2 .r e 2

i 0 =
2 . 1 .i b 1 .
R3 ( )
+1 . ( R 2||R 1||R E||R L )

R L .( R 1+ R 2+ R E )

El voltaje de salida es:

V 0 =i 0 . R L
2. r e 2

V 0=
2 . 1. i b 1 .
R3 ( )
+1 . ( R 2||R 1||R E||R L )
. RL
R L .( R 1+ R 2+ R E )
2. r e 2

V 0=
2 . 1. i b 1 . ( R3 )
+1 . ( R 2||R 1||R E||R L )

R 1+R 2+ R E

Hallando la ganancia de voltaje Av

2 . re 2
2. 1 . ib1 . ( R3 )
+ 1 . ( R 2||R 1||R E ||R L )

V0 R 1+R 2+R E
AV = =
Vg
i b 1. 1 . 2.
[( 2. r e 2 1
R3
+
1. 2 )
. R f +2 . r e 2 +
2 .r e 2
R3 ( )
+1 . ( R 2||R 1||R E||R L )
]
1 1
( +
R 3 2. r e 2 )
. ( R 2||R 1||R E||R L )

R1+ R 2+R E
AV =
1 1 1 1
( +
R 3 2. r e 2 . 1 . 2
. Rf +1+
) +
R 3 2. r e 2 ( )
. ( R 2||R 1||R E||R L )

1
AV= =0 .99

[ ]
1 1

( R 1+ R 2+ R E .
() +
R 3 2 .r e 2 . 1. 2 )
. R f +1
+1
1 1
( +
R 3 2 .r e 2 )
. ( R 2||R 1||R E||R L )

Hallando la ganancia de corriente Ai

 2. r e 2
2 . 1. i b1 .
R3 ( )
+1 . ( R 2||R 1||R E||R L )

i R L .( R 1+ R 2+ R E )
Ai = 0 =
if 2. r e 2 1
i b1 . 1 . 2. ( R3
+
1. 2 )
2. r e 2

A i=
( R3 )
+1 . ( R 2||R 1||R E||R L )
=598. 7
2 .r e 2 1
R L .(R 1+ R 2+ R E ).
R3
+ (
1. 2 )

Hallando la impedancia de salida Zo

Volvemos a graficar el circuito colocado una fuente Vo en la salida, haciendo corto en Vg y

retirando la resistencia de carga RL:
De la figura anterior se tiene las siguientes ecuaciones:
 4. Indique el objetivo de utilizar la red constituida por R1, R2, R3, C2, en el circuito
de la figura.

La presencia de resistencias y de condensadores es para poder polarizar los transistores y

de esta manera poder trabajar en pequeas seales para hacer el amplificador.
La funcin del condensador es de retroalimentar al amplificador Darlington adems el
objetivo de implementar en el circuito Darlington el R1, R2, R3 es para aumentar la
impedancia de entrada y obtener mayor ganancia de corriente. A pesar que la ganancia de
voltaje tiende a disminuir.