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Dispositivos de Potencia

66.25 Dispositivos Semiconductores - FIUBA


Dr. Ing. Ariel Lutenberg

Organizacin de la clase

1. Introduccin a la electrnica de potencia


2. Diodos de potencia
3. Modelo trmico y clculo de disipadores
4. Tiristores
5. Transistores de potencia
6. Conclusiones
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Objetivos de la clase:
Entender las aplicaciones de la electrnica de potencia.
Conocer diferentes dispositivos de potencia y sus usos.

Definicin de electrnica de potencia:


Es la aplicacin de dispositivos electrnicos al control y
conversin de energa elctrica.
Ejemplos: Control de motores, calefaccin, sistemas de
iluminacin, fuentes de alimentacin, etc.
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Dispositivos semiconductores de potencia:
Se pueden clasificar en cinco tipos:
1. Diodos de potencia
2. Tiristores
3. TBJ de potencia (Transistores bipolares de juntura)
4. MOSFET de potencia
5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)

1. Diodos de potencia

Sus terminales son nodo y ctodo.


Conduce slo cuando Va > Vk (equivale a un cable).
Si Vk > Va el diodo no conduce (equivale a un circuito abierto).
1.Introduccin a la electrnica de potencia
2. Tiristores

Sus terminales son: nodo, ctodo y compuerta (gate).


Slo conduce cuando Va > Vk, y se inyecta una corriente por
el Gate (entonces A-K equivale a un cable).
La nica forma de apagarlo es forzando Va < Vk .

3. TBJ (Transistor bipolar de juntura)

Sus terminales son emisor, base y colector.


Slo conduce cuando VBE > 0.7V
Si adems IB es suficientemente grande, entonces C-E
equivale a un cable.
1.Introduccin a la electrnica de potencia
4. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Sus terminales son gate, source y drain.


Es un dispositivo de conmutacin rpida
(ms rpido que TBJ).
Slo conduce si VD > VS y
VG > VS (n-MOSFET), entonces D-S es un cable.

5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Sus terminales son gate, emisor y colector.


Combina las mejores caractersticas
del TBJ y del MOSFET.
Slo conduce si VC > VE y
VG > VE (nIGBT), entonces C-E es un cable.
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Caractersticas tpicas de los dispositivos

Dispositivo Max. Volt Inverso Switching Resistencia


. Max. Corr Directa time (s) equivalente
Diodos Uso general 5000V/5000A 100 0,16m
High Speed 3000V/1000A 2-5 1m
Schottky 40V/50A 0,2 10m
Tiristores Uso general 5000V/5000A 200 0,25m
High Speed 1200V/1500A 20 0,50m
Light triggered 6000V/1500A 200-400 0,50m
Transistor TBJ 400V/250A 10 4m
MOSFET 500V/9A 0,7 0,6m
IGBT 1200V/400A 2,3 60m
Que dato falta en la tabla para poder hacer la comparacin?
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Ejemplo de uso de los dispositivos:

Lo intento apagar

Dispositivos con
control de apagado
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Ejemplo de uso de los dispositivos:
Debe permanecer encendido
Lo intento apagar
La corriente
de base es
significativa

La corriente
de gate es
despreciable
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Clasificacin de los circuitos electrnicos de potencia:
Los dispositivos permiten convertir potencia elctrica de DC y AC:

1. Rectificadores con diodos


2. Conversores AC-DC (rectificadores controlados)
3. Conversores AC-AC (ac voltage controllers)
4. Conversores DC-DC (dc choppers)
5. Conversores DC-AC (inverters)
1.Introduccin a la electrnica de potencia
1. Rectificadores con diodos Ejemplo N1:
1.Introduccin a la electrnica de potencia
1. Rectificadores con diodos Ejemplo N2:

Funcionamiento:

t1 t2
1.Introduccin a la electrnica de potencia
2. Conversores AC-DC - Ejemplo:

ngulo de disparo

Pulso de encendido

Cambiando el
ngulo de
disparo se
modifica VDC VDC
1.Introduccin a la electrnica de potencia
3. Conversores AC-AC - Ejemplo:

ngulo de disparo
VAC (eficaz)
VDC = 0

Cambiando el
ngulo de
disparo se
modifica VAC
1.Introduccin a la electrnica de potencia
4. Conversores DC-DC - Ejemplo:

Tiempo de disparo

Diodo de
proteccin VDC

Cambiando el
duty cycle (t1)
se modifica
VDC
1.Introduccin a la electrnica de potencia
5. Conversores DC-AC - Ejemplo:

Semi-periodo de disparo

Cambiando el
disparo se
modifica VAC
1.Introduccin a la electrnica de potencia
Efectos indeseados:
stos circuitos operan encendiendo y apagndose constantemente,
lo que introduce ruido en:
La tensin de salida
La fuente de alimentacin

Esto genera problemas:


Inyecta ruido en la carga
Inyecta ruido en la fuente de alimentacin
Produce interferencia en circuitos cercanos

Para reducir estos problemas se puede:


Usar filtros de entrada y de salida
Elegir el circuito ms conveniente
Usar blindaje electromagntico
2.Diodos de potencia
Esquema del diodo:

Curvas caractersticas:
2.Diodos de potencia
Ecuacin del diodo:

Donde:
- ID = corriente que circula por el diodo [A]
- VD = tensin Va-Vd [V]
- IS = corriente de saturacin inversa (10-6 a 10-15A)
- n = coeficiente de emisin (1 a 2)
- VT = voltaje trmico:

q = carga del electrn (1.6022 * 10-19 C)


T = temperatura [K]
k = constante de Boltzmann (1.38 * 10-3 J/K)

En directa (VD >> VT) :

En inversa (VD < 0) :

En ruptura (VD < VBR)


2.Diodos de potencia
Diodos de propsito general:
- Tiempo de recuperacin ~ 10 s
- 1A-6000A / 400V-3600V / VF = 1.2V
- Usados en aplicaciones de baja frecuencia (rectificadores de red)

Diodos Fast-recovery:

- Tiempo de recuperacin ~ 0.1 a 10 s


- 30A-200A / 400V-1500V / VF = 1.2V
- Usados como conversores DC-DC o DC-AC (inversores, UPS)

Diodos Schottky (metal-semiconductor):


- Tiempo de recuperacin ~ 5 ns
- 1A-120A / 15V-150V / VF = 0.7V
- Usados en alta frecuencia (fuentes conmutadas, cargadores de bateras)
2.Diodos de potencia
Encapsulado DO-5:

Funcin del encapsulado:


- Conexin elctrica
- Disipacin trmica
- Aislamiento elctrico
2.Diodos de potencia

2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (1/3):

2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 2/3):
2.Diodos de potencia
Ejemplo de hoja de datos (continuacin 3/3):

Al aumentar la corriente ID aumenta la potencia disipada y el diodo


comienza a recalentarse:

- Para el silicio debe garantizarse: Tj < Tjmax (por ej. 125C o 150C)
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Tj

Clculo de disipadores Juntura

Rjc
Analoga trmico - elctrica: Modelo
trmico Pd
Carcaza Tc
equivalente
Pot.Rt = Tamb I.R = V del diodo: Rca

Ta
Ambiente

Regimenes mximos T ambiente

- Para el silicio debe garantizarse: Tj < Tjmax


Las caractersticas trmicas del diodo se definen segn:

Forma tpica (Tjmax=125C): Alternativa (Tjmax=125C):


Pdja @Ta=25C = 25W Pdja @Ta=25C = 25W
Rjc = 1,4 C/W Pdjc @Tc=25C = 70W

Frecuentemente (Tjmax=125C) : Ocasionalmente (Tjmax=125C) :


Pdjc @Tc=25C = 70W Rjc = 1,4 C/W
derate = 0,25 W/C Rca = 2,6 C/W

Estos cuatro casos son exactamente equivalentes (demostrarlo).


3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Clculo de disipadores
Problema: Dado un diodo con mximos: Pdja @ Tamb = 25 C : 25 W
Pdjc @ Tcase = 25 C : 70 W
y sabiendo que Pd = 4 W y Ta = 50 C, determine si debe usarse disipador.

Solucin: A partir del modelo trmico:


Pdja. (Rjc + Rca) + Ta = Tjmax
Pdjc . Rjc + Tcase = Tjmax
Del enunciado:
Rjc = Tjmax Tc = 125 C 25 C = 1,4 C/W
Pdjc 70 W
Rca = Tjmax Ta - Rjc = 125 C 25 C - 1,4 C/W = 2,6 C/W
Pdja 25 W
Si no se cumple hay
Entonces: Tj = 50 C + 4W ( 1,4 + 2,6 C/W) = 66C < 125C que usar disipador

El disipador quedara en paralelo con Rca: Rca//Rd ~ Rd, Rd = Tj Ta - Rjc


Pd
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Ejercicio
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un
circuito de audio y disipa una potencia media de 30W. El circuito se
encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede
alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las
especificaciones de la figura.
a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el
disipador es necesario calcular su resistencia trmica.
b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete
aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Ejercicio - Resolucin
Tj
Tc Temperatura de Juntura [C]
Temperatura de carcasa [C]
Ta Temperatura ambiente [C]
R jc Resistencia trmica juntura-carcasa [C/W]
Rca Resistencia trmica carcasa-ambiente [C/W]
R ja = R jc + Rca Resistencia trmica juntura-ambiente [C/W]

Datos del fabricante extrados de los regmenes mximos absolutos:


mx
Temperatura de juntura mxima: T j = 200C
Disipacin de potencia mxima: P mx = 6 W @ T a = 25 C
P mx = 117W @ T c = 25 C

T mx
j Tc 200 25 C C
Por lo tanto: R jc = = = 1.50
P @T
mx
c
177 W W
T mx
j Ta 200 25 C C
R ja= = = 29.17
P @T
mx
a
6 W W
C C
Rca = R ja R jc = ( 29.17 1.50 ) = 27.67
W W
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Puede el dispositivo, sin disipador externo, disipar 30W a Ta = 50C?

C
Verificacin: Si P= 30 W, T a = 50 C y R ja= 29.17
W
Entonces:
T j = R ja P + Ta = 29.17 30 C + 50 C = 925 C

Resulta T mx
j >> 200C Qu hacemos?
3.Modelo trmico y clculo de disipadores

TO-92 TO-5 TO-220

TO-247 TO-218 TO-3

Mayor disipador menor resistencia

TO-220 TO-3
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Incidencia de la posicin Ventilacin forzada

Diferentes tipos de aislantes Mantenimiento de disipadores

Limpieza
Pulido
Lubricado
Ajuste
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Ejercicio (resolucin - continuacin)
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un
circuito de audio y disipa una potencia media de 30W. El circuito se
encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede
alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las
especificaciones de la figura.
a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el
disipador es necesario calcular su resistencia trmica.
b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete
aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?

Dispositivo con disipador externo:

P= 30 W Si tomamos: T j = 200 C
T a = 50 C T mx mx
c = T j P R jc
C Tcmx = 200 C 30 1.5 C
R jc = 1.50
W
C = 155 C Quema!
R ja = 27.67
W
Y cuanto debe valer Rdis?
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Dispositivo con disipador externo:

P= 30 W
C
R jc = 1.50
W
T a = 50 C C
R ja = 27.67
W
Tc = 155 C

Despejando: Tc Ta = P ( Rca || Rdis )

Tc Ta 155 50 C C
Rca || Rdis = = = 3.5
P 30 W W
1 1 1 C
= Rdis = 4
Rdis C Rca W
3.5
W

Verificando: T j = Ta + P ( Rca || Rdis + R jc ) = 50 C + 30W ( 4 || 27.67 +1.5 ) C = 199.8 C


W
C
Qu ocurre si Ta = 75C? T j = Ta + P Rtotal = 75 C + 30W 5 = 225 C > 200 C!!
W
3.Modelo trmico y clculo de disipadores
Dispositivo con disipador externo:
Conviene tener un factor de seguridad en la eleccin del disipador.
En general se elige un disipador con R 30% menor a la calculada.
Si el clculo da un disipador de R = 4 C/W, conviene colocar un
disipador de R =0.7 x 4 C/W= 2.8 C/W.

A simple modo de referencia, si queremos utilizar un disipador de aluminio se


necesita una superficie de aletas aproximadamente de 156 cm2 de acuerdo a la
siguiente frmula emprica: 2
50 cm C 50
Rdis = A= cm 156cm 2
A W 4

Para obtener 2.8 C/W el disipador tendra una superficie de aletas


DOS veces mayor (318 cm2).
4.Tiristores
Para qu sirve un tiristor?

ngulo de disparo
Pulso de encenido

Cambiando el ngulo de
disparo se modifica VDC VDC

El tiristor es un dispositivo unipolar con un terminal de disparo pero sin corte.


4.Tiristores
- El tiristor es uno de los principales dispositivos de potencia.
- Es un sandwich PNPN que puede modelarse como dos transistores:

- Si IG = 0, entonces es un circuito abierto.


- Si IG = 0 y VGK > VBO, el tiristor se dispara, se produce una realimentacin
positiva (~reaccin en cadena) y se transforma en un cable (es peligroso).
- Si IG > 0 y VGK < VBO, el tiristor se dispara en forma segura.
4.Tiristores
Curva caracterstica del tiristor:

VBO (tensin de ruptura): mnima tensin de Vak que dispara al tiristor.


IL(corriente de latch): es la mnima corriente de encendido del tiristor.
IH (corriente de retencin): mnima corriente que lo mantiene encendido.
IR (corriente reversa): corriente que circula para Vk > Va.
4.Tiristores
Modos de encendido del tiristor
- Trmico: La temperatura elevada puede dispararlo por corriente de fuga.
- Luz: Si la luz incide sobre la juntura puede disparar al tiristor.
- Por tensin: Si VAK > VBO el tiristor se enciende, pero de modo destructivo.
- dv/dt: Si VAK varia rapidamente puede disparar al tiristor (no es deseable).
- IG: Con IG > 0 y una tensin VAK < VBO el tiristor se enciende.

- Luego del encendido IG debe ser cero para evitar perdidas en la juntura.
- No debe aplicarse IG con el tiristor en inversa, porque podra dispararse.
4.Tiristores
Circuitos de proteccin

di/dt: si IT crece muy rpido no se distribuye uniformemente y se crean hot-spots


- El inductor Ls ayuda a proteger al sistema

dV/dt: si VAK crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en IT

Al cargarse el capacitor
limita dV/dt

pero al descargarse
nada limita la corriente
4.Tiristores
Circuitos de proteccin

dV/dt: si VAK crece muy rpido se genera un peligroso sobrepico en IT

Limita la corriente
de descarga del
capacitor

Este circuito es muy habitual y se conoce como Snubber Circuit


4.Tiristores
Clasificacin de los tiristores:
(1,2)
1. Silicon control rectifier
(SCRs)
2. Fast Switching Thyristors (6)

(SCRs) (3)
3. Gate Turn-off Thyristors
(GTOs) (9)
4. Triode of Alternating Current
(TRIACs)
(4)
5. Reverse Conducting Thyristors
(RCTs) (7)
6. Static Induction Thyristors
(SITHs)
7. Light Activated Silicon
Controlled Rectifiers
(LASCRs)
8. FET Controlled Thyristors
(FET-CTHs)
9. MOS Controlled Thyristors
(MCTs)
4.Tiristores
3. Gate Turn-Off thyristors (GTO):
- Puede apagarse mediante una seal negativa en el gate.
- Puede no bloquear la tensin inversa (fugas).
- Tiene varias ventajas sobre un SCR:
Requiere menos componentes circuitales.
Alta velocidad de apagado.

- Tiene varias ventajas sobre los transistores:


Mayor capacidad de bloqueo de tensin inversa.
Mejor capacidad de manejo de corrientes pico.
Menor corriente de activacin (que el TBJ)
Una seal de activacin mas corta

+ +

-
+ +
4.Tiristores
4. Triode of Alternating Current (TRIACs):

5. Reverse Conducting Thyristor (RCT)

- Tiene un diodo integrado en inversa


- Se usa en inverters DC-AC y choppers DC-DC.
4.Tiristores
6. Static Inductor Thyristor (SITH):
- Se apaga mediante un voltaje negativo en el gate.
- Tiene alta velocidad de conmutacin y soporta grandes di/dt y dv/dt.

7. Light Activated Silicon Controlled Thyristor (LASCRs)

- Se usa en aplicaciones de alto voltaje y corriente (lneas de HVDC)


- Brinda completa aislacin entre el gate y la salida.
- El LASCRs no se puede apagar desde el Gate.
4.Tiristores
8. FET Controlled Thyristor (FET-CTHs)
- Consiste de un FET en paralelo con un tiristor.
- No se puede apagar desde el Gate.

9. MOS Controlled Thyristor (MCTs):

Combinan caractersticas de SCR y de MOS:

1. Baja cada de tensin nodo-ctodo.


2. Rpido encendido y apagado.
3. Bajo consumo para switcheo
4. Baja capacidad de bloqueo de Vak inverso.
5. Alta impedancia de gate.

Se usa en apliaciones de baja velocidad.


4.Tiristores
Ejercicio
Un SCR se utiliza en el circuito de la figura,
a) Dibujar las formas de onda de tensin en el SCR y en la RL para
diferentes ngulos de disparo del dispositivo. Indicar cuando la
potencia disipada en la carga es mxima.
b) La cada de tensin en el SCR cuando conduce es aproximadamente
1 Volt. Las resistencias trmicas del SCR son Rjc = 1.5 C/W y Rca =
62 C/W. Las temperaturas mximas son Ta = 50 C y Tj = 150 C.
Para el caso de mxima potencia disipada en la carga, determinar si
el SCR necesita montarse sobre un disipador.
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
Vemos la situacin para distintos ngulos de disparos:
vs vs

t t
vSCR vSCR

t t

vRL vRL

t td > 0 t
td = 0

La potencia disipada en la carga es mxima cuando el disparo se produce en


td = 0. Entonces, el SCR conduce durante un semiciclo completo de la seal,
ya que en el semiciclo negativo el SCR se apaga.
4.Tiristores
Ejercicio
Un SCR se utiliza en el circuito de la figura,
b) La cada de tensin en el SCR cuando conduce es aproximadamente
1 Volt. Las resistencias trmicas del SCR son Rjc = 1.5 C/W y Rca =
62 C/W. Las temperaturas mximas son Ta = 50 C y Tj = 150 C.
Para el caso de mxima potencia disipada en la carga, determinar si
el SCR necesita montarse sobre un disipador.

En el semiciclo en el cual no circula corriente (el SCR no conduce), el SCR


no disipa potencia. En el semiciclo en el cual circula corriente, la cada en el
SCR es de 1 Volt, aproximadamente en forma continua. Durante ese
intervalo de tiempo la corriente pico que circula es: 311V 1V
I= = 0.62 A
500
Luego, se tiene entonces que la Ief que circula por el SCR es: I ef = 1 0.62 A = 0.22 A
2 2
1V
Por otro lado, la tensin eficaz en el SCR es: Vef = = 0.5V
2
Entonces la potencia disipada del SCR durante el ciclo completo es:
PSCR = 0.5V 0.22 A = 0.11W
Se necesita disipador?
4.Tiristores
Ejercicio
El modelo equivalente trmico del SCR es el siguiente:

Sin disipador tenemos: Tj Ta 150 C 50 C


PMAX = = = 1.57W
Rja 63.5 C / W

As resulta: PMAX > Pdisipada = 0.11 W No se necesita disipador.

Verificacin: Tj = Ta + P Rja = 50 C + 0.31W 62 C / W = 69 C < TjMAX


4.Tiristores
Ejercicio
Dado el circuito de la figura, graficar la forma de onda en cada uno de los
dispositivos y en la carga RL en las siguientes condiciones:

a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.


b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
c. Los SCR no conducen en ningn momento.

SCR1
Vs D1 Seal disparo
Vef = 220V RL
f = 50Hz
Seal disparo
D2
SCR2
4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
a. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.

200

Vs [V]
SCR1 0
D1 Seal disparo -200
RL 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
Seal disparo

V RL [V]
D2 200
0
SCR2 -200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V SRC1 [V]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D1 [V]

200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D2 [V]

200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V SCR2 [V]

200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]

Y qu pasa si los SCR conducen durante ciclo de la seal Vs?


4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
b. Cada uno de los SCR conduce durante ciclo de la seal Vs.
200

Vs [V]
0
SCR1 -200
D1 Seal disparo 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
RL Tiempo [s]

V RL [V]
Seal disparo 200
D2 0
-200
SCR2
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]

V SRC1 [V] 200


0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D1 [V]

200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D2 [V]

200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V SCR2 [V]

200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]

Y qu pasa si los SCR no conducen en ningn momento?


4.Tiristores
Ejercicio (resolucin)
c. Los SCR no conducen en ningn momento.

SCR1 200

Vs [V]
D1 Seal disparo 0
-200
RL
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Seal disparo Tiempo [s]
D2

V RL [V]
SCR2 200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
V SRC1 [V] Tiempo [s]
200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D1 [V]

200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V D2 [V]

200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
V SCR2 [V]

200
0
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06
Tiempo [s]
5.Transistores de potencia
Caractersticas
Son transistores que deben soportar grandes corrientes, tensiones y potencias.

Parmetros MOS Bipolar


Impedancia de entrada Alta (1010 ) Media (104 )
Ganancia en corriente Alta (107) Media (10 a 100)
Resistencia ON (saturacin) Media / alta Baja
Resistencia OFF (corte) Alta Alta
Voltaje CE/DS mx. aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)
Mxima temperatura Alta (200C) Media (150C)
Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)
Costo Alto Medio
El IGBT ofrece entrada MOS y corriente de TBJ:
- Se activa por tensin (no por corriente).
- Tiempos de conmutacin bajos.
- Soporta mayor disipacin (como los bipolares).
5.Transistores de potencia
-Caractersticas
Nos interesa que el transistor se parezca a un elemento ideal:

Manejo de alta potencia.


Bajo tiempos ton toff.
Alta densidad de corriente.
Que apagado soporte alta tensin VCE o VDS.
Que soporte grandes di/dt y dv/dt.
TBJ NPN
Principios bsicos de funcionamiento
- En un TBJ se controla IC con IB: IC = IB

- En un MOS se controla ID con VGS: ID = k(VGS-VT)2

En ambos casos, con una potencia pequea (IB o VGS)


se controla una mucho mayor (IC o ID).
MOS - N
5.Transistores de potencia
Curvas de transferencia y avalanchas del TBJ (las del MOS son similares):

IC
IB

Funcionamiento normal Funcionamiento extremo

- Avalancha primaria: Superada la mxima VCB con emisor abierto (VCBO), o la


mxima VCE con base abierta (VCEO), la unin C-B polarizada en inversa entra
en un proceso de ruptura similar al de un diodo y conduce corriente.
- Avalancha secundaria: Puede darse una avalancha con tensiones por debajo
de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin
de la intensidad de base). Est avalancha es destructiva. Debe evitarse.
5.Transistores de potencia
Tiempo de conmutacin y disipacin
- Con el transistor en saturacin o en corte las prdidas son despreciables.
- Durante la conmutacin se produce un pico de potencia disipada:

Esto es as porque: VC
E
Potdis = VCEIC
IC
Potdis-ON = 0VIC
ON OFF
Potdis-OFF = VCE0A
IB
IC

Pdi
s
5.Transistores de potencia
Ejemplos de dispositivos daados:
5.Transistores de potencia
Zona de operacin segura (SOA Safety Operation Area):
- La zona de funcionamiento est limitada por la disipacin de energa:

- El transistor puede estar en la zona lmite de la avalancha secundaria durante


cortos intervalos de tiempo sin que se destruya.
- Para corrientes grandes se funden las conexiones metlicas
5.Transistores de potencia
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Las cargas inductivas generan las condiciones de trabajo ms desfavorables:

Para carga resistiva el transistor pasa de corte a saturacin por la recta A-C-A
Para carga inductiva el transistor pasa a saturacin recorriendo A-B-C-D-A:
- Hay una profunda incursin en avalancha secundaria, con valor VCE >> VCC
5.Transistores de potencia
Efecto asociado a cargas inductivas:
- Para cargas inductivas tambin hay un aumento en la disipacin de potencia
del transistor:
5.Transistores de potencia
Circuitos de proteccin para cargas inductivas:

Vz>Vcc

Red Snubber

- En A) y B) se limita la VCE durante el paso de saturacin a corte,


proporcionando un camino para la circulacin de corriente del inductor.
- En C) al cortarse el transistor la corriente pasa por el diodo y por Cs, el cual
tiende a cargarse a Vcc. En saturacin Cs se descarga a travs de Rs.
5.Transistores de potencia
Circuitos de encendido del transistor:
El tiempo de conmutacin puede reducirse usando una seal adecuada:
El sobrepico acelera
la conmutacin

- Para esto puede emplearse el siguiente circuito:


5.Transistores de potencia
Circuitos de encendido del transistor:
Otra opcin es el popular circuito anti-saturacin:
Enclavador Baker = Baker Clamp

- El objetivo es evitar que durante la conduccin la juntura B-C est en directa


(VB > VC) para as lograr minimizar el tiempo de apagado del transistor.
- Cuando la tensin de control aumenta, D1 conduce una corriente IB que
enciende el transistor. Entonces D2 est en inversa (no conduce).
- Si la tensin de control sigue aumentando, entonces VC disminuye hasta que.
D2 est en directa y conduce. Entonces D1 pierde corriente, el transistor
conduce menos y VC aumenta, por lo que D2 deja de conducir.
Este circuito usa una realimentacin negativa para impedir que VC sea muy
baja y as logra aumentar la velocidad de apagado del transistor.
5.Transistores de potencia
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT):
Es una mezcla entre MOSFET y TBJ:

- El IGBT presenta alta impedancia de entrada como los MOSFET, y bajas


perdidas de conduccin como el TBJ, pero sin ruptura secundaria como el TBJ.

- El IGBT es mas rpido que el TBJ, pero mas lento que el MOSFET
5.Transistores de potencia
Comparacin de distintos tipos de transistores

- Los valores no son exactos dada la gran disparidad del mercado.


- En general el producto tensin-corriente es una constante (limitacin de
potencia): hay MOSFET de muy alta tensin pero con corriente reducida.
-Lo mismo ocurre con las frecuencias de trabajo: existen bipolares de poca
potencia que trabajan a 50kHz, aunque no es lo usual.
6.Conclusiones
Prestaciones generales:
6.Conclusiones
Prestaciones generales:
6.Conclusiones
Prestaciones generales:
6.Conclusiones
Aplicaciones:
Bibliografa
- http://materias.fi.uba.ar/6625
- http://www.redeya.com
- http://www.eng.uwi.tt/depts/elec/staff/rdefour/courses/index33d.html
- Power Electronics: Converters, Applications and Design, Mohan,
Undeland y Robbins, John Wiley & Sons, 2 Ed, Nueva York, 1995.
- Eletrnica de Potncia, J. A. Pomilio, Universidade Estadual de
Campinas, SP - Brasil.
- Electrnica de Potencia, D. W. Hart, Valparaso University,
Valparaso Indiana. Prentice Hall.