CAPITULO 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA TIRISTOR

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA TIRISTOR

INTRODUCCIN:

Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores

de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos
de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que
los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores
prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.

DEFINICIN:

El tiristor es un componente electrnico constituido por

elementos semiconductores que utiliza realimentacin interna para producir una
conmutacin. Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor,
es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar
como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales porque
solamente transmiten la corriente en un nico sentido. Se emplea generalmente
para el control de potencia elctrica.
 Algunas fuentes definen como sinnimos al tiristor y al rectificador controlado
de silicio (SCR); otras definen al SCR como un tipo de tiristor, a la par que los
dispositivos DIAC y TRIAC.

Este elemento fue desarrollado por ingenieros de General Electric en

los aos 1960. Aunque un origen ms remoto de este dispositivo lo encontramos en
el SCR creado por William Shockley (premio Nobel de fsica en 1956) en 1950, el
cual fue defendido y desarrollado en los laboratorios Bell en 1956. Gordon
Hall lider el desarrollo en Morgan Stanley para su posterior comercializacin por
parte de Frank W. "Bill" Gutzwiller, de General Electric.

Inicialmente fue llamado Transistor PNPN (hoy conocido como SCR) Los
tiristores son dispositivos especialmente populares en Electrnica de Potencia. Son
sin duda los dispositivos electrnicos que permiten alcanzar potencias ms altas,
son dispositivos realmente robustos.
Tiristores de distinta potencia.

Finalmente

- Son Dispositivo de 4 capas con estados estables de conduccin y bloqueo.

- Interruptor de potencia muy alta.

- Potencias y tensin muy altas.

- Frecuencias de conmutacin no superiores a 2kHz

Los tiristores ms importantes

-SCR (Silicon Controlled Rectifier). Interruptor unidireccional

-GTO (Gate Turn-off) Interruptor unidireccional. Apagado por puerta

-TRIAC (Triode AC) Interruptor bidireccional

-DIAC. (Diode AC) Interruptor bidireccional (Control de tiristores)

-El SCR (Silicon Controled Rectifier / Rectificador controlado de silicio)

Es un dispositivo semiconductor de 4 capas que funciona como un conmutador

casi ideal.

El smbolo y estructura del SCR se muestran en la figura.

Estructura y smbolo de un SCR

Analizando los diagramas:

A = nodo, G = compuerta o Gate y C = K = ctodo

Funcionamiento bsico del SCR

El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender

su funcionamiento. Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector
de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor
Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta
la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo
mismos que IB1 en la base de Q1, y este proceso regenerativo se repite hasta
saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

El SCR ( rectificador controlado de silicio)

- Siempre es de Silicio.
- El SCR es el tiristor por excelencia
- EL SCR es el dispositivo electrnico ms robusto que existe. Puede manejar
tensiones y corrientes realmente impresionantes. Algunos ejemplos son
realmente espectaculares.

- Podemos decir que es un interruptor unidireccional que se cierra con un pulso

de corriente de puerta (disparo) y se abre cuando la corriente pasa por cero
 - EL SCR es el dispositivo electrnico ms robusto que existe. Puede manejar
tensiones y corrientes realmente impresionantes. Algunos ejemplos son
realmente espectaculares.

NOTA: El disparo por tensin directa (VB) se considera indeseable y, como norma
general, debe seleccionarse el SCR para que esto no ocurra
TIRISTOR DIAC

Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos
de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su
tensin de cebado o de disparo (30v aproximadamente, dependiendo del modelo).

Smbolo del diac Estructura interna de un diac

Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los diodos de
unin o de zener.

Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente, solo tras haberse

superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al
valor caracterstico para ese dispositivo.

El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la

corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de
30V. En este sentido, su comportamiento es similar a un nen. Los diac son una
clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los TRIAC, otra clase de
tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y
ctodo. Acta como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje
entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre
20 y 36 volts segn la referencia.

Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra

en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante
control de fase.

Un diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control

de potencia, lo que significa que servir para controlar electrnicamente el paso de
corriente elctrica.
Principio de operacin y curva caracterstica

La operacin del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN hasta

un voltaje de ruptura equivalente al del transistor bipolar. Debido a la
simetrade construccin de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas
direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que
el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de
ruptura , presentando una regin de impedancia negativa (si se sigue
aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra
que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.
Figura 1. Curva caracterstica del diac

Como se ilustra en la figura 1, en este dispositivo se tiene siempre una pendiente

negativa, por lo cual no es aplicable el concepto de corriente de sustentacin.

La conduccin ocurre en el DIAC cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con

cualquier polaridad, a travs de las dos terminales. La curva de la figura 1 ilustra
esta caracterstica. Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye en una
direccin que depende de la polaridad del voltaje en las terminales. El dispositivo
se apaga cuando la corriente cae abajo del valor de retencin

Fabricacin

La fabricacin de los diacs se basa en unir materiales cristalinos

semiconductores positivados y negativa dos, como el silicio y el
germanio, despus de un tratamiento especfico. Para que los materiales
cristalinos sean semiconductores, se les dopa (introducen su interior) con
partculas negativas o positivas, segn se requiera convertir el cristal
semiconductor en negativo o positivo.

Caractersticas generales y aplicaciones

Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente

del TRIAC, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de
ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con
intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos
controles de velocidad de motores.

La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuitorepresenta

do en la Figura 2, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta
que se alcanza la tensin de disparo del DIAC, producindose a travs de l la
descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en conduccin.
Este mecanismo se produce una vez en el semi ciclo positivo y otra en el negativo.
El momento del disparo podr ser ajustado con el valor de R variando como
consecuencia el tiempo de conduccin del TRIAC y, por tanto, el valor de la tensin
media aplicada a la carga, obtenindose un simple pero eficaz control de potencia.
EL TRIAC

El TRIAC es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el

flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos
sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por
debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de
la polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o negativa.

Caractersticas generales

La corriente puede pasar en ambas direcciones.

Adecuados para convertidores de conmutacin forzada en aplicaciones de
potencia intermedia y alta.
Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible apagarlo desde
la puerta.
Pueden apagarse con un pulso de seal negativo.

Cuando el TRIAC conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy

baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad
del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es ms positivo en MT2 (ver Figura 1), la
corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el
TRIAC se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el TRIAC deja de conducir no
puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje
externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto.

Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al TRIAC
(dv/dt) an sin conduccin previa, el TRIAC puede entrar en conduccin directa.
Figura 3. Smbolo del TRIAC y si circuito equivalente

Dispositivo capaz de soportar las potencias ms elevadas. nico dispositivo capaz

de soportar 4000 Amp y 7000 Volt.
Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la velocidad (vida
media de los portadores larga) para conseguir una cada en conduccin lo menor
posible. Su funcionamiento se centra en aplicaciones a frecuencia de red.

Curva caracterstica

Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1 el TRIAC puede encenderse
aplicando una seal positiva entre la compuerta gate y la terminal MT1. (Ve+). Si la terminal
MT2 es negativa con respecto a MT1 se enciende aplicando una seal negativa entre gate
y MT1.

Figura 4. Curva caracterstica del TRIAC

Tiristor UJT
Funcionamiento de un UJT (transistor uniunin)

El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR.

En la grfica de la figura 12.22 se describe las caractersticas
elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de
emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos
crticos: punto de pico o peak-point (Vp, Ip) y punto de valle o valley-
point (Vv, Iv), ambos verifican la condicin de dVE/dIE = 0.
Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte,
regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a
continuacin:

Regin de corte
En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin
intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor.
La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE < VP e IE < IP.

El UJT en esta regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre

las dos bases de valor RBB.
Regin de resistencia negativa
Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es
decir, VE = VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a
B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de
recombinacin. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su
resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia
negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor est
comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP < IE < IV).
Regin de saturacin
Esta es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y
tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy
baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor. En esta regin,
la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE > IV). Si no
se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrar de forma
natural a la regin de corte.
En la figura 12.22 tambin se observa una curva de tipo exponencial que
relaciona la VE y la IE cuando la B2 se encuentra al aire (IB2 = 0). Esta
curva tiene una forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y
representa el comportamiento del diodo de emisor