El documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo el JFET y el MOSFET. Los FET son dispositivos controlados por tensión con alta impedancia de entrada que se utilizan en circuitos digitales y analógicos. Tienen ventajas como alta impedancia de entrada, bajo ruido y estabilidad con la temperatura en comparación con los transistores bipolares. El documento explica la estructura, zonas de funcionamiento y parámetros de los FET.
El documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo el JFET y el MOSFET. Los FET son dispositivos controlados por tensión con alta impedancia de entrada que se utilizan en circuitos digitales y analógicos. Tienen ventajas como alta impedancia de entrada, bajo ruido y estabilidad con la temperatura en comparación con los transistores bipolares. El documento explica la estructura, zonas de funcionamiento y parámetros de los FET.
El documento describe los transistores de efecto de campo (FET), incluyendo el JFET y el MOSFET. Los FET son dispositivos controlados por tensión con alta impedancia de entrada que se utilizan en circuitos digitales y analógicos. Tienen ventajas como alta impedancia de entrada, bajo ruido y estabilidad con la temperatura en comparación con los transistores bipolares. El documento explica la estructura, zonas de funcionamiento y parámetros de los FET.
ea_brio1@hotmail.com Resumen: I. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET) El siguiente escrito pretende enfocar el tema del transistor de efecto de campo Los transistores de efecto de campo o FET, as como sus dos variaciones FET (Field Electric Transistor) son principales, el JFET y el MOSFET. Adems particularmente interesantes en veremos como se fabrican stos circuitos integrados y pueden ser de dos dispositivos y su polarizacin. tipos: transistor de efecto de campo de INTRODUCCIN: union o JFET y transistor de efecto de campo metal-oxido semiconductor Los transistores ms conocidos son los (MOSFET). llamados bipolares (NPN y PNP), Son dispositivos controlados por tension llamados as porque la conduccin tiene con una alta impedancia de entrada lugar gracias al desplazamiento de (1012). portadores de dos polaridades (huecos Ambos dispositivos se utilizan en positivos y electrones negativos), y son circuitos digitales y analogicos como de gran utilidad en gran nmero de amplificador o como conmutador. aplicaciones pero tienen ciertos Sus caracterisitcas electricas son inconvenientes, entre los que se similares aunque su tecnologia y encuentra su impedancia de entrada estructura fisica son totalmente bastante baja. diferentes. Ventajas del FET: Existen unos dispositivos que eliminan 1) Son dispositivos controlados por este inconveniente en particular y que tension con una impedancia de pertenece a la familia de dispositivos en entrada muy elevada (107 a los que existe un solo tipo de portador 1012). de cargas, y por tanto, son unipolares. Se 2) Los FET generan un nivel de ruido llama transistor de efecto campo. menor que los BJT. 3) Los FET son mas estables con la Palabras clave: temperatura que los BJT. 4) Los FET son mas faciles de fabricar Transistor que los BJT pues precisan menos MOSFET pasos y permiten integrar mas JFET dispositivos en un C1. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET (23 de mayo de 2008)
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ea_brio1@hotmail.com 5) Los FET se comportan como formado por la unin canal puerta, resistencias controlados por esta polarizado inversamente. tension para valores pequenos de tensin drenaje-fuente. En el caso de un diodo polarizado en La alta impedancia de entrada de sentido inverso, donde inicialmente los los FET les permite retener carga huecos fluyen hacia la terminal negativa el tiempo suficiente para permitir de la batera y los electrones del material su utilizacion como elementos de N, fluyen hacia el terminal positivo de la almacenamiento. misma. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y Lo anteriormente dicho se puede aplicar conmutar corrientes grandes. al transistor FET, en donde, cuando se Desventajas que limitan la utilizacion de aumenta VDS aumenta una regin con los FET: empobrecimiento de cargas libres
1) Los FET presentan una respuesta
en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. Cuando seleccionamos un transistor 3) Los FET se pueden danar debido a tendremos que conocer el tipo de la electricidad estatica. encapsulado, as como el esquema de I.I. Explicacin de la combinacin de identificacin de los terminales. portadores. Tambin tendremos que conocer una Puesto que hay una tensin positiva serie de valores mximos de tensiones, entre el drenador y el surtidor, los corrientes y potencias que no debemos electrones fluirn desde el surtidor al sobrepasar para no destruir el drenador (o viceversa segn la dispositivo. configuracin del mismo), aunque hay que notar que tambin fluye una El parmetro de la potencia disipada por corriente despreciable entre el surtidor el transistor es especialmente crtico con (o drenador) y la puerta, ya que el diodo la temperatura, de modo que esta TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET (23 de mayo de 2008)
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ea_brio1@hotmail.com potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora.
Todos estos valores crticos los
proporcionan los fabricantes en las hojas Figura 3: Smbolos grficos para un FET de de caractersticas de los distintos canal N dispositivos.
I.II. Explicacin de sus elementos o
terminales.
Un transistor de efecto campo (FET)
tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada Figura 4: Smbolos grficos para un FET de en parte de su longitud por un collar del canal P otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. I.III. Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):
En los extremos del canal se hacen ZONA HMICA o LINEAL: En esta
sendas conexiones hmicas llamadas zona el transistor se comporta respectivamente sumidero (d-drain) y como una resistencia variable fuente (s-source), ms una conexin dependiente del valor de VGS. Un llamada puerta (g-gate) en el collar. parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor Figura 2: croquis de un FET con canal N amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET (23 de mayo de 2008)
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ea_brio1@hotmail.com ZONA DE CORTE: La intensidad de transistor, al aumentar VDS, drenador es nula (ID=0). cuando la polarizacin de la puerta es VSG= 0 vol
PARAMETROS DEL FET
La corriente de sumidero Id es funcin
tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs. Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo que podemos escribir: Ig = 0 e Id = (Vds, Vgs) A diferencia del transistor BJT, los En la zona de estriccin (saturacin) en terminales drenador y surtidor del FET que las caractersticas son casi rectas (en pueden intercambiar sus papeles sin que el grfico, son horizontales, pero en se altere apreciablemente la realidad tienen una pendiente positiva) caracterstica V-I (se trata de un podemos escribir la respuesta del dispositivo simtrico). transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma I.IV. Ecuacin de Shockley:
ID=IDSS(1- VGS/Vp)2
El parmetro rd se llama resistencia
Donde: diferencial del sumidero del FET, y es la Vp es la tensin de puerta que inversa de la pendiente de la curva. Que produce el corte en el transistor como en el grfico, dicha pendiente es FET. cero (en la realidad, como he dicho antes IDSS es la corriente mxima de existe algo de pendiente), entonces la rd drenador que circula por el es infinita (muy grande). TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET (23 de mayo de 2008)
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ea_brio1@hotmail.com El parmetro gm se le denomina exista un flujo de corriente a traves de conductancia mutua o canal. Ademas, la puerta debe tener una transconductancia, y es igual a la tension mas negativa que la fuente para separacin vertical entre las que la union p-n se encuentre polarizado caractersticas que corresponden a inversamente. Ambas polarizaciones se diferencias de valor de Vgs de 1 voltio. indican en la figura 7.
II. Caractersticas del JFET:
El JFET de canal n esta constituido por
una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 6.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 6.b el simbolo de este dispositivo y en la 6.c el simbolo de un JFET de canal P.
Figura 7: Caracteristicas de un NJFET.
Las curvas de caracteristicas electricas
Figura 6: a) JFET de canal n. b) Simbolo de un de un JFET son muy similares a las curvas JFET de canal n. c) Simbolo de un JFET de canal p. de los transistores bipolares. Sin La polarizacion de un JFET exige que las embargo, los JFET son dispositivos uniones p-n esten inversamente controlados por tension a diferencia de polarizadas. En un JFET de canal n, o los bipolares que son dispositivos NJFET, la tension de drenador debe ser controlados por corriente. Por ello, en el mayor que la de la fuente para que JFET intervienen como parametros: ID TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET (23 de mayo de 2008)
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ea_brio1@hotmail.com (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tension gate o puerta a source o fuente) y VDS (tension drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones basicas de operacion: corte, lineal, saturacion y ruptura. A Regin de saturacin: continuacion se realiza una descripcion En esta region, de similares breve de cada una de estas regiones caracteristicas que un BJT enla region para el caso de un NJFET. lineal, el JFET tiene unas caractersticas Regin de corte: lineales que son utilizadas en En esta region la intensidad entre amplificacion. Se comporta como una drenador y fuente es nula (ID=0). En este fuente de intensidad controlado por la caso, la tension entre puerta y tensin VGS cuya ID es practicamente fuente es suficientemente negativa que independiente de la tension VDS. La las zonas de inversion bloquean y ecuacion que relaciona la ID con la VGS estrangulan el canal cortando la se conoce como ecuacion cuadratica o corriente ecuacion de Schockley que viene dada entre drenador y fuente. En las hojas por tecnicas se denomina a esta tension como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS(off) o Vp. Por ejemplo, el BF245A tiene una VGS(off)=-2V. Regin lineal: En esta region, el JFET se comporta donde Vp es la tension de como una resistencia no lineal que es estrangulamiento y la IDSS es la utilizada en muchas aplicaciones donde corriente de saturacion. Esta corriente se se precise una resistencia variable define como el el valor de ID cuando controlada por tension. El fabricante VGS=0, y esta caracteristica es utilizada proporciona curvas de resistencia con frecuencia para obtener una fuente drenador-fuente (rds(on)) para de corriente de valor constante (IDSS). diferentes valores de VGS. En esta regin Esta relacion junto a las caracteristicas el transistor JFET verifica las siguientes del JFET permiten obtener graficamente relaciones: el punto de trabajo Q del transistor en la TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET (23 de mayo de 2008)
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ea_brio1@hotmail.com region de saturacion. La figura 8.muestra la representacion grafica de este punto Q y la relacion existente en ambas curvas las cuales permiten determinar el punto de polarizacion de un transistor utilizando metodos graficos.
III. Caracteristicas del MOSFET:
MOSFET son las siglas de Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Figura 8: Curvas caracteristicas de un JFET. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica. La Regin de ruptura. practica totalidad de los circuitos Una tension alta en los terminales del integrados de uso comercial estn JFET puede producir ruptura por basados en transistores MOSFET. avalancha a traves de la union de puerta. Las especificaciones de los fabricantes Funcionamiento indican la tension de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta Un transistor MOSFET consiste en un cortocircuitada con la fuente; esta sustrato de material semiconductor tension se designa por BVDSS y su valor dopado en el que, mediante tcnicas de esta comprendido entra 20 y 50 V. Las difusin de dopantes, se crean dos islas tensiones de polarizacion nunca deben de tipo opuesto separadas por un rea superar estos valores para evitar que el sobre la cual se hace crecer una capa de dispositivo se deteriore. Por ultimo, dielctrico culminada por una capa de comentar las diferencias existentes entre conductor. Los transistores MOSFET se un NJFET y PJFET. Las ecuaciones dividen en dos tipos fundamentales desarrolladas dependiendo de cmo se haya realizado anteriormente para el JFET son validas el dopaje: para el PJFET considerando el convenio de signos indicados en la tabla dada a Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y continuacin. difusiones de tipo n. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET (23 de mayo de 2008)
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ea_brio1@hotmail.com Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y y drenador dar lugar a una corriente. El difusiones de tipo p. transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de Las reas de difusin se denominan puerta. fuente y drenador, y el conductor entre ellos es la puerta. Saturacin:
El transistor MOSFET tiene tres estados Cuando la tensin entre drenador y
de funcionamiento: fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo la puerta sufre un Estado de corte: estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente Cuando la tensin de la puerta es entre fuente y drenador no se idntica a la del sustrato, el MOSFET est interrumpe, ya que es debida al campo en estado de no conduccin: ninguna elctrico entre ambos, pero se hace corriente fluye entre fuente y drenador independiente de la diferencia de aunque se aplique una diferencia de potencial entre ambos terminales. potencial entre ambos. Tambien se llama mosfet a los aislados por juntura de dos IV. Polarizacin de los FET: componentes. Los circuitos basicos que se utilizan para Conduccin lineal: polarizar los BJT se pueden emplear para los MOSFET. EL JFET tiene el Al polarizarse la puerta con una tensin inconveniente de que la tension VGS negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se debe ser negativa en un NJFET (positiva crea una regin de deplexin en la en un PJFET) que exige unos circuitos de regin que separa la fuente y el polarizacion caracteristicos para este drenador. Si esta tensin crece lo tipo de dispositivos. En este apartado suficiente, aparecern portadores unicamente se presentan dos de los minoritarios (electrones en nMOS, circuitos mas utilizados: polarizacion huecos en pMOS) en la regin de simple (figura 1.17), se utiliza una fuente deplexin que darn lugar a un canal de de tensin externa para generar una conduccin. El transistor pasa entonces VGS<0, y autopolarizacion (figura 1.18), a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET (23 de mayo de 2008)
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ea_brio1@hotmail.com la caida de tension en la resistencia RS Figura 10: Autopolarizacion de un NJFET. a) debida a ID permite generar una VGS<0. Diagrama circuital. b) Ecuaciones analiticas. c) Representacion grafica del punto de trabajo.
Figura 9: Circuito de polarizacion simple de un
NJFET. a) Diagrama circuital. b) Ecuaciones analiticas. c) Representacion grafica del punto de trabajo.