Instituto Tecnolgico de Morelia

Jos Mara Morelos y Pavn

Departamento de ingeniera elctrica

MATERIA:
Electrnica Industrial
MAESTRO
DR Gerardo Ayala
ING. Elctrica

TEMA: Implementacin de circuitos de disparo

Jose Armando Pacheco Melgarejo

Ricardo Quintero Mora

Morelia Mich, Vieres 08 de septiembre del 2017

Objetivo
Aplicar los dos circuitos de disparo resistivo y resistivo capacitivo para un dispositivo
SCR. As como ver su funcionamiento, y como es la variacin de disparo en el
circuito mediante un osciloscopio.

Objetivo especifico
Aplicar los dos circuitos de disparo resistivo y resistivo capacitivo para un dispositivo
SCR. As como ver su funcionamiento, y como es la variacin de disparo en el
circuito mediante un osciloscopio.

Introduccin
Los rectificadores de media onda controlado a diferencia de los rectificadores no
controlados una vez que se establecen los parmetros del generador y de la carga
el nivel de corriente continua de salida y la potencia transferida a la carga son
magnitudes fijas.
Una forma de controlar la salida de un rectificador de media onda es utilizar un SCR
en lugar de un diodo. se presenta un rectificador de media onda controlado bsico
con una carga resistiva. Se debe de cumplir dos condiciones antes de que el SCCR
entre a conducir.
El SCR debe estar polarizado en directa
Se debe aplicar una corriente a la puerta del SCR
A diferencia del diodo, el SCR no entrara en conduccin en cuanto la seal del
generador sea positiva. La conduccin no se inicia hasta que se aplica una corriente
de puerta, lo cual es la base para utilizar el SCR como medio de control. Una vez
que el SCR conduce, la corriente de puerta se puede retirar y el SCR continua en
conduccin hasta que la corriente se hace igual a cero.

Generalidades
En la actualidad los dispositivos de electrnica de potencia son una parte esencial
dentro de los sistemas elctricos y a pesar de que ya hace varias dcadas se
empezaron a implementar, en la actualidad siguen mejorndose para que puedan
ser ms eficientes y puedan trabajar cada vez ms bajo condiciones ms altas a las
que ya operan en la actualidad.
Los dispositivos semiconductores utilizados en Electrnica de Potencia se pueden
clasificar en tres grandes grupos, de acuerdo con su grado de control:
1. Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos. Los estados
de conduccin o cierre (ON) y bloqueo o abertura (OFF) dependen del circuito de
potencia. Por tanto, estos dispositivos no disponen de ningn terminal de control
externo.
2. Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran, dentro de la familia
de los Tiristores, los SCR (Silicon Controlled Rectifier) y los TRIAC (Triode of
Alternating Current). En ste caso su puesta en conduccin (paso de OFF a ON)
se debe a una seal de control externa que se aplica en uno de los terminales del
dispositivo, comnmente denominado puerta. Por otro lado, su bloqueo (paso de
ON a OFF) lo determina el propio circuito de potencia. Es decir, se tiene control
externo de la puesta en conduccin, pero no as del bloqueo del dispositivo.
3. Dispositivos totalmente controlados: en este grupo encontramos los transistores
bipolares BJT (Bipolar Junction Transistor), los transistores de efecto de campo
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), los transistores
bipolares de puerta aislada IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) y los tiristores
GTO (Gate Turn-Off Thyristor), entre otros. En los siguientes apartados se detallan
las caractersticas ms importantes de cada uno de estos dispositivos.
El trmino tiristor designa genricamente a una serie de dispositivos con cuatro
capas semiconductores, que tienen dos estados estables de funcionamiento:
Conduccin y bloqueo. El ms comn es el rectificador controlado de silicio, SCR.
El dispositivo SCR consta de tres terminales: nodo, Ctodo y compuerta; el cual
se comporta como un interruptor controlado por una corriente de compuerta y la
conmutacin natural de la corriente se reduce. Al igual que un diodo, el SCR es un
dispositivo unidireccional. Cuando la tensin nodo-ctodo supera un cierto umbral,
el dispositivo conduce. Este umbral se reduce si se aplica un impulso breve de
corriente positiva (entrante) a la compuerta, y se reduce tanto ms cuando sea
mayor dicho impulso; pero una corriente de puerta negativa no bloquea la
conduccin, sino que esta se interrumpe cuando la corriente nodo-ctodo se
reduce por debajo del valor de enclavamiento .

Figura 1. Representacin grfica del SCR

El paso del estado de bloqueo al de conduccin se denomina disparo y puede
explicarse como resultado de la realimentacin positiva entre el transistor npn y pnp
internos. El disparo es muy rpido, pero viene limitado por la velocidad de cambio
(/) permitida para la corriente de nodo, que hay que acotar para que no se
concentre excesivamente en algunos puntos.
Para disparar el SCR es necesario que el impulso de corriente aplicado a la
compuerta tenga una cierta intensidad mnima, que depende de la temperatura del
dispositivo. La corriente de puerta mxima viene limitada por la mxima potencia
que puede disipar la puerta. Los circuitos de excitacin de un SCR suministran el
pulso de corriente requerida para poder disparar el dispositivo durante el tiempo
necesario de encendido. En aplicaciones de CA estos circuitos tienen la capacidad
de sincronizarse con la lnea para suministrar el disparo a un determinado ngulo
de fase. Los SCR son dispositivos que pueden soportar voltajes superiores a los 10
kV y 5 kA, operando a frecuencias de lnea (60 Hz). Su campo de aplicacin es el
de rectificadores controlados, sistemas elctricos de potencia, sistemas HVDC.
Una forma de utilizar el SCR es como rectificador controlado. Si a cada periodo se
dispara el tiristor en un instante correspondiente a un ngulo (0 360), la
tensin en bornes de la carga, supuesta resistiva tendr la forma de onda que se
presenta en la imagen (b).

Figura 2 rectificador controlado de media onda

Tienen la capacidad de sincronizarse con la lnea para suministrar el disparo a un

determinado ngulo de fase.

Desarrollo
Diodos rectificadores de potencia Diodos rectificadores o diodos de propsito
general:
Se fabrican para niveles de voltaje y corriente de 6000V y 4500A, sus tiempos de
recuperacin en inversa son relativamente bajos, por lo que son utilizados en
aplicaciones de baja frecuencia. Diodos ultra rpidos:
Los diodos de alta velocidad se conocen como diodos de conmutacin rpida y se
fabrican para niveles de voltaje y corriente inferiores a los diodos de propsito
general, sus tiempos de recuperacin en inversa son relativamente bajos, alrededor
de microsegundos. Se utilizan en aplicaciones de baja potencia y frecuencia ms
elevada que el caso de los diodos de propsito general
Algunos diodos ultra rpidos:
BYV29-600
Se pueden observar para este diodo parmetros como el tiempo de recuperacin
inversa, la corriente en directa, el voltaje en directa es decir el voltaje en la
conduccin, tiene una cada de 1.11 V y un voltaje de pico repetitivo de 600 V.

Figura 1.1 Data sheet SCR BYV29-600

Control Resistivo.
El control de disparo se logra con una resistencia variable y una fija. El ngulo de
disparo est determinado por la resistencia variable, si la resistencia variable es
baja, la corriente de compuerta ser suficiente para disparar el SCR cuando el
voltaje de la fuente sea baja. Por lo tanto el ngulo de disparo ser pequeo y la
corriente de la carga grande.
Control Resistivo Capacitivo.
Con el objetivo de alcanzar un ngulo de disparo de hasta 180, se utiliza un arreglo
pasivo RC, en donde el voltaje requerido para disparo de compuerta se obtiene del
capacitor, el cual es cargado a travs de la constante de tiempo de CA, , la cul
es diferente del que opera CD.
Durante el semi-ciclo positivo el voltaje en el capacitor es positivo y en aumento, y
al alcanza el valor de disparo de compuerta del SCR; durante el semi-ciclo negativo
el SCR se encuentra en polarizacin inversa y el voltaje en el capacitor se hace
negativo y en aumento. Al comienzo del siguiente semi-ciclo positivo el capacitor
an tendr carga negativa por lo que requiere un tiempo adicional para hacerse lo
suficientemente positivo para disparar de nueva cuenta la compuerta. Dependiendo
de los valores de R y C, este tiempo se puede retardar hasta los 180.

Circuitos utilizados

Figura 3 Circuito resistivo

 Figura 4 circuito resistivo capacitivo

Figura 5 Circuito RC y puente de diodos

Resultados obtenidos en computadora

Circuito resistivo
 Figura 6 Circuito SCR resistivo

En el programa de Multisim pudimos simular el disparo de del diodo SCR (2N604) se podr
apreciar en la imagen del osciloscopio (Fig 6).

Figura 7 Formas de onda del circuito resistivo

Se puede apreciar en el canal (1) del osciloscopio la onda seno (vs) ya que no est
afectada, en el canal (2) se puede apreciar el disparo del SCR (vg)junto con (vT) y se
aprecia la compensacin en el canal (3) de la onda (vo). En el canal dos se aprecia la onda
de disparo no con gran calidad y resolucin pero se puede identificar.
Circuito capasitivo

Figura 8 Circuito SCR capasitivo

Se ven sencillos los circuitos son un poco tediosos ya que no son muy presisas las formas
de onda se asemejan a las que nos dieron en clases.

Figura 9 Formas de onda

En el cana (1) se encuentra (vo) como la onda de entrada, mientras que en el canal
(2) se muestra (vT) cuando se dispara el SCR en el canal (3) se ve la media de onda
rectificada de (vo).
 Figura 10 Circuito arreglo de diodos

La simulacin con el arreglo de diodos entre cambio de valores arbitrarios para

poder controlar nuestra forma de onda que nos dio un aproximado donde tarda el
capacitor en descargarse despus de medio ciclo

Figura 11simulacin

En el canal (1) se observa la onda (vdc) rectificada de onda completa con el arreglo
de diodos, en el canal (2) se observa el disparo del SCR controlado (vT) y por ltimo
en el canal (3) se observa (vo) la descarga prolongada del capacitor como se
descarga.
Conclusiones individuales
Jos Armando Pacheco Melgarejo
La elaboracin de este trabajo consto de elaborar 3 circuitos y realizarles diferentes
pruebas utilizando un SCR y diodos de potencia as como componentes pasivos
que son las resistencias para calcular el Angulo de disparo de un SCR tenemos que
checar el en data sheets de la hoja de datos del SCR que se va utilizar en este caso
usamos el 2N6504 que es un equivalente a los SCRs que hay en el laboratorio de
ingeniera elctrica, para poder saber su valores de voltaje de disparo y as poder
calcular las resistencias y capacitor adecuados para los circuitos.
Tambin aprendiendo a tener interaccin con un nuevo programa de simulacin que
no saba que exista y que est muy completa y nos vamos familiarizando a no solo
trabajar con un solo simulador sino con varios.
Ricardo Quintero Mora
El propsito de la evocacin de estos tres circuitos es observar los disparos y
comportamientos de los SCR y controlar su ondas. Un SCR posee tres conexiones:
nodo, ctodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente
entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador
controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se
aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el
instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir.
El pulso de disparo ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo. Segn
se atrase o adelante ste, se controla la corriente que pasa a la carga. Una vez
arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo
hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de
mantenimiento.
Referencias bibliogrficas
https://www.dynapower.com/products/scr-smps-thyristor-chopper-rectifiers-of-all-
sizes/switchmode-power-supplies/?keyword=scr&gclid=CJ_qr5u1ltYCFR25wAodxcELWQ