CRISTIAN HERNANDO GONZALEZ RUNZA

HEINNY ESTEFANIA LEN MERCHAN

LIDA MARCELA MESA RUIZ
HEIDI MARIA STEFANY TERN PRADILLA

PRCTICA N 4: CARACTERIZACIN DE LOS ELEMENTOS DE UN CIRCUITO

1. RESUMEN:
Se realizaron tres experimentos para el reconocimiento y caracterizacin de los
elementos de un circuito. Se comenz midiendo las corrientes en la escala de 3v,
15v y 450v, las resistencias de 10K y de 670 variando el voltaje desde 1v hasta
19v tomando 10 datos. En seguida, se tom el voltaje del bombillo y la corriente
del mismo variando el voltaje de la fuente desde 1v hasta 12v, en la escala de 3v.
Por ltimo, usando el voltmetro en la escala de 3v, se hicieron variaciones desde
0.1v hasta 0.7v a intervalos de 0.1 y luego desde -0.8v hasta -0.1v, es decir, con la
polarizacin invertida, se tomaron los valores de las corrientes. Con los valores
obtenidos se calcularon las resistencias internas del voltmetro, el filamento y el
diodo, y se realizaron las grficas de I vs. V para cada una de las resistencias en
las escalas de 3v, 15v y 450v, el bombillo y el diodo.
2. FUNDAMENTOS TERICOS
Resistencias, diodos, transistores, etc., son elementos frecuentemente presentes
en circuitos elctricos. El papel que desempea cada uno depende de su
respuesta cuando a travs de ellos se establece una diferencia de potencial. Por
ejemplo, la respuesta de una resistencia hmica es el paso de una corriente
elctrica que resulta ser directamente proporcional a la diferencia de potencial
entre sus extremos (Ley de Ohm); adems, cuando las cargas se mueven a travs
de una resistencia pierden energa por choques sucesivos con las imperfecciones
de la red del material, lo cual se manifiesta en un aumento de la temperatura de la
resistencia. Estos hechos dan lugar a que las resistencias se utilicen en los
circuitos como elementos limitadores de corriente y disipadores de energa.
Cuando se quiere conocer el desempeo de un elemento en un circuito, se
elabora, a partir de datos experimentales, un grfico de corriente I en funcin de la
diferencia de potencial V; el anlisis de esta grfica permite determinar el uso y las
posibles aplicaciones del elemento. A este procedimiento se le llama
caracterizacin del elemento. En cada caso la curva caracterstica se explica
segn el modelo terico aplicable. En las resistencias hmicas, es el modelo
clsico de conduccin: los electrones se mueven bajo la accin de un campo
elctrico externo E, originando una densidad de corriente J, que obedece la
relacin
= E

Donde es la conductividad propia del material. La relacin anterior indica que
para un material dado, la relacin J/E es una constante (Ley de Ohm).

Figura 1.
A nivel macroscpico, cuando se establece una diferencia de potencial V entre los
extremos a y b de un segmento recto de conductor hmico de seccin transversal
A -Figura 1-, se origina una corriente elctrica I relacionada con la densidad de
corriente J mediante la expresin:
=
Pero:
=
Entonces:

= =

Sea 1/ = resistividad del material. Entonces:
=
Donde R es la resistencia del segmento conductor, y es igual a L/A. La relacin
igual a V = IR es la expresin macroscpica de la ley de Ohm y establece que un
material hmico el cociente V/ I es una constante.
En el caso de los diodos semiconductores, el anterior modelo no es aplicable. Sin
embargo es un elemento fcil de caracterizar y a partir de la curva correspondiente
se pueden deducir sus aplicaciones.
La caracterizacin de un elemento implica armar un circuito usando fuentes de
voltaje, medidores de corriente (ampermetros), medidores de voltaje (voltmetros)
y por supuesto el elemento mismo.
En el laboratorio usar fuentes de voltaje que transforman la seal de la red (seal
alterna) en voltaje continuo, es decir, diferencias de potencial constantes en el
tiempo. Una fuente de voltaje est constituida por una fuerza electromotriz f.e.m. y
una resistencia interna en serie, ri. Una fuente de voltaje buena tiene una
resistencia interna muy pequea.
Los voltmetros y ampermetros tradicionales se construyen a partir de un
elemento bsico llamado galvanmetro de dArsonval. El galvanmetro tiene una
bobina mvil colocada en un campo magntico permanente (por ejemplo el
producido por un imn) que sufre una torsin cuando se hace pasar una corriente
elctrica a travs de ella. Esta torsin se observa en el aparato de medida como la
deflexin de una aguja sobre una escala previamente calibrada. La deflexin de la
aguja es directamente proporcional a la corriente que pasa por la bobina. El
alambre del cual est hecha la bobina tiene una resistencia propia que constituye
la resistencia interna del galvanmetro RG Figura 2.
El ampermetro se construye a partir del galvanmetro, agregando una resistencia
pequea conectada en paralelo con la resistencia interna del galvanmetro RG.
Esta combinacin se denomina resistencia interna del ampermetro RA.
El voltmetro se construye a partir de un galvanmetro, agregando una resistencia
conectada en serie con la resistencia interna del galvanmetro. Esta combinacin
se denomina resistencia interna del voltmetro RV. Figura 3.

Figura 2.
La resistencia interna de un buen ampermetro debe ser muy pequea. La
resistencia interna de un buen voltmetro debe ser muy grande. En los medidores
construidos a partir de un galvanmetro dado, el valor de la resistencia interna
determina los rangos de la corriente y voltaje que pueden medirse.

Figura 3.
La forma correcta de conectar los medidores en un circuito est relacionada con el
propsito para el cual est diseado el aparato. As pues, los ampermetros deben
conectarse en serie para que efectivamente su lectura corresponda a la de la
corriente que est pasando por la parte del circuito que se quiere medir. Observe
en el circuito de la izquierda de la Figura 4, que la corriente I que pasa por la
resistencia R es la misma que pasa por el ampermetro.

Figura 4.
Tambin puede darse cuenta que mientras ms pequea sea RA (resistencia
interna del ampermetro) comparada con R la lectura del ampermetro se aproxima
ms al valor de /R (para ri R). En el circuito de la derecha se ve que el
voltmetro, como aparato diseado para medir diferencias de potencial, debe
conectarse en paralelo con el elemento a medir. La cada de potencial a travs de
la resistencia interna del voltmetro RV es la misma que a travs de la resistencia
R. Obsrvese que si RV es comparable con R, una fraccin importante de la
corriente I pasar por el voltmetro. Para disminuir en lo posible esta corriente, un
buen voltmetro debe tener una resistencia interna muy grande.
PRECAUCIONES
No conecte el ampermetro directamente a la fuente.
No conecte el ampermetro en paralelo con el elemento a caracterizar.
En ambos casos circular una corriente muy grande por el ampermetro y
con seguridad el galvanmetro se destruir.

2.1. Voltaje o tensin elctrica

Es la cantidad de energa que un generador es capaz de proporcionar a cada
electrn. Su unidad es el voltio (V).
2.2. Intensidad de corriente elctrica
Es la carga o el nmero de electrones que atraviesan la seccin de un conductor
cada segundo.
Su unidad es el amperio (A), que es la circulacin por un cable de una carga de un
Culombio en un segundo.
2.3. Resistencia
La resistencia se opone al paso de la corriente elctrica, sus valores varan
dependiendo el tipo de material.
Su unidad es el ohmio, 1 ohmio (1) es el valor que posee una resistencia
elctrica cuando al conectarse a un circuito elctrico de un voltio (1V) de tensin
provoca un flujo o intensidad de corriente de un amperio (1A). [2]
 2.4. Enunciado de la ley de ohm
El flujo de corriente (intensidad) que circula por un circuito elctrico cerrado, es
directamente proporcional a la tensin o voltaje aplicado, e inversamente
proporcional a la resistencia de la carga que tiene conectada [3]

=

Donde R= resistencia en (ohmios), V=voltaje en V (voltios), I=intensidad en A
(amperios)[1]
Se dan tres casos:
- Con un valor de resistencia fijo: La corriente sigue al voltaje. Un incremento del
voltaje, significa un incremento en la corriente y un incremento en la corriente
significa un incremento en el voltaje.
- Con el voltaje fijo: Un incremento en la corriente, causa una disminucin en la
resistencia y un incremento en la resistencia causa una disminucin en la
corriente.
- Con la corriente fija: El voltaje sigue la resistencia, un incremento en la
resistencia, causa un incremento en el voltaje y un incremento en el voltaje causa
un incremento en la resistencia.[4]
2.5. Diodo
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente
entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.
En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-
intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente
es de A a K.

Figura 1: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo ideal.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia
nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el
sentido opuesto. La punta de la flecha del smbolo circuital, representada en la
figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.
 presenta resistencia nula.

presenta resistencia infinita.

2.6. Diodo de unin pn
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales
semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo
P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el
resto del circuito. En la Figura 3: se presenta el esquema de los dos tipos de
diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.

Figura 3: Esquemas de diodos de unin PN

El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas
desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal.
En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formacin de los
diodos de semiconductores para pasar despus a exponer el comportamiento
elctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal.
2.7. Formacin de la unin PN
Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos
zonas con una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con
impurezas de tipo P y la otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de
huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina (por
ejemplo, boro). La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de
tomos del grupo V (fsforo). En ambos casos se tienen tambin portadores de
signo contrario, aunque en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior
(portadores minoritarios).
Figura 4: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos PN
En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por
cada hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni
campos elctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente
concentracin de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se
recordar, este fenmeno tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde
hay menos. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las
dos zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
Electrones de la zona N pasan a la zona P.
Huecos de la zona P pasan a la zona N.
Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la
regin de la zona P cercana a la unin:
1. El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una
carga negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era
nula.
2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga
positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa.
El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la
zona N. En consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de
carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

Figura 5: Formacin de la unin PN

En el ejemplo del captulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las
dos estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia
de lo que ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso estn difundiendo
partculas cargadas. La distribucin de cargas formada en la regin de la unin
provoca un campo elctrico desde la zona N a la zona P. Este campo elctrico se
opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme
pasan ms cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del
campo elctrico se equilibran y cesa el trasiego de portadores. En ese momento
est ya formado el diodo de unin PN, y como resultado del proceso se ha
obtenido:
Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.

Zona N, semiconductora, con una resistencia .

Zona de agotamiento (depleccin): No es conductora, puesto que no
posee portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien
entre los extremos acta una barrera de potencial.
Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantneamente en el
momento en el que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningn
aporte de energa, excepto el de la agitacin trmica.
2.8. Polarizacin directa
El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el
establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona
de depleccin no es conductora.

Figura 6: Diodo PN durante la aplicacin de una tensin inferior a la de barrera

Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo
elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento
de la zona de depleccin (Figura 7). Sin embargo, mientras sta exista no ser
posible la conduccin.

Figura 7: Diodo PN bajo la accin de una tensin mayor que la de barrera

Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de depleccin y
el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente
(Figura 7):
1. Electrones y huecos se dirigen a la unin.
2. En la unin se recombinan.
En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensin positiva a la zona
P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de
cargas mviles la zona de depleccin.
La tensin aplicada se emplea en:
Vencer la barrera de potencial.
Mover los portadores de carga.
2.9. Polarizacin inversa
Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensin positiva a la zona N
y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin.
Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la
zona de depleccin. Esto hace que la corriente debido a los portadores
mayoritarios sea nula (Figura 8).
Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en
inversa lo est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El
movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy
inferior que la obtenida en polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.

Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa

Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de
la zona de depleccin, al igual que sucede en un material aislante: el campo
elctrico puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces
covalentes entre los tomos de silicio, originando un proceso de rotura por
avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no conlleva necesariamente la destruccin
del diodo, mientras la potencia consumida por el diodo se mantenga en niveles
admisibles).
2.10. Caracterstica tensin-corriente
La Figura 9 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.
Figura 9: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN.
En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de
funcionamiento explicadas en el apartado anterior:
Regin de conduccin en polarizacin directa (PD).
o Regin de corte en polarizacin inversa (PI).
o Regin de conduccin en polarizacin inversa.
Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se
alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es
instantneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la
corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada slo por las
resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unin
aumenta rpidamente. En el caso de los diodos de silicio, V ON se sita en torno a
0,7 V.
Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho
menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa,
hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta.
2.11. Diferencias entre el diodo de unin PN y el diodo ideal
Las principales diferencias entre el comportamiento real e ideal son:
1. La resistencia del diodo en polarizacin directa no es nula.
2. La tensin para la que comienza la conduccin es VON.
3. En polarizacin inversa aparece una pequea corriente.
4. A partir de una tensin en inversa el dispositivo entra en coduccin por
avalancha.
En la Figura 10 vemos representadas ms claramente estas diferencias entre los
comportamientos del diodo de unin PN e ideal.
Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unin PN y del diodo
ideal
2.12. Principales caractersticas comerciales
A la hora de elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe cuidar que
presente unas caractersticas apropiadas para dicha aplicacin. Para ello, se debe
examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee.
Las caractersticas comerciales ms importantes de los diodos que aparecen en
cualquier hoja de especificaciones son:
1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la
corriente continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que
este sufra ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un
calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir
tres lmites:
o Corriente mxima continua (IFM)
o Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que
se especifica tambin el tiempo que dura el pico
o Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la
que se especifica la frecuencia mxima del pico
1. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage,
BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el
fenmeno de ruptura por avalancha.
2. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse
Voltage): Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar
para una operacin en inversa segura.
3. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se
exprese para diferentes valores de la tensin inversa
4. Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se ha
sealado anteriormente los 0.7V como valor tpico, en muchas
ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta cada de
tensin, mediante la grfica I-V del dispositivo.
Adems, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca
del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la
nominal. [5][6]

3. PROCEDIMIENTO
Para la realizacin de la prctica, usted recibir una tableta como la que se
muestra en la Figura 5
Tambin encontrar en su mesa de laboratorio una fuente de voltaje, un voltmetro
(V), un ampermetro (A) y cables para la conexin.

Figura 5.
3.1 Medicin de voltajes

Figura 6.
Monte el circuito mostrado en la Figura 6. Antes de prender la fuente,
cercirese que el voltaje sea el mnimo, girando el botn de ajuste de
voltaje en sentido contrario a las manecillas del reloj.
Conecte el voltmetro en la escala de 15 V. Incremente el voltaje de la fuente
girando el botn de ajuste en el sentido de las manecillas del reloj. Lea al menos 5
valores diferentes cualesquiera y antelos correctamente, teniendo en cuenta la
incertidumbre en la lectura (por ejemplo V=9 V? Voltios).
Conecte ahora el voltmetro en la escala de 30 V. Vare el voltaje y anote 5 valores
cualesquiera, teniendo en cuenta la incertidumbre de la lectura.
Antes de desconectar el circuito poner el control de voltaje en el mnimo y
apagar la fuente.
3.2. Medicin de corrientes
 Figura 7.
Montar el circuito indicado en la Figura 7 utilizando el ampermetro en la escala de
50 mA con una resistencia de 690 .
Aumente el voltaje de fuente. Esto incrementar la corriente que pasa por el
circuito. Mida 5 valores diferentes cualesquiera de corriente y antelos con su
incertidumbre.
Repita lo anterior conectando el ampermetro a la escala de 500 mA.
Antes de desconectar el circuito poner el control de voltaje en el mnimo y
apagar la fuente.
3.3 Caracterizacin de una resistencia hmica
Arme el circuito tomado como elemento a caracterizar la resistencia de 10
k. Utilice el ampermetro en la escala de 5 mA (mueva a la derecha el
interruptor que est en la parte superior del ampermetro) y el voltmetro en
la escala de 15 V.

Figura 8.
Encienda la fuente y proporcione al circuito un voltaje de alimentacin.
Anote los valores de corriente I y V que reportan el ampermetro y el
voltmetro respectivamente.
Desconecte el voltmetro y anote la corriente que se lee en el ampermetro.
 Repita los pasos 2. y 3. incrementando el voltaje de alimentacin. Tome por
lo menos diez datos. Utilice la misma escala del voltmetro para todas sus
medidas.
Elabore una tabla de datos como se indica a continuacin:

Repita el procedimiento anterior con las resistencias de 5 k y 690 .

En una sola hoja de papel milimetrado elabore las grficas de corriente I
(con voltmetro) vs voltaje V y corriente I (sin voltmetro) vs V para las tres
resistencias.
3.4. Caracterizacin de un bombillo

Figura 9.
Arme el circuito que se muestra en la Figura 9. En este caso, una
resistencia R de 100 limitadora de corriente se coloca en serie con el
bombillo. Mida la diferencia de potencial a travs del bombillo y la corriente
en el ampermetro para diferentes valores de voltaje en la fuente de
alimentacin. Para tomar los datos comience incrementando el voltaje de la
fuente hasta su valor mximo y luego repita los mismos valores
disminuyendo el voltaje. Utilice el ampermetro en la escala de 500 mA y
el voltmetro en la escala de 3.0 V.
Elabore una tabla con los datos.
Elabore el grfico de corriente vs voltaje.
Determine la resistencia del filamento para cada valor de voltaje medido.
La temperatura de funcionamiento nominal de un filamento de incandescencia es
de 2575 K, es decir, unas ocho veces la temperatura ambiente (293 K).

3.5. Caracterizacin del diodo

 Figura 10.
Arme el circuito que se muestra en la Figura 10. Observe que se debe
colocar una resistencia R de 2 en serie a fin de limitar la corriente que
circular por el diodo.
Mida el potencial entre los puntos AB y AC para diferentes voltajes de la
fuente de alimentacin. Qu representa cada uno de estos voltajes? Use
el voltmetro en la escala de 3.0 V.
Invierta la polarizacin del diodo y repita el procedimiento anterior.
Calcule la corriente que circula por el circuito para cada uno de los valores
anteriormente medidos. Explique
Elabore una tabla con los datos de corriente I en el circuito para cada valor
de voltaje a travs del diodo.
Elabore el grfico de corriente I vs voltaje a travs del diodo.
Determine la resistencia del diodo para cada valor de voltaje medido.
4. REGISTRO DE DATOS
5. ANLISIS DE RESULTADOS
6. PREGUNTAS
Pregunta
Qu conclusin obtiene sobre la utilizacin de las diferentes escalas en el
voltmetro y el ampermetro? Explique.
Preguntas
1. Analice las grficas que obtuvo. Pasan por el origen?
2. Qu significado tiene la pendiente?
3. Usted obtuvo pendientes diferentes para la misma resistencia cuando tom los
datos con y sin voltmetro Por qu?
4. Cmo podra determinar la resistencia interna del voltmetro?
5. Calcule el error en la medida de las resistencias de 10 k y 5 k debido a la
influencia de la resistencia interna del voltmetro.
6. Cul debera ser la resistencia interna del voltmetro si Ud. desea medir las
resistencias de 10 k y 5 k con un error inferior al 1 %?
Preguntas
1. Qu puede decir sobre la resistencia del filamento del bombillo?
2. La caracterstica I vs V del filamento le permite encontrar una zona de
comportamiento hmico?
3. Puede decirse que el filamento es un elemento hmico? Qu restriccin le
impondra al filamento para considerarlo un elemento hmico?
4. Que representa la pendiente de la grfica extrapolada al origen?
5. El bombillo que us para la prctica est previsto para valores nominales V=, I=
cul es su resistencia nominal? Compare este valor con la mxima resistencia
calculada.
Preguntas:
Observe la caracterstica del diodo.
1. Qu puede decir sobre su resistencia?
2. Qu puede concluir sobre el comportamiento del diodo?
3. El voltaje suministrado por la empresa de energa elctrica es un voltaje
sinusoidal que por consiguiente toma valores positivos y negativos en forma
alterna. Para muchos propsitos prcticos se necesitan voltajes directos (como los
que proporcionan las bateras o la fuente que us en el experimento). Cmo
podra obtener voltajes directos a partir de voltajes alternos?
7. CONCLUSIONES
8. BIBLIOGRAFA
[1]Fresno. Ley de Ohm. Disponible en:
http://fresno.pntic.mec.es/~fagl0000/ley_de_ohm.htm
[2]Profesor en lnea. Electricidad: ley de Ohm. Disponible en:
http://www.profesorenlinea.cl/fisica/Electricidad_ley_Ohm.html
[3]As funciona. Qu es la ley de Ohm. Disponible en:
http://www.asifunciona.com/electrotecnia/ke_ley_ohm/ke_ley_ohm_1.htm
[4] Ley de Ohm relacin tensin, corriente, resistencia | Electrnica Unicrom.
Disponible en: http://unicrom.com/Tut_leyohm.asp
[5] Wikipedia. La enciclopedia libre. Diodo. Disponible en:
http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
[6] Profesor molina. El diodo. Disponible en:
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm