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Mecnico de Manuteno

Aeronutica

AVINICOS II
ELETRNICA

1 Edio
23 de Outubro de 2003

INSTITUTO DE AVIAO CIVIL


DIVISO DE INSTRUO PROFISSIONAL
PREFCIO

Este volume, Eletrnica, contendo as matrias necessrias ao


desenvolvimento da instruo referente a uma parte da habilitao Avinicos,
tem por finalidade padronizar a instruo em todos os cursos de formao de
mecnicos de manuteno aeronutica.
Este volume tem como complemento obrigatrio, o contedo dos
volumes Instrumentos e Sistemas Eltricos e Matrias Bsicas.
Os assuntos tcnicos esto aqui apresentados sob um ponto de vista
generalizado e, de maneira nenhuma, devem substituir as informaes e
regulamentos oficiais fornecidos pelos fabricantes das aeronaves e autoridades
aeronuticas.
proibida a reproduo total ou parcial deste volume sem a autorizao
do IAC (DIP).
de nosso interesse receber crticas e sugestes s deficincias
encontradas para as devidas alteraes em uma prxima reviso.
A correspondncia relativa a esse livro dever ser endereada a:
Instituto de Aviao Civil
Diviso de Instruo Profissional
Avenida Almirante Silvio de Noronha, 369, edifcio anexo,
Rio de Janeiro - RJ - Brasil
CEP 20021-010
Ou enviada ao e-mail: dacg302@uninet.com.br
AVINICOS II - ELETRNICA

SUMRIO

CAPTULO 1 - CIRCUITOS REATIVOS

Circuito Reativo em srie .................................................................................. 1-1


Circuito RC em srie ........................................................................................... 1-5
Circuito RCL em srie ......................................................................................... 1-8
Ressonncia em srie ........................................................................................ 1-10
Circuito RL em paralelo ..................................................................................... 1-16
Circuito RC em paralelo.................................................................................... 1-18
Circuito RCL em paralelo.................................................................................. 1-20
Ressonncia em paralelo e circuito tanque ideal ..................................... 1-23
Circuito tanque real e circuito tanque com resistor em derivao ....... 1-26
Filtros de freqncia........................................................................................... 1-29

CAPTULO 2 - OSCILOSCPIO

Introduo ............................................................................................................ 2-1


Tubos de raios catdicos .................................................................................. 2-1
Circuito gerador de base de tempo ............................................................. 2-4
Funes bsicas dos controles........................................................................ 2-5

CAPTULO 3 - REQUISITOS PARA ANLISE DE CIRCUITOS

Introduo............................................................................................................ 3-1
Fontes ou geradores de tenso constante .................................................. 3-1
Fontes ou geradores de corrente constante............................................... 3-2
Elementos de circuitos....................................................................................... 3-4
Teorema das estruturas eltricas..................................................................... 3-5
Divisor de tenso e divisor de corrente ......................................................... 3-9
Teorema da superposio ............................................................................... 3-10
Teorema de Thvenin........................................................................................ 3-11
Teorema de Norton............................................................................................ 3-16
Converso do equivalente de Norton para o equivalente de
Thvenin e vice-versa........................................................................................ 3-20
Teorema da mxima transferncia de energia .......................................... 3-22

CAPTULO 4 - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

Introduo............................................................................................................ 4-1
Estrutura da matria........................................................................................... 4-1
Ligao atmica ................................................................................................ 4-2
Materiais semicondutores ................................................................................. 4-2
Juno PN - Formao ..................................................................................... 4-4
Polarizao de uma juno PN ...................................................................... 4-7
Diodo semicondutor........................................................................................... 4-7
Diodo retificador ................................................................................................. 4-8
Ruptura da juno PN ....................................................................................... 4-9
Aplicao do diodo retificador....................................................................... 4-9
I
Diodo em tenso alternada............................................................................ 4-10

CAPTULO 5 - FONTES DE FORA ELETRNICA

Tipos de fontes de fora ................................................................................... 5-1


Circuitos retificadores ........................................................................................ 5-2
Filtros ...................................................................................................................... 5-5
Tipos de proteo contra sobrecarga.......................................................... 5-9

CAPTULO 6 - TRANSISTOR DE JUNO

Introduo ........................................................................................................... 6-1


Formao das junes PNP e NPN ................................................................ 6-1
Ganhos e amplificao no transistor ............................................................ 6-3
Amplificador em configurao emissor comum ........................................ 6-4
Curvas caractersticas do amplificador em emissor comum................... 6-6
Ganhos do transistor em emissor comum..................................................... 6-8
Caractersticas estticas e dinmicas em um amplificador em
emissor comum ............................................................................................ 6-9
Ganhos dinmicos do circuito emissor comum .......................................... 6-11
Amplificador em configurao coletor comum ........................................ 6-12
Linha de carga no circuito coletor comum................................................. 6-14

CAPTULO 7 - ESTABILIZAO DA POLARIZAO DO TRANSISTOR

Introduo ........................................................................................................... 7-1


Limitaes dos transistores bipolares ............................................................. 7-1
Curva de mxima dissipao de potncia ................................................. 7-3
Instabilidade trmica dos transistores............................................................ 7-5
Valores tpicos de tenses de juno para transistores ............................ 7-8
Mtodos de polarizao para estabilizao da Ic ................................. 7-9
Estabilizao da polarizao de estgios de potncia ........................... 7-11
Resumo ................................................................................................................. 7-13

CAPTULO 8 - AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

Classificao geral dos amplificadores........................................................ 8-1


Freqncias de operao ............................................................................... 8-1
Classes de operao. ....................................................................................... 8-1
Sistemas de acoplamento. .............................................................................. 8-3
Amplificadores de udio bsico..................................................................... 8-6
Amplificadores de udio transistorizados...................................................... 8-6

CAPTULO 9 - OSCILADORES TRANSISTORIZADOS

Introduo ........................................................................................................... 9-1


Princpios de oscilao ..................................................................................... 9-1
Requisitos do circuito oscilador ....................................................................... 9-2
Circuitos osciladores bsicos ........................................................................... 9-3
Multivibrador astvel ......................................................................................... 9-7

II
CAPTULO 10 - TRANSISTORES ESPECIAIS

Introduo............................................................................................................ 10-1
Transistor de efeito de campo......................................................................... 10-1
Transistor de unijuno ...................................................................................... 10-4

CAPTULO 11 - CIRCUITOS INTEGRADOS

Introduo............................................................................................................ 11-1
Microeletrnica ................................................................................................... 11-1
Tcnica de fabricao de circuitos integrados monolticos.................... 11-1
Tipos de encapsulamento e contagem de pinos ...................................... 11-2

CAPTULO 12 - SENSORES

Sensor de umidade ............................................................................................ 12-1


Termistores. ........................................................................................................... 12-1
Dispositivos fotossensveis .................................................................................. 12-2

CAPTULO 13 - REGULADORES DE TENSO

O diodo Zener como regulador de tenso.................................................. 13-1


Caractersticas do diodo Zener....................................................................... 13-1
Especificaes da tenso Zener..................................................................... 13-2
Impedncia dinnica........................................................................................ 13-3
Limitaes do diodo Zener............................................................................... 13-4
Aplicaes do diodo Zener.............................................................................. 13-4
Diodos Zener comerciais................................................................................... 13-5
Regulador eletrnico de tenso..................................................................... 13-7
Sumrio.................................................................................................................. 13-8

CAPTULO 14 - DIODOS ESPECIAIS

Thyristores (RCR) ........................................................................................... 14-1


Curva caracterstica de um Thyristor......................................................... 14-3
O Triac ................................................................................................................... 14-7
Diac........................................................................................................................ 14-8
Fotothyristores .............................................................................................. 14-9
Thyristor bloquevel ........................................................................................... 14-10
Q14-10uadrac.............................................................................................. 14-10
Diodo Shockley ............................................................................................ 14-10
Diodo Tnel .......................................................................................................... 14-10
Diodos emissores de luz (Led)........................................................................... 14-11
Sumrio.................................................................................................................. 14-13

CAPTULO 15 - DECIBIS

Introduo............................................................................................................ 15-1
Relaes de tenso e corrente ...................................................................... 15-2
Nveis de referncia ........................................................................................... 15-2
Medida de potncia ......................................................................................... 15-2

III
Medidores de potncia .................................................................................... 15-4
Sumrio ................................................................................................................. 15-4

CAPTULO 16 - AMPLIADORES OPERACIONAIS

Introduo ........................................................................................................... 16-1


Caractersticas eltricas.................................................................................... 16-1
Alimentao........................................................................................................ 16-1
Pinagem ............................................................................................................... 16-1
Ampliador operacional como amplificador................................................ 16-2
Aplicaes dos ampliadores operacionais.................................................. 16-2

CAPTULO 17 - TCNICAS DIGITAIS

Sistema de numerao .................................................................................... 17-1


Operaes binrias............................................................................................ 17-5
lgebra de Boole ............................................................................................... 17-7
Circuitos de comutao................................................................................... 17-10
Famlias de circuitos lgicos............................................................................. 17-12
Circuitos combinacionais ................................................................................. 17-15
Circuitos seqenciais ......................................................................................... 17-19
Memrias .............................................................................................................. 17-22
Converso de sinais........................................................................................... 17-24

CAPTULO 18 - SISTEMAS DE COMUNICAO


Princpios da comunicao............................................................................. 18-1
Principais sistemas de radiocomunicaes.................................................. 18-12
Propagao das ondas eletromagnticas e antenas ............................. 18-18
Finalidade de uma antena.............................................................................. 18-21
Antenas bsicas.................................................................................................. 18-23
Sistemas de intercomunicao ...................................................................... 18-28
Sistema de alarme ............................................................................................. 18-42
Sistema gravador de voz.................................................................................. 18-49
Sistemas de radiocomunicao..................................................................... 18-52
Transmissor Localizador de Emergncia ( ELT ) ............................................ 18-62
Sistema de Chamada Seletiva (SELCAL) ...................................................... 18-64

CAPTULO 19 - SISTEMAS DE NAVEGAO

Sistema anemomtrico............................................................................ ........ 19-1


Instrumentos de navegao.................................................................. ........ 19-7
Sistema automtico de direo ............................................................ ........ 19-16
Sistema VOR/LOC GS - MB ................................................................... ........ 19-20
Equipamento Medidor de Distncia (DME)......................................... ........ 19-29
Sistema TRANSPONDER............................................................................. ........ 19-36
Rdio altmetro .......................................................................................... ........ 19-39
Radar meteorolgico............................................................................... ........ 19-42
Piloto automtico............................................................................................... 19-49
Sistema de Referncia de Atitude e Proa .................................................... 19-61
Sistema de Instrumentao de Vo FIS ..................................................... 19-71

IV
CAPTULO 20 - INTRODUO AOS COMPUTADORES

Histrico ................................................................................................................. 20-1


Aplicaes............................................................................................................ 20-1
Termos e convenes ....................................................................................... 20-2
Memria................................................................................................................ 20-3
Entrada e sada................................................................................................... 20-3
Palavras do computador.................................................................................. 20-4
Princpios de funcionamento ........................................................................... 20-4
Unidade Central de Processamento (CPU) ................................................. 20-6
Conceitos de fluxograma................................................................................. 20-8
Linguagem do computador ............................................................................ 20-9

V
CAPTULO 1

CIRCUITOS REATIVOS

CIRCUITO REATIVO EM SRIE Desse modo, pode-se ver que a presena


do indutor no circuito, resulta uma defasagem
Para que os equipamentos eletrnicos de 90 entre as tenses.
(rdio, radar etc.) possam desempenhar suas A tenso resultante de qualquer circuito
funes, os circuitos resistivos, indutivos e RL pode ser determinada por meio de vetores.
capacitivos so combinados em associaes RL, Assim sendo, por intermdio do grfico da
RC e RLC. Em virtude de tais associaes figura 1-3, podemos achar a tenso resultante,
conterem reatncias, as mesmas so chamadas que vem a ser a prpria tenso aplicada.
de circuitos reativos. Todo circuito constitudo
por resistores e que no contenham quantidades
apreciveis de indutncia ou capacitncia, so
considerados como circuitos resistivos.
Quando uma corrente alternada (CA)
aplicada a um circuito resistivo, a corrente e a
tenso do circuito estaro em fase, conforme
figura 1-1

Figura 1-3
A tenso no resistor tomada sobre o
vetor horizontal e a tenso no indutor, sobre o
vetor vertical: como as tenses esto defasadas
de 90, o ngulo entre elas ser reto.
Traando um paralelogramo baseado
nestes dois vetores, teremos um vetor resultante
(Ea) que a hipotenusa de um tringulo
retngulo. Segundo o teorema de Pitgoras o
quadrado da hipotenusa igual soma dos
quadrados dos catetos; logo:
Figura 1-1
2
Ao se ligar um indutor em srie com um E 2 = E + E 2 ou
a R L
resistor, a queda de tenso no resistor (ER)
estar em fase com a corrente (IR); porm, a 2 2
tenso no indutor (EL) est adiantada de 90. E = E + E
a R L
A figura 1-2A nos mostra um circuito RL
em srie e a figura 1-2B, a relao de fase entre Impedncia
a corrente e a tenso no indutor e resistor.
Quando um resistor e um indutor esto
ligados em srie, a oposio total passagem da
corrente no uma simples soma aritmtica,
mas sim uma soma vetorial, em virtude da
defasagem de 90 existente entre as tenses no
circuito.
Suponha-se, por exemplo, que um resistor
de 400 ohms esteja ligado em srie com um
indutor, cuja reatncia indutiva seja de 300
A ohms.
A oposio total passagem da corrente
Figura 1-2 no ser de 700 ohms mas sim de 500 ohms.

1-1
Clculo da Impedncia Assim, podemos traar o diagrama
vetorial, conforme figura 1-4, uma vez que ZT
Por intermdio da lei de Ohm, a queda de 2
corresponde hipotenusa e R + XL , soma
2

tenso num resistor (ER) o produto da


dos quadrados dos catetos.
resistncia (R) pela corrente (IT), ou seja:
ngulo de Fase
E = R x I
R T
Denomina-se ngulo de fase (), ao
Como XL representa a oposio ao fluxo ngulo formado pelo vetor da tenso aplicada ao
da corrente, a tenso no indutor (EL) ser: circuito (Ea), com o vetor da tenso (ER),
conforme a figura 1-5.
EL = X L I T Tomando-se por base o valor da corrente,
o ngulo de fase ser positivo, contando no
J que, a tenso aplicada (Ea) no circuito sentido inverso dos ponteiros do relgio, a partir
o produto da corrente (IT) pela oposio total dessa referncia. Uma vez conhecido o ngulo
(ZT), logo: podemos, tambm determinar se o circuito
resistivo, indutivo ou capacitivo, da seguinte
E
a
= Z
T
I
T
forma: o circuito ser resistivo quando , for
igual a zero, indutivo quando for positivo e
Uma vez que: capacitivo quando for negativo.

2 2
Ea = ER + EL

Logo teremos:

2 2
E = (R I ) + ( X I )
a T L T
Figura 1-5
2 2 2
Z T IT = IT (R + XL ) O ngulo de fase poder ser
determinado por meio das funes trigono-
mtricas dos diagramas das figuras 1-6 e 1-7
2 2
Z T IT = IT R + XL

2 2
ZT = R + XL

Desse modo, a impedncia de um circuito


RL em srie, igual a raiz quadrada da soma dos
quadrados da resistncia e da reatncia indutiva. Figura 1-6
E L
E
R
Logo: tg = cos =
ER E
a

Figura 1-4 Figura 1-7

1-2
XL R resistor, a qual ser o produto da tenso no
Logo: tg = cos =
R Z resistor (E R ) pela corrente (IT ) , ou seja:
T
P = E .I
R R T
Potncia Eltrica
E
No estudo dos circuitos resistivos, a Uma vez que: cos = R
potncia dissipada por um resistor, foi E
a
determinada pelo produto de tenso (E a ) pela
corrente (IT ) , ou seja: P T = E a . IT isto, porm Logo: E =E . cos
R a
no acontece num circuito de CA que contenha
resistncia e indutncia. Portanto: P =E .I . cos
R a T
A corrente no circuito fluir, sendo
limitada pela impedncia, mas a energia
Fator de Potncia:
utilizada para produzir o campo magntico ser
desenvolvida fonte no desenvolvimento do
O fator de potncia de um circuito,
mesmo.
muito importante, porque ele nos permite
Portanto, num circuito de CA que
converter a potncia aparente, em potncia real
contenha resistncia, parte da potncia
ou efetiva.
dissipada no resistor sob a forma de calor e
Define-se como fator de potncia ( fp ) , a
parte devolvida fonte.
Assim sendo, o produto, PT = E a . IT no relao entre a potncia real (Pr ) e a potncia
s d a potncia que realmente est sendo aparente (Pa ) de um circuito.
consumida pelo circuito, mas sim uma potncia P
que aparenta estar sendo absorvida. f = R
p P
Este produto chamado de potncia A
aparente (PA ) , sendo expresso volt/ampre
Como:
(VA), e no em watts, para diferenciar da
potncia real. P =E .I . cos e P = E . I
A potncia aparente (PA ) , poder ser R a T A a T
calculada por qualquer uma das equaes
abaixo: E I . cos
Logo: f = a T
p
P =E . I E I
A a T a T
f = cos
p
2
P =I .Z R
A T T Porm, como: cos =
Z
T
2 R
E Logo: fp =
P = Z
A Z T
T
Em conseqncia, o fator de potncia
poder ser calculado por qualquer um das trs
Sempre que a corrente circula num
equaes apresentadas.
circuito que contenha resistncia e reatncia,
O fator de potncia usualmente expresso
haver sempre por parte do resistor, uma
em frao decimal ou percentagem.
dissipao de potncia, que chamada potncia
real (PR ) , verdadeira ou efetiva do circuito, Exerccio resolvido:
sendo expressa em watts. Calcular o fator de potncia de um
Portanto, para se achar a potncia real de circuito, sabendo-se que a potncia aparente
um circuito que contenha resistncia e reatncia, de 400 VA (Volt/Ampre) e a potncia real de
basta calcular apenas a potncia dissipada pelo 200 Watts.

1-3
P = 400 VA P = 200 W 100
a R Logo: I = I = 1A
T 100 T
P
Como: f = R
p P Freqncia de Corte
A
200 Qualquer circuito que contenha reatncia,
Logo: f =
p 400 no responder igualmente a todas as
freqncias.
f = 0,5 ou 50 % Ao analisarmos um circuito RL, vimos
p
que seu comportamento foi diferente nas altas
Lei de Ohm freqncias em relao s baixas. No processo
de anlise, somente uma simples freqncia de
A lei de ohm para circuitos de CA, diz cada vez foi aplicada ao circuito.
que, a corrente (IT ) diretamente proporcional Contudo, se um sinal contendo uma faixa
tenso (E ) e inversamente proporcional de freqncias aplicado ao circuito srie RL, a
a
reao do circuito ser diferente para cada
impedncia ( Z T ) . Logo, teremos:
freqncia individual contida neste sinal.
E Por exemplo, conforme a freqncia
I = a diminui, a corrente total aumenta. Haver mais
T Z
T corrente circulando para as baixas freqncias
do que para as altas freqncias.
Exerccio resolvido
O valor da resistncia de um circuito,
Calcule a corrente total do circuito da todavia no afetada por uma variao de
figura 1-8. freqncia, mas XL uma funo direta da
Dados: freqncia. Portanto, num circuito de CC, a
oposio da bobina desprezvel e o circuito
R = 60 ohms considerado resistivo; o ngulo de fase zero e
a potncia real estar no seu mximo valor.
E
a = 100 V
X L = 80 ohms Exemplo:
Considere o circuito srie consistindo de
um resistor de 80 ohms e uma bobina de 12,73
mH, com uma tenso aplicada de 100 vcc.
Desde que o ngulo de fase zero, a
impedncia do circuito ser igual a 80 ohms. A
corrente ser:
Ea
Figura 1-8 IT = 100 IT = 1, 25 A
I =
ZT T 80

Uma vez que: Z = R2 + X2 A potncia real do circuito ter como


T L valor:

Logo: P
R = E a x IT x cos

Z = 60
2
+ 80
2
Z = 100ohms
P
R = 100 x 1,25 x 1
T T P
R = 125 W

E A fonte de CC substituda por uma fonte


Como: I = a de CA de freqncia varivel, com 100v RMS
T Z
de sada. Ao se aumentar a freqncia de sada
T
da fonte, a reatncia indutiva ( XL) aumentar,

1-4
enquanto o valor do resistor permanecer em 80 O termo freqncia de corte usado
ohms. porque, para freqncias abaixo do ponto de
Quando a freqncia atingir a corte, a resposta do circuito considerada (em
500Hz, XL ter aumentando para 40 ohms. muitos casos) abaixo de um valor utilizvel.
Na freqncia de corte, a tenso de corte
Calculando os valores teremos: (E co ) assim como a corrente de corte (Ico ) ,
sero respectivamente:
Z
T = 89,4 ohms
E co = E a x 0,707
I
T = 1,1 A
cos = 0,89 Ico = IM x 0,707

Usando os valores acima observaremos Uma frmula pode ser deduzida para
que a potncia real do circuito diminui com o determinar a freqncia de corte ( fco ) da
aumento da freqncia: seguinte maneira:

PR = Ea x I T x cos Na freqncia de corte:


R = XL
P = 100 x 1,1 x 0,89
R
Como:
P
R = 97,9 W XL = 2 x f x L
Conforme a freqncia aumentada ainda Ento: R=2xf xL
mais, a corrente continuar a diminuir e XL
continuar a aumentar. Teremos: R = 2 x fco x L
Eventualmente atingiremos uma
R
freqncia na qual XL ser igual a resistncia. fco =
2 xL
Por exemplo em 1 KHz:
Onde:
XL = 2 x f x L
fco = freqncia de corte (Hertz)
3 3
XL = 6,28 x 10 x 12,73 x 10 R = Resistncia (Ohms)
L = indutncia em (Henry)
XL = 79,94 ohms

Portanto em 1 K H , XL = R. O ngulo de
z CIRCUITO RC EM SRIE
fase do circuito de 45 e a impedncia total
de 113 ohms.
Desde que XL = R, as tenses As consideraes bsicas feitas para o
circuito RL em srie continuam a ter valor para
EL e ER tambm so iguais.
o circuito RC em srie que agora vamos estudar
A potncia real do circuito : e no qual temos um resistor e um capacitor
associados, como mostra a figura 1-9.
PR = E a x IT cos
PR = 100 x 0,884 x 0,707
PR = 62,5 W
Nota-se que a potncia real foi diminuda
para a metade de seu valor mximo de 125W. A
freqncia em que XL = R EL = ER e a
potncia real foi diminuda para metade de seu
valor mximo, denominada de freqncia de
corte, ponte de meia potncia, ou ponto 0,707. Figura 1-9

1-5
Num circuito srie contendo resistor e De acordo com o grfico da figura 1-12, a
capacitor, a queda de tenso no resistor (ER ) impedncia ou oposio total ao fluxo da
est em fase com a corrente; porm, a queda de corrente no circuito, ser expressa pela equao:
tenso no capacitor (E C ) est atrasada de 90,
ZT = R 2 + X C2
em relao a ER , conforme nos mostra a figura
1-10.

Figura 1-12

ngulo de Fase
O ngulo de fase , como j vimos, o
Figura 1-10 ngulo formado pelo vetor da tenso aplicada
(E ) com o vetor da tenso (E ) , conforme
Assim, por intermdio do grfico da a T
figura 1-11, podemos achar a tenso resultante nos mostra a figura 1-13. fcil de se verificar
(E a ) que vem a ser a prpria tenso aplicada, que o ngulo de fase negativo.
atravs da composio vetorial entre ER e E C .

Figura 1-13
Figura 1-11
O ngulo de fase poder ser
Do grfico, tiramos a seguinte equao
determinado por meio das funes
para o clculo da tenso aplicada (E a ) ao
trigonomtricas dos diagramas das figuras 1-14
circuito: e 1-15.
2 2 Como:
E = E +E
a R C

Ainda, podemos concluir que a tenso


resultante (E a ) est atrasada em relao a ER
de um ngulo 0 negativo.

Impedncia

Num circuito contendo resistor e Figura 1-14


capacitor, a oposio passagem da corrente E E
no uma soma aritmtica, mas sim uma soma Logo: t = C cos = R
vetorial semelhante ao circuito RL em srie. g E E
R a

1-6
Como: de um circuito. O fator de potncia ( f ) poder
p
ser calculado por qualquer uma das equaes
seguintes:
P R
f = R f = cos f =
p P p p Z
A T

Freqncia de Corte
Figura 1-15 Um circuito srie RC apresentar uma
X discriminao de freqncia similar, em muitos
Logo: t = C cos = R aspectos, quela encontrada em um circuito
g R Z
T srie RL.
Os termos freqncia de corte, ponto de
Potncia Eltrica meia potncia e freqncia crtica tm o mesmo
significado, conforme previamente definidos.
Todo circuito que contenha resistncia e Nos circuitos sries, a tenso desenvolvida nos
reatncia, parte de potncia dissipada no componentes reativos, depende da reatncia do
resistor sob a forma de calor e parte devolvida componente a qual, por sua vez, depende da
fonte. Portanto, o produto P = E x I , no freqncia.
T a T
Como X uma funo inversa da
nos d a potncia que est sendo consumida C
pelo circuito. freqncia, logo, medida que a freqncia for
Este produto chamado de potncia aumentada, a reatncia do capacitor diminuir e
aparente (P ) . a tenso ser dividida entre o resistor e o
A
capacitor.
A potncia aparente poder ser calculada
A freqncia de corte ser atingida
por qualquer umas das equaes abaixo:
quando a tenso estiver dividida igualmente
P = E x I entre R e C.
A a T
A freqncia de corte de um circuito srie
2 RC pode ser determinada da seguinte maneira:
P = I xZ
A T T
Desde que a freqncia de corte ( f )
2 co
E
PA = a ocorre quando: R = X
ZT C

Sempre que a corrente circule num Substituindo a equao para X , teremos:


C
circuito que contenha resistncia e reatncia,
1
haver sempre por parte do resistor, uma R =
dissipao de potncia, que chamada de 2 xf x C
potncia real, verdadeira ou efetiva do circuito. Substituindo f por f , teremos:
Podemos calcular a potncia real de um co
circuito, por intermdio das equaes abaixo: 1
R=
P = E x I
R R T
e 2 x f CO x C

P = E x I x cos 1
R a T Logo: fco =
2xRxC
Fator de Potncia Onde:FCO = frequncia de corte (Hertz)

Fator de potncia a relao entre a R = resistncia (ohms)


potncia real (P ) e a potncia aparente (P ) C = capacitncia (Farad )
R A

1-7
CIRCUITO RCL EM SRIE A soma vetorial das tenses
E , E e E e igual tenso aplicada (E )
Quando se aplica uma CA em um circuito R L C a
srie contendo resistor, capacitor e indutor, ao circuito. Como a tenso no capacitor E ea
C
conforme figura 1-16, necessrio levar em tenso no indutor E esto defasadas 180,
considerao o fato de que os ngulos de fase L
entre a corrente e a tenso diferem em todos os logo, a tenso resultante da composio vetorial
trs elementos. entre E e E a diferena, j que so vetores
L C
diretamente opostos entre si. Esta tenso
resultante ser somada vetorialmente com a
queda de tenso no resistor (E ) , para a
R
determinao da tenso aplicada (E ) ao
a
circuito. Isto expresso pelo grfico da figura 1-
18.
Figura 1-16 Pelo teorema de Pitgoras, teremos:
Tomando-se a corrente de um circuito
srie como referncia, temos: No resistor, a 2 2
E = E + (E E ) )
tenso (E ) est em fase; no indutor, a tenso a R L C
R
(EL) est adiantada de 90 e no capacitor, a
tenso (E ) est atrasada de 90. Como em
C
qualquer circuito srie, a corrente a mesma,
atravs de todos seus componentes, podemos
concluir que E est adiantada de 90 de E e
L R
E , atrasada de 90 de E , conforme nos
C R
mostra a figura 1-17A.
Logo, podemos compor o diagrama vetorial,
conforme figura 1-17B:

Figura 1-18

Impedncia
A
O raciocnio para o clculo da impedncia
de um circuito RCL em srie de CA
semelhante ao que foi visto para o clculo da
Assim tenso aplicada., a primeira
operao ser a diferena entre X e X , em
L C
virtude de serem vetores diretamente opostos
entre si, conforme nos mostra a figura 1-19.
Este resultado ser composto
vetorialmente com o valor da impedncia.
B
Pelo teorema de Pitgoras, teremos:

2 2
Z = R + (X X )
Figura 1-17 T L C

1-8
R
cos =
Z
T
Classificao dos Circuitos RCL em Srie:
a) Quando X for maior que X ou E
L C L
maior que E temos: positivo,
C
circuito RL;
b) Quando X for maior que X ou
Figura 1-19 C L
E maior que E temos: negativo,
ngulo de Fase C L
circuito RC;
O ngulo de fase , como j vimos, o c) Quando X for igual a X ou
ngulo formado pelo vetor da tenso aplicada L C
(E ) , com o vetor da tenso (E ) e poder ser E igual a E temos: igual a zero,
a R L C
determinado por meio das funes circuito resistivo.
trigonomtricas dos diagramas das figuras 1-20
e 1-21. Potncia aparente, real e fator de potncia
Como:
Empregam-se as mesmas equaes j
vistas nos circuitos RL ou RC, ou seja:

P =E xI P =I 2 x Z
A a T A T T

E 2
P = a
A Z
T

Figura 1-20 P =E x I P = E x I x cos


R R T R a T

Logo: P
f = R f p = cos
E EC p P
tg = L A
ER
R
E f =
R p Z
cos = T
E
a
Exerccio resolvido:
Como:
Determine no circuito da figura 1-22, a
impedncia, o fator de potncia, a intensidade
da corrente, a potncia aparente, real e a tenso
em cada um dos elementos.
Dados:
X = 900 ohms
L

X = 500 0hms
Figura 1-21 C
R = 300 ohms
X X
Logo: tg = L C
E = 125 V
R a

1-9
E = 75 V
R
300 500 900
Clculo da tenso no indutor:
E = X x I E = 900 x 0,25
125 V L L T L

E = 225 V
L
Figura 1-22
Clculo da tenso no capacitor:
Clculo da impedncia
E =X x I E = 500 x 0,25
2 2 C C T C
Z = R + (X X )
T L C E = 125 V
C
2 2
Z = 300 + (900 500 )
T
RESSONNCIA EM SRIE
Z = 500
T

Clculo do fator de potncia: Os fenmenos de um circuito ressonante


constituem uma caracterstica muito
R 300
cos = cos = significativa dos circuitos eletrnicos. So
Z 500 encontrados em rdio, radar, televiso,
T
aplicaes em projteis teleguiados, etc. A
cos = 0,6 forma que um aparelho de rdio pode sintonizar
Como: f = cos uma estao desejada, encontra sua resposta no
p estudo dos circuitos ressonantes.
Quando estabelecida a igualdade entre a
Logo: f = 0,6 ou 60% reatncia indutiva e a reatncia capacitiva
p
( X = X ) , a qual determina a igualdade entre
Clculo da intensidade da corrente: L C
as tenses E = E , dizemos que o circuito
E 125 L C
IT = a I = est em ressonncia.
ZT T 500
Esta condio desejvel em vrios
I = 0,25 A ou 250 mA circuitos usados em eletrnica, mas pode trazer
T conseqncias desagradveis, com danos para
Clculo da potncia aparente: os elementos de um circuito, quando no
prevista.
P = E x I P = 125 x 0,25 Sabemos que a reatncia indutiva
A a T A
diretamente proporcional freqncia e que a
P = 31,25 VA reatncia capacitiva inversamente
A proporcional mesma.
Clculo da potncia real: Assim, quando aplicamos uma CA a um
circuito RCL em srie e fazemos a freqncia
PR = E a x I T x cos variar desde um valor praticamente nulo a um
P = 125 x 0,25 x 0,6 valor alto, podemos observar o crescimento da
R reatncia indutiva e a queda da reatncia
capacitiva.
P = 18,75 W
R Numa determinada freqncia as duas
grandezas tornam-se iguais, veja a figura 1-23, e
Clculo da tenso no resistor: o circuito apresenta caractersticas que
E = Rx I E = 300 x 0,25 correspondem condio denominada
R T R ressonncia.

1-10
Na figura 1-24, temos circuito RCL em
srie, em que podemos calcular a tenso, a
corrente e a impedncia.
A freqncia do gerador pode ser variada
de 100 a 600 K HZ , permitindo dessa maneira
que se observe a conduta do circuito ao entrar e
ao sair de ressonncia.
A corrente do circuito calculada para as
diversas freqncias do gerador. Empregando-se
Figura 1-23 as equaes j conhecidas, para 100 K HZ , tem-
Impedncia se:

Quando o circuito RCL em srie entra em X =2f xL


L
ressonncia, a reatncia total do circuito zero,
2
uma vez que X L e XC se anulam mutuamente X = 6,28 x 2 x 10
L
porque esto 180 defasadas. claro, portanto,
5 3
que quando XL = XC a impedncia ( Z ) do X = 6,28 x 10 x 2 x 10
T L
circuito ser a prpria resistncia (R), uma vez
X = 1256 ohms
que: L
2 2
Z = R + (X X ) 1
T L C
Como: X C =
2f x C
Como: X = X 1
L C X =
C 5 11
Logo: Z = R 6,28 x 10 x 8 x 10
T
X = 19890 ohms
C
Do exposto, evidente, que quando um
circuito RCL em srie entra em ressonncia, a
corrente do circuito mxima, uma vez que a A reatncia efetiva ou total do circuito (X)
impedncia mnima, pois a nica oposio que pode ento ser calculada:
o circuito oferece deve-se somente sua
resistncia. Portanto, a corrente de um circuito X= X X
C L
RCL em srie atinge seu maior valor no ponto
de ressonncia. X = 19890 1256

Anlise do Circuito Ressonante X = 18634

O estudo feito at agora registra as


A impedncia do circuito ser:
condies de um circuito sintonizado no ponto
de ressonncia; contudo, para que se possa 2 2
Z = R + X
entender melhor o comportamento do circuito, T
necessrio analisar as condies que nele
existem, em ambos os lados da ressonncia.
Como X 200 vezes maior que R, a
impedncia pode ser considerada, na prtica,
igual prpria reatncia.

R = 100 Ento, ter-se-: Z = 18634


T
A corrente I , calcula-se pela Lei de
T
E
a
Ohm, logo teremos: IT =
Z
Figura 1-24 T

1-11
3000 No circuito da figura 27, temos o circuito
IT = I = 16 mA
RCL em ressonncia, onde os medidores nos
18634 T
Em uma anlise do comportamento do mostram as leituras das tenses e correntes.
circuito, podem-se calcular os valores acima
determinados entre os limites de trabalho do
equipamento (100 a 600KHz).
A tabela abaixo (figura 1-25) relaciona os
valores das reatncias, a diferena entre elas, a
impedncia e a corrente no circuito, para cada
freqncia de operao.

FREQ. x x x R Z E I
l c
KHz OHM OHM xi-xc OHM OHM VOLT AMPERE

100 1256 19890 18634 100 18634 300 0,016 Figura 1-27
200 2512 9945 7433 100 7433 300 0,04
398 5000 5000 ZERO 100 100 300 3 E =I x X = 3 x 5000 = 15000 v
L T L
500 6280 3978 2302 100 2302 300 0,13
600 7536 3315 4221 100 4221 300 0,071
E = I x X = 3 x 5000 = 15000 v
C T C
Figura 1-25
A tenso em L ou C igual a 50 vezes a
A figura 1-26 apresenta o grfico da tenso aplicada. A tenso reativa depende da
variao da corrente em funo da freqncia. O corrente que percorre o circuito a qual, por sua
conjunto grfico e tabela mostra claramente que, vez, depende da resistncia hmica.
na freqncia de ressonncia (398), a Desta forma, um circuito ressonante de
impedncia mnima (igual a R), a corrente resistncia pequena capaz de gerar tenses
mxima e as reatncias so iguais. elevadas atravs das reatncias.
Portanto, um circuito srie ressonante Isto se aplica a circuitos que necessitam
RCL atua como se fora um circuito simples, de um ganho de tenso, embora lhes seja
unicamente resistivo. O fluxo da corrente aplicada uma baixa tenso.
limitado exclusivamente pela resistncia.
Freqncia de Ressonncia
A freqncia em que um circuito RCL em
srie entra em ressonncia pode ser determinada
da seguinte maneira:
Como: X =X
L C

Logo teremos:
1
2 f x L =
2f x c

2 2
4 xf x C xL =1
Figura 1-26 2 1
f =
Todavia, as tenses nos elementos 2
4 xLxC
reativos, embora iguais e opostas, podem atingir
valores bastante elevados. Essas tenses so 1
determinadas pela corrente que percorre o f =
r 2 LxC
circuito multiplicado pela reatncia do elemento
(Lei de Ohm). Onde:

1-12
f = freqncia de ressonncia (Hertz )
r
L = indutncia (Henry)

C = Capacitncia (Farad)
Um exame da equao em apreo faz-nos
concluir que a resistncia do circuito no influi
na sua freqncia de ressonncia e que esta s I
depende do produto LC. Isto significa que
circuitos com valores diferentes para L e para C
podem entrar em ressonncia na mesma
freqncia, desde que os produtos LC sejam f = freqncia ressonante
r
iguais.
Por isto, podem-se fazer num circuito, Figura 1-28
vrias combinaes de L e C, obtendo-se o
mesmo produto. Sendo constante o produto, Assim, o circuito perde a vantagem de
constante ser tambm a freqncia de seletividade de freqncia.
ressonncia. Exemplo: uma indutncia de 0,5
mH e uma capacitncia de 32 F iro ressonar
O Q e a seletividade
na mesma freqncia (398HZ que uma bobina de
2 mH e uma capacitncia de 80 F.
A fim de que os receptores de rdio
Curvas de Ressonncia possam desempenhar suas funes, necessrio
que este selecione uma estreita faixa de
Como j foi visto, a freqncia de freqncia, rejeitando as demais.
ressonncia independe do valor da resistncia S assim se conseguir separar emissoras
do circuito. Um circuito que tenha uma que se acham muito prximas no dial do rdio.
resistncia de 100 ohms ter a mesma Quanto mais estreita for a faixa de
freqncia de ressonncia que um circuito com freqncia, maior ser sua seletividade.
1 ohm de resistncia, desde que o produto LC Portanto, seletividade a aptido que tem um
seja constante, em ambos os casos. Entretanto, a receptor de selecionar um sinal, entre muitos
intensidade da corrente no circuito cresce outros de freqncias prximas.
medida que a resistncia diminui. A seletividade de um aparelho
Se fosse possvel montar um circuito com determinada pelos seus circuitos sintonizados.
resistncia nula, a corrente na ressonncia seria Quanto menor possamos fazer a
infinitamente grande. resistncia de uma bobina, com respeito sua
Na prtica, a resistncia nunca nula, mas reatncia, maior ser a seletividade.
pode ser elevada e dentro dos limites finitos. Na A seletividade de uma bobina medida
figura 1-28, temos algumas curvas tpicas de pela relao Q que igual sua reatncia
ressonncia para um circuito que tenha os dividida pela sua resistncia.
mesmos valores L de e C, mas valores Como a resistncia de um capacitor
diferentes para a resistncia. mais baixa do que a resistncia de uma bobina,
A diferena entre os valores de pico de esta constitui o elo mais fraco do circuito
cada um das curvas deve-se ao fato das sintonizado.
resistncias possurem valores diferentes. O Q do circuito sintonizado o Q da
Observe-se tambm que medida que a bobina.
resistncia R aumenta, as curvas de respostas
tornam-se mais achatadas e mais largas nas X
L
Q=
proximidades da freqncia de ressonncia. R
Se a resistncia de um circuito ressonante
for muito grande, o circuito perde sua utilidade Como:
como seletor de freqncia, por ser diminuta a E E
L a
discriminao do fluxo de corrente entre as X = e R=
L I I
freqncias que so e as que no o so. T T

1-13
E
L
Largura de Faixa
I E I
Logo: Q = T
Q= L
x T Largura de faixa (Band Width) ou faixa de
E I E passagem de um circuito uma faixa de
a T a
I T freqncia na qual a variao da tenso
aplicada, produz resposta que no difere muito
E da obtida na freqncia de ressonncia.
L
Q =
E Os limites mnimos da resposta em geral,
a
so tomadas na curva de ressonncia a 0,707 do
Portanto, o Q de um circuito srie
valor mximo da corrente ou tenso, conforme o
ressonante vem a ser tambm a relao que
que se esteja calculando.
existe entre a tenso no indutor ou no capacitor
Na figura 1-29, a rea sombreada
(E = E ) e a tenso aplicada (E ) ao circuito.
L C a representa a faixa de freqncia para a qual a
A expresso anterior indica que o Q corrente maior que 0,707 do valor de pico.
varia inversamente com a resistncia do Observe-se que a metade desta faixa fica acima
circuito; quanto mais baixa a resistncia, maior da freqncia de ressonncia ( f at f ) e a
r 2
ser o Q.
outra metade abaixo ( f at f ) .
As curvas de ressonncia indicam que, r 1
quanto mais baixa for a resistncia do circuito, As duas freqncias, uma acima e outra
maior ser sua discriminao de freqncia. Por abaixo da ressonncia, nas quais so obtidas
isto, o Q indica a capacidade de um circuito respostas mnimas, formam os limites da largura
ressonante para selecionar ou rejeitar uma da faixa aceita do circuito.
determinada faixa de freqncia, sendo por isso, Os pontos f e f so chamados pontos
1 2
conhecido como fator de qualidade ou mrito de de meia potncia, em virtude desses pontos
um circuito. corresponderem a 50% da potncia mxima.
Quanto maior for o Q de um circuito
ressonante em srie, maior ser seu valor como A largura da faixa de passagem, tambm
seletor de freqncia. conhecida como passa banda (ban pass), pode
ser determinada pela seguinte equao:
Influncia do Q no Ganho de Tenso Bw = f f
2 1

No circuito da figura 1-27, as tenses nas Em que:


reatncias por ocasio da ressonncia so de
15000 volts, ao passo que a tenso aplicada (que Bw = faixa de passagem (Hertz )
a mesma da resistncia) de 300 volts.
Esta alta tenso depende diretamente da f = freqncia mais alta que passa pelo
2
corrente que percorre o circuito, a qual, por sua circuito (Hertz)
vez, depende da tenso aplicada e da resistncia.
Comparando-se a tenso em uma das f = freqncia mais baixa que passa pelo
1
reatncias com a tenso aplicada, tem-se uma
idia exata da qualidade do circuito ressonante. circuito (Hertz)
O circuito ressonante em srie amplifica a Todavia, como o Q do circuito
tenso aplicada na freqncia de ressonncia. Se determina a largura total da curva de
as perdas do circuito so baixas, o Q do ressonncia, a faixa de passagem tambm pode
circuito ser alto e a amplificao de tenso ser ser calculada baseando-se na freqncia de
relativamente grande. A amplificao de tenso ressonncia ( f ) e no Q do circuito, ou seja:
r
do circuito da figura 1-27, ser de:

E fr
Q= L Bw =
E Q
a
Em que:
15000
Q= Q = 50
300 B = faixa de passagem (Hertz)
w

1-14
f = freqncia de ressonncia (Hertz)
r

Q = qualidade ou ganho

Nesta frmula, permite ver-se que quanto XC = 400


maior for o Q, menor ser a faixa de
passagem e, inversamente, quanto menor for o
Q, maior ser a faixa de passagem.
A freqncia mais baixa que passa pelo
circuito ( f ) assim como a mais alta ( f ) podem
1 2
Figura 1-30
ser calculadas da seguinte maneira:
Clculo da corrente:
E 50
I = I = I = 10 A
R 5
Clculo do Q:
400
Q = X Q = Q = 80
L 5

Clculo da Faixa de Passagem:


Faixa de passagem:

f
r = 160000 = 2000 Hz
Q 80

Para a Curva de Ressonncia, teremos:


Figura 1-29
Como:
Bw Bw
f f = e f f =
r 1 2 2 r 2

Logo:

Bw Bw
f = f f = f +
1 r 2 2 r 2

Exerccio resolvido:
Figura 1-31
Calcule a faixa de passagem do circuito da
figura 1-30, sabendo-se que sua freqncia de
ressonncia de 160HZ e monte sua curva de No rdio, da mesma forma que nos outros
ressonncia. equipamentos eletrnicos, muito freqente o
uso e a aplicao dos circuitos reativos em
Dados: X = 400 ohms paralelo.
L
A importncia dos circuitos reativos em
X = 400 ohms f = 160000 Hz paralelo deve-se ao fato de que eles aparecem
C r
no estudo dos amplificadores eletrnicos e,
R = 5 ohms E = 50v devido a isso, essencial a compreenso das
a
relaes existentes entre tenses, intensidade de
corrente, impedncia e potncia nesses circuitos.

1-15
CIRCUITO RL EM PARALELO

Vimos que, no circuito reativo em srie,


por ser a corrente um elemento constante em
todos os pontos do circuito, tomvamos seu
vetor como referncia, para representao
grfica e clculos.
No circuito reativo em paralelo, porm, o
elemento constante a tenso, ou seja, a tenso
aplicada a mesma em todos os ramos do
circuito. Alm de terem o mesmo valor esto em
fase.
Da a razo porque a tomaremos como
vetor referncia. Figura 1-33

Intensidade de corrente No grfico da figura 1-34, a corrente no


resistor I representada pelo vetor horizontal e
R
Ao se ligar um indutor em paralelo com a corrente no indutor I , pelo vetor vertical. O
L
um resistor, a tenso no indutor (E ) e no
L vetor I orientado no sentido negativo porque
L
resistor (E ) idntica tenso aplicada e
R est atrasado em relao a I .
R
esto em fase entre si.
Todavia, a corrente atravs do indutor est
2 2
atrasada de 90 em relao tenso aplicada, e a I I +I
T = R L
corrente atravs do resistor est em fase com a
tenso aplicada. Logo, podemos concluir que a
corrente no indutor (I ) est atrasada de 90 em
L
relao a corrente no resistor (I ) .
R
A figura 1-32, nos mostra um circuito RL
em paralelo e a figura 1-33, sua relao de fase.
A corrente total de qualquer circuito RL
em paralelo no pode ser determinada pela soma
aritmtica das correntes nos vrios ramais, por
causa da diferena de fase.
Figura 1-34

O mdulo do vetor da corrente de linha I


T
sempre maior do que I ou I , porque ele a
R L
hipotenusa de um tringulo retngulo.
Para se calcular a corrente no resistor e no
indutor, emprega-se a Lei de Ohm:
E E
IR = R IL = L
R XL
Como: E =E = E
a R L

Logo:
Figura 1-32 E
a Ea
I
R
= IL =
R XL

1-16
Em que: I
L
Logo: tg =
E = tenso aplicada (volts) I
a R

E tenso no resistor (volts) E E


R = a a
Como: IL = e I
R
=
X R
L
E = tenso no indutor (volts)
L

Clculo da Impedncia
A impedncia de um circuito RL em
paralelo pode ser determinada pela Lei de Ohm,
ou seja:
E
a
Z =
T I
T
Figura 1-36
Todavia, nos circuitos CC, vimos que,
para efetuar o clculo da resistncia equivalente E
a
entre dois resistores no circuito, empregvamos X
L
a seguinte frmula: Logo: tg =
E
a
R x R R
1 2
R =
T R + R E
1 2 a R R
Analogamente, nos circuitos reativos em tg = x tg =
X E X
paralelo, podemos calcular a impedncia por L a L
intermdio de uma frmula semelhante a esta. Em funo do diagrama da figura 1-36
Donde, por analogia, teremos: I
R
temos que, o cos =
R x X I
L
Z = T
T 2 2
R x X E E
L a a
Como: I = e I =
R R T Z
ngulo de Fase T

Denomina-se ngulo de fase () , ao


ngulo que a corrente de linha (I ) forma com a Ea
T
tenso aplicada (E ) . Veja a figura 1-35.
a Logo: cos = R
Ea
ZT

E Z Z
a T T
cos = x cos =
R E R
a

Potncia Eltrica
Todo circuito que contenha resistncia e
reatncia, parte da potncia dissipada no
Figura 1-35
resistor sob a forma de calor e parte devolvida
O ngulo de fase () poder ser fonte. O produto PT = Ea x I T , chamado de
determinado por meio das funes potncia aparente, (P ) sendo sua unidade o
a
trigonomtricas do diagrama vetorial da figura
1-36. Volt Ampre (VA).

1-17
A potncia aparente poder ser calculada O fator de potncia usualmente expresso
por qualquer uma das equaes abaixo: em frao decimal ou percentagem.
P = E x I
A a T
CIRCUITO RC EM PARALELO
2
P = I x Z
a T T As consideraes bsicas, feitas para o
circuito RL em paralelo, continuam a ter valor
E 2 para o circuito RC em paralelo que agora vamos
a
P =
a Z estudar e no qual temos um resistor e um
T
capacitor associados, como mostra a figura 1-
A potncia dissipada pelo resistor 37.
chamada de potncia real, verdadeira ou efetiva Tratando-se de um circuito em paralelo, a
do circuito, sendo sua unidade o Watt. tenso a mesma em qualquer ponto do circuito
e esto em fase entre si.
Podemos calcular a potncia real ( PR ) de
Contudo, a corrente que atravessa o
um circuito por intermdio da seguinte equao:
capacitor est adiantada de 90 em relao
P = E x I tenso aplicada e a corrente que percorre o
R a R
resistor est em fase com a mesma tenso,
Como: conforme nos mostra a figura 1-38.
Isto quer dizer que a corrente capacitiva se
I
cos = R apresenta defasada de 90, em avano sobre a
I corrente resistiva.
T

Logo::
P = E x I x cos
R a T

Fator de Potncia
Defini-se como fator de potncia ( f ) , a
p
relao entre a potncia real (P ) e a potncia
R
aparente (P ) de um circuito.
A
Figura 1-37
P
R
f =
p P
A

Como:
P = E x I e P = E x I
R a R A a T

E x I I
a R
Logo: fp = f = R
E x I p I
a T T

I
R
Porm, como cos =
I
T

Logo: f = cos Figura 1-38


p
No grfico da figura 1-39, a corrente I
Em conseqncia, o fator de potncia R
poder ser calculado por qualquer uma das representada pelo vetor horizontal e a corrente
equaes apresentadas.
no indutor I pelo vetor vertical. O vetor I
C C

1-18
orientado no sentido positivo porque est
adiantado em relao a I .
R

Figura 1-40
O ngulo de fase poder ser
Figura 1-39 determinado por meio das funes
trigonomtricas do diagrama vetorial da figura
A corrente resultante (I ) ou de linha a 1-41.
T
soma vetorial destas duas correntes, ou seja: Como:

IT = I R2 + I C2

O mdulo do vetor da corrente de linha


(IT) sempre maior do que I ou I , porque ele
R C
a hipotenusa de um tringulo retngulo.
Para se calcular a corrente no resistor e no
capacitor, emprega-se a Lei de Ohm:

E Ea
I = a IC =
R Figura 1-41
R XC
I
Logo: tg = C
Clculo da Impedncia I
R

A impedncia de um circuito RC em E E
Porm, como: IC = a e IR = a
paralelo pode ser determinada pela lei de Ohm, X R
ou seja: C

E
a
E X E
ZT = a Logo: tg = C
tg = a
x
R
IT E X E
a C a
Ou atravs da seguinte equao: R
R x X R
Z = C tg =
2 2 X
C
R + X
C
Em funo do diagrama da figura 1-41,
ngulo de Fase I
temos que, o cos = R
IT

O ngulo de fase , como j vimos, o E


a
E
a
ngulo formado pelo vetor da corrente de linha Como: IR = e IT =
R Z
(I ) com o vetor da tenso aplicada (E ) . T
T a

1-19
Logo: corrente (I ) est atrasada de 90 e no capacitor,
L
E a corrente (I ) est adiantada de 90.
a C
E Z
cos = R cos = a
x T
E R E
a a
Z
T

Z
T
cos =
R

Potncia aparente e real Figura 1-42

Para se calcular a potncia aparente (P ) e Como em qualquer circuito em paralelo, a


a tenso a mesma em qualquer ponto do circuito
a potncia real (P ) , empregam-se as mesmas e esto em fase entre si, podemos concluir que
R
equaes j vistas no circuito RL em paralelo, I est atrasada de 90 de I e I adiantada de
L R C
ou seja: 90 de I , conforme nos mostra a figura 1-43.
R
2 Logo, podemos compor o diagrama vetorial,
P =E x I P = I x Z
a a T a T T
conforme figura 1-44.
E 2
a
P = P = E x I
a Z R a R
T

P = E x I x cos
R a T

Fator de Potncia

Para o clculo do fator de potncia


empregam-se as mesmas equaes vistas no
circuito RL em paralelo, em que:
P Figura 1-43
R
f =
p P
a

I
f = R
p I
T

f = cos
p

CIRCUITO RCL EM PARALELO


Figura 1-44
Quando se aplica uma CA em um circuito
paralelo contendo resistor, capacitor e indutor,
A soma vetorial das correntes
conforme mostra a figura 1-42, necessrio
I , I e I igual a corrente total ou de linha
levar em considerao o fato de que os ngulos R L C
de fase entre a corrente e a tenso diferem nos do circuito. Como a corrente no capacitor I ea
C
trs elementos.
corrente no indutor I esto defasadas de 180,
Tomando-se a tenso de um circuito L
paralelo como referncia, temos: no resistor, a logo, a corrente resultante da composio
corrente (I ) est em fase: no indutor, a vetorial entre I e I a diferena, j que so
R C L

1-20
vetores diretamente apostos entre si. Esta E
a
corrente resultante ser somada vetorialmente, I =
C X
com a corrente do resistor I , para a C
R
determinao da corrente total ou de linha do E
a
circuito. Isto expresso pelo grfico da figura 1- I =
L X
45. L

Clculo da Impedncia

A impedncia de um circuito RCL em


paralelo pode ser determinada pela Lei de Ohm,
em que:
E
a
Z =
T I
T
Figura 1-45
ou atravs da seguinte equao:
Pelo teorema de Pitgoras, teremos:
R x Z1
ZT =
R 2 + Z12
2
IT = I R + ( IC I L ) 2

Onde:
Neste tipo de circuito existe uma corrente X L x XC
circulatria que vem a ser a menor entre as duas ZT =
XC X L
correntes I e I . Esta corrente circula apenas
L C
no circuito formado por L e C. Depois da carga
inicial do capacitor, ele descarrega atravs da ngulo de Fase
bobina.
O fluxo da corrente atravs da bobina
produz um campo magntico que se mantm, O ngulo de fase poder ser
enquanto a corrente estiver fluindo. determinado por meio das funes
Quando a corrente se reduz a zero, o trigonomtricas do diagrama da figura 1-47.
campo magntico se desvanece, induzindo uma Como:
corrente que carrega o capacitor, mas com
polaridade oposta original. A o capacitor se
descarrega em sentido oposto.

Figura 1-46
Os ciclos se repetem e o capacitor volta a
se carregar ao seu estado original. Esses ciclos Figura 1-47
se repetem periodicamente e a sua ao d
origem a corrente circulatria, veja a figura 1-
46.Para se calcular a corrente no resistor, Logo:
capacitor e indutor, emprega-se a Lei de Ohm.
I I I Z
E
a
tg = C L
cos = R
ou T
I = I
R
I
T
R
R R

1-21
Classificao dos circuitos RCL em paralelo: E 100 V
a
I = I = I = 5A
a) Quando X for menor que X ou C X C 20 C
L C C
I maior que I , temos: negativo, E
L C 100 V
a
circuito R . I = I = I = 8A
L L X L 12,5 L
L
b) Quando X for menor que X ou
C L
I maior que I temos: positivo, A corrente total ou de linha:
C L
circuito R . 2 2
C
I = I + (I I )
c) Quando X for igual a X ou I igual T R L C
L C L
a I , temos: igual a zero, circuito 2 2
C I = 4 + (8 5 )
RESISTIVO. T

I = 16 + 9 I = 5A
Potncia aparente, real e fator de potncia T T

Para o clculo, empregam-se as mesmas A impedncia total do circuito:


equaes j vistas nos circuitos R ou RC em E
L 100 V
a
paralelo, ou seja: Z = Z =
T I T 5A
T
2
P = E x I P = I x Z Z = 20
A a T A T T T

E 2 O fator de potncia:
a
P =
A Z I
T R 4A
f = f =
p I p 5A
P = E x I T
R a R
f = 0,8 ou 80%
P = E x I x cos p
R a T

P
A potncia real:
R
f = f = cos P = E x I x cos
p P p R a T
A

I Z P = 100 x 5 x 0,8
R
f = R f = T
p I p R
T P = 400 W
R
Dado o circuito da figura 1-48, A potncia aparente:
determinar:
P = E x I
A a T

P = 100 x 5
A

P = 500 VA
A

Figura 1-48 A corrente circulante no tanque:

As intensidades de corrente I , I e I :
A corrente circulatria a menor entre as
R C L duas correntes I ou I .
L C
E 100
I = a
I = I = 4A Como I a menor corrente, logo, a
C
R R R 25 R
corrente circulatria ser de 5A..

1-22
RESSONNCIA EM PARALELO E Para uma determinada freqncia a
CIRCUITO TANQUE IDEAL reatncia indutiva ser igual reatncia
capacitiva ( X L = X C ) , logo, o circuito entra
Ressonncia em paralelo em ressonncia.
O circuito sintonizado em paralelo um A figura 1-51 mostra o grfico da variao
dos mais importantes da eletrnica, sendo da reatncia indutiva e capacitiva em funo da
amplamente empregado em transmissores, freqncia.
radio, radar, etc.
O fenmeno da ressonncia em srie,
tambm se presta a uma anlise nos circuitos em
paralelo, entretanto, sua aplicao revela
condies diferentes de operao.
Um circuito em paralelo encontra-se em
ressonncia quando estabelecida a igualdade
entre a reatncia indutiva e a reatncia
capacitiva ( X = X ) a qual determina a
L C
igualdade entre as correntes I = I .
L C Figura 1-50
Circuito Tanque Ideal
Chama-se comumente tanque a qualquer
associao LC, particularmente quando as
reatncias so ligadas, conforme a figura 1-49.

Figura 1-51
Figura 1-49

A designao tanque resulta da Uma vez estando o circuito em


capacidade que tm os circuitos LC de ressonncia, a corrente atravs do indutor e do
armazenar energia. Embora o circuito tanque capacitor so iguais (I = I ) , porm
L C
ideal no seja exeqvel na prtica, uma anlise
defasadas de 180. Assim sendo, a corrente total
de seu comportamento instrutiva.
ou de linha que a soma vetorial de I e I ,
A figura 1-50 representa o esquema de um L C
circuito tanque ideal (R = 0) em que um igual a zero. Este fato mostrado por
indutor e um capacitor esto associados em intermdio do diagrama vetorial da figura 1-52.
paralelo e ligados a uma fonte de CA de Assim, nesse circuito ressonante em paralelo
freqncia varivel. hipottico, a impedncia do circuito ser infinita
H, portanto, dois caminhos por onde a e no haver corrente de linha.
corrente pode circular; um pelo indutor e outro Todavia, haver uma corrente circulatria
pelo capacitor. no tanque apesar de nenhuma corrente ser
Se a fonte de CA operar em baixa fornecida pela fonte.
freqncia, a maior parte da corrente circular Depois da carga inicial do capacitor, ele
pelo indutor do que pelo capacitor, porque X descarrega sobre o indutor, isto , a energia
L
armazenada no capacitor fornece a corrente que
menor que X . Se, porm, a fonte de CA
C percorre o indutor.
operar em alta freqncia, a maior parte da O campo magntico resultante em torno
corrente circular pelo capacitor porque X do indutor age como fonte de energia para
C
menor que X . recarregar o capacitor.
L

1-23
Essa transferncia de energia entre os dois
elementos continua na freqncia de
ressonncia sem qualquer perda.
O sistema est em estado oscilatrio e
pode ser comparado com um pndulo em que,
no havendo atrito, oscila continuamente, desde
que tenha recebido um deslocamento inicial
devido a uma fonte de energia.

IL = I C e XL = XC

Figura 1-53

Figura 1-52

Mas, da mesma maneira que o pndulo Figura 1-54


real nunca totalmente desprovido de atrito e
dissipa alguma energia durante a oscilao, os A ressonncia nos circuitos paralelos
circuitos ressonantes em paralelo, na prtica, chamada de anti-ressonante, por serem seus
incluem alguma resistncia que absorve energia efeitos exatamente opostos aos observados nos
da fonte original. circuitos em srie.
Conseqentemente apesar da impedncia
do circuito ser mxima na ressonncia, tem Freqncia Anti-ressonante
valor finito, e no infinito e a corrente de linha,
apesar de ser mnima e estar em fase com a Aplica-se a expresso de freqncia anti-
tenso aplicada, no igual a zero. ressonante ao circuito em paralelo e freqncia
Na figura 1-53, temos o grfico de ressonncia ao circuito em srie. Em
representativo da impedncia e corrente em qualquer caso, uma combinao LC tem uma
relao variao de freqncia. freqncia ressonante, qualquer que seja o nome
A corrente circulatria no tanque tem o que esta receba.
mesmo sentido e mxima quando o circuito A freqncia anti-ressonante de um
encontra-se em ressonncia. circuito paralelo determinada da mesma
Veja a figura 1-54. maneira que num circuito em srie, ou seja:
A corrente circulatria, considerada 1
como sendo a corrente do capacitor I ou do fr =
C 2 L x C
indutor I , uma vez que I = I e pode ser
L L C
facilmente determinada pela Lei de Ohm: Impedncia no circuito tanque ideal

No circuito ressonante em paralelo a


E E tenso a mesma e as correntes em cada ramo e
a a
I = e I =
C X L X na linha so determinadas pela impedncia total
C L
da linha. Assim, a corrente no ramo indutivo ou
capacitivo em qualquer instante :

1-24
E E verstil. Pode ser usado para
a a
I = I = substituir um capacitor ou um indutor.
L X C X
L C
Exerccio resolvido
A corrente total I na linha, pela Lei de
T A figura 1-55 mostra o esquema de um
Ohm, : circuito RC em paralelo. O gerador de
E freqncia varivel entrega 300V.
a A freqncia anti-ressonante ser:
I =
T Z
T

Alm disso, como j foi visto, a corrente


total igual soma vetorial das correntes nos
ramos. Como essas correntes esto defasadas de
180 e X convencionalmente negativo, tem-
C
se:
I = I I
T L C

Donde:
Figura 1-55
E E
a a 1
I I = Z =
L C Z T I I fr =
T L C 2 L x C
E 1
a
Z = f =
T E E r 3 11
a a
6,28 4 x 10 x 4 x 10
X X
L C
f r = 398000 Hz
X x X
L C
Z =
T X X A corrente em qualquer um dos ramos
C L
determinada pela reatncia nesse ramo. Como
I igual a I , qualquer reatncia pode ser
A impedncia de um circuito em paralelo L C
difere de um circuito em srie. Uma reatncia usada.
indutiva grande em um circuito em srie faz
com que este haja indutivamente, porm, uma X L = 2 x f x L
grande reatncia indutiva num circuito em 3 3
paralelo faz este agir capacitivamente, pois X = 6,28 x 398 x 10 x 4 x 10
L
passa mais corrente pelo ramo capacitivo.
Um circuito tanque ideal apresenta as Logo:
seguintes caractersticas: E
a 300
I = I =
a) Na ressonncia, a impedncia L X L 10000
L
infinita;
X = 10000 ohms I = 0,03 A
L L
b) medida que a freqncia se afasta
da freqncia de ressonncia, a Assim, a corrente circulatria no tanque
impedncia se aproxima de zero; de 0,03A, mas a corrente na linha
praticamente nula; como j sabemos, a
c) O circuito se aproxima indutivamente freqncia de ressonncia oferece o mximo de
para as freqncias inferiores de impedncia linha.
ressonncia e, capacitivamente, para Se a freqncia do gerador for mudada
as freqncias maiores que a de para 200 KHz a corrente nos ramos diferir:
ressonncia. Os pontos precedentes
indicam que o circuito tanque muito XL = 2 x f x L

1-25
3 3 I = 0,059 0,015 T = 0,044A
X = 6,28 398 x 10 x 4 x 10 T T
L
Assim, a corrente na linha de 44 mA,
E
Logo: I = a atrasada de 90 em relao tenso aplicada. A
L X figura 1-56, mostra o diagrama vetorial deste
L
circuito na freqncia de 200 KHz.
300
I =
L 10000
X = 10000ohms
L

I = 0,03 A
L

Assim, a corrente circulatria no tanque


de 0,03A, mas a corrente na linha
praticamente nula; como j sabemos, a Figura 1-56
freqncia de ressonncia oferece o mximo de
impedncia linha. Empregando-se a frmula da impedncia,
tem-se:
Se a freqncia do gerador for mudada
para 200 KHz a corrente nos ramos diferir: X x X
L C
Z =
T X X
X L = 2 x f x L C L

X L = 6,28 x 2 x 105 x 4 x 103 5024 x 19900


Z =
T 19900 5024
X = 5024 ohms
L
Z = 6720 ohms
T
Logo:
E 300
a
I = I = CIRCUITO TANQUE REAL E CIRCUITO
L X L 5024
L TANQUE COM RESISTOR EM
DERIVAO
I = 0,059 A
L
Circuito Tanque Real
1
Como: XC =
2 x f x c As concluses obtidas no estudo do
circuito tanque ideal e os resultados da anlise
1
X = do circuito anterior foram baseados na hiptese
C 5 11
6,28 x 2 10 x 4 x 10 da resistncia nos ramos em paralelo ser nula ou
desprezvel.
106 A figura 1-57 apresenta um diagrama
XC = X = 19900 ohms
50,24 C esquemtico equivalente a um circuito real. O
ramo capacitivo contm uma resistncia
Logo: desprezvel, enquanto que o ramo indutivo
E inclui toda a resistncia do circuito.
a 300
I = I = A presena da resistncia no circuito em
C X C 19900
C paralelo significa que as correntes dos
respectivos ramos no esto exatamente
I = 0,015 A
C defasadas de 180 na ressonncia. A resistncia
altera o ngulo de fase de cada ramo, como
Como a corrente indutiva maior que a
visto na figura 1-58.
capacitiva, o circuito se conduz indutivamente.
Assim as correntes dos ramos no se
A corrente de linha :
anulam completamente e resulta disso uma
I = I I corrente de linha.
T L C

1-26
Dessa forma, o valor da corrente de linha Como a corrente ressonante do tanque
na ressonncia , pois um indicativo da igual corrente de menor valor, I ou I e em
C L
quantidade de resistncia presente no circuito.
virtude de I ser menor que I teremos:
medida que a resistncia diminui, a L C
corrente de linha tende para uma amplitude
I I
mnima e a entrar em fase com a tenso Q =
tan que
Q= L
aplicada. I I
T

E
a
X Z
L T
Q = Q =
E X
a L
Z
T

Como: X = X
L C

Z
T
Figura 1-57 Logo: Q =
X
C

Obs.: esta equao, somente deve ser


empregada quando o valor de R for
muito baixo em relao a XL.
Assim, o Q de um circuito ressonante em
paralelo tambm considerado como sendo a
relao entre a impedncia e a reatncia indutiva
ou capacitiva.
Os circuitos de Q elevados so, como j
vimos, muito teis nos circuitos eletrnicos
seletivos. Quanto maior for o Q, maior ser a
seletividade do circuito.

Curvas de Ressonncia
Figura 1-58
Nos circuitos ressonantes em paralelo, a
curva de impedncia a curva caracterstica de
Fator de Qualidade
ressonncia (figura 1-59).
O fator de qualidade ou Q de um Como j foi visto, a freqncia de
circuito ressonante em paralelo igual ao de um ressonncia independe do valor da resistncia
circuito ressonante em srie, em que: do circuito.
X
L
Q=
R
Porm, no circuito ressonante em srie, a
qualidade ou Q do circuito tambm
determinada pela relao entre a tenso em cada
reatncia e a tenso aplicada. Como a tenso a
mesma no circuito ressonante em paralelo, o Q
do circuito tambm determinado pela relao
entre a corrente no tanque e a corrente na linha,
ou seja:
I
tan que
Q =
I Figura 1-59
linha

1-27
A agudeza da curva depende do Q do figura 1-61. O resistor R chamado de resistor
circuito e pode ser aumentada ou diminuda, de amortecimento e aumenta efetivamente a
respectivamente com o acrscimo ou largura de faixa de um circuito, porque ele ser
decrscimo do valor da resistncia. Se a responsvel por uma parte da corrente de linha
resistncia do circuito ressonante for muito que a ressonncia no pode cancelar. O
grande, o circuito perde sua utilidade como amortecimento de derivao faz diminuir o Q do
seletor de freqncia. circuito e portanto o circuito fica menos
seletivo.
Largura de Faixa
A largura de faixa do circuito ressonante
em paralelo, segue as especificaes para a
largura de faixa do circuito ressonante em srie.
Portanto, os limites efetivos da faixa de
passagem so tomados nos pontos da curva de
ressonncia a 0,707 do valor de pico. Assim, as
duas freqncias, uma acima e outra abaixo da
ressonncia (pontos de meia potncia), formam
os limites da largura de faixa. Veja a figura 1- Figura 1-61
60.
Exerccio resolvido
Estando o circuito da figura 1-62 em
f ressonncia, calcular:
Bw = r
Q
Q = Z = I =
T

I = P =
tan que R

Figura 1-60

A largura de faixa de um circuito


sintonizado pode ser determinada por meio da Figura 1-62
frmula: Clculo do Q:
f
Bw = r X 10000
L
Q Q = Q =
R 200
Onde: Q = 50
Bw = largura de faixa (hertz) Clculo da impedncia:
Fr = freqncia anti-ressonante (hertz) Z = Q x X Z = 50 x 10000
L
Q = Qualidade
Z = 500 K
Circuito Tanque com resistor em derivao Clculo da corrente de linha:
Outro caso que deve ser mencionado o E 300
a
que acontece quando um resistor est ligado em I = I =
T Z T 500000
paralelo com o circuito tanque, conforme a T

1-28
I = 0,6 mA O filtro corta-faixa barra as freqncias
T
que ficam dentro de uma faixa, deixando passar
Clculo da corrente no tanque: todas as demais.
O ponto de corte em um circuito de filtro
Itanque = Q x IT
pode ser facilmente determinado pelas equaes
Itanque = 50 x 0,0006 Itanque = 30 mA abaixo:
Clculo da largura de faixa: P = E x 0,707 ou
co a
f
r P = I x 0,707
Bw = Q
co T

100000 Em que:
Bw =
50 P = ponto de corte
co
Bw = 2 KHz E = tenso aplicada
2 a
P = I x R I = corrente total
R R
T
2
P = 0,03 x 200
R
Desde que, idealmente, um filtro deve
P = 0,18 W deixar passar freqncias escolhidas sem
R
atenuao, as perdas de energia devem ser
baixas.
FILTROS DE FREQNCIA Em conseqncia, os componentes de um
circuito de filtro consistem comumente em
Comumente, a corrente em um circuito de elementos reativos.
rdio contm vrios componentes de freqncia. Pela disposio conveniente de indutores
A funo de um circuito de filtro efetuar uma e capacitores, os filtros podem ser construdos
determinada separao destes componentes. de maneira a permitir qualquer caracterstica de
Assim, um filtro pode ser usado para separar os seleo de freqncia.
componentes de corrente contnua dos de
corrente alternada ou para separar grupos de
componentes de corrente alternada por faixas de Filtro Passa-Baixa
freqncia.
Para conseguir esta finalidade, o filtro
A figura 1-63 ilustra um filtro passa-
deve apresentar baixa atenuao (oposio) para
baixa. Na entrada, as altas freqncias
componentes de freqncia dentro de uma faixa
encontram uma reatncia indutiva relativamente
particular, a faixa de passagem, e alta atenuao
elevada em L e uma baixa reatncia capacitiva
em freqncias dentro de outras faixas
em C.
atenuadas.
Assim, as altas freqncias so detidas por
L e postas em curto circuito, por C. As
Caractersticas dos circuitos de filtros
freqncias baixas encontram fraca oposio em
L e alta oposio em C.
Os filtros so comumente classificados de
Por conseguinte, as baixas freqncias
acordo com as suas caractersticas de
passam da entrada para a sada.
seletividade: o filtro passa-baixa transmite
Portanto, um filtro pass-baixa destina-se a
todas as freqncias abaixo de uma freqncia
conduzir todas as freqncias abaixo de uma
limite, chamada freqncia de corte ( f ) , e
co freqncia crtica pr-determinada ou
barra as freqncias mais altas que a freqncia freqncia de corte e a reduzir ou atenuar
de corte e o filtro passa-alta faz exatamente o consideravelmente as correntes de todas as
contrrio. freqncias acima desta freqncia.
O filtro passa-faixa deixa passar as Nesse filtro passar tambm a freqncia
freqncias contidas numa faixa entre duas que se encontra no ponto de corte.
freqncias de corte e elimina as freqncias Na figura 1-64 vemos o grfico
que ficarem acima e abaixo dos limites da faixa. caracterstico de seu ponto de corte.

1-29
Figura 1-66
Figura 1-63
As figuras 1-67 e 1-68 mostram
respectivamente filtros passa-baixa e passa-alta
e do tipo , assim designados por causa de
sua semelhana com a letra pi.
Os elementos mais perto da entrada
caracterizam o filtro. Assim, as figuras 1-69 e 1-
70, mostram respectivamente, filtros passa-
baixa com entrada a indutor e passa-alta com
entrada a capacitor. Todavia, para que estes
filtros possam desempenhar satisfatoriamente
suas funes, os componentes reativos, devem
ser iguais, ou seja: C = C eL = L
1 2 1 2
Figura 1-64
Filtro Passa-alta
Na figura 1-65 , temos um filtro passa-
alta. As baixas freqncias deparam com uma
reatncia capacitiva relativamente alta em C e
uma reatncia indutiva baixa em L. As altas
freqncias encontram diminuta oposio em C
e alta oposio em L. Por conseguinte, as altas
freqncias passam da entrada para a sada. Figura 1-67
Portanto, um filtro desse tipo destina-se a deixar
passar correntes de todas as freqncias acima
do ponto de corte e atenuar todas as freqncias
abaixo desse ponto. Neste filtro passar tambm
a freqncia que se encontra no ponto de corte.
Na figura 1-66, vemos o grfico caracterstico
de seu ponto de corte. Para melhor a ao
seletiva dos filtros passa-alta e passa-baixa, eles
so projetados com duas ou mais seces. Figura 1-68

Figura 1-65 Figura 1-69

1-30
Figura 1-72
Figura 1-70 Os circuitos sintonizados em srie
oferecem dentro dessa faixa, uma pequena
Filtros de circuitos sintonizados impedncia s correntes dessas freqncias e
fora dela uma alta impedncia. Assim, as
Os circuitos ressonantes (sintonizados) correntes dessas freqncias desejadas dentro da
possuem caractersticas que os tornam ideais faixa circularo pelo circuito sem serem
para filtros, quando se deseja, grande afetadas, mas as correntes de freqncias
seletividade. indesejadas, isto , fora da faixa, encontraro
O circuito ressonante em srie oferece grande impedncia e no podero passar.
baixa impedncia corrente de freqncia em Na figura 1-73, temos um circuito
que est sintonizado e uma impedncia ressonante em paralelo como filtro passa-faixa.
relativamente grande s correntes das demais
freqncias.
O circuito ressonante em paralelo oferece
uma impedncia muito grande corrente de sua
freqncia ressonante e uma impedncia
relativamente baixa s outras.

Filtro passa-faixa

Os filtros passa-faixa ou passa-banda Figura 1-73


destina-se a deixar passar correntes dentro dos Os circuitos sintonizados em paralelo
limites de uma faixa contnua, limitada por uma oferecem, dentro dessa faixa, uma alta
alta e por uma baixa freqncia de corte e para impedncia s correntes dessas freqncias e
reduzir ou atenuar todas as freqncias acima e fora dela uma baixa impedncia.
abaixo desta faixa. De modo que as correntes das freqncias
Na figura 1-71, utiliza-se um circuito fora da faixa sero desviadas pelo tanque, ao
ressonante em srie como filtro passa-faixa. passo que as correntes das freqncias dentro da
Na figura 1-72 vemos o grfico que ilustra faixa circularo pelo circuito sem serem
a faixa de freqncia desejada. afetadas pelo tanque.
Filtro corta-faixa

Os filtros corta-faixa so destinados a


suprimir as correntes de todas as freqncias
dentro de uma faixa contnua limitada por duas
freqncias de corte, um mais alta e outra mais
baixa, e a deixar passar todas as freqncias
acima e abaixo dessa faixa.
Na figura 1-74, temos um circuito
ressonante em paralelo com filtro corta-faixa e,
na figura 1-75, temos o seu grfico
Figura 1-71 caracterstico.

1-31
O circuito ressonante em paralelo
sintonizado na freqncia do sinal que no se
deseja. Logo, o filtro apresenta alta impedncia
s correntes dessa freqncia e permite a
passagem de todas as outras freqncias.
A figura 1-76 ilustra um circuito
ressonante em srie como filtro corta-faixa.

Figura 1-74

Figura 1-76

O circuito ressonante em srie


sintonizado tambm, na freqncia do sinal
indesejado, e estas correntes indesejadas sero
eficazmente desviadas, geralmente, para a terra;
porm, as demais freqncias no sero
Figura 1-75 afetadas.

1-32
CAPTULO 2

OSCILOSCPIO

INTRODUO filamento e permitir que o feixe de eltrons seja


bem definido.
O osciloscpio considerado um
instrumento bsico de teste em oficinas e na Canho Eletrnico
indstria, assim como em laboratrios de
pesquisas e desenvolvimento de projetos A parte mais importante do TRC o
eletrnicos. canho eletrnico, que est situado em um de
O osciloscpio permite ao tcnico ou seus extremos e que tem por finalidade projetar
engenheiro observar tanto o valor como a forma um feixe de eltrons de um extremo a outro do
do sinal em qualquer ponto de um circuito tubo. Constituem o que denominamos raio
eletrnico. Suas principais aplicaes so: catdico.O canho eletrnico consiste de um
Medies de valores de: potncia, filamento, um ctodo, uma grade de controle,
tenso, ngulo de fase etc. um nodo focalizador (1 nodo) e um nodo
Comparao entre uma freqncia acelerador (2 nodo). Esses elementos so
desconhecida e uma freqncia padro, mostrados na figura 2-2.
determinando assim o valor
desconhecido.
O osciloscpio um instrumento que
consiste basicamente de um tubo de raios
catdicos e de circuitos ampliadores auxiliares.

TUBO DE RAIOS CATDICOS

O tubo de raios catdicos (TRC) um


tubo de vidro projetado especialmente para
medir fenmenos eltricos que no podem ser
medidos por outros meios. Figura 2-2 Canho eletrnico
O tubo de raios catdicos no s a parte
principal do osciloscpio como tambm As conexes com os diversos elementos
amplamente usado nos equipamentos de radar so efetuadas por meio de pinos que esto na
para observao visual das informaes obtidas base do tubo. Em muitos casos, o ctodo est
pelo receptor deste. ligado internamente o filamento.
Atualmente o TRC largamente Os filamentos so aquecidos geralmente
difundido podendo ser encontrado em por CA, aplicada por um transformador de
equipamentos de eletromedicina, terminais de filamento, separado.
vdeo de microcomputadores etc. O ctodo um cilindro de nquel cujo
extremo est coberto com xido de brio e
estrncio, de maneira que quando aquecido
emite eltrons livremente na direo desejada. O
nodo acelerador tambm um cilindro. Em seu
interior h um diafragma que tem uma abertura
em seu centro. Como o nodo acelerador
altamente positivo, atrair os eltrons emitidos
pelo ctodo.
As tenses aplicadas ao nodo acelerador
Figura 2-1 Tubo de raios catdicos variam desde 250V at 10.000 V. Esta alta
tenso faz com que o feixe de eltrons (raio
Os elementos de operao do tubo de catdico) adquira uma alta velocidade. Embora
raios catdicos esto encerrados em seu interior a maioria dos eltrons seja atrada e capturada
que contm um alto vcuo a fim de preservar o pelo nodo de acelerao, muitos podem passar

2-1
atravs da abertura que existe no diagrama do O nodo de focalizao tem um potencial
tubo. de 1200V e o nodo de acelerao tem 2.000V.
A tela do TRC tem por finalidade Por causa dessa diferena de 800V, existe um
transformar a energia cintica do eltron em campo eletrosttico muito forte na regio entre
energia luminosa. A tela composta de uma os dois nodos. A intensidade desse campo
substncia semitransparente, conhecida como pode ser variada, mudando-se as tenses do
fsforo, e est situada na parte interior do tubo. nodo focalizador.
Quando o feixe de eltrons atinge a tela, esta
emite a luz cuja cor depende da composio do
fsforo.
O revestimento mais comumente usado
o silicato de zinco que emite luz verde. Uma
considerao importante a persistncia que
indica a quantidade de tempo em que a tela
continuar incandescente, depois de ser atingida
pelo feixe. Figura 2-3 Processo de focalizao
Pode-se notar que se deve proporcionar
algum meio de eliminar os eltrons da tela; do O campo eletrosttico representado
contrrio, a carga negativa na tela aumentaria a pelas linhas curvas.
tal que ponto que no chegariam mais eltrons Os eltrons que passarem por este campo
at ela. sofrero a ao de uma fora que tentar faz-
O mtodo usado para eliminar tais los seguir as linhas de fora.
eltrons, colocar um revestimento de condutor Um eltron que entra na lente tem sobre si
de AQUADAG, ao longo de toda parte interior duas foras atuantes: uma fora que motivada
do tubo, com exceo da tela, e conect-la ao pela acelerao dada pela atrao do nodo
ctodo. A emisso de eltrons secundrios pode acelerador e outra motivada pelo campo
assumir efeitos graves e, portanto, coletada eletrosttico que existe entre os nodos. A
pelo revestimento de AQUADAG e devolvido tendncia do eltron desviar-se, e em lugar de
ao ctodo. se deslocar em linha reta, desloca-se em um
O ctodo circundando pela grade de direo tangencial das linhas de fora.
controle, a qual mantida a um potencial mais Esta curvatura por sua vez depende da
negativo que este e serve para controlar o fluxo diferena de potencial que existe entre os dois
de eltrons que saem do ctodo. nodos. Todos os eltrons que passam pela lente
A intensidade do brilho na tela regulada tendem a unir-se em um ponto chamado ponto
pelo valor da tenso negativa de polarizao focal.
aplicada grade de controle, quanto mais Variando-se o potencial aplicado ao nodo
negativa for a tenso de polarizao, menos focalizador, pode-se conseguir uma focalizao
intenso ser o brilho. correta na tela.
Se a grade se tornar suficientemente
negativa, no haver mais fluxo de eltrons para Deflexo vertical e horizontal
a tela e conseqentemente, deixar de haver
brilho. O ajuste do potencial feito pelo Se o TRC no possusse outros elementos
controle de intensidade. alm do canho eletrnico e a tela, o feixe de
Se no houver um meio para proporcionar eltrons atingiria o centro desta e produziria um
o foco, os eltrons sero emitidos, mas devido a ponto luminoso.
repulso mtua se difundiro e golpearo a tela Para movimentar o feixe e colocar o ponto
como uma massa dispersa que ter aspecto luminoso em vrias partes da tela, utiliza-se
embaado. sistemas de deflexo ou de desvio vertical e
Os nodos de focalizao e acelerao horizontal.
agem como uma espcie de lente que concentra Existem dois tipos de deflexo ou desvio:
o feixe e torna ntida a imagem na tela. o eletrosttico e o eletromagntico.

2-2
Desvio Eletrosttico para a direita da tela. Estas trs situaes so
mostradas na figura 2-4D, E e F.
Em qualquer caso, a distncia em que o
ponto afastado do centro da tela diretamente
proporcional tenso s placas defletoras.
Se forem aplicadas tenses positivas e
iguais, simultaneamente s placas V1 e H1, o
feixe ser atrado para cima e para a esquerda,
por foras idnticas.
Figura 2-4 Placas de desvio eletrosttico O resultado um desvio do ponto
luminoso para uma posio de 45 do centro da
tela. Outras combinaes de tenses aplicadas
s placas defletoras faro com que o ponto se
desloque para posies diferentes da tela do
TRC.
At agora s estudamos os efeitos de
tenses contnuas (CC) aplicadas nas placas
defletoras verticais e horizontais.
A corrente alternada, ao contrrio da
corrente contnua, est variando constantemente
de polaridade e valor.
Assim ao ser aplicada uma CA s placas
Figura 2-5 Disposio das placas defletoras, o ponto luminoso se mover
rapidamente para vrias posies na tela,
O desvio eletrosttico utiliza dois pares de proporo que a tenso varia de polaridade e
placas de desvio, colocadas em ngulo reto valor. Isto ocorre da seguinte maneira:
entre si e o feixe de eltrons passa entre elas, Se uma CA aplicada s duas placas de
como mostrado na figura 2-4. deflexo vertical (V1 e V2), o ponto luminoso
A figura 2-5 mostra a vista de topo do se movimentar para cima e para baixo. Se a
TRC mostrando a disposio das placas freqncia da tenso aplicada for baixa, talvez
defletoras ao feixe eletrnico, que visto como seja possvel ver o ponto subir e descer.
um ponto no centro. Dois fatores, porm no permitem que
Se no for aplicada uma tenso externa a isso ocorra. A inrcia do olho humano e tambm
nenhum par de placas, o feixe permanecer no a reao da camada do fsforo que reveste o
centro da tela produzindo um ponto luminoso. interior da tela do TRC.
Se a placa vertical V1 se torna positiva, Ambos os fatores fazem com que se tenha
em relao a V2, o feixe ser atrado em direo a sensao de persistncia luminosa na tela, em
a V1 e o ponto luminoso consequentemente forma de um trao luminoso.
tambm subir. Se a placa V1 for polarizada positiva em
Se a placa vertical V1 negativa com relao a V2, durante o primeiro semiciclo
respeito a V2, o ponto se desloca para baixo. positivo, o ponto luminoso se movimentar para
Estas trs situaes so ilustradas na figura 2-4 cima e novamente para baixo, at retornar ao
A, B e C. As trs ilustraes pressupem que centro. O semiciclo negativo movimentar o
no exista tenso alguma nas placas defletoras ponto luminoso par baixo e novamente para
horizontais (H1 e H2). cima, at retornar ao centro.
Se as placas verticais estiverem a zero A distncia que o ponto se afasta do
volts e a placa horizontal H1 foi tornada centro para cima e do centro para baixo,
positiva em relao a H2, o feixe ser atrado depende do valor da tenso de pico.
em direo a H1e o ponto se mover para a Em virtude da velocidade com que se
esquerda da tela. Finalmente se a placa H2 move o ponto luminoso, associado aos fatores
positiva em relao a H1, o ponto ser desviado de inrcia do olho humano e persistncia

2-3
luminosa da tela do TRC, fazem com que aquele
ponto surja como um trao reto.
Quando uma CA aplicada s placas
horizontais H1 e H2, teremos, pelas mesmas
razes j explicadas, um trao horizontal. Este
processo ilustrado na figura 2-6 A e B.

Figura 2-8 Conjunto de bobinas

CIRCUITO GERADOR DE BASE DE


Figura 2-6 Aplicao de CA TEMPO
Se forem aplicadas tenses alternadas
Para reproduzir as formas de onda que
iguais, de maneira que V1 e H1 tenham a
surgem na tela de um osciloscpio necessrio
mesma polaridade, assim como V2 e H2,
que este tenha, alm do TRC, um circuito
teremos um trao na tela em uma posio de 45
gerador de base de tempo, tambm conhecido
entre a vertical e a horizontal.
como gerador dente de serra.
Porm se V1 e H2 forem polarizados
Sua finalidade fazer com que o feixe
igualmente, assim como V2 e H1, o trao ficar
eletrnico se mova da esquerda para a direita da
tambm a 45 mas em direo invertida. Este
tela a uma velocidade uniforme e logo regresse
processo descrito est ilustrado na figura 2-7.
rapidamente ao lado esquerdo. Este movimento
chamado de varredura linear.
Para se dar a varredura no feixe
eletrnico, o gerador produz uma tenso que
cresce uniformemente de zero at um certo
ponto e decai rapidamente ao nvel zero, como
mostra a figura 2-9.
Figura 2-7 Aplicao de tenses alternadas
iguais

Desvio Eletromagntico

O desvio eletromagntico usado onde


no possvel obter uma tenso adequada para
o desvio eletrosttico.
O desvio eletromagntico deve-se ao
campo magntico estabelecido dentro do tubo Figura 2-9 Tenso dente de serra
de raios catdicos pelo conjunto de bobinas que
esto colocadas ao redor do tubo. O desvio Este perfil denominado dente de serra ou
eletromagntico mais sensvel do que o triangular. Esta tenso aplicada s placas de
eletrosttico. deflexo horizontal.
As bobinas esto colocados proporcio- O aumento gradual de tenso faz com que
nalmente corrente, como mostrado na figura a placa H1 se torne cada vez mais negativa e H2
2-8. cada vez mais positiva.
O deslocamento do feixe de eltrons Assim, o feixe eletrnico vai se
afastado pelo campo magntico da mesma deslocando da esquerda para a direita com
forma que afetado pelo campo eletrosttico. velocidade uniforme. A queda rpida da tenso

2-4
faz com que o feixe regresse em muito pouco FUNES BSICAS DOS CONTROLES
tempo, e esse tempo denominado tempo de
retorno. a) Intensidade: varia a quantidade de
Dependendo da freqncia da tenso de eltrons que chega tela.
varredura teremos na tela um trao horizontal.
Se bem que uma tenso alternada aplicada b) Focalizao: os nodos ajustam a
s placas horizontais produza tambm um trao focalizao do feixe na tela por
horizontal, esta no adequada com base de meio deste comando.
tempo linear porque no possui as c) Posio vertical e horizontal:
caractersticas desejveis de uma tenso que se desloca o feixe para cima, para
eleva de zero ao mximo de modo linear e volta baixo, para esquerda ou para
a zero quase instantaneamente. direita respectivamente.
Para se examinar qualquer forma de onda
por intermdio do osciloscpio, necessrio que d) Entrada vertical: nessa entrada
apliquemos a tenso que se deseja analisar em aplicam-se os sinais a serem
suas placas de deflexo vertical e mantenhamos medidos pelo aparelho.
a tenso que se deseja analisar em suas placas
de deflexo vertical e mantenhamos a tenso de e) Entrada horizontal: normalmente
dente de serra em suas placas horizontais. Isto s placas horizontais est aplicado
far com que o feixe eletrnico se desloque para um sinal peridico gerado interna-
cima ou para baixo e ao mesmo tempo para mente no osciloscpio, o sinal
frente. dente da serra, que tem uma
Quando a freqncia da tenso de velocidade de varredura constante
varredura for igual freqncia da tenso na tela e faz com que o feixe v de
aplicada nas suas placas verticais, surge um um lado outro e o regresso no
ciclo na tela do TRC. seja observado.
Diz-se que a relao da freqncia entre a Injetando-se nessa entrada um
tenso de varredura e o sinal de 1:1 (um para sinal estaremos modificando a
um). varredura; este procedimento
Quando a freqncia da tenso de empregado em alguns casos, como
varredura metade da freqncia do sinal na medida de fase entre dois sinais.
aplicado, teremos dois ciclos na tela do TRC,
f) Atenuador vertical:
conforme mostra a figura 2-10.
O sinal aplicado entrada vertical
antes de ser levado s placas
defletoras, poder ter sua
amplitude reduzida de mltiplos de
10.
g) Ganho vertical: permite variar de
maneira contnua a amplitude do
sinal, antes que ele seja levado s
Figura 2-10 placas defletoras.

Portanto, para se calcular o nmero de h) Ganho horizontal: permite variar a


ciclos que aparecem na tela de um osciloscpio amplitude ao longo do eixo X.
devemos empregar a seguinte equao:
i) Seletor de varredura: permite a
Freq. aplicada variao discreta na freqncia da
Nmero de ciclos: varredura interna.
Freq. de var redura

2-5
j) Varredura externa: usada quando sincronismo permite o ajuste
pretende-se atuar externamente nas desejado.
placas horizontais.
k) Seletor de sincronismo: o sinal
estar sincronizado quando
tivermos uma configurao estvel
do mesmo na tela, o que
corresponde a um sincronismo de
varredura com o sinal aplicado s
placas de deflexo vertical. O
seletor dever ser colocado na
posio LINHA para o
sincronismo com a rede; Figura 2-11 Exemplo de leitura com o
INTERNO para a varredura interna osciloscpio
e EXTERNO para a varredura
externa de um sinal colocado na Onde:
entrada horizontal.
Vp = valor de pico de tenso
l) Chave de sincronismo: uma vez Vpp = Valor pico a pico da tenso
escolhida a referncia de
sincronismo, a chave de T = Perodo do sinal.

2-6
CAPTULO 3

REQUISITOS PARA ANLISE DE CIRCUITOS

INTRODUO

O estudo referente anlise de circuitos


sob um ponto de vista completo, normalmente
envolve clculos complicados e so muitos os
livros que podem ser encontrados tratando desse
assunto.
Aqui, abordaremos a anlise de alguns
circuitos que empregam somente corrente
contnua, onde as impedncias so Figura 3-2 Gerador de tenso real
essencialmente resistncias lineares e as tenses
so constantes. Nota-se, em ambos os circuitos, uma seta
Para o estudo de circuitos eltricos, dois colocada ao lado da f. e m. A posio da seta
objetivos principais so importantes: um, para indicar que, caso a fonte atuasse sozinha,
determinar a impedncia (ou resistncia, para provocaria o movimento de cargas positivas no
circuitos de CC) de um dado circuito, entre dois sentido mostrado, indicando desta forma, o
pontos quaisquer; outro determinar a corrente sentido da f. e. m. do gerador.
ou tenso atravs de um elemento qualquer do So vrios os tipos de geradores de tenso
circuito, quando uma tenso aplicada a uma e poderamos citar, como exemplos tpicos
outra parte do referido circuito. desses geradores encontrados na prtica, as
fontes de C C reguladas, uma bateria ou
FONTES OU GERADORES DE TENSO circuitos seguidores de emissor etc.
CONSTANTE Os geradores de tenso constante tm
grandes aplicaes em circuitos onde desejamos
Uma fonte de tenso , na verdade, um que a tenso de sada seja estvel ou constante.
gerador de tenso que possui uma resistncia o caso, por exemplo, dos reguladores de
interna muito baixa, entregando em sua sada tenso eletrnicos, cuja finalidade manter uma
um valor de tenso constante, para uma extensa tenso constante nos seus terminais de sada,
gama de valores de carga a ele conectado. embora varie a tenso de entrada, ou o valor da
Existe o gerador de tenso ideal e o carga.
gerador de tenso real. No primeiro caso, a Ocorre, entretanto, que geradores de
diferena de potencial mantida constante, tenso constante, a exemplo dos reguladores de
qualquer que seja a caga qual esteja ligado. tenso eletrnicos, so constitudos de
Um gerador de tenso ideal, na prtica, no dispositivos semicondutores, tais como: diodos
existe, pois todo gerador possui uma resistncia comuns, diodos zener e transistores, isto sem
interna fazendo, com que a tenso nos seus falar de vrios dispositivos totalmente
terminais dependa da carga, atuando, portanto, integrados, os chamados CI (circuitos
com um gerador de tenso real. Nas figuras 3-1 integrados). Portanto, uma anlise, agora, destes
e 3-2 ilustramos esquematicamente os dois tipos circuitos, certamente estaria fora dos nossos
de geradores de tenso acima mencionados. objetivos iniciais. Circuitos dessa natureza
podero ser abordados, quando tivermos alguns
conhecimentos bsicos de dispositivos
semicondutores, numa fase mais adiantada do
nosso curso de eletrnica.
No nosso estudo referente anlise de
circuitos, faremos utilizao de um dispositivo
gerador de tenso constante, chamado
Equivalente de Thvenin, muito empregado
na resoluo de circuitos considerados
Figura 3-1 Gerador de tenso ideal complexos.

3-1
Este dispositivo eletrnico representa o
circuito equivalente de qualquer circuito
eletrnico, que tenha caractersticas de manter
uma tenso constante de sada.

FONTES OU GERADORES DE
CORRENTE CONSTANTE

Podemos definir fontes de corrente


constante como sendo dispositivos capazes de Figura 3-5 Representao simblica de
fornecer uma corrente de valor constante a um gerador de corrente real
qualquer carga, desde um circuito aberto (carga
infinita) at um curto-circuito (resistncia de Um gerador de corrente constante prtico
carga zero). , portanto, aquele capaz de estabilizar a
Um gerador de corrente constante ideal, corrente em uma carga que varia dentro de uma
na prtica, no existe. O que existe o gerador grande faixa de valores.
de corrente real, possuindo certas limitaes, e Queremos chamar a ateno dos nossos
sendo capaz de manter constante a corrente nos leitores, para o seguinte: embora o assunto em
terminais da carga, dentro de uma faixa de pauta no se trate propriamente de geradores de
variaes desta referida carga. corrente constante e geradores de tenso
As figuras 3-3 e 3-4 ilustram os dois tipos constante, achamos por bem, dar alguns
de geradores, que acabamos de mencionar. conceitos bsicos, os quais julgamos de grande
Naturalmente, trata-se de uma representao utilidade para que, juntando aos demais assuntos
simblica. que se seguiro, nos dem uma melhor idia
daquilo que pretendemos expor.
Na prtica, os geradores de corrente
podem assumir diversas configuraes. O que
vemos aqui, entretanto, sero alguns circuitos de
carter puramente didticos. Ocorre que, como
no caso dos geradores de tenso, os geradores
de corrente constante, na prtica, envolvem
dispositivos semicondutores, tais como:
transistores, diodos, zener, etc. Uma anlise,
agora, destes circuitos, estaria fora de nossas
Figura 3-3 Gerador de corrente ideal cogitaes iniciais. O leitor poder ter uma
noo bem melhor de fontes de corrente
constante (fontes prticas), no assunto referente
a dispositivos semicondutores.
Conhecemos pelo circuito da figura 3-6

Figura 3-4 Gerador de corrente real


Figura 3-6 Circuito bsico de um gerador
O gerador de corrente ideal teria uma de corrente constante
altssima resistncia interna (idealmente
infinita). Um gerador de corrente real compe- O circuito da figura 3-6 constitudo de
se de um gerador ideal em paralelo com sua um gerador de tenso, que tem conectado um
resistncia interna. resistor em srie. Este dispositivo se aproxima
Outro smbolo muito empregado para as relativamente bem de um gerador de corrente
fontes de corrente constante o da figura 3-5. constante.

3-2
A bateria apresenta uma resistncia Aumentemos, novamente nossa
interna muito baixa. Ns levamos em conta o resistncia de carga, agora de 10 de vezes (RL =
valor dessa resistncia interna. 9V
Mas necessrio levarmos em conta a 900 : ). Aplicando a frmula i
90 K:  900:
resistncia interna do conjunto, ou seja, do
teremos i 0,099mA, que, tambm, um valor
nosso gerador. Essa resistncia consideraremos,
a ttulo de exemplo, como sendo igual a 90 K : bem prximo de 0,1mA.
(Ri = 90K : ). Se quisermos calcular o erro quando
Agora, vamos supor que uma carga foi utilizarmos a RL de 90 : a de 900 : , em
ligada ao nosso gerador. Esta carga relao corrente obtida para a condio de
representada por RL, que neste exemplo assume curto-circuito, s utilizarmos a seguinte
um valor inicial de 0 (zero) : , conforme nos frmula:
mostra o circuito da figura 3-7. I curto  I c arg a
% Erro x 100
I curto

Para fixarmos melhor esta nossa


seqncia de raciocnio observemos a tabela da
figura 3-9.

RI RL I CARGA ERRO
90K : Curto 0,1 mA 0%
90K : 90 : 0,0999 mA 0,1%
Figura 3-7 Circuito simplificado de um gerador
90K : 900 : 0,099 mA 1,0%
de corrente constante, com a sada
em curto-circuito. 90K : 9000 : 0,0909 mA 9,1%

Conforme vemos na figura 3-7, o valor da Figura 3-9 Percentagem de erro da corrente de
corrente que circula na carga, pode, facilmente carga, em funo de RL e em
9V relao a corrente de curto-circuito.
ser obtido pela lei de OHM: i 0,1mA.
90K: Se usarmos a frmula, seguindo os dados
Agora, substituamos RL (0 : ), por que uma RL da tabela da figura 3-9, vamos notar que, no
de 90 : . Aplicando a lei de OHM, teremos: caso do 90 : , o erro de 0,1% enquanto que
90 v com RL igual a 900 : temos 1% de erro.
i .
90K:  90: Entretanto, se aumentarmos a carga para 9k : , a
corrente ser 0,0909 mA, que corresponde a um
Observemos o circuito da figura 3-8. erro de 9,1%.
importante observarmos que com uma
RL de at 900 : , seu valor bem pequeno
quando comparado ao valor de Ri (90 k : ).
Neste caso, a variao de corrente entregue pelo
gerador se situa em 1%.
Carga igual a Com isso, podemos facilmente deduzir
um curto- que um bom critrio para se obter uma fonte de
circuito corrente constante, fazer com que sua
resistncia interna seja, no mnimo, 100 vezes o
Figura 3-8 Gerador de corrente constante RL= valor da maior carga a ser utilizada. Isto nos
90 : assegura um erro mximo de 1%.
importante observarmos, aqui, que no
Calculando, ento, a corrente, temos i =
o valor absoluto da resistncia interna do
0,0999 mA. Este valor mudou pouco, em
gerador, que ir qualifica-lo como um bom
relao ao anterior (0,1mA).
gerador de corrente, e sim sua resistncia
Para fins prticos, dizemos que a corrente
interna (Ri) comparada resistncia de carga
praticamente se manteve constante.
RL.

3-3
Ainda, com referncia aos dados da Terminologia usual
tabela, podemos observar que, se quisssemos
Como propsito de facilitar a anlise de
utilizar uma RL = 9K : , teramos que dispor de
circuitos eltricos, existem certos termos com os
uma Ri = 900 K : m no mnimo. Entretanto,
quais devemos nos familiarizar.
para que a corrente fosse mantida em 0,1 mA,
necessitaramos de uma fonte de 90 V, o que a) Rede ou Circuito
nos levaria a uma soluo no muito prtica.
D-se o nome de rede a um conjunto de
Queremos lembrar, aqui aos nossos
condutores, geradores e receptores ligados de
leitores, que qualquer circuito capaz de manter
uma maneira qualquer, ou seja, em srie em
uma corrente constante, independente do valor
tringulo, em paralelo, etc.
da carga ( dentro de certos limites) estar sendo
A figura 3-10 nos mostra um exemplo
representado por um circuito chamado
de uma rede ou circuito.
Equivalente de Norton.
Este ser, portanto, nosso gerador de b) N de Intensidade ou N (ou ainda
corrente constante. A exemplo do Equivalente NODO)
de Thvenin, o Equivalente de Norton
N pode ser definido como a juno de
encontra muita aplicao na resoluo de
trs ou mais elementos componentes de uma
circuitos considerados complexos, conforme
rede. Se observarmos o circuito da figura 3-10,
veremos mais tarde nesse assunto referente a
vamos notar que existem pontos comuns a
anlise de circuitos.
diversos condutores, ou geradores, ou
receptores. A exemplo temos os pontos a, c, e e
ELEMENTOS DE CIRCUITOS
f. Portanto, o N o ponto de concorrncia de
Denomina-se elemento de um circuito o trs ou mais braos.
menor componente individual, que
c) Brao ou Ramo
considerado na resoluo de um problema. Tal
elemento pode ser uma simples resistncia, uma Qualquer poro de uma estrutura (de
f. e. m., ou ainda um valor equivalente um circuito), ligando diretamente dois ns, sem
associao de diversas resistncias ou tenses. passar atravs de um terceiro, chama-se brao
Na figura 3-10 temos uma representao ou ramo. Na figura 3-10, podemos observar que
esquemtica para ilustrar os elementos de um os elementos E1 e R1, por exemplo, constituem
circuito. um ramo que une os ns a e c; da mesma forma,
o elemento R2 forma o ramo que une os ns c e
f. Em um brao ou ramo, todos os elementos
que nele figuram esto em srie. Neste circuito
temos seis braos.
d) Lao de Circuito
Observando a figura 3-10, notamos um
circuito fechado a, b, c, f, a, incluindo E1, R1,
R2 e R6. Isto constitui exemplo do lao ou
loop. Desta forma podemos dizer que o lao
a combinao de todos os elementos formadores
Figura 3-10 Diagrama para ilustrar os elementos de um circuito fechado. Outros exemplos de
de um circuito lao: abcdefa, fcdef, etc.
Na figura 3-10, E1, E2, E3, R1, R2, R3 e e) Malha
R4 so elementos do circuito. importante Podemos dizer que a malha o menor
ressaltarmos que E1, E2 e E3 podem representar lao. A malha nada mais do que um lao, que
uma simples pilha, um gerador, ou mesmo uma no pode ser subdividido em outros. So
fonte eletrnica (um retificador, por exemplo). exemplos de malhas: abcfa, fcdef e afegha.
Da mesma forma, R!, por exemplo, tanto Portanto, a malha todo circuito
pode ser um simples resistor, quanto a fechado que possa ser considerado dentro da
resistncia CC de um indutor, etc. rede, que no pode ser dividido.

3-4
TEOREMAS DAS ESTRUTURAS Em outras palavras: a soma
ELTRICAS algbrica de todas as quedas de potencial e a
f.e.m. devem ser iguais a zero. R x I E = 0
Os teoremas a serem abordados aqui,
sero enumerados sem qualquer comprovao. 2. Aplicao das Leis de Kirchoff
Existem quatro teoremas largamente
Para aplicarmos as leis de Kirchoff aos
empregados na anlise de circuitos, e que
circuitos eltricos, levamos em conta o sentido
constituem a base para muitos outros teoremas
do fluxo de eltrons atravs desses circuitos. Em
existentes, So eles: Leis de Kirchoff, Teorema
conseqncia usamos normalmente sentidos
de Thvenin, Teorema de Norton e Teorema de
arbitrrios de circulao, desde que no sejam
Superposio.
evidentes os sentidos reais.
1. Leis de Kirchoff
Devemos empregar, por exemplo, a lei das
Fundamentalmente existem duas Leis de correntes ou lei dos ns, a fim de reduzirmos o
Kirchoff para o estudo das estruturas: nmero das correntes desconhecidas. Em
seguida escrevemos uma equao de Kirchoff
a) Primeira Lei de Kirchoff ou Lei dos relativa segunda lei, ou lei das malhas, para
Ns cada circuito fechado do conjunto; e assim
prosseguimos, escrevendo equaes de modo
A soma das correntes que entram que cada elemento do conjunto seja usado pelo
em um n, igual soma das correntes que menos uma vez em uma das equaes. Deste
saem do n. o que nos ilustra a figura 3-11. modo, resolveremos as equaes resultantes,
determinando, em seguida, o valor de cada
corrente.
De um modo geral, possvel prescrever
vrias regras que nos levem a escrever equaes
de tenso, ou mesmo de corrente, para qualquer
circuito, todas conduzindo-nos a um resultado
correto. Entretanto, para atender nossos
objetivos, iremos nos limitar s seguintes regras:
a) uma rede contendo b ramos, necessita
Figura 3-11 Ilustrao da primeira Lei de de b equaes para a soluo do
Kirchoff problema, j que, para cada ramo h
Da mesma forma, vlido enunciar uma corrente.
que: a soma algbrica das correntes que entram b) comeamos sempre aplicando
e saem de um n nula. Ento podemos inicialmente a lei dos ns.
escrever inicialmente, que:
i i  i i  i c) se houver n ns aplicamos a primeira
1 2 3 4 5
lei n-1 vezes, conseguindo n-1
ou ento: equaes independentes entre si.
i1  i2  i3  i4  i5 0 d) em virtude de serem necessrias b
equaes e a primeira lei ser utilizada
b) Segunda Lei de Kirchoff ou Lei das n-1 vezes, podemos aplicar a segunda
Malhas lei, b-(n-1) vezes, ou seja, igual ao
nmero de malhas.
Esta lei relativa s tenses,
podendo ser enunciada da seguinte maneira: e) devemos atribuir, arbitrariamente, um
sentido para a corrente em cada brao
Em qualquer circuito eltrico
ou ramo do circuito.
fechado, a soma algbrica das quedas de
potencial deve ser igual soma algbrica das f) necessrio atribuirmos, tambm, um
elevaes de potencial. sentido de percurso para cada malha.
R . I (Queda de potencial) = E (Ele- g) a fora eletromotriz ter sinal
vao de potencial) positivo, desde que no se oponha ao

3-5
sentido de percurso adotado; isto , os produtos iR e iR so todos antecedidos de
2 1
ter sinal positivo quando o sentido
um sinal positivo.
do percurso bater no plo positivo da
Assim, podemos afirmar, para o circuito
bateria.
da figura 3-12, que:  E  iR1  iR2  iR3 .
h) quando um resistor for percorrido Isto est de acordo com a 2 Lei de
por uma corrente que tenha o mesmo Kirchoff, que diz: Em qualquer circuito
sentido que aquele arbitrado para o fechado, a soma algbrica das quedas de
percurso, o produto I x R ser potencial deve ser igual soma algbrica das
positivo. Em caso contrrio, esse elevaes de potencial.
produto ser negativo. Conforme j dissemos anteriormente, as
i) se obtivermos um resultado negativo elevaes de potencial so as fontes E. No
de corrente, isto significar que o nosso exemplo, em questo, s existe uma
sentido arbitrado inicialmente fonte, embora pudesse haver mais de uma, como
oposto ao verdadeiro; entretanto, o teremos oportunidade de ver em exemplos
valor numrico no se alterar. subseqentes.

(1) Exerccios de fixao (b) Seja, agora, o circuito da


figura 3-13.
(a) Seja o circuito da figura 3-12
no qual queremos aplicar as leis de Kirchoff.
Sentido do
percurso
adotado
Sentido do
percurso
adotado

Figura 3-13 Circuito para anlise das leis de


Kirchoff

Figura 3-12 Circuito para anlise das Leis de O circuito da figura 3-13 ainda
Kirchoff relativamente simples, contendo dois geradores:
E e E . Observemos o sentido de percurso
Observando o circuito da figura 3-12, 1 2
vemos que se trata de um circuito bastante adotado. o sentido ABCDA. Partindo do
simples. Trata-se de um circuito srie contendo ponto A, seguindo a direo ABCDA, notamos
um nico gerador. que a ponta da seta indicadora do percurso
Agora, precisamos atribuir um sentido aponta para o positivo da fonte E . Esta seta
1
arbitrrio para a corrente, dentro da malha, no vai de encontro ao negativo de E . Assim
conforme ilustrao na figura 3-12. necessrio 1
que atribuamos, tambm, um sentido de sendo, encontramos, a partir do ponto A, a
percurso, para o nosso circuito. primeira tenso E , que positiva, e vai ser o
1
Suponhamos, ento que o nosso percurso primeiro termo da nossa equao. Continuando
seja este: ABCDA. Deste modo, partindo do nosso movimento de acordo com a orientao
ponto A, e movendo-se na direo ABCDA, indicada, vamos encontrar o segundo termo do
encontramos, inicialmente, a tenso E, que primeiro membro de nossa equao. Trata-se da
positiva no ponto A. Da, dizemos que a fonte E fonte E .S que tem um detalhe: a ponta da seta
2
tem sinal positivo, porque ela no se ope ao
sentido arbitrado para o percurso. Portanto, o vai de encontro ao negativo da fonte.
primeiro termo de nossa equao +E. Ento, ns dizemos que a f.e.m. est se
Vejamos, em seguida, as quedas do opondo ao sentido de percurso adotado. Por este
potencial (i.R): ora, no nosso exemplo, a motivo o 2 termo de nossa equao negativo
corrente que passa pelos resistores tem o mesmo (  E ) . Quanto aos produtos iR, todos sero
2
sentido que o arbitrado para o percurso. Logo, positivos, pois a corrente i, que passe pelos

3-6
resistores, tem sentido igual ao arbitrado para o Uma vez achada a corrente, as quedas de
percurso. potencial podem ser facilmente encontradas.
Portanto, de acordo com a 2 Lei de importante observarmos que, se o
Kirchoff, podemos dizer que: sentido da corrente fosse arbitrado ao contrrio,
certamente teramos um resultado positivo para
E E iR  iR
1 2 1 2 a corrente, indicando, desta forma, que o sentido
arbitrado anteriormente para i, estaria errado.
Invertendo as posies dos membros da
Em ambos os casos, o resultado da corrente, em
equao e colocando o fator i em evidncia,
mdulo o mesmo.
temos:
iR  iR
1 2
E E
1 2
(d) O circuito que analisaremos,
agora, j no to simples quanto os trs
i (R  R ) E E primeiros.
1 2 1 2

Agora, tirando o valor de i, vem:


E  E
1 2 Sentido do
i
R  R percurso
1 2
nas malhas
(c) Vejamos na figura 3-14 um I e II
circuito idntico ao anterior, sendo que seus Figura 3-15 Circuito para clculo das leis
elementos tm valores numricos. de Kirchoff

Cabem aqui, algumas consideraes


Sentido importantes, a saber:
de per-
curso
1. Como existem dois ns, D e C,
adotado temos uma equao para a
primeira lei, ou Lei dos Ns.
Observando o circuito notamos
que a corrente I1 se subdivide em
I2 e I3 ; portanto: I1 = I2 + I3
Figura 3-14 Circuito para comprovao das (primeira equao).
Leis de Kirchoff
2. No circuito temos 2 malhas,
Adotando o sentido ABCDA para o portanto a segunda lei ser escrita
percurso, bem como o sentido adotado para a duas vezes.
corrente, e aplicando a segunda lei de Kirchoff,
3. Como no circuito h trs ramos,
teremos:
teremos 3 equaes: uma para a
corrente e duas para as tenses.
+E1 E2 = iR1 + iR2 + iR3
4. Aplicando a segunda lei na malha
Colocando i em evidncia e tirando o I, adotando o percurso ABDCA,
seu valor na equao, teremos: obtemos:
-E1 = -I1R1 I3R3 ?
E1  E2
i -10V = -20I1 10I3 (segunda equa-
R1  R2  R3 o)

Substituindo o numerador e o 5 Aplicando a segunda lei na malha


denominador por seus respectivos valores, vem: II, adotando o percurso CDFEC,
obtemos:
4V  8V +E2 = +I1R1 + I2R2 ?
i i  0,25 A
2: 10:  4: +10V = 20I1 + 10I2 (terceira
equao)

3-7
6 Temos ento trs equaes com
incgnitas. Para resolvermos
devemos fazer uso de um mtodo
simples conforme se segue.
(a) Substitumos a primeira
equao (corrente) em uma das
equaes de tenso, obtendo uma Figura 3-16 Circuito para anlise das leis de
quarta equao de tenso. Kirchoff
Substitumos o valor de I3 na Para encontrarmos os valores de I1, I2
segunda equao teremos: e I3, seguiremos os sete passos
I 3 = I 1 I2 seguintes.
+10 = + 20I1 + 10(I1 I2) ? 1 Pela primeira Lei de Kirchoff, ou
Lei dos Ns, obtemos a seguinte
+10 + 30I1 10I2 (quarta
equao: I3 = I1 + I2 (equao I)
equao). Esta quarta equao
possui as mesmas incgnitas que a 2 Na malha I, pela segunda Lei de
terceira equao, assim podemos Kirchoff, obtemos:
compara-las, arranja-las e soma- -E2 = I1R1 I2R2
las, obtendo: -5V = 5I1 5I2 (equao II)
20 = 50I1 ? 2 = 5I1 ? 3 Na malha II, pela segunda Lei de
I1 = 2/5 A = 0,4 A Kirchoff, obtemos:
(b) Substitumos I1 na segunda E1 + E2 = I2R2 + I3R3
equao e obtemos: 10V = 5I2 + 5I3 (equao III)
10 = 20 x 0,4 + 10I3 ? 4 Substitumos a equao I na
10  8 equao III:
10 = 8 + 10I3 ? I 3 10V = 5I2 + 5(I1 + I2)
10
10V = 5I2 + 5I1 + 5I2
I3=0,2A
10V = 5I1 + 10I2 (equao IV)
(c) Como I1 = I2 + I3 Comparamos a equao IV com
a equao de tenso que ainda
I2 = I1 I3 = 0,4 0,2 = 0,2A no foi usada, que a II, que
possui as mesmas incgnitas que
ou substituindo I1 na terceira a equao IV. Se multiplicarmos
equao obtemos: a equao II por 1 podemos
cancelar I1 e encontrar o valor de
+10 = 20I1 + 10I2 ? I2 .
Somando II com IV, obtemos:
+10 = 20 x 0,4 + 10I2 ?
5V = - 5I1 + 5I2
I2 = 0,2A 10V = +5I1 + 10I2
15V = 15I2
7 Verificando a primeira equao ? I2 = 1A
I1 = I2 + I3 ento 0,4 =
5 Aplicando o valor de I2 na
0,2A+0,2A. Esta equao est
equao II obtemos o valor de I1:
correta com o resultado que
obtemos. Podemos tambm -5V = 5I1 5I2
verificar a igualdade de todas as -5V = 5I1 5
equaes e chegamos concluso
5I1 = 0 ? I1 = 0
que esto corretas.
6 Aplicando o valor de I2 na
e) Analisemos, agora, o circuito da equao III obtemos o valor de I3
figura 3-16. 10V = 5I2 + 5I3

3-8
10V = 5V + 5I3 DIVISOR DE TENSO E DIVISOR DE
CORRENTE
5I3 = 10V 5v
Afim de melhor compreender como surgiro
5I3 = 5V ? I3 = 1A as frmulas de tenso e corrente nos teoremas de
7 Fazendo a verificao de cada Thvenin e Norton analisaremos os divisores de
equao teremos: tenso e corrente, conforme demonstrado a seguir.
a. I3 = I2 + I1 ? 1A = 1A + 0 Divisor de tenso
b. -5V = 5I1 5I2
-5V = 5 x 0 5 x 1A
-5V = -5V
c. 10V = 5I2 + 5I3
10V = 5 x 1A + 5 x 1A
10V = 5V + 5V
10V = 10V Figura 3-17 Divisor de tenso
d. 10V = 5I1 + 10I2
10V = 5 x 0 + 10 x 1A No circuito da figura 3-17 temos:
10V = 10V ET = E1 + E2 e IT = I1 = I2
Todas as equaes formam uma ET E E2
IT ; I1 1 ; I 2
igualdade e chegamos R1  R2 R1 R2
concluso que esto corretas.
ET E1 E2
Mtodo para resolver Kirchoff com duas
malhas: R1  R2 R1 R2

1- Tirar uma equao para as correntes; a) Clculo de E1 :


ET E1 ET x R1
2- Tirar duas equaes para a tenso, ? E1
uma equao para cada malha; R1  R2 R1 R1  R2

3- Substituir a equao das correntes em b) Clculo de E2 :


uma das equaes de tenso obtendo ET E2 ET x R2
uma quarta equao; ? E2
R1  R2 R2 R1  R2
4- Esta quarta equao possui as mesmas
incgnitas que a equao de tenso
que no foi usada; c) A finalidade do divisor de tenso nos
proporcionar o clculo de queda de
5- Preparamos esta quarta equao e tenso nos resistores sem o uso da
somamos com a equao ainda no corrente do circuito.
usada eliminando uma das incgnitas e
encontrando o valor de uma das
correntes; Divisor de corrente

6- Por substituio obtemos os outros


valores de corrente do circuito;
7- Fazemos a verificao de todas as
equaes da resoluo do problema e
se todas formarem uma igualdade os
resultados estaro corretos;
8- Observao: Em todas as substituies
considere o mdulo e o sinal
encontrados. Figura 3-18

3-9
No circuito da figura 3-18 temos: desejamos encontrar o valor e o sentido das
IT = I1 + I2 e ET = E1 = E2 correntes em R1, R2 e R3.
R1 x R2
ET IT x ; E1 I1 R1 ; E2 I 2 R2 ?
R1  R2
R1 x R2
IT x I1 R1 I 2 R2
R1  R2
a) Clculo de I1
R xR Figura 3-19
IT x 1 2 I1 R1
R1  R2
R1 x R2 Primeiramente usaremos E1 e
x IT substituiremos E2 por um curto (consideramos
R1  R2 R1 x R2 x IT 1 E2 com Ri = 0).
I1 x
R1 R1  R2 R1
1
IT x R2
I1
R1  R2
b) Clculo de I2
R 1 x R2
IT x I 2 x R2 Figura 3-20
R1  R2
R1 x R2 R2 x R3
IT x RT = R1 + 63 9:
R1  R2 R1 x R2 x IT 1 R2  R3
I2 x
R2 R1  R2 R2
ET = R1 = 4V
1
IT x R1 4V
I2 I T I R1 0,444 A
R1  R2 9:
c) A finalidade do divisor de corrente As correntes no circuito ficam como
nos proporcionar o clculo da corrente distribudas a seguir:
que passa por um brao do circuito
sem o uso da tenso do circuito.

TEOREMA DA SUPERPOSIO

Enunciado

O teorema da superposio estabelece que Figura 3-21


em qualquer rede contendo uma ou mais fontes
de tenso (e/ou corrente), a corrente em Em seguida usaremos E2 e substituiremos
qualquer elemento do circuito a soma E1 por um curto (tambm consideramos R1 de
algbrica das correntes que seriam causadas por E1 = 0).
cada fonte individualmente, estando as demais
substitudas por suas respectivas resistncias
internas.

Aplicao

Para ilustrar a aplicao do teorema


vamos analisar o circuito da figura 3-19, onde Figura 3-22

3-10
R1 x R2 TEOREMA DE THVENIN
RT R3  63 9:
R1  R2
Nem sempre as leis de Ohm e de Kirchoff
ET = E2 = 6 V constituem a ferramenta necessria para a
resoluo de circuitos mais complexos.
6V
IT I R 3 0,666 A O teorema de Thvenin faz parte de um
9 grupo de teoremas sobre estruturas eltricas
As correntes no circuito ficam como complexas, possibilitando-nos meios mais
distribudas na figura 3-23: eficazes para a anlise simplificada de circuitos
dessa natureza.
A tcnica utilizada possibilita a reduo
de um circuito complexo a um circuito
equivalente simples, que passa a atuar como a
rede original.
O teorema de Thvenin pode ser
enunciado da seguinte maneira: qualquer rede
de dois terminais pode ser substituda por um
circuito equivalente simples, constitudo por um
gerador, chamado gerador de Thvenin, cuja
Figura 3-23 tenso ETH, atuando em srie com sua
resistncia interna RTH, obriga a corrente a fluir
Como ltimo passo fazemos a atravs de uma carga (Ver a figura 325 b).
superposio das correntes causadas por E1 e
por E2.
Em R1 a corrente real ser a soma
algbrica de 0,444A e 0,333A no mesmo a
sentido, de F para A, de onde IR1 = 0,777 A.
Em R2 obtemos 0,333A de E para B, e
0,222A de B para E;. O resultado final de
0,111A no sentido de E para B.
Em R3 obtemos 0,222A e 0,666A no
mesmo sentido, de C para D, de onde IR3 =
0,888A. b
O resultado final est mostrado a seguir na
figura 3-24.
Verificao:
IR3 = IR1 + IR2 Figura 3-25
0,888A = 0,777A + 0,111A. Os circuitos a seguir nos mostram uma
De acordo com a primeira Lei de Kirchoff sequncia de operaes, que visam a determinar
est correto. os dois elementos fundamentais constituintes do
teorema de Thvenin, ou seja, ETH e RTH.

Figura 3-24 (a)

3-11
terminais de carga aberta, quando olhamos para
a rede original, estando as fontes de tenso do
circuito substitudas por suas resistncias
internas.
A figura 3-26c, ilustra o que acabamos de
mencionar. Neste caso, a fonte foi curto-
circuitada e o circuito passou a ter: R1 em srie
(b)
com R2; e as duas em paralelo com R3. Deste
modo, a resistncia equivalente entre os pontos
A e B 100:, que a resistncia de Thvenin.
3 Agora, resta-nos fazer o equivalente
de Thvenin, para o circuito da figura 3-26 a.
o que nos mostra a figura 3-26d.
A temos uma fonte de tenso de 50V, que
(c) o gerador de Thvenin; em srie com esta
fonte temos uma resistncia, que a de
Thvenin (100:).
Este circuito, portanto, capaz de fazer
fluir uma corrente (iL) atravs de uma carga
(RL), substituindo o circuito da figura 20a.
Para calcularmos a corrente iL no circuito
(d) da figura 3-26d s empregar a Lei de Ohm:

200 (195  5) ETH 50V


RTH 100: iL # 0,111A
200  195 5 RTH  RL 100:  350:
Figura 3-26
Bem, agora, perguntamo-nos: que
Vejamos agora, algumas regras usadas na vantagem seria empregarmos tal mtodo na
determinao de ETH e RTH: resoluo dos circuitos, uma vez que,
1 Entendemos por tenso de Thvenin aparentemente as coisas se tornaram mais
(ETH) aquela tenso vista nos terminais de complicadas, pois se trata de um circuito muito
carga, no circuito original, estando a resistncia simples, podendo ser resolvido pela aplicao
de carga removida, isto , tenso em circuito das leis de Ohm e de Kirchoff ?
aberto. o que nos ilustra a figura 3-26 b. Realmente, para o circuito que acabamos
Conforme observamos na figura 3-26 b, de analisar, isto constitui uma verdade.
para calcularmos a tenso de Thvenin (ETH), Entretanto a veracidade do teorema de Thvenin
removemos a carga RL. Neste caso a tenso de torna-se evidente se modificarmos o circuito.
Thvenin a tenso vista nos terminais em Para isto, vamos supor que quisssemos
circuito aberto A-B. Isto significa que a tenso achar o valor da corrente IL quando RL
de Thvenin a prpria queda de tenso em R3. assumisse diversos valores, como por exemplo:
Assim, basta calcularmos a corrente total do
circuito e multiplicamos por R3: RL1 = 20:
RL2 = 50:
E RL3 = 100:
VR3 it x R3 x R3
R1  R2  R3 RL4 = 1200:
100V
x 200 : 50V Se fssemos aplicar as leis de Ohm e de
5 : 195 :  200 :
Kirchoff, por exemplo para calcular a IL em
Portanto, temos que: VR3 = VAB = cada RL diferente, no resta dvida que seria
um trabalho bem laborioso. Entretanto,
ETH = 50 V calculando o equivalente de Thvenin,
2 Quanto resistncia de Thvenin facilmente determinamos os valores de corrente
(RTH), trata-se da resistncia vista dos para cada valor diferente de RL, uma vez que

3-12
ETH e RTH, so grandezas independentes do
valor de RL.
Vejamos mais um exemplo bem simples,
de aplicao do teorema de Thvenin, para em
seguida entrarmos na anlise de circuitos mais
complexos.

Figura 3-29 Ilustrao do teorema de Thvenin

Precisamos encontrar o equivalente de


Thvenin para o circuito da figura 3-29. Vamos
abrir o circuito nos pontos A e B, pois R2
Figura 3-27 representa nossa RL. O circuito passa a ser
como o da figura 3-30.
Para calcularmos a tenso de Thvenin
(ETH), basta acharmos a tenso entre os pontos
A e B. Portanto, ao retirarmos RL do circuito, a
E
tenso VAB =ETH = x R2
R1  R2
E x R2 E x R2
= x ETH sendo igual a Figura 3-30 R2 removida do circuito
R1  R2 R1  R2
As fontes E1 e E2 esto em oposio. Logo
equivale f.e.m. do gerador equivalente de a corrente total ser:
Thvenin.
Agora, com a fonte E em curto-circuito, 20V 10V 10V
It 0,5 A
passemos ao clculo de RTH, que por natureza 15:  5: 20:
R1 x R2 Esta corrente, passando em R3 produzir
do circuito, ser: RAB RTH
R1  R2 uma queda de tenso de 2,5,V; e passando em
R1 produzir uma queda de tenso de 7,5 V.
Finalmente, teremos o circuito equivalente Assim, j podemos achar a tenso VAB que ser
de Thvenin, seguido dos seus elementos 12,5 V, conforme ilustrado na figura 3-31.
fundamentais, (RTH e ETH), conforma a figura
3-28 a seguir.

Figura 3-31 Potencial entre os pontos A e B,


igual a 12,5 V

Pelo exposto no circuito da figura 3-31,


Figura 3-28 observamos que a fonte E1 que determina o
fluxo de corrente, pois esta fonte tem valor
R1 x R2 E x R2 maior que E2. Assim sendo, de acordo com o
RTH ETH sentido de corrente estabelecido, temos que,
R1  R2 R1  R2 pelo lado de E2, a tenso VAB = E2 + VR3, pois
estas duas tenses esto em srie e se somam,
Vamos supor que quisssemos calcular a dando VAB = 12,5 V.
potncia dissipada no resistor R2 do circuito da Pelo lado de E1, a tenso VAB = E1 - VR1,
figura 3-29, aplicando o teorema de Thvenin. pois estas duas tenses esto se opondo.

3-13
Logo: VAB = 20V 7,5V; ou VAB =
12,5V. Portanto, sendo VAB = 12,5V,
conclumos que a tenso de Thvenin 12,5V.
Agora vamos calcular a resistncia de
Thvenin. E s abrir o circuito da figura 3-29
nos terminais A e B e curto-circuitar as fontes
E1 e E2.
O circuito ficar como o da figura 3-32a e
3-32b. Figura 3-34 a

(b)
b

Figura 3-32

Assim, podemos fazer o equivalente de


(c)
Thvenin para o circuito da figura 3-29, usando
o circuito da figura 3-33.

(d)

Figura 3-33 Equivalente de Thvenin

Deste modo, ficou fcil calcularmos a


potncia de R2 s achar a corrente total,
elevar ao quadrado e multiplicar por R2. Isto
pode ser feito da seguinte maneira: (e)

ETH
It ; (It)2 x R2 = P2. Ou seja:
RTH  R2
12,5V 2
P2 ( ) x 10: 8,28W .
13,75 :
Outros exemplos

Exemplo 1 (f)
Vamos encontrar o equivalente de
Thvenin do circuito da figura 3-34 a. Figura 3-34 Ilustrao do teorema de Thvenin

3-14
Soluo:
Primeiro removemos a carga. Ento,
determinamos a Resistncia de Thvenin
(RTH), substituindo o gerador pela sua
resistncia interna, conforme nos mostra a parte
b. A rede fica ento simplificada (parte c).
A tenso em circuito aberto, ETH,
determinada deixando-se a carga desconectada Figura 3-35 e
(circuito aberto em A-B). Nestas condies
temos 3V em A-B (parte d).
Esta tenso de circuito aberto
representada como um gerador de tenso
constante (parte e). Finalmente, temos os
circuitos das partes c e e, que so
combinados para produzir o Equivalente de
Thvenin, conforme a parte f. Figura 3-35f

Figura 3-35 Ilustrao do Teorema de


Exemplo 2 Thvenin
Vamos encontrar o Equivalente de
Thvenin do circuito da figura 3-35 a. Soluo ;
Vamos remover a carga. Em seguida,
olhando para dentro dos terminais A e B,
determinemos a resistncia de Thvenin (b).
Deste modo, o gerador de corrente de 10A foi
substitudo por uma resistncia infinita (circuito
aberto). Utilizando a frmula a seguir,
(R  R ) R
RTH R4  1 2 3 , podemos encontrar a
Figura 3-35 a ( R1  R2 )  R3
resistncia equivalente, que a resistncia de
Thvenin. Pela parte b podemos observar que
R1 e R2 esto em srie, e ambas esto em
paralelo com R3.. A resultante deste conjunto
est em srie com R4. Ento, substituindo na
frmula os valores das resistncias, teremos (na
parte c):

Figura 3-35 b (100  500) 200


RTH 1K  =
(100  500)  200
600 x 200
= 1000  1000 150 ? RTH = 1150:
800
Na parte d observamos que uma poro
da corrente do gerador produz uma queda de
Figura 3-35 c voltagem em R3. Alis, no flui corrente em R4,
pois o circuito est aberto neste ponto. Em
consequncia, a corrente de R2 a mesma de R3.
Assim, a queda de tenso em R3 a tenso de
Thvenin, pois a tenso em circuito aberto.
Observando, portanto, a parte d, notamos que
10A entram no circuito pelo gerador. Temos
dois ramos de corrente, I1 e I2, uma vez que A-B
Figura 3-35d est aberto, conforme j mencionamos.

3-15
O ramo de I2 possui uma resistncia de
700: e o outro 100:. O ramo de R3 o que nos
interessa, uma vez que precisamos conhecer a
queda de tenso em R3. Sabemos que correntes
em ramos paralelos se dividem inversamente
proporcionais s resistncias. Portanto, podemos
afirmar que em R1 passa uma corrente sete
vezes maior que a do ramo de R2 com R3, pois
R1 = 100:, e R2 + R3 = 700:. Isto nos leva a
escrever o seguinte:
I1 + I2 = It = 10A Figura 3-36
I1 = 7 I2
10 Pela figura 3-36b observamos que a
7 I2 + I2 = 10A; 8 I2 = 10A ? I 2 1,25 A corrente de Norton (In) distribuda entre a
8
resistncia de Norton (Rn) e a resistncia de
Mas, I2 = I3 = 1,25A. Ento, VR3 = I3 x R3 = carga (RL). Podemos observar pelo circuito da
= 1,25 x 200 = 250V. Assim, VR3 = VAB = figura 3-36b, que: ERL = ERn. Ora, ERL = IL x
= ETH = 250V. RL; ERn = I1 x Rn e In = I1 + IL. Assim sendo
, podemos estabelecer a seguinte proporo:
Na parte f temos o equivalente de
Rn IL
Thvenin, constitudo por um gerador de tenso .
constante e sua resistncia interna. RL I1
Aplicando uma das propriedades das
TEOREMA DE NORTON propores, teremos:

At aqui observamos o uso do teorema de Rn  RL IL  I1


ou, ento, IL(Rn + RL) =
Thvenin na simplificao da anlise dos Rn IL
circuitos de malhas complexas, pela substituio
do circuito original por um circuito equivalente Rn ( IL  I1) Rn x In
= Rn(IL + I1) ? IL = .
envolvendo uma fonte de tenso constante, e o Rn  RL Rn  RL
gerador de Thvenin (ETH), atuando em srie
com uma resistncia interna (RTH). Portanto, para calcularmos a corrente em
O gerador de Thvenin fornece corrente RL, basta usarmos a frmula:
resistncia de carga RL. In x Rn
Estudaremos agora, o teorema de Norton, IL
que emprega uma tcnica bem semelhante Rn  RL
empregada pelo teorema de Thvenin, e que
pode ser enunciado do seguinte modo: Dois Seja agora, o circuito da figura 3-37
terminais de uma rede podem ser substitudos
por um circuito equivalente, que consiste de um
gerador de corrente constante In, em paralelo
com sua resistncia interna Rn.
Na figura 3-36 vemos uma malha original
atuando como um bloco bem como seu circuito
equivalente.
Figura 3-37a

Figura 3-37b

3-16
Figura 3-37c

Figura 3-38

Inicialmente, estabelecendo um curto-


circuito em RL, forosamente R3 ficar em
curto, o que nos permite empregar a seguinte
Figura 3-37d frmula:

Vamos determinar o equivalente de E 100V 100V


Norton para o circuito da figura 3-37. IN 500m A
R1  R2 5:  195: 200:
Para isto, inicialmente, coloquemos A e B
em curto-circuito, ou seja, daremos um curto em
RL.
Deste modo, a corrente externa ser:
E
I AB I N . Em seguida achemos a
R1
R1 x R2
resistncia de Norton: RAB , estando a
R1  R2 Figura 3-39
fonte em curto-circuito (3-37c).
Assim, podemos escrever duas regras O circuito da figura 3-39 ilustra o que
simples, para determinao da corrente e da acabamos de mencionar. A corrente IN a
resistncia de Norton: corrente que flui no curto-circuito (RL = 0).
a) A corrente de Norton IN uma Em seguida, calculamos a resistncia de
corrente constante que flui num Norton. Para tal, podemos utilizar o circuito da
curto-circuito entre os terminais figura 3-40.
da resistncia de carga, quando
esta substituda por um curto-
circuito (figura 3-37b).
b) A resistncia de Norton RN
aquela resistncia vista dos
terminais da carga aberta,
olhando-se para a malha, quando
sua fonte de tenso substituda
por sua resistncia interna (RN Figura 3-40
definida da mesma maneira que a
resistncia de Thvenin RTH), Desta forma, teremos:
conforme a figura 3-37c. Na
figura 3-37d temos o equivalente 200(5 195)
de Norton: um gerador de RN = RAB = 100 Ohm
200  (5 195)
corrente constante IN com sua
resistncia interna, em paralelo
Finalmente, observando o circuito da
RN.
figura 3-41, temos o circuito equivalente,
Consideremos o circuito da figura 3-38, contendo a corrente de Norton, a resistncia de
no qual desejamos calcular a IN, RN e IL. Norton e a corrente IL.

3-17
A corrente de Norton, na realidade, a
corrente que passa em R4, estando RL em curto.
Sendo It = 1,8 A, IN ser: It IR3. Ou ento,

ER 3 12V
IN 0, 6 A.
R4 20 :

Passemos agora ao clculo de RN, que a


Figura 3-41
resistncia vista dos terminais da carga aberta:
Pelo que j conhecemos, IL facilmente
( R1  R2 ) x R3
pode ser calculada da seguinte maneira: RN R4 
R2  R1  R3
I N x RN 500 x 10 3 x 100 10 x 10
IL 111mA 20  25 Ohms
RN  RL 100  350 20
E, agora, de acordo com a figura 3-42b,
Vejamos mais um exemplo simples de passemos ao clculo de It. Portanto, IL =
aplicao do Teorema de Norton, ilustrado na
figura 3-42. 0, 6 x 25
0,12 A
25  100

Outros exemplos:
Vamos achar o equivalente de Norton da
figura 3-43a.

Soluo: Inicialmente vamos encontrar a


resistncia de Norton que, conforme j
Figura 3-42a mencionamos anteriormente, definida da
mesma maneira que a resistncia de Thvenin
(RTH). Portanto, abrindo o circuito da partea
nos pontos A e B, temos dois resistores de 6:
em paralelo, conforme nos mostra a figura 3-
43b. Na figura 3-43c temos a resistncia
equivalente (RN).

Figura 3-42b

Primeiramente daremos um curto-circuito


em RL, no circuito da figura 3-42a, para
calcularmos a IN. Deste modo, teremos R3 em
paralelo com R4 e a resultante das duas, em
srie com R1 e R2.
Assim, teremos uma Rt = Figura 3-43a

R3 x R4 10 x 20
R1  R2  1 9 
R3  R4 10  20
10  6,67 16,67 Ohms. ? Rt 16,67 Ohms,

Ea 30
Portanto, I t = 1, 8 A
It 16, 67 Figura 3-43b

3-18
Figura 3-43c
Figura 3-44b

Figura 3-43d
Figura 3-44c

Figura 3-43e Figura 3-44d

Figura 3-44e
Figura 3-43f
Figura 3-43 Ilustrao do Teorema de Norton
Para calcularmos a corrente de Norton (IN)
basta colocarmos um curto entre os pontos A e
B da figura 3-43d. A corrente no curto-circuito
a corrente de Norton. Neste caso, IN igual
corrente total, podendo ser calculada assim: Figura 3-44f
6V
IN 1 A. Ento, na partec temos a Figura 3-44 Ilustrao do Teorema de Norton
6
corrente equivalente de Norton (IN). Juntando a
Soluo: Na figura 3-44b a carga foi
resistncia equivalente (parte c) corrente
removida. A, temos R1 em srie com R2. Estes
equivalente (parte e), formamos o equivalente
dois resistores esto em paralelo com R3. Este
de Norton (figura 3-43 f).
conjunto est em srie com R4. Portanto, o
Vamos encontrar o equivalente de Norton clculo da resistncia equivalente de Norton
da figura 3-44a. (RN) pode ser feito do seguinte modo:
( R  R2 ) x R3
RN R4  1
( R1  R2 )  R3
600 x 200
1K  1K  150: 1150:
800
A partec nos mostra o que acabamos de
Figura 3-44a demonstrar.

3-19
Ao colocarmos a fonte de corrente no Recordemos, agora, as frmulas j vistas
circuito (10A), e substituirmos RL por um anteriormente para o clculo de IL, em ambos os
curto-circuito(figura 3-44d), vamos procurar a circuitos da figura 3-41.
corrente de Norton (IN). A corrente de Norton
a mesma que flui nos terminais da carga em
curto.
Fazendo uma observao da figura 3-44d
vemos que a corrente total It se distribui do
seguinte modo: It = I1 + I2. E que I2 = I3 + I4.
Ocorre que I4 = IN, ou seja, I4 igual
corrente de curto-circuito equivalente.
Resolvendo, inicialmente, o circuito da figura 3-
44d por I2, temos: a

R1
I2 It
R3 x R4
R1  ( R2  )
R3  R4
100
10 ?
200 x 1 K
100  500 
1200
b
100
I2 10 1, 305 A
100  500  166, 67
Agora, resolvendo por I4, teremos: Figura 3-45 Converso Norton para Thvenin e
vice-versa
R3 200 Na figura 3-45, por exemplo, temos na
I4 I2 1, 305 0, 217 A E
R3  R4 200  1 K parte a IL = ,
RTH  RL
Logo, I4 = IN = 0, 217 A I N x RN
e na parte b temos: I L
RN  RL
O gerador equivalente de Norton
mostrado na figura 3-44 f. Uma vez que nos propomos a estabelecer
uma equivalncia entre a e b da figura 3-45,
CONVERSO DO EQUIVALENTE DE teremos:
NORTON PARA O DE THVENIN E E I N x RN
.
VICE-VERSA RTH  RL RN  RL

s vezes, por questes de convenincia, Fazendo RTH = RN = r , teremos:


torna-se mais fcil solucionar certos problemas
de anlise de circuitos empregando um mtodo E IN x r
de equivalncia entre geradores de corrente e de r  RL r  RL
tenso.
Para isto, recomendvel adotarmos uma
Agora, eliminando o denominador da
equivalncia entre uma fonte de tenso e uma
equao, vem:
fonte de corrente.
Considerando os circuitos da figura 3-45,
(IN x r) (r + RL) = E (r+RL).
vamos observar que em a temos um gerador
de tenso e em b, um gerador de corrente.
Tirando o valor de IN , temos:
Nestes dois circuitos, h uma carga RL que
alimentada, portanto, por um gerador de E (r  RL )
IN .
tenso e por um gerador de corrente. r (r  RL

3-20
Simplificando o numerador e o
E
denominador, temos: I N . Esta frmula
r
nos d o valor da corrente de Norton, em funo
da tenso de Thvenin, no esquecendo que,
para tal, consideraremos as resistncias internas
b
iguais, isto : RTH = RN = r.
E
Portanto, da frmula I N , podemos
r Figura 3-47 Convertendo o equivalente de
tambm tirar o valor de E, ou seja: E = IN x r, Thvenin para o de Norton
que a frmula que nos dar o valor da tenso
de Thvenin, em funo da corrente de Norton. Resolvendo para IN o circuito da figura 3-
47A, temos:
Exerccios de aplicao E 3V
IN 1A .
r 3:
Suponhamos, um gerador de tenso, cuja Agora, s colocarmos a resistncia do
E (ETH), seja igual a 20V sabendo-se que equivalente de Thvenin (RTH = r) em paralelo
RTH(r) igual a 10:. Queremos saber o valor do com o gerador de corrente constante (IN = 1 A),
equivalente de Norton. e teremos a soluo, que o circuito da figura 3-
47b.
Soluo: neste caso, a fonte ou o gerador Vamos converter o equivalente de Norton
de corrente equivalente ser: da figura 3-48a para o de Thvenin.

E 20V
IN 2A
r 10:

Seja o circuito da figura 3-48 que


queremos converter num equivalente de Norton.

(a)

(b)
Figura 3-46 Equivalente de Thvenin

Soluo: vamos colocar um curto-circuito


nos terminais A e B do circuito da figura 3-47
obtendo, assim, o circuito da figura 3-47a.

(c)

Figura 3-48 Convertendo Norton para Thvenin

Soluo: vamos computar a queda de


a tenso atravs de RN (figura 3-48b). Esta queda
IN x RN, nos dar RTH, que aproximadamente
250 V. Agora, colocamos a resistncia

3-21
equivalente (RN = r = RTH) em srie com o d)Pelos clculos executados fica demons-
gerador de tenso constante (ETH). trado que a maior potncia sobre RL foi
Assim, obtemos o equivalente de obtida quando RL foi igual a RTH.
Thvenin, conforme a figura 3-48c.
A compreenso deste teorema muito
TEOREMA DA MXIMA TRANSFE- importante para a futura aplicao deste
RNCIA DE ENERGIA conceito em circuitos amplificadores, quando se
falar em casamento de impedncias.
Este teorema estabelece que a mxima
potncia transferida por uma fonte a uma
determinada carga ocorre quando a impedncia APNDICE
da carga for igual a impedncia da fonte.
Uma vez que qualquer circuito ou fonte Sumrio
pode ser representado por um circuito
equivalente de Thvenin, utilizaremos este -Uma fonte de tenso constante deve ter
como base para os clculos demonstrativos uma resistncia interna muito baixa.
deste teorema. Ver a figura 3-49. -No existe, na prtica, um gerador de
tenso ideal; o que existe o gerador de tenso
real.
-Existem vrios tipos de geradores de
tenso. Entre eles, temos uma bateria, uma fonte
de CC regulada ou um seguidor de emissor.
-O equivalente de Thvenin um
dispositivo que atua como um gerador de tenso
constante.
Figura 3-49 -O equivalente de Thvenin muito
empregado na resoluo de circuitos
ETH considerados complexos.
IL PRL I R2 x RL
RTH  RL -Um gerador de tenso constante tem
como finalidade manter constante a tenso de
sada, independente do valor da carga.
Pelas frmulas apresentadas podemos -O gerador de corrente constante capaz
fazer as seguintes verificaes: de fornecer uma corrente de valor constante a
qualquer carga.
a) Se RL = RTH = 10:, -Um gerador de corrente ideal, na prtica,
no existe.
10V -Um gerador de corrente ideal teria
ento, IL = 0,5 A resistncia interna idealmente infinita.
10  10
-O circuito equivalente de Norton, um
e PRL = (10 x 0,5 x 0,5) w = 2,5w gerador de corrente constante, muito empregado
na simplificao de circuitos complexos.
b) Se RL = 2 x RTH = 20:, -Um gerador de corrente constante
considerado bom quando o valor da sua
10V resistncia interna for no mnimo 100 vezes
ento, IL = 0,333 A
10  20 maior que o valor de RL.
e PRL = (20 x 0,333 x 0,333) w # 2,20w -Existem diversos mtodos que visam
solucionar redes de correntes contnuas, cujas
RTH impedncias so essencialmente resistncias
c) Se RL = 5: , lineares e as tenses so constantes.
2
-Quatro teoremas largamente empregados
10V
ento, IL = 0,666 A na anlise de circuitos so: Leis de Kirchoff,
10  5 teorema de Thvenin, teorema de Norton e
e PRL = (5 x 0,666 x 0,666) w # 2,21w teorema de Superposio.

3-22
-No fornecimento de energia aos circuitos, -O teorema de Thvenin pode ser assim
temos a considerar as fontes de tenso e as enunciado: Qualquer rede de dois terminais
fontes de corrente. pode ser substituda por um circuito equivalente
-Os geradores de tenso tm por simples, constitudo por um gerador, chamado
finalidade manter constante a diferena de de gerador de Thvenin, cuja tenso ETH,
potencial entre dois pontos aos quais estejam atuando em srie com sua resistncia interna
ligados. RTH, obriga a corrente a fluir atravs da carga.
-Um gerador de corrente aquele que -Outro teorema que emprega uma tcnica
mantm constante a corrente em seus terminais. semelhante do teorema de Thvenin, o
- importante na anlise de circuitos, a teorema de Norton.
familiarizao com os seguintes termos: Rede, -Este teorema dez que:Uma malha de
N, Brao ou Ramo, Lao e Malha. dois terminais, pode ser substituda por um
-As leis de Kirchoff empregadas na circuito equivalente, que consiste de um gerador
soluo de redes complexas so duas: 1 Lei ou de corrente constante IN, em paralelo com sua
Lei dos Ns e 2 Lei ou Lei das Malhas. resistncia interna RN.
-A 1 Lei de Kirchoff diz o seguinte: A - possvel fazermos uma equivalncia
soma das correntes que entram em um n, entre geradores de corrente e de tenso.
igual soma das correntes que saem do n. -Para isto tomamos as duas frmulas de
-A 2 Lei de Kirchoff, no seu enunciado IL, para cada gerador (de tenso e de corrente),
diz: Em qualquer circuito eltrico fechado, a igualamos estas frmulas e consideramos iguais
soma algbrica das quedas de potencial deve ser as resistncias internas (RTH = RN = r).
igual soma algbrica das elevaes de -O Teorema da Superposio facilita os
potencial. clculos de circuitos com duas ou mais fontes.
-Quando as leis de Ohm e Kirchoff j no -Os estudos de divisores de tenso e de
dispem dos recursos necessrios para a corrente podem facilitar em muito a resoluo
resoluo de circuitos mais complexos, dos clculos nos teoremas de Thvenin e de
lanamos mo de outras ferramentas. Norton.
-O teorema de Thvenin uma das formas
utilizadas na resoluo de malhas complexas.

3-23
CAPTULO 4

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

INTRODUO como sendo a menor poro que um material


pode ser dividido. Se da molcula partirmos a
Os materiais semicondutores so uma nova diviso, chegaremos ao tomo, que
elementos cuja resistncia situa-se entre a dos por sua vez no conservar mais as propriedades
condutores e a dos isolantes. do material subdividido.
Dependendo de sua estrutura qualquer Muitos modelos de tomos foram
elemento pode ser classificado como isolante, apresentados, mas coube a Rutherford e Neil
semicondutor ou condutor. Atualmente os Bohr o modelo do tomo atual.
principais componentes dos equipamentos Segundo este modelo o tomo
eletrnicos so dispositivos semicondutores tais constitudo de um ncleo que contm partculas
como: diodos, transistores e circuitos denominadas prtons e nutrons.
integrados. Seu emprego deve-se habilidade Em torno do ncleo giram, em rbitas
de controlar o fluxo de corrente, executando as distintas, outras partculas denominadas
mesmas funes das vlvulas eletrnicas, porm eltrons. Este modelo est representado na
com grandes vantagens como tamanho, peso e figura 4-1.
durabilidade.
Por estas razes o emprego dos
dispositivos semicondutores trouxe um grande Ncleo
desenvolvimento eletrnica. Os primeiros
conceitos de dispositivos semicondutores datam
do incio do sculo. Eltron
Em 1906 descobriu-se que determinados
cristais, em contato com uma ponta metlica,
tinham a propriedade de conduzir corrente rbita de
eltrica somente numa direo criava-se ento, o eltrons
diodo slido. Com o desenvolvimento da teoria
atmica, os cientistas aperfeioaram o diodo Figura 4-1 Desenho representativo de um tomo
slido at que durante a Segunda Grande
Guerra, em 1948 os cientistas W. Shockley, J. Pela tabela peridica dos elementos
Bardeen e W. H Brattain apresentaram um pode-se ver que existem 105 tipos de tomos. A
pequeno dispositivo construdo com cristal de quantidade de partculas que contm um tomo
germnio, que tinha a capacidade de controlar e varia de espcie para espcie. Eletricamente, os
amplificar a corrente eltrica. Este dispositivo prtons e os eltrons tm a mesma carga, porm
que foi chamado de transistor, foi aperfeioado de sinais contrrios, sendo que a carga do prton
e seu desenvolvimento deu origem ao positiva e a do eltron negativa. Diz-se que o
aparecimento de muitos outros dispositivos que tomo est eletricamente em equilbrio, quando
hoje formam a grande famlia dos o nmero de eltrons for igual ao nmero de
semicondutores. prtons. Caso contrrio, o tomo chamado de
Devido ao funcionamento dos on.
semicondutores estar ligado s caractersticas da Um on pode ser de dois tipos: on
estrutura dos materiais, faremos um estudo positivo quando o tomo perdeu um ou mais
destas estruturas. eltrons e on negativo quando o tomo ganhou
um ou mais eltrons. Como citado
ESTRUTURA DA MATRIA anteriormente, no tomo, os prtons e nutrons
esto concentrados formando o ncleo, porm
Como se sabe, podemos dividir um os eltrons agrupam-se ao redor do ncleo, em
material em pores cada vez menores, at que forma de camadas. Estas camadas tm um
chegamos a menor das pores, que recebe o nmero mximo de 7, e so designadas pelas
nome de molcula. Podemos definir a molcula letras K, L, M, N, O, P, Q. Cada camada pode

4-1
ter um nmero mximo de eltrons e esses so Um exemplo simples de ligao
mostrados na figura 4-2. covalente a combinao de dois tomos de
hidrognio, como mostrado na figura 4-3.
N da N mximo
Designao
camada de eltrons
1 K 2
2 L 8
3 M 18
4 N 32
5 O 32
6 P 18
7 Q 8

Figura 4-2 Camadas atmicas

Devido ao fato do tomo ter a forma


esfrica, muitas vezes ele representado em Figura 4-3 Ligao covalente
forma circular para facilitar o raciocnio.
Os tomos de silcio e de germnio, que
Definio de Nmero Atmico: Como j foi so os mais importantes no estudo de semicon-
dito, tomos diferentes possuem diferentes dutores, tambm se ligam covalentemente e
nmeros de partculas. Por exemplo, o tomo de embora tenham nmeros atmicos diferentes
oxignio possui 8 prtons e 8 eltrons, j o possuem valncias iguais.
tomo de alumnio possui 13 prtons e 13 Esses tomos podem combinar-se cova-
eltrons. Para podermos identificar e classificar lentemente formando uma estrutura cristalina
os vrios tomos existentes foi criado um que pode ser representada num plano conforme
nmero que indica quantos prtons existem em a figura 4-4. Cada tomo compartilha seus
cada tomo. eltrons de valncia com outros quatro, obtendo
Esse nmero chamado denmero uma estrutura eletricamente estvel.
atmico.
Eltrons de
Ligao valncia
LIGAO ATMICA Covalente
Vimos que com exceo da camada K
que se completa com dois eltrons, a camada
mais externa dos tomos pode conter oito
eltrons, no mximo.
Os tomos que no possuem este
nmero de eltrons tendem a se completarem
doando ou recebendo a fim de terem oito
eltrons na ltima camada.
A capacidade de combinao dos tomos
chamada de valncia. Os eltrons da ltima
camada dos tomos so chamados de eltrons de
valncia, pois atravs deles que a ligao
qumica se processa. Figura 4-4 Ligao covalente, estrutura crista-
De acordo com a valncia os elementos lina
podem ser: monovalentes, divalentes, trivalentes
etc. MATERIAIS SEMICONDUTORES
Uma ligao covalente uma
combinao qumica em que os eltrons so Como j foi dito, semicondutores so
compartilhados entre os tomos. materiais cuja resistncia se situa entre a dos

4-2
condutores e a dos isolantes. Cabe ressaltar Exemplos de materiais isolantes: borracha,
agora o conceito de condutores e a dos isolantes. porcelana, vidro etc.
Um material condutor caracterizado Dos materiais semicondutores existentes
por apresentar os eltrons de valncia de seus o germnio e o silcio so atualmente os mais
tomos fracamente ligados ao ncleo e, devido a empregados.
essa ligao no ser muito forte, esses eltrons Esses tomos ao se unirem entre si
podem ser considerados livres. formam uma estrutura do tipo cristalina. Uma
Sendo assim, se aplicarmos uma estrutura dita cristalina quando sua forma
diferena de potencial esse material ele bem definida (sempre em forma de cristais). So
conduzir facilmente uma corrente eltrica. exemplos de materiais com estrutura tipo
Exemplos de materiais condutores: cobre, ouro, cristalina: cobre, diamante, silcio, germnio etc.
prata, ferro etc. Quando a forma da estrutura formada
Quando os eltrons de valncia do pela unio dos tomos no bem definida esta
tomo esto fortemente ligados ao ncleo, de tal dita amorfa. So exemplos de materiais com
modo que no podem ser considerados eltrons estrutura tipo amorfa: plsticos, gases, borracha
livres no material, este dito isolante. Os etc.
materiais isolantes apresentam ento uma forte A figura 4-5 mostra a estrutura cristalina
oposio a passagem da corrente eltrica. do germnio e do silcio.

Figura 4-5 Rede cristalina plana do Germnio (Ge) e do Silcio (Si)

Nas duas estruturas, os tomos se serem rgidas, quando o cristal submetido a


combinam covalentemente. qualquer tipo de energia algumas delas chegam
Cada tomo combina-se com mais a se romper.
quatro, tomando e fornecendo seus eltrons de O rompimento entre as unies ocorre
valncia. Observando as duas estruturas vemos quando o eltron de valncia que pertence aos
que cada eltron de valncia no material est dois tomos adquire energia suficiente para se
preso a dois tomos, nessa condio no dever liberar.
haver eltrons livres no material, logo as suas Ligaes covalentes so interrompidas
caractersticas eltricas so de isolante. Na quando um dos cristais submetido a certos
realidade, isto s acontece se estes materiais campos de energia como: calor, luz, raios X,
estiverem a uma temperatura de 0o absoluto. raios csmicos etc.
O nmero de rompimentos diretamente
Processo de formao de portadores na rede proporcional intensidade do campo de energia
cristalina. aplicado ao cristal.
Cada rompimento gera um portador de
Apesar das ligaes covalentes entre os carga eltrica negativa e uma carga eltrica
tomos de cristais puros de silcio e de germnio positiva.

4-3
Pela figura 4-6 podemos observar que Fluxo de lacunas
com o rompimento da ligao covalente ocorre
a liberao do eltron, ficando no lugar deste Quando uma ligao perde um eltron
um buraco ou lacuna. de tal forma que exista uma lacuna, esta fcil
Esta lacuna tem caracterstica positiva, de ser preenchida por um eltron de valncia
porque qualquer eltron prximo poder ser que deixa uma ligao covalente de um tomo
atrado por ela. vizinho; este eltron ao sair da ligao
Eltron livre covalente, deixa outra lacuna. Assim,
efetivamente, a lacuna se move na direo
oposta direo do eltron. Esta lacuna, nesta
nova posio, pode ser agora preenchida por um
outro eltron proveniente de outra ligao
covalente. Temos assim um mecanismo para a
Lacuna conduo de eletricidade.
Um modo conveniente de ilustrar esse
movimento mostrado na figura 4-7, em forma
de esferas.

Figura 4-6 Gerao de lacuna

Como j foi dito, vrios fatores podem


contribuir para a gerao de portadores em
cristais de germnio e de silcio, porm, a
variao de temperatura o fator que mais os
afeta.
A 0o absoluto, o germnio e o silcio tm
condies de serem isolantes, porm, na
temperatura ambiente, aproximadamente 25o C, Figura 4-7 Fluxo de lacunas
ambos cristais apresentam em suas estruturas
milhares de rompimentos entre as ligaes, JUNO PN FORMAO
criando milhares de portadores positivos e
negativos, lacunas e eltrons respectivamente. At agora estudamos os cristais de silcio
Nesta situao tanto o germnio quanto e de germnio em suas formas puras. Porm,
o silcio tem caractersticas de semicondutores partindo-se de um cristal puro, atravs de
intrnsecos, isto possuem caractersticas tcnicas especficas, consegue-se introduzir
prprias. neste cristal, tomos de um outro metal, de tal
Na temperatura ambiente de 250 C, um modo a se conseguir o comportamento eltrico
cristal puro de silcio apresenta aproxi- desejado.
madamente 1010 lacunas e 1010 eltrons por cm3 Esta operao denominada dopagem
e uma resistividade de 2,4 x 104 ohms/ cm3. e o metal a ser introduzido no cristal chamado
Para a mesma temperatura, um cristal de impureza. Os metais usados como impureza
puro de germnio apresenta, aproximadamente, podem ter tomos trivalentes ou pentavalentes,
1013 lacunas e 1013 eltrons por cm3 e uma isto , com trs ou cinco eltrons na ltima
resistividade de 47 ohms/cm3. camada.
Pelos valores de resistividade vemos que Se na dopagem usarmos impurezas
na mesma temperatura a estrutura do silcio tem trivalentes (ou aceitadoras), cria-se no cristal
ligaes covalentes mais estveis que as do portadores de carga positiva ou lacunas, pois,
germnio, ou seja, so mais difceis de serem para participar da ligao covalente o tomo da
rompidas. impureza necessita de um eltron para

4-4
completar sua ltima camada com quatro Facilmente, entendemos que a dopagem
eltrons. Este cristal chamado de positivo ou criar, no cristal, tantos eltrons livres ou
P.. lacunas quantos forem os tomos de impurezas
Porm, se na dopagem usarmos doadoras ou aceitadoras introduzidos.
impurezas pentavalentes ou doadoras, cria-se no
cristal eltrons livres, pois para participar da Polarizao do elemento N
ligao covalente o tomo da impureza doa um
eltron que estava em excesso. Este eltron Ao polarizarmos um elemento N,
pode ento ser considerado livre. Este cristal conforme a figura 4-10, teremos o aparecimento
chamado de negativo ou N. de uma corrente eltrica, cujos portadores so
Para a criao de um cristal tipo N as eltrons e cujo sentido o indicado na figura. A
impurezas geralmente utilizadas so: fsforo, intensidade desta corrente limitada pela
arsnio, bismuto e antimnio. resistividade do elemento N, que depende da
A figura 4-8 mostra um bloco repre- quantidade de portadores, que, por sua vez
sentativo do elemento N. depende da quantidade de tomos da impureza.

Figura 4-8 Cristal tipo N (representao)

Os crculos pequenos representam os Figura 4-10 Polarizao do elemento N


tomos pentavalentes, o sinal negativo o
quinto eltron do tomo pentavalente, que no Por serem portadores de carga negativa,
entrou na combinao. os eltrons livres no elemento so atrados pelo
Para a criao de um cristal tipo P as potencial positivo da fonte de tenso, dando
impurezas normalmente utilizadas so: brio, corrente o sentido indicado na figura 4-10.
alumnio, glio e ndio.
A figura 4-9 mostra um bloco Polarizao do elemento P
representativo do elemento P.
A figura 4-11 mostra a polarizao de
um elemento P. Ao polarizarmos um elemento P
conforme indicado na figura 4-11, haver uma
corrente de lacunas no cristal no sentido
mostrado.

Figura 4-9 Cristal do tipo P (representao)

Os pequenos crculos representam os


tomos trivalentes e os sinais positivos fora dos
crculos so as lacunas criadas por eles. Figura 4-11 Polarizao do elemento P

4-5
As lacunas, que so positivas, so Quando se une um elemento P a um
repelidas pelo seu positivo da fonte de tenso e elemento N, h uma combinao natural de
atradas pelo plo negativo da mesma. portadores ou seja, eltrons do elemento N e
Um eltron entra no cristal no lado lacunas do elemento P, em toda a estrutura das
negativo da fonte e se combina com uma lacuna, superfcies unidas.
completando a unio, estes j no existem mais Porm, nem todos os eltrons e lacunas
como portadores eltricos. Em seguida a bateria se recombinam porque as primeiras
que perdeu um eltron no lado negativo da recombinaes criam ons, que fazem uma
fonte, tira um eltron do cristal no lado positivo barreira ao processo de recombinao. Isto pode
da fonte, gerando assim, uma lacuna que ser visto na figura 4-13.
imediatamente repelida pelo plo positivo da
fonte e atrado pelo plo negativo. Temos assim
uma corrente eltrica constante que limitada
pela resistividade do elemento, que por sua vez,
depende do nmero de portadores criados na
dopagem do mesmo.

Portadores Majoritrios e Minoritrios nos Figura 4-13 Formao de ons na juno PN


elementos
No elemento P os tomos que se ionizam
Como vimos anteriormente, se so os das impurezas aceitadoras e no elemento
adicionarmos impurezas pentavalentes um N os das impurezas doadoras. Esta regio
cristal surgem nesse cristal tantos eltrons livres ionizada entre os elementos P e N dotada de
quantos forem os tomos de impurezas um campo eletrosttico negativo, no lado P e
adicionados. positivo no lado N.
Sabemos que na temperatura ambiente o Esse campo considerado como se fosse
cristal puro apresenta portadores positivos e um campo de fora, cujo potencial negativo, da
negativos em nmeros iguais. Porm, com a regio P, repele os portadores de eltrons, do
dopagem essa igualdade alterada e o material lado N e cujo potencial positivo, da regio N,
que possua igual quantidade de portadores, repele as lacunas do lado P.
possui agora, maior nmero de eltrons do que Por isso, embora os portadores de
de lacunas. Dizemos ento que os eltrons so eltrons e lacunas estejam em movimento,
portadores majoritrios e as lacunas portadores temperatura ambiente, eles no se difundem por
minoritrios no elemento N. toda estrutura cristalina.
A figura 4-14 mostra uma juno PN
com os portadores de carga e as foras de
Elemento N repulso.

Elemento P

Figura 4-12 Concentrao de portadores nos Figura 4-14 Campo eletrosttico e foras de
elementos P e N repulso na juno PN

4-6
Devido a falta de portadores de carga Assim uma corrente eltrica estabelecida
nessa regio a mesma recebe o nome de regio numa juno PN.
de depleo. Esta corrente denominada corrente
direta.
POLARIZAO DE UMA JUNO PN
Juno PN inversamente polarizada
De acordo com a polaridade dos
elementos P e N da juno tem-se um Diz-se que a juno PN est inver-
comportamento diferente da mesma. samente polarizada quando tem-se o positivo da
A juno PN pode ser polarizada de duas fonte de tenso no lado N e o negativo no lado
maneiras: direta ou inversa. P, como mostra a figura 4-16.

Juno PN diretamente polarizada

Diz-se que a juno PN est diretamente


polarizada quando tem-se o positivo da fonte de
tenso ligado ao elemento P e o negativo ao
elemento N, como mostra a figura 4-15.

Figura 4-16 Juno PN inversamente polarizada

Podemos observar que o potencial


positivo, no lado N, uma fora de atrao para
os eltrons e que o potencial negativo, no lado P
uma fora de atrao para as lacunas.
A ao dessa fora faz com que os
Figura 4-15 Juno PN diretamente polarizada portadores se desloquem, temos ento um
aumento na barreira de potencial, como
Na polarizao direta da juno PN, mostrado na figura 4-16.
temos uma diminuio da barreira de potencial Este aumento diretamente proporcional
pois as lacunas, do lado P, so repelidas pelo ao aumento da tenso aplicada juno PN.
potencial positivo e os eltrons do lado N so Nesta situao no deve circular corrente
repelidos pelo potencial negativo da fonte de normal no circuito, porm, devido s caracte-
tenso. rsticas do cristal, haver uma pequena corrente
A regio agora apresenta uma baixa que denominada corrente de fuga.
resistncia, cerca de dezenas de ohms.
Os tomos pertencentes ao lado N DIODO SEMICONDUTOR
tornam-se ons positivos, porque seus eltrons
foram deslocados em direo da juno, tendo Vimos anteriormente que podemos
agora condies de receberem eltrons da fonte polarizar uma juno PN de duas maneiras
de tenso. distintas, direta e inversamente.
Por sua vez os tomos do lado P, Na primeira condio temos uma
tornam-se ons negativos, porque suas lacunas corrente circulando pela juno e na segunda
foram deslocadas para a juno, tendo esta corrente pode ser considerada desprezvel.
condies de fornecer eltrons para o lado vemos ento que esse dispositivo possui
positivo da fonte de tenso. caractersticas de conduo eltrica unidire-
Vemos que com essa polarizao, temos cional. Tal elemento pelas caractersticas acima
eltrons entrando no lado N e saindo no lado P. descritas ser amplamente empregado na
Na regio da juno, h um processo Eletrnica, principalmente na retificao de
constante de recombinao de eltrons e sinais recebendo para tanto o nome de diodo de
lacunas. juno ou diodo semicondutor.

4-7
DIODO RETIFICADOR

Existem muitos tipos de diodos, tais


como o diodo Zener, o SCR, o fotodiodo etc.
Porm, entre os vrios tipos de diodos
existentes um dos mais usados na eletrnica o
diodo retificador cujo smbolo mostrado na
figura 4-17.

Figura 4-19 Curva da polarizao direta do


diodo

Polarizao inversa do diodo


Figura 4-17 Smbolo e polarizao dos diodos
A figura 4-20 mostra o circuito de um
diodo polarizado inversamente.
Polarizao direta do diodo

Como j foi visto, na polarizao direta


da juno PN o lado N est ligado ao plo
negativo da fonte de tenso e o lado P no plo
positivo da mesma.

Figura 4-20 Diodo polarizado inversamente

Na polarizao inversa da juno PN, o


lado N est ligado no plo positivo da fonte de
tenso e o lado P no plo negativo da mesma.
Figura 4-18 Circuito do diodo semicondutor
polarizado diretamente I

Pelo circuito da figura 4-18 podemos Tenso de ruptura Regio


observar que, atravs do potencimetro R, (Break down) direta
conseguimos variar, a partir de zero volt, a
tenso aplicada ao diodo.
Como a variao de corrente
diretamente proporcional variao de tenso V
veremos que ao aumentarmos a tenso sobre o
diodo a corrente tambm aumentar propor-
Regio Vd- Tenso direta
cionalmente.
reversa Id- Corrente direta
At um determinado valor de tenso este
comportamento vlido, a partir de tal ponto a Vr- Tenso reversa
corrente cresce bruscamente e a tenso no diodo Ir- Corrente reversa
tende a ficar constante.
Afigura 4-19 mostra a curva de Figura 4-21 Curva de polarizao inversa do
polarizao direta de um diodo. diodo

4-8
Pelo circuito vemos que, atravs do maior que a da capacidade de dissipao da
potencimetro R, fazemos com que a tenso juno.
negativa no elemento P aumente lentamente. Para uma tenso inversa constante, a
Nesta situao a corrente que flui no circuito corrente inversa pode ser aumentada pelo efeito
desprezvel, porm, se aumentarmos ainda mais trmico, o que aumenta a potncia da juno.
o valor da tenso sobre o diodo atingiremos um Com o aumento dessa potncia haver tambm
valor em que h um aumento brusco da corrente um aumento de temperatura o que resulta num
reversa, comprometendo at mesmo a novo aumento da corrente inversa, esse aumento
integridade da juno PN. Este valor de tenso de corrente tende a aumentar ainda mais a
denominado tenso de ruptura. potncia e essa por sua vez a temperatura. E
A curva de polarizao reversa do diodo assim sucessivamente at a ruptura.
semicondutor mostrada na figura 4-21.
APLICAO DO DIODO RETIFICADOR
RUPTURA DA JUNO PN
Pelo que foi visto at aqui notamos que o
A ruptura da juno ocorre quando a diodo pode ser considerado como sendo uma
corrente reversa atinge um nvel suficiente para chave eletrnica. Quando em polarizao direta,
romper as ligaes entre os tomos do cristal, a corrente sobre ele fica limitada somente pelos
danificando a mesma. elementos do circuito externo. Porm, quando
O valor da tenso de ruptura de suma est polarizado inversamente, a corrente do
importncia no projeto de circuitos utilizando circuito fica limitada por ele mesmo, tendo
diodos polarizados inversamente. Os diodos assim, o comportamento de um circuito aberto.
construdos com cristais de silcio suportam A figura 4-22 mostra dois circuitos com diodos
maiores tenses inversas do que os diodos de polarizados direta e inversamente.
germnio.
A ruptura da juno de um diodo pode
ser causada por vrios fatores como tenso
inversa (ou avalanche) e por efeito trmico.

Ruptura por tenso inversa (efeito


Avalanche)

Quando a tenso inversa atinge um valor


alto o suficiente para provocar o rompimento
das ligaes entre os tomos do cristal diz-se
que a ruptura se d por tenso inversa ou por
efeito avalanche, porque esses rompimentos
geram portadores, que por sua vez vo romper,
por choque, outras ligaes e assim por diante
como numa avalanche.
Este processo de quebra e gerao de
Figura 4-22 Diodos polarizados inversa e direta
portadores diminui rapidamente a resistncia da
mente
juno aumentando bruscamente a corrente por
ela, podendo inclusive danifica-la.
No circuito com a polarizao direta a
corrente que flui pelo circuito uma juno da
Ruptura por efeito trmico tenso de 60 V e da tenso sobre o diodo, que
muito pequena, pois em polarizao direta o
Como visto anteriormente, existe na diodo praticamente um curto-circuito. Tem-se
juno PN a gerao de portadores minoritrios ento quase toda tenso (59,3 V) sobre a
devido temperatura. resistncia de 1,5 K:, restando apenas uma
A ruptura por efeito trmico se d pequena tenso (0,7 V) sobre o diodo. No
quando os portadores minoritrios provocam circuito com a polarizao inversa no h
uma corrente inversa que resulte numa potncia praticamente corrente fluindo, portanto no

4-9
haver queda de tenso sobre R. Tem-se ento semiciclo em que est polarizado diretamente,
toda a tenso da fonte sobre o diodo o qual pode ou seja, durante o semiciclo em que a tenso de
ser considerado um circuito aberto. anodo for maior que a de catodo, permanecendo
cortado no outro semiciclo.
DIODO EM TENSO ALTERNADA A figura 4-23 apresenta um circuito com
um diodo operando em tenso alternada e
Quando polarizado com tenso alternada tambm as formas de onda de entrada e de
o diodo retificador conduz somente durante o sada.

Figura 4-23 Circuito retificador com tenso senoidal

Durante o semiciclo positivo de Vi (de ponto B, polarizando o diodo inversamente.


t0 a t1), o ponto A fica positivo em relao ao Nestas condies, o diodo pode ser
ponto B, polarizando o diodo diretamente. considerado um circuito aberto.
Nesta condio, o diodo praticamente A ao descrita acima chamada
um curto-circuito e a corrente no circuito retificao, e onde o diodo tem a sua mais
determina em R uma queda de tenso importante aplicao.
proporcional tenso entre os tempos t 0 e t 1 Como outras aplicaes do diodo
da tenso de entrada. retificador podemos citar: em detectores de
Durante o semiciclo negativo de Vi (de pico, circuitos limitadores, circuitos de proteo
t1 a t2),, o ponto A fica negativo em relao ao etc.

4-10
CAPTULO 5

FONTES DE FORA ELETRNICA

TIPOS DE FONTES DE FORA Este transformador pode ser projetado para


elevar a tenso CA aplicada quando uma alta
Os circuitos que usam transistores, tenso CC de sada for necessria, ou pode ser
diodos ou circuitos integrados geralmente projetado para reduzir a tenso CA quando uma
precisam de uma fonte de fora CC para sua baixa tenso de sada requerida.
operao. Existem basicamente trs tipos de Aps efetuado o ajuste da amplitude da
fonte de fora CC: tenso CA, a mesma convertida em tenso
CC. Este processo chamado de retificao.
- Pilhas e baterias A retificao efetuada por diodos
- Geradores CC retificadores que, como j sabemos, so
- Fontes de fora eletrnica dispositivos que oferecem alta resistncia ao
fluxo de corrente em uma direo(de catodo
As pilhas e baterias produzem tenso CC para anodo) e baixa resistncia no sentido
atravs da ao qumica. Os geradores CC usam oposto (de anodo para catodo).
movimento mecnico para girar um condutor A tenso de sada no retificador pode ser
em seu campo magntico e assim produzir uma chamada de tenso CA retificada ou tenso CC
tenso CC pulsante. pulsante. Como na sada da fonte necessitamos
Pilhas e baterias so atualmente muito de uma tenso CC sem variaes, um circuito
utilizadas, pois os modernos circuitos em estado de filtro empregado logo aps o estgio
slido requerem potncias muito baixas retificador. Este circuito eliminar as pulsaes
comparadas com as necessrias aos antigos existentes na sada do retificador. O filtro
equipamentos vlvula. Pilhas e baterias so normalmente consiste de um capacitor, uma
essenciais aos equipamentos portteis e aos combinao de capacitores e indutores ou uma
equipamentos instalados em locais distantes da combinao de capacitores e resistores.
energia CC. A tenso obtida na sada do filtro pode
Porm um equipamento mais potente, ser aplicada diretamente carga. Porm essa
nos quais o uso de pilhas ou baterias seria tenso poder variar devido a variaes da
impraticvel, a energia CC fornecida por uma tenso CA de entrada e da carga. Essas
fonte de fora eletrnica. variaes poderiam prejudicar o desempenho do
Uma fonte de fora eletrnica um circuito em operao.
circuito que fornece uma tenso CC para a Para obtermos uma tenso de sada
operao de outros circuitos eletrnicos. constante um circuito regulador colocado
Existem as fontes eletrnicas que convertem entre o estgio de filtragem e a carga. O
tenso CA em CC e as que convertem tenso regulador efetua as compensaes necessrias
CC em CA, sendo a primeira a mais utilizada. causadas pelas variaes da tenso CA de
A energia primria para a maioria das entrada e as variaes de carga, mantendo a
fontes de fora eletrnica a tenso CA de 60 tenso de sada constante.
Hz que encontramos nas tomadas. A fonte O regulador normalmente um circuito
converte esta tenso em tenso CC, ser de controle por realimentao, composto por
utilizada pelos circuitos eletrnicos, de acordo transistores e outros semicondutores.
com as seguintes etapas: Ao utilizarmos uma pilha ou bateria
como fonte de energia a tenso fornecida pode
- Ajuste da amplitude da tenso CA no ser adequada ao circuito a ser alimentado.
- Retificao Neste caso necessria uma fonte que
- Filtragem converta a tenso disponvel na utilizvel.
- Regulagem Essas fontes so chamadas de
conversores CCCC. Essa converso da tenso
A amplitude da tenso CA ajustada CC de uma dada bateria em um valor mais alto,
usando-se um transformador de ncleo de ferro. implica na converso da tenso CC da bateria

5-1
em tenso CA, atravs de um dispositivo de baterias e pilhas como fonte de energia, ou seja,
chaveamento eletrnico. s de energia CC. Como no caso de conversor
Esta tenso elevada ao valor desejado CC-CC a energia CC transformada em CA,
por meio de um transformador. por meio de chaveamento eletrnico, em
A tenso alternada do secundrio do seguida elevada ao valor desejado, retificada e
transformador ento retificada para a tenso filtrada.
CC pulsante, filtrada e aplicada carga atravs Os inversores so muito empregados em
de um regulador. Por ltimo, existe o tipo de aeronaves, onde existem equipamentos que so
fonte de fora que converte energia CC em CA, alimentados com energia CA.
este chamado de conversor. A figura a seguir mostra o diagrama
Este dispositivo necessrio quando se bsico em blocos de uma fonte de fora
necessita de energia CA e s se dispe de eletrnica.

Figura 5-1 Diagrama bsico de uma fonte de fora eletrnica

CIRCUITOS RETIFICADORES

O retificador aquela parte da fonte de


fora que, atravs de diodos retificadores
converte a tenso CA do transformador em CC
pulsante.
No retificador os diodos
semicondutores, atuam como chaves
unidirecionais, sensveis polaridade e que Figura 5-2 Circuito retificador de meia onda
permitem o fluxo de corrente atravs da carga
em apenas uma direo. Quando a polaridade da tenso no secun-
Existem vrios tipos de circuitos drio polariza diretamente o diodo D, ocorre um
retificadores como veremos a seguir. fluxo de corrente atravs de RL. Quando a
polaridade se inverte no ciclo seguinte, o diodo
Retificador de meia onda polarizado inversamente e no h fluxo de
corrente na carga como mostra a figura 5-3.
No circuito retificador de meia onda Pelas formas de onda da figura 5-3
apenas um diodo usado no processo de podemos observar que durante o perodo de t1 a
retificao. t2, em que o diodo est conduzindo, parte da
A figura 5-2 mostra o circuito retificador de tenso aparece atravs do retificador e da
meia onda. resistncia do secundrio do transformador,

5-2
porm sua maior parte aparece sobre a diodo apresenta uma queda de tenso igual a
resistncia de carga RL. O diodo e o secundrio zero quando est diretamente polarizado e se
do transformador apresentam uma resistncia comporta como um circuito aberto, quando est
pequena quando esto conduzindo. A queda de inversamente polarizado e o transformador tem
tenso sobre o diodo de aproximadamente 0,7 uma resistncia de enrolamento igual a zero.
V, quando este est conduzindo para diodos de Durante os perodos t1, a t2 e t3 a t4,
silcio e 0,2 V para os diodos de germnio. toda a tenso do secundrio do transformador
seria aplicada sobre a carga RL com estas
condies ideais e durante os perodos t2 a t3 e
t4 a t5, nenhuma tenso apareceria sobre RL.
O valor mdio da forma de onda da
corrente ou tenso na sada do retificador de
meia onda igual a 0,318 vezes o valor da
corrente ou tenso de pico. Esta seria a tenso
ou corrente indicada por um tpico medidor CC
de DArsonval conectado RL, se todos os
componentes fossem ideais. No entanto, na
prtica esse valor um pouco menor devido s
perdas no diodo e na resistncia do enrolamento
secundrio do transformador.

Retificador de onda completa

Figura 5-3 Formas de onda em um retificador de Como visto anteriormente o circuito


meia onda retificador de meia onda produz uma srie de
pulsos a partir da tenso CA de entrada. Mesmo
No perodo de t2 a t3 o diodo est com o uso de filtros, difcil de se obter uma
cortado pois, o ponto A no secundrio do tenso CC sem flutuaes na sada do mesmo.
transformador (figura 5-2) negativo em Um circuito retificador de onda completa utiliza
relao ao ponto B, o que polariza o diodo os dois semiciclos da tenso CA de entrada, de
inversamente. Nesta situao nenhuma corrente tal modo a obter uma tenso de sada mais
fluir atravs da carga, no havendo tambm estvel.
queda de tenso sobre a mesma, e toda a tenso Este circuito utiliza um transformador
do secundrio do transformador cair sobre o com center-tape, dois diodos retificadores e um
diodo. resistor de carga, como mostra a figura 5-4.
No perodo seguinte, de t3 a t4, o diodo
conduzir novamente e a operao ser a
mesma verificada no perodo de t1 a t2,
analogamente, a operao de t4 a t5 ser a
mesma verificada de t2 a t3. Com isso, teremos
sobre RL uma tenso que consistir de uma
srie de meias ondas senoidais de mesma
polaridade. A corrente atravs da carga RL ser
uma srie de pulsos que ocorrem na mesma
frequncia da tenso CA da rede. Figura 5-4 Circuito retificador de onda completa
No circuito da figura 5-2 vemos que a
polaridade da tenso de sada atravs da carga Quando o ponto A, no secundrio do
positiva em relao terra, porm, se o diodo transformador positivo em relao ao ponto C,
fosse invertido a sada seria negativa em relao o ponto B ser negativo em relao ao mesmo.
terra, pois a corrente fluir em direo oposta Esta condio ocorre de t1 a t2 na figura 5-5.
da anlise anterior. Durante este perodo o diodo D1 conduzir e o
Se considerarmos o diodo e o diodo D2 no. A corrente ser como indicado
transformador como elementos ideais, ou seja, o pelas setas cheias da figura 5-4.

5-3
Note que a corrente flui somente na unidirecionais, porm h o dobro de pulsos que
metade do enrolamento do secundrio do havia no retificador de meia onda.
transformador.. Portanto, os pulsos de sada ocorrem em
Durante o perodo de t2 a t3, o diodo D2 uma frequncia que o dobro da de entrada.
conduz e D1 no. A corrente indicada pelas Com isso temos que a tenso mdia
setas tracejadas na figura 5-4. atravs do resistor de carga ser o dobro da
A figura 5-5 mostra as formas de onda tenso que era produzida no circuito retificador
das tenses nos pontos A, B e C. de meia onda, ou seja, ser 0,636 vezes o valor
de pico.
Um ponto importante a ser
observado no circuito que apenas um diodo
conduz de cada vez, um no semiciclo positivo e
outro no semiciclo negativo da tenso de
entrada. O diodo que no conduz sofre uma
polarizao reversa de todo enrolamento,
portanto, ambos os diodos devem ser capazes de
suportar esta tenso para garantir o bom
funcionamento do circuito.

Retificado em ponte

Um retificador em ponte um circuito


formado por quatro diodos conectados de tal
Figura 5-5 Formas de onda em um retificador de forma que desnecessrio o uso de um
onda completa transformador com center-tape. Com essa
configurao obtem-se a retificao de onda
Vemos na figura 5-5 que a tenso completa com um enrolamento simples de
CC atravs da carga uma srie de pulsos secundrio. A figura 5-6 mostra o circuito
retificador em ponte.

Figura 5-6 Circuito retificador em ponte

No instante em que temos Ep positivo,


ou seja o ponto 1 positivo em relao ao ponto
2, os diodos D2 e D4 conduzem (ficam em
srie) pois, as tenses que aparecem sobre eles
propiciam um efeito como mostrado na figura Figura 5-7 Polarizao de D2 e D4 no semiciclo
5-7. positivo da tenso de entrada
Estes diodos conduzindo faro com que
circule uma corrente no circuito, no sentido Quando Ep inverte a polarizao, o
indicado pelas setas cheias na figura 5-6. ponto 1 ser negativo em relao ao ponto 2,

5-4
devido a estes potenciais os diodos D1 e D3 diodos D2 e D4 ser a mesma tenso que
conduzem (ficam em srie) como mostra a aparece no secundrio do transformador, e a
figura 5-8. mesma na carga.

Figura 5-8 Polarizao de D1 e D3 no semiciclo


negativo da tenso de entrada

Uma vez conduzindo, os diodos D1 e D3 Figura 5-10 Esquema equivalente do circuito


propiciaro a circulao de uma corrente cujo em ponte no semiciclo positivo da
sentido o indicado pelas setas tracejadas na tenso de entrada
figura 5-6.
fcil verificar que mesmo Vs mudando Logo, pode-se concluir que a tenso de
de polaridade a corrente na carga circula sempre pico reversa sobre os diodos ter o mesmo valor
no mesmo sentido, isto quer dizer que a corrente da tenso mxima fornecida pelo secundrio do
I1 possue somente uma polaridade, ou seja, esta transformador.
corrente contnua pulsante e conseqente-
mente a tenso sobre a carga tambm o ser. FILTROS
A figura 5-9 mostra as formas de onda
no retificador em ponte. Como vimos, a sada de qualquer
circuito retificador a diodos uma corrente CC
pulsante. Este tipo de corrente inadequado
para alimentar a maioria dos circuitos
eletrnicos, os quais geralmente requerem uma
tenso CC constante para funcionar.
Numa fonte de fora eletrnica, usado
um circuito de filtro para converter a onda CC
pulsante em uma onda CC pura. A seguir
veremos a definio de Ripple e os filtros mais
comumente usados bem como o seu
dimensionamento.

Fator de Ripple

Figura 5-9 Formas de onda da tenso de sada A sada CC pulsante produzida pelos
no retificador em ponte circuitos retificadores uma forma de onda
complexa que pode ser dividida em
Quando os diodos D2 e D4 conduzem, componentes CA e CC.
os diodos D1, D3, o secundrio do A finalidade do filtro remover a
transformador e a carga R1 esto em paralelo. componente CA que chamada de ondulao
Desta maneira o circuito comporta-se como ou ripple.
mostra o esquema da figura 5-10.
Da maneira que os diodos D1 e D3 se
encontram na figura 5-10, eles esto polarizados
inversamente e a tenso mxima que ficar
sobre eles a tenso mxima fornecida pelo
secundrio do transformador.
A tenso na carga tambm ser igual
tenso Vs. Analogamente, quando a tenso Vs Figura 5-11 Forma de onda de sada de um
muda de polaridade, a tenso reversa sobre os retificador de meia onda

5-5
A figura 5-11 mostra a forma de onda
CC pulsante da sada do retificador de meia
onda.
A tenso CC mdia 0,318 vezes o
valor de pico da tenso de entrada CA. O ripple
ou correspondente CA, indicado pelas reas
sombreadas abaixo e acima da mdia CC.
Podemos considerar o ripple como
sendo uma forma de onda no senoidal
sobreposta ao nvel mdio CC. Note que se a
Figura 5-13 Filtro a capacitor
fonte de fora opera com uma tenso de linha
cuja frequncia 60 Hz, a frequncia de
As formas de onda de um circuito
oscilao do retificador de meia onda 60 Hz.
retificador com filtro so mostradas na figura 5-
Portanto, o perodo de oscilao igual
14.
1
a 0,01667 segundos ou 16,67 milisegundos
60
A forma de onda da tenso de sada em
um retificador de onda completa mostrada na
figura 5-12.

Figura 5-14 Forma de onda de tenso num


Figura 5-12 Forma de onda de sada de um reti- circuito retificador com filtro
ficador de onda completa
Na figura 5-14 vemos a tenso do
Pela figura podemos observar que no secundrio do transformador bem como a tenso
retificador de onda completa a mdia CC de de sada da fonte de fora EL. Inicialmente o
sada o dobro da de um retificador de meia capacitor C est descarregado, porm quando
onda ou seja, 0,636 Ep. Isso se deve ao fato de nele aplicada a energia, se carrega
termos mais um pulso CC de sada por ciclo de rapidamente com o valor da tenso de pico do
entrada. secundrio durante o perodo de conduo do
Novamente podemos considerar a diodo. Sempre que a tenso do secundrio
ondulao como sendo um sinal no senoidal excede a tenso de carga do capacitor o diodo
sobreposto ao nvel CC mdio. conduz.
O valor pico-a-pico da ondulao igual Quando a tenso do secundrio cai
a Ep, entretanto, a frequncia de ondulao de abaixo do valor da carga do capacitor, o diodo
120 Hz, quando a frequncia da tenso da linha fica polarizado inversamente e no conduz, com
de 60 Hz. isso o capacitor se descarrega atravs da
O perodo de oscilao , portanto igual resistncia RL. Se a constante de tempo RC do
1 capacitor for suficientemente grande, a
a 0,00833 ou 8,33 ms. O filtro reduzir a
120 quantidade de energia que o capacitor
amplitude pico-a-pico da ondulao e descarregar durante os picos da tenso CA ser
aumentar a tenso mdia CC de sada. pequena.
O filtro mais simples e tambm mais Como resultado teremos uma tenso CC
comumente empregado o filtro a capacitor, na sada aproximadamente constante. O
que consiste de um capacitor ligado diretamente capacitor reduz bastante a ondulao bem como
carga RL tanto no retificador de meia onda aumenta a tenso mdia nos terminais de sada.
como no de onda completa. A tenso CC de sada se aproxima do valor de
A figura 5-13 mostra o filtro a capacitor. pico do secundrio. A reduo na ondulao

5-6
proporcional ao tamanho do capacitor. Quanto
maior a capacitncia, menor ser a descarga do
capacitor durante o tempo em que o diodo no
conduzir. O processo de filtragem da tenso de
sada do retificador de onda completa idntico
ao usado no retificador de meia onda, entretanto
no retificador de onda completa o capacitor de
filtro tem um tempo de descarga menor, antes Figura 5-15 Sada do retificador de onda
de ser carregado novamente, visto que neste completa com filtro
circuito cada semiciclo da entrada CA produz
um pulso atravs da carga. Teoria de funcionamento do filtro a
No circuito de meia onda, o tempo de capacitor
descarga aproximadamente igual a um perodo
completo da onda senoidal de entrada, ou seja, Um mtodo de analisar o funcionamento
aproximadamente 16 ms, para uma entrada CA do filtro considerar as variaes de corrente e
de 60 Hz. tenso em relao ao tempo.
Com isso temos que no circuito A figura 5-16 mostra um circuito
retificador de onda completa, para a mesma equivalente simplificado de um retificador de
carga, o mesmo capacitor de filtro e tenso de meia onda com filtro capacitivo.
entrada, a ondulao ser muito menor e a Neste esquema simplificado, a fonte CA
tenso mdia CC de sada maior do que no representada por um gerador e sua resistncia
retificador de meia onda. A figura 5-15 mostra a interna RS, o diodo representado por uma
sada do retificador de onda completa com chave S que sensvel polaridade e o
filtro. capacitor C o filtro atravs da carga RL.

Figura 5-16 Circuito equivalente de um retificador de meia onda

Quando a polaridade do sinal CA for a seguinte, quando o diodo no conduz, o


apresentada na figura 5-16a, o diodo conduzir capacitor se descarrega atravs da carga.
e atuar como uma chave fechada. Tem-se ento Como a resistncia de carga RL muito
corrente circulando que far com que o maior que Rs, na descarga a constante de tempo
capacitor se carregue com a polaridade maior. Para melhor filtragem e mnima
indicada. Durante o semiciclo seguinte, a ondulao, a constante de tempo de descarga
polaridade se inverte e o diodo fica polarizado deve ser grande. Este grande tempo de descarga
inversamente, podendo ser considerado como pode ser conseguido com um alto valor de
uma chave aberta, como mostrado na figura 5- capacitncia e resistncia, portanto o capacitor
16b. Nesse perodo o capacitor se descarrega deve ser o maior possvel.
atravs da carga RL. No circuito de carga, o Com isso a constante de tempo RC ser
capacitor se carrega de Rs para o pico da tenso grande o bastante para tornar mnima a descarga
aplicada. Como Rs muito pequena, o capacitor do capacitor, durante os perodos em que o
se carrega rapidamente. Durante o semiciclo diodo no conduzir.

5-7
Clculo do capacitor de filtro Na prtica deve-se usar um capacitor de
valor um pouco superior a esse.
Embora filtros mais complexos possam Um outro fator importante a ser
ser construdos, para a maioria das aplicaes, o considerado na utilizao do capacitor de filtro
simples capacitor de filtro mais adequado para a tenso de operao do mesmo. Os
atender a filtragem requerida. capacitores em sua maioria so projetados para
As relaes entre corrente de carga, operarem com tenso abaixo de um limite
tenso de ondulao, valor do capacitor e tempo mximo.
de descarga, podem ser formulados atravs de Quando escolhermos a especificao da
uma simples equao, que apresentada a tenso mxima do capacitor, devemos ter
seguir: certeza que ela maior que a tenso de sada da
fonte de fora. Geralmente aconselhvel
Ixt deixarmos uma faixa de segurana de 20 %.
C O tipo de capacitor mais comumente
ER
usado em filtros o eletroltico de alumnio.
onde:
Porm para aplicaes em pequenas correntes,
C = Valor do capacitor de filtro em Farads algumas vezes so usados capacitores de
I = Corrente CC, na carga, em ampres tntalum.
t= Perodo da tenso de ondulao CA, em Tanto os capacitores eletrolticos como
segundos os de tntalum, so capacitores polarizados e
devem ser conectados no circuito com a
ER= Mxima tenso de ondulao pico-a- polaridade correta, para que funcionem
pico permitida, em volts. adequadamente.
Para determinarmos I, devemos Filtros LC e RC
conhecer o valor da resistncia de carga e a
tenso CC de sada desejada. O tempo t o Embora o filtro a capacitor seja o mais
perodo de descarga do capacitor de filtro e simples, pode-se melhorar a filtragem usando-se
igual ao perodo de ondulao CA. indutores (Choques) e resistores em combinao
Nos circuitos retificadores de meia onda, com ele.
a frequncia de oscilao de 60 Hz, tornando t Um choque pode reduzir muito a
= 0,01667 s. amplitude de ondulao, visto que ele se ope
Nos circuitos retificadores de onda s variaes de corrente atravs dele.
completa, a frequncia de oscilao de 120 A figura 5-17 mostra um filtro tpico
Hz tornando t = 0,00833 s. com choque de entrada.
Exemplo: Considere uma fonte de fora com
retificador de onda completa, que tenha
uma tenso CC de sada igual a 5 V,
sendo a mxima ondulao pico-a-pico
permitida de 1 %. A corrente de carga
200 mA. Qual o valor mnimo do
capacitor a ser usado?

I = 0,2 A
Figura 5-17 Filtro tpico com choque de entrada
t = 0,00833 s
ER= 0,01 x 5 = 0,05 V Para a mesma carga e mesmo retificador,
este circuito proporciona maior tenso de sada
It 0,2 x 0,00833 e ondulao (ripple) mais baixa.
C= 0,0333 Farads
ER 0,05 Os choques de filtro consistem de um
enrolamento feito sobre um ncleo de ferro
C = 33,33 MF laminado. Em conseqncia, os choques so
grandes, pesados e caros, o que os tornam

5-8
geralmente incompatveis com os circuitos de Porm, se a sobrecarga muito maior
estado slido, que so pequenos e leves. que o valor especificado para o fusvel, seu
Pode-se tambm melhorar a qualidade aquecimento e queima sero rpidos. Quanto
da filtragem usando-se resistores associados a velocidade os fusveis so disponveis em trs
capacitores. faixas: ao retardada, retardo mdio e alta
Usando-se resistores no lugar do choque velocidade.
no circuito(figura 5-17), a tenso de ondulao Os fusveis de ao retardada so
de sada pode ser reduzida a um valor menor dimensionados para circuitos que algumas vezes
que aquele obtido com apenas um capacitor. devem suportar sobrecargas de 200 a 400%
Quanto maior o valor do resistor, menor acima da corrente nominal. Se essa sobrecarga
a tenso de ondulao, porm, uma certa durar menos de 10 segundos, esse tipo de
quantidade da tenso produzida pela fonte cai fusvel a suportar sem abrir.
sobre esses resistores, o que reduz a tenso Os fusveis de ao retardada tm sua
disponvel na sada. maior aplicao em circuitos que so
submetidos a sobrecargas temporrias, tais
TIPOS DE PROTEO CONTRA como: circuito de partida de motores e circuitos
SOBRECARGA de carga de capacitores.
Os fusveis de retardo mdio so
A sobrecarga uma das condies geralmente usados em circuitos que podem
anormais mais comuns de ocorrer no emprego suportar uma sobrecarga superior a 200% do
de fontes de fora. Ela pode ser resultado de um valor especificado, por cerca de um segundo.
curto-circuito nos terminais da fonte ou mesmo Esses fusveis so usados em aplicaes onde os
devido ao mau funcionamento de algum componentes a serem protegidos podero ser,
componente do circuito. O mtodo mais usado ocasionalmente, submetidos a uma corrente
para proteger as fontes de fora contra ligeiramente superior ao valor mximo de
sobrecarga o emprego de fusveis, que um operao, sem se danificarem.
elemento sensvel corrente, ou seja, ele se abre Os fusveis de retardo mdio se abriro
quando a corrente que o atravessa excede um em poucos segundos mediante sobrecargas de
valor especfico. 100 a 200% do valor nominal. Os fusveis de
ao rpida so projetados para abrir muito
Fusveis rapidamente, mesmo com sobrecargas bem
pequenas. So geralmente empregados na
Como vimos, o fusvel um elemento proteo de circuitos delicados ou crticos.
dimensionado para proteger o circuito contra Numa fonte de fora a principal
uma corrente exclusiva. Ele consiste de um aplicao do fusvel na proteo do
dispositivo condutor conectado em srie com o transformador de fora e dos diodos
circuito ao qual dever proteger. Caso a corrente semicondutores. Os fusveis para a proteo do
no circuito exceda a um valor pr-determinado transformador de fora so conectados no
para o fusvel, o mesmo se romper, circuito do enrolamento primrio. Usa-se
interrompendo o fluxo de corrente. Durante o normalmente o de retardo mdio. Qualquer
funcionamento normal, enquanto a corrente sobrecarga no secundrio ser refletida como
estiver abaixo da especificao do fusvel, o um aumento de corrente no primrio e se no
mesmo simplesmente atuar como um resistor forem removidas podero danificar o
de valor muito baixo. transformador.
Um ponto a ser considerado que os Se a corrente de carga for excessiva, ou
fusveis no se abrem, ou se queimam se o capacitor de filtro entrar em curto, por
exatamente no instante em que a corrente exemplo, pode-se usar um fusvel para efetuar a
excede o valor especificado. Esse tempo de proteo apenas dos diodos retificadores.
rompimento depender da magnitude e da Esse fusvel de ao rpida e
durao da sobrecarga. Se a corrente atravs do conectado em srie com a sada do circuito
fusvel exceder a sua especificao apenas retificador.
ligeiramente, ele levar muito tempo at se A figura 5-18 mostra a fonte de fora
aquecer, fundir e se romper. com os dois diodos de proteo.

5-9
Figura 5-18 Fonte de fora com diodos de proteo

No clculo do fusvel a ser utilizado, Os disjuntores podem ser acionados


podemos adotar uma das frmulas abaixo e (desarmados) por magnetismo ou por efeito
adquirir o valor padro imediatamente superior trmico. Normalmente por efeito trmico.
do encontrado. Os disjuntores ou circuit breakers tm
Para o fusvel de retardo mdio: grande aplicao na aeronutica. Na linha de
alimentao eltrica das aeronaves geralmente
Mxima corrente permitida cada equipamento possui seu circuit breaker
0,75 correspondente.
Quando houver o desarme de um
Para o fusvel de ao retardada: disjuntor, o mecnico ou o piloto poder
verificar se existe alguma anormalidade no
Mxima corrente permitida circuito e, se nada for constatado, o dispositivo
0,85 poder ser rearmado. No caso de novo desarme,
a existncia de defeito est comprovada,
Disjuntores (Circuit Breakers) exigindo assim uma pesquisa mais detalhada no
circuito.
A figura 5-19 mostra os smbolos usados
Disjuntores so dispositivos usados para
na representao dos disjuntores.
proteo de circuitos. Quando h uma
sobrecarga no circuito o disjuntor se abre
interrompendo o mesmo. A diferena entre o
disjuntor e o fusvel que o primeiro pode ser
rearmado mecanicamente, isto o disjuntor no
se queima, ele se desarma. Figura 5-19 Simbologia dos disjuntores

5-10
CAPTULO 6

TRANSISTOR DE JUNO

INTRODUO Os tomos ionizados com cargas


diferentes (negativos na regio P, porque
Com a compreenso da constituio e recebem eltrons, e positivos na regio N,
comportamento dos elementos semicondutores, porque doavam eltrons), formam um campo
os cientistas a partir de 1948, conseguiram eletrosttico que paralisa o processo de difuso.
construir um dispositivo que podia executar a A difuso o movimento de portadores
funo de uma vlvula eletrnica, como numa rea, onde esto mais concentrados, para
amplificador de corrente. Este dispositivo foi uma regio onde sua concentrao menor.
determinado transistor.
Dos primeiros transistores cujas
caractersticas eram bastante limitadas, at os
atuais circuitos integrados, que englobam
dezenas ou centenas de diferentes dispositivos
num minsculo slido, o avano tecnolgico foi
muito grande.
Figura 6-2 Barreiras de potencial num transistor
FORMAO DAS JUNES PNP E NPN PNP

Um transistor de juno consiste em um A figura 6-3 mostra a simbologia usada


cristal de silcio ou de germnio no qual existe na representao dos transistores PNP e NPN.
uma camada de silcio do tipo N entre duas
camadas de silcio do tipo P, ou uma camada P
entre duas camadas N. No primeiro caso
teremos um transistor chamado PNP e, no
segundo, um transistor NPN, como mostra a
figura 6-1.
Figura 6-3 Smbolos dos transistores

Na representao simblica do transistor,


a seta identifica o emissor, que o elemento que
emite portadores. O elemento oposto ao emissor
chamado coletor,pois recebe os portadores
enviados pelo emissor. O elemento
intermedirio denominado base.
A base controla o fluxo de portadores
Figura 6-1 Transistores PNP e NPN entre o emissor e o coletor. A seta sempre
aponta para o elemento negativo. Assim, se a
Com a formao das trs regies, seta apontar para o emissor, neste caso negativo,
aparecem automaticamente duas outras teremos um transistor NPN. Se a seta apontar
pequenas regies internas, j conhecidas como para a base, o coletor e o emissor sero do tipo
barreira de potencial ou regio de depleo. P, teremos ento um transistor tipo PNP.
As barreiras de potencial so campos
eletrostticos formados nas linhas de juno, da Polarizao do transistor NPN
seguinte maneira: na figura 6-2, os elementos P
possuem grande quantidade de portadores O transistor s ir funcionar correta-
positivos e o elemento N grande quantidade de mente se tiver uma polarizao adequada.
portadores negativos. A difuso de eltrons da Quando ligamos uma bateria na juno
regio N e lacunas das regies P resultam em base-emissor, como mostra a figura 6-4,
recombinaes nas linhas das junes, observamos que corresponde a uma polarizao
ionizando os tomos das impurezas. direta.

6-1
divide em dois ramais uma que vai para o
terminal da base (IB) e outra que vai para o
coletor (IC), temos que: IE = IB + IC.
Apesar da polarizao inversa entre base
e coletor, o valor da corrente do coletor muito
superior ao da corrente que flua quando o
transistor era polarizado isoladamente. Nesta
situao IC aproximadamente 98% de IE , com
isso podemos concluir que a quantidade de
Figura 6-4 Transistor NPN em polarizao corrente IC depende da polarizao direta entre
direta base e emissor. Este fenmeno pode ser
entendido analisando-se a figura 6-7.
Dessa maneira fluir ento uma corrente
atravs da baixa resistncia da juno emissor-
base.
Se aplicarmos tenso atravs da segunda
juno, como mostrado na figura 6-5, fluir uma
corrente muito pequena atravs da resistncia da
juno base-coletor, pois a polarizao
inversa.

Figura 6-7 Portadores em movimento no


transistor NPN

Os eltrons na regio do emissor so


repelidos pelo potencial negativo da fonte em
direo base, passando com facilidade pela
juno base-emissor, pois a mesma est
polarizada diretamente apresentando assim uma
Figura 6-5 Transistor NPN em polarizao
baixa resistncia.
inversa
Alguns eltrons se recombinam com as
lacunas existentes na base, formando a corrente
Esta pequena corrente, que causada
de base.
pelos portadores minoritrios, chamada de
Como o nmero de lacunas na base
corrente de fuga.
inferior ao nmero de eltrons que nela
Consideramos at agora as duas junes
penetram, e tambm devido ao fato da base ter
polarizadas separadamente. A seguir veremos o
dimenses muito reduzidas, a maioria dos
comportamento do transistor quando nele
eltrons atinge a juno base-coletor.
aplicamos as duas tenses ao mesmo tempo.
Esses eltrons que esto sendo atrados
pelo potencial positivo do coletor ultrapassam a
juno base-coletor, chegando ao terminal
positivo da fonte.
Este movimento de eltrons nos
elementos do transistor constituem as correntes
eltricas atravs do mesmo.

Polarizao de um transistor PNP

Figura 6-6 Transistor NPN polarizado A anlise da polarizao do transistor


PNP anloga ao do NPN, entretanto, para que
Analisando a figura 6-6, podemos ver a juno emissor-base seja polarizada
que a corrente que passa pelo emissor (IE) se diretamente e a juno base-coletor inversa-

6-2
mente, necessrio mudar as polaridades das GANHOS E AMPLIFICAO DO
fontes, com relao s usadas no transistor TRANSISTOR
NPN.
Estas polaridades esto apresentadas na figura Cada uma das junes de um transistor
6-8. apresenta uma queda de tenso, que
denominada conforme a juno. Temos ento:

VBE ou VEB = tenso entre base e emissor


VBC ou VCB = tenso entre base e coletor
VCE ou VEC = tenso entre coletor e emissor

A maioria deles VCE. Podemos dizer


que VCE a soma das outras duas, ou seja: VCE
= VBE + VBC. Podemos tambm medir a tenso
Figura 6-8 Portadores no transistor PNP de um elemento qualquer do transistor em
relao terra. Neste caso temos ento:
As lacunas da regio do emissor, que so
repelidas pelo potencial positivo da fonte em VB = tenso entre base e terra
direo base, ultrapassam a juno emissor- VE = tenso entre emissor e terra
base com facilidade, pois a mesma est
polarizada diretamente e sua resistncia baixa. VC = tenso entre coletor e terra
Novamente algumas destas lacunas se Estes termos so aplicados qualquer
recombinam com os eltrons existentes na base, tipo de transistor em qualquer configurao.
constituindo a corrente da base IB.
Devido ao baixo nmero de eltrons Tipos de configurao
existentes na base, a maioria das lacunas que
nela penetram alcanam a juno base-coletor. O transistor pode ser ligado em um
Estas lacunas que esto sendo atradas pelo circuito de trs formas distintas: base comum,
potencial negativo do coletor ultrapassam a emissor comum ou coletor comum. O nome da
juno base-coletor, chegando ao terminal configurao referenciado ao elemento do
negativo da fonte. transistor que comum aos circuitos de entrada
Portanto enquanto o potencial positivo e de sada. A figura 6-9 mostra um transistor
retira eltrons do emissor, o potencial negativo NPN nas trs configuraes, respectivamente:
fornece eltrons ao coletor. base comum, emissor comum e coletor comum.

Vin Vin

Figura 6-9 Transistores nas configuraes BC, EC e CC

Cada configurao apresente vantagens e tenso ou corrente de sada deve ser maior que a
desvantagens que iro determinar a sua tenso ou corrente de entrada.
aplicao. Normalmente o maior interesse saber
os ganhos referentes corrente alternada, mas
Ganhos do transistor
iniciaremos com exemplos do ganho com
Como a principal funo do transistor corrente contnua.
amplificar sinais o mesmo deve apresentar um Consideremos o transistor na
ganho de tenso e de corrente, ou seja, a configurao mostrada na figura 6-10.

6-3
Com os dados obtidos no exemplo
anterior podemos calcular o ganho de potncia
Gp:
Po Vo x Ic 98 x 9,8 mA
Gp =
Pi Vi x I E 0,3 x 10 mA

Figura 6-10 Transistor na configurao base 960,4


comum = 320,2
3
Como podemos ver, apesar de no
Com os valores atribudos para IE e IC termos obtido ganho de corrente, os ganhos de
temos: tenso e de potncia foram altos.
Esses ganhos so provocados pela
Corrente de sada passagem de corrente de uma juno de baixa
Ganho de corrente =
Corrente de entrada resistncia (base-emissor) para outra de alta
IC resistncia (base-coletor).
= Conclumos tambm que se soubermos
IE os valores de dois ganhos de um determinado
9,8 transistor, o outro ganho pode ser calculado de
Ganho de corrente = Gi = 0,98
10 forma simples e direta.
Neste caso, o circuito no apresenta Uma vez que Gp = Gv x Gi como
ganho de corrente, ou seja h perda de corrente consequncia teremos:
no circuito porque a corrente de sada menor
que a corrente de entrada. Gp Gp
O ganho de tenso a relao entre a Gi = e Gv
Gv Gi
tenso de sada Vo e a tenso de entrada Vi ou
seja: Como os ganhos podem ser estticos (re-
Vo ferentes a corrente contnua) e dinmicos (refe-
Gv =
Vi rentes a corrente alternada), usa-se a letra
Vo o produto da corrente de sada (Ic) maiscula para diferencia-los.
e a resistncia de sada (Ro). Os ganhos estticos so identificados
A Ro, que a juno base-coletor pela letra G e os dinmicos pela letra A.
polarizada inversamente, de valor elevado. Os ganhos de corrente tambm podem
A Vi o produto da corrente de entrada ser representados por uma letra grega que
(IE) e a resistncia de entrada (Ri). tambm serve para identificar a configurao do
A Ri que a juno base-emissor transdutor. A letra D (alfa) usada na
polarizada diretamente de valor baixo. configurao base comum, a letra E (beta)
Para o mesmo circuito de figura 6-10 usada em emissor comum e a letra J (gama)
suponhamos Ro = 10 K e Ri = 30 :. Temos usada em coletor comum.
ento que:

Vi = IE x Ri = 10 mA x 30 : = 0,3 V AMPLIFICADOR EM CONFIGURAO


EMISSOR COMUM
Vo = Ic x Ro = 9,8 mA x 10 K = 98 V
No circuito do amplificador na
Vo 98 configurao emissor comum o sinal de entrada
Gv = # 327 aplicado entre o emissor e a base e o sinal de
Vi 0,3
sada retirado entre o coletor e o emissor, ou
O ganho de potncia Gp a relao entre seja o emissor o elemento comum entrada e
a potncia de sada (Po) e a potncia de entrada sada do circuito.
(Pi). A Po o produto da tenso Vo e a corrente A figura 6-11 mostra o amplificador na
Ic. A Pi o produto da tenso Vi e a corrente IE. configurao emissor comum.

6-4
O valor da corrente direta base-emissor
(IB), depende dos valores de RB e da prpria
tenso da fonte VBB.
O valor da corrente IC depende
praticamente do valor da corrente IB.
Geralmente o circuito polarizado para
termos uma corrente mdia de base, em
consequncia a corrente do coletor tambm ser
mdia.
Essas correntes mdias se estabelecem
no circuito tenses VBE e VCE constantes como
mostrado na figura 6-13.
Figura 6-11 Ampliador em configurao
emissor comum

Analisando o circuito, vemos que


a juno base-emissor est polarizada
diretamente e a juno base-coletor, inversa-
mente.
Devido a esta polarizao, o circuito de
entrada apresenta uma baixa resistncia e o
circuito de sada uma alta resistncia. A
resistncia de base RB tem por finalidade limitar
a corrente no circuito de base-emissor no valor
desejado.
O resistor no circuito do coletor serve
para obter variaes de VCE com as variaes de
Ic, desenvolvendo no circuito de sada uma
variao de VCE dependente da variao da
tenso do sinal de entrada.

Descrio do funcionamento

O circuito da figura 6-12 refere-se a um


ampliador em emissor comum, com transistor
PNP.
O coletor alimentado pela tenso Vcc,
atravs de RL e, atravs de RB, VBB polariza Figura 6-13 Tenses VBE e VCE no transistor
diretamente a juno base-emissor. PNP em configurao EC

Se a corrente de base aumentar ou


diminuir a corrente do coletor, as tenses VRL e
VCE tambm sofrero variaes proporcionais
estas.
Estas variaes nas correntes e tenses
do circuito podem ser causadas por um sinal
senoidal aplicado entrada do mesmo.
Faremos a seguir um estudo do compor-
tamento do circuito emissor comum, com um
sinal senoidal aplicado entre a base e o emissor.
A figura 6-14 mostra um ampliador
emissor comum com transistor PNP e os
Figura 6-12 Transistor PNP, em configurao respectivos grficos dos sinais de entrada e de
emissor comum sada.

6-5
Figura 6-14 Amplificador emissor comum com sinais de entrada e de sada

Admitamos que no instante inicial o variando do mximo at zero. A tenso VCE


sinal senoidal aplicado ao circuito de base tende a aumentar negativamente, devido a
aumente de zero a um mximo positivo, como diminuio de VBE, que por sua vez tende a
aparece na figura 6-14, no perodo de t0 a t1. diminuir a IB e a IC. Com isso a queda da tenso
Como o circuito utiliza um transistor em RL tambm diminui.
PNP, o sinal positivo crescente, aplicado na Observando os grficos de entrada e de
base, diminui a polarizao direta base-emissor sada na figura 6-14, na configurao emissor
(VBE), diminuindo a corrente de base (IB). A comum vemos que entre eles existe uma
diminuio de IB provoca a diminuio de IC e defasagem de 180o. O funcionamento desse
da queda de tenso em RL. Com a diminuio da ampliador, tal como o de base comum,
tenso em RL, h um aumento da tenso caracterizado pela variao da corrente no
negativa entre o coletor e o emissor (VCE) como circuito de base-emissor que produz uma
mostra o grfico de sada na figura 6-14. variao de corrente e tenso no circuito coletor.
Quando a tenso de entrada do circuito Estas variaes, plotadas em grficos,
diminuir do mximo positivo para zero, isto , representam as curvas caractersticas de entrada
entre os tempos t1 e t2, a polarizao direta e de sada de um transistor. Normalmente estas
aumenta proporcionalmente, aumentando IB e e tambm outras curvas caractersticas so
consequentemente IC. Com o aumento de IC, a fornecidas pelo fabricante do componente.
queda de tenso em RL tambm aumenta. Com o
aumento da tenso em RL, a VCE diminui como CURVAS CARACTERSTICAS DO
mostrado no grfico da tenso de sada na figura AMPLIFICADOR EM EMISSOR COMUM
6-14 entre os tempos t1 e t2.
A variao da tenso de entrada entre os Curva caracterstica de entrada
tempos t2 e t3 continuar a aumentar a
polarizao direta, diminuindo mais a VCE, Como vimos, a curva caracterstica de
como tambm pode ser visto no grfico da entrada de um transistor em configurao
tenso de sada na figura 6-14. emissor comum traada em funo das
Entre os tempos t3 e t4, no grfico do variaes da VBE e IB, com determinada VCE de
sinal de entrada, a tenso negativa e est valor constante.

Figura 6-15 Circuito e curva caracterstica de entrada do emissor comum

6-6
Observando o circuito da figura 6-15 No amplificador em configurao
vemos que as variaes de IB e VBE podem ser emissor comum o valor da Ri geralmente
conseguidas atravs da atuao de um
baixo, porm maior que o valor da Ri do
potencimetro conectado base do transistor.
Com a variao do cursor do circuito em base comum.
potencimetro P1, haver variao da VBE e de O resistor de base RB no circuito da
IB. Variando-se a IB a partir de 0 A, passo-a- figura 6-15 tem a funo de limitar a
passo, observam-se as variaes de VBE corrente de base em um determinado valor.
correspondentes. O clculo de RB pode ser feito da seguinte
Com os dados obtidos, plota-se um
forma:
grfico semelhante ao da figura 6-15. Atravs
dos grficos das curvas de entrada do
amplificador, podemos obter dados para o VBB  VBE
RB =
clculo da polarizao de base, da resistncia de IB
base etc. Curva caracterstica de sada
A resistncia de entrada pode ser obtida
em funo de uma dada variao de IB e de sua
correspondente variao de VBE da seguinte As caractersticas de sada do
maneira: amplificador em emissor comum, com
relao a tenses e correntes so obtidas
' VBE com um circuito semelhante ao da figura 6-
Ri =
'IB 16.

Figura 6-16 Circuito para levantamento da curva caracterstica de sada do amplificador em emissor
comum

Com o valor de IB ajustado e mantido pontos marcados, teremos uma curva


constante, varia-se a tenso VCE passo-a-passo, semelhante da figura 6-17.
anotando-se as variaes de IC.
Com os dados obtidos das variaes de
IC para cada variao da VCE, pode-se traar a
curva de sada para a IB usada.
Por exemplo, podemos apresentar uma
curva com IB igual a zero e em seguida com IB =
20 A.
Com a IB ajustada para zero, aumenta-se
a VCE de zero at 10 V, anotando-se as 00 A
A
variaes de IC em cada lance de variao da
VCE, que pode ser de 1 em 1 Volt.
Plotando-se em um grfico as variaes Figura 6-17 Variaes de VCE e IC com IB
de VCE e IC com IB igual a zero e interligando os igual a zero

6-7
Em seguida, ajustando-se a IB para 20 GANHOS DO TRANSISTOR EM
A, varia-se novamente a tenso VCE de zero a EMISSOR COMUM
10 V anotando-se as correspondentes variaes
de IC. Ganho de corrente
Com os dados obtidos plota-se no
grfico a curva caracterstica correspondente s O ganho de corrente de um amplificador
variaes de IC e VCE com IB igual a 20 A. Essa a relao entre a corrente de entrada e a
curva mostrada na figura 6-18. corrente de sada, ou seja, entre IB e IC. Como a
corrente IC bem maior que a corrente IB, o
transistor ter um alto ganho de corrente na
configurao emissor comum. Para designar o
ganho de corrente usa-se a letra grega betae
o mesmo determinado pela frmula:

20 A ' IC
0 A = , com VCE constante.
' IB

Os valores de IB e IC podem ser


Figura 6-18 Variaes de VCE e IC com IB igual encontrados no grfico de curvas caractersticas
a 20 A do transistor, como mostra a figura 6-19.

Figura 6-19 Curvas caractersticas de ganho de corrente do transistor

Para encontrarmos os dados em curvas Ganho de tenso


para o clculo de corrente, traa-se primeiro
uma perpendicular ao eixo VCE, por exemplo, 10 Um transistor na configurao emissor
V, como na figura 6-19. A seguir verifica-se a comum apresenta um alto grau de tenso. O
variao de IC para uma determinada variao ganho de tenso, analogamente ao ganho de
de IB. corrente, a relao entre a tenso de sada e a
Na figura 6-19, vemos que uma variao tenso de entrada, ou seja:
de 20 a 25 A na IB ir produzir na IC uma
variao de 12,5 mA. Neste caso, o ganho de Vo
corrente ser: Gv =
Vi

' IC 15 12,5 mA Para calcular o ganho de tenso


= 500
' IB 25  20 PA podemos usar ainda a seguinte expresso:

6-8
Ro
Gv = E x
Ri
Ro
Onde chamado de ganho de resistncia,
Ri
pois consiste da relao entre a resistncia de
sada e a resistncia de entrada.

Ganho de potncia

Geralmente, o ganho de potncia nos


circuitos em configurao emissor comum
muito alto.
O ganho de potncia o produto do
ganho de corrente () pelo ganho de tenso (Gv)

GP = x Gv

CARACTERSTICAS ESTTICAS E
DINMICAS DE UM AMPLIFICADOR
EM EMISSOR COMUM Figura 6-20 Curva caracterstica com reta de
carga para o amplificador na
O ponto de operao de um transmissor configurao emissor comum
tambm denominado por ponto de trabalho ou
ponto quiescente. Temos ento a reta de carga traada
Quando em operao sobre o transistor entre esses dois extremos. Se o IC mximo de
so aplicadas tenses e correntes de modo a se 12 mA e a VCC 6 V, o valor da resistncia de
estabelecer uma polarizao e fixarmos para o carga RL pode ser calculado pela lei de Ohm:
mesmo um ponto de operao.
O ponto quiescente designado pela VCC 6V
letra Q. RL = 500 :
IC mxima 12 mA
Reta de carga
Ainda observando o grfico da figura 6-
A linha ou reta de carga a reta que 20, partindo do cruzamento das curvas de IB
interliga, no grfico de curva de sada, o ponto com a reta de carga, vemos que com 20 A de
de mxima IC ao de mxima VCE, para um IB, a IC ser aproximadamente 1,8 mA e a VCE
determinado circuito ampliador. de 5,5 V.
O ponto de mxima IC est relacionado Como a corrente de sada de um
com a condio de saturao do transistor, que amplificador depende da corrente de entrada,
quando as junes coletor e emissor esto devemos escolher qual corrente desejvel para o
diretamente polarizadas e o transistor circuito de base.
considerado um circuito aberto. No caso escolheremos uma IB de 40 A.
Em resumo, a reta de carga traada no Marcaremos no grfico de sada, como ponto Q
grfico de curvas de sada nos mostra as o cruzamento da reta de carga com a curva de
condies de funcionamento dinmico do 40 A de IB. Escolhida a IB podemos encontrar
circuito, entre os limites mximos e mnimos de o valor da VBE no grfico da curva de entrada
IC e VCE. que aproximadamente 0,16 V.
A figura 6-20 mostra a curva Com esses dados o valor da resistncia
caracterstica de sada com a reta de carga para de base (RB) pode ser encontrado pela frmula
o circuito em emissor comum. dada a seguir:
Considerando o grfico da figura 6-20,
adotaremos para VCC o valor de 6 V e para a VBB  VBE 1  0,16V
RB = 21 K:
mxima IC o valor de 12 mA. IB 4 PA

6-9
Anlise do circuito emissor comum IB determinar uma IC de aproximadamente 3,5
polarizado mA, como poder ser visto no grfico da figura
6-20, pela projeo do ponto Q,
O circuito da figura 6-21 mostra um perpendicularmente ao eixo de IC.
transistor PNP, tipo 2N408. Como polarizao o Sendo IC 3,5 mA, passando atravs de
fabricante sugere os seguintes valores: RL, a qual podemos considerar 500 ,
RB = 21 K determinar uma queda de tenso que pode ser
calculada pela frmula abaixo:
VBB = 1 V
VCC = 6 V
Quando o circuito for ligado, o resistor ERL = RL x IC = 500 x 0,0035 = 1,8 V
RB limitar a corrente de base em 40 A. Essa

Figura 6-21 Amplificador em emissor comum com transistor PNP

Se a queda de tenso em RL de 1,71, a tende a alterar as condies de IC e VCE, no


tenso VCE ser igual a: circuito de sada.
Aplicando-se um sinal senoidal de 0,04
VCE = VCC RL = 6 - 1,8 = 4,2 V VPQ na entrada desse circuito, todas as correntes
e tenses estticas do circuito tendem a variar
Um circuito polarizado com esses na mesma relao senoidal.
valores encontrados tende a permanecer Estas variaes podem ser traadas no
estaticamente nesta situao. Qualquer grfico de curvas de entrada e no de sada
desequilbrio de corrente no circuito de base conforme mostra a figura 6-22.

Figura 6-22 Curvas de entrada e de sada em emissor comum

6-10
A figura 6-22 mostra o grfico das A potncia de sada conforme os dados
variaes de IB em funo das variaes da VBB, obtidos nos grficos de sada do amplificador
produzidas pelo sinal de 0,04 pp aplicado base em funo do sinal de 0,04 Vpp, ser:
do transistor.
Atravs dessas curvas podemos obter Pout = ' VCE x ' IC = 1,8 x 0,0033 =
dados para calcular os ganhos dinmicos que se
referem a uma condio de funcionamento do =0,0059 W = 59 x 10-4 W
circuito.
O ganho dinmico de um amplificador Com isso o ganho de potncia do
depende das caractersticas do mesmo. Existem circuito ser:
amplificadores para ganho de tenso e outros
para ganho de corrente. P out 59 x104 W
Ap = 3687
GANHOS DINMICOS DO CIRCUITO P in 1,6 x10 6 W
EMISSOR COMUM
O amplificador em configurao emissor
Ganho de corrente comum, como verificamos, oferece ampliao
alta em relao ao de base comum.
No grfico da figura 6-22 vemos que Esta ampliao varia conforme o valor
uma variao de IB de 20 A a 60 A sobre a da RL.
linha de carga produz uma variao de IC de 1,7 Com RL de valor alto o ganho de
a 5 mA. O ganho de corrente do amplificador corrente baixo e o de tenso alto. Com RL de
ser aproximadamente igual a 82. valor baixo o ganho de corrente alto e o de
tenso baixo.
' IC 5 1,7 0,0033 A figura 6-23 mostra os grficos de
Ai = # 82 ganhos de corrente e tenso, em funo do valor
' IB 60  20 0,00004
de RL.
Ganho de tenso

Para o circuito em estudo o ganho de


tenso pode ser encontrado atravs dos grficos
de entrada e de sada do circuito.
No grfico da figura 6-22 vemos que
uma variao de VBE de 0,14 a 0,18 V(ou seja
0,04 V) produzir uma variao de IB de 40 a 60
A. Esta variao de IB produz na VCE uma
variao de 3,5 a 5,3 V.
O ganho de tenso ser, portanto:

' VCE 5,3  3,5 1,8


AV = 45
' VBE 0,18  0,14 0,04

Ganho de potncia

A potncia de entrada para o circuito da


figura 6-21 dada por:

Pin = ' VBE x ' IB

Como ' VBE = 0,04 V


Figura 6-23 Ganhos de corrente e tenso em
Pin = 0,04 x 0,00004 = 1,6 x 10-6 W funo da resistncia de carga

6-11
AMPLIFICADOR EM CONFIGURAO entre o emissor e o coletor. O coletor comum
COLETOR COMUM aos circuitos de entrada e de sada.
Na figura 6-24 A vemos um circuito
No amplificador em configurao coletor comum com um transistor PNP e na
coletor comum, o circuito de entrada de sinal figura 6-24 B o mesmo circuito com transistor
entre a base e o coletor, e o circuito de sada NPN.

Figura 6-24 Configurao coletor comum

O transistor em configurao coletor Funcionamento do amplificador em coletor


comum polarizado, como as outras comum
configuraes, diretamente entre base e emissor
e inversamente entre base e coletor. Na figura 6-25 est esquematizado um
Nos circuitos da figura 6-24 a circuito amplificador em emissor comum, com
polarizao direta de base para emissor feita transistor PNP, no qual vemos que a fonte de
por VBB, enquanto que VCC polariza tenso VCC alimenta o coletor e o emissor
inversamente o circuito base-coletor. atravs de RE e, VBB alimenta a juno base-
RB limita a IB ao valor desejado e RE, no emissor atravs de RB.
circuito de emissor, a resistncia de carga. A Supondo que o circuito esteja polarizado
finalidade desta resistncia permitir que se para uma corrente de base mdia, a corrente de
desenvolva, na sada, uma variao de tenso emissor tambm ser mdia.
que depende da variao de tenso que depende Estas correntes mdias estabelecem, no
do sinal de entrada. Como neste tipo de circuito circuito, tenses de base e de emissor
a tenso de sada retirada do emissor, ele constantes, conforme pode ser visto nos grficos
tambm denominado seguidor de emissor. A e B da figura 6-25.

Figura 6-25 Amplificador em configurao coletor comum

6-12
Se VB variar em funo de uma tenso como mostra o grfico B da figura 6-26 entre
senoidal, a IB sofrer variao, variando tambm os tempos t0 e t1. Com a diminuio da tenso
a IE que provocar a variao da tenso em RE. do mximo positivo para zero, como aparece no
A tenso em RE pode ser denominada de VE grfico A entre os tempos t1 e t2, a
(tenso de emissor). polarizao direta na base aumente
Atravs do circuito da figura 6-26, proporcionalmente, aumentando a IB. Com o
estudaremos o comportamento do amplificador aumento da IB h tambm um aumento da IE e
em coletor comum, com sinal senoidal aplicado da queda de tenso em RE, com um conseqente
base. O grfico A representa a tenso do aumento relativo de VE, como pode ser visto no
sinal de entrada, dividida em tempos, e o grfico grfico B da figura 6-26, entre os tempos t1 e
B representa o sinal de sada tambm dividido t2.
em tempos. A variao da tenso de entrada, entre
Suponhamos inicialmente que o sinal os tempos t2 e t3, continuar a aumentar a
aplicado base aumente de zero ao mximo polarizao direta (VBE), aumentando mais a IC,
positivo, como de t0 a t1, no grfico A da com conseqente aumento de VE.
figura 6-26. Sendo o transistor PNP este sinal Entre os tempos t3 e t4 da tenso de
positivo crescente diminui a polarizao direta entrada, a polarizao direta diminui,
(VBE), diminuindo a IB. A diminuio da IB diminuindo a IB, a IC e a VE, como mostrado no
produz a diminuio da IE e da tenso em RE, grfico B entre os tempos t3 e t4.

Figura 6-26 Amplificador em configurao coletor comum com sinal aplicado entrada

Atravs dos grficos A e B, Ganho de tenso


verificamos que neste tipo de circuito os sinais
de entrada e de sada esto em fase.
Como vimos, o funcionamento do O ganho de tenso do amplificador em
amplificador em configurao coletor comum, configurao coletor comum definido como
est ligado s variaes de tenso e corrente do sendo a relao entre as variaes de tenso de
emissor, produzidas pelas variaes de corrente sada, que aparece em RE, e a de entrada
na base. Estas variaes de tenses e correntes (aplicada na base).
so plotadas em grficos como nas outras Neste tipo de configurao, o valor
configuraes. Estes grficos representam as numrico do ganho de tenso depende do valor
caractersticas do transistor nesta configurao. de RE e nunca maior que a unidade.
Isto acontece porque, conforme vemos
Caractersticas do amplificador em coletor no circuito da figura 6-26, o sinal aplicado na
comum base em srie com RE.
As variaes de tenso em RE
Estudaremos neste tipo de montagem produzem uma forte realimentao negativa que
do transistor, os ganhos relativos tenso, tende a diminuir a polarizao direta base-
corrente, potncia e resistncia. emissor.

6-13
Ganho de corrente

Nas curvas caractersticas de sada do


circuito em configurao coletor comum, que
aparece na figura 6-28, vemos que a corrente de
sada a IE e a de entrada a IB. Sabendo-se que
o ganho de corrente a relao entre as
correntes de sada e de entrada, conclumos que,
neste circuito, h um alto ganho de corrente, o
qual poder ser calculado pela frmula:

' IE
Ai
' IB

Ganho de potncia

Embora o ganho de tenso desta


configurao seja muito baixo, o elevado ganho
de corrente determina um ganho de potncia
considerado alto. O ganho de potncia pode ser Figura 6-27 Ganhos de tenso e corrente em
determinado, multiplicando-se o ganho de funo da resistncia de carga
corrente pelo ganho de tenso.
LINHA DE CARGA NO CIRCUITO
Ganho de resistncia COLETOR COMUM

Sendo o ganho de resistncia a relao O grfico apresentado na figura 6-28


entre a resistncia de sada e a de entrada, faz-se representa a caracterstica de sada do transistor
necessrio conhecer estes dois valores para a 2N408 em coletor comum. Vemos nele que a
determinao do ganho de resistncia. corrente de sada a IE e a tenso de sada a
VCE. No circuito, vemos que o valor da tenso
1) Resistncia de entrada: a resistncia VCC de 6 V e RL de 500 .
de entrada do circuito em coletor comum A linha de carga liga os pontos de
normalmente muito alta, por causa da mxima VCE, neste caso 6 V, e mxima IE, que
realimentao negativa do circuito. neste exemplo de 12 mA. Devemos lembrar
Tambm devemos considerar o circuito que a mxima IE a condio do circuito com o
de entrada base-coletor, que polarizado transistor saturado ou em curto e a mxima VCE
inversamente. a condio do circuito com o transistor
2) Resistncia de sada: a resistncia de considerado em circuito aberto.
sada deste tipo de circuito Para o estudo das caractersticas deste
normalmente pequena e depende quase circuito, ele foi polarizado estaticamente
que exclusivamente do valor de RE. conforme aparece no grfico da figura 6-28.
Podemos concluir que este tipo de Neste grfico vemos que a IB esttica
configurao tambm no apresenta de 40 A. Considerando o valor da tenso VBE
ganho de resistncia. em 0,2 V com 40 A de IB, o valor de RB poder
ser calculado.
As caractersticas principais do circuito Observamos no grfico que, com IB de
em coletor comum so: ganho de tenso menor 40 A, a IE , aproximadamente 2,9 mA. Esta
que a unidade, alto ganho de corrente, alto corrente passando por RL, cujo valor de 500
ganho de potncia, alta resistncia de entrada e determinar uma queda de tenso de 1,45 V
baixa resistncia de sada. (500 x 2,9 mA = 1,45 V).
Na figura 6-27 vemos dois grficos que Conforme vemos no circuito, o sentido
mostram os ganhos de tenso e corrente, da corrente no resistor RE faz com que o emissor
conforme o valor de RE. fique com uma tenso negativa de 1,45 V.

6-14
Como o valor de VBE de 0,2 V, para que a
juno base-emissor fique polarizada direta-
mente, a tenso de base dever ser de 1,65 V,
visto que o emissor est com uma tenso
negativa de 1,45 V.
Se a tenso de base deve ser de 1,65 V,
podemos retirar esta tenso de VCC, intercalando
um resistor (RB) em srie, como limitador da
tenso restante, ou seja, 4,35 V.
Sabendo-se que a corrente que dever
circular por RB a IB de 40 A, o seu valor (RB)
pode ser calculado da seguinte forma:

VCC  VB 6  1,65 4,35


RB= # 109 K:
IB 40 4 x10 5

O comportamento dinmico deste


circuito com transistor PNP pode ser agora
analisado. Notamos que a sua condio esttica
com relao a correntes e tenses vista nas
curvas caractersticas, ou medidas, se o circuito
fosse montado experimentalmente, conforme os
valores de tenso VCC, RE e RB, que o
constituem.
Nas curvas, vemos que com IB de 40 A
a IE ser de 2,9 mA e a VCE de 4,55 V. Nesta
situao, a VE ser igual a 1,45 V (VCC VCE =
VE).
Se um sinal com tenso senoidal for
aplicado no circuito de base, a IB variar,
variando a IE. A variao da IE produzir Figura 6-28 Circuito e curva caracterstica de
variao na VE. Estas variaes de IB, IE e VCE sada da configurao coletor
podem ser vistas no grfico da figura 6-28. comum

6-15
CAPTULO 7

ESTABILIZAO DA POLARIZAO DE TRANSISTORES

INTRODUO de destruir os fios de conexo dos dispositivos,


embora a corrente necessria para tal, seja bem
Ao lanar um transistor no comrcio, o maior que a especificada como corrente mxima
fabricante fornece todas as informaes sobre absoluta.
ele e as inclui em seus manuais para facilitar o Embora o dependa do transistor, ele
trabalho dos tcnicos e projetistas de circuitos. pode sofrer variaes de acordo com o valor de
Uma das principais informaes IC. Assim, para valores muito elevados de
fornecidas a famlia de curvas caractersticas corrente, o diminui. A figura 7-1 nos mostra
de sada do transistor. De posse dela, entre trs curvas para alguns tipos de transistores.
outras coisas, podemos traar a linha de carga e
a curva de mxima dissipao de potncia. A
primeira nos possibilita a escolha do ponto Q
(ponto quiescente) ou POE (ponto de operao
esttica) e a segunda nos assegura se o transistor
est trabalhando dentro de seus limites.
Aparentemente, para que um transistor
no se danifique durante seu funcionamento,
baste que ele trabalhe dentro dos limites de
dissipao de potncia. Entretanto, existem
outros aspectos a serem considerados, tais
como: corrente, tenso e temperatura.
Portanto, antes de entrarmos no traado
da curva de mxima dissipao de potncia,
faremos consideraes sobre essas limitaes. Figura 7-1 Ganho em funo da IC para vrios
transistores
LIMITAES DOS TRANSISTORES
BIPOLARES Na figura 7-2, so apresentadas as curvas
caractersticas de sada e delimitada a faixa
Como qualquer componente eletrnico, possvel de operao, em termos de corrente do
o transistor em funcionamento normal, no deve coletor. Nesta figura estamos considerando
ultrapassar os valores limites de tenso, apenas a limitao de corrente do coletor.
corrente, potncia, temperatura e frequncia, Ainda com relao s especificaes de
fornecidos pelo fabricante, sob pena de correntes, o fabricante fornece, s vezes, os
desempenho no satisfatrio, diminuio do valores limites das correntes de base e de
tempo de vida ou mesmo destruio do emissor.
componente.
Limitaes de tenses
Limitaes de correntes
Como limitao de tenso, geralmente o
O fabricante especifica a corrente de fabricante fornece os valores mximos das
coletor (mxima absoluta) que pode fluir no tenses entre os trs terminais, ou seja, os
transistor, embora esta definio no seja muito valores mximos de VBE, VBC e VCE, quando as
clara, uma vez que na realidade, desde que a junes so polarizadas inversamente.
potncia dissipada no ultrapasse o valor Sabemos que, no funcionamento normal
tambm especificado por ele, a corrente do do transistor, a juno base-emissor polarizada
coletor pode ser aumentada at um ponto que diretamente, mas o fabricante costuma dar a
no destrua o material do transistor. Entretanto, tenso mxima inversa, caso ela venha a ser
mesmo sem exceder a potncia especificada, a polarizada inversamente, fato que ocorre,
corrente pode ser suficientemente alta a ponto quando o transistor usado como chave.

7-1
Quanto juno base-coletor, ela A figura 7-3 mostra a ocorrncia do fato
normalmente polarizada no sentido inverso, com diversos valores de corrente de emissor.
havendo portanto, necessidade de fornecer os Esta figura mostra tambm que o fabricante
valores mximos inversos de VBC e VCE. fornece a BVBCO , que a tenso de ruptura
entre o coletor e a base. A letra B significa
ruptura (Breakdown em ingls) e a letra O
significa que o emissor est aberto (Open).
Geralmente, o fabricante especifica
tambm a tenso mxima permissvel entre o
coletor e o emissor, com a base aberta. Esta
especificao dada em termos de BVCEO,
tenso inversa de ruptura entre o coletor e o
emissor. O conjunto de curvas representativas
deste fenmeno ilustrado na figura 7-4.
Figura 7-2 Delimitao da regio de funcio-
namento de um transistor em
funo da mxima IC

Lembramos que VCE = VBC + VBE.


Portanto, dados os valores de VBE e VCE, VBC
estar praticamente definida, pois basta verificar
a diferena entre os valores dados para se obter
VBC.
Por exemplo, se um transistor de silcio
est funcionando em um circuito com VBE =
0,6V e VCE = 10V, forosamente a tenso
inversa presente na juno base-coletor ser: Figura 7-4 Curvas caractersticas de sada da
configurao emissor comum, desta-
VBC = VCE VBE = 10 0,6 = 9,4V cando a tenso de ruptura da juno
emissor-coletor
Os limites dessas tenses so fixados,
por causa do efeito de ruptura que ocorre Limitaes de potncia
quando se aumenta a tenso inversa de uma
juno. Alm das limitaes de corrente e tenso
Por exemplo, se a tenso inversa entre a limitao de potncia das mais importantes
base e coletor for aumentando, com IE = 0, ser para os transistores, bem como para todos os
atingida a tenso de ruptura (tenso Zener) e dispositivos semicondutores e at mesmo para
haver um brusco aumento na corrente de todos os componentes eltricos.
coletor. Isto acontece tambm quando a corrente No funcionamento do transistor, o calor
de emissor diferente de zero. gerado na juno base-coletor, onde quase
toda a tenso externa aplicada.
Por exemplo, num circuito em emissor
comum, a potncia gerada no transistor dada
aproximadamente por IC x VCE .
Essa limitao de potncia, ou seja, a
mxima potncia que o transistor pode dissipar
com segurana, depende da temperatura
mxima permissvel para a juno base-emissor
(especificada pelo fabricante), da mxima
Figura 7-3 Curvas caractersticas de sada da temperatura ambiente de operao do circuito
configurao base comum, desta- (avaliada pelo projetista) e dos meios utilizados
cando a tenso de ruptura da juno para dissipar o calor produzido na juno base-
base-coletor. emissor.

7-2
O fabricante especifica a potncia De posse do valor de Pmx podemos
mxima para o transistor, considerando o seu atribuir valores a VCE, encontrar os valores
funcionamento temperatura de 25o C. correspondentes de IC e determinar os vrios
pontos da curva, que possibilitaro o seu
CURVA DE MXIMA DISSIPAO DE traado.
POTNCIA Por exemplo, se um transistor pode
dissipar no mximo 1W a 25o C, podemos
O traado dessa curva feito sobre as determinar que ele opere com uma VCE de 4 V,
curvas caractersticas de sada do transistor. e assim determinarmos a sua IC.
Para facilitar a compreenso, sero omitidos os
Pmx 1W
valores da corrente de entrada. IC 0,25 A
Sendo a potncia dissipada no transistor VCE 4V
igual ao produto de IC pela VCE, temos: Com o valor suposto de VCE e o valor de
P = IC x VCE IC encontrado, determinamos o ponto X, que
ser um dos pontos da curva, ilustrada na figura
Se fixarmos a potncia mxima que o 7-5. Se montarmos uma tabela e atribuirmos
transistor pode dissipar, em uma determinada valores a VCE, encontraremos os valores
temperatura, e considerarmos IC e VCE como correspondentes de IC que, combinados com os
variveis, teremos: valores de tenso, determinaro os pontos A, B,
Pmx = IC x VCE C, D, E, F e G, no grfico da figura 7-5.

P em W 1 1 1 1 1 1 1
VCE em V 1 2 3 5 6 8 10
IC em mA 1000 500 333 200 166 125 100

Tabela para determinar IC em funo de VCE com P constante

Figura 7-5 Curva de mxima dissipao

A curva obtida, interligando-se os Quanto mais alta for a temperatura de


pontos encontrados na tabela. Esta curva trabalho do transistor, menor ser a sua regio
tambm chamada de curva de potncia de operao. A figura 7-6 mostra como a
constante. variao de temperatura afeta a regio de

7-3
operao do transistor. Em alguns casos, em que Pelo que j vimos at aqui, fica evidente
o transistor precisa operar com altas correntes que a reta de carga determinada por dois
(da ordem de Ampres), so usados sistemas de valores: tenso de alimentao e valor de RL .
refrigerao para reduzir a temperatura e
ampliar a regio de operao.

Figura 7-7 Traado da reta de carga

Na escolha da tenso de alimentao e


do valor de RL, devemos observar a mxima
dissipao de potncia especificada. Para maior
Figura 7-6 Efeito da variao de temperatura segurana, no devemos permitir que a reta
sobre a regio de operao do toque a curva de mxima dissipao, pois se o
transistor circuito de polarizao no contar com uma boa
estabilidade, qualquer aumento na temperatura
Linha de carga ambiente poder fazer com que a potncia,
dissipada pelo transistor utilizado, ultrapasse a
A linha de carga (ou reta de carga) a especificada pelo fabricante, levando o
linha que cruza a famlia de curvas de sada. transistor sua danificao permanente.
Essa linha possibilita aos tcnicos e projetistas, Na figura 7-8 temos a curva de sada
a escolha do ponto Q, que determina os com trs linhas de carga, referentes a um
valores de tenso e corrente que polarizam o amplificador na configurao emissor comum,
transistor. onde podemos selecionar diferentes valores de
Em qualquer das trs configuraes ela RL e de VCC.
traada, levando-se em conta a curva de mxima Quando queremos que o circuito opere
dissipao de potncia. como amplificador de potncia, escolhemos
Duas situaes de funcionamento do valores que determinem uma reta de carga mais
transistor determinam as extremidades da linha inclinada, como a de RL1 , aproveitando toda a
de carga de um amplificador: corte e saturao. potncia que o transistor pode oferecer. Nesse
Para encontrar o extremo inferior da reta (ponto caso o circuito deve contar com uma tima
A no grfico da figura 7-6), supomos o estabilizao de polarizao que, geralmente,
transistor em corte (IC = 0). exige o emprego de diodos termistores.
Nesse caso VCE igual tenso da fonte bom observar que na especificao da
de alimentao. potncia mxima de um transistor, feita pelo
O extremo superior (pontoB) fabricante, deixada uma pequena margem de
encontrado, supondo-se o transistor em segurana com a qual o tcnico e o projetista
saturao. no devem contar.
Nessa situao ele apresenta resistncia Observando ainda a figura 7-8, fcil
nula em sua juno coletor-emissor, concluir que com a mesma VCC (6 V) podemos
determinando uma VCE igual a zero volt, determinar a reta de carga que mais interessar,
ficando a corrente de coletor limitada apenas variando apenas a RL, a exemplo das retas
pelo resistor de carga (RL). correspondentes RL2 e RL3.

7-4
Figura 7-8 Traado da reta de carga em funo de RL e VCC

INSTABILIDADE TRMICA DOS direta de coletor). Isto pode ser provado atravs
TRANSISTORES da seguinte equao:
IC = x IB + ICO
J de nosso conhecimento que os
transistores so instveis variao de Substituindo ICO pela sua equao
temperatura. Esse fenmeno devido s correspondente, teremos:
caractersticas intrnsecas do material bsico, IC = x IB + ( + 1) ICBO
usado na sua confeco.
Por causa dessas caractersticas, quando
polarizado, o transistor apresenta uma pequena
corrente indesejvel, chamada de corrente
inversa, corrente de fuga ou ainda ICBO. Esta
ICBO a corrente que flui entre o coletor e a
base, estando o emissor em circuito aberto,
conforme aparece na figura 7-9.
Quando o transistor polarizado como
na figura 7-10, ao atingir o circuito de base a
ICBO sofre uma amplificao, conforme o fator
beta do transistor. Esta amplificao da ICBO d Figura 7-9 Corrente entre base e coletor, com
origem ICO, que definida como sendo a emissor aberto
corrente inversa do transistor, no circuito
coletor. O valor de ICO pode ser calculado
atravs da seguinte frmula:

ICO = ( + 1) ICBO

Se o valor de ICBO se mantiver a um


nvel pequeno, como o normal previsto para
uma determinada temperatura, os problemas
apresentados no sero prejudiciais ao circuito.
Porm, se a ICBO sofrer um aumento,
principalmente ocasionado pelo efeito trmico, Figura 7-10 Correntes inversas no transistor
o resultado ser um aumento de IC (corrente polarizado

7-5
No caso da IC aumentar em funo do so os sistemas de polarizao automtica.
aumento da ICBO , o ponto Q do circuito importante frisar que a ICO flui no coletor,
sofrer um deslocamento ao longo da reta de independente da corrente de base. Isto pode ser
carga. verificado na curva caracterstica de sada do
A mudana do ponto Q pode ser transistor, ilustrada na figura 7-11.
cumulativa e pode destruir o transistor. As Nesta curva vemos que com IB igual a
medidas utilizadas para contornar esta situao zero flui uma pequena IC.

Figura 7-11 Curva caracterstica de sada de um transistor em configurao emissor comum.

A ICO normalmente especificada pelo polarizao se no forem empregados circuitos


fabricante e consta nas caractersticas do de compensao.
transistor. Seu valor fornecido para A figura 7-12 mostra a variao da ICBO
determinadas temperaturas, geralmente 25o C. em funo da variao de temperatura da juno
O aumento de temperatura nas junes base-coletor. O valor da corrente de fuga de
de um transistor comea, normalmente, por um 1 mA a 125o C. Em temperaturas abaixo de 10o
aumento na temperatura ambiente ou mesmo C a corrente no causa problema.
devido ao funcionamento normal do circuito,
ainda que instantneo. Neste caso, por causa do
transiente que leva o transistor a dissipar maior
potncia.
Em qualquer situao, o circuito deve
estar em condies de manter-se em bom
funcionamento e, para isto, depende de como
ele est polarizado e estabilizado.
J de nosso conhecimento que a
polarizao estabelecida para um transistor
pela especificao dos valores quiescentes da
tenso entre coletor e emissor e da corrente de
coletor. Uma operao confivel do transistor
dentro de um grande intervalo de temperatura,
requer que a tenso e a corrente de polarizao
permaneam estveis. Todavia, variaes da Figura 7-12 Variao de ICBO em funo da
corrente inversa em funo da variao de temperatura da juno base-
temperatura, prejudicam a estabilidade da coletor

7-6
Anlise da polarizao de um transistor constante. Tomemos como exemplo o transistor
2N408, cujas caractersticas de sada aparecem
no grfico da figura 7-13.
A polarizao de um transistor, em
princpio, seria bastante simples. Bastaria Atravs deste grfico verificamos as
aplicar tenses contnuas aos elementos do condies de trabalho do transistor. A linha de
transistor, de modo que as correntes carga foi traada entre os limites de 6V, para
permanecessem estticas, em um nvel mdio e mxima VCE, e 60 mA, para mxima IC .

Figura 7-13 Curva caracterstica de sada de um transistor em configurao emissor comum, com reta
de carga e ponto Q

Na figura 7-14, o transistor utilizado de Pela anlise do circuito e das curvas


germnio e a IB escolhida foi de 0,3 mA. O valor caractersticas de sada, podemos verificar os
de RB foi determinado da seguinte forma: valores de tenso e corrente CC, estticos, para
o circuito. Com a projeo de perpendiculares,
do ponto de cruzamento de IB com a linha de
VCC  VBE 6V  0,2V 5,8V carga, para os eixos de IC e VCE, verificamos
RB= 19,3 K:
IB 0,3mA 0,3 mA que a IC e a VCE sero, respectivamente, 26 mA
e 3,4V.
Nesta situao podemos dizer que, com
IB de 0,3 mA, a IC ser de 26 mA e a VCE ser
de 3,4 V, no circuito da figura 7-14.
A IC, para uma IB de 0,3 mA, pode ainda
ser calculada atravs do fator beta do transistor,
que neste caso ser em torno de 86.

' IC
E ? IC E x IB 86 x 0,3 m A # 26 mA
' IB

J vimos que IC, considerando-se ICO,


pode ser formulada da seguinte forma:

Figura 7-14 Transistor PNP polarizado IC = x IB - ICO

7-7
Se a ICO aumentar, com o acrscimo da Na equao apresentada, S o fator de
temperatura, a IC tambm aumentar. estabilidade de corrente e seu valor ideal a
Observe, no circuito da figura 7-10, que unidade.
IC e ICO tm o mesmo sentido.
Logo, se a ICO aumentar, por qualquer VALORES TPICOS DE TENSES DE
motivo, a Ic aumentar, mudando o ponto Q JUNO PARA TRANSISTORES
do circuito.
A figura 7-15 mostra as caractersticas
Fator de estabilidade da IC, como funo da VBE, para transistores de
germnio e de silcio tipo NPN, e indica as
Para a anlise da estabilidade da polari- vrias regies para um transistor na configu-
zao esttica de um circuito amplificador, rao emissor comum. Os valores numricos
usada a seguinte equao: indicados so obtidos experimentalmente ou a
partir de equaes tericas. A regio de corte
' IC definida como sendo a regio onde a IE = 0 e IC
S= = ICO, quando a polarizao da juno base-
' I CO
emissor no existe (VBE d 0V).

Figura 7-15 Curvas de IC em funo de VBE para transistores de germnio e de silcio

7-8
Quando a juno base-emissor VCE  VBE 3,4  0,2
polarizada inversamente, a IB muito pequena, RB 10667 ohms
IB 300 x 10 6
sendo da ordem de nanoampres ou microamp-
res para os transistores de silcio e de germnio,
Em situaes normais, o resistor RB
respectivamente.
limitar o valor de IB em 300 A. Esta IB produz
Nenhuma IB aprecivel flui at que a
uma IC de 26 mA, que determina em RC uma
juno base-emissor seja polarizada direta-
queda de tenso de 2,6 V. Portanto, a tenso
mente, de modo que: VBE > V W , onde V W
VCE ser igual a VCC VCR = 3,4 V, que o
chamada de tenso de limiar. mesmo valor observado no grfico da figura 7-
Como a IC nominalmente proporcional 13.
IB, nenhuma corrente aprecivel fluir pelo RB, cujo valor de 10667 ohms, limita a
circuito de coletor, at que exista uma corrente IB em 300 A, desde que a VCE permanea em
aprecivel no circuito de base. 3,4 V. Suponhamos agora um aumento de ICO,
Podemos estimar a V W , supondo que que por sua vez tende a aumentar a IC. Se a IC
VBE = V W quando a IC alcanar aproxima- aumentasse, aumentaria tambm a VRC, o que
damente 1% da corrente de saturao, no diminuiria a VCE. Com a diminuio da VCE, a
circuito em emissor comum. Valores tpicos de corrente atravs de RB tambm seria menor.
V W so 0,1 V para os transistores de germnio e Com menor IB, menor seria a IC. Observamos
0,5 V para os de silcio. ento que qualquer tentativa de aumento de IC
O transistor estar na regio ativa produz uma diminuio de IB e a IC tende a
sempre que houver uma polarizao direta entre diminuir. O resultado que a IC tende a manter-
base e emissor, suficientemente grande. A se no ponto de operao escolhido, que no caso
regio ativa atingida efetivamente quando de 26 mA.
tivermos VBE > V W .
Os fabricantes especificam os valores de
saturao das tenses de entrada e de sada de
vrios modos. Por exemplo, podem fornecer
curvas de VCE e VBE de saturao, como funes
de IB e IC.
As tenses de saturao dependem no
somente do ponto de operao, mas tambm do
material semicondutor e das caractersticas de
fabricao do transistor.

MTODOS DE POLARIZAO PARA


ESTABILIZAO DA IC

Existem vrios meios de se conseguir


uma estabilizao trmica da IC. Todos os
sistemas tm vantagens e desvantagens. Figura 7-16 Polarizao automtica com RB
ligado ao coletor
Polarizao automtica com RB ligado ao
coletor O sistema de estabilizao por
realimentao de CC tirada do coletor bom,
Na figura 7-16 podemos ver um circuito mas tem o inconveniente da realimentao de
de estabilizao com RB ligado ao coletor. Os CA. Neste caso, referimo-nos s variaes da
valores de RB e RC devem estar de acordo com VCE em trabalhos dinmicos.
as caractersticas que se desejam para o circuito. Para atenuar a realimentao de CA, os
Mas considerando-se o grfico da figura 7-13, projetistas que usam esse sistema, costumam
cuja reta de carga para uma RC de 100 Ohms, desmembrar RB em dois resistores.
verificamos que com uma IB de 300 A, a VCE O uso de um capacitor, como aparece na
ser de 3,4 V. O clculo de RB neste caso dado figura 7-17, tambm ajuda na reduo dessa
pela seguinte equao: realimentao.

7-9
muito pequeno no entrar em cogitao. A VE
a queda em RE e pode ser encontrada pela Lei
de Ohm.

VE = RE x IE = 26 mA x 10 ohms = 0,26 V

Sendo a VE de 0,26 V, para que a VBE


seja de 0,2 V, a VB debe ser igual a 0,46 V.
Se a VCC de 6 V, RB dever limita-la.
Neste caso o valor de RB encontrado pela
equao:

VCC  VB 6  0,46
RB 18460 ohms
IB 0,0003
Figura 7-17 Polarizao automtica com atenu-
ao da realimentao CA Observando o circuito da figura 7-18,
conclumos que ao ser ligado, a IB ser limitada
Estabilizao por realimentao de CC com em 300 A, determinando uma VB de 0,46V.
RE A IB de 300 A produz uma IC de 26 mA
que fluindo em RE causa, sobre este, uma VRE
Os resistores RC e RE constituem a RL do de 0,26V. Vemos ento que sendo a VE igual a
circuito e a soma de seus valores deve ser 0,26V e a VB de 0,46V, a VBE ser de 0,2V,
equivalente ao valor do resistor usado na linha o que constitui uma polarizao direta.
de carga. Atravs da frmula IC = x IB + ICO ,
Para esse caso, consideraremos o grfico sabemos que se a ICO aumentar por qualquer
da figura 7-13, cuja linha de carga foi traada razo, a IC tambm aumentar, saindo o circuito
para um resistor de 100 ohms. do ponto de operao escolhido.
Como o valor de RE no deve ser muito No circuito da figura 7-18, se a IC
alto, porque afeta o ganho do circuito, aumentar, a VE aumenta e a VBE diminui. Com
consideraremos como sendo de 10 ohms e RC VBE menor, a IB tambm ser menor. A
ser de 90 ohms, conforme pode ser visto na diminuio da IB resulta em diminuio da IC.
figura 7-18. Conclumos ento, que neste circuito, se a IC
tende a aumentar, RE provoca uma
realimentao negativa, que tende a diminu-la e
assim, o circuito tende a estabilizar-se
automaticamente.
Uma das desvantagens de se usar o RE
que, em circuitos de potncia, ele tende a
diminuir a potncia til do circuito. Alm da
estabilizao, o uso de RE tem como vantagem,
aumentar a Ri.

Polarizao por divisor de tenso

Em um circuito polarizado, a VB deve


Figura 7-18 Estabilizao por realimentao de manter-se constante para que o circuito se
CC, com RE mantenha estvel. Um dos sistemas usados para
manter constante a VB, partindo de uma fonte
No grfico, vemos que com uma IB de de tenso de valor muito maior que VB, emprega
300 A, a IC igual a 26 mA. um divisor de tenso, conforme visto na figura
No resistor RE fluir esta corrente de 26 7-19.
mA mais a IB de 300 A, que por ser de valor Conforme as caractersticas do divisor de
tenso, a VRB ser mais estvel, se a corrente

7-10
que fluir por ela for muito maior que a da base. por divisor de tenso, mostrado na figura 7-19.
O ideal seria uma IRB vrias dezenas de vezes RE realimenta negativamente a corrente
maior que a IB. H, porm, vrios inconve- contnua de base, pelo efeito trmico. RB tende a
nientes. Uma IB muito alta resulta em um valor manter a VB em seu nvel estvel.
de RB muito baixo, o que diminui a impedncia
de entrada do circuito, acarretando srios ESTABILIZAO DA POLARIZAO DE
problemas para os sistemas de acoplamento ESTGIOS DE POTNCIA
entre estgios. Tambm deve ser considerada a
energia que ser consumida pelo divisor de Os projetos de amplificadores de
tenso. potncia requerem uma ateno especial com
Em um equipamento existem dezenas de relao polarizao. Primeiro, porque neste
estgios com dezenas de resistores em sistemas caso o transistor ir trabalhar aquecido, o que
de divisores de tenso, consumindo energia poder desencadear a instabilidade do mesmo.
inutilmente, j que a potncia consumida por Segundo, porque o uso de uma RE pode
eles s para tentar manter pequenas tenses diminuir a capacidade til de potncia do
constantes. estgio. Dois dispositivos so usados
Na prtica, usa-se elaborar um divisor de comumente em estgios de potncia, para sua
tenso para polarizao da base, com IRB igual a estabilizao trmica. Tais dispositivos so o
IB ou vrias vezes maior que esta. diodo retificador e os termistores ou resistores
NTC.

Circuitos de estabilizao com termistores

J sabemos que a corrente de polarizao


do transistor sensvel temperatura. Especifi-
camente, a IC aumenta com o aumento da
temperatura. A estabilizao da IC pode ser feita
utilizando-se circuitos externos, com elementos
eletricamente sensveis temperatura. Um
desses elementos o termistor.
O termistor usado, neste caso, tem uma
resistncia com coeficiente negativo de
temperatura, isto , o valor de sua resistncia
Figura 7-19 Polarizao por divisor de tenso
diminui com o aumento da temperatura. Este
tipo de termistor chamado de resistor NTC
Calculemos os valores de RF e RB, do
(Coeficiente de Temperatura Negativo).
divisor de tenso da figura 7-19, utilizando os
O circuito da figura 7-20 tem sua
valores de VB de 0,46V e IB de 300 A.
estabilizao de polarizao controlada por um
Observe que estes valores j foram vistos em
termistor.
circuitos anteriores; logo, os detalhes sobre eles
podem ser recordados.
O valor de RB, supondo que a IRB seja
igual a duas vezes a IB, facilmente encontrado
pela Lei de Ohm.

VB 0,46V 0,46V
RB 760 ohms
I RB 600 PA 6 x10 4 PA
O valor de RF calculado pela equao:
VCC VB 6V  0,46V
RF 6150 ohms
I RB  I B 300 PA  600 PA
O sistema de polarizao mais usado, Figura 7-20 Polarizao de base controlada por
por apresentar melhor estabilizao trmica, o NTC

7-11
Os valores de RB e do NTC dependem evitado pela reduo da polarizao direta. Isto
das caractersticas do circuito, mas o seu feito pela ao do divisor de tenso
funcionamento simples. A VBE no circuito constitudo por R2 e pelo termistor RT1. Devido
0,2V e a IB 300 A. Com o aumento da ao aumento da temperatura, a resistncia de RT1
temperatura ambiente, a IC tende a aumentar diminuda, provocando maior fluxo de
devido ao aumento da ICO. Porm, este aumento corrente atravs do divisor de tenso. O
da temperatura afeta tambm o NTC, aumento de corrente aumenta o potencial
diminuindo a sua resistncia, com o negativo da conexo do resistor R2 ao emissor.
conseqente aumento da corrente atravs dele. Esta ao aumenta a polarizao inversa
Essa maior corrente solicitada, aumenta aplicada ao emissor e diminui a polarizao
a VRF, diminuindo a VBE e menor sero a IB e a direta base-emissor. O resultado que a IC
IC. Como vemos, o efeito trmico que tende a reduzida. Analogamente, a diminuio da
aumentar a IC no circuito, diminui a resistncia temperatura ocasiona aes inversas e evita o
do NTC, que provoca uma diminuio da IB, decrscimo da IC.
que por sua vez diminui a IC. O resultado que C1 bloqueia a tenso CC do estgio
este simples dispositivo tende a manter o anterior e acopla o sinal CA ao circuito base-
circuito no seu ponto de operao. emissor. C2 mantm constante a VE R3 o
resistor de carga do coletor e onde se
Controle da tenso de emissor desenvolve o sinal de sada. C3 bloqueia a
tenso CC do coletor e acopla o sinal CA ao
estgio seguinte.

Controle da tenso de base

Figura 7-21 Polarizao de emissor controlada


por termistor

O circuito apresentado na figura 7-21,


emprega um termistor para variar a VE com a
temperatura, a fim de minimizar as variaes da Figura 7-22 Amplificador com controle de
IE. Este circuito contm dois divisores de polarizao de base
tenso: o primeiro constitudo por R1 e R4, e o
segundo por R2 e o termistor RT1. O circuito apresentado na figura 7-22
O primeiro divisor permite a aplicao emprega um termistor para variar a VB com a
de uma parte da VCC entre o terminal de base e temperatura, minimizando as variaes da IE.
terra. A VB desenvolvida em R1e determina Este circuito contm um divisor de tenso
uma tenso negativa na base de Q1. constitudo por R1 e RT1.
O segundo divisor de tenso aplica uma O divisor de tenso aplica uma parte da
parte da VCC no terminal de emissor. A VE VCC no circuito base-emissor. O fluxo de
desenvolvida em R2 e determina uma tenso corrente dos eltrons atravs do divisor est na
negativa no emissor de Q1. A tenso direta direo da seta. Esta corrente produz uma
aplicada ao terminal de base maior que a tenso de polaridade indicada em RT1. Este
inversa aplicada ao terminal emissor, de tal circuito produz polarizao direta no transistor.
modo que a polarizao base-emissor resultante Se a temperatura do transistor aumentar,
direta. a IE tende a aumentar. Todavia, a resistncia de
Com um aumento de temperatura a IC RT1 diminui com o aumento da temperatura,
aumentaria normalmente, se o transistor no provocando maior fluxo de corrente atravs do
estivesse estabilizado. O aumento da IC pode ser divisor de tenso. Este aumento de corrente

7-12
ocasiona um aumento na VR1. A tenso de Os diodos, quando empregados adequa-
polarizao direta reduzida e assim a IE damente na estabilizao de um circuito,
tambm reduzida. funcionam mais ou menos como os NTC. A
T1 acopla o sinal CA ao circuito de base- instabilidade trmica que afeta o transistor afeta
emissor. C1 mantm constante a tenso em RT1. tambm a eles. No circuito da figura 7-24
O primrio de T2 atua como carga do coletor e aparece um diodo com funo de estabilizao
onde se desenvolve o sinal de sada que trmica.
acoplado ao secundrio.

Circuitos de estabilizao com diodos

O diodo pode ser usado em circuitos de


estabilizao. A principal vantagem do seu uso
como elemento sensvel temperatura por ele
poder ser feito do mesmo material que o
transistor.
Os coeficientes de temperatura das
resistncias do diodo e do transistor de mesmo
material, so os mesmos. Esta condio permite
uma IC mais constante em um grande intervalo
de temperatura, porque as variaes no diodo
acompanham as variaes no transistor. Os
diodos de juno tm uma resistncia com Figura 7-24 Circuito com estabilizao trmica
coeficiente de temperatura negativo. feita por diodo

Estabilizao com um diodo D1 tem sua juno semelhante juno


base-emissor de Q1. Logo, os diodos sero
O circuito apresentado na figura 7-23 afetados igualmente pela variao de tempera-
emprega um diodo de juno, diretamente tura.
polarizado, como elemento sensvel Analisando o comportamento do
temperatura, para compensar as variaes da circuito, vemos que se a IC tender a aumentar
resistncia da juno base-emissor. pelo efeito trmico, a corrente atravs do diodo
Considere o divisor de tenso constitudo tambm aumentar.
por R1 e D1, com a polaridade indicada. Esta Com maior corrente atravs do diodo,
tenso uma polarizao direta. Com o maior ser a VRF, resultando em uma menor VBE
aumento da temperatura, a IC tenderia a e assim, a IB tambm ser menor e, logicamente
aumentar. Todavia, a resistncia de D1 diminui. a IC. Como resultado, D1 tende a manter a IC
Como resultado, a VR1 aumenta. H uma queda estabilizada, mantendo o circuito no ponto de
de tenso em D1, que provoca reduo na operao escolhido.
polarizao direta e, consequentemente, na IC.
RESUMO

1 A corrente ICO ou de fuga existe nos


transistores, devido aos portadores minoritrios
existentes em suas estruturas.

2 A principal corrente de fuga de um


transistor, a de coletor para base, cuja
denominao ICBO.

3 A corrente ICO, em um circuito amplificador,


Figura 7-23 Estabilizao com um diodo direta- tende a ser amplificada em uma razo ( + 1)
mente polarizado ICBO.

7-13
4 A corrente IC, considerando-se a ICO, temperatura negativo, desde que a tenso de
equacionada como sendo: IC = x IB + ICO . polarizao inversa no iguale ou exceda
tenso de ruptura.
5 Em temperatura constante e normal,
conforme a especificada pelo fabricante, a ICO 15 Diodos com a mesma caracterstica da
no constitui problema num amplificador. juno base-emissor de um transistor, podem ser
usados em circuitos estabilizadores de
6 Com o aumento da temperatura, a IC tende a polarizao.
aumentar de acordo com a frmula: Neste caso, quando instalado
IC = x IB + ( + 1)x ICO , tirando o adequadamente, poder estabilizar a VBE. Isto
circuito de seu ponto de operao. porque o efeito trmico que agir sobre o
transistor, agir tambm sobre o diodo.
7 Vrios sistemas so usados para manter a IC
constante mesmo com o aumento da ICO. 16 As correntes e tenses desenvolvidas num
amplificador transistorizado estabilizado em
8 Os sistemas que tendem a manter a IC temperatura, podem ser utilizadas para estabili-
constante, consistem em polarizar o transistor de zar em temperatura outros amplificadores
tal maneira que haja uma pequena transistorizados.
realimentao CC, ou ainda por estabilizao da
VBE. 17 Os resistores NTC, tm a resistncia
diminuda com o aumento da temperatura.
9 Um dos mtodos de estabilizao por reali- Logo, se colocados no circuito de base, eles
mentao CC polarizar a base com a tenso podero diminuir a VBE que provoca a
VCE. Neste caso, se a IC aumentar estati- diminuio da IB e da IC. Isto acontece porque o
camente, a VCE diminui, reduzindo a IB. efeito trmico que agir sobre o transistor,
tambm agir sobre ele.
10 O mtodo mais usado para manter
constante a IC, a realimentao CC por 18 A reta de carga a linha que possibilita a
resistncia de emissor. Neste caso, se a IC escolha do ponto de operao do transistor.
aumentar, haver tambm um aumento da VE,
que diminui a VBE, diminuindo a IB, que por sua 19 A curva de mxima dissipao de potncia
vez diminui a IC. a curva que possibilita a limitao da regio de
operao do transistor.
11 Atravs de um circuito divisor de tenso
pode-se manter a VBE dentro dos limites de 20 Todo componente eltrico possui uma
estabilizao. Neste caso, o divisor deve ser potncia de trabalho especificada pelo
projetado levando-se em conta as suas fabricante.
desvantagens, como por exemplo, o alto Em se tratando de transistores, existem
consumo de energia e a diminuio da mais razes para se obedecer a essa
impedncia de entrada. especificao.

12 O sistema de polarizao mais adequado 21 Para cada temperatura de trabalho do


para uma boa estabilizao em circuitos transistor, h uma curva de mxima dissipao
amplificadores de baixa potncia, constitudo de potncia.
por um RE e por um divisor de tenso. Este
sistema o mais usado. 22 Um aumento de temperatura reduz a regio
de operao do transistor.
13 Em circuitos de potncia, a estabilizao
trmica da IC conseguida atravs de 23 A frmula para se calcular a potncia de
transistores, diodos e resistores NTC. dissipao do transistor, : P = VCE x IC.

14 Um diodo de juno polarizado inversa- 24 A regio de operao de um transistor a


mente tem uma resistncia com coeficiente de parte onde pode ser traada a linha de carga.

7-14
25 Na curva de mxima dissipao, a potncia 29 A reta de carga do amplificador de
a mesma em todos os pontos. potncia mais inclinada que a do amplificador
de tenso.
26 Os limites de tenses so especificados
para transistores, por causa do efeito de ruptura 30 O sistema de estabilizao da polarizao
que ocorre quando h um aumento da tenso dos amplificadores de potncia deve ser de boa
inversa da juno. eficincia. Geralmente so empregados diodos,
termistores e transistores.
27 A fim de deixar o transistor operar
temperatura ambiente, so colocados 31 Com a mesma tenso de alimentao
dissipadores de calor em contato com seu corpo. podemos traar vrias linhas de carga diferentes,
variando apenas o valor de RL.
28 No traado da reta de carga faz-se duas
suposies extremas do funcionamento do
transistor: corte e saturao.

7-15
CAPTULO 8

AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

CLASSIFICAO GERAL DOS AMPLIFI- Amplificadores de radiofreqncia


CADORES
Diferenciam-se dos outros dois tipos
Os amplificadores podem ser classifica- porque ampliam uma estreita faixa de
dos de acordo com: frequncia dentro do espectro de
radiofreqncia, que vai de 30 kHz at vrios
A frequncia de operao: GHz. So usados em vrios equipamentos.
Amplificadores de udiofrequncia(AF) Quando sintonizamos uma emissora de rdio
Amplificadores de videofreqncia estamos deslocando a estreita faixa de
Amplificadores de radiofreqncia(RF) ampliao do circuito, dentro do espectro de
frequncia.
A classe de operao:
Classe A CLASSES DE OPERAO
Classe B
Classe C De acordo com a polarizao empregada
Classes intermedirias(A2, B2, AB1, para o transistor, podemos atribuir as classes de
AB2) operao.
A classe de operao determinada pelo
O sistema de acoplamento: circuito de polarizao de entrada. Na maioria
Acoplamento RC dos circuitos amplificadores a polarizao e a
Acoplamento a transformador reta de carga tm valores fixos, definidos pelos
Acoplamento por impedncia valores de seus componentes.
Acoplamento direto Consideraremos, em nossas anlises,
somente os efeitos do circuito de polarizao de
O uso: entrada.
Amplificadores de potncia ou corrente
Amplificadores de tenso Amplificador classe A

FREQUNCIAS DE OPERAO Os amplificadores da classe A operam


durante os dois semiciclos do sinal de entrada,
As faixas de frequncia de operao (360). So polarizados para trabalhar na regio
determinam o tipo de amplificador a ser usado. ativa da curva de sada.
Geralmente operam na parte linear das
Amplificadores de udiofrequncia curvas caractersticas, a fim de obter na sada
uma resposta fiel (no distorcida) do sinal de
Estes amplificadores atuam numa faixa entrada.
de frequncia que vai de 20 Hz a 20 kHz, faixa O primeiro passo para a determinao da
esta, sensvel ao ouvido humano e por esta razo classificao do amplificador a construo da
recebe o nome de udiofrequncia. Estes reta de carga como mostrado na figura 8-1 Em
amplificadores so encontrados em receptores seguida, deve-se selecionar um ponto quiescente
de rdio, intercomunicadores e outros. de modo a permitir que um sinal de entrada
varie atravs da parte linear da curva
Amplificadores de videofreqncia caracterstica. Neste exemplo foi escolhida uma
IB esttica de 500 A e a VCC selecionada em
Estes amplificadores abrangem uma seguida para um valor de 9 Volts para o circuito
ampla faixa de frequncia que vai de 30 kHz a 6 em classe A.
MHz. Eles so empregados em circuitos que Veja na figura 8-1 o circuito de entrada e
ampliam sinais que devem ser vistos em telas de as formas de onda para um ponto Q de 500
radares, televisores etc. A, em classe A.

8-1
Assim, uma tenso de sada de 3,2 Vpp e
uma variao na corrente de sada de 10,4 mA
so obtidas.
Podemos notar que quando a IB aumenta
negativamente, a IC fica mais negativa e a VCE
menos negativa. Por outro lado, quando a IB
diminui negativamente, a IC fica menos negativa
e a VCE mais negativa. Isto indica que as
correntes de entrada e de sada esto em fase
enquanto que as tenses de entrada e de sada
esto fora de fase. Portanto, h uma inverso de
180 na configurao de emissor comum.

Amplificador classe B
Figura 8-1 Circuito de entrada e formas de onda
em classe A Os amplificadores classe B operam na
regio ativa das curvas, durante um semiciclo
Em seguida determinaremos o valor de do sinal de entrada, e permanecem em corte
RB e, para calcular esse valor necessrio que durante o outro (180).
se leve em considerao o valor da VBE do Visto que somente metade do sinal de
transistor. Assim, a equao correta para o entrada amplificada, os amplificadores classe
clculo de RB a seguinte: B so normalmente montados na configurao
(VCC VBE ) Push-pull, que so amplificadores de potncia
RB = formados por dois transistores que conduzem
IB
alternadamente, mas que na sada, produzem um
Na prtica, porm, podemos desprezar o sinal que idntico ao sinal de entrada.
valor de VBE, e desta forma teremos: O ponto quiescente (POE) estabelecido
VCC no cruzamento da reta de carga com a curva de
RB = IB igual zero como se v na figura 8-2.
IB
Substituindo a VCC e IB pelos
valores de 9V e 500 A respectivamente
teremos:

9V
RB = = 18 k
500 A

O circuito de polarizao de entrada est


completamente mostrado na parte superior
direita da figura 8-1.
Quando o sinal de entrada zero (ver a
figura 8-1), a IB 500 A, a IC 17 mA e a
Figura 8-2 Circuito de entrada e formas de onda
VCE 3,9 V (valores do ponto quiescente).
em classe B
Uma variao da corrente de entrada
para o seu valor mximo negativo de 250 A,
Uma fonte de polarizao de entrada no
elevar a IB para 750 A, logo a IC aumentar
requerida, j que a corrente quiescente da base
para 22,2 mA, enquanto que a VCE diminuir
zero.
para 2,3 V.
Quando a IB diminui para 250 A, a IC Uma RB relativamente grande (18 k)
diminui para 11,8 mA enquanto que a VCE usada para limitar a dissipao do sinal de
aumenta para 5,5 V. entrada do circuito de polarizao. Assim, o
circuito de polarizao de entrada contm

8-2
somente um resistor de polarizao, como se v Na prtica, um sinal de entrada muito
na figura 8-2. maior ser usado para obter amplificao em
No ponto quiescente, IB e IC so iguais a classe C.
zero e VCE igual a 9V. Quando o sinal de Na figura 8-4 vemos as formas de onda
entrada se torna negativo, polariza diretamente a de sada, com relao s de entrada para cada
juno emissor-base. classe de operao. Os sinais no foram
Na alternncia positiva a juno emissor- mostrados com amplificao, nem com inverso
base est polarizada inversamente. O transistor de fase, pois nosso interesse est somente no
fica cortado e parte da corrente de entrada passa perodo de conduo.
atravs de RB, durante esta alternncia.

Amplificador classe C

A operao em classe C conseguida


pela polarizao inversa da juno de entrada do
transistor. Com polarizao inversa aplicada ao
transistor, a corrente de base permanece em zero
at que a corrente de entrada produza uma
queda de tenso atravs da resistncia de
entrada. Esta queda de tenso deve estar com
polaridade oposta fonte de polarizao do
circuito de entrada e deve superar a tenso da
fonte.

Figura 8-3 Circuito de entrada e formas de Figura 8-4 Formas de onda de sada com relao
ondas em classe C s de entrada para cada classe de
operao.
Na figura 8-3, IB permanece em zero at SISTEMAS DE ACOPLAMENTO
que a corrente de entrada se torne igual a
100A. Quando isto ocorre, a VBE igual a zero. Um simples estgio amplificador,
VBE = EBB + (Iin x RB) = normalmente no suficiente nas aplicaes em
aparelhos receptores, transmissores e outros
= 1,5V + (-100A x 15k) =
equipamentos eletrnicos.
= 1,5V + (-1,5V) = 0 Um ganho mais elevado obtido pelo
acoplamento de vrios estgios amplificadores.
Desta equao podemos deduzir que a
juno emissor-base estar polarizada Casamento de impedncias
diretamente, quando a corrente de entrada for
maior que 100A. Um sinal de sada obtido Para que haja a mxima transferncia de
para a poro de corrente de entrada que maior sinal, o estgio de entrada deve ter a impedncia
que 100A equilibrada com a da fonte de sinal (microfone,

8-3
antena etc); e o estgio final deve ter a Acoplamento RC
impedncia equilibrada com a da carga( fone, A figura 8-5A apresenta um ampli-
alto-falante, linha de transmisso etc) ficador de dois estgios acoplados mediante
Da mesma forma, a impedncia de sada uma rede RC.
de um estgio deve estar casada com a
impedncia de entrada do estgio seguinte. O capacitor de acoplamento C1 tem
Alm do equilbrio de impedncia, de como primeira funo isolar a tenso de CC
vital importncia isolar a passagem de corrente presente no coletor do primeiro estgio, para
contnua, de uma etapa para outra. que ela no aparea na base do transistor do
estgio seguinte e, como segunda funo
Tipos de acoplamento transferir o sinal de um estgio para o outro.
O capacitor de acoplamento deve ter,
A) Redes RC tambm, uma reatncia reduzida para as tenses
de sinal e, portanto, seu valor de capacitncia
B) Transformadores deve ser relativamente alto.
Os valores tpicos de capacitncia vo de
C) Acoplamento por impedncia
1 a 30F. necessrio que o valor do capacitor
D) Acoplamento direto seja alto, por causa da baixa impedncia de
entrada do estgio seguinte.

Figura 8-5 Amplificador com acoplamento RC

O sinal que sai do primeiro estgio, Resposta de freqncia


desenvolve-se no resistor RB. O capacitor C1 e o
resistor R1 constituem a rede RC de As freqncias muito baixas so
acoplamento entre os dois estgios. atenuadas pelo capacitor de acoplamento,
A eficincia do amplificador acoplado porque a sua XC torna-se alta, com a diminuio
mediante uma rede RC baixa, por causa da da frequncia. A resposta em altas freqncias,
dissipao de potncia de CC no resistor de para o transistor est limitada pelo efeito
carga. Shunt da capacitncia emissor-coletor do

8-4
primeiro estgio, e da capacitncia base- ponto de operao de CC. Com um resistor na
emissor do segundo estgio. entrada do emissor, o fator de estabilidade de
corrente quase ideal.
Como no h resistor de carga de coletor
para dissipar potncia, a eficincia do
amplificador acoplado a transformador se reduz,
teoricamente, para 50%. Por este motivo, o
processo de acoplamento a transformador
muito usado em equipamentos portteis e
operados com baterias.

Figura 8-6 Capacitncia entre os elementos do


transistor

Observe na figura 8-6 que CC e RB esto


em srie e em baixas freqncias e, que a XC
consideravelmente alta, provocando assim o
mximo de queda de sinal em CC e o mnimo
em RB. No entanto, para as altas freqncias, Figura 8-7 Acoplamento a transformador
aparece uma XC mnima, em paralelo com RC,
resultando numa resistncia total mnima Vantagens e desvantagens do acoplamento a
possibilitando o desvio de grande parte ou at transformador
mesmo de todo o sinal para a terra.
Os transformadores facilitam o equil-
Vantagens e desvantagens do acoplamento brio da carga de sada do transistor e o
por rede RC equilbrio da fonte, entrada do transistor, para
se obter o mximo de ganho de potncia, para
O acoplamento RC bastante usado em um determinado estgio.
circuitos transistorizados, por oferecer uma boa A resposta de frequncia de um estgio
resposta de frequncia, sendo de simples acoplado por intermdio de transformador no
confeco e preo relativamente baixo. to boa quanto a do estgio acoplado por rede
Porm, embora esse acoplamento RC.
oferea uma boa resposta em frequncia, no o A resistncia Shunt do enrolamento
tipo de maior eficincia, em face das primrio, nas baixas freqncias, causa a queda
dificuldades em casar as impedncias entre de resposta nestas freqncias. Nas altas
estgios. freqncias, a resposta reduzida pela
Outra desvantagem desse tipo de capacitncia de coletor e pela reatncia de sada,
acoplamento est no fato de apresentar grandes entre os enrolamentos do transformador.
perdas quando usado em freqncias muito Alm da resposta de frequncia ser
baixas. pobre, os transformadores so mais caros, mais
pesados, e ocupam maior rea que os resistores
Acoplamento a transformador e capacitores empregados no acoplamento RC.
Portanto, o uso do acoplamento a
No acoplamento a transformador o transformador limitado, normalmente, quelas
enrolamento do primrio do transformador (T1) aplicaes que requerem alta eficincia de
a impedncia de carga do coletor do primeiro potncia de sada.
estgio.
O enrolamento secundrio de T1 Acoplamento por impedncia
desenvolve o sinal de CA, para a base do
transistor do segundo estgio e tambm age O acoplamento por impedncia similar
como caminho de retorno de CC, da base. ao acoplamento por rede RC, com exceo de
A resistncia muito baixa, no circuito de que o resistor de carga substitudo por um
base, auxilia a estabilizao da polarizao no indutor (L1), como apresentado na figura 8-8

8-5
fluxo de corrente indicada pelas setas. Se a
corrente do coletor do primeiro estgio for
maior que a corrente de base do estgio
seguinte, devemos ligar o resistor RC (carga do
coletor), como est indicado pela linha
tracejada.
Como o nmero de componentes neces-
srios no amplificador acoplado diretamente
Figura 8-8 Acoplamento por impedncia mnimo, teremos o mximo de economia e
tambm a mxima fidelidade de sinal.
A resistncia de carga somente a Entretanto, o nmero de estgios que podem ser
resistncia do fio do enrolamento, o qual acoplador diretamente limitado.
proporciona uma queda mnima de tenso de
CC. Grandes valores de indutncia devem ser AMPLIFICADORES DE UDIO BSICO
usados, para que seja oferecida uma alta
reatncia, nas baixas freqncias. Antes de iniciarmos os estudos destes
O ganho do estgio acoplado por amplificadores, interessante lembrar, que a
impedncia cresce com o aumento da finalidade de um amplificador a de aumentar a
frequncia, j que a reatncia indutiva tenso, a corrente, ou o nvel de potncia de um
diretamente proporcional frequncia. sinal, a um valor necessrio, a fim de operar um
Na faixa de altas freqncias, a reatncia dispositivo de sada.
diminui, por causa da capacitncia distribuda Esse dispositivo pode necessitar de
no circuito, que desvia o sinal. considervel energia ou pode exigir uma alta
Os campos magnticos que cercam a tenso, com baixa potncia, para sua operao.
impedncia de carga podem causar, tambm, Os amplificadores de tenso (baixo
um acoplamento indesejvel a outros circuitos. nvel) so estgios de amplificao projetados
Por isso, esses campos devem ser controlados, para produzir um grande valor de tenso,
atravs de indutncias apropriadas. atravs da carga do circuito de coletor. Para
produzir uma alta tenso, utilizvel atravs de
Acoplamento direto um circuito de carga, necessrio que a
oposio variao de IC seja a mxima
Quando o transistor de um estgio possvel, qualquer que seja a carga (resistor,
amplificador ligado diretamente ao transistor reatncia ou impedncia).
do estgio seguinte dizemos que o acoplamento Os amplificadores de potncia (alto
direto, como mostrado na figura 8-9. nvel) so estgios amplificadores, construdos
para fornecer grandes quantidades de potncia
para a carga no circuito coletor.
Num amplificador de potncia, deve
haver uma grande corrente no circuito do
coletor, uma vez que a potncia o produto da
resistncia, pelo quadrado da corrente.
Os pr-amplificadores so etapas de
baixo nvel, que se destinam amplificao de
sinais originrios de dispositivos, tais como
Figura 8-9 Acoplamento direto microfones, detectores, cpsulas magnticas etc.

Este tipo de acoplamento usado para a AMPLIFICADORES DE UDIO TRANSIS-


amplificao de sinais chamados de corrente TORIZADOS
contnua, em virtude da frequncia ser muito
baixa. Os circuitos amplificadores de udio so
Observando o circuito da figura 8-9, projetados especificamente para ampliar sinais
vemos que um transistor PNP est ligado da faixa de udio frequncia, isto , sinais
diretamente a um transistor NPN. A direo do compreendidos entre 20 Hz e 20kHz.

8-6
O circuito de entrada de um A estabilizao para esse amplificador
amplificador transistorizado deve ser estabelecida pela corrente de base-emissor. Essa
alimentado com a corrente de sada de um pr- corrente cria uma tenso que polariza
amplificador. Neste caso, cada transistor diretamente o circuito de entrada.
considerado como um amplificador de corrente O resistor de base RB limita a corrente
ou potncia, operando a um nvel de corrente ou de polarizao estabelecendo assim o ponto
de potncia, mais elevado que o nvel do estgio quiescente.
anterior e menos elevado que o do estgio Durante o semiciclo positivo do sinal de
seguinte. Uma vez que os transistores so, entrada a polarizao direta diminui. Isso
essencialmente, dispositivos amplificadores de provoca uma conseqente diminuio da
potncia, seu uso nos circuitos de udio corrente de coletor, atravs de RL, e a tenso em
classificado nas categorias amplificador de RL diminui. Assim, a tenso de coletor aumenta,
udio de baixo nvel e amplificador de udio de em direo a um valor negativo de VCC.
alto nvel. Durante o semiciclo negativo do sinal de
O nvel de potncia de um estgio entrada, a polarizao direta aumenta. Isso faz
amplificador de udio determinado pelos com que a corrente atravs de RL aumente,
requisitos do projeto. Em alguns casos, os aumentando tambm a queda de tenso sobre a
amplificadores de baixo nvel (tambm mesma, tornando negativa a tenso de coletor.
chamados de amplificadores de sinal) podem O capacitor C1 acopla o sinal de entrada
operar com potncias variando de picowatts e o capacitor C2 o sinal de sada.
at miliwatts, enquanto que em outras RE o resistor de estabilizao de
situaes (amplificadores de potncia) podem emissor e est ligado em paralelo com o
operar com vrios Watts. capacitor de desacoplamento CE.
Ainda na figura 8-10 podemos ver que o
Circuito amplificador de udio bsico sinal de sada est 180 defasado do sinal de
entrada. Como o sinal de sada maior que o
O circuito da figura 8-10 apresenta um sinal de entrada, h um ganho de tenso.
estgio amplificador bsico de udio.

Figura 8-10 Amplificador de udio bsico

8-7
CAPTULO 9

OSCILADORES TRANSISTORIZADOS

INTRODUO mecnica o pndulo do relgio. Ele oscila


mecanicamente de um lado para o outro com
Os osciladores so dispositivos cuja intervalos de tempo iguais, afastando-se do
funo principal transformar energia CC ponto central (ou de repouso) igualmente para
aplicada, em energia AC. os dois lados.
Para que haja essa transformao A figura 9-1 ilustra o movimento do
necessrio que parte do sinal de sada retorne pndulo mediante uma onda senoidal.
entrada de forma adequada, ou seja, necessrio
que haja uma realimentao positiva (regene-
rao).
Alm da necessidade de uma
realimentao positiva, devem ser incorporados
ao circuito oscilador a transistor, elementos
determinantes da frequncia e as necessrias
tenses CC de polarizao. Figura 9-1 Movimento de um pndulo simples
O transistor atua como uma chave e
conduz periodicamente, sempre que a energia Por conveno dizemos que os
realimentada desde o circuito sintonizado, a fim movimentos esquerda so positivos e direita
de manter as oscilaes do circuito tanque. negativos. Esse movimento se manter
Para determinar a frequncia de constante enquanto houver corda no relgio e se
operao do oscilador, podem ser incorporados faltar corda o pndulo inicialmente diminuir a
ao circuito, conjuntos indutncia-capacitncia, distncia do ponto central at parar.
um cristal ou ainda uma rede resistiva- Como vimos na figura 9-1 o movimento
capacitiva. do pndulo pode ser comparado com uma onda
As tenses de polarizao para o senoidal. No caso da falta de corda do relgio a
oscilador so as mesmas necessrias para um onda senoidal ser uma onda amortecida,
amplificador a transistor. como mostra a figura 9-2.
Um fator de suma importncia a
estabilizao do ponto Q do oscilador a
transistor, pois a instabilidade da operao CC
afetar consideravelmente a amplitude do sinal
de sada, a forma de onda e ainda a estabilidade
de frequncia.
Os osciladores so usados para uma
infinidade de aplicaes, sendo as mais comuns
o osciloscpio, o gerador de frequncia varivel,
o injetor de sinais, a televiso, o rdio-
transmissor, o receptor, o radar, o sonar etc.
Antes de estudarmos os osciladores
eletrnicos, recordaremos os princpios bsicos
da oscilao. Figura 9-2 Formas de onda do pndulo

PRINCPIOS DE OSCILAO A onda amortecida uma onda senoidal,


mas a amplitude dos ciclos sucessivos vai
Oscilao mecnica diminuindo gradativamente, porm, os
intervalos de tempo se mantm constantes,
Todo equipamento que recebe ou como pode ser visto na figura 9-2.
transmite energia possui um dispositivo Se quisermos evitar o amortecimento da
oscilador. O exemplo mais clssico de oscilao onda senoidal ou a parada do movimento

9-1
devemos adicionar mais energia ao sistema. No Funcionamento
caso do relgio, dar mais corda antes que o
mesmo pare definitivamente. Para entendermos como a oscilao se
processa, consideremos o que ocorre ao se
Oscilao eletrnica carregar o capacitor da figura 9-3.
1 Passo O capacitor C1 se carrega com o
Como foi dito anteriormente o oscilador valor de VCC, com a polaridade
eletrnico transforma a energia CC em energia indicada.
CA. Para que haja essa transformao
necessrio que parte do sinal de sada retorne 2 Passo O capacitor C1 se descarrega sobre o
entrada de forma adequada, ou seja, necessrio indutor L1.
que haja uma realimentao positiva. 3 Passo A energia est agora acumulada no
O transistor funciona como uma chave e indutor, em forma de campo
conduz periodicamente sempre que a energia magntico.
realimentada desde o circuito sintonizado, a fim 4 Passo L1 induz uma corrente no mesmo
de manter as oscilaes do circuito tanque. sentido mostrado no segundo passo.
Para obteno da frequncia de operao
5 Passo O capacitor C1 se carrega com
do oscilador podem ser incorporados ao
polaridade contrria do segundo
circuito, conjuntos indutncia-capacitncia, um
passo.
cristal ou ainda uma rede resistiva capacitiva.
As tenses de polarizao para o oscilador so 6 Passo O capacitor se descarrega sobre L1
as mesmas necessrias para um amplificador a com corrente oposta do segundo
transistor. passo.
Um fator muito importante no projeto de 7 Passo A energia est novamente acumulada
osciladores a estabilizao do ponto Q do em L1 em forma de campo magn-
circuito, pois a instabilidade de operao CC tico.
afetar a amplitude do sinal de sada bem como 8 Passo O indutor induz uma corrente no
a sua frequncia. Os circuitos osciladores so mesmo sentido do passo 6.
largamente usados em radiocomunicao e em
eletrnica industrial. 9 Passo O capacitor C1 fica carregado nova-
mente conforme o passo 1.
Tanques ressonantes
Se o capacitor e o indutor fossem ideais
A oscilao eletrnica feita por um (sem perdas), esse processo continuaria
circuito que consiste de uma bobina e um indefinidamente, mas na prtica no isso o que
capacitor ligados em paralelo. ocorre, pois o indutor e o capacitor apresentam
uma resistncia a qual dissipa parte do sinal em
forma de calor, havendo portanto a necessidade
de ligar a chave novamente na bateria, a fim de
carregar mais uma vez o capacitor C1
compensando a referida perda de energia.

REQUISITOS DO CIRCUITO OSCILA-


DOR

Amplificador

O circuito oscilador basicamente um


amplificador que sofre uma realimentao, ou
seja, para gerar uma energia CA, uma poro da
energia de sada do amplificador a transistor
deve ser retornada ao circuito de entrada, com
Figura 9-3 Funcionamento do circuito oscilador uma correta relao de fase, para dar uma

9-2
realimentao regenerativa com a energia de resultado seria um sinal de sada cada vez
entrada. menor. Concluindo, para manter a oscilao, o
A energia enviada carga ser a energia fator de ganho de potncia do amplificador deve
de sada (Es) menos a energia de realimentao ser maior que a unidade.
(Er):

Ec = Es - Er CIRCUITOS OSCILADORES BSICOS


A potncia de realimentao (Er) no a Oscilador Armstrong
potncia de sada, pois a rede de alimentao
age como um atenuador, causando perdas no O oscilador Armstrong o mais simples
sinal realimentado. dos osciladores a transistor. Seu circuito
Na figura 9-4 temos o diagrama bloco do mostrado na figura 9-5
oscilador, com as potncias Ec, Es e Er e o
resistor de realimentao.

Figura 9-5 Oscilador Armstrong

Figura 9-4 Representao em bloco do oscilador Estando o circuito energizado, qualquer


pequena variao na corrente de emissor
Como citado anteriormente o resistor ampliada por Q1 e aparece no coletor com uma
R simula um atenuador para o sinal variao maior.
realimentado. A variao de corrente atravs da bobina
Se o oscilador necessita, para seu de coletor (L2) gera um campo magntico, que
funcionamento de um sinal de entrada (Ee) de induzido em L1. Essa tenso varivel acoplada
2 mW, sendo a perda na rede de realimentao por C2 base de Q1, onde ampliada.
de 1 mW, a potncia do sinal de realimentao Essa tenso ampliada novamente
dever ser, no mnimo de 3 mW, ou seja: aplicada bobina L2 que por sua vez a induz em
L1 e assim, sucessivamente.
Ee = Er perdas Este ciclo continuar at que a tenso
induzida em L1 seja suficientemente grande para
Quando a potncia no amplificador tornar a base de Q1 positiva em relao ao
menor que a unidade, ocorrem oscilaes emissor. Quando isso ocorre a juno base-
amortecidas que vo se tornando cada vez emissor fica polarizada inversamente e Q1 entra
menores at desaparecerem completamente. em corte. O campo magntico nas bobinas
Por exemplo, suponhamos que no haja torna-se agora estacionrio e no h mais tenso
atenuao do sinal realimentado e que o ganho induzida em L1.
de potncia do amplificador seja 0,9. O capacitor C2 que se carregou com a
Para um sinal de entrada de 1mW, a tenso induzida, se descarrega atravs de R1.
potncia de sada do primeiro pulso seria de 0,9 To logo se tenha descarregado at um valor
mW. Se toda essa potncia fosse realimentada suficientemente baixo, que permita ao transistor
para a entrada e fosse amplificada, a potncia do conduzir novamente, o ciclo de operao se
segundo pulso seria de 0,81 mW. repete.
Realimentando essa potncia para a R1 e C2 so selecionados para dar uma
entrada, teramos um pulso de 0,73 mW na constante de tempo que fornea tenso de
sada, e assim sucessivamente. Como vemos, o polarizao suficiente para manter Q1

9-3
inoperante durante quase todo ciclo exceto nos A partir da C1 comea a se descarregar e
picos negativos da tenso de entrada. quando estiver totalmente descarregado,
A frequncia de oscilao determinada teremos a energia em forma de campo. Este
por L1 e C1 e L2 a bobina de realimentao. campo por sua vez, induzir uma corrente que
R1 fornece passagem para a corrente de ir carregar C1 novamente com polaridade
polarizao e C2 acopla o sinal para o circuito oposta anterior. Quando a tenso do tanque
de base e bloqueia a componente CC do mesmo. ultrapassar, em sentido oposto, a polarizao
A frequncia de oscilao do tanque base-emissor o transistor entrar em corte.
ressonante calculada pela seguinte frmula: C1 comear a se descarregar novamente
e o transistor Q1 sair do corte. Nesse ponto,
com a descarga de C1, a parte superior de L1
1 0,159 estar novamente menos negativa. Teremos
Fo ento a repetio do ciclo.
2 3 Lc Lc
O transistor conduz aproximadamente
120, isto , permanece em corte a maior parte
Oscilador Hartley
do ciclo. Ele conduz somente no momento
preciso, para repor energia, que consumida
Neste circuito a realimentao obtida
pelos componentes do circuito.
atravs de uma indutncia e temos osciladores
No circuito da figura 9-6, C1 e L1
desse tipo, alimentados em srie e em paralelo.
constituem o circuito tanque ressonante.
Essas alimentaes se referem ao mtodo de
R1 e R2 so os componentes que
obteno da polarizao de coletor.
fornecem a polarizao para o transistor Q1.
No circuito alimentado em srie a
O capacitor C2 bloqueia a CC e acopla as
corrente constante e a varivel passam pelo
oscilaes para Q1, que por sua vez amplifica
circuito tanque.
essas oscilaes.
A figura 9-6 mostra o oscilador Hartley
C3 bloqueia a CC e acopla as variaes
para L1.
O CRF um Choque de Radiofre-
quncia que serve para evitar que as oscilaes
atinjam a fonte CC.
L1 (parte inferior) a bobina de reali-
mentao.
A frmula para determinao da
frequncia de oscilao a mesma usada para o
oscilador Armstrong, ou seja:

Figura 9-6 Oscilador Hartley 0,159


Fo
Lc
Ao aplicarmos energia ao circuito flui
uma corrente instantnea atravs de Q1 que Isto, uma vez que o circuito tanque deste
acoplada por C3 parte inferior de L1. Esta parte oscilador constitudo pelo conjunto LC.
de L1 gera um campo magntico e induz uma
tenso na parte superior da mesma, fazendo com Oscilador Colpitts
que a parte superior do tanque fique positiva.
Isso faz com que a polarizao direta da O oscilador Colpitts assemelha-se ao
juno base-emissor aumente, fluindo ento oscilador Hartley, alimentado em paralelo. A
maior corrente, at que Q1 atinja a saturao. diferena est em que o Colpitts, ao invs de ter
Neste ponto o capacitor C1 estar carregado com o conjunto de indutncia dividida, para se obter
sua placa superior positiva e a parte inferior de a realimentao, usa um conjunto de capaci-
L1 deixar de induzir tenso, uma vez que no tncia dividida.
haver mais nenhuma corrente varivel atravs O oscilador Colpitts mostrado na
dela. figura 9-7.

9-4
Entre esses poucos cristais encontram-se
o quartzo, o sal de Rochelle e a Turmalina.
Dos trs tipos citados o sal de Rochelle
o que tem atividade piezoeltrica mais ativa, ou
seja, gera uma maior quantidade de tenso por
uma dada presso mecnica. Estas substncias,
porm, so mecnica e eletricamente instveis,
o que as torna inadequadas para o controle de
freqncias em circuitos osciladores.
Normalmente, em circuitos osciladores o
cristal usado o quartzo, devido ao seu baixo
Figura 9-7 Oscilador Colpitts custo, robustez mecnica e a pouca variao de
frequncia em funo da temperatura.
Os resistores R1 e R2 do a polarizao um dos materiais mais permanentes
ao transistor Q1. O capacitor C2 bloqueia a que se conhece, sendo quimicamente inerte e
componente CC do sinal e acopla as oscilaes fisicamente resistente.
do tanque base de Q1, que por sua vez amplia De todos os materiais encontrados o
essas oscilaes. mais satisfatrio, embora sua faixa de operao
C1B constitui o componente que esteja limitada entre 50 kHz e 50 MHz, ou seja,
realimenta o circuito tanque e C3, alm de fora da faixa de udio.
bloquear a componente CC, acopla as variaes
do coletor Q1 ao circuito tanque que formado Relao entre frequncia, espessura e largura
por L1, C1A e C1B.
A frequncia de oscilao fundamental
Oscilador a cristal de um cristal depende da largura, da espessura e
do tipo de corte do cristal. Quanto mais delgado
Quando certos cristais so comprimidos for o cristal, mais elevada ser a frequncia de
ou expandidos em direes especficas, os oscilao.
mesmos geram cargas eltricas em suas A frequncia fundamental de oscilao
superfcies. Este fenmeno chamado de efeito dada pela frmula
piezoeltrico.
Se um cristal piezoeltrico, geralmente K
quartzo, possui eletrodos localizados nas faces F
T
opostas e se um potencial aplicado entre esses
eletrodos, sero exercidas foras que faro com
onde: F Frequncia, em MHz;
que o cristal vibre mecanicamente num
movimento de contrao e expanso. K Constante que depende do tipo
Estas vibraes que daro origem ao de corte do cristal;
aparecimento de cargas eltricas nas superfcies T Espessura, que dada em mil-
desses cristais. simos de polegada.
Para oscilarem perfeitamente, os cristais
devem ainda ser submetidos a um tratamento de A frmula anterior se refere vibrao
laboratrio, onde sofrero um determinado tipo com relao a espessura, porm podemos
de corte, que um dos fatores determinantes da calcular a frequncia de oscilao com relao a
frequncia de oscilao. largura, para isso basta substituir na frmula
dada, a espessura (T) do cristal pela largura(W)
Tipos de cristais do mesmo. De tal modo que temos:
Podemos dizer que a maioria dos cristais K
apresenta o efeito piezoeltrico, mas poucos so F
adequados para serem usados como W
equivalentes de circuitos sintonizados para fins
de frequncia. onde: W a largura em milsimos de -
polegada.

9-5
A tabela das constantes de frequncia Circuitos osciladores a cristal
(K) para quatro diferentes tipos de cortes dada
a seguir. O oscilador Armstrong a cristal funciona
de maneira semelhante ao oscilador Armstrong
CORTES (K) elementar.
X 112,6 Com a insero do cristal na trajetria de
realimentao, consegue-se um aumento na
Y 77,2 estabilidade da frequncia de operao. O cristal
o elemento determinante da frequncia de
AT 66,2 operao, de tal modo que para se obter
BT 100,7 freqncias diferentes, outros cristais devero
ser usados.
A figura 9-11 mostra o oscilador
Figura 9-8 Tabela dos valores de K em funo Armstrong a cristal.
do corte do cristal

Circuito equivalente do cristal

Em sua frequncia de ressonncia o


cristal comporta-se como um circuito
sintonizado, no que se refere aos circuitos
eltricos a ele associados. Portanto um cristal
pode ser substitudo por um circuito
equivalente, o qual mostrado na figura 9-9.

Figura 9-11 Circuito do oscilador Armstrong a


cristal

Na figura 9-11 as bobinas L1 e L2 so


Figura 9-9 Circuito equivalente de um cristal responsveis pela realimentao.
sem placas Os resistores RB, RF e RC fornecem a
polarizao ao transistor Q1.
A figura 9-9 mostra um circuito equi- O resistor RE desacoplado pelo
valente de um cristal desprezando-se o efeito capacitor CE, para tenses CA. A impedncia do
das placas que o envolverem. cristal aumenta fora da frequncia de
A figura 9-10 mostra o circuito equiva- ressonncia ou de operao, com isso tem-se
lente de um cristal colocado entre suas placas. uma reduo na realimentao total, o que evita
Nesta figura vemos o aparecimento da que o cristal oscile em outra frequncia
capacitncia C que representa a capacitncia diferente daquela de ressonncia.
das placas.
Oscilador Colpitts

A figura 9-12 mostra um oscilador a


cristal na configurao base-comum com a
realimentao fornecida do coletor para o
emissor, atravs do capacitor C1. Os resistores
RB, RC e RF do as condies adequadas de
polarizao para o circuito. O capacitor C2
desacopla o resistor RB nas tenses CA.
Figura 9-10 Circuito equivalente de um cristal A frequncia de oscilao desse circuito
entre as placas no determinada somente pelo cristal, mas

9-6
tambm pela capacitncia em paralelo formada conduzem alternadamente. Enquanto um dos
pelos capacitores C1 e CE. Estes capacitores so transistores levado ao corte o outro levado
normalmente grandes, a fim de reduzir as saturao, pois o corte de um transistor produz
capacitncias de entrada e de sada do transistor um pulso que satura o outro.
e assim tornas as oscilaes independentes das Se todos os componentes do circuito
mudanas dos parmetros do transistor. fossem exatamente iguais e se os transistores
conduzissem exatamente a mesma quantidade
de corrente, na prtica o circuito nunca oscilaria.
O incio das oscilaes d-se devido ao
fato de que na prtica os elementos nunca so
exatamente iguais.

Figura 9-12 Circuito do oscilador Colpitts a


cristal

MULTIVIBRADOR ASTVEL
Figura 9-13 Multivibrador astvel
Introduo
Funcionamento
Com o desenvolvimento dos sistemas
eletrnicos, houve a necessidade de se criar Ao conectarmos ao circuito a fonte de
circuitos que operem ou que forneam sinais alimentao VCC, os capacitores C1 e C2 que
no senoidais. Esses sinais podem ser definidos estavam descarregados, comearo a se carregar
como variaes momentneas de tenso ou atravs dos resistores R1 e R2 fechando-se o
correntes. Estes sinais incluem tenses de onda circuito atravs das bases de T1 e T2. A figura 9-
quadrada, onda retangular ou pulsos. 13 ilustra melhor esse processo.
O multivibrador um circuito eletr-
nico capaz de produzir uma tenso de sada em
forma de onda quadrada ou retangular. Estes
sinais podem ser contnuos, como uma cadeia
repetitiva de ondas quadradas ou simples pulsos
produzidos em intervalos retangulares de tempo.
Existem diversos tipos de multivi-
bradores, cada um elaborado para uma aplicao
especfica.
Os circuitos multivibradores so
atualmente muito usados em receptores de TV,
osciloscpios, computadores e sistemas digitais
em geral. Figura 9-14 Circuito do multivibrador

Circuito multivibrador astvel Para que possamos compreender melhor


o funcionamento do circuito, vamos estabelecer
O circuito multivibrador astvel aquele as seguintes condies:
que no necessita de pulsos de excitao na a) Quando T1 ou T2 estiverem cortados,
entrada, para o seu funcionamento. Basicamente a tenso nos pontos A e B, ser aproxima-
o circuito formado por dois transistores que damente a da VCC.

9-7
b) Quando T1 ou T2 estiverem saturados, carregando-se em sentido contrrio, agora
a tenso nos pontos A ou B da figura 9-13 ser atravs de R4 elevando desta maneira o
aproximadamente 0,3 volts, recebendo a potencial do ponto E, fazendo com que T1 que
denominao de VCE de saturao. estava cortado, caminhe para a saturao.
c) Quando T1 ou T2 estiverem cortados, a T1 indo para a saturao, leva T2 para o
tenso VBE de incio de conduo (0,6V), corte, dessa maneira o ponto B ser de
caracterizando o estado em que se encontram T1 aproximadamente 0,3V (praticamente o ponto B
e T2. estar em terra), e o capacitor C1 se descarregar
d) Quando T1 ou T2 estiverem saturados, pelo coletor de T1, carregando-se agora em
a tenso VBE de T1 ou T2 ser denominada VBE sentido contrrio por R3.
de saturao, e seu valor 0,7V Desta forma o potencial do ponto D ir
De posse dessas condies, ficar mais aumentar e T2 ser levado saturao fazendo
simples descrevermos o comportamento do com que T1 v para o corte, estabelecendo-se
circuito apresentado. assim um estado oscilatrio.
Como ponto de partida, vamos A figura 9-15 mostra as formas de onda
considerar o instante t0, admitindo que nesse de sada do multivibrador astvel.
instante T1 esteja cortado e T2 saturado, logo Como principais caractersticas do
teremos no ponto B da figura 9-13 uma tenso multivibrador astvel podemos citar:
igual a VCC e no ponto A igual a 0,3V. - tem sua frequncia de oscilao
Consideremos agora o estado do circuito controlada pelas constantes de tempo de carga e
aps decorrido um tempo t, ou seja: t = t0+t. descarga dos capacitores.
Ainda com relao s condies - a sada pode ser retirada de qualquer
adotadas temos que o ponto A estar um dos coletores dos dois transistores
praticamente em terra (0,3V), logo, C2 se usados.
descarregar atravs do coletor de T2,

Figura 9-15 Formas de onda de sada do multivibrador astvel

9-8
CAPTULO 10

TRANSISTORES ESPECIAIS

INTRODUO da barra, aplicada uma camada de silcio do


tipo oposto ao do material do canal (tipo N ou
Os laboratrios das grandes fbricas de P). Neste material feito contato hmico,
dispositivos semicondutores procuram formando a porta ou gatilho (gate).
continuamente melhorar as caractersticas e A figura 10-2 ilustra a constituio fsica
diminuir as limitaes dos transistores utilizados dos transistores TECJ com canais tipo N e P e
e tambm descobrir novos tipos com os respectivos smbolos. Conforme o material
caractersticas diferentes que permitam do canal seja do tipo N ou P, a seta aponta
aplicaes at ento fora do campo dos respectivamente, para dentro ou para fora do
transistores e, de maneira geral, dos semi- transistor.
condutores. No TEC canal P, por exemplo, a seta
Foram esto criados numerosos tipos de dirigida para fora do transistor. Com efeito, se o
transistores, muitos dos quais baseados no material do canal do tipo N, o gatilho
mesmo princpio de operao do transistor formado de material tipo P e, portanto, a seta
bipolar, mas, fabricados por meio de tcnicas aponta para dentro.
novas ou modificaes das tcnicas j NOTA: Usaremos indistintamente as seguintes
conhecidas. Outros tipos de transistores nomenclaturas: porta ou gatilho (P de porta ou
baseiam-se em princpios diferentes do G de gatilho); fonte ou supridouro (S de source
transistor bipolar. So esses tipos que ou de supridouro).
estudaremos a seguir.

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

O transistor de efeito de campo,


conhecido como TEC ou FET (Field Effect
Transistor), apresenta caractersticas eltricas
bastante interessantes que permitem sua
utilizao numa gama muito grande de
aplicaes prticas.
A diferena fundamental entre os
transistores de efeito de campo e os de juno
convencionais que nos primeiros, a corrente
dada pelo fluxo de portadores de um s tipo. Por
este motivo, os transistores de efeito de campo
so conhecidos como transistores unipolares em
contraposio aos demais que so bipolares.

Construo fsica

O mais comum dos transistores de efeito


de campo o tipo de juno, tambm chamado
de TECJ ou JFET. A figura 10-1 ilustra uma
sequncia da constituio fsica do TEC. Ele
formado por uma minscula barra de silcio, que
pode ser tipo N ou P, formando o que
conhecido com o nome de canal.
Em cada extremo da barra so feitos
contatos hmicos que so chamados de dreno Figura 10-1 Seqncia da constituio fsica do
(drain) ou fonte (source). No centro, em torno TEC canal N

10-1
Podemos observar, em A da figura 10-3,
onde a polarizao somente de 2 volts, que a
corrente atravs do canal do transistor grande;
ao contrrio, em B, onde temos a tenso de 6V
no gatilho, a corrente bem menor. A diferena
entre um TEC canal N e outro de canal P a
inverso da polaridade de todas as tenses, da
mesma forma como nos transistores comuns do
tipo PNP e NPN.

Curvas caractersticas

A figura 10-4 mostra as curvas


caractersticas de um TEC tpico canal N.
Observamos que a corrente de dreno
mxima, ou seja, a corrente de saturao (8
Figura 10-2 Constituio fsica e smbolos dos mA), quando a polarizao entre gatilho e
transistores TEC canal tipo N e supridouro igual a zero.
canal tipo P Quando aumentamos a polarizao
inversa, a corrente no dreno diminui gradati-
Funcionamento vamente at chegar a zero. Isto acontece quando
a tenso de 6V aproximadamente. Esta
Podemos observar, na figura 10-3, a polarizao inversa, necessria para suprimir
polarizao normal de funcionamento do TEC totalmente a corrente atravs do transistor,
canal tipo N. chamada de tenso de corte.
O gatilho, normalmente polarizado
inversamente em relao fonte, faz com que a
entrada tenha alta impedncia. A tenso
aplicada ao gatilho tem alto poder de controle
sobre a corrente fonte-dreno, por causa do
aumento da rea de depleo e reduo da rea
efetiva de conduo.

Figura 10-3 Variao da corrente em funo da Figura 10-4 Curvas caractersticas de um TEC
polarizao inversa canal N

10-2
Esta tenso de corte, para a maioria dos A principal vantagem do transistor de
transistores TEC est situada entre 6 e 10V. efeito de campo diz respeito sua impedncia
Podemos tambm verificar, atravs de de entrada que, na realidade, dada pela
curvas, que a variao de tenso do dreno acima impedncia de um diodo inversamente
do joelho (5 volts) tem pouca influncia sobre a polarizado, podendo atingir, dependendo do tipo
corrente de dreno (ID). do TEC, valores to altos como centenas de
Pelo espaamento regular que se obtm megohms. Isto possibilita aplicaes
com polarizaes at 2 volts nota-se que o impossveis para os transistores bipolares.
transistor pode amplificar sinais pequenos com Finalmente devemos apresentar outro
um mnimo de distoro. tipo de transistor de efeito de campo, o chamado
A resistncia interna entre dreno e fonte IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor),
varia conforme a polarizao; assim, temos com tambm chamado MOSFET (Metal Oxide
zero volts no gatilho (porta) uma resistncia Semiconductor Field Effect Transistor).
interna por volta de 150 ohms, enquanto que O funcionamento deste transistor
com polarizao inversa acima de 6 volts diferente do anterior no sentido de que, com
obtem-se valores superiores a 1000 megohms. tenso VGS nula, no h nenhuma conduo no
O TEC, da mesma forma como os dreno.
transistores comuns, tambm pode ser usado em Quando aplicamos uma tenso positiva,
3 configuraes, sendo que a mais usada o por exemplo, no caso da figura 10-6, surge na
supridouro ligado massa, que corresponde ao superfcie da regio N um canal tipo P,
circuito emissor massa. correspondente ao dreno e fonte, pos-
Como podemos observar, o circuito sibilitando, ento, o deslocamento de buracos
muito semelhante ao de um amplificador usando entre a fonte e o dreno.
vlvula triodo. A vantagem deste tipo de transistor a
A autopolarizao do TEC pode ser feita elevadssima impedncia de entrada, e com
da mesma maneira como na vlvula, isto , pelo este tipo que se consegue obter os valores mais
resistor do supridouro. Por exemplo, se elevados.
escolhermos o ponto de trabalho do transistor Outra extraordinria vantagem deste
em 5 miliampres e verificarmos, pelas curvas ltimo tipo de FET que ele possibilita a fcil
caractersticas, que para isso necessria uma fabricao de complexos arranjos integrados
polarizao no gatilho de 1 volt, o resistor de com aplicaes sem limites no campo digital.
supridouro (R1) deve ter um valor de:
1V
R1 = 200 ohms .
0,005 A
O resistor normalmente escolhido em
funo da frequncia de trabalho. O resistor R2
corresponde resistncia de carga (RL). A fase
do sinal de sada est 180 graus invertida em
relao ao sinal de entrada.

Figura 10-6 Constituio e smbolo do


Figura 10-5 Amplificador tpico com TEC MOSFET canal P

10-3
TRANSISTOR DE UNIJUNO quando IB2 for igual a zero, a curva
caracterstica relacionando IE e VE ser a de um
O transistor de juno nica (TJU ou diodo comum, como podemos observar na
UJT) um dispositivo semicondutor de trs curva 1 da figura 10-8.
terminais que tem sua principal aplicao em Devemos observar que nesta figura a
circuitos osciladores no senoidais e de corrente IE est representada no eixo das
comutao. abscissas e a tenso VE no eixo das ordenadas, o
A figura 10-7 mostra a constituio que explica o aparecimento diferente da curva
fsica e o smbolo do transistor de unijuno. 1 de um diodo comum.
Ele constitudo por uma pequena barra de Alm disto, devemos salientar que a
silcio do tipo N, na qual so feitos contatos curva 2 foi traada para uma dada tenso VBB,
hmicos nos extremos que so denominados obtendo-se curvas com aspecto semelhante para
Base 1 (B1) e Base 2 (B2) e na parte lateral diferentes tenses de VBB.
feita uma juno PN, na qual tambm feito um
contato hmico, o que constitui o emissor.
Eletricamente, o TJU atua como divisor
resistivo de tenso, entre B1 e B2 e um diodo no
centro.

Figura 10-8 Curvas caractersticas de um


transistor unijuno

Partindo do ponto A, medida que a


tenso VE aumenta, a corrente vai aumentando
lentamente at que seja atingido o ponto
B(chamado de ponto de pico), a partir do qual
a tenso diminui e a corrente aumenta. Portanto,
o trecho BC caracterizado pelo fato,
aparentemente contraditrio, de uma dimi-
nuio da tenso provocar um aumento de
corrente.
Isto explicado se considerarmos que,
Figura 10-7 Construo fsica, circuito no trecho BC, o dispositivo apresenta uma
equivalente e smbolo eltrico resistncia negativa, caracterstica esta que
do TJU permite a aplicao do transistor de unijuno
em osciladores (geradores dentes-de-serra, mul-
Curvas caractersticas tivibradores, etc).
A figura 10-9 mostra as curvas
Vimos que entre as bases B1 e B2, o caractersticas de sada do transistor de
dispositivo apresenta a caracterstica de um unijuno.
resistor comum. Quando a base B2 est aberta, Podemos observar a relao entre a
isto , quando IB2 igual a zero, temos apenas corrente IB2 e a tenso de sada, entre as bases,
no circuito a juno E-B1, polarizada para diferentes valores da corrente no emissor
diretamente pela bateria VEE. Isto significa que, (IE).

10-4
Figura 10-9 Curvas caractersticas de um
transistor de unijuno,
relacionando IB2, VBB e IE

Aplicao

Um exemplo simples da aplicao do


TJU o circuito da figura 10-10 que um
oscilador de relaxao.
Quando o interruptor ligado, a ao
divisora de tenso, da resistncia da barra de
silcio do TJU, da base um e da base dois, em
srie produz uma queda de 12 volts,
aproximadamente, entre a base um e o lado N
da juno do emissor. Figura 10-10 Oscilador de relaxao
Neste momento, a tenso do emissor
zero, por causa do capacitor C1. O capacitor C1 Cada vez que o emissor se polariza
comea a adquirir carga atravs do resistor R1. diretamente, diminui a resistncia total entre as
Quando a tenso do capacitor chega a 12 volts, bases um e dois, o que permite um aumento na
a juno do emissor se polariza diretamente e corrente que passa pelo TJU.
comear a fluir uma corrente pela base um, Como resultado, na base um aparecer
reduzindo a resistncia interna. Esta ao um pulso positivo e na base dois um pulso
descarrega a energia armazenada no capacitor, negativo, no momento em que o capacitor se
atravs do resistor R3. Logo, o ciclo se repete e descarrega. Assim temos no emissor uma onda
o capacitor se recarrega e volta a descarregar-se. dente-de-serra.

10-5
CAPTULO 11

CIRCUITOS INTEGRADOS

INTRODUO estrutura, a qual no pode ser dividida sem que


se destruam suas propriedades eletrnicas.
Com a inveno do transistor os Os circuitos integrados de semicon-
projetistas puderam produzir equipamentos dutores podem ser divididos em dois grupos: os
eletrnicos menores, mais versteis e de maior circuitos monolticos e os circuitos hbridos.
confiabilidade. Porm o transistor foi apenas o Nos circuitos monolticos todos os componentes
primeiro passo para um avano tecnolgico dos circuitos so fabricados por meio de uma
ainda maior, a implementao do circuito tecnologia especial dentro de uma mesma
integrado monoltico. pastilha de silcio, enquanto que nos circuitos
Os circuitos integrados, com as funes hbridos, vrias pastilhas so colocadas em um
prprias de um circuito completo, em um mesmo invlucro e so conectadas entre si.
espao comparvel ao que antes era ocupado
por um nico transistor, esto convertendo-se TCNICA DE FABRICAO DE CIRCUI-
nos componentes bsicos dos equipamentos TOS INTEGRADOS MONOLTICOS
eletrnicos.
Para a construo de um circuito Como mencionado anteriormente os
integrado efetua-se uma srie de operaes de circuitos integrados monolticos so aqueles em
difuso gasosa e centenas de circuitos que todos os componentes do circuito so
integrados so produzidos simultaneamente em fabricados simultaneamente em um nico cristal
uma pastilha de silcio, com cerca de 3 cm de de silcio com menos de 1mm2 de rea.
dimetro. O processo usado atualmente para a
fabricao de CI (circuito integrado), baseado
MICROELETRNICA na tcnica de difuso do silcio, que foi
desenvolvida para a fabricao de transistores
Na eletrnica sempre houve uma de silcio.
tendncia de miniaturizao dos equipamentos. Inicialmente o material um cristal de
O aparecimento do transistor e do diodo semi- silcio simples, do tipo P ou do tipo N, como
condutor depois da guerra, incentivou mais o mostrado em A.
desenvolvimento dessa miniaturizao. As tcnicas de difuso permitem a
A utilizao dos elementos semicon- introduo de impurezas nas profundidades e
dutores em miniatura foi possvel devido s larguras desejadas no material inicial. A
caractersticas do transistor permitir o penetrao vertical das impurezas controlada
funcionamento dos circuitos com baixa tenso e pela temperatura de difuso e pelo tempo. O
potncia. controle lateral de difuso torna-se possvel pela
A montagem de transistores e outros combinao das propriedades de vedao do
componentes em pequenas placas de circuitos dixido de silcio com as tcnicas fotoqumicas.
impressos proporcionou uma reduo signi- Quando determinadas regies do tipo N
ficativa no tamanho e peso dos equipamentos. so difundidas em um material inicial do tipo P,
O resultado, mesmo em miniatura era, como mostrado na figura B, so formados
todavia, convencional no que se refere ncleos isolados no circuito.
montagem dos diversos componentes, formando Os diodos formados pela substncia P e
o que se poderia chamar de micromontagem. A os ncleos do material tipo N, fornecem o
partir da as pesquisas se desenvolveram, isolamento eltrico entre os ncleos.
chegando atualmente chamada microele- A difuso de regies adicionais do tipo P
trnica. e do tipo N formam transistores, como mostrado
Um circuito integrado um caso na figura C.
particular de microeletrnica, recebendo essa As fases bsicas s quais submetido o
denominao um conjunto inseparvel de silcio, durante o processo de fabricao do CI
componentes eletrnicos, em uma nica so mostradas na figura 11-1

11-1
Figura 11-1 Fases do processo de fabricao do CI

A placa de silcio ento, revestida com fabricao do transistor, e seu valor hmico
uma camada de xido isolante. Essa camada depende basicamente de sua forma geomtrica.
aberta nos pontos adequados, para permitir a O valor do resistor determinado pelo
metalizao e a interconexo, como mostrado na produto de sua espessura S de difuso pela
figura D. razo entre o comprimento L e a largura W,
Quando se necessita de resistores no ou seja:
circuito, a difuso do emissor do tipo N L
omitida e dois controles hmicos so R = S
W
estabelecidos para uma regio do tipo P,
formada simultaneamente com a difuso da O valor da capacitncia de um capacitor
base, como mostrado na figura E. integrado dado pelo produto de uma superfcie
Quando se necessita de capacitores, o A e a razo entre a constante dieltrica E do
prprio xido usado como dieltrico, como material difundido e a espessura do xido d,
mostrado na figura F. ou seja:
A figura G mostra a combinao de
E
trs tipos de elementos em uma placa simples. C = A
Devido ao fato do processo bsico de d
fabricao dos circuitos integrados ser idntico TIPOS DE ENCAPSULAMENTO E
ao usado para fabricar transistores, estes em um CONTAGEM DE PINOS
circuito integrado feito por esse processo so
similares aos convencionais. Por outro lado, os O invlucro de um circuito integrado
resistores dos circuitos integrados so desempenha quatro funes importantes:
completamente diferentes dos comuns. a) Protege a pastilha de silcio contra a
Nos resistores comuns os diferentes ao do meio ambiente, que de certo modo pode
valores hmicos so obtidos variando-se a alterar as caractersticas do CI;
resistncia do material condutor, j nos circuitos b) Protege mecanicamente a pastilha do
integrados a resistncia do material no pode circuito integrado;
variar para se obter valores diferentes de c) Possibilita um meio simples de
resistores, porque a resistncia do material interligar o CI com os outros componentes do
determinada pelo valor requerido para a circuito;

11-2
d) Dissipa o calor dentro da pastilha,
durante o funcionamento do CI.
Na figura 11-2 so mostrados alguns dos
invlucros usados na prtica.
Os dois primeiros CIs possuem
invlucro do tipo dual em linha, sendo a
cpsula geralmente de material plstico e
moldada em torno dos terminais do suporte Figura 11-3 Contagem de pinos em CIs
onde a pastilha de silcio foi montada.
O ltimo CI mostrado na figura possui J para o CI com encapsulamento do
invlucro do tipo TO (metlico), tipo TO a contagem feita do pino guia para a
extensivamente usado em muitos tipos de direita no sentido horrio, quando a vista
transistores. interior de sua base estiver voltada para o
observador. Essa contagem mostrada na figura
11-4.

Figura 11-2 Invlucros usados em CIs

A contagem de pinos de circuitos


integrados com encapsulamento do tipo dual
feita, contando-se a partir do guia de referncia
no sentido anti-horrio como mostrado na figura Figura 11-4 Contagem de pinos para CI com
11-3 encapsulamento do tipo TO.

11-3
CAPTULO 12

SENSORES

SENSOR DE UMIDADE

Existem certos materiais semicondutores


cuja resistncia varia com a umidade relativa do
ar. Estes materiais tm um certo padro
especfico de carga eltrica em suas molculas e
os nveis de energia entre elas so controlados
mediante a umidade do ar.
Este tipo de dispositivo semicondutor
fabricado na forma de pelcula delgada,
depositada sobre os eletrodos que esto
dispostos um ao lado do outro. A resistncia
entre os eletrodos varia com a quantidade de
umidade do meio ambiente, pela qual possvel
medir a umidade relativa do ar.
A figura 12-1 mostra a curva
caracterstica, dada pelo fabricante. Por essa
curva pode-se observar que o sensor de umidade Figura 12-2 Circuito medidor da umidade
apresenta uma resistncia elevada que decresce relativa do ar
rapidamente com o aumento da umidade.
O circuito da figura 12-2 possui o
funcionamento descrito a seguir.
Havendo um aumento da umidade
relativa do ar, a resistncia do sensor de
umidade diminui, ocasionando um aumento da
polarizao direta base-emissor e com isso
tambm um aumento de IC.
Se o miliampermetro estiver graduado
em percentagem de umidade do ar, teremos
desta forma uma indicao precisa dessa
umidade.
Porm, se a umidade do ar continuar a
aumentar, o rel K1 ser ativado atravs do
aumento de IC, fazendo com que a lmpada L1
acenda, indicando que a umidade est sendo
prejudicial aos componentes.

TERMISTORES

Os termistores so componentes
Figura 12-1 Curva de variao da resistncia eletrnicos que tm a capacidade de alterar a
com a umidade resistncia hmica com a variao da
temperatura.
A figura 12-2 mostra um circuito que Existem termistores com coeficiente de
pode ser usado, por exemplo, para medir a temperatura positiva (PTC) e negativo (NTC),
umidade relativa do ar de um depsito de ou seja, no primeiro caso teremos um aumento
componentes eletrnicos. de resistncia quando ocorrer um aumento de
A lmpada L1 acender todas as vezes temperatura e no segundo caso teremos uma
que a umidade do ar atingir nveis prejudiciais diminuio no valor hmico do termistor
aos componentes eletrnicos do depsito. quando ocorrer um aumento de temperatura.

12-1
Os termistores so amplamente Os termistores com coeficiente negativo
utilizados em circuitos de polarizao de de temperatura (NTC) so os mais utilizados.
transistores pois neste caso, eles compensariam Um circuito com estabilizao de
as variaes da polarizao devido ao aumento polarizao atravs de um NTC mostrado na
ou diminuio da temperatura. figura 12-3.
A tenso VBE do circuito 0,2V e a IB
300 mA. Com o aumento da temperatura
ambiente a IC tende a aumentar devido ao
aumento da ICO.
Porm, esse aumento da temperatura
afeta tambm o NTC, diminuindo sua
resistncia, ocasionando um aumento da
corrente atravs dele.
Essa maior corrente solicitada aumenta a
queda de tenso em RF, diminuindo a VBE e com
isso menores sero a IB e a IC.
O resultado que este dispositivo tende
a manter o circuito no seu ponto de operao.
A figura 12-4 a seguir mostra as curvas
Figura 12-3 Circuito com estabilizao de caractersticas de um NTC e um PTC
polarizao respectivamente.

Figura 12-4 Curvas caractersticas de um NTC e de um PTC

DISPOSITIVOS FOTOSSENSVEIS
Clulas fotocondutivas

Diz-se que um dispositivo fotos- Estas clulas baseiam-se no fenmeno


sensvel se o mesmo alterar suas caractersticas descrito a seguir, que ocorre quando um fluxo
mediante a incidncia de luz. luminoso incide sobre um material
Dentro do grupo de componentes fotos- semicondutor.
sensveis, destacam-se as clulas fotoeltricas Quando isso acontece, os ftons
que podem ser a gs ou a vcuo, as clulas (partculas que compem a luz) podem fornecer
fotocondutivas que podem ser do tipo fotor aos eltrons energia suficiente para produzir a
resistor, fotodiodo e fototransistor e as clulas ruptura das ligaes covalentes, um eltron
fotovoltaicas. abandona a ligao deixando uma lacuna em seu

12-2
lugar. Portanto a ao dos ftons ocasiona a
produo de pares eltron-lacuna, o que provoca
o aumento da condutividade no semicondutor.
Este fenmeno conhecido como foto-
condutividade.
Entre os dispositivos que funcionam
baseados no fenmeno da fotocondutividade
temos os fotorresistores, fotodiodos e os foto-
transistores. Figura 12-5 Circuito de aplicao do fotor-
resistor
Fotorresistores Quando no h fluxo luminoso, a
resistncia do LDR alta e a corrente que
circula na bobina do rel no suficiente para
Os fotorresistores so constitudos de aciona-lo. Quando um fluxo luminoso incide
material semicondutor. sobre o fotorresistor a sua resistncia diminui, a
Quando um fluxo luminoso incide sobre corrente aumenta atingindo um valor suficiente
eles a sua condutividade aumenta, ou seja, a sua para acionar o rel.
resistncia diminui. Consequentemente, com esse simples
Os materiais mais utilizados para a circuito possvel efetuar o controle automtico
construo dos fotorresistores so o sulfato de de portas, alarmes de segurana, controles de
cdmio e o sulfeto de chumbo. iluminao de ambientes etc.
Os fotorresistores so caracterizados
pelas iniciais LDR (Light Dependent Resistor), Fotodiodo
ou seja, resistor dependente da luz.
Os fotorresistores so geralmente Os fotodiodos so constitudos de
aplicados em circuitos para a operao de rels. maneira anloga aos diodos de funo j
A figura 12-5 ilustra esse processo. estudados..

Figura 12-6 Aplicao do fotodiodo

12-3
A nica diferena que a funo PN Quando a luz incide em sua funo base-
influenciada pela intensidade da luz, atravs de emissor sua condutividade aumenta,
uma janela de material transparente adaptada na ocasionando um aumento na corrente de coletor.
parte superior de seu invlucro. Quanto mais intenso for o fluxo
Alguns fotodiodos possuem nesta janela luminoso, mais intensa ser a corrente de
uma pequena lente convergente que concentra coletor.
ainda mais os feixes de luz. Devido a sua amplificao, o
O fotodiodo, em condies normais fototransistor fornece dez vezes mais corrente
polarizado no sentido inverso e, portanto, que o fotodiodo, sob as mesmas circunstncias.
circula atravs do diodo apenas a corrente de Os fototransistores possuem as mesmas
fuga. aplicaes dos fotodiodos tais como a leitura
Quando um feixe luminoso incide na tica, controle automtico de brilho etc.
funo, so quebradas ligaes covalentes, Todavia, apresentam a vantagem de no
aumentando a concentrao de portadores necessitar de ampliao adicional.
minoritrios e conseqentemente, a corrente de
fuga aumenta. Clulas fotovoltaicas
Esse aumento da corrente vai atuar num
circuito acoplado ao fotodiodo. Como o nome indica, essas clulas
O circuito da figura 12-6 tem por produzem uma tenso eltrica quando
objetivo processar a contagem de produtos que submetidas a ao de um fluxo luminoso.
esto sendo transportados por uma correia Uma das aplicaes mais tpicas das
O fluxo luminoso proveniente de uma clulas fotovoltaicas nos chamados fotmetros
lmpada interrompido quando o produto se que so instrumentos usados pelos fotgrafos
interpe entre a lmpada e o fotodiodo. para obterem informaes sobre a iluminao
Quando isso ocorre a corrente atravs do do ambiente.
diodo diminui, fazendo com que a tenso Quando a luz incide sobre a fotoclula,
esttica aplicada na base do transistor que normalmente de selnio, produzida uma
amplificador aumente. Isso provoca um tenso que aplicada a um milivoltmetro
aumento da polarizao direta base-emissor, graduado em unidades de intensidade de luz.
logo, a IC aumenta, fazendo com que a tenso
coletor-terra diminua. Bateria solar
Desta forma temos na sada do circuito
um pulso que acoplado ao contador. Estes Uma aplicao moderna de grande
pulsos sero registrados pelo contador, o qual importncia das clulas fotovoltaicas nas
informar a quantidade de objetos. chamadas baterias solares.
Clulas so colocadas, em grande
Fototransistores nmero, lado a lado e ligadas de maneira
conveniente, em srie, em paralelo ou em
Esses dispositivos so constitudos por combinao srie-paralelo.
duas funes PN acondicionados num Quando exposto luz solar, o conjunto
invlucro, tendo uma pequena lente que pode fornecer energia suficiente para o
converge o fluxo luminoso sobre a funo base- funcionamento dos instrumentos de um farol, de
emissor, a qual denominada funo uma estao meteorolgica e principalmente de
fotossensvel. um satlite artificial.

12-4
CAPTULO 13

REGULADORES DE TENSO

O DIODO ZENER COMO REGULADOR Por exemplo, um diodo comum de Ge,


DE TENSO com uma corrente de 1 mA, dissipa:

O diodo Zener um dispositivo Pj = 1 mA x 0,25 V = 0,25 mW


semicondutor, de dois terminais, diferente dos
diodos comuns, tanto na sua construo fsica, Como o diodo Zener opera com tenses
quanto no seu funcionamento. mais elevadas (6 volts), teramos, com a mesma
O Zener possui uma juno maior que a corrente de 1 mA, a potncia:
do diodo comum, o que possibilita uma
dissipao de potncia. Pj = 1 mA x 6 V 6 mW
Quanto ao seu funcionamento, foi
projetado para operar na regio inversa da curva Por este motivo que a juno do diodo
caracterstica e assim sendo, sua polarizao Zener deve ser maior que a de um diodo
normal a polarizao inversa. comum, a fim de possibilitar uma dissipao
Apesar do seu funcionamento diferir um maior.
pouco do diodo comum, o Zener pode operar do O diodo Zener pode ser usado em
mesmo modo que o diodo anteriormente substituio vlvula VR, como mostra a figura
estudado. 13-5. Isso se deve caracterstica do Zener que
Os diodos que operam na regio inversa mantm a tenso constante, dentro de
da curva caracterstica so chamados Zener, ou determinados limites, quando est operando na
diodo de referncia, ou ainda diodo de regio de Zener.
avalanche.
Funcionamento
CARACTERSTICAS DO DIODO ZENER
O diodo comum no deve atingir a zona
A diferena essencial, entre um diodo Zener, sob pena de possvel destruio,
Zener e um diodo comum, est no grau de enquanto que o Zener projetado e fabricado
definio do ponto (tenso) de Zener. para trabalhar nesta regio.
O diodo Zener possui um joelho de alta Quando o diodo Zener polarizado
tenso, de curvatura bastante acentuada, ao inversamente, uma corrente muito pequena
passo que outros diodos possuem uma curvatura circula atravs dele a corrente de fuga.
mais suave, como se v na figura 13-1. medida que a tenso inversa cresce, tambm
cresce o campo eltrico existente na regio de
transio. Este campo pode acelerar,
suficientemente, os eltrons livres, fazendo com
que eles adquiram bastante energia, para
provocar por choque, o rompimento das
ligaes covalentes.
Consideremos de incio, a situao de
um eltron livre. Quando este eltron sofre a
ao de um campo eltrico, adquire uma
acelerao suficiente, para romper uma ligao
Figura 13-1 Curva na regio inversa do diodo covalente. Com isso, passam a existir trs
comum portadores uma lacuna e dois eltrons. Estes
dois eltrons podem ser acelerados e provocar o
Outra caracterstica importante do diodo rompimento de duas outras ligaes, fornecendo
Zener a maior largura fsica da juno. A agora, sete portadores quatro eltrons e trs
razo de ser desta caracterstica est na potncia lacunas. Em pouqussimo tempo ocorre uma
que a juno pode dissipar. multiplicao de portadores de carga avalan-

13-1
che a corrente cresce, sendo limitada somente definida e que a tenso se mantenha a mais
pela resistncia externa do circuito. estvel possvel, durante a ruptura. Por esse
A tenso sobre o diodo se mantm motivo, prefere-se fabricar diodos Zener de
aproximadamente constante, o que indica que o silcio e no de germnio, pois estas
diodo possui uma resistncia muito pequena caractersticas so mais definidas no Si, que no
nessa regio. Esse fenmeno chamado Ge.
ruptura da juno por avalanche ou mais Cada diodo Zener comercial possui sua
comumente ruptura por avalanche. tenso caracterstica. Entretanto, esta tenso
Dependendo da construo da juno, da varia ligeiramente com a corrente, pois a
tenso aplicada e da corrente, pode produzir-se caracterstica no exatamente vertical.
a ruptura, mesmo que os eltrons livres no Vejamos a curva caracterstica do diodo
tenham sido acelerados o suficiente para romper OAZ203, na figura 13-3. O fabricante fornece
as ligaes covalentes. o caso em que o os seguintes dados:
campo eltrico, produzido pela aplicao da Iz = corrente de Zener
tenso inversa, suficiente para provocar, ele Vz = tenso de Zener
prprio, a quebra das ligaes covalentes e,
portanto, a rpida multiplicao dos portadores Para Iz de 1mA temos Vz de 6,2V
de carga.
Este tipo de ruptura chamado de Para Iz de 5mA temos Vz de 6,3V
ruptura Zener, e o ponto no qual ela se inicia Para Iz de 20mA temos Vz de 6,4V
chamado ponto de tenso Zener.
Nesse caso a corrente tambm aumenta
bruscamente e a tenso no diodo se mantm
quase constante.
Praticamente a ruptura por avalanche
distingue-se da ruptura Zener, pelo seu
coeficiente de temperatura. Costuma-se chamar
de regio de Zener ou tenso de Zener, regio
e tenso nas quais a corrente inversa cresce
rapidamente e a tenso se mantm quase
constante, qualquer que seja o motivo real da
ruptura.

Figura 13-3 Curva caracterstica inversa do


diodo Zener OAZ203

Falamos anteriormente em tenso mdia,


porque os valores da tenso Zener variam para o
mesmo tipo de diodo, de unidade para unidade,
dentro das tolerncias de fabricao, que podem
Figura 13-2 Smbolos do diodo Zener ser de 10%, 5%, 1% ou ainda menores,
dependendo do tipo de diodo. Isto obriga o
Como o diodo Zener possui mais de um fabricante a fornecer os valores mximos e
smbolo para sua representao, vamos escolher mnimos para a tenso Zener conforme mostra a
para emprego em nosso curso o smbolo D da figura 13-3.
figura 13-2. Observe tambm na tabela a seguir, as
caractersticas do diodo OAZ203, 25 C.
ESPECIFICAES DA TENSO ZENER
Tenso Zener Valores tpicos
Existem diodos Zener comerciais, com Mnimo, mdio, mximo
tenso variando de alguns volts at centenas de Iz = 1mA Vz = 5,8V 6,2V.....6,6V
volts. Para aplicaes prticas deste dispositivo, Iz = 5mA Vz = 6,1V 6,3V 6,8V
desejado que a regio de ruptura seja bem Iz = 10mA Vz = 6,1V 6,4V 6,9V

13-2
IMPEDNCIA DINMICA Efeito da temperatura

O fato da tenso Zener no se manter Conforme j sabemos, muitas


exatamente constante, com a variao da caractersticas dos dispositivos semicondutores
corrente inversa, indica que o diodo Zener no dependem da temperatura. O efeito causador da
tem uma resistncia nula, na regio inversa, ruptura determina o sentido da variao. Se a
porm apresenta uma certa resistncia, embora ruptura for por avalanche, a tenso Zener cresce
baixa. a impedncia dinmica, que com a temperatura, isto , o coeficiente de
corresponde inclinao da curva caracterstica. temperatura positivo. Se a ruptura for do tipo
A impedncia dinmica tambm varia de Zener, a tenso Zener decresce com a
diodo para diodo, dependendo de sua tenso temperatura, o que equivale ao coeficiente
Zener e, para um mesmo diodo, varia com a negativo de temperatura.
corrente. Nas aplicaes prticas, se a temperatura
Por exemplo, na figura 13-4, a curva do equipamento onde utilizado o diodo Zener
caracterstica do diodo OAZ201, para tenso variar, importante saber qual ser o sentido da
Zener baixa, apresenta uma Rz de 340 ohms variao da tenso Zener. s vezes, deve ser
para uma Iz de 1 mA. Quando a corrente cresce, procurado, um ponto onde a tenso no varie,
a curva caracterstica se aproxima de uma linha ou pelo menos varie o mnimo possvel ( ponto
vertical e a impedncia dinmica diminui. de coeficiente nulo de temperatura).
Ainda para o mesmo diodo temos: Rz de O coeficiente de temperatura varia de
40 ohms para Iz de 5 mA Rz de 4,7 ohms para diodo para diodo, pois depende da tenso Zener
Iz de 20 mA estes valores de Rz so os valores e, para um mesmo diodo, ele varia de acordo
mdios, correspondendo s tenses mdias de com a corrente de operao.
Zener. Os diodos Zener com tenses maiores
Para diodos de Vz mais elevadas, nas que 6 volts tm coeficientes positivos de
baixas correntes, Rz mais baixa, porque o temperatura, enquanto que os de tenses
joelho da curva quase reto: Rz de 21 ohms menores que 4,5 volts tm coeficientes
para Iz de 1 mA, para o diodo OAZ213. negativos de temperatura. Por exemplo, o diodo
Quando a corrente se eleva, a curva OAZ203, com tenso Zener de 6,3 volts, tem os
caracterstica no to vertical, quanto quela seguintes coeficientes de temperatura: para Iz de
dos diodos de baixa tenso. A impedncia 1mA, o coeficiente de +0,5 mV/ grau cent-
maior para diodos de alta tenso (7 ohms para grado, o que significa um acrscimo de 0,5 mV,
20 mA, para o diodo OAZ213). para cada grau centgrado de aumento de
Como do ponto de vista dos circuitos temperatura. medida que a corrente cresce, o
que utilizam o Zener, geralmente mais coeficiente de temperatura tambm cresce.
interessante ter diodos, cuja impedncia seja a
menor possvel, o projetista deve ter cuidado na Corrente Coeficiente
hora da escolha do diodo e da corrente de 5 mA +1,7 mV/ C
operao, a fim de obter a mnima variao de 20 mA +2,6 mV/ C
tenso, quando a corrente se modifica. Para diodos de tenses mais elevadas, o
coeficiente tambm mais elevado. Vejamos,
por exemplo, os coeficientes para o diodo
OAZ213, com tenso Zener mdia de 12,2 V.

Corrente Coeficiente
1 mA + 9,2 mV/ C
5 mA + 9,3 mV/ C
20 mA + 9,4 mV/ C

Para diodos, cuja tenso Zener est


compreendida entre 4,5 e 6 volts, o coeficiente
Figura 13-4 Curvas caractersticas de trs de temperatura passa de negativo para positivo,
diodos Zener medida que a corrente cresce. O diodo

13-3
OAZ201, com tenso mdia de 5,6 volts, tem os correspondente em equipamentos. O
coeficientes a seguir. aproveitamento da caracterstica da regio Zener
(tenso constante com corrente varivel) leva,
Corrente Coeficiente com efeito, aplicao mais importante do
1 mA - 1,6 mV/ C diodo Zener que a regulao de tenso em
20 mA + 1,0 mV/ C fontes reguladas.
Entre outras aplicaes, citamos o seu
Com estes dados que o fabricante emprego como chave, em circuitos limitadores,
fornece possvel fixar a corrente de operao, em circuitos de estabilizao da polaridade de
de tal modo que o coeficiente de temperatura transistores, na proteo de circuitos e de
seja o mais prximo de zero. Por exemplo, no medidores, na supresso de fasca e na
caso do diodo OAZ201, poder-se-ia escolher regulao de tenso alternada.
uma corrente compreendida entre 5 e 20 mA,
intervalo no qual o coeficiente de temperatura,
passando do negativo para o positivo, em algum
ponto se anular.

LIMITAES DO DIODO ZENER

As limitaes do diodo Zener so: a


corrente mxima direta (caso venha a trabalhar
naquela regio), a corrente mxima inversa e a
mxima dissipao. Esse ltimo dado muito
importante e depende da temperatura na qual o Figura 13-5 Diodo Zener em proteo de
diodo vai operar; para os diodos de potncia, circuitos
depende tambm dos meios utilizados para
dissipar o calor produzido, conforme j Proteo de circuitos
assinalamos no caso dos diodos retificadores e
conforme ser visto no apndice. Os circuitos eltricos e eletrnicos
Quando se necessita de tenso Zener costumam ser protegidos contra sobrecarga de
elevada, prefervel, s vezes, colocar vrios tenso ou corrente por fusveis que interrompem
diodos de baixa tenso, em srie, em vez de usar a corrente quando esta ultrapassar um valor
um diodo de alta tenso, pois esses ltimos tm prefixado.
coeficiente de temperatura maior, impedncia Em certos casos, torna-se difcil escolher
dinmica maior e necessitariam ser de maior um fusvel que interrompa o circuito no
dissipao. Os diodos de baixa tenso, em srie, momento de uma sobrecarga e, ainda assim, no
podem ter dissipaes mais baixas, por chagar a fundir quando operado continuamente
dividirem entre si a dissipao total. no valor mximo de corrente perto da
Notamos que existem diodos Zener de sobrecarga.
tolerncia muito pequena, em relao tenso, e Uma soluo para esse problema
de grande estabilidade, em relao consiste em escolher um fusvel que esteja
temperatura, que servem como elementos de afastado do ponto de fuso, quando o circuito
referncia de grande preciso. So constitudos opera no valor mximo de corrente, e colocar
geralmente de dois ou trs diodos, em srie, em paralelo com a carga um diodo Zener com
colocados no mesmo invlucro, sendo um ou tenso um pouco superior tenso mxima
dois no sentido direto, a fim de conseguir uma permissvel para a carga como mostrado na
compensao dos efeitos de temperatura. figura 13-5.
Havendo uma elevao da tenso, essa
tenso ultrapassada, atingida a tenso Zener,
APLICAES DO DIODO ZENER o diodo oferece uma resistncia muito menor
que a carga, a corrente aumenta muito e funde o
Inmeras so as aplicaes do diodo fusvel que abre o circuito.
Zener, substituindo nos circuitos transisto- Uma aplicao baseada no mesmo
rizados, a vlvula reguladora de tenso, sua princpio exposto acima a proteo de

13-4
medidores com diodo Zener. Para evitar que Regulao da tenso alternada
uma tenso alta demais possa ser aplicada
inadvertidamente a um medidor colocado em Quando a rede de alimentao (CA)
uma escala baixa, que poderia danificar o varia a sua tenso, o efeito pode ser prejudicial
sensvel sistema de medio, coloca-se um em muitos casos, citando-se como exemplo, a
diodo Zener em paralelo com o medidor, cuja alimentao de lmpadas fornecedoras de luz
tenso seja um pouco maior que a tenso para clulas fotoeltricas, porque uma ligeira
mxima aceitvel. Se esta tenso for variao na tenso da rede modifica a
ultrapassada, o diodo Zener a conduzir e toda a intensidade luminosa da lmpada e a resposta da
corrente passar por ele, deixando o medidor clula fotoeltrica.
fora do circuito. Veja a figura 13-6. Para diminuir essas variaes, usam-se
dois diodos Zener, em oposio (figura 13-8).
Na alternncia positiva, o diodo de cima entra
na regio Zener, quando a tenso alternada
iguala a tenso de ruptura, estando o outro diodo
sempre polarizado diretamente e funcionando
praticamente como um curto-circuito.
Na alternncia negativa, o diodo de cima
funciona como um curto e o outro limita a
tenso no valor Zener. Quando a tenso de CA
altera seu valor, seja para mais ou para menos,
os diodos Zener limitam a onda de tenso
Figura 13-6 Diodo Zener como proteo de sempre nos mesmos valores, fixados pelas suas
medidores tenses Zener.
Supresso de fascas

Quando so interrompidos circuitos em


que existem cargas indutivas (transformadores,
rels, solenides), aparecem oscilaes
transitrias, com amplitudes que podem
ultrapassar o valor normal de funcionamento e
provocar fascas nos contatos do interruptor.
Para evitar a aplicao dessas altas
tenses ao circuito e o faiscamento dos contatos,
pode-se colocar um diodo Zener em paralelo
com a carga indutiva, com um resistor de Figura 13-8 Diodos Zener em circuito de regula-
proteo em srie, para absorver a oscilao, o de tenso alternada
tanto com alimentao CC (figura 13-7 A) ou
CA (figura 13-7 B). DIODOS ZENER COMERCIAIS

Existem diodos comerciais, com tenses


Zener variando de alguns volts at centenas de
volts, dissipaes permissveis, variando de
algumas centenas de mW at alguns W e
correntes mximas de algumas centenas de mA
at dezenas de Ampres. A figura 13-10
apresenta um quadro comparativo de alguns
A diodos Zener comerciais da IBRAPE.

Curva caracterstica do diodo Zener

Figura 13-7 Diodo Zener como supressor de A curva caracterstica do diodo Zener
fascas bem semelhante curva do diodo comum. As

13-5
poucas diferenas existentes so a regularidade O diodo Zener, quando trabalha na
da intensidade de corrente, at que atinja o regio direta, trabalha como um diodo comum.
ponto de Zener e, a queda brusca na regio Na regio inversa, entretanto, h uma alta
inversa da curva (mais intensa que nos diodos resistncia at que atinja o ponto de ruptura; da
comuns). em diante a resistncia baixa.

Figura 13-9 Curva caracterstica do diodo Zener

Caractersticas a 25 C
Tenso Zener Para Impedn Para Coeficien Para
Dissipa
corrente cia din- corrente te de tem corrente
Diodo Mnima Mdia Mxima Zener Co
mica R Zener peratura Zener
(V) (V) (V) (mW)
-I (mA) (:) -I (mA) (mV/ C) -I (mA)
BZZ10 5,3 6,0 6,6 1 27 5 + 1,0 5 280
OAZ201 5,2 5,6 6,0 5 45 5 - 0,6 5 320
OAZ202 5,6 6,0 6,3 5 24 5 + 0,6 5 320
OAZ203 6,1 6,3 6,8 5 9,5 5 +1,7 5 320
OAZ213 9,4 12,2 15,3 5 12 5 + 9,3 5 320
Min.Max.
BZZ14 5,3 5,6 6,0 20 13 20 - 0,4 +2,5
20 8W

Figura 13-10 Quadro comparativo de alguns diodos Zener da IBRAPE

13-6
REGULADOR ELETRNICO DE bastante para que afete o seu funcionamento
TENSO ideal.
Funcionamento
No estudo anterior sobre reguladores
com Zener, pudemos ver que, embora o Zener O circuito que analisaremos a seguir
regule a tenso, razoavelmente, h necessidade um dispositivo conhecido como regulador em
de se elaborar um circuito mais complexo que srie.
resulta da combinao de diodos Zener e de Observe que o transistor Q1 est ligado
transistores. diretamente ao terminal negativo da fonte de
Esta combinao apresenta como fora no regulada; o terminal positivo passa
resultado uma regulao quase perfeita. diretamente para a sada do regulador. O
O regulador que vamos estudar nesta transistor Q1 denominado transistor de
unidade um regulador eletrnico em srie. passagem e sua resistncia depende do grau de
Uma tenso bastante constante na sada, polarizao direta.
s vezes torna-se necessria, pois existem Quando sua base se faz mais negativa,
equipamentos bastante sensveis, nos quais um com respeito ao emissor, sua resistncia
mnimo de variao na sua alimentao o diminui.

Figura 13-11 Regulador em srie

A tenso de entrada est dividida entre a Quando diminui a corrente contnua de


rede sensora e o transistor em srie com esta carga, a tenso contnua de sada tende a
rede. aumentar. medida que h esse aumento, a
O resistor de passagem se comporta rede detectora varia a polarizao da base de Q2
como um resistor varivel. Toda variao de e isto torna a base mais positiva. Como
tenso que poderia ocorrer na sada ocorre na consequncia, a resistncia de Q1 aumenta, para
VCE de Q1. compensar a tendncia ao aumento da tenso de
Q2 denominado transistor de controle sada.
e determina a quantidade de polarizao de base Quando a carga requer uma corrente
de Q1 e, portanto, a resistncia em srie de Q1. considervel, a tenso da rede sensora tende a
A tenso de entrada do regulador diminuir, variando a polarizao de Q2, de tal
sempre maior que a tenso requerida para a forma que a base de Q1 torna-se mais negativa;
sada. assim, a resistncia de Q1 diminui, reduzindo a
Observe que o potencimetro e o resistor queda de tenso em Q1, compensando a
em srie com Q1 ligam-se diretamente aos tendncia de diminuir a tenso de carga.
terminais de sada de CC. Estes resistores so O diodo Zener possui duas funes. A
conhecidos como rede sensora ou detectora primeira regular as variaes na tenso
de tenso. contnua de entrada, como j foi visto

13-7
anteriormente. A segunda e mais importante Existem dois tipos de ruptura: uma por
funo manter uma tenso constante no avalanche e outra por Zener.
emissor de Q2. Esta tenso quase igual a Cada diodo Zener possui sua tenso
normal que se desenvolve na base de Q1, caracterstica.
mediante a rede sensora. desejvel escolher-se diodos, cuja
Quando a tenso contnua de sada tende impedncia dinmica seja a menos possvel.
a aumentar ou diminuir, a diferena entre esta Diodos Zener com tenses acima de 6 V
tenso de referncia e a da rede sensora, possuem coeficientes de temperatura positivos.
controla a corrente de base de Q1; assim pois, a Diodos Zener com tenses abaixo de
resistncia de Q1 varia em forma ascendente ou 4,5V possuem coeficientes de temperatura
descendente, dependendo da forma de variao negativos.
da tenso de entrada, para mais ou para menos, As limitaes do Zener so corrente
com a variao da corrente de carga ou com a mxima direta, corrente mxima inversa e a
variao da tenso de linha. mxima dissipao.
Este tipo de regulador possua vantagem O Zener o substituto da vlvula Vr.
de poder regular maiores tenses contnuas de A principal aplicao do Zener como
sada, com mais capacidade de corrente que o regulador de tenso.
regulador que usa apenas o diodo Zener. Este O regulador eletrnico uma
tipo de regulador permite fazer variar a tenso combinao de dispositivos semicondutores que
regulada, para alguns valores desejados. regulam com bastante preciso tenses de
corrente contnua.
No regulador da figura 13-11, o diodo
SUMRIO Zener possui duas funes: fornecer uma tenso
de referncia para a base de Q2 e regular as
O diodo Zener um dispositivo variaes da tenso de entrada.
semicondutor de dois terminais, projetado para Os resistores na sada do regulador
funcionar na regio inversa da curva constituem a rede sensora ou detectora de
caracterstica. tenso.
Regio Zener a regio onde a corrente possvel variar a tenso de sada
de Zener aumenta e a tenso permanece regulada, atravs do controle do potencimetro
constante. ligado base de Q2.

13-8
CAPTULO 14

DIODOS ESPECIAIS

THYRISTORES (SCR) comuns, o sentido , repetimos, do ctodo para


o anodo.
O Thyristor um comutador quase ideal,
retificador e amplificador ao mesmo tempo.
Constitui-se um componente de escolha para a
eletrnica de potncia. Concebido,
originalmente para substituir a vlvula
thyratron gs, o thyristor se imps,
rapidamente, em diversos domnios, cujos mais
importantes so a comutao pura e simples, a
variao de velocidade dos motores e a variao
da intensidade luminosa.
O thyristor permanece normalmente
bloqueado, at o momento em que se deseja que Figura 14-1 Estrutura e smbolo do thyristor
ele se torne condutor.
O termo thyristor designa uma famlia
de elementos semicondutores, cujas Thyristor sob tenso
caractersticas, originalmente, esto prximas s
das antigas vlvulas thyratrons. O nome O thyristor pode ser comparado com
thyristor uma contrao de THYRatron e dois diodos, montados em oposio, conforme
transISTOR. mostrado na figura 14-2.
Os thyristores, tambm conhecidos por Para simplificao da anlise que se
SCR (Silicon Controlled Rectifier) so segue, vamos admitir que o ctodo est ligado
elementos unidirecionais a trs sadas (anodo, massa e o gatilho est desligado, isto , no ar.
ctodo e gatilho).
Os TRIACS, so chamados thyristores
triodos bidirecionais. O nome Triac provm da
contrao de TRIode AC Switch.
Fazem parte ainda da famlia dos
thyristores, os fotothyristores ou thyristores
fotossensveis, os thyristores bloqueveis, os
comutadores unilateral e bilateral SUS e SBS
(Silicon Unilateral Switch e Silicon Bilateral
Switch, respectivamente) e o diodo Shockley,
tambm conhecido por diodo thyristor ou diodo
de quatro camadas.

Estrutura e smbolo do thyristor Figura 14-2 Comparao do thyristor com


diodos
O thyristor um semicondutor de silcio
a quatro camadas alternadas. As camadas P1N2 formam o diodo em
Duas conexes principais so oposio, que assegura a no conduo do
realizadas para o anodo e o ctodo. A conduo, dispositivo.
no sentido direto (corrente de ctodo para Se o anodo est positivo, os diodos P2N2
anodo) comandada por um eletrodo, chamado e P1N1 esto polarizados diretamente, porm, o
gatilho (em ingls gate). Aps a aplicao de diodo P1N2 bloqueia a conduo. Se, ao
um sinal de comando no gatilho, o thyristor contrrio, o anodo negativo, os diodos P2N2 e
deixa passar por ele uma corrente unidirecional, P1N1 esto polarizados inversamente. Por causa
isto , s num sentido. A exemplo dos diodos da tenso de avalanche de P1N1 ser baixa, a

14-1
limitao da corrente inversa de fuga feita por Thyristor sob tenso direta
P2N2. Na prtica, a tenso mxima limitada
pela tenso de avalanche dos diodos P2N2 e O comportamento do thyristor melhor
P1N1. Neste caso, s haver conduo se a compreendido se fizermos uma analogia com
tenso inversa alcanar a tenso de ruptura dos dois transistores PNP e NPN.
diodos, o que poder danifica-lo. Veja a figura 14-3.

Figura 14-3 Thyristor sob tenso direta

Estes dois transistores so montados de cresce muito quando a corrente aumenta.


modo que uma realimentao positiva seja Portanto, se ICX baixa, o denominador da
realizada. Suponhamos que a regio P2 seja equao anterior est prximo de 1 (para as
positiva em relao regio N1. As junes J3 e pequenas correntes), e a corrente IA permanece
J1 ficam polarizadas diretamente e deixam um pouco superior corrente de fuga.
passar, respectivamente, os portadores positivos A estrutura PNPN, ainda que polarizada
e negativos para as regies N2 e P1. Estes, aps diretamente, est bloqueada, e oferece uma
se espalharem pelas bases de cada um dos grande impedncia passagem da corrente.
transistores, alcanam a juno J2, onde a carga Quando, por qualquer razo, ICX
espacial cria um intenso campo. aumenta, a corrente e os ganhos aumentam
Se 2 o ganho de corrente, que d a tambm. A soma 1 + 2 tende para 1 e a
frao da corrente de buracos injetados no corrente IA tende para o infinito. Em realidade,
emissor e que atinge o coletor do PNP, e se de ela toma um valor bem elevado, que limitado
outra parte 1 o ganho de corrente, que d a somente pelo circuito exterior. O thyristor est
frao de corrente de eltrons injetados no ento no estado de conduo, dizendo-se ento
emissor e que atinge o coletor do NPN, que ele est desbloqueado.
podemos escrever que:
Observao: Este tipo de disparo do thyristor
IC2 = IA 2 e IC1 = IA 1 desaconselhado na maioria dos
casos.
A corrente total de anodo ,
evidentemente, a soma de IC1 e IC2, as quais se Princpio de disparo pelo gatilho
somam corrente de fuga residual (ICX), atravs
da juno central. A IA ser ento:
O disparo do thyristor pelo gatilho o
IA = 1 IA + 2 IA + ICX que nos d: mais comumente utilizado. A explicao ser
mais clara, se observarmos a figura 14-4.
O thyristor estando polarizado
Icx
IA = diretamente, uma impulso positiva (IG) de
1 (1 + 2 ) comando ser injetada no gatilho. O transistor
Q1, recebendo a IG, como corrente de base, tem
Para a maioria dos transistores de silcio, sua corrente de coletor igual a I 1, onde 1 o
o ganho baixo para as baixas correntes e seu ganho de corrente (montagem emissor

14-2
comum). Esta corrente , por sua vez, injetada provocar um crescimento abrupto da IE. Este
na base do transistor Q2, que produz uma IC2 modo de disparo principalmente empregado
igual a IG 1 2, onde 2 o ganho de corrente com diodos de quatro camadas (diodos-thyristo-
de Q2. Esta corrente ento reaplicada base de res).
Q1. Duas situaes podem ocorrer: 2- AUMENTO DA TENSO
Sabemos que toda juno PN apresenta uma
certa capacitncia de juno. Se aplicarmos uma
tenso brusca entre anodo e ctodo, carrega-se
esta capacitncia com uma corrente
proporcional variao de tenso e logo que
esta tenso seja suficiente, o thyristor dispara.
3- TEMPERATURA A corrente
inversa de fuga em transistor de silcio, aumenta
com o aumento da temperatura. Quando a
corrente de fuga for suficiente, teremos o
disparo do thyristor.
4- EFEITO TRANSISTOR o
modo clssico de disparar um thyristor,
injetando-se portadores suplementares na base
do transistor equivalente, ou seja, no gatilho do
thyristor.
5- EFEITO FOTOELTRICO
Figura 14-4 Disparo pelo gatilho
Provocando-se a criao de pares eltron-
lacuna, um foco de luz pode disparar um
Se o produto 1 2 for menor que 1, o
thyristor. Neste caso utiliza-se um fotothyristor;
dispositivo no ser disparado.
que consiste em um tipo de thyristor, no qual
Se o produto 1 2 tender unidade (1),
existe uma janela, ou seja, uma lente
o processo de amplificao ir se manifestar e o
transparente aos raios luminosos.
thyristor ir conduzir..
Desde que o disparo do thyristor
ocorreu, a realimentao dos transistores os faz CURVA CARACTERSTICA DE UM
conduzir saturao. Eles se mantm neste THYRISTOR
estado, mesmo que a impulso inicial do gatilho
desaparea e que o circuito exterior mantenha a A curva tpica de um thyristor, elemento
corrente IA. unidirecional, mostrada na figura 14-5. Ela
representa a corrente IA em funo da tenso
anodo-ctodo.
Como um thyristor pode ser disparado

Como j vimos, o thyristor dispe dos


seguintes estados: bloqueado, quando polari-
zado diretamente e no tenha sido disparado;
bloqueado, quando polarizado inversamente;
condutor, se polarizado diretamente e tenha sido
disparado.
Quando o thyristor passa do estado
bloqueado para o de condutor, porque o
transistor de silcio teve um ganho de corrente, o
qual fez aumentar a corrente de emissor.
Consequentemente, todos os mecanis-
mos capazes de provocar um aumento da
corrente IE so utilizados. Os principais so:
1- TENSO Quando a tenso
ctodo-anodo do thyristor aumenta, chega a um
ponto onde a corrente de fuga suficiente para Figura 14-5 Curva caracterstica de um thyristor

14-3
VD = Tenso direta em bloqueio uma diferena de potencial entre anodo e
VDRM = Valor mximo de tenso direta (em ctodo.
bloqueio) A figura 14-6 mostra uma caracterstica
VDSM = Mxima tenso direta no repetitiva (em tpica do - diodo gatilho ctodo, obtida com a
bloqueio) aplicao de uma tenso positiva ao primeiro
VT = Tenso sobre o thyristor desbloqueado (em eltrodo.
conduo) A curva se aplica para as condies
IH = Corrente mnima de conduo ligado e desligado do SCR, j que a
VRWM = Tenso mxima inversa alterao de impedncia entre ambas pequena.
A caracterstica de impedncia varia com
Quando a tenso V nula, a IA a temperatura, para diferentes SCR do mesmo
tambm ser nula. A tenso V, ao crescer no tipo, mas, sempre dentro dos limites
sentido direto, ser denominada VF (F de apresentados nas publicaes.
forward, em ingls). necessrio atingir um Na figura 14-6, podemos ver a
valor mnimo (VD), para disparar o thyristor. caracterstica desse diodo em diferentes
Nesse momento, o thyristor torna-se condutor e temperaturas.
a queda de tenso entre seus bornes diminui,
enquanto que a corrente IA aumenta. Esta
corrente direta ser denominada IF.
Se polarizarmos inversamente o
thyristor, com a aplicao de uma tenso VR
(R de reverse, em ingls), observa-se o
aparecimento de uma pequena corrente de fuga
(IR), at que uma tenso mxima inversa que se
for aplicada ao thyristor o destruir.
O thyristor , portanto, condutor somente
no primeiro quadrante. Note-se que o disparo
direto foi provocado pelo aumento da tenso
direta.
Se aplicarmos uma corrente de comando
no gatilho, deslocaremos o ponto VD para a
esquerda. Ver a figura 14-5. Figura 14-6 Variaes da caracterstica de impe-
dncia em temperaturas diferentes
Disparo do thyristor (SCR)
Consideremos um SCR com a
O processo de disparo pode ser caracterstica de impedncia conforme a figura
considerado separadamente do mecanismo de 14-6. Se uma tenso positiva for aplicada entre
conduo do anodo. o anodo e o ctodo, e a tenso do disparados for
O desempenho do circuito de controle aumentada, a corrente deste eltrodo aumentar
depender, porm, sob certo aspecto, do circuito segundo a curva da figura 14-6.
do anodo. Em certo ponto da curva haver o
Um SCR nunca disparar, se o circuito disparo e este ponto bastante independente da
do anodo limitar a sua corrente a um valor tenso do anodo, isto , quando a IGF atingir o
menor que IH (corrente de manuteno). Com valor de disparo, o SCR disparar, qualquer que
correntes de anodo inferiores a IH, um SCR seja a tenso positiva do anodo.
comportar-se- como um transistor; quando a Evidentemente h um valor de potencial
corrente de disparo for interrompida, a corrente mnimo de no disparo.
de anodo cessar. Os valores de corrente e tenso do
Entre os terminais de disparo e de gatilho, em que h o disparo, variaro de um a
ctodo, h uma juno PN. Esta juno outro SCR do mesmo tipo; isto se deve
comporta-se como um diodo e suas variao da impedncia do gatilho, entre os
caractersticas so pouco afetadas pela presena limites mostrados na figura 14-7 e diferena
das outras duas camadas, mesmo quando existe de sensibilidade entre os SCRs.

14-4
Figura 14-7 Limites da variao da impedncia do gatilho

Fora da rea hachurada da figura 14-7 e turas indicadas. As caractersticas discutidas at


dentro dos limites de RG, quaisquer valores de agora determinam o limite inferior do nvel de
corrente e de tenso dispararo qualquer SCR disparo, sob todas as condies. O limite
desse tipo particular. Tenses e correntes que se superior determinado por uma combinao da
localizem no interior da rea hachurada potncia mdia de disparo (pico de disparo), e
dispararo alguns, mas no todos os diodos da das mximas correntes e tenses diretas do
srie. gatilho.
Os limites da rea de disparo eventual
so definidos, com referncia s caractersticas 4- MTODOS DE DISPARO DO
mostradas na figura 14-7, na sequncia a seguir. SCR Um circuito de disparo, quando bem
projetado, deve disparar o SCR sem exceder a
1- LIMITES DE TENSO A qualquer dos valores mximos de tenso e
tenso limite a requerida para disparar o SCR, corrente do componente.
que menos sensvel tenso, na mais baixa a) Disparo por corrente contnua
temperatura de operao. Em temperaturas mais Quando o valor da tenso entre o gatilho e o
altas, a variao da tenso requerida no muito ctodo, isto , VG atingir o valor de disparo, o
grande e possvel simplificar o diagrama, SCR conduzir. Se a tenso VG for reduzida a
considerando a tenso constante e igual zero, o SCR continuar a conduzir, por causa da
requerida na mais baixa temperatura de baixa impedncia de sua estrutura interna.
operao.

2- LIMITES DE CORRENTE A
corrente limite a requerida para disparar o
SCR menos sensvel corrente, na mais baixa
temperatura de operao. Nas mais altas
temperaturas requerida menor corrente e os
limites para 40, +25 e +100 graus centgrados
so mostrados na figura 14-7.

3- LIMITES DE BAIXO NVEL


Estes limites indicam nveis de tenso, abaixo
dos quais nenhum SCR disparar, nas tempera-

14-5
Neste caso pode-se obter um melhor
controle da energia consumida na carga. O
circuito bsico de controle de energia com SCR
visto na figura 14-9.

Figura 14-8 Disparo por corrente contnua

O SCR ser bloqueado se a tenso Figura 14-9 Disparo por corrente alternada
positiva de anodo for reduzida at que a
corrente de anodo seja menor que IH. Podemos observar que a tenso do
No circuito da figura 14-8 B, a carga a gatilho (VG) pode sofrer um deslocamento de
ser alimentada foi colocada no circuito do fase, com relao fase da tenso no anodo.
ctodo (a carga est representada por um Este deslocamento de fase efetuado pela rede
resistor). Neste caso, quando o SCR dispara, a R1 C1. Devido a este deslocamento de fase, a
tenso no ctodo se torna mais positiva que a corrente atravs do SCR pode circular durante
tenso no gatilho. O diodo D1 , ento, colocado um tempo menor do que 180 do ciclo da tenso
no circuito de porta (ou gatilho) para evitar a aplicada.
sua ruptura. Atravs do grfico da figura 14-10
Se a tenso que alimenta o anodo for de podemos ver o trabalho do SCR. Vemos em EA
corrente alternada, o SCR conduzir durante as a alternncia positiva da tenso aplicada no
alternncias positivas e bloquear, sempre que a circuito. EG a tenso entre gatilho e ctodo e
tenso de anodo cair abaixo da tenso de conforme o valor de R1 poder estar atrasada de
manuteno. EA, num ngulo de 0 a 90.
Podemos ver, ainda, como pode ser
b) Disparo por corrente alternada variado o tempo de conduo do SCR, pelo
Se o anodo de um SCR for alimentado com deslocamento da fase de EG. O controle da fase
tenso alternada, o disparo poder ser efetuado entre EG e EA, no circuito da figura 14-9,
tambm com tenso de CA. efetuado atravs do potencimetro R1.

Figura 14-10 Trabalho do SCR

14-6
O TRIAC

O triac um dispositivo semicondutor a


trs eletrodos, sendo um de comando (o gatilho)
e dois de conduo principal. Este dispositivo
pode passar de um estado bloqueado a um
regime de conduo nos dois sentidos de
polarizao e voltar ao estado bloqueado, por
inverso da tenso ou pela diminuio da
corrente, abaixo do valor da corrente de
manuteno (IH).

Figura 14-12 Estrutura de um triac

As junes N1P1 e N2P2 constituem um


Thyristor, e as junes N3P2 e N2P1 constituem
o outro. As junes N4P1 e N2P2,, formam o
thyristor de disparo.

O disparo do triac

Se ns aplicarmos a tenso V1 ao anodo


A1, V2 ao anodo A2 e a tenso VG ao gatilho, e
se tomarmos V1 como referncia de massa (V1 =
0), podemos definir quatro quadrantes de
polarizao. Veja na figura 14-13.

QUADRANTE V2 VG
I + +
II + -
III - -
IV - +

Figura 14-13 Quadrantes de polarizao


Figura 14-11 Curvas e smbolo do triac Disparo no primeiro quadrante (+ +)
O triac , portanto uma verso O triac dispara como um thyristor
bidirecional do thyristor. Em sua representao normal. A zona P1 o gatilho e a juno N1P1
eltrica, podemos compara-lo com associao injeta os portadores, disparando o thyristor entre
anti-paralela de dois thyristores. P2 e N1 (Ver na figura 14-14)
A corrente de disparo IG mnima,
Estrutura do triac funo da repartio das lacunas entre N1 e P1,
ou seja, do valor da resistncia R shunt entre
Para se realizar um triac, recorre-se a o gatilho e A1.
diversas estruturas de camadas espalhadas, Neste quadrante, o thyristor se comporta
como na figura 14-12. como um thyristor N1P1N2P2.

14-7
A juno de gatilho efetiva deste
thyristor o diodo N3P2 e para que ocorra o
disparo , portanto necessrio, que N3P2 injete
seus portadores. Uma melhor compreenso ser
possvel, atravs da figura 14-15.

O transistor Q1 formado das camadas


N4P1N2 e T2 das camadas P2N2P1. O resistor
R a impedncia entre N3 e P2. Para que o
thyristor Th2 dispare, necessrio que a
corrente de emissor de Q2 atravessando R
polarize suficientemente a juno gate-ctodo
de Th2. Temos, portanto:

IB2 = 1 IG
Figura 14-14 Esquema de um triac
IE2 = 2 IB2 = 1 1 IG onde:
Disparo do segundo quadrante (+ -) IE2 a corrente de gatilho real de Th2;
A corrente de disparo circula de P1 para
IG a corrente injetada no gatilho do triac.
N4 e dispara o thyristor N4P1N2P2 (figura 14-
14). Devido geometria, a corrente principal de
Nota-se que o transistor Q1 tem suas
N4P1N2P2 polariza as bases P1N2 e o thyristor
junes emissor-base e coletor-base polari-
N1P1N2P2 conduz. Este ltimo tendo uma
zadas diretamente, estando portanto saturado e
impedncia mais baixa abre N4P1N2P2 (por IH),
1 um alfa forado. Portanto, de um modo
salvo se a corrente de gatilho for mantida.
geral, 1 2 no muito diferente da unidade,
Assim, a corrente principal, flui como para o
se bem que os triacs tm neste quadrante,
primeiro quadrante, entre P2 e N1.
sensibilidades prximas s dos quadrantes
precedentes.
Disparo do terceiro quadrante (- -) Em concluso: Th2 disparado por uma
corrente IE2, criada atravs dos transistores Q1 e
Neste caso, a situao um pouco mais
Q2 por IG.
complexa.Usemos como referncia o esquema
da figura 14-14.
Disparo no quarto quadrante (- +)
O potencial de P1 superior ao de N1. A
juno P1N4 est, portanto polarizada
O processo de disparo idntico ao do
diretamente e injeta seus portadores. O thyristor
terceiro quadrante, sendo que a camada N1 faz o
que iremos disparar composto das camadas
que no terceiro quadrante foi feito pela camada
N3P2N2P1 (ctodo em N3 e anodo em P1).
N4. Entretanto, a zona de N3P2N2P1 susceptvel
de disparar fisicamente grande e, portanto, a
sensibilidade ser reduzida.

DIAC

O Diac um elemento simtrico, que


consequentemente no possui polaridade. Sua
etmologia a contrao de Diode Alternative
Current. Sua estrutura muito simples, sendo
bastante similar a de um transistor bipolar. A
diferena que a concentrao de impurezas
Figura 14-15 Disparo do terceiro quadrante aproximadamente a mesma em ambas as

14-8
junes e que no existe nenhum contato na negativa, ou seja, a corrente aumenta considera-
camada que no transistor constitui a base. velmente enquanto a tenso diminui.
As concentraes iguais de impurezas Os Diacs so muito usados em
resultam em caractersticas de bloqueio- dispositivos de disparo para controle de fase de
conduo, segundo a figura 14-16. Triacs (em controles graduais de luminosidade),
controle de velocidade de motores universais,
controle de calefao, e diversas outras
aplicaes similares.

FOTOTHYRISTORES

Para disparar um thyristor, injeta-se uma


corrente na base de um dos transistores que o
constitui, o que leva saturao. Pode-se ainda
dispar-lo, criando-se atravs da luz, uma
corrente em sua base. Para isto, criamos pares
Figura 14-16 Curvas caractersticas e smbolo de eltrons-lacunas que sero separados por um
do Diac campo eltrico ao nvel da juno, e que so
injetados na base do transistor considerado, sob
A tenso de retorno geralmente a forma de portadores majoritrios, criando
prxima de 30 volts. Tenses mais baixas so assim a corrente de base.
difceis de se obter, com uma resistncia Quanto maior for o nmero de eltrons-
negativa suficiente, enquanto que valores mais lacunas criados, maior ser esta corrente. Isto
elevados reduziriam as possibilidades de conseguido escolhendo-se um comprimento de
controle. onda timo, prximo de 1 m, e tendo-se uma
Quando se aplica uma tenso positiva ou superfcie de juno, a maior possvel com
negativa sobre os terminais de um Diac, se polarizao inversa e exposta aos raios
produz um fluxo muito pequeno de corrente de luminosos.
fuga I(BO), at que a tenso chega no ponto de O fotothyristor o nico elemento capaz
ruptura V(BO). Neste momento, a juno de comutar sob a influncia da luz, que possui
polarizada inversamente sofre uma ruptura por dois estados estveis, Na figura 14-17, vemos a
avalanche e acima deste ponto, a caracterstica estrutura, o smbolo e o aspecto de um
tenso x corrente equivale a uma resistncia fotothyristor.

Figura 14-17 Estrutura, smbolo e aspecto de um fotothyristor

14-9
THYRISTOR BLOQUEVEL

O thyristor bloquevel pode ser


disparado quando lhe aplicamos uma tenso
positiva ao seu eltrodo de comando e ser
rebloqueado se aplicarmos uma impulso
negativa a este mesmo eltrodo.

QUADRAC

A partir dos thyristores, triacs e diodos,


os fabricantes idealizaram dispositivos
compostos, visando simplificar os esquemas de
aplicaes e o uso prtico dos elementos.
Normalmente utiliza-se um diac para
disparar um triac. Pode-se muito bem conceber
um elemento composto, compreendendo estes Figura 14-19 Estrutura, curva e smbolo de um
dois componentes. Este o quadrac, cujo diodo Shockley
esquema apresentado na figura 14-18.
Quando a tenso VS atingida, chega-
mos na segunda zona, na qual o diodo apresenta
uma regio negativa. Este um estado instvel.
A resistncia do diodo vai decrescendo
rapidamente e a partir do ponto IH ela no tem
mais do que alguns ohms. O diodo est
plenamente condutor e assim permanece
enquanto existir a corrente de manuteno, cujo
valor mnimo IH. Esta a terceira zona cujo
funcionamento estvel. A queda de tenso
introduzida pelo dispositivo da ordem de 1V
para os diodos de germnio e 1,3V a 1,7V para
os de silcio.
O rebloqueio efetua-se reduzindo-se a
corrente, abaixo do valor de IH ou a tenso,
Figura 14-18 Esquema de um quadrac abaixo de VH .
As tenses VS so da ordem de 20 a
DIODO SHOCKLEY 100V, enquanto que IH da ordem de 1 a 50
mA.
O diodo Shockley, tambm conhecido
como diodo thyristor ou diodo de quatro DIODO TNEL
camadas, um dispositivo bipolar PNPN
comparvel em todos os sentidos um thyristor, Um diodo tnel um pequeno
porm, estando disponveis somente os bornes dispositivo formado por uma juno PN, que
de anodo e ctodo. tem uma elevada concentrao de impurezas
Quando aplicarmos em seus bornes nos materiais semicondutores P e N. Esta alta
(entre ctodo e anodo), uma tenso crescente, densidade de impurezas faz to estreita a regio
mas inferior a um certo nvel VS , sua resistncia de depleo da juno (ou regio de carga
ser elevada e somente uma pequena corrente o espacial), que as cargas eltricas podem se
atravessar. transferir atravs dela, mediante um efeito
Esta corrente da ordem de alguns mecnico-quntico denominado efeito tnel.
microampres. Este o seu primeiro estado Este efeito tnel produz uma zona de resistncia
estvel, pois o diodo est bloqueado. negativa, sobre a curva caracterstica do diodo

14-10
de referncia, que o habilita para desempenhar A linha de carga de CC, mostrada em
as funes de amplificao, gerao de pulsos e linha cheia na figura 14-21 deve ter uma
gerao de energia de RF. inclinao tal, que intercepte a regio de
resistncia negativa somente em um ponto.
Caractersticas A linha de carga de CA pode ser bem
inclinada, com uma s interseo (B) como no
Na figura 14-20 temos a caracterstica caso de um amplificador, ou um pouco
tpica de uma curva tenso-corrente de um inclinada, com trs intersees (C, D, E)como
diodo tnel e seu smbolo. ocorre em um oscilador.

Figura 14-20 Curva caracterstica de um diodo


tnel e seu smbolo

Os diodos normais, quando polarizados


inversamente, so percorridos por uma pequena Figura 14-21 Linhas de carga
corrente at que se atinja a tenso de ruptura.
Com polarizao direta, a conduo DIODOS EMISSORES DE LUZ (LED)
comea aproximadamente com 300 mV. Nos
diodos tnel, ao contrrio, uma pequena Num diodo com polarizao direta, os
polarizao inversa faz com que os eltrons de eltrons livres atravessam a juno e combinam-
valncia dos tomos do material semicondutor se com as lacunas. medida que esses eltrons
prximo juno, atravessem a mesma por caem de um nvel mais alto de energia para um
efeito tnel. Assim, o diodo tnel altamente mais baixo, eles irradiam energia. Nos diodos
condutor para todas as polarizaes inversas. Do comuns essa energia dissipada na forma de
mesmo modo, com pequenas polarizaes calor. Mas no diodo emissor de luz (LED), a
diretas, os eltrons da regio N passam por energia irradiada na forma de luz.
efeito tnel atravs da juno regio do tipo Os LEDs substituram as lmpadas de
P, e a corrente do diodo cresce rapidamente at incandescncia em vrias aplicaes devido a
um valor de pico (IP). sua baixa tenso, vida longa, e rpido
Com valores intermedirios de polari- chaveamento liga-desliga.
zao o diodo tnel apresenta uma caracterstica Os diodos comuns so feitos de silcio,
de resistncia negativa, e a corrente cai a um um material opaco que bloqueia a passagem da
valor mnimo, denominado IV (corrente de vale). luz. Os LEDs so diferentes. Usando-se
Com valores crescentes de polarizao, o elementos como o glio, o arsnio e o fsforo,
diodo tnel apresenta uma caracterstica um fabricante pode produzir LEDs que irradiam
didica. Devido reduo da corrente com o no vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou
aumento da polarizao na regio de resistncia infravermelho (invisvel).
negativa, o diodo tnel tem a capacidade de Os LEDs que produzem radiao visvel
amplificar, oscilar e comutar. so teis em instrumentos, calculadoras etc. Os
LEDs infravermelhos encontram aplicao em
Ponto de funcionamento sistemas de alarme contra roubo e outras reas
que exijam radiao invisvel.
Quando se usa um diodo tnel em
circuitos tais como amplificadores e osciladores, Tenso e corrente do LED
deve-se estabelecer um ponto de funcionamento
na regio de resistncia negativa. Os LEDs tm uma queda de tenso tpica
de 1,5 a 2,5 V para correntes entre 10 e 50 mA.

14-11
A queda de tenso exata depende da 10V 2V
corrente, da cor, da tolerncia do LED. A menos I= = 11,8 m
680
que seja feita alguma recomendao em
Tipicamente, a corrente do LED est
contrrio, use uma queda nominal de 2 V
entre 10 e 50 mA porque essa faixa produz luz
quando estiver verificando defeitos ou
suficiente para a maioria das aplicaes.
analisando circuitos com LEDs. Se tiver que
O brilho de um LED depende da
fazer algum projeto, consulte a folha de dados,
corrente. Idealmente, a melhor forma de se
porque as tenses do LED tm uma grande
controlar o brilho vincular o LED a uma fonte
tolerncia.
de corrente. A melhor coisa para se obter uma
A figura 14-22(a) mostra o smbolo
fonte de corrente uma grande tenso de
esquemtico de um LED, as setas para fora
alimentao seguida de uma grande resistncia
simbolizam a luz irradiada. Admitindo uma
em srie. Neste caso, a corrente do LED dada
queda no LED de 2 V, pode-se calcular a
por:
corrente do LED, do seguinte modo:
V VLED
I = S
RS

Figura 14-22 (a) Um circuito com LED.


(b) Indicador de sete-segmentos.
(c) Diagrama esquemtico

de 120 . A corrente variar ento cerca de 16,7


a 26,7 mA; isto causar uma variao sensvel
no brilho. Portanto, para se obter um brilho
aproximadamente constante com LEDs,
devemos utilizar tanto uma fonte de tenso
como uma resistncia em srie o maior possvel.

Figura 14-23 Fotodiodo Indicador de sete-segmentos

Quanto maior a tenso da fonte, menor o A figura 14-22(b) mostra um indicador


efeito que VLED produz. Em outras palavras, um de sete-segmentos que contm sete LEDs
alto valor de VS encobre a variao na tenso retangulares (de A a G). Cada LED chamado
do LED. de um segmento porque ele faz parte do dgito
Por exemplo, um TIL222 um LED que est sendo exibido. A figura 14-22(c) o
verde com uma queda mnima de 1,8V e uma diagrama esquemtico de um indicador de sete-
queda mxima de 3V para uma corrente de segmentos; so includos resistores externos em
aproximadamente 25 mA. srie para limitar as correntes a nveis seguros.
Se ligarmos um TIL222 a uma fonte de Aterrando-se um ou mais resistores,
20 V e a um resistor de 750 , a corrente podemos formar qualquer dgito de 0 a 9. Por
variar de 22,7 a 24,3 mA. Isto implica um exemplo, aterrando A, B e C, obtemos o 7.
brilho que essencialmente o mesmo para todos Aterrando A, B, C, D e G produzimos um 3.
os TIL222. Por outro lado, suponhamos que no Um indicador de sete-segmentos
circuito se utilize uma fonte de 5V e um resistor tambm pode exibir as letras maisculas A, C, E

14-12
e F, mais as letras minsculas b e d. Os 12 O triac um dispositivo semicondutor de
instrutores de microprocessadores trs terminais, sendo um de comando e dois de
freqentemente usam uma exibio de sete- conduo principal.
segmentos para mostrar todos os dgitos de 0 a 13 Este dispositivo, pode passar de um estado
9, mais A, b, C, d, E e F. bloqueado a um regime de conduo nos dois
sentidos de polarizao.
SUMRIO 14 O triac poder conduzir nos dois sentidos,
desde que comandado, mas o seu bloqueio s se
1 O thyristor (SCR), um comutador quase efetuar pela insero da tenso de anodo ou
ideal. Uma de suas vrias funes controlar a pela diminuio da corrente, abaixo do valor da
energia consumida em vrios tipos de mquinas. corrente de manuteno.
2 O termo thyristor, designa uma famlia de 15 O triac pode ser disparado por uma
elementos semicondutores, cujas caractersticas corrente negativa ou positiva no gatilho.
esto prximas s das antigas vlvulas
thyratron. 16 O diac um dispositivo semicondutor de
dois terminais, que no possui polaridade. A sua
3 O nome thyristor uma contrao de conduo bidirecional.
THYRatron e transISTOR.
17 A conduo de um diac por ruptura das
4 O thyristor bsico denominado SCR junes que o constituem.
(retificador controlado de silcio).
18 Quando conduz, o diac apresenta uma
5 Dos vrios tipos de thyristores, os que se regio de resistncia negativa.
destacam atualmente so os SCR, triac,
fotothyristor, diac, diodo Shockley, etc. 19 Os diacs so muito usados em sistemas de
disparo para controle de fase de triacs em
6 O SCR um diodo semicondutor de silcio, controles de energia.
a quatro camadas alternadas PNPN, com trs
terminais de sada, que so denominados anodo, 20 Os fotothyristores, so SCR, cujo disparo
ctodo e gatilho. efetuado por um foco luminoso.
7 Quando o anodo de um SCR positivo em 21 O quadrac um dispositivo semicondutor
relao ao ctodo, duas junes internas ficam cuja estrutura constituda de triacs e diacs.
polarizadas diretamente, e uma juno fica 22 O diodo Shockley aparentemente um
polarizada inversamente. Neste caso, o diodo thyristor SCR com apenas dois terminais.
poder conduzir, desde que o potencial de 23 O diodo Shockley, tem trs estados: o
anodo seja suficiente para romper a juno com primeiro o de no conduo; o segundo o de
polarizao inversa. disparar quando apresentar um estado de
8 O SCR poder conduzir facilmente se resistncia negativa e o terceiro quando a sua
estiver polarizado diretamente e se um potencial conduo normal e igual a um diodo
positivo for aplicado ao gatilho. convencional.
9 Um SCR poder disparar (conduzir) quando 24 O bloqueio de um diodo Shockley atravs
um sinal de comando aplicado ao terminal da reduo de IH.
gatilho, mas o seu bloqueio, s poder ocorrer, 25 O diodo tnel um pequeno dispositivo
diminuindo-se a corrente de anodo a um formado por uma juno PN, com alta
determinado nvel. concentrao de impurezas.
10 A tenso de disparo de um SCR depende 26 O diodo tnel, altamente dopado, quando
da tenso VG, mas o seu bloqueio no depende polarizado diretamente, apresenta inicialmente
desta tenso. uma regio de resistncia negativa.
11 Um SCR pode controlar a energia 27 A regio de resistncia negativa devido a
dissipada em uma carga, atravs de um sistema diminuio da corrente com o aumento da
que defasa a tenso VG com relao a tenso de tenso direta.
anodo.
28 Devido a esta caracterstica, o diodo tnel
pode ser usado como amplificador ou oscilador.

14-13
CAPTULO 15

DECIBIS

INTRODUO generalizou-se pela simplificao que ele traz,


passando a ser aplicado em antenas,
muito comum ouvirmos, em amplificadores, linhas de transmisso, etc.
eletrnica, frases como: O atenuador reduz de Vejamos alguns exemplos de aplicao
5 dB; Resposta plana de frequncia dentro de do dB:
3 dB; Amplificador com ganho de 10 dB; a) Um amplificador requer 2 W de
Antena com ganho de 9 dB, etc. Mas quantos potncia para excit-lo na entrada.
so os que realmente tm uma exata noo do Sabendo-se que a potncia de sada do
valor destes nmeros? Pouqussimos so os que amplificador de 8 W, qual ser o ganho do
esto familiarizados com o termo dB amplificador em dB?
(abreviatura de decibel). Soluo:
O decibel, que a dcima parte do Bel,
a unidade usada para se fazer a comparao P0 = 2 W P1 = 8 W G(dB) = ?
entre quantidades de energia, seja na forma de
potncia ou de som. Para ns, quando nos P1
referirmos a decibel, entenderemos como sendo G(dB) = 10 log
P0
dez vezes o logaritmo decimal da relao entre
8
dois nveis de potncia expressos em Watt. G(dB) = 10 log = 10 log 4
2
N dB = 10 x log (P2 : P1 )
G(dB) = 10 (0,602) = 6,02
Antes de prosseguirmos neste assunto,
torna-se mister tecermos algumas consideraes b) Um transmissor entrega uma potncia
sobre a forma com que o ouvido humano de 500 W, mas na antena chegam apenas 455
responde (reage) aos diferentes estmulos W. Qual o ganho de potncia em dB?
sonoros. Soluo:
Imaginemos um aparelho fornecendo-
nos uma potncia de 10 Watts e observemos a P0 = 500 W P1 = 455 W G(dB) = ?
sensao auditiva. Aumentemos a potncia
sonora, at o nosso ouvido sentir o dobro do 455
G(dB) = 10 log
nvel sonoro anterior. Se neste exato momento 500
medirmos a potncia, verificaremos que se trata
de 100 W e no 20 W, como era de se supor. G(dB) = 10 log 0,91
Se aumentarmos ainda mais a potncia
at que dobre novamente, mediremos 1000 W, G(dB) = -10(0,041) = -0,41
e, assim, sucessivamente.
Isso mostra que o ouvido humano reage Faamos algumas consideraes sobre
ao som, no de maneira linear, mas muito os dois resultados obtidos nos exerccios
aproximadamente, de acordo com uma curva anteriores.
logartmica, razo pela qual os engenheiros, ao O primeiro resultado significa que a
estabelecerem uma frmula para a comparao potncia de sada do amplificador est 6,02 dB
de duas intensidades sonoras, tiveram que fazer acima do nvel de potncia de entrada.
com que ela obedecesse mesma curva No segundo resultado, observamos o
matemtica que os logaritmos. aparecimento do sinal - (menos). Este sinal
indica que no se trata de ganho de potncia,
Aplicaes mas sim uma atenuao (perda de potncia) e o
resultado em si, significa que a potncia que
Inicialmente a aplicao do decibel chega antena est 0,41 dB abaixo do nvel de
restringia-se somente ao udio. Mais tarde potncia entregue pelo transmissor.

15-1
RELAES DE TENSO E CORRENTE Soluo:
P0 = 1mW
A partir da definio de ganho em
potncia e do conhecimento de que: P = E x I = P1 = 5 mW
= I2 x R = E2 : R, podemos deduzir o ganho de G (dBm) = ?
tenso e ganho de corrente, sobre impedncias
iguais. G(dBm) = 10 log (5 : 1) = 10 log 5
G(dB) = 10 log P1 : P0 G(dBm) = 10 x 0,6990
Supondo R1 = R0 e substituindo os G (dBm) = 6,99 = 7
valores de P0 e de P1 pelos valores
correspondentes em tenso e resistncia, Ento, o nvel de potncia de sada do
teremos: amplificador, est a 7 dB acima do nvel de
10 log ( E12 x R0 ) referncia de 0,001 W.
G(dB) =
( E02 x R1 )
b) Sabendo-se que um amplificador tem
uma potncia de sada de 6 Watts, calcular o seu
G(dB) = 10 log ( E12 : E02 ) que pode ser ganho em dB.
escrito como:
Soluo:
G(dB) = 20 log (E1 : E0 ). Da mesma P1 = 6 10-3 W
forma podemos deduzir para o ganho de
P0 = 6 W
corrente:
G (dB) = ?
G(dB) = 20 log (I1 : I0 )
G (dB) = 10 log (6 : 6 10-3) = 10 log 103
NVEIS DE REFERNCIA G (dB) = 30 log 10
G (dB) = 30
O decibel, sendo essencialmente uma
relao, ou mais exatamente, dez vezes o Este resultado indica que a potncia de
logaritmo decimal da relao entre duas sada do amplificador est a 30 dB acima do
potncias, exige que se explicite ou subentenda- nvel de potncia de referncia de 0,006 W.
se uma referncia, de acordo com convenes
existentes. Por exemplo, quando se diz que o
ganho de um amplificador de tantos dB, isto MEDIDA DE POTNCIA
equivale a expressar em dB o sinal de sada,
tomando-se como referncia o sinal de entrada. O dBm usado para descrever nveis de
Existem tambm alguns nveis de tenso potncia em decibis, com referncia a potncia
ou de potncia padronizados, escolhidos como de 1mW sobre 600 ohms. Um miliwatt
referncia, e freqentemente os nveis de tenso representado como zero dBm, 10 miliwatts
ou de potncia so expressos em relao a tais como 10 dBm, e 100 miliwatts como 20 dBm.
referncias. As figuras 15-1 e 15-2 so teis na
Os nveis mais comuns so 1 miliwatt e converso direta de Volts rms em dBm (15-1)
6 miliwatt. O nvel de 0,006 W corresponde a ou mW para dBm (15-2). A diagonal de cada
zero dB, enquanto que o nvel 0,001 W grfico marca os valores de tenso (15-1) ou a
corresponde ao nvel zero dBm. Em outras juno de dBm e miliwatts (15-2)
palavras: dBm significa, dB relativo a 1 a) Para converter 10 volts rms em dBm,
miliwatt. localize 10 volts na escala inferior da figura 15-
Alguns exemplos a seguir elucidaro o 1, movendo para cima (verticalmente) at
emprego do dB e do dBm no clculo do ganho encontrar a linha diagonal. Deste ponto mova
ou atenuao de um circuito ou equipamento: horizontalmente para a esquerda, at encontrar
a) Sabendo-se que a potncia de sada de +22 dBm.
um amplificador 5 miliwatt, calcular o nvel b) Para converter 1000 mW em dBm,
de potncia de sada do amplificador, em dB. localize 1000 na parte inferior da figura 15-2.

15-2
Siga a linha de 1000 mW at encontrar a linha ohms para o atual valor de carga, deve ser
diagonal. Deste ponto, mova horizontalmente somado ou subtrado dos valores encontrados
at +30 dBm na margem esquerda do grfico. para 600 ohms, com o auxlio do grfico
c) Para converter +15 dBm em mW, apropriado. A frmula para encontrar o fator de
localize +15 dBm na margem esquerda do correo :
grfico (figura 15-2), movendo horizontalmente F.C. = 10 log (600 : R1), onde R1 a
at encontrar a linha diagonal. Deste ponto, atual resistncia de carga.
mova verticalmente para baixo, at encontrar a
linha inferior que corresponde ao ponto 33,3 Como exemplo do uso do fator de
mW da escala. correo, consideremos um amplificador com
d) Para cargas diferentes de 600 ohms, uma carga de 8 ohms que dissipa 1000 mW
um fator de correo, baseado na razo de 600 (1W).

Figura 15-1 Converso de volts rms em dBm

Figura 15-2 Converso de mW em dBm

15-3
A figura 15-2 nos mostra que MEDIDORES DE POTNCIA
corresponde a +30 dBm numa carga de 600
ohms. Para determinarmos o verdadeiro valor Um medidor de dB, mede, na realidade,
em dBm sobre a resistncia de 8 ohms, devemos tenso de CA e inclui-se uma escala de decibis
calcular primeiramente o fator de correo. no mostrador do medidor, de modo que a leitura
F.C. = 10 log (600 : 8) = 10 log 75 = possa fazer-se em decibis, em lugar de volts de
CA.
= 10 (1,875) = 18,75 A figura 15-3 ilustra um volt ohmmetro
Como a nossa impedncia inferior a eletrnico com a escala inferior graduada em
600 ohms, teramos que, do valor encontrado no dB.
grfico, subtrair o fator de correo.

Figura 15-3 Mostrador de um volt ohmmetro eletrnico

SUMRIO los em logaritmos preparados a fim de facilitar o


clculo.
a) Logaritmo de um nmero, real e e) O decibel muito usado em
positivo N, em uma base a positiva e diferente eletrnica, para comparao de nveis de tenso
da unidade, o expoente real x que se deve e de potncia, sempre relacionados com um
elevar essa base a para obter o nmero N. padro de referncia.
b) Somente nmeros positivos tm f) Quando medirmos a potncia
logaritmos. dissipada sobre uma impedncia diferente de
c) A mantissa do logaritmo de um 600 ohms, devemos calcular o fator de correo,
nmero fornecida em tbuas logartmicas. que deve ser somado ou subtrado dos valores
d) Todas as vezes que nos defrontarmos em dBm, encontrados nos grficos dBm x
com logaritmos negativos, devemos transform- volts rms e dBm x mW.

15-4
CAPTULO 16

AMPLIADORES OPERACIONAIS

INTRODUO A alimentao pode ser obtida das


seguintes maneiras:
O nome Ampliador Operacional (A.O.) -Duas fontes iguais, perfeitamente
deve-se ao fato do dispositivo ser empregado sincronizadas;
para realizar operaes matemticas, como -Circuito divisor de tenso, com resistores
multiplicao, integrao, diferenciao e exatamente iguais;
tambm para uma infinidade de funes. -Uma fonte simtrica, com valores tpicos entre
Com esse dispositivo podem ser 10 V e 20 V.
conseguidos amplificadores capazes de operar
com sinais que vo desde corrente contnua at PINAGEM
vrios megahertz.
O ampliador operacional mais difundido
Simbologia o 741 (TBA221B). um circuito integrado
monoltico construdo numa nica base de
Na figura 16-1 mostrado o smbolo do silcio.
ampliador operacional. Caracteriza-se por apresentar um alto
ganho e uma elevada impedncia de entrada.
Esse ampliador operacional encontrado com
diversas denominaes: A 741, LM 741, CA
741, MC 741 e TBA 221B.

Figura 16-1 Smbolo do ampliador operacional

A entrada diferencial amplia a diferena


dos sinais aplicados s entradas.
Figura 16-2 Pinagem do ampliador operacional
CARACTERSTICAS ELTRICAS 741
O ampliador operacional ideal apresenta Pinos:
as seguintes caractersticas:
- Impedncia de entrada infinita. 1 Ajuste de offset.
- Impedncia de sada nula. 2 Entrada inversora.
- Ganho de tenso infinito. 3 Entrada no inversora.
- Atraso nulo. 4 Alimentao (- V).
- Tenso de sada nula de V2 = V1. 5 Ajuste de offset.
- Resposta em frequncia infinita.
6 Sada (Vb).
ALIMENTAO 7 Alimentao (+ V)
8 Sem uso.
Na maioria das aplicaes usa-se uma
fonte simtrica ( V ), porm h casos em que a O ajuste de offset compensa a diferena
fonte simples pode ser usada. entre os dois sinais de entrada.
2

16-1
AMPLIADOR OPERACIONAL COMO O sinal negativo na frmula deve-se ao fato
AMPLIFICADOR do extremo de Z2 estar aplicado no terminal
inversor do ampliador operacional (ponto A).
O ampliador operacional como ampli- Com essa demonstrao chegamos a
ficador mostrado na figura 16-3. algumas concluses importantes:
1) Podemos determinar o ganho em
malha aberta (sem realimentao, ou seja Z1 e
 Vo
Z2): A=
Vi
2) O ganho do ampliador em malha
fechada ser A= - (Z2/Z1) = - VO/Vi
3) A tenso de sada ser negativa ou
no, dependendo da aplicao do
sinal de entrada : VO = -A Vi,
ampliador inversor de ganho A
4) Se Z1 = Z2, o circuito comporta-se
como um simples inversor: VO = -VS
5) Se Z1 < Z2, o circuito amplifica e
Figura 16-3 Ampliador operacional tpico inverte
6) Se Z1 > Z2, o circuito atenua e
O sinal de sada VO proporcional a inverte.
VBA; (VB VA).
Como sabemos o apresenta uma APLICAES DOS AMPLIADORES
impedncia de par entrada infinita, logo a OPERACIONAIS
corrente I passar de Z1 a Z2, de onde podemos
tirar a seguinte relao: Aplicaes lineares
VS Vi VO  Vi So circuitos que exercem funes
ou seja:
Z1 Z2 analgicas. Circuitos analgicos ou lineares so
os que processam ou manipulam sinais cujas
 Z2 VO  Vi amplitudes variam continuamente dentro de um
= (1) certo perodo. Nessa categoria encontram-se os
Z1 VS  Vi
osciladores, os ampliadores, os filtros ativos, os
circuitos somadores e outros.
Como o ampliador operacional apresenta
ganho 00 temos: Ampliador com inverso
VO = A Vi O circuito da figura 16-4 mostra um
ampliador com inverso.
VO
Vi =
A

Portanto se o ganho A tende a 00, a


diferena de sinal Vi tende a zero.
Com isso a expresso (1) pode ser escrita
como:

VO Z2 V
, como A = O temos que: Figura 16-4 Ampliador com inverso
VS Z1 VS
Suponhamos que os componentes do
 Z2 circuito da figura 16-4 assumam os seguintes
A =
Z1 valores: R1 = 20K, R2 = 100K e R3 = 0. Com
isso tem-se que o ganho (A) ser:

16-2
 R2
A= 5
R1

Caso usemos R3, o seu valor ser:

R1 x R2
R3 =
R1  R2

Portanto, se o sinal de entrada aplicado


ao circuito for de 1V, a sada ser de 5V. Esse
circuito ento executa tambm a funo de
multiplicador. Figura 16-6 Ampliador com ganho unitrio

Ampliador sem inverso VO


No circuito, A =
VS
como VO = VS temos A = 1

O ampliador nessa configurao


empregado como isolador ou buffer. O
circuito isolador permite que possamos medir
tenses em circuitos de alta impedncia
utilizando um voltmetro de baixa impedncia.

Circuito somador

Figura 16-5 Ampliador sem inverso Como o nome indica o circuito somador
tem por objetivo fornecer na sada uma tenso
Pelo circuito da figura 16-5 vemos que cujo valor igual a soma das tenses aplicadas
V entrada.
I = S , teremos, nesse circuito que:
R1 Tal circuito mostrado na figura 16-7.
VO = VR2 + VS.
V
Porm, como VR2 = S temos que:
R1
R R
VS x 2  VS VO ? VO VS (1 2 )
R1 R1

VO R1  R2
Por outro lado:
VS R1

R1  R2
Ou seja: A
R1 Figura 16-7 Circuito somador

Ampliador com ganho unitrio Observando o circuito podemos escrever


a equao da tenso de sada:
O ampliador com ganho unitrio VO = - I x R = -( I1 + I2 + I3 ) x R
apresenta uma elevada impedncia de entrada Ou ainda:
(cerca de 400 M), devido a alta realimentao V1 V2 V3
e baixa impedncia de sada (inferior a 1). VO = - (   )xR
R1 R2 R3
O ampliador com ganho unitrio
mostrado na figura 16-6. Se considerarmos R1 = R2 = R3 = R teremos:
VO = - (V1 + V2 + V3 )

16-3
Circuito subtrator Aplicaes no lineares

o circuito projetado para fornecer na Circuitos no lineares so aqueles que ao


sada um valor de tenso igual a diferena entre contrrio dos analgicos, sempre nos
as tenses de entrada. fornecerem sadas totalmente diferentes da
Para que o circuito funcione como forma de onda de entrada.
subtrator necessrio que a seguinte relao
seja obedecida: Circuitos comparadores So circuitos cuja
funo principal comparar o sinal de entrada
R2 R4 V1 com um sinal de referncia VR.
R1 R3 A figura 16-9 mostra um circuito
comparador.
O circuito subtrator mostrado na figura
16-8

Figura 16-9 Circuito comparador

Comparador com tenso de referncia nula


Um circuito comparador com tenso de
referncia nula mostrado na figura 16-10.
Figura 16-8 Circuito subtrator

Consideremos inicialmente todos os


resistores iguais a R.
VR1 VR2
Temos ento que: I ,
R1 R2
Mas como VR1 = V1 VX e VR2 = VX VO

V1  VX VX  VO
A corrente I ser: I =
R R Figura 16-10 Circuito comparador com tenso
Logo: V1 - VX = VX - VO de referncia nula

e VO = 2 VX V1 No circuito temos que quando a tenso


V2 for positiva em relao tenso V1 de
V2 V referncia, a sada VO ser negativa.
Se Vy = e VO 2 ( 2 )  V1
2 2 E quando V2 for negativa em relao
Finalmente tem-se que: VO = V2 - V1 mesma tenso Vi , teremos uma VO positiva.

16-4
CAPTULO 17

TCNICAS DIGITAIS

SISTEMAS DE NUMERAO 1 x 103 + 5 x 102 + 9 x 101 + 2 x 100 = 1592


1000 + 500 + 90 + 2 = 1592
Os sistemas de numerao foram
desenvolvidos na histria da humanidade Exemplo 3:
atendendo s crescentes necessidades. (583,142)10
Inicialmente o homem, por convenincia Notamos que no exemplo 3 temos um
utilizou-se dos dedos como forma de contagem, nmero com uma parte fracionria. Vejamos
criando o sistema decimal. ento sua decomposio em potncia de dez:
Com o advento do computador, outros
sistemas vieram a ser criados, visando maior 5 x 102 + 8 x 101 + 3 x 100 + 1 x 10-1 + 4 x 10-2
facilidade de representao interna codificada. + 2 x 10-3 ou
Dentre os mais comuns podemos citar os
sistemas Binrio, Octal e Hexadecimal, que 500 + 80 + 3 + 1 / 10 + 4 / 100
adequam-se s necessidades ou funes internas + 2 / 1000 ou ainda
de diversos equipamentos.
O sistema decimal, porm, nunca foi 500 + 80 + 3 + 0,1 + 0,04 + 0,002 =
deixado de lado como forma de representao = 583,142
numrica, convencionada para ns, humanos.
Sistema binrio de numerao
Sistema decimal de numerao
No sistema binrio a base 2 (b = 2) e
O sistema decimal um sistema de base existem apenas dois algarismos para representar
10, no qual existem dez algarismos para uma determinada quantidade: o algarismo 0
representao de uma quantidade: 0, 1, 2, 3, 4, (zero) e o algarismo 1 (um).
5, ........., 9. Para representar a quantidade zero,
O menor algarismo de uma determinada utilizamos o algarismo 0, para representar a
base zero (0) e o maior igual a base menos 1 quantidade um, utilizamos o algarismo 1.
(10 1 = 9). No sistema decimal, ns no possumos
No exemplo 1 a seguir temos um nmero o algarismo dez e representamos a quantidade
na base 10. de uma dezena utilizando o algarismo 1 (um)
(583)10 seguido do algarismo 0 (zero). Nesse caso, o
Podemos decompor este nmero em algarismo 1 (um) significa que temos um grupo
potncia de dez, j que sua base 10 e fazendo de uma dezena e o algarismo 0 (zero) nenhuma
isso teremos: unidade, o que significa dez.
No sistema binrio agimos da mesma
(5 x 100) + (8 x 10) + (3 x 1) = 583 forma, para representar a quantidade dois,
utilizamos o algarismo 1 (um) seguido do
Neste exemplo podemos notar que o algarismo 0 (zero). O algarismo 1 (um)
algarismo menos significativo (no caso o trs) significar que temos um grupo de dois
multiplica-se a unidade (1 ou 100), o segundo elementos e o 0 (zero) um grupo de nenhuma
algarismo (o oito) multiplica-se a dezena (10 ou unidade, representando assim o nmero dois.
101) e o mais significativo (no caso o cinco) Exemplo:
multiplica-se a centena (100 ou 102). A soma Seja o nmero (1011)2 e faamos a sua
desses resultados ir representar o nmero. decomposio em potncia s que desta vez a
base ser dois:
Exemplo 2: 1 x 23 + 0 x 22 + 1 x 21 + 1 x 20
(1592)10
Decompondo o mesmo teremos: 1000 + 000 + 10 + 1 = (1011)2

17-1
Sistema octal de numerao Hex Dec
A 10
No sistema octal a base oito e temos B 11
oito algarismos para representar qualquer C 12
quantidade. Esses algarismos so: 0, 1, 2, 3, ...7. D 13
Para a formao de um nmero,
E 14
utilizam-se esses algarismos e toda vez que
F 15
tivermos uma quantidade igual ao valor da base,
soma-se um (1) ao algarismo de valor posicional
imediatamente superior como fazemos no Exemplo:
sistema decimal. Tomemos o nmero (2C0A)16 e
Notamos tambm que, em qualquer base faamos sua decomposio.
o maior algarismo igual ao valor da base
menos um (1) e o nmero de algarismos 2 x 163 + C x 162 + 0 x 161 + A x 160 ou
sempre igual ao da base.
Exemplo: 2 x 4096 + 12 x 256 + 0 x 16 + 10 x 1 =
Decompondo o nmero (361)8 em
potncia de base oito temos: = 8192 + 3072 + 0 + 10 =

3 x 82 + 6 x 81 + 1 x 80 = (11274)10

3 x 100 + 6 x 10 + 1 x 1 =(361)8 Complemento de um nmero

Podemos escrever que a base elevada a O complemento de um nmero o que


uma determinada potncia igual a um (1 falta a este nmero para atingir o valor da base.
seguido de tantos zeros quantos forem os
valores das potncias, assim temos: Exemplo:
Complemento de (7)10 10 7 = 3
23 = 1000 22 = 100 21 = 10 No sistema binrio para chegar-se ao
complemento, obtem-se primeiramente o falso
103 = 1000 102 = 100 101 = 10
complemento.
83 = 1000 82 = 100 81 = 10
(1011)2
0100 Complemento falso
No sistema decimal, o nmero 100
aparece aps o nmero 99 na ordem crescente. Complemento verdadeiro consiste em
No sistema binrio, o nmero 100 somar-se 1 (um) ao complemento falso.
aparece aps o nmero 11 na ordem crescente.
No sistema octal, o nmero 100 aparece 0100
aps o nmero 77 na ordem crescente. +1
0101
Sistema hexadecimal de numerao
Converso de bases
No sistema hexadecimal de numerao,
a base dezesseis e dispomos de dezesseis Converso para base decimal Para
algarismos para representao de uma convertermos um nmero representado em
determinada quantidade de coisas. Como qualquer sistema numrico, para o sistema
existem apenas dez algarismos numricos decimal usamos a notao posicional e
utilizamos tambm algarismos alfanumricos. resolvemos a expresso como na base decimal.
Portanto temos os seguintes algarismos:
Seja o nmero 1101 no sistema binrio.
0, 1, 2, 3,......9, A, B, C, D, E e F. A notao posicional seria:

17-2
1 x 23 + 1 x 22 + 0 x 21 + 1 x 20 = Portanto (12 )10 = (1100)2
1x8 + 1x4+0x2+1x1 =
Contagem nas diversas bases
8 + 4 + 0 + 1 = (13)10
Portanto (1101)2 = (13)10 Na tabela de contagem nos sistemas
de base decimal, binria, octal e
Como segundo exemplo o nmero 107 hexadecimal observa-se que um nmero
do sistema octal. A notao posicional seria: expresso num sistema de base menor exige
1 x 82 + 0 x 81 + 7 x 80 = maior quantidade de algarismos do que
1 x 64 + 0 x 8 + 7 x 1 = outro, de base maior, para representar a
mesma quantidade.
64 + 0 + 7 = (71)10
Portanto (107)8 = (71)10 DECI-
BINARIA OCTAL
HEXA-
MAL DEC.
Converso do sistema decimal para outras bases 0 0 0 0
Para converso da base 10 para outras bases, o 1 1 1 1
mtodo consiste em divises sucessivas pela 2 10 = 21 2 2
base desejada, at que o quociente seja nulo. Os 3 11 3 3
restos das divises indicaro o resultado da
4 100 = 22 4 4
converso, sendo o primeiro resto equivalente
ao dgito menos significativo e o ltimo ao mais 5 101 5 5
significativo. 6 110 6 6
7 111 7 7
Exemplo 1 8 1000 = 23 10 = 81
8
Faamos a converso do nmero (934)10 9 1001 11 9
para base hexadecimal. 10 1010 12 A
(10 A) 11 1011 13 B
934 16 12 1100 14 C
1 resto 6 58 16 13 1101 15 D
2 resto 10 3 16 14 1110 16 E
3 resto 3 0
15 1111 17 F
Portanto (934)10 = (3A6 )16 16 10000=24 20 10=161
Exemplo 2 - - - -
Converso do nmero (76)10 para a 31 11111 37 1F
base 8. 32 100000=25 40 20
76 8 - - - -
4 9 8 63 111111 77 3F
1 1 8 64 1000000=26 100=8 2
40
1 0 - - - -
99 1100011 143 63
Portanto (76010 = (114 )8 100 1100100 144 64
Exemplo 3 - - - -
Converso do nmero (12 )10 para a
127 1111111 177 7F
base 2.
128 10000000=27 200 80
- - - -
12 2
255 11111111 377 FF
0 6 2
0 3 2 256 100000000=28 400 100=162
1 1 2 - - - -
3 -
1 0 - - 1000=8

17-3
Cdigos 6 1 0 0 1
7 1 0 1 0
Ao cdigos so formas de 8 1 0 1 1
representao de caracteres alfanumricos. 9 1 1 0 0
So vrios os cdigos existentes
havendo porm vantagens de um ou outro, O cdigo Excesso 3 utilizado em
de acordo com a aplicao ou funes circuitos aritmticos.
internas do equipamento.
Cdigo Johnson Baseia-se no deslocamento
de bits e utilizado na construo do
Cdigo BCD 8421 A sigla BCD repre-
Contador Johnsos.
senta as iniciais de Bynary Coded
Decimal, que significa uma codificao no
DECIMAL JOHNSON
sistema decimal em binrio. Os termos
0 0 0 0 0 0
seguintes (8421) significam os pesos de
1 0 0 0 0 1
cada coluna, isto , 8 = 23, 4 = 22, 2 = 21 e
2 0 0 0 1 1
1 = 20. O valor corresponder soma dos pesos
3 0 0 1 1 1
onde na coluna houver o bit um (1).
4 0 1 1 1 1
5 1 1 1 1 1
DECIMAL BCD 8 4 2 1 6 1 1 1 1 0
0 0 0 0 0 7 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 8 1 1 0 0 0
2 0 0 1 0 9 1 0 0 0 0
3 0 0 1 1
4 0 1 0 0 Cdigo Gray ou sistema de numerao refletido
5 0 1 0 1 Sua principal caracterstica que, em conta-
6 0 1 1 0 gens sucessivas, apenas um bit varia.
7 0 1 1 1 A codificao Gray mostrada na tabela
8 1 0 0 0 a seguir, onde os campos em destaque
9 1 0 0 1 representam um espelho a ser refletido para a
contagem seguinte, acrescentando-se um bit 1
O nmero de bits de um cdigo o (um) imediatamente esquerda.
nmero de dgitos binrios que este possui.
O cdigo BCD 8421 um cdigo de 4 DECIM. BINRIO GRAY
bits. 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1
Cdigo excesso 3 Consiste na transformao
2 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1
do nmero decimal, no binrio correspondente,
3 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0
somando-se a ele trs unidades.
4 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0
5 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1
Exemplo:
6 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1
(0)10 = (0000)2 7 0 0 1 1 1 0 0 1 0 0
Somando-se trs unidades, teremos 0011 8 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0
9 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1
DECIMAL EXCESSO 3 10 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1
0 0 0 1 1 11 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0
1 0 1 0 0 12 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0
2 0 1 0 1 13 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1
3 0 1 1 0 14 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1
4 0 1 1 1 15 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0
5 1 0 0 0 16 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0

17-4
Este tipo de codificao garante que, OPERAES BINRIAS
com a variao de apenas um bit de uma
contagem para outra, reduzam-se as A eletrnica em seus primrdios, tinha
conseqncias negativas geradas pela mudana sus clculos baseados em lgebra convencional,
de estado simultnea de registradores. atravs de sistemas analgicos ou lineares.
Com o advento de mquinas mais
Cdigo ASCII O cdigo ASCII um tipo de sofisticadas, processadores eletrnicos, sistemas
codificao BCD, largamente utilizado em de comunicao e controle digitais, os
computadores digitais e em equipamentos de problemas vieram a ser resolvidos baseados em
comunicao de dados. A sigla ASCII lgebra especial, no linear, mas binria, isto ,
formada pelas iniciais de American Standard baseada em dois valores. a lgebra Booleana.
Code for Information Interchange (Cdigo
Padro Americano para Intercmbio de Aritmtica binria
Informaes).
Consiste de um cdigo binrio de sete As regras utilizadas em operaes
bits para transferir informaes entre binrias no sistema decimal, so tambm
computadores e seus perifricos e em seguidas nas mesmas operaes em outros
comunicao de dados a distncia. sistema de numerao. Neste capitulo
Com um total de sete bits, podemos trataremos de algumas tcnicas que tornam mais
representar 27 = 128 estados diferentes ou simples a efetuao destas operaes.
caracteres, que so usados para representar os
nmeros decimais de 0 a 9, letras do alfabeto e Adio no sistema binrio Para efetuarmos a
alguns caracteres especiais de controle. adio no sistema binrio, devemos agir como
formado por dois grupos de bits, uma adio no sistema decimal, lembrando que
sendo um de 4 bits e outro de 3 bits. no sistema binrio temos apenas dois
algarismos.
Grupo de 4 bits
1 0 0 1 a
7 6 5 4 3 2 1 +
1 0 1 0 b
Grupo de 3 bits 1 0 0 1 1 soma
vai um
Formato do carter no Cdigo ASCII 1 0 0 0 transporte ou
ASCII carreamento
CARACTER
7 6 5 4 3 2 1
0 0 1 1 0 0 0 0 A tabela mostra a operao soma e o
1 0 1 1 0 0 0 1 transporte em separado. O smbolo + o
2 0 1 1 0 0 1 0 operador soma.
Como 1 + 1 = 10 no sistema binrio, o
-
resultado 0 (zero) e o transporte para a coluna
9 0 1 1 1 0 0 1
imediatamente esquerda 1 (um). Esse
-
transporte idntico ao do sistema decimal, pois
A 1 0 0 0 0 0 1
quando tivermos uma soma igual ou maior que
B 1 0 0 0 0 1 0 a base, haver um vai um que ser somado ao
- dgito de valor posicional imediatamente
Z 1 0 1 1 0 1 0 superior.
- Exemplo 1:
a 1 1 0 0 0 0 1 1 vai um
b 1 1 0 0 0 1 0 a + b 1 1 a
- (11)2 + (10)2 = (101)2 +
z 1 1 1 1 0 1 0 3 + 2 = 5 1 1 b
1 0 1 soma
Exemplos de representaes no cdigo ASCII

17-5
Exemplo 2: Neste exemplo, seguindo-se as regras
anteriores, observa-se que houve um
1 1 vai um emprstimo que ficou devedor. Nesta situao
a + b 1 1 0 a efetua-se a operao complemento , que
(110)2 + (111)2 = (1101)2 + consiste em inverter-se os bits 0 por 1 e
6 + 7 = 13 1 1 1 b vice-versa, somando-se 1 em seguida.
1 1 0 1soma
1 1 1 0 1 resultado parcial

Exemplo 3 0 0 0 1 0 resultado invertido


1 1 + 1 (complemento)
a + b 1 1 0 0 1 a 0 0 0 1 1
11001 + 1011 = 100100 + 0 0 0 1 1 resultado final
25 + 11 = 36 1 0 1 1 b
soma 1 0 0 1 0 0 Multiplicao no sistema binrio- Procede-se
como em multiplicaes no sistema decimal,
tendo-se como regra bsica:
Subtrao no sistema binrio- O mtodo de
resoluo anlogo a uma subtrao no sistema 0 x 0 = 0
decimal: 0 x 1 = 0
0 0 0 1 emprstimo 1 x 0 = 0
1 x 1 = 1
0 1 1 0 a
- 0 1 0 1 b Exemplo 1
0 0 0 1 diferena
a x b 1 0 0 0 a
1000 x 1 = 1000 x 1 b
Exemplo 1 8 x 1 = 8 1 0 0 0 produto

a - b 1 1 1 a Exemplo 2
111 - 100 = 011 -1 0 0 b 1 0 1 0 1 a
7 - 4 = 3 0 1 1 diferena a x b x 1 0 b
10101 x 10 = 101010 0 0 0 0 0
Exemplo 2 21 x 2 = 42 1 0 1 0 1 ____
produto 1 0 1 0 1 0
1 emprstimo
a - b 1 0 0 0 a Diviso no sistema binrio- Procede-se como
1000 - 111 = 1 1 1 1 b em divises no sistema decimal.
8 - 7 = 1 0 0 0 1 diferena
Exemplo:
Nos exemplos acima foram utilizados
nmeros tais que a > b. Consideremos agora a : b
um caso com a < b. 111100 : 1100 = 101
60 : 12 = 5
a - b
10110 - 11001 = -00011 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0
22 - 25 = -3 - 1 1 0 1 1 0 1
0 0 1 1 0
1 0 1 1 0 a - 0 0 0 0
-1 -1 -1 emprstimo 0 1 1 0 0
1 1 0 0 1 b - 1 1 0 0
1 1 1 0 1 resultado parcial 0 0 0 0 resto

17-6
LGEBRA DE BOOLE
Conclumos que a lmpada s acender
Em meados do sculo passado G. Boole quando a Ch 1 e a Ch 2 estiverem fechada,
desenvolveu um sistema matemtico de anlise correspondendo a equao A . B = S
lgica. Esse sistema conhecido como lgebra
de Boole. Tabela Verdade da funo E ou AND um
A lgebra booleana baseada em apenas mapa onde colocamos todas as situaes
dois estados. Estes estados poderiam, por possveis, com os respectivos resultados.
exemplo, ser representados por tenso alta e
tenso baixa ou tenso positiva e tenso A B S=A.B
negativa. 0 0 0
Assim como na lgebra linear, 0 1 0
encontramos vrios tipos de funes, como 1 0 0
veremos a seguir. 1 1 1
Simplificao de funes

Funo E ou AND aquela cujo


resultado equivale multiplicao de duas ou
mais variveis.
S = A . B (onde se l A e B)

Para melhor entendimento veja a figura


17-1.

Figura 17-2 Simbologia da funo E ou AND

O nmero de situaes possveis


constante na tabela verdade igual a 2N, onde N
o nmero de variveis de entrada.
Uma porta E com duas entradas tem
2 = 22 = 4 situaes possveis.
N

Figura 17-1 Circuito da funo E ou AND Podemos encontrar portas lgicas com
trs ou mais entradas como mostrado na figura
Convenes: 17-3.
Chave aberta = 0
Chave fechada = 1
Lmpada apagada = 0
Lmpada acesa = 1

Situaes possveis:
Ch 1 aberta e Ch 2 aberta =lmpada apagada
0 * 0 = 0
Ch 1 aberta e Ch 2 fechada =lmpada apagada
0 * 1 = 0
Ch 1 fechada e Ch 2 aberta =lmpada apagada
1 * 0 = 0
Ch 1 fechada e Ch 2 fechada=lmpada acesa Figura 17-3 Portas E ou AND de trs e de cinco
1 * 1 = 1 entradas.

17-7
Funo OU ou OR aquela que assume o Tabela Verdade da funo OU ou OR
valor um (1) na sada, quando uma ou mais
variveis na entrada forem iguais a um (1), e A B S=A+B
assume o valor zero (0) se, e somente se, todas 0 0 0
as entradas forem iguais a zero (0). 0 1 1
S = A + B (S igual a A ou B) 1 0 1
1 1 1
Para melhor compreenso veja a figura
17-4
Portas OR tambm podem ser
encontradas com 3 ou mais entradas.

Figura 17-4 Circuito da funo OU ou OR

Convenes:
Chave aberta = 0
Chave fechada = 1 Figura 17-6 Exemplos de portas OR
Lmpada apagada = 0
Lmpada acesa = 1 Funo NOT ou NO A funo NO,
complemento ou inverso, aquela que inverte
Situaes possveis: o estado da varivel, isto , 0 inverte para1
e 1 inverte para 0. Veja a figura 17-7.
Ch 1 aberta e Ch 2 aberta =lmpada apagada
0 + 0 = 0
Ch 1 aberta e Ch 2 fechada =lmpada acesa
0 + 1 = 1
Ch 1 fechada e Ch 2 aberta =lmpada acesa
1 + 0 = 1
Ch 1 fechada e Ch 2 fechada =lmpada acesa
1 + 1 = 1

Conclumos que a lmpada acender Figura 17-7 Circuito da funo NOT ou NO


quando pelo menos uma das chaves estiver
ligada, correspondendo equao A + B = S. Convenes:
Chave aberta = 0
Chave fechada = 1
Lmpada apagada = 0
Lmpada acesa = 1

Situaes possveis:
Chave 1 aberta = lmpada acesa
0 = 1
Chave 1 fechada = Lmpada apagada
Figura 17-5 Simbologia da funo OU ou OR 1 = 0

17-8
Funes XOR ou XNOR As portas NAND e
Tabela verdade da funo NOT ou NO NOR so ditas portas universais, porque vrios
circuitos podem ser derivados, utilizando apenas
A A estes tipos de portas.
0 1 Podemos criar diversas funes combi-
1 0 nando os vrios tipos de portas lgicas, dentre
elas as denominadas XOR e XNOR.
Onde A representa o inverso de A
Tabela Verdade e simbologia
Funo NO E ou NAND uma combinao a) XOR ou OU EXCLUSIVO Nesta
das funes E e NO, que representada funo teremos 1 na sada, quando as entradas
da seguinte forma: forem desiguais.

S = A * B ( S igual a A e B barrados, ou A e B A B S=A+B


not).
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0

Figura 17-8 Simbologia NAND

Tabela Verdade da funo NAND

A B A*B (S) Figura 17-10 Simbologia XOR


0 0 1
0 1 1 b) XNOR ou NOR EXCLUSIVO-
1 0 1 Nesta funo teremos 1 na sada, quando as
1 1 0 entradas forem iguais.
A B S=A+B
Funo NO OU ou NOR a combinao
0 0 1
das funes OU e NO, que representada da
0 1 0
seguinte forma:
1 0 0
S = A + B (S igual a A ou B barrado, ou A ou 1 1 1
B not).

Tabela Verdade NO OU ou NOR

A B S=A+B
0 0 1 Figura 17-11 Simbologia XNOR
0 1 0
1 0 0 As portas XOR e XNOR so
1 1 0 denominadas portas COMPARADORAS.
A porta XOR denominada compara-
dora de desigualdade e a porta XNOR compara-
dora de igualdade.

Formas cannicas

Figura 17-9 Simbologia NOR As tabelas verdade de circuitos padro


nem sempre conseguem representar todas as

17-9
funes lgicas. H circuitos cujas funes Dentre as caractersticas dos circuitos de
diferem do padro. Estes circuitos podero ser comutao, podemos citar o nvel lgico, o
representados atravs de FORMAS CAN- tempo de propagao, a potncia dissipada, a
NICAS. imunidade rudos e o fan-out.

Forma cannica disjuntivaE a forma cannica Nveis lgicos


mais utilizada. Para cada uma das entradas,
atribui-se o valor 0 ou 1, estabelecendo-se Os nveis lgicos so as tenses
uma expresso representativa da funo f = 1. designadas como estado 1 e estado 0
binrios, para um certo tipo de circuito digital.
ENTRADAS SADA Os valores nominais para os dois nveis
A B C f so bem determinados mas, na prtica, os
0 1 0 1 A*B*C valores obtidos podem variar, devido
0 1 1 1 A*B*C tolerncia dos componentes internos do circuito
1 0 0 1 A*B*C integrado, variaes da fonte de alimentao,
1 1 0 1 A*B*C temperatura e outros fatores. Geralmente os
fabricantes fornecem os valores mximos e
mnimos admitidos para cada um dos nveis
f=ABC+ABC+ABC+ABC Forma Cannica lgicos.
muito importante conhecer os nveis
Circuitos geradores de produtos cannicos- So lgicos de um determinado tipo de integrado
circuitos que geram as formas cannicas pois, deste modo, ao trabalhar com
bsicas, onde so estabelecidas e combinadas as equipamentos digitais, ser fcil identificar os
entradas para todas as variaes. estados lgicos das entradas e sadas.
Se quisermos gerar os produtos
cannicos possveis com n variveis,
Tempo de propagao
necessitaremos de 2n portas de n entradas.
O tempo de propagao (Propagation
Delay) a medida do tempo de operao de um
circuito lgico. A velocidade de operao uma
das caractersticas mais importantes e, para a
maior parte das aplicaes digitais, uma alta
velocidade de operao, ou seja, um baixo
tempo de propagao benfico.
O tempo de propagao exprime o
espao de tempo necessrio para que a sada de
um circuito digital responda a uma mudana de
nvel de entrada; composto pelo acmulo de
tempos de transio e retardo associados a
qualquer circuito lgico.
Quando a tenso de entrada de um
circuito digital muda de 0 para 1, ou vice-
versa, a sada deste circuito responder aps
Figura 17-12 Exemplos com duas variveis certo perodo de tempo finito.
A figura 17-13 d um exemplo de tempo
de propagao; temos a representada a entrada
CIRCUITOS DE COMUTAO de um circuito digital e, logo abaixo, a sada
correspondente.
Os circuitos lgicos de um equipamento Veja que a transio de 0 para 1 na
precisam ser compatveis s necessidades do entrada ocasiona uma transio de 1 para 0
projeto. Na execuo de funes lgicas, as na sada e que a transio de sada ocorre um
entradas e sadas so variveis, requisitando certo tempo aps a transio de entrada. Isto
padres de comutao. que chamamos de tempo de propagao.

17-10
Figura 17-13 Tempo de propagao

O tempo de propagao (tp) medido dos tempos de propagao de cada um dos


geralmente entre os pontos de 50% de nveis.
amplitude, da transio inicial da entrada para a Potncia dissipada
transio inicial da sada ou da transio final da
entrada para a transio final da sada. a potncia consumida por um circuito
Observe ainda que existem dois tipos de lgico operando em um ciclo de carga de 50%,
tempo de propagao: um deles ocorre quando a isto , tempos iguais nos estados 0 e 1.
entrada passa do nvel baixo para o nvel alto A potncia total dissipada por um
(tpBA), e o outro quando a entrada passa de alto circuito uma considerao importante no
para baixo (tpAB). Os dois tipos de tempos de projeto de um equipamento digital, pois uma
propagao so geralmente diferentes, devido s elevada dissipao em potncia, significa um
caractersticas dos circuitos lgicos. grande consumo de energia eltrica.
Os tempos de subida e descida dos Alm disso, a potncia total dissipada ir
pulsos de entrada e sada tambm so determinar o tamanho e o custo da fonte de
importantes. Define-se tempo de subida (ts), alimentao.
como o perodo de tempo tomado pelo pulso O calor liberado pelos circuitos, tambm
para subir de 10% a 90% de sua amplitude relacionado potncia dissipada pelos mesmos,
mxima. O tempo de descida (td), o necessrio s vezes torna necessrio o seu resfriamento ou
para o pulso descer de 90% a 10% dessa mesma o uso de aparelhos de ar condicionado, para
amplitude. garantir o bom funcionamento do equipamento.
Para a maioria dos circuitos integrados A potncia dissipada por uma porta pode
digitais, os tempos de subida e descida so variar da ordem de alguns microwatts at 100
bastante reduzidos. Podem ser conseguidos miliwatts.
tempos de transio de 1 nanosegundo. Alguns
tipos de circuitos digitais modernos apresentam Compromisso velocidade-potncia
tempos de propagao que chegam a apenas
algumas dezenas de nanosegundos. Os tempos As duas caractersticas descritas,
de transio so normalmente menores que os velocidade potncia dissipada, so diretamente
tempos de propagao. interdependentes em todos os tipos de circuitos
Os tempos de propagao podem variar lgicos digitais. A relao entre elas tal que a
consideravelmente devido a tolerncias de velocidade se apresenta proporcional potncia
fabricao, fiao, etc. e so cumulativos. dissipada, ou seja, tanto mais rpida a
Quando portas e outros circuitos lgicos comutao de um circuito lgico, maior ser a
combinacionais so ligados uns aos outros, os potncia dissipada.
tempos de propagao se somam. Os circuitos lgicos de alta velocidade
Se existe mais de um nvel de lgica, isto empregam transistores bipolares no saturados
, mais de uma estrutura, o tempo de que, associados a resistncias internas de baixos
propagao total, de entrada e sada, a soma

17-11
valores, produzem um alto consumo de Uma porta lgica pode, por exemplo,
potncia. apresentar um Fan-out igual a 10, o que indica
Os circuitos integrados do tipo MOS que at dez entradas de portas poderiam ser
(Metal-Oxide-Semiconductor), consomem um ligadas sada deste circuito lgico, sem afetar
mnimo de potncia devido as altas impedncias a sua operao.
inerentes a esses componentes. No entanto,
refletem em velocidades de comutao muito FAMLIAS DE CIRCUITOS LGICOS
baixas, limitando sua operao a freqncias
baixas. Pelo seu consumo bastante reduzido, Como podem ser notados, os circuitos
adequam-se perfeitamente aos equipamentos lgicos possuem caractersticas que devero ser
portteis operados a bateria, onde a alta observadas durante o projeto, para que o mesmo
velocidade no for necessria. utilize os componentes adequados aplicao
do equipamento. De acordo com estas
Imunidade a rudos caractersticas, os circuitos lgicos so
agrupados em famlias.
A imunidade a rudos uma medida da Entende-se por famlias de circuitos
caracterstica de baixa ou no interferncia de lgicos, os tipos de estruturas internas que
sinais externos indesejveis. Considera-se rudo permitem a confeco dos blocos lgicos em
qualquer sinal estranho, gerado externamente ou circuitos integrados.
pelo prprio equipamento, e que acrescentado
ou superposto aos sinais padro do sistema. Dentre as famlias podemos destacar:
Esse rudo pode ser um nvel de tenso - RTL (Resistor-Transistor Logic).
variando lentamente, picos de tenso, ou sinais - DTL (Diode-Transistor Logic).
de alta frequncia e pequena durao. O rudo - HTL (High Threshold Logic).
pode provocar uma comutao no circuito - TTL (Transistor-Transistor Logic).
lgico, para um estado indesejvel num - ECL (Emitter-Coupled Logic).
momento imprprio. - C-MOS (Complementary MOS).
A imunidade da maioria dos circuitos
lgicos de aproximadamente 10% a 50% do Tecnologia MOS
valor da tenso de alimentao. Isto significa
que um pico ser rejeitado, caso sua amplitude A famlia MOS (Metal Oxide
seja inferior a 10% ou 50% da tenso de Semiconductor) compe-se de circuitos
alimentao. formados por MOSFETS, que so transistores
A imunidade a rudos uma de efeito de campo construdos a partir da
considerao de grande importncia, porque a tecnologia MOS, apresentando como
maioria dos sistemas digitais gera uma caractersticas o baixo consumo e uma alta
quantidade considervel de rudo em capacidade de integrao, isto , a colocao de
comutaes de alta velocidade. Alm disso, uma grande quantidade de componentes lgicos
muitos equipamentos digitais so utilizados em num mesmo encapsulamento.
ambientes industriais de rudo intenso, onde
transientes provenientes das linhas de fora e de Comparao entre famlias
outros equipamentos eltricos podem causar
falsas comutaes nos circuitos lgicos. Famlia RTL (Resistor-Transistor Logic)

Fan-out Utiliza transistores e resistores, sendo


das primeiras famlias utilizadas, formando
Fan-out uma caracterstica que portas NOR como principal bloco lgico.
indica o quanto de carga pode ser ligado sada Suas principais caractersticas so:
de um circuito digital. geralmente expresso - Possui boa imunidade a rudos
em termos de nmero de cargas padro que a - Tempo de propagao da ordem de 12 ns
sada de uma porta lgica aceita, sem afetar o - Potncia dissipada por bloco lgico, da ordem
nvel lgico nominal, velocidade, temperatura de 10 mw.
ou outras caractersticas. - Alimentao 3V 10%

17-12
Famlia DTL (Diode-Transistor Logic) Famlia C-MOS (Complementary MOS)

Utiliza diodos e transistores, sendo um uma variao da famlia MOS,


desenvolvimento da lgica de diodos, consistindo basicamente de pares de canais
permitindo a formao de blocos E, OU, MOS complementares. Esta tcnica tem como
NAND e NOR. vantagem em relao ao MOS convencional,
Suas principais caractersticas so: uma maior velocidade de comutao, da ordem
- Imunidade a rudos da ordem de 0,8V. de 80 ns, contra 300 ns.
- Tempo de propagao da ordem de 30ns. Suas principais caractersticas so:
- Potncia dissipada da ordem de 10 mw por - Baixa dissipao de potncia, da ordem de
bloco lgico. 10w.
- Alimentao 5V 10%. - Alto ndice de integrao.
- Alta imunidade a rudos
Famlia HTL (High Threshold Logic) - Ainda elevado tempo de propagao, da ordem
de 60 a 70 ns.
Utiliza diodos e transistores como a
DTL, acrescentando um diodo Zener, para - Larga faixa de alimentao de 3 a 18 V.
aumento do nvel de entrada, estabelecendo alta
imunidade rudos. Mtodos de fabricao
Suas principais caractersticas so:
- Alta imunidade a ruidos. Existem trs formas bsicas de se
- Alto tempo de propagao. fabricar circuitos integrados. O mtodo mais
- Alta potncia dissipada, da ordem de 60 mw. difundido o chamado monoltico; os outros
so o de pelcula fina, o de pelcula espessa e o
Famlia TTL (Transistor-Transistor Logic) hbrido.

oriunda da famlia DTL, porm Mtodo Monoltico O circuito integrado


utilizando transistores multiemissores, que monoltico construdo inteiramente de um
permitem a eliminao dos diodos e resistores nico pedao de silcio semicondutor, chamado
de entrada, trazendo maior velocidade e menor pastilha ou chip. Materiais semicondutores
custo, tornando-a das mais difundidas. so difundidos sobre esta base, dando origem a
Suas principais caractersticas so: diodos, transistores e resistores. Como
- Boa imunidade a rudos resultado, o circuito inteiro, com todos os
- Tempo de propagao da ordem de 10 ns. componentes e interligaes, forma-se sobre
- Potncia dissipada da ordem de 20 mw por uma base nica, dando origem ao termo
bloco lgico. monoltico.
- Identificao Comercial srie 74 Faixa de Os circuitos integrados monolticos
temperatura de 0 a 75 C. digitais se subdividem em dois tipos bsicos: os
Bipolares e os do tipo MOS, diferindo
Famlia ECL (Emitter Coupled Logic) fundamentalmente no tipo de transistor
utilizado.
Utiliza nos circuitos, acoplamento pelo Os circuitos MOS, so mais fceis de
emissor dos transistores, o que os faz operar em obter e ocupam menos espao, desta forma
regime de no saturao, permitindo a mais alta possvel incluir muito mais circuitos num chip
velocidade de comutao dentre as famlias. apresentando uma maior densidade de
Suas principais caractersticas so: componentes e custo menor.
- Boa imunidade a rudos.
- Muito baixo tempo de propagao, da ordem Mtodo de pelcula fina ou espessa Neste
de 3 ns. mtodo, os circuitos so obtidos depositando-se
- Potncia dissipada da ordem de 25 mw por os materiais sobre uma base no condutora,
bloco. como a cermica, formando resistores,
- Alimentao -5,2 V 20%. capacitores e indutores. Normalmente os

17-13
dispositivos semicondutores no so obtidos por seu grande poder de dissipao de calor, e por
este processo. esta razo encontra maior aplicao nos
Mtodo Hbrido O circuito integrado hbrido circuitos lineares.
formado pela combinao de circuitos
monolticos e circuitos de pelcula. Os hbridos
oferecem uma grande variedade de combinaes
entre circuitos integrados e componentes,
resultando em vrias funes que no poderiam
ser obtidas com circuitos integrados especficos. Figura 17-14 Encapsulamento tipo caneca(TO5)

Classificao dos circuitos integrados digitais Encapsulamento chato (Flat Pack) Apresenta
o menor tamanho entre todos eles, sendo assim
Os circuitos integrados digitais podem empregado onde se deseja uma elevada
ser classificados basicamente em trs grupos: densidade de componentes na placa. Os
SSI Small Scale Integration (Integrao em invlucros tm um formato achatado e so
Pequena Escala); apropriados para soldagem sobre circuitos
MSI Mdium Scale Integration (Integrao impressos, podendo ficar muito prximos um
em Mdia Escala); dos outros.
LSI Large Scale Integration (Integrao em Encontram aplicaes onde o espao
Grande Escala). crtico, como por exemplo, em aviao, sistemas
militares de alta confiabilidade e equipamentos
Os circuitos SSI representam a forma industriais especiais.
mais bsica e simples dos circuitos integrados:
so amplificadores ou portas, que realizam uma
funo elementar, devendo ser interligados
externamente, caso queiramos formar circuitos
funcionais completos..
Os circuitos MSI so mais complexos, Figura 17-15 Encapsulamento chato (Flat
formados por vrias portas interligadas, Pack)
compondo circuitos funcionais completos, a
maioria contendo doze ou mais circuitos, Encapsulamento DIP (Dual In-Line Package)
desempenhando funes como um O DIP ou encapsulamento em linha dupla,
decodificador, um contador, um multiplexador. assim chamado porque exibe duas fileiras
Os circuitos LSI contm 100 ou mais paralelas de terminais, tendo sido projetado para
portas ou dispositivos equivalentes, formando adaptar-se s mquinas de insero automtica
grandes circuitos funcionais, equivalentes a de componentes em placas de circuitos
vrios circuitos MSI. Seu maior campo de impressos.
aplicao o das memrias e micro processado-
res.

Encapsulamento de integrados

Atualmente h trs tipos de encapsula-


mento para acomodar chips:
TO5 ou caneca.
FLAT PACK ou invlucro chato.
DIP (Dual In-line Pack) ou em linha
dupla.

Encapsulamento TO5 Esta foi a primeira


verso de encapsulamento usada em circuitos
integrados, a partir de um invlucro padro para Figura 17-16 Encapsulamento em linha dupla
transistores. Sua principal vantagem reside em (DIP)

17-14
Pode ser encontrado desde o MINI-DIP Circuitos Lgicos Universais Dentre todas as
de oito pinos, ao gigante de quarenta pinos. A portas lgicas, as portas NAND e NOR, so as
maioria dos SSI apresenta-se em encapsu- mais utilizadas, pois qualquer tipo de circuito
lamentos de 8, 14 ou 16 pinos, enquanto o MSI lgico pode ser obtido atravs delas.
com 14, 16 ou 24 pinos. Finalmente os LSI so
encontrados mais freqentemente com 24, 28 ou
40 pinos.

CIRCUITOS COMBINACIONAIS

Conceitos

Circuito lgico combinacional, ou


simplesmente circuito combinacional, aquele
cujo estado de sada uma funo exclusiva das
combinaes possveis das variveis de entrada. Figura 17-18 Portas NAND e NOR
Os circuitos lgicos combinacionais que
iremos estudar, so divididos em trs categorias: Circuitos Comparadores As portas XOR e
XNOR so consideradas circuitos comparadores
a Circuitos Lgicos Bsicos e encontram vasta aplicao onde for necessrio
- Porta AND (E). comparar expresses ou tomar uma deciso.
- Porta OR (OU).
- Porta NOT (NO).

b Circuitos Lgicos Universais


- Porta NAND (NO E).
- Porta NOR (NO OU).

C Circuitos Comparadores
- Porta XOR (OU EXCLUSIVO).
- Porta XNOR (NO OU EXCLUSIVO)
Figura 17-19 Portas XOR e XNOR
Circuitos Lgicos Bsicos As portas E, OU e
INVERSORA, so ditas bsicas porque, atravs
Codificadores e decodificadores
delas, todas as funes lgicas podem ser
obtidas.
Um Codificador tem a funo de
tradutor de um cdigo (linguagem) conhecido
ou comum, para um cdigo desconhecido ou
incomum.
Um Decodificador tem a funo de
tradutor de um cdigo (linguagem)
desconhecido ou incomum, para um cdigo
conhecido ou comum.
Da relao dos bits 0 e 1 do sistema
binrio, com os estados lgicos 0 e 1, surgiu a
aplicao de circuitos lgicos em calculadoras,
com operaes realizadas no sistema binrio.
Cabe aqui uma pergunta. Por que no
empregar nas calculadoras eletrnicas circuitos
que realizem operaes diretamente no sistema
decimal?
Figura 17-17 Portas bsicas A resposta simples: os circuitos teriam
que discernir 1 entre 10 nveis diferentes, contra

17-15
1 entre 2, o que os tornaria complicados, caros e Estes codificadores e decodificadores,
volumosos. so na verdade circuitos lgicos combinacionais
Para facilitar a operao da mquina, a cujas sadas dependem dos estados lgicos das
entrada dos dados a serem calculados e o entradas.
resultado das operaes, devem estar na forma Um nmero decimal pode ser codificado
decimal, que o cdigo comum aos humanos. de tal maneira que a operao digital possa ser
V-se, ento, a necessidade de desempenhada utilizando-se nmeros binrios.
componentes lgicos conversores, dotados de A converso de um sistema para o outro
circuitos codificadores e decodificadores que realizada por circuitos codificadores. O circuito
realizem as converses decimal-binrio ou que tem a funo inversa denominado
binrio-decimal. decodificador.

Figura 17-20 Diagrama bloco bsico de uma calculadora

Circuito Codificador Na figura 17-21 a seguir, temos um


Um codificador consiste de portas circuito codificando um grupo de chaves que
lgicas que convertem um nmero decimal para representam nmeros decimais, para
outro cdigo de representao. fornecimento de um cdigo binrio de 4 bits.

Figura 17-21 Circuito codificador

Quando todas as chaves estiverem Acionando a chave 6, as portas B e C


abertas, teremos nvel 1 (alto) na entrada de tero sada alta, ocasionando a indicao binria
todas as portas NAND, ocasionando todas as 0110.
sadas em nvel 0 (baixo), gerando o
binrio0000. Display de segmentos A apresentao do
Ao pressionarmos a chave 1, um nvel resultado anteriormente descrita, no
baixo na entrada da porta A, ocasionar um satisfatria, pois nem todos os humanos
alto em sua sada, indicando o binrio 0001. compreendem a representao binria. So
Pressionando a chave 2, teremos um necessrios ento, componentes que nos
nvel alto da sada da porta B, acendendo o proporcionem uma forma simples de
Led correspondente, indicando o binrio0010. representao.

17-16
Os displays de sete segmentos so
componentes mais comuns para representao
numrica. Estes displays possibilitam
representarmos nmeros de cimais e alguns
outros smbolos. So compostos por segmentos
Figura 17 24 Representao do quatro (4)
que podem ser ativados individualmente,
permitindo combinaes.
Circuito Decodificador Como o cdigo
interno normalmente utilizado o binrio,
torna-se necessrio um decodificador que
permita a ativao individual dos segmentos.
Este decodificador possui a seguinte tabela
verdade:

BCD 8421 CDIGO DE 7


Figura 17-22 Display de sete segmentos DECIMAL A B C D SEGMENTOS
8 4 2 1 a b c d e f g
Para formao do algarismo zero (0), 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0
necessitamos ativar os segmentos a, b, c, 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0
d, e e f, desativando o segmento g. 2 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1
3 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1
4 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1
5 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1
6 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1
7 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0
Figura 17 23 Representao do zero (0) 8 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
9 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1
A representao do algarismo quatro (4)
requer a ativao dos segmentos b, c, f e As funes da tabela podero ser obtidas
g. atravs do circuito da figura 17-25.

Figura 17-25 Decodificador para Display de sete segmentos

17-17
Somadores e subtratores O somador que executa a soma dos
dgitos mais significativos e que possui uma
Somador Se quisermos somar dois dgitos terceira entrada para o transporte, denominado
binrios, teremos duas entradas para o circuito Somador Completo (Full Adder), sendo
de soma, havendo quatro combinaes para formado por dois Half Adders (H) e uma
estas entradas: (0 + 0), (0 + 1), (1 + 0) e (1 + 1). porta OR.
Na aritmtica binria, 1 mais 1 Um somador ser composto de vrios
(1+1) igual a 0 (zero) e um dgito 1 Full Adder (H), para a coluna menos
transportado para a coluna da esquerda. significativa.

A + B = S T
0 + 0 = 0 0
0 + 1 = 1 0
1 + 0 = 1 0
1 + 1 = 0 1

De acordo com a tabela verdade, a


funo soma (S) pode ser executada por uma
Figura 17-28 Somador para dois dgitos de trs
porta XOR (OU EXCLUSIVA)), e a funo
bits
transporte (T) por uma porta AND.
Subtrator Na aritmtica binria, 0 menos
1 (0 1) igual a 1 e um dgito 1 tomado
emprestado da coluna da esquerda.

A - B = S E
0 - 0 = 0 0
0 - 1 = 1 1
1 - 0 = 1 0
Figura 17-26 Meio Somador (Half Adder)
1 - 1 = 0 0
Para somar as colunas menos Toma 1
significativas, ser suficiente o circuito acima, emprestado
com duas entradas, que denominado Meio
Somador (Half Adder), porm ao somarmos as Analogamente ao somador, para
demais colunas teremos que considerar uma subtrairmos dgitos na coluna menos
terceira entrada, o transporte da coluna anterior. significativa, fazemos uso de um Meio Subtrator
(Half Subtractor) e, para as demais colunas,
utilizamos o Subtrator Completo (Full
Subtractor).

Figura 17-29 Meio Subtrator (Half Subtractor)

Um subtrator ser composto de vrios


Full Subtractors (FS), para as colunas mais
significativas e um Half Subtractor (HS), para
Figura 17-27 Somador Completo (Full Adder) a coluna menos significativa.

17-18
chave. No multiplexador, a seleo feita de
acordo como valor digital das entradas de
seleo (S0), (S1) e (S2), com pesos binrios 1,
2 e 4, respectivamente. As entradas de A a
H, correspondero a valores decimais de 0 a
7. Na sada, teremos o nvel da entrada, cujo
valor decimal corresponde ao valor binrio das
entradas seletoras.
Figura 17-30 Subtrator Completo (Full Os Demultiplexadores so componentes
Subtractor) que distribuem o nvel de uma nica entrada,
para uma, dentre as vrias sadas, de acordo
com o valor binrio das entradas seletoras.

Figura 17-31 Subtrator para dois dgitos de trs


Bits

Multiplexadores e Demultiplexadores Figura 17-34 Demultiplexador

Os Multiplexadores so componentes
que permitem selecionar um dado, dentre
diversas fontes, como uma chave seletora de
vrias posies.

Figura 17-35 Circuito equivalente

Figura 17-32 Multiplexador


CIRCUITOS SEQUENCIAIS

Os circuitos combinacionais vistos


anteriormente apresentam as sadas dependentes
de variveis de entrada.
Os circuitos seqenciais tm as sadas
dependentes de variveis de entrada e de seus
estados anteriores que foram armazenados.
Circuitos seqenciais so normalmente
sistemas pulsados, isto , operam sob o
comando de pulsos denominados Clock.
Figura 17-33 Circuito equivalente Dentre os componentes utilizados em
circuitos seqenciais, o Flip-Flop um
Atravs do circuito equivalente dispositivo fundamental, que permite, por suas
verificamos que a sada poder estar ligada a caractersticas, o armazenamento de estados
qualquer das entradas, bastando posicionar a lgicos anteriores.

17-19
Flip-Flop

Flip-Flop um dispositivo que possui


dois estados estveis. Um pulso em suas
entradas poder ser armazenado, e transformado
em nvel lgico estvel.
H vrios tipos de Flip-Flop, que podem
ser representados basicamente conforme a
figura 17-36. Figura 17-38 Flip-Flop RS comandado por
CLOCK

Flip-Flop JK Os Flip-Flop RS possuem um


estado no permitido, quando as entradas R e
S so iguais a 1 acarretando uma sada
Figura 17-36 Flip-Flop indeterminada. O Flip-Flop JK resolve este
problema, utilizando um RS realimentado.
Um pulso na entrada S, ser
armazenado, tornando Q verdadeiro e Q
falso. Um pulso na entrada R , ser
armazenado, tornando Q falso e Q
verdadeiro.

Flip-Flop tipo RS (Latch)


Figura 17-39 Flip-Flop JK
S R S1 R1 Q, Q
A 1 0 0 1 1 0 De acordo com o circuito, o FF JK, com
as entradas J e K no estado 1, ter seu estado
B 0 0 1 1 1 0
complementado a cada clock, isto , se estiver
C 0 1 1 0 0 1
setado (sada Q = 1), complementar (Q - >0
D 0 0 1 1 0 1
e Q - > 1), se estiver ressetado (sada Q = 0),
E 1 1 ilegal complementar (Q - > 1 e Q - > 0).

Flip-Flop JK Mestre-Escravo No FF JK, no


momento em que o Clock for igual a 1, o
circuito funcionar como um combinacional,
passando o estado das entradas J e K
diretamente para a sada.
Para evitar este inconveniente, criou-se o
Flip-Flop JK Mestre-Escravo (Master-Slave),
que consiste basicamente de dois FF JK,
permitindo a comutao do FF, apenas na
Figura 17-37 Flip-Flop tipo RS transio positiva ou negativa do Clock.
Flip-Flop RS comandado por Clock
Substituem-se os inversores na entrada do RS
bsico, por portas NAND.

S R CLK S1 R1 Q Q
A 1 0 0 1 1 0 0
B 1 0 1 0 1 1 0
C 0 0 0 1 1 1 0
D 1 1 1 ilegal Figura 17-40 Flip-Flop JK Mestre-Escravo

17-20
Flip-Flop tipo T Consiste de um FF JK com
as entradas J e K interligadas. Sua caracterstica
de complementar-se toda vez que a entrada
estiver igual a 1, mantendo-se no ltimo
estado quando a entrada for igual a 0.

Figura 17-42 Flip-Flop tipo D

Contadores

So circuitos digitais compostos de Flip-


Flops, que variam seus estados, sob comando de
Figura 17-41 Flip-Flop tipo T um Clock, de acordo com uma sequncia pr-
determinada.
Flip-Flop tipo D Consiste de um FF JK com O que determinar a capacidade de um
as entradas interligadas atravs de um inversor, contador, ser o nmero de Flip-Flop utilizados.
permitindo que seja setado (colocado no
estado 1) quando, no momento do Clock a Contador de pulsos Consiste de um grupo de
entrada estiver igual a 1, e que seja FF Master-Slave de comutao na transio
ressetado (colocado no estado 0), quando, negativa do Clock, configurados em srie, de tal
no momento do Clock a entrada estiver igual a modo que a sada de cada estgio ter a metade
0. da frequncia do estgio anterior.

Figura 17-43 Contador de pulsos

Contadores decrescentes sadas Q dos FFs. A tabela verdade de um


O circuito que efetua a contagem contador crescente corresponder ao
crescente o mesmo para contagem complemento da tabela de um contador
decrescente, com a diferena de utilizar as decrescente.

Figura 17-44 Contador decrescente

17-21
Registradores (Shift Registers) de um componente denominado Registrador de
Deslocamento (Shift Register), que compe-se
O flip-Flop tem a caracterstica de de um certo nmero de Flip-Flops, de forma que
armazenar o valor de um bit, mesmo que sua as sadas de um alimentem as entradas do FF
entrada no esteja mais presente. Se seguinte. Cada estgio do registrador
necessitarmos guardar informaes com uma armazenar o sinal de entrada no momento do
quantidade de bits maior que um (1), o Flip- Clock. Sero necessrios tantos Clocks,
Flop ser insuficiente. Para isso utilizamo-nos quantos forem os bits a serem armazenados.

Figura 17-45 Registrador de Deslocamento (Shift Register)

Este tipo de registrador bastante No acesso Seqencial, o endereamento


utilizado nas converses de sistemas seriais para ser feito em sequncia, isto , para uma dada
sistemas paralelos, onde a entrada recebe os posio de memria todos os endereos
sinais serialmente, recebendo ao final a precisam ser acessados desde o primeiro
informao completa paralela. endereo. Em virtude disto, o tempo de acesso
depender do lugar onde a informao estiver
MEMRIAS armazenada.
Como exemplo comparativo, podemos
Memrias so dispositivos que citar a fita cassete. Para acessarmos uma msica
armazenam informaes. Essas informaes que esteja no meio da fita, precisaremos
podero ser nmeros, letras, ou caracteres percorre-la desde o princpio.
quaisquer No acesso Aleatrio, o endereamento
feito diretamente na palavra desejada, sem
Tipos de memrias necessidade de passar-se pelas posies
intermedirias. Estas memrias so conhecidas
Podemos classifica-las quanto a: por RAM (Random Access Memory). Como
a) Acesso. principal vantagem tm o tempo de acesso, que
b) Volatilidade. reduzido e idntico para qualquer endereo.
c) Possibilidade de regravao. Como exemplo comparativo, podemos
d) Reteno. citar um disco. Para acessarmos qualquer
msica, bastar posicionar o brao do toca-
Acesso As memrias armazenam as discos na mesma.
informaes em reas internas chamadas
endereos. Volatilidade Podem ser volteis e no
Dependendo da codificao utilizada, volteis. As memrias volteis so aquelas que
cada endereo conter um conjunto de bits, ao perdem a informao armazenada quando da
qual chamamos palavra.Cada endereo interrupo da sua alimentao.
conter uma palavra de memria. As memrias no volteis so aquelas
Podemos acessar palavras de memria que mantm armazenadas as informaes,
de duas maneiras: mesmo na ausncia de alimentao.

-Acesso Seqencial. Possibilidade de regravao As memrias de


-Acesso Aleatrio. Escrita / Leitura permitem o acesso a qualquer

17-22
endereo, para consulta da informao (Leitura) conveniente lembrar que, embora as
(Leitura) ou para alterao da informao EEPROMs permitam regravaes, a sua
(Gravao). aplicao diferente das RAMs. As
So utilizadas em processos onde EEPROMs, assim como as EPROMs,
necessria a constante alterao das PROMs e ROMs, so utilizadas para
informaes. So normalmente identificadas armazenamento de informaes que durante um
como RAM (Random Access Memory). processo so apenas consultadas, como as
As memrias apenas de Leitura (Read instrues para sequncia de um programa. A
Only Memory ou ROM) so aquelas cuja caracterstica de regravao em alguns tipos de
informao somente estar disponvel para ROM, tem por finalidade permitir alteraes
Leitura. nestas instrues, sem a necessidade de
So utilizadas em processos onde a substituio de componentes.
informao necessria para consulta ou
inicializao de uma rotina. Possuem Reteno Classificam-se em Estticas e
capacidade de armazenamento, isto , Dinmicas.
quantidade de endereos, inferior s RAMs. As memrias de armazenamento
Esttico, retm os dados inseridos enquanto a
Quanto a esta classificao podemos citar: alimentao estiver presente.
As memrias Dinmicas, por outro lado,
a) PROM (Programable Read Only possuem um efeito capacitivo, isto , perdem as
Memory) - So memrias apenas para informaes carregadas, aps um determinado
leitura, que permitem que a sua tempo, necessitando de ciclos peridicos de
programao, isto , a gravao inicial recarga (Refresh Cycle). As memrias
seja feita pelo usurio. Esta gravao Estticas so mais caras e de menor capacidade.
permanente, no permitindo alteraes,
passando ela a operar como uma ROM. Endereamento
b) EPROM (Eraseble / Programable Read
Only Memory) So memrias que Como j foi visto anteriormente, cada
funcionam como PROMs, que posio de memria, acessada atravs de um
permitem, porm o seu apagamento e endereo, logo teremos tantos endereos
posterior regravao. O processo de quantas forem as posies de memria. A
apagamento possvel por meio de um capacidade de memria corresponder
banho ultravioleta, atravs de janelas quantidade de endereos possveis.
no seu encapsulamento. Com dois bits como variveis,
c) EEPROM So EPROMs que obtemos quatro combinaes, que nos permitem
permitem sua regravao por meios acessar quatro endereos: posies 00, 01, 10 e
eltricos, sem necessidade de banhos 11. Com n bits variveis podemos obter 2n
Ultravioleta. endereos.

Figura 17-46 Memria RAM de quatro bits

17-23
Palavra de memria Cada endereo de Os conversores tm por finalidade
memria corresponder a quantidade mnima de transformar sinais digitais em analgicos e vice-
informaes que poder ser acessada. Esta versa.
informao poder compor-se de um ou mais
bits. Sistemas Analgicos e Digitais
Esta quantidade de bits por endereo,
chamada de palavra de memria, depender Entende-se por ANALGICA, toda
dos circuitos associados a ela e ao cdigo variao linear ou contnua de um sinal.
interno utilizado. Grandezas fsicas como temperatura, presso,
As palavras mais comuna compem-se tenso, resistncia, variam de forma analgica.
de 8, 16 ou mesmo 32 bits. A cada posio
acessada, sero lidos paralelamente 8, 16 ou 32
bits.

Byte o nome dado ao agrupamento de bits


que represente um tipo de informao
identificvel e depender da filosofia do
fabricante do equipamento.
Normalmente um byte composto por Figura 17-47 Grfico de variao Analgica
8 bits.
Qualquer caractere significativo ser Entende-se por DIGITAL, toda variao
representado na forma de um BYTE. Uma discreta, isto , em degraus definidos ou steps.
memria com 1 kilobytes (1 kB), indica uma
capacidade de armazenamento de 1000
caracteres.

Aplicao

Memrias so aplicadas de formas


diversas, mas sempre que for necessrio o
armazenamento temporrio ou permanente de
informaes. Figura 17-48 Grfico de variao Digital
Uma informao poder ser um valor a
ser processado, o resultado de uma operao, ou Os sistema digitais, como internamente
mesmo a prpria sequncia com as instrues da se utilizam de valores binrios, somente
operao. reconhecem duas variaes discretas, o zero (0)
Valores fixos ou variveis, em e o um (1). Aos sinais utilizados por estes
processamento, so chamados DADOS. sistemas chamamos digitais binrios.
Seqncias de instrues de operao so
chamadas de PROGRAMAS.
As instrues de um programa, so
normalmente armazenadas em memrias do tipo
ROM, pois so informaes fixas. Dados so
armazenados normalmente em memrias do tipo
RAM.
Figura 17-49 Grfico de variao digital binria
CONVERSO DE SINAIS
Amplificadores operacionais So componentes
Existem basicamente dois tipos de lineares cuja finalidade amplificar uma
sinais: Analgicos e Digitais diferena entre dois sinais, possuindo ganho
Sistemas digitais e analgicos no so controlvel. Diferenas de amplitude entre dois
compatveis entre si, necessitando de sinais so amplificadas gerando uma sada
conversores. proporcional a entrada.

17-24
O limite de amplificao, isto , o valor
mximo de amplitude de sada, depender das
alimentaes do amplificador, limitando-se aos
seus valores. A partir da, o amplificador estar
saturado, mantendo a sada fixa at que a
diferena entre as entradas seja reduzida.

Conversor Digital-Analgico

utilizado quando for necessria a


Figura 17-50 Amplificador operacional converso de uma varivel digital em varivel
analgica.
A existncia de duas entradas, sendo A varivel digital normalmente
uma inversora e a outra no inversora permite codificada em BCD 8421. A sada analgica
que, dependendo de sua utilizao, o sinal de assumir valores de grandeza correspondentes
sada seja normal ou invertido. s variaes digitais da entrada.

Figura 17-51 Conversor D / A

Figura 17-52 Circuito bsico

Sistemas de computao digital, no so O conversor efetua vrios passos at a


capazes de gerar sinais analgicos linearmente, converso final, utilizando-se de um contador,
mas dependendo da preciso desejada, podero um conversor D / A, um amplificador
ser utilizados mais bits, que gerando mais operacional atuando como comparador e Flip-
steps, daro condies de gerao de sinais Flops.
bastante prximos dos analgicos. O circuito basicamente constitudo por
um contador de dcada, gerando um cdigo
Conversor Analgico-Digital BCD 8421, que aplicado ao conversor D/A,
que por sua vez apresenta na sada uma tenso
utilizado quando for necessria a de referncia (VR). Esta tenso de referncia
converso de uma varivel analgica em comparada no amplificador operacional, com o
varivel digital. sinal analgico de entrada (Ve).

17-25
Figura 17-53 Conversor A / D

Enquanto VR for menor que Ve, a sada contador e, simultaneamente habilitando a


do operacional habilitar o incremento do transferncia do contedo do contador para os
contador a cada clock.Quando VR = Ve, o Flip-Flops, que apresentaro na sada o valor
operacional dar sada 0 desabilitando o digital correspondente entrada analgica.

17-26
CAPTULO 18

SISTEMAS DE COMUNICAO

PRINCPIOS DA COMUNICAO Ao produzir esta descarga nos eletrodos


do transmissor, outra fasca semelhante, mas de
Hertz, um jovem fsico alemo, foi quem menor intensidade, era produzida,
no ano de 1888 realizou uma srie de simultaneamente, no receptor que estava
experincias, que revelaram ao mundo cientfico colocado a uma distncia de dois metros do
a existncia e caractersticas que ele, na poca, transmissor.
chamou de foras eltricas que se dispersam, e Hertz demonstrou com esta experincia
que correspondem s ondas eletromagnticas, que certa classe de eletricidade podia ser
cuja existncia havia sido provada conduzida atravs do espao (uma vez que no
matematicamente pelo grande fsico ingls existia nenhum condutor metlico entre o
Maxwell. transmissor e o receptor), de modo que assim foi
Para descobrir as ondas eletromagn- descoberto o princpio da telegrafia sem fio.
ticas, ou ondas de rdio, Hertz utilizou vrios Nas experincias realizadas posterior-
aparelhos de laboratrios que consistiam, mente por Hertz, ele descobriu que essa classe
primariamente, de uma garrafa de Leyden ou de ondas se propaga em crculos concntricos,
capacitor, utilizado como fonte de energia em todas as direes, e que so refletidas por
eltrica; a eletricidade armazenada na garrafa de metais, do mesmo modo que os raios de luz so
Leyden era conduzida por dois arcos metlicos, refletidos por um espelho. Alm disso,
que terminavam em duas bolas de Cobre descobriu que esta classe de ondas capaz de
chamadas de eletrodos. Este conjunto constitua atravessar substncias como a madeira, o vidro,
o transmissor ou gerador das ondas magnticas. tecidos etc.
Como receptor, Hertz utilizou um anel Na parte superior da figura 18-2
de cobre que terminava em dois eletrodos ilustramos a maneira como as ondas se
similares aos do transmissor. dispersam, ou seja, de maneira circular, tendo
A figura 18-1 ilustra os dois aparelhos como centro os eletrodos.
utilizados por Hertz em sua experincia original.

Figura 18-1 Experincia de Hertz Figura 18-2 Propagao das ondas eletroma-
gnticas
Quando a eletricidade armazenada na
garrafa de Leyden alcanava sua intensidade A figura 18-3 ilustra graficamente que as
mxima, uma descarga eltrica ocorria entre os ondas que atravessam substncias tais como a
eletrodos ou bolas de cobre, produzindo uma madeira, so refletidas pelas superfcies
fasca eltrica. metlicas, como folhas de zinco do teto da casa.

18-1
de maneira semelhante ao cdigo Morse, usado
ento na telegrafia com fio.
A primeira comunicao por rdio Assim
que, no ano de 1895, Guilherme Marconi, um
jovem cientista italiano, utilizando as idias
originais de Hertz e Branly, intercalou uma
chave telegrfica no circuito do transmissor,
para obter uma aplicao prtica dos citados
aparelhos. Alm disso, Marconi acrescentou
uma antena ao transmissor, e outra ao receptor,
e, utilizando uma bobina de induo, que um
dispositivo capaz de proporcionar uma corrente
Figura 18-3 Propagao das ondas atravs dos eletrnica de maior intensidade que a garrafa de
corpos Leyden, conseguiu aumentar a potncia das
ondas irradiadas pelo transmissor.
Hertz tambm mediu a velocidade destas Mediante o emprego de tais dispositivos,
ondas, descobrindo que era a mesma das ondas Marconi, em 1898, conseguiu fazer uma
de luz, isto , aproximadamente 300.000.000 de comunicao sem fios (radiotelegrfica) a uma
metros por segundo (300.000 quilmetros por distncia de dois quilmetros, sendo que, nesta
segundo). data, lhe foi concedida na Inglaterra a primeira
Hertz no deu nenhuma aplicao prtica patente sobre aparelhos de telegrafia sem fio.
s suas experincias, uma vez que ele era apenas A partir dessa data Marconi fez rpidos
um cientista. Entretanto, a posteridade honrou progressos, conseguindo, em 1898, estabelecer
seu nome, batizando esta classe de ondas como uma comunicao sem fios entre dois navios de
Ondas Hertzianas (ou Artesianas), expresso guerra separados por uma distncia de 40
esta comumente usada para identificar as ondas quilmetros. Nessa altura, Marconi j havia
de rdio. instalado e era proprietrio da primeira estao
Como resultado das explicaes dadas telegrfica comercial, situada na Ilha de Wight,
anteriormente, deduzimos que o transmissor na Inglaterra. Nos primeiros meses de 1901,
utilizado originalmente por Hertz era um Marconi alcanou seu maior xito ao receber a
gerador de fascas ou descarga eltrica. Em letra S atravs do Atlntico; a transmisso foi
realidade, cada vez que se produz uma fasca feita de Gales, na Inglaterra, e recebida em St.
eltrica geram-se ondas de rdio. John Newfoundland, no Canad.
O aluno, provavelmente, ter notado isso
ao escutar o rudo que produz um receptor de A vlvula Audion Durante o processo de
rdio, quando ligamos ou desligamos um aperfeioamento da lmpada incandescente, o
aparelho da linha de fora, quando apagamos seu inventor, Thomas Alva Edison, observou
uma lmpada ou quando produzida uma que, ao colocar uma placa metlica no interior
descarga eltrica entre a terra e as nuvens (raio). do bulbo de vidro de sua lmpada
Isto se deve a que, em todos esses casos, so incandescente, conforme mostrado na figura 18-
reproduzidas fascas eltricas que do origem s 4, os eltrons fluam do filamento para a placa,
ondas de rdio, as quais so captadas pelo embora no houvesse uma ligao fsica entre
receptor, interferindo com os programas que aqueles dois eletrodos (em lies futuras
estamos escutando. mostraremos com mais detalhes tal fenmeno).
Mais tarde o cientista francs Branly Edison registrou tambm em seus
aperfeioou o aparelho inventado por Hertz, apontamentos, que a corrente eletrnica
conseguindo maior sensibilidade. somente circulava do filamento para a placa;
No ano de 1891, a maior parte dos porm, como ele estava apenas interessado em
cientistas da poca compreendeu a grande aperfeioar sua lmpada incandescente, ele no
aplicao prtica que se podia dar s ondas deu muita importncia a esse fenmeno. No
hertzianas, como um meio para manter obstante, o fsico ingls Sir Ambrose Fleming
comunicaes sem fio, mediante uma interessou-se vivamente por essa descoberta e
combinao de sinais de longa e curta durao, lhe deu uma aplicao prtica, utilizando esse

18-2
princpio como um meio para fazer com que a intensidade no audfono; da o nome AUDION
corrente eletrnica flusse em uma s direo. sugerido por De Forest para sua vlvula
eletrnica.
Apesar da enorme importncia desta
descoberta, usada ento somente para receber
sinais provenientes de transmissores de fascas,
muito tempo se passou at que o mundo
compreendesse seu verdadeiro valor.

Ondas ou vibraes produzidas ao se agitar a


gua Voc, certamente j ter observado o
fenmeno ou efeito interessante que ocorre na
gua ao arremessarmos uma pedra na superfcie
tranqila de um lago.
Recordar-se- que uma srie de
ondulaes se estendem em crculos
concntricos, a partir do lugar onde cair a pedra.
Figura 18-4 Experincia de Thomas Edison

Somente mais tarde que a grande


importncia de tal descoberta foi posta em
prtica, graas aos trabalhos do Dr. Lee De
Forest, outro grande cientista, cujas descobertas
abriram as portas para o desenvolvimento da
radiotcnica.
A figura 18-5 mostra o novo conjunto
onde De Forest conseguiu fazer com que os
sinais escutados no audfono fossem mais fortes.
Figura 18-6 Propagao de ondas na gua

A figura 18-7 mostra um corte


transversal da superfcie do lago. Como vemos,
a linha horizontal que atravessa a figura
representa o ponto de repouso, ou seja, a
superfcie que marcaria o nvel da gua se ela
estivesse absolutamente tranqila.

Figura 18-5 Vlvula de De Forest Figura 18-7 Forma da onda

Com esta descoberta realizada em 1906, Usando esta linha como ponto de
era possvel agora no somente detectar as referncia, observa-se que uma parte da
ondas de rdio como tambm amplifica-las, ondulao formada por uma crista, ou ponto,
produzindo-se, desta forma, sons de suficiente onde a superfcie da gua alcana sua maior

18-3
altura. A outra parte da ondulao est Assim fica demonstrado que a gua
constituda por um fundo, ou ponto, onde a gua somente o meio propagador das vibraes, ou
alcana seu nvel mnimo. ondas, originadas ao se chocar a pedra com a
Se colocarmos um pedao de madeira ou gua, pois nem o pedao de madeira, ou cortia,
cortia, sobre a superfcie da gua, no local e nem a gua se movimentam para a margem do
onde caiu a pedra, observaremos que a madeira, lago, como sucede com as ondas.
ou cortia, no se movimenta em direo Na figura 18-8 eliminamos a gua, de
margem do lago, como sucede com as modo que somente fica a representao grfica
ondulaes, porm sobe e desce marcando as das ondas, produzidas como resultado do
cristas e os fundos das ondas que se propagam choque da pedra na gua.
na superfcie da gua. Conforme ilustra a figura 18-9, a
distncia compreendida entre a linha que marca
o nvel normal (nvel zero) e uma crista, ou um
fundo, chama-se amplitude da onda.
Desta caracterstica depende a
intensidade ou potncia da onda, pois quanto
maior for a intensidade da onda, tanto maior
Figura 18-8 Representao grfica das ondas ser sua amplitude.

Figura 18-9 Amplitude de onda

Por exemplo, no caso das ondas oposio causada pela separao de ar entre os
produzidas na gua, quanto maior for a distncia dois eletrodos, antes que se forme o arco
entre as cristas e os fundos, tanto maior ser a voltaico produzido pela fasca.
intensidade das mesmas. Assim que o arco voltaico produzido,
as ondas geradas alcanam sua mxima
amplitude, caindo de intensidade logo em
Ondas de rdio amortecidas e contnuas seguida, devido queda de potencial na fonte de
energia que produziu a fasca.
Na figura 18-10A, ilustramos a forma Esta representa uma grande desvantagem
das ondas irradiadas por um transmissor de pois, como podemos observar, o ponto de maior
fascas. intensidade das ondas de muito pouca
Pelas explicaes dadas anteriormente, durao, de modo que grande parte da energia
deduzimos que esta forma de onda se inicia com do transmissor perdida na formao de ondas
uma amplitude ou intensidade mnima e que vai de pouca intensidade.
aumentando progressivamente at alcanar sua Como essas ondas vo gradualmente
intensidade mxima, passando novamente a cair perdendo sua intensidade, elas so conhecidas
de intensidade at se extinguir completamente. pelo nome de ondas amortecidas.
Isto se explica pelo fato da energia Na figura 18-10B temos um outro tipo
eletrnica entre os eletrodos do transmissor de de onda no qual a amplitude se mantm
fasca ter que vencer nos primeiros instantes a constante desde o momento em que se inicia a

18-4
transmisso at o momento em que se suspende Hertz (Hz) - em lugar de ciclos por segundo
a mesma. (C/s)
Essas so as ondas que podem ser Quilohertz (KHz) - em lugar de quilociclos por
produzidas por meio da vlvula inventada por segundo (KC/s)
De Forest e que proporciona uma maior Megahertz (mHz) em lugar de megaciclos por
eficincia. segundo (mC/s)

O termo frequncia indica o nmero de


ciclos (ondas completas) produzidos num
determinado perodo de tempo.
Por exemplo: a figura 18-12 ilustra uma
frequncia de quatro ciclos por segundo, ou
seja, quatro ondas so produzidas no espao de
um segundo. A frequncia das ondas expressa
em Hertz. Portanto, a representao grfica da
figura 18-12 corresponde a uma onda, cuja
frequncia de 4 Hz.

Figura 18-10 Ondas amortecidas e contnuas

O ciclo - Uma onda completa constitui um ciclo.


Cada metade de uma onda, ou meio ciclo,
apresenta uma alternncia da onda ou semiciclo.
Cada onda, ou ciclo apresenta duas
alternncias: a alternncia situada acima do
nvel normal considerada positiva e a situada
abaixo do nvel normal considerada negativa.
A figura 18-11 ilustra claramente o que
acabamos de explicar. Figura 18-12 Onda com frequncia de 4 Hz

Prefixo Valor Smbolo


Ter 1012 T
Giga 109 G
Mega 106 M
Kilo 103 K
Hecto 102 h
Deca 10 da
Deci 10-1 d
Centi 10-2 c
Mili 10-3 m
Micro 10-6
Nano 10-9 n
Pico 10-12 p
Fento 10-15 f
Atto 10-18 a
Figura 18-11 Alternncias da onda ou ciclo Tabela de prefixos

Frequncia Antes de abordarmos os assuntos Relao entre frequncia e comprimento de


relativos a frequncia, gostaramos de esclarecer onda Para maior simplicidade, considere um
que, em homenagem a Rudolf Hertz, foi alternador fornecendo energia eltrica com a
adotado o termo Hertz em lugar de ciclo por frequncia de 60 Hz por meio de uma linha de
segundo. Assim sendo, teremos: transmisso ligando So Paulo a Manaus,

18-5
passando por Recife. Admita que a velocidade correspondente a um ciclo. O smbolo para
de propagao a CA seja igual velocidade de comprimento de onda a letra grega lambda ().
irradiao eletromagntica no espao livre, que Do mesmo modo, o comprimento de
constante e de 300.000 km por segundo, onda de qualquer onda irradiada pode ser
independentemente da frequncia. determinado multiplicando-se a velocidade
Se o gerador iniciar sua ao geradora no constante pela durao de um ciclo. Como a
ponto de tenso zero da senide, depois de durao de um ciclo igual a um (1) dividido
decorrido meio ciclo (1 / 120 de segundo), o pela freqncia (1 / f), o comprimento de onda
ponto de tenso zero ter percorrido uma igual velocidade constante dividida pela
distncia que pode ser determinada pelo produto freqncia ( = V/F) ou a velocidade igual
da velocidade da onda pela durao de meio freqncia multiplicada pelo comprimento de
ciclo. Esta distncia corresponder a cerca de onde (V = f.). Como V constante, quanto
2.500 km (300.000 x 1/120), que maior a freqncia, menor o comprimento de
aproximadamente a distncia entre So Paulo e onda a vice-versa.
Recife.
Propriedades das ondas sonoras

At agora, ao falarmos das ondas em


geral, somente mencionamos aquelas
produzidas na gua como resultado das
vibraes causadas pelo choque da pedra contra
a gua. No obstante, as caractersticas das
ondas de rdio e das ondas sonoras so
semelhantes as que observamos no lago.
Embora as caractersticas de propagao
tanto das ondas de sonoras como das ondas de
rdio ou eletromagnticas sejam idnticas, elas
so de natureza diferente, pois as ondas sonoras
so vibraes mecnicas, ao passo que as ondas
Figura 18-13 eletromagnticas so vibraes eletrnicas.
No caso das ondas geradas na superfcie
Decorrido o outro meio ciclo (1/60 de do lago, o meio condutor a gua, ao passo que
segundo) o ponto ter percorrido uma distncia no caso das ondas sonoras, o meio condutor ou
de 5.000 km (300.000 x 1/60), que a distncia de propagao geralmente o ar. Quanto s
aproximada de So Paulo a Manaus. ondas eletromagnticas, o seu meio de
propagao continua a ser motivo de
controvrsia entre os cientistas, de modo que
apenas diremos que elas se propagam em todos
os meios.

Representao grfica das ondas sonoras A


figura 18-15 ilustra graficamente um som ou
rudo produzido por uma campainha que vibra
numa velocidade de quatro vezes por segundo.
Observe que, na parte superior da figura esto
ilustradas as compresses do ar por meio de
uma concentrao dos pontos que representam
as partculas de ar. Na parte inferior aparece a
Figura 18-14 forma das ondas produzidas por essa vibrao.
Neste caso, como em exemplos semelhantes, a
Esta distncia de 5.000 km o amplitude mnima das ondas corresponde ao
comprimento de onda da CA de 60 Hz, que a grau mnimo de compresso das partculas de
distncia percorrida pela onda durante o tempo ar, ou seja, rarefao do ar. Na figura 18-15 a

18-6
linha horizontal que atravessa as ondas nico som, mas sim como rudos separados. Isto
corresponde condio normal ou estado das , o ouvido somente percebe como um nico
partculas de ar, quando no h compresso ou som s vibraes acima de 16 Hz; as vibraes
rarefao. abaixo de 16 Hz so ouvidas a intervalos e so
classificadas como rudos, geralmente
desagradveis ao ouvido.
Os sons acima de 20.000 Hz no so
percebidos pelo ouvido humano. O vo do
mosquito, que corresponde mais ou menos a
esta freqncia, o som com maior nmero de
vibraes que podemos perceber. Os sons de
freqncia mais alta no podem ser escutados,
mesmo que sejam de alta intensidade, porque as
membranas auditivas so incapazes de
responder a uma vibrao superior a 20.000 Hz,
Figura 18-15 Representao grfica das ondas embora animais como ces possam perceber
sonoras sons mais altos. Esta a razo porque pastores
usam apitos especiais para chamar ces que
Todos os termos referentes s cuidam de suas ovelhas.
caractersticas das ondas j estudadas so Como os sons cujas freqncias esto
aplicveis descrio de sua forma. Por isso, compreendidas entre 16 e 20.000 Hz so os que
quanto maior a amplitude das ondas sonoras, o ouvido humano pode perceber, essas so
tanto maior ser a intensidade do som percebido conhecidas pelo nome de udiofrequncia ou
pelo ouvido. frequncia audveis. Embora o ouvido humano
Na campainha eltrica, quanto mais forte possa perceber essa gama ou escala de
for o golpe do martelo na campnula, tanto freqncias, as estaes radiodifusoras de AM e
maior ser a amplitude da onda produzida. A os receptores utilizados para receber os
forma das ondas sonoras pode ser vista num programas das mesmas somente reproduzem
instrumento especial denominado osciloscpio. sons compreendidos entre 50 e 5.000 Hz. No
Nas ondas sonoras, a freqncia ou obstante, no sistema de transmisso e recepo
nmero de vibraes por segundo o fator que de frequncia modulada, possvel reproduzir
determina o que comumente se conhece como toda classe de sons cujas freqncias estejam
tom. O tom de uma nota ou som musical compreendidas entre 30 e 15.000 Hz.
classificado de acordo com a freqncia do som.
Os sons de tom baixo ou grave so as notas
musicais cuja freqncia baixa, ao passo que Meios em que se propagam as ondas sonoras
os sons de tom alto ou agudo so aqueles cuja Segundo mencionamos ao iniciar as explicaes
freqncia ou nmero de vibraes por segundo sobre as ondas sonoras, estas so o resultado das
alto. vibraes mecnicas de um objeto no meio
Por exemplo: o violoncelo produz notas condutor. Esse meio deve ser matria, esteja ele
graves ou baixas, porque sua freqncia est no estado slido, lquido ou gasoso.
compreendida entre 60 a 213 Hertz. Algumas substncias, como a gua por
Por outro lado, o violino produz notas exemplo,pode se apresentar em qualquer dos
agudas ou altas, porque a freqncia dos sons trs estados. O estado slido o gelo; o lquido,
emitidos por esse instrumento est a gua; e o gasoso, o vapor da gua.
compreendida entre 230 e 3.072 Hertz. O meio condutor utilizado com mais
frequncia para a propagao do som o ar
Freqncias que o ouvido humano pode (estado gasoso), porm o som pode ser
perceber As freqncias dos sons que o propagado tanto nos lquidos como nos slidos.
ouvido humano pode perceber esto O som, entretanto, no se propaga no vcuo
compreendidas entre 16 Hz como limite mnimo porque, neste caso, no h um meio condutor
e 20.000 Hz como limite mximo. que faa chegar as vibraes at o ouvido,
As ondas sonoras mais baixas, ou seja, conforme demonstra a experincia ilustrada na
inferiores a 16 Hz, no so escutadas como um figura 18-16.

18-7
Praticamente, podemos definir o decibel
como a mudana mnima de intensidade do som
que o ouvido humano pode perceber. Por
exemplo, para escutar uma variao na
intensidade do som de uma nota musical, cuja
intensidade de um decibel, a intensidade do
mesmo som tem que subir a 2 decibis antes que
o ouvido possa perceber a diferena.
O rudo excessivo no prejudica apenas os
ouvidos, mas atinge tambm o sistema nervoso.
Pode provocar o aumento da presso sangunea,
problemas de audio e cardacos. Muitas vezes
por causa do barulho que perdemos o sono,
Figura 18-16 Experincia de propagao do som ficamos irritados e cansados, sem explicao
no vcuo aparente. Estamos cercados de barulho por
todos os lados.
Observe a campainha eltrica instalada A relao a seguir lhe dar uma idia dos
no interior de uma campnula de vidro, da qual rudos que nos perturbam.
possvel se extrair o ar por meio de uma
bomba pneumtica que rarefaz totalmente o ar Tique-taque de relgio 20 db
no interior da campnula. Conversao normal 50 db
A experincia em questo iniciada com Liquidificador 80 db
a campainha funcionando. medida que o ar Limite permitido por lei no RJ 85 db
extrado do interior da campnula, os sons vo Apitos e sirenes 90 db
gradualmente se extinguindo, at desaparecer Buzina estridente de automvel 100 db
por completo, quando todo o ar for bombeado Serra circular ou trem 110 db
para fora. Conjunto de guitarras 120 db
Motor a jato Perigo 130 db
Velocidade de propagao do som A Gol do Flamengo no Maracan 130 db
velocidade de propagao do som depende da Fogos de estampido 130 db
matria que utilizada como meio condutor. Liminar de audibilidade humana 140 db
Entretanto, podemos dizer que o som se propaga Foguete espacial 180 db
com maior velocidade e eficincia nos lquidos
e nos slidos que no ar. Somente sons e rudos na faixa de 10 a
Na tabela a seguir podemos comparar a 140 decibis so captados pelo ouvido humano.
velocidade de propagao do som em diversas Os de menos de 10 so inaudveis e os
substncias. superiores a 140 provocam ruptura dos
tmpanos.
Velocidade em metros
Substncia Velocidade e frequncia das ondas de rdio
por segundo
Ar 331 Como mencionamos no princpio desta lio, a
Ferro ou ao 5.100 velocidade de propagao das ondas de rdio
gua 1.400 igual velocidade de propagao da luz ou
Cobre 3.292 ondas luminosas. Isto se deve ao fato das ondas
Vidro 5.500 de rdio, as ondas luminosas e as ondas
calorficas apresentarem as mesmas
caractersticas, ou seja, todas elas pertencerem
Intensidade do som A unidade empregada ao tipo de ondas de freqncias muito altas,
para descrever a intensidade do som (amplitude conhecidas como ondas eletromagnticas ou
de onda) o decibel, que corresponde a um irradiaes eletromagnticas.
dcimo da unidade utilizada originalmente, a Deduzimos, ento, que as ondas de rdio
qual recebeu o nome de BEL em honra a so apenas uma variedade ou gama diferente das
Alexandre Graham Bell, inventor do telefone. ondas eletromagnticas, distinguindo-se das

18-8
outras por sua frequncia e comprimento de Observe que as ondas de rdio correspondem s
onda. ondas eletromagnticas de frequncia mais
A figura 18-17 ilustra a classificao ou baixa, vindo em seguida as ondas calorficas, as
escala das ondas eletromagnticas, de acordo ondas luminosas, os raios ultravioletas, etc.
com sua frequncia e comprimento de onda.

Figura 18-17 Classificao das ondas eletromagnticas

Ondas de rdio correspondem a comprimentos de onda


inferiores a 0,03 cm (0,3 mm). A partir dessas
As ondas de rdio, ou seja, as usadas nos ondas, como a freqncia excessivamente
sistemas de radiocomunicao, esto elevada e o comprimento da onda to
compreendidas entre 100 quilohertz e 1.000.000 pequeno, adotou-se uma unidade especial que
megahertz. Essas ondas, expressas segundo seu permite indicar mais facilmente o comprimento
comprimento de onda, correspondem as de onda. Esta unidade se chama Unidade
compreendidas entre 3.000 metros e 0,03 cent- Angstrom (A), e equivale a dcima
metros (0,3 mm). Essas so as ondas milionsima parte de um milmetro (0,0000001
descobertas por Hertz, por meio do transmissor mm). evidente que infinitamente pequena
de fasca. Uma das caractersticas das ondas de para se poder ter um conceito prtico de sua
rdio que no so perceptveis aos sentidos, dimenso.
exceto por seus efeitos quando so aplicados ao Em unidades Angstrom as ondas de
corpo humano com grande intensidade, por calor esto compreendidas entre trs milhes de
meio de eletrodos especiais, como nos aparelhos A (0,3 mm) e 8.000 A.
mdicos de diatermia. Tais ondas so emitidas pelos aquecedores de
gua ( vapor dgua), ferros eltricos de
Ondas infravermelhas ou ondas calorficas As engomar, etc. interessante observar que uma
ondas infravermelhas so de freqncias grande parte dessas ondas so irradiadas pelo
superiores a 1.000.000 de megahertz e Sol, como ondas luminosas e raios ultravioletas.

18-9
Figura 18-18 Espectro de radiao eletromagntica

Ondas luminosas (a luz) Estas ondas se alcana uma temperatura muito elevada, ele
caracterizam por pertencerem nica classe de comea a emitir raios luminosos.
ondas eletromagnticas que a vista humana Alm disso, a luz pode ser convertida em
pode perceber, sem necessidade de um calor, quando os raios luminosos so
dispositivo especial. concentrados por meio de uma lente.
Apresentam caractersticas muito A luz est compreendida entre 8.000 e
parecidas s ondas calorficas, e alguns 4.000 unidades Angstrom. Os raios solares
cientistas as consideram como o fim do abrangem toda esta gama do espectro das ondas
espectro. A prova disso que, quando um corpo eletromagnticas.

18-10
Raios ultravioletas A luz ou raios ultravioletas Estas explicaes serviro,
esto compreendidos entre 4.000 a 120 unidades indubitavelmente, para dar ao aluno um
Angstrom. Parte desses raios so produzidos conceito mais definido da classificao e
pelo Sol. Artificialmente, eles podem ser caractersticas das ondas eletromagnticas, a
produzidos por meio de lmpadas eltricas cuja famlia pertencem as ondas de rdio que,
especiais, as quais so usadas freqentemente no momento, nos interessam. No obstante, ao
no tratamento de certas enfermidades. estudarmos a televiso, teremos a oportunidade
de utilizar os conhecimentos adquiridos sobre as
Raios X Os raios X esto compreendidos entre outras classes de ondas eletromagnticas.
os comprimentos de onda correspondentes a 120 Apesar das ondas de rdio, as ondas
unidades Angstrom e 0,06 da mesma unidade (6 calorficas e as ondas luminosas pertencerem
centsimos de 1 Angstrom). A caracterstica mesma famlia, seria errneo crer que so
principal dessas ondas eletromagnticas que parecidas em todos os aspectos, pois a diferena
so capazes de atravessar toda sorte de tecidos, em frequncia e comprimento de onda entre elas
couros, telas, madeiras e uma grande parte dos enorme. Entretanto, devemos ter presente que
metais. todas as classes de ondas eletromagnticas so
Os raios X so usados, principalmente, manifestaes de energia em diversas formas e,
para tirar fotografias do interior do corpo em muitos casos, possvel transforma-las em
humano, sendo, tambm, usados na indstria movimentos mecnicos, como sucede com o
para fotografar a estrutura de peas metlicas de calor utilizado para impulsionar mquinas ou
alumnio, ao, etc. locomotivas.

Raios Gama e Raios Csmicos As ondas Classificao detalhada das ondas de rdio As
eletromagnticas de maior frequncia e menos ondas eletromagnticas, que correspondem s
comprimento de onda que se tem ondas de rdio utilizadas hoje em dia, so
conhecimentos definidos so os raios gama, que classificadas em vrias faixas, de acordo com o
so o produto das emisses ou irradiaes de comprimento de onda e com os servios a que
elementos radioativos, como o Rdio e o se destinam nos sistemas de radiocomunicaes.
Urnio. Como se observa na parte inferior da
Os raios so produzidos nesses figura 18-19, as ondas de rdio normalmente
elementos pela desintegrao atmica utilizadas podem ser divididas em seis blocos
espontnea dos mesmos. No obstante, grande principais, que englobam as diversas faixas de
parte desses raios pode ser produzida freqncias.
artificialmente por meio de possantes aparelhos No primeiro bloco temos as freqncias
de Raios X ou, pela desintegrao artificial, compreendidas entre 100 kHz e 550 kHz,
como no caso da bomba atmica. freqncias estas que correspondem faixa de
Na medicina, esses raios de baixa ondas longas. Essa faixa compreende diversos
intensidade so usados para destruir tumores tipos de comunicaes, inclusive os radiofaris
cancerosos, empregando-se neste caso, o Rdio. (para orientao da navegao area). Alm
Os sais radioativos so usados tambm na disso, na Europa, existe tambm radiodifuso
indstria, pois tm a propriedade de emitir raios (emissoras comerciais) nessa faixa.
de baixa proporo e, como so visveis na No segundo bloco temos as freqncias
obscuridade (fosforescentes) encontram compreendidas entre 550 kHz e 1600 kHz, que
aplicaes na fabricao de mostradores de correspondem faixa de ondas mdias. Nesta
relgios e ponteiros. faixa, esto localizadas, exclusivamente,
Embora os Raios Gama sejam os ltimos emissoras comerciais de radiodifuso
a respeito dos quais se tenham noes claras, (Broadcasting).
sabe-se que existem outros raios de menor No terceiro bloco temos as freqncias
comprimento de onda que a cincia chama de compreendidas entre 1600 kHz e 30 MHz, que
raios csmicos secundrios, por se acreditar que correspondem faixa de ondas curtas. Nessa
sejam encontrados nos espaos interplanetrios. importante parte das ondas de rdio esto
Isso tudo que se sabe a respeito dos mesmos localizadas as radiodifusoras internacionais (nas
at hoje. faixas de 49, 31, 25, 16 e 13 metros), bem como

18-11
as radiodifusoras das chamadas faixas No quinto bloco temos as freqncias
tropicais (90 e 60 metros). Tambm na faixa de compreendidas entre 300 e 3.000 MHz, que
ondas curtas esto localizadas diversas faixas correspondem faixa de freqncias ultra-
destinadas s comunicaes entre radio- elevadas (UHF).
amadores (160, 80, 40, 20, 15, 11 e 10 metros). Esta faixa compreende radio-
Alm disso, localizam-se tambm nessa faixa comunicaes em geral, radioamadores,
inmeros outros servios de radiocomunicaes, estaes repetidoras, emissoras de TV em UHF,
tanto governamentais como de empresas radares, radioastronomia, etc.
privadas, operando em fonia, telegrafia e No sexto e ltimo bloco esto as
teletipo. freqncias compreendidas entre 3.000 e
No quarto bloco esto as freqncias 300.000 MHz, que abrangem freqncias super-
compreendidas entre 30 MHz e 300 MHz, que elevadas (SHF de 3.000 a 300.000 MHz) e
correspondem faixa de freqncias muito freqncias extremamente elevadas (EHF de
elevadas (VHF). Nesta faixa temos as emissoras 30.000 a 300.000 MHz), que correspondem
de TV em VHF, radiodifuso em FM, alm de faixa de microondas.
diversos sistemas de radiocomunicao ( radio- Estas faixas compreendem sistemas de
amadores, aeronutica, polcia, servios rastreamento de satlites artificiais, telemetria,
pblicos, etc.). sistemas de radioenlaces, etc.

FAIXA DE DESIGNAO DESIGNAO EXEMPLOS DE


FREQUNCIA TCNICA LEIGA UTILIZAO
300 Hz a Ondas Extremamente
E. L. F.
3000 Hz Longas Comunicao para submarinos, para
3 KHz a escavao de minas e etc.
V. L. F. Ondas Muito Longas
30 KHz
30 KHz a
L. F. Ondas Longas
300 KHz Auxlio navegao area, servios
300 KHz a martimos, radiodifuso local.
M. F. Ondas Mdias
3000 KHz
3 MHz a Ondas Tropicais Radiodifuso local e distante, servios
H. F.
30 MHz Ondas Curtas martimos (Estaes Costeiras).
30 MHz a Transmisso de TV, sistemas comerciais e
V. H. F.
300 MHz particulares de comunicao, servios de
300 MHz a segurana pblica (poli-cia, bombeiros, etc).
U. H. F.
3000 MHz
3 GHz a Comunicao pblica longa distncia:
S. H. F. sistemas interurbanos e internacionais em
30 GHz
30 GHz a radiovisibilidade, tropodifuso e satlite.
E. H. F.
300 GHz
E.L.F. - Extremely Low Frequency V.H.F. - Very High Frequency
V.L.F. - Very Low Frequency U.H.F. - Ultra High Frequency
L.F. - Low Frequency S.H.F. - Super High Frequency
M.F. - Medium Frequency E.H.F. - Extremely High Frequency
H.F. - High Frequency

Figura 18-19 Classificao de sistemas rdio

Principais sistemas de radiocomunicaes emitido pela antena de um radiotransmissor


usualmente, chamado de Onda Portadora.
Num transmissor de onda contnua o Convm salientar que a onda portadora
sinal de sada possui sua amplitude uniforme em no a mensagem propriamente dita, mas sim o
todos os ciclos. veculo que leva tal mensagem para um ponto
Um sinal de RF desse tipo, por si s, no distante.
contm nenhuma informao til. Entretanto Nas ltimas dcadas foram
possvel introduzir-lhe certas modificaes, desenvolvidas inmeras tcnicas para
tornando-o capaz de transportar uma modificar uma onda portadora, a fim de que
mensagem; por este motivo, o sinal de RF ela possa transportar uma informao til. Cada

18-12
uma dessas tcnicas caracteriza os diversos Devido s suas excelentes caracte-
sistemas de radiocomunicaes atualmente em rsticas, ele usado em larga escala pelas
uso, entre os quais iremos estudar os seguintes estaes de radioamadores, estaes de grupos
sistemas: comerciais, pelos servios de utilidade pblica,
etc.
Radiotelegrafia ( ou CW)
Modulao em Amplitude (ou AM) Transmisso de uma onda contnua manipulada
Modulao em Frequncia (ou FM)
Banda Lateral nica (ou SSB)

No Sistema de Radiotelegrafia, a
mensagem transmitida sob a forma de um
cdigo pr-estabelecido.
Este tipo de transmisso (talvez o mais
eficiente e seguro) utilizado nas comunicaes
entre estaes de radioamadores, nas
comunicaes entre estaes de grupos Figura 18-20 Transmisso por onda contnua
comerciais (bancos, empresas de transporte
areo e martimo), pelos correios, etc. No sistema de radiotelegrafia existem
No Sistema de Modulao em vrios mtodos para se transmitir uma
Amplitude ou Sistema de Amplitude Modulada mensagem sob a forma de cdigo.
(AM), a tcnica empregada consiste em fazer O mais usado na prtica consiste em
com que a amplitude da onda portadora (sinal interromper-se a portadora de RF (onda
de RF) varie no mesmo ritmo da amplitude do contnua) durante intervalos de tempo regulares,
sinal correspondente informao (ou seguindo um cdigo convencional.
mensagem)que se quer transmitir. Aqui, a Esse mtodo denominado
frequncia da portadora no varia. Este tipo de Manipulao da portadora, e neste tipo de
transmisso largamente adotado pelas transmisso utiliza-se o Cdigo Telegrfico
emissoras de radiodifuso (Broadcasting), nas Internacional, tambm conhecido por Cdigo
faixas de ondas mdias e ondas curtas, sendo Morse, em homenagem ao cientista que o
tambm utilizado nas comunicaes entre idealizou, o fsico norte-americano Samuel
estaes de radioamadores, estaes comerciais, Morse.
etc. No cdigo Morse, cada letra do alfabeto
No Sistema de Modulao em (A, B, C,...X, Y, Z), cada algarismo arbico (0,
Frequncia ou Sistema de Frequncia Modulada 1, 2,...7, 8, 9) e cada smbolo de pontuao
(FM), a tcnica utilizada consiste em fazer com (vrgula, ponto de interrogao, ponto de
que a frequncia da onda portadora sofra exclamao, etc.) so representados por uma
deslocamentos num e noutro sentido, num ritmo combinao adequada de Traos e Pontos.
igual frequncia do sinal correspondente A ttulo de ilustrao, mencionamos que
informao que se quer transmitir. Aqui, a a letra C representada por um trao, um
amplitude da portadora no varia. ponto, um trao e um ponto, nessa sequncia, ou
Este tipo de transmisso adotado pelas seja: _ . _ .
estaes de radiodifuso que transmitem msica Para se transmitir uma mensagem em
em alta fidelidade (transmisses monofnicas e cdigo Morse, os traos e os pontos so
estereofnicas). emitidos sob a forma de grupos de ciclos (ou
Ele tambm utilizado nas trens de ondas) com diferentes duraes.
comunicaes de grandes responsabilidades Os pontos correspondem a um grupo de
como nos servios de utilidade pblica (corpo ciclos com pequena durao, enquanto que os
de bombeiros, ambulncias, radiopatrulhas, etc.) traos correspondem a um grupo de ciclos com
entre avies e a torre de controle dos aeroportos, longa durao (trs vezes maior que a dos
etc. pontos). Deste modo, combinando-se grupos de
O Sistema de Banda Lateral nica pequena durao e de longa durao, possvel
(SSB) uma variante do AM. transmitir-se letras, algarismos e smbolos de

18-13
pontuao, de modo a se formar palavras, Transmissor bsico de CW Na figura 18-21
frases, etc. temos o diagrama em blocos, simplificado de
um transmissor de CW.

Figura 18-21 Diagrama de um transmissor de CW

Para se produzir os grupos de ciclos com do sinal RF irradiado pela antena do


longa ou curta durao, utiliza-se um interruptor transmissor.
especial chamado Manipulador ou Chave
Telegrfica. Modulao de Amplitude (AM) Uma onda de
Quando o brao do manipulador RF (onda contnua), cujas amplitude e
pressionado para baixo, os seus contatos se frequncia no variam nos ciclos sucessivos,
fecham e o transmissor irradia a portadora de chama-se Onda portadora no modulada.
RF. Dosando-se os intervalos de tempo durante Para se transmitir uma mensagem til,
os quais os contatos do manipulador vimos que preciso modificar essa onda
permanecem abertos ou fechados, possvel portadora.
transmitir-se uma mensagem em cdigo Morse. Por exemplo, podemos interrompe-la
Na figura 18-21 tambm so mostradas a durante intervalos de tempo regulares, tal como
forma de onda do sinal produzido pelo oscilador se faz nas transmisses em cdigo Morse (ou
de RF (onda contnua pura) e a forma de onda CW); a figura 18-22 ilustra este processo.

Figura 18-22 Transmisso de AM

18-14
Se quisermos transmitir, pelo rdio, os humana ou pelos instrumentos musicais esto na
sons da voz humana ou da msica, deveremos faixa das Freqncias Audveis ou
modular a onda portadora de RF. H vrias udiofrequncias (AF). Essa faixa
tcnicas usadas na modulao de uma onda compreende as freqncias que vo desde 16 Hz
portadora. Primeiramente estudaremos o at 20 kHz (ou 20.000 Hz).
processo da Modulao em Amplitude, ou Vamos imaginar que queremos
simplesmente AM (do ingls Amplitude transmitir uma nota musical de 2 kHz,
Modulation). produzida por um piano. Para isso, em primeiro
A tcnica utilizada no AM consiste em lugar deveremos transformar as vibraes
fazer com que a amplitude da onda portadora sonoras, produzidas pelo piano, num sinal
varie na mesma cadncia da amplitude do sinal eltrico de mesma frequncia (2 kHz, nesse
que se quer transmitir. Por outro lado, a exemplo), o que ser feito utilizando-se um
frequncia da onda portadora no se altera microfone.
durante a modulao. Como sabemos, os sons O processo da modulao em amplitude
(vibraes mecnicas) produzidos pela voz est ilustrado na figura 18-23.

Figura 18-23 Processo da modulao em amplitude

Em A temos a forma de onda do sinal AF ou envolventes de modulao e sua


de AF (2 kHz), fornecido pelo microfone. Em forma de onda a mesma do sinal modulador
B temos a forma de onda da portadora no (sinal de AF).
modulada; este sinal produzido por um Em resumo, o processo da modulao
oscilador de RF. Como o sinal de AF modula em amplitude consiste em misturar ou
o sinal de RF, ele denominado de sinal combinar o sinal de RF com o sinal de AF,
modulador. Em C temos a forma de onda da num dispositivo eletrnico de caractersticas no
portadora de RF (700 kHz) modulada em lineares, ao qual damos o nome de Modulador
amplitude pelo sinal de AF (sinal modulador). de AM.
Observe que a amplitude da portadora Mais uma vez convm salientar que, no
modulada (figura C) varia de ciclo para ciclo, AM, a frequncia da portadora modulada
sendo que esta variao comandada pelo sinal permanece constante (no varia) durante a
modulador de AF. modulao. Como essa frequncia bastante
Na figura C, as linhas interrompidas elevada (700 kHz, no exemplo dado), o sinal de
(ou tracejadas) denominam-se envoltrias de RF modulado em amplitude, ir propagar-se

18-15
facilmente atravs do espao, podendo ser Em outras palavras, quando um sinal de
captado pela antena de um receptor situado a RF modulado em amplitude por um sinal de
milhares de quilmetros do transmissor. AF, alm da portadora de 700 kHz, em nosso
As envoltrias do sinal de RF, exemplo (figura 18-24 C), pela antena do
modulado, tero a mesma forma de onda do transmissor tambm so irradiados outro a dois
sinal modulador. sinais de RF: um deles ter frequncia igual
Na figura 18-24 A, reproduzimos soma das freqncias dos sinais dos sinais de
novamente a forma de onda de um sinal de RF RF e AF, isto , 700 kHz + 2 kHz = 702 kHz,
(700 kHz), modulado em amplitude por um que chamada Frequncia Lateral Superior
sinal de AF (2 kHz). (por ser maior que a frequncia da portadora); o
Se fizermos uma anlise mais profunda outro sinal ter frequncia igual diferena
desse sinal de RF modulado, iremos verificar entre as freqncias dos sinais de RF e AF, isto
que ele corresponde soma de trs outros sinais 700 kHz 2 kHz = 698 kHz, que chamada
de RF, os quais possuem amplitudes constantes Frequncia Lateral Inferior(por ser menor que
e freqncias iguais a: 700 kHz (frequncia a frequncia da portadora). Esses dois sinais
central), 702 kHz (frequncia soma), e 698 kHz esto representados na figura 18-24 B e D,
(frequncia diferena). respectivamente.

Figura 18-24 Forma de onda de um sinal RF

Uma outra maneira de representar o 4 kHz, as freqncias laterais (inferior e


fenmeno da modulao em amplitude, descrito superior) seriam 696 kHz e 704 kHz,
anteriormente, consiste no chamado Espectro respectivamente.
de freqncias tal como ilustra a figura 18-25.
Num eixo horizontal so marcadas as
freqncias dos sinais de RF;
perpendicularmente a esse eixo e atravs de
pequenos segmentos de reta so indicadas as
amplitudes relativas dos sinais de RF.
Observando o espectro de freqncias da
figura 18-25, fcil notar que quanto maior a Figura 18-25 Espectro de freqncias
frequncia do sinal modulador tanto maior ser Modulao em SSB Conforme estudado
o afastamento das freqncias laterais em previamente, os componentes de um sinal de
relao frequncia central. Por exemplo, se a amplitude modulada padro, so a portadora e
frequncia do sinal modulador fosse igual a duas freqncias laterais, espaadas acima e

18-16
abaixo da portadora numa quantidade igual a -Largura da faixa.
frequncia do sinal de modulao. -Potncia de sinal modulante.
Os sinais de amplitude modulada -Sigilo nas comunicaes.
utilizados em Broadcasting padro requerem -Fading seletivo.
uma faixa de passagem de 10 kHz, ou seja, Como desvantagens podemos citar:
admite uma frequncia de udio para modulao -Usa filtros especiais tornando mais caro
de no mximo 5 kHz, enquanto que os sinais de o equipamento.
comunicao tanto militares como comerciais -Utiliza modulador e demodulador
possuem uma faixa de passagem de 6 kHz. especiais.
As freqncias laterais que so -Necessita de oscilador com alta
produzidas pelo processo de modulao em estabilidade
amplitude, so na realidade imagens refletidas
de si mesmas, e qualquer das duas pode ser
modulada para obter a informao transmitida.
Admitindo-se uma frequncia portadora
de 100 kHz e a informao modulante (voz) de
300 a 3.000 Hz, a largura de faixa total do
sistema que opera com as duas faixas laterais
ser de 6.000 Hz, ou seja, duas vezes a maior
frequncia de modulao.
Com os mesmos sinais de portadora e
modulao, a largura da faixa do sistema SSB
de apenas 3.000Hz, pois neste levando-se em
conta que as bandas laterais possuem as mesmas
informaes e que a portadora no transporta
mensagem alguma, transmite-se apenas uma das
bandas laterais.
Com a diminuio da largura de faixa
total em SSB para a metade da largura de faixa
do AM convencional, possvel aumentar para
o dobro o nmero de canais utilizados dentro de Figura 18-26 Comparao entre os espectros de
uma mesma faixa de frequncia. A figura 18-26 freqncia do AM e do SSB
mostra a comparao entre os espectros de
frequncia do AM convencional e do SSB. Modulao de freqncia (FM) No sistema de
Das vantagens que um sistema SSB AM, vimos que a amplitude da onda portadora
oferece em relao a um sistema AM modulada variava de acordo com a amplitude do
destacamos: sinal modulador.
-Economia de potncia.

Figura 18-27 Transmisso de FM

18-17
Quanto maior (dentro de certos limites) a sistema, a amplitude da portadora de RF
amplitude do sinal modulador, tanto maior era a permanece constante durante a modulao,
amplitude da onda portadora modulada. Por enquanto que a sua frequncia sobre
outro lado, durante a modulao, a freqncia deslocamentos (para mais e para menos)
daquela portadora permanecia constante (no proporcionalmente amplitude do sinal
variava). modulador.
J no sistema de modulao em Para entendermos melhor o processo de
frequncia (FM), podemos dizer que as coisas modulao em frequncia, vamos analisar a
acontecem exatamente ao contrrio. Neste figura 18-28.

Figura 18-28 Modulao em freqncia

Em A temos a forma de onda da Se a frequncia do sinal modulador for


portadora no modulada (sinal de RF); em B de 1 kHz (ou 1000Hz), ento a frequncia da
temos a forma de onda do sinal modulador(sinal portadora de RF modulada ir aumentar e
de AF) e, finalmente, em C podemos observar diminuir do sinal modulador de AF, na razo de
a forma de onda da portadora modulada em 1.000 vezes por segundo.
frequncia. Esses desvios de frequncia, como
Observe que o aumento e a reduo da vemos, ocorrem sempre em relao a frequncia
frequncia da portadora de RF depende da da portadora no modulada.
amplitude do sinal modulador.
Durante os semiciclos positivos do sinal PROPAGAO DAS ONDAS ELETRO-
modulador ocorre um aumento na frequncia da MAGNTICAS E ANTENAS
portadora de RF, enquanto que, durante os
semiciclos negativos do sinal modulador ocorre A funo de uma antena a irradiao
uma diminuio na frequncia da portadora de de energia eletromagntica no espao. Aps sua
RF (Figura 18-28 C). irradiao pela antena, a energia se propaga
Por outro lado, a amplitude da portadora atravs do espao at ser captada por uma
de RF no varia. antena receptora ou ser refletida por um objeto,
A velocidade com que a frequncia da como acontece com o radar.
portadora de RF varia (para mais ou para importante conhecer o que acontece a
menos) depende da frequncia do sinal uma onda irradiada (sua trajetria, se
modulador: quanto maior a frequncia do sinal absorvida pelo solo, se refletida pela
modulador de AF, tanto mais rapidamente ir atmosfera, etc.) para saber a distncia que a
variar a frequncia da portadora de RF onda capaz de percorrer antes de ser captada.
modulada. O estudo do que acontece a uma onda

18-18
eletromagntica, aps deixar a antena, que deixam a antena em um ngulo maior do
chamado propagao das ondas. que o formado pela antena e o horizonte so as
Quando uma onda irradiada deixa a ondas celestes ou ionosfricas.
antena, parte da energia se propaga pelo solo, A onda terrestre, as ondas
acompanhando a curvatura da terra e chamada espaciais e as ondas ionosfricas contm a
onda terrestre. O resto da energia irradiado informao transmitida. Entretanto, em certas
pelo espao em todas as direes. As ondas que freqncias uma dessas ondas ser muito mais
atingem o solo entre o transmissor e o horizonte eficiente na transmisso da informao do que
recebem o nome de ondas espaciais. As ondas as outras.

Figura 18-29 Componentes de uma onda irradiada

Na transmisso de freqncias Contudo, abaixo de certa frequncia


relativamente baixas, a maior parte da energia crtica a onda ionosfrica no se propaga em
irradiada est na onda terrestre. Como o solo linha reta, e sim se dobra nas camadas
um mau condutor, a onda terrestre atenuada superiores da atmosfera, voltando terra. Esta
rapidamente e, portanto, no eficaz para onda no propriamente refletida, como
transmisso a grandes distncias a no ser que acontece, luz quando incide em um espelho.
se utilize muita potncia. As estaes de rdio Ela dobrada gradualmente, descrevendo uma
locais so exemplos de transmisso por meio de curva, e , portanto, chamada onda refratada.
ondas terrestres. Nas freqncias em apreo, a Esta onda assim que volta terra, refletida
irradiao efetiva est limitada a um raio de outra vez para o espao, onde, novamente,
cerca de 200 quilmetros do transmissor. Em refratada e retorna terra. Este processo de
consequncia, transmissores em cidades refrao da atmosfera e reflexo da terra
separadas por mais de 200 quilmetros de continua at que a atenuao completa da onda,
distncia podem transmitir na mesma pois a energia de uma onda irradiada diminui
frequncia, sem interferncia mtua. medida que aumenta a distncia percorrida
desde a antena transmissora.
Ondas ionosfricas, espaciais e terrestres Uma antena receptora poder captar o
sinal em qualquer local que incidam as ondas
primeira vista, poderia parecer que as refratadas. Se as ondas ionosfricas fossem
ondas ionosfricas no tm utilidade, irradiadas para as altas camadas da atmosfera
propagando-se em linha reta e perdendo-se no em um nico ngulo, no haveria sinal entre os
espao. Isto realmente pode acontecer com pontos de incidncia da onda refratada com a
freqncias muito altas e, portanto, neste caso a terra. Contudo, as ondas ionosfricas so
onda ionosfrica se perder. irradiadas em todos os ngulos e, assim, a
superfcie terrestre (alm de uma certa distncia

18-19
mnima da antena) totalmente coberta por mxima distncia de irradiao efetiva da onda
sinais de rdio. terrestre e o ponto em que a primeira onda
Com o crescimento do ngulo de ionosfrica volta terra uma rea sem sinais
irradiao, chega-se a um ngulo em que a onda de rdio chamada Zona de Silncio.
deixa de ser refratada e continua a se propagar A freqncia crtica, isto , a freqncia
pelo espao. Em consequncia, h uma zona em acima da qual no h retorno das ondas
torno da antena que no alcanada por ondas ionosfricas, depende de numerosos fatores, tais
refratadas. como a hora do dia, a poca do ano, as
A onda terrestre s eficiente para condies meteorolgicas, etc.
pequenas distncias. Portanto, a zona entre a

Figura 18-30 Ondas ionosfricas, espaciais e terrestres

Como resultado, algumas vezes so freqncias elevadas, a onda terrestre atenuada


estabelecidas comunicaes a grandes rapidamente e a onda ionosfrica no sofre
distncias, por meio de freqncias que refrao e no volta terra.
normalmente no apresentam ondas de retorno. Como resultado, a nica onda irradiada
que pode ser usada para transmisso nessas
Ondas diretas e desvanecimento (*Fading) freqncias a que se propaga em linha reta da
antena transmissora para a receptora. Este tipo
Em freqncias superiores frequncia de transmisso chamado Transmisso de
crtica, a onda terrestre e a onda ionosfrica no horizonte tico, e a onda irradiada uma onda
podem ser usadas para transmisso. Nessas direta.

Figura 18-31 Transmisso de horizonte tico

18-20
Este sistema de transmisso usado em mesma antena transmissora e que percorreram
radar para a deteco de avies e na caminhos diferentes, por exemplo: um sinal
comunicao entre navio e avio. pode ser recebido diretamente da antena
As freqncias usadas so geralmente transmissora e o outro ser refletido por um
superiores a 30 MHz. s vezes, uma antena objeto, digamos um avio.
receptora capta dois sinais provenientes da

Figura 18-32 Desvanecimento

peculiar de se propagar atravs do espao sem o


Como o comprimento relativo dos caminhos auxlio de fios.
est variando constantemente, os dois sinais ora Todas as antenas funcionam segundo o
estaro em fase, ora defasados, e haver a mesmo princpio a corrente na antena cria um
tendncia de um anular ou reforar o outro. O campo eletromagntico que deixa a antena e se
resultado uma variao na intensidade do sinal propaga sob a forma de uma onda
que chega ao receptor, denominada eletromagntica..
desvanecimento (Fading). Estudaremos agora as antenas projetadas
para transmisso.
FINALIDADE DE UMA ANTENA As antenas transmissoras trabalham em
freqncias muito mais elevadas do que as da
A finalidade de uma antena transmissora rede de distribuio industrial, e atuam com
converter a energia entregue linha de muito maior eficincia (quanto irradiao).
transmisso em uma onda chamada onda Contudo, sempre a corrente na antena
eletromagntica. Esta onda tem a propriedade que produz o campo eletromagntico a ser
irradiado.

Figura 18-33 Antena transmissora

18-21
Voc pode observar um exemplo O que realmente acontece que o seu
interessante da ao de uma antena, tocando corpo capta ondas eletromagnticas de 60 Hz
com o dedo o terminal de entrada vertical de um que so irradiadas pelas redes que conduzem
osciloscpio. correntes de 60 Hz.
Voc ver na tela do aparelho uma forma Estas linhas agem como antenas
de onda de 60 Hz, que, evidentemente, provm transmissoras, embora no sejam projetadas
do seu corpo. para a finalidade em apreo.

Figura 18-34 Teste de captao de energia pelo prprio corpo

Funcionamento da antena comprimento de onda do extremo aberto, forma-


se uma antena simples conhecida como Dipolo
Quando os fios de uma linha de de meia onda (doublet) ou Antena Hertz.
transmisso aberta so dobrados em ngulo reto A distribuio de tenso e corrente na
com a linha, em um ponto distante um quarto de antena igual da linha de transmisso original.

Figura 18-35 Antena dipolo de meia onda

Embora os potenciais de dois pontos potenciais tm amplitudes iguais e polaridade


quaisquer dos fios da antena (e tambm da linha opostas. O mesmo vlido para a corrente.
de transmisso), eqidistantes dos extremos Portanto, para indicar a polaridade e a amplitude
tenham amplitudes iguais, suas polaridades so nos fios que compem a linha de transmisso e
opostas, tal como acontece com os extremos de a antena, as formas de onda so desenhadas
um enrolamento de transformador, cujos conforme a figura 18-36.

18-22
Figura 18-36 Formas de onda mostrando a polaridade e a amplitude

Observe que as ondas estacionrias de perpendicular direo da corrente e, portanto,


tenso e de corrente indicam que os extremos da antena.
antena so pontos de tenso mxima e de
corrente mnima, enquanto que no centro da
antena a corrente mxima e a tenso mnima.
Sempre que h uma diferena de
potencial entre dois pontos, estabelece-se um
campo eltrico entre eles. Voc aprendeu em
Eletricidade bsica que, quando um capacitor se
carrega, uma placa fica positiva e a outra
negativa. Em consequncia, estabelece-se um
campo eltrico entre as placas do capacitor, no
sentido da placa carregada positivamente, de
acordo com a figura 18-37. Da mesma forma, a
diferena de potencial entre os dois fios de uma Figura 18-38 Campo magntico em torno de
antena tambm gera um campo eltrico com a uma antena
forma e o sentido mostrados abaixo.
Os campos eltrico e magntico so, assim,
perpendiculares.
O campo eltrico e o magntico se
alternam em torno da antena, crescendo,
atingindo o valor mximo, entrando em colapso
e crescendo novamente em sentido oposto, na
mesma frequncia da corrente da antena.
Neste processo de crescimento e de
extino, estes campos do origem s ondas
eletromagnticas que se propagam atravs do
espao, conduzindo a informao transmitida
aos receptores distantes.

ANTENAS BSICAS

O dipolo de meia onda ou antena Hertz


um tipo de antena bsica de ampla aplicao em
Figura 18-37 Campo eltrico em torno de uma muitos tipos de equipamentos transmissores e
antena receptores.
Outra antena bsica a vertical de um
Alm deste campo eltrico, h tambm quarto de onda com extremo ligado terra
um campo magntico gerado pela corrente na (massa), tambm conhecida como Antena
antena. O plano deste campo magntico Marconi. Se um dos elementos de uma antena

18-23
Hertz for removido e o fio que estava preso a quarto de onda restante formam efetivamente
ele for ligado terra, o resultado ser uma um dipolo de meia onda.
antena Marconi. Realmente a antena toma o A figura 18-39 mostra os pontos de
lugar de um dos elementos de um quarto de corrente mxima e tenso mnima na base da
onda, de modo que a terra e o elemento de um antena.

Figura 18-39 Antenas bsicas

Quando se usa uma antena Marconi, o Resistncia de irradiao


solo diretamente sob a antena deve ser um bom
condutor eltrico. Algumas vezes so enterrados Em uma antena dipolo de meia onda, a
tubos de cobre na base da antena para melhorar tenso no centro mnima (praticamente nula),
a condutividade do solo. enquanto que a corrente mxima.
Nos navios, uma antena vertical de um Voc deve lembrar que a tenso no
quarto de onda pode ficar um pouco acima do circuito em srie de ressonncia mnima
convs. Pode-se simular uma terra com quando a corrente atravs dele mxima. Em
vergalhes metlicos ligados massa, pelo seu centro, um dipolo de meia onda equivale a
menos com um comprimento de um quarto de um circuito ressonante em srie, quando opera
onda, colocados na base da antena. Esta terra na frequncia correta.
simulada chamada Plano de terra Um gerador que fornece energia a um
(antigamente chamava-se contrapeso). circuito ressonante em srie trabalha com
Como uma antena dipolo de um quarto resistncia pura, pois XL e XC se anulam a
de onda tem fisicamente a metade do resistncia , praticamente a oferecida pelo fio
comprimento de uma antena de meia onda da bobina.
ligada terra, quase sempre preferida nas Da mesma forma, quando um dipolo de
baixas freqncias (grandes comprimentos de meia onda ligado a uma linha de transmisso,
onda), especialmente quando h limitaes de ela trabalha com resistncia pura. Esta
espao para a montagem da antena. resistncia compreende a resistncia do fio e a
Nas altas freqncias, o dipolo de meio chamada resistncia de irradiao.
comprimento de onda amplamente usado A resistncia do fio desprezvel, e,
porque, embora seja maior do que a antena de assim, s se considera a resistncia de
um quarto de onda, seu comprimento total ser irradiao.
pequeno, e ele pode ser feito de tubos metlicos Entretanto, a resistncia de irradiao
auto-sustentveis. no uma resistncia real.

18-24
Quando a frequncia do transmissor se
eleva, a antena torna-se maior do que meio
comprimento de onda. O circuito em srie est,
ento, operando em uma frequncia superior
sua frequncia de ressonncia. Nesta frequncia
Figura 18-40 Resistncia de irradiao aplicada, a reatncia indutiva maior do que a
reatncia capacitiva e a antena vista pelo
, antes, uma resistncia equivalente transmissor como uma carga indutiva.
que, se fosse ligada em lugar da antena,
dissiparia a mesma quantidade de energia que a
antena irradia pelo espao.
O valor da resistncia de irradiao pode
ser determinado com a frmula de potncia R =
P/I2, onde P a energia irradiada pela antena Figura 18-43 Dipolo Maior, visto como Indutivo
e I igual intensidade da corrente no centro
da antena. Quando a frequncia do transmissor
Para um dipolo de meia onda, a reduzida, a antena torna-se ligeiramente menor
resistncia de irradiao de aproximadamente do que meio comprimento de onda. O circuito
73 Ohms, medida no centro da antena. em srie est, ento, operando em uma
Este valor praticamente constante para frequncia inferior sua frequncia de
dipolos de meia onda trabalhando em qualquer ressonncia.
freqncia. A reatncia capacitiva maior do que a
reatncia indutiva e a antena vista pelo
transmissor como uma carga capacitiva.

Figura 18-41 Resistncia de irradiao

Impedncia da antena Figura 18-44 Dipolo Menor, visto como


Capacitivo
Como um dipolo de meia onda atua
como um circuito ressonante em srie, ele pode Sintonia da antena
apresentar propriedades indutivas ou
capacitivas, medida que varia a frequncia da Voc aprendeu que quando a frequncia
R.F. aplicada antena. do transmissor varia, tambm variam o
Quando a frequncia da R.F. a correta, comprimento eltrico da antena e a impedncia
o dipolo tem exatamente meio comprimento de em sua entrada.
onda e ressonante em srie: sua impedncia Voc tambm sabe que desejvel que a
puramente resistiva e igual resistncia de impedncia da antena seja resistiva para todas as
irradiao. freqncias do transmissor (para o mximo de
Em transmisso, sempre desejvel que energia irradiada), e, para tanto, a antena pode
a antena oferea uma carga resistiva linha de ser posta em ressonncia pela adio de
transmisso, de modo que o mximo de energia indutores ou capacitores para efetivamente
seja absorvido e irradiado pela antena. aumentar ou diminuir o seu comprimento
eltrico.
Por exemplo, se uma antena vertical de
quarto de onda, com extremo terra, for mais
curta do que um quarto de comprimento de
onda, a impedncia de entrada em sua base ser
resistiva e capacitiva.
O comprimento da antena pode ser
Figura 18-42 Irradiao mxima de energia aumentado eletricamente (para torna-la

18-25
ressonante) pela adio de um indutor com o O indutor deve ser ligado em srie com a
valor correto para anular o efeito da antena, em sua base, de acordo com a figura 18-
capacitncia, tornando a antena resistiva. 45.

Figura 18-45 Sintonizando uma antena Marconi

Se uma antena vertical de quarto de comprimento eltrico da antena pode ser


onda, com extremo terra, tiver comprimento diminudo com um capacitor de valor adequado,
maior do que um quarto de onda, a impedncia para anular o efeito da indutncia, tornando a
de entrada na base ser resistiva e indutiva. O antena resistiva.

Figura 18-46 Anulando o efeito da indutncia

Os transceptores usados nas comuni- A antena considerada direcional ao


caes podem fazer uso de acopladores longo da linha de irradiao mais intensa, que
automticos de antena que fornecem o perpendicular parte de corrente mxima na
casamento automtico de impedncia da antena antena. Se estas leituras forem usadas para fazer
com a sada do transmissor. um grfico em trs dimenses, as curvas obtidas
constituiro o diagrama de irradiao da antena.
Diagrama de irradiao O diagrama de irradiao de um dipolo de meia
onda disposta horizontalmente tem o formato
Quando uma antena irradia ondas mostrado na figura 18-47.
eletromagnticas, a irradiao mais forte em Observe que a parte mais espessa do
algumas direes do que em outras. diagrama est em um plano perpendicular ao
centro da antena. Neste plano ocorre o mximo

18-26
de irradiao. A parte mais delgada do diagrama Girando-se a antena 90 graus, em um
est ao longo do seu eixo que corresponde plano vertical, a irradiao mxima tem lugar
linha de irradiao mxima. em um plano horizontal.

Figura 18-47 Diagrama de irradiao do dipolo de meia onda

A figura 18-47 ilustra o caso em que a


antena est isolada no espao, afastada da terra.
Na prtica, a antena fica prxima do solo, de
modo que o padro de irradiao se altera
apreciavelmente.

Diagramas polares

A variao da intensidade de um sinal ao


redor da antena pode ser representada
graficamente por meio dos diagramas polares
como na figura 18-48.
A distncia zero se supe encontrar no
centro do grfico que indica o centro da antena e
as circunferncias dos crculos tangentes se
expressam em graus.
Os valores calculados ou medidos de
intensidade de campo podem ser representados
radialmente numa forma que mostra tanto a
magnitude como a direo para determinada
distncia a partir da antena.
As intensidades de campo no plano Figura 18-48 Diagramas polares
vertical se representam sobre diagramas polares
semicirculares (no indicados na figura) e so A figura 18-49 apresenta alguns tipos de
conhecidos como diagramas polares verticais. antenas usadas em aeronaves.

18-27
Figura 18-49 Tipos de antenas de aeronaves

SISTEMAS DE INTERCOMUNICAO 3 Dois interruptores PTT / HOT MIC,


instalados nos manches.
4 Fones e Jack de fones, instalados nos
Sistema integrado de udio consoles laterais e dois alto-falantes, instalados
no teto da cabine de comando.
O sistema integrado de udio tem as
seguintes finalidades: selecionar, amplificar e Painel de controle de udio (ACP) Os painis
distribuir os sinais de udio, dos receptores, aos de controle de udio, um localizado no lado
fones e alto-falantes; comunicao entre a esquerdo do painel de instrumentos (piloto) e o
cabine de comando e equipes de manuteno, outro localizado no lado direito (co-piloto),
atravs do interfone de rampa; comunicao proporcionam, independentemente, as seguintes
entre os tripulantes, atravs do interfone de finalidades:
cabine, comunicao entre tripulantes e
passageiros, controle do nvel dos sinais de a) Teclas seletoras de microfone.
udio, interconexo do microfone com os b) Botes de udio dos receptores.
transmissores, apresentao simultnea de c) Boto seletor de sensibilidade do Marker
alarmes sonoros com o sistema geral de alarmes Beacon.
e fornecimento de sinais de udio para o d) Boto de filtro.
gravador de voz da cabine. e) Boto seletor de microfone e controle de
volume principal.
Descrio e localizao dos componentes: f) Botes seletores dos receptores de
1 Dois painis de controle de udio (CP) Marker Beacon.
instalados no painel principal e mais um g) Boto de seleo do modo automtico.
opcional. h) Boto do modo emergncia.
2 Uma unidade eletrnica remota (VER), i) Boto dos alto-falantes.
instalada no compartimento eletrnico. j) Boto de chamada da atendente.

18-28
Figura 18-50 Sistema integrado de udio

18-29
Figura 18-51 Localizao dos componentes do sistema integrado de udio

18-30
a)Teclas Seletoras de Microfone O boto externo do tipo rotativo, para
Localizadas ao longo da parte superior do seleo do microfone da mscara de oxignio ou
painel, so teclas do tipo INTERLOCK e microfone labial.
permitem a seleo das seguintes funes: O boto interno um potencimetro para
VHF1, VHF2, VHF3, HF, CABIN, CKPT o controle principal de volume.
RAMP e PAX ADDRS.
Quando pressionada, cada tecla atua do f) Botes Seletores dos Receptores do Marker
seguinte modo: Beacon
- VHF1: O microfone conectado ao VHF1. Localizados na parte inferior do painel
- VHF2: O microfone conectado ao VHF2. de controle, estes botes so do tipo PUSH-ON
- VHF3: O microfone conectado ao VHF3. / PUSH-OFF e selecionam o udio dos
- HF: O microfone conectado ao HF. receptores Marker 1 e Marker 2.
- CAB: Possibilita a comunicao com a
atendente. g) Boto do Modo Automtico (AUTO-SEL)
- CKP RAMP: Possibilita a comunicao com Localizado no lado direito inferior do
o operador de solo. painel de controle, este boto do tipo PUSH-
- PAX ADDRS: Possibilita a comunicao com ON / PUSH-OFF e, quando pressionado,
a cabine. possibilita a seleo automtica do receptor
correspondente ao transmissor selecionado.
b) Botes seletores de udio dos receptores Neste caso, somente possvel, o
Localizados na parte central do painel de controle individual de volume, dos receptores.
controle, estes botes so do tipo PULL-ON /
PUSH-OFF (combinado com um supressor de h) Boto do Modo Emergncia (EMERG)
rudo) que ligam ou desligam os seguintes Localizado na parte inferior direita do
receptores e controlam seus respectivos sinais painel de controle, este boto do tipo PUSH-ON
de udio: VHF1, VHF2, DME1, DME2, ADF1, / PUSH-OFF, quando pressionado, em caso de
NAV1, NAV2. Os botes VHF3, HF e ADF2 falha de um canal de udio, proporciona uma
so opcionais. conexo em paralelo com o outro canal, para os
fones e conexo do microfone para o VHF
c) Boto de sensibilidade do Marker Beacon (VHF1 para o piloto e VHF2 para o lado do co-
Localizado na parte central inferior do piloto).
painel de controle, este boto do tipo de ao As atuaes do boto de emergncia em
momentnea e, quando pressionado, permite a ambos os lados (canais) ou a perda de energia
mudana de sensibilidade do receptor de Marker em ambos, proporciona a conexo do microfone
Beacon selecionado. e fones do piloto para o VHF1 e ADF1 e o do
co-piloto para o VHF2 e NAV1.
d) Boto Filtro (FILT)
Localizado na parte central inferior do i) Boto do Alto-falante (SPKR)
apinel de controle, entre os botes seletores de Localizado na parte inferior esquerda do
udio dos receptores NAV1 e ADF2, este boto painel de controle, este boto, do tipo PUSH-
do tipo PUSH-ON / PUSH-OFF e, quando ON / PUSH-OFF, quando pressionado, permite
atuado, o sinal de identificao de 1020 Hz, a escuta simultnea dos sinais de udio, nos
associado aos sinais de NAV e ADF filtrado, fones e alto-falantes da cabine de comando.
deixando passar somente os sinais de voz.
j) Boto de chamada da Atendente (ATDT
e) Boto Seletor de Microfone e Controle CALL)
Principal de Volume Localizado na parte inferior esquerda do
Localizado na parte central do painel de painel de controle, este boto de ao
controle, este boto a combinao de dois momentnea e, quando pressionado, envia um
botes. tom de udio para a chamada da atendente,
cabine de comando.

18-31
Figura 18-52 Painel de controle de udio

Unidade Eletrnica Remota (REU) A unidade f) - VHF2 ST Ajusta o nvel de SIDETONE


eletrnica remota a unidade central do sistema do microfone, para o amplificador do fone,
de udio e possui dis canais idnticos e durante a operao do VHF2.
independentes, um para o piloto e outro para o
co-piloto. Um terceiro canal agora instalado g) SPKR ST Ajusta o nvel do SIDETONE,
para o sistema de udio do observador. do alto-falante da cabine de comando, durante a
Esta unidade possui todos os circuitos, transmisso.
de comutao, necessrios para o
funcionamento do sistema.
Todos os ajustes de SIDETONE so
acessveis pela parte frontal da unidade.
Os controles e ajustes de SIDETONE,
identificados na parte frontal da unidade, so:

a) PAST Ajusta o nvel de SIDETONE dos


alto-falantes dos passageiros, em funo do
udio do microfone.

b) INPH ST Ajusta o nvel do SIDETONE


para os fones, durante a operao do interfone.

c) HS ST Opcional (Ver ajustes VHF1 /


VHF2).
Figura 18-53 Unidade central do udio
d) VHF3 ST Opcional (Ver ajustes VHF1 /
VHF2). Interruptor PTT / HOT MIC Os dois
interruptores PTT / HOT MIC, instalados no
e) VHF1 ST Ajusta o nvel de SIDETONE manche de ambos os postos de pilotagem, so
do microfone, para o amplificador do fone usados para transmisso e intercomunicao
durante a operao do VHF1. entre os pilotos.

18-32
Este interruptor do tipo deslizante e
possui trs posies a saber:
a) Posio central o interruptor est
desligado.

b) Posio PTT uma posio momentnea


e possibilita a transmisso em VHF ou HF e a
comunicao entre pilotos.

c) Posio HOT uma posio fixa e


possibilita de maneira contnua acomunicao
entre pilotos.

Figura 18-55 Localizao dos alto-falantes da


cabine de comando

Cada painel de controle transmite as


seguintes informaes para a unidade eletrnica:
seleo de todos os transmissores, seleo de
todos os interfones, seleo de mensagens aos
passageiros, o controle de volume de todos os
receptores e posies dos interruptores
ON/OFF, seleo do microfone de mo ou da
mscara de oxignio, controle principal de nvel
de volume, seleo da posio filtro, seleo do
Figura 18-54 Interruptor PTT / HOT MIC
MKR1 e MKR2, sensibilidade do Marker
Beacon, seleo de alto-falante e controle da
Fone, Microfone e Alto-falantes Ambos os
funo emergncia.
postos de pilotagem possuem um par de fones,
H outra linha, para cada painel de
um microfone de mo e um microfone instalado
controle de udio, conectada diretamente
na mscara de oxignio.
unidade central de udio, que permite a ativao
Os Jacks esto instalados nos consoles
do gerador de tons a fim de efetuar a funo de
laterais. Dois alto-falantes so instalados no teto
chamada da atendente.
da cabine de comando, um em cada posto de
pilotagem, permitindo a recepo de udio,
Interfone
sempre que desejada.
Dois outros alto-falantes, exclusivos dos
O avio est equipado com um sistema
sistemas de alarme, tambm so instalados no
de interfone o qual constitudo por quatro
teto da cabine de comando, um em cada posto
modos de operao: Interfone da cabine de
de pilotagem.
comando / rampa, interfone de cabine, interfone
do observador, interfone de cabine de comando.
Operao do sistema Cada painel de controle
de udio possui uma linha, conectada unidade
1) Interfone Cabine de Comando / Rampa -
eletrnica remota, cuja linha envia todas as
usado para comunicao entre o
informaes, sobre as posies dos controles,
operador de solo e a cabine de comando.
para esta unidade (REU).

18-33
2) Interfone de Cabine usado para 4) Interfone de Cabine de Comando
comunicao entre a cabine de comando parte do sistema integrado de udio (j
e a atendente e vice-versa. descrito).
3) Interfone do Observador usado para
comunicao entre pilotos e observador.

Figura 18-56 Interfone de Cabine de Comando / Rampa

composto de um painel que contm Neste modo possvel que o piloto ou o


um Jack de interfone e um boto de ao co-piloto mantenha uma conversao
momentnea, COCKPIT-CALL, para a simultnea ou no, com o operador de terra,
chamada da cabine de comando. atravs do HOT-MIC.
Um painel de interfone de rampa,
instalado no lado esquerdo do nariz do avio. Operao do sistema Quando o interruptor
O interfone cabine de comando / rampa COCKPIT-CALL pressionado, no painel de
ativado pela seleo da tecla CKP / RAMP, no controle do interfone de rampa, um tom de
painel de controle de udio ou atravs do boto 600Hz, gerado pela unidade eletrnica remota,
COCKPIT-CALL, instalado no painel de ser ouvido nos fones e alto falantes da cabine.
interfone de rampa.

18-34
Em seguida o piloto(e ou co- udio) e posiciona o interruptor PTT / HOT
piloto)pressiona o boto CKPT / RAMP, cuja MIC para HOT MIC, ento ele poder falar com
luminosidade aumenta (no painel de controle de o operador de solo.

Figura 18-57 Painel de interfone de rampa

18-35
Figura 18-58 Sistema de Interfone de Cabine de Comando / Rampa

18-36
Interfone de Cabine apresentado pelo sistema de endereamento aos
Este modo possibilita, ao piloto ou co- passageiros.
piloto, falar simultaneamente ou no, com a O interfone de cabine constitudo de:
atendente, atravs do HOT-MIKE. -Uma unidade central de udio, instalada no
Quando o modo interfone de cabine compartimento eletrnico.
ativado a indicao atravs do anunciador CAB -Um conjunto de interfone da atendente,
visvel simultaneamente em ambos os painis instalado no lado esquerdo da cabine, atrs do
de controle de udio e seu sinal sonoro HI-LO assento do piloto.

Figura 18-59 Localizao dos componentes do interfone da cabine de passageiros

A unidade central de udio recebe sinais comando e para os fones dos pilotos e
do microfone da cabine de comando e da atendente.
estao da atendente e controla os sinais de PTT A unidade possui internamente um
da cabine de comando e da atendente e envia gerador de tons.
sinais para os alto-falantes da cabine de Os tipos de tons gerados e apresentados,
passageiros, SIDETONE de endereamento aos com o propsito de chamada e endereamento,
passageiros, sinais sonoros para a cabine de so:

18-37
a) Chamada da atendente, pela cabine de PAX, MUS e boto com a funo de PTT,
comando TOM-HI-LO. localizado no interfone.
b) Chamada da cabine de comando, pela a) Boto CAB Este boto responsvel pela
atendente TOM HI-LO. chamada da cabine de comando, atravs de
c) Chamada para endereamento aos pas- um sinal HI-LO. Quando pressionado, ele
sageiros TOM-HI. cicla at que o piloto e/ou co-piloto
d) Aviso APERTE O CINTO TOM-LO. selecione o anunciador correspondente.
e) Aviso NO FUME TOM-LO. b) Boto PAX Quando pressionado, esse
f) Chamada da atendente, pelos passageiros boto iluminar-se- possibilitando a
TOM-HI. comunicao entre a atendente e os
passageiros..
O suporte da estao da atendente possui c) Boto MUS Quando pressionado, ativa o
trs botes para a seleo das funes CAB, sistema de entretenimento aos passageiros.

DET. A

Figura 18-60 Instalao do painel de controle de udio

Operao A comunicao entre pilotos e O boto CAB fica ciclando at que seja
atendente e vice-versa, efetuada pressionando- pressionado.
se o boto CAB num dos painis de controle de Quando a atendente remove o fone de
udio ou na unidade de controle da atendente. seu brao o interruptor ON/HOOK/OFF HOOK
Na unidade central de udio um sinal de conecta o microfone ao sistema.
udio HI-LO (DIM / DOM) gerado e Quando termina a comunicao, a
distribudo aos alto-falantes para chamar a ligao desativada automaticamente, quando a
ateno. atendente coloca o seu fone no gancho (bero).

18-38
Figura 18-61 Operao do modo interfone cabine dos pilotos

Modo interfone do observador O modo modo intercomunicao. No existem meios


interfone do observador possibilita comunicao de controlar o udio dos receptores. O modo
entre pilotos e observador. interfone do observador consiste de:
H duas verses para o modo de
interfone do observador. a) Um painel de controle de udio,
a) Verso Certificado FAA Esta verso tem instalado direita do painel de forrao
meios de controlar o udio dos receptores e da linha do duto do ar condicionado.
selecionar o modo de intercomunicao da b) Um painel de interconexo de fone e
tripulao. Ela normalmente instalada em microfone, instalado abaixo do painel de
aeronaves com certificado FAA. controle de udio do observador.
b) Verso Certificado CTA Esta verso c) Um microfone labial, instalado acima da
somente controla o volume e o PTT do cadeira do co-piloto.

18-39
Figura 18-62 Painel de udio do observador

Na verso Certificado FAA, o painel de DME 1, DME 2, ADF 1, ADF 2, NAV 1 e NAV
udio do observador composto dos controles 2. Se dois botes forem selecionados os seus
abaixo discriminados. sinais sero superpostos.
Botes dos Receptores Ligam, Botes de seleo de Microfone e
desligam e controlam o volume para seleo das Volume Principal O seletor externo, seleciona
seguintes funes: VHF 1, VHF 2, VHF 3, HF, microfone labial ou microfone de mscara. O

18-40
interno o controle principal de volume, O microfone labial do observador
atuando sobre os sinais que esto sendo constitudo de um fone e um microfone, cujos
enviados para os fones ou auto-falantes da jacks devero ser conectados ao painel de
cabine de comando. controle de udio, do observador.
Atravs do interruptor PTT (HOT), do
- Boto Marker Beacon 1 (MKR1) - Possibilita painel de controle de udio do observador, este
a seleo de udio do Marker Beacon n 1. se comunica com os pilotos.
- Boto Marker Beacon 2 (MKR2) - Possibilita A comunicao, entre o piloto ou o co-
a seleo de udio do Marker Beacon n 2. piloto e o observador, efetuada por meio do
- Boto Intercomunicao (IC) - Possibilita interruptor PTT / HOT MIC (nos manches) ou
comunicao contnua entre o observado e os por meio do boto CKP / RAMP (no painel de
pilotos. controle de udio do piloto ou do co-piloto).
- Boto filtro (FILTER) - Quando pressionado
possibilita a audio do sinal de identificao de Sistemas de Endereamento aos passageiros
1020 Hz do VHF, NAV e ADF.
Os sistemas de endereamento aos
O painel de interconexo de fone / passageiros e entretenimento, possibilitam um
microfone do observador possui os seguintes aviso de voz e msica para os passageiros.
Jacks e interruptores: Possibilita tambm a transmisso de um aviso
a) Jack de Microfone Conecta o para os passageiros atravs dos pilotos e
microfone de mscara ou o microfone atendente, assim como, sinais de tom.
labial. O avio opcionalmente provido de
b) Jack de fone Conecta o fone do msica de bordo para entretenimento dos
observador. passageiros.
c) Interruptor PTT / HOT PTT uma
posio momentnea que permite Descrio e localizao dos componentes O
comunicao entre observador e pilotos. sistema de endereamento aos passageiros,
d) HOT uma posio fixa. possibilita um aviso de voz, comunicao entre
pilotos e atendente e chamada da atendente
Na verso Certificado CTA, o painel de pelos passageiros, assim como gerao de tons
udio do observador possui os controles para a sinalizao de udio.
discriminados a seguir:
- Interruptor Seletor Piloto/Co-piloto Possi- O endereamento aos passageiros
bilita ao observador selecionar o udio do piloto efetuado atravs de:
ou co-piloto. a) Alto-falantes instalados na cabine dos
- Interruptor PTT / HOT Possibilita interco- passageiros e no teto do toalete.
municao com os pilotos. Este interruptor b) Dois interruptores de avisos aos
possui trs posies passageiros No fume e Aperte os
a) Posio central o interruptor est cintos instalados no painel superior
desligado. afim de ativas sinais de udio aos
b) Posio PTT uma posio passageiros.
momentnea e possibilita a comunicao c) Avisos No fume e Aperte os
com os pilotos. cintos instalados nas unidades de
c) Posio HOT uma posio fixa e servio dos passageiros e na parte
tambm permite a comunicao com os superior direita do armrio da atendente.
pilotos. d) Aviso Retorne ao seu lugar
Instalado no toalete e conectado ao
- Controle de volume um potencimetro aviso - Aperte o cinto.
usado para controlar o volume de udio, no fone e) Botes de chamada da Atendente,
do observador. instalados na unidade de servio dos
- HDPH-MIC Jack de fone e microfone. passageiros e toalete.

18-41
Figura 18-63 Localizao dos componentes do sistema de avisos aos passageiros

Operao Os avisos aos passageiros, pelo -Dois pares de luzes de alarme geral, instaladas
piloto/co-piloto, so selecionados no painel de nos lados esquerdo e direito do PMA.
controle de udio (PCA). Os avisos de -Dois botes de cancelamento, instalados ao
mensagens aos passageiros (PAX ADRS) tm o lado de cada par das luzes de alarme geral.
brilho aumentado em ambos os painis (PCA) e, -Um controlador das luzes de alarme, instalado
simultaneamente, o anunciador PAX iluminar- no console lateral direito.
se- na unidade da atendente. -Um interruptor BAT/DIM/TEST, instalado no
O tom da cabine ativado em HI (DIM). painel superior.
O piloto e/ou co-piloto pressiona o PTT -Vrias luzes discretas de indicao de alarme,
do manche ou o PTT do microfone e fala. distribudas em diversos painis da cabine de
Terminada a comunicao, a funo comando.
automaticamente desativada, quando o piloto ou -Uma unidade de alarme sonoro, instalada no
o co-piloto seleciona outra funo relacionada compartimento eletrnico e dois alto-falantes,
ao microfone. instalados no teto da cabine de comando.

Sistema de alarme Painel Mltiplo de Alarmes (PMA) Este


painel consiste de um mostrador de falhas, com
O sistema de alarme alerta os membros capacidade de apresentar at 40 legendas
da tripulao, por meios visuais e sonoros, coloridas e iluminadas.
quando da ocorrncia de qualquer situao Estas legendas so agrupadas em
anormal de vo. mdulos de ateno (WARNING) e alerta
Descrio e localizao dos componentes: (CAUTION), os quais identificam
-Um painel mltiplo de alarmes (PMA), imediatamente o sistema ou equipamento em
instalado no painel principal. falha.

18-42
Figura 18-64 Painel Mltiplo de Alarmes

As legendas em vermelho (WARNING), O PMA tem um circuito que continuamente


quando acesas, indicam a necessidade de uma monitora o suprimento de energia. Caso uma
ao corretiva imediata e as legendas em mbar das entradas de alimentao seja cortada, o
(CAUTION), quando no se requer mdulo POWER OFF ficar piscando. Uma vez
necessariamente uma ao corretiva e imediata. rearmado, o mdulo iluminar-se- num nvel
As legendas dos mdulos so ilegveis estvel, at que a energia seja restabelecida ou a
quando no esto iluminadas. segunda entrada tambm seja cortada.
Quando uma falha ocorre, o mdulo Existem dois tipos de legendas:
correspondente iluminado de modo
intermitente, a uma frequncia de 4 Hz. Assim a) Legendas especficas So as que permitem
que o piloto percebe o alarme, ele pode, atravs aos pilotos a identificao do sistema em falha,
do boto ALARM CANCEL, cancelar a sem a necessidade de maiores informaes de
alternncia da luz, que permanecer qualquer outro painel.
continuamente acesa enquanto a falha persistir.
Se o sinal de falha for removido antes ou depois b) Legendas de sistema So as que indicam
da operao de cancelamento, o mdulo aos pilotos somente o sistema que apresenta-se
indicador apagar-se- imediatamente, indicando em falha. O piloto precisa olhar para o painel
que a falha no mais existe. correspondente ao sistema em falha e observar
Sempre que o mdulo mbar ativado qual a lmpada de indicao ou alarme que est
(acende-se) so gerados dois sinais: um sinal de acesa, a fim de identificar a falha.
massa (4 Hz negativo) para comandar as luzes Exemplo:
de alarme geral (mbar) de advertncia - Porta de entrada dianteira destravada.
(CAUTION) e um outro sinal tpico, para - Legenda DOOR, no painel mltiplo de
disparar o sistema de alarme sonoro. alarmes.
Existem tambm, avisos sonoros - Luz discreta de indicao e alarme
associados s lmpadas vermelhas. Os sinais de FORWARD, no painel de portas,
comandos para estes avisos so gerados no piscando, indicando a porta di