Mecnico de Manuteno

Aeronutica

AVINICOS II
ELETRNICA

1 Edio
23 de Outubro de 2003

INSTITUTO DE AVIAO CIVIL

DIVISO DE INSTRUO PROFISSIONAL
 PREFCIO

Este volume, Eletrnica, contendo as matrias necessrias ao

desenvolvimento da instruo referente a uma parte da habilitao Avinicos,
tem por finalidade padronizar a instruo em todos os cursos de formao de
mecnicos de manuteno aeronutica.
Este volume tem como complemento obrigatrio, o contedo dos
volumes Instrumentos e Sistemas Eltricos e Matrias Bsicas.
Os assuntos tcnicos esto aqui apresentados sob um ponto de vista
generalizado e, de maneira nenhuma, devem substituir as informaes e
regulamentos oficiais fornecidos pelos fabricantes das aeronaves e autoridades
aeronuticas.
proibida a reproduo total ou parcial deste volume sem a autorizao
do IAC (DIP).
de nosso interesse receber crticas e sugestes s deficincias
encontradas para as devidas alteraes em uma prxima reviso.
A correspondncia relativa a esse livro dever ser endereada a:
Instituto de Aviao Civil
Diviso de Instruo Profissional
Avenida Almirante Silvio de Noronha, 369, edifcio anexo,
Rio de Janeiro - RJ - Brasil
CEP 20021-010
Ou enviada ao e-mail: dacg302@uninet.com.br
 AVINICOS II - ELETRNICA

SUMRIO

CAPTULO 1 - CIRCUITOS REATIVOS

Circuito Reativo em srie .................................................................................. 1-1

Circuito RC em srie ........................................................................................... 1-5
Circuito RCL em srie ......................................................................................... 1-8
Ressonncia em srie ........................................................................................ 1-10
Circuito RL em paralelo ..................................................................................... 1-16
Circuito RC em paralelo.................................................................................... 1-18
Circuito RCL em paralelo.................................................................................. 1-20
Ressonncia em paralelo e circuito tanque ideal ..................................... 1-23
Circuito tanque real e circuito tanque com resistor em derivao ....... 1-26
Filtros de freqncia........................................................................................... 1-29

CAPTULO 2 - OSCILOSCPIO

Introduo ............................................................................................................ 2-1

Tubos de raios catdicos .................................................................................. 2-1
Circuito gerador de base de tempo ............................................................. 2-4
Funes bsicas dos controles........................................................................ 2-5

CAPTULO 3 - REQUISITOS PARA ANLISE DE CIRCUITOS

Introduo............................................................................................................ 3-1
Fontes ou geradores de tenso constante .................................................. 3-1
Fontes ou geradores de corrente constante............................................... 3-2
Elementos de circuitos....................................................................................... 3-4
Teorema das estruturas eltricas..................................................................... 3-5
Divisor de tenso e divisor de corrente ......................................................... 3-9
Teorema da superposio ............................................................................... 3-10
Teorema de Thvenin........................................................................................ 3-11
Teorema de Norton............................................................................................ 3-16
Converso do equivalente de Norton para o equivalente de
Thvenin e vice-versa........................................................................................ 3-20
Teorema da mxima transferncia de energia .......................................... 3-22

CAPTULO 4 - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

Introduo............................................................................................................ 4-1
Estrutura da matria........................................................................................... 4-1
Ligao atmica ................................................................................................ 4-2
Materiais semicondutores ................................................................................. 4-2
Juno PN - Formao ..................................................................................... 4-4
Polarizao de uma juno PN ...................................................................... 4-7
Diodo semicondutor........................................................................................... 4-7
Diodo retificador ................................................................................................. 4-8
Ruptura da juno PN ....................................................................................... 4-9
Aplicao do diodo retificador....................................................................... 4-9
I
 Diodo em tenso alternada............................................................................ 4-10

CAPTULO 5 - FONTES DE FORA ELETRNICA

Tipos de fontes de fora ................................................................................... 5-1

Circuitos retificadores ........................................................................................ 5-2
Filtros ...................................................................................................................... 5-5
Tipos de proteo contra sobrecarga.......................................................... 5-9

CAPTULO 6 - TRANSISTOR DE JUNO

Introduo ........................................................................................................... 6-1

Formao das junes PNP e NPN ................................................................ 6-1
Ganhos e amplificao no transistor ............................................................ 6-3
Amplificador em configurao emissor comum ........................................ 6-4
Curvas caractersticas do amplificador em emissor comum................... 6-6
Ganhos do transistor em emissor comum..................................................... 6-8
Caractersticas estticas e dinmicas em um amplificador em
emissor comum ............................................................................................ 6-9
Ganhos dinmicos do circuito emissor comum .......................................... 6-11
Amplificador em configurao coletor comum ........................................ 6-12
Linha de carga no circuito coletor comum................................................. 6-14

CAPTULO 7 - ESTABILIZAO DA POLARIZAO DO TRANSISTOR

Introduo ........................................................................................................... 7-1

Limitaes dos transistores bipolares ............................................................. 7-1
Curva de mxima dissipao de potncia ................................................. 7-3
Instabilidade trmica dos transistores............................................................ 7-5
Valores tpicos de tenses de juno para transistores ............................ 7-8
Mtodos de polarizao para estabilizao da Ic ................................. 7-9
Estabilizao da polarizao de estgios de potncia ........................... 7-11
Resumo ................................................................................................................. 7-13

CAPTULO 8 - AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

Classificao geral dos amplificadores........................................................ 8-1

Freqncias de operao ............................................................................... 8-1
Classes de operao. ....................................................................................... 8-1
Sistemas de acoplamento. .............................................................................. 8-3
Amplificadores de udio bsico..................................................................... 8-6
Amplificadores de udio transistorizados...................................................... 8-6

CAPTULO 9 - OSCILADORES TRANSISTORIZADOS

Introduo ........................................................................................................... 9-1

Princpios de oscilao ..................................................................................... 9-1
Requisitos do circuito oscilador ....................................................................... 9-2
Circuitos osciladores bsicos ........................................................................... 9-3
Multivibrador astvel ......................................................................................... 9-7

II
CAPTULO 10 - TRANSISTORES ESPECIAIS

Introduo............................................................................................................ 10-1
Transistor de efeito de campo......................................................................... 10-1
Transistor de unijuno ...................................................................................... 10-4

CAPTULO 11 - CIRCUITOS INTEGRADOS

Introduo............................................................................................................ 11-1
Microeletrnica ................................................................................................... 11-1
Tcnica de fabricao de circuitos integrados monolticos.................... 11-1
Tipos de encapsulamento e contagem de pinos ...................................... 11-2

CAPTULO 12 - SENSORES

Sensor de umidade ............................................................................................ 12-1

Termistores. ........................................................................................................... 12-1
Dispositivos fotossensveis .................................................................................. 12-2

CAPTULO 13 - REGULADORES DE TENSO

O diodo Zener como regulador de tenso.................................................. 13-1

Caractersticas do diodo Zener....................................................................... 13-1
Especificaes da tenso Zener..................................................................... 13-2
Impedncia dinnica........................................................................................ 13-3
Limitaes do diodo Zener............................................................................... 13-4
Aplicaes do diodo Zener.............................................................................. 13-4
Diodos Zener comerciais................................................................................... 13-5
Regulador eletrnico de tenso..................................................................... 13-7
Sumrio.................................................................................................................. 13-8

CAPTULO 14 - DIODOS ESPECIAIS

Thyristores (RCR) ........................................................................................... 14-1

Curva caracterstica de um Thyristor......................................................... 14-3
O Triac ................................................................................................................... 14-7
Diac........................................................................................................................ 14-8
Fotothyristores .............................................................................................. 14-9
Thyristor bloquevel ........................................................................................... 14-10
Q14-10uadrac.............................................................................................. 14-10
Diodo Shockley ............................................................................................ 14-10
Diodo Tnel .......................................................................................................... 14-10
Diodos emissores de luz (Led)........................................................................... 14-11
Sumrio.................................................................................................................. 14-13

CAPTULO 15 - DECIBIS

Introduo............................................................................................................ 15-1
Relaes de tenso e corrente ...................................................................... 15-2
Nveis de referncia ........................................................................................... 15-2
Medida de potncia ......................................................................................... 15-2

III
 Medidores de potncia .................................................................................... 15-4
Sumrio ................................................................................................................. 15-4

CAPTULO 16 - AMPLIADORES OPERACIONAIS

Introduo ........................................................................................................... 16-1

Caractersticas eltricas.................................................................................... 16-1
Alimentao........................................................................................................ 16-1
Pinagem ............................................................................................................... 16-1
Ampliador operacional como amplificador................................................ 16-2
Aplicaes dos ampliadores operacionais.................................................. 16-2

CAPTULO 17 - TCNICAS DIGITAIS

Sistema de numerao .................................................................................... 17-1

Operaes binrias............................................................................................ 17-5
lgebra de Boole ............................................................................................... 17-7
Circuitos de comutao................................................................................... 17-10
Famlias de circuitos lgicos............................................................................. 17-12
Circuitos combinacionais ................................................................................. 17-15
Circuitos seqenciais ......................................................................................... 17-19
Memrias .............................................................................................................. 17-22
Converso de sinais........................................................................................... 17-24

CAPTULO 18 - SISTEMAS DE COMUNICAO

Princpios da comunicao............................................................................. 18-1
Principais sistemas de radiocomunicaes.................................................. 18-12
Propagao das ondas eletromagnticas e antenas ............................. 18-18
Finalidade de uma antena.............................................................................. 18-21
Antenas bsicas.................................................................................................. 18-23
Sistemas de intercomunicao ...................................................................... 18-28
Sistema de alarme ............................................................................................. 18-42
Sistema gravador de voz.................................................................................. 18-49
Sistemas de radiocomunicao..................................................................... 18-52
Transmissor Localizador de Emergncia ( ELT ) ............................................ 18-62
Sistema de Chamada Seletiva (SELCAL) ...................................................... 18-64

CAPTULO 19 - SISTEMAS DE NAVEGAO

Sistema anemomtrico............................................................................ ........ 19-1

Instrumentos de navegao.................................................................. ........ 19-7
Sistema automtico de direo ............................................................ ........ 19-16
Sistema VOR/LOC GS - MB ................................................................... ........ 19-20
Equipamento Medidor de Distncia (DME)......................................... ........ 19-29
Sistema TRANSPONDER............................................................................. ........ 19-36
Rdio altmetro .......................................................................................... ........ 19-39
Radar meteorolgico............................................................................... ........ 19-42
Piloto automtico............................................................................................... 19-49
Sistema de Referncia de Atitude e Proa .................................................... 19-61
Sistema de Instrumentao de Vo FIS ..................................................... 19-71

IV
CAPTULO 20 - INTRODUO AOS COMPUTADORES

Histrico ................................................................................................................. 20-1

Aplicaes............................................................................................................ 20-1
Termos e convenes ....................................................................................... 20-2
Memria................................................................................................................ 20-3
Entrada e sada................................................................................................... 20-3
Palavras do computador.................................................................................. 20-4
Princpios de funcionamento ........................................................................... 20-4
Unidade Central de Processamento (CPU) ................................................. 20-6
Conceitos de fluxograma................................................................................. 20-8
Linguagem do computador ............................................................................ 20-9

V
 CAPTULO 1
CIRCUITOS REATIVOS
CIRCUITO REATIVO EM SRIE
Para que os equipamentos eletrnicos
(rdio, radar etc.) possam desempenhar suas
funes, os circuitos resistivos, indutivos e
capacitivos so combinados em associaes RL,
RC e RLC. Em virtude de tais associaes
conterem reatncias, as mesmas so chamadas
de circuitos reativos. Todo circuito constitudo
por resistores e que no contenham quantidades
apreciveis de indutncia ou capacitncia, so
considerados como circuitos resistivos.
Quando uma corrente alternada (CA)
aplicada a um circuito resistivo, a corrente e a
tenso do circuito estaro em fase, conforme
figura 1-1
Figura 1-1
Ao se ligar um indutor em srie com um
resistor, a queda de tenso no resistor (ER)
estar em fase com a corrente (IR); porm, a
tenso no indutor (EL) est adiantada de 90.
A figura 1-2A nos mostra um circuito RL
em srie e a figura 1-2B, a relao de fase entre
a corrente e a tenso no indutor e resistor.
A ohms.
Figura 1-2
1-1
Desse modo, pode-se ver que a presena
do indutor no circuito, resulta uma defasagem
de 90 entre as tenses.
A tenso resultante de qualquer circuito
RL pode ser determinada por meio de vetores.
Assim sendo, por intermdio do grfico da
figura 1-3, podemos achar a tenso resultante,
que vem a ser a prpria tenso aplicada.
Figura 1-3
A tenso no resistor tomada sobre o
vetor horizontal e a tenso no indutor, sobre o
vetor vertical: como as tenses esto defasadas
de 90, o ngulo entre elas ser reto.
Traando um paralelogramo baseado
nestes dois vetores, teremos um vetor resultante
(Ea) que a hipotenusa de um tringulo
retngulo. Segundo o teorema de Pitgoras o
quadrado da hipotenusa igual soma dos
quadrados dos catetos; logo:
2
E 2 = E + E 2 ou
a R L
2 2
E = E + E
a R L
Impedncia
Quando um resistor e um indutor esto
ligados em srie, a oposio total passagem da
corrente no uma simples soma aritmtica,
mas sim uma soma vetorial, em virtude da
defasagem de 90 existente entre as tenses no
circuito.
Suponha-se, por exemplo, que um resistor
de 400 ohms esteja ligado em srie com um
indutor, cuja reatncia indutiva seja de 300
A oposio total passagem da corrente
no ser de 700 ohms mas sim de 500 ohms.
Clculo da Impedncia Assim, podemos traar o diagrama
vetorial, conforme figura 1-4, uma vez que ZT
Por intermdio da lei de Ohm, a queda de 2
corresponde hipotenusa e R + XL , soma
2

tenso num resistor (ER) o produto da

dos quadrados dos catetos.
resistncia (R) pela corrente (IT), ou seja:
ngulo de Fase
E = R x I
R T
Denomina-se ngulo de fase (), ao
Como XL representa a oposio ao fluxo ngulo formado pelo vetor da tenso aplicada ao
da corrente, a tenso no indutor (EL) ser: circuito (Ea), com o vetor da tenso (ER),
conforme a figura 1-5.
EL = X L I T Tomando-se por base o valor da corrente,
o ngulo de fase ser positivo, contando no
J que, a tenso aplicada (Ea) no circuito sentido inverso dos ponteiros do relgio, a partir
o produto da corrente (IT) pela oposio total dessa referncia. Uma vez conhecido o ngulo
(ZT), logo: podemos, tambm determinar se o circuito
resistivo, indutivo ou capacitivo, da seguinte
E
a
= Z
T
I
T
forma: o circuito ser resistivo quando , for
igual a zero, indutivo quando for positivo e
Uma vez que: capacitivo quando for negativo.

2 2
Ea = ER + EL

Logo teremos:

2 2
E = (R I ) + ( X I )
a T L T
Figura 1-5
2 2 2
Z T IT = IT (R + XL ) O ngulo de fase poder ser
determinado por meio das funes trigono-
mtricas dos diagramas das figuras 1-6 e 1-7
2 2
Z T IT = IT R + XL

2 2
ZT = R + XL

Desse modo, a impedncia de um circuito

RL em srie, igual a raiz quadrada da soma dos
quadrados da resistncia e da reatncia indutiva. Figura 1-6
E L
E
R
Logo: tg = cos =
ER E
a

Figura 1-4 Figura 1-7

1-2
 XL R resistor, a qual ser o produto da tenso no
Logo: tg = cos =
R Z resistor (E R ) pela corrente (IT ) , ou seja:
T
P = E .I
R R T
Potncia Eltrica
E
No estudo dos circuitos resistivos, a Uma vez que: cos = R
potncia dissipada por um resistor, foi E
a
determinada pelo produto de tenso (E a ) pela
corrente (IT ) , ou seja: P T = E a . IT isto, porm Logo: E =E . cos
R a
no acontece num circuito de CA que contenha
resistncia e indutncia. Portanto: P =E .I . cos
R a T
A corrente no circuito fluir, sendo
limitada pela impedncia, mas a energia
Fator de Potncia:
utilizada para produzir o campo magntico ser
desenvolvida fonte no desenvolvimento do
O fator de potncia de um circuito,
mesmo.
muito importante, porque ele nos permite
Portanto, num circuito de CA que
converter a potncia aparente, em potncia real
contenha resistncia, parte da potncia
ou efetiva.
dissipada no resistor sob a forma de calor e
Define-se como fator de potncia ( fp ) , a
parte devolvida fonte.
Assim sendo, o produto, PT = E a . IT no relao entre a potncia real (Pr ) e a potncia
s d a potncia que realmente est sendo aparente (Pa ) de um circuito.
consumida pelo circuito, mas sim uma potncia P
que aparenta estar sendo absorvida. f = R
p P
Este produto chamado de potncia A
aparente (PA ) , sendo expresso volt/ampre
Como:
(VA), e no em watts, para diferenciar da
potncia real. P =E .I . cos e P = E . I
A potncia aparente (PA ) , poder ser R a T A a T
calculada por qualquer uma das equaes
abaixo: E I . cos
Logo: f = a T
p
P =E . I E I
A a T a T
f = cos
p
2
P =I .Z R
A T T Porm, como: cos =
Z
T
2 R
E Logo: fp =
P = Z
A Z T
T
Em conseqncia, o fator de potncia
poder ser calculado por qualquer um das trs
Sempre que a corrente circula num
equaes apresentadas.
circuito que contenha resistncia e reatncia,
O fator de potncia usualmente expresso
haver sempre por parte do resistor, uma
em frao decimal ou percentagem.
dissipao de potncia, que chamada potncia
real (PR ) , verdadeira ou efetiva do circuito, Exerccio resolvido:
sendo expressa em watts. Calcular o fator de potncia de um
Portanto, para se achar a potncia real de circuito, sabendo-se que a potncia aparente
um circuito que contenha resistncia e reatncia, de 400 VA (Volt/Ampre) e a potncia real de
basta calcular apenas a potncia dissipada pelo 200 Watts.

1-3
 P = 400 VA P = 200 W 100
a R Logo: I = I = 1A
T 100 T
P
Como: f = R
p P Freqncia de Corte
A
200 Qualquer circuito que contenha reatncia,
Logo: f =
p 400 no responder igualmente a todas as
freqncias.
f = 0,5 ou 50 % Ao analisarmos um circuito RL, vimos
p
que seu comportamento foi diferente nas altas
Lei de Ohm freqncias em relao s baixas. No processo
de anlise, somente uma simples freqncia de
A lei de ohm para circuitos de CA, diz cada vez foi aplicada ao circuito.
que, a corrente (IT ) diretamente proporcional Contudo, se um sinal contendo uma faixa
tenso (E ) e inversamente proporcional de freqncias aplicado ao circuito srie RL, a
a
reao do circuito ser diferente para cada
impedncia ( Z T ) . Logo, teremos:
freqncia individual contida neste sinal.
E Por exemplo, conforme a freqncia
I = a diminui, a corrente total aumenta. Haver mais
T Z
T corrente circulando para as baixas freqncias
do que para as altas freqncias.
Exerccio resolvido
O valor da resistncia de um circuito,
Calcule a corrente total do circuito da todavia no afetada por uma variao de
figura 1-8. freqncia, mas XL uma funo direta da
Dados: freqncia. Portanto, num circuito de CC, a
oposio da bobina desprezvel e o circuito
R = 60 ohms considerado resistivo; o ngulo de fase zero e
a potncia real estar no seu mximo valor.
E
a = 100 V
X L = 80 ohms Exemplo:
Considere o circuito srie consistindo de
um resistor de 80 ohms e uma bobina de 12,73
mH, com uma tenso aplicada de 100 vcc.
Desde que o ngulo de fase zero, a
impedncia do circuito ser igual a 80 ohms. A
corrente ser:
Ea
Figura 1-8 IT = 100 IT = 1, 25 A
I =
ZT T 80

Uma vez que: Z = R2 + X2 A potncia real do circuito ter como

T L valor:

Logo: P
R = E a x IT x cos

Z = 60
2
+ 80
2
Z = 100ohms
P
R = 100 x 1,25 x 1
T T P
R = 125 W

E A fonte de CC substituda por uma fonte

Como: I = a de CA de freqncia varivel, com 100v RMS
T Z
de sada. Ao se aumentar a freqncia de sada
T
da fonte, a reatncia indutiva ( XL) aumentar,

1-4
enquanto o valor do resistor permanecer em 80 O termo freqncia de corte usado
ohms. porque, para freqncias abaixo do ponto de
Quando a freqncia atingir a corte, a resposta do circuito considerada (em
500Hz, XL ter aumentando para 40 ohms. muitos casos) abaixo de um valor utilizvel.
Na freqncia de corte, a tenso de corte
Calculando os valores teremos: (E co ) assim como a corrente de corte (Ico ) ,
sero respectivamente:
Z
T = 89,4 ohms
E co = E a x 0,707
I
T = 1,1 A
cos = 0,89 Ico = IM x 0,707

Usando os valores acima observaremos Uma frmula pode ser deduzida para
que a potncia real do circuito diminui com o determinar a freqncia de corte ( fco ) da
aumento da freqncia: seguinte maneira:

PR = Ea x I T x cos Na freqncia de corte:

R = XL
P = 100 x 1,1 x 0,89
R
Como:
P
R = 97,9 W XL = 2 x f x L
Conforme a freqncia aumentada ainda Ento: R=2xf xL
mais, a corrente continuar a diminuir e XL
continuar a aumentar. Teremos: R = 2 x fco x L
Eventualmente atingiremos uma
R
freqncia na qual XL ser igual a resistncia. fco =
2 xL
Por exemplo em 1 KHz:
Onde:
XL = 2 x f x L
fco = freqncia de corte (Hertz)
3 3
XL = 6,28 x 10 x 12,73 x 10 R = Resistncia (Ohms)
L = indutncia em (Henry)
XL = 79,94 ohms

Portanto em 1 K H , XL = R. O ngulo de
z CIRCUITO RC EM SRIE
fase do circuito de 45 e a impedncia total
de 113 ohms.
Desde que XL = R, as tenses As consideraes bsicas feitas para o
circuito RL em srie continuam a ter valor para
EL e ER tambm so iguais.
o circuito RC em srie que agora vamos estudar
A potncia real do circuito : e no qual temos um resistor e um capacitor
associados, como mostra a figura 1-9.
PR = E a x IT cos
PR = 100 x 0,884 x 0,707
PR = 62,5 W
Nota-se que a potncia real foi diminuda
para a metade de seu valor mximo de 125W. A
freqncia em que XL = R EL = ER e a
potncia real foi diminuda para metade de seu
valor mximo, denominada de freqncia de
corte, ponte de meia potncia, ou ponto 0,707. Figura 1-9

1-5
 Num circuito srie contendo resistor e De acordo com o grfico da figura 1-12, a
capacitor, a queda de tenso no resistor (ER ) impedncia ou oposio total ao fluxo da
est em fase com a corrente; porm, a queda de corrente no circuito, ser expressa pela equao:
tenso no capacitor (E C ) est atrasada de 90,
ZT = R 2 + X C2
em relao a ER , conforme nos mostra a figura
1-10.

Figura 1-12

Figura 1-10
Assim, por intermdio do grfico da
figura 1-11, podemos achar a tenso resultante
(E a ) que vem a ser a prpria tenso aplicada,
atravs da composio vetorial entre ER e E C .
ngulo de Fase
O ngulo de fase , como j vimos, o
ngulo formado pelo vetor da tenso aplicada
(E ) com o vetor da tenso (E ) , conforme
a T
nos mostra a figura 1-13. fcil de se verificar
que o ngulo de fase negativo.

Figura 1-13
Figura 1-11
O ngulo de fase poder ser
Do grfico, tiramos a seguinte equao
determinado por meio das funes
para o clculo da tenso aplicada (E a ) ao
trigonomtricas dos diagramas das figuras 1-14
circuito: e 1-15.
2 2 Como:
E = E +E
a R C

Ainda, podemos concluir que a tenso

resultante (E a ) est atrasada em relao a ER
de um ngulo 0 negativo.

Impedncia

Num circuito contendo resistor e Figura 1-14

capacitor, a oposio passagem da corrente E E
no uma soma aritmtica, mas sim uma soma Logo: t = C cos = R
vetorial semelhante ao circuito RL em srie. g E E
R a

1-6
 Como: de um circuito. O fator de potncia ( f ) poder
p
ser calculado por qualquer uma das equaes
seguintes:
P R
f = R f = cos f =
p P p p Z
A T

Freqncia de Corte
Figura 1-15 Um circuito srie RC apresentar uma
X discriminao de freqncia similar, em muitos
Logo: t = C cos = R aspectos, quela encontrada em um circuito
g R Z
T srie RL.
Os termos freqncia de corte, ponto de
Potncia Eltrica meia potncia e freqncia crtica tm o mesmo
significado, conforme previamente definidos.
Todo circuito que contenha resistncia e Nos circuitos sries, a tenso desenvolvida nos
reatncia, parte de potncia dissipada no componentes reativos, depende da reatncia do
resistor sob a forma de calor e parte devolvida componente a qual, por sua vez, depende da
fonte. Portanto, o produto P = E x I , no freqncia.
T a T
Como X uma funo inversa da
nos d a potncia que est sendo consumida C
pelo circuito. freqncia, logo, medida que a freqncia for
Este produto chamado de potncia aumentada, a reatncia do capacitor diminuir e
aparente (P ) . a tenso ser dividida entre o resistor e o
A
capacitor.
A potncia aparente poder ser calculada
A freqncia de corte ser atingida
por qualquer umas das equaes abaixo:
quando a tenso estiver dividida igualmente
P = E x I entre R e C.
A a T
A freqncia de corte de um circuito srie
2 RC pode ser determinada da seguinte maneira:
P = I xZ
A T T
Desde que a freqncia de corte ( f )
2 co
E
PA = a ocorre quando: R = X
ZT C

Sempre que a corrente circule num Substituindo a equao para X , teremos:

C
circuito que contenha resistncia e reatncia,
1
haver sempre por parte do resistor, uma R =
dissipao de potncia, que chamada de 2 xf x C
potncia real, verdadeira ou efetiva do circuito. Substituindo f por f , teremos:
Podemos calcular a potncia real de um co
circuito, por intermdio das equaes abaixo: 1
R=
P = E x I
R R T
e 2 x f CO x C

P = E x I x cos 1
R a T Logo: fco =
2xRxC
Fator de Potncia Onde:FCO = frequncia de corte (Hertz)

Fator de potncia a relao entre a R = resistncia (ohms)

potncia real (P ) e a potncia aparente (P ) C = capacitncia (Farad )
R A

1-7
CIRCUITO RCL EM SRIE A soma vetorial das tenses
E , E e E e igual tenso aplicada (E )
Quando se aplica uma CA em um circuito R L C a
srie contendo resistor, capacitor e indutor, ao circuito. Como a tenso no capacitor E ea
C
conforme figura 1-16, necessrio levar em tenso no indutor E esto defasadas 180,
considerao o fato de que os ngulos de fase L
entre a corrente e a tenso diferem em todos os logo, a tenso resultante da composio vetorial
trs elementos. entre E e E a diferena, j que so vetores
L C
diretamente opostos entre si. Esta tenso
resultante ser somada vetorialmente com a
queda de tenso no resistor (E ) , para a
R
determinao da tenso aplicada (E ) ao
a
circuito. Isto expresso pelo grfico da figura 1-
18.
Figura 1-16 Pelo teorema de Pitgoras, teremos:
Tomando-se a corrente de um circuito
srie como referncia, temos: No resistor, a 2 2
E = E + (E E ) )
tenso (E ) est em fase; no indutor, a tenso a R L C
R
(EL) est adiantada de 90 e no capacitor, a
tenso (E ) est atrasada de 90. Como em
C
qualquer circuito srie, a corrente a mesma,
atravs de todos seus componentes, podemos
concluir que E est adiantada de 90 de E e
L R
E , atrasada de 90 de E , conforme nos
C R
mostra a figura 1-17A.
Logo, podemos compor o diagrama vetorial,
conforme figura 1-17B:

Figura 1-18

Impedncia
A
O raciocnio para o clculo da impedncia
de um circuito RCL em srie de CA
semelhante ao que foi visto para o clculo da
Assim tenso aplicada., a primeira
operao ser a diferena entre X e X , em
L C
virtude de serem vetores diretamente opostos
entre si, conforme nos mostra a figura 1-19.
Este resultado ser composto
vetorialmente com o valor da impedncia.
B
Pelo teorema de Pitgoras, teremos:

2 2
Z = R + (X X )
Figura 1-17 T L C

1-8
 R
cos =
Z
T
Classificao dos Circuitos RCL em Srie:
a) Quando X for maior que X ou E
L C L
maior que E temos: positivo,
C
circuito RL;
b) Quando X for maior que X ou
Figura 1-19 C L
E maior que E temos: negativo,
ngulo de Fase C L
circuito RC;
O ngulo de fase , como j vimos, o c) Quando X for igual a X ou
ngulo formado pelo vetor da tenso aplicada L C
(E ) , com o vetor da tenso (E ) e poder ser E igual a E temos: igual a zero,
a R L C
determinado por meio das funes circuito resistivo.
trigonomtricas dos diagramas das figuras 1-20
e 1-21. Potncia aparente, real e fator de potncia
Como:
Empregam-se as mesmas equaes j
vistas nos circuitos RL ou RC, ou seja:

P =E xI P =I 2 x Z
A a T A T T

E 2
P = a
A Z
T

Figura 1-20 P =E x I P = E x I x cos

R R T R a T

Logo: P
f = R f p = cos
E EC p P
tg = L A
ER
R
E f =
R p Z
cos = T
E
a
Exerccio resolvido:
Como:
Determine no circuito da figura 1-22, a
impedncia, o fator de potncia, a intensidade
da corrente, a potncia aparente, real e a tenso
em cada um dos elementos.
Dados:
X = 900 ohms
L

X = 500 0hms
Figura 1-21 C
R = 300 ohms
X X
Logo: tg = L C
E = 125 V
R a

1-9
 E = 75 V
R
300 500 900
Clculo da tenso no indutor:
E = X x I E = 900 x 0,25
125 V L L T L

E = 225 V
L
Figura 1-22
Clculo da tenso no capacitor:
Clculo da impedncia
E =X x I E = 500 x 0,25
2 2 C C T C
Z = R + (X X )
T L C E = 125 V
C
2 2
Z = 300 + (900 500 )
T
RESSONNCIA EM SRIE
Z = 500
T

Clculo do fator de potncia: Os fenmenos de um circuito ressonante

constituem uma caracterstica muito
R 300
cos = cos = significativa dos circuitos eletrnicos. So
Z 500 encontrados em rdio, radar, televiso,
T
aplicaes em projteis teleguiados, etc. A
cos = 0,6 forma que um aparelho de rdio pode sintonizar
Como: f = cos uma estao desejada, encontra sua resposta no
p estudo dos circuitos ressonantes.
Quando estabelecida a igualdade entre a
Logo: f = 0,6 ou 60% reatncia indutiva e a reatncia capacitiva
p
( X = X ) , a qual determina a igualdade entre
Clculo da intensidade da corrente: L C
as tenses E = E , dizemos que o circuito
E 125 L C
IT = a I = est em ressonncia.
ZT T 500
Esta condio desejvel em vrios
I = 0,25 A ou 250 mA circuitos usados em eletrnica, mas pode trazer
T conseqncias desagradveis, com danos para
Clculo da potncia aparente: os elementos de um circuito, quando no
prevista.
P = E x I P = 125 x 0,25 Sabemos que a reatncia indutiva
A a T A
diretamente proporcional freqncia e que a
P = 31,25 VA reatncia capacitiva inversamente
A proporcional mesma.
Clculo da potncia real: Assim, quando aplicamos uma CA a um
circuito RCL em srie e fazemos a freqncia
PR = E a x I T x cos variar desde um valor praticamente nulo a um
P = 125 x 0,25 x 0,6 valor alto, podemos observar o crescimento da
R reatncia indutiva e a queda da reatncia
capacitiva.
P = 18,75 W
R Numa determinada freqncia as duas
grandezas tornam-se iguais, veja a figura 1-23, e
Clculo da tenso no resistor: o circuito apresenta caractersticas que
E = Rx I E = 300 x 0,25 correspondem condio denominada
R T R ressonncia.

1-10
 Na figura 1-24, temos circuito RCL em
srie, em que podemos calcular a tenso, a
corrente e a impedncia.
A freqncia do gerador pode ser variada
de 100 a 600 K HZ , permitindo dessa maneira
que se observe a conduta do circuito ao entrar e
ao sair de ressonncia.
A corrente do circuito calculada para as
diversas freqncias do gerador. Empregando-se
Figura 1-23 as equaes j conhecidas, para 100 K HZ , tem-
Impedncia se:

Quando o circuito RCL em srie entra em X =2f xL

L
ressonncia, a reatncia total do circuito zero,
2
uma vez que X L e XC se anulam mutuamente X = 6,28 x 2 x 10
L
porque esto 180 defasadas. claro, portanto,
5 3
que quando XL = XC a impedncia ( Z ) do X = 6,28 x 10 x 2 x 10
T L
circuito ser a prpria resistncia (R), uma vez
X = 1256 ohms
que: L
2 2
Z = R + (X X ) 1
T L C
Como: X C =
2f x C
Como: X = X 1
L C X =
C 5 11
Logo: Z = R 6,28 x 10 x 8 x 10
T
X = 19890 ohms
C
Do exposto, evidente, que quando um
circuito RCL em srie entra em ressonncia, a
corrente do circuito mxima, uma vez que a A reatncia efetiva ou total do circuito (X)
impedncia mnima, pois a nica oposio que pode ento ser calculada:
o circuito oferece deve-se somente sua
resistncia. Portanto, a corrente de um circuito X= X X
C L
RCL em srie atinge seu maior valor no ponto
de ressonncia. X = 19890 1256

Anlise do Circuito Ressonante X = 18634

O estudo feito at agora registra as

A impedncia do circuito ser:
condies de um circuito sintonizado no ponto
de ressonncia; contudo, para que se possa 2 2
Z = R + X
entender melhor o comportamento do circuito, T
necessrio analisar as condies que nele
existem, em ambos os lados da ressonncia.
Como X 200 vezes maior que R, a
impedncia pode ser considerada, na prtica,
igual prpria reatncia.

R = 100 Ento, ter-se-: Z = 18634

T
A corrente I , calcula-se pela Lei de
T
E
a
Ohm, logo teremos: IT =
Z
Figura 1-24 T

1-11
 3000 No circuito da figura 27, temos o circuito
IT = I = 16 mA
RCL em ressonncia, onde os medidores nos
18634 T
Em uma anlise do comportamento do mostram as leituras das tenses e correntes.
circuito, podem-se calcular os valores acima
determinados entre os limites de trabalho do
equipamento (100 a 600KHz).
A tabela abaixo (figura 1-25) relaciona os
valores das reatncias, a diferena entre elas, a
impedncia e a corrente no circuito, para cada
freqncia de operao.

FREQ. x x x R Z E I
l c
KHz OHM OHM xi-xc OHM OHM VOLT AMPERE

100 1256 19890 18634 100 18634 300 0,016 Figura 1-27
200 2512 9945 7433 100 7433 300 0,04
398 5000 5000 ZERO 100 100 300 3 E =I x X = 3 x 5000 = 15000 v
L T L
500 6280 3978 2302 100 2302 300 0,13
600 7536 3315 4221 100 4221 300 0,071
E = I x X = 3 x 5000 = 15000 v
C T C
Figura 1-25
A tenso em L ou C igual a 50 vezes a
A figura 1-26 apresenta o grfico da tenso aplicada. A tenso reativa depende da
variao da corrente em funo da freqncia. O corrente que percorre o circuito a qual, por sua
conjunto grfico e tabela mostra claramente que, vez, depende da resistncia hmica.
na freqncia de ressonncia (398), a Desta forma, um circuito ressonante de
impedncia mnima (igual a R), a corrente resistncia pequena capaz de gerar tenses
mxima e as reatncias so iguais. elevadas atravs das reatncias.
Portanto, um circuito srie ressonante Isto se aplica a circuitos que necessitam
RCL atua como se fora um circuito simples, de um ganho de tenso, embora lhes seja
unicamente resistivo. O fluxo da corrente aplicada uma baixa tenso.
limitado exclusivamente pela resistncia.
Freqncia de Ressonncia
A freqncia em que um circuito RCL em
srie entra em ressonncia pode ser determinada
da seguinte maneira:
Como: X =X
L C

Logo teremos:
1
2 f x L =
2f x c

2 2
4 xf x C xL =1
Figura 1-26 2 1
f =
Todavia, as tenses nos elementos 2
4 xLxC
reativos, embora iguais e opostas, podem atingir
valores bastante elevados. Essas tenses so 1
determinadas pela corrente que percorre o f =
r 2 LxC
circuito multiplicado pela reatncia do elemento
(Lei de Ohm). Onde:

1-12
 f = freqncia de ressonncia (Hertz )
r
L = indutncia (Henry)
C = Capacitncia (Farad)
Um exame da equao em apreo faz-nos
concluir que a resistncia do circuito no influi
na sua freqncia de ressonncia e que esta s
depende do produto LC. Isto significa que
circuitos com valores diferentes para L e para C
podem entrar em ressonncia na mesma
freqncia, desde que os produtos LC sejam
iguais.
Por isto, podem-se fazer num circuito,
vrias combinaes de L e C, obtendo-se o
mesmo produto. Sendo constante o produto,
constante ser tambm a freqncia de
ressonncia. Exemplo: uma indutncia de 0,5
mH e uma capacitncia de 32 F iro ressonar
na mesma freqncia (398HZ que uma bobina de
2 mH e uma capacitncia de 80 F.
Curvas de Ressonncia
Como j foi visto, a freqncia de
ressonncia independe do valor da resistncia
do circuito. Um circuito que tenha uma
resistncia de 100 ohms ter a mesma
freqncia de ressonncia que um circuito com
1 ohm de resistncia, desde que o produto LC
seja constante, em ambos os casos. Entretanto, a
intensidade da corrente no circuito cresce
medida que a resistncia diminui.
Se fosse possvel montar um circuito com
resistncia nula, a corrente na ressonncia seria
infinitamente grande.
Na prtica, a resistncia nunca nula, mas
pode ser elevada e dentro dos limites finitos. Na
figura 1-28, temos algumas curvas tpicas de
ressonncia para um circuito que tenha os
mesmos valores L de e C, mas valores
diferentes para a resistncia.
A diferena entre os valores de pico de
cada um das curvas deve-se ao fato das
resistncias possurem valores diferentes.
Observe-se tambm que medida que a
resistncia R aumenta, as curvas de respostas
tornam-se mais achatadas e mais largas nas
proximidades da freqncia de ressonncia.
Se a resistncia de um circuito ressonante
for muito grande, o circuito perde sua utilidade
como seletor de freqncia, por ser diminuta a
discriminao do fluxo de corrente entre as
freqncias que so e as que no o so.
1-13
I
f = freqncia ressonante
r
Figura 1-28
Assim, o circuito perde a vantagem de
seletividade de freqncia.
O Q e a seletividade
A fim de que os receptores de rdio
possam desempenhar suas funes, necessrio
que este selecione uma estreita faixa de
freqncia, rejeitando as demais.
S assim se conseguir separar emissoras
que se acham muito prximas no dial do rdio.
Quanto mais estreita for a faixa de
freqncia, maior ser sua seletividade.
Portanto, seletividade a aptido que tem um
receptor de selecionar um sinal, entre muitos
outros de freqncias prximas.
A seletividade de um aparelho
determinada pelos seus circuitos sintonizados.
Quanto menor possamos fazer a
resistncia de uma bobina, com respeito sua
reatncia, maior ser a seletividade.
A seletividade de uma bobina medida
pela relao Q que igual sua reatncia
dividida pela sua resistncia.
Como a resistncia de um capacitor
mais baixa do que a resistncia de uma bobina,
esta constitui o elo mais fraco do circuito
sintonizado.
O Q do circuito sintonizado o Q da
bobina.
X
L
Q=
R
Como:
E E
L a
X = e R=
L I I
T T
 E
L
I E
Logo: Q = T
Q= L
x T
E I
a T
I T
E da obtida na freqncia de ressonncia.
L
Q =
E Os limites mnimos da resposta em geral,
a
Portanto, o Q de um circuito srie
ressonante vem a ser tambm a relao que
existe entre a tenso no indutor ou no capacitor
(E = E ) e a tenso aplicada (E ) ao circuito.
L C a representa a faixa de freqncia para a qual a
A expresso anterior indica que o Q
varia inversamente com a resistncia do
circuito; quanto mais baixa a resistncia, maior
ser o Q.
As curvas de ressonncia indicam que,
quanto mais baixa for a resistncia do circuito,
maior ser sua discriminao de freqncia. Por
isto, o Q indica a capacidade de um circuito
ressonante para selecionar ou rejeitar uma
determinada faixa de freqncia, sendo por isso,
conhecido como fator de qualidade ou mrito de
um circuito.
Quanto maior for o Q de um circuito
ressonante em srie, maior ser seu valor como
seletor de freqncia.
Influncia do Q no Ganho de Tenso
No circuito da figura 1-27, as tenses nas
reatncias por ocasio da ressonncia so de
15000 volts, ao passo que a tenso aplicada (que
a mesma da resistncia) de 300 volts.
Esta alta tenso depende diretamente da
corrente que percorre o circuito, a qual, por sua
vez, depende da tenso aplicada e da resistncia.
Comparando-se a tenso em uma das
reatncias com a tenso aplicada, tem-se uma
idia exata da qualidade do circuito ressonante.
O circuito ressonante em srie amplifica a
tenso aplicada na freqncia de ressonncia. Se
as perdas do circuito so baixas, o Q do
circuito ser alto e a amplificao de tenso ser
relativamente grande. A amplificao de tenso
do circuito da figura 1-27, ser de:
E fr
Q= L
E Q
a
15000
Q= Q = 50
300
Largura de Faixa
I
Largura de faixa (Band Width) ou faixa de
E passagem de um circuito uma faixa de
a
freqncia na qual a variao da tenso
aplicada, produz resposta que no difere muito
so tomadas na curva de ressonncia a 0,707 do
valor mximo da corrente ou tenso, conforme o
que se esteja calculando.
Na figura 1-29, a rea sombreada
corrente maior que 0,707 do valor de pico.
Observe-se que a metade desta faixa fica acima
da freqncia de ressonncia ( f at f ) e a
r 2
outra metade abaixo ( f at f ) .
r 1
As duas freqncias, uma acima e outra
abaixo da ressonncia, nas quais so obtidas
respostas mnimas, formam os limites da largura
da faixa aceita do circuito.
Os pontos f e f so chamados pontos
1 2
de meia potncia, em virtude desses pontos
corresponderem a 50% da potncia mxima.
A largura da faixa de passagem, tambm
conhecida como passa banda (ban pass), pode
ser determinada pela seguinte equao:
Bw = f f
2 1
Em que:
Bw = faixa de passagem (Hertz )
f = freqncia mais alta que passa pelo
2
circuito (Hertz)
f = freqncia mais baixa que passa pelo
1
circuito (Hertz)
Todavia, como o Q do circuito
determina a largura total da curva de
ressonncia, a faixa de passagem tambm pode
ser calculada baseando-se na freqncia de
ressonncia ( f ) e no Q do circuito, ou seja:
r
Bw =
Em que:
B = faixa de passagem (Hertz)
w
1-14
 f = freqncia de ressonncia (Hertz)
r

Q = qualidade ou ganho

Nesta frmula, permite ver-se que quanto XC = 400

maior for o Q, menor ser a faixa de
passagem e, inversamente, quanto menor for o
Q, maior ser a faixa de passagem.
A freqncia mais baixa que passa pelo
circuito ( f ) assim como a mais alta ( f ) podem
1 2
Figura 1-30
ser calculadas da seguinte maneira:
Clculo da corrente:
E 50
I = I = I = 10 A
R 5
Clculo do Q:
400
Q = X Q = Q = 80
L 5

Clculo da Faixa de Passagem:

Faixa de passagem:

f
r = 160000 = 2000 Hz
Q 80

Para a Curva de Ressonncia, teremos:

Figura 1-29
Como:
Bw Bw
f f = e f f =
r 1 2 2 r 2

Logo:

Bw Bw
f = f f = f +
1 r 2 2 r 2

Exerccio resolvido:
Figura 1-31
Calcule a faixa de passagem do circuito da
figura 1-30, sabendo-se que sua freqncia de
ressonncia de 160HZ e monte sua curva de No rdio, da mesma forma que nos outros
ressonncia. equipamentos eletrnicos, muito freqente o
uso e a aplicao dos circuitos reativos em
Dados: X = 400 ohms paralelo.
L
A importncia dos circuitos reativos em
X = 400 ohms f = 160000 Hz paralelo deve-se ao fato de que eles aparecem
C r
no estudo dos amplificadores eletrnicos e,
R = 5 ohms E = 50v devido a isso, essencial a compreenso das
a
relaes existentes entre tenses, intensidade de
corrente, impedncia e potncia nesses circuitos.

1-15
CIRCUITO RL EM PARALELO

Vimos que, no circuito reativo em srie,

por ser a corrente um elemento constante em
todos os pontos do circuito, tomvamos seu
vetor como referncia, para representao
grfica e clculos.
No circuito reativo em paralelo, porm, o
elemento constante a tenso, ou seja, a tenso
aplicada a mesma em todos os ramos do
circuito. Alm de terem o mesmo valor esto em
fase.
Da a razo porque a tomaremos como
vetor referncia. Figura 1-33

Intensidade de corrente No grfico da figura 1-34, a corrente no

resistor I representada pelo vetor horizontal e
R
Ao se ligar um indutor em paralelo com a corrente no indutor I , pelo vetor vertical. O
L
um resistor, a tenso no indutor (E ) e no
L vetor I orientado no sentido negativo porque
L
resistor (E ) idntica tenso aplicada e
R est atrasado em relao a I .
R
esto em fase entre si.
Todavia, a corrente atravs do indutor est
2 2
atrasada de 90 em relao tenso aplicada, e a I I +I
T = R L
corrente atravs do resistor est em fase com a
tenso aplicada. Logo, podemos concluir que a
corrente no indutor (I ) est atrasada de 90 em
L
relao a corrente no resistor (I ) .
R
A figura 1-32, nos mostra um circuito RL
em paralelo e a figura 1-33, sua relao de fase.
A corrente total de qualquer circuito RL
em paralelo no pode ser determinada pela soma
aritmtica das correntes nos vrios ramais, por
causa da diferena de fase.
Figura 1-34

O mdulo do vetor da corrente de linha I

T
sempre maior do que I ou I , porque ele a
R L
hipotenusa de um tringulo retngulo.
Para se calcular a corrente no resistor e no
indutor, emprega-se a Lei de Ohm:
E E
IR = R IL = L
R XL
Como: E =E = E
a R L

Logo:
Figura 1-32 E
a Ea
I
R
= IL =
R XL

1-16
 Em que: I
L
Logo: tg =
E = tenso aplicada (volts) I
a R

E tenso no resistor (volts) E E

R = a a
Como: IL = e I
R
=
X R
L
E = tenso no indutor (volts)
L

Clculo da Impedncia
A impedncia de um circuito RL em
paralelo pode ser determinada pela Lei de Ohm,
ou seja:
E
a
Z =
T I
T
Figura 1-36
Todavia, nos circuitos CC, vimos que,
para efetuar o clculo da resistncia equivalente E
a
entre dois resistores no circuito, empregvamos X
L
a seguinte frmula: Logo: tg =
E
a
R x R R
1 2
R =
T R + R E
1 2 a R R
Analogamente, nos circuitos reativos em tg = x tg =
X E X
paralelo, podemos calcular a impedncia por L a L
intermdio de uma frmula semelhante a esta. Em funo do diagrama da figura 1-36
Donde, por analogia, teremos: I
R
temos que, o cos =
R x X I
L
Z = T
T 2 2
R x X E E
L a a
Como: I = e I =
R R T Z
ngulo de Fase T

Denomina-se ngulo de fase () , ao

ngulo que a corrente de linha (I ) forma com a Ea
T
tenso aplicada (E ) . Veja a figura 1-35.
a Logo: cos = R
Ea
ZT

E Z Z
a T T
cos = x cos =
R E R
a

Potncia Eltrica
Todo circuito que contenha resistncia e
reatncia, parte da potncia dissipada no
Figura 1-35
resistor sob a forma de calor e parte devolvida
O ngulo de fase () poder ser fonte. O produto PT = Ea x I T , chamado de
determinado por meio das funes potncia aparente, (P ) sendo sua unidade o
a
trigonomtricas do diagrama vetorial da figura
1-36. Volt Ampre (VA).

1-17
 A potncia aparente poder ser calculada O fator de potncia usualmente expresso
por qualquer uma das equaes abaixo: em frao decimal ou percentagem.
P = E x I
A a T
CIRCUITO RC EM PARALELO
2
P = I x Z
a T T As consideraes bsicas, feitas para o
circuito RL em paralelo, continuam a ter valor
E 2 para o circuito RC em paralelo que agora vamos
a
P =
a Z estudar e no qual temos um resistor e um
T
capacitor associados, como mostra a figura 1-
A potncia dissipada pelo resistor 37.
chamada de potncia real, verdadeira ou efetiva Tratando-se de um circuito em paralelo, a
do circuito, sendo sua unidade o Watt. tenso a mesma em qualquer ponto do circuito
e esto em fase entre si.
Podemos calcular a potncia real ( PR ) de
Contudo, a corrente que atravessa o
um circuito por intermdio da seguinte equao:
capacitor est adiantada de 90 em relao
P = E x I tenso aplicada e a corrente que percorre o
R a R
resistor est em fase com a mesma tenso,
Como: conforme nos mostra a figura 1-38.
Isto quer dizer que a corrente capacitiva se
I
cos = R apresenta defasada de 90, em avano sobre a
I corrente resistiva.
T

Logo::
P = E x I x cos
R a T

Fator de Potncia
Defini-se como fator de potncia ( f ) , a
p
relao entre a potncia real (P ) e a potncia
R
aparente (P ) de um circuito.
A
Figura 1-37
P
R
f =
p P
A

Como:
P = E x I e P = E x I
R a R A a T

E x I I
a R
Logo: fp = f = R
E x I p I
a T T

I
R
Porm, como cos =
I
T

Logo: f = cos Figura 1-38

p
No grfico da figura 1-39, a corrente I
Em conseqncia, o fator de potncia R
poder ser calculado por qualquer uma das representada pelo vetor horizontal e a corrente
equaes apresentadas.
no indutor I pelo vetor vertical. O vetor I
C C

1-18
orientado no sentido positivo porque est
adiantado em relao a I .
R

Figura 1-40
O ngulo de fase poder ser
Figura 1-39 determinado por meio das funes
trigonomtricas do diagrama vetorial da figura
A corrente resultante (I ) ou de linha a 1-41.
T
soma vetorial destas duas correntes, ou seja: Como:

IT = I R2 + I C2

O mdulo do vetor da corrente de linha

(IT) sempre maior do que I ou I , porque ele
R C
a hipotenusa de um tringulo retngulo.
Para se calcular a corrente no resistor e no
capacitor, emprega-se a Lei de Ohm:

E Ea
I = a IC =
R Figura 1-41
R XC
I
Logo: tg = C
Clculo da Impedncia I
R

A impedncia de um circuito RC em E E
Porm, como: IC = a e IR = a
paralelo pode ser determinada pela lei de Ohm, X R
ou seja: C

E
a
E X E
ZT = a Logo: tg = C
tg = a
x
R
IT E X E
a C a
Ou atravs da seguinte equao: R
R x X R
Z = C tg =
2 2 X
C
R + X
C
Em funo do diagrama da figura 1-41,
ngulo de Fase I
temos que, o cos = R
IT

O ngulo de fase , como j vimos, o E

a
E
a
ngulo formado pelo vetor da corrente de linha Como: IR = e IT =
R Z
(I ) com o vetor da tenso aplicada (E ) . T
T a

1-19
 Logo: corrente (I ) est atrasada de 90 e no capacitor,
L
E a corrente (I ) est adiantada de 90.
a C
E Z
cos = R cos = a
x T
E R E
a a
Z
T

Z
T
cos =
R

Potncia aparente e real Figura 1-42

Para se calcular a potncia aparente (P ) e Como em qualquer circuito em paralelo, a

a tenso a mesma em qualquer ponto do circuito
a potncia real (P ) , empregam-se as mesmas e esto em fase entre si, podemos concluir que
R
equaes j vistas no circuito RL em paralelo, I est atrasada de 90 de I e I adiantada de
L R C
ou seja: 90 de I , conforme nos mostra a figura 1-43.
R
2 Logo, podemos compor o diagrama vetorial,
P =E x I P = I x Z
a a T a T T
conforme figura 1-44.
E 2
a
P = P = E x I
a Z R a R
T

P = E x I x cos
R a T

Fator de Potncia

Para o clculo do fator de potncia

empregam-se as mesmas equaes vistas no
circuito RL em paralelo, em que:
P Figura 1-43
R
f =
p P
a

I
f = R
p I
T

f = cos
p

CIRCUITO RCL EM PARALELO

Figura 1-44
Quando se aplica uma CA em um circuito
paralelo contendo resistor, capacitor e indutor,
A soma vetorial das correntes
conforme mostra a figura 1-42, necessrio
I , I e I igual a corrente total ou de linha
levar em considerao o fato de que os ngulos R L C
de fase entre a corrente e a tenso diferem nos do circuito. Como a corrente no capacitor I ea
C
trs elementos.
corrente no indutor I esto defasadas de 180,
Tomando-se a tenso de um circuito L
paralelo como referncia, temos: no resistor, a logo, a corrente resultante da composio
corrente (I ) est em fase: no indutor, a vetorial entre I e I a diferena, j que so
R C L

1-20
vetores diretamente apostos entre si. Esta E
a
corrente resultante ser somada vetorialmente, I =
C X
com a corrente do resistor I , para a C
R
determinao da corrente total ou de linha do E
a
circuito. Isto expresso pelo grfico da figura 1- I =
L X
45. L

Clculo da Impedncia

A impedncia de um circuito RCL em

paralelo pode ser determinada pela Lei de Ohm,
em que:
E
a
Z =
T I
T
Figura 1-45
ou atravs da seguinte equao:
Pelo teorema de Pitgoras, teremos:
R x Z1
ZT =
R 2 + Z12
2
IT = I R + ( IC I L ) 2

Onde:
Neste tipo de circuito existe uma corrente X L x XC
circulatria que vem a ser a menor entre as duas ZT =
XC X L
correntes I e I . Esta corrente circula apenas
L C
no circuito formado por L e C. Depois da carga
inicial do capacitor, ele descarrega atravs da ngulo de Fase
bobina.
O fluxo da corrente atravs da bobina
produz um campo magntico que se mantm, O ngulo de fase poder ser
enquanto a corrente estiver fluindo. determinado por meio das funes
Quando a corrente se reduz a zero, o trigonomtricas do diagrama da figura 1-47.
campo magntico se desvanece, induzindo uma Como:
corrente que carrega o capacitor, mas com
polaridade oposta original. A o capacitor se
descarrega em sentido oposto.

Figura 1-46
Os ciclos se repetem e o capacitor volta a
se carregar ao seu estado original. Esses ciclos Figura 1-47
se repetem periodicamente e a sua ao d
origem a corrente circulatria, veja a figura 1-
46.Para se calcular a corrente no resistor, Logo:
capacitor e indutor, emprega-se a Lei de Ohm.
I I I Z
E
a
tg = C L
cos = R
ou T
I = I
R
I
T
R
R R

1-21
Classificao dos circuitos RCL em paralelo: E 100 V
a
I = I = I = 5A
a) Quando X for menor que X ou C X C 20 C
L C C
I maior que I , temos: negativo, E
L C 100 V
a
circuito R . I = I = I = 8A
L L X L 12,5 L
L
b) Quando X for menor que X ou
C L
I maior que I temos: positivo, A corrente total ou de linha:
C L
circuito R . 2 2
C
I = I + (I I )
c) Quando X for igual a X ou I igual T R L C
L C L
a I , temos: igual a zero, circuito 2 2
C I = 4 + (8 5 )
RESISTIVO. T

I = 16 + 9 I = 5A
Potncia aparente, real e fator de potncia T T

Para o clculo, empregam-se as mesmas A impedncia total do circuito:

equaes j vistas nos circuitos R ou RC em E
L 100 V
a
paralelo, ou seja: Z = Z =
T I T 5A
T
2
P = E x I P = I x Z Z = 20
A a T A T T T

E 2 O fator de potncia:
a
P =
A Z I
T R 4A
f = f =
p I p 5A
P = E x I T
R a R
f = 0,8 ou 80%
P = E x I x cos p
R a T

P
A potncia real:
R
f = f = cos P = E x I x cos
p P p R a T
A

I Z P = 100 x 5 x 0,8
R
f = R f = T
p I p R
T P = 400 W
R
Dado o circuito da figura 1-48, A potncia aparente:
determinar:
P = E x I
A a T

P = 100 x 5
A

P = 500 VA
A

Figura 1-48 A corrente circulante no tanque:

As intensidades de corrente I , I e I :
A corrente circulatria a menor entre as
R C L duas correntes I ou I .
L C
E 100
I = a
I = I = 4A Como I a menor corrente, logo, a
C
R R R 25 R
corrente circulatria ser de 5A..

1-22
RESSONNCIA EM PARALELO E Para uma determinada freqncia a
CIRCUITO TANQUE IDEAL reatncia indutiva ser igual reatncia
capacitiva ( X L = X C ) , logo, o circuito entra
Ressonncia em paralelo em ressonncia.
O circuito sintonizado em paralelo um A figura 1-51 mostra o grfico da variao
dos mais importantes da eletrnica, sendo da reatncia indutiva e capacitiva em funo da
amplamente empregado em transmissores, freqncia.
radio, radar, etc.
O fenmeno da ressonncia em srie,
tambm se presta a uma anlise nos circuitos em
paralelo, entretanto, sua aplicao revela
condies diferentes de operao.
Um circuito em paralelo encontra-se em
ressonncia quando estabelecida a igualdade
entre a reatncia indutiva e a reatncia
capacitiva ( X = X ) a qual determina a
L C
igualdade entre as correntes I = I .
L C Figura 1-50
Circuito Tanque Ideal
Chama-se comumente tanque a qualquer
associao LC, particularmente quando as
reatncias so ligadas, conforme a figura 1-49.

Figura 1-51
Figura 1-49

A designao tanque resulta da Uma vez estando o circuito em

capacidade que tm os circuitos LC de
armazenar energia. Embora o circuito tanque
ideal no seja exeqvel na prtica, uma anlise
de seu comportamento instrutiva.
A figura 1-50 representa o esquema de um
circuito tanque ideal (R = 0) em que um
indutor e um capacitor esto associados em
paralelo e ligados a uma fonte de CA de
freqncia varivel.
H, portanto, dois caminhos por onde a
corrente pode circular; um pelo indutor e outro
pelo capacitor.
Se a fonte de CA operar em baixa
freqncia, a maior parte da corrente circular
pelo indutor do que pelo capacitor, porque X
L
menor que X . Se, porm, a fonte de CA
C percorre o indutor.
operar em alta freqncia, a maior parte da
corrente circular pelo capacitor porque X
C
menor que X .
L
ressonncia, a corrente atravs do indutor e do
capacitor so iguais (I = I ) , porm
L C
defasadas de 180. Assim sendo, a corrente total
ou de linha que a soma vetorial de I e I ,
L C
igual a zero. Este fato mostrado por
intermdio do diagrama vetorial da figura 1-52.
Assim, nesse circuito ressonante em paralelo
hipottico, a impedncia do circuito ser infinita
e no haver corrente de linha.
Todavia, haver uma corrente circulatria
no tanque apesar de nenhuma corrente ser
fornecida pela fonte.
Depois da carga inicial do capacitor, ele
descarrega sobre o indutor, isto , a energia
armazenada no capacitor fornece a corrente que
O campo magntico resultante em torno
do indutor age como fonte de energia para
recarregar o capacitor.

1-23
 Essa transferncia de energia entre os dois
elementos continua na freqncia de
ressonncia sem qualquer perda.
O sistema est em estado oscilatrio e
pode ser comparado com um pndulo em que,
no havendo atrito, oscila continuamente, desde
que tenha recebido um deslocamento inicial
devido a uma fonte de energia.

IL = I C e XL = XC

Figura 1-53

Figura 1-52

Mas, da mesma maneira que o pndulo Figura 1-54

real nunca totalmente desprovido de atrito e
dissipa alguma energia durante a oscilao, os
circuitos ressonantes em paralelo, na prtica,
incluem alguma resistncia que absorve energia
da fonte original.
Conseqentemente apesar da impedncia
do circuito ser mxima na ressonncia, tem
valor finito, e no infinito e a corrente de linha,
apesar de ser mnima e estar em fase com a
tenso aplicada, no igual a zero.
Na figura 1-53, temos o grfico
representativo da impedncia e corrente em
relao variao de freqncia.
A corrente circulatria no tanque tem o
mesmo sentido e mxima quando o circuito
encontra-se em ressonncia.
Veja a figura 1-54.
A corrente circulatria, considerada
como sendo a corrente do capacitor I ou do
indutor I , uma vez que I = I e pode ser
L L
facilmente determinada pela Lei de Ohm:
A ressonncia nos circuitos paralelos
chamada de anti-ressonante, por serem seus
efeitos exatamente opostos aos observados nos
circuitos em srie.
Freqncia Anti-ressonante
Aplica-se a expresso de freqncia anti-
ressonante ao circuito em paralelo e freqncia
de ressonncia ao circuito em srie. Em
qualquer caso, uma combinao LC tem uma
freqncia ressonante, qualquer que seja o nome
que esta receba.
A freqncia anti-ressonante de um
circuito paralelo determinada da mesma
maneira que num circuito em srie, ou seja:
1
fr =
C 2 L x C
C
Impedncia no circuito tanque ideal

No circuito ressonante em paralelo a

E E tenso a mesma e as correntes em cada ramo e
a a
I = e I =
C X L X na linha so determinadas pela impedncia total
C L
da linha. Assim, a corrente no ramo indutivo ou
capacitivo em qualquer instante :

1-24
 E E verstil. Pode ser usado para
a a
I = I = substituir um capacitor ou um indutor.
L X C X
L C
Exerccio resolvido
A corrente total I na linha, pela Lei de
T A figura 1-55 mostra o esquema de um
Ohm, : circuito RC em paralelo. O gerador de
E freqncia varivel entrega 300V.
a A freqncia anti-ressonante ser:
I =
T Z
T

Alm disso, como j foi visto, a corrente

total igual soma vetorial das correntes nos
ramos. Como essas correntes esto defasadas de
180 e X convencionalmente negativo, tem-
C
se:
I = I I
T L C

Donde:
Figura 1-55
E E
a a 1
I I = Z =
L C Z T I I fr =
T L C 2 L x C
E 1
a
Z = f =
T E E r 3 11
a a
6,28 4 x 10 x 4 x 10
X X
L C
f r = 398000 Hz
X x X
L C
Z =
T X X A corrente em qualquer um dos ramos
C L
determinada pela reatncia nesse ramo. Como
I igual a I , qualquer reatncia pode ser
A impedncia de um circuito em paralelo L C
difere de um circuito em srie. Uma reatncia usada.
indutiva grande em um circuito em srie faz
com que este haja indutivamente, porm, uma X L = 2 x f x L
grande reatncia indutiva num circuito em 3 3
paralelo faz este agir capacitivamente, pois X = 6,28 x 398 x 10 x 4 x 10
L
passa mais corrente pelo ramo capacitivo.
Um circuito tanque ideal apresenta as Logo:
seguintes caractersticas: E
a 300
I = I =
a) Na ressonncia, a impedncia L X L 10000
L
infinita;
X = 10000 ohms I = 0,03 A
L L
b) medida que a freqncia se afasta
da freqncia de ressonncia, a Assim, a corrente circulatria no tanque
impedncia se aproxima de zero; de 0,03A, mas a corrente na linha
praticamente nula; como j sabemos, a
c) O circuito se aproxima indutivamente freqncia de ressonncia oferece o mximo de
para as freqncias inferiores de impedncia linha.
ressonncia e, capacitivamente, para Se a freqncia do gerador for mudada
as freqncias maiores que a de para 200 KHz a corrente nos ramos diferir:
ressonncia. Os pontos precedentes
indicam que o circuito tanque muito XL = 2 x f x L

1-25
 3 3 I = 0,059 0,015 T = 0,044A
X = 6,28 398 x 10 x 4 x 10 T T
L
Assim, a corrente na linha de 44 mA,
E
Logo: I = a atrasada de 90 em relao tenso aplicada. A
L X figura 1-56, mostra o diagrama vetorial deste
L
circuito na freqncia de 200 KHz.
300
I =
L 10000
X = 10000ohms
L

I = 0,03 A
L

Assim, a corrente circulatria no tanque

de 0,03A, mas a corrente na linha
praticamente nula; como j sabemos, a Figura 1-56
freqncia de ressonncia oferece o mximo de
impedncia linha. Empregando-se a frmula da impedncia,
tem-se:
Se a freqncia do gerador for mudada
para 200 KHz a corrente nos ramos diferir: X x X
L C
Z =
T X X
X L = 2 x f x L C L

X L = 6,28 x 2 x 105 x 4 x 103 5024 x 19900

Z =
T 19900 5024
X = 5024 ohms
L
Z = 6720 ohms
T
Logo:
E 300
a
I = I = CIRCUITO TANQUE REAL E CIRCUITO
L X L 5024
L TANQUE COM RESISTOR EM
DERIVAO
I = 0,059 A
L
Circuito Tanque Real
1
Como: XC =
2 x f x c As concluses obtidas no estudo do
circuito tanque ideal e os resultados da anlise
1
X = do circuito anterior foram baseados na hiptese
C 5 11
6,28 x 2 10 x 4 x 10 da resistncia nos ramos em paralelo ser nula ou
desprezvel.
106 A figura 1-57 apresenta um diagrama
XC = X = 19900 ohms
50,24 C esquemtico equivalente a um circuito real. O
ramo capacitivo contm uma resistncia
Logo: desprezvel, enquanto que o ramo indutivo
E inclui toda a resistncia do circuito.
a 300
I = I = A presena da resistncia no circuito em
C X C 19900
C paralelo significa que as correntes dos
respectivos ramos no esto exatamente
I = 0,015 A
C defasadas de 180 na ressonncia. A resistncia
altera o ngulo de fase de cada ramo, como
Como a corrente indutiva maior que a
visto na figura 1-58.
capacitiva, o circuito se conduz indutivamente.
Assim as correntes dos ramos no se
A corrente de linha :
anulam completamente e resulta disso uma
I = I I corrente de linha.
T L C

1-26
 Dessa forma, o valor da corrente de linha Como a corrente ressonante do tanque
na ressonncia , pois um indicativo da igual corrente de menor valor, I ou I e em
C L
quantidade de resistncia presente no circuito.
virtude de I ser menor que I teremos:
medida que a resistncia diminui, a L C
corrente de linha tende para uma amplitude
I I
mnima e a entrar em fase com a tenso Q =
tan que
Q= L
aplicada. I I
T

E
a
X Z
L T
Q = Q =
E X
a L
Z
T

Como: X = X
L C

Z
T
Figura 1-57 Logo: Q =
X
C

Obs.: esta equao, somente deve ser

empregada quando o valor de R for
muito baixo em relao a XL.
Assim, o Q de um circuito ressonante em
paralelo tambm considerado como sendo a
relao entre a impedncia e a reatncia indutiva
ou capacitiva.
Os circuitos de Q elevados so, como j
vimos, muito teis nos circuitos eletrnicos
seletivos. Quanto maior for o Q, maior ser a
seletividade do circuito.

Curvas de Ressonncia
Figura 1-58
Nos circuitos ressonantes em paralelo, a
curva de impedncia a curva caracterstica de
Fator de Qualidade
ressonncia (figura 1-59).
O fator de qualidade ou Q de um Como j foi visto, a freqncia de
circuito ressonante em paralelo igual ao de um ressonncia independe do valor da resistncia
circuito ressonante em srie, em que: do circuito.
X
L
Q=
R
Porm, no circuito ressonante em srie, a
qualidade ou Q do circuito tambm
determinada pela relao entre a tenso em cada
reatncia e a tenso aplicada. Como a tenso a
mesma no circuito ressonante em paralelo, o Q
do circuito tambm determinado pela relao
entre a corrente no tanque e a corrente na linha,
ou seja:
I
tan que
Q =
I Figura 1-59
linha

1-27
 A agudeza da curva depende do Q do figura 1-61. O resistor R chamado de resistor
circuito e pode ser aumentada ou diminuda, de amortecimento e aumenta efetivamente a
respectivamente com o acrscimo ou largura de faixa de um circuito, porque ele ser
decrscimo do valor da resistncia. Se a responsvel por uma parte da corrente de linha
resistncia do circuito ressonante for muito que a ressonncia no pode cancelar. O
grande, o circuito perde sua utilidade como amortecimento de derivao faz diminuir o Q do
seletor de freqncia. circuito e portanto o circuito fica menos
seletivo.
Largura de Faixa
A largura de faixa do circuito ressonante
em paralelo, segue as especificaes para a
largura de faixa do circuito ressonante em srie.
Portanto, os limites efetivos da faixa de
passagem so tomados nos pontos da curva de
ressonncia a 0,707 do valor de pico. Assim, as
duas freqncias, uma acima e outra abaixo da
ressonncia (pontos de meia potncia), formam
os limites da largura de faixa. Veja a figura 1- Figura 1-61
60.
Exerccio resolvido
Estando o circuito da figura 1-62 em
f ressonncia, calcular:
Bw = r
Q
Q = Z = I =
T

I = P =
tan que R

Figura 1-60

A largura de faixa de um circuito

sintonizado pode ser determinada por meio da Figura 1-62
frmula: Clculo do Q:
f
Bw = r X 10000
L
Q Q = Q =
R 200
Onde: Q = 50
Bw = largura de faixa (hertz) Clculo da impedncia:
Fr = freqncia anti-ressonante (hertz) Z = Q x X Z = 50 x 10000
L
Q = Qualidade
Z = 500 K
Circuito Tanque com resistor em derivao Clculo da corrente de linha:
Outro caso que deve ser mencionado o E 300
a
que acontece quando um resistor est ligado em I = I =
T Z T 500000
paralelo com o circuito tanque, conforme a T

1-28
 I = 0,6 mA
T
Clculo da corrente no tanque:
Itanque = Q x IT
Itanque = 50 x 0,0006 Itanque = 30 mA
Clculo da largura de faixa:
f
r P
Bw = Q
100000
Bw =
50
Bw = 2 KHz
2 a
P = I x R
R R
2
P = 0,03 x 200
R
P = 0,18 W
R
FILTROS DE FREQNCIA
Comumente, a corrente em um circuito de
rdio contm vrios componentes de freqncia.
A funo de um circuito de filtro efetuar uma
determinada separao destes componentes.
Assim, um filtro pode ser usado para separar os
componentes de corrente contnua dos de
corrente alternada ou para separar grupos de
componentes de corrente alternada por faixas de
freqncia.
Para conseguir esta finalidade, o filtro
deve apresentar baixa atenuao (oposio) para
componentes de freqncia dentro de uma faixa
particular, a faixa de passagem, e alta atenuao
em freqncias dentro de outras faixas
atenuadas.
Caractersticas dos circuitos de filtros
Os filtros so comumente classificados de
acordo com as suas caractersticas de
seletividade: o filtro passa-baixa transmite
todas as freqncias abaixo de uma freqncia
limite, chamada freqncia de corte ( f ) , e
co
barra as freqncias mais altas que a freqncia
de corte e o filtro passa-alta faz exatamente o
contrrio.
O filtro passa-faixa deixa passar as
freqncias contidas numa faixa entre duas
freqncias de corte e elimina as freqncias
que ficarem acima e abaixo dos limites da faixa.
1-29
O filtro corta-faixa barra as freqncias
que ficam dentro de uma faixa, deixando passar
todas as demais.
O ponto de corte em um circuito de filtro
pode ser facilmente determinado pelas equaes
abaixo:
P = E x 0,707 ou
co a
= I x 0,707
co T
Em que:
P = ponto de corte
co
E = tenso aplicada
I = corrente total
T
Desde que, idealmente, um filtro deve
deixar passar freqncias escolhidas sem
atenuao, as perdas de energia devem ser
baixas.
Em conseqncia, os componentes de um
circuito de filtro consistem comumente em
elementos reativos.
Pela disposio conveniente de indutores
e capacitores, os filtros podem ser construdos
de maneira a permitir qualquer caracterstica de
seleo de freqncia.
Filtro Passa-Baixa
A figura 1-63 ilustra um filtro passa-
baixa. Na entrada, as altas freqncias
encontram uma reatncia indutiva relativamente
elevada em L e uma baixa reatncia capacitiva
em C.
Assim, as altas freqncias so detidas por
L e postas em curto circuito, por C. As
freqncias baixas encontram fraca oposio em
L e alta oposio em C.
Por conseguinte, as baixas freqncias
passam da entrada para a sada.
Portanto, um filtro pass-baixa destina-se a
conduzir todas as freqncias abaixo de uma
freqncia crtica pr-determinada ou
freqncia de corte e a reduzir ou atenuar
consideravelmente as correntes de todas as
freqncias acima desta freqncia.
Nesse filtro passar tambm a freqncia
que se encontra no ponto de corte.
Na figura 1-64 vemos o grfico
caracterstico de seu ponto de corte.
 Figura 1-66
Figura 1-63
As figuras 1-67 e 1-68 mostram
respectivamente filtros passa-baixa e passa-alta
e do tipo , assim designados por causa de
sua semelhana com a letra pi.
Os elementos mais perto da entrada
caracterizam o filtro. Assim, as figuras 1-69 e 1-
70, mostram respectivamente, filtros passa-
baixa com entrada a indutor e passa-alta com
entrada a capacitor. Todavia, para que estes
filtros possam desempenhar satisfatoriamente
suas funes, os componentes reativos, devem
ser iguais, ou seja: C = C eL = L
1 2 1 2
Figura 1-64
Filtro Passa-alta
Na figura 1-65 , temos um filtro passa-
alta. As baixas freqncias deparam com uma
reatncia capacitiva relativamente alta em C e
uma reatncia indutiva baixa em L. As altas
freqncias encontram diminuta oposio em C
e alta oposio em L. Por conseguinte, as altas
freqncias passam da entrada para a sada. Figura 1-67
Portanto, um filtro desse tipo destina-se a deixar
passar correntes de todas as freqncias acima
do ponto de corte e atenuar todas as freqncias
abaixo desse ponto. Neste filtro passar tambm
a freqncia que se encontra no ponto de corte.
Na figura 1-66, vemos o grfico caracterstico
de seu ponto de corte. Para melhor a ao
seletiva dos filtros passa-alta e passa-baixa, eles
so projetados com duas ou mais seces. Figura 1-68

Figura 1-65 Figura 1-69

1-30

Figura 1-70
Filtros de circuitos sintonizados
Os circuitos ressonantes (sintonizados)
possuem caractersticas que os tornam ideais
para filtros, quando se deseja, grande
seletividade.
O circuito ressonante em srie oferece
baixa impedncia corrente de freqncia em
que est sintonizado e uma impedncia
relativamente grande s correntes das demais
freqncias.
O circuito ressonante em paralelo oferece
uma impedncia muito grande corrente de sua
freqncia ressonante e uma impedncia
relativamente baixa s outras.
Filtro passa-faixa
Os filtros passa-faixa ou passa-banda
destina-se a deixar passar correntes dentro dos
limites de uma faixa contnua, limitada por uma
alta e por uma baixa freqncia de corte e para
reduzir ou atenuar todas as freqncias acima e
abaixo desta faixa.
Na figura 1-71, utiliza-se um circuito
ressonante em srie como filtro passa-faixa.
Na figura 1-72 vemos o grfico que ilustra
a faixa de freqncia desejada.
Figura 1-71
1-31
Figura 1-72
Os circuitos sintonizados em srie
oferecem dentro dessa faixa, uma pequena
impedncia s correntes dessas freqncias e
fora dela uma alta impedncia. Assim, as
correntes dessas freqncias desejadas dentro da
faixa circularo pelo circuito sem serem
afetadas, mas as correntes de freqncias
indesejadas, isto , fora da faixa, encontraro
grande impedncia e no podero passar.
Na figura 1-73, temos um circuito
ressonante em paralelo como filtro passa-faixa.
Figura 1-73
Os circuitos sintonizados em paralelo
oferecem, dentro dessa faixa, uma alta
impedncia s correntes dessas freqncias e
fora dela uma baixa impedncia.
De modo que as correntes das freqncias
fora da faixa sero desviadas pelo tanque, ao
passo que as correntes das freqncias dentro da
faixa circularo pelo circuito sem serem
afetadas pelo tanque.
Filtro corta-faixa
Os filtros corta-faixa so destinados a
suprimir as correntes de todas as freqncias
dentro de uma faixa contnua limitada por duas
freqncias de corte, um mais alta e outra mais
baixa, e a deixar passar todas as freqncias
acima e abaixo dessa faixa.
Na figura 1-74, temos um circuito
ressonante em paralelo com filtro corta-faixa e,
na figura 1-75, temos o seu grfico
caracterstico.
 O circuito ressonante em paralelo
sintonizado na freqncia do sinal que no se
deseja. Logo, o filtro apresenta alta impedncia
s correntes dessa freqncia e permite a
passagem de todas as outras freqncias.
A figura 1-76 ilustra um circuito
ressonante em srie como filtro corta-faixa.

Figura 1-74

Figura 1-76

O circuito ressonante em srie

sintonizado tambm, na freqncia do sinal
indesejado, e estas correntes indesejadas sero
eficazmente desviadas, geralmente, para a terra;
porm, as demais freqncias no sero
Figura 1-75 afetadas.

1-32
 CAPTULO 2
OSCILOSCPIO
INTRODUO
O osciloscpio considerado um
instrumento bsico de teste em oficinas e na
indstria, assim como em laboratrios de
pesquisas e desenvolvimento de projetos
eletrnicos.
O osciloscpio permite ao tcnico ou
engenheiro observar tanto o valor como a forma
do sinal em qualquer ponto de um circuito
eletrnico. Suas principais aplicaes so:
Medies de valores de: potncia,
tenso, ngulo de fase etc.
Comparao entre uma freqncia
desconhecida e uma freqncia padro,
determinando assim o valor
desconhecido.
O osciloscpio um instrumento que
consiste basicamente de um tubo de raios
catdicos e de circuitos ampliadores auxiliares.
TUBO DE RAIOS CATDICOS
O tubo de raios catdicos (TRC) um
tubo de vidro projetado especialmente para
medir fenmenos eltricos que no podem ser
medidos por outros meios.
O tubo de raios catdicos no s a parte
principal do osciloscpio como tambm
amplamente usado nos equipamentos de radar
para observao visual das informaes obtidas
pelo receptor deste.
Atualmente o TRC largamente
difundido podendo ser encontrado em
equipamentos de eletromedicina, terminais de
vdeo de microcomputadores etc.
Figura 2-1 Tubo de raios catdicos
Os elementos de operao do tubo de
raios catdicos esto encerrados em seu interior
que contm um alto vcuo a fim de preservar o
2-1
filamento e permitir que o feixe de eltrons seja
bem definido.
Canho Eletrnico
A parte mais importante do TRC o
canho eletrnico, que est situado em um de
seus extremos e que tem por finalidade projetar
um feixe de eltrons de um extremo a outro do
tubo. Constituem o que denominamos raio
catdico.O canho eletrnico consiste de um
filamento, um ctodo, uma grade de controle,
um nodo focalizador (1 nodo) e um nodo
acelerador (2 nodo). Esses elementos so
mostrados na figura 2-2.
Figura 2-2 Canho eletrnico
As conexes com os diversos elementos
so efetuadas por meio de pinos que esto na
base do tubo. Em muitos casos, o ctodo est
ligado internamente o filamento.
Os filamentos so aquecidos geralmente
por CA, aplicada por um transformador de
filamento, separado.
O ctodo um cilindro de nquel cujo
extremo est coberto com xido de brio e
estrncio, de maneira que quando aquecido
emite eltrons livremente na direo desejada. O
nodo acelerador tambm um cilindro. Em seu
interior h um diafragma que tem uma abertura
em seu centro. Como o nodo acelerador
altamente positivo, atrair os eltrons emitidos
pelo ctodo.
As tenses aplicadas ao nodo acelerador
variam desde 250V at 10.000 V. Esta alta
tenso faz com que o feixe de eltrons (raio
catdico) adquira uma alta velocidade. Embora
a maioria dos eltrons seja atrada e capturada
pelo nodo de acelerao, muitos podem passar
atravs da abertura que existe no diagrama do
tubo.
A tela do TRC tem por finalidade
transformar a energia cintica do eltron em
energia luminosa. A tela composta de uma
substncia semitransparente, conhecida como
fsforo, e est situada na parte interior do tubo.
Quando o feixe de eltrons atinge a tela, esta
emite a luz cuja cor depende da composio do
fsforo.
O revestimento mais comumente usado
o silicato de zinco que emite luz verde. Uma
considerao importante a persistncia que
indica a quantidade de tempo em que a tela
continuar incandescente, depois de ser atingida
pelo feixe.
Pode-se notar que se deve proporcionar
algum meio de eliminar os eltrons da tela; do
contrrio, a carga negativa na tela aumentaria a
tal que ponto que no chegariam mais eltrons
at ela.
O mtodo usado para eliminar tais
eltrons, colocar um revestimento de condutor
de AQUADAG, ao longo de toda parte interior
do tubo, com exceo da tela, e conect-la ao
ctodo. A emisso de eltrons secundrios pode
assumir efeitos graves e, portanto, coletada
pelo revestimento de AQUADAG e devolvido
ao ctodo.
O ctodo circundando pela grade de
controle, a qual mantida a um potencial mais
negativo que este e serve para controlar o fluxo
de eltrons que saem do ctodo.
A intensidade do brilho na tela regulada
pelo valor da tenso negativa de polarizao
aplicada grade de controle, quanto mais
negativa for a tenso de polarizao, menos
intenso ser o brilho.
Se a grade se tornar suficientemente
negativa, no haver mais fluxo de eltrons para
a tela e conseqentemente, deixar de haver
brilho. O ajuste do potencial feito pelo
controle de intensidade.
Se no houver um meio para proporcionar
o foco, os eltrons sero emitidos, mas devido a
repulso mtua se difundiro e golpearo a tela
como uma massa dispersa que ter aspecto
embaado.
Os nodos de focalizao e acelerao
agem como uma espcie de lente que concentra
o feixe e torna ntida a imagem na tela.
2-2
O nodo de focalizao tem um potencial
de 1200V e o nodo de acelerao tem 2.000V.
Por causa dessa diferena de 800V, existe um
campo eletrosttico muito forte na regio entre
os dois nodos. A intensidade desse campo
pode ser variada, mudando-se as tenses do
nodo focalizador.
Figura 2-3 Processo de focalizao
O campo eletrosttico representado
pelas linhas curvas.
Os eltrons que passarem por este campo
sofrero a ao de uma fora que tentar faz-
los seguir as linhas de fora.
Um eltron que entra na lente tem sobre si
duas foras atuantes: uma fora que motivada
pela acelerao dada pela atrao do nodo
acelerador e outra motivada pelo campo
eletrosttico que existe entre os nodos. A
tendncia do eltron desviar-se, e em lugar de
se deslocar em linha reta, desloca-se em um
direo tangencial das linhas de fora.
Esta curvatura por sua vez depende da
diferena de potencial que existe entre os dois
nodos. Todos os eltrons que passam pela lente
tendem a unir-se em um ponto chamado ponto
focal.
Variando-se o potencial aplicado ao nodo
focalizador, pode-se conseguir uma focalizao
correta na tela.
Deflexo vertical e horizontal
Se o TRC no possusse outros elementos
alm do canho eletrnico e a tela, o feixe de
eltrons atingiria o centro desta e produziria um
ponto luminoso.
Para movimentar o feixe e colocar o ponto
luminoso em vrias partes da tela, utiliza-se
sistemas de deflexo ou de desvio vertical e
horizontal.
Existem dois tipos de deflexo ou desvio:
o eletrosttico e o eletromagntico.
Desvio Eletrosttico
Figura 2-4 Placas de desvio eletrosttico
Figura 2-5 Disposio das placas
O desvio eletrosttico utiliza dois pares de
placas de desvio, colocadas em ngulo reto
entre si e o feixe de eltrons passa entre elas,
como mostrado na figura 2-4.
A figura 2-5 mostra a vista de topo do
TRC mostrando a disposio das placas
defletoras ao feixe eletrnico, que visto como
um ponto no centro.
Se no for aplicada uma tenso externa a
nenhum par de placas, o feixe permanecer no
centro da tela produzindo um ponto luminoso.
Se a placa vertical V1 se torna positiva,
em relao a V2, o feixe ser atrado em direo
a V1 e o ponto luminoso consequentemente
tambm subir.
Se a placa vertical V1 negativa com
respeito a V2, o ponto se desloca para baixo.
Estas trs situaes so ilustradas na figura 2-4
A, B e C. As trs ilustraes pressupem que
no exista tenso alguma nas placas defletoras
horizontais (H1 e H2).
Se as placas verticais estiverem a zero
volts e a placa horizontal H1 foi tornada
positiva em relao a H2, o feixe ser atrado
em direo a H1e o ponto se mover para a
esquerda da tela. Finalmente se a placa H2
positiva em relao a H1, o ponto ser desviado
para a direita da tela. Estas trs situaes so
mostradas na figura 2-4D, E e F.
Em qualquer caso, a distncia em que o
ponto afastado do centro da tela diretamente
proporcional tenso s placas defletoras.
Se forem aplicadas tenses positivas e
iguais, simultaneamente s placas V1 e H1, o
feixe ser atrado para cima e para a esquerda,
por foras idnticas.
O resultado um desvio do ponto
luminoso para uma posio de 45 do centro da
tela. Outras combinaes de tenses aplicadas
s placas defletoras faro com que o ponto se
desloque para posies diferentes da tela do
TRC.
At agora s estudamos os efeitos de
tenses contnuas (CC) aplicadas nas placas
defletoras verticais e horizontais.
A corrente alternada, ao contrrio da
corrente contnua, est variando constantemente
de polaridade e valor.
Assim ao ser aplicada uma CA s placas
defletoras, o ponto luminoso se mover
rapidamente para vrias posies na tela,
proporo que a tenso varia de polaridade e
valor. Isto ocorre da seguinte maneira:
Se uma CA aplicada s duas placas de
deflexo vertical (V1 e V2), o ponto luminoso
se movimentar para cima e para baixo. Se a
freqncia da tenso aplicada for baixa, talvez
seja possvel ver o ponto subir e descer.
Dois fatores, porm no permitem que
isso ocorra. A inrcia do olho humano e tambm
a reao da camada do fsforo que reveste o
interior da tela do TRC.
Ambos os fatores fazem com que se tenha
a sensao de persistncia luminosa na tela, em
forma de um trao luminoso.
Se a placa V1 for polarizada positiva em
relao a V2, durante o primeiro semiciclo
positivo, o ponto luminoso se movimentar para
cima e novamente para baixo, at retornar ao
centro. O semiciclo negativo movimentar o
ponto luminoso par baixo e novamente para
cima, at retornar ao centro.
A distncia que o ponto se afasta do
centro para cima e do centro para baixo,
depende do valor da tenso de pico.
Em virtude da velocidade com que se
move o ponto luminoso, associado aos fatores
de inrcia do olho humano e persistncia
2-3
luminosa da tela do TRC, fazem com que aquele
ponto surja como um trao reto.
Quando uma CA aplicada s placas
horizontais H1 e H2, teremos, pelas mesmas
razes j explicadas, um trao horizontal. Este
processo ilustrado na figura 2-6 A e B.

Figura 2-8 Conjunto de bobinas

CIRCUITO GERADOR DE BASE DE

Figura 2-6 Aplicao de CA TEMPO
Se forem aplicadas tenses alternadas
Para reproduzir as formas de onda que
iguais, de maneira que V1 e H1 tenham a
surgem na tela de um osciloscpio necessrio
mesma polaridade, assim como V2 e H2,
que este tenha, alm do TRC, um circuito
teremos um trao na tela em uma posio de 45
gerador de base de tempo, tambm conhecido
entre a vertical e a horizontal.
como gerador dente de serra.
Porm se V1 e H2 forem polarizados
Sua finalidade fazer com que o feixe
igualmente, assim como V2 e H1, o trao ficar
eletrnico se mova da esquerda para a direita da
tambm a 45 mas em direo invertida. Este
tela a uma velocidade uniforme e logo regresse
processo descrito est ilustrado na figura 2-7.
rapidamente ao lado esquerdo. Este movimento
chamado de varredura linear.
Para se dar a varredura no feixe
eletrnico, o gerador produz uma tenso que
cresce uniformemente de zero at um certo
ponto e decai rapidamente ao nvel zero, como
mostra a figura 2-9.
Figura 2-7 Aplicao de tenses alternadas
iguais

Desvio Eletromagntico

O desvio eletromagntico usado onde

no possvel obter uma tenso adequada para
o desvio eletrosttico.
O desvio eletromagntico deve-se ao
campo magntico estabelecido dentro do tubo
de raios catdicos pelo conjunto de bobinas que
esto colocadas ao redor do tubo. O desvio
eletromagntico mais sensvel do que o
eletrosttico.
As bobinas esto colocados proporcio-
nalmente corrente, como mostrado na figura
2-8.
O deslocamento do feixe de eltrons
afastado pelo campo magntico da mesma
forma que afetado pelo campo eletrosttico.
Figura 2-9 Tenso dente de serra
Este perfil denominado dente de serra ou
triangular. Esta tenso aplicada s placas de
deflexo horizontal.
O aumento gradual de tenso faz com que
a placa H1 se torne cada vez mais negativa e H2
cada vez mais positiva.
Assim, o feixe eletrnico vai se
deslocando da esquerda para a direita com
velocidade uniforme. A queda rpida da tenso

2-4
faz com que o feixe regresse em muito pouco
tempo, e esse tempo denominado tempo de
retorno.
Dependendo da freqncia da tenso de
varredura teremos na tela um trao horizontal.
Se bem que uma tenso alternada aplicada
s placas horizontais produza tambm um trao
horizontal, esta no adequada com base de
tempo linear porque no possui as
caractersticas desejveis de uma tenso que se
eleva de zero ao mximo de modo linear e volta
a zero quase instantaneamente.
Para se examinar qualquer forma de onda
por intermdio do osciloscpio, necessrio que
apliquemos a tenso que se deseja analisar em
suas placas de deflexo vertical e mantenhamos
a tenso que se deseja analisar em suas placas
de deflexo vertical e mantenhamos a tenso de
dente de serra em suas placas horizontais. Isto
far com que o feixe eletrnico se desloque para
cima ou para baixo e ao mesmo tempo para
frente.
Quando a freqncia da tenso de
varredura for igual freqncia da tenso
aplicada nas suas placas verticais, surge um
ciclo na tela do TRC.
Diz-se que a relao da freqncia entre a
tenso de varredura e o sinal de 1:1 (um para
um).
Quando a freqncia da tenso de
varredura metade da freqncia do sinal
aplicado, teremos dois ciclos na tela do TRC,
conforme mostra a figura 2-10.
Figura 2-10
Portanto, para se calcular o nmero de
ciclos que aparecem na tela de um osciloscpio
devemos empregar a seguinte equao:
Freq. aplicada
Nmero de ciclos:
Freq. de var redura
2-5
FUNES BSICAS DOS CONTROLES
a) Intensidade: varia a quantidade de
eltrons que chega tela.
b) Focalizao: os nodos ajustam a
focalizao do feixe na tela por
meio deste comando.
c) Posio vertical e horizontal:
desloca o feixe para cima, para
baixo, para esquerda ou para
direita respectivamente.
d) Entrada vertical: nessa entrada
aplicam-se os sinais a serem
medidos pelo aparelho.
e) Entrada horizontal: normalmente
s placas horizontais est aplicado
um sinal peridico gerado interna-
mente no osciloscpio, o sinal
dente da serra, que tem uma
velocidade de varredura constante
na tela e faz com que o feixe v de
um lado outro e o regresso no
seja observado.
Injetando-se nessa entrada um
sinal estaremos modificando a
varredura; este procedimento
empregado em alguns casos, como
na medida de fase entre dois sinais.
f) Atenuador vertical:
O sinal aplicado entrada vertical
antes de ser levado s placas
defletoras, poder ter sua
amplitude reduzida de mltiplos de
10.
g) Ganho vertical: permite variar de
maneira contnua a amplitude do
sinal, antes que ele seja levado s
placas defletoras.
h) Ganho horizontal: permite variar a
amplitude ao longo do eixo X.
i) Seletor de varredura: permite a
variao discreta na freqncia da
varredura interna.
j) Varredura externa: usada quando sincronismo permite o ajuste
pretende-se atuar externamente nas desejado.
placas horizontais.
k) Seletor de sincronismo: o sinal
estar sincronizado quando
tivermos uma configurao estvel
do mesmo na tela, o que
corresponde a um sincronismo de
varredura com o sinal aplicado s
placas de deflexo vertical. O
seletor dever ser colocado na
posio LINHA para o
sincronismo com a rede; Figura 2-11 Exemplo de leitura com o
INTERNO para a varredura interna osciloscpio
e EXTERNO para a varredura
externa de um sinal colocado na Onde:
entrada horizontal.
Vp = valor de pico de tenso
l) Chave de sincronismo: uma vez Vpp = Valor pico a pico da tenso
escolhida a referncia de
sincronismo, a chave de T = Perodo do sinal.

2-6
 CAPTULO 3
REQUISITOS PARA ANLISE DE CIRCUITOS
INTRODUO
O estudo referente anlise de circuitos
sob um ponto de vista completo, normalmente
envolve clculos complicados e so muitos os
livros que podem ser encontrados tratando desse
assunto.
Aqui, abordaremos a anlise de alguns
circuitos que empregam somente corrente
contnua, onde as impedncias so
essencialmente resistncias lineares e as tenses
so constantes.
Para o estudo de circuitos eltricos, dois
objetivos principais so importantes: um,
determinar a impedncia (ou resistncia, para
circuitos de CC) de um dado circuito, entre dois
pontos quaisquer; outro determinar a corrente
ou tenso atravs de um elemento qualquer do
circuito, quando uma tenso aplicada a uma
outra parte do referido circuito.
FONTES OU GERADORES DE TENSO
CONSTANTE
Uma fonte de tenso , na verdade, um
gerador de tenso que possui uma resistncia
interna muito baixa, entregando em sua sada
um valor de tenso constante, para uma extensa
gama de valores de carga a ele conectado.
Existe o gerador de tenso ideal e o
gerador de tenso real. No primeiro caso, a
diferena de potencial mantida constante,
qualquer que seja a caga qual esteja ligado.
Um gerador de tenso ideal, na prtica, no
existe, pois todo gerador possui uma resistncia
interna fazendo, com que a tenso nos seus
terminais dependa da carga, atuando, portanto,
com um gerador de tenso real. Nas figuras 3-1
e 3-2 ilustramos esquematicamente os dois tipos
de geradores de tenso acima mencionados.
Figura 3-1 Gerador de tenso ideal
3-1
Figura 3-2 Gerador de tenso real
Nota-se, em ambos os circuitos, uma seta
colocada ao lado da f. e m. A posio da seta
para indicar que, caso a fonte atuasse sozinha,
provocaria o movimento de cargas positivas no
sentido mostrado, indicando desta forma, o
sentido da f. e. m. do gerador.
So vrios os tipos de geradores de tenso
e poderamos citar, como exemplos tpicos
desses geradores encontrados na prtica, as
fontes de C C reguladas, uma bateria ou
circuitos seguidores de emissor etc.
Os geradores de tenso constante tm
grandes aplicaes em circuitos onde desejamos
que a tenso de sada seja estvel ou constante.
o caso, por exemplo, dos reguladores de
tenso eletrnicos, cuja finalidade manter uma
tenso constante nos seus terminais de sada,
embora varie a tenso de entrada, ou o valor da
carga.
Ocorre, entretanto, que geradores de
tenso constante, a exemplo dos reguladores de
tenso eletrnicos, so constitudos de
dispositivos semicondutores, tais como: diodos
comuns, diodos zener e transistores, isto sem
falar de vrios dispositivos totalmente
integrados, os chamados CI (circuitos
integrados). Portanto, uma anlise, agora, destes
circuitos, certamente estaria fora dos nossos
objetivos iniciais. Circuitos dessa natureza
podero ser abordados, quando tivermos alguns
conhecimentos bsicos de dispositivos
semicondutores, numa fase mais adiantada do
nosso curso de eletrnica.
No nosso estudo referente anlise de
circuitos, faremos utilizao de um dispositivo
gerador de tenso constante, chamado
Equivalente de Thvenin, muito empregado
na resoluo de circuitos considerados
complexos.
 Este dispositivo eletrnico representa o
circuito equivalente de qualquer circuito
eletrnico, que tenha caractersticas de manter
uma tenso constante de sada.
FONTES OU GERADORES DE
CORRENTE CONSTANTE
Podemos definir fontes de corrente
constante como sendo dispositivos capazes de
fornecer uma corrente de valor constante a
qualquer carga, desde um circuito aberto (carga
infinita) at um curto-circuito (resistncia de
carga zero).
Um gerador de corrente constante ideal,
na prtica, no existe. O que existe o gerador
de corrente real, possuindo certas limitaes, e
sendo capaz de manter constante a corrente nos
terminais da carga, dentro de uma faixa de
variaes desta referida carga.
As figuras 3-3 e 3-4 ilustram os dois tipos
de geradores, que acabamos de mencionar.
Naturalmente, trata-se de uma representao
simblica.
Figura 3-3 Gerador de corrente ideal
Figura 3-4 Gerador de corrente real
O gerador de corrente ideal teria uma
altssima resistncia interna (idealmente
infinita). Um gerador de corrente real compe-
se de um gerador ideal em paralelo com sua
resistncia interna.
Outro smbolo muito empregado para as
fontes de corrente constante o da figura 3-5.
3-2
Figura 3-5 Representao simblica de
um gerador de corrente real
Um gerador de corrente constante prtico
, portanto, aquele capaz de estabilizar a
corrente em uma carga que varia dentro de uma
grande faixa de valores.
Queremos chamar a ateno dos nossos
leitores, para o seguinte: embora o assunto em
pauta no se trate propriamente de geradores de
corrente constante e geradores de tenso
constante, achamos por bem, dar alguns
conceitos bsicos, os quais julgamos de grande
utilidade para que, juntando aos demais assuntos
que se seguiro, nos dem uma melhor idia
daquilo que pretendemos expor.
Na prtica, os geradores de corrente
podem assumir diversas configuraes. O que
vemos aqui, entretanto, sero alguns circuitos de
carter puramente didticos. Ocorre que, como
no caso dos geradores de tenso, os geradores
de corrente constante, na prtica, envolvem
dispositivos semicondutores, tais como:
transistores, diodos, zener, etc. Uma anlise,
agora, destes circuitos, estaria fora de nossas
cogitaes iniciais. O leitor poder ter uma
noo bem melhor de fontes de corrente
constante (fontes prticas), no assunto referente
a dispositivos semicondutores.
Conhecemos pelo circuito da figura 3-6
Figura 3-6 Circuito bsico de um gerador
de corrente constante
O circuito da figura 3-6 constitudo de
um gerador de tenso, que tem conectado um
resistor em srie. Este dispositivo se aproxima
relativamente bem de um gerador de corrente
constante.
 A bateria apresenta uma resistncia Aumentemos, novamente nossa
interna muito baixa. Ns levamos em conta o resistncia de carga, agora de 10 de vezes (RL =
valor dessa resistncia interna. 9V
Mas necessrio levarmos em conta a 900 : ). Aplicando a frmula i
90 K:  900:
resistncia interna do conjunto, ou seja, do
teremos i 0,099mA, que, tambm, um valor
nosso gerador. Essa resistncia consideraremos,
a ttulo de exemplo, como sendo igual a 90 K : bem prximo de 0,1mA.
(Ri = 90K : ). Se quisermos calcular o erro quando
Agora, vamos supor que uma carga foi utilizarmos a RL de 90 : a de 900 : , em
ligada ao nosso gerador. Esta carga relao corrente obtida para a condio de
representada por RL, que neste exemplo assume curto-circuito, s utilizarmos a seguinte
um valor inicial de 0 (zero) : , conforme nos frmula:
mostra o circuito da figura 3-7. I curto  I c arg a
% Erro x 100
I curto

Para fixarmos melhor esta nossa

seqncia de raciocnio observemos a tabela da
figura 3-9.

RI RL I CARGA ERRO
90K : Curto 0,1 mA 0%
90K : 90 : 0,0999 mA 0,1%
Figura 3-7 Circuito simplificado de um gerador
90K : 900 : 0,099 mA 1,0%
de corrente constante, com a sada
em curto-circuito. 90K : 9000 : 0,0909 mA 9,1%

Conforme vemos na figura 3-7, o valor da
corrente que circula na carga, pode, facilmente
9V
ser obtido pela lei de OHM: i 0,1mA.
90K:
Agora, substituamos RL (0 : ), por que uma RL
de 90 : . Aplicando a lei de OHM, teremos:
90 v
i .
90K:  90:
Observemos o circuito da figura 3-8.
Carga igual a
um curto-
circuito
Figura 3-8 Gerador de corrente constante RL=
90 :
Calculando, ento, a corrente, temos i =
0,0999 mA. Este valor mudou pouco, em
relao ao anterior (0,1mA).
Para fins prticos, dizemos que a corrente
praticamente se manteve constante.
Figura 3-9 Percentagem de erro da corrente de
carga, em funo de RL e em
relao a corrente de curto-circuito.
Se usarmos a frmula, seguindo os dados
da tabela da figura 3-9, vamos notar que, no
caso do 90 : , o erro de 0,1% enquanto que
com RL igual a 900 : temos 1% de erro.
Entretanto, se aumentarmos a carga para 9k : , a
corrente ser 0,0909 mA, que corresponde a um
erro de 9,1%.
importante observarmos que com uma
RL de at 900 : , seu valor bem pequeno
quando comparado ao valor de Ri (90 k : ).
Neste caso, a variao de corrente entregue pelo
gerador se situa em 1%.
Com isso, podemos facilmente deduzir
que um bom critrio para se obter uma fonte de
corrente constante, fazer com que sua
resistncia interna seja, no mnimo, 100 vezes o
valor da maior carga a ser utilizada. Isto nos
assegura um erro mximo de 1%.
importante observarmos, aqui, que no
o valor absoluto da resistncia interna do
gerador, que ir qualifica-lo como um bom
gerador de corrente, e sim sua resistncia
interna (Ri) comparada resistncia de carga
RL.

3-3
 Ainda, com referncia aos dados da
tabela, podemos observar que, se quisssemos
utilizar uma RL = 9K : , teramos que dispor de
uma Ri = 900 K : m no mnimo. Entretanto,
para que a corrente fosse mantida em 0,1 mA,
necessitaramos de uma fonte de 90 V, o que
nos levaria a uma soluo no muito prtica.
Queremos lembrar, aqui aos nossos
leitores, que qualquer circuito capaz de manter
uma corrente constante, independente do valor
da carga ( dentro de certos limites) estar sendo
representado por um circuito chamado
Equivalente de Norton.
Este ser, portanto, nosso gerador de
corrente constante. A exemplo do Equivalente
de Thvenin, o Equivalente de Norton
encontra muita aplicao na resoluo de
circuitos considerados complexos, conforme
veremos mais tarde nesse assunto referente a
anlise de circuitos.
ELEMENTOS DE CIRCUITOS
Denomina-se elemento de um circuito o
menor componente individual, que
considerado na resoluo de um problema. Tal
elemento pode ser uma simples resistncia, uma
f. e. m., ou ainda um valor equivalente
associao de diversas resistncias ou tenses.
Na figura 3-10 temos uma representao
esquemtica para ilustrar os elementos de um
circuito.
Figura 3-10 Diagrama para ilustrar os elementos
de um circuito
Na figura 3-10, E1, E2, E3, R1, R2, R3 e
R4 so elementos do circuito. importante
ressaltarmos que E1, E2 e E3 podem representar
uma simples pilha, um gerador, ou mesmo uma
fonte eletrnica (um retificador, por exemplo).
Da mesma forma, R!, por exemplo, tanto
pode ser um simples resistor, quanto a
resistncia CC de um indutor, etc.
3-4
Terminologia usual
Como propsito de facilitar a anlise de
circuitos eltricos, existem certos termos com os
quais devemos nos familiarizar.
a) Rede ou Circuito
D-se o nome de rede a um conjunto de
condutores, geradores e receptores ligados de
uma maneira qualquer, ou seja, em srie em
tringulo, em paralelo, etc.
A figura 3-10 nos mostra um exemplo
de uma rede ou circuito.
b) N de Intensidade ou N (ou ainda
NODO)
N pode ser definido como a juno de
trs ou mais elementos componentes de uma
rede. Se observarmos o circuito da figura 3-10,
vamos notar que existem pontos comuns a
diversos condutores, ou geradores, ou
receptores. A exemplo temos os pontos a, c, e e
f. Portanto, o N o ponto de concorrncia de
trs ou mais braos.
c) Brao ou Ramo
Qualquer poro de uma estrutura (de
um circuito), ligando diretamente dois ns, sem
passar atravs de um terceiro, chama-se brao
ou ramo. Na figura 3-10, podemos observar que
os elementos E1 e R1, por exemplo, constituem
um ramo que une os ns a e c; da mesma forma,
o elemento R2 forma o ramo que une os ns c e
f. Em um brao ou ramo, todos os elementos
que nele figuram esto em srie. Neste circuito
temos seis braos.
d) Lao de Circuito
Observando a figura 3-10, notamos um
circuito fechado a, b, c, f, a, incluindo E1, R1,
R2 e R6. Isto constitui exemplo do lao ou
loop. Desta forma podemos dizer que o lao
a combinao de todos os elementos formadores
de um circuito fechado. Outros exemplos de
lao: abcdefa, fcdef, etc.
e) Malha
Podemos dizer que a malha o menor
lao. A malha nada mais do que um lao, que
no pode ser subdividido em outros. So
exemplos de malhas: abcfa, fcdef e afegha.
Portanto, a malha todo circuito
fechado que possa ser considerado dentro da
rede, que no pode ser dividido.
TEOREMAS DAS ESTRUTURAS
ELTRICAS
Os teoremas a serem abordados aqui,
sero enumerados sem qualquer comprovao.
Existem quatro teoremas largamente
empregados na anlise de circuitos, e que
constituem a base para muitos outros teoremas
existentes, So eles: Leis de Kirchoff, Teorema
de Thvenin, Teorema de Norton e Teorema de
Superposio.
1. Leis de Kirchoff
Fundamentalmente existem duas Leis de
Kirchoff para o estudo das estruturas:
a) Primeira Lei de Kirchoff ou Lei dos
Ns
A soma das correntes que entram
em um n, igual soma das correntes que
saem do n. o que nos ilustra a figura 3-11.
Figura 3-11 Ilustrao da primeira Lei de
Kirchoff
Da mesma forma, vlido enunciar
que: a soma algbrica das correntes que entram
e saem de um n nula. Ento podemos
escrever inicialmente, que:
i i  i i  i
1 2 3 4 5
ou ento:
i1  i2  i3  i4  i5 0 d) em virtude de serem necessrias b
b) Segunda Lei de Kirchoff ou Lei das
Malhas
Esta lei relativa s tenses,
podendo ser enunciada da seguinte maneira:
Em qualquer circuito eltrico
fechado, a soma algbrica das quedas de
potencial deve ser igual soma algbrica das
elevaes de potencial.
R . I (Queda de potencial) = E (Ele-
vao de potencial)
3-5
Em outras palavras: a soma
algbrica de todas as quedas de potencial e a
f.e.m. devem ser iguais a zero. R x I E = 0
2. Aplicao das Leis de Kirchoff
Para aplicarmos as leis de Kirchoff aos
circuitos eltricos, levamos em conta o sentido
do fluxo de eltrons atravs desses circuitos. Em
conseqncia usamos normalmente sentidos
arbitrrios de circulao, desde que no sejam
evidentes os sentidos reais.
Devemos empregar, por exemplo, a lei das
correntes ou lei dos ns, a fim de reduzirmos o
nmero das correntes desconhecidas. Em
seguida escrevemos uma equao de Kirchoff
relativa segunda lei, ou lei das malhas, para
cada circuito fechado do conjunto; e assim
prosseguimos, escrevendo equaes de modo
que cada elemento do conjunto seja usado pelo
menos uma vez em uma das equaes. Deste
modo, resolveremos as equaes resultantes,
determinando, em seguida, o valor de cada
corrente.
De um modo geral, possvel prescrever
vrias regras que nos levem a escrever equaes
de tenso, ou mesmo de corrente, para qualquer
circuito, todas conduzindo-nos a um resultado
correto. Entretanto, para atender nossos
objetivos, iremos nos limitar s seguintes regras:
a) uma rede contendo b ramos, necessita
de b equaes para a soluo do
problema, j que, para cada ramo h
uma corrente.
b) comeamos sempre aplicando
inicialmente a lei dos ns.
c) se houver n ns aplicamos a primeira
lei n-1 vezes, conseguindo n-1
equaes independentes entre si.
equaes e a primeira lei ser utilizada
n-1 vezes, podemos aplicar a segunda
lei, b-(n-1) vezes, ou seja, igual ao
nmero de malhas.
e) devemos atribuir, arbitrariamente, um
sentido para a corrente em cada brao
ou ramo do circuito.
f) necessrio atribuirmos, tambm, um
sentido de percurso para cada malha.
g) a fora eletromotriz ter sinal
positivo, desde que no se oponha ao
 sentido de percurso adotado; isto ,
ter sinal positivo quando o sentido
do percurso bater no plo positivo da
bateria.
h) quando um resistor for percorrido
por uma corrente que tenha o mesmo
sentido que aquele arbitrado para o
percurso, o produto I x R ser
positivo. Em caso contrrio, esse
produto ser negativo.
i) se obtivermos um resultado negativo
de corrente, isto significar que o
sentido arbitrado inicialmente
oposto ao verdadeiro; entretanto, o
valor numrico no se alterar.
(1) Exerccios de fixao
(a) Seja o circuito da figura 3-12
no qual queremos aplicar as leis de Kirchoff.
Sentido do
percurso
adotado
Figura 3-12 Circuito para anlise das Leis de
Kirchoff
Observando o circuito da figura 3-12,
vemos que se trata de um circuito bastante
simples. Trata-se de um circuito srie contendo
um nico gerador.
Agora, precisamos atribuir um sentido
arbitrrio para a corrente, dentro da malha,
conforme ilustrao na figura 3-12. necessrio
que atribuamos, tambm, um sentido de
percurso, para o nosso circuito.
Suponhamos, ento que o nosso percurso
seja este: ABCDA. Deste modo, partindo do
ponto A, e movendo-se na direo ABCDA,
encontramos, inicialmente, a tenso E, que
positiva no ponto A. Da, dizemos que a fonte E
tem sinal positivo, porque ela no se ope ao
sentido arbitrado para o percurso. Portanto, o
primeiro termo de nossa equao +E.
Vejamos, em seguida, as quedas do
potencial (i.R): ora, no nosso exemplo, a
corrente que passa pelos resistores tem o mesmo
sentido que o arbitrado para o percurso. Logo,
3-6
os produtos iR e iR so todos antecedidos de
2 1
um sinal positivo.
Assim, podemos afirmar, para o circuito
da figura 3-12, que:  E  iR1  iR2  iR3 .
Isto est de acordo com a 2 Lei de
Kirchoff, que diz: Em qualquer circuito
fechado, a soma algbrica das quedas de
potencial deve ser igual soma algbrica das
elevaes de potencial.
Conforme j dissemos anteriormente, as
elevaes de potencial so as fontes E. No
nosso exemplo, em questo, s existe uma
fonte, embora pudesse haver mais de uma, como
teremos oportunidade de ver em exemplos
subseqentes.
(b) Seja, agora, o circuito da
figura 3-13.
Sentido do
percurso
adotado
Figura 3-13 Circuito para anlise das leis de
Kirchoff
O circuito da figura 3-13 ainda
relativamente simples, contendo dois geradores:
E e E . Observemos o sentido de percurso
1 2
adotado. o sentido ABCDA. Partindo do
ponto A, seguindo a direo ABCDA, notamos
que a ponta da seta indicadora do percurso
aponta para o positivo da fonte E . Esta seta
1
no vai de encontro ao negativo de E . Assim
1
sendo, encontramos, a partir do ponto A, a
primeira tenso E , que positiva, e vai ser o
1
primeiro termo da nossa equao. Continuando
nosso movimento de acordo com a orientao
indicada, vamos encontrar o segundo termo do
primeiro membro de nossa equao. Trata-se da
fonte E .S que tem um detalhe: a ponta da seta
2
vai de encontro ao negativo da fonte.
Ento, ns dizemos que a f.e.m. est se
opondo ao sentido de percurso adotado. Por este
motivo o 2 termo de nossa equao negativo
(  E ) . Quanto aos produtos iR, todos sero
2
positivos, pois a corrente i, que passe pelos
resistores, tem sentido igual ao arbitrado para o Uma vez achada a corrente, as quedas de
percurso. potencial podem ser facilmente encontradas.
Portanto, de acordo com a 2 Lei de importante observarmos que, se o
Kirchoff, podemos dizer que: sentido da corrente fosse arbitrado ao contrrio,
certamente teramos um resultado positivo para
E E iR  iR
1 2 1 2 a corrente, indicando, desta forma, que o sentido
arbitrado anteriormente para i, estaria errado.
Invertendo as posies dos membros da
Em ambos os casos, o resultado da corrente, em
equao e colocando o fator i em evidncia,
mdulo o mesmo.
temos:
iR  iR
1 2
E E
1 2
(d) O circuito que analisaremos,
agora, j no to simples quanto os trs
i (R  R ) E E primeiros.
1 2 1 2

Agora, tirando o valor de i, vem:

E  E
1 2 Sentido do
i
R  R percurso
1 2
nas malhas
(c) Vejamos na figura 3-14 um I e II
circuito idntico ao anterior, sendo que seus Figura 3-15 Circuito para clculo das leis
elementos tm valores numricos. de Kirchoff

Cabem aqui, algumas consideraes

Sentido importantes, a saber:
de per-
curso
1. Como existem dois ns, D e C,
adotado temos uma equao para a
primeira lei, ou Lei dos Ns.
Observando o circuito notamos
que a corrente I1 se subdivide em
I2 e I3 ; portanto: I1 = I2 + I3
Figura 3-14 Circuito para comprovao das (primeira equao).
Leis de Kirchoff
2. No circuito temos 2 malhas,
Adotando o sentido ABCDA para o portanto a segunda lei ser escrita
percurso, bem como o sentido adotado para a duas vezes.
corrente, e aplicando a segunda lei de Kirchoff,
3. Como no circuito h trs ramos,
teremos:
teremos 3 equaes: uma para a
corrente e duas para as tenses.
+E1 E2 = iR1 + iR2 + iR3
4. Aplicando a segunda lei na malha
Colocando i em evidncia e tirando o I, adotando o percurso ABDCA,
seu valor na equao, teremos: obtemos:
-E1 = -I1R1 I3R3 ?
E1  E2
i -10V = -20I1 10I3 (segunda equa-
R1  R2  R3 o)

Substituindo o numerador e o 5 Aplicando a segunda lei na malha

denominador por seus respectivos valores, vem: II, adotando o percurso CDFEC,
obtemos:
4V  8V +E2 = +I1R1 + I2R2 ?
i i  0,25 A
2: 10:  4: +10V = 20I1 + 10I2 (terceira
equao)

3-7
 6 Temos ento trs equaes com
incgnitas. Para resolvermos
devemos fazer uso de um mtodo
simples conforme se segue.
(a) Substitumos a primeira
equao (corrente) em uma das
equaes de tenso, obtendo uma Figura 3-16 Circuito para anlise das leis de
quarta equao de tenso. Kirchoff
Substitumos o valor de I3 na Para encontrarmos os valores de I1, I2
segunda equao teremos: e I3, seguiremos os sete passos
I 3 = I 1 I2 seguintes.
+10 = + 20I1 + 10(I1 I2) ? 1 Pela primeira Lei de Kirchoff, ou
Lei dos Ns, obtemos a seguinte
+10 + 30I1 10I2 (quarta
equao: I3 = I1 + I2 (equao I)
equao). Esta quarta equao
possui as mesmas incgnitas que a 2 Na malha I, pela segunda Lei de
terceira equao, assim podemos Kirchoff, obtemos:
compara-las, arranja-las e soma- -E2 = I1R1 I2R2
las, obtendo: -5V = 5I1 5I2 (equao II)
20 = 50I1 ? 2 = 5I1 ? 3 Na malha II, pela segunda Lei de
I1 = 2/5 A = 0,4 A Kirchoff, obtemos:
(b) Substitumos I1 na segunda E1 + E2 = I2R2 + I3R3
equao e obtemos: 10V = 5I2 + 5I3 (equao III)
10 = 20 x 0,4 + 10I3 ? 4 Substitumos a equao I na
10  8 equao III:
10 = 8 + 10I3 ? I 3 10V = 5I2 + 5(I1 + I2)
10
10V = 5I2 + 5I1 + 5I2
I3=0,2A
10V = 5I1 + 10I2 (equao IV)
(c) Como I1 = I2 + I3 Comparamos a equao IV com
a equao de tenso que ainda
I2 = I1 I3 = 0,4 0,2 = 0,2A no foi usada, que a II, que
possui as mesmas incgnitas que
ou substituindo I1 na terceira a equao IV. Se multiplicarmos
equao obtemos: a equao II por 1 podemos
cancelar I1 e encontrar o valor de
+10 = 20I1 + 10I2 ? I2 .
Somando II com IV, obtemos:
+10 = 20 x 0,4 + 10I2 ?
5V = - 5I1 + 5I2
I2 = 0,2A 10V = +5I1 + 10I2
15V = 15I2
7 Verificando a primeira equao ? I2 = 1A
I1 = I2 + I3 ento 0,4 =
5 Aplicando o valor de I2 na
0,2A+0,2A. Esta equao est
equao II obtemos o valor de I1:
correta com o resultado que
obtemos. Podemos tambm -5V = 5I1 5I2
verificar a igualdade de todas as -5V = 5I1 5
equaes e chegamos concluso
5I1 = 0 ? I1 = 0
que esto corretas.
6 Aplicando o valor de I2 na
e) Analisemos, agora, o circuito da equao III obtemos o valor de I3
figura 3-16. 10V = 5I2 + 5I3

3-8
 10V = 5V + 5I3 DIVISOR DE TENSO E DIVISOR DE
CORRENTE
5I3 = 10V 5v
Afim de melhor compreender como surgiro
5I3 = 5V ? I3 = 1A as frmulas de tenso e corrente nos teoremas de
7 Fazendo a verificao de cada Thvenin e Norton analisaremos os divisores de
equao teremos: tenso e corrente, conforme demonstrado a seguir.
a. I3 = I2 + I1 ? 1A = 1A + 0 Divisor de tenso
b. -5V = 5I1 5I2
-5V = 5 x 0 5 x 1A
-5V = -5V
c. 10V = 5I2 + 5I3
10V = 5 x 1A + 5 x 1A
10V = 5V + 5V
10V = 10V Figura 3-17 Divisor de tenso
d. 10V = 5I1 + 10I2
10V = 5 x 0 + 10 x 1A No circuito da figura 3-17 temos:
10V = 10V ET = E1 + E2 e IT = I1 = I2
Todas as equaes formam uma ET E E2
IT ; I1 1 ; I 2
igualdade e chegamos R1  R2 R1 R2
concluso que esto corretas.
ET E1 E2
Mtodo para resolver Kirchoff com duas
malhas: R1  R2 R1 R2

1- Tirar uma equao para as correntes; a) Clculo de E1 :

ET E1 ET x R1
2- Tirar duas equaes para a tenso, ? E1
uma equao para cada malha; R1  R2 R1 R1  R2

3- Substituir a equao das correntes em b) Clculo de E2 :

uma das equaes de tenso obtendo ET E2 ET x R2
uma quarta equao; ? E2
R1  R2 R2 R1  R2
4- Esta quarta equao possui as mesmas
incgnitas que a equao de tenso
que no foi usada; c) A finalidade do divisor de tenso nos
proporcionar o clculo de queda de
5- Preparamos esta quarta equao e tenso nos resistores sem o uso da
somamos com a equao ainda no corrente do circuito.
usada eliminando uma das incgnitas e
encontrando o valor de uma das
correntes; Divisor de corrente

6- Por substituio obtemos os outros

valores de corrente do circuito;
7- Fazemos a verificao de todas as
equaes da resoluo do problema e
se todas formarem uma igualdade os
resultados estaro corretos;
8- Observao: Em todas as substituies
considere o mdulo e o sinal
encontrados. Figura 3-18

3-9
 No circuito da figura 3-18 temos: desejamos encontrar o valor e o sentido das
IT = I1 + I2 e ET = E1 = E2 correntes em R1, R2 e R3.
R1 x R2
ET IT x ; E1 I1 R1 ; E2 I 2 R2 ?
R1  R2
R1 x R2
IT x I1 R1 I 2 R2
R1  R2
a) Clculo de I1
R xR Figura 3-19
IT x 1 2 I1 R1
R1  R2
R1 x R2 Primeiramente usaremos E1 e
x IT substituiremos E2 por um curto (consideramos
R1  R2 R1 x R2 x IT 1 E2 com Ri = 0).
I1 x
R1 R1  R2 R1
1
IT x R2
I1
R1  R2
b) Clculo de I2
R 1 x R2
IT x I 2 x R2 Figura 3-20
R1  R2
R1 x R2 R2 x R3
IT x RT = R1 + 63 9:
R1  R2 R1 x R2 x IT 1 R2  R3
I2 x
R2 R1  R2 R2
ET = R1 = 4V
1
IT x R1 4V
I2 I T I R1 0,444 A
R1  R2 9:
c) A finalidade do divisor de corrente As correntes no circuito ficam como
nos proporcionar o clculo da corrente distribudas a seguir:
que passa por um brao do circuito
sem o uso da tenso do circuito.

TEOREMA DA SUPERPOSIO

Enunciado

O teorema da superposio estabelece que Figura 3-21

em qualquer rede contendo uma ou mais fontes
de tenso (e/ou corrente), a corrente em Em seguida usaremos E2 e substituiremos
qualquer elemento do circuito a soma E1 por um curto (tambm consideramos R1 de
algbrica das correntes que seriam causadas por E1 = 0).
cada fonte individualmente, estando as demais
substitudas por suas respectivas resistncias
internas.

Aplicao

Para ilustrar a aplicao do teorema

vamos analisar o circuito da figura 3-19, onde Figura 3-22

3-10
 R1 x R2 TEOREMA DE THVENIN
RT R3  63 9:
R1  R2
Nem sempre as leis de Ohm e de Kirchoff
ET = E2 = 6 V constituem a ferramenta necessria para a
resoluo de circuitos mais complexos.
6V
IT I R 3 0,666 A O teorema de Thvenin faz parte de um
9 grupo de teoremas sobre estruturas eltricas
As correntes no circuito ficam como complexas, possibilitando-nos meios mais
distribudas na figura 3-23: eficazes para a anlise simplificada de circuitos
dessa natureza.
A tcnica utilizada possibilita a reduo
de um circuito complexo a um circuito
equivalente simples, que passa a atuar como a
rede original.
O teorema de Thvenin pode ser
enunciado da seguinte maneira: qualquer rede
de dois terminais pode ser substituda por um
circuito equivalente simples, constitudo por um
gerador, chamado gerador de Thvenin, cuja
Figura 3-23 tenso ETH, atuando em srie com sua
resistncia interna RTH, obriga a corrente a fluir
Como ltimo passo fazemos a atravs de uma carga (Ver a figura 325 b).
superposio das correntes causadas por E1 e
por E2.
Em R1 a corrente real ser a soma
algbrica de 0,444A e 0,333A no mesmo a
sentido, de F para A, de onde IR1 = 0,777 A.
Em R2 obtemos 0,333A de E para B, e
0,222A de B para E;. O resultado final de
0,111A no sentido de E para B.
Em R3 obtemos 0,222A e 0,666A no
mesmo sentido, de C para D, de onde IR3 =
0,888A. b
O resultado final est mostrado a seguir na
figura 3-24.
Verificao:
IR3 = IR1 + IR2 Figura 3-25
0,888A = 0,777A + 0,111A. Os circuitos a seguir nos mostram uma
De acordo com a primeira Lei de Kirchoff sequncia de operaes, que visam a determinar
est correto. os dois elementos fundamentais constituintes do
teorema de Thvenin, ou seja, ETH e RTH.

Figura 3-24 (a)

3-11

(b)
(c)
(d)
200 (195  5)
RTH 100:
200  195 5
Figura 3-26
Vejamos agora, algumas regras usadas na
determinao de ETH e RTH:
1 Entendemos por tenso de Thvenin
(ETH) aquela tenso vista nos terminais de
carga, no circuito original, estando a resistncia
de carga removida, isto , tenso em circuito
aberto. o que nos ilustra a figura 3-26 b.
Conforme observamos na figura 3-26 b,
para calcularmos a tenso de Thvenin (ETH),
removemos a carga RL. Neste caso a tenso de
Thvenin a tenso vista nos terminais em
circuito aberto A-B. Isto significa que a tenso
de Thvenin a prpria queda de tenso em R3.
Assim, basta calcularmos a corrente total do
circuito e multiplicamos por R3:
E RL3 = 100:
VR3 it x R3 x R3
R1  R2  R3
100V
x 200 : 50V
5 : 195 :  200 :
Portanto, temos que: VR3 = VAB =
ETH = 50 V
2 Quanto resistncia de Thvenin
(RTH), trata-se da resistncia vista dos
3-12
terminais de carga aberta, quando olhamos para
a rede original, estando as fontes de tenso do
circuito substitudas por suas resistncias
internas.
A figura 3-26c, ilustra o que acabamos de
mencionar. Neste caso, a fonte foi curto-
circuitada e o circuito passou a ter: R1 em srie
com R2; e as duas em paralelo com R3. Deste
modo, a resistncia equivalente entre os pontos
A e B 100:, que a resistncia de Thvenin.
3 Agora, resta-nos fazer o equivalente
de Thvenin, para o circuito da figura 3-26 a.
o que nos mostra a figura 3-26d.
A temos uma fonte de tenso de 50V, que
o gerador de Thvenin; em srie com esta
fonte temos uma resistncia, que a de
Thvenin (100:).
Este circuito, portanto, capaz de fazer
fluir uma corrente (iL) atravs de uma carga
(RL), substituindo o circuito da figura 20a.
Para calcularmos a corrente iL no circuito
da figura 3-26d s empregar a Lei de Ohm:
ETH 50V
iL # 0,111A
RTH  RL 100:  350:
Bem, agora, perguntamo-nos: que
vantagem seria empregarmos tal mtodo na
resoluo dos circuitos, uma vez que,
aparentemente as coisas se tornaram mais
complicadas, pois se trata de um circuito muito
simples, podendo ser resolvido pela aplicao
das leis de Ohm e de Kirchoff ?
Realmente, para o circuito que acabamos
de analisar, isto constitui uma verdade.
Entretanto a veracidade do teorema de Thvenin
torna-se evidente se modificarmos o circuito.
Para isto, vamos supor que quisssemos
achar o valor da corrente IL quando RL
assumisse diversos valores, como por exemplo:
RL1 = 20:
RL2 = 50:
RL4 = 1200:
Se fssemos aplicar as leis de Ohm e de
Kirchoff, por exemplo para calcular a IL em
cada RL diferente, no resta dvida que seria
um trabalho bem laborioso. Entretanto,
calculando o equivalente de Thvenin,
facilmente determinamos os valores de corrente
para cada valor diferente de RL, uma vez que
ETH e RTH, so grandezas independentes do
valor de RL.
Vejamos mais um exemplo bem simples,
de aplicao do teorema de Thvenin, para em
seguida entrarmos na anlise de circuitos mais
complexos.

Figura 3-29 Ilustrao do teorema de Thvenin

Precisamos encontrar o equivalente de

Thvenin para o circuito da figura 3-29. Vamos
abrir o circuito nos pontos A e B, pois R2
Figura 3-27 representa nossa RL. O circuito passa a ser
como o da figura 3-30.
Para calcularmos a tenso de Thvenin
(ETH), basta acharmos a tenso entre os pontos
A e B. Portanto, ao retirarmos RL do circuito, a
E
tenso VAB =ETH = x R2
R1  R2
E x R2 E x R2
= x ETH sendo igual a Figura 3-30 R2 removida do circuito
R1  R2 R1  R2
As fontes E1 e E2 esto em oposio. Logo
equivale f.e.m. do gerador equivalente de a corrente total ser:
Thvenin.
Agora, com a fonte E em curto-circuito, 20V 10V 10V
It 0,5 A
passemos ao clculo de RTH, que por natureza 15:  5: 20:
R1 x R2 Esta corrente, passando em R3 produzir
do circuito, ser: RAB RTH
R1  R2 uma queda de tenso de 2,5,V; e passando em
R1 produzir uma queda de tenso de 7,5 V.
Finalmente, teremos o circuito equivalente Assim, j podemos achar a tenso VAB que ser
de Thvenin, seguido dos seus elementos 12,5 V, conforme ilustrado na figura 3-31.
fundamentais, (RTH e ETH), conforma a figura
3-28 a seguir.

Figura 3-31 Potencial entre os pontos A e B,

igual a 12,5 V

Pelo exposto no circuito da figura 3-31,

Figura 3-28 observamos que a fonte E1 que determina o
fluxo de corrente, pois esta fonte tem valor
R1 x R2 E x R2 maior que E2. Assim sendo, de acordo com o
RTH ETH sentido de corrente estabelecido, temos que,
R1  R2 R1  R2 pelo lado de E2, a tenso VAB = E2 + VR3, pois
estas duas tenses esto em srie e se somam,
Vamos supor que quisssemos calcular a dando VAB = 12,5 V.
potncia dissipada no resistor R2 do circuito da Pelo lado de E1, a tenso VAB = E1 - VR1,
figura 3-29, aplicando o teorema de Thvenin. pois estas duas tenses esto se opondo.

3-13
 Logo: VAB = 20V 7,5V; ou VAB =
12,5V. Portanto, sendo VAB = 12,5V,
conclumos que a tenso de Thvenin 12,5V.
Agora vamos calcular a resistncia de
Thvenin. E s abrir o circuito da figura 3-29
nos terminais A e B e curto-circuitar as fontes
E1 e E2.
O circuito ficar como o da figura 3-32a e
3-32b. Figura 3-34 a

(b)
b

Figura 3-32

Assim, podemos fazer o equivalente de

(c)
Thvenin para o circuito da figura 3-29, usando
o circuito da figura 3-33.

(d)

Figura 3-33 Equivalente de Thvenin

Deste modo, ficou fcil calcularmos a

potncia de R2 s achar a corrente total,
elevar ao quadrado e multiplicar por R2. Isto
pode ser feito da seguinte maneira: (e)

ETH
It ; (It)2 x R2 = P2. Ou seja:
RTH  R2
12,5V 2
P2 ( ) x 10: 8,28W .
13,75 :
Outros exemplos

Exemplo 1 (f)
Vamos encontrar o equivalente de
Thvenin do circuito da figura 3-34 a. Figura 3-34 Ilustrao do teorema de Thvenin

3-14
 Soluo:
Primeiro removemos a carga. Ento,
determinamos a Resistncia de Thvenin
(RTH), substituindo o gerador pela sua
resistncia interna, conforme nos mostra a parte
b. A rede fica ento simplificada (parte c).
A tenso em circuito aberto, ETH,
determinada deixando-se a carga desconectada Figura 3-35 e
(circuito aberto em A-B). Nestas condies
temos 3V em A-B (parte d).
Esta tenso de circuito aberto
representada como um gerador de tenso
constante (parte e). Finalmente, temos os
circuitos das partes c e e, que so
combinados para produzir o Equivalente de
Thvenin, conforme a parte f. Figura 3-35f

Figura 3-35 Ilustrao do Teorema de

Exemplo 2 Thvenin
Vamos encontrar o Equivalente de
Thvenin do circuito da figura 3-35 a. Soluo ;
Vamos remover a carga. Em seguida,
olhando para dentro dos terminais A e B,
determinemos a resistncia de Thvenin (b).
Deste modo, o gerador de corrente de 10A foi
substitudo por uma resistncia infinita (circuito
aberto). Utilizando a frmula a seguir,
(R  R ) R
RTH R4  1 2 3 , podemos encontrar a
Figura 3-35 a ( R1  R2 )  R3
resistncia equivalente, que a resistncia de
Thvenin. Pela parte b podemos observar que
R1 e R2 esto em srie, e ambas esto em
paralelo com R3.. A resultante deste conjunto
est em srie com R4. Ento, substituindo na
frmula os valores das resistncias, teremos (na
parte c):

Figura 3-35 b (100  500) 200

RTH 1K  =
(100  500)  200
600 x 200
= 1000  1000 150 ? RTH = 1150:
800
Na parte d observamos que uma poro
da corrente do gerador produz uma queda de
Figura 3-35 c voltagem em R3. Alis, no flui corrente em R4,
pois o circuito est aberto neste ponto. Em
consequncia, a corrente de R2 a mesma de R3.
Assim, a queda de tenso em R3 a tenso de
Thvenin, pois a tenso em circuito aberto.
Observando, portanto, a parte d, notamos que
10A entram no circuito pelo gerador. Temos
dois ramos de corrente, I1 e I2, uma vez que A-B
Figura 3-35d est aberto, conforme j mencionamos.

3-15
 O ramo de I2 possui uma resistncia de
700: e o outro 100:. O ramo de R3 o que nos
interessa, uma vez que precisamos conhecer a
queda de tenso em R3. Sabemos que correntes
em ramos paralelos se dividem inversamente
proporcionais s resistncias. Portanto, podemos
afirmar que em R1 passa uma corrente sete
vezes maior que a do ramo de R2 com R3, pois
R1 = 100:, e R2 + R3 = 700:. Isto nos leva a
escrever o seguinte:
I1 + I2 = It = 10A Figura 3-36
I1 = 7 I2
10 Pela figura 3-36b observamos que a
7 I2 + I2 = 10A; 8 I2 = 10A ? I 2 1,25 A corrente de Norton (In) distribuda entre a
8
resistncia de Norton (Rn) e a resistncia de
Mas, I2 = I3 = 1,25A. Ento, VR3 = I3 x R3 = carga (RL). Podemos observar pelo circuito da
= 1,25 x 200 = 250V. Assim, VR3 = VAB = figura 3-36b, que: ERL = ERn. Ora, ERL = IL x
= ETH = 250V. RL; ERn = I1 x Rn e In = I1 + IL. Assim sendo
, podemos estabelecer a seguinte proporo:
Na parte f temos o equivalente de
Rn IL
Thvenin, constitudo por um gerador de tenso .
constante e sua resistncia interna. RL I1
Aplicando uma das propriedades das
TEOREMA DE NORTON propores, teremos:

At aqui observamos o uso do teorema de Rn  RL IL  I1

ou, ento, IL(Rn + RL) =
Thvenin na simplificao da anlise dos Rn IL
circuitos de malhas complexas, pela substituio
do circuito original por um circuito equivalente Rn ( IL  I1) Rn x In
= Rn(IL + I1) ? IL = .
envolvendo uma fonte de tenso constante, e o Rn  RL Rn  RL
gerador de Thvenin (ETH), atuando em srie
com uma resistncia interna (RTH). Portanto, para calcularmos a corrente em
O gerador de Thvenin fornece corrente RL, basta usarmos a frmula:
resistncia de carga RL. In x Rn
Estudaremos agora, o teorema de Norton, IL
que emprega uma tcnica bem semelhante Rn  RL
empregada pelo teorema de Thvenin, e que
pode ser enunciado do seguinte modo: Dois Seja agora, o circuito da figura 3-37
terminais de uma rede podem ser substitudos
por um circuito equivalente, que consiste de um
gerador de corrente constante In, em paralelo
com sua resistncia interna Rn.
Na figura 3-36 vemos uma malha original
atuando como um bloco bem como seu circuito
equivalente.
Figura 3-37a

Figura 3-37b

3-16
 Figura 3-37c

Figura 3-38

Inicialmente, estabelecendo um curto-

circuito em RL, forosamente R3 ficar em
curto, o que nos permite empregar a seguinte
Figura 3-37d frmula:

Vamos determinar o equivalente de E 100V 100V

Norton para o circuito da figura 3-37. IN 500m A
R1  R2 5:  195: 200:
Para isto, inicialmente, coloquemos A e B
em curto-circuito, ou seja, daremos um curto em
RL.
Deste modo, a corrente externa ser:
E
I AB I N . Em seguida achemos a
R1
R1 x R2
resistncia de Norton: RAB , estando a
R1  R2 Figura 3-39
fonte em curto-circuito (3-37c).
Assim, podemos escrever duas regras O circuito da figura 3-39 ilustra o que
simples, para determinao da corrente e da acabamos de mencionar. A corrente IN a
resistncia de Norton: corrente que flui no curto-circuito (RL = 0).
a) A corrente de Norton IN uma Em seguida, calculamos a resistncia de
corrente constante que flui num Norton. Para tal, podemos utilizar o circuito da
curto-circuito entre os terminais figura 3-40.
da resistncia de carga, quando
esta substituda por um curto-
circuito (figura 3-37b).
b) A resistncia de Norton RN
aquela resistncia vista dos
terminais da carga aberta,
olhando-se para a malha, quando
sua fonte de tenso substituda
por sua resistncia interna (RN Figura 3-40
definida da mesma maneira que a
resistncia de Thvenin RTH), Desta forma, teremos:
conforme a figura 3-37c. Na
figura 3-37d temos o equivalente 200(5 195)
de Norton: um gerador de RN = RAB = 100 Ohm
200  (5 195)
corrente constante IN com sua
resistncia interna, em paralelo
Finalmente, observando o circuito da
RN.
figura 3-41, temos o circuito equivalente,
Consideremos o circuito da figura 3-38, contendo a corrente de Norton, a resistncia de
no qual desejamos calcular a IN, RN e IL. Norton e a corrente IL.

3-17
 A corrente de Norton, na realidade, a
corrente que passa em R4, estando RL em curto.
Sendo It = 1,8 A, IN ser: It IR3. Ou ento,

ER 3 12V
IN 0, 6 A.
R4 20 :

Passemos agora ao clculo de RN, que a

Figura 3-41
resistncia vista dos terminais da carga aberta:
Pelo que j conhecemos, IL facilmente
( R1  R2 ) x R3
pode ser calculada da seguinte maneira: RN R4 
R2  R1  R3
I N x RN 500 x 10 3 x 100 10 x 10
IL 111mA 20  25 Ohms
RN  RL 100  350 20
E, agora, de acordo com a figura 3-42b,
Vejamos mais um exemplo simples de passemos ao clculo de It. Portanto, IL =
aplicao do Teorema de Norton, ilustrado na
figura 3-42. 0, 6 x 25
0,12 A
25  100

Outros exemplos:
Vamos achar o equivalente de Norton da
figura 3-43a.

Soluo: Inicialmente vamos encontrar a

resistncia de Norton que, conforme j
Figura 3-42a mencionamos anteriormente, definida da
mesma maneira que a resistncia de Thvenin
(RTH). Portanto, abrindo o circuito da partea
nos pontos A e B, temos dois resistores de 6:
em paralelo, conforme nos mostra a figura 3-
43b. Na figura 3-43c temos a resistncia
equivalente (RN).

Figura 3-42b

Primeiramente daremos um curto-circuito

em RL, no circuito da figura 3-42a, para
calcularmos a IN. Deste modo, teremos R3 em
paralelo com R4 e a resultante das duas, em
srie com R1 e R2.
Assim, teremos uma Rt = Figura 3-43a

R3 x R4 10 x 20
R1  R2  1 9 
R3  R4 10  20
10  6,67 16,67 Ohms. ? Rt 16,67 Ohms,

Ea 30
Portanto, I t = 1, 8 A
It 16, 67 Figura 3-43b

3-18
 Figura 3-43c
Figura 3-44b

Figura 3-43d
Figura 3-44c

Figura 3-43e Figura 3-44d

Figura 3-44e
Figura 3-43f
Figura 3-43 Ilustrao do Teorema de Norton
Para calcularmos a corrente de Norton (IN)
basta colocarmos um curto entre os pontos A e
B da figura 3-43d. A corrente no curto-circuito
a corrente de Norton. Neste caso, IN igual
corrente total, podendo ser calculada assim: Figura 3-44f
6V
IN 1 A. Ento, na partec temos a Figura 3-44 Ilustrao do Teorema de Norton
6
corrente equivalente de Norton (IN). Juntando a
Soluo: Na figura 3-44b a carga foi
resistncia equivalente (parte c) corrente
removida. A, temos R1 em srie com R2. Estes
equivalente (parte e), formamos o equivalente
dois resistores esto em paralelo com R3. Este
de Norton (figura 3-43 f).
conjunto est em srie com R4. Portanto, o
Vamos encontrar o equivalente de Norton clculo da resistncia equivalente de Norton
da figura 3-44a. (RN) pode ser feito do seguinte modo:
( R  R2 ) x R3
RN R4  1
( R1  R2 )  R3
600 x 200
1K  1K  150: 1150:
800
A partec nos mostra o que acabamos de
Figura 3-44a demonstrar.

3-19
 Ao colocarmos a fonte de corrente no Recordemos, agora, as frmulas j vistas
circuito (10A), e substituirmos RL por um anteriormente para o clculo de IL, em ambos os
curto-circuito(figura 3-44d), vamos procurar a circuitos da figura 3-41.
corrente de Norton (IN). A corrente de Norton
a mesma que flui nos terminais da carga em
curto.
Fazendo uma observao da figura 3-44d
vemos que a corrente total It se distribui do
seguinte modo: It = I1 + I2. E que I2 = I3 + I4.
Ocorre que I4 = IN, ou seja, I4 igual
corrente de curto-circuito equivalente.
Resolvendo, inicialmente, o circuito da figura 3-
44d por I2, temos: a

R1
I2 It
R3 x R4
R1  ( R2  )
R3  R4
100
10 ?
200 x 1 K
100  500 
1200
b
100
I2 10 1, 305 A
100  500  166, 67
Agora, resolvendo por I4, teremos: Figura 3-45 Converso Norton para Thvenin e
vice-versa
R3 200 Na figura 3-45, por exemplo, temos na
I4 I2 1, 305 0, 217 A E
R3  R4 200  1 K parte a IL = ,
RTH  RL
Logo, I4 = IN = 0, 217 A I N x RN
e na parte b temos: I L
RN  RL
O gerador equivalente de Norton
mostrado na figura 3-44 f. Uma vez que nos propomos a estabelecer
uma equivalncia entre a e b da figura 3-45,
CONVERSO DO EQUIVALENTE DE teremos:
NORTON PARA O DE THVENIN E E I N x RN
.
VICE-VERSA RTH  RL RN  RL

s vezes, por questes de convenincia, Fazendo RTH = RN = r , teremos:

torna-se mais fcil solucionar certos problemas
de anlise de circuitos empregando um mtodo E IN x r
de equivalncia entre geradores de corrente e de r  RL r  RL
tenso.
Para isto, recomendvel adotarmos uma
Agora, eliminando o denominador da
equivalncia entre uma fonte de tenso e uma
equao, vem:
fonte de corrente.
Considerando os circuitos da figura 3-45,
(IN x r) (r + RL) = E (r+RL).
vamos observar que em a temos um gerador
de tenso e em b, um gerador de corrente.
Tirando o valor de IN , temos:
Nestes dois circuitos, h uma carga RL que
alimentada, portanto, por um gerador de E (r  RL )
IN .
tenso e por um gerador de corrente. r (r  RL

3-20
 Simplificando o numerador e o
E
denominador, temos: I N . Esta frmula
r
nos d o valor da corrente de Norton, em funo
da tenso de Thvenin, no esquecendo que,
para tal, consideraremos as resistncias internas
b
iguais, isto : RTH = RN = r.
E
Portanto, da frmula I N , podemos
r Figura 3-47 Convertendo o equivalente de
tambm tirar o valor de E, ou seja: E = IN x r, Thvenin para o de Norton
que a frmula que nos dar o valor da tenso
de Thvenin, em funo da corrente de Norton. Resolvendo para IN o circuito da figura 3-
47A, temos:
Exerccios de aplicao E 3V
IN 1A .
r 3:
Suponhamos, um gerador de tenso, cuja Agora, s colocarmos a resistncia do
E (ETH), seja igual a 20V sabendo-se que equivalente de Thvenin (RTH = r) em paralelo
RTH(r) igual a 10:. Queremos saber o valor do com o gerador de corrente constante (IN = 1 A),
equivalente de Norton. e teremos a soluo, que o circuito da figura 3-
47b.
Soluo: neste caso, a fonte ou o gerador Vamos converter o equivalente de Norton
de corrente equivalente ser: da figura 3-48a para o de Thvenin.

E 20V
IN 2A
r 10:

Seja o circuito da figura 3-48 que

queremos converter num equivalente de Norton.

(a)

(b)
Figura 3-46 Equivalente de Thvenin

Soluo: vamos colocar um curto-circuito

nos terminais A e B do circuito da figura 3-47
obtendo, assim, o circuito da figura 3-47a.

(c)

Figura 3-48 Convertendo Norton para Thvenin

Soluo: vamos computar a queda de

a tenso atravs de RN (figura 3-48b). Esta queda
IN x RN, nos dar RTH, que aproximadamente
250 V. Agora, colocamos a resistncia

3-21
equivalente (RN = r = RTH) em srie com o d)Pelos clculos executados fica demons-
gerador de tenso constante (ETH). trado que a maior potncia sobre RL foi
Assim, obtemos o equivalente de obtida quando RL foi igual a RTH.
Thvenin, conforme a figura 3-48c.
A compreenso deste teorema muito
TEOREMA DA MXIMA TRANSFE- importante para a futura aplicao deste
RNCIA DE ENERGIA conceito em circuitos amplificadores, quando se
falar em casamento de impedncias.
Este teorema estabelece que a mxima
potncia transferida por uma fonte a uma
determinada carga ocorre quando a impedncia APNDICE
da carga for igual a impedncia da fonte.
Uma vez que qualquer circuito ou fonte Sumrio
pode ser representado por um circuito
equivalente de Thvenin, utilizaremos este -Uma fonte de tenso constante deve ter
como base para os clculos demonstrativos uma resistncia interna muito baixa.
deste teorema. Ver a figura 3-49. -No existe, na prtica, um gerador de
tenso ideal; o que existe o gerador de tenso
real.
-Existem vrios tipos de geradores de
tenso. Entre eles, temos uma bateria, uma fonte
de CC regulada ou um seguidor de emissor.
-O equivalente de Thvenin um
dispositivo que atua como um gerador de tenso
constante.
Figura 3-49 -O equivalente de Thvenin muito
empregado na resoluo de circuitos
ETH considerados complexos.
IL PRL I R2 x RL
RTH  RL -Um gerador de tenso constante tem
como finalidade manter constante a tenso de
sada, independente do valor da carga.
Pelas frmulas apresentadas podemos -O gerador de corrente constante capaz
fazer as seguintes verificaes: de fornecer uma corrente de valor constante a
qualquer carga.
a) Se RL = RTH = 10:, -Um gerador de corrente ideal, na prtica,
no existe.
10V -Um gerador de corrente ideal teria
ento, IL = 0,5 A resistncia interna idealmente infinita.
10  10
-O circuito equivalente de Norton, um
e PRL = (10 x 0,5 x 0,5) w = 2,5w gerador de corrente constante, muito empregado
na simplificao de circuitos complexos.
b) Se RL = 2 x RTH = 20:, -Um gerador de corrente constante
considerado bom quando o valor da sua
10V resistncia interna for no mnimo 100 vezes
ento, IL = 0,333 A
10  20 maior que o valor de RL.
e PRL = (20 x 0,333 x 0,333) w # 2,20w -Existem diversos mtodos que visam
solucionar redes de correntes contnuas, cujas
RTH impedncias so essencialmente resistncias
c) Se RL = 5: , lineares e as tenses so constantes.
2
-Quatro teoremas largamente empregados
10V
ento, IL = 0,666 A na anlise de circuitos so: Leis de Kirchoff,
10  5 teorema de Thvenin, teorema de Norton e
e PRL = (5 x 0,666 x 0,666) w # 2,21w teorema de Superposio.

3-22
 -No fornecimento de energia aos circuitos,
temos a considerar as fontes de tenso e as
fontes de corrente.
-Os geradores de tenso tm por
finalidade manter constante a diferena de
potencial entre dois pontos aos quais estejam
ligados.
-Um gerador de corrente aquele que
mantm constante a corrente em seus terminais.
- importante na anlise de circuitos, a
familiarizao com os seguintes termos: Rede,
N, Brao ou Ramo, Lao e Malha.
-As leis de Kirchoff empregadas na
soluo de redes complexas so duas: 1 Lei ou
Lei dos Ns e 2 Lei ou Lei das Malhas.
-A 1 Lei de Kirchoff diz o seguinte: A
soma das correntes que entram em um n,
igual soma das correntes que saem do n.
-A 2 Lei de Kirchoff, no seu enunciado
diz: Em qualquer circuito eltrico fechado, a
soma algbrica das quedas de potencial deve ser
igual soma algbrica das elevaes de
potencial.
-Quando as leis de Ohm e Kirchoff j no
dispem dos recursos necessrios para a
resoluo de circuitos mais complexos,
lanamos mo de outras ferramentas.
-O teorema de Thvenin uma das formas
utilizadas na resoluo de malhas complexas.
3-23
-O teorema de Thvenin pode ser assim
enunciado: Qualquer rede de dois terminais
pode ser substituda por um circuito equivalente
simples, constitudo por um gerador, chamado
de gerador de Thvenin, cuja tenso ETH,
atuando em srie com sua resistncia interna
RTH, obriga a corrente a fluir atravs da carga.
-Outro teorema que emprega uma tcnica
semelhante do teorema de Thvenin, o
teorema de Norton.
-Este teorema dez que:Uma malha de
dois terminais, pode ser substituda por um
circuito equivalente, que consiste de um gerador
de corrente constante IN, em paralelo com sua
resistncia interna RN.
- possvel fazermos uma equivalncia
entre geradores de corrente e de tenso.
-Para isto tomamos as duas frmulas de
IL, para cada gerador (de tenso e de corrente),
igualamos estas frmulas e consideramos iguais
as resistncias internas (RTH = RN = r).
-O Teorema da Superposio facilita os
clculos de circuitos com duas ou mais fontes.
-Os estudos de divisores de tenso e de
corrente podem facilitar em muito a resoluo
dos clculos nos teoremas de Thvenin e de
Norton.
 CAPTULO 4
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
INTRODUO
Os materiais semicondutores so
elementos cuja resistncia situa-se entre a dos
condutores e a dos isolantes.
Dependendo de sua estrutura qualquer
elemento pode ser classificado como isolante,
semicondutor ou condutor. Atualmente os
principais componentes dos equipamentos
eletrnicos so dispositivos semicondutores tais
como: diodos, transistores e circuitos
integrados. Seu emprego deve-se habilidade
de controlar o fluxo de corrente, executando as
mesmas funes das vlvulas eletrnicas, porm
com grandes vantagens como tamanho, peso e
durabilidade.
Por estas razes o emprego dos
dispositivos semicondutores trouxe um grande
desenvolvimento eletrnica. Os primeiros
conceitos de dispositivos semicondutores datam
do incio do sculo.
Em 1906 descobriu-se que determinados
cristais, em contato com uma ponta metlica,
tinham a propriedade de conduzir corrente
eltrica somente numa direo criava-se ento, o
diodo slido. Com o desenvolvimento da teoria
atmica, os cientistas aperfeioaram o diodo
slido at que durante a Segunda Grande
Guerra, em 1948 os cientistas W. Shockley, J.
Bardeen e W. H Brattain apresentaram um
pequeno dispositivo construdo com cristal de
germnio, que tinha a capacidade de controlar e
amplificar a corrente eltrica. Este dispositivo
que foi chamado de transistor, foi aperfeioado
e seu desenvolvimento deu origem ao
aparecimento de muitos outros dispositivos que
hoje formam a grande famlia dos
semicondutores.
Devido ao funcionamento dos
semicondutores estar ligado s caractersticas da
estrutura dos materiais, faremos um estudo
destas estruturas.
ESTRUTURA DA MATRIA
Como se sabe, podemos dividir um
material em pores cada vez menores, at que
chegamos a menor das pores, que recebe o
nome de molcula. Podemos definir a molcula
4-1
como sendo a menor poro que um material
pode ser dividido. Se da molcula partirmos a
uma nova diviso, chegaremos ao tomo, que
por sua vez no conservar mais as propriedades
do material subdividido.
Muitos modelos de tomos foram
apresentados, mas coube a Rutherford e Neil
Bohr o modelo do tomo atual.
Segundo este modelo o tomo
constitudo de um ncleo que contm partculas
denominadas prtons e nutrons.
Em torno do ncleo giram, em rbitas
distintas, outras partculas denominadas
eltrons. Este modelo est representado na
figura 4-1.
Ncleo
Eltron
rbita de
eltrons
Figura 4-1 Desenho representativo de um tomo
Pela tabela peridica dos elementos
pode-se ver que existem 105 tipos de tomos. A
quantidade de partculas que contm um tomo
varia de espcie para espcie. Eletricamente, os
prtons e os eltrons tm a mesma carga, porm
de sinais contrrios, sendo que a carga do prton
positiva e a do eltron negativa. Diz-se que o
tomo est eletricamente em equilbrio, quando
o nmero de eltrons for igual ao nmero de
prtons. Caso contrrio, o tomo chamado de
on.
Um on pode ser de dois tipos: on
positivo quando o tomo perdeu um ou mais
eltrons e on negativo quando o tomo ganhou
um ou mais eltrons. Como citado
anteriormente, no tomo, os prtons e nutrons
esto concentrados formando o ncleo, porm
os eltrons agrupam-se ao redor do ncleo, em
forma de camadas. Estas camadas tm um
nmero mximo de 7, e so designadas pelas
letras K, L, M, N, O, P, Q. Cada camada pode
ter um nmero mximo de eltrons e esses so Um exemplo simples de ligao
mostrados na figura 4-2. covalente a combinao de dois tomos de
hidrognio, como mostrado na figura 4-3.
N da N mximo
Designao
camada de eltrons
1 K 2
2 L 8
3 M 18
4 N 32
5 O 32
6 P 18
7 Q 8

Figura 4-2 Camadas atmicas

Devido ao fato do tomo ter a forma

esfrica, muitas vezes ele representado em Figura 4-3 Ligao covalente
forma circular para facilitar o raciocnio.
Os tomos de silcio e de germnio, que
Definio de Nmero Atmico: Como j foi so os mais importantes no estudo de semicon-
dito, tomos diferentes possuem diferentes dutores, tambm se ligam covalentemente e
nmeros de partculas. Por exemplo, o tomo de embora tenham nmeros atmicos diferentes
oxignio possui 8 prtons e 8 eltrons, j o possuem valncias iguais.
tomo de alumnio possui 13 prtons e 13 Esses tomos podem combinar-se cova-
eltrons. Para podermos identificar e classificar lentemente formando uma estrutura cristalina
os vrios tomos existentes foi criado um que pode ser representada num plano conforme
nmero que indica quantos prtons existem em a figura 4-4. Cada tomo compartilha seus
cada tomo. eltrons de valncia com outros quatro, obtendo
Esse nmero chamado denmero uma estrutura eletricamente estvel.
atmico.
Eltrons de
Ligao valncia
LIGAO ATMICA Covalente
Vimos que com exceo da camada K
que se completa com dois eltrons, a camada
mais externa dos tomos pode conter oito
eltrons, no mximo.
Os tomos que no possuem este
nmero de eltrons tendem a se completarem
doando ou recebendo a fim de terem oito
eltrons na ltima camada.
A capacidade de combinao dos tomos
chamada de valncia. Os eltrons da ltima
camada dos tomos so chamados de eltrons de
valncia, pois atravs deles que a ligao
qumica se processa. Figura 4-4 Ligao covalente, estrutura crista-
De acordo com a valncia os elementos lina
podem ser: monovalentes, divalentes, trivalentes
etc. MATERIAIS SEMICONDUTORES
Uma ligao covalente uma
combinao qumica em que os eltrons so Como j foi dito, semicondutores so
compartilhados entre os tomos. materiais cuja resistncia se situa entre a dos

4-2
condutores e a dos isolantes. Cabe ressaltar
agora o conceito de condutores e a dos isolantes.
Um material condutor caracterizado
por apresentar os eltrons de valncia de seus
tomos fracamente ligados ao ncleo e, devido a
essa ligao no ser muito forte, esses eltrons
podem ser considerados livres.
Sendo assim, se aplicarmos uma
diferena de potencial esse material ele
conduzir facilmente uma corrente eltrica.
Exemplos de materiais condutores: cobre, ouro,
prata, ferro etc.
Quando os eltrons de valncia do
tomo esto fortemente ligados ao ncleo, de tal
modo que no podem ser considerados eltrons
livres no material, este dito isolante. Os
materiais isolantes apresentam ento uma forte
oposio a passagem da corrente eltrica.
Figura 4-5 Rede cristalina plana do Germnio (Ge) e do Silcio (Si)
Nas duas estruturas, os tomos se
combinam covalentemente.
Cada tomo combina-se com mais
quatro, tomando e fornecendo seus eltrons de
valncia. Observando as duas estruturas vemos
que cada eltron de valncia no material est
preso a dois tomos, nessa condio no dever
haver eltrons livres no material, logo as suas
caractersticas eltricas so de isolante. Na
realidade, isto s acontece se estes materiais
estiverem a uma temperatura de 0o absoluto.
Processo de formao de portadores na rede
cristalina.
Apesar das ligaes covalentes entre os
tomos de cristais puros de silcio e de germnio
4-3
Exemplos de materiais isolantes: borracha,
porcelana, vidro etc.
Dos materiais semicondutores existentes
o germnio e o silcio so atualmente os mais
empregados.
Esses tomos ao se unirem entre si
formam uma estrutura do tipo cristalina. Uma
estrutura dita cristalina quando sua forma
bem definida (sempre em forma de cristais). So
exemplos de materiais com estrutura tipo
cristalina: cobre, diamante, silcio, germnio etc.
Quando a forma da estrutura formada
pela unio dos tomos no bem definida esta
dita amorfa. So exemplos de materiais com
estrutura tipo amorfa: plsticos, gases, borracha
etc.
A figura 4-5 mostra a estrutura cristalina
do germnio e do silcio.
serem rgidas, quando o cristal submetido a
qualquer tipo de energia algumas delas chegam
a se romper.
O rompimento entre as unies ocorre
quando o eltron de valncia que pertence aos
dois tomos adquire energia suficiente para se
liberar.
Ligaes covalentes so interrompidas
quando um dos cristais submetido a certos
campos de energia como: calor, luz, raios X,
raios csmicos etc.
O nmero de rompimentos diretamente
proporcional intensidade do campo de energia
aplicado ao cristal.
Cada rompimento gera um portador de
carga eltrica negativa e uma carga eltrica
positiva.
 Pela figura 4-6 podemos observar que
com o rompimento da ligao covalente ocorre
a liberao do eltron, ficando no lugar deste
um buraco ou lacuna.
Esta lacuna tem caracterstica positiva,
porque qualquer eltron prximo poder ser
atrado por ela.
Eltron livre
Lacuna
Figura 4-6 Gerao de lacuna
Como j foi dito, vrios fatores podem
contribuir para a gerao de portadores em
cristais de germnio e de silcio, porm, a
variao de temperatura o fator que mais os
afeta.
A 0o absoluto, o germnio e o silcio tm
condies de serem isolantes, porm, na
temperatura ambiente, aproximadamente 25o C,
ambos cristais apresentam em suas estruturas
milhares de rompimentos entre as ligaes,
criando milhares de portadores positivos e
negativos, lacunas e eltrons respectivamente.
Nesta situao tanto o germnio quanto
o silcio tem caractersticas de semicondutores
intrnsecos, isto possuem caractersticas
prprias.
Na temperatura ambiente de 250 C, um
cristal puro de silcio apresenta aproxi-
madamente 1010 lacunas e 1010 eltrons por cm3
e uma resistividade de 2,4 x 104 ohms/ cm3.
Para a mesma temperatura, um cristal
puro de germnio apresenta, aproximadamente,
1013 lacunas e 1013 eltrons por cm3 e uma
resistividade de 47 ohms/cm3.
Pelos valores de resistividade vemos que
na mesma temperatura a estrutura do silcio tem
ligaes covalentes mais estveis que as do
germnio, ou seja, so mais difceis de serem
rompidas.
4-4
Fluxo de lacunas
Quando uma ligao perde um eltron
de tal forma que exista uma lacuna, esta fcil
de ser preenchida por um eltron de valncia
que deixa uma ligao covalente de um tomo
vizinho; este eltron ao sair da ligao
covalente, deixa outra lacuna. Assim,
efetivamente, a lacuna se move na direo
oposta direo do eltron. Esta lacuna, nesta
nova posio, pode ser agora preenchida por um
outro eltron proveniente de outra ligao
covalente. Temos assim um mecanismo para a
conduo de eletricidade.
Um modo conveniente de ilustrar esse
movimento mostrado na figura 4-7, em forma
de esferas.
Figura 4-7 Fluxo de lacunas
JUNO PN FORMAO
At agora estudamos os cristais de silcio
e de germnio em suas formas puras. Porm,
partindo-se de um cristal puro, atravs de
tcnicas especficas, consegue-se introduzir
neste cristal, tomos de um outro metal, de tal
modo a se conseguir o comportamento eltrico
desejado.
Esta operao denominada dopagem
e o metal a ser introduzido no cristal chamado
de impureza. Os metais usados como impureza
podem ter tomos trivalentes ou pentavalentes,
isto , com trs ou cinco eltrons na ltima
camada.
Se na dopagem usarmos impurezas
trivalentes (ou aceitadoras), cria-se no cristal
portadores de carga positiva ou lacunas, pois,
para participar da ligao covalente o tomo da
impureza necessita de um eltron para
completar sua ltima camada com quatro
eltrons. Este cristal chamado de positivo ou
P..
Porm, se na dopagem usarmos
impurezas pentavalentes ou doadoras, cria-se no
cristal eltrons livres, pois para participar da
ligao covalente o tomo da impureza doa um
eltron que estava em excesso. Este eltron
pode ento ser considerado livre. Este cristal
chamado de negativo ou N.
Para a criao de um cristal tipo N as
impurezas geralmente utilizadas so: fsforo,
arsnio, bismuto e antimnio.
A figura 4-8 mostra um bloco repre-
sentativo do elemento N.
Figura 4-8 Cristal tipo N (representao)
Os crculos pequenos representam os
tomos pentavalentes, o sinal negativo o
quinto eltron do tomo pentavalente, que no
entrou na combinao.
Para a criao de um cristal tipo P as
impurezas normalmente utilizadas so: brio,
alumnio, glio e ndio.
A figura 4-9 mostra um bloco
representativo do elemento P.
Figura 4-9 Cristal do tipo P (representao)
Os pequenos crculos representam os
tomos trivalentes e os sinais positivos fora dos
crculos so as lacunas criadas por eles.
4-5
Facilmente, entendemos que a dopagem
criar, no cristal, tantos eltrons livres ou
lacunas quantos forem os tomos de impurezas
doadoras ou aceitadoras introduzidos.
Polarizao do elemento N
Ao polarizarmos um elemento N,
conforme a figura 4-10, teremos o aparecimento
de uma corrente eltrica, cujos portadores so
eltrons e cujo sentido o indicado na figura. A
intensidade desta corrente limitada pela
resistividade do elemento N, que depende da
quantidade de portadores, que, por sua vez
depende da quantidade de tomos da impureza.
Figura 4-10 Polarizao do elemento N
Por serem portadores de carga negativa,
os eltrons livres no elemento so atrados pelo
potencial positivo da fonte de tenso, dando
corrente o sentido indicado na figura 4-10.
Polarizao do elemento P
A figura 4-11 mostra a polarizao de
um elemento P. Ao polarizarmos um elemento P
conforme indicado na figura 4-11, haver uma
corrente de lacunas no cristal no sentido
mostrado.
Figura 4-11 Polarizao do elemento P
 As lacunas, que so positivas, so
repelidas pelo seu positivo da fonte de tenso e
atradas pelo plo negativo da mesma.
Um eltron entra no cristal no lado
negativo da fonte e se combina com uma lacuna,
completando a unio, estes j no existem mais
como portadores eltricos. Em seguida a bateria
que perdeu um eltron no lado negativo da
fonte, tira um eltron do cristal no lado positivo
da fonte, gerando assim, uma lacuna que
imediatamente repelida pelo plo positivo da
fonte e atrado pelo plo negativo. Temos assim
uma corrente eltrica constante que limitada
pela resistividade do elemento, que por sua vez,
depende do nmero de portadores criados na
dopagem do mesmo.
Portadores Majoritrios e Minoritrios nos
elementos
Como vimos anteriormente, se
adicionarmos impurezas pentavalentes um
cristal surgem nesse cristal tantos eltrons livres
quantos forem os tomos de impurezas
adicionados.
Sabemos que na temperatura ambiente o
cristal puro apresenta portadores positivos e
negativos em nmeros iguais. Porm, com a
dopagem essa igualdade alterada e o material
que possua igual quantidade de portadores,
possui agora, maior nmero de eltrons do que
de lacunas. Dizemos ento que os eltrons so
portadores majoritrios e as lacunas portadores
minoritrios no elemento N.
Elemento N
Elemento P
Figura 4-12 Concentrao de portadores nos
elementos P e N
4-6
Quando se une um elemento P a um
elemento N, h uma combinao natural de
portadores ou seja, eltrons do elemento N e
lacunas do elemento P, em toda a estrutura das
superfcies unidas.
Porm, nem todos os eltrons e lacunas
se recombinam porque as primeiras
recombinaes criam ons, que fazem uma
barreira ao processo de recombinao. Isto pode
ser visto na figura 4-13.
Figura 4-13 Formao de ons na juno PN
No elemento P os tomos que se ionizam
so os das impurezas aceitadoras e no elemento
N os das impurezas doadoras. Esta regio
ionizada entre os elementos P e N dotada de
um campo eletrosttico negativo, no lado P e
positivo no lado N.
Esse campo considerado como se fosse
um campo de fora, cujo potencial negativo, da
regio P, repele os portadores de eltrons, do
lado N e cujo potencial positivo, da regio N,
repele as lacunas do lado P.
Por isso, embora os portadores de
eltrons e lacunas estejam em movimento,
temperatura ambiente, eles no se difundem por
toda estrutura cristalina.
A figura 4-14 mostra uma juno PN
com os portadores de carga e as foras de
repulso.
Figura 4-14 Campo eletrosttico e foras de
repulso na juno PN
 Devido a falta de portadores de carga
nessa regio a mesma recebe o nome de regio
de depleo.
POLARIZAO DE UMA JUNO PN
De acordo com a polaridade dos
elementos P e N da juno tem-se um
comportamento diferente da mesma.
A juno PN pode ser polarizada de duas
maneiras: direta ou inversa.
Juno PN diretamente polarizada
Diz-se que a juno PN est diretamente
polarizada quando tem-se o positivo da fonte de
tenso ligado ao elemento P e o negativo ao
elemento N, como mostra a figura 4-15.
Figura 4-15 Juno PN diretamente polarizada
Na polarizao direta da juno PN,
temos uma diminuio da barreira de potencial
pois as lacunas, do lado P, so repelidas pelo
potencial positivo e os eltrons do lado N so
repelidos pelo potencial negativo da fonte de
tenso.
A regio agora apresenta uma baixa
resistncia, cerca de dezenas de ohms.
Os tomos pertencentes ao lado N
tornam-se ons positivos, porque seus eltrons
foram deslocados em direo da juno, tendo
agora condies de receberem eltrons da fonte
de tenso.
Por sua vez os tomos do lado P,
tornam-se ons negativos, porque suas lacunas
foram deslocadas para a juno, tendo
condies de fornecer eltrons para o lado
positivo da fonte de tenso.
Vemos que com essa polarizao, temos
eltrons entrando no lado N e saindo no lado P.
Na regio da juno, h um processo
constante de recombinao de eltrons e
lacunas.
4-7
Assim uma corrente eltrica estabelecida
numa juno PN.
Esta corrente denominada corrente
direta.
Juno PN inversamente polarizada
Diz-se que a juno PN est inver-
samente polarizada quando tem-se o positivo da
fonte de tenso no lado N e o negativo no lado
P, como mostra a figura 4-16.
Figura 4-16 Juno PN inversamente polarizada
Podemos observar que o potencial
positivo, no lado N, uma fora de atrao para
os eltrons e que o potencial negativo, no lado P
uma fora de atrao para as lacunas.
A ao dessa fora faz com que os
portadores se desloquem, temos ento um
aumento na barreira de potencial, como
mostrado na figura 4-16.
Este aumento diretamente proporcional
ao aumento da tenso aplicada juno PN.
Nesta situao no deve circular corrente
normal no circuito, porm, devido s caracte-
rsticas do cristal, haver uma pequena corrente
que denominada corrente de fuga.
DIODO SEMICONDUTOR
Vimos anteriormente que podemos
polarizar uma juno PN de duas maneiras
distintas, direta e inversamente.
Na primeira condio temos uma
corrente circulando pela juno e na segunda
esta corrente pode ser considerada desprezvel.
vemos ento que esse dispositivo possui
caractersticas de conduo eltrica unidire-
cional. Tal elemento pelas caractersticas acima
descritas ser amplamente empregado na
Eletrnica, principalmente na retificao de
sinais recebendo para tanto o nome de diodo de
juno ou diodo semicondutor.
DIODO RETIFICADOR

Existem muitos tipos de diodos, tais

como o diodo Zener, o SCR, o fotodiodo etc.
Porm, entre os vrios tipos de diodos
existentes um dos mais usados na eletrnica o
diodo retificador cujo smbolo mostrado na
figura 4-17.

Figura 4-19 Curva da polarizao direta do

diodo

Polarizao inversa do diodo

Figura 4-17 Smbolo e polarizao dos diodos
A figura 4-20 mostra o circuito de um
diodo polarizado inversamente.
Polarizao direta do diodo

Como j foi visto, na polarizao direta

da juno PN o lado N est ligado ao plo
negativo da fonte de tenso e o lado P no plo
positivo da mesma.

Figura 4-20 Diodo polarizado inversamente

Na polarizao inversa da juno PN, o

lado N est ligado no plo positivo da fonte de
tenso e o lado P no plo negativo da mesma.
Figura 4-18 Circuito do diodo semicondutor
polarizado diretamente I

Pelo circuito da figura 4-18 podemos Tenso de ruptura Regio

observar que, atravs do potencimetro R, (Break down) direta
conseguimos variar, a partir de zero volt, a
tenso aplicada ao diodo.
Como a variao de corrente
diretamente proporcional variao de tenso V
veremos que ao aumentarmos a tenso sobre o
diodo a corrente tambm aumentar propor-
Regio Vd- Tenso direta
cionalmente.
reversa Id- Corrente direta
At um determinado valor de tenso este
comportamento vlido, a partir de tal ponto a Vr- Tenso reversa
corrente cresce bruscamente e a tenso no diodo Ir- Corrente reversa
tende a ficar constante.
Afigura 4-19 mostra a curva de Figura 4-21 Curva de polarizao inversa do
polarizao direta de um diodo. diodo

4-8
 Pelo circuito vemos que, atravs do
potencimetro R, fazemos com que a tenso
negativa no elemento P aumente lentamente.
Nesta situao a corrente que flui no circuito
desprezvel, porm, se aumentarmos ainda mais
o valor da tenso sobre o diodo atingiremos um
valor em que h um aumento brusco da corrente
reversa, comprometendo at mesmo a
integridade da juno PN. Este valor de tenso
denominado tenso de ruptura.
A curva de polarizao reversa do diodo
semicondutor mostrada na figura 4-21.
RUPTURA DA JUNO PN
A ruptura da juno ocorre quando a
corrente reversa atinge um nvel suficiente para
romper as ligaes entre os tomos do cristal,
danificando a mesma.
O valor da tenso de ruptura de suma
importncia no projeto de circuitos utilizando
diodos polarizados inversamente. Os diodos
construdos com cristais de silcio suportam
maiores tenses inversas do que os diodos de
germnio.
A ruptura da juno de um diodo pode
ser causada por vrios fatores como tenso
inversa (ou avalanche) e por efeito trmico.
Ruptura por tenso inversa (efeito
Avalanche)
Quando a tenso inversa atinge um valor
alto o suficiente para provocar o rompimento
das ligaes entre os tomos do cristal diz-se
que a ruptura se d por tenso inversa ou por
efeito avalanche, porque esses rompimentos
geram portadores, que por sua vez vo romper,
por choque, outras ligaes e assim por diante
como numa avalanche.
Este processo de quebra e gerao de
portadores diminui rapidamente a resistncia da
juno aumentando bruscamente a corrente por
ela, podendo inclusive danifica-la.
Ruptura por efeito trmico
Como visto anteriormente, existe na
juno PN a gerao de portadores minoritrios
devido temperatura.
A ruptura por efeito trmico se d
quando os portadores minoritrios provocam
uma corrente inversa que resulte numa potncia
4-9
maior que a da capacidade de dissipao da
juno.
Para uma tenso inversa constante, a
corrente inversa pode ser aumentada pelo efeito
trmico, o que aumenta a potncia da juno.
Com o aumento dessa potncia haver tambm
um aumento de temperatura o que resulta num
novo aumento da corrente inversa, esse aumento
de corrente tende a aumentar ainda mais a
potncia e essa por sua vez a temperatura. E
assim sucessivamente at a ruptura.
APLICAO DO DIODO RETIFICADOR
Pelo que foi visto at aqui notamos que o
diodo pode ser considerado como sendo uma
chave eletrnica. Quando em polarizao direta,
a corrente sobre ele fica limitada somente pelos
elementos do circuito externo. Porm, quando
est polarizado inversamente, a corrente do
circuito fica limitada por ele mesmo, tendo
assim, o comportamento de um circuito aberto.
A figura 4-22 mostra dois circuitos com diodos
polarizados direta e inversamente.
Figura 4-22 Diodos polarizados inversa e direta
mente
No circuito com a polarizao direta a
corrente que flui pelo circuito uma juno da
tenso de 60 V e da tenso sobre o diodo, que
muito pequena, pois em polarizao direta o
diodo praticamente um curto-circuito. Tem-se
ento quase toda tenso (59,3 V) sobre a
resistncia de 1,5 K:, restando apenas uma
pequena tenso (0,7 V) sobre o diodo. No
circuito com a polarizao inversa no h
praticamente corrente fluindo, portanto no
haver queda de tenso sobre R. Tem-se ento
toda a tenso da fonte sobre o diodo o qual pode
ser considerado um circuito aberto.
DIODO EM TENSO ALTERNADA
Quando polarizado com tenso alternada
o diodo retificador conduz somente durante o
Figura 4-23 Circuito retificador com tenso senoidal
Durante o semiciclo positivo de Vi (de
t0 a t1), o ponto A fica positivo em relao ao
ponto B, polarizando o diodo diretamente.
Nesta condio, o diodo praticamente
um curto-circuito e a corrente no circuito
determina em R uma queda de tenso
proporcional tenso entre os tempos t 0 e t 1
da tenso de entrada.
Durante o semiciclo negativo de Vi (de
t1 a t2),, o ponto A fica negativo em relao ao
4-10
semiciclo em que est polarizado diretamente,
ou seja, durante o semiciclo em que a tenso de
anodo for maior que a de catodo, permanecendo
cortado no outro semiciclo.
A figura 4-23 apresenta um circuito com
um diodo operando em tenso alternada e
tambm as formas de onda de entrada e de
sada.
ponto B, polarizando o diodo inversamente.
Nestas condies, o diodo pode ser
considerado um circuito aberto.
A ao descrita acima chamada
retificao, e onde o diodo tem a sua mais
importante aplicao.
Como outras aplicaes do diodo
retificador podemos citar: em detectores de
pico, circuitos limitadores, circuitos de proteo
etc.
 CAPTULO 5
FONTES DE FORA ELETRNICA
TIPOS DE FONTES DE FORA
Os circuitos que usam transistores,
diodos ou circuitos integrados geralmente
precisam de uma fonte de fora CC para sua
operao. Existem basicamente trs tipos de
fonte de fora CC:
- Pilhas e baterias
- Geradores CC
- Fontes de fora eletrnica
As pilhas e baterias produzem tenso CC
atravs da ao qumica. Os geradores CC usam
movimento mecnico para girar um condutor
em seu campo magntico e assim produzir uma
tenso CC pulsante.
Pilhas e baterias so atualmente muito
utilizadas, pois os modernos circuitos em estado
slido requerem potncias muito baixas
comparadas com as necessrias aos antigos
equipamentos vlvula. Pilhas e baterias so
essenciais aos equipamentos portteis e aos
equipamentos instalados em locais distantes da
energia CC.
Porm um equipamento mais potente,
nos quais o uso de pilhas ou baterias seria
impraticvel, a energia CC fornecida por uma
fonte de fora eletrnica.
Uma fonte de fora eletrnica um
circuito que fornece uma tenso CC para a
operao de outros circuitos eletrnicos.
Existem as fontes eletrnicas que convertem
tenso CA em CC e as que convertem tenso
CC em CA, sendo a primeira a mais utilizada.
A energia primria para a maioria das
fontes de fora eletrnica a tenso CA de 60
Hz que encontramos nas tomadas. A fonte
converte esta tenso em tenso CC, ser
utilizada pelos circuitos eletrnicos, de acordo
com as seguintes etapas:
- Ajuste da amplitude da tenso CA
- Retificao
- Filtragem
- Regulagem
A amplitude da tenso CA ajustada
usando-se um transformador de ncleo de ferro.
5-1
Este transformador pode ser projetado para
elevar a tenso CA aplicada quando uma alta
tenso CC de sada for necessria, ou pode ser
projetado para reduzir a tenso CA quando uma
baixa tenso de sada requerida.
Aps efetuado o ajuste da amplitude da
tenso CA, a mesma convertida em tenso
CC. Este processo chamado de retificao.
A retificao efetuada por diodos
retificadores que, como j sabemos, so
dispositivos que oferecem alta resistncia ao
fluxo de corrente em uma direo(de catodo
para anodo) e baixa resistncia no sentido
oposto (de anodo para catodo).
A tenso de sada no retificador pode ser
chamada de tenso CA retificada ou tenso CC
pulsante. Como na sada da fonte necessitamos
de uma tenso CC sem variaes, um circuito
de filtro empregado logo aps o estgio
retificador. Este circuito eliminar as pulsaes
existentes na sada do retificador. O filtro
normalmente consiste de um capacitor, uma
combinao de capacitores e indutores ou uma
combinao de capacitores e resistores.
A tenso obtida na sada do filtro pode
ser aplicada diretamente carga. Porm essa
tenso poder variar devido a variaes da
tenso CA de entrada e da carga. Essas
variaes poderiam prejudicar o desempenho do
circuito em operao.
Para obtermos uma tenso de sada
constante um circuito regulador colocado
entre o estgio de filtragem e a carga. O
regulador efetua as compensaes necessrias
causadas pelas variaes da tenso CA de
entrada e as variaes de carga, mantendo a
tenso de sada constante.
O regulador normalmente um circuito
de controle por realimentao, composto por
transistores e outros semicondutores.
Ao utilizarmos uma pilha ou bateria
como fonte de energia a tenso fornecida pode
no ser adequada ao circuito a ser alimentado.
Neste caso necessria uma fonte que
converta a tenso disponvel na utilizvel.
Essas fontes so chamadas de
conversores CCCC. Essa converso da tenso
CC de uma dada bateria em um valor mais alto,
implica na converso da tenso CC da bateria
em tenso CA, atravs de um dispositivo de
chaveamento eletrnico.
Esta tenso elevada ao valor desejado
por meio de um transformador.
A tenso alternada do secundrio do
transformador ento retificada para a tenso
CC pulsante, filtrada e aplicada carga atravs
de um regulador. Por ltimo, existe o tipo de
fonte de fora que converte energia CC em CA,
este chamado de conversor.
Este dispositivo necessrio quando se
necessita de energia CA e s se dispe de
Figura 5-1 Diagrama bsico de uma fonte de fora eletrnica
CIRCUITOS RETIFICADORES
O retificador aquela parte da fonte de
fora que, atravs de diodos retificadores
converte a tenso CA do transformador em CC
pulsante.
No retificador os diodos
semicondutores, atuam como chaves
unidirecionais, sensveis polaridade e que
permitem o fluxo de corrente atravs da carga
em apenas uma direo.
Existem vrios tipos de circuitos
retificadores como veremos a seguir.
Retificador de meia onda
No circuito retificador de meia onda
apenas um diodo usado no processo de
retificao.
A figura 5-2 mostra o circuito retificador de
meia onda.
5-2
baterias e pilhas como fonte de energia, ou seja,
s de energia CC. Como no caso de conversor
CC-CC a energia CC transformada em CA,
por meio de chaveamento eletrnico, em
seguida elevada ao valor desejado, retificada e
filtrada.
Os inversores so muito empregados em
aeronaves, onde existem equipamentos que so
alimentados com energia CA.
A figura a seguir mostra o diagrama
bsico em blocos de uma fonte de fora
eletrnica.
Figura 5-2 Circuito retificador de meia onda
Quando a polaridade da tenso no secun-
drio polariza diretamente o diodo D, ocorre um
fluxo de corrente atravs de RL. Quando a
polaridade se inverte no ciclo seguinte, o diodo
polarizado inversamente e no h fluxo de
corrente na carga como mostra a figura 5-3.
Pelas formas de onda da figura 5-3
podemos observar que durante o perodo de t1 a
t2, em que o diodo est conduzindo, parte da
tenso aparece atravs do retificador e da
resistncia do secundrio do transformador,
porm sua maior parte aparece sobre a
resistncia de carga RL. O diodo e o secundrio
do transformador apresentam uma resistncia
pequena quando esto conduzindo. A queda de
tenso sobre o diodo de aproximadamente 0,7
V, quando este est conduzindo para diodos de
silcio e 0,2 V para os diodos de germnio.
Figura 5-3 Formas de onda em um retificador de
meia onda
No perodo de t2 a t3 o diodo est
cortado pois, o ponto A no secundrio do
transformador (figura 5-2) negativo em
relao ao ponto B, o que polariza o diodo
inversamente. Nesta situao nenhuma corrente
fluir atravs da carga, no havendo tambm
queda de tenso sobre a mesma, e toda a tenso
do secundrio do transformador cair sobre o
diodo.
No perodo seguinte, de t3 a t4, o diodo
conduzir novamente e a operao ser a
mesma verificada no perodo de t1 a t2,
analogamente, a operao de t4 a t5 ser a
mesma verificada de t2 a t3. Com isso, teremos
sobre RL uma tenso que consistir de uma
srie de meias ondas senoidais de mesma
polaridade. A corrente atravs da carga RL ser
uma srie de pulsos que ocorrem na mesma
frequncia da tenso CA da rede.
No circuito da figura 5-2 vemos que a
polaridade da tenso de sada atravs da carga
positiva em relao terra, porm, se o diodo
fosse invertido a sada seria negativa em relao
terra, pois a corrente fluir em direo oposta
da anlise anterior.
Se considerarmos o diodo e o
transformador como elementos ideais, ou seja, o
5-3
diodo apresenta uma queda de tenso igual a
zero quando est diretamente polarizado e se
comporta como um circuito aberto, quando est
inversamente polarizado e o transformador tem
uma resistncia de enrolamento igual a zero.
Durante os perodos t1, a t2 e t3 a t4,
toda a tenso do secundrio do transformador
seria aplicada sobre a carga RL com estas
condies ideais e durante os perodos t2 a t3 e
t4 a t5, nenhuma tenso apareceria sobre RL.
O valor mdio da forma de onda da
corrente ou tenso na sada do retificador de
meia onda igual a 0,318 vezes o valor da
corrente ou tenso de pico. Esta seria a tenso
ou corrente indicada por um tpico medidor CC
de DArsonval conectado RL, se todos os
componentes fossem ideais. No entanto, na
prtica esse valor um pouco menor devido s
perdas no diodo e na resistncia do enrolamento
secundrio do transformador.
Retificador de onda completa
Como visto anteriormente o circuito
retificador de meia onda produz uma srie de
pulsos a partir da tenso CA de entrada. Mesmo
com o uso de filtros, difcil de se obter uma
tenso CC sem flutuaes na sada do mesmo.
Um circuito retificador de onda completa utiliza
os dois semiciclos da tenso CA de entrada, de
tal modo a obter uma tenso de sada mais
estvel.
Este circuito utiliza um transformador
com center-tape, dois diodos retificadores e um
resistor de carga, como mostra a figura 5-4.
Figura 5-4 Circuito retificador de onda completa
Quando o ponto A, no secundrio do
transformador positivo em relao ao ponto C,
o ponto B ser negativo em relao ao mesmo.
Esta condio ocorre de t1 a t2 na figura 5-5.
Durante este perodo o diodo D1 conduzir e o
diodo D2 no. A corrente ser como indicado
pelas setas cheias da figura 5-4.
 Note que a corrente flui somente na
metade do enrolamento do secundrio do
transformador..
Durante o perodo de t2 a t3, o diodo D2
conduz e D1 no. A corrente indicada pelas
setas tracejadas na figura 5-4.
A figura 5-5 mostra as formas de onda
das tenses nos pontos A, B e C.
Figura 5-5 Formas de onda em um retificador de
onda completa
Vemos na figura 5-5 que a tenso
CC atravs da carga uma srie de pulsos
Figura 5-6 Circuito retificador em ponte
No instante em que temos Ep positivo,
ou seja o ponto 1 positivo em relao ao ponto
2, os diodos D2 e D4 conduzem (ficam em
srie) pois, as tenses que aparecem sobre eles
propiciam um efeito como mostrado na figura
5-7.
Estes diodos conduzindo faro com que
circule uma corrente no circuito, no sentido
indicado pelas setas cheias na figura 5-6.
5-4
unidirecionais, porm h o dobro de pulsos que
havia no retificador de meia onda.
Portanto, os pulsos de sada ocorrem em
uma frequncia que o dobro da de entrada.
Com isso temos que a tenso mdia
atravs do resistor de carga ser o dobro da
tenso que era produzida no circuito retificador
de meia onda, ou seja, ser 0,636 vezes o valor
de pico.
Um ponto importante a ser
observado no circuito que apenas um diodo
conduz de cada vez, um no semiciclo positivo e
outro no semiciclo negativo da tenso de
entrada. O diodo que no conduz sofre uma
polarizao reversa de todo enrolamento,
portanto, ambos os diodos devem ser capazes de
suportar esta tenso para garantir o bom
funcionamento do circuito.
Retificado em ponte
Um retificador em ponte um circuito
formado por quatro diodos conectados de tal
forma que desnecessrio o uso de um
transformador com center-tape. Com essa
configurao obtem-se a retificao de onda
completa com um enrolamento simples de
secundrio. A figura 5-6 mostra o circuito
retificador em ponte.
Figura 5-7 Polarizao de D2 e D4 no semiciclo
positivo da tenso de entrada
Quando Ep inverte a polarizao, o
ponto 1 ser negativo em relao ao ponto 2,
devido a estes potenciais os diodos D1 e D3
conduzem (ficam em srie) como mostra a
figura 5-8.
Figura 5-8 Polarizao de D1 e D3 no semiciclo
negativo da tenso de entrada
Uma vez conduzindo, os diodos D1 e D3
propiciaro a circulao de uma corrente cujo
sentido o indicado pelas setas tracejadas na
figura 5-6.
fcil verificar que mesmo Vs mudando
de polaridade a corrente na carga circula sempre
no mesmo sentido, isto quer dizer que a corrente
I1 possue somente uma polaridade, ou seja, esta
corrente contnua pulsante e conseqente-
mente a tenso sobre a carga tambm o ser.
A figura 5-9 mostra as formas de onda
no retificador em ponte.
Figura 5-9 Formas de onda da tenso de sada
no retificador em ponte
Quando os diodos D2 e D4 conduzem,
os diodos D1, D3, o secundrio do
transformador e a carga R1 esto em paralelo.
Desta maneira o circuito comporta-se como
mostra o esquema da figura 5-10.
Da maneira que os diodos D1 e D3 se
encontram na figura 5-10, eles esto polarizados
inversamente e a tenso mxima que ficar
sobre eles a tenso mxima fornecida pelo
secundrio do transformador.
A tenso na carga tambm ser igual
tenso Vs. Analogamente, quando a tenso Vs
muda de polaridade, a tenso reversa sobre os
5-5
diodos D2 e D4 ser a mesma tenso que
aparece no secundrio do transformador, e a
mesma na carga.
Figura 5-10 Esquema equivalente do circuito
em ponte no semiciclo positivo da
tenso de entrada
Logo, pode-se concluir que a tenso de
pico reversa sobre os diodos ter o mesmo valor
da tenso mxima fornecida pelo secundrio do
transformador.
FILTROS
Como vimos, a sada de qualquer
circuito retificador a diodos uma corrente CC
pulsante. Este tipo de corrente inadequado
para alimentar a maioria dos circuitos
eletrnicos, os quais geralmente requerem uma
tenso CC constante para funcionar.
Numa fonte de fora eletrnica, usado
um circuito de filtro para converter a onda CC
pulsante em uma onda CC pura. A seguir
veremos a definio de Ripple e os filtros mais
comumente usados bem como o seu
dimensionamento.
Fator de Ripple
A sada CC pulsante produzida pelos
circuitos retificadores uma forma de onda
complexa que pode ser dividida em
componentes CA e CC.
A finalidade do filtro remover a
componente CA que chamada de ondulao
ou ripple.
Figura 5-11 Forma de onda de sada de um
retificador de meia onda
 A figura 5-11 mostra a forma de onda
CC pulsante da sada do retificador de meia
onda.
A tenso CC mdia 0,318 vezes o
valor de pico da tenso de entrada CA. O ripple
ou correspondente CA, indicado pelas reas
sombreadas abaixo e acima da mdia CC.
Podemos considerar o ripple como
sendo uma forma de onda no senoidal
sobreposta ao nvel mdio CC. Note que se a
Figura 5-13 Filtro a capacitor
fonte de fora opera com uma tenso de linha
cuja frequncia 60 Hz, a frequncia de
As formas de onda de um circuito
oscilao do retificador de meia onda 60 Hz.
retificador com filtro so mostradas na figura 5-
Portanto, o perodo de oscilao igual
14.
1
a 0,01667 segundos ou 16,67 milisegundos
60
A forma de onda da tenso de sada em
um retificador de onda completa mostrada na
figura 5-12.

Figura 5-14 Forma de onda de tenso num

Figura 5-12 Forma de onda de sada de um reti-
ficador de onda completa
Pela figura podemos observar que no
retificador de onda completa a mdia CC de
sada o dobro da de um retificador de meia
onda ou seja, 0,636 Ep. Isso se deve ao fato de
termos mais um pulso CC de sada por ciclo de
entrada.
Novamente podemos considerar a
ondulao como sendo um sinal no senoidal
sobreposto ao nvel CC mdio.
O valor pico-a-pico da ondulao igual
a Ep, entretanto, a frequncia de ondulao de
120 Hz, quando a frequncia da tenso da linha
de 60 Hz.
O perodo de oscilao , portanto igual
1 capacitor for suficientemente grande, a
a 0,00833 ou 8,33 ms. O filtro reduzir a
120
amplitude pico-a-pico da ondulao e
aumentar a tenso mdia CC de sada.
O filtro mais simples e tambm mais
comumente empregado o filtro a capacitor,
que consiste de um capacitor ligado diretamente
carga RL tanto no retificador de meia onda
como no de onda completa.
A figura 5-13 mostra o filtro a capacitor.
circuito retificador com filtro
Na figura 5-14 vemos a tenso do
secundrio do transformador bem como a tenso
de sada da fonte de fora EL. Inicialmente o
capacitor C est descarregado, porm quando
nele aplicada a energia, se carrega
rapidamente com o valor da tenso de pico do
secundrio durante o perodo de conduo do
diodo. Sempre que a tenso do secundrio
excede a tenso de carga do capacitor o diodo
conduz.
Quando a tenso do secundrio cai
abaixo do valor da carga do capacitor, o diodo
fica polarizado inversamente e no conduz, com
isso o capacitor se descarrega atravs da
resistncia RL. Se a constante de tempo RC do
quantidade de energia que o capacitor
descarregar durante os picos da tenso CA ser
pequena.
Como resultado teremos uma tenso CC
na sada aproximadamente constante. O
capacitor reduz bastante a ondulao bem como
aumenta a tenso mdia nos terminais de sada.
A tenso CC de sada se aproxima do valor de
pico do secundrio. A reduo na ondulao

5-6
proporcional ao tamanho do capacitor. Quanto
maior a capacitncia, menor ser a descarga do
capacitor durante o tempo em que o diodo no
conduzir. O processo de filtragem da tenso de
sada do retificador de onda completa idntico
ao usado no retificador de meia onda, entretanto
no retificador de onda completa o capacitor de
filtro tem um tempo de descarga menor, antes
de ser carregado novamente, visto que neste
circuito cada semiciclo da entrada CA produz
um pulso atravs da carga.
No circuito de meia onda, o tempo de
descarga aproximadamente igual a um perodo
completo da onda senoidal de entrada, ou seja,
aproximadamente 16 ms, para uma entrada CA
de 60 Hz.
Com isso temos que no circuito
retificador de onda completa, para a mesma
carga, o mesmo capacitor de filtro e tenso de
entrada, a ondulao ser muito menor e a
tenso mdia CC de sada maior do que no
retificador de meia onda. A figura 5-15 mostra a
sada do retificador de onda completa com
filtro.
Figura 5-16 Circuito equivalente de um retificador de meia onda
Quando a polaridade do sinal CA for a
apresentada na figura 5-16a, o diodo conduzir
e atuar como uma chave fechada. Tem-se ento
corrente circulando que far com que o
capacitor se carregue com a polaridade
indicada. Durante o semiciclo seguinte, a
polaridade se inverte e o diodo fica polarizado
inversamente, podendo ser considerado como
uma chave aberta, como mostrado na figura 5-
16b. Nesse perodo o capacitor se descarrega
atravs da carga RL. No circuito de carga, o
capacitor se carrega de Rs para o pico da tenso
aplicada. Como Rs muito pequena, o capacitor
se carrega rapidamente. Durante o semiciclo
5-7
Figura 5-15 Sada do retificador de onda
completa com filtro
Teoria de funcionamento do filtro a
capacitor
Um mtodo de analisar o funcionamento
do filtro considerar as variaes de corrente e
tenso em relao ao tempo.
A figura 5-16 mostra um circuito
equivalente simplificado de um retificador de
meia onda com filtro capacitivo.
Neste esquema simplificado, a fonte CA
representada por um gerador e sua resistncia
interna RS, o diodo representado por uma
chave S que sensvel polaridade e o
capacitor C o filtro atravs da carga RL.
seguinte, quando o diodo no conduz, o
capacitor se descarrega atravs da carga.
Como a resistncia de carga RL muito
maior que Rs, na descarga a constante de tempo
maior. Para melhor filtragem e mnima
ondulao, a constante de tempo de descarga
deve ser grande. Este grande tempo de descarga
pode ser conseguido com um alto valor de
capacitncia e resistncia, portanto o capacitor
deve ser o maior possvel.
Com isso a constante de tempo RC ser
grande o bastante para tornar mnima a descarga
do capacitor, durante os perodos em que o
diodo no conduzir.
Clculo do capacitor de filtro
Embora filtros mais complexos possam
ser construdos, para a maioria das aplicaes, o
simples capacitor de filtro mais adequado para
atender a filtragem requerida.
As relaes entre corrente de carga,
tenso de ondulao, valor do capacitor e tempo
de descarga, podem ser formulados atravs de
uma simples equao, que apresentada a
seguir:
Ixt
C O tipo de capacitor mais comumente
ER
onde:
C = Valor do capacitor de filtro em Farads
I = Corrente CC, na carga, em ampres
t= Perodo da tenso de ondulao CA, em
segundos
ER= Mxima tenso de ondulao pico-a-
pico permitida, em volts.
Para determinarmos I, devemos
conhecer o valor da resistncia de carga e a
tenso CC de sada desejada. O tempo t o
perodo de descarga do capacitor de filtro e
igual ao perodo de ondulao CA.
Nos circuitos retificadores de meia onda,
a frequncia de oscilao de 60 Hz, tornando t
= 0,01667 s.
Nos circuitos retificadores de onda
completa, a frequncia de oscilao de 120
Hz tornando t = 0,00833 s.
Exemplo: Considere uma fonte de fora com
retificador de onda completa, que tenha
uma tenso CC de sada igual a 5 V,
sendo a mxima ondulao pico-a-pico
permitida de 1 %. A corrente de carga
200 mA. Qual o valor mnimo do
capacitor a ser usado?
I = 0,2 A
t = 0,00833 s
ER= 0,01 x 5 = 0,05 V
It 0,2 x 0,00833
C= 0,0333 Farads
ER 0,05
C = 33,33 MF
5-8
Na prtica deve-se usar um capacitor de
valor um pouco superior a esse.
Um outro fator importante a ser
considerado na utilizao do capacitor de filtro
a tenso de operao do mesmo. Os
capacitores em sua maioria so projetados para
operarem com tenso abaixo de um limite
mximo.
Quando escolhermos a especificao da
tenso mxima do capacitor, devemos ter
certeza que ela maior que a tenso de sada da
fonte de fora. Geralmente aconselhvel
deixarmos uma faixa de segurana de 20 %.
usado em filtros o eletroltico de alumnio.
Porm para aplicaes em pequenas correntes,
algumas vezes so usados capacitores de
tntalum.
Tanto os capacitores eletrolticos como
os de tntalum, so capacitores polarizados e
devem ser conectados no circuito com a
polaridade correta, para que funcionem
adequadamente.
Filtros LC e RC
Embora o filtro a capacitor seja o mais
simples, pode-se melhorar a filtragem usando-se
indutores (Choques) e resistores em combinao
com ele.
Um choque pode reduzir muito a
amplitude de ondulao, visto que ele se ope
s variaes de corrente atravs dele.
A figura 5-17 mostra um filtro tpico
com choque de entrada.
Figura 5-17 Filtro tpico com choque de entrada
Para a mesma carga e mesmo retificador,
este circuito proporciona maior tenso de sada
e ondulao (ripple) mais baixa.
Os choques de filtro consistem de um
enrolamento feito sobre um ncleo de ferro
laminado. Em conseqncia, os choques so
grandes, pesados e caros, o que os tornam
geralmente incompatveis com os circuitos de
estado slido, que so pequenos e leves.
Pode-se tambm melhorar a qualidade
da filtragem usando-se resistores associados a
capacitores.
Usando-se resistores no lugar do choque
no circuito(figura 5-17), a tenso de ondulao
de sada pode ser reduzida a um valor menor
que aquele obtido com apenas um capacitor.
Quanto maior o valor do resistor, menor
a tenso de ondulao, porm, uma certa
quantidade da tenso produzida pela fonte cai
sobre esses resistores, o que reduz a tenso
disponvel na sada.
TIPOS DE PROTEO CONTRA
SOBRECARGA
A sobrecarga uma das condies
anormais mais comuns de ocorrer no emprego
de fontes de fora. Ela pode ser resultado de um
curto-circuito nos terminais da fonte ou mesmo
devido ao mau funcionamento de algum
componente do circuito. O mtodo mais usado
para proteger as fontes de fora contra
sobrecarga o emprego de fusveis, que um
elemento sensvel corrente, ou seja, ele se abre
quando a corrente que o atravessa excede um
valor especfico.
Fusveis
Como vimos, o fusvel um elemento
dimensionado para proteger o circuito contra
uma corrente exclusiva. Ele consiste de um
dispositivo condutor conectado em srie com o
circuito ao qual dever proteger. Caso a corrente
no circuito exceda a um valor pr-determinado
para o fusvel, o mesmo se romper,
interrompendo o fluxo de corrente. Durante o
funcionamento normal, enquanto a corrente
estiver abaixo da especificao do fusvel, o
mesmo simplesmente atuar como um resistor
de valor muito baixo.
Um ponto a ser considerado que os
fusveis no se abrem, ou se queimam
exatamente no instante em que a corrente
excede o valor especificado. Esse tempo de
rompimento depender da magnitude e da
durao da sobrecarga. Se a corrente atravs do
fusvel exceder a sua especificao apenas
ligeiramente, ele levar muito tempo at se
aquecer, fundir e se romper.
5-9
Porm, se a sobrecarga muito maior
que o valor especificado para o fusvel, seu
aquecimento e queima sero rpidos. Quanto
velocidade os fusveis so disponveis em trs
faixas: ao retardada, retardo mdio e alta
velocidade.
Os fusveis de ao retardada so
dimensionados para circuitos que algumas vezes
devem suportar sobrecargas de 200 a 400%
acima da corrente nominal. Se essa sobrecarga
durar menos de 10 segundos, esse tipo de
fusvel a suportar sem abrir.
Os fusveis de ao retardada tm sua
maior aplicao em circuitos que so
submetidos a sobrecargas temporrias, tais
como: circuito de partida de motores e circuitos
de carga de capacitores.
Os fusveis de retardo mdio so
geralmente usados em circuitos que podem
suportar uma sobrecarga superior a 200% do
valor especificado, por cerca de um segundo.
Esses fusveis so usados em aplicaes onde os
componentes a serem protegidos podero ser,
ocasionalmente, submetidos a uma corrente
ligeiramente superior ao valor mximo de
operao, sem se danificarem.
Os fusveis de retardo mdio se abriro
em poucos segundos mediante sobrecargas de
100 a 200% do valor nominal. Os fusveis de
ao rpida so projetados para abrir muito
rapidamente, mesmo com sobrecargas bem
pequenas. So geralmente empregados na
proteo de circuitos delicados ou crticos.
Numa fonte de fora a principal
aplicao do fusvel na proteo do
transformador de fora e dos diodos
semicondutores. Os fusveis para a proteo do
transformador de fora so conectados no
circuito do enrolamento primrio. Usa-se
normalmente o de retardo mdio. Qualquer
sobrecarga no secundrio ser refletida como
um aumento de corrente no primrio e se no
forem removidas podero danificar o
transformador.
Se a corrente de carga for excessiva, ou
se o capacitor de filtro entrar em curto, por
exemplo, pode-se usar um fusvel para efetuar a
proteo apenas dos diodos retificadores.
Esse fusvel de ao rpida e
conectado em srie com a sada do circuito
retificador.
A figura 5-18 mostra a fonte de fora
com os dois diodos de proteo.
 Figura 5-18 Fonte de fora com diodos de proteo
No clculo do fusvel a ser utilizado,
podemos adotar uma das frmulas abaixo e
adquirir o valor padro imediatamente superior
do encontrado.
Para o fusvel de retardo mdio:
Mxima corrente permitida
0,75
Para o fusvel de ao retardada:
Mxima corrente permitida
0,85
Disjuntores (Circuit Breakers)
Disjuntores so dispositivos usados para
proteo de circuitos. Quando h uma
sobrecarga no circuito o disjuntor se abre
interrompendo o mesmo. A diferena entre o
disjuntor e o fusvel que o primeiro pode ser
rearmado mecanicamente, isto o disjuntor no
se queima, ele se desarma.
5-10
Os disjuntores podem ser acionados
(desarmados) por magnetismo ou por efeito
trmico. Normalmente por efeito trmico.
Os disjuntores ou circuit breakers tm
grande aplicao na aeronutica. Na linha de
alimentao eltrica das aeronaves geralmente
cada equipamento possui seu circuit breaker
correspondente.
Quando houver o desarme de um
disjuntor, o mecnico ou o piloto poder
verificar se existe alguma anormalidade no
circuito e, se nada for constatado, o dispositivo
poder ser rearmado. No caso de novo desarme,
a existncia de defeito est comprovada,
exigindo assim uma pesquisa mais detalhada no
circuito.
A figura 5-19 mostra os smbolos usados
na representao dos disjuntores.
Figura 5-19 Simbologia dos disjuntores
 CAPTULO 6
TRANSISTOR DE JUNO
INTRODUO
Com a compreenso da constituio e
comportamento dos elementos semicondutores,
os cientistas a partir de 1948, conseguiram
construir um dispositivo que podia executar a
funo de uma vlvula eletrnica, como
amplificador de corrente. Este dispositivo foi
determinado transistor.
Dos primeiros transistores cujas
caractersticas eram bastante limitadas, at os
atuais circuitos integrados, que englobam
dezenas ou centenas de diferentes dispositivos
num minsculo slido, o avano tecnolgico foi
muito grande.
FORMAO DAS JUNES PNP E NPN
Um transistor de juno consiste em um
cristal de silcio ou de germnio no qual existe
uma camada de silcio do tipo N entre duas
camadas de silcio do tipo P, ou uma camada P
entre duas camadas N. No primeiro caso
teremos um transistor chamado PNP e, no
segundo, um transistor NPN, como mostra a
figura 6-1.
Figura 6-1 Transistores PNP e NPN
Com a formao das trs regies,
aparecem automaticamente duas outras
pequenas regies internas, j conhecidas como
barreira de potencial ou regio de depleo.
As barreiras de potencial so campos
eletrostticos formados nas linhas de juno, da
seguinte maneira: na figura 6-2, os elementos P
possuem grande quantidade de portadores
positivos e o elemento N grande quantidade de
portadores negativos. A difuso de eltrons da
regio N e lacunas das regies P resultam em
recombinaes nas linhas das junes,
ionizando os tomos das impurezas.
6-1
Os tomos ionizados com cargas
diferentes (negativos na regio P, porque
recebem eltrons, e positivos na regio N,
porque doavam eltrons), formam um campo
eletrosttico que paralisa o processo de difuso.
A difuso o movimento de portadores
numa rea, onde esto mais concentrados, para
uma regio onde sua concentrao menor.
Figura 6-2 Barreiras de potencial num transistor
PNP
A figura 6-3 mostra a simbologia usada
na representao dos transistores PNP e NPN.
Figura 6-3 Smbolos dos transistores
Na representao simblica do transistor,
a seta identifica o emissor, que o elemento que
emite portadores. O elemento oposto ao emissor
chamado coletor,pois recebe os portadores
enviados pelo emissor. O elemento
intermedirio denominado base.
A base controla o fluxo de portadores
entre o emissor e o coletor. A seta sempre
aponta para o elemento negativo. Assim, se a
seta apontar para o emissor, neste caso negativo,
teremos um transistor NPN. Se a seta apontar
para a base, o coletor e o emissor sero do tipo
P, teremos ento um transistor tipo PNP.
Polarizao do transistor NPN
O transistor s ir funcionar correta-
mente se tiver uma polarizao adequada.
Quando ligamos uma bateria na juno
base-emissor, como mostra a figura 6-4,
observamos que corresponde a uma polarizao
direta.

Figura 6-4 Transistor NPN em polarizao
direta
Dessa maneira fluir ento uma corrente
atravs da baixa resistncia da juno emissor-
base.
Se aplicarmos tenso atravs da segunda
juno, como mostrado na figura 6-5, fluir uma
corrente muito pequena atravs da resistncia da
juno base-coletor, pois a polarizao
inversa.
Figura 6-5 Transistor NPN em polarizao
inversa
Esta pequena corrente, que causada
pelos portadores minoritrios, chamada de
corrente de fuga.
Consideramos at agora as duas junes
polarizadas separadamente. A seguir veremos o
comportamento do transistor quando nele
aplicamos as duas tenses ao mesmo tempo.
Figura 6-6 Transistor NPN polarizado
Analisando a figura 6-6, podemos ver
que a corrente que passa pelo emissor (IE) se
6-2
divide em dois ramais uma que vai para o
terminal da base (IB) e outra que vai para o
coletor (IC), temos que: IE = IB + IC.
Apesar da polarizao inversa entre base
e coletor, o valor da corrente do coletor muito
superior ao da corrente que flua quando o
transistor era polarizado isoladamente. Nesta
situao IC aproximadamente 98% de IE , com
isso podemos concluir que a quantidade de
corrente IC depende da polarizao direta entre
base e emissor. Este fenmeno pode ser
entendido analisando-se a figura 6-7.
Figura 6-7 Portadores em movimento no
transistor NPN
Os eltrons na regio do emissor so
repelidos pelo potencial negativo da fonte em
direo base, passando com facilidade pela
juno base-emissor, pois a mesma est
polarizada diretamente apresentando assim uma
baixa resistncia.
Alguns eltrons se recombinam com as
lacunas existentes na base, formando a corrente
de base.
Como o nmero de lacunas na base
inferior ao nmero de eltrons que nela
penetram, e tambm devido ao fato da base ter
dimenses muito reduzidas, a maioria dos
eltrons atinge a juno base-coletor.
Esses eltrons que esto sendo atrados
pelo potencial positivo do coletor ultrapassam a
juno base-coletor, chegando ao terminal
positivo da fonte.
Este movimento de eltrons nos
elementos do transistor constituem as correntes
eltricas atravs do mesmo.
Polarizao de um transistor PNP
A anlise da polarizao do transistor
PNP anloga ao do NPN, entretanto, para que
a juno emissor-base seja polarizada
diretamente e a juno base-coletor inversa-
mente, necessrio mudar as polaridades das
fontes, com relao s usadas no transistor
NPN.
Estas polaridades esto apresentadas na figura
6-8.
Figura 6-8 Portadores no transistor PNP
As lacunas da regio do emissor, que so
repelidas pelo potencial positivo da fonte em
direo base, ultrapassam a juno emissor-
base com facilidade, pois a mesma est
polarizada diretamente e sua resistncia baixa.
Novamente algumas destas lacunas se
recombinam com os eltrons existentes na base,
constituindo a corrente da base IB.
Devido ao baixo nmero de eltrons
existentes na base, a maioria das lacunas que
nela penetram alcanam a juno base-coletor.
Estas lacunas que esto sendo atradas pelo
potencial negativo do coletor ultrapassam a
juno base-coletor, chegando ao terminal
negativo da fonte.
Portanto enquanto o potencial positivo
retira eltrons do emissor, o potencial negativo
fornece eltrons ao coletor.
Vin
Figura 6-9 Transistores nas configuraes BC, EC e CC
Cada configurao apresente vantagens e
desvantagens que iro determinar a sua
aplicao.
Ganhos do transistor
Como a principal funo do transistor
amplificar sinais o mesmo deve apresentar um
ganho de tenso e de corrente, ou seja, a
6-3
GANHOS E AMPLIFICAO DO
TRANSISTOR
Cada uma das junes de um transistor
apresenta uma queda de tenso, que
denominada conforme a juno. Temos ento:
VBE ou VEB = tenso entre base e emissor
VBC ou VCB = tenso entre base e coletor
VCE ou VEC = tenso entre coletor e emissor
A maioria deles VCE. Podemos dizer
que VCE a soma das outras duas, ou seja: VCE
= VBE + VBC. Podemos tambm medir a tenso
de um elemento qualquer do transistor em
relao terra. Neste caso temos ento:
VB = tenso entre base e terra
VE = tenso entre emissor e terra
VC = tenso entre coletor e terra
Estes termos so aplicados qualquer
tipo de transistor em qualquer configurao.
Tipos de configurao
O transistor pode ser ligado em um
circuito de trs formas distintas: base comum,
emissor comum ou coletor comum. O nome da
configurao referenciado ao elemento do
transistor que comum aos circuitos de entrada
e de sada. A figura 6-9 mostra um transistor
NPN nas trs configuraes, respectivamente:
base comum, emissor comum e coletor comum.
Vin
tenso ou corrente de sada deve ser maior que a
tenso ou corrente de entrada.
Normalmente o maior interesse saber
os ganhos referentes corrente alternada, mas
iniciaremos com exemplos do ganho com
corrente contnua.
Consideremos o transistor na
configurao mostrada na figura 6-10.

Figura 6-10 Transistor na configurao base
comum
Com os valores atribudos para IE e IC
temos:
Corrente de sada
Ganho de corrente =
Corrente de entrada
IC
= Conclumos tambm que se soubermos
IE
9,8
Ganho de corrente = Gi = 0,98
10
Neste caso, o circuito no apresenta
ganho de corrente, ou seja h perda de corrente
no circuito porque a corrente de sada menor
que a corrente de entrada.
O ganho de tenso a relao entre a
tenso de sada Vo e a tenso de entrada Vi ou
seja:
Vo
Gv =
Vi
Vo o produto da corrente de sada (Ic)
e a resistncia de sada (Ro).
A Ro, que a juno base-coletor
polarizada inversamente, de valor elevado.
A Vi o produto da corrente de entrada
(IE) e a resistncia de entrada (Ri).
A Ri que a juno base-emissor
polarizada diretamente de valor baixo.
Para o mesmo circuito de figura 6-10
suponhamos Ro = 10 K e Ri = 30 :. Temos
ento que:
Vi = IE x Ri = 10 mA x 30 : = 0,3 V
Vo = Ic x Ro = 9,8 mA x 10 K = 98 V
Vo 98
Gv = # 327
Vi 0,3
O ganho de potncia Gp a relao entre
a potncia de sada (Po) e a potncia de entrada
(Pi). A Po o produto da tenso Vo e a corrente
Ic. A Pi o produto da tenso Vi e a corrente IE.
6-4
Com os dados obtidos no exemplo
anterior podemos calcular o ganho de potncia
Gp:
Po Vo x Ic 98 x 9,8 mA
Gp =
Pi Vi x I E 0,3 x 10 mA
960,4
= 320,2
3
Como podemos ver, apesar de no
termos obtido ganho de corrente, os ganhos de
tenso e de potncia foram altos.
Esses ganhos so provocados pela
passagem de corrente de uma juno de baixa
resistncia (base-emissor) para outra de alta
resistncia (base-coletor).
os valores de dois ganhos de um determinado
transistor, o outro ganho pode ser calculado de
forma simples e direta.
Uma vez que Gp = Gv x Gi como
consequncia teremos:
Gp Gp
Gi = e Gv
Gv Gi
Como os ganhos podem ser estticos (re-
ferentes a corrente contnua) e dinmicos (refe-
rentes a corrente alternada), usa-se a letra
maiscula para diferencia-los.
Os ganhos estticos so identificados
pela letra G e os dinmicos pela letra A.
Os ganhos de corrente tambm podem
ser representados por uma letra grega que
tambm serve para identificar a configurao do
transdutor. A letra D (alfa) usada na
configurao base comum, a letra E (beta)
usada em emissor comum e a letra J (gama)
usada em coletor comum.
AMPLIFICADOR EM CONFIGURAO
EMISSOR COMUM
No circuito do amplificador na
configurao emissor comum o sinal de entrada
aplicado entre o emissor e a base e o sinal de
sada retirado entre o coletor e o emissor, ou
seja o emissor o elemento comum entrada e
sada do circuito.
A figura 6-11 mostra o amplificador na
configurao emissor comum.
 O valor da corrente direta base-emissor
(IB), depende dos valores de RB e da prpria
tenso da fonte VBB.
O valor da corrente IC depende
praticamente do valor da corrente IB.
Geralmente o circuito polarizado para
termos uma corrente mdia de base, em
consequncia a corrente do coletor tambm ser
mdia.
Essas correntes mdias se estabelecem
no circuito tenses VBE e VCE constantes como
mostrado na figura 6-13.
Figura 6-11 Ampliador em configurao
emissor comum

Analisando o circuito, vemos que

a juno base-emissor est polarizada
diretamente e a juno base-coletor, inversa-
mente.
Devido a esta polarizao, o circuito de
entrada apresenta uma baixa resistncia e o
circuito de sada uma alta resistncia. A
resistncia de base RB tem por finalidade limitar
a corrente no circuito de base-emissor no valor
desejado.
O resistor no circuito do coletor serve
para obter variaes de VCE com as variaes de
Ic, desenvolvendo no circuito de sada uma
variao de VCE dependente da variao da
tenso do sinal de entrada.

Descrio do funcionamento

O circuito da figura 6-12 refere-se a um

ampliador em emissor comum, com transistor
PNP.
O coletor alimentado pela tenso Vcc,
atravs de RL e, atravs de RB, VBB polariza Figura 6-13 Tenses VBE e VCE no transistor
diretamente a juno base-emissor. PNP em configurao EC

Se a corrente de base aumentar ou

diminuir a corrente do coletor, as tenses VRL e
VCE tambm sofrero variaes proporcionais
estas.
Estas variaes nas correntes e tenses
do circuito podem ser causadas por um sinal
senoidal aplicado entrada do mesmo.
Faremos a seguir um estudo do compor-
tamento do circuito emissor comum, com um
sinal senoidal aplicado entre a base e o emissor.
A figura 6-14 mostra um ampliador
emissor comum com transistor PNP e os
Figura 6-12 Transistor PNP, em configurao respectivos grficos dos sinais de entrada e de
emissor comum sada.

6-5
 Figura 6-14 Amplificador emissor comum com sinais de entrada e de sada
Admitamos que no instante inicial o
sinal senoidal aplicado ao circuito de base
aumente de zero a um mximo positivo, como
aparece na figura 6-14, no perodo de t0 a t1.
Como o circuito utiliza um transistor
PNP, o sinal positivo crescente, aplicado na
base, diminui a polarizao direta base-emissor
(VBE), diminuindo a corrente de base (IB). A
diminuio de IB provoca a diminuio de IC e
da queda de tenso em RL. Com a diminuio da
tenso em RL, h um aumento da tenso
negativa entre o coletor e o emissor (VCE) como
mostra o grfico de sada na figura 6-14.
Quando a tenso de entrada do circuito
diminuir do mximo positivo para zero, isto ,
entre os tempos t1 e t2, a polarizao direta
aumenta proporcionalmente, aumentando IB e
consequentemente IC. Com o aumento de IC, a
queda de tenso em RL tambm aumenta. Com o
aumento da tenso em RL, a VCE diminui como
mostrado no grfico da tenso de sada na figura
6-14 entre os tempos t1 e t2.
A variao da tenso de entrada entre os
tempos t2 e t3 continuar a aumentar a
polarizao direta, diminuindo mais a VCE,
como tambm pode ser visto no grfico da
tenso de sada na figura 6-14.
Entre os tempos t3 e t4, no grfico do
sinal de entrada, a tenso negativa e est
Figura 6-15 Circuito e curva caracterstica de entrada do emissor comum
6-6
variando do mximo at zero. A tenso VCE
tende a aumentar negativamente, devido a
diminuio de VBE, que por sua vez tende a
diminuir a IB e a IC. Com isso a queda da tenso
em RL tambm diminui.
Observando os grficos de entrada e de
sada na figura 6-14, na configurao emissor
comum vemos que entre eles existe uma
defasagem de 180o. O funcionamento desse
ampliador, tal como o de base comum,
caracterizado pela variao da corrente no
circuito de base-emissor que produz uma
variao de corrente e tenso no circuito coletor.
Estas variaes, plotadas em grficos,
representam as curvas caractersticas de entrada
e de sada de um transistor. Normalmente estas
e tambm outras curvas caractersticas so
fornecidas pelo fabricante do componente.
CURVAS CARACTERSTICAS DO
AMPLIFICADOR EM EMISSOR COMUM
Curva caracterstica de entrada
Como vimos, a curva caracterstica de
entrada de um transistor em configurao
emissor comum traada em funo das
variaes da VBE e IB, com determinada VCE de
valor constante.
 Observando o circuito da figura 6-15
vemos que as variaes de IB e VBE podem ser
conseguidas atravs da atuao de um
potencimetro conectado base do transistor.
Com a variao do cursor do
potencimetro P1, haver variao da VBE e de
IB. Variando-se a IB a partir de 0 A, passo-a-
passo, observam-se as variaes de VBE
correspondentes.
Com os dados obtidos, plota-se um
grfico semelhante ao da figura 6-15. Atravs
dos grficos das curvas de entrada do
amplificador, podemos obter dados para o
clculo da polarizao de base, da resistncia de
base etc.
A resistncia de entrada pode ser obtida
em funo de uma dada variao de IB e de sua
correspondente variao de VBE da seguinte
maneira:
' VBE
Ri =
'IB
No amplificador em configurao
emissor comum o valor da Ri geralmente
baixo, porm maior que o valor da Ri do
circuito em base comum.
O resistor de base RB no circuito da
figura 6-15 tem a funo de limitar a
corrente de base em um determinado valor.
O clculo de RB pode ser feito da seguinte
forma:
VBB  VBE
RB =
IB
Curva caracterstica de sada
As caractersticas de sada do
amplificador em emissor comum, com
relao a tenses e correntes so obtidas
com um circuito semelhante ao da figura 6-
16.

Figura 6-16 Circuito para levantamento da curva caracterstica de sada do amplificador em emissor
comum

Com o valor de IB ajustado e mantido pontos marcados, teremos uma curva

constante, varia-se a tenso VCE passo-a-passo, semelhante da figura 6-17.
anotando-se as variaes de IC.
Com os dados obtidos das variaes de
IC para cada variao da VCE, pode-se traar a
curva de sada para a IB usada.
Por exemplo, podemos apresentar uma
curva com IB igual a zero e em seguida com IB =
20 A.
Com a IB ajustada para zero, aumenta-se
a VCE de zero at 10 V, anotando-se as 00 A
A
variaes de IC em cada lance de variao da
VCE, que pode ser de 1 em 1 Volt.
Plotando-se em um grfico as variaes Figura 6-17 Variaes de VCE e IC com IB
de VCE e IC com IB igual a zero e interligando os igual a zero

6-7
 Em seguida, ajustando-se a IB para 20
A, varia-se novamente a tenso VCE de zero a
10 V anotando-se as correspondentes variaes
de IC.
Com os dados obtidos plota-se no
grfico a curva caracterstica correspondente s
variaes de IC e VCE com IB igual a 20 A. Essa
curva mostrada na figura 6-18.
20 A
0 A
Figura 6-18 Variaes de VCE e IC com IB igual
a 20 A
Figura 6-19 Curvas caractersticas de ganho de corrente do transistor
Para encontrarmos os dados em curvas
para o clculo de corrente, traa-se primeiro
uma perpendicular ao eixo VCE, por exemplo, 10
V, como na figura 6-19. A seguir verifica-se a
variao de IC para uma determinada variao
de IB.
Na figura 6-19, vemos que uma variao
de 20 a 25 A na IB ir produzir na IC uma
variao de 12,5 mA. Neste caso, o ganho de
corrente ser:
' IC 15 12,5 mA
= 500
' IB 25  20 PA
6-8
GANHOS DO TRANSISTOR EM
EMISSOR COMUM
Ganho de corrente
O ganho de corrente de um amplificador
a relao entre a corrente de entrada e a
corrente de sada, ou seja, entre IB e IC. Como a
corrente IC bem maior que a corrente IB, o
transistor ter um alto ganho de corrente na
configurao emissor comum. Para designar o
ganho de corrente usa-se a letra grega betae
o mesmo determinado pela frmula:
' IC
= , com VCE constante.
' IB
Os valores de IB e IC podem ser
encontrados no grfico de curvas caractersticas
do transistor, como mostra a figura 6-19.
Ganho de tenso
Um transistor na configurao emissor
comum apresenta um alto grau de tenso. O
ganho de tenso, analogamente ao ganho de
corrente, a relao entre a tenso de sada e a
tenso de entrada, ou seja:
Vo
Gv =
Vi
Para calcular o ganho de tenso
podemos usar ainda a seguinte expresso:
 Ro
Gv = E x
Ri
Ro
Onde chamado de ganho de resistncia,
Ri
pois consiste da relao entre a resistncia de
sada e a resistncia de entrada.

Ganho de potncia

Geralmente, o ganho de potncia nos

circuitos em configurao emissor comum
muito alto.
O ganho de potncia o produto do
ganho de corrente () pelo ganho de tenso (Gv)

GP = x Gv

CARACTERSTICAS ESTTICAS E
DINMICAS DE UM AMPLIFICADOR
EM EMISSOR COMUM
O ponto de operao de um transmissor
tambm denominado por ponto de trabalho ou
ponto quiescente.
Quando em operao sobre o transistor
so aplicadas tenses e correntes de modo a se
estabelecer uma polarizao e fixarmos para o
mesmo um ponto de operao.
O ponto quiescente designado pela
letra Q.
Reta de carga
A linha ou reta de carga a reta que
interliga, no grfico de curva de sada, o ponto
de mxima IC ao de mxima VCE, para um
determinado circuito ampliador.
O ponto de mxima IC est relacionado
com a condio de saturao do transistor, que
quando as junes coletor e emissor esto
diretamente polarizadas e o transistor
considerado um circuito aberto.
Em resumo, a reta de carga traada no
grfico de curvas de sada nos mostra as
condies de funcionamento dinmico do
circuito, entre os limites mximos e mnimos de
IC e VCE.
A figura 6-20 mostra a curva
caracterstica de sada com a reta de carga para
o circuito em emissor comum.
Considerando o grfico da figura 6-20,
adotaremos para VCC o valor de 6 V e para a
mxima IC o valor de 12 mA.
Figura 6-20 Curva caracterstica com reta de
carga para o amplificador na
configurao emissor comum
Temos ento a reta de carga traada
entre esses dois extremos. Se o IC mximo de
12 mA e a VCC 6 V, o valor da resistncia de
carga RL pode ser calculado pela lei de Ohm:
VCC 6V
RL = 500 :
IC mxima 12 mA
Ainda observando o grfico da figura 6-
20, partindo do cruzamento das curvas de IB
com a reta de carga, vemos que com 20 A de
IB, a IC ser aproximadamente 1,8 mA e a VCE
de 5,5 V.
Como a corrente de sada de um
amplificador depende da corrente de entrada,
devemos escolher qual corrente desejvel para o
circuito de base.
No caso escolheremos uma IB de 40 A.
Marcaremos no grfico de sada, como ponto Q
o cruzamento da reta de carga com a curva de
40 A de IB. Escolhida a IB podemos encontrar
o valor da VBE no grfico da curva de entrada
que aproximadamente 0,16 V.
Com esses dados o valor da resistncia
de base (RB) pode ser encontrado pela frmula
dada a seguir:
VBB  VBE 1  0,16V
RB = 21 K:
IB 4 PA

6-9
Anlise do circuito emissor comum IB determinar uma IC de aproximadamente 3,5
polarizado mA, como poder ser visto no grfico da figura
6-20, pela projeo do ponto Q,
O circuito da figura 6-21 mostra um perpendicularmente ao eixo de IC.
transistor PNP, tipo 2N408. Como polarizao o Sendo IC 3,5 mA, passando atravs de
fabricante sugere os seguintes valores: RL, a qual podemos considerar 500 ,
RB = 21 K determinar uma queda de tenso que pode ser
calculada pela frmula abaixo:
VBB = 1 V
VCC = 6 V
Quando o circuito for ligado, o resistor ERL = RL x IC = 500 x 0,0035 = 1,8 V
RB limitar a corrente de base em 40 A. Essa

Figura 6-21 Amplificador em emissor comum com transistor PNP

Se a queda de tenso em RL de 1,71, a tende a alterar as condies de IC e VCE, no

tenso VCE ser igual a: circuito de sada.
Aplicando-se um sinal senoidal de 0,04
VCE = VCC RL = 6 - 1,8 = 4,2 V VPQ na entrada desse circuito, todas as correntes
e tenses estticas do circuito tendem a variar
Um circuito polarizado com esses na mesma relao senoidal.
valores encontrados tende a permanecer Estas variaes podem ser traadas no
estaticamente nesta situao. Qualquer grfico de curvas de entrada e no de sada
desequilbrio de corrente no circuito de base conforme mostra a figura 6-22.

Figura 6-22 Curvas de entrada e de sada em emissor comum

6-10
 A figura 6-22 mostra o grfico das
variaes de IB em funo das variaes da VBB,
produzidas pelo sinal de 0,04 pp aplicado base
do transistor.
Atravs dessas curvas podemos obter
dados para calcular os ganhos dinmicos que se
referem a uma condio de funcionamento do
circuito.
O ganho dinmico de um amplificador
depende das caractersticas do mesmo. Existem
amplificadores para ganho de tenso e outros
para ganho de corrente.
GANHOS DINMICOS DO CIRCUITO
EMISSOR COMUM
Ganho de corrente
No grfico da figura 6-22 vemos que
uma variao de IB de 20 A a 60 A sobre a
linha de carga produz uma variao de IC de 1,7
a 5 mA. O ganho de corrente do amplificador
ser aproximadamente igual a 82.
' IC 5 1,7 0,0033
Ai = # 82
' IB 60  20 0,00004
Ganho de tenso
A potncia de sada conforme os dados
obtidos nos grficos de sada do amplificador
em funo do sinal de 0,04 Vpp, ser:
Pout = ' VCE x ' IC = 1,8 x 0,0033 =
=0,0059 W = 59 x 10-4 W
Com isso o ganho de potncia do
circuito ser:
P out 59 x104 W
Ap = 3687
P in 1,6 x10 6 W
O amplificador em configurao emissor
comum, como verificamos, oferece ampliao
alta em relao ao de base comum.
Esta ampliao varia conforme o valor
da RL.
Com RL de valor alto o ganho de
corrente baixo e o de tenso alto. Com RL de
valor baixo o ganho de corrente alto e o de
tenso baixo.
A figura 6-23 mostra os grficos de
ganhos de corrente e tenso, em funo do valor
de RL.

Para o circuito em estudo o ganho de

tenso pode ser encontrado atravs dos grficos
de entrada e de sada do circuito.
No grfico da figura 6-22 vemos que
uma variao de VBE de 0,14 a 0,18 V(ou seja
0,04 V) produzir uma variao de IB de 40 a 60
A. Esta variao de IB produz na VCE uma
variao de 3,5 a 5,3 V.
O ganho de tenso ser, portanto:

' VCE 5,3  3,5 1,8

AV = 45
' VBE 0,18  0,14 0,04

Ganho de potncia

A potncia de entrada para o circuito da

figura 6-21 dada por:

Pin = ' VBE x ' IB

Como ' VBE = 0,04 V

Figura 6-23 Ganhos de corrente e tenso em
Pin = 0,04 x 0,00004 = 1,6 x 10-6 W funo da resistncia de carga

6-11
AMPLIFICADOR EM CONFIGURAO
COLETOR COMUM
No amplificador em configurao
coletor comum, o circuito de entrada de sinal
entre a base e o coletor, e o circuito de sada
Figura 6-24 Configurao coletor comum
O transistor em configurao coletor
comum polarizado, como as outras
configuraes, diretamente entre base e emissor
e inversamente entre base e coletor.
Nos circuitos da figura 6-24 a
polarizao direta de base para emissor feita
por VBB, enquanto que VCC polariza
inversamente o circuito base-coletor.
RB limita a IB ao valor desejado e RE, no
circuito de emissor, a resistncia de carga. A
finalidade desta resistncia permitir que se
desenvolva, na sada, uma variao de tenso
que depende da variao de tenso que depende
do sinal de entrada. Como neste tipo de circuito
a tenso de sada retirada do emissor, ele
tambm denominado seguidor de emissor.
Figura 6-25 Amplificador em configurao coletor comum
entre o emissor e o coletor. O coletor comum
aos circuitos de entrada e de sada.
Na figura 6-24 A vemos um circuito
coletor comum com um transistor PNP e na
figura 6-24 B o mesmo circuito com transistor
NPN.
Funcionamento do amplificador em coletor
comum
Na figura 6-25 est esquematizado um
circuito amplificador em emissor comum, com
transistor PNP, no qual vemos que a fonte de
tenso VCC alimenta o coletor e o emissor
atravs de RE e, VBB alimenta a juno base-
emissor atravs de RB.
Supondo que o circuito esteja polarizado
para uma corrente de base mdia, a corrente de
emissor tambm ser mdia.
Estas correntes mdias estabelecem, no
circuito, tenses de base e de emissor
constantes, conforme pode ser visto nos grficos
A e B da figura 6-25.
6-12
 Se VB variar em funo de uma tenso
senoidal, a IB sofrer variao, variando tambm
a IE que provocar a variao da tenso em RE.
A tenso em RE pode ser denominada de VE
(tenso de emissor).
Atravs do circuito da figura 6-26,
estudaremos o comportamento do amplificador
em coletor comum, com sinal senoidal aplicado
base. O grfico A representa a tenso do
sinal de entrada, dividida em tempos, e o grfico
B representa o sinal de sada tambm dividido
em tempos.
Suponhamos inicialmente que o sinal
aplicado base aumente de zero ao mximo
positivo, como de t0 a t1, no grfico A da
figura 6-26. Sendo o transistor PNP este sinal
positivo crescente diminui a polarizao direta
(VBE), diminuindo a IB. A diminuio da IB
produz a diminuio da IE e da tenso em RE,
Figura 6-26 Amplificador em configurao coletor comum com sinal aplicado entrada
Atravs dos grficos A e B,
verificamos que neste tipo de circuito os sinais
de entrada e de sada esto em fase.
Como vimos, o funcionamento do
amplificador em configurao coletor comum,
est ligado s variaes de tenso e corrente do
emissor, produzidas pelas variaes de corrente
na base. Estas variaes de tenses e correntes
so plotadas em grficos como nas outras
configuraes. Estes grficos representam as
caractersticas do transistor nesta configurao.
Caractersticas do amplificador em coletor
comum
Estudaremos neste tipo de montagem
do transistor, os ganhos relativos tenso,
corrente, potncia e resistncia.
como mostra o grfico B da figura 6-26 entre
os tempos t0 e t1. Com a diminuio da tenso
do mximo positivo para zero, como aparece no
grfico A entre os tempos t1 e t2, a
polarizao direta na base aumente
proporcionalmente, aumentando a IB. Com o
aumento da IB h tambm um aumento da IE e
da queda de tenso em RE, com um conseqente
aumento relativo de VE, como pode ser visto no
grfico B da figura 6-26, entre os tempos t1 e
t2.
A variao da tenso de entrada, entre
os tempos t2 e t3, continuar a aumentar a
polarizao direta (VBE), aumentando mais a IC,
com conseqente aumento de VE.
Entre os tempos t3 e t4 da tenso de
entrada, a polarizao direta diminui,
diminuindo a IB, a IC e a VE, como mostrado no
grfico B entre os tempos t3 e t4.
Ganho de tenso
O ganho de tenso do amplificador em
configurao coletor comum definido como
sendo a relao entre as variaes de tenso de
sada, que aparece em RE, e a de entrada
(aplicada na base).
Neste tipo de configurao, o valor
numrico do ganho de tenso depende do valor
de RE e nunca maior que a unidade.
Isto acontece porque, conforme vemos
no circuito da figura 6-26, o sinal aplicado na
base em srie com RE.
As variaes de tenso em RE
produzem uma forte realimentao negativa que
tende a diminuir a polarizao direta base-
emissor.
6-13
Ganho de corrente
Nas curvas caractersticas de sada do
circuito em configurao coletor comum, que
aparece na figura 6-28, vemos que a corrente de
sada a IE e a de entrada a IB. Sabendo-se que
o ganho de corrente a relao entre as
correntes de sada e de entrada, conclumos que,
neste circuito, h um alto ganho de corrente, o
qual poder ser calculado pela frmula:
' IE
Ai
' IB
Ganho de potncia
Embora o ganho de tenso desta
configurao seja muito baixo, o elevado ganho
de corrente determina um ganho de potncia
considerado alto. O ganho de potncia pode ser
determinado, multiplicando-se o ganho de
corrente pelo ganho de tenso.
Ganho de resistncia
Sendo o ganho de resistncia a relao
entre a resistncia de sada e a de entrada, faz-se
necessrio conhecer estes dois valores para a
determinao do ganho de resistncia.
1) Resistncia de entrada: a resistncia
de entrada do circuito em coletor comum
normalmente muito alta, por causa da
realimentao negativa do circuito.
Tambm devemos considerar o circuito
de entrada base-coletor, que polarizado
inversamente.
2) Resistncia de sada: a resistncia de
sada deste tipo de circuito
normalmente pequena e depende quase
que exclusivamente do valor de RE.
Podemos concluir que este tipo de
configurao tambm no apresenta
ganho de resistncia.
As caractersticas principais do circuito
em coletor comum so: ganho de tenso menor
que a unidade, alto ganho de corrente, alto
ganho de potncia, alta resistncia de entrada e
baixa resistncia de sada.
Na figura 6-27 vemos dois grficos que
mostram os ganhos de tenso e corrente,
conforme o valor de RE.
Figura 6-27 Ganhos de tenso e corrente em
funo da resistncia de carga
LINHA DE CARGA NO CIRCUITO
COLETOR COMUM
O grfico apresentado na figura 6-28
representa a caracterstica de sada do transistor
2N408 em coletor comum. Vemos nele que a
corrente de sada a IE e a tenso de sada a
VCE. No circuito, vemos que o valor da tenso
VCC de 6 V e RL de 500 .
A linha de carga liga os pontos de
mxima VCE, neste caso 6 V, e mxima IE, que
neste exemplo de 12 mA. Devemos lembrar
que a mxima IE a condio do circuito com o
transistor saturado ou em curto e a mxima VCE
a condio do circuito com o transistor
considerado em circuito aberto.
Para o estudo das caractersticas deste
circuito, ele foi polarizado estaticamente
conforme aparece no grfico da figura 6-28.
Neste grfico vemos que a IB esttica
de 40 A. Considerando o valor da tenso VBE
em 0,2 V com 40 A de IB, o valor de RB poder
ser calculado.
Observamos no grfico que, com IB de
40 A, a IE , aproximadamente 2,9 mA. Esta
corrente passando por RL, cujo valor de 500
determinar uma queda de tenso de 1,45 V
(500 x 2,9 mA = 1,45 V).
Conforme vemos no circuito, o sentido
da corrente no resistor RE faz com que o emissor
fique com uma tenso negativa de 1,45 V.
6-14
Como o valor de VBE de 0,2 V, para que a
juno base-emissor fique polarizada direta-
mente, a tenso de base dever ser de 1,65 V,
visto que o emissor est com uma tenso
negativa de 1,45 V.
Se a tenso de base deve ser de 1,65 V,
podemos retirar esta tenso de VCC, intercalando
um resistor (RB) em srie, como limitador da
tenso restante, ou seja, 4,35 V.
Sabendo-se que a corrente que dever
circular por RB a IB de 40 A, o seu valor (RB)
pode ser calculado da seguinte forma:

VCC  VB 6  1,65 4,35

RB= # 109 K:
IB 40 4 x10 5

O comportamento dinmico deste

circuito com transistor PNP pode ser agora
analisado. Notamos que a sua condio esttica
com relao a correntes e tenses vista nas
curvas caractersticas, ou medidas, se o circuito
fosse montado experimentalmente, conforme os
valores de tenso VCC, RE e RB, que o
constituem.
Nas curvas, vemos que com IB de 40 A
a IE ser de 2,9 mA e a VCE de 4,55 V. Nesta
situao, a VE ser igual a 1,45 V (VCC VCE =
VE).
Se um sinal com tenso senoidal for
aplicado no circuito de base, a IB variar,
variando a IE. A variao da IE produzir Figura 6-28 Circuito e curva caracterstica de
variao na VE. Estas variaes de IB, IE e VCE sada da configurao coletor
podem ser vistas no grfico da figura 6-28. comum

6-15
 CAPTULO 7
ESTABILIZAO DA POLARIZAO DE TRANSISTORES
INTRODUO
Ao lanar um transistor no comrcio, o
fabricante fornece todas as informaes sobre
ele e as inclui em seus manuais para facilitar o
trabalho dos tcnicos e projetistas de circuitos.
Uma das principais informaes
fornecidas a famlia de curvas caractersticas
de sada do transistor. De posse dela, entre
outras coisas, podemos traar a linha de carga e
a curva de mxima dissipao de potncia. A
primeira nos possibilita a escolha do ponto Q
(ponto quiescente) ou POE (ponto de operao
esttica) e a segunda nos assegura se o transistor
est trabalhando dentro de seus limites.
Aparentemente, para que um transistor
no se danifique durante seu funcionamento,
baste que ele trabalhe dentro dos limites de
dissipao de potncia. Entretanto, existem
outros aspectos a serem considerados, tais
como: corrente, tenso e temperatura.
Portanto, antes de entrarmos no traado
da curva de mxima dissipao de potncia,
faremos consideraes sobre essas limitaes.
LIMITAES DOS TRANSISTORES
BIPOLARES
Como qualquer componente eletrnico,
o transistor em funcionamento normal, no deve
ultrapassar os valores limites de tenso,
corrente, potncia, temperatura e frequncia,
fornecidos pelo fabricante, sob pena de
desempenho no satisfatrio, diminuio do
tempo de vida ou mesmo destruio do
componente.
Limitaes de correntes
O fabricante especifica a corrente de
coletor (mxima absoluta) que pode fluir no
transistor, embora esta definio no seja muito
clara, uma vez que na realidade, desde que a
potncia dissipada no ultrapasse o valor
tambm especificado por ele, a corrente do
coletor pode ser aumentada at um ponto que
no destrua o material do transistor. Entretanto,
mesmo sem exceder a potncia especificada, a
corrente pode ser suficientemente alta a ponto
7-1
de destruir os fios de conexo dos dispositivos,
embora a corrente necessria para tal, seja bem
maior que a especificada como corrente mxima
absoluta.
Embora o dependa do transistor, ele
pode sofrer variaes de acordo com o valor de
IC. Assim, para valores muito elevados de
corrente, o diminui. A figura 7-1 nos mostra
trs curvas para alguns tipos de transistores.
Figura 7-1 Ganho em funo da IC para vrios
transistores
Na figura 7-2, so apresentadas as curvas
caractersticas de sada e delimitada a faixa
possvel de operao, em termos de corrente do
coletor. Nesta figura estamos considerando
apenas a limitao de corrente do coletor.
Ainda com relao s especificaes de
correntes, o fabricante fornece, s vezes, os
valores limites das correntes de base e de
emissor.
Limitaes de tenses
Como limitao de tenso, geralmente o
fabricante fornece os valores mximos das
tenses entre os trs terminais, ou seja, os
valores mximos de VBE, VBC e VCE, quando as
junes so polarizadas inversamente.
Sabemos que, no funcionamento normal
do transistor, a juno base-emissor polarizada
diretamente, mas o fabricante costuma dar a
tenso mxima inversa, caso ela venha a ser
polarizada inversamente, fato que ocorre,
quando o transistor usado como chave.
 Quanto juno base-coletor, ela
normalmente polarizada no sentido inverso,
havendo portanto, necessidade de fornecer os
valores mximos inversos de VBC e VCE.
Figura 7-2 Delimitao da regio de funcio-
namento de um transistor em
funo da mxima IC
Lembramos que VCE = VBC + VBE.
Portanto, dados os valores de VBE e VCE, VBC
estar praticamente definida, pois basta verificar
a diferena entre os valores dados para se obter
VBC.
Por exemplo, se um transistor de silcio
est funcionando em um circuito com VBE =
0,6V e VCE = 10V, forosamente a tenso
inversa presente na juno base-coletor ser:
VBC = VCE VBE = 10 0,6 = 9,4V
Os limites dessas tenses so fixados,
por causa do efeito de ruptura que ocorre
quando se aumenta a tenso inversa de uma
juno.
Por exemplo, se a tenso inversa entre
base e coletor for aumentando, com IE = 0, ser
atingida a tenso de ruptura (tenso Zener) e
haver um brusco aumento na corrente de
coletor. Isto acontece tambm quando a corrente
de emissor diferente de zero.
Figura 7-3 Curvas caractersticas de sada da
configurao base comum, desta-
cando a tenso de ruptura da juno
base-coletor.
7-2
A figura 7-3 mostra a ocorrncia do fato
com diversos valores de corrente de emissor.
Esta figura mostra tambm que o fabricante
fornece a BVBCO , que a tenso de ruptura
entre o coletor e a base. A letra B significa
ruptura (Breakdown em ingls) e a letra O
significa que o emissor est aberto (Open).
Geralmente, o fabricante especifica
tambm a tenso mxima permissvel entre o
coletor e o emissor, com a base aberta. Esta
especificao dada em termos de BVCEO,
tenso inversa de ruptura entre o coletor e o
emissor. O conjunto de curvas representativas
deste fenmeno ilustrado na figura 7-4.
Figura 7-4 Curvas caractersticas de sada da
configurao emissor comum, desta-
cando a tenso de ruptura da juno
emissor-coletor
Limitaes de potncia
Alm das limitaes de corrente e tenso
a limitao de potncia das mais importantes
para os transistores, bem como para todos os
dispositivos semicondutores e at mesmo para
todos os componentes eltricos.
No funcionamento do transistor, o calor
gerado na juno base-coletor, onde quase
toda a tenso externa aplicada.
Por exemplo, num circuito em emissor
comum, a potncia gerada no transistor dada
aproximadamente por IC x VCE .
Essa limitao de potncia, ou seja, a
mxima potncia que o transistor pode dissipar
com segurana, depende da temperatura
mxima permissvel para a juno base-emissor
(especificada pelo fabricante), da mxima
temperatura ambiente de operao do circuito
(avaliada pelo projetista) e dos meios utilizados
para dissipar o calor produzido na juno base-
emissor.
 O fabricante especifica a potncia
mxima para o transistor, considerando o seu
funcionamento temperatura de 25o C.
CURVA DE MXIMA DISSIPAO DE
POTNCIA
O traado dessa curva feito sobre as
curvas caractersticas de sada do transistor.
Para facilitar a compreenso, sero omitidos os
valores da corrente de entrada.
Sendo a potncia dissipada no transistor
igual ao produto de IC pela VCE, temos:
P = IC x VCE
Se fixarmos a potncia mxima que o
transistor pode dissipar, em uma determinada
temperatura, e considerarmos IC e VCE como
variveis, teremos:
Pmx = IC x VCE
P em W 1 1
VCE em V 1 2
IC em mA 1000 500
Tabela para determinar IC em funo de VCE com P constante
Figura 7-5 Curva de mxima dissipao
A curva obtida, interligando-se os
pontos encontrados na tabela. Esta curva
tambm chamada de curva de potncia
constante.
De posse do valor de Pmx podemos
atribuir valores a VCE, encontrar os valores
correspondentes de IC e determinar os vrios
pontos da curva, que possibilitaro o seu
traado.
Por exemplo, se um transistor pode
dissipar no mximo 1W a 25o C, podemos
determinar que ele opere com uma VCE de 4 V,
e assim determinarmos a sua IC.
Pmx 1W
IC 0,25 A
VCE 4V
Com o valor suposto de VCE e o valor de
IC encontrado, determinamos o ponto X, que
ser um dos pontos da curva, ilustrada na figura
7-5. Se montarmos uma tabela e atribuirmos
valores a VCE, encontraremos os valores
correspondentes de IC que, combinados com os
valores de tenso, determinaro os pontos A, B,
C, D, E, F e G, no grfico da figura 7-5.
1 1 1 1 1
3 5 6 8 10
333 200 166 125 100
Quanto mais alta for a temperatura de
trabalho do transistor, menor ser a sua regio
de operao. A figura 7-6 mostra como a
variao de temperatura afeta a regio de
7-3
operao do transistor. Em alguns casos, em que
o transistor precisa operar com altas correntes
(da ordem de Ampres), so usados sistemas de
refrigerao para reduzir a temperatura e
ampliar a regio de operao.
Figura 7-6 Efeito da variao de temperatura
sobre a regio de operao do
transistor
Linha de carga
A linha de carga (ou reta de carga) a
linha que cruza a famlia de curvas de sada.
Essa linha possibilita aos tcnicos e projetistas,
a escolha do ponto Q, que determina os
valores de tenso e corrente que polarizam o
transistor.
Em qualquer das trs configuraes ela
traada, levando-se em conta a curva de mxima
dissipao de potncia.
Duas situaes de funcionamento do
transistor determinam as extremidades da linha
de carga de um amplificador: corte e saturao.
Para encontrar o extremo inferior da reta (ponto
A no grfico da figura 7-6), supomos o
transistor em corte (IC = 0).
Nesse caso VCE igual tenso da fonte
de alimentao.
O extremo superior (pontoB)
encontrado, supondo-se o transistor em
saturao.
Nessa situao ele apresenta resistncia
nula em sua juno coletor-emissor,
determinando uma VCE igual a zero volt,
ficando a corrente de coletor limitada apenas
pelo resistor de carga (RL).
7-4
Pelo que j vimos at aqui, fica evidente
que a reta de carga determinada por dois
valores: tenso de alimentao e valor de RL .
Figura 7-7 Traado da reta de carga
Na escolha da tenso de alimentao e
do valor de RL, devemos observar a mxima
dissipao de potncia especificada. Para maior
segurana, no devemos permitir que a reta
toque a curva de mxima dissipao, pois se o
circuito de polarizao no contar com uma boa
estabilidade, qualquer aumento na temperatura
ambiente poder fazer com que a potncia,
dissipada pelo transistor utilizado, ultrapasse a
especificada pelo fabricante, levando o
transistor sua danificao permanente.
Na figura 7-8 temos a curva de sada
com trs linhas de carga, referentes a um
amplificador na configurao emissor comum,
onde podemos selecionar diferentes valores de
RL e de VCC.
Quando queremos que o circuito opere
como amplificador de potncia, escolhemos
valores que determinem uma reta de carga mais
inclinada, como a de RL1 , aproveitando toda a
potncia que o transistor pode oferecer. Nesse
caso o circuito deve contar com uma tima
estabilizao de polarizao que, geralmente,
exige o emprego de diodos termistores.
bom observar que na especificao da
potncia mxima de um transistor, feita pelo
fabricante, deixada uma pequena margem de
segurana com a qual o tcnico e o projetista
no devem contar.
Observando ainda a figura 7-8, fcil
concluir que com a mesma VCC (6 V) podemos
determinar a reta de carga que mais interessar,
variando apenas a RL, a exemplo das retas
correspondentes RL2 e RL3.
 Figura 7-8 Traado da reta de carga em funo de RL e VCC

INSTABILIDADE TRMICA DOS direta de coletor). Isto pode ser provado atravs
TRANSISTORES da seguinte equao:
IC = x IB + ICO
J de nosso conhecimento que os
transistores so instveis variao de Substituindo ICO pela sua equao
temperatura. Esse fenmeno devido s correspondente, teremos:
caractersticas intrnsecas do material bsico, IC = x IB + ( + 1) ICBO
usado na sua confeco.
Por causa dessas caractersticas, quando
polarizado, o transistor apresenta uma pequena
corrente indesejvel, chamada de corrente
inversa, corrente de fuga ou ainda ICBO. Esta
ICBO a corrente que flui entre o coletor e a
base, estando o emissor em circuito aberto,
conforme aparece na figura 7-9.
Quando o transistor polarizado como
na figura 7-10, ao atingir o circuito de base a
ICBO sofre uma amplificao, conforme o fator
beta do transistor. Esta amplificao da ICBO d Figura 7-9 Corrente entre base e coletor, com
origem ICO, que definida como sendo a emissor aberto
corrente inversa do transistor, no circuito
coletor. O valor de ICO pode ser calculado
atravs da seguinte frmula:

ICO = ( + 1) ICBO

Se o valor de ICBO se mantiver a um

nvel pequeno, como o normal previsto para
uma determinada temperatura, os problemas
apresentados no sero prejudiciais ao circuito.
Porm, se a ICBO sofrer um aumento,
principalmente ocasionado pelo efeito trmico, Figura 7-10 Correntes inversas no transistor
o resultado ser um aumento de IC (corrente polarizado

7-5
 No caso da IC aumentar em funo do
aumento da ICBO , o ponto Q do circuito
sofrer um deslocamento ao longo da reta de
carga.
A mudana do ponto Q pode ser
cumulativa e pode destruir o transistor. As
medidas utilizadas para contornar esta situao
so os sistemas de polarizao automtica.
importante frisar que a ICO flui no coletor,
independente da corrente de base. Isto pode ser
verificado na curva caracterstica de sada do
transistor, ilustrada na figura 7-11.
Nesta curva vemos que com IB igual a
zero flui uma pequena IC.

Figura 7-11 Curva caracterstica de sada de um transistor em configurao emissor comum.

A ICO normalmente especificada pelo polarizao se no forem empregados circuitos

fabricante e consta nas caractersticas do de compensao.
transistor. Seu valor fornecido para A figura 7-12 mostra a variao da ICBO
determinadas temperaturas, geralmente 25o C. em funo da variao de temperatura da juno
O aumento de temperatura nas junes base-coletor. O valor da corrente de fuga de
de um transistor comea, normalmente, por um 1 mA a 125o C. Em temperaturas abaixo de 10o
aumento na temperatura ambiente ou mesmo C a corrente no causa problema.
devido ao funcionamento normal do circuito,
ainda que instantneo. Neste caso, por causa do
transiente que leva o transistor a dissipar maior
potncia.
Em qualquer situao, o circuito deve
estar em condies de manter-se em bom
funcionamento e, para isto, depende de como
ele est polarizado e estabilizado.
J de nosso conhecimento que a
polarizao estabelecida para um transistor
pela especificao dos valores quiescentes da
tenso entre coletor e emissor e da corrente de
coletor. Uma operao confivel do transistor
dentro de um grande intervalo de temperatura,
requer que a tenso e a corrente de polarizao
permaneam estveis. Todavia, variaes da Figura 7-12 Variao de ICBO em funo da
corrente inversa em funo da variao de temperatura da juno base-
temperatura, prejudicam a estabilidade da coletor

7-6
Anlise da polarizao de um transistor
A polarizao de um transistor, em
princpio, seria bastante simples. Bastaria
aplicar tenses contnuas aos elementos do
transistor, de modo que as correntes
permanecessem estticas, em um nvel mdio e
Figura 7-13 Curva caracterstica de sada de um transistor em configurao emissor comum, com reta
de carga e ponto Q
Na figura 7-14, o transistor utilizado de
germnio e a IB escolhida foi de 0,3 mA. O valor
de RB foi determinado da seguinte forma:
VCC  VBE 6V  0,2V 5,8V
RB= 19,3 K:
IB 0,3mA 0,3 mA
Figura 7-14 Transistor PNP polarizado
7-7
constante. Tomemos como exemplo o transistor
2N408, cujas caractersticas de sada aparecem
no grfico da figura 7-13.
Atravs deste grfico verificamos as
condies de trabalho do transistor. A linha de
carga foi traada entre os limites de 6V, para
mxima VCE, e 60 mA, para mxima IC .
Pela anlise do circuito e das curvas
caractersticas de sada, podemos verificar os
valores de tenso e corrente CC, estticos, para
o circuito. Com a projeo de perpendiculares,
do ponto de cruzamento de IB com a linha de
carga, para os eixos de IC e VCE, verificamos
que a IC e a VCE sero, respectivamente, 26 mA
e 3,4V.
Nesta situao podemos dizer que, com
IB de 0,3 mA, a IC ser de 26 mA e a VCE ser
de 3,4 V, no circuito da figura 7-14.
A IC, para uma IB de 0,3 mA, pode ainda
ser calculada atravs do fator beta do transistor,
que neste caso ser em torno de 86.
' IC
E ? IC E x IB 86 x 0,3 m A # 26 mA
' IB
J vimos que IC, considerando-se ICO,
pode ser formulada da seguinte forma:
IC = x IB - ICO
 Se a ICO aumentar, com o acrscimo da
temperatura, a IC tambm aumentar.
Observe, no circuito da figura 7-10, que
IC e ICO tm o mesmo sentido.
Logo, se a ICO aumentar, por qualquer
motivo, a Ic aumentar, mudando o ponto Q
do circuito.
Fator de estabilidade
Para a anlise da estabilidade da polari-
zao esttica de um circuito amplificador,
usada a seguinte equao:
' IC
S=
' I CO
Figura 7-15 Curvas de IC em funo de VBE para transistores de germnio e de silcio
7-8
Na equao apresentada, S o fator de
estabilidade de corrente e seu valor ideal a
unidade.
VALORES TPICOS DE TENSES DE
JUNO PARA TRANSISTORES
A figura 7-15 mostra as caractersticas
da IC, como funo da VBE, para transistores de
germnio e de silcio tipo NPN, e indica as
vrias regies para um transistor na configu-
rao emissor comum. Os valores numricos
indicados so obtidos experimentalmente ou a
partir de equaes tericas. A regio de corte
definida como sendo a regio onde a IE = 0 e IC
= ICO, quando a polarizao da juno base-
emissor no existe (VBE d 0V).
 Quando a juno base-emissor
polarizada inversamente, a IB muito pequena,
sendo da ordem de nanoampres ou microamp-
res para os transistores de silcio e de germnio,
respectivamente.
Nenhuma IB aprecivel flui at que a
juno base-emissor seja polarizada direta-
mente, de modo que: VBE > V W , onde V W
chamada de tenso de limiar.
Como a IC nominalmente proporcional
IB, nenhuma corrente aprecivel fluir pelo
circuito de coletor, at que exista uma corrente
aprecivel no circuito de base.
Podemos estimar a V W , supondo que
VBE = V W quando a IC alcanar aproxima-
damente 1% da corrente de saturao, no
circuito em emissor comum. Valores tpicos de
V W so 0,1 V para os transistores de germnio e
0,5 V para os de silcio.
O transistor estar na regio ativa
sempre que houver uma polarizao direta entre
base e emissor, suficientemente grande. A
regio ativa atingida efetivamente quando
tivermos VBE > V W .
Os fabricantes especificam os valores de
saturao das tenses de entrada e de sada de
vrios modos. Por exemplo, podem fornecer
curvas de VCE e VBE de saturao, como funes
de IB e IC.
As tenses de saturao dependem no
somente do ponto de operao, mas tambm do
material semicondutor e das caractersticas de
fabricao do transistor.
MTODOS DE POLARIZAO PARA
ESTABILIZAO DA IC
Existem vrios meios de se conseguir
uma estabilizao trmica da IC. Todos os
sistemas tm vantagens e desvantagens.
Polarizao automtica com RB ligado ao
coletor
Na figura 7-16 podemos ver um circuito
de estabilizao com RB ligado ao coletor. Os
valores de RB e RC devem estar de acordo com
as caractersticas que se desejam para o circuito.
Mas considerando-se o grfico da figura 7-13,
cuja reta de carga para uma RC de 100 Ohms,
verificamos que com uma IB de 300 A, a VCE
ser de 3,4 V. O clculo de RB neste caso dado
pela seguinte equao:
7-9
VCE  VBE 3,4  0,2
RB 10667 ohms
IB 300 x 10 6
Em situaes normais, o resistor RB
limitar o valor de IB em 300 A. Esta IB produz
uma IC de 26 mA, que determina em RC uma
queda de tenso de 2,6 V. Portanto, a tenso
VCE ser igual a VCC VCR = 3,4 V, que o
mesmo valor observado no grfico da figura 7-
13.
RB, cujo valor de 10667 ohms, limita a
IB em 300 A, desde que a VCE permanea em
3,4 V. Suponhamos agora um aumento de ICO,
que por sua vez tende a aumentar a IC. Se a IC
aumentasse, aumentaria tambm a VRC, o que
diminuiria a VCE. Com a diminuio da VCE, a
corrente atravs de RB tambm seria menor.
Com menor IB, menor seria a IC. Observamos
ento que qualquer tentativa de aumento de IC
produz uma diminuio de IB e a IC tende a
diminuir. O resultado que a IC tende a manter-
se no ponto de operao escolhido, que no caso
de 26 mA.
Figura 7-16 Polarizao automtica com RB
ligado ao coletor
O sistema de estabilizao por
realimentao de CC tirada do coletor bom,
mas tem o inconveniente da realimentao de
CA. Neste caso, referimo-nos s variaes da
VCE em trabalhos dinmicos.
Para atenuar a realimentao de CA, os
projetistas que usam esse sistema, costumam
desmembrar RB em dois resistores.
O uso de um capacitor, como aparece na
figura 7-17, tambm ajuda na reduo dessa
realimentao.

Figura 7-17 Polarizao automtica com atenu-
ao da realimentao CA
Estabilizao por realimentao de CC com
RE
Os resistores RC e RE constituem a RL do
circuito e a soma de seus valores deve ser
equivalente ao valor do resistor usado na linha
de carga.
Para esse caso, consideraremos o grfico
da figura 7-13, cuja linha de carga foi traada
para um resistor de 100 ohms.
Como o valor de RE no deve ser muito
alto, porque afeta o ganho do circuito,
consideraremos como sendo de 10 ohms e RC
ser de 90 ohms, conforme pode ser visto na
figura 7-18.
Figura 7-18 Estabilizao por realimentao de
CC, com RE
No grfico, vemos que com uma IB de
300 A, a IC igual a 26 mA.
No resistor RE fluir esta corrente de 26
mA mais a IB de 300 A, que por ser de valor
muito pequeno no entrar em cogitao. A VE
a queda em RE e pode ser encontrada pela Lei
de Ohm.
VE = RE x IE = 26 mA x 10 ohms = 0,26 V
Sendo a VE de 0,26 V, para que a VBE
seja de 0,2 V, a VB debe ser igual a 0,46 V.
Se a VCC de 6 V, RB dever limita-la.
Neste caso o valor de RB encontrado pela
equao:
VCC  VB 6  0,46
RB 18460 ohms
IB 0,0003
Observando o circuito da figura 7-18,
conclumos que ao ser ligado, a IB ser limitada
em 300 A, determinando uma VB de 0,46V.
A IB de 300 A produz uma IC de 26 mA
que fluindo em RE causa, sobre este, uma VRE
de 0,26V. Vemos ento que sendo a VE igual a
0,26V e a VB de 0,46V, a VBE ser de 0,2V,
o que constitui uma polarizao direta.
Atravs da frmula IC = x IB + ICO ,
sabemos que se a ICO aumentar por qualquer
razo, a IC tambm aumentar, saindo o circuito
do ponto de operao escolhido.
No circuito da figura 7-18, se a IC
aumentar, a VE aumenta e a VBE diminui. Com
VBE menor, a IB tambm ser menor. A
diminuio da IB resulta em diminuio da IC.
Conclumos ento, que neste circuito, se a IC
tende a aumentar, RE provoca uma
realimentao negativa, que tende a diminu-la e
assim, o circuito tende a estabilizar-se
automaticamente.
Uma das desvantagens de se usar o RE
que, em circuitos de potncia, ele tende a
diminuir a potncia til do circuito. Alm da
estabilizao, o uso de RE tem como vantagem,
aumentar a Ri.
Polarizao por divisor de tenso
Em um circuito polarizado, a VB deve
manter-se constante para que o circuito se
mantenha estvel. Um dos sistemas usados para
manter constante a VB, partindo de uma fonte
de tenso de valor muito maior que VB, emprega
um divisor de tenso, conforme visto na figura
7-19.
Conforme as caractersticas do divisor de
tenso, a VRB ser mais estvel, se a corrente
7-10
que fluir por ela for muito maior que a da base.
O ideal seria uma IRB vrias dezenas de vezes
maior que a IB. H, porm, vrios inconve-
nientes. Uma IB muito alta resulta em um valor
de RB muito baixo, o que diminui a impedncia
de entrada do circuito, acarretando srios
problemas para os sistemas de acoplamento
entre estgios. Tambm deve ser considerada a
energia que ser consumida pelo divisor de
tenso.
Em um equipamento existem dezenas de
estgios com dezenas de resistores em sistemas
de divisores de tenso, consumindo energia
inutilmente, j que a potncia consumida por
eles s para tentar manter pequenas tenses
constantes.
Na prtica, usa-se elaborar um divisor de
tenso para polarizao da base, com IRB igual a
IB ou vrias vezes maior que esta.
Figura 7-19 Polarizao por divisor de tenso
Calculemos os valores de RF e RB, do
divisor de tenso da figura 7-19, utilizando os
valores de VB de 0,46V e IB de 300 A.
Observe que estes valores j foram vistos em
circuitos anteriores; logo, os detalhes sobre eles
podem ser recordados.
O valor de RB, supondo que a IRB seja
igual a duas vezes a IB, facilmente encontrado
pela Lei de Ohm.
VB 0,46V 0,46V
RB 760 ohms
I RB 600 PA 6 x10 4 PA
O valor de RF calculado pela equao:
VCC VB 6V  0,46V
RF 6150 ohms
I RB  I B 300 PA  600 PA
O sistema de polarizao mais usado,
por apresentar melhor estabilizao trmica, o
por divisor de tenso, mostrado na figura 7-19.
RE realimenta negativamente a corrente
contnua de base, pelo efeito trmico. RB tende a
manter a VB em seu nvel estvel.
ESTABILIZAO DA POLARIZAO DE
ESTGIOS DE POTNCIA
Os projetos de amplificadores de
potncia requerem uma ateno especial com
relao polarizao. Primeiro, porque neste
caso o transistor ir trabalhar aquecido, o que
poder desencadear a instabilidade do mesmo.
Segundo, porque o uso de uma RE pode
diminuir a capacidade til de potncia do
estgio. Dois dispositivos so usados
comumente em estgios de potncia, para sua
estabilizao trmica. Tais dispositivos so o
diodo retificador e os termistores ou resistores
NTC.
Circuitos de estabilizao com termistores
J sabemos que a corrente de polarizao
do transistor sensvel temperatura. Especifi-
camente, a IC aumenta com o aumento da
temperatura. A estabilizao da IC pode ser feita
utilizando-se circuitos externos, com elementos
eletricamente sensveis temperatura. Um
desses elementos o termistor.
O termistor usado, neste caso, tem uma
resistncia com coeficiente negativo de
temperatura, isto , o valor de sua resistncia
diminui com o aumento da temperatura. Este
tipo de termistor chamado de resistor NTC
(Coeficiente de Temperatura Negativo).
O circuito da figura 7-20 tem sua
estabilizao de polarizao controlada por um
termistor.
Figura 7-20 Polarizao de base controlada por
NTC
7-11
 Os valores de RB e do NTC dependem
das caractersticas do circuito, mas o seu
funcionamento simples. A VBE no circuito
0,2V e a IB 300 A. Com o aumento da
temperatura ambiente, a IC tende a aumentar
devido ao aumento da ICO. Porm, este aumento
da temperatura afeta tambm o NTC,
diminuindo a sua resistncia, com o
conseqente aumento da corrente atravs dele.
Essa maior corrente solicitada, aumenta
a VRF, diminuindo a VBE e menor sero a IB e a
IC. Como vemos, o efeito trmico que tende a
aumentar a IC no circuito, diminui a resistncia
do NTC, que provoca uma diminuio da IB,
que por sua vez diminui a IC. O resultado que
este simples dispositivo tende a manter o
circuito no seu ponto de operao.
Controle da tenso de emissor
Figura 7-21 Polarizao de emissor controlada
por termistor
O circuito apresentado na figura 7-21,
emprega um termistor para variar a VE com a
temperatura, a fim de minimizar as variaes da
IE. Este circuito contm dois divisores de
tenso: o primeiro constitudo por R1 e R4, e o
segundo por R2 e o termistor RT1.
O primeiro divisor permite a aplicao
de uma parte da VCC entre o terminal de base e
terra. A VB desenvolvida em R1e determina
uma tenso negativa na base de Q1.
O segundo divisor de tenso aplica uma
parte da VCC no terminal de emissor. A VE
desenvolvida em R2 e determina uma tenso
negativa no emissor de Q1. A tenso direta
aplicada ao terminal de base maior que a
inversa aplicada ao terminal emissor, de tal
modo que a polarizao base-emissor resultante
direta.
Com um aumento de temperatura a IC
aumentaria normalmente, se o transistor no
estivesse estabilizado. O aumento da IC pode ser
7-12
evitado pela reduo da polarizao direta. Isto
feito pela ao do divisor de tenso
constitudo por R2 e pelo termistor RT1. Devido
ao aumento da temperatura, a resistncia de RT1
diminuda, provocando maior fluxo de
corrente atravs do divisor de tenso. O
aumento de corrente aumenta o potencial
negativo da conexo do resistor R2 ao emissor.
Esta ao aumenta a polarizao inversa
aplicada ao emissor e diminui a polarizao
direta base-emissor. O resultado que a IC
reduzida. Analogamente, a diminuio da
temperatura ocasiona aes inversas e evita o
decrscimo da IC.
C1 bloqueia a tenso CC do estgio
anterior e acopla o sinal CA ao circuito base-
emissor. C2 mantm constante a VE R3 o
resistor de carga do coletor e onde se
desenvolve o sinal de sada. C3 bloqueia a
tenso CC do coletor e acopla o sinal CA ao
estgio seguinte.
Controle da tenso de base
Figura 7-22 Amplificador com controle de
polarizao de base
O circuito apresentado na figura 7-22
emprega um termistor para variar a VB com a
temperatura, minimizando as variaes da IE.
Este circuito contm um divisor de tenso
constitudo por R1 e RT1.
O divisor de tenso aplica uma parte da
VCC no circuito base-emissor. O fluxo de
corrente dos eltrons atravs do divisor est na
direo da seta. Esta corrente produz uma
tenso de polaridade indicada em RT1. Este
circuito produz polarizao direta no transistor.
Se a temperatura do transistor aumentar,
a IE tende a aumentar. Todavia, a resistncia de
RT1 diminui com o aumento da temperatura,
provocando maior fluxo de corrente atravs do
divisor de tenso. Este aumento de corrente
ocasiona um aumento na VR1. A tenso de
polarizao direta reduzida e assim a IE
tambm reduzida.
T1 acopla o sinal CA ao circuito de base-
emissor. C1 mantm constante a tenso em RT1.
O primrio de T2 atua como carga do coletor e
onde se desenvolve o sinal de sada que
acoplado ao secundrio.
Circuitos de estabilizao com diodos
O diodo pode ser usado em circuitos de
estabilizao. A principal vantagem do seu uso
como elemento sensvel temperatura por ele
poder ser feito do mesmo material que o
transistor.
Os coeficientes de temperatura das
resistncias do diodo e do transistor de mesmo
material, so os mesmos. Esta condio permite
uma IC mais constante em um grande intervalo
de temperatura, porque as variaes no diodo
acompanham as variaes no transistor. Os
diodos de juno tm uma resistncia com
coeficiente de temperatura negativo.
Estabilizao com um diodo
O circuito apresentado na figura 7-23
emprega um diodo de juno, diretamente
polarizado, como elemento sensvel
temperatura, para compensar as variaes da
resistncia da juno base-emissor.
Considere o divisor de tenso constitudo
por R1 e D1, com a polaridade indicada. Esta
tenso uma polarizao direta. Com o
aumento da temperatura, a IC tenderia a
aumentar. Todavia, a resistncia de D1 diminui.
Como resultado, a VR1 aumenta. H uma queda
de tenso em D1, que provoca reduo na
polarizao direta e, consequentemente, na IC.
Figura 7-23 Estabilizao com um diodo direta-
mente polarizado
Os diodos, quando empregados adequa-
damente na estabilizao de um circuito,
funcionam mais ou menos como os NTC. A
instabilidade trmica que afeta o transistor afeta
tambm a eles. No circuito da figura 7-24
aparece um diodo com funo de estabilizao
trmica.
Figura 7-24 Circuito com estabilizao trmica
feita por diodo
D1 tem sua juno semelhante juno
base-emissor de Q1. Logo, os diodos sero
afetados igualmente pela variao de tempera-
tura.
Analisando o comportamento do
circuito, vemos que se a IC tender a aumentar
pelo efeito trmico, a corrente atravs do diodo
tambm aumentar.
Com maior corrente atravs do diodo,
maior ser a VRF, resultando em uma menor VBE
e assim, a IB tambm ser menor e, logicamente
a IC. Como resultado, D1 tende a manter a IC
estabilizada, mantendo o circuito no ponto de
operao escolhido.
RESUMO
1 A corrente ICO ou de fuga existe nos
transistores, devido aos portadores minoritrios
existentes em suas estruturas.
2 A principal corrente de fuga de um
transistor, a de coletor para base, cuja
denominao ICBO.
3 A corrente ICO, em um circuito amplificador,
tende a ser amplificada em uma razo ( + 1)
ICBO.
7-13
4 A corrente IC, considerando-se a ICO,
equacionada como sendo: IC = x IB + ICO .
5 Em temperatura constante e normal,
conforme a especificada pelo fabricante, a ICO
no constitui problema num amplificador.
6 Com o aumento da temperatura, a IC tende a
aumentar de acordo com a frmula:
IC = x IB + ( + 1)x ICO , tirando o
circuito de seu ponto de operao.
7 Vrios sistemas so usados para manter a IC
constante mesmo com o aumento da ICO.
8 Os sistemas que tendem a manter a IC
constante, consistem em polarizar o transistor de
tal maneira que haja uma pequena
realimentao CC, ou ainda por estabilizao da
VBE.
9 Um dos mtodos de estabilizao por reali-
mentao CC polarizar a base com a tenso
VCE. Neste caso, se a IC aumentar estati-
camente, a VCE diminui, reduzindo a IB.
10 O mtodo mais usado para manter
constante a IC, a realimentao CC por
resistncia de emissor. Neste caso, se a IC
aumentar, haver tambm um aumento da VE,
que diminui a VBE, diminuindo a IB, que por sua
vez diminui a IC.
11 Atravs de um circuito divisor de tenso
pode-se manter a VBE dentro dos limites de
estabilizao. Neste caso, o divisor deve ser
projetado levando-se em conta as suas
desvantagens, como por exemplo, o alto
consumo de energia e a diminuio da
impedncia de entrada.
12 O sistema de polarizao mais adequado
para uma boa estabilizao em circuitos
amplificadores de baixa potncia, constitudo
por um RE e por um divisor de tenso. Este
sistema o mais usado.
13 Em circuitos de potncia, a estabilizao
trmica da IC conseguida atravs de
transistores, diodos e resistores NTC.
14 Um diodo de juno polarizado inversa-
mente tem uma resistncia com coeficiente de
temperatura negativo, desde que a tenso de
polarizao inversa no iguale ou exceda
tenso de ruptura.
15 Diodos com a mesma caracterstica da
juno base-emissor de um transistor, podem ser
usados em circuitos estabilizadores de
polarizao.
Neste caso, quando instalado
adequadamente, poder estabilizar a VBE. Isto
porque o efeito trmico que agir sobre o
transistor, agir tambm sobre o diodo.
16 As correntes e tenses desenvolvidas num
amplificador transistorizado estabilizado em
temperatura, podem ser utilizadas para estabili-
zar em temperatura outros amplificadores
transistorizados.
17 Os resistores NTC, tm a resistncia
diminuda com o aumento da temperatura.
Logo, se colocados no circuito de base, eles
podero diminuir a VBE que provoca a
diminuio da IB e da IC. Isto acontece porque o
efeito trmico que agir sobre o transistor,
tambm agir sobre ele.
18 A reta de carga a linha que possibilita a
escolha do ponto de operao do transistor.
19 A curva de mxima dissipao de potncia
a curva que possibilita a limitao da regio de
operao do transistor.
20 Todo componente eltrico possui uma
potncia de trabalho especificada pelo
fabricante.
Em se tratando de transistores, existem
mais razes para se obedecer a essa
especificao.
21 Para cada temperatura de trabalho do
transistor, h uma curva de mxima dissipao
de potncia.
22 Um aumento de temperatura reduz a regio
de operao do transistor.
23 A frmula para se calcular a potncia de
dissipao do transistor, : P = VCE x IC.
24 A regio de operao de um transistor a
parte onde pode ser traada a linha de carga.
7-14
25 Na curva de mxima dissipao, a potncia
a mesma em todos os pontos.
26 Os limites de tenses so especificados
para transistores, por causa do efeito de ruptura
que ocorre quando h um aumento da tenso
inversa da juno.
27 A fim de deixar o transistor operar
temperatura ambiente, so colocados
dissipadores de calor em contato com seu corpo.
28 No traado da reta de carga faz-se duas
suposies extremas do funcionamento do
transistor: corte e saturao.
29 A reta de carga do amplificador de
potncia mais inclinada que a do amplificador
de tenso.
30 O sistema de estabilizao da polarizao
dos amplificadores de potncia deve ser de boa
eficincia. Geralmente so empregados diodos,
termistores e transistores.
31 Com a mesma tenso de alimentao
podemos traar vrias linhas de carga diferentes,
variando apenas o valor de RL.
7-15
 CAPTULO 8
AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS
CLASSIFICAO GERAL DOS AMPLIFI-
CADORES
Os amplificadores podem ser classifica-
dos de acordo com:
A frequncia de operao:
Amplificadores de udiofrequncia(AF)
Amplificadores de videofreqncia
Amplificadores de radiofreqncia(RF)
A classe de operao:
Classe A
Classe B
Classe C
Classes intermedirias(A2, B2, AB1,
AB2)
O sistema de acoplamento:
Acoplamento RC
Acoplamento a transformador
Acoplamento por impedncia
Acoplamento direto
O uso:
Amplificadores de potncia ou corrente
Amplificadores de tenso
FREQUNCIAS DE OPERAO
As faixas de frequncia de operao
determinam o tipo de amplificador a ser usado.
Amplificadores de udiofrequncia
Estes amplificadores atuam numa faixa
de frequncia que vai de 20 Hz a 20 kHz, faixa
esta, sensvel ao ouvido humano e por esta razo
recebe o nome de udiofrequncia. Estes
amplificadores so encontrados em receptores
de rdio, intercomunicadores e outros.
Amplificadores de videofreqncia
Estes amplificadores abrangem uma
ampla faixa de frequncia que vai de 30 kHz a 6
MHz. Eles so empregados em circuitos que
ampliam sinais que devem ser vistos em telas de
radares, televisores etc.
8-1
Amplificadores de radiofreqncia
Diferenciam-se dos outros dois tipos
porque ampliam uma estreita faixa de
frequncia dentro do espectro de
radiofreqncia, que vai de 30 kHz at vrios
GHz. So usados em vrios equipamentos.
Quando sintonizamos uma emissora de rdio
estamos deslocando a estreita faixa de
ampliao do circuito, dentro do espectro de
frequncia.
CLASSES DE OPERAO
De acordo com a polarizao empregada
para o transistor, podemos atribuir as classes de
operao.
A classe de operao determinada pelo
circuito de polarizao de entrada. Na maioria
dos circuitos amplificadores a polarizao e a
reta de carga tm valores fixos, definidos pelos
valores de seus componentes.
Consideraremos, em nossas anlises,
somente os efeitos do circuito de polarizao de
entrada.
Amplificador classe A
Os amplificadores da classe A operam
durante os dois semiciclos do sinal de entrada,
(360). So polarizados para trabalhar na regio
ativa da curva de sada.
Geralmente operam na parte linear das
curvas caractersticas, a fim de obter na sada
uma resposta fiel (no distorcida) do sinal de
entrada.
O primeiro passo para a determinao da
classificao do amplificador a construo da
reta de carga como mostrado na figura 8-1 Em
seguida, deve-se selecionar um ponto quiescente
de modo a permitir que um sinal de entrada
varie atravs da parte linear da curva
caracterstica. Neste exemplo foi escolhida uma
IB esttica de 500 A e a VCC selecionada em
seguida para um valor de 9 Volts para o circuito
em classe A.
Veja na figura 8-1 o circuito de entrada e
as formas de onda para um ponto Q de 500
A, em classe A.

Figura 8-1 Circuito de entrada e formas de onda
em classe A
Em seguida determinaremos o valor de
RB e, para calcular esse valor necessrio que
se leve em considerao o valor da VBE do
transistor. Assim, a equao correta para o
clculo de RB a seguinte:
(VCC VBE )
RB =
IB
Na prtica, porm, podemos desprezar o
valor de VBE, e desta forma teremos:
VCC
RB =
IB
Substituindo a VCC e IB pelos
valores de 9V e 500 A respectivamente
teremos:
9V
RB = = 18 k
500 A
O circuito de polarizao de entrada est
completamente mostrado na parte superior
direita da figura 8-1.
Quando o sinal de entrada zero (ver a
figura 8-1), a IB 500 A, a IC 17 mA e a
VCE 3,9 V (valores do ponto quiescente).
Uma variao da corrente de entrada
para o seu valor mximo negativo de 250 A,
elevar a IB para 750 A, logo a IC aumentar
para 22,2 mA, enquanto que a VCE diminuir
para 2,3 V.
Quando a IB diminui para 250 A, a IC
diminui para 11,8 mA enquanto que a VCE
aumenta para 5,5 V.
8-2
Assim, uma tenso de sada de 3,2 Vpp e
uma variao na corrente de sada de 10,4 mA
so obtidas.
Podemos notar que quando a IB aumenta
negativamente, a IC fica mais negativa e a VCE
menos negativa. Por outro lado, quando a IB
diminui negativamente, a IC fica menos negativa
e a VCE mais negativa. Isto indica que as
correntes de entrada e de sada esto em fase
enquanto que as tenses de entrada e de sada
esto fora de fase. Portanto, h uma inverso de
180 na configurao de emissor comum.
Amplificador classe B
Os amplificadores classe B operam na
regio ativa das curvas, durante um semiciclo
do sinal de entrada, e permanecem em corte
durante o outro (180).
Visto que somente metade do sinal de
entrada amplificada, os amplificadores classe
B so normalmente montados na configurao
Push-pull, que so amplificadores de potncia
formados por dois transistores que conduzem
alternadamente, mas que na sada, produzem um
sinal que idntico ao sinal de entrada.
O ponto quiescente (POE) estabelecido
no cruzamento da reta de carga com a curva de
IB igual zero como se v na figura 8-2.
Figura 8-2 Circuito de entrada e formas de onda
em classe B
Uma fonte de polarizao de entrada no
requerida, j que a corrente quiescente da base
zero.
Uma RB relativamente grande (18 k)
usada para limitar a dissipao do sinal de
entrada do circuito de polarizao. Assim, o
circuito de polarizao de entrada contm
somente um resistor de polarizao, como se v
na figura 8-2.
No ponto quiescente, IB e IC so iguais a
zero e VCE igual a 9V. Quando o sinal de
entrada se torna negativo, polariza diretamente a
juno emissor-base.
Na alternncia positiva a juno emissor-
base est polarizada inversamente. O transistor
fica cortado e parte da corrente de entrada passa
atravs de RB, durante esta alternncia.
Na prtica, um sinal de entrada muito
maior ser usado para obter amplificao em
classe C.
Na figura 8-4 vemos as formas de onda
de sada, com relao s de entrada para cada
classe de operao. Os sinais no foram
mostrados com amplificao, nem com inverso
de fase, pois nosso interesse est somente no
perodo de conduo.

Amplificador classe C

A operao em classe C conseguida

pela polarizao inversa da juno de entrada do
transistor. Com polarizao inversa aplicada ao
transistor, a corrente de base permanece em zero
at que a corrente de entrada produza uma
queda de tenso atravs da resistncia de
entrada. Esta queda de tenso deve estar com
polaridade oposta fonte de polarizao do
circuito de entrada e deve superar a tenso da
fonte.

Figura 8-3 Circuito de entrada e formas de Figura 8-4 Formas de onda de sada com relao
ondas em classe C s de entrada para cada classe de
operao.
Na figura 8-3, IB permanece em zero at SISTEMAS DE ACOPLAMENTO
que a corrente de entrada se torne igual a
100A. Quando isto ocorre, a VBE igual a zero. Um simples estgio amplificador,
VBE = EBB + (Iin x RB) = normalmente no suficiente nas aplicaes em
aparelhos receptores, transmissores e outros
= 1,5V + (-100A x 15k) =
equipamentos eletrnicos.
= 1,5V + (-1,5V) = 0 Um ganho mais elevado obtido pelo
acoplamento de vrios estgios amplificadores.
Desta equao podemos deduzir que a
juno emissor-base estar polarizada Casamento de impedncias
diretamente, quando a corrente de entrada for
maior que 100A. Um sinal de sada obtido Para que haja a mxima transferncia de
para a poro de corrente de entrada que maior sinal, o estgio de entrada deve ter a impedncia
que 100A equilibrada com a da fonte de sinal (microfone,

8-3
antena etc); e o estgio final deve ter a
impedncia equilibrada com a da carga( fone,
alto-falante, linha de transmisso etc)
Da mesma forma, a impedncia de sada
de um estgio deve estar casada com a
impedncia de entrada do estgio seguinte.
Alm do equilbrio de impedncia, de
vital importncia isolar a passagem de corrente
contnua, de uma etapa para outra.
Tipos de acoplamento
A) Redes RC
B) Transformadores
C) Acoplamento por impedncia
D) Acoplamento direto
Figura 8-5 Amplificador com acoplamento RC
O sinal que sai do primeiro estgio,
desenvolve-se no resistor RB. O capacitor C1 e o
resistor R1 constituem a rede RC de
acoplamento entre os dois estgios.
A eficincia do amplificador acoplado
mediante uma rede RC baixa, por causa da
dissipao de potncia de CC no resistor de
carga.
8-4
Acoplamento RC
A figura 8-5A apresenta um ampli-
ficador de dois estgios acoplados mediante
uma rede RC.
O capacitor de acoplamento C1 tem
como primeira funo isolar a tenso de CC
presente no coletor do primeiro estgio, para
que ela no aparea na base do transistor do
estgio seguinte e, como segunda funo
transferir o sinal de um estgio para o outro.
O capacitor de acoplamento deve ter,
tambm, uma reatncia reduzida para as tenses
de sinal e, portanto, seu valor de capacitncia
deve ser relativamente alto.
Os valores tpicos de capacitncia vo de
1 a 30F. necessrio que o valor do capacitor
seja alto, por causa da baixa impedncia de
entrada do estgio seguinte.
Resposta de freqncia
As freqncias muito baixas so
atenuadas pelo capacitor de acoplamento,
porque a sua XC torna-se alta, com a diminuio
da frequncia. A resposta em altas freqncias,
para o transistor est limitada pelo efeito
Shunt da capacitncia emissor-coletor do
 primeiro estgio, e da capacitncia base-
emissor do segundo estgio.
Figura 8-6 Capacitncia entre os elementos do
transistor
Observe na figura 8-6 que CC e RB esto
em srie e em baixas freqncias e, que a XC
consideravelmente alta, provocando assim o
mximo de queda de sinal em CC e o mnimo
em RB. No entanto, para as altas freqncias,
aparece uma XC mnima, em paralelo com RC,
resultando numa resistncia total mnima
possibilitando o desvio de grande parte ou at
mesmo de todo o sinal para a terra.
Vantagens e desvantagens do acoplamento
por rede RC
O acoplamento RC bastante usado em
circuitos transistorizados, por oferecer uma boa
resposta de frequncia, sendo de simples
confeco e preo relativamente baixo.
Porm, embora esse acoplamento
oferea uma boa resposta em frequncia, no o
tipo de maior eficincia, em face das
dificuldades em casar as impedncias entre
estgios.
Outra desvantagem desse tipo de
acoplamento est no fato de apresentar grandes
perdas quando usado em freqncias muito
baixas.
Acoplamento a transformador
No acoplamento a transformador o
enrolamento do primrio do transformador (T1)
a impedncia de carga do coletor do primeiro
estgio.
O enrolamento secundrio de T1
desenvolve o sinal de CA, para a base do
transistor do segundo estgio e tambm age
como caminho de retorno de CC, da base.
A resistncia muito baixa, no circuito de
base, auxilia a estabilizao da polarizao no
8-5
ponto de operao de CC. Com um resistor na
entrada do emissor, o fator de estabilidade de
corrente quase ideal.
Como no h resistor de carga de coletor
para dissipar potncia, a eficincia do
amplificador acoplado a transformador se reduz,
teoricamente, para 50%. Por este motivo, o
processo de acoplamento a transformador
muito usado em equipamentos portteis e
operados com baterias.
Figura 8-7 Acoplamento a transformador
Vantagens e desvantagens do acoplamento a
transformador
Os transformadores facilitam o equil-
brio da carga de sada do transistor e o
equilbrio da fonte, entrada do transistor, para
se obter o mximo de ganho de potncia, para
um determinado estgio.
A resposta de frequncia de um estgio
acoplado por intermdio de transformador no
to boa quanto a do estgio acoplado por rede
RC.
A resistncia Shunt do enrolamento
primrio, nas baixas freqncias, causa a queda
de resposta nestas freqncias. Nas altas
freqncias, a resposta reduzida pela
capacitncia de coletor e pela reatncia de sada,
entre os enrolamentos do transformador.
Alm da resposta de frequncia ser
pobre, os transformadores so mais caros, mais
pesados, e ocupam maior rea que os resistores
e capacitores empregados no acoplamento RC.
Portanto, o uso do acoplamento a
transformador limitado, normalmente, quelas
aplicaes que requerem alta eficincia de
potncia de sada.
Acoplamento por impedncia
O acoplamento por impedncia similar
ao acoplamento por rede RC, com exceo de
que o resistor de carga substitudo por um
indutor (L1), como apresentado na figura 8-8

Figura 8-8 Acoplamento por impedncia
A resistncia de carga somente a
resistncia do fio do enrolamento, o qual
proporciona uma queda mnima de tenso de
CC. Grandes valores de indutncia devem ser
usados, para que seja oferecida uma alta
reatncia, nas baixas freqncias.
O ganho do estgio acoplado por
impedncia cresce com o aumento da
frequncia, j que a reatncia indutiva
diretamente proporcional frequncia.
Na faixa de altas freqncias, a reatncia
diminui, por causa da capacitncia distribuda
no circuito, que desvia o sinal.
Os campos magnticos que cercam a
impedncia de carga podem causar, tambm,
um acoplamento indesejvel a outros circuitos.
Por isso, esses campos devem ser controlados,
atravs de indutncias apropriadas.
Acoplamento direto
Quando o transistor de um estgio
amplificador ligado diretamente ao transistor
do estgio seguinte dizemos que o acoplamento
direto, como mostrado na figura 8-9.
Figura 8-9 Acoplamento direto
Este tipo de acoplamento usado para a
amplificao de sinais chamados de corrente
contnua, em virtude da frequncia ser muito
baixa.
Observando o circuito da figura 8-9,
vemos que um transistor PNP est ligado
diretamente a um transistor NPN. A direo do
8-6
fluxo de corrente indicada pelas setas. Se a
corrente do coletor do primeiro estgio for
maior que a corrente de base do estgio
seguinte, devemos ligar o resistor RC (carga do
coletor), como est indicado pela linha
tracejada.
Como o nmero de componentes neces-
srios no amplificador acoplado diretamente
mnimo, teremos o mximo de economia e
tambm a mxima fidelidade de sinal.
Entretanto, o nmero de estgios que podem ser
acoplador diretamente limitado.
AMPLIFICADORES DE UDIO BSICO
Antes de iniciarmos os estudos destes
amplificadores, interessante lembrar, que a
finalidade de um amplificador a de aumentar a
tenso, a corrente, ou o nvel de potncia de um
sinal, a um valor necessrio, a fim de operar um
dispositivo de sada.
Esse dispositivo pode necessitar de
considervel energia ou pode exigir uma alta
tenso, com baixa potncia, para sua operao.
Os amplificadores de tenso (baixo
nvel) so estgios de amplificao projetados
para produzir um grande valor de tenso,
atravs da carga do circuito de coletor. Para
produzir uma alta tenso, utilizvel atravs de
um circuito de carga, necessrio que a
oposio variao de IC seja a mxima
possvel, qualquer que seja a carga (resistor,
reatncia ou impedncia).
Os amplificadores de potncia (alto
nvel) so estgios amplificadores, construdos
para fornecer grandes quantidades de potncia
para a carga no circuito coletor.
Num amplificador de potncia, deve
haver uma grande corrente no circuito do
coletor, uma vez que a potncia o produto da
resistncia, pelo quadrado da corrente.
Os pr-amplificadores so etapas de
baixo nvel, que se destinam amplificao de
sinais originrios de dispositivos, tais como
microfones, detectores, cpsulas magnticas etc.
AMPLIFICADORES DE UDIO TRANSIS-
TORIZADOS
Os circuitos amplificadores de udio so
projetados especificamente para ampliar sinais
da faixa de udio frequncia, isto , sinais
compreendidos entre 20 Hz e 20kHz.
 O circuito de entrada de um
amplificador transistorizado deve ser
alimentado com a corrente de sada de um pr-
amplificador. Neste caso, cada transistor
considerado como um amplificador de corrente
ou potncia, operando a um nvel de corrente ou
de potncia, mais elevado que o nvel do estgio
anterior e menos elevado que o do estgio
seguinte. Uma vez que os transistores so,
essencialmente, dispositivos amplificadores de
potncia, seu uso nos circuitos de udio
classificado nas categorias amplificador de
udio de baixo nvel e amplificador de udio de
alto nvel.
O nvel de potncia de um estgio
amplificador de udio determinado pelos
requisitos do projeto. Em alguns casos, os
amplificadores de baixo nvel (tambm
chamados de amplificadores de sinal) podem
operar com potncias variando de picowatts
at miliwatts, enquanto que em outras
situaes (amplificadores de potncia) podem
operar com vrios Watts.
Circuito amplificador de udio bsico
O circuito da figura 8-10 apresenta um
estgio amplificador bsico de udio.
Figura 8-10 Amplificador de udio bsico
A estabilizao para esse amplificador
estabelecida pela corrente de base-emissor. Essa
corrente cria uma tenso que polariza
diretamente o circuito de entrada.
O resistor de base RB limita a corrente
de polarizao estabelecendo assim o ponto
quiescente.
Durante o semiciclo positivo do sinal de
entrada a polarizao direta diminui. Isso
provoca uma conseqente diminuio da
corrente de coletor, atravs de RL, e a tenso em
RL diminui. Assim, a tenso de coletor aumenta,
em direo a um valor negativo de VCC.
Durante o semiciclo negativo do sinal de
entrada, a polarizao direta aumenta. Isso faz
com que a corrente atravs de RL aumente,
aumentando tambm a queda de tenso sobre a
mesma, tornando negativa a tenso de coletor.
O capacitor C1 acopla o sinal de entrada
e o capacitor C2 o sinal de sada.
RE o resistor de estabilizao de
emissor e est ligado em paralelo com o
capacitor de desacoplamento CE.
Ainda na figura 8-10 podemos ver que o
sinal de sada est 180 defasado do sinal de
entrada. Como o sinal de sada maior que o
sinal de entrada, h um ganho de tenso.
8-7
 CAPTULO 9

OSCILADORES TRANSISTORIZADOS

INTRODUO mecnica o pndulo do relgio. Ele oscila

mecanicamente de um lado para o outro com
Os osciladores so dispositivos cuja intervalos de tempo iguais, afastando-se do
funo principal transformar energia CC ponto central (ou de repouso) igualmente para
aplicada, em energia AC. os dois lados.
Para que haja essa transformao A figura 9-1 ilustra o movimento do
necessrio que parte do sinal de sada retorne pndulo mediante uma onda senoidal.
entrada de forma adequada, ou seja, necessrio
que haja uma realimentao positiva (regene-
rao).
Alm da necessidade de uma
realimentao positiva, devem ser incorporados
ao circuito oscilador a transistor, elementos
determinantes da frequncia e as necessrias
tenses CC de polarizao. Figura 9-1 Movimento de um pndulo simples
O transistor atua como uma chave e
conduz periodicamente, sempre que a energia Por conveno dizemos que os
realimentada desde o circuito sintonizado, a fim movimentos esquerda so positivos e direita
de manter as oscilaes do circuito tanque. negativos. Esse movimento se manter
Para determinar a frequncia de constante enquanto houver corda no relgio e se
operao do oscilador, podem ser incorporados faltar corda o pndulo inicialmente diminuir a
ao circuito, conjuntos indutncia-capacitncia, distncia do ponto central at parar.
um cristal ou ainda uma rede resistiva- Como vimos na figura 9-1 o movimento
capacitiva. do pndulo pode ser comparado com uma onda
As tenses de polarizao para o senoidal. No caso da falta de corda do relgio a
oscilador so as mesmas necessrias para um onda senoidal ser uma onda amortecida,
amplificador a transistor. como mostra a figura 9-2.
Um fator de suma importncia a
estabilizao do ponto Q do oscilador a
transistor, pois a instabilidade da operao CC
afetar consideravelmente a amplitude do sinal
de sada, a forma de onda e ainda a estabilidade
de frequncia.
Os osciladores so usados para uma
infinidade de aplicaes, sendo as mais comuns
o osciloscpio, o gerador de frequncia varivel,
o injetor de sinais, a televiso, o rdio-
transmissor, o receptor, o radar, o sonar etc.
Antes de estudarmos os osciladores
eletrnicos, recordaremos os princpios bsicos
da oscilao. Figura 9-2 Formas de onda do pndulo

PRINCPIOS DE OSCILAO A onda amortecida uma onda senoidal,

Oscilao mecnica
Todo equipamento que recebe ou
transmite energia possui um dispositivo
oscilador. O exemplo mais clssico de oscilao
mas a amplitude dos ciclos sucessivos vai
diminuindo gradativamente, porm, os
intervalos de tempo se mantm constantes,
como pode ser visto na figura 9-2.
Se quisermos evitar o amortecimento da
onda senoidal ou a parada do movimento

9-1
devemos adicionar mais energia ao sistema. No
caso do relgio, dar mais corda antes que o
mesmo pare definitivamente.
Oscilao eletrnica
Como foi dito anteriormente o oscilador
eletrnico transforma a energia CC em energia
CA. Para que haja essa transformao
necessrio que parte do sinal de sada retorne
entrada de forma adequada, ou seja, necessrio
que haja uma realimentao positiva.
O transistor funciona como uma chave e
conduz periodicamente sempre que a energia
realimentada desde o circuito sintonizado, a fim
de manter as oscilaes do circuito tanque.
Para obteno da frequncia de operao
do oscilador podem ser incorporados ao
circuito, conjuntos indutncia-capacitncia, um
cristal ou ainda uma rede resistiva capacitiva.
As tenses de polarizao para o oscilador so
as mesmas necessrias para um amplificador a
transistor.
Um fator muito importante no projeto de
osciladores a estabilizao do ponto Q do
circuito, pois a instabilidade de operao CC
afetar a amplitude do sinal de sada bem como
a sua frequncia. Os circuitos osciladores so
largamente usados em radiocomunicao e em
eletrnica industrial.
Tanques ressonantes
A oscilao eletrnica feita por um
circuito que consiste de uma bobina e um
capacitor ligados em paralelo.
Figura 9-3 Funcionamento do circuito oscilador
9-2
Funcionamento
Para entendermos como a oscilao se
processa, consideremos o que ocorre ao se
carregar o capacitor da figura 9-3.
1 Passo O capacitor C1 se carrega com o
valor de VCC, com a polaridade
indicada.
2 Passo O capacitor C1 se descarrega sobre o
indutor L1.
3 Passo A energia est agora acumulada no
indutor, em forma de campo
magntico.
4 Passo L1 induz uma corrente no mesmo
sentido mostrado no segundo passo.
5 Passo O capacitor C1 se carrega com
polaridade contrria do segundo
passo.
6 Passo O capacitor se descarrega sobre L1
com corrente oposta do segundo
passo.
7 Passo A energia est novamente acumulada
em L1 em forma de campo magn-
tico.
8 Passo O indutor induz uma corrente no
mesmo sentido do passo 6.
9 Passo O capacitor C1 fica carregado nova-
mente conforme o passo 1.
Se o capacitor e o indutor fossem ideais
(sem perdas), esse processo continuaria
indefinidamente, mas na prtica no isso o que
ocorre, pois o indutor e o capacitor apresentam
uma resistncia a qual dissipa parte do sinal em
forma de calor, havendo portanto a necessidade
de ligar a chave novamente na bateria, a fim de
carregar mais uma vez o capacitor C1
compensando a referida perda de energia.
REQUISITOS DO CIRCUITO OSCILA-
DOR
Amplificador
O circuito oscilador basicamente um
amplificador que sofre uma realimentao, ou
seja, para gerar uma energia CA, uma poro da
energia de sada do amplificador a transistor
deve ser retornada ao circuito de entrada, com
uma correta relao de fase, para dar uma
realimentao regenerativa com a energia de
entrada.
A energia enviada carga ser a energia
de sada (Es) menos a energia de realimentao
(Er):
Ec = Es - Er
A potncia de realimentao (Er) no a
potncia de sada, pois a rede de alimentao
age como um atenuador, causando perdas no
sinal realimentado.
Na figura 9-4 temos o diagrama bloco do
oscilador, com as potncias Ec, Es e Er e o
resistor de realimentao.
Figura 9-4 Representao em bloco do oscilador
Como citado anteriormente o resistor
R simula um atenuador para o sinal
realimentado.
Se o oscilador necessita, para seu
funcionamento de um sinal de entrada (Ee) de
2 mW, sendo a perda na rede de realimentao
de 1 mW, a potncia do sinal de realimentao
dever ser, no mnimo de 3 mW, ou seja:
Ee = Er perdas
Quando a potncia no amplificador
menor que a unidade, ocorrem oscilaes
amortecidas que vo se tornando cada vez
menores at desaparecerem completamente.
Por exemplo, suponhamos que no haja
atenuao do sinal realimentado e que o ganho
de potncia do amplificador seja 0,9.
Para um sinal de entrada de 1mW, a
potncia de sada do primeiro pulso seria de 0,9
mW. Se toda essa potncia fosse realimentada
para a entrada e fosse amplificada, a potncia do
segundo pulso seria de 0,81 mW.
Realimentando essa potncia para a
entrada, teramos um pulso de 0,73 mW na
sada, e assim sucessivamente. Como vemos, o
9-3
resultado seria um sinal de sada cada vez
menor. Concluindo, para manter a oscilao, o
fator de ganho de potncia do amplificador deve
ser maior que a unidade.
CIRCUITOS OSCILADORES BSICOS
Oscilador Armstrong
O oscilador Armstrong o mais simples
dos osciladores a transistor. Seu circuito
mostrado na figura 9-5
Figura 9-5 Oscilador Armstrong
Estando o circuito energizado, qualquer
pequena variao na corrente de emissor
ampliada por Q1 e aparece no coletor com uma
variao maior.
A variao de corrente atravs da bobina
de coletor (L2) gera um campo magntico, que
induzido em L1. Essa tenso varivel acoplada
por C2 base de Q1, onde ampliada.
Essa tenso ampliada novamente
aplicada bobina L2 que por sua vez a induz em
L1 e assim, sucessivamente.
Este ciclo continuar at que a tenso
induzida em L1 seja suficientemente grande para
tornar a base de Q1 positiva em relao ao
emissor. Quando isso ocorre a juno base-
emissor fica polarizada inversamente e Q1 entra
em corte. O campo magntico nas bobinas
torna-se agora estacionrio e no h mais tenso
induzida em L1.
O capacitor C2 que se carregou com a
tenso induzida, se descarrega atravs de R1.
To logo se tenha descarregado at um valor
suficientemente baixo, que permita ao transistor
conduzir novamente, o ciclo de operao se
repete.
R1 e C2 so selecionados para dar uma
constante de tempo que fornea tenso de
polarizao suficiente para manter Q1
inoperante durante quase todo ciclo exceto nos
picos negativos da tenso de entrada.
A frequncia de oscilao determinada
por L1 e C1 e L2 a bobina de realimentao.
R1 fornece passagem para a corrente de
polarizao e C2 acopla o sinal para o circuito
de base e bloqueia a componente CC do mesmo.
A frequncia de oscilao do tanque
ressonante calculada pela seguinte frmula:
1 0,159
Fo
2 3 Lc Lc
Oscilador Hartley
Neste circuito a realimentao obtida
atravs de uma indutncia e temos osciladores
desse tipo, alimentados em srie e em paralelo.
Essas alimentaes se referem ao mtodo de
obteno da polarizao de coletor.
No circuito alimentado em srie a
corrente constante e a varivel passam pelo
circuito tanque.
A figura 9-6 mostra o oscilador Hartley
Figura 9-6 Oscilador Hartley
Ao aplicarmos energia ao circuito flui
uma corrente instantnea atravs de Q1 que
acoplada por C3 parte inferior de L1. Esta parte
de L1 gera um campo magntico e induz uma
tenso na parte superior da mesma, fazendo com
que a parte superior do tanque fique positiva.
Isso faz com que a polarizao direta da
juno base-emissor aumente, fluindo ento
maior corrente, at que Q1 atinja a saturao.
Neste ponto o capacitor C1 estar carregado com
sua placa superior positiva e a parte inferior de
L1 deixar de induzir tenso, uma vez que no
haver mais nenhuma corrente varivel atravs
dela.
9-4
A partir da C1 comea a se descarregar e
quando estiver totalmente descarregado,
teremos a energia em forma de campo. Este
campo por sua vez, induzir uma corrente que
ir carregar C1 novamente com polaridade
oposta anterior. Quando a tenso do tanque
ultrapassar, em sentido oposto, a polarizao
base-emissor o transistor entrar em corte.
C1 comear a se descarregar novamente
e o transistor Q1 sair do corte. Nesse ponto,
com a descarga de C1, a parte superior de L1
estar novamente menos negativa. Teremos
ento a repetio do ciclo.
O transistor conduz aproximadamente
120, isto , permanece em corte a maior parte
do ciclo. Ele conduz somente no momento
preciso, para repor energia, que consumida
pelos componentes do circuito.
No circuito da figura 9-6, C1 e L1
constituem o circuito tanque ressonante.
R1 e R2 so os componentes que
fornecem a polarizao para o transistor Q1.
O capacitor C2 bloqueia a CC e acopla as
oscilaes para Q1, que por sua vez amplifica
essas oscilaes.
C3 bloqueia a CC e acopla as variaes
para L1.
O CRF um Choque de Radiofre-
quncia que serve para evitar que as oscilaes
atinjam a fonte CC.
L1 (parte inferior) a bobina de reali-
mentao.
A frmula para determinao da
frequncia de oscilao a mesma usada para o
oscilador Armstrong, ou seja:
0,159
Fo
Lc
Isto, uma vez que o circuito tanque deste
oscilador constitudo pelo conjunto LC.
Oscilador Colpitts
O oscilador Colpitts assemelha-se ao
oscilador Hartley, alimentado em paralelo. A
diferena est em que o Colpitts, ao invs de ter
o conjunto de indutncia dividida, para se obter
a realimentao, usa um conjunto de capaci-
tncia dividida.
O oscilador Colpitts mostrado na
figura 9-7.

Figura 9-7 Oscilador Colpitts
Os resistores R1 e R2 do a polarizao
ao transistor Q1. O capacitor C2 bloqueia a
componente CC do sinal e acopla as oscilaes
do tanque base de Q1, que por sua vez amplia
essas oscilaes.
C1B constitui o componente que
realimenta o circuito tanque e C3, alm de
bloquear a componente CC, acopla as variaes
do coletor Q1 ao circuito tanque que formado
por L1, C1A e C1B.
Oscilador a cristal
Quando certos cristais so comprimidos
ou expandidos em direes especficas, os
mesmos geram cargas eltricas em suas
superfcies. Este fenmeno chamado de efeito
piezoeltrico.
Se um cristal piezoeltrico, geralmente
quartzo, possui eletrodos localizados nas faces
opostas e se um potencial aplicado entre esses
eletrodos, sero exercidas foras que faro com
que o cristal vibre mecanicamente num
movimento de contrao e expanso.
Estas vibraes que daro origem ao
aparecimento de cargas eltricas nas superfcies
desses cristais.
Para oscilarem perfeitamente, os cristais
devem ainda ser submetidos a um tratamento de
laboratrio, onde sofrero um determinado tipo
de corte, que um dos fatores determinantes da
frequncia de oscilao.
Tipos de cristais
Podemos dizer que a maioria dos cristais
apresenta o efeito piezoeltrico, mas poucos so
adequados para serem usados como
equivalentes de circuitos sintonizados para fins
de frequncia.
9-5
Entre esses poucos cristais encontram-se
o quartzo, o sal de Rochelle e a Turmalina.
Dos trs tipos citados o sal de Rochelle
o que tem atividade piezoeltrica mais ativa, ou
seja, gera uma maior quantidade de tenso por
uma dada presso mecnica. Estas substncias,
porm, so mecnica e eletricamente instveis,
o que as torna inadequadas para o controle de
freqncias em circuitos osciladores.
Normalmente, em circuitos osciladores o
cristal usado o quartzo, devido ao seu baixo
custo, robustez mecnica e a pouca variao de
frequncia em funo da temperatura.
um dos materiais mais permanentes
que se conhece, sendo quimicamente inerte e
fisicamente resistente.
De todos os materiais encontrados o
mais satisfatrio, embora sua faixa de operao
esteja limitada entre 50 kHz e 50 MHz, ou seja,
fora da faixa de udio.
Relao entre frequncia, espessura e largura
A frequncia de oscilao fundamental
de um cristal depende da largura, da espessura e
do tipo de corte do cristal. Quanto mais delgado
for o cristal, mais elevada ser a frequncia de
oscilao.
A frequncia fundamental de oscilao
dada pela frmula
K
F
T
onde: F Frequncia, em MHz;
K Constante que depende do tipo
de corte do cristal;
T Espessura, que dada em mil-
simos de polegada.
A frmula anterior se refere vibrao
com relao a espessura, porm podemos
calcular a frequncia de oscilao com relao a
largura, para isso basta substituir na frmula
dada, a espessura (T) do cristal pela largura(W)
do mesmo. De tal modo que temos:
K
F
W
onde: W a largura em milsimos de -
polegada.
 A tabela das constantes de frequncia
(K) para quatro diferentes tipos de cortes dada
a seguir.
CORTES (K)
X 112,6
Y 77,2
AT 66,2
BT 100,7
Figura 9-8 Tabela dos valores de K em funo
do corte do cristal
Circuito equivalente do cristal
Em sua frequncia de ressonncia o
cristal comporta-se como um circuito
sintonizado, no que se refere aos circuitos
eltricos a ele associados. Portanto um cristal
pode ser substitudo por um circuito
equivalente, o qual mostrado na figura 9-9.
Figura 9-9 Circuito equivalente de um cristal
sem placas
A figura 9-9 mostra um circuito equi-
valente de um cristal desprezando-se o efeito
das placas que o envolverem.
A figura 9-10 mostra o circuito equiva-
lente de um cristal colocado entre suas placas.
Nesta figura vemos o aparecimento da
capacitncia C que representa a capacitncia
das placas.
Figura 9-10 Circuito equivalente de um cristal
entre as placas
9-6
Circuitos osciladores a cristal
O oscilador Armstrong a cristal funciona
de maneira semelhante ao oscilador Armstrong
elementar.
Com a insero do cristal na trajetria de
realimentao, consegue-se um aumento na
estabilidade da frequncia de operao. O cristal
o elemento determinante da frequncia de
operao, de tal modo que para se obter
freqncias diferentes, outros cristais devero
ser usados.
A figura 9-11 mostra o oscilador
Armstrong a cristal.
Figura 9-11 Circuito do oscilador Armstrong a
cristal
Na figura 9-11 as bobinas L1 e L2 so
responsveis pela realimentao.
Os resistores RB, RF e RC fornecem a
polarizao ao transistor Q1.
O resistor RE desacoplado pelo
capacitor CE, para tenses CA. A impedncia do
cristal aumenta fora da frequncia de
ressonncia ou de operao, com isso tem-se
uma reduo na realimentao total, o que evita
que o cristal oscile em outra frequncia
diferente daquela de ressonncia.
Oscilador Colpitts
A figura 9-12 mostra um oscilador a
cristal na configurao base-comum com a
realimentao fornecida do coletor para o
emissor, atravs do capacitor C1. Os resistores
RB, RC e RF do as condies adequadas de
polarizao para o circuito. O capacitor C2
desacopla o resistor RB nas tenses CA.
A frequncia de oscilao desse circuito
no determinada somente pelo cristal, mas
tambm pela capacitncia em paralelo formada
pelos capacitores C1 e CE. Estes capacitores so
normalmente grandes, a fim de reduzir as
capacitncias de entrada e de sada do transistor
e assim tornas as oscilaes independentes das
mudanas dos parmetros do transistor.
conduzem alternadamente. Enquanto um dos
transistores levado ao corte o outro levado
saturao, pois o corte de um transistor produz
um pulso que satura o outro.
Se todos os componentes do circuito
fossem exatamente iguais e se os transistores
conduzissem exatamente a mesma quantidade
de corrente, na prtica o circuito nunca oscilaria.
O incio das oscilaes d-se devido ao
fato de que na prtica os elementos nunca so
exatamente iguais.

Figura 9-12 Circuito do oscilador Colpitts a

cristal

MULTIVIBRADOR ASTVEL
Figura 9-13 Multivibrador astvel
Introduo
Funcionamento
Com o desenvolvimento dos sistemas
eletrnicos, houve a necessidade de se criar Ao conectarmos ao circuito a fonte de
circuitos que operem ou que forneam sinais alimentao VCC, os capacitores C1 e C2 que
no senoidais. Esses sinais podem ser definidos estavam descarregados, comearo a se carregar
como variaes momentneas de tenso ou atravs dos resistores R1 e R2 fechando-se o
correntes. Estes sinais incluem tenses de onda circuito atravs das bases de T1 e T2. A figura 9-
quadrada, onda retangular ou pulsos. 13 ilustra melhor esse processo.
O multivibrador um circuito eletr-
nico capaz de produzir uma tenso de sada em
forma de onda quadrada ou retangular. Estes
sinais podem ser contnuos, como uma cadeia
repetitiva de ondas quadradas ou simples pulsos
produzidos em intervalos retangulares de tempo.
Existem diversos tipos de multivi-
bradores, cada um elaborado para uma aplicao
especfica.
Os circuitos multivibradores so
atualmente muito usados em receptores de TV,
osciloscpios, computadores e sistemas digitais
em geral. Figura 9-14 Circuito do multivibrador

Circuito multivibrador astvel Para que possamos compreender melhor

O circuito multivibrador astvel aquele
que no necessita de pulsos de excitao na
entrada, para o seu funcionamento. Basicamente
o circuito formado por dois transistores que
o funcionamento do circuito, vamos estabelecer
as seguintes condies:
a) Quando T1 ou T2 estiverem cortados,
a tenso nos pontos A e B, ser aproxima-
damente a da VCC.

9-7
 b) Quando T1 ou T2 estiverem saturados,
a tenso nos pontos A ou B da figura 9-13 ser
aproximadamente 0,3 volts, recebendo a
denominao de VCE de saturao.
c) Quando T1 ou T2 estiverem cortados, a
tenso VBE de incio de conduo (0,6V),
caracterizando o estado em que se encontram T1
e T2.
d) Quando T1 ou T2 estiverem saturados,
a tenso VBE de T1 ou T2 ser denominada VBE
de saturao, e seu valor 0,7V
De posse dessas condies, ficar mais
simples descrevermos o comportamento do
circuito apresentado.
Como ponto de partida, vamos
considerar o instante t0, admitindo que nesse
instante T1 esteja cortado e T2 saturado, logo
teremos no ponto B da figura 9-13 uma tenso
igual a VCC e no ponto A igual a 0,3V.
Consideremos agora o estado do circuito
aps decorrido um tempo t, ou seja: t = t0+t.
Ainda com relao s condies
adotadas temos que o ponto A estar
praticamente em terra (0,3V), logo, C2 se
descarregar atravs do coletor de T2,
Figura 9-15 Formas de onda de sada do multivibrador astvel
9-8
carregando-se em sentido contrrio, agora
atravs de R4 elevando desta maneira o
potencial do ponto E, fazendo com que T1 que
estava cortado, caminhe para a saturao.
T1 indo para a saturao, leva T2 para o
corte, dessa maneira o ponto B ser de
aproximadamente 0,3V (praticamente o ponto B
estar em terra), e o capacitor C1 se descarregar
pelo coletor de T1, carregando-se agora em
sentido contrrio por R3.
Desta forma o potencial do ponto D ir
aumentar e T2 ser levado saturao fazendo
com que T1 v para o corte, estabelecendo-se
assim um estado oscilatrio.
A figura 9-15 mostra as formas de onda
de sada do multivibrador astvel.
Como principais caractersticas do
multivibrador astvel podemos citar:
- tem sua frequncia de oscilao
controlada pelas constantes de tempo de carga e
descarga dos capacitores.
- a sada pode ser retirada de qualquer
um dos coletores dos dois transistores
usados.
 CAPTULO 10

TRANSISTORES ESPECIAIS

INTRODUO da barra, aplicada uma camada de silcio do

Os laboratrios das grandes fbricas de
dispositivos semicondutores procuram
continuamente melhorar as caractersticas e
diminuir as limitaes dos transistores utilizados
e tambm descobrir novos tipos com
caractersticas diferentes que permitam
aplicaes at ento fora do campo dos
transistores e, de maneira geral, dos semi-
condutores.
Foram esto criados numerosos tipos de
transistores, muitos dos quais baseados no
mesmo princpio de operao do transistor
bipolar, mas, fabricados por meio de tcnicas
novas ou modificaes das tcnicas j
conhecidas. Outros tipos de transistores
baseiam-se em princpios diferentes do
transistor bipolar. So esses tipos que
estudaremos a seguir.
tipo oposto ao do material do canal (tipo N ou
P). Neste material feito contato hmico,
formando a porta ou gatilho (gate).
A figura 10-2 ilustra a constituio fsica
dos transistores TECJ com canais tipo N e P e
os respectivos smbolos. Conforme o material
do canal seja do tipo N ou P, a seta aponta
respectivamente, para dentro ou para fora do
transistor.
No TEC canal P, por exemplo, a seta
dirigida para fora do transistor. Com efeito, se o
material do canal do tipo N, o gatilho
formado de material tipo P e, portanto, a seta
aponta para dentro.
NOTA: Usaremos indistintamente as seguintes
nomenclaturas: porta ou gatilho (P de porta ou
G de gatilho); fonte ou supridouro (S de source
ou de supridouro).

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

O transistor de efeito de campo,

conhecido como TEC ou FET (Field Effect
Transistor), apresenta caractersticas eltricas
bastante interessantes que permitem sua
utilizao numa gama muito grande de
aplicaes prticas.
A diferena fundamental entre os
transistores de efeito de campo e os de juno
convencionais que nos primeiros, a corrente
dada pelo fluxo de portadores de um s tipo. Por
este motivo, os transistores de efeito de campo
so conhecidos como transistores unipolares em
contraposio aos demais que so bipolares.

Construo fsica

O mais comum dos transistores de efeito

de campo o tipo de juno, tambm chamado
de TECJ ou JFET. A figura 10-1 ilustra uma
sequncia da constituio fsica do TEC. Ele
formado por uma minscula barra de silcio, que
pode ser tipo N ou P, formando o que
conhecido com o nome de canal.
Em cada extremo da barra so feitos
contatos hmicos que so chamados de dreno Figura 10-1 Seqncia da constituio fsica do
(drain) ou fonte (source). No centro, em torno TEC canal N

10-1

Figura 10-2 Constituio fsica e smbolos dos
transistores TEC canal tipo N e
canal tipo P
Funcionamento
Podemos observar, na figura 10-3, a
polarizao normal de funcionamento do TEC
canal tipo N.
O gatilho, normalmente polarizado
inversamente em relao fonte, faz com que a
entrada tenha alta impedncia. A tenso
aplicada ao gatilho tem alto poder de controle
sobre a corrente fonte-dreno, por causa do
aumento da rea de depleo e reduo da rea
efetiva de conduo.
Figura 10-3 Variao da corrente em funo da
polarizao inversa
Podemos observar, em A da figura 10-3,
onde a polarizao somente de 2 volts, que a
corrente atravs do canal do transistor grande;
ao contrrio, em B, onde temos a tenso de 6V
no gatilho, a corrente bem menor. A diferena
entre um TEC canal N e outro de canal P a
inverso da polaridade de todas as tenses, da
mesma forma como nos transistores comuns do
tipo PNP e NPN.
Curvas caractersticas
A figura 10-4 mostra as curvas
caractersticas de um TEC tpico canal N.
Observamos que a corrente de dreno
mxima, ou seja, a corrente de saturao (8
mA), quando a polarizao entre gatilho e
supridouro igual a zero.
Quando aumentamos a polarizao
inversa, a corrente no dreno diminui gradati-
vamente at chegar a zero. Isto acontece quando
a tenso de 6V aproximadamente. Esta
polarizao inversa, necessria para suprimir
totalmente a corrente atravs do transistor,
chamada de tenso de corte.
Figura 10-4 Curvas caractersticas de um TEC
canal N
10-2
 Esta tenso de corte, para a maioria dos
transistores TEC est situada entre 6 e 10V.
Podemos tambm verificar, atravs de
curvas, que a variao de tenso do dreno acima
do joelho (5 volts) tem pouca influncia sobre a
corrente de dreno (ID).
Pelo espaamento regular que se obtm
com polarizaes at 2 volts nota-se que o
transistor pode amplificar sinais pequenos com
um mnimo de distoro.
A resistncia interna entre dreno e fonte
varia conforme a polarizao; assim, temos com
zero volts no gatilho (porta) uma resistncia
interna por volta de 150 ohms, enquanto que
com polarizao inversa acima de 6 volts
obtem-se valores superiores a 1000 megohms.
O TEC, da mesma forma como os
transistores comuns, tambm pode ser usado em
3 configuraes, sendo que a mais usada o
supridouro ligado massa, que corresponde ao
circuito emissor massa.
Como podemos observar, o circuito
muito semelhante ao de um amplificador usando
vlvula triodo.
A autopolarizao do TEC pode ser feita
da mesma maneira como na vlvula, isto , pelo
resistor do supridouro. Por exemplo, se
escolhermos o ponto de trabalho do transistor
em 5 miliampres e verificarmos, pelas curvas
caractersticas, que para isso necessria uma
polarizao no gatilho de 1 volt, o resistor de
supridouro (R1) deve ter um valor de:
1V
R1 = 200 ohms .
0,005 A
O resistor normalmente escolhido em
funo da frequncia de trabalho. O resistor R2
corresponde resistncia de carga (RL). A fase
do sinal de sada est 180 graus invertida em
relao ao sinal de entrada.
Figura 10-5 Amplificador tpico com TEC
A principal vantagem do transistor de
efeito de campo diz respeito sua impedncia
de entrada que, na realidade, dada pela
impedncia de um diodo inversamente
polarizado, podendo atingir, dependendo do tipo
do TEC, valores to altos como centenas de
megohms. Isto possibilita aplicaes
impossveis para os transistores bipolares.
Finalmente devemos apresentar outro
tipo de transistor de efeito de campo, o chamado
IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor),
tambm chamado MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor).
O funcionamento deste transistor
diferente do anterior no sentido de que, com
tenso VGS nula, no h nenhuma conduo no
dreno.
Quando aplicamos uma tenso positiva,
por exemplo, no caso da figura 10-6, surge na
superfcie da regio N um canal tipo P,
correspondente ao dreno e fonte, pos-
sibilitando, ento, o deslocamento de buracos
entre a fonte e o dreno.
A vantagem deste tipo de transistor a
elevadssima impedncia de entrada, e com
este tipo que se consegue obter os valores mais
elevados.
Outra extraordinria vantagem deste
ltimo tipo de FET que ele possibilita a fcil
fabricao de complexos arranjos integrados
com aplicaes sem limites no campo digital.
Figura 10-6 Constituio e smbolo do
MOSFET canal P
10-3
TRANSISTOR DE UNIJUNO
O transistor de juno nica (TJU ou
UJT) um dispositivo semicondutor de trs
terminais que tem sua principal aplicao em
circuitos osciladores no senoidais e de
comutao.
A figura 10-7 mostra a constituio
fsica e o smbolo do transistor de unijuno.
Ele constitudo por uma pequena barra de
silcio do tipo N, na qual so feitos contatos
hmicos nos extremos que so denominados
Base 1 (B1) e Base 2 (B2) e na parte lateral
feita uma juno PN, na qual tambm feito um
contato hmico, o que constitui o emissor.
Eletricamente, o TJU atua como divisor
resistivo de tenso, entre B1 e B2 e um diodo no
centro.
Figura 10-7 Construo fsica, circuito
equivalente e smbolo eltrico
do TJU
Curvas caractersticas
Vimos que entre as bases B1 e B2, o
dispositivo apresenta a caracterstica de um
resistor comum. Quando a base B2 est aberta,
isto , quando IB2 igual a zero, temos apenas
no circuito a juno E-B1, polarizada
diretamente pela bateria VEE. Isto significa que,
quando IB2 for igual a zero, a curva
caracterstica relacionando IE e VE ser a de um
diodo comum, como podemos observar na
curva 1 da figura 10-8.
Devemos observar que nesta figura a
corrente IE est representada no eixo das
abscissas e a tenso VE no eixo das ordenadas, o
que explica o aparecimento diferente da curva
1 de um diodo comum.
Alm disto, devemos salientar que a
curva 2 foi traada para uma dada tenso VBB,
obtendo-se curvas com aspecto semelhante para
diferentes tenses de VBB.
Figura 10-8 Curvas caractersticas de um
transistor unijuno
Partindo do ponto A, medida que a
tenso VE aumenta, a corrente vai aumentando
lentamente at que seja atingido o ponto
B(chamado de ponto de pico), a partir do qual
a tenso diminui e a corrente aumenta. Portanto,
o trecho BC caracterizado pelo fato,
aparentemente contraditrio, de uma dimi-
nuio da tenso provocar um aumento de
corrente.
Isto explicado se considerarmos que,
no trecho BC, o dispositivo apresenta uma
resistncia negativa, caracterstica esta que
permite a aplicao do transistor de unijuno
em osciladores (geradores dentes-de-serra, mul-
tivibradores, etc).
A figura 10-9 mostra as curvas
caractersticas de sada do transistor de
unijuno.
Podemos observar a relao entre a
corrente IB2 e a tenso de sada, entre as bases,
para diferentes valores da corrente no emissor
(IE).
10-4
Figura 10-9 Curvas caractersticas de um
transistor de unijuno,
relacionando IB2, VBB e IE

Aplicao

Um exemplo simples da aplicao do

TJU o circuito da figura 10-10 que um
oscilador de relaxao.
Quando o interruptor ligado, a ao
divisora de tenso, da resistncia da barra de
silcio do TJU, da base um e da base dois, em
srie produz uma queda de 12 volts,
aproximadamente, entre a base um e o lado N
da juno do emissor. Figura 10-10 Oscilador de relaxao
Neste momento, a tenso do emissor
zero, por causa do capacitor C1. O capacitor C1 Cada vez que o emissor se polariza
comea a adquirir carga atravs do resistor R1. diretamente, diminui a resistncia total entre as
Quando a tenso do capacitor chega a 12 volts, bases um e dois, o que permite um aumento na
a juno do emissor se polariza diretamente e corrente que passa pelo TJU.
comear a fluir uma corrente pela base um, Como resultado, na base um aparecer
reduzindo a resistncia interna. Esta ao um pulso positivo e na base dois um pulso
descarrega a energia armazenada no capacitor, negativo, no momento em que o capacitor se
atravs do resistor R3. Logo, o ciclo se repete e descarrega. Assim temos no emissor uma onda
o capacitor se recarrega e volta a descarregar-se. dente-de-serra.

10-5
 CAPTULO 11
CIRCUITOS INTEGRADOS
INTRODUO
Com a inveno do transistor os
projetistas puderam produzir equipamentos
eletrnicos menores, mais versteis e de maior
confiabilidade. Porm o transistor foi apenas o
primeiro passo para um avano tecnolgico
ainda maior, a implementao do circuito
integrado monoltico.
Os circuitos integrados, com as funes
prprias de um circuito completo, em um
espao comparvel ao que antes era ocupado
por um nico transistor, esto convertendo-se
nos componentes bsicos dos equipamentos
eletrnicos.
Para a construo de um circuito
integrado efetua-se uma srie de operaes de
difuso gasosa e centenas de circuitos
integrados so produzidos simultaneamente em
uma pastilha de silcio, com cerca de 3 cm de
dimetro.
MICROELETRNICA
Na eletrnica sempre houve uma
tendncia de miniaturizao dos equipamentos.
O aparecimento do transistor e do diodo semi-
condutor depois da guerra, incentivou mais o
desenvolvimento dessa miniaturizao.
A utilizao dos elementos semicon-
dutores em miniatura foi possvel devido s
caractersticas do transistor permitir o
funcionamento dos circuitos com baixa tenso e
potncia.
A montagem de transistores e outros
componentes em pequenas placas de circuitos
impressos proporcionou uma reduo signi-
ficativa no tamanho e peso dos equipamentos.
O resultado, mesmo em miniatura era,
todavia, convencional no que se refere
montagem dos diversos componentes, formando
o que se poderia chamar de micromontagem. A
partir da as pesquisas se desenvolveram,
chegando atualmente chamada microele-
trnica.
Um circuito integrado um caso
particular de microeletrnica, recebendo essa
denominao um conjunto inseparvel de
componentes eletrnicos, em uma nica
estrutura, a qual no pode ser dividida sem que
se destruam suas propriedades eletrnicas.
Os circuitos integrados de semicon-
dutores podem ser divididos em dois grupos: os
circuitos monolticos e os circuitos hbridos.
Nos circuitos monolticos todos os componentes
dos circuitos so fabricados por meio de uma
tecnologia especial dentro de uma mesma
pastilha de silcio, enquanto que nos circuitos
hbridos, vrias pastilhas so colocadas em um
mesmo invlucro e so conectadas entre si.
TCNICA DE FABRICAO DE CIRCUI-
TOS INTEGRADOS MONOLTICOS
Como mencionado anteriormente os
circuitos integrados monolticos so aqueles em
que todos os componentes do circuito so
fabricados simultaneamente em um nico cristal
de silcio com menos de 1mm2 de rea.
O processo usado atualmente para a
fabricao de CI (circuito integrado), baseado
na tcnica de difuso do silcio, que foi
desenvolvida para a fabricao de transistores
de silcio.
Inicialmente o material um cristal de
silcio simples, do tipo P ou do tipo N, como
mostrado em A.
As tcnicas de difuso permitem a
introduo de impurezas nas profundidades e
larguras desejadas no material inicial. A
penetrao vertical das impurezas controlada
pela temperatura de difuso e pelo tempo. O
controle lateral de difuso torna-se possvel pela
combinao das propriedades de vedao do
dixido de silcio com as tcnicas fotoqumicas.
Quando determinadas regies do tipo N
so difundidas em um material inicial do tipo P,
como mostrado na figura B, so formados
ncleos isolados no circuito.
Os diodos formados pela substncia P e
os ncleos do material tipo N, fornecem o
isolamento eltrico entre os ncleos.
A difuso de regies adicionais do tipo P
e do tipo N formam transistores, como mostrado
na figura C.
As fases bsicas s quais submetido o
silcio, durante o processo de fabricao do CI
so mostradas na figura 11-1
11-1
 Figura 11-1 Fases do processo de fabricao do CI
A placa de silcio ento, revestida com
uma camada de xido isolante. Essa camada
aberta nos pontos adequados, para permitir a
metalizao e a interconexo, como mostrado na
figura D.
Quando se necessita de resistores no
circuito, a difuso do emissor do tipo N
omitida e dois controles hmicos so
estabelecidos para uma regio do tipo P,
formada simultaneamente com a difuso da
base, como mostrado na figura E.
Quando se necessita de capacitores, o
prprio xido usado como dieltrico, como
mostrado na figura F.
A figura G mostra a combinao de
trs tipos de elementos em uma placa simples.
Devido ao fato do processo bsico de
fabricao dos circuitos integrados ser idntico
ao usado para fabricar transistores, estes em um
circuito integrado feito por esse processo so
similares aos convencionais. Por outro lado, os
resistores dos circuitos integrados so
completamente diferentes dos comuns.
Nos resistores comuns os diferentes
valores hmicos so obtidos variando-se a
resistncia do material condutor, j nos circuitos
integrados a resistncia do material no pode
variar para se obter valores diferentes de
resistores, porque a resistncia do material
determinada pelo valor requerido para a
fabricao do transistor, e seu valor hmico
depende basicamente de sua forma geomtrica.
O valor do resistor determinado pelo
produto de sua espessura S de difuso pela
razo entre o comprimento L e a largura W,
ou seja:
L
R = S
W
O valor da capacitncia de um capacitor
integrado dado pelo produto de uma superfcie
A e a razo entre a constante dieltrica E do
material difundido e a espessura do xido d,
ou seja:
E
C = A
d
TIPOS DE ENCAPSULAMENTO E
CONTAGEM DE PINOS
O invlucro de um circuito integrado
desempenha quatro funes importantes:
a) Protege a pastilha de silcio contra a
ao do meio ambiente, que de certo modo pode
alterar as caractersticas do CI;
b) Protege mecanicamente a pastilha do
circuito integrado;
c) Possibilita um meio simples de
interligar o CI com os outros componentes do
circuito;
11-2
 d) Dissipa o calor dentro da pastilha,
durante o funcionamento do CI.
Na figura 11-2 so mostrados alguns dos
invlucros usados na prtica.
Os dois primeiros CIs possuem
invlucro do tipo dual em linha, sendo a
cpsula geralmente de material plstico e
moldada em torno dos terminais do suporte Figura 11-3 Contagem de pinos em CIs
onde a pastilha de silcio foi montada.
O ltimo CI mostrado na figura possui J para o CI com encapsulamento do
invlucro do tipo TO (metlico), tipo TO a contagem feita do pino guia para a
extensivamente usado em muitos tipos de direita no sentido horrio, quando a vista
transistores. interior de sua base estiver voltada para o
observador. Essa contagem mostrada na figura
11-4.

Figura 11-2 Invlucros usados em CIs

A contagem de pinos de circuitos

integrados com encapsulamento do tipo dual
feita, contando-se a partir do guia de referncia
no sentido anti-horrio como mostrado na figura Figura 11-4 Contagem de pinos para CI com
11-3 encapsulamento do tipo TO.

11-3
 CAPTULO 12
SENSORES
SENSOR DE UMIDADE
Existem certos materiais semicondutores
cuja resistncia varia com a umidade relativa do
ar. Estes materiais tm um certo padro
especfico de carga eltrica em suas molculas e
os nveis de energia entre elas so controlados
mediante a umidade do ar.
Este tipo de dispositivo semicondutor
fabricado na forma de pelcula delgada,
depositada sobre os eletrodos que esto
dispostos um ao lado do outro. A resistncia
entre os eletrodos varia com a quantidade de
umidade do meio ambiente, pela qual possvel
medir a umidade relativa do ar.
A figura 12-1 mostra a curva
caracterstica, dada pelo fabricante. Por essa
curva pode-se observar que o sensor de umidade
apresenta uma resistncia elevada que decresce
rapidamente com o aumento da umidade.
Figura 12-1 Curva de variao da resistncia
com a umidade
A figura 12-2 mostra um circuito que
pode ser usado, por exemplo, para medir a
umidade relativa do ar de um depsito de
componentes eletrnicos.
A lmpada L1 acender todas as vezes
que a umidade do ar atingir nveis prejudiciais
aos componentes eletrnicos do depsito.
Figura 12-2 Circuito medidor da umidade
relativa do ar
O circuito da figura 12-2 possui o
funcionamento descrito a seguir.
Havendo um aumento da umidade
relativa do ar, a resistncia do sensor de
umidade diminui, ocasionando um aumento da
polarizao direta base-emissor e com isso
tambm um aumento de IC.
Se o miliampermetro estiver graduado
em percentagem de umidade do ar, teremos
desta forma uma indicao precisa dessa
umidade.
Porm, se a umidade do ar continuar a
aumentar, o rel K1 ser ativado atravs do
aumento de IC, fazendo com que a lmpada L1
acenda, indicando que a umidade est sendo
prejudicial aos componentes.
TERMISTORES
Os termistores so componentes
eletrnicos que tm a capacidade de alterar a
resistncia hmica com a variao da
temperatura.
Existem termistores com coeficiente de
temperatura positiva (PTC) e negativo (NTC),
ou seja, no primeiro caso teremos um aumento
de resistncia quando ocorrer um aumento de
temperatura e no segundo caso teremos uma
diminuio no valor hmico do termistor
quando ocorrer um aumento de temperatura.
12-1
 Os termistores so amplamente Os termistores com coeficiente negativo
utilizados em circuitos de polarizao de de temperatura (NTC) so os mais utilizados.
transistores pois neste caso, eles compensariam Um circuito com estabilizao de
as variaes da polarizao devido ao aumento polarizao atravs de um NTC mostrado na
ou diminuio da temperatura. figura 12-3.
A tenso VBE do circuito 0,2V e a IB
300 mA. Com o aumento da temperatura
ambiente a IC tende a aumentar devido ao
aumento da ICO.
Porm, esse aumento da temperatura
afeta tambm o NTC, diminuindo sua
resistncia, ocasionando um aumento da
corrente atravs dele.
Essa maior corrente solicitada aumenta a
queda de tenso em RF, diminuindo a VBE e com
isso menores sero a IB e a IC.
O resultado que este dispositivo tende
a manter o circuito no seu ponto de operao.
A figura 12-4 a seguir mostra as curvas
Figura 12-3 Circuito com estabilizao de caractersticas de um NTC e um PTC
polarizao respectivamente.

Figura 12-4 Curvas caractersticas de um NTC e de um PTC

DISPOSITIVOS FOTOSSENSVEIS
Clulas fotocondutivas

Diz-se que um dispositivo fotos- Estas clulas baseiam-se no fenmeno

sensvel se o mesmo alterar suas caractersticas descrito a seguir, que ocorre quando um fluxo
mediante a incidncia de luz. luminoso incide sobre um material
Dentro do grupo de componentes fotos- semicondutor.
sensveis, destacam-se as clulas fotoeltricas Quando isso acontece, os ftons
que podem ser a gs ou a vcuo, as clulas (partculas que compem a luz) podem fornecer
fotocondutivas que podem ser do tipo fotor aos eltrons energia suficiente para produzir a
resistor, fotodiodo e fototransistor e as clulas ruptura das ligaes covalentes, um eltron
fotovoltaicas. abandona a ligao deixando uma lacuna em seu

12-2
lugar. Portanto a ao dos ftons ocasiona a
produo de pares eltron-lacuna, o que provoca
o aumento da condutividade no semicondutor.
Este fenmeno conhecido como foto-
condutividade.
Entre os dispositivos que funcionam
baseados no fenmeno da fotocondutividade
temos os fotorresistores, fotodiodos e os foto-
transistores.
Fotorresistores
Os fotorresistores so constitudos de
material semicondutor.
Quando um fluxo luminoso incide sobre
eles a sua condutividade aumenta, ou seja, a sua
resistncia diminui.
Os materiais mais utilizados para a
construo dos fotorresistores so o sulfato de
cdmio e o sulfeto de chumbo.
Os fotorresistores so caracterizados
pelas iniciais LDR (Light Dependent Resistor),
ou seja, resistor dependente da luz.
Os fotorresistores so geralmente
aplicados em circuitos para a operao de rels.
A figura 12-5 ilustra esse processo.
Figura 12-6 Aplicao do fotodiodo
Figura 12-5 Circuito de aplicao do fotor-
resistor
Quando no h fluxo luminoso, a
resistncia do LDR alta e a corrente que
circula na bobina do rel no suficiente para
aciona-lo. Quando um fluxo luminoso incide
sobre o fotorresistor a sua resistncia diminui, a
corrente aumenta atingindo um valor suficiente
para acionar o rel.
Consequentemente, com esse simples
circuito possvel efetuar o controle automtico
de portas, alarmes de segurana, controles de
iluminao de ambientes etc.
Fotodiodo
Os fotodiodos so constitudos de
maneira anloga aos diodos de funo j
estudados..
12-3
A nica diferena que a funo PN
influenciada pela intensidade da luz, atravs de
uma janela de material transparente adaptada na
parte superior de seu invlucro.
Alguns fotodiodos possuem nesta janela
uma pequena lente convergente que concentra
ainda mais os feixes de luz.
O fotodiodo, em condies normais
polarizado no sentido inverso e, portanto,
circula atravs do diodo apenas a corrente de
fuga.
Quando um feixe luminoso incide na
funo, so quebradas ligaes covalentes,
aumentando a concentrao de portadores
minoritrios e conseqentemente, a corrente de
fuga aumenta.
Esse aumento da corrente vai atuar num
circuito acoplado ao fotodiodo.
O circuito da figura 12-6 tem por
objetivo processar a contagem de produtos que
esto sendo transportados por uma correia
O fluxo luminoso proveniente de uma
lmpada interrompido quando o produto se
interpe entre a lmpada e o fotodiodo.
Quando isso ocorre a corrente atravs do
diodo diminui, fazendo com que a tenso
esttica aplicada na base do transistor
amplificador aumente. Isso provoca um
aumento da polarizao direta base-emissor,
logo, a IC aumenta, fazendo com que a tenso
coletor-terra diminua.
Desta forma temos na sada do circuito
um pulso que acoplado ao contador. Estes
pulsos sero registrados pelo contador, o qual
informar a quantidade de objetos.
Fototransistores
Esses dispositivos so constitudos por
duas funes PN acondicionados num
invlucro, tendo uma pequena lente que
converge o fluxo luminoso sobre a funo base-
emissor, a qual denominada funo
fotossensvel.
Quando a luz incide em sua funo base-
emissor sua condutividade aumenta,
ocasionando um aumento na corrente de coletor.
Quanto mais intenso for o fluxo
luminoso, mais intensa ser a corrente de
coletor.
Devido a sua amplificao, o
fototransistor fornece dez vezes mais corrente
que o fotodiodo, sob as mesmas circunstncias.
Os fototransistores possuem as mesmas
aplicaes dos fotodiodos tais como a leitura
tica, controle automtico de brilho etc.
Todavia, apresentam a vantagem de no
necessitar de ampliao adicional.
Clulas fotovoltaicas
Como o nome indica, essas clulas
produzem uma tenso eltrica quando
submetidas a ao de um fluxo luminoso.
Uma das aplicaes mais tpicas das
clulas fotovoltaicas nos chamados fotmetros
que so instrumentos usados pelos fotgrafos
para obterem informaes sobre a iluminao
do ambiente.
Quando a luz incide sobre a fotoclula,
que normalmente de selnio, produzida uma
tenso que aplicada a um milivoltmetro
graduado em unidades de intensidade de luz.
Bateria solar
Uma aplicao moderna de grande
importncia das clulas fotovoltaicas nas
chamadas baterias solares.
Clulas so colocadas, em grande
nmero, lado a lado e ligadas de maneira
conveniente, em srie, em paralelo ou em
combinao srie-paralelo.
Quando exposto luz solar, o conjunto
pode fornecer energia suficiente para o
funcionamento dos instrumentos de um farol, de
uma estao meteorolgica e principalmente de
um satlite artificial.
12-4
 CAPTULO 13
REGULADORES DE TENSO
O DIODO ZENER COMO REGULADOR
DE TENSO
O diodo Zener um dispositivo
semicondutor, de dois terminais, diferente dos
diodos comuns, tanto na sua construo fsica,
quanto no seu funcionamento.
O Zener possui uma juno maior que a
do diodo comum, o que possibilita uma
dissipao de potncia.
Quanto ao seu funcionamento, foi
projetado para operar na regio inversa da curva
caracterstica e assim sendo, sua polarizao
normal a polarizao inversa.
Apesar do seu funcionamento diferir um
pouco do diodo comum, o Zener pode operar do
mesmo modo que o diodo anteriormente
estudado.
Os diodos que operam na regio inversa
da curva caracterstica so chamados Zener, ou
diodo de referncia, ou ainda diodo de
avalanche.
CARACTERSTICAS DO DIODO ZENER
A diferena essencial, entre um diodo
Zener e um diodo comum, est no grau de
definio do ponto (tenso) de Zener.
O diodo Zener possui um joelho de alta
tenso, de curvatura bastante acentuada, ao
passo que outros diodos possuem uma curvatura
mais suave, como se v na figura 13-1.
Figura 13-1 Curva na regio inversa do diodo
comum
Outra caracterstica importante do diodo
Zener a maior largura fsica da juno. A
razo de ser desta caracterstica est na potncia
que a juno pode dissipar.
Por exemplo, um diodo comum de Ge,
com uma corrente de 1 mA, dissipa:
Pj = 1 mA x 0,25 V = 0,25 mW
Como o diodo Zener opera com tenses
mais elevadas (6 volts), teramos, com a mesma
corrente de 1 mA, a potncia:
Pj = 1 mA x 6 V 6 mW
Por este motivo que a juno do diodo
Zener deve ser maior que a de um diodo
comum, a fim de possibilitar uma dissipao
maior.
O diodo Zener pode ser usado em
substituio vlvula VR, como mostra a figura
13-5. Isso se deve caracterstica do Zener que
mantm a tenso constante, dentro de
determinados limites, quando est operando na
regio de Zener.
Funcionamento
O diodo comum no deve atingir a zona
Zener, sob pena de possvel destruio,
enquanto que o Zener projetado e fabricado
para trabalhar nesta regio.
Quando o diodo Zener polarizado
inversamente, uma corrente muito pequena
circula atravs dele a corrente de fuga.
medida que a tenso inversa cresce, tambm
cresce o campo eltrico existente na regio de
transio. Este campo pode acelerar,
suficientemente, os eltrons livres, fazendo com
que eles adquiram bastante energia, para
provocar por choque, o rompimento das
ligaes covalentes.
Consideremos de incio, a situao de
um eltron livre. Quando este eltron sofre a
ao de um campo eltrico, adquire uma
acelerao suficiente, para romper uma ligao
covalente. Com isso, passam a existir trs
portadores uma lacuna e dois eltrons. Estes
dois eltrons podem ser acelerados e provocar o
rompimento de duas outras ligaes, fornecendo
agora, sete portadores quatro eltrons e trs
lacunas. Em pouqussimo tempo ocorre uma
multiplicao de portadores de carga avalan-
13-1
che a corrente cresce, sendo limitada somente definida e que a tenso se mantenha a mais
pela resistncia externa do circuito. estvel possvel, durante a ruptura. Por esse
A tenso sobre o diodo se mantm motivo, prefere-se fabricar diodos Zener de
aproximadamente constante, o que indica que o silcio e no de germnio, pois estas
diodo possui uma resistncia muito pequena caractersticas so mais definidas no Si, que no
nessa regio. Esse fenmeno chamado Ge.
ruptura da juno por avalanche ou mais Cada diodo Zener comercial possui sua
comumente ruptura por avalanche. tenso caracterstica. Entretanto, esta tenso
Dependendo da construo da juno, da varia ligeiramente com a corrente, pois a
tenso aplicada e da corrente, pode produzir-se caracterstica no exatamente vertical.
a ruptura, mesmo que os eltrons livres no Vejamos a curva caracterstica do diodo
tenham sido acelerados o suficiente para romper OAZ203, na figura 13-3. O fabricante fornece
as ligaes covalentes. o caso em que o os seguintes dados:
campo eltrico, produzido pela aplicao da Iz = corrente de Zener
tenso inversa, suficiente para provocar, ele Vz = tenso de Zener
prprio, a quebra das ligaes covalentes e,
portanto, a rpida multiplicao dos portadores Para Iz de 1mA temos Vz de 6,2V
de carga.
Este tipo de ruptura chamado de Para Iz de 5mA temos Vz de 6,3V
ruptura Zener, e o ponto no qual ela se inicia Para Iz de 20mA temos Vz de 6,4V
chamado ponto de tenso Zener.
Nesse caso a corrente tambm aumenta
bruscamente e a tenso no diodo se mantm
quase constante.
Praticamente a ruptura por avalanche
distingue-se da ruptura Zener, pelo seu
coeficiente de temperatura. Costuma-se chamar
de regio de Zener ou tenso de Zener, regio
e tenso nas quais a corrente inversa cresce
rapidamente e a tenso se mantm quase
constante, qualquer que seja o motivo real da
ruptura.

Figura 13-3 Curva caracterstica inversa do

diodo Zener OAZ203

Falamos anteriormente em tenso mdia,

porque os valores da tenso Zener variam para o
mesmo tipo de diodo, de unidade para unidade,
dentro das tolerncias de fabricao, que podem
Figura 13-2 Smbolos do diodo Zener ser de 10%, 5%, 1% ou ainda menores,
dependendo do tipo de diodo. Isto obriga o
Como o diodo Zener possui mais de um fabricante a fornecer os valores mximos e
smbolo para sua representao, vamos escolher mnimos para a tenso Zener conforme mostra a
para emprego em nosso curso o smbolo D da figura 13-3.
figura 13-2. Observe tambm na tabela a seguir, as
caractersticas do diodo OAZ203, 25 C.
ESPECIFICAES DA TENSO ZENER
Tenso Zener Valores tpicos
Existem diodos Zener comerciais, com Mnimo, mdio, mximo
tenso variando de alguns volts at centenas de Iz = 1mA Vz = 5,8V 6,2V.....6,6V
volts. Para aplicaes prticas deste dispositivo, Iz = 5mA Vz = 6,1V 6,3V 6,8V
desejado que a regio de ruptura seja bem Iz = 10mA Vz = 6,1V 6,4V 6,9V

13-2
IMPEDNCIA DINMICA
O fato da tenso Zener no se manter
exatamente constante, com a variao da
corrente inversa, indica que o diodo Zener no
tem uma resistncia nula, na regio inversa,
porm apresenta uma certa resistncia, embora
baixa. a impedncia dinmica, que
corresponde inclinao da curva caracterstica.
A impedncia dinmica tambm varia de
diodo para diodo, dependendo de sua tenso
Zener e, para um mesmo diodo, varia com a
corrente.
Por exemplo, na figura 13-4, a curva
caracterstica do diodo OAZ201, para tenso
Zener baixa, apresenta uma Rz de 340 ohms
para uma Iz de 1 mA. Quando a corrente cresce,
a curva caracterstica se aproxima de uma linha
vertical e a impedncia dinmica diminui.
Ainda para o mesmo diodo temos: Rz de
40 ohms para Iz de 5 mA Rz de 4,7 ohms para
Iz de 20 mA estes valores de Rz so os valores
mdios, correspondendo s tenses mdias de
Zener.
Para diodos de Vz mais elevadas, nas
baixas correntes, Rz mais baixa, porque o
joelho da curva quase reto: Rz de 21 ohms
para Iz de 1 mA, para o diodo OAZ213.
Quando a corrente se eleva, a curva
caracterstica no to vertical, quanto quela
dos diodos de baixa tenso. A impedncia
maior para diodos de alta tenso (7 ohms para
20 mA, para o diodo OAZ213).
Como do ponto de vista dos circuitos
que utilizam o Zener, geralmente mais
interessante ter diodos, cuja impedncia seja a
menor possvel, o projetista deve ter cuidado na
hora da escolha do diodo e da corrente de
operao, a fim de obter a mnima variao de
tenso, quando a corrente se modifica.
Figura 13-4 Curvas caractersticas de trs
diodos Zener
Efeito da temperatura
Conforme j sabemos, muitas
caractersticas dos dispositivos semicondutores
dependem da temperatura. O efeito causador da
ruptura determina o sentido da variao. Se a
ruptura for por avalanche, a tenso Zener cresce
com a temperatura, isto , o coeficiente de
temperatura positivo. Se a ruptura for do tipo
Zener, a tenso Zener decresce com a
temperatura, o que equivale ao coeficiente
negativo de temperatura.
Nas aplicaes prticas, se a temperatura
do equipamento onde utilizado o diodo Zener
variar, importante saber qual ser o sentido da
variao da tenso Zener. s vezes, deve ser
procurado, um ponto onde a tenso no varie,
ou pelo menos varie o mnimo possvel ( ponto
de coeficiente nulo de temperatura).
O coeficiente de temperatura varia de
diodo para diodo, pois depende da tenso Zener
e, para um mesmo diodo, ele varia de acordo
com a corrente de operao.
Os diodos Zener com tenses maiores
que 6 volts tm coeficientes positivos de
temperatura, enquanto que os de tenses
menores que 4,5 volts tm coeficientes
negativos de temperatura. Por exemplo, o diodo
OAZ203, com tenso Zener de 6,3 volts, tem os
seguintes coeficientes de temperatura: para Iz de
1mA, o coeficiente de +0,5 mV/ grau cent-
grado, o que significa um acrscimo de 0,5 mV,
para cada grau centgrado de aumento de
temperatura. medida que a corrente cresce, o
coeficiente de temperatura tambm cresce.
Corrente Coeficiente
5 mA +1,7 mV/ C
20 mA +2,6 mV/ C
Para diodos de tenses mais elevadas, o
coeficiente tambm mais elevado. Vejamos,
por exemplo, os coeficientes para o diodo
OAZ213, com tenso Zener mdia de 12,2 V.
Corrente Coeficiente
1 mA + 9,2 mV/ C
5 mA + 9,3 mV/ C
20 mA + 9,4 mV/ C
Para diodos, cuja tenso Zener est
compreendida entre 4,5 e 6 volts, o coeficiente
de temperatura passa de negativo para positivo,
medida que a corrente cresce. O diodo
13-3
OAZ201, com tenso mdia de 5,6 volts, tem os
coeficientes a seguir.
Corrente Coeficiente
1 mA - 1,6 mV/ C
20 mA + 1,0 mV/ C
Com estes dados que o fabricante
fornece possvel fixar a corrente de operao,
de tal modo que o coeficiente de temperatura
seja o mais prximo de zero. Por exemplo, no
caso do diodo OAZ201, poder-se-ia escolher
uma corrente compreendida entre 5 e 20 mA,
intervalo no qual o coeficiente de temperatura,
passando do negativo para o positivo, em algum
ponto se anular.
LIMITAES DO DIODO ZENER
As limitaes do diodo Zener so: a
corrente mxima direta (caso venha a trabalhar
naquela regio), a corrente mxima inversa e a
mxima dissipao. Esse ltimo dado muito
importante e depende da temperatura na qual o
diodo vai operar; para os diodos de potncia,
depende tambm dos meios utilizados para
dissipar o calor produzido, conforme j
assinalamos no caso dos diodos retificadores e
conforme ser visto no apndice.
Quando se necessita de tenso Zener
elevada, prefervel, s vezes, colocar vrios
diodos de baixa tenso, em srie, em vez de usar
um diodo de alta tenso, pois esses ltimos tm
coeficiente de temperatura maior, impedncia
dinmica maior e necessitariam ser de maior
dissipao. Os diodos de baixa tenso, em srie,
podem ter dissipaes mais baixas, por
dividirem entre si a dissipao total.
Notamos que existem diodos Zener de
tolerncia muito pequena, em relao tenso, e
de grande estabilidade, em relao
temperatura, que servem como elementos de
referncia de grande preciso. So constitudos
geralmente de dois ou trs diodos, em srie,
colocados no mesmo invlucro, sendo um ou
dois no sentido direto, a fim de conseguir uma
compensao dos efeitos de temperatura.
APLICAES DO DIODO ZENER
Inmeras so as aplicaes do diodo
Zener, substituindo nos circuitos transisto-
rizados, a vlvula reguladora de tenso, sua
correspondente em equipamentos. O
aproveitamento da caracterstica da regio Zener
(tenso constante com corrente varivel) leva,
com efeito, aplicao mais importante do
diodo Zener que a regulao de tenso em
fontes reguladas.
Entre outras aplicaes, citamos o seu
emprego como chave, em circuitos limitadores,
em circuitos de estabilizao da polaridade de
transistores, na proteo de circuitos e de
medidores, na supresso de fasca e na
regulao de tenso alternada.
Figura 13-5 Diodo Zener em proteo de
circuitos
Proteo de circuitos
Os circuitos eltricos e eletrnicos
costumam ser protegidos contra sobrecarga de
tenso ou corrente por fusveis que interrompem
a corrente quando esta ultrapassar um valor
prefixado.
Em certos casos, torna-se difcil escolher
um fusvel que interrompa o circuito no
momento de uma sobrecarga e, ainda assim, no
chagar a fundir quando operado continuamente
no valor mximo de corrente perto da
sobrecarga.
Uma soluo para esse problema
consiste em escolher um fusvel que esteja
afastado do ponto de fuso, quando o circuito
opera no valor mximo de corrente, e colocar
em paralelo com a carga um diodo Zener com
tenso um pouco superior tenso mxima
permissvel para a carga como mostrado na
figura 13-5.
Havendo uma elevao da tenso, essa
tenso ultrapassada, atingida a tenso Zener,
o diodo oferece uma resistncia muito menor
que a carga, a corrente aumenta muito e funde o
fusvel que abre o circuito.
Uma aplicao baseada no mesmo
princpio exposto acima a proteo de
13-4
medidores com diodo Zener. Para evitar que
uma tenso alta demais possa ser aplicada
inadvertidamente a um medidor colocado em
uma escala baixa, que poderia danificar o
sensvel sistema de medio, coloca-se um
diodo Zener em paralelo com o medidor, cuja
tenso seja um pouco maior que a tenso
mxima aceitvel. Se esta tenso for
ultrapassada, o diodo Zener a conduzir e toda a
corrente passar por ele, deixando o medidor
fora do circuito. Veja a figura 13-6.
Figura 13-6 Diodo Zener como proteo de
medidores
Supresso de fascas
Quando so interrompidos circuitos em
que existem cargas indutivas (transformadores,
rels, solenides), aparecem oscilaes
transitrias, com amplitudes que podem
ultrapassar o valor normal de funcionamento e
provocar fascas nos contatos do interruptor.
Para evitar a aplicao dessas altas
tenses ao circuito e o faiscamento dos contatos,
pode-se colocar um diodo Zener em paralelo
com a carga indutiva, com um resistor de
proteo em srie, para absorver a oscilao,
tanto com alimentao CC (figura 13-7 A) ou
CA (figura 13-7 B).
A diodos Zener comerciais da IBRAPE.
Figura 13-7 Diodo Zener como supressor de
fascas
Regulao da tenso alternada
Quando a rede de alimentao (CA)
varia a sua tenso, o efeito pode ser prejudicial
em muitos casos, citando-se como exemplo, a
alimentao de lmpadas fornecedoras de luz
para clulas fotoeltricas, porque uma ligeira
variao na tenso da rede modifica a
intensidade luminosa da lmpada e a resposta da
clula fotoeltrica.
Para diminuir essas variaes, usam-se
dois diodos Zener, em oposio (figura 13-8).
Na alternncia positiva, o diodo de cima entra
na regio Zener, quando a tenso alternada
iguala a tenso de ruptura, estando o outro diodo
sempre polarizado diretamente e funcionando
praticamente como um curto-circuito.
Na alternncia negativa, o diodo de cima
funciona como um curto e o outro limita a
tenso no valor Zener. Quando a tenso de CA
altera seu valor, seja para mais ou para menos,
os diodos Zener limitam a onda de tenso
sempre nos mesmos valores, fixados pelas suas
tenses Zener.
Figura 13-8 Diodos Zener em circuito de regula-
o de tenso alternada
DIODOS ZENER COMERCIAIS
Existem diodos comerciais, com tenses
Zener variando de alguns volts at centenas de
volts, dissipaes permissveis, variando de
algumas centenas de mW at alguns W e
correntes mximas de algumas centenas de mA
at dezenas de Ampres. A figura 13-10
apresenta um quadro comparativo de alguns
Curva caracterstica do diodo Zener
A curva caracterstica do diodo Zener
bem semelhante curva do diodo comum. As
13-5
poucas diferenas existentes so a regularidade
da intensidade de corrente, at que atinja o
ponto de Zener e, a queda brusca na regio
inversa da curva (mais intensa que nos diodos
comuns).
O diodo Zener, quando trabalha na
regio direta, trabalha como um diodo comum.
Na regio inversa, entretanto, h uma alta
resistncia at que atinja o ponto de ruptura; da
em diante a resistncia baixa.

Figura 13-9 Curva caracterstica do diodo Zener

Caractersticas a 25 C
Tenso Zener Para Impedn Para Coeficien Para
Dissipa
corrente cia din- corrente te de tem corrente
Diodo Mnima Mdia Mxima Zener Co
mica R Zener peratura Zener
(V) (V) (V) (mW)
-I (mA) (:) -I (mA) (mV/ C) -I (mA)
BZZ10 5,3 6,0 6,6 1 27 5 + 1,0 5 280
OAZ201 5,2 5,6 6,0 5 45 5 - 0,6 5 320
OAZ202 5,6 6,0 6,3 5 24 5 + 0,6 5 320
OAZ203 6,1 6,3 6,8 5 9,5 5 +1,7 5 320
OAZ213 9,4 12,2 15,3 5 12 5 + 9,3 5 320
Min.Max.
BZZ14 5,3 5,6 6,0 20 13 20 - 0,4 +2,5
20 8W

Figura 13-10 Quadro comparativo de alguns diodos Zener da IBRAPE

13-6
REGULADOR ELETRNICO DE
TENSO
No estudo anterior sobre reguladores
com Zener, pudemos ver que, embora o Zener
regule a tenso, razoavelmente, h necessidade
de se elaborar um circuito mais complexo que
resulta da combinao de diodos Zener e de
transistores.
Esta combinao apresenta como
resultado uma regulao quase perfeita.
O regulador que vamos estudar nesta
unidade um regulador eletrnico em srie.
Uma tenso bastante constante na sada,
s vezes torna-se necessria, pois existem
equipamentos bastante sensveis, nos quais um
mnimo de variao na sua alimentao o
Figura 13-11 Regulador em srie
A tenso de entrada est dividida entre a
rede sensora e o transistor em srie com esta
rede.
O resistor de passagem se comporta
como um resistor varivel. Toda variao de
tenso que poderia ocorrer na sada ocorre na
VCE de Q1.
Q2 denominado transistor de controle
e determina a quantidade de polarizao de base
de Q1 e, portanto, a resistncia em srie de Q1.
A tenso de entrada do regulador
sempre maior que a tenso requerida para a
sada.
Observe que o potencimetro e o resistor
em srie com Q1 ligam-se diretamente aos
terminais de sada de CC. Estes resistores so
conhecidos como rede sensora ou detectora
de tenso.
bastante para que afete o seu funcionamento
ideal.
Funcionamento
O circuito que analisaremos a seguir
um dispositivo conhecido como regulador em
srie.
Observe que o transistor Q1 est ligado
diretamente ao terminal negativo da fonte de
fora no regulada; o terminal positivo passa
diretamente para a sada do regulador. O
transistor Q1 denominado transistor de
passagem e sua resistncia depende do grau de
polarizao direta.
Quando sua base se faz mais negativa,
com respeito ao emissor, sua resistncia
diminui.
Quando diminui a corrente contnua de
carga, a tenso contnua de sada tende a
aumentar. medida que h esse aumento, a
rede detectora varia a polarizao da base de Q2
e isto torna a base mais positiva. Como
consequncia, a resistncia de Q1 aumenta, para
compensar a tendncia ao aumento da tenso de
sada.
Quando a carga requer uma corrente
considervel, a tenso da rede sensora tende a
diminuir, variando a polarizao de Q2, de tal
forma que a base de Q1 torna-se mais negativa;
assim, a resistncia de Q1 diminui, reduzindo a
queda de tenso em Q1, compensando a
tendncia de diminuir a tenso de carga.
O diodo Zener possui duas funes. A
primeira regular as variaes na tenso
contnua de entrada, como j foi visto
13-7
anteriormente. A segunda e mais importante
funo manter uma tenso constante no
emissor de Q2. Esta tenso quase igual a
normal que se desenvolve na base de Q1,
mediante a rede sensora.
Quando a tenso contnua de sada tende
a aumentar ou diminuir, a diferena entre esta
tenso de referncia e a da rede sensora,
controla a corrente de base de Q1; assim pois, a
resistncia de Q1 varia em forma ascendente ou
descendente, dependendo da forma de variao
da tenso de entrada, para mais ou para menos,
com a variao da corrente de carga ou com a
variao da tenso de linha.
Este tipo de regulador possua vantagem
de poder regular maiores tenses contnuas de
sada, com mais capacidade de corrente que o
regulador que usa apenas o diodo Zener. Este
tipo de regulador permite fazer variar a tenso
regulada, para alguns valores desejados.
SUMRIO
O diodo Zener um dispositivo
semicondutor de dois terminais, projetado para
funcionar na regio inversa da curva
caracterstica.
Regio Zener a regio onde a corrente
de Zener aumenta e a tenso permanece
constante.
Existem dois tipos de ruptura: uma por
avalanche e outra por Zener.
Cada diodo Zener possui sua tenso
caracterstica.
desejvel escolher-se diodos, cuja
impedncia dinmica seja a menos possvel.
Diodos Zener com tenses acima de 6 V
possuem coeficientes de temperatura positivos.
Diodos Zener com tenses abaixo de
4,5V possuem coeficientes de temperatura
negativos.
As limitaes do Zener so corrente
mxima direta, corrente mxima inversa e a
mxima dissipao.
O Zener o substituto da vlvula Vr.
A principal aplicao do Zener como
regulador de tenso.
O regulador eletrnico uma
combinao de dispositivos semicondutores que
regulam com bastante preciso tenses de
corrente contnua.
No regulador da figura 13-11, o diodo
Zener possui duas funes: fornecer uma tenso
de referncia para a base de Q2 e regular as
variaes da tenso de entrada.
Os resistores na sada do regulador
constituem a rede sensora ou detectora de
tenso.
possvel variar a tenso de sada
regulada, atravs do controle do potencimetro
ligado base de Q2.
13-8
 CAPTULO 14

DIODOS ESPECIAIS

THYRISTORES (SCR) comuns, o sentido , repetimos, do ctodo para

o anodo.
O Thyristor um comutador quase ideal,
retificador e amplificador ao mesmo tempo.
Constitui-se um componente de escolha para a
eletrnica de potncia. Concebido,
originalmente para substituir a vlvula
thyratron gs, o thyristor se imps,
rapidamente, em diversos domnios, cujos mais
importantes so a comutao pura e simples, a
variao de velocidade dos motores e a variao
da intensidade luminosa.
O thyristor permanece normalmente
bloqueado, at o momento em que se deseja que Figura 14-1 Estrutura e smbolo do thyristor
ele se torne condutor.
O termo thyristor designa uma famlia
de elementos semicondutores, cujas Thyristor sob tenso
caractersticas, originalmente, esto prximas s
das antigas vlvulas thyratrons. O nome O thyristor pode ser comparado com
thyristor uma contrao de THYRatron e dois diodos, montados em oposio, conforme
transISTOR. mostrado na figura 14-2.
Os thyristores, tambm conhecidos por Para simplificao da anlise que se
SCR (Silicon Controlled Rectifier) so segue, vamos admitir que o ctodo est ligado
elementos unidirecionais a trs sadas (anodo, massa e o gatilho est desligado, isto , no ar.
ctodo e gatilho).
Os TRIACS, so chamados thyristores
triodos bidirecionais. O nome Triac provm da
contrao de TRIode AC Switch.
Fazem parte ainda da famlia dos
thyristores, os fotothyristores ou thyristores
fotossensveis, os thyristores bloqueveis, os
comutadores unilateral e bilateral SUS e SBS
(Silicon Unilateral Switch e Silicon Bilateral
Switch, respectivamente) e o diodo Shockley,
tambm conhecido por diodo thyristor ou diodo
de quatro camadas.

Estrutura e smbolo do thyristor Figura 14-2 Comparao do thyristor com

O thyristor um semicondutor de silcio
a quatro camadas alternadas.
Duas conexes principais so
realizadas para o anodo e o ctodo. A conduo,
no sentido direto (corrente de ctodo para
anodo) comandada por um eletrodo, chamado
gatilho (em ingls gate). Aps a aplicao de
um sinal de comando no gatilho, o thyristor
deixa passar por ele uma corrente unidirecional,
isto , s num sentido. A exemplo dos diodos
diodos
As camadas P1N2 formam o diodo em
oposio, que assegura a no conduo do
dispositivo.
Se o anodo est positivo, os diodos P2N2
e P1N1 esto polarizados diretamente, porm, o
diodo P1N2 bloqueia a conduo. Se, ao
contrrio, o anodo negativo, os diodos P2N2 e
P1N1 esto polarizados inversamente. Por causa
da tenso de avalanche de P1N1 ser baixa, a

14-1
limitao da corrente inversa de fuga feita por
P2N2. Na prtica, a tenso mxima limitada
pela tenso de avalanche dos diodos P2N2 e
P1N1. Neste caso, s haver conduo se a
tenso inversa alcanar a tenso de ruptura dos
diodos, o que poder danifica-lo.
Figura 14-3 Thyristor sob tenso direta
Estes dois transistores so montados de
modo que uma realimentao positiva seja
realizada. Suponhamos que a regio P2 seja
positiva em relao regio N1. As junes J3 e
J1 ficam polarizadas diretamente e deixam
passar, respectivamente, os portadores positivos
e negativos para as regies N2 e P1. Estes, aps
se espalharem pelas bases de cada um dos
transistores, alcanam a juno J2, onde a carga
espacial cria um intenso campo.
Se 2 o ganho de corrente, que d a
frao da corrente de buracos injetados no
emissor e que atinge o coletor do PNP, e se de
outra parte 1 o ganho de corrente, que d a
frao de corrente de eltrons injetados no
emissor e que atinge o coletor do NPN,
podemos escrever que:
IC2 = IA 2 e IC1 = IA 1
A corrente total de anodo ,
evidentemente, a soma de IC1 e IC2, as quais se
somam corrente de fuga residual (ICX), atravs
da juno central. A IA ser ento:
IA = 1 IA + 2 IA + ICX que nos d:
Icx
IA =
1 (1 + 2 )
Para a maioria dos transistores de silcio,
o ganho baixo para as baixas correntes e
Thyristor sob tenso direta
O comportamento do thyristor melhor
compreendido se fizermos uma analogia com
dois transistores PNP e NPN.
Veja a figura 14-3.
cresce muito quando a corrente aumenta.
Portanto, se ICX baixa, o denominador da
equao anterior est prximo de 1 (para as
pequenas correntes), e a corrente IA permanece
um pouco superior corrente de fuga.
A estrutura PNPN, ainda que polarizada
diretamente, est bloqueada, e oferece uma
grande impedncia passagem da corrente.
Quando, por qualquer razo, ICX
aumenta, a corrente e os ganhos aumentam
tambm. A soma 1 + 2 tende para 1 e a
corrente IA tende para o infinito. Em realidade,
ela toma um valor bem elevado, que limitado
somente pelo circuito exterior. O thyristor est
ento no estado de conduo, dizendo-se ento
que ele est desbloqueado.
Observao: Este tipo de disparo do thyristor
desaconselhado na maioria dos
casos.
Princpio de disparo pelo gatilho
O disparo do thyristor pelo gatilho o
mais comumente utilizado. A explicao ser
mais clara, se observarmos a figura 14-4.
O thyristor estando polarizado
diretamente, uma impulso positiva (IG) de
comando ser injetada no gatilho. O transistor
Q1, recebendo a IG, como corrente de base, tem
sua corrente de coletor igual a I 1, onde 1 o
seu ganho de corrente (montagem emissor
14-2
comum). Esta corrente , por sua vez, injetada
na base do transistor Q2, que produz uma IC2
igual a IG 1 2, onde 2 o ganho de corrente
de Q2. Esta corrente ento reaplicada base de
Q1. Duas situaes podem ocorrer:
Figura 14-4 Disparo pelo gatilho
Se o produto 1 2 for menor que 1, o
dispositivo no ser disparado.
Se o produto 1 2 tender unidade (1),
o processo de amplificao ir se manifestar e o
thyristor ir conduzir..
Desde que o disparo do thyristor
ocorreu, a realimentao dos transistores os faz
conduzir saturao. Eles se mantm neste
estado, mesmo que a impulso inicial do gatilho
desaparea e que o circuito exterior mantenha a
corrente IA.
Como um thyristor pode ser disparado
Como j vimos, o thyristor dispe dos
seguintes estados: bloqueado, quando polari-
zado diretamente e no tenha sido disparado;
bloqueado, quando polarizado inversamente;
condutor, se polarizado diretamente e tenha sido
disparado.
Quando o thyristor passa do estado
bloqueado para o de condutor, porque o
transistor de silcio teve um ganho de corrente, o
qual fez aumentar a corrente de emissor.
Consequentemente, todos os mecanis-
mos capazes de provocar um aumento da
corrente IE so utilizados. Os principais so:
1- TENSO Quando a tenso
ctodo-anodo do thyristor aumenta, chega a um
ponto onde a corrente de fuga suficiente para
provocar um crescimento abrupto da IE. Este
modo de disparo principalmente empregado
com diodos de quatro camadas (diodos-thyristo-
res).
2- AUMENTO DA TENSO
Sabemos que toda juno PN apresenta uma
certa capacitncia de juno. Se aplicarmos uma
tenso brusca entre anodo e ctodo, carrega-se
esta capacitncia com uma corrente
proporcional variao de tenso e logo que
esta tenso seja suficiente, o thyristor dispara.
3- TEMPERATURA A corrente
inversa de fuga em transistor de silcio, aumenta
com o aumento da temperatura. Quando a
corrente de fuga for suficiente, teremos o
disparo do thyristor.
4- EFEITO TRANSISTOR o
modo clssico de disparar um thyristor,
injetando-se portadores suplementares na base
do transistor equivalente, ou seja, no gatilho do
thyristor.
5- EFEITO FOTOELTRICO
Provocando-se a criao de pares eltron-
lacuna, um foco de luz pode disparar um
thyristor. Neste caso utiliza-se um fotothyristor;
que consiste em um tipo de thyristor, no qual
existe uma janela, ou seja, uma lente
transparente aos raios luminosos.
CURVA CARACTERSTICA DE UM
THYRISTOR
A curva tpica de um thyristor, elemento
unidirecional, mostrada na figura 14-5. Ela
representa a corrente IA em funo da tenso
anodo-ctodo.
Figura 14-5 Curva caracterstica de um thyristor
14-3
VD = Tenso direta em bloqueio
VDRM = Valor mximo de tenso direta (em
bloqueio)
VDSM = Mxima tenso direta no repetitiva (em
bloqueio)
VT = Tenso sobre o thyristor desbloqueado (em
conduo)
IH = Corrente mnima de conduo
VRWM = Tenso mxima inversa
Quando a tenso V nula, a IA
tambm ser nula. A tenso V, ao crescer no
sentido direto, ser denominada VF (F de
forward, em ingls). necessrio atingir um
valor mnimo (VD), para disparar o thyristor.
Nesse momento, o thyristor torna-se condutor e
a queda de tenso entre seus bornes diminui,
enquanto que a corrente IA aumenta. Esta
corrente direta ser denominada IF.
Se polarizarmos inversamente o
thyristor, com a aplicao de uma tenso VR
(R de reverse, em ingls), observa-se o
aparecimento de uma pequena corrente de fuga
(IR), at que uma tenso mxima inversa que se
for aplicada ao thyristor o destruir.
O thyristor , portanto, condutor somente
no primeiro quadrante. Note-se que o disparo
direto foi provocado pelo aumento da tenso
direta.
Se aplicarmos uma corrente de comando
no gatilho, deslocaremos o ponto VD para a
esquerda. Ver a figura 14-5.
Disparo do thyristor (SCR)
O processo de disparo pode ser
considerado separadamente do mecanismo de
conduo do anodo.
O desempenho do circuito de controle
depender, porm, sob certo aspecto, do circuito
do anodo.
Um SCR nunca disparar, se o circuito
do anodo limitar a sua corrente a um valor
menor que IH (corrente de manuteno). Com
correntes de anodo inferiores a IH, um SCR
comportar-se- como um transistor; quando a
corrente de disparo for interrompida, a corrente
de anodo cessar.
Entre os terminais de disparo e de
ctodo, h uma juno PN. Esta juno
comporta-se como um diodo e suas
caractersticas so pouco afetadas pela presena
das outras duas camadas, mesmo quando existe
uma diferena de potencial entre anodo e
ctodo.
A figura 14-6 mostra uma caracterstica
tpica do - diodo gatilho ctodo, obtida com a
aplicao de uma tenso positiva ao primeiro
eltrodo.
A curva se aplica para as condies
ligado e desligado do SCR, j que a
alterao de impedncia entre ambas pequena.
A caracterstica de impedncia varia com
a temperatura, para diferentes SCR do mesmo
tipo, mas, sempre dentro dos limites
apresentados nas publicaes.
Na figura 14-6, podemos ver a
caracterstica desse diodo em diferentes
temperaturas.
Figura 14-6 Variaes da caracterstica de impe-
dncia em temperaturas diferentes
Consideremos um SCR com a
caracterstica de impedncia conforme a figura
14-6. Se uma tenso positiva for aplicada entre
o anodo e o ctodo, e a tenso do disparados for
aumentada, a corrente deste eltrodo aumentar
segundo a curva da figura 14-6.
Em certo ponto da curva haver o
disparo e este ponto bastante independente da
tenso do anodo, isto , quando a IGF atingir o
valor de disparo, o SCR disparar, qualquer que
seja a tenso positiva do anodo.
Evidentemente h um valor de potencial
mnimo de no disparo.
Os valores de corrente e tenso do
gatilho, em que h o disparo, variaro de um a
outro SCR do mesmo tipo; isto se deve
variao da impedncia do gatilho, entre os
limites mostrados na figura 14-7 e diferena
de sensibilidade entre os SCRs.
14-4
 Figura 14-7 Limites da variao da impedncia do gatilho

Fora da rea hachurada da figura 14-7 e turas indicadas. As caractersticas discutidas at

dentro dos limites de RG, quaisquer valores de
corrente e de tenso dispararo qualquer SCR
desse tipo particular. Tenses e correntes que se
localizem no interior da rea hachurada
dispararo alguns, mas no todos os diodos da
srie.
Os limites da rea de disparo eventual
so definidos, com referncia s caractersticas
mostradas na figura 14-7, na sequncia a seguir.
1- LIMITES DE TENSO A
tenso limite a requerida para disparar o SCR,
que menos sensvel tenso, na mais baixa
temperatura de operao. Em temperaturas mais
altas, a variao da tenso requerida no muito
grande e possvel simplificar o diagrama,
considerando a tenso constante e igual
requerida na mais baixa temperatura de
operao.
agora determinam o limite inferior do nvel de
disparo, sob todas as condies. O limite
superior determinado por uma combinao da
potncia mdia de disparo (pico de disparo), e
das mximas correntes e tenses diretas do
gatilho.
4- MTODOS DE DISPARO DO
SCR Um circuito de disparo, quando bem
projetado, deve disparar o SCR sem exceder a
qualquer dos valores mximos de tenso e
corrente do componente.
a) Disparo por corrente contnua
Quando o valor da tenso entre o gatilho e o
ctodo, isto , VG atingir o valor de disparo, o
SCR conduzir. Se a tenso VG for reduzida a
zero, o SCR continuar a conduzir, por causa da
baixa impedncia de sua estrutura interna.

2- LIMITES DE CORRENTE A
corrente limite a requerida para disparar o
SCR menos sensvel corrente, na mais baixa
temperatura de operao. Nas mais altas
temperaturas requerida menor corrente e os
limites para 40, +25 e +100 graus centgrados
so mostrados na figura 14-7.

3- LIMITES DE BAIXO NVEL

Estes limites indicam nveis de tenso, abaixo
dos quais nenhum SCR disparar, nas tempera-

14-5

Figura 14-8 Disparo por corrente contnua
O SCR ser bloqueado se a tenso
positiva de anodo for reduzida at que a
corrente de anodo seja menor que IH.
No circuito da figura 14-8 B, a carga a
ser alimentada foi colocada no circuito do
ctodo (a carga est representada por um
resistor). Neste caso, quando o SCR dispara, a
tenso no ctodo se torna mais positiva que a
tenso no gatilho. O diodo D1 , ento, colocado
no circuito de porta (ou gatilho) para evitar a
sua ruptura.
Se a tenso que alimenta o anodo for de
corrente alternada, o SCR conduzir durante as
alternncias positivas e bloquear, sempre que a
tenso de anodo cair abaixo da tenso de
manuteno.
b) Disparo por corrente alternada
Se o anodo de um SCR for alimentado com
tenso alternada, o disparo poder ser efetuado
tambm com tenso de CA.
Figura 14-10 Trabalho do SCR
Neste caso pode-se obter um melhor
controle da energia consumida na carga. O
circuito bsico de controle de energia com SCR
visto na figura 14-9.
Figura 14-9 Disparo por corrente alternada
Podemos observar que a tenso do
gatilho (VG) pode sofrer um deslocamento de
fase, com relao fase da tenso no anodo.
Este deslocamento de fase efetuado pela rede
R1 C1. Devido a este deslocamento de fase, a
corrente atravs do SCR pode circular durante
um tempo menor do que 180 do ciclo da tenso
aplicada.
Atravs do grfico da figura 14-10
podemos ver o trabalho do SCR. Vemos em EA
a alternncia positiva da tenso aplicada no
circuito. EG a tenso entre gatilho e ctodo e
conforme o valor de R1 poder estar atrasada de
EA, num ngulo de 0 a 90.
Podemos ver, ainda, como pode ser
variado o tempo de conduo do SCR, pelo
deslocamento da fase de EG. O controle da fase
entre EG e EA, no circuito da figura 14-9,
efetuado atravs do potencimetro R1.
14-6
O TRIAC
O triac um dispositivo semicondutor a
trs eletrodos, sendo um de comando (o gatilho)
e dois de conduo principal. Este dispositivo
pode passar de um estado bloqueado a um
regime de conduo nos dois sentidos de
polarizao e voltar ao estado bloqueado, por
inverso da tenso ou pela diminuio da
corrente, abaixo do valor da corrente de
manuteno (IH).
Figura 14-11 Curvas e smbolo do triac
O triac , portanto uma verso
bidirecional do thyristor. Em sua representao
eltrica, podemos compara-lo com associao
anti-paralela de dois thyristores.
Estrutura do triac
Para se realizar um triac, recorre-se a
diversas estruturas de camadas espalhadas,
como na figura 14-12.
Figura 14-12 Estrutura de um triac
As junes N1P1 e N2P2 constituem um
Thyristor, e as junes N3P2 e N2P1 constituem
o outro. As junes N4P1 e N2P2,, formam o
thyristor de disparo.
O disparo do triac
Se ns aplicarmos a tenso V1 ao anodo
A1, V2 ao anodo A2 e a tenso VG ao gatilho, e
se tomarmos V1 como referncia de massa (V1 =
0), podemos definir quatro quadrantes de
polarizao. Veja na figura 14-13.
QUADRANTE V2 VG
I + +
II + -
III - -
IV - +
Figura 14-13 Quadrantes de polarizao
Disparo no primeiro quadrante (+ +)
O triac dispara como um thyristor
normal. A zona P1 o gatilho e a juno N1P1
injeta os portadores, disparando o thyristor entre
P2 e N1 (Ver na figura 14-14)
A corrente de disparo IG mnima,
funo da repartio das lacunas entre N1 e P1,
ou seja, do valor da resistncia R shunt entre
o gatilho e A1.
Neste quadrante, o thyristor se comporta
como um thyristor N1P1N2P2.
14-7

Figura 14-14 Esquema de um triac
Disparo do segundo quadrante (+ -)
A corrente de disparo circula de P1 para
N4 e dispara o thyristor N4P1N2P2 (figura 14-
14). Devido geometria, a corrente principal de
N4P1N2P2 polariza as bases P1N2 e o thyristor
N1P1N2P2 conduz. Este ltimo tendo uma
impedncia mais baixa abre N4P1N2P2 (por IH),
salvo se a corrente de gatilho for mantida.
Assim, a corrente principal, flui como para o
primeiro quadrante, entre P2 e N1.
Disparo do terceiro quadrante (- -)
Neste caso, a situao um pouco mais
complexa.Usemos como referncia o esquema
da figura 14-14.
O potencial de P1 superior ao de N1. A
juno P1N4 est, portanto polarizada
diretamente e injeta seus portadores. O thyristor
que iremos disparar composto das camadas
N3P2N2P1 (ctodo em N3 e anodo em P1).
Figura 14-15 Disparo do terceiro quadrante
14-8
A juno de gatilho efetiva deste
thyristor o diodo N3P2 e para que ocorra o
disparo , portanto necessrio, que N3P2 injete
seus portadores. Uma melhor compreenso ser
possvel, atravs da figura 14-15.
O transistor Q1 formado das camadas
N4P1N2 e T2 das camadas P2N2P1. O resistor
R a impedncia entre N3 e P2. Para que o
thyristor Th2 dispare, necessrio que a
corrente de emissor de Q2 atravessando R
polarize suficientemente a juno gate-ctodo
de Th2. Temos, portanto:
IB2 = 1 IG
IE2 = 2 IB2 = 1 1 IG onde:
IE2 a corrente de gatilho real de Th2;
IG a corrente injetada no gatilho do triac.
Nota-se que o transistor Q1 tem suas
junes emissor-base e coletor-base polari-
zadas diretamente, estando portanto saturado e
1 um alfa forado. Portanto, de um modo
geral, 1 2 no muito diferente da unidade,
se bem que os triacs tm neste quadrante,
sensibilidades prximas s dos quadrantes
precedentes.
Em concluso: Th2 disparado por uma
corrente IE2, criada atravs dos transistores Q1 e
Q2 por IG.
Disparo no quarto quadrante (- +)
O processo de disparo idntico ao do
terceiro quadrante, sendo que a camada N1 faz o
que no terceiro quadrante foi feito pela camada
N4. Entretanto, a zona de N3P2N2P1 susceptvel
de disparar fisicamente grande e, portanto, a
sensibilidade ser reduzida.
DIAC
O Diac um elemento simtrico, que
consequentemente no possui polaridade. Sua
etmologia a contrao de Diode Alternative
Current. Sua estrutura muito simples, sendo
bastante similar a de um transistor bipolar. A
diferena que a concentrao de impurezas
aproximadamente a mesma em ambas as
junes e que no existe nenhum contato na
camada que no transistor constitui a base.
As concentraes iguais de impurezas
resultam em caractersticas de bloqueio-
conduo, segundo a figura 14-16.
Figura 14-16 Curvas caractersticas e smbolo
do Diac
A tenso de retorno geralmente
prxima de 30 volts. Tenses mais baixas so
difceis de se obter, com uma resistncia
negativa suficiente, enquanto que valores mais
elevados reduziriam as possibilidades de
controle.
Quando se aplica uma tenso positiva ou
negativa sobre os terminais de um Diac, se
produz um fluxo muito pequeno de corrente de
fuga I(BO), at que a tenso chega no ponto de
ruptura V(BO). Neste momento, a juno
polarizada inversamente sofre uma ruptura por
avalanche e acima deste ponto, a caracterstica
tenso x corrente equivale a uma resistncia
Figura 14-17 Estrutura, smbolo e aspecto de um fotothyristor
negativa, ou seja, a corrente aumenta considera-
velmente enquanto a tenso diminui.
Os Diacs so muito usados em
dispositivos de disparo para controle de fase de
Triacs (em controles graduais de luminosidade),
controle de velocidade de motores universais,
controle de calefao, e diversas outras
aplicaes similares.
FOTOTHYRISTORES
Para disparar um thyristor, injeta-se uma
corrente na base de um dos transistores que o
constitui, o que leva saturao. Pode-se ainda
dispar-lo, criando-se atravs da luz, uma
corrente em sua base. Para isto, criamos pares
de eltrons-lacunas que sero separados por um
campo eltrico ao nvel da juno, e que so
injetados na base do transistor considerado, sob
a forma de portadores majoritrios, criando
assim a corrente de base.
Quanto maior for o nmero de eltrons-
lacunas criados, maior ser esta corrente. Isto
conseguido escolhendo-se um comprimento de
onda timo, prximo de 1 m, e tendo-se uma
superfcie de juno, a maior possvel com
polarizao inversa e exposta aos raios
luminosos.
O fotothyristor o nico elemento capaz
de comutar sob a influncia da luz, que possui
dois estados estveis, Na figura 14-17, vemos a
estrutura, o smbolo e o aspecto de um
fotothyristor.
14-9
THYRISTOR BLOQUEVEL
O thyristor bloquevel pode ser
disparado quando lhe aplicamos uma tenso
positiva ao seu eltrodo de comando e ser
rebloqueado se aplicarmos uma impulso
negativa a este mesmo eltrodo.
QUADRAC
A partir dos thyristores, triacs e diodos,
os fabricantes idealizaram dispositivos
compostos, visando simplificar os esquemas de
aplicaes e o uso prtico dos elementos.
Normalmente utiliza-se um diac para
disparar um triac. Pode-se muito bem conceber
um elemento composto, compreendendo estes
dois componentes. Este o quadrac, cujo
esquema apresentado na figura 14-18.
Figura 14-18 Esquema de um quadrac
DIODO SHOCKLEY
O diodo Shockley, tambm conhecido
como diodo thyristor ou diodo de quatro
camadas, um dispositivo bipolar PNPN
comparvel em todos os sentidos um thyristor,
porm, estando disponveis somente os bornes
de anodo e ctodo.
Quando aplicarmos em seus bornes
(entre ctodo e anodo), uma tenso crescente,
mas inferior a um certo nvel VS , sua resistncia
ser elevada e somente uma pequena corrente o
atravessar.
Esta corrente da ordem de alguns
microampres. Este o seu primeiro estado
estvel, pois o diodo est bloqueado.
14-10
Figura 14-19 Estrutura, curva e smbolo de um
diodo Shockley
Quando a tenso VS atingida, chega-
mos na segunda zona, na qual o diodo apresenta
uma regio negativa. Este um estado instvel.
A resistncia do diodo vai decrescendo
rapidamente e a partir do ponto IH ela no tem
mais do que alguns ohms. O diodo est
plenamente condutor e assim permanece
enquanto existir a corrente de manuteno, cujo
valor mnimo IH. Esta a terceira zona cujo
funcionamento estvel. A queda de tenso
introduzida pelo dispositivo da ordem de 1V
para os diodos de germnio e 1,3V a 1,7V para
os de silcio.
O rebloqueio efetua-se reduzindo-se a
corrente, abaixo do valor de IH ou a tenso,
abaixo de VH .
As tenses VS so da ordem de 20 a
100V, enquanto que IH da ordem de 1 a 50
mA.
DIODO TNEL
Um diodo tnel um pequeno
dispositivo formado por uma juno PN, que
tem uma elevada concentrao de impurezas
nos materiais semicondutores P e N. Esta alta
densidade de impurezas faz to estreita a regio
de depleo da juno (ou regio de carga
espacial), que as cargas eltricas podem se
transferir atravs dela, mediante um efeito
mecnico-quntico denominado efeito tnel.
Este efeito tnel produz uma zona de resistncia
negativa, sobre a curva caracterstica do diodo
de referncia, que o habilita para desempenhar
as funes de amplificao, gerao de pulsos e
gerao de energia de RF.
Caractersticas
Na figura 14-20 temos a caracterstica
tpica de uma curva tenso-corrente de um
diodo tnel e seu smbolo.
Figura 14-20 Curva caracterstica de um diodo
tnel e seu smbolo
Os diodos normais, quando polarizados
inversamente, so percorridos por uma pequena
corrente at que se atinja a tenso de ruptura.
Com polarizao direta, a conduo
comea aproximadamente com 300 mV. Nos
diodos tnel, ao contrrio, uma pequena
polarizao inversa faz com que os eltrons de
valncia dos tomos do material semicondutor
prximo juno, atravessem a mesma por
efeito tnel. Assim, o diodo tnel altamente
condutor para todas as polarizaes inversas. Do
mesmo modo, com pequenas polarizaes
diretas, os eltrons da regio N passam por
efeito tnel atravs da juno regio do tipo
P, e a corrente do diodo cresce rapidamente at
um valor de pico (IP).
Com valores intermedirios de polari-
zao o diodo tnel apresenta uma caracterstica
de resistncia negativa, e a corrente cai a um
valor mnimo, denominado IV (corrente de vale).
Com valores crescentes de polarizao, o
diodo tnel apresenta uma caracterstica
didica. Devido reduo da corrente com o
aumento da polarizao na regio de resistncia
negativa, o diodo tnel tem a capacidade de
amplificar, oscilar e comutar.
Ponto de funcionamento
Quando se usa um diodo tnel em
circuitos tais como amplificadores e osciladores,
deve-se estabelecer um ponto de funcionamento
na regio de resistncia negativa.
A linha de carga de CC, mostrada em
linha cheia na figura 14-21 deve ter uma
inclinao tal, que intercepte a regio de
resistncia negativa somente em um ponto.
A linha de carga de CA pode ser bem
inclinada, com uma s interseo (B) como no
caso de um amplificador, ou um pouco
inclinada, com trs intersees (C, D, E)como
ocorre em um oscilador.
Figura 14-21 Linhas de carga
DIODOS EMISSORES DE LUZ (LED)
Num diodo com polarizao direta, os
eltrons livres atravessam a juno e combinam-
se com as lacunas. medida que esses eltrons
caem de um nvel mais alto de energia para um
mais baixo, eles irradiam energia. Nos diodos
comuns essa energia dissipada na forma de
calor. Mas no diodo emissor de luz (LED), a
energia irradiada na forma de luz.
Os LEDs substituram as lmpadas de
incandescncia em vrias aplicaes devido a
sua baixa tenso, vida longa, e rpido
chaveamento liga-desliga.
Os diodos comuns so feitos de silcio,
um material opaco que bloqueia a passagem da
luz. Os LEDs so diferentes. Usando-se
elementos como o glio, o arsnio e o fsforo,
um fabricante pode produzir LEDs que irradiam
no vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou
infravermelho (invisvel).
Os LEDs que produzem radiao visvel
so teis em instrumentos, calculadoras etc. Os
LEDs infravermelhos encontram aplicao em
sistemas de alarme contra roubo e outras reas
que exijam radiao invisvel.
Tenso e corrente do LED
Os LEDs tm uma queda de tenso tpica
de 1,5 a 2,5 V para correntes entre 10 e 50 mA.
14-11
 A queda de tenso exata depende da
corrente, da cor, da tolerncia do LED. A menos
que seja feita alguma recomendao em
contrrio, use uma queda nominal de 2 V
quando estiver verificando defeitos ou
analisando circuitos com LEDs. Se tiver que
fazer algum projeto, consulte a folha de dados,
porque as tenses do LED tm uma grande
tolerncia.
A figura 14-22(a) mostra o smbolo
esquemtico de um LED, as setas para fora
simbolizam a luz irradiada. Admitindo uma
queda no LED de 2 V, pode-se calcular a
corrente do LED, do seguinte modo:
Figura 14-22 (a) Um circuito com LED.
(b) Indicador de sete-segmentos.
(c) Diagrama esquemtico
Figura 14-23 Fotodiodo
Quanto maior a tenso da fonte, menor o
efeito que VLED produz. Em outras palavras, um
alto valor de VS encobre a variao na tenso
do LED.
Por exemplo, um TIL222 um LED
verde com uma queda mnima de 1,8V e uma
queda mxima de 3V para uma corrente de
aproximadamente 25 mA.
Se ligarmos um TIL222 a uma fonte de
20 V e a um resistor de 750 , a corrente
variar de 22,7 a 24,3 mA. Isto implica um
brilho que essencialmente o mesmo para todos
os TIL222. Por outro lado, suponhamos que no
circuito se utilize uma fonte de 5V e um resistor
14-12
10V 2V
I= = 11,8 m
680
Tipicamente, a corrente do LED est
entre 10 e 50 mA porque essa faixa produz luz
suficiente para a maioria das aplicaes.
O brilho de um LED depende da
corrente. Idealmente, a melhor forma de se
controlar o brilho vincular o LED a uma fonte
de corrente. A melhor coisa para se obter uma
fonte de corrente uma grande tenso de
alimentao seguida de uma grande resistncia
em srie. Neste caso, a corrente do LED dada
por:
V VLED
I = S
RS
de 120 . A corrente variar ento cerca de 16,7
a 26,7 mA; isto causar uma variao sensvel
no brilho. Portanto, para se obter um brilho
aproximadamente constante com LEDs,
devemos utilizar tanto uma fonte de tenso
como uma resistncia em srie o maior possvel.
Indicador de sete-segmentos
A figura 14-22(b) mostra um indicador
de sete-segmentos que contm sete LEDs
retangulares (de A a G). Cada LED chamado
de um segmento porque ele faz parte do dgito
que est sendo exibido. A figura 14-22(c) o
diagrama esquemtico de um indicador de sete-
segmentos; so includos resistores externos em
srie para limitar as correntes a nveis seguros.
Aterrando-se um ou mais resistores,
podemos formar qualquer dgito de 0 a 9. Por
exemplo, aterrando A, B e C, obtemos o 7.
Aterrando A, B, C, D e G produzimos um 3.
Um indicador de sete-segmentos
tambm pode exibir as letras maisculas A, C, E
e F, mais as letras minsculas b e d. Os
instrutores de microprocessadores
freqentemente usam uma exibio de sete-
segmentos para mostrar todos os dgitos de 0 a
9, mais A, b, C, d, E e F.
SUMRIO
1 O thyristor (SCR), um comutador quase
ideal. Uma de suas vrias funes controlar a
energia consumida em vrios tipos de mquinas.
2 O termo thyristor, designa uma famlia de
elementos semicondutores, cujas caractersticas
esto prximas s das antigas vlvulas
thyratron.
3 O nome thyristor uma contrao de
THYRatron e transISTOR.
4 O thyristor bsico denominado SCR
(retificador controlado de silcio).
5 Dos vrios tipos de thyristores, os que se
destacam atualmente so os SCR, triac,
fotothyristor, diac, diodo Shockley, etc.
6 O SCR um diodo semicondutor de silcio,
a quatro camadas alternadas PNPN, com trs
terminais de sada, que so denominados anodo,
ctodo e gatilho.
7 Quando o anodo de um SCR positivo em
relao ao ctodo, duas junes internas ficam
polarizadas diretamente, e uma juno fica
polarizada inversamente. Neste caso, o diodo
poder conduzir, desde que o potencial de
anodo seja suficiente para romper a juno com
polarizao inversa.
8 O SCR poder conduzir facilmente se
estiver polarizado diretamente e se um potencial
positivo for aplicado ao gatilho.
9 Um SCR poder disparar (conduzir) quando
um sinal de comando aplicado ao terminal
gatilho, mas o seu bloqueio, s poder ocorrer,
diminuindo-se a corrente de anodo a um
determinado nvel.
10 A tenso de disparo de um SCR depende
da tenso VG, mas o seu bloqueio no depende
desta tenso.
11 Um SCR pode controlar a energia
dissipada em uma carga, atravs de um sistema
que defasa a tenso VG com relao a tenso de
anodo.
12 O triac um dispositivo semicondutor de
trs terminais, sendo um de comando e dois de
conduo principal.
13 Este dispositivo, pode passar de um estado
bloqueado a um regime de conduo nos dois
sentidos de polarizao.
14 O triac poder conduzir nos dois sentidos,
desde que comandado, mas o seu bloqueio s se
efetuar pela insero da tenso de anodo ou
pela diminuio da corrente, abaixo do valor da
corrente de manuteno.
15 O triac pode ser disparado por uma
corrente negativa ou positiva no gatilho.
16 O diac um dispositivo semicondutor de
dois terminais, que no possui polaridade. A sua
conduo bidirecional.
17 A conduo de um diac por ruptura das
junes que o constituem.
18 Quando conduz, o diac apresenta uma
regio de resistncia negativa.
19 Os diacs so muito usados em sistemas de
disparo para controle de fase de triacs em
controles de energia.
20 Os fotothyristores, so SCR, cujo disparo
efetuado por um foco luminoso.
21 O quadrac um dispositivo semicondutor
cuja estrutura constituda de triacs e diacs.
22 O diodo Shockley aparentemente um
thyristor SCR com apenas dois terminais.
23 O diodo Shockley, tem trs estados: o
primeiro o de no conduo; o segundo o de
disparar quando apresentar um estado de
resistncia negativa e o terceiro quando a sua
conduo normal e igual a um diodo
convencional.
24 O bloqueio de um diodo Shockley atravs
da reduo de IH.
25 O diodo tnel um pequeno dispositivo
formado por uma juno PN, com alta
concentrao de impurezas.
26 O diodo tnel, altamente dopado, quando
polarizado diretamente, apresenta inicialmente
uma regio de resistncia negativa.
27 A regio de resistncia negativa devido a
diminuio da corrente com o aumento da
tenso direta.
28 Devido a esta caracterstica, o diodo tnel
pode ser usado como amplificador ou oscilador.
14-13
 CAPTULO 15

DECIBIS

INTRODUO generalizou-se pela simplificao que ele traz,

passando a ser aplicado em antenas,
muito comum ouvirmos, em amplificadores, linhas de transmisso, etc.
eletrnica, frases como: O atenuador reduz de Vejamos alguns exemplos de aplicao
5 dB; Resposta plana de frequncia dentro de do dB:
3 dB; Amplificador com ganho de 10 dB; a) Um amplificador requer 2 W de
Antena com ganho de 9 dB, etc. Mas quantos potncia para excit-lo na entrada.
so os que realmente tm uma exata noo do Sabendo-se que a potncia de sada do
valor destes nmeros? Pouqussimos so os que amplificador de 8 W, qual ser o ganho do
esto familiarizados com o termo dB amplificador em dB?
(abreviatura de decibel). Soluo:
O decibel, que a dcima parte do Bel,
a unidade usada para se fazer a comparao P0 = 2 W P1 = 8 W G(dB) = ?
entre quantidades de energia, seja na forma de
potncia ou de som. Para ns, quando nos P1
referirmos a decibel, entenderemos como sendo G(dB) = 10 log
P0
dez vezes o logaritmo decimal da relao entre
8
dois nveis de potncia expressos em Watt. G(dB) = 10 log = 10 log 4
2
N dB = 10 x log (P2 : P1 )
G(dB) = 10 (0,602) = 6,02
Antes de prosseguirmos neste assunto,
torna-se mister tecermos algumas consideraes b) Um transmissor entrega uma potncia
sobre a forma com que o ouvido humano de 500 W, mas na antena chegam apenas 455
responde (reage) aos diferentes estmulos W. Qual o ganho de potncia em dB?
sonoros. Soluo:
Imaginemos um aparelho fornecendo-
nos uma potncia de 10 Watts e observemos a P0 = 500 W P1 = 455 W G(dB) = ?
sensao auditiva. Aumentemos a potncia
sonora, at o nosso ouvido sentir o dobro do 455
G(dB) = 10 log
nvel sonoro anterior. Se neste exato momento 500
medirmos a potncia, verificaremos que se trata
de 100 W e no 20 W, como era de se supor. G(dB) = 10 log 0,91
Se aumentarmos ainda mais a potncia
at que dobre novamente, mediremos 1000 W, G(dB) = -10(0,041) = -0,41
e, assim, sucessivamente.
Isso mostra que o ouvido humano reage Faamos algumas consideraes sobre
ao som, no de maneira linear, mas muito os dois resultados obtidos nos exerccios
aproximadamente, de acordo com uma curva anteriores.
logartmica, razo pela qual os engenheiros, ao O primeiro resultado significa que a
estabelecerem uma frmula para a comparao potncia de sada do amplificador est 6,02 dB
de duas intensidades sonoras, tiveram que fazer acima do nvel de potncia de entrada.
com que ela obedecesse mesma curva No segundo resultado, observamos o
matemtica que os logaritmos. aparecimento do sinal - (menos). Este sinal
indica que no se trata de ganho de potncia,
Aplicaes mas sim uma atenuao (perda de potncia) e o
resultado em si, significa que a potncia que
Inicialmente a aplicao do decibel chega antena est 0,41 dB abaixo do nvel de
restringia-se somente ao udio. Mais tarde potncia entregue pelo transmissor.

15-1
RELAES DE TENSO E CORRENTE
A partir da definio de ganho em
potncia e do conhecimento de que: P = E x I =
= I2 x R = E2 : R, podemos deduzir o ganho de
tenso e ganho de corrente, sobre impedncias
iguais.
G(dB) = 10 log P1 : P0
Supondo R1 = R0 e substituindo os
valores de P0 e de P1 pelos valores
correspondentes em tenso e resistncia,
teremos:
10 log ( E12 x R0 )
G(dB) =
( E02 x R1 )
G(dB) = 10 log ( E12 : E02 ) que pode ser
escrito como:
G(dB) = 20 log (E1 : E0 ). Da mesma
forma podemos deduzir para o ganho de
corrente:
G(dB) = 20 log (I1 : I0 )
NVEIS DE REFERNCIA
O decibel, sendo essencialmente uma
relao, ou mais exatamente, dez vezes o
logaritmo decimal da relao entre duas
potncias, exige que se explicite ou subentenda-
se uma referncia, de acordo com convenes
existentes. Por exemplo, quando se diz que o
ganho de um amplificador de tantos dB, isto
equivale a expressar em dB o sinal de sada,
tomando-se como referncia o sinal de entrada.
Existem tambm alguns nveis de tenso
ou de potncia padronizados, escolhidos como
referncia, e freqentemente os nveis de tenso
ou de potncia so expressos em relao a tais
referncias.
Os nveis mais comuns so 1 miliwatt e
6 miliwatt. O nvel de 0,006 W corresponde a
zero dB, enquanto que o nvel 0,001 W
corresponde ao nvel zero dBm. Em outras
palavras: dBm significa, dB relativo a 1
miliwatt.
Alguns exemplos a seguir elucidaro o
emprego do dB e do dBm no clculo do ganho
ou atenuao de um circuito ou equipamento:
a) Sabendo-se que a potncia de sada de
um amplificador 5 miliwatt, calcular o nvel
de potncia de sada do amplificador, em dB.
15-2
Soluo:
P0 = 1mW
P1 = 5 mW
G (dBm) = ?
G(dBm) = 10 log (5 : 1) = 10 log 5
G(dBm) = 10 x 0,6990
G (dBm) = 6,99 = 7
Ento, o nvel de potncia de sada do
amplificador, est a 7 dB acima do nvel de
referncia de 0,001 W.
b) Sabendo-se que um amplificador tem
uma potncia de sada de 6 Watts, calcular o seu
ganho em dB.
Soluo:
P1 = 6 10-3 W
P0 = 6 W
G (dB) = ?
G (dB) = 10 log (6 : 6 10-3) = 10 log 103
G (dB) = 30 log 10
G (dB) = 30
Este resultado indica que a potncia de
sada do amplificador est a 30 dB acima do
nvel de potncia de referncia de 0,006 W.
MEDIDA DE POTNCIA
O dBm usado para descrever nveis de
potncia em decibis, com referncia a potncia
de 1mW sobre 600 ohms. Um miliwatt
representado como zero dBm, 10 miliwatts
como 10 dBm, e 100 miliwatts como 20 dBm.
As figuras 15-1 e 15-2 so teis na
converso direta de Volts rms em dBm (15-1)
ou mW para dBm (15-2). A diagonal de cada
grfico marca os valores de tenso (15-1) ou a
juno de dBm e miliwatts (15-2)
a) Para converter 10 volts rms em dBm,
localize 10 volts na escala inferior da figura 15-
1, movendo para cima (verticalmente) at
encontrar a linha diagonal. Deste ponto mova
horizontalmente para a esquerda, at encontrar
+22 dBm.
b) Para converter 1000 mW em dBm,
localize 1000 na parte inferior da figura 15-2.
Siga a linha de 1000 mW at encontrar a linha
diagonal. Deste ponto, mova horizontalmente
at +30 dBm na margem esquerda do grfico.
c) Para converter +15 dBm em mW,
localize +15 dBm na margem esquerda do
grfico (figura 15-2), movendo horizontalmente
at encontrar a linha diagonal. Deste ponto,
mova verticalmente para baixo, at encontrar a
linha inferior que corresponde ao ponto 33,3
mW da escala.
d) Para cargas diferentes de 600 ohms,
um fator de correo, baseado na razo de 600
ohms para o atual valor de carga, deve ser
somado ou subtrado dos valores encontrados
para 600 ohms, com o auxlio do grfico
apropriado. A frmula para encontrar o fator de
correo :
F.C. = 10 log (600 : R1), onde R1 a
atual resistncia de carga.
Como exemplo do uso do fator de
correo, consideremos um amplificador com
uma carga de 8 ohms que dissipa 1000 mW
(1W).

Figura 15-1 Converso de volts rms em dBm

Figura 15-2 Converso de mW em dBm

15-3
 A figura 15-2 nos mostra que
corresponde a +30 dBm numa carga de 600
ohms. Para determinarmos o verdadeiro valor
em dBm sobre a resistncia de 8 ohms, devemos
calcular primeiramente o fator de correo.
F.C. = 10 log (600 : 8) = 10 log 75 =
= 10 (1,875) = 18,75
Como a nossa impedncia inferior a
600 ohms, teramos que, do valor encontrado no
grfico, subtrair o fator de correo.
Figura 15-3 Mostrador de um volt ohmmetro eletrnico
SUMRIO
a) Logaritmo de um nmero, real e
positivo N, em uma base a positiva e diferente
da unidade, o expoente real x que se deve
elevar essa base a para obter o nmero N.
b) Somente nmeros positivos tm
logaritmos.
c) A mantissa do logaritmo de um
nmero fornecida em tbuas logartmicas.
d) Todas as vezes que nos defrontarmos
com logaritmos negativos, devemos transform-
15-4
MEDIDORES DE POTNCIA
Um medidor de dB, mede, na realidade,
tenso de CA e inclui-se uma escala de decibis
no mostrador do medidor, de modo que a leitura
possa fazer-se em decibis, em lugar de volts de
CA.
A figura 15-3 ilustra um volt ohmmetro
eletrnico com a escala inferior graduada em
dB.
los em logaritmos preparados a fim de facilitar o
clculo.
e) O decibel muito usado em
eletrnica, para comparao de nveis de tenso
e de potncia, sempre relacionados com um
padro de referncia.
f) Quando medirmos a potncia
dissipada sobre uma impedncia diferente de
600 ohms, devemos calcular o fator de correo,
que deve ser somado ou subtrado dos valores
em dBm, encontrados nos grficos dBm x
volts rms e dBm x mW.
 CAPTULO 16

AMPLIADORES OPERACIONAIS

INTRODUO A alimentao pode ser obtida das

seguintes maneiras:
O nome Ampliador Operacional (A.O.) -Duas fontes iguais, perfeitamente
deve-se ao fato do dispositivo ser empregado sincronizadas;
para realizar operaes matemticas, como -Circuito divisor de tenso, com resistores
multiplicao, integrao, diferenciao e exatamente iguais;
tambm para uma infinidade de funes. -Uma fonte simtrica, com valores tpicos entre
Com esse dispositivo podem ser 10 V e 20 V.
conseguidos amplificadores capazes de operar
com sinais que vo desde corrente contnua at PINAGEM
vrios megahertz.
O ampliador operacional mais difundido
Simbologia o 741 (TBA221B). um circuito integrado
monoltico construdo numa nica base de
Na figura 16-1 mostrado o smbolo do silcio.
ampliador operacional. Caracteriza-se por apresentar um alto
ganho e uma elevada impedncia de entrada.
Esse ampliador operacional encontrado com
diversas denominaes: A 741, LM 741, CA
741, MC 741 e TBA 221B.

Figura 16-1 Smbolo do ampliador operacional

A entrada diferencial amplia a diferena

dos sinais aplicados s entradas.
Figura 16-2 Pinagem do ampliador operacional
CARACTERSTICAS ELTRICAS 741
O ampliador operacional ideal apresenta Pinos:
as seguintes caractersticas:
- Impedncia de entrada infinita. 1 Ajuste de offset.
- Impedncia de sada nula. 2 Entrada inversora.
- Ganho de tenso infinito. 3 Entrada no inversora.
- Atraso nulo. 4 Alimentao (- V).
- Tenso de sada nula de V2 = V1. 5 Ajuste de offset.
- Resposta em frequncia infinita.
6 Sada (Vb).
ALIMENTAO 7 Alimentao (+ V)
8 Sem uso.
Na maioria das aplicaes usa-se uma
fonte simtrica ( V ), porm h casos em que a O ajuste de offset compensa a diferena
fonte simples pode ser usada. entre os dois sinais de entrada.
2

16-1
AMPLIADOR OPERACIONAL COMO O sinal negativo na frmula deve-se ao fato
AMPLIFICADOR do extremo de Z2 estar aplicado no terminal
inversor do ampliador operacional (ponto A).
O ampliador operacional como ampli- Com essa demonstrao chegamos a
ficador mostrado na figura 16-3. algumas concluses importantes:
1) Podemos determinar o ganho em
malha aberta (sem realimentao, ou seja Z1 e
 Vo
Z2): A=
Vi
2) O ganho do ampliador em malha
fechada ser A= - (Z2/Z1) = - VO/Vi
3) A tenso de sada ser negativa ou
no, dependendo da aplicao do
sinal de entrada : VO = -A Vi,
ampliador inversor de ganho A
4) Se Z1 = Z2, o circuito comporta-se
como um simples inversor: VO = -VS
5) Se Z1 < Z2, o circuito amplifica e
Figura 16-3 Ampliador operacional tpico inverte
6) Se Z1 > Z2, o circuito atenua e
O sinal de sada VO proporcional a inverte.
VBA; (VB VA).
Como sabemos o apresenta uma APLICAES DOS AMPLIADORES
impedncia de par entrada infinita, logo a OPERACIONAIS
corrente I passar de Z1 a Z2, de onde podemos
tirar a seguinte relao: Aplicaes lineares
VS Vi VO  Vi So circuitos que exercem funes
ou seja:
Z1 Z2 analgicas. Circuitos analgicos ou lineares so
os que processam ou manipulam sinais cujas
 Z2 VO  Vi amplitudes variam continuamente dentro de um
= (1) certo perodo. Nessa categoria encontram-se os
Z1 VS  Vi
osciladores, os ampliadores, os filtros ativos, os
circuitos somadores e outros.
Como o ampliador operacional apresenta
ganho 00 temos: Ampliador com inverso
VO = A Vi O circuito da figura 16-4 mostra um
ampliador com inverso.
VO
Vi =
A

Portanto se o ganho A tende a 00, a

diferena de sinal Vi tende a zero.
Com isso a expresso (1) pode ser escrita
como:

VO Z2 V
, como A = O temos que: Figura 16-4 Ampliador com inverso
VS Z1 VS
Suponhamos que os componentes do
 Z2 circuito da figura 16-4 assumam os seguintes
A =
Z1 valores: R1 = 20K, R2 = 100K e R3 = 0. Com
isso tem-se que o ganho (A) ser:

16-2
  R2
A= 5
R1

Caso usemos R3, o seu valor ser:

R1 x R2
R3 =
R1  R2

Portanto, se o sinal de entrada aplicado

ao circuito for de 1V, a sada ser de 5V. Esse
circuito ento executa tambm a funo de
multiplicador. Figura 16-6 Ampliador com ganho unitrio

Ampliador sem inverso VO

No circuito, A =
VS
como VO = VS temos A = 1

O ampliador nessa configurao

empregado como isolador ou buffer. O
circuito isolador permite que possamos medir
tenses em circuitos de alta impedncia
utilizando um voltmetro de baixa impedncia.

Circuito somador

Figura 16-5 Ampliador sem inverso Como o nome indica o circuito somador
tem por objetivo fornecer na sada uma tenso
Pelo circuito da figura 16-5 vemos que cujo valor igual a soma das tenses aplicadas
V entrada.
I = S , teremos, nesse circuito que:
R1 Tal circuito mostrado na figura 16-7.
VO = VR2 + VS.
V
Porm, como VR2 = S temos que:
R1
R R
VS x 2  VS VO ? VO VS (1 2 )
R1 R1

VO R1  R2
Por outro lado:
VS R1

R1  R2
Ou seja: A
R1 Figura 16-7 Circuito somador

Ampliador com ganho unitrio Observando o circuito podemos escrever

a equao da tenso de sada:
O ampliador com ganho unitrio VO = - I x R = -( I1 + I2 + I3 ) x R
apresenta uma elevada impedncia de entrada Ou ainda:
(cerca de 400 M), devido a alta realimentao V1 V2 V3
e baixa impedncia de sada (inferior a 1). VO = - (   )xR
R1 R2 R3
O ampliador com ganho unitrio
mostrado na figura 16-6. Se considerarmos R1 = R2 = R3 = R teremos:
VO = - (V1 + V2 + V3 )

16-3
Circuito subtrator Aplicaes no lineares

o circuito projetado para fornecer na Circuitos no lineares so aqueles que ao

sada um valor de tenso igual a diferena entre contrrio dos analgicos, sempre nos
as tenses de entrada. fornecerem sadas totalmente diferentes da
Para que o circuito funcione como forma de onda de entrada.
subtrator necessrio que a seguinte relao
seja obedecida: Circuitos comparadores So circuitos cuja
funo principal comparar o sinal de entrada
R2 R4 V1 com um sinal de referncia VR.
R1 R3 A figura 16-9 mostra um circuito
comparador.
O circuito subtrator mostrado na figura
16-8

Figura 16-9 Circuito comparador

Comparador com tenso de referncia nula

Um circuito comparador com tenso de
referncia nula mostrado na figura 16-10.
Figura 16-8 Circuito subtrator

Consideremos inicialmente todos os

resistores iguais a R.
VR1 VR2
Temos ento que: I ,
R1 R2
Mas como VR1 = V1 VX e VR2 = VX VO

V1  VX VX  VO
A corrente I ser: I =
R R Figura 16-10 Circuito comparador com tenso
Logo: V1 - VX = VX - VO de referncia nula

e VO = 2 VX V1 No circuito temos que quando a tenso

V2 for positiva em relao tenso V1 de
V2 V referncia, a sada VO ser negativa.
Se Vy = e VO 2 ( 2 )  V1
2 2 E quando V2 for negativa em relao
Finalmente tem-se que: VO = V2 - V1 mesma tenso Vi , teremos uma VO positiva.

16-4
 CAPTULO 17
TCNICAS DIGITAIS
SISTEMAS DE NUMERAO
Os sistemas de numerao foram
desenvolvidos na histria da humanidade
atendendo s crescentes necessidades.
Inicialmente o homem, por convenincia
utilizou-se dos dedos como forma de contagem,
criando o sistema decimal.
Com o advento do computador, outros
sistemas vieram a ser criados, visando maior
facilidade de representao interna codificada.
Dentre os mais comuns podemos citar os
sistemas Binrio, Octal e Hexadecimal, que
adequam-se s necessidades ou funes internas
de diversos equipamentos.
O sistema decimal, porm, nunca foi
deixado de lado como forma de representao
numrica, convencionada para ns, humanos.
Sistema decimal de numerao
O sistema decimal um sistema de base
10, no qual existem dez algarismos para
representao de uma quantidade: 0, 1, 2, 3, 4,
5, ........., 9.
O menor algarismo de uma determinada
base zero (0) e o maior igual a base menos 1
(10 1 = 9).
No exemplo 1 a seguir temos um nmero
na base 10.
(583)10
Podemos decompor este nmero em
potncia de dez, j que sua base 10 e fazendo
isso teremos:
(5 x 100) + (8 x 10) + (3 x 1) = 583
Neste exemplo podemos notar que o
algarismo menos significativo (no caso o trs)
multiplica-se a unidade (1 ou 100), o segundo
algarismo (o oito) multiplica-se a dezena (10 ou
101) e o mais significativo (no caso o cinco)
multiplica-se a centena (100 ou 102). A soma
desses resultados ir representar o nmero.
Exemplo 2:
(1592)10
Decompondo o mesmo teremos:
17-1
1 x 103 + 5 x 102 + 9 x 101 + 2 x 100 = 1592
1000 + 500 + 90 + 2 = 1592
Exemplo 3:
(583,142)10
Notamos que no exemplo 3 temos um
nmero com uma parte fracionria. Vejamos
ento sua decomposio em potncia de dez:
5 x 102 + 8 x 101 + 3 x 100 + 1 x 10-1 + 4 x 10-2
+ 2 x 10-3 ou
500 + 80 + 3 + 1 / 10 + 4 / 100
+ 2 / 1000 ou ainda
500 + 80 + 3 + 0,1 + 0,04 + 0,002 =
= 583,142
Sistema binrio de numerao
No sistema binrio a base 2 (b = 2) e
existem apenas dois algarismos para representar
uma determinada quantidade: o algarismo 0
(zero) e o algarismo 1 (um).
Para representar a quantidade zero,
utilizamos o algarismo 0, para representar a
quantidade um, utilizamos o algarismo 1.
No sistema decimal, ns no possumos
o algarismo dez e representamos a quantidade
de uma dezena utilizando o algarismo 1 (um)
seguido do algarismo 0 (zero). Nesse caso, o
algarismo 1 (um) significa que temos um grupo
de uma dezena e o algarismo 0 (zero) nenhuma
unidade, o que significa dez.
No sistema binrio agimos da mesma
forma, para representar a quantidade dois,
utilizamos o algarismo 1 (um) seguido do
algarismo 0 (zero). O algarismo 1 (um)
significar que temos um grupo de dois
elementos e o 0 (zero) um grupo de nenhuma
unidade, representando assim o nmero dois.
Exemplo:
Seja o nmero (1011)2 e faamos a sua
decomposio em potncia s que desta vez a
base ser dois:
1 x 23 + 0 x 22 + 1 x 21 + 1 x 20
1000 + 000 + 10 + 1 = (1011)2
Sistema octal de numerao Hex Dec
A 10
No sistema octal a base oito e temos B 11
oito algarismos para representar qualquer C 12
quantidade. Esses algarismos so: 0, 1, 2, 3, ...7. D 13
Para a formao de um nmero,
E 14
utilizam-se esses algarismos e toda vez que
F 15
tivermos uma quantidade igual ao valor da base,
soma-se um (1) ao algarismo de valor posicional
imediatamente superior como fazemos no Exemplo:
sistema decimal. Tomemos o nmero (2C0A)16 e
Notamos tambm que, em qualquer base faamos sua decomposio.
o maior algarismo igual ao valor da base
menos um (1) e o nmero de algarismos 2 x 163 + C x 162 + 0 x 161 + A x 160 ou
sempre igual ao da base.
Exemplo: 2 x 4096 + 12 x 256 + 0 x 16 + 10 x 1 =
Decompondo o nmero (361)8 em
potncia de base oito temos: = 8192 + 3072 + 0 + 10 =

3 x 82 + 6 x 81 + 1 x 80 = (11274)10

3 x 100 + 6 x 10 + 1 x 1 =(361)8 Complemento de um nmero

Podemos escrever que a base elevada a O complemento de um nmero o que

uma determinada potncia igual a um (1 falta a este nmero para atingir o valor da base.
seguido de tantos zeros quantos forem os
valores das potncias, assim temos: Exemplo:
Complemento de (7)10 10 7 = 3
23 = 1000 22 = 100 21 = 10 No sistema binrio para chegar-se ao
complemento, obtem-se primeiramente o falso
103 = 1000 102 = 100 101 = 10
complemento.
83 = 1000 82 = 100 81 = 10
(1011)2
0100 Complemento falso
No sistema decimal, o nmero 100
aparece aps o nmero 99 na ordem crescente. Complemento verdadeiro consiste em
No sistema binrio, o nmero 100 somar-se 1 (um) ao complemento falso.
aparece aps o nmero 11 na ordem crescente.
No sistema octal, o nmero 100 aparece 0100
aps o nmero 77 na ordem crescente. +1
0101
Sistema hexadecimal de numerao
Converso de bases
No sistema hexadecimal de numerao,
a base dezesseis e dispomos de dezesseis Converso para base decimal Para
algarismos para representao de uma convertermos um nmero representado em
determinada quantidade de coisas. Como qualquer sistema numrico, para o sistema
existem apenas dez algarismos numricos decimal usamos a notao posicional e
utilizamos tambm algarismos alfanumricos. resolvemos a expresso como na base decimal.
Portanto temos os seguintes algarismos:
Seja o nmero 1101 no sistema binrio.
0, 1, 2, 3,......9, A, B, C, D, E e F. A notao posicional seria:

17-2
 1 x 23 + 1 x 22 + 0 x 21 + 1 x 20 = Portanto (12 )10 = (1100)2
1x8 + 1x4+0x2+1x1 =
Contagem nas diversas bases
8 + 4 + 0 + 1 = (13)10
Portanto (1101)2 = (13)10 Na tabela de contagem nos sistemas
de base decimal, binria, octal e
Como segundo exemplo o nmero 107 hexadecimal observa-se que um nmero
do sistema octal. A notao posicional seria: expresso num sistema de base menor exige
1 x 82 + 0 x 81 + 7 x 80 = maior quantidade de algarismos do que
1 x 64 + 0 x 8 + 7 x 1 = outro, de base maior, para representar a
mesma quantidade.
64 + 0 + 7 = (71)10
Portanto (107)8 = (71)10 DECI-
BINARIA OCTAL
HEXA-
MAL DEC.
Converso do sistema decimal para outras bases 0 0 0 0
Para converso da base 10 para outras bases, o 1 1 1 1
mtodo consiste em divises sucessivas pela 2 10 = 21 2 2
base desejada, at que o quociente seja nulo. Os 3 11 3 3
restos das divises indicaro o resultado da
4 100 = 22 4 4
converso, sendo o primeiro resto equivalente
ao dgito menos significativo e o ltimo ao mais 5 101 5 5
significativo. 6 110 6 6
7 111 7 7
Exemplo 1 8 1000 = 23 10 = 81
8
Faamos a converso do nmero (934)10 9 1001 11 9
para base hexadecimal. 10 1010 12 A
(10 A) 11 1011 13 B
934 16 12 1100 14 C
1 resto 6 58 16 13 1101 15 D
2 resto 10 3 16 14 1110 16 E
3 resto 3 0
15 1111 17 F
Portanto (934)10 = (3A6 )16 16 10000=24 20 10=161
Exemplo 2 - - - -
Converso do nmero (76)10 para a 31 11111 37 1F
base 8. 32 100000=25 40 20
76 8 - - - -
4 9 8 63 111111 77 3F
1 1 8 64 1000000=26 100=8 2
40
1 0 - - - -
99 1100011 143 63
Portanto (76010 = (114 )8 100 1100100 144 64
Exemplo 3 - - - -
Converso do nmero (12 )10 para a
127 1111111 177 7F
base 2.
128 10000000=27 200 80
- - - -
12 2
255 11111111 377 FF
0 6 2
0 3 2 256 100000000=28 400 100=162
1 1 2 - - - -
3 -
1 0 - - 1000=8

17-3
Cdigos 6 1 0 0 1
7 1 0 1 0
Ao cdigos so formas de 8 1 0 1 1
representao de caracteres alfanumricos. 9 1 1 0 0
So vrios os cdigos existentes
havendo porm vantagens de um ou outro, O cdigo Excesso 3 utilizado em
de acordo com a aplicao ou funes circuitos aritmticos.
internas do equipamento.
Cdigo Johnson Baseia-se no deslocamento
de bits e utilizado na construo do
Cdigo BCD 8421 A sigla BCD repre-
Contador Johnsos.
senta as iniciais de Bynary Coded
Decimal, que significa uma codificao no
DECIMAL JOHNSON
sistema decimal em binrio. Os termos
0 0 0 0 0 0
seguintes (8421) significam os pesos de
1 0 0 0 0 1
cada coluna, isto , 8 = 23, 4 = 22, 2 = 21 e
2 0 0 0 1 1
1 = 20. O valor corresponder soma dos pesos
3 0 0 1 1 1
onde na coluna houver o bit um (1).
4 0 1 1 1 1
5 1 1 1 1 1
DECIMAL BCD 8 4 2 1 6 1 1 1 1 0
0 0 0 0 0 7 1 1 1 0 0
1 0 0 0 1 8 1 1 0 0 0
2 0 0 1 0 9 1 0 0 0 0
3 0 0 1 1
4 0 1 0 0 Cdigo Gray ou sistema de numerao refletido
5 0 1 0 1 Sua principal caracterstica que, em conta-
6 0 1 1 0 gens sucessivas, apenas um bit varia.
7 0 1 1 1 A codificao Gray mostrada na tabela
8 1 0 0 0 a seguir, onde os campos em destaque
9 1 0 0 1 representam um espelho a ser refletido para a
contagem seguinte, acrescentando-se um bit 1
O nmero de bits de um cdigo o (um) imediatamente esquerda.
nmero de dgitos binrios que este possui.
O cdigo BCD 8421 um cdigo de 4 DECIM. BINRIO GRAY
bits. 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1
Cdigo excesso 3 Consiste na transformao
2 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1
do nmero decimal, no binrio correspondente,
3 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0
somando-se a ele trs unidades.
4 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0
5 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1
Exemplo:
6 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1
(0)10 = (0000)2 7 0 0 1 1 1 0 0 1 0 0
Somando-se trs unidades, teremos 0011 8 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0
9 0 1 0 0 1 0 1 1 0 1
DECIMAL EXCESSO 3 10 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1
0 0 0 1 1 11 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0
1 0 1 0 0 12 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0
2 0 1 0 1 13 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1
3 0 1 1 0 14 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1
4 0 1 1 1 15 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0
5 1 0 0 0 16 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0

17-4
 Este tipo de codificao garante que, OPERAES BINRIAS
com a variao de apenas um bit de uma
contagem para outra, reduzam-se as A eletrnica em seus primrdios, tinha
conseqncias negativas geradas pela mudana sus clculos baseados em lgebra convencional,
de estado simultnea de registradores. atravs de sistemas analgicos ou lineares.
Com o advento de mquinas mais
Cdigo ASCII O cdigo ASCII um tipo de sofisticadas, processadores eletrnicos, sistemas
codificao BCD, largamente utilizado em de comunicao e controle digitais, os
computadores digitais e em equipamentos de problemas vieram a ser resolvidos baseados em
comunicao de dados. A sigla ASCII lgebra especial, no linear, mas binria, isto ,
formada pelas iniciais de American Standard baseada em dois valores. a lgebra Booleana.
Code for Information Interchange (Cdigo
Padro Americano para Intercmbio de Aritmtica binria
Informaes).
Consiste de um cdigo binrio de sete As regras utilizadas em operaes
bits para transferir informaes entre binrias no sistema decimal, so tambm
computadores e seus perifricos e em seguidas nas mesmas operaes em outros
comunicao de dados a distncia. sistema de numerao. Neste capitulo
Com um total de sete bits, podemos trataremos de algumas tcnicas que tornam mais
representar 27 = 128 estados diferentes ou simples a efetuao destas operaes.
caracteres, que so usados para representar os
nmeros decimais de 0 a 9, letras do alfabeto e Adio no sistema binrio Para efetuarmos a
alguns caracteres especiais de controle. adio no sistema binrio, devemos agir como
formado por dois grupos de bits, uma adio no sistema decimal, lembrando que
sendo um de 4 bits e outro de 3 bits. no sistema binrio temos apenas dois
algarismos.
Grupo de 4 bits
1 0 0 1 a
7 6 5 4 3 2 1 +
1 0 1 0 b
Grupo de 3 bits 1 0 0 1 1 soma
vai um
Formato do carter no Cdigo ASCII 1 0 0 0 transporte ou
ASCII carreamento
CARACTER
7 6 5 4 3 2 1
0 0 1 1 0 0 0 0 A tabela mostra a operao soma e o
1 0 1 1 0 0 0 1 transporte em separado. O smbolo + o
2 0 1 1 0 0 1 0 operador soma.
Como 1 + 1 = 10 no sistema binrio, o
-
resultado 0 (zero) e o transporte para a coluna
9 0 1 1 1 0 0 1
imediatamente esquerda 1 (um). Esse
-
transporte idntico ao do sistema decimal, pois
A 1 0 0 0 0 0 1
quando tivermos uma soma igual ou maior que
B 1 0 0 0 0 1 0 a base, haver um vai um que ser somado ao
- dgito de valor posicional imediatamente
Z 1 0 1 1 0 1 0 superior.
- Exemplo 1:
a 1 1 0 0 0 0 1 1 vai um
b 1 1 0 0 0 1 0 a + b 1 1 a
- (11)2 + (10)2 = (101)2 +
z 1 1 1 1 0 1 0 3 + 2 = 5 1 1 b
1 0 1 soma
Exemplos de representaes no cdigo ASCII

17-5
 Exemplo 2: Neste exemplo, seguindo-se as regras
anteriores, observa-se que houve um
1 1 vai um emprstimo que ficou devedor. Nesta situao
a + b 1 1 0 a efetua-se a operao complemento , que
(110)2 + (111)2 = (1101)2 + consiste em inverter-se os bits 0 por 1 e
6 + 7 = 13 1 1 1 b vice-versa, somando-se 1 em seguida.
1 1 0 1soma
1 1 1 0 1 resultado parcial

Exemplo 3 0 0 0 1 0 resultado invertido

1 1 + 1 (complemento)
a + b 1 1 0 0 1 a 0 0 0 1 1
11001 + 1011 = 100100 + 0 0 0 1 1 resultado final
25 + 11 = 36 1 0 1 1 b
soma 1 0 0 1 0 0 Multiplicao no sistema binrio- Procede-se
como em multiplicaes no sistema decimal,
tendo-se como regra bsica:
Subtrao no sistema binrio- O mtodo de
resoluo anlogo a uma subtrao no sistema 0 x 0 = 0
decimal: 0 x 1 = 0
0 0 0 1 emprstimo 1 x 0 = 0
1 x 1 = 1
0 1 1 0 a
- 0 1 0 1 b Exemplo 1
0 0 0 1 diferena
a x b 1 0 0 0 a
1000 x 1 = 1000 x 1 b
Exemplo 1 8 x 1 = 8 1 0 0 0 produto

a - b 1 1 1 a Exemplo 2
111 - 100 = 011 -1 0 0 b 1 0 1 0 1 a
7 - 4 = 3 0 1 1 diferena a x b x 1 0 b
10101 x 10 = 101010 0 0 0 0 0
Exemplo 2 21 x 2 = 42 1 0 1 0 1 ____
produto 1 0 1 0 1 0
1 emprstimo
a - b 1 0 0 0 a Diviso no sistema binrio- Procede-se como
1000 - 111 = 1 1 1 1 b em divises no sistema decimal.
8 - 7 = 1 0 0 0 1 diferena
Exemplo:
Nos exemplos acima foram utilizados
nmeros tais que a > b. Consideremos agora a : b
um caso com a < b. 111100 : 1100 = 101
60 : 12 = 5
a - b
10110 - 11001 = -00011 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0
22 - 25 = -3 - 1 1 0 1 1 0 1
0 0 1 1 0
1 0 1 1 0 a - 0 0 0 0
-1 -1 -1 emprstimo 0 1 1 0 0
1 1 0 0 1 b - 1 1 0 0
1 1 1 0 1 resultado parcial 0 0 0 0 resto

17-6
LGEBRA DE BOOLE
Conclumos que a lmpada s acender
Em meados do sculo passado G. Boole quando a Ch 1 e a Ch 2 estiverem fechada,
desenvolveu um sistema matemtico de anlise correspondendo a equao A . B = S
lgica. Esse sistema conhecido como lgebra
de Boole. Tabela Verdade da funo E ou AND um
A lgebra booleana baseada em apenas mapa onde colocamos todas as situaes
dois estados. Estes estados poderiam, por possveis, com os respectivos resultados.
exemplo, ser representados por tenso alta e
tenso baixa ou tenso positiva e tenso A B S=A.B
negativa. 0 0 0
Assim como na lgebra linear, 0 1 0
encontramos vrios tipos de funes, como 1 0 0
veremos a seguir. 1 1 1
Simplificao de funes

Funo E ou AND aquela cujo

resultado equivale multiplicao de duas ou
mais variveis.
S = A . B (onde se l A e B)

Para melhor entendimento veja a figura

17-1.

Figura 17-2 Simbologia da funo E ou AND

O nmero de situaes possveis

constante na tabela verdade igual a 2N, onde N
o nmero de variveis de entrada.
Uma porta E com duas entradas tem
2 = 22 = 4 situaes possveis.
N

Figura 17-1 Circuito da funo E ou AND Podemos encontrar portas lgicas com
trs ou mais entradas como mostrado na figura
Convenes: 17-3.
Chave aberta = 0
Chave fechada = 1
Lmpada apagada = 0
Lmpada acesa = 1

Situaes possveis:
Ch 1 aberta e Ch 2 aberta =lmpada apagada
0 * 0 = 0
Ch 1 aberta e Ch 2 fechada =lmpada apagada
0 * 1 = 0
Ch 1 fechada e Ch 2 aberta =lmpada apagada
1 * 0 = 0
Ch 1 fechada e Ch 2 fechada=lmpada acesa Figura 17-3 Portas E ou AND de trs e de cinco
1 * 1 = 1 entradas.

17-7
Funo OU ou OR aquela que assume o Tabela Verdade da funo OU ou OR
valor um (1) na sada, quando uma ou mais
variveis na entrada forem iguais a um (1), e A B S=A+B
assume o valor zero (0) se, e somente se, todas 0 0 0
as entradas forem iguais a zero (0). 0 1 1
S = A + B (S igual a A ou B) 1 0 1
1 1 1
Para melhor compreenso veja a figura
17-4
Portas OR tambm podem ser
encontradas com 3 ou mais entradas.

Figura 17-4 Circuito da funo OU ou OR

Convenes:
Chave aberta = 0
Chave fechada = 1 Figura 17-6 Exemplos de portas OR
Lmpada apagada = 0
Lmpada acesa = 1 Funo NOT ou NO A funo NO,
complemento ou inverso, aquela que inverte
Situaes possveis: o estado da varivel, isto , 0 inverte para1
e 1 inverte para 0. Veja a figura 17-7.
Ch 1 aberta e Ch 2 aberta =lmpada apagada
0 + 0 = 0
Ch 1 aberta e Ch 2 fechada =lmpada acesa
0 + 1 = 1
Ch 1 fechada e Ch 2 aberta =lmpada acesa
1 + 0 = 1
Ch 1 fechada e Ch 2 fechada =lmpada acesa
1 + 1 = 1

Conclumos que a lmpada acender Figura 17-7 Circuito da funo NOT ou NO

quando pelo menos uma das chaves estiver
ligada, correspondendo equao A + B = S. Convenes:
Chave aberta = 0
Chave fechada = 1
Lmpada apagada = 0
Lmpada acesa = 1

Situaes possveis:
Chave 1 aberta = lmpada acesa
0 = 1
Chave 1 fechada = Lmpada apagada
Figura 17-5 Simbologia da funo OU ou OR 1 = 0

17-8
 Funes XOR ou XNOR As portas NAND e
Tabela verdade da funo NOT ou NO NOR so ditas portas universais, porque vrios
circuitos podem ser derivados, utilizando apenas
A A estes tipos de portas.
0 1 Podemos criar diversas funes combi-
1 0 nando os vrios tipos de portas lgicas, dentre
elas as denominadas XOR e XNOR.
Onde A representa o inverso de A
Tabela Verdade e simbologia
Funo NO E ou NAND uma combinao a) XOR ou OU EXCLUSIVO Nesta
das funes E e NO, que representada funo teremos 1 na sada, quando as entradas
da seguinte forma: forem desiguais.

S = A * B ( S igual a A e B barrados, ou A e B A B S=A+B

not).
0 0 0
0 1 1
1 0 1
1 1 0

Figura 17-8 Simbologia NAND

Tabela Verdade da funo NAND

A B A*B (S) Figura 17-10 Simbologia XOR

0 0 1
0 1 1 b) XNOR ou NOR EXCLUSIVO-
1 0 1 Nesta funo teremos 1 na sada, quando as
1 1 0 entradas forem iguais.
A B S=A+B
Funo NO OU ou NOR a combinao
0 0 1
das funes OU e NO, que representada da
0 1 0
seguinte forma:
1 0 0
S = A + B (S igual a A ou B barrado, ou A ou 1 1 1
B not).

Tabela Verdade NO OU ou NOR

A B S=A+B
0 0 1 Figura 17-11 Simbologia XNOR
0 1 0
1 0 0 As portas XOR e XNOR so
1 1 0 denominadas portas COMPARADORAS.
A porta XOR denominada compara-
dora de desigualdade e a porta XNOR compara-
dora de igualdade.

Formas cannicas

Figura 17-9 Simbologia NOR As tabelas verdade de circuitos padro

nem sempre conseguem representar todas as

17-9
funes lgicas. H circuitos cujas funes Dentre as caractersticas dos circuitos de
diferem do padro. Estes circuitos podero ser comutao, podemos citar o nvel lgico, o
representados atravs de FORMAS CAN- tempo de propagao, a potncia dissipada, a
NICAS. imunidade rudos e o fan-out.

Forma cannica disjuntivaE a forma cannica Nveis lgicos

mais utilizada. Para cada uma das entradas,
atribui-se o valor 0 ou 1, estabelecendo-se Os nveis lgicos so as tenses
uma expresso representativa da funo f = 1. designadas como estado 1 e estado 0
binrios, para um certo tipo de circuito digital.
ENTRADAS SADA Os valores nominais para os dois nveis
A B C f so bem determinados mas, na prtica, os
0 1 0 1 A*B*C valores obtidos podem variar, devido
0 1 1 1 A*B*C tolerncia dos componentes internos do circuito
1 0 0 1 A*B*C integrado, variaes da fonte de alimentao,
1 1 0 1 A*B*C temperatura e outros fatores. Geralmente os
fabricantes fornecem os valores mximos e
mnimos admitidos para cada um dos nveis
f=ABC+ABC+ABC+ABC Forma Cannica lgicos.
muito importante conhecer os nveis
Circuitos geradores de produtos cannicos- So lgicos de um determinado tipo de integrado
circuitos que geram as formas cannicas pois, deste modo, ao trabalhar com
bsicas, onde so estabelecidas e combinadas as equipamentos digitais, ser fcil identificar os
entradas para todas as variaes. estados lgicos das entradas e sadas.
Se quisermos gerar os produtos
cannicos possveis com n variveis,
Tempo de propagao
necessitaremos de 2n portas de n entradas.
O tempo de propagao (Propagation
Delay) a medida do tempo de operao de um
circuito lgico. A velocidade de operao uma
das caractersticas mais importantes e, para a
maior parte das aplicaes digitais, uma alta
velocidade de operao, ou seja, um baixo
tempo de propagao benfico.
O tempo de propagao exprime o
espao de tempo necessrio para que a sada de
um circuito digital responda a uma mudana de
nvel de entrada; composto pelo acmulo de
tempos de transio e retardo associados a
qualquer circuito lgico.
Quando a tenso de entrada de um
circuito digital muda de 0 para 1, ou vice-
versa, a sada deste circuito responder aps
Figura 17-12 Exemplos com duas variveis certo perodo de tempo finito.
A figura 17-13 d um exemplo de tempo
de propagao; temos a representada a entrada
CIRCUITOS DE COMUTAO de um circuito digital e, logo abaixo, a sada
correspondente.
Os circuitos lgicos de um equipamento Veja que a transio de 0 para 1 na
precisam ser compatveis s necessidades do entrada ocasiona uma transio de 1 para 0
projeto. Na execuo de funes lgicas, as na sada e que a transio de sada ocorre um
entradas e sadas so variveis, requisitando certo tempo aps a transio de entrada. Isto
padres de comutao. que chamamos de tempo de propagao.

17-10
 Figura 17-13 Tempo de propagao
O tempo de propagao (tp) medido
geralmente entre os pontos de 50% de
amplitude, da transio inicial da entrada para a
transio inicial da sada ou da transio final da
entrada para a transio final da sada.
Observe ainda que existem dois tipos de
tempo de propagao: um deles ocorre quando a
entrada passa do nvel baixo para o nvel alto
(tpBA), e o outro quando a entrada passa de alto
para baixo (tpAB). Os dois tipos de tempos de
propagao so geralmente diferentes, devido s
caractersticas dos circuitos lgicos.
Os tempos de subida e descida dos
pulsos de entrada e sada tambm so
importantes. Define-se tempo de subida (ts),
como o perodo de tempo tomado pelo pulso
para subir de 10% a 90% de sua amplitude
mxima. O tempo de descida (td), o necessrio
para o pulso descer de 90% a 10% dessa mesma
amplitude.
Para a maioria dos circuitos integrados
digitais, os tempos de subida e descida so
bastante reduzidos. Podem ser conseguidos
tempos de transio de 1 nanosegundo. Alguns
tipos de circuitos digitais modernos apresentam
tempos de propagao que chegam a apenas
algumas dezenas de nanosegundos. Os tempos
de transio so normalmente menores que os
tempos de propagao.
Os tempos de propagao podem variar
consideravelmente devido a tolerncias de
fabricao, fiao, etc. e so cumulativos.
Quando portas e outros circuitos lgicos
combinacionais so ligados uns aos outros, os
tempos de propagao se somam.
Se existe mais de um nvel de lgica, isto
, mais de uma estrutura, o tempo de
propagao total, de entrada e sada, a soma
dos tempos de propagao de cada um dos
nveis.
Potncia dissipada
a potncia consumida por um circuito
lgico operando em um ciclo de carga de 50%,
isto , tempos iguais nos estados 0 e 1.
A potncia total dissipada por um
circuito uma considerao importante no
projeto de um equipamento digital, pois uma
elevada dissipao em potncia, significa um
grande consumo de energia eltrica.
Alm disso, a potncia total dissipada ir
determinar o tamanho e o custo da fonte de
alimentao.
O calor liberado pelos circuitos, tambm
relacionado potncia dissipada pelos mesmos,
s vezes torna necessrio o seu resfriamento ou
o uso de aparelhos de ar condicionado, para
garantir o bom funcionamento do equipamento.
A potncia dissipada por uma porta pode
variar da ordem de alguns microwatts at 100
miliwatts.
Compromisso velocidade-potncia
As duas caractersticas descritas,
velocidade potncia dissipada, so diretamente
interdependentes em todos os tipos de circuitos
lgicos digitais. A relao entre elas tal que a
velocidade se apresenta proporcional potncia
dissipada, ou seja, tanto mais rpida a
comutao de um circuito lgico, maior ser a
potncia dissipada.
Os circuitos lgicos de alta velocidade
empregam transistores bipolares no saturados
que, associados a resistncias internas de baixos
17-11
valores, produzem um alto consumo de
potncia.
Os circuitos integrados do tipo MOS
(Metal-Oxide-Semiconductor), consomem um
mnimo de potncia devido as altas impedncias
inerentes a esses componentes. No entanto,
refletem em velocidades de comutao muito
baixas, limitando sua operao a freqncias
baixas. Pelo seu consumo bastante reduzido,
adequam-se perfeitamente aos equipamentos
portteis operados a bateria, onde a alta
velocidade no for necessria.
Imunidade a rudos
A imunidade a rudos uma medida da
caracterstica de baixa ou no interferncia de
sinais externos indesejveis. Considera-se rudo
qualquer sinal estranho, gerado externamente ou
pelo prprio equipamento, e que acrescentado
ou superposto aos sinais padro do sistema.
Esse rudo pode ser um nvel de tenso
variando lentamente, picos de tenso, ou sinais
de alta frequncia e pequena durao. O rudo
pode provocar uma comutao no circuito
lgico, para um estado indesejvel num
momento imprprio.
A imunidade da maioria dos circuitos
lgicos de aproximadamente 10% a 50% do
valor da tenso de alimentao. Isto significa
que um pico ser rejeitado, caso sua amplitude
seja inferior a 10% ou 50% da tenso de
alimentao.
A imunidade a rudos uma
considerao de grande importncia, porque a
maioria dos sistemas digitais gera uma
quantidade considervel de rudo em
comutaes de alta velocidade. Alm disso,
muitos equipamentos digitais so utilizados em
ambientes industriais de rudo intenso, onde
transientes provenientes das linhas de fora e de
outros equipamentos eltricos podem causar
falsas comutaes nos circuitos lgicos.
Fan-out
Fan-out uma caracterstica que
indica o quanto de carga pode ser ligado sada
de um circuito digital. geralmente expresso
em termos de nmero de cargas padro que a
sada de uma porta lgica aceita, sem afetar o
nvel lgico nominal, velocidade, temperatura
ou outras caractersticas.
Uma porta lgica pode, por exemplo,
apresentar um Fan-out igual a 10, o que indica
que at dez entradas de portas poderiam ser
ligadas sada deste circuito lgico, sem afetar
a sua operao.
FAMLIAS DE CIRCUITOS LGICOS
Como podem ser notados, os circuitos
lgicos possuem caractersticas que devero ser
observadas durante o projeto, para que o mesmo
utilize os componentes adequados aplicao
do equipamento. De acordo com estas
caractersticas, os circuitos lgicos so
agrupados em famlias.
Entende-se por famlias de circuitos
lgicos, os tipos de estruturas internas que
permitem a confeco dos blocos lgicos em
circuitos integrados.
Dentre as famlias podemos destacar:
- RTL (Resistor-Transistor Logic).
- DTL (Diode-Transistor Logic).
- HTL (High Threshold Logic).
- TTL (Transistor-Transistor Logic).
- ECL (Emitter-Coupled Logic).
- C-MOS (Complementary MOS).
Tecnologia MOS
A famlia MOS (Metal Oxide
Semiconductor) compe-se de circuitos
formados por MOSFETS, que so transistores
de efeito de campo construdos a partir da
tecnologia MOS, apresentando como
caractersticas o baixo consumo e uma alta
capacidade de integrao, isto , a colocao de
uma grande quantidade de componentes lgicos
num mesmo encapsulamento.
Comparao entre famlias
Famlia RTL (Resistor-Transistor Logic)
Utiliza transistores e resistores, sendo
das primeiras famlias utilizadas, formando
portas NOR como principal bloco lgico.
Suas principais caractersticas so:
- Possui boa imunidade a rudos
- Tempo de propagao da ordem de 12 ns
- Potncia dissipada por bloco lgico, da ordem
de 10 mw.
- Alimentao 3V 10%
17-12
Famlia DTL (Diode-Transistor Logic)
Utiliza diodos e transistores, sendo um
desenvolvimento da lgica de diodos,
permitindo a formao de blocos E, OU,
NAND e NOR.
Suas principais caractersticas so:
- Imunidade a rudos da ordem de 0,8V.
- Tempo de propagao da ordem de 30ns.
- Potncia dissipada da ordem de 10 mw por
bloco lgico.
- Alimentao 5V 10%.
Famlia HTL (High Threshold Logic)
Utiliza diodos e transistores como a
DTL, acrescentando um diodo Zener, para
aumento do nvel de entrada, estabelecendo alta
imunidade rudos.
Suas principais caractersticas so:
- Alta imunidade a ruidos.
- Alto tempo de propagao.
- Alta potncia dissipada, da ordem de 60 mw.
Famlia TTL (Transistor-Transistor Logic)
oriunda da famlia DTL, porm
utilizando transistores multiemissores, que
permitem a eliminao dos diodos e resistores
de entrada, trazendo maior velocidade e menor
custo, tornando-a das mais difundidas.
Suas principais caractersticas so:
- Boa imunidade a rudos
- Tempo de propagao da ordem de 10 ns.
- Potncia dissipada da ordem de 20 mw por
bloco lgico.
- Identificao Comercial srie 74 Faixa de
temperatura de 0 a 75 C.
Famlia ECL (Emitter Coupled Logic)
Utiliza nos circuitos, acoplamento pelo
emissor dos transistores, o que os faz operar em
regime de no saturao, permitindo a mais alta
velocidade de comutao dentre as famlias.
Suas principais caractersticas so:
- Boa imunidade a rudos.
- Muito baixo tempo de propagao, da ordem
de 3 ns.
- Potncia dissipada da ordem de 25 mw por
bloco.
- Alimentao -5,2 V 20%.
Famlia C-MOS (Complementary MOS)
uma variao da famlia MOS,
consistindo basicamente de pares de canais
MOS complementares. Esta tcnica tem como
vantagem em relao ao MOS convencional,
uma maior velocidade de comutao, da ordem
de 80 ns, contra 300 ns.
Suas principais caractersticas so:
- Baixa dissipao de potncia, da ordem de
10w.
- Alto ndice de integrao.
- Alta imunidade a rudos
- Ainda elevado tempo de propagao, da ordem
de 60 a 70 ns.
- Larga faixa de alimentao de 3 a 18 V.
Mtodos de fabricao
Existem trs formas bsicas de se
fabricar circuitos integrados. O mtodo mais
difundido o chamado monoltico; os outros
so o de pelcula fina, o de pelcula espessa e o
hbrido.
Mtodo Monoltico O circuito integrado
monoltico construdo inteiramente de um
nico pedao de silcio semicondutor, chamado
pastilha ou chip. Materiais semicondutores
so difundidos sobre esta base, dando origem a
diodos, transistores e resistores. Como
resultado, o circuito inteiro, com todos os
componentes e interligaes, forma-se sobre
uma base nica, dando origem ao termo
monoltico.
Os circuitos integrados monolticos
digitais se subdividem em dois tipos bsicos: os
Bipolares e os do tipo MOS, diferindo
fundamentalmente no tipo de transistor
utilizado.
Os circuitos MOS, so mais fceis de
obter e ocupam menos espao, desta forma
possvel incluir muito mais circuitos num chip
apresentando uma maior densidade de
componentes e custo menor.
Mtodo de pelcula fina ou espessa Neste
mtodo, os circuitos so obtidos depositando-se
os materiais sobre uma base no condutora,
como a cermica, formando resistores,
capacitores e indutores. Normalmente os
17-13
dispositivos semicondutores no so obtidos por seu grande poder de dissipao de calor, e por
este processo. esta razo encontra maior aplicao nos
Mtodo Hbrido O circuito integrado hbrido circuitos lineares.
formado pela combinao de circuitos
monolticos e circuitos de pelcula. Os hbridos
oferecem uma grande variedade de combinaes
entre circuitos integrados e componentes,
resultando em vrias funes que no poderiam
ser obtidas com circuitos integrados especficos. Figura 17-14 Encapsulamento tipo caneca(TO5)

Classificao dos circuitos integrados digitais
Os circuitos integrados digitais podem
ser classificados basicamente em trs grupos:
SSI Small Scale Integration (Integrao em
Pequena Escala);
MSI Mdium Scale Integration (Integrao
em Mdia Escala);
LSI Large Scale Integration (Integrao em
Grande Escala).
Os circuitos SSI representam a forma
mais bsica e simples dos circuitos integrados:
so amplificadores ou portas, que realizam uma
funo elementar, devendo ser interligados
externamente, caso queiramos formar circuitos
funcionais completos..
Os circuitos MSI so mais complexos,
formados por vrias portas interligadas,
compondo circuitos funcionais completos, a
maioria contendo doze ou mais circuitos,
desempenhando funes como um
decodificador, um contador, um multiplexador.
Os circuitos LSI contm 100 ou mais
portas ou dispositivos equivalentes, formando
grandes circuitos funcionais, equivalentes a
vrios circuitos MSI. Seu maior campo de
aplicao o das memrias e micro processado-
res.
Encapsulamento chato (Flat Pack) Apresenta
o menor tamanho entre todos eles, sendo assim
empregado onde se deseja uma elevada
densidade de componentes na placa. Os
invlucros tm um formato achatado e so
apropriados para soldagem sobre circuitos
impressos, podendo ficar muito prximos um
dos outros.
Encontram aplicaes onde o espao
crtico, como por exemplo, em aviao, sistemas
militares de alta confiabilidade e equipamentos
industriais especiais.
Figura 17-15 Encapsulamento chato (Flat
Pack)
Encapsulamento DIP (Dual In-Line Package)
O DIP ou encapsulamento em linha dupla,
assim chamado porque exibe duas fileiras
paralelas de terminais, tendo sido projetado para
adaptar-se s mquinas de insero automtica
de componentes em placas de circuitos
impressos.

Encapsulamento de integrados

Atualmente h trs tipos de encapsula-

mento para acomodar chips:
TO5 ou caneca.
FLAT PACK ou invlucro chato.
DIP (Dual In-line Pack) ou em linha
dupla.

Encapsulamento TO5 Esta foi a primeira

verso de encapsulamento usada em circuitos
integrados, a partir de um invlucro padro para Figura 17-16 Encapsulamento em linha dupla
transistores. Sua principal vantagem reside em (DIP)

17-14
 Pode ser encontrado desde o MINI-DIP Circuitos Lgicos Universais Dentre todas as
de oito pinos, ao gigante de quarenta pinos. A portas lgicas, as portas NAND e NOR, so as
maioria dos SSI apresenta-se em encapsu- mais utilizadas, pois qualquer tipo de circuito
lamentos de 8, 14 ou 16 pinos, enquanto o MSI lgico pode ser obtido atravs delas.
com 14, 16 ou 24 pinos. Finalmente os LSI so
encontrados mais freqentemente com 24, 28 ou
40 pinos.

CIRCUITOS COMBINACIONAIS

Conceitos

Circuito lgico combinacional, ou

simplesmente circuito combinacional, aquele
cujo estado de sada uma funo exclusiva das
combinaes possveis das variveis de entrada. Figura 17-18 Portas NAND e NOR
Os circuitos lgicos combinacionais que
iremos estudar, so divididos em trs categorias: Circuitos Comparadores As portas XOR e
XNOR so consideradas circuitos comparadores
a Circuitos Lgicos Bsicos e encontram vasta aplicao onde for necessrio
- Porta AND (E). comparar expresses ou tomar uma deciso.
- Porta OR (OU).
- Porta NOT (NO).

b Circuitos Lgicos Universais

- Porta NAND (NO E).
- Porta NOR (NO OU).

C Circuitos Comparadores
- Porta XOR (OU EXCLUSIVO).
- Porta XNOR (NO OU EXCLUSIVO)
Figura 17-19 Portas XOR e XNOR
Circuitos Lgicos Bsicos As portas E, OU e
INVERSORA, so ditas bsicas porque, atravs
Codificadores e decodificadores
delas, todas as funes lgicas podem ser
obtidas.
Um Codificador tem a funo de
tradutor de um cdigo (linguagem) conhecido
ou comum, para um cdigo desconhecido ou
incomum.
Um Decodificador tem a funo de
tradutor de um cdigo (linguagem)
desconhecido ou incomum, para um cdigo
conhecido ou comum.
Da relao dos bits 0 e 1 do sistema
binrio, com os estados lgicos 0 e 1, surgiu a
aplicao de circuitos lgicos em calculadoras,
com operaes realizadas no sistema binrio.
Cabe aqui uma pergunta. Por que no
empregar nas calculadoras eletrnicas circuitos
que realizem operaes diretamente no sistema
decimal?
Figura 17-17 Portas bsicas A resposta simples: os circuitos teriam
que discernir 1 entre 10 nveis diferentes, contra

17-15
1 entre 2, o que os tornaria complicados, caros e
volumosos.
Para facilitar a operao da mquina, a
entrada dos dados a serem calculados e o
resultado das operaes, devem estar na forma
decimal, que o cdigo comum aos humanos.
V-se, ento, a necessidade de
componentes lgicos conversores, dotados de
circuitos codificadores e decodificadores que
realizem as converses decimal-binrio ou
binrio-decimal.
Figura 17-20 Diagrama bloco bsico de uma calculadora
Circuito Codificador
Um codificador consiste de portas
lgicas que convertem um nmero decimal para
outro cdigo de representao.
Figura 17-21 Circuito codificador
Quando todas as chaves estiverem
abertas, teremos nvel 1 (alto) na entrada de
todas as portas NAND, ocasionando todas as
sadas em nvel 0 (baixo), gerando o
binrio0000.
Ao pressionarmos a chave 1, um nvel
baixo na entrada da porta A, ocasionar um
alto em sua sada, indicando o binrio 0001.
Pressionando a chave 2, teremos um
nvel alto da sada da porta B, acendendo o
Led correspondente, indicando o binrio0010.
Estes codificadores e decodificadores,
so na verdade circuitos lgicos combinacionais
cujas sadas dependem dos estados lgicos das
entradas.
Um nmero decimal pode ser codificado
de tal maneira que a operao digital possa ser
desempenhada utilizando-se nmeros binrios.
A converso de um sistema para o outro
realizada por circuitos codificadores. O circuito
que tem a funo inversa denominado
decodificador.
Na figura 17-21 a seguir, temos um
circuito codificando um grupo de chaves que
representam nmeros decimais, para
fornecimento de um cdigo binrio de 4 bits.
Acionando a chave 6, as portas B e C
tero sada alta, ocasionando a indicao binria
0110.
Display de segmentos A apresentao do
resultado anteriormente descrita, no
satisfatria, pois nem todos os humanos
compreendem a representao binria. So
necessrios ento, componentes que nos
proporcionem uma forma simples de
representao.
17-16
 Os displays de sete segmentos so
componentes mais comuns para representao
numrica. Estes displays possibilitam
representarmos nmeros de cimais e alguns
outros smbolos. So compostos por segmentos
Figura 17 24 Representao do quatro (4)
que podem ser ativados individualmente,
permitindo combinaes.
Circuito Decodificador Como o cdigo
interno normalmente utilizado o binrio,
torna-se necessrio um decodificador que
permita a ativao individual dos segmentos.
Este decodificador possui a seguinte tabela
verdade:

BCD 8421 CDIGO DE 7

Figura 17-22 Display de sete segmentos DECIMAL A B C D SEGMENTOS
8 4 2 1 a b c d e f g
Para formao do algarismo zero (0), 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0
necessitamos ativar os segmentos a, b, c, 1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0
d, e e f, desativando o segmento g. 2 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1
3 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1
4 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1
5 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1
6 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1
7 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0
Figura 17 23 Representao do zero (0) 8 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
9 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1
A representao do algarismo quatro (4)
requer a ativao dos segmentos b, c, f e As funes da tabela podero ser obtidas
g. atravs do circuito da figura 17-25.

Figura 17-25 Decodificador para Display de sete segmentos

17-17
Somadores e subtratores
Somador Se quisermos somar dois dgitos
binrios, teremos duas entradas para o circuito
de soma, havendo quatro combinaes para
estas entradas: (0 + 0), (0 + 1), (1 + 0) e (1 + 1).
Na aritmtica binria, 1 mais 1
(1+1) igual a 0 (zero) e um dgito 1
transportado para a coluna da esquerda.
O somador que executa a soma dos
dgitos mais significativos e que possui uma
terceira entrada para o transporte, denominado
Somador Completo (Full Adder), sendo
formado por dois Half Adders (H) e uma
porta OR.
Um somador ser composto de vrios
Full Adder (H), para a coluna menos
significativa.

A + B = S T
0 + 0 = 0 0
0 + 1 = 1 0
1 + 0 = 1 0
1 + 1 = 0 1

De acordo com a tabela verdade, a

funo soma (S) pode ser executada por uma
Figura 17-28 Somador para dois dgitos de trs
porta XOR (OU EXCLUSIVA)), e a funo
bits
transporte (T) por uma porta AND.
Subtrator Na aritmtica binria, 0 menos
1 (0 1) igual a 1 e um dgito 1 tomado
emprestado da coluna da esquerda.

A - B = S E
0 - 0 = 0 0
0 - 1 = 1 1
1 - 0 = 1 0
Figura 17-26 Meio Somador (Half Adder)
1 - 1 = 0 0
Para somar as colunas menos Toma 1
significativas, ser suficiente o circuito acima, emprestado
com duas entradas, que denominado Meio
Somador (Half Adder), porm ao somarmos as Analogamente ao somador, para
demais colunas teremos que considerar uma subtrairmos dgitos na coluna menos
terceira entrada, o transporte da coluna anterior. significativa, fazemos uso de um Meio Subtrator
(Half Subtractor) e, para as demais colunas,
utilizamos o Subtrator Completo (Full
Subtractor).

Figura 17-29 Meio Subtrator (Half Subtractor)

Um subtrator ser composto de vrios

Full Subtractors (FS), para as colunas mais
significativas e um Half Subtractor (HS), para
Figura 17-27 Somador Completo (Full Adder) a coluna menos significativa.

17-18

Figura 17-30 Subtrator Completo
Subtractor)
Figura 17-31 Subtrator para dois dgitos de trs
Bits
Multiplexadores e Demultiplexadores
Os Multiplexadores so componentes
que permitem selecionar um dado, dentre
diversas fontes, como uma chave seletora de
vrias posies.
Figura 17-32 Multiplexador
Figura 17-33 Circuito equivalente
Atravs do circuito equivalente
verificamos que a sada poder estar ligada a
qualquer das entradas, bastando posicionar a
chave. No multiplexador, a seleo feita de
acordo como valor digital das entradas de
seleo (S0), (S1) e (S2), com pesos binrios 1,
2 e 4, respectivamente. As entradas de A a
H, correspondero a valores decimais de 0 a
7. Na sada, teremos o nvel da entrada, cujo
valor decimal corresponde ao valor binrio das
entradas seletoras.
(Full Os Demultiplexadores so componentes
que distribuem o nvel de uma nica entrada,
para uma, dentre as vrias sadas, de acordo
com o valor binrio das entradas seletoras.
Figura 17-34 Demultiplexador
Figura 17-35 Circuito equivalente
CIRCUITOS SEQUENCIAIS
Os circuitos combinacionais vistos
anteriormente apresentam as sadas dependentes
de variveis de entrada.
Os circuitos seqenciais tm as sadas
dependentes de variveis de entrada e de seus
estados anteriores que foram armazenados.
Circuitos seqenciais so normalmente
sistemas pulsados, isto , operam sob o
comando de pulsos denominados Clock.
Dentre os componentes utilizados em
circuitos seqenciais, o Flip-Flop um
dispositivo fundamental, que permite, por suas
caractersticas, o armazenamento de estados
lgicos anteriores.
17-19
Flip-Flop

Flip-Flop um dispositivo que possui

dois estados estveis. Um pulso em suas
entradas poder ser armazenado, e transformado
em nvel lgico estvel.
H vrios tipos de Flip-Flop, que podem
ser representados basicamente conforme a
figura 17-36. Figura 17-38 Flip-Flop RS comandado por
CLOCK

Flip-Flop JK Os Flip-Flop RS possuem um

estado no permitido, quando as entradas R e
S so iguais a 1 acarretando uma sada
Figura 17-36 Flip-Flop indeterminada. O Flip-Flop JK resolve este
problema, utilizando um RS realimentado.
Um pulso na entrada S, ser
armazenado, tornando Q verdadeiro e Q
falso. Um pulso na entrada R , ser
armazenado, tornando Q falso e Q
verdadeiro.

Flip-Flop tipo RS (Latch)

Figura 17-39 Flip-Flop JK
S R S1 R1 Q, Q
A 1 0 0 1 1 0 De acordo com o circuito, o FF JK, com
as entradas J e K no estado 1, ter seu estado
B 0 0 1 1 1 0
complementado a cada clock, isto , se estiver
C 0 1 1 0 0 1
setado (sada Q = 1), complementar (Q - >0
D 0 0 1 1 0 1
e Q - > 1), se estiver ressetado (sada Q = 0),
E 1 1 ilegal complementar (Q - > 1 e Q - > 0).

Flip-Flop JK Mestre-Escravo No FF JK, no

momento em que o Clock for igual a 1, o
circuito funcionar como um combinacional,
passando o estado das entradas J e K
diretamente para a sada.
Para evitar este inconveniente, criou-se o
Flip-Flop JK Mestre-Escravo (Master-Slave),
que consiste basicamente de dois FF JK,
permitindo a comutao do FF, apenas na
Figura 17-37 Flip-Flop tipo RS transio positiva ou negativa do Clock.
Flip-Flop RS comandado por Clock
Substituem-se os inversores na entrada do RS
bsico, por portas NAND.

S R CLK S1 R1 Q Q
A 1 0 0 1 1 0 0
B 1 0 1 0 1 1 0
C 0 0 0 1 1 1 0
D 1 1 1 ilegal Figura 17-40 Flip-Flop JK Mestre-Escravo

17-20
Flip-Flop tipo T Consiste de um FF JK com
as entradas J e K interligadas. Sua caracterstica
de complementar-se toda vez que a entrada
estiver igual a 1, mantendo-se no ltimo
estado quando a entrada for igual a 0.

Figura 17-42 Flip-Flop tipo D

Contadores

So circuitos digitais compostos de Flip-

Figura 17-41 Flip-Flop tipo T
Flip-Flop tipo D Consiste de um FF JK com
as entradas interligadas atravs de um inversor,
permitindo que seja setado (colocado no
estado 1) quando, no momento do Clock a
entrada estiver igual a 1, e que seja
ressetado (colocado no estado 0), quando,
no momento do Clock a entrada estiver igual a
0.
Flops, que variam seus estados, sob comando de
um Clock, de acordo com uma sequncia pr-
determinada.
O que determinar a capacidade de um
contador, ser o nmero de Flip-Flop utilizados.
Contador de pulsos Consiste de um grupo de
FF Master-Slave de comutao na transio
negativa do Clock, configurados em srie, de tal
modo que a sada de cada estgio ter a metade
da frequncia do estgio anterior.

Figura 17-43 Contador de pulsos

Contadores decrescentes sadas Q dos FFs. A tabela verdade de um

O circuito que efetua a contagem contador crescente corresponder ao
crescente o mesmo para contagem complemento da tabela de um contador
decrescente, com a diferena de utilizar as decrescente.

Figura 17-44 Contador decrescente

17-21
Registradores (Shift Registers)
O flip-Flop tem a caracterstica de
armazenar o valor de um bit, mesmo que sua
entrada no esteja mais presente. Se
necessitarmos guardar informaes com uma
quantidade de bits maior que um (1), o Flip-
Flop ser insuficiente. Para isso utilizamo-nos
Figura 17-45 Registrador de Deslocamento (Shift Register)
Este tipo de registrador bastante
utilizado nas converses de sistemas seriais para
sistemas paralelos, onde a entrada recebe os
sinais serialmente, recebendo ao final a
informao completa paralela.
MEMRIAS
Memrias so dispositivos que
armazenam informaes. Essas informaes
podero ser nmeros, letras, ou caracteres
quaisquer
Tipos de memrias
Podemos classifica-las quanto a:
a) Acesso.
b) Volatilidade.
c) Possibilidade de regravao.
d) Reteno.
Acesso As memrias armazenam as
informaes em reas internas chamadas
endereos.
Dependendo da codificao utilizada,
cada endereo conter um conjunto de bits, ao
qual chamamos palavra.Cada endereo
conter uma palavra de memria.
Podemos acessar palavras de memria
de duas maneiras:
-Acesso Seqencial.
-Acesso Aleatrio.
de um componente denominado Registrador de
Deslocamento (Shift Register), que compe-se
de um certo nmero de Flip-Flops, de forma que
as sadas de um alimentem as entradas do FF
seguinte. Cada estgio do registrador
armazenar o sinal de entrada no momento do
Clock. Sero necessrios tantos Clocks,
quantos forem os bits a serem armazenados.
No acesso Seqencial, o endereamento
ser feito em sequncia, isto , para uma dada
posio de memria todos os endereos
precisam ser acessados desde o primeiro
endereo. Em virtude disto, o tempo de acesso
depender do lugar onde a informao estiver
armazenada.
Como exemplo comparativo, podemos
citar a fita cassete. Para acessarmos uma msica
que esteja no meio da fita, precisaremos
percorre-la desde o princpio.
No acesso Aleatrio, o endereamento
feito diretamente na palavra desejada, sem
necessidade de passar-se pelas posies
intermedirias. Estas memrias so conhecidas
por RAM (Random Access Memory). Como
principal vantagem tm o tempo de acesso, que
reduzido e idntico para qualquer endereo.
Como exemplo comparativo, podemos
citar um disco. Para acessarmos qualquer
msica, bastar posicionar o brao do toca-
discos na mesma.
Volatilidade Podem ser volteis e no
volteis. As memrias volteis so aquelas que
perdem a informao armazenada quando da
interrupo da sua alimentao.
As memrias no volteis so aquelas
que mantm armazenadas as informaes,
mesmo na ausncia de alimentao.
Possibilidade de regravao As memrias de
Escrita / Leitura permitem o acesso a qualquer
17-22
endereo, para consulta da informao (Leitura)
(Leitura) ou para alterao da informao
(Gravao).
So utilizadas em processos onde
necessria a constante alterao das
informaes. So normalmente identificadas
como RAM (Random Access Memory).
As memrias apenas de Leitura (Read
Only Memory ou ROM) so aquelas cuja
informao somente estar disponvel para
Leitura.
So utilizadas em processos onde a
informao necessria para consulta ou
inicializao de uma rotina. Possuem
capacidade de armazenamento, isto ,
quantidade de endereos, inferior s RAMs.
Quanto a esta classificao podemos citar:
a) PROM (Programable Read Only
Memory) - So memrias apenas para
leitura, que permitem que a sua
programao, isto , a gravao inicial
seja feita pelo usurio. Esta gravao
permanente, no permitindo alteraes,
passando ela a operar como uma ROM.
b) EPROM (Eraseble / Programable Read
Only Memory) So memrias que
funcionam como PROMs, que
permitem, porm o seu apagamento e
posterior regravao. O processo de
apagamento possvel por meio de um
banho ultravioleta, atravs de janelas
no seu encapsulamento.
c) EEPROM So EPROMs que
permitem sua regravao por meios
eltricos, sem necessidade de banhos
Ultravioleta.
Figura 17-46 Memria RAM de quatro bits
conveniente lembrar que, embora as
EEPROMs permitam regravaes, a sua
aplicao diferente das RAMs. As
EEPROMs, assim como as EPROMs,
PROMs e ROMs, so utilizadas para
armazenamento de informaes que durante um
processo so apenas consultadas, como as
instrues para sequncia de um programa. A
caracterstica de regravao em alguns tipos de
ROM, tem por finalidade permitir alteraes
nestas instrues, sem a necessidade de
substituio de componentes.
Reteno Classificam-se em Estticas e
Dinmicas.
As memrias de armazenamento
Esttico, retm os dados inseridos enquanto a
alimentao estiver presente.
As memrias Dinmicas, por outro lado,
possuem um efeito capacitivo, isto , perdem as
informaes carregadas, aps um determinado
tempo, necessitando de ciclos peridicos de
recarga (Refresh Cycle). As memrias
Estticas so mais caras e de menor capacidade.
Endereamento
Como j foi visto anteriormente, cada
posio de memria, acessada atravs de um
endereo, logo teremos tantos endereos
quantas forem as posies de memria. A
capacidade de memria corresponder
quantidade de endereos possveis.
Com dois bits como variveis,
obtemos quatro combinaes, que nos permitem
acessar quatro endereos: posies 00, 01, 10 e
11. Com n bits variveis podemos obter 2n
endereos.
17-23
Palavra de memria Cada endereo de
memria corresponder a quantidade mnima de
informaes que poder ser acessada. Esta
informao poder compor-se de um ou mais
bits.
Esta quantidade de bits por endereo,
chamada de palavra de memria, depender
dos circuitos associados a ela e ao cdigo
interno utilizado.
As palavras mais comuna compem-se
de 8, 16 ou mesmo 32 bits. A cada posio
acessada, sero lidos paralelamente 8, 16 ou 32
bits.
Os conversores tm por finalidade
transformar sinais digitais em analgicos e vice-
versa.
Sistemas Analgicos e Digitais
Entende-se por ANALGICA, toda
variao linear ou contnua de um sinal.
Grandezas fsicas como temperatura, presso,
tenso, resistncia, variam de forma analgica.

Byte o nome dado ao agrupamento de bits

que represente um tipo de informao
identificvel e depender da filosofia do
fabricante do equipamento.
Normalmente um byte composto por Figura 17-47 Grfico de variao Analgica
8 bits.
Qualquer caractere significativo ser Entende-se por DIGITAL, toda variao
representado na forma de um BYTE. Uma discreta, isto , em degraus definidos ou steps.
memria com 1 kilobytes (1 kB), indica uma
capacidade de armazenamento de 1000
caracteres.

Aplicao

Memrias so aplicadas de formas

diversas, mas sempre que for necessrio o
armazenamento temporrio ou permanente de
informaes. Figura 17-48 Grfico de variao Digital
Uma informao poder ser um valor a
ser processado, o resultado de uma operao, ou Os sistema digitais, como internamente
mesmo a prpria sequncia com as instrues da se utilizam de valores binrios, somente
operao. reconhecem duas variaes discretas, o zero (0)
Valores fixos ou variveis, em e o um (1). Aos sinais utilizados por estes
processamento, so chamados DADOS. sistemas chamamos digitais binrios.
Seqncias de instrues de operao so
chamadas de PROGRAMAS.
As instrues de um programa, so
normalmente armazenadas em memrias do tipo
ROM, pois so informaes fixas. Dados so
armazenados normalmente em memrias do tipo
RAM.
Figura 17-49 Grfico de variao digital binria
CONVERSO DE SINAIS
Amplificadores operacionais So componentes
Existem basicamente dois tipos de lineares cuja finalidade amplificar uma
sinais: Analgicos e Digitais diferena entre dois sinais, possuindo ganho
Sistemas digitais e analgicos no so controlvel. Diferenas de amplitude entre dois
compatveis entre si, necessitando de sinais so amplificadas gerando uma sada
conversores. proporcional a entrada.

17-24

Figura 17-50 Amplificador operacional
A existncia de duas entradas, sendo
uma inversora e a outra no inversora permite
que, dependendo de sua utilizao, o sinal de
sada seja normal ou invertido.
Figura 17-51 Conversor D / A
Figura 17-52 Circuito bsico
Sistemas de computao digital, no so
capazes de gerar sinais analgicos linearmente,
mas dependendo da preciso desejada, podero
ser utilizados mais bits, que gerando mais
steps, daro condies de gerao de sinais
bastante prximos dos analgicos.
Conversor Analgico-Digital
utilizado quando for necessria a
converso de uma varivel analgica em
varivel digital.
O limite de amplificao, isto , o valor
mximo de amplitude de sada, depender das
alimentaes do amplificador, limitando-se aos
seus valores. A partir da, o amplificador estar
saturado, mantendo a sada fixa at que a
diferena entre as entradas seja reduzida.
Conversor Digital-Analgico
utilizado quando for necessria a
converso de uma varivel digital em varivel
analgica.
A varivel digital normalmente
codificada em BCD 8421. A sada analgica
assumir valores de grandeza correspondentes
s variaes digitais da entrada.
O conversor efetua vrios passos at a
converso final, utilizando-se de um contador,
um conversor D / A, um amplificador
operacional atuando como comparador e Flip-
Flops.
O circuito basicamente constitudo por
um contador de dcada, gerando um cdigo
BCD 8421, que aplicado ao conversor D/A,
que por sua vez apresenta na sada uma tenso
de referncia (VR). Esta tenso de referncia
comparada no amplificador operacional, com o
sinal analgico de entrada (Ve).
17-25
 Figura 17-53 Conversor A / D

Enquanto VR for menor que Ve, a sada contador e, simultaneamente habilitando a

do operacional habilitar o incremento do transferncia do contedo do contador para os
contador a cada clock.Quando VR = Ve, o Flip-Flops, que apresentaro na sada o valor
operacional dar sada 0 desabilitando o digital correspondente entrada analgica.

17-26
 CAPTULO 18
SISTEMAS DE COMUNICAO
PRINCPIOS DA COMUNICAO
Hertz, um jovem fsico alemo, foi quem
no ano de 1888 realizou uma srie de
experincias, que revelaram ao mundo cientfico
a existncia e caractersticas que ele, na poca,
chamou de foras eltricas que se dispersam, e
que correspondem s ondas eletromagnticas,
cuja existncia havia sido provada
matematicamente pelo grande fsico ingls
Maxwell.
Para descobrir as ondas eletromagn-
ticas, ou ondas de rdio, Hertz utilizou vrios
aparelhos de laboratrios que consistiam,
primariamente, de uma garrafa de Leyden ou
capacitor, utilizado como fonte de energia
eltrica; a eletricidade armazenada na garrafa de
Leyden era conduzida por dois arcos metlicos,
que terminavam em duas bolas de Cobre
chamadas de eletrodos. Este conjunto constitua
o transmissor ou gerador das ondas magnticas.
Como receptor, Hertz utilizou um anel
de cobre que terminava em dois eletrodos
similares aos do transmissor.
A figura 18-1 ilustra os dois aparelhos
utilizados por Hertz em sua experincia original.
Figura 18-1 Experincia de Hertz
Quando a eletricidade armazenada na
garrafa de Leyden alcanava sua intensidade
mxima, uma descarga eltrica ocorria entre os
eletrodos ou bolas de cobre, produzindo uma
fasca eltrica.
18-1
Ao produzir esta descarga nos eletrodos
do transmissor, outra fasca semelhante, mas de
menor intensidade, era produzida,
simultaneamente, no receptor que estava
colocado a uma distncia de dois metros do
transmissor.
Hertz demonstrou com esta experincia
que certa classe de eletricidade podia ser
conduzida atravs do espao (uma vez que no
existia nenhum condutor metlico entre o
transmissor e o receptor), de modo que assim foi
descoberto o princpio da telegrafia sem fio.
Nas experincias realizadas posterior-
mente por Hertz, ele descobriu que essa classe
de ondas se propaga em crculos concntricos,
em todas as direes, e que so refletidas por
metais, do mesmo modo que os raios de luz so
refletidos por um espelho. Alm disso,
descobriu que esta classe de ondas capaz de
atravessar substncias como a madeira, o vidro,
tecidos etc.
Na parte superior da figura 18-2
ilustramos a maneira como as ondas se
dispersam, ou seja, de maneira circular, tendo
como centro os eletrodos.
Figura 18-2 Propagao das ondas eletroma-
gnticas
A figura 18-3 ilustra graficamente que as
ondas que atravessam substncias tais como a
madeira, so refletidas pelas superfcies
metlicas, como folhas de zinco do teto da casa.

Figura 18-3 Propagao das ondas atravs dos
corpos
Hertz tambm mediu a velocidade destas
ondas, descobrindo que era a mesma das ondas
de luz, isto , aproximadamente 300.000.000 de
metros por segundo (300.000 quilmetros por
segundo).
Hertz no deu nenhuma aplicao prtica
s suas experincias, uma vez que ele era apenas
um cientista. Entretanto, a posteridade honrou
seu nome, batizando esta classe de ondas como
Ondas Hertzianas (ou Artesianas), expresso
esta comumente usada para identificar as ondas
de rdio.
Como resultado das explicaes dadas
anteriormente, deduzimos que o transmissor
utilizado originalmente por Hertz era um
gerador de fascas ou descarga eltrica. Em
realidade, cada vez que se produz uma fasca
eltrica geram-se ondas de rdio.
O aluno, provavelmente, ter notado isso
ao escutar o rudo que produz um receptor de
rdio, quando ligamos ou desligamos um
aparelho da linha de fora, quando apagamos
uma lmpada ou quando produzida uma
descarga eltrica entre a terra e as nuvens (raio).
Isto se deve a que, em todos esses casos, so
reproduzidas fascas eltricas que do origem s
ondas de rdio, as quais so captadas pelo
receptor, interferindo com os programas que
estamos escutando.
Mais tarde o cientista francs Branly
aperfeioou o aparelho inventado por Hertz,
conseguindo maior sensibilidade.
No ano de 1891, a maior parte dos
cientistas da poca compreendeu a grande
aplicao prtica que se podia dar s ondas
hertzianas, como um meio para manter
comunicaes sem fio, mediante uma
combinao de sinais de longa e curta durao,
18-2
de maneira semelhante ao cdigo Morse, usado
ento na telegrafia com fio.
A primeira comunicao por rdio Assim
que, no ano de 1895, Guilherme Marconi, um
jovem cientista italiano, utilizando as idias
originais de Hertz e Branly, intercalou uma
chave telegrfica no circuito do transmissor,
para obter uma aplicao prtica dos citados
aparelhos. Alm disso, Marconi acrescentou
uma antena ao transmissor, e outra ao receptor,
e, utilizando uma bobina de induo, que um
dispositivo capaz de proporcionar uma corrente
eletrnica de maior intensidade que a garrafa de
Leyden, conseguiu aumentar a potncia das
ondas irradiadas pelo transmissor.
Mediante o emprego de tais dispositivos,
Marconi, em 1898, conseguiu fazer uma
comunicao sem fios (radiotelegrfica) a uma
distncia de dois quilmetros, sendo que, nesta
data, lhe foi concedida na Inglaterra a primeira
patente sobre aparelhos de telegrafia sem fio.
A partir dessa data Marconi fez rpidos
progressos, conseguindo, em 1898, estabelecer
uma comunicao sem fios entre dois navios de
guerra separados por uma distncia de 40
quilmetros. Nessa altura, Marconi j havia
instalado e era proprietrio da primeira estao
telegrfica comercial, situada na Ilha de Wight,
na Inglaterra. Nos primeiros meses de 1901,
Marconi alcanou seu maior xito ao receber a
letra S atravs do Atlntico; a transmisso foi
feita de Gales, na Inglaterra, e recebida em St.
John Newfoundland, no Canad.
A vlvula Audion Durante o processo de
aperfeioamento da lmpada incandescente, o
seu inventor, Thomas Alva Edison, observou
que, ao colocar uma placa metlica no interior
do bulbo de vidro de sua lmpada
incandescente, conforme mostrado na figura 18-
4, os eltrons fluam do filamento para a placa,
embora no houvesse uma ligao fsica entre
aqueles dois eletrodos (em lies futuras
mostraremos com mais detalhes tal fenmeno).
Edison registrou tambm em seus
apontamentos, que a corrente eletrnica
somente circulava do filamento para a placa;
porm, como ele estava apenas interessado em
aperfeioar sua lmpada incandescente, ele no
deu muita importncia a esse fenmeno. No
obstante, o fsico ingls Sir Ambrose Fleming
interessou-se vivamente por essa descoberta e
lhe deu uma aplicao prtica, utilizando esse
princpio como um meio para fazer com que a
corrente eletrnica flusse em uma s direo.
Figura 18-4 Experincia de Thomas Edison
Somente mais tarde que a grande
importncia de tal descoberta foi posta em
prtica, graas aos trabalhos do Dr. Lee De
Forest, outro grande cientista, cujas descobertas
abriram as portas para o desenvolvimento da
radiotcnica.
A figura 18-5 mostra o novo conjunto
onde De Forest conseguiu fazer com que os
sinais escutados no audfono fossem mais fortes.
Figura 18-5 Vlvula de De Forest
Com esta descoberta realizada em 1906,
era possvel agora no somente detectar as
ondas de rdio como tambm amplifica-las,
produzindo-se, desta forma, sons de suficiente
18-3
intensidade no audfono; da o nome AUDION
sugerido por De Forest para sua vlvula
eletrnica.
Apesar da enorme importncia desta
descoberta, usada ento somente para receber
sinais provenientes de transmissores de fascas,
muito tempo se passou at que o mundo
compreendesse seu verdadeiro valor.
Ondas ou vibraes produzidas ao se agitar a
gua Voc, certamente j ter observado o
fenmeno ou efeito interessante que ocorre na
gua ao arremessarmos uma pedra na superfcie
tranqila de um lago.
Recordar-se- que uma srie de
ondulaes se estendem em crculos
concntricos, a partir do lugar onde cair a pedra.
Figura 18-6 Propagao de ondas na gua
A figura 18-7 mostra um corte
transversal da superfcie do lago. Como vemos,
a linha horizontal que atravessa a figura
representa o ponto de repouso, ou seja, a
superfcie que marcaria o nvel da gua se ela
estivesse absolutamente tranqila.
Figura 18-7 Forma da onda
Usando esta linha como ponto de
referncia, observa-se que uma parte da
ondulao formada por uma crista, ou ponto,
onde a superfcie da gua alcana sua maior
altura. A outra parte da ondulao est
constituda por um fundo, ou ponto, onde a gua
alcana seu nvel mnimo.
Se colocarmos um pedao de madeira ou
cortia, sobre a superfcie da gua, no local
onde caiu a pedra, observaremos que a madeira,
ou cortia, no se movimenta em direo
margem do lago, como sucede com as
ondulaes, porm sobe e desce marcando as
cristas e os fundos das ondas que se propagam
na superfcie da gua.
Figura 18-8 Representao grfica das ondas
Figura 18-9 Amplitude de onda
Por exemplo, no caso das ondas
produzidas na gua, quanto maior for a distncia
entre as cristas e os fundos, tanto maior ser a
intensidade das mesmas.
Ondas de rdio amortecidas e contnuas
Na figura 18-10A, ilustramos a forma
das ondas irradiadas por um transmissor de
fascas.
Pelas explicaes dadas anteriormente,
deduzimos que esta forma de onda se inicia com
uma amplitude ou intensidade mnima e que vai
aumentando progressivamente at alcanar sua
intensidade mxima, passando novamente a cair
de intensidade at se extinguir completamente.
Isto se explica pelo fato da energia
eletrnica entre os eletrodos do transmissor de
fasca ter que vencer nos primeiros instantes a
18-4
Assim fica demonstrado que a gua
somente o meio propagador das vibraes, ou
ondas, originadas ao se chocar a pedra com a
gua, pois nem o pedao de madeira, ou cortia,
e nem a gua se movimentam para a margem do
lago, como sucede com as ondas.
Na figura 18-8 eliminamos a gua, de
modo que somente fica a representao grfica
das ondas, produzidas como resultado do
choque da pedra na gua.
Conforme ilustra a figura 18-9, a
distncia compreendida entre a linha que marca
o nvel normal (nvel zero) e uma crista, ou um
fundo, chama-se amplitude da onda.
Desta caracterstica depende a
intensidade ou potncia da onda, pois quanto
maior for a intensidade da onda, tanto maior
ser sua amplitude.
oposio causada pela separao de ar entre os
dois eletrodos, antes que se forme o arco
voltaico produzido pela fasca.
Assim que o arco voltaico produzido,
as ondas geradas alcanam sua mxima
amplitude, caindo de intensidade logo em
seguida, devido queda de potencial na fonte de
energia que produziu a fasca.
Esta representa uma grande desvantagem
pois, como podemos observar, o ponto de maior
intensidade das ondas de muito pouca
durao, de modo que grande parte da energia
do transmissor perdida na formao de ondas
de pouca intensidade.
Como essas ondas vo gradualmente
perdendo sua intensidade, elas so conhecidas
pelo nome de ondas amortecidas.
Na figura 18-10B temos um outro tipo
de onda no qual a amplitude se mantm
constante desde o momento em que se inicia a
transmisso at o momento em que se suspende Hertz (Hz) - em lugar de ciclos por segundo
a mesma. (C/s)
Essas so as ondas que podem ser Quilohertz (KHz) - em lugar de quilociclos por
produzidas por meio da vlvula inventada por segundo (KC/s)
De Forest e que proporciona uma maior Megahertz (mHz) em lugar de megaciclos por
eficincia. segundo (mC/s)

O termo frequncia indica o nmero de

ciclos (ondas completas) produzidos num
determinado perodo de tempo.
Por exemplo: a figura 18-12 ilustra uma
frequncia de quatro ciclos por segundo, ou
seja, quatro ondas so produzidas no espao de
um segundo. A frequncia das ondas expressa
em Hertz. Portanto, a representao grfica da
figura 18-12 corresponde a uma onda, cuja
frequncia de 4 Hz.

Figura 18-10 Ondas amortecidas e contnuas

O ciclo - Uma onda completa constitui um ciclo.

Cada metade de uma onda, ou meio ciclo,
apresenta uma alternncia da onda ou semiciclo.
Cada onda, ou ciclo apresenta duas
alternncias: a alternncia situada acima do
nvel normal considerada positiva e a situada
abaixo do nvel normal considerada negativa.
A figura 18-11 ilustra claramente o que
acabamos de explicar. Figura 18-12 Onda com frequncia de 4 Hz

Prefixo Valor Smbolo

Ter 1012 T
Giga 109 G
Mega 106 M
Kilo 103 K
Hecto 102 h
Deca 10 da
Deci 10-1 d
Centi 10-2 c
Mili 10-3 m
Micro 10-6
Nano 10-9 n
Pico 10-12 p
Fento 10-15 f
Atto 10-18 a
Figura 18-11 Alternncias da onda ou ciclo Tabela de prefixos

Frequncia Antes de abordarmos os assuntos Relao entre frequncia e comprimento de

relativos a frequncia, gostaramos de esclarecer onda Para maior simplicidade, considere um
que, em homenagem a Rudolf Hertz, foi alternador fornecendo energia eltrica com a
adotado o termo Hertz em lugar de ciclo por frequncia de 60 Hz por meio de uma linha de
segundo. Assim sendo, teremos: transmisso ligando So Paulo a Manaus,

18-5
passando por Recife. Admita que a velocidade
de propagao a CA seja igual velocidade de
irradiao eletromagntica no espao livre, que
constante e de 300.000 km por segundo,
independentemente da frequncia.
Se o gerador iniciar sua ao geradora no
ponto de tenso zero da senide, depois de
decorrido meio ciclo (1 / 120 de segundo), o
ponto de tenso zero ter percorrido uma
distncia que pode ser determinada pelo produto
da velocidade da onda pela durao de meio
ciclo. Esta distncia corresponder a cerca de
2.500 km (300.000 x 1/120), que
aproximadamente a distncia entre So Paulo e
Recife.
Figura 18-13
Decorrido o outro meio ciclo (1/60 de
segundo) o ponto ter percorrido uma distncia
de 5.000 km (300.000 x 1/60), que a distncia
aproximada de So Paulo a Manaus.
Figura 18-14
Esta distncia de 5.000 km o
comprimento de onda da CA de 60 Hz, que a
distncia percorrida pela onda durante o tempo
18-6
correspondente a um ciclo. O smbolo para
comprimento de onda a letra grega lambda ().
Do mesmo modo, o comprimento de
onda de qualquer onda irradiada pode ser
determinado multiplicando-se a velocidade
constante pela durao de um ciclo. Como a
durao de um ciclo igual a um (1) dividido
pela freqncia (1 / f), o comprimento de onda
igual velocidade constante dividida pela
freqncia ( = V/F) ou a velocidade igual
freqncia multiplicada pelo comprimento de
onde (V = f.). Como V constante, quanto
maior a freqncia, menor o comprimento de
onda a vice-versa.
Propriedades das ondas sonoras
At agora, ao falarmos das ondas em
geral, somente mencionamos aquelas
produzidas na gua como resultado das
vibraes causadas pelo choque da pedra contra
a gua. No obstante, as caractersticas das
ondas de rdio e das ondas sonoras so
semelhantes as que observamos no lago.
Embora as caractersticas de propagao
tanto das ondas de sonoras como das ondas de
rdio ou eletromagnticas sejam idnticas, elas
so de natureza diferente, pois as ondas sonoras
so vibraes mecnicas, ao passo que as ondas
eletromagnticas so vibraes eletrnicas.
No caso das ondas geradas na superfcie
do lago, o meio condutor a gua, ao passo que
no caso das ondas sonoras, o meio condutor ou
de propagao geralmente o ar. Quanto s
ondas eletromagnticas, o seu meio de
propagao continua a ser motivo de
controvrsia entre os cientistas, de modo que
apenas diremos que elas se propagam em todos
os meios.
Representao grfica das ondas sonoras A
figura 18-15 ilustra graficamente um som ou
rudo produzido por uma campainha que vibra
numa velocidade de quatro vezes por segundo.
Observe que, na parte superior da figura esto
ilustradas as compresses do ar por meio de
uma concentrao dos pontos que representam
as partculas de ar. Na parte inferior aparece a
forma das ondas produzidas por essa vibrao.
Neste caso, como em exemplos semelhantes, a
amplitude mnima das ondas corresponde ao
grau mnimo de compresso das partculas de
ar, ou seja, rarefao do ar. Na figura 18-15 a
linha horizontal que atravessa as ondas
corresponde condio normal ou estado das
partculas de ar, quando no h compresso ou
rarefao.
Figura 18-15 Representao grfica das ondas
sonoras
Todos os termos referentes s
caractersticas das ondas j estudadas so
aplicveis descrio de sua forma. Por isso,
quanto maior a amplitude das ondas sonoras,
tanto maior ser a intensidade do som percebido
pelo ouvido.
Na campainha eltrica, quanto mais forte
for o golpe do martelo na campnula, tanto
maior ser a amplitude da onda produzida. A
forma das ondas sonoras pode ser vista num
instrumento especial denominado osciloscpio.
Nas ondas sonoras, a freqncia ou
nmero de vibraes por segundo o fator que
determina o que comumente se conhece como
tom. O tom de uma nota ou som musical
classificado de acordo com a freqncia do som.
Os sons de tom baixo ou grave so as notas
musicais cuja freqncia baixa, ao passo que
os sons de tom alto ou agudo so aqueles cuja
freqncia ou nmero de vibraes por segundo
alto.
Por exemplo: o violoncelo produz notas
graves ou baixas, porque sua freqncia est
compreendida entre 60 a 213 Hertz.
Por outro lado, o violino produz notas
agudas ou altas, porque a freqncia dos sons
emitidos por esse instrumento est
compreendida entre 230 e 3.072 Hertz.
Freqncias que o ouvido humano pode
perceber As freqncias dos sons que o
ouvido humano pode perceber esto
compreendidas entre 16 Hz como limite mnimo
e 20.000 Hz como limite mximo.
As ondas sonoras mais baixas, ou seja,
inferiores a 16 Hz, no so escutadas como um
18-7
nico som, mas sim como rudos separados. Isto
, o ouvido somente percebe como um nico
som s vibraes acima de 16 Hz; as vibraes
abaixo de 16 Hz so ouvidas a intervalos e so
classificadas como rudos, geralmente
desagradveis ao ouvido.
Os sons acima de 20.000 Hz no so
percebidos pelo ouvido humano. O vo do
mosquito, que corresponde mais ou menos a
esta freqncia, o som com maior nmero de
vibraes que podemos perceber. Os sons de
freqncia mais alta no podem ser escutados,
mesmo que sejam de alta intensidade, porque as
membranas auditivas so incapazes de
responder a uma vibrao superior a 20.000 Hz,
embora animais como ces possam perceber
sons mais altos. Esta a razo porque pastores
usam apitos especiais para chamar ces que
cuidam de suas ovelhas.
Como os sons cujas freqncias esto
compreendidas entre 16 e 20.000 Hz so os que
o ouvido humano pode perceber, essas so
conhecidas pelo nome de udiofrequncia ou
frequncia audveis. Embora o ouvido humano
possa perceber essa gama ou escala de
freqncias, as estaes radiodifusoras de AM e
os receptores utilizados para receber os
programas das mesmas somente reproduzem
sons compreendidos entre 50 e 5.000 Hz. No
obstante, no sistema de transmisso e recepo
de frequncia modulada, possvel reproduzir
toda classe de sons cujas freqncias estejam
compreendidas entre 30 e 15.000 Hz.
Meios em que se propagam as ondas sonoras
Segundo mencionamos ao iniciar as explicaes
sobre as ondas sonoras, estas so o resultado das
vibraes mecnicas de um objeto no meio
condutor. Esse meio deve ser matria, esteja ele
no estado slido, lquido ou gasoso.
Algumas substncias, como a gua por
exemplo,pode se apresentar em qualquer dos
trs estados. O estado slido o gelo; o lquido,
a gua; e o gasoso, o vapor da gua.
O meio condutor utilizado com mais
frequncia para a propagao do som o ar
(estado gasoso), porm o som pode ser
propagado tanto nos lquidos como nos slidos.
O som, entretanto, no se propaga no vcuo
porque, neste caso, no h um meio condutor
que faa chegar as vibraes at o ouvido,
conforme demonstra a experincia ilustrada na
figura 18-16.

Figura 18-16 Experincia de propagao do som
no vcuo
Observe a campainha eltrica instalada
no interior de uma campnula de vidro, da qual
possvel se extrair o ar por meio de uma
bomba pneumtica que rarefaz totalmente o ar
no interior da campnula.
A experincia em questo iniciada com
a campainha funcionando. medida que o ar
extrado do interior da campnula, os sons vo
gradualmente se extinguindo, at desaparecer
por completo, quando todo o ar for bombeado
para fora.
Velocidade de propagao do som A
velocidade de propagao do som depende da
matria que utilizada como meio condutor.
Entretanto, podemos dizer que o som se propaga
com maior velocidade e eficincia nos lquidos
e nos slidos que no ar.
Na tabela a seguir podemos comparar a
velocidade de propagao do som em diversas
substncias.
Velocidade em metros
Substncia
por segundo
Ar 331
Ferro ou ao 5.100
gua 1.400
Cobre 3.292
Vidro 5.500
Intensidade do som A unidade empregada
para descrever a intensidade do som (amplitude
de onda) o decibel, que corresponde a um
dcimo da unidade utilizada originalmente, a
qual recebeu o nome de BEL em honra a
Alexandre Graham Bell, inventor do telefone.
18-8
Praticamente, podemos definir o decibel
como a mudana mnima de intensidade do som
que o ouvido humano pode perceber. Por
exemplo, para escutar uma variao na
intensidade do som de uma nota musical, cuja
intensidade de um decibel, a intensidade do
mesmo som tem que subir a 2 decibis antes que
o ouvido possa perceber a diferena.
O rudo excessivo no prejudica apenas os
ouvidos, mas atinge tambm o sistema nervoso.
Pode provocar o aumento da presso sangunea,
problemas de audio e cardacos. Muitas vezes
por causa do barulho que perdemos o sono,
ficamos irritados e cansados, sem explicao
aparente. Estamos cercados de barulho por
todos os lados.
A relao a seguir lhe dar uma idia dos
rudos que nos perturbam.
Tique-taque de relgio 20 db
Conversao normal 50 db
Liquidificador 80 db
Limite permitido por lei no RJ 85 db
Apitos e sirenes 90 db
Buzina estridente de automvel 100 db
Serra circular ou trem 110 db
Conjunto de guitarras 120 db
Motor a jato Perigo 130 db
Gol do Flamengo no Maracan 130 db
Fogos de estampido 130 db
Liminar de audibilidade humana 140 db
Foguete espacial 180 db
Somente sons e rudos na faixa de 10 a
140 decibis so captados pelo ouvido humano.
Os de menos de 10 so inaudveis e os
superiores a 140 provocam ruptura dos
tmpanos.
Velocidade e frequncia das ondas de rdio
Como mencionamos no princpio desta lio, a
velocidade de propagao das ondas de rdio
igual velocidade de propagao da luz ou
ondas luminosas. Isto se deve ao fato das ondas
de rdio, as ondas luminosas e as ondas
calorficas apresentarem as mesmas
caractersticas, ou seja, todas elas pertencerem
ao tipo de ondas de freqncias muito altas,
conhecidas como ondas eletromagnticas ou
irradiaes eletromagnticas.
Deduzimos, ento, que as ondas de rdio
so apenas uma variedade ou gama diferente das
ondas eletromagnticas, distinguindo-se das
outras por sua frequncia e comprimento de
onda.
A figura 18-17 ilustra a classificao ou
escala das ondas eletromagnticas, de acordo
com sua frequncia e comprimento de onda.
Figura 18-17 Classificao das ondas eletromagnticas
Ondas de rdio
As ondas de rdio, ou seja, as usadas nos
sistemas de radiocomunicao, esto
compreendidas entre 100 quilohertz e 1.000.000
megahertz. Essas ondas, expressas segundo seu
comprimento de onda, correspondem as
compreendidas entre 3.000 metros e 0,03 cent-
metros (0,3 mm). Essas so as ondas
descobertas por Hertz, por meio do transmissor
de fasca. Uma das caractersticas das ondas de
rdio que no so perceptveis aos sentidos,
exceto por seus efeitos quando so aplicados ao
corpo humano com grande intensidade, por
meio de eletrodos especiais, como nos aparelhos
mdicos de diatermia.
Ondas infravermelhas ou ondas calorficas As
ondas infravermelhas so de freqncias
superiores a 1.000.000 de megahertz e
18-9
Observe que as ondas de rdio correspondem s
ondas eletromagnticas de frequncia mais
baixa, vindo em seguida as ondas calorficas, as
ondas luminosas, os raios ultravioletas, etc.
correspondem a comprimentos de onda
inferiores a 0,03 cm (0,3 mm). A partir dessas
ondas, como a freqncia excessivamente
elevada e o comprimento da onda to
pequeno, adotou-se uma unidade especial que
permite indicar mais facilmente o comprimento
de onda. Esta unidade se chama Unidade
Angstrom (A), e equivale a dcima
milionsima parte de um milmetro (0,0000001
mm). evidente que infinitamente pequena
para se poder ter um conceito prtico de sua
dimenso.
Em unidades Angstrom as ondas de
calor esto compreendidas entre trs milhes de
A (0,3 mm) e 8.000 A.
Tais ondas so emitidas pelos aquecedores de
gua ( vapor dgua), ferros eltricos de
engomar, etc. interessante observar que uma
grande parte dessas ondas so irradiadas pelo
Sol, como ondas luminosas e raios ultravioletas.
 Figura 18-18 Espectro de radiao eletromagntica
Ondas luminosas (a luz) Estas ondas se
caracterizam por pertencerem nica classe de
ondas eletromagnticas que a vista humana
pode perceber, sem necessidade de um
dispositivo especial.
Apresentam caractersticas muito
parecidas s ondas calorficas, e alguns
cientistas as consideram como o fim do
espectro. A prova disso que, quando um corpo
18-10
alcana uma temperatura muito elevada, ele
comea a emitir raios luminosos.
Alm disso, a luz pode ser convertida em
calor, quando os raios luminosos so
concentrados por meio de uma lente.
A luz est compreendida entre 8.000 e
4.000 unidades Angstrom. Os raios solares
abrangem toda esta gama do espectro das ondas
eletromagnticas.
Raios ultravioletas A luz ou raios ultravioletas
esto compreendidos entre 4.000 a 120 unidades
Angstrom. Parte desses raios so produzidos
pelo Sol. Artificialmente, eles podem ser
produzidos por meio de lmpadas eltricas
especiais, as quais so usadas freqentemente
no tratamento de certas enfermidades.
Raios X Os raios X esto compreendidos entre
os comprimentos de onda correspondentes a 120
unidades Angstrom e 0,06 da mesma unidade (6
centsimos de 1 Angstrom). A caracterstica
principal dessas ondas eletromagnticas que
so capazes de atravessar toda sorte de tecidos,
couros, telas, madeiras e uma grande parte dos
metais.
Os raios X so usados, principalmente,
para tirar fotografias do interior do corpo
humano, sendo, tambm, usados na indstria
para fotografar a estrutura de peas metlicas de
alumnio, ao, etc.
Raios Gama e Raios Csmicos As ondas
eletromagnticas de maior frequncia e menos
comprimento de onda que se tem
conhecimentos definidos so os raios gama, que
so o produto das emisses ou irradiaes de
elementos radioativos, como o Rdio e o
Urnio.
Os raios so produzidos nesses
elementos pela desintegrao atmica
espontnea dos mesmos. No obstante, grande
parte desses raios pode ser produzida
artificialmente por meio de possantes aparelhos
de Raios X ou, pela desintegrao artificial,
como no caso da bomba atmica.
Na medicina, esses raios de baixa
intensidade so usados para destruir tumores
cancerosos, empregando-se neste caso, o Rdio.
Os sais radioativos so usados tambm na
indstria, pois tm a propriedade de emitir raios
de baixa proporo e, como so visveis na
obscuridade (fosforescentes) encontram
aplicaes na fabricao de mostradores de
relgios e ponteiros.
Embora os Raios Gama sejam os ltimos
a respeito dos quais se tenham noes claras,
sabe-se que existem outros raios de menor
comprimento de onda que a cincia chama de
raios csmicos secundrios, por se acreditar que
sejam encontrados nos espaos interplanetrios.
Isso tudo que se sabe a respeito dos mesmos
at hoje.
18-11
Estas explicaes serviro,
indubitavelmente, para dar ao aluno um
conceito mais definido da classificao e
caractersticas das ondas eletromagnticas, a
cuja famlia pertencem as ondas de rdio que,
no momento, nos interessam. No obstante, ao
estudarmos a televiso, teremos a oportunidade
de utilizar os conhecimentos adquiridos sobre as
outras classes de ondas eletromagnticas.
Apesar das ondas de rdio, as ondas
calorficas e as ondas luminosas pertencerem
mesma famlia, seria errneo crer que so
parecidas em todos os aspectos, pois a diferena
em frequncia e comprimento de onda entre elas
enorme. Entretanto, devemos ter presente que
todas as classes de ondas eletromagnticas so
manifestaes de energia em diversas formas e,
em muitos casos, possvel transforma-las em
movimentos mecnicos, como sucede com o
calor utilizado para impulsionar mquinas ou
locomotivas.
Classificao detalhada das ondas de rdio As
ondas eletromagnticas, que correspondem s
ondas de rdio utilizadas hoje em dia, so
classificadas em vrias faixas, de acordo com o
comprimento de onda e com os servios a que
se destinam nos sistemas de radiocomunicaes.
Como se observa na parte inferior da
figura 18-19, as ondas de rdio normalmente
utilizadas podem ser divididas em seis blocos
principais, que englobam as diversas faixas de
freqncias.
No primeiro bloco temos as freqncias
compreendidas entre 100 kHz e 550 kHz,
freqncias estas que correspondem faixa de
ondas longas. Essa faixa compreende diversos
tipos de comunicaes, inclusive os radiofaris
(para orientao da navegao area). Alm
disso, na Europa, existe tambm radiodifuso
(emissoras comerciais) nessa faixa.
No segundo bloco temos as freqncias
compreendidas entre 550 kHz e 1600 kHz, que
correspondem faixa de ondas mdias. Nesta
faixa, esto localizadas, exclusivamente,
emissoras comerciais de radiodifuso
(Broadcasting).
No terceiro bloco temos as freqncias
compreendidas entre 1600 kHz e 30 MHz, que
correspondem faixa de ondas curtas. Nessa
importante parte das ondas de rdio esto
localizadas as radiodifusoras internacionais (nas
faixas de 49, 31, 25, 16 e 13 metros), bem como
as radiodifusoras das chamadas faixas
tropicais (90 e 60 metros). Tambm na faixa de
ondas curtas esto localizadas diversas faixas
destinadas s comunicaes entre radio-
amadores (160, 80, 40, 20, 15, 11 e 10 metros).
Alm disso, localizam-se tambm nessa faixa
inmeros outros servios de radiocomunicaes,
tanto governamentais como de empresas
privadas, operando em fonia, telegrafia e
teletipo.
No quarto bloco esto as freqncias
compreendidas entre 30 MHz e 300 MHz, que
correspondem faixa de freqncias muito
elevadas (VHF). Nesta faixa temos as emissoras
de TV em VHF, radiodifuso em FM, alm de
diversos sistemas de radiocomunicao ( radio-
amadores, aeronutica, polcia, servios
pblicos, etc.).
No quinto bloco temos as freqncias
compreendidas entre 300 e 3.000 MHz, que
correspondem faixa de freqncias ultra-
elevadas (UHF).
Esta faixa compreende radio-
comunicaes em geral, radioamadores,
estaes repetidoras, emissoras de TV em UHF,
radares, radioastronomia, etc.
No sexto e ltimo bloco esto as
freqncias compreendidas entre 3.000 e
300.000 MHz, que abrangem freqncias super-
elevadas (SHF de 3.000 a 300.000 MHz) e
freqncias extremamente elevadas (EHF de
30.000 a 300.000 MHz), que correspondem
faixa de microondas.
Estas faixas compreendem sistemas de
rastreamento de satlites artificiais, telemetria,
sistemas de radioenlaces, etc.

FAIXA DE DESIGNAO DESIGNAO EXEMPLOS DE

FREQUNCIA TCNICA LEIGA UTILIZAO
300 Hz a Ondas Extremamente
E. L. F.
3000 Hz Longas Comunicao para submarinos, para
3 KHz a escavao de minas e etc.
V. L. F. Ondas Muito Longas
30 KHz
30 KHz a
L. F. Ondas Longas
300 KHz Auxlio navegao area, servios
300 KHz a martimos, radiodifuso local.
M. F. Ondas Mdias
3000 KHz
3 MHz a Ondas Tropicais Radiodifuso local e distante, servios
H. F.
30 MHz Ondas Curtas martimos (Estaes Costeiras).
30 MHz a Transmisso de TV, sistemas comerciais e
V. H. F.
300 MHz particulares de comunicao, servios de
300 MHz a segurana pblica (poli-cia, bombeiros, etc).
U. H. F.
3000 MHz
3 GHz a Comunicao pblica longa distncia:
S. H. F. sistemas interurbanos e internacionais em
30 GHz
30 GHz a radiovisibilidade, tropodifuso e satlite.
E. H. F.
300 GHz
E.L.F. - Extremely Low Frequency V.H.F. - Very High Frequency
V.L.F. - Very Low Frequency U.H.F. - Ultra High Frequency
L.F. - Low Frequency S.H.F. - Super High Frequency
M.F. - Medium Frequency E.H.F. - Extremely High Frequency
H.F. - High Frequency

Figura 18-19 Classificao de sistemas rdio

Principais sistemas de radiocomunicaes emitido pela antena de um radiotransmissor

usualmente, chamado de Onda Portadora.
Num transmissor de onda contnua o Convm salientar que a onda portadora
sinal de sada possui sua amplitude uniforme em no a mensagem propriamente dita, mas sim o
todos os ciclos. veculo que leva tal mensagem para um ponto
Um sinal de RF desse tipo, por si s, no distante.
contm nenhuma informao til. Entretanto Nas ltimas dcadas foram
possvel introduzir-lhe certas modificaes, desenvolvidas inmeras tcnicas para
tornando-o capaz de transportar uma modificar uma onda portadora, a fim de que
mensagem; por este motivo, o sinal de RF ela possa transportar uma informao til. Cada

18-12
uma dessas tcnicas caracteriza os diversos
sistemas de radiocomunicaes atualmente em
uso, entre os quais iremos estudar os seguintes
sistemas:
Radiotelegrafia ( ou CW)
Modulao em Amplitude (ou AM)
Modulao em Frequncia (ou FM)
Banda Lateral nica (ou SSB)
No Sistema de Radiotelegrafia, a
mensagem transmitida sob a forma de um
cdigo pr-estabelecido.
Este tipo de transmisso (talvez o mais
eficiente e seguro) utilizado nas comunicaes
entre estaes de radioamadores, nas
comunicaes entre estaes de grupos
comerciais (bancos, empresas de transporte
areo e martimo), pelos correios, etc.
No Sistema de Modulao em
Amplitude ou Sistema de Amplitude Modulada
(AM), a tcnica empregada consiste em fazer
com que a amplitude da onda portadora (sinal
de RF) varie no mesmo ritmo da amplitude do
sinal correspondente informao (ou
mensagem)que se quer transmitir. Aqui, a
frequncia da portadora no varia. Este tipo de
transmisso largamente adotado pelas
emissoras de radiodifuso (Broadcasting), nas
faixas de ondas mdias e ondas curtas, sendo
tambm utilizado nas comunicaes entre
estaes de radioamadores, estaes comerciais,
etc.
No Sistema de Modulao em
Frequncia ou Sistema de Frequncia Modulada
(FM), a tcnica utilizada consiste em fazer com
que a frequncia da onda portadora sofra
deslocamentos num e noutro sentido, num ritmo
igual frequncia do sinal correspondente
informao que se quer transmitir. Aqui, a
amplitude da portadora no varia.
Este tipo de transmisso adotado pelas
estaes de radiodifuso que transmitem msica
em alta fidelidade (transmisses monofnicas e
estereofnicas).
Ele tambm utilizado nas
comunicaes de grandes responsabilidades
como nos servios de utilidade pblica (corpo
de bombeiros, ambulncias, radiopatrulhas, etc.)
entre avies e a torre de controle dos aeroportos,
etc.
O Sistema de Banda Lateral nica
(SSB) uma variante do AM.
18-13
Devido s suas excelentes caracte-
rsticas, ele usado em larga escala pelas
estaes de radioamadores, estaes de grupos
comerciais, pelos servios de utilidade pblica,
etc.
Transmisso de uma onda contnua manipulada
Figura 18-20 Transmisso por onda contnua
No sistema de radiotelegrafia existem
vrios mtodos para se transmitir uma
mensagem sob a forma de cdigo.
O mais usado na prtica consiste em
interromper-se a portadora de RF (onda
contnua) durante intervalos de tempo regulares,
seguindo um cdigo convencional.
Esse mtodo denominado
Manipulao da portadora, e neste tipo de
transmisso utiliza-se o Cdigo Telegrfico
Internacional, tambm conhecido por Cdigo
Morse, em homenagem ao cientista que o
idealizou, o fsico norte-americano Samuel
Morse.
No cdigo Morse, cada letra do alfabeto
(A, B, C,...X, Y, Z), cada algarismo arbico (0,
1, 2,...7, 8, 9) e cada smbolo de pontuao
(vrgula, ponto de interrogao, ponto de
exclamao, etc.) so representados por uma
combinao adequada de Traos e Pontos.
A ttulo de ilustrao, mencionamos que
a letra C representada por um trao, um
ponto, um trao e um ponto, nessa sequncia, ou
seja: _ . _ .
Para se transmitir uma mensagem em
cdigo Morse, os traos e os pontos so
emitidos sob a forma de grupos de ciclos (ou
trens de ondas) com diferentes duraes.
Os pontos correspondem a um grupo de
ciclos com pequena durao, enquanto que os
traos correspondem a um grupo de ciclos com
longa durao (trs vezes maior que a dos
pontos). Deste modo, combinando-se grupos de
pequena durao e de longa durao, possvel
transmitir-se letras, algarismos e smbolos de
pontuao, de modo a se formar palavras,
frases, etc.
Figura 18-21 Diagrama de um transmissor de CW
Para se produzir os grupos de ciclos com
longa ou curta durao, utiliza-se um interruptor
especial chamado Manipulador ou Chave
Telegrfica.
Quando o brao do manipulador
pressionado para baixo, os seus contatos se
fecham e o transmissor irradia a portadora de
RF. Dosando-se os intervalos de tempo durante
os quais os contatos do manipulador
permanecem abertos ou fechados, possvel
transmitir-se uma mensagem em cdigo Morse.
Na figura 18-21 tambm so mostradas a
forma de onda do sinal produzido pelo oscilador
de RF (onda contnua pura) e a forma de onda
Figura 18-22 Transmisso de AM
18-14
Transmissor bsico de CW Na figura 18-21
temos o diagrama em blocos, simplificado de
um transmissor de CW.
do sinal RF irradiado pela antena do
transmissor.
Modulao de Amplitude (AM) Uma onda de
RF (onda contnua), cujas amplitude e
frequncia no variam nos ciclos sucessivos,
chama-se Onda portadora no modulada.
Para se transmitir uma mensagem til,
vimos que preciso modificar essa onda
portadora.
Por exemplo, podemos interrompe-la
durante intervalos de tempo regulares, tal como
se faz nas transmisses em cdigo Morse (ou
CW); a figura 18-22 ilustra este processo.
 Se quisermos transmitir, pelo rdio, os
sons da voz humana ou da msica, deveremos
modular a onda portadora de RF. H vrias
tcnicas usadas na modulao de uma onda
portadora. Primeiramente estudaremos o
processo da Modulao em Amplitude, ou
simplesmente AM (do ingls Amplitude
Modulation).
A tcnica utilizada no AM consiste em
fazer com que a amplitude da onda portadora
varie na mesma cadncia da amplitude do sinal
que se quer transmitir. Por outro lado, a
frequncia da onda portadora no se altera
durante a modulao. Como sabemos, os sons
(vibraes mecnicas) produzidos pela voz
Figura 18-23 Processo da modulao em amplitude
Em A temos a forma de onda do sinal
de AF (2 kHz), fornecido pelo microfone. Em
B temos a forma de onda da portadora no
modulada; este sinal produzido por um
oscilador de RF. Como o sinal de AF modula
o sinal de RF, ele denominado de sinal
modulador. Em C temos a forma de onda da
portadora de RF (700 kHz) modulada em
amplitude pelo sinal de AF (sinal modulador).
Observe que a amplitude da portadora
modulada (figura C) varia de ciclo para ciclo,
sendo que esta variao comandada pelo sinal
modulador de AF.
Na figura C, as linhas interrompidas
(ou tracejadas) denominam-se envoltrias de
18-15
humana ou pelos instrumentos musicais esto na
faixa das Freqncias Audveis ou
udiofrequncias (AF). Essa faixa
compreende as freqncias que vo desde 16 Hz
at 20 kHz (ou 20.000 Hz).
Vamos imaginar que queremos
transmitir uma nota musical de 2 kHz,
produzida por um piano. Para isso, em primeiro
lugar deveremos transformar as vibraes
sonoras, produzidas pelo piano, num sinal
eltrico de mesma frequncia (2 kHz, nesse
exemplo), o que ser feito utilizando-se um
microfone.
O processo da modulao em amplitude
est ilustrado na figura 18-23.
AF ou envolventes de modulao e sua
forma de onda a mesma do sinal modulador
(sinal de AF).
Em resumo, o processo da modulao
em amplitude consiste em misturar ou
combinar o sinal de RF com o sinal de AF,
num dispositivo eletrnico de caractersticas no
lineares, ao qual damos o nome de Modulador
de AM.
Mais uma vez convm salientar que, no
AM, a frequncia da portadora modulada
permanece constante (no varia) durante a
modulao. Como essa frequncia bastante
elevada (700 kHz, no exemplo dado), o sinal de
RF modulado em amplitude, ir propagar-se
facilmente atravs do espao, podendo ser
captado pela antena de um receptor situado a
milhares de quilmetros do transmissor.
As envoltrias do sinal de RF,
modulado, tero a mesma forma de onda do
sinal modulador.
Na figura 18-24 A, reproduzimos
novamente a forma de onda de um sinal de RF
(700 kHz), modulado em amplitude por um
sinal de AF (2 kHz).
Se fizermos uma anlise mais profunda
desse sinal de RF modulado, iremos verificar
que ele corresponde soma de trs outros sinais
de RF, os quais possuem amplitudes constantes
e freqncias iguais a: 700 kHz (frequncia
central), 702 kHz (frequncia soma), e 698 kHz
(frequncia diferena).
Figura 18-24 Forma de onda de um sinal RF
Uma outra maneira de representar o
fenmeno da modulao em amplitude, descrito
anteriormente, consiste no chamado Espectro
de freqncias tal como ilustra a figura 18-25.
Num eixo horizontal so marcadas as
freqncias dos sinais de RF;
perpendicularmente a esse eixo e atravs de
pequenos segmentos de reta so indicadas as
amplitudes relativas dos sinais de RF.
Observando o espectro de freqncias da
figura 18-25, fcil notar que quanto maior a
frequncia do sinal modulador tanto maior ser
o afastamento das freqncias laterais em
relao frequncia central. Por exemplo, se a
frequncia do sinal modulador fosse igual a
18-16
Em outras palavras, quando um sinal de
RF modulado em amplitude por um sinal de
AF, alm da portadora de 700 kHz, em nosso
exemplo (figura 18-24 C), pela antena do
transmissor tambm so irradiados outro a dois
sinais de RF: um deles ter frequncia igual
soma das freqncias dos sinais dos sinais de
RF e AF, isto , 700 kHz + 2 kHz = 702 kHz,
que chamada Frequncia Lateral Superior
(por ser maior que a frequncia da portadora); o
outro sinal ter frequncia igual diferena
entre as freqncias dos sinais de RF e AF, isto
700 kHz 2 kHz = 698 kHz, que chamada
Frequncia Lateral Inferior(por ser menor que
a frequncia da portadora). Esses dois sinais
esto representados na figura 18-24 B e D,
respectivamente.
4 kHz, as freqncias laterais (inferior e
superior) seriam 696 kHz e 704 kHz,
respectivamente.
Figura 18-25 Espectro de freqncias
Modulao em SSB Conforme estudado
previamente, os componentes de um sinal de
amplitude modulada padro, so a portadora e
duas freqncias laterais, espaadas acima e
abaixo da portadora numa quantidade igual a -Largura da faixa.
frequncia do sinal de modulao. -Potncia de sinal modulante.
Os sinais de amplitude modulada -Sigilo nas comunicaes.
utilizados em Broadcasting padro requerem -Fading seletivo.
uma faixa de passagem de 10 kHz, ou seja, Como desvantagens podemos citar:
admite uma frequncia de udio para modulao -Usa filtros especiais tornando mais caro
de no mximo 5 kHz, enquanto que os sinais de o equipamento.
comunicao tanto militares como comerciais -Utiliza modulador e demodulador
possuem uma faixa de passagem de 6 kHz. especiais.
As freqncias laterais que so -Necessita de oscilador com alta
produzidas pelo processo de modulao em estabilidade
amplitude, so na realidade imagens refletidas
de si mesmas, e qualquer das duas pode ser
modulada para obter a informao transmitida.
Admitindo-se uma frequncia portadora
de 100 kHz e a informao modulante (voz) de
300 a 3.000 Hz, a largura de faixa total do
sistema que opera com as duas faixas laterais
ser de 6.000 Hz, ou seja, duas vezes a maior
frequncia de modulao.
Com os mesmos sinais de portadora e
modulao, a largura da faixa do sistema SSB
de apenas 3.000Hz, pois neste levando-se em
conta que as bandas laterais possuem as mesmas
informaes e que a portadora no transporta
mensagem alguma, transmite-se apenas uma das
bandas laterais.
Com a diminuio da largura de faixa
total em SSB para a metade da largura de faixa
do AM convencional, possvel aumentar para
o dobro o nmero de canais utilizados dentro de Figura 18-26 Comparao entre os espectros de
uma mesma faixa de frequncia. A figura 18-26 freqncia do AM e do SSB
mostra a comparao entre os espectros de
frequncia do AM convencional e do SSB. Modulao de freqncia (FM) No sistema de
Das vantagens que um sistema SSB AM, vimos que a amplitude da onda portadora
oferece em relao a um sistema AM modulada variava de acordo com a amplitude do
destacamos: sinal modulador.
-Economia de potncia.

Figura 18-27 Transmisso de FM

18-17
Quanto maior (dentro de certos limites) a
amplitude do sinal modulador, tanto maior era a
amplitude da onda portadora modulada. Por
outro lado, durante a modulao, a freqncia
daquela portadora permanecia constante (no
variava).
J no sistema de modulao em
frequncia (FM), podemos dizer que as coisas
acontecem exatamente ao contrrio. Neste
Figura 18-28 Modulao em freqncia
Em A temos a forma de onda da
portadora no modulada (sinal de RF); em B
temos a forma de onda do sinal modulador(sinal
de AF) e, finalmente, em C podemos observar
a forma de onda da portadora modulada em
frequncia.
Observe que o aumento e a reduo da
frequncia da portadora de RF depende da
amplitude do sinal modulador.
Durante os semiciclos positivos do sinal
modulador ocorre um aumento na frequncia da
portadora de RF, enquanto que, durante os
semiciclos negativos do sinal modulador ocorre
uma diminuio na frequncia da portadora de
RF (Figura 18-28 C).
Por outro lado, a amplitude da portadora
de RF no varia.
A velocidade com que a frequncia da
portadora de RF varia (para mais ou para
menos) depende da frequncia do sinal
modulador: quanto maior a frequncia do sinal
modulador de AF, tanto mais rapidamente ir
variar a frequncia da portadora de RF
modulada.
18-18
sistema, a amplitude da portadora de RF
permanece constante durante a modulao,
enquanto que a sua frequncia sobre
deslocamentos (para mais e para menos)
proporcionalmente amplitude do sinal
modulador.
Para entendermos melhor o processo de
modulao em frequncia, vamos analisar a
figura 18-28.
Se a frequncia do sinal modulador for
de 1 kHz (ou 1000Hz), ento a frequncia da
portadora de RF modulada ir aumentar e
diminuir do sinal modulador de AF, na razo de
1.000 vezes por segundo.
Esses desvios de frequncia, como
vemos, ocorrem sempre em relao a frequncia
da portadora no modulada.
PROPAGAO DAS ONDAS ELETRO-
MAGNTICAS E ANTENAS
A funo de uma antena a irradiao
de energia eletromagntica no espao. Aps sua
irradiao pela antena, a energia se propaga
atravs do espao at ser captada por uma
antena receptora ou ser refletida por um objeto,
como acontece com o radar.
importante conhecer o que acontece a
uma onda irradiada (sua trajetria, se
absorvida pelo solo, se refletida pela
atmosfera, etc.) para saber a distncia que a
onda capaz de percorrer antes de ser captada.
O estudo do que acontece a uma onda
eletromagntica, aps deixar a antena,
chamado propagao das ondas.
Quando uma onda irradiada deixa a
antena, parte da energia se propaga pelo solo,
acompanhando a curvatura da terra e chamada
onda terrestre. O resto da energia irradiado
pelo espao em todas as direes. As ondas que
atingem o solo entre o transmissor e o horizonte
recebem o nome de ondas espaciais. As ondas
Figura 18-29 Componentes de uma onda irradiada
Na transmisso de freqncias
relativamente baixas, a maior parte da energia
irradiada est na onda terrestre. Como o solo
um mau condutor, a onda terrestre atenuada
rapidamente e, portanto, no eficaz para
transmisso a grandes distncias a no ser que
se utilize muita potncia. As estaes de rdio
locais so exemplos de transmisso por meio de
ondas terrestres. Nas freqncias em apreo, a
irradiao efetiva est limitada a um raio de
cerca de 200 quilmetros do transmissor. Em
consequncia, transmissores em cidades
separadas por mais de 200 quilmetros de
distncia podem transmitir na mesma
frequncia, sem interferncia mtua.
Ondas ionosfricas, espaciais e terrestres
primeira vista, poderia parecer que as
ondas ionosfricas no tm utilidade,
propagando-se em linha reta e perdendo-se no
espao. Isto realmente pode acontecer com
freqncias muito altas e, portanto, neste caso a
onda ionosfrica se perder.
18-19
que deixam a antena em um ngulo maior do
que o formado pela antena e o horizonte so as
ondas celestes ou ionosfricas.
A onda terrestre, as ondas
espaciais e as ondas ionosfricas contm a
informao transmitida. Entretanto, em certas
freqncias uma dessas ondas ser muito mais
eficiente na transmisso da informao do que
as outras.
Contudo, abaixo de certa frequncia
crtica a onda ionosfrica no se propaga em
linha reta, e sim se dobra nas camadas
superiores da atmosfera, voltando terra. Esta
onda no propriamente refletida, como
acontece, luz quando incide em um espelho.
Ela dobrada gradualmente, descrevendo uma
curva, e , portanto, chamada onda refratada.
Esta onda assim que volta terra, refletida
outra vez para o espao, onde, novamente,
refratada e retorna terra. Este processo de
refrao da atmosfera e reflexo da terra
continua at que a atenuao completa da onda,
pois a energia de uma onda irradiada diminui
medida que aumenta a distncia percorrida
desde a antena transmissora.
Uma antena receptora poder captar o
sinal em qualquer local que incidam as ondas
refratadas. Se as ondas ionosfricas fossem
irradiadas para as altas camadas da atmosfera
em um nico ngulo, no haveria sinal entre os
pontos de incidncia da onda refratada com a
terra. Contudo, as ondas ionosfricas so
irradiadas em todos os ngulos e, assim, a
superfcie terrestre (alm de uma certa distncia
mnima da antena) totalmente coberta por
sinais de rdio.
Com o crescimento do ngulo de
irradiao, chega-se a um ngulo em que a onda
deixa de ser refratada e continua a se propagar
pelo espao. Em consequncia, h uma zona em
torno da antena que no alcanada por ondas
refratadas.
A onda terrestre s eficiente para
pequenas distncias. Portanto, a zona entre a
mxima distncia de irradiao efetiva da onda
terrestre e o ponto em que a primeira onda
ionosfrica volta terra uma rea sem sinais
de rdio chamada Zona de Silncio.
A freqncia crtica, isto , a freqncia
acima da qual no h retorno das ondas
ionosfricas, depende de numerosos fatores, tais
como a hora do dia, a poca do ano, as
condies meteorolgicas, etc.

Figura 18-30 Ondas ionosfricas, espaciais e terrestres

Como resultado, algumas vezes so freqncias elevadas, a onda terrestre atenuada

estabelecidas comunicaes a grandes
distncias, por meio de freqncias que
normalmente no apresentam ondas de retorno.
Ondas diretas e desvanecimento (*Fading)
Em freqncias superiores frequncia
crtica, a onda terrestre e a onda ionosfrica no
podem ser usadas para transmisso. Nessas
rapidamente e a onda ionosfrica no sofre
refrao e no volta terra.
Como resultado, a nica onda irradiada
que pode ser usada para transmisso nessas
freqncias a que se propaga em linha reta da
antena transmissora para a receptora. Este tipo
de transmisso chamado Transmisso de
horizonte tico, e a onda irradiada uma onda
direta.

Figura 18-31 Transmisso de horizonte tico

18-20
 Este sistema de transmisso usado em
radar para a deteco de avies e na
comunicao entre navio e avio.
As freqncias usadas so geralmente
superiores a 30 MHz. s vezes, uma antena
receptora capta dois sinais provenientes da
mesma antena transmissora e que percorreram
caminhos diferentes, por exemplo: um sinal
pode ser recebido diretamente da antena
transmissora e o outro ser refletido por um
objeto, digamos um avio.

Figura 18-32 Desvanecimento

peculiar de se propagar atravs do espao sem o

Como o comprimento relativo dos caminhos
est variando constantemente, os dois sinais ora
estaro em fase, ora defasados, e haver a
tendncia de um anular ou reforar o outro. O
resultado uma variao na intensidade do sinal
que chega ao receptor, denominada
desvanecimento (Fading).
FINALIDADE DE UMA ANTENA
A finalidade de uma antena transmissora
converter a energia entregue linha de
transmisso em uma onda chamada onda
eletromagntica. Esta onda tem a propriedade
auxlio de fios.
Todas as antenas funcionam segundo o
mesmo princpio a corrente na antena cria um
campo eletromagntico que deixa a antena e se
propaga sob a forma de uma onda
eletromagntica..
Estudaremos agora as antenas projetadas
para transmisso.
As antenas transmissoras trabalham em
freqncias muito mais elevadas do que as da
rede de distribuio industrial, e atuam com
muito maior eficincia (quanto irradiao).
Contudo, sempre a corrente na antena
que produz o campo eletromagntico a ser
irradiado.

Figura 18-33 Antena transmissora

18-21
 Voc pode observar um exemplo
interessante da ao de uma antena, tocando
com o dedo o terminal de entrada vertical de um
osciloscpio.
Voc ver na tela do aparelho uma forma
de onda de 60 Hz, que, evidentemente, provm
do seu corpo.
Figura 18-34 Teste de captao de energia pelo prprio corpo
Funcionamento da antena
Quando os fios de uma linha de
transmisso aberta so dobrados em ngulo reto
com a linha, em um ponto distante um quarto de
Figura 18-35 Antena dipolo de meia onda
Embora os potenciais de dois pontos
quaisquer dos fios da antena (e tambm da linha
de transmisso), eqidistantes dos extremos
tenham amplitudes iguais, suas polaridades so
opostas, tal como acontece com os extremos de
um enrolamento de transformador, cujos
18-22
O que realmente acontece que o seu
corpo capta ondas eletromagnticas de 60 Hz
que so irradiadas pelas redes que conduzem
correntes de 60 Hz.
Estas linhas agem como antenas
transmissoras, embora no sejam projetadas
para a finalidade em apreo.
comprimento de onda do extremo aberto, forma-
se uma antena simples conhecida como Dipolo
de meia onda (doublet) ou Antena Hertz.
A distribuio de tenso e corrente na
antena igual da linha de transmisso original.
potenciais tm amplitudes iguais e polaridade
opostas. O mesmo vlido para a corrente.
Portanto, para indicar a polaridade e a amplitude
nos fios que compem a linha de transmisso e
a antena, as formas de onda so desenhadas
conforme a figura 18-36.
 Figura 18-36 Formas de onda mostrando a polaridade e a amplitude
Observe que as ondas estacionrias de
tenso e de corrente indicam que os extremos da
antena so pontos de tenso mxima e de
corrente mnima, enquanto que no centro da
antena a corrente mxima e a tenso mnima.
Sempre que h uma diferena de
potencial entre dois pontos, estabelece-se um
campo eltrico entre eles. Voc aprendeu em
Eletricidade bsica que, quando um capacitor se
carrega, uma placa fica positiva e a outra
negativa. Em consequncia, estabelece-se um
campo eltrico entre as placas do capacitor, no
sentido da placa carregada positivamente, de
acordo com a figura 18-37. Da mesma forma, a
diferena de potencial entre os dois fios de uma
antena tambm gera um campo eltrico com a
forma e o sentido mostrados abaixo.
Figura 18-37 Campo eltrico em torno de uma
antena
Alm deste campo eltrico, h tambm
um campo magntico gerado pela corrente na
antena. O plano deste campo magntico
18-23
perpendicular direo da corrente e, portanto,
antena.
Figura 18-38 Campo magntico em torno de
uma antena
Os campos eltrico e magntico so, assim,
perpendiculares.
O campo eltrico e o magntico se
alternam em torno da antena, crescendo,
atingindo o valor mximo, entrando em colapso
e crescendo novamente em sentido oposto, na
mesma frequncia da corrente da antena.
Neste processo de crescimento e de
extino, estes campos do origem s ondas
eletromagnticas que se propagam atravs do
espao, conduzindo a informao transmitida
aos receptores distantes.
ANTENAS BSICAS
O dipolo de meia onda ou antena Hertz
um tipo de antena bsica de ampla aplicao em
muitos tipos de equipamentos transmissores e
receptores.
Outra antena bsica a vertical de um
quarto de onda com extremo ligado terra
(massa), tambm conhecida como Antena
Marconi. Se um dos elementos de uma antena
Hertz for removido e o fio que estava preso a
ele for ligado terra, o resultado ser uma
antena Marconi. Realmente a antena toma o
lugar de um dos elementos de um quarto de
onda, de modo que a terra e o elemento de um
Figura 18-39 Antenas bsicas
Quando se usa uma antena Marconi, o
solo diretamente sob a antena deve ser um bom
condutor eltrico. Algumas vezes so enterrados
tubos de cobre na base da antena para melhorar
a condutividade do solo.
Nos navios, uma antena vertical de um
quarto de onda pode ficar um pouco acima do
convs. Pode-se simular uma terra com
vergalhes metlicos ligados massa, pelo
menos com um comprimento de um quarto de
onda, colocados na base da antena. Esta terra
simulada chamada Plano de terra
(antigamente chamava-se contrapeso).
Como uma antena dipolo de um quarto
de onda tem fisicamente a metade do
comprimento de uma antena de meia onda
ligada terra, quase sempre preferida nas
baixas freqncias (grandes comprimentos de
onda), especialmente quando h limitaes de
espao para a montagem da antena.
Nas altas freqncias, o dipolo de meio
comprimento de onda amplamente usado
porque, embora seja maior do que a antena de
um quarto de onda, seu comprimento total ser
pequeno, e ele pode ser feito de tubos metlicos
auto-sustentveis.
18-24
quarto de onda restante formam efetivamente
um dipolo de meia onda.
A figura 18-39 mostra os pontos de
corrente mxima e tenso mnima na base da
antena.
Resistncia de irradiao
Em uma antena dipolo de meia onda, a
tenso no centro mnima (praticamente nula),
enquanto que a corrente mxima.
Voc deve lembrar que a tenso no
circuito em srie de ressonncia mnima
quando a corrente atravs dele mxima. Em
seu centro, um dipolo de meia onda equivale a
um circuito ressonante em srie, quando opera
na frequncia correta.
Um gerador que fornece energia a um
circuito ressonante em srie trabalha com
resistncia pura, pois XL e XC se anulam a
resistncia , praticamente a oferecida pelo fio
da bobina.
Da mesma forma, quando um dipolo de
meia onda ligado a uma linha de transmisso,
ela trabalha com resistncia pura. Esta
resistncia compreende a resistncia do fio e a
chamada resistncia de irradiao.
A resistncia do fio desprezvel, e,
assim, s se considera a resistncia de
irradiao.
Entretanto, a resistncia de irradiao
no uma resistncia real.

Figura 18-40 Resistncia de irradiao
, antes, uma resistncia equivalente
que, se fosse ligada em lugar da antena,
dissiparia a mesma quantidade de energia que a
antena irradia pelo espao.
O valor da resistncia de irradiao pode
ser determinado com a frmula de potncia R =
P/I2, onde P a energia irradiada pela antena
e I igual intensidade da corrente no centro
da antena.
Para um dipolo de meia onda, a
resistncia de irradiao de aproximadamente
73 Ohms, medida no centro da antena.
Este valor praticamente constante para
dipolos de meia onda trabalhando em qualquer
freqncia.
Figura 18-41 Resistncia de irradiao
Impedncia da antena
Como um dipolo de meia onda atua
como um circuito ressonante em srie, ele pode
apresentar propriedades indutivas ou
capacitivas, medida que varia a frequncia da
R.F. aplicada antena.
Quando a frequncia da R.F. a correta,
o dipolo tem exatamente meio comprimento de
onda e ressonante em srie: sua impedncia
puramente resistiva e igual resistncia de
irradiao.
Em transmisso, sempre desejvel que
a antena oferea uma carga resistiva linha de
transmisso, de modo que o mximo de energia
seja absorvido e irradiado pela antena.
Figura 18-42 Irradiao mxima de energia
18-25
Quando a frequncia do transmissor se
eleva, a antena torna-se maior do que meio
comprimento de onda. O circuito em srie est,
ento, operando em uma frequncia superior
sua frequncia de ressonncia. Nesta frequncia
aplicada, a reatncia indutiva maior do que a
reatncia capacitiva e a antena vista pelo
transmissor como uma carga indutiva.
Figura 18-43 Dipolo Maior, visto como Indutivo
Quando a frequncia do transmissor
reduzida, a antena torna-se ligeiramente menor
do que meio comprimento de onda. O circuito
em srie est, ento, operando em uma
frequncia inferior sua frequncia de
ressonncia.
A reatncia capacitiva maior do que a
reatncia indutiva e a antena vista pelo
transmissor como uma carga capacitiva.
Figura 18-44 Dipolo Menor, visto como
Capacitivo
Sintonia da antena
Voc aprendeu que quando a frequncia
do transmissor varia, tambm variam o
comprimento eltrico da antena e a impedncia
em sua entrada.
Voc tambm sabe que desejvel que a
impedncia da antena seja resistiva para todas as
freqncias do transmissor (para o mximo de
energia irradiada), e, para tanto, a antena pode
ser posta em ressonncia pela adio de
indutores ou capacitores para efetivamente
aumentar ou diminuir o seu comprimento
eltrico.
Por exemplo, se uma antena vertical de
quarto de onda, com extremo terra, for mais
curta do que um quarto de comprimento de
onda, a impedncia de entrada em sua base ser
resistiva e capacitiva.
O comprimento da antena pode ser
aumentado eletricamente (para torna-la
ressonante) pela adio de um indutor com o
valor correto para anular o efeito da
capacitncia, tornando a antena resistiva.
Figura 18-45 Sintonizando uma antena Marconi
Se uma antena vertical de quarto de
onda, com extremo terra, tiver comprimento
maior do que um quarto de onda, a impedncia
de entrada na base ser resistiva e indutiva. O
Figura 18-46 Anulando o efeito da indutncia
Os transceptores usados nas comuni-
caes podem fazer uso de acopladores
automticos de antena que fornecem o
casamento automtico de impedncia da antena
com a sada do transmissor.
Diagrama de irradiao
Quando uma antena irradia ondas
eletromagnticas, a irradiao mais forte em
algumas direes do que em outras.
18-26
O indutor deve ser ligado em srie com a
antena, em sua base, de acordo com a figura 18-
45.
comprimento eltrico da antena pode ser
diminudo com um capacitor de valor adequado,
para anular o efeito da indutncia, tornando a
antena resistiva.
A antena considerada direcional ao
longo da linha de irradiao mais intensa, que
perpendicular parte de corrente mxima na
antena. Se estas leituras forem usadas para fazer
um grfico em trs dimenses, as curvas obtidas
constituiro o diagrama de irradiao da antena.
O diagrama de irradiao de um dipolo de meia
onda disposta horizontalmente tem o formato
mostrado na figura 18-47.
Observe que a parte mais espessa do
diagrama est em um plano perpendicular ao
centro da antena. Neste plano ocorre o mximo
de irradiao. A parte mais delgada do diagrama Girando-se a antena 90 graus, em um
est ao longo do seu eixo que corresponde plano vertical, a irradiao mxima tem lugar
linha de irradiao mxima. em um plano horizontal.

Figura 18-47 Diagrama de irradiao do dipolo de meia onda

A figura 18-47 ilustra o caso em que a

antena est isolada no espao, afastada da terra.
Na prtica, a antena fica prxima do solo, de
modo que o padro de irradiao se altera
apreciavelmente.

Diagramas polares

A variao da intensidade de um sinal ao

redor da antena pode ser representada
graficamente por meio dos diagramas polares
como na figura 18-48.
A distncia zero se supe encontrar no
centro do grfico que indica o centro da antena e
as circunferncias dos crculos tangentes se
expressam em graus.
Os valores calculados ou medidos de
intensidade de campo podem ser representados
radialmente numa forma que mostra tanto a
magnitude como a direo para determinada
distncia a partir da antena.
As intensidades de campo no plano Figura 18-48 Diagramas polares
vertical se representam sobre diagramas polares
semicirculares (no indicados na figura) e so A figura 18-49 apresenta alguns tipos de
conhecidos como diagramas polares verticais. antenas usadas em aeronaves.

18-27
 Figura 18-49 Tipos de antenas de aeronaves
SISTEMAS DE INTERCOMUNICAO
Sistema integrado de udio
O sistema integrado de udio tem as
seguintes finalidades: selecionar, amplificar e
distribuir os sinais de udio, dos receptores, aos
fones e alto-falantes; comunicao entre a
cabine de comando e equipes de manuteno,
atravs do interfone de rampa; comunicao
entre os tripulantes, atravs do interfone de
cabine, comunicao entre tripulantes e
passageiros, controle do nvel dos sinais de
udio, interconexo do microfone com os
transmissores, apresentao simultnea de
alarmes sonoros com o sistema geral de alarmes
e fornecimento de sinais de udio para o
gravador de voz da cabine.
Descrio e localizao dos componentes:
1 Dois painis de controle de udio (CP)
instalados no painel principal e mais um
opcional.
2 Uma unidade eletrnica remota (VER),
instalada no compartimento eletrnico.
18-28
3 Dois interruptores PTT / HOT MIC,
instalados nos manches.
4 Fones e Jack de fones, instalados nos
consoles laterais e dois alto-falantes, instalados
no teto da cabine de comando.
Painel de controle de udio (ACP) Os painis
de controle de udio, um localizado no lado
esquerdo do painel de instrumentos (piloto) e o
outro localizado no lado direito (co-piloto),
proporcionam, independentemente, as seguintes
finalidades:
a) Teclas seletoras de microfone.
b) Botes de udio dos receptores.
c) Boto seletor de sensibilidade do Marker
Beacon.
d) Boto de filtro.
e) Boto seletor de microfone e controle de
volume principal.
f) Botes seletores dos receptores de
Marker Beacon.
g) Boto de seleo do modo automtico.
h) Boto do modo emergncia.
i) Boto dos alto-falantes.
j) Boto de chamada da atendente.
Figura 18-50 Sistema integrado de udio

18-29
Figura 18-51 Localizao dos componentes do sistema integrado de udio

18-30
a)Teclas Seletoras de Microfone
Localizadas ao longo da parte superior do
painel, so teclas do tipo INTERLOCK e
permitem a seleo das seguintes funes:
VHF1, VHF2, VHF3, HF, CABIN, CKPT
RAMP e PAX ADDRS.
Quando pressionada, cada tecla atua do
seguinte modo:
- VHF1: O microfone conectado ao VHF1.
- VHF2: O microfone conectado ao VHF2.
- VHF3: O microfone conectado ao VHF3.
- HF: O microfone conectado ao HF.
- CAB: Possibilita a comunicao com a
atendente.
- CKP RAMP: Possibilita a comunicao com
o operador de solo.
- PAX ADDRS: Possibilita a comunicao com
a cabine.
b) Botes seletores de udio dos receptores
Localizados na parte central do painel de
controle, estes botes so do tipo PULL-ON /
PUSH-OFF (combinado com um supressor de
rudo) que ligam ou desligam os seguintes
receptores e controlam seus respectivos sinais
de udio: VHF1, VHF2, DME1, DME2, ADF1,
NAV1, NAV2. Os botes VHF3, HF e ADF2
so opcionais.
c) Boto de sensibilidade do Marker Beacon
Localizado na parte central inferior do
painel de controle, este boto do tipo de ao
momentnea e, quando pressionado, permite a
mudana de sensibilidade do receptor de Marker
Beacon selecionado.
d) Boto Filtro (FILT)
Localizado na parte central inferior do
apinel de controle, entre os botes seletores de
udio dos receptores NAV1 e ADF2, este boto
do tipo PUSH-ON / PUSH-OFF e, quando
atuado, o sinal de identificao de 1020 Hz,
associado aos sinais de NAV e ADF filtrado,
deixando passar somente os sinais de voz.
e) Boto Seletor de Microfone e Controle
Principal de Volume
Localizado na parte central do painel de
controle, este boto a combinao de dois
botes.
18-31
O boto externo do tipo rotativo, para
seleo do microfone da mscara de oxignio ou
microfone labial.
O boto interno um potencimetro para
o controle principal de volume.
f) Botes Seletores dos Receptores do Marker
Beacon
Localizados na parte inferior do painel
de controle, estes botes so do tipo PUSH-ON
/ PUSH-OFF e selecionam o udio dos
receptores Marker 1 e Marker 2.
g) Boto do Modo Automtico (AUTO-SEL)
Localizado no lado direito inferior do
painel de controle, este boto do tipo PUSH-
ON / PUSH-OFF e, quando pressionado,
possibilita a seleo automtica do receptor
correspondente ao transmissor selecionado.
Neste caso, somente possvel, o
controle individual de volume, dos receptores.
h) Boto do Modo Emergncia (EMERG)
Localizado na parte inferior direita do
painel de controle, este boto do tipo PUSH-ON
/ PUSH-OFF, quando pressionado, em caso de
falha de um canal de udio, proporciona uma
conexo em paralelo com o outro canal, para os
fones e conexo do microfone para o VHF
(VHF1 para o piloto e VHF2 para o lado do co-
piloto).
As atuaes do boto de emergncia em
ambos os lados (canais) ou a perda de energia
em ambos, proporciona a conexo do microfone
e fones do piloto para o VHF1 e ADF1 e o do
co-piloto para o VHF2 e NAV1.
i) Boto do Alto-falante (SPKR)
Localizado na parte inferior esquerda do
painel de controle, este boto, do tipo PUSH-
ON / PUSH-OFF, quando pressionado, permite
a escuta simultnea dos sinais de udio, nos
fones e alto-falantes da cabine de comando.
j) Boto de chamada da Atendente (ATDT
CALL)
Localizado na parte inferior esquerda do
painel de controle, este boto de ao
momentnea e, quando pressionado, envia um
tom de udio para a chamada da atendente,
cabine de comando.
 Figura 18-52 Painel de controle de udio

Unidade Eletrnica Remota (REU) A unidade f) - VHF2 ST Ajusta o nvel de SIDETONE

eletrnica remota a unidade central do sistema do microfone, para o amplificador do fone,
de udio e possui dis canais idnticos e durante a operao do VHF2.
independentes, um para o piloto e outro para o
co-piloto. Um terceiro canal agora instalado g) SPKR ST Ajusta o nvel do SIDETONE,
para o sistema de udio do observador. do alto-falante da cabine de comando, durante a
Esta unidade possui todos os circuitos, transmisso.
de comutao, necessrios para o
funcionamento do sistema.
Todos os ajustes de SIDETONE so
acessveis pela parte frontal da unidade.
Os controles e ajustes de SIDETONE,
identificados na parte frontal da unidade, so:

a) PAST Ajusta o nvel de SIDETONE dos

alto-falantes dos passageiros, em funo do
udio do microfone.

b) INPH ST Ajusta o nvel do SIDETONE

para os fones, durante a operao do interfone.

c) HS ST Opcional (Ver ajustes VHF1 /

VHF2).
d) VHF3 ST Opcional (Ver ajustes VHF1 /
VHF2).
e) VHF1 ST Ajusta o nvel de SIDETONE
do microfone, para o amplificador do fone
durante a operao do VHF1.
Figura 18-53 Unidade central do udio
Interruptor PTT / HOT MIC Os dois
interruptores PTT / HOT MIC, instalados no
manche de ambos os postos de pilotagem, so
usados para transmisso e intercomunicao
entre os pilotos.

18-32
 Este interruptor do tipo deslizante e
possui trs posies a saber:
a) Posio central o interruptor est
desligado.

b) Posio PTT uma posio momentnea

e possibilita a transmisso em VHF ou HF e a
comunicao entre pilotos.

c) Posio HOT uma posio fixa e

possibilita de maneira contnua acomunicao
entre pilotos.

Figura 18-55 Localizao dos alto-falantes da

cabine de comando

Cada painel de controle transmite as

seguintes informaes para a unidade eletrnica:
seleo de todos os transmissores, seleo de
todos os interfones, seleo de mensagens aos
passageiros, o controle de volume de todos os
receptores e posies dos interruptores
ON/OFF, seleo do microfone de mo ou da
mscara de oxignio, controle principal de nvel
de volume, seleo da posio filtro, seleo do
Figura 18-54 Interruptor PTT / HOT MIC
MKR1 e MKR2, sensibilidade do Marker
Beacon, seleo de alto-falante e controle da
Fone, Microfone e Alto-falantes Ambos os
funo emergncia.
postos de pilotagem possuem um par de fones,
H outra linha, para cada painel de
um microfone de mo e um microfone instalado
controle de udio, conectada diretamente
na mscara de oxignio.
unidade central de udio, que permite a ativao
Os Jacks esto instalados nos consoles
do gerador de tons a fim de efetuar a funo de
laterais. Dois alto-falantes so instalados no teto
chamada da atendente.
da cabine de comando, um em cada posto de
pilotagem, permitindo a recepo de udio,
Interfone
sempre que desejada.
Dois outros alto-falantes, exclusivos dos
O avio est equipado com um sistema
sistemas de alarme, tambm so instalados no
de interfone o qual constitudo por quatro
teto da cabine de comando, um em cada posto
modos de operao: Interfone da cabine de
de pilotagem.
comando / rampa, interfone de cabine, interfone
do observador, interfone de cabine de comando.
Operao do sistema Cada painel de controle
de udio possui uma linha, conectada unidade
1) Interfone Cabine de Comando / Rampa -
eletrnica remota, cuja linha envia todas as
usado para comunicao entre o
informaes, sobre as posies dos controles,
operador de solo e a cabine de comando.
para esta unidade (REU).

18-33
 2) Interfone de Cabine usado para 4) Interfone de Cabine de Comando
comunicao entre a cabine de comando parte do sistema integrado de udio (j
e a atendente e vice-versa. descrito).
3) Interfone do Observador usado para
comunicao entre pilotos e observador.

Figura 18-56 Interfone de Cabine de Comando / Rampa

composto de um painel que contm Neste modo possvel que o piloto ou o

um Jack de interfone e um boto de ao
momentnea, COCKPIT-CALL, para
chamada da cabine de comando.
Um painel de interfone de rampa,
instalado no lado esquerdo do nariz do avio.
O interfone cabine de comando / rampa
ativado pela seleo da tecla CKP / RAMP, no
painel de controle de udio ou atravs do boto
COCKPIT-CALL, instalado no painel de
interfone de rampa.
co-piloto mantenha uma conversao
a simultnea ou no, com o operador de terra,
atravs do HOT-MIC.
Operao do sistema Quando o interruptor
COCKPIT-CALL pressionado, no painel de
controle do interfone de rampa, um tom de
600Hz, gerado pela unidade eletrnica remota,
ser ouvido nos fones e alto falantes da cabine.

18-34
 Em seguida o piloto(e ou co- udio) e posiciona o interruptor PTT / HOT
piloto)pressiona o boto CKPT / RAMP, cuja MIC para HOT MIC, ento ele poder falar com
luminosidade aumenta (no painel de controle de o operador de solo.

Figura 18-57 Painel de interfone de rampa

18-35
Figura 18-58 Sistema de Interfone de Cabine de Comando / Rampa

18-36
Interfone de Cabine
Este modo possibilita, ao piloto ou co-
piloto, falar simultaneamente ou no, com a
atendente, atravs do HOT-MIKE.
Quando o modo interfone de cabine
ativado a indicao atravs do anunciador CAB
visvel simultaneamente em ambos os painis
de controle de udio e seu sinal sonoro HI-LO
apresentado pelo sistema de endereamento aos
passageiros.
O interfone de cabine constitudo de:
-Uma unidade central de udio, instalada no
compartimento eletrnico.
-Um conjunto de interfone da atendente,
instalado no lado esquerdo da cabine, atrs do
assento do piloto.

Figura 18-59 Localizao dos componentes do interfone da cabine de passageiros

A unidade central de udio recebe sinais
do microfone da cabine de comando e da
estao da atendente e controla os sinais de PTT
da cabine de comando e da atendente e envia
sinais para os alto-falantes da cabine de
passageiros, SIDETONE de endereamento aos
passageiros, sinais sonoros para a cabine de
comando e para os fones dos pilotos e
atendente.
A unidade possui internamente um
gerador de tons.
Os tipos de tons gerados e apresentados,
com o propsito de chamada e endereamento,
so:

18-37
a) Chamada da atendente, pela cabine de
comando TOM-HI-LO.
b) Chamada da cabine de comando, pela
atendente TOM HI-LO.
c) Chamada para endereamento aos pas-
sageiros TOM-HI.
d) Aviso APERTE O CINTO TOM-LO.
e) Aviso NO FUME TOM-LO.
f) Chamada da atendente, pelos passageiros
TOM-HI.
O suporte da estao da atendente possui
trs botes para a seleo das funes CAB,
DET. A
Figura 18-60 Instalao do painel de controle de udio
Operao A comunicao entre pilotos e
atendente e vice-versa, efetuada pressionando-
se o boto CAB num dos painis de controle de
udio ou na unidade de controle da atendente.
Na unidade central de udio um sinal de
udio HI-LO (DIM / DOM) gerado e
distribudo aos alto-falantes para chamar a
ateno.
18-38
PAX, MUS e boto com a funo de PTT,
localizado no interfone.
a) Boto CAB Este boto responsvel pela
chamada da cabine de comando, atravs de
um sinal HI-LO. Quando pressionado, ele
cicla at que o piloto e/ou co-piloto
selecione o anunciador correspondente.
b) Boto PAX Quando pressionado, esse
boto iluminar-se- possibilitando a
comunicao entre a atendente e os
passageiros..
c) Boto MUS Quando pressionado, ativa o
sistema de entretenimento aos passageiros.
O boto CAB fica ciclando at que seja
pressionado.
Quando a atendente remove o fone de
seu brao o interruptor ON/HOOK/OFF HOOK
conecta o microfone ao sistema.
Quando termina a comunicao, a
ligao desativada automaticamente, quando a
atendente coloca o seu fone no gancho (bero).
 Figura 18-61 Operao do modo interfone cabine dos pilotos

Modo interfone do observador O modo modo intercomunicao. No existem meios

interfone do observador possibilita comunicao
entre pilotos e observador.
H duas verses para o modo de
interfone do observador.
a) Verso Certificado FAA Esta verso tem
meios de controlar o udio dos receptores e
selecionar o modo de intercomunicao da
tripulao. Ela normalmente instalada em
aeronaves com certificado FAA.
b) Verso Certificado CTA Esta verso
somente controla o volume e o PTT do
de controlar o udio dos receptores. O modo
interfone do observador consiste de:
a) Um painel de controle de udio,
instalado direita do painel de forrao
da linha do duto do ar condicionado.
b) Um painel de interconexo de fone e
microfone, instalado abaixo do painel de
controle de udio do observador.
c) Um microfone labial, instalado acima da
cadeira do co-piloto.

18-39
 Figura 18-62 Painel de udio do observador

Na verso Certificado FAA, o painel de
udio do observador composto dos controles
abaixo discriminados.
Botes dos Receptores Ligam,
desligam e controlam o volume para seleo das
seguintes funes: VHF 1, VHF 2, VHF 3, HF,
DME 1, DME 2, ADF 1, ADF 2, NAV 1 e NAV
2. Se dois botes forem selecionados os seus
sinais sero superpostos.
Botes de seleo de Microfone e
Volume Principal O seletor externo, seleciona
microfone labial ou microfone de mscara. O

18-40
interno o controle principal de volume,
atuando sobre os sinais que esto sendo
enviados para os fones ou auto-falantes da
cabine de comando.
- Boto Marker Beacon 1 (MKR1) - Possibilita
a seleo de udio do Marker Beacon n 1.
- Boto Marker Beacon 2 (MKR2) - Possibilita
a seleo de udio do Marker Beacon n 2.
- Boto Intercomunicao (IC) - Possibilita
comunicao contnua entre o observado e os
pilotos.
- Boto filtro (FILTER) - Quando pressionado
possibilita a audio do sinal de identificao de
1020 Hz do VHF, NAV e ADF.
O painel de interconexo de fone /
microfone do observador possui os seguintes
Jacks e interruptores:
a) Jack de Microfone Conecta o
microfone de mscara ou o microfone
labial.
b) Jack de fone Conecta o fone do
observador.
c) Interruptor PTT / HOT PTT uma
posio momentnea que permite
comunicao entre observador e pilotos.
d) HOT uma posio fixa.
Na verso Certificado CTA, o painel de
udio do observador possui os controles
discriminados a seguir:
- Interruptor Seletor Piloto/Co-piloto Possi-
bilita ao observador selecionar o udio do piloto
ou co-piloto.
- Interruptor PTT / HOT Possibilita interco-
municao com os pilotos. Este interruptor
possui trs posies
a) Posio central o interruptor est
desligado.
b) Posio PTT uma posio
momentnea e possibilita a comunicao
com os pilotos.
c) Posio HOT uma posio fixa e
tambm permite a comunicao com os
pilotos.
- Controle de volume um potencimetro
usado para controlar o volume de udio, no fone
do observador.
- HDPH-MIC Jack de fone e microfone.
18-41
O microfone labial do observador
constitudo de um fone e um microfone, cujos
jacks devero ser conectados ao painel de
controle de udio, do observador.
Atravs do interruptor PTT (HOT), do
painel de controle de udio do observador, este
se comunica com os pilotos.
A comunicao, entre o piloto ou o co-
piloto e o observador, efetuada por meio do
interruptor PTT / HOT MIC (nos manches) ou
por meio do boto CKP / RAMP (no painel de
controle de udio do piloto ou do co-piloto).
Sistemas de Endereamento aos passageiros
Os sistemas de endereamento aos
passageiros e entretenimento, possibilitam um
aviso de voz e msica para os passageiros.
Possibilita tambm a transmisso de um aviso
para os passageiros atravs dos pilotos e
atendente, assim como, sinais de tom.
O avio opcionalmente provido de
msica de bordo para entretenimento dos
passageiros.
Descrio e localizao dos componentes O
sistema de endereamento aos passageiros,
possibilita um aviso de voz, comunicao entre
pilotos e atendente e chamada da atendente
pelos passageiros, assim como gerao de tons
para a sinalizao de udio.
O endereamento aos passageiros
efetuado atravs de:
a) Alto-falantes instalados na cabine dos
passageiros e no teto do toalete.
b) Dois interruptores de avisos aos
passageiros No fume e Aperte os
cintos instalados no painel superior
afim de ativas sinais de udio aos
passageiros.
c) Avisos No fume e Aperte os
cintos instalados nas unidades de
servio dos passageiros e na parte
superior direita do armrio da atendente.
d) Aviso Retorne ao seu lugar
Instalado no toalete e conectado ao
aviso - Aperte o cinto.
e) Botes de chamada da Atendente,
instalados na unidade de servio dos
passageiros e toalete.
 Figura 18-63 Localizao dos componentes do sistema de avisos aos passageiros
Operao Os avisos aos passageiros, pelo
piloto/co-piloto, so selecionados no painel de
controle de udio (PCA). Os avisos de
mensagens aos passageiros (PAX ADRS) tm o
brilho aumentado em ambos os painis (PCA) e,
simultaneamente, o anunciador PAX iluminar-
se- na unidade da atendente.
O tom da cabine ativado em HI (DIM).
O piloto e/ou co-piloto pressiona o PTT
do manche ou o PTT do microfone e fala.
Terminada a comunicao, a funo
automaticamente desativada, quando o piloto ou
o co-piloto seleciona outra funo relacionada
ao microfone.
Sistema de alarme
O sistema de alarme alerta os membros
da tripulao, por meios visuais e sonoros,
quando da ocorrncia de qualquer situao
anormal de vo.
Descrio e localizao dos componentes:
-Um painel mltiplo de alarmes (PMA),
instalado no painel principal.
18-42
-Dois pares de luzes de alarme geral, instaladas
nos lados esquerdo e direito do PMA.
-Dois botes de cancelamento, instalados ao
lado de cada par das luzes de alarme geral.
-Um controlador das luzes de alarme, instalado
no console lateral direito.
-Um interruptor BAT/DIM/TEST, instalado no
painel superior.
-Vrias luzes discretas de indicao de alarme,
distribudas em diversos painis da cabine de
comando.
-Uma unidade de alarme sonoro, instalada no
compartimento eletrnico e dois alto-falantes,
instalados no teto da cabine de comando.
Painel Mltiplo de Alarmes (PMA) Este
painel consiste de um mostrador de falhas, com
capacidade de apresentar at 40 legendas
coloridas e iluminadas.
Estas legendas so agrupadas em
mdulos de ateno (WARNING) e alerta
(CAUTION), os quais identificam
imediatamente o sistema ou equipamento em
falha.
 Figura 18-64 Painel Mltiplo de Alarmes
As legendas em vermelho (WARNING),
quando acesas, indicam a necessidade de uma
ao corretiva imediata e as legendas em mbar
(CAUTION), quando no se requer
necessariamente uma ao corretiva e imediata.
As legendas dos mdulos so ilegveis
quando no esto iluminadas.
Quando uma falha ocorre, o mdulo
correspondente iluminado de modo
intermitente, a uma frequncia de 4 Hz. Assim
que o piloto percebe o alarme, ele pode, atravs
do boto ALARM CANCEL, cancelar a
alternncia da luz, que permanecer
continuamente acesa enquanto a falha persistir.
Se o sinal de falha for removido antes ou depois
da operao de cancelamento, o mdulo
indicador apagar-se- imediatamente, indicando
que a falha no mais existe.
Sempre que o mdulo mbar ativado
(acende-se) so gerados dois sinais: um sinal de
massa (4 Hz negativo) para comandar as luzes
de alarme geral (mbar) de advertncia
(CAUTION) e um outro sinal tpico, para
disparar o sistema de alarme sonoro.
Existem tambm, avisos sonoros
associados s lmpadas vermelhas. Os sinais de
comandos para estes avisos so gerados no
O PMA tem um circuito que continuamente
monitora o suprimento de energia. Caso uma
das entradas de alimentao seja cortada, o
mdulo POWER OFF ficar piscando. Uma vez
rearmado, o mdulo iluminar-se- num nvel
estvel, at que a energia seja restabelecida ou a
segunda entrada tambm seja cortada.
Existem dois tipos de legendas:
a) Legendas especficas So as que permitem
aos pilotos a identificao do sistema em falha,
sem a necessidade de maiores informaes de
qualquer outro painel.
b) Legendas de sistema So as que indicam
aos pilotos somente o sistema que apresenta-se
em falha. O piloto precisa olhar para o painel
correspondente ao sistema em falha e observar
qual a lmpada de indicao ou alarme que est
acesa, a fim de identificar a falha.
Exemplo:
- Porta de entrada dianteira destravada.
- Legenda DOOR, no painel mltiplo de
alarmes.
- Luz discreta de indicao e alarme
FORWARD, no painel de portas,
piscando, indicando a porta di