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Eletrnica Bsica 2005 Capitulo 1 - Diodo

Captulo 1 Diodos
1.1- Teoria Bsica dos Semicondutores
1.1.1 O tomo e sua constituio
tomos: partcula elementar da matria, que, se subdividida, faz o
elemento perder suas caractersticas.
Cada elemento tem uma estrutura prpria
Molcula: menor poro possvel de conjunto de tomos
Composio atmica
o prtons esto sempre presentes no ncleo e tm carga eltrica
positiva.
o nutrons podem estar ou no presentes no ncleo e no tm
carga eltrica. Sua massa prxima da do prton.
o eltrons esto sempre nas rbitas e tm carga eltrica
negativa, mas de magnitude igual do prton
o tomo caracterizado pela quantidade de prtons no ncleo
nmero atmico

Ltio 3 prtons, 4 nutrons e 3 eltrons


Istopos: mesmo elemento com diferentes nmeros de nutrons
Carga eltrica nula: 3 prtons e 3 eltrons
Ligao do eltron com o tomo pode ser rompida ou
adicionada
o on positivo ou on negativo

1.1.2 - Nveis de energia


Distribuio dos eltrons em torno do ncleo no aleatria.

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Um eltron tem uma energia potencial que depende da sua distncia


at o ncleo
energia cintica que depende da sua velocidade.
soma de ambas a energia total do eltron.
A energia total que o eltron pode ter definida em valores
discretos
O eltron s pode ocupar determinadas rbitas ou nveis de energia.
Os nveis possveis so sete e esto representados na Fig 2.

Nmero mximo de eltrons em cada nvel: limitado princpio de


excluso de Pauli
2n2 onde n o nmero do nvel.
o Nvel 1 poder no mximo 2,
o Nvel 2 no mximo 8
Regra geral na natureza: estabilizao na menor energia possvel.
o Nveis so preenchidos na seqncia do menor para o maior e
um nvel s poder conter eltrons se o anterior estiver
completo.
o Eltrons em cada nvel ocupam subnveis e cada um pode
conter um nmero mximo de eltrons
o subnveis so designados pelas letras s, p, d e f e os valores
mximos so respectivamente 2, 6, 10 e 14.

1.1.3 - Valncia
eltrons em um tomo de cobre, nmero atmico 29.

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O nvel mais externo (4, neste exemplo) chamado de nvel de


valncia
e os eltrons presentes nele so os eltrons de valncia.

O nmero de eltrons de valncia:


o define a capacidade do tomo de ganhar ou perder eltrons e de
se combinar com outros elementos.
o propriedades qumicas e eltricas dependem da valncia.

Para este caso do cobre: 1s22s22p63s23p63d104s1.


1.1.4 Bandas de Energia
tomos juntos num material slido:
o as foras de interao entre os mesmos so significativas.
o provoca uma alterao nos nveis de energia acima da valncia.
o podem existir nveis de energia no permitidos, logo acima da
valncia.
Conduo de eletricidade:
os eltrons de valncia, sob ao de um potencial eltrico
aplicado, saltem do nvel de valncia para um nvel ou banda de
conduo.
material condutor:
o no existem nveis ou banda de energia proibida entre a
conduo e a valncia;
o a corrente flui facilmente sob a ao do campo eltrico.

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material isolante: tem uma larga banda proibida entre a valncia


e conduo. E dificilmente haver conduo da corrente.
semicondutores: possuem bandas proibidas com larguras
intermedirias. Isto significa que podem apresentar alguma
conduo, melhor que os isolantes mas pior que os condutores.

1.1.5 Impurezas em Materiais Semicondutores

o capacidade de um tomo de se combinar com outros depende do


nmero de eltrons de valncia.
o A combinao s possvel quando este menor que 8.
o Elementos com 8 eltrons de valncia no se combinam. So estveis
e inertes.
o silcio, semicondutor mais usado e tem 4 eltrons de valncia.

o No estado puro cada, par de eltrons de tomos distintos formam a


chamada ligao covalente, de forma que cada tomo fique no estado
mais estvel, isto , com 8 eltrons na camada externa.
o estrutura cristalina homognea, tridimensional.
o O material continua um semicondutor.
o Quando certas substncias, chamadas impurezas so adicionadas, as
propriedades eltricas so radicalmente modificadas.
o elemento antimnio, que tem 5 eltrons de valncia, for adicionado
o alguns tomos deste substiturem o silcio na estrutura cristalina;

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o 4 dos 5 eltrons iro se comportar como se fossem os de valncia do
silcio e o excedente ser liberado para o nvel de conduo ;

o O cristal ir conduzir e, devido carga negativa dos portadores


(eltrons), denominado semicondutor tipo n.
o material continua eletricamente neutro pois os tomos tm o mesmo
nmero de prtons e eltrons.
o a distribuio de cargas muda, de forma a permitir a conduo.
o impureza com 3 eltrons de valncia (alumnio, por exemplo)
adicionada.

o Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para


completar a falta no tomo da impureza;
o Cria-se um buraco positivamente carregado no nvel de valncia e o
cristal ser um semicondutor tipo p, devido carga positiva dos
portadores (buracos).

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1.2 - Juno PN
1.2.1 Conduo em Cristais
Metais
Eltron do tomo de cobre na ltima camada: rbita extremamente grande (alto
nvel de energia), sente pequena atrao do ncleo;
o Banda de energia chamada banda de conduo;
o Conduzem correntes altas sob ao do campo eltrico.
Semicondutores
Barra de silcio com extremidades metlicas, polarizada.
H passagem de corrente?
Depende da existncia de eltrons que possam deslocar-se;
Em 0 K os eltrons no podem se mover dentro do cristal;
Eltrons de valncia fortemente presos plos tomos de silcio;

Trs primeiras faixas esto preenchidas,


Eltrons dessas bandas no podem deslocar-se com facilidade porque no h
rbitas vazias.
Acima da banda de valncia est a banda de conduo.
temperatura de zero absoluto a banda de conduo est vazia;
No pode haver nenhuma corrente no cristal de silcio.

1.2.2 - ACIMA DO ZERO ABSOLUTO


Energia trmica quebra algumas ligaes covalentes;

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Eltrons saltam da banda de valncia para a banda de conduo;
Nas rbitas de banda de conduo, os eltrons esto fracamente presos pelos
tomos;
Sob a ao do campo eltrico, estes eltrons livres movem-se para a esquerda e
estabelecem uma corrente.

Eltron bombeado para a banda de conduo -> cria-se uma lacuna na banda
de valncia.
Banda de valncia j no est mais saturada ou preenchida;
cada lacuna na banda de valncia representa uma rbita de rotao disponvel.
Quanto mais alta a temperatura, maior o nmero de eltrons de valncia
empurrados para a banda de conduo e maior a corrente.
temperatura ambiente (cerca de 25C), a corrente pequena demais para ser
utilizvel.
Nesta temperatura, um pedao de silcio no nem bom isolante nem bom
condutor.
chamado semicondutor.

1.2.3 - SILCIO VERSUS GERMNIO


Germnio outro elemento tetravalente;
Contm mais eltrons que o silcio;
Razo principal que fez o silcio tornar-se totalmente superior ao germnio na
fabricao de diodos, transistores e de outros componentes semicondutores.
Falta de eltrons livres no silcio puro constituir-se numa vantagem enorme.

1.2.4 - CORRENTE DE LACUNAS


Lacunas num semicondutor tambm produzem uma corrente.
Semicondutor oferece dois trajetos para a corrente,

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Banda de conduo (rbitas maiores)
Banda de valncia (rbitas menores)
Corrente da banda de conduo num semicondutor semelhante
corrente no fio de cobre;
Corrente da banda de valncia bem diferente.

Eltron excitado para a banda de conduo;


A lacuna que criada atrai o eltron de valncia em A;
Com uma pequena variao na energia, o eltron de valncia em A pode se
deslocar para a lacuna.
Lacuna inicial desaparece e uma nova lacuna aparece no ponto A.
A nova lacuna em A pode atrair e capturar o eltron de valncia em B.
Quando o eltron de valncia se desloca de B para A, a lacuna desloca-se de A
para B.
Os eltrons de valncia podem continuar a deslocar-se ao longo do trajeto
mostrado atravs das setas; as lacunas deslocam-se no sentido oposto.

1.2.5 - PARES ELTRON-LACUNA


Tenso externa no cristal: fora os eltrons a deslocarem-se.
Dois tipos de eltrons mveis

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Eltrons da banda de conduo
Eltrons da banda de valncia (ou movimento das lacunas).
Semicondutor puro, a existncia de cada eltron da banda de conduo garante a
existncia de uma lacuna na rbita de valncia de algum tomo.
Energia trmica produz pares eltrons-lacuna.
As lacunas agem como se fossem cargas positivas: indicadas com o sinal mais

1.2.6 - RECOMBINAO

rbita do eltron da banda de conduo de um tomo pode interceptar a rbita


da lacuna de outro.
Desaparecimento de um eltron livre e de uma lacuna chamado recombinao.
Quando ocorre a recombinao, a lacuna no se desloca mais para lugar algum,
ela desaparece.
Processo est constantemente acontecendo num semicondutor.
Energia trmica: mantm a produo de novas lacunas elevando os eltrons de
valncia at a banda de conduo.
Meia vida:
o Tempo mdio entre a criao e o desaparecimento de um par eltron-
lacuna;
o Varia de nanossegundos at vrios microssegundos
o Depende da perfeio da estrutura do cristal e de outros fatores.

1.2.7 - DOPAGEM
Cristal de silcio puro (apenas tomos de silcio): semicondutor intrnseco.
Para a maioria das aplicaes, no h eltrons livres nem causas suficientes num
semicondutor intrnseco para produzir uma corrente utilizvel;
Dopagem: introduo de tomos de impurezas num cristal de modo a aumentar
tanto o nmero de eltrons livres quanto o nmero de lacunas;
Cristal dopado: semicondutor extrnseco.

1.2.7.1 - SEMICONDUTOR TIPO-n


tomos pentavalente: mais eltrons da banda de valncia;
Depois de formar ligaes covalentes com quatro vizinhos, este tomo central
tem um eltron a mais que sobra;
rbita de valncia: no pode conter mais de oito eltrons,

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o eltron que sobra precisa percorrer uma rbita da banda de conduo.

Grande nmero de eltrons da banda de conduo produzido


principalmente pela dopagem.
Eltrons so portadores majoritrios
Existem apenas algumas lacunas, criadas pela energia trmica.
o Lacunas so os portadores minoritrios.
o Silcio dopado conhecido como um semicondutor do tipo-n,
o n significa negativo.
tomos pentavalentes so chamados freqentemente tomos doadores
Exemplos de impurezas doadoras: arsnio, o antimnio e o fsforo.

1.2.7.2 - SEMICONDUTOR TIPO-P


Usando impureza trivalente (trs eltrons na rbita mais externa);

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Cada tomo trivalente est cercado por quatro vizinhos
Sete eltrons se encontraro nas suas rbitas de valncia.
o Aparece uma lacuna em cada tomo trivalente.
o Quantidade de impureza adicionada, pode-se controlar o nmero de
lacunas no cristal dopado.
Semicondutor dopado com uma impureza trivalente: semicondutor do tipo-p
Lacunas no semicondutor tipo-p excedem de longe os eltrons da banda de
conduo.
Lacunas so os portadores majoritrios num semicondutor tipo-p,
Eltrons de banda de conduo constituem os portadores minoritrios.
tomos trivalentes tambm so conhecidos como tomos aceitadores
Cada lacuna que eles fornecem pode aceitar um eltron durante a recombinao.
tomos aceitadores: alumnio, o boro e o glio.

1.2.8 - A Juno PN
Cristal metade do tipo-p e metade do tipo-n;
juno a regio onde se encontram os cristais;
Um cristal pn conhecido como diodo;

cristal pn no instante de sua formao.


o lado p tem vrias lacunas (portadores majoritrios)
o lado n possui vrios eltrons livres (portadores majoritrios).
no h nenhuma tenso externa aplicada

1.2.9 - CAMADA DE DEPLEO


repulso mtua,
o Eltrons livres no lado n difundem-se ou espalham-se em todas as
direes, inclusive atravs da juno.

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o Eltron livre sai da regio n, cria-se um on positivo nela.
o medida que ele penetra na regio p, o eltron livre torna-se um portador
minoritrio.
Com lacunas em volta dele, este portador minoritrio tem uma vida mdia curta;
Na regio p, o eltron livre preencher uma lacuna.
o Lacuna desaparece e o seu tomo torna-se um on negativo;
o Cada eltron que se difunde atravs da juno, cria um par de ons.
Os ons esto fixos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente
o Conforme o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno est
totalmente esgotada de eltrons livres e lacunas;
o Esta regio chamada de camada de depleo.

1.2.10 - BARREIRA DE POTENCIAL


A intensidade da camada de depleo continua aumentando com cada eltron
que a atravessa at que se atinja um equilbrio.
Camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso
de eltrons livres atravs da juno;
A repulso interna da camada de depleo interrompe a difuso dos eltrons
livres atravs da juno.
A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada barreira de
potencial;
A 25C, esta barreira de potencial aproximadamente igual a 0,7 V para os
diodos de silcio;
Diodo de germnio tem barreira de potencial de 0,3 V.

1.2.11 - POLARIZAO DIRETA


Fonte cc aplicada atravs de um diodo;
O terminal positivo da fonte est ligado ao material tipo-p, e o terminal negativo
ao material tipo-n;
ligao desse tipo chamada de polarizao direta.

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1. Depois de sair do terminal negativo, ele entra pela extremidade direita do cristal.
2. Percorre a regio n como um eltron livre.
3. Prximo juno recombina-se e torna-se um eltron de valncia.
4. Passa pela regio p como um eltron de valncia.
5. Depois de sair pela extremidade esquerda do cristal, ele segue para o terminal
positivo da fonte.

1.2.12 - BANDAS DE ENERGIA


fluxo em termos de bandas de energia.
barreira de potencial d s bandas p um pouco mais de energia do que para as
bandas n - as bandas p so mais altas do que as bandas n.
polarizao direta empurra os eltrons da banda de conduo na regio n em
direo juno.
Ao entrar na regio p, cada eltron encontra uma lacuna (percurso A).
Ele continua a sua jornada em direo extremidade esquerda do cristal como
eltron de valncia.
Eltron da banda de conduo pode encontrar uma lacuna antes de atravessar a
juno.
Eltron de valncia pode atravessar a juno da direita para a esquerda;
Isto deixa uma lacuna exatamente direita da juno. Esta lacuna no dura
muito, ela logo preenchida por um eltron de banda de conduo (trajeto B).
Independentemente de onde a recombinao ocorre, o resultado o mesmo.
o Um fluxo estvel de eltrons de banda de conduo desloca-se em direo
juno e preenche as lacunas prximas juno.
o Os eltrons capturados (agora eltrons de valncia) movem-se para a
esquerda formando um fluxo estvel atravs das lacunas da regio p.

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o Fluxo contnuo de eltrons atravs do diodo.
medida que os eltrons livres desaparecem ao longo dos trajetos A e B, eles
descem de um nvel mais alto de energia para um outro mais baixo.
medida que decaem, irradiam energia na forma de calor e de luz.

1.2.13 - POLARIZAO REVERSA


O semicondutor tipo-n ligado ao terminal + e o semicondutor tipo-p ligado
ao terminal ;
Qual o efeito produzido pela reverso da polarizao?

Fora os eltrons livres na regio n a se afastarem da juno em direo ao


terminal positivo da fonte;
Lacunas da regio p tambm se deslocam da juno para o terminal negativo.
Eltrons que saem deixam mais ons positivos prximos juno, e as lacunas
ao se afastarem deixam mais ons negativos.
Camada de depleo fica mais larga.
o Quanto maior a polarizao reversa, maior torna-se a camada de depleo.
A camada de depleo pra de aumentar quando a sua diferena de potencial se
iguala tenso da fonte.
Bandas de energia:
o A camada de depleo torna-se maior at que a sua diferena de potencial
se iguale tenso da fonte.
o Quando isto ocorre, os eltrons livres e as lacunas param os seus
movimentos.

1.2.14 - CORRENTE DE PORTADORES MINORITRIOS


H alguma corrente depois da camada de depleo para ajustar-se a sua nova
largura?

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o Sim, uma corrente muito pequena.
o Energia trmica cria continuamente um nmero limitado de eltrons livres
e de lacunas de ambos os lados da juno (portadores minoritrios).
Corrente reversa produzida pelos portadores minoritrios chamada corrente de
saturao;
O nome saturao se refere que no pode ter mais corrente do que a produzida
pela energia trmica.
Aumentando-se a tenso reversa, no haver aumento no nmero de portadores
minoritrios criados termicamente;
Somente um aumento de temperatura pode aumentar IS;
Um diodo de silcio tem um valor de IS muito menor do que um diodo de
germnio. Esta uma das razes pelas quais o silcio domina o campo dos
componentes semicondutores.

1.2.15 - CORRENTE DE FUGA SUPERFICIAL


Alm da corrente reversa atravs do cristal, h uma corrente pequena na
superfcie do cristal.
Esta outra componente da corrente reversa chamada corrente de fuga
superficial
Ela produzida por impurezas da superfcie que criam trajetos hmicos para
a corrente.
corrente de fuga superficial extremamente pequena.

1.2.16 - TENSO DE RUPTURA


Aumento na tenso reversa atingir um ponto de ruptura, chamado tenso de
ruptura do diodo. Para diodos retificadores a tenso de ruptura geralmente
maior do que 50 V.
Atingida a tenso de ruptura, o diodo pode conduzir intensamente.
De onde provm subitamente os portadores?
Considere um eltron livre produzido termicamente e uma lacuna dentro da
camada de depleo. Devido polarizao reversa, o eltron livre empurrado
para a direita.
medida que se desloca, ele ganha velocidade.
Quanto maior a polarizao reversa, mais rpido desloca-se o eltron (o que
equivale que ele ganha mais energia).
Pouco depois o eltron livre pode colidir com um eltron de valncia;

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Se o eltron livre tiver energia suficiente, ele pode desalojar o eltron de
valncia, de modo a formar dois eltrons livres;
Os dois podem se acelerar e desalojar outros eltrons de valncia at ocorrer a
maior avalanche possvel;
Por causa do grande nmero de eltrons livres, o diodo conduzir intensamente e
ser danificado pela excessiva potncia dissipada;
No se deve permite na maioria dos diodos que cheguem ao rompimento;
a tenso reversa atravs de um diodo retificador sempre mantida abaixo da sua
tenso de ruptura;

1.3 - Curva Caracterstica do Diodo

1.3.1 Componentes Lineares


Lei de Ohm: corrente em um resistor proporcional tenso aplicada;

Resistor de 500
Reverso da tenso no produz efeito sobre a linearidade

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Resistor um componente linear
componente passivo dissipa potncia
bateria componente ativo
1.3.2 Grfico do Diodo
Smbolo esquemtico do diodo retificador
Lado p anodo
Lado n catodo
Polarizao Direta / Reversa com fonte de tenso

Medies de corrente e tenso


Diodo no-linear
Tenso de joelho: diodo no conduz at ser atingido potencial maior que
a tenso da barreira de potencial (tenso de limiar);

Para tenses maiores que a tenso de limiar, a corrente aumenta


consideravelmente;

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Acima da tenso de limiar, a corrente limitada apenas pela resistncia
de corpo resistncia hmica da regio p-n, que linear;
Diodo associa duas resistncias
o uma altamente no-linear da juno PN (abaixo de 0,7 V);
o outra linear, da regio P e N fora da camada de depleo (acima
de 0,7 V);
Regio reversa: corrente de saturao pequena (corrente de fuga), da
ordem de nano ou micro amperes;
Tenso de ruptura: -BV avalanche provoca aumento brusco na
corrente reversa;
Resistor no circuito com Diodo:
o Usado em srie com o diodo (figura 2.16.b);
o Resistor limitador de corrente;
o Valor de RS de forma a manter a corrente mxima direta abaixo
da especificao;

1.3.3 Reta de Carga

o Determinao exata do valor de corrente e tenso no diodo;


o A corrente no circuito :
VS V
I=
Rs
o Se, VS = 2 V e RS = 100 , ento:
2V
I=
100
o Pontos de cruzamento nos eixos :
o V = 0 (I = 20 mA) ponto de corte
o I = 0 (V = 2V) ponto de saturao
o Outros valores permitem calcular os pontos da reta de carga
o Ponto Q (quiescente) ponto de operao
o Ponto de interseco entre a reta de carga e a curva do diodo;
o VQ = 0,75 V e IQ = 12,5 mA;
o Outras retas de carga:

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VS
I= e V = VS
RS

o Exerccio
o Calcule a reta de carga para VS = 3 V e RS = 100 e determine o
ponto quiescente.

1.3.4 Circuitos Equivalente dos Diodos


Tenso de limiar: aproximaes de 10%;
Primeira aproximao: Diodo Ideal
o Conduo direta e bloqueio quando polarizado reversamente;

Segunda aproximao:

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o Tenso de limiar constante de 0,7 V incluso de uma fonte dc;

Terceira aproximao:
o Incluso de uma resistncia rB

Exerccio
Usando a segunda aproximao, determine a corrente no diodo para o
circuito: Vs = 10 V, RS = 5 k

1.3.5 Funcionamento do Diodo com Tenso Alternada

No semiciclo positivo da tenso alternada, o diodo fica polarizado


diretamente;
No semiciclo negativo o diodo polarizado reversamente;
Exerccio:
o No circuito dado, considere a tenso de entrada como uma senide
com tenso de pico de 24 volts. Esboce a forma de onda de tenso e
corrente no diodo. Vs = 0 e Vs = 12 V.

1.4 - Circuitos Digitais Usando Diodos


Portas Lgicas:

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o Circuitos baseados em diodos e resistores podem realizar operaes
lgicas.
o Porta OR

V VA VB VC VS
0 0 0
V 0 0 5
0 5 0
V VS 0 5 5
5 0 0
RR 5 0 5
5 5 0
5 5 5
o Porta AND

+5V VA VB VC VS
0 0 0
R 0 0 5
VA VS 0 5 0
0 5 5
VB 5 0 0
5 0 5
VC 5 5 0
5 5 5

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1.5 Circuitos com Diodos Retificadores


Transformador:
o Dois enrolamentos de cobre em chapas de material com alta
permeabilidade magntica;
o Terminais primrio e secundrio;
o mquina esttica que transforma a tenso de alimentao (primrio),
numa tenso de sada maior ou menor (secundrio);
o acoplamento magntico;
o alto rendimento ( > 97%) ;
o mesma freqncia (geralmente 60 Hz) ;

Retificao: processo de converso de tenso alternada em tenso com uma


nica polaridade;
Tenso contnua: pode ser obtida com melhoria na tenso retificada.

1.5.1 Retificador de Meia Onda


Utiliza apenas um diodo;

Semiciclo positivo: diodo polarizado diretamente;


Semiciclo negativo: diodo polarizado reversamente;
Tenso de Pico Inversa: Igual tenso de pico do secundrio do
transformador;

Tenso Mdia (deduzir): 0,318 VPICO

1.5.2 Retificador de Onda Completa (Retificador em Ponte)


Maior valor mdio e eficaz;
Corrente balanceada em ambos os semiciclos;
Semiciclo positivo: D2 e D3 polarizados diretamente
semiciclo negativo: D1 e D4 polarizados diretamente

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qualquer semiciclo, a tenso na carga tem a mesma polaridade;
freqncia de sada o dobro da freqncia de entrada;
tenso de pico inversa: V2 (pico)
Tenso Mdia (deduzir):
VCC = 0,636 V2 (pico)

1.5.3 - Filtro com capacitor de Entrada


Tenso de sada de um retificador um sinal pulsante;
usado em: carga de baterias, motores CC
alimentao de circuitos eletrnicos: tenso cc, constante
Acoplamento de capacitor na sada do retificador
Funcionamento:
o Tenso retificada (pulsante) sobre o capacitor;
o Capacitor carregado at VP;
o Diodo entra em corte, polarizado reversamente pelo capacitor;
o Capacitor se descarrega atravs da resistncia de carga;
o Constante de tempo elevada: carga diminua pouco no semiciclo negativo;
No semiciclo positivo seguinte, o diodo conduz apenas quando a tenso na sada
do retificador supera a tenso no capacitor, carregando-o novamente.
Ondulaes de tenso na carga: regulao da fonte;
Filtro com Retificador de Onda completa: Figura (e)

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1.5.4 Multiplicadores de Tenso


Circuitos formados por dois ou mais retificadores de pico
Produz tenso cc de sada igual a um mltiplo da tenso de pico da entrada;
Usados em fonte de alimentao de alta tenso e baixa corrente

1.5.4.1 Dobrador de Tenso de Meia Onda


Figura 3.12 Usa dois capacitores e dois diodos;
Semiciclo negativo, D1 polarizado direto e D2 reverso;
C1 se carrega com tenso VP
Semiciclo positivo: D1 reverso e D2 direto;
C2 se carrega com 2VP

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1.5.4.2 Dobrador de Tenso de Onda Completa


Carga em ambos os semiciclos;
No tem ponto de aterramento comum ligando entrada e sada;

1.6 - Circuitos Limitadores


Retira tenses do sinal acima ou abaixo de um determinado nvel;
Usados para variar a forma de onda do sinal e proteger os circuitos.

1.6.1 Limitador Positivo


Figura 3.15 - ceifador;
Retira partes positivas do sinal: todos semiciclos positivos so cortados ( <
0,7V ) ;

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Na polarizao reversa, a tenso de entrada aplicada carga;
RL deve ser bem maior que R

1.6.2 Limitador Positivo Polarizado


Desloca o nvel de corte da tenso para V+0,7V

dois limitadores de tenso positiva e negativa podem ser associados (Fig. 3-17)

quando o nvel da tenso de sada for muito grande, a forma de onda do sinal de
sada ser prximo de uma onda quadrada;

1.6.3 - Grampo de diodos


Interligao de um ou mais diodos que serve para grampear a tenso de sada;

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1.6.4 Grampeadores CC
Soma tenso CC ao sinal alternado;
Fig 3.19 Grampeador cc positivo;
Primeiro Semiciclo negativo: diodo conduz e carrega capacitor com VP
Depois do pico negativo, diodo abre e a carga v a associao da tenso do
capacitor mais a tenso da fonte;

1.7 Outros Tipos de Diodos

Diodos retificadores e de pequeno sinal: otimizados para retificao;


Outros diodos podem ser usados em funes diferentes;

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Eletrnica Bsica 2005 Capitulo 1 - Diodo

1.7.1. Diodo Zener


Regio de ruptura deve ser evitada num diodo retificador;
Diodo Zener: otimizado para trabalhar na regio de ruptura (diodo de ruptura);
Usado intensivamente em reguladores de tenso;
Mantm a tenso de sada constante apesar de grandes variaes da tenso de
entrada e da resistncia da carga;
De acordo com a dopagem, a tenso de ruptura varia de 2 a 200 V;
Figura 4.1:

ao atingir Vz (com IZT) , a tenso permanece constante;


IZT corrente zener mxima

1.7.2 Diodo Emissor de Luz (LED Light Emissor Diode)


energia luminosa que os eltrons livres liberam ao atravessar a juno e
descerem para a banda de valncia;
usam diferentes elementos semicondutores para obter cores diferentes, inclusive
infravermelho;
queda de tenso tpica da entre 1,5 V a 2,5 V e corrente entre 10 e 50 mA;
queda tpica de 2 V ( calcular corrente na circuito da 4.11.a);

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Eletrnica Bsica 2005 Capitulo 1 - Diodo

Indicador de sete-segmentos (tabela de valores);


Cada segmento um LED;
Pontos aterrados indicam quais segmentos esto acessos.

1.7.3 Fotodiodo
polarizao reversa no diodo: corrente reversa devido ao fluxo de portadores
minoritrios;
energia luminosa sobre a juno PN pode desajolar eltrons de valncia;
quantidade de energia luminosa controlando a corrente;
fotodiodo: diodo otimizado para sua sensibilidade a luz;
o janela permite que a luz chegue na juno;

usado como fotodetetor: transforma luz incidente em grandeza eltrica;


Optoacoplador
o Associa um LED a um fotodetetor num nico dispositivo;
o isolao eltrica entre os circuitos - Megaohms

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Eletrnica Bsica 2005 Capitulo 1 - Diodo

1.7.4 Diodo Schottky


Diodo comum pode entrar em corte facilmente quando a polarizao revertida;
Com aumento da freqncia, as cargas armazenadas demoram a ser retirada e o
diodo conduz mesmo quando reversamente polarizado at que as cargas sejam
retiradas da juno;
A retificao no mais perfeita;
Diodo Schottky:
o Emprega metal de um lado da juno e silcio dopado do outro lado;
o Queda de tenso direta de 0,25V;

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Eletrnica Bsica 2005 Capitulo 1 - Diodo

Lista de Exerccios sugeridos Livro Texto: Malvino

Captulo 2
2.4 Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta
se a tenso for de 0,7 V e a corrente de 100 mA?

2.5 a 2.12; 2.15, 2.16

Captulo 3
Onda senoidal
VPP = 2 VP ; VRMS = 0,707 VP ;

Retificador Meia Onda Retificador Onda completa


Tenso Mdia: VCC = 0,318 V2(PICO) Tenso Mdia: VCC = 0,636 V2(PICO)

3.2 Um transformador tem uma tenso de secundrio de 30 V ca. Qual a


tenso de pico atravs da resistncia de carga? A tenso mdia? A corrente mdia
atravs da resistncia de carga?
3.3 Considere alguns tipos de diodos e sua especificao Io
1N914: I0 = 50 mA 1N3070: I0 = 100 mA
1N4002: I0 = 1 A 1N1183: I0 = 35 mA
Se a tenso no secundrio for de 115 Va, qual o tipo de diodo dado na tabela
que pode ser usado?

3.4; 3.5; 3.11; 3.12;

Captulo 4
4.1 Um diodo zener tem 15 V aplicada sobre ele com uma corrente de 20
mA atravs dele. Qual a potncia dissipada?

4.2 Se um dido zener tiver uma especificao de potncia de 5W e uma


tenso zener de 20 V, qual o valor de sua corrente IZM?

4.3 Um diodo zener tem uma resistncia zener de 5 . Se a corrente variar


de 10 a 20 mA, qual a variaode tenso atravs do diodo zener?

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Eletrnica Bsica 2005 Capitulo 1 - Diodo
4.4 Uma variao de corrente de 2 mA atravs de um diodo zener produz
uma variao de tenso de 15 mV. Qual o valor de resistncia zener?

4.5 O Diodo zener da figura 4.23a tem uma tenso zener de 15 V e uma
especificao de potncia de 0,5 W. Se VS = 40 V, qual o mnimo valor de RS que
impede que o diodo zener seja destrudo.

4.6 Use os mesmo dados do problema anterior, com RS = 2 k. Qual o


valor da corrente zener? Qual a potncia dissipada pelo diodo?

4.10 Na figura seguinte, qual o valor aproximado da corrente zener para


cada uma das seguintes resistncias de carga:
RL = 100 k ; RL = 10 k ; RL = 1 k

4.11, 4.12; 4.19; 4.23; 4.24; 4,25;

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