Estudiante: Wolfgang Al Henrquez Reyes Carn: SMIS479617

Objetivo: Que los estudiantes describan las caractersticas, funcionamientos y diferencias de los transistores Mosfet.
Introduccin: Los transistores son dispositivos semiconductores que permiten realizar muchas aplicaciones, es
necesario que se puedan comprender las caractersticas, funcionamientos y tipos de transistores.
Propsito: Los estudiantes debern investigar y buscar informacin en diferentes medios de informacin como
biblioteca UGB, revistas, Bibliotecas en Internet, hacer una tabla comparativa donde permita diferenciar sus
caractersticas con respectos a otros transistores, como lo son BJT-JFET-MOSFET.

TABLA COMPARATIVA TRANSISTORES

Tipo BJT JFET MOSFET

TO-126, TO-3, TO-220, TO-92, TO-126, TO-3, TO-220, TO-92, TO-126, TO-3, TO-220, TO-92,
Encapsulados TO-18, TO-39 y cpsula TO-18, TO-39 y Ccpsula TO-18, TO-39 y Ccpsula
miniatura. miniatura. miniatura.
PNP y NPN PNP y NPN PNP y NPN

Polarizacin fija o en emisor Polarizacin de puerta del Polarizacin por divisor de

comn.
Polarizacin
Estabilizado en el emisor
Divisor de tensin.
Amplificador, oscilador,
interruptor, conmutador o
rectificador.
El transistor de unin bipolar
es un dispositivo electrnico
de estado slido consistente
Funciones
en dos uniones PN muy
cercanas entre s, que permite
aumentar la corriente y
disminuir el voltaje, adems de
controlar el paso de la
corriente a travs de sus
terminales.
Radio, televisin e
Usos instrumentancin.
JFET. tensin del JFET.
Se establece un punto Q en
Polarizacin por auto Vgs=0, por lo tanto, una seal
polarizacin del JFET. de AC que entra por el
graduador produce variaciones
arriba y bajo del punto Q.
Amplificador, oscilador, Amplificador, oscilador,
interruptor, conmutador o conmutador o rectificador.
rectificador.
Funcionamiento por tensin,
El transistor de efecto campo son controlados por voltaje
es en realidad una familia de por lo que tienen una
transistores que se basan en el impedencia de entrada muy
campo elctrico para controlar alta
la conductividad de un "canal"
en un material semiconductor.
Control de reles, fuentes de
Osciladores, generadores de alimentacion conmutadas,
onda y emisn de control de lamparas y
radiofrecuencia modulacin por anchura de
impulsos PWM

Aplicaciones Amplificacin de todo tipo
Material de fabricacin Germanio o Silicio.
2N2222 | 2N3055 | BC547 |
2N3904 | 2N2222A | BC107 |
C945 | BC548 | BD139 | 8050
| S8050 | BC557 | BC337 |
TIP31 | D882 | AC128 | BC108
| S9014 | C1815 | BD140 |
Compatibilidad 2N3906 | S8550 | 8550 |
2SC945 | 2SC5200 | BC547B |
2N5551 | MJE13003 | 9014 |
BC549 | BC148 | TIP122 |
9013 | 2N2907 | BC558 |
BC327 | C102 | A733 |
2SC1815 | 2N60C | 2N222 |
2N4401 | BC109 | BD135 |
S9013 | BC546 | A1015 | 9012
| 431 | 2N3773 |
Voltaje de Operacin DC
Ofrecen una buena
ganancia de amplificacin
Los BJT presentan una
Ventajas respuesta en frecuencia
alta debido a la ba#a
capacidadde entrada!
Generan un nivel de ruido
muy alto con respecto a
los FET
Generan gran temperatura
a comparacin de los FET
Desventajas
Son ms fciles de fabricar
que los BJT pues precisan
menos pasos y permiten
integrar ms dispositivos
en un CI.
Generacin de seal y
Conmutacin, actuando de
interruptores
Silicio
IRF3205 | IRFZ44N | IRF740 |
IRF540 | IRF840 | BS170 |
IRFZ44 | IRF640 | IRF540N |
2N7000 | IRF630 | IRFP460 |
IRFZ46N | IRF530 | IRF1404 |
IRF3710 | IRFZ34N | IRFP250 |
BUZ11 | RFP50N06 | IRF520 |
IRFP450 | IRFB3306 | IRF510 |
IRF830 | 2N5484 | IRF730 |
IRF150 | STF5N52U | IRF2807
| IRFP064N | 75339P |
IRFZ44V | IRFZ48N | 2SK3569
| 2N4416 | IRF4905 | IRF9540
| IRFP4227 | IRFP4332 |
DC
Son dispositivos
controlados por tensin
con una impedancia de
entrada muy elevada (107
a 1012 ohmios)
Los FET generan un nivel
de ruido menor que los
BJT.
Los FET presentan una
respuesta en frecuencia
pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
Los FET presentan una
linealidad muy pobre, y en
general son menos
lineales que los BJT.
Conmutacin, actuando de
interruptores y amplificacin
de todo tipo.
Silicio
IRF3205 | IRFZ44N | IRF740 |
IRF540 | IRF840 | BS170 |
IRFZ44 | IRF640 | IRF540N |
2N7000 | IRF630 | IRFP460 |
IRFZ46N | IRF530 | IRF1404 |
IRF3710 | IRFZ34N | IRFP250 |
BUZ11 | RFP50N06 | IRF520 |
IRFP450 | IRFB3306 | IRF510 |
IRF830 | 2N5484 | IRF730 |
IRF150 | STF5N52U | IRF2807
| IRFP064N | 75339P |
IRFZ44V | IRFZ48N | 2SK3569
| 2N4416 | IRF4905 | IRF9540
| IRFP4227 | IRFP4332 |
DC
Los FET son ms estables
con la temperatura que los
BJT.
Los FET de potencia
pueden disipar una
potencia mayor y
conmutar corrientes
grandes.
Los FET se pueden daar
debido a la electricidad
esttica